Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2006523377A - 液浸流体をリソグラフィック投影レンズ下に維持すること - Google Patents

液浸流体をリソグラフィック投影レンズ下に維持すること Download PDF

Info

Publication number
JP2006523377A
JP2006523377A JP2006506525A JP2006506525A JP2006523377A JP 2006523377 A JP2006523377 A JP 2006523377A JP 2006506525 A JP2006506525 A JP 2006506525A JP 2006506525 A JP2006506525 A JP 2006506525A JP 2006523377 A JP2006523377 A JP 2006523377A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
workpiece
stage
optical assembly
pad
assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006506525A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4315198B2 (ja
JP2006523377A5 (ja
Inventor
マイケル ビナード,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of JP2006523377A publication Critical patent/JP2006523377A/ja
Publication of JP2006523377A5 publication Critical patent/JP2006523377A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4315198B2 publication Critical patent/JP4315198B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • G03F7/70725Stages control
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00Photographic printing apparatus
    • G03B27/32Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/52Details
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2012Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image using liquid photohardening compositions, e.g. for the production of reliefs such as flexographic plates or stamps
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2053Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
    • G03F7/2055Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser for the production of printing plates; Exposure of liquid photohardening compositions
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2063Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

リソグラフィマシン10のワークピース208の交換中に、投影レンズ16に隣接するギャップに液浸流体212を維持するための装置及び方法が開示される。装置及び方法は、ワークピース208上に像を投影するために構成された光学アセンブリ16と、光学アセンブリ16に隣接するワークピース208を支持するために構成されたワークピーステーブル204を含むステージアセンブリ202を備える。環境システム26が設けられて、光学アセンブリ16とステージアセンブリ202上のワークピース208の間のギャップに液浸流体212を供給し除去する。ワークピース208の露光が完了した後、交換システム216がワークピース208を取り出し、第2ワークピースに置き換える。液浸流体維持システム214が設けられて、第1ワークピース208を取り出し、第2ワークピースに置き換える間、ギャップに液浸流体212を維持する。

Description

本願は、2003年4月11日に出願された、「”液浸リソグラフィ用着水パッド”(Landing Pad for Immersion Lithography)」と題する、仮出願第60/462,499号に基づく優先権を主張しており、あらゆる目的でその出願の内容をここに援用して本文の記載の一部とする。
リソグラフィシステムは半導体製造工程において、レチクルから半導体ウェハ上に像を転写するために一般に用いられている。典型的なリソグラフィシステムは、光学アセンブリと、パターンを定義しているレチクルを保持するためのレチクルステージと、半導体ウェハを位置決めするウェハステージと、レチクル及びウェハの位置を正確にモニターするための測定システムとを有する。操作中、レチクルにより定義される像は光学アセンブリによってウェハ上に投影される。投影された像は、典型的には、ウェハ上の1つもしくはそれ以上のダイ(区画)の大きさである。露光後、ウェハステージアセンブリはウェハを移動して、別の露光が行われる。このプロセスはウェハ上の全てのダイが露光されるまで繰り返される。その後、ウェハは取り出され、その場所で新しいウェハに交換される。
液浸リソグラフィシステムは、ウェハの露光中、光学アセンブリとウェハとの間のギャップを完全に満たす液浸流体の層を利用する。光学アセンブリと共に液浸流体の光学特性は、通常の光学リソグラフィシステムを用いて現時点で可能なサイズよりも小さなサイズの投影を可能とする。例えば、液浸リソグラフィは、現時点で65nm,45nm,さらにそれを超える次世代半導体技術として考えられている。そのため、液浸リソグラフィは、予見される将来において光学リソグラフィを継続して使用させるであろう技術的に重要なブレークスルーを代表している。
ウェハが露光された後、露光されたウェハは取り出され、新しいウェハに交換される。液浸システムにおいて現時点で考えられているのは、液浸流体をギャップから除去して、ウェハが交換された後に再び満たすというものである。より具体的には、ウェハが交換される際には、ギャップへの流体の供給が停止され、流体がギャップから除去され(例えば真空によって)、古いウェハが取り出され、新しいウェハが位置決めされて光学アセンブリの下方に置かれ、その後、ギャップは新鮮な液浸流体で再び満たされる。上記の全てのステップ(工程)が完了した後、新しいウェハの露光が開始されることができる。
上記のように、液浸リソグラフィにおけるウェハ交換は、数多くの理由により課題を含んでいる。ギャップへの流体の充填・排出を繰り返すことにより、液浸流体の変動が引き起こされたり、液浸流体内に泡が形成されたりするかもしれない。泡及び不安定な流れは、レチクルの像のウェハ上への投影を妨げ、それにより生産量を減少させるかもしれない。全体のプロセスはまた、多くの工程を含んでおり、時間がかかり、装置の全体のスループットを下げる。
したがって、ウェハステージを投影レンズから遠ざける際に、例えばウェハ交換の間に、投影レンズに隣接するギャップに液浸流体を維持するための装置及び方法が求められている。
リソグラフィマシン(リソグラフィ機)の投影レンズに隣接するギャップに液浸流体を維持するための装置及び方法が開示される。その装置及び方法は、ワークピース上に像を投影するように構成された光学アセンブリと、光学アセンブリに隣接するワークピースを支持するように構成されたワークピーステーブルを含むステージアセンブリとを含んでいる。環境システムはギャップに液浸流体を供給し、そこから液浸流体を排出するために提供される。ワークピースの露光が完了した後、交換システムはワークピースを取り出し、それを第2ワークピースと置き換える。液浸流体システムが提供されて、ワークピーステーブルが投影レンズから遠ざかる際に、ギャップに液浸流体が維持される。従って、第1ワークピースが第2ワークピースに置き換えられた際、ギャップを液浸流体で再び満たす必要はない。
添付図中、同一の参照番号は同一の要素を示す。
図1は本発明の特徴を有するリソグラフィマシン10の概略図である。リソグラフィマシン10は、フレーム12と、照明システム14(照射装置)と、光学アセンブリ16と、レチクルステージアセンブリ18と、ワークピースステージアセンブリ20と、測定システム22と、制御システム24と流体環境システム26とを有する。リソグラフィマシン10の要素の設計は、リソグラフィマシン10の設計の要求に適合するように変更することができる。
一実施形態において、リソグラフィマシン10は、集積回路のパターン(不図示)をレチクル28から半導体ウェハ30(点線で図示)上に転写するために用いられる。リソグラフィマシン10は設置基盤32、例えば、地面や台座や床やその他の支持構造に据え付けられる。
本発明の様々な実施形態において、リソグラフィマシン10は、レチクル28とウェハ30を同期させて駆動しつつ、レチクル28のパターンをウェハ30上に露光する走査型フォトリソグラフィシステムとして使用されることができる。走査型リソグラフィマシンにおいて、レチクル28は、レチクルステージアセンブリ18によって光学アセンブリ16の光軸に対して垂直に移動され、ウェハ30はウェハステージアセンブリ20によって光学アセンブリ16の光軸に対して垂直に移動される。レチクル28及びウェハ30の走査は、レチクル28及びウェハ30が同期して移動している間に行われる。
あるいは、リソグラフィマシン10は、レチクル28及びウェハ30が静止している間にレチクル28に露光するステップ−アンド−リピート型のフォトリソグラフィシステムであってもよい。ステップ−アンド−リピートプロセスにおいて、ウェハ30は、個々の領域を露光する間、レチクル28及び光学アセンブリ16に対して一定の位置に位置付けられる。続いて、連続する露光工程と露光工程の間に、ウェハ30はウェハステージアセンブリ20と共に、光学アセンブリ16の光軸に対して垂直に次々と動かされて、ウェハ30の次の領域が、光学アセンブリ16及びレチクル28に対応する露光のための位置に導かれる。このプロセスに続いて、レチクル28の像はウェハ30上の領域に逐次転写され、その後、ウェハ30の次の領域が光学アセンブリ16及びレチクル28に対応する位置に導かれる。
しかしながら、本願に示されているリソグラフィマシン10の使用は、半導体製造用のフォトリソグラフィに限定される必要はない。例えば、リソグラフィマシン10は、液晶ディスプレイのワークピースのパターンを矩形のガラス基板上に露光するLCDフォトリソグラフィシステムや薄膜磁気ヘッドを製造するためのフォトリソグラフィシステムとして使用できる。従って、本願において用語「ワークピース」はリソグラフィ法を用いてパターンニングされ得る任意のデバイスを指すために広義に用いられ、ウェハやLCD基板に限定されない。
装置フレーム12はリソグラフィマシン10の要素を支持する。図1に示されている装置フレーム12は、設置基盤32上方に、レチクルステージアセンブリ18、ウェハステージアセンブリ20、光学アセンブリ16及び照明システム14を支持する。
照明システム14は、照明源34及び照明光学アセンブリ36を備える。照明源34は光エネルギーのビーム(光線)を放出する。照明光学アセンブリ36は、光エネルギーのビームを照明源34から光学アセンブリ16へと導く。ビームはレチクル28の異なる部分を選択的に照射して、ウェハ30を露光する。図1において、照明源34はレチクルステージアセンブリ18の上方に支持されているように図示されている。しかしながら、典型的には、照明源34は装置フレーム12の一側面に固定され、照明源からのエネルギービームは、照明光学アセンブリ36でレチクルステージアセンブリ18の上方に向けられる。
照明源34は、g線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)またはFレーザ(157nm)とすることができる。それに代わって、照明源34は荷電粒子線又はX線を発生することができる。
光学アセンブリ16は、レチクル28を透過する光をウェハ30へ投影及び/又は合焦する。リソグラフィマシン10の設計に応じて、光学アセンブリ16はレチクル28上に照射された像を拡大若しくは縮小することができる。光学アセンブリ16は縮小システムに限定される必要はなく、等倍又はそれ以上の拡大システムであってもよい。
また、波長200nm又はそれ未満の真空紫外光(VUV)を用いるワークピースの露光では、カタディオプトリック型の光学システムを使用することを考慮することができる。カタディオプトリック型の光学システムの例は、特許公開公報に公開された特開平8−171054号及びそれに対応する米国特許第5,668,672号並びに、特開平10−20195号及びそれに対応する米国特許第5,835,275号の開示に含まれている。これらの場合において、反射型光学ワークピースは、ビームスプリッター及び凹面鏡を組み込こむカタディオプトリック型光学システムであることができる。特許公開公報に公開された特開平8−334695号及びそれに対応する米国特許第5,689,377号並びに、特開平10−3039号及びそれに対応する米国特許第873,605号(出願日:1997年6月12日)はまた、凹面鏡等を組み込んでいるがビーム分配器を持たない反射−屈折型光学システムを用いており、それらは本発明にも用いることができる。許容される範囲において、上記米国特許及び特許公開公報に記載の日本国特許出願における開示をここに援用して本文の記載の一部とする。
レチクルステージアセンブリ18は、光学アセンブリ16及びウェハ30に対してレチクル28を保持し、それらに対してレチクル28を位置決めする。一実施形態において、レチクルステージアセンブリ18は、レチクル28を保持するレチクルステージ38と、レチクルステージ38及びレチクル28を移動し且つ位置決めするレチクルステージ駆動アセンブリ40とを含む。
各々のステージ駆動アセンブリ40,44は、それぞれのステージ38,42を3つの自由度、3より小さな自由度、3より大きな自由度で動かすことができる。例えば、別の実施形態において、各々のステージ駆動アセンブリ40,44はそれぞれのステージ38,42を1,2,3,4,5,又は6の自由度で動かすことができる。レチクルステージ駆動アセンブリ40及びワークピースステージ駆動アセンブリ44は各々、ロータリーモーター、ボイスコイルモーター、駆動力を発生するためにローレンツ力を利用するリニアモーター、電磁駆動機、平面モーター、又はその他の力による駆動機のような駆動機を一つもしくはそれより多く有する。
フォトリソグラフィシステムにおいて、リニアモーター(米国特許第5,623,853号又は第5,528,118号参照。さらにここに援用して本文の記載の一部とする)がウェハステージアセンブリ又はレチクルステージアセンブリに用いられる場合、リニアモーターはエアベアリングを用いるエア浮上型であっても、ローレンツ力又はリアクタンス力を用いる磁気浮上型であってもよい。さらに、ステージはガイドに沿って動かすこともでき、ガイドを使用しないガイドレス型ステージにすることもできる。
あるいは、ステージの一つは平面モーターによって駆動されてもよい。この平面モーターは、二次元的に配置されたマグネットを有するマグネットユニットと、対向する位置に二次元的に配置されたコイルを有する電機子コイルユニットによって生み出される電磁気力によってステージを駆動する。このタイプの駆動システムでは、マグネットユニット又は電機子コイルユニットのいずれかがステージ基盤に接続され、他方のユニットはステージの移動面側に載置される。
上述のステージの移動は、フォトリソグラフィシステムの性能に影響を及ぼすことになる反力を生じる。ウェハ(基板)ステージの動作により生じる反力は、米国特許第5,528,100号及び特開平8−136475号に記載されているようなフレーム部材の使用により、床(地面)に機械的に転移することができる。さらに、レチクル(マスク)ステージの動作によって発生した反力は、米国特許第5,874,820号及び特開平8−330224号に記載されているようなフレーム部材の使用によって、床(地面)に機械的に転移することができる。許容される範囲において、米国特許第5,528,100号、第5,874,820号及び特開平8−330224号をここに援用し、本文の記載の一部とする。
測定システム22は、光学アセンブリ16又はその他の基準に対するレチクル28及びウェハ30の動作をモニターする。この情報によって、制御システム24は、レチクルステージアセンブリ18を制御してレチクル28に正確に位置決めし、ワークピースステージアセンブリ20を制御してウェハ30に正確に位置決めすることができる。測定システム22の設計は変更することができる。例えば、測定システム22は、多軸レーザー干渉計、エンコーダ、ミラー及び/又は他の測定デバイスを使用することができる。
制御システム24は測定システム22から情報を受け取って、レチクル28及びウェハ30を正確に位置決めするためにステージ駆動アセンブリ18,20を制御する。さらに、制御システム24は環境システム26の要素の動作を制御することができる。制御システム24は一つ又はそれ以上のプロセッサ及び回路を有することができる。
環境システム26は、光学アセンブリ16とウェハ30の間のギャップ(不図示)内の環境を制御する。ギャップは結像領域を含む。結像領域は、露光されているウェハ30の範囲に隣接する領域(エリア)と、光エネルギーのビームが光学アセンブリ16とウェハ30の間を進行する領域(エリア)を含む。この設計では、環境システム26は結像領域の環境を制御することができる。環境システム26によってギャップに生成及び/又は制御される所望の環境は、ウェハ30と、照明システム14を含むリソグラフィマシン10の残りの要素の設計に基づいて変更することができる。例えば、所望の制御された環境は、水のような流体にすることができる。あるいは、所望の制御された環境は、ガスのような別の種類の流体にすることもできる。様々な実施形態において、ギャップは、ウェハ30の上面と光学アセンブリ16の終端の光学素子との間の高さにおいて0.1mm〜10mmの範囲であってもよい。
ある実施形態において、環境システム26は結像領域及びギャップの残りを液浸流体で満たす。環境システム26及び環境システム26の要素の設計は変更することができる。異なる実施形態において、環境システム26は、スプレーノズル、動電スポンジ、多孔性の材料などを用いて、液浸流体をギャップに供給及び/又は噴射し、真空ポンプやスポンジなどを用いてギャップから液浸流体を除去する。環境システム26の設計は変更することができる。例えば、ギャップの位置又はその近くの位置において、一点もしくはそれより多くの地点から液浸流体を噴射することができる。さらに液浸流体システムは、ワークピース30、ギャップ及び/若しくは光学アセンブリ16の端部の位置又はそれらの近くの位置における一点もしくはそれより多くの地点で、液浸流体を除去すること及び/又は排出することを補助することができる。様々な環境システムについてのさらなる詳細に関しては、2003年4月9日に出願された”液浸リソグラフィ流体制御システム(Immersion Lithography Fluid Control System)”と題する米国仮出願第60/462,142号、2003年4月10日に出願された”液浸リソグラフィ用真空環状システム及びウィック環状システム(Vacuum Ring System and Wick Ring System for Immersion Lithography)”と題する米国仮出願第60/462,112号及び2004年2月2日に出願された” 液浸リソグラフィ用のノズルデザイン(Nozzle Design for Immersion Lithography)”と題する米国仮出願第60/541/329号が参照され、さらにこれらは全てここに援用して本文の記載の一部とする。
図2には、本発明の一実施形態を示すリソグラフィマシンの断面図が示されている。リソグラフィマシン200は、光学アセンブリ16と、ウェハテーブル204及びウェハステージ206を有するステージアセンブリ202とを備える。ウェハテーブル204は、光学アセンブリ16の下方にウェハ208(もしくは他のタイプのワークピース)を支持するように構成されている。光学アセンブリ16を取り囲む環境システム26は、ウェハ208と光学アセンブリ16の終端の光学素子との間のギャップに液浸流体212を供給し、そこから液浸流体212を除去するために用いられる。ウェハローダ218(例えばロボット)及びアライメントツール220(例えば顕微鏡及びCCDカメラ)を備えるワークピース交換システム216は、ウェハテーブル204上のウェハ208を取り出し、それを第2ウェハに置換するように構成されている。このことは、典型的には、ウェハ208をウェハテーブル204から持ち上げて取り出すためのウェハローダ218を用いて達成される。続いて、第2ウェハ(不図示)は、ウェハチャック218上に置かれ、アライメントツール220を用いてアライメントが行われ、その後ウェハテーブル204上で光学アセンブリ16の下方に位置付けられる。
この実施形態において、ウェハステージ206は、ウェハ交換中に光学アセンブリ16の終端の光学素子に隣接するギャップに液浸流体212を維持するように構成される液浸流体維持システム214を含む。液浸流体維持システム214は、ウェハテーブル204に隣接するパッド222を含む。パッド222とウェハステージ206の間に設けられた支持部材224は、パッド222を支持するために用いられる。ウェハテーブル204は、ウェハ208の表面と面一である平坦な上面を有する。パッド222も、ウェハテーブル204の上面及びウェハ表面に面一である平坦な上面を有する。パッド222は、非常に小さなギャップ(例えば0.1−1.0mm)でウェハテーブル204に隣接して配置されるので、液浸流体212はウェハテーブル204とパッド222の間を漏れることなく移動することができる。ウェハ交換の間、ウェハステージ206は矢印226の向きに移動し、パッド222は、流体をギャップに維持しつつ、または流体ギャップのサイズを維持しつつ、ウェハテーブル204の代わりに光学アセンブリ16の下方に位置付けられる。新しいウェハが位置決めされた後、ウェハステージは元の位置に戻り、パッド222はギャップから取り出されて、第2ウェハが光学アセンブリ16の下方に位置付けられる。様々な実施形態において、パッド222はウェハテーブル204に隙間なく密着して配置される。ウェハテーブル204の垂直方向の位置及び/又は傾きは調整可能であり、ウェハテーブル204が光学アセンブリ16の下方から送り出される前は、ウェハテーブルの表面はパッド表面と面一である。パッド222と光学アセンブリ16の間のギャップを維持することは、ウェハ交換の操作のみに限られない。パッド222は、アライメント操作中もしくは測定操作中に、パッド222と光学アセンブリ16との間の隙間に液浸流体212を維持するための十分な大きさにすることができる。これらの動作において、液浸流体212で占められる領域の一部はウェハテーブル204の上面にあってもよい。
図3A及び3Bには、本発明の別の実施形態に係る別の液浸リソグラフィマシンの断面図及び平面図が示されている。リソグラフィマシン300は、光学アセンブリ16と、ウェハテーブル304及びウェハステージ306を含むステージアセンブリ302とを含む。ウェハテーブル304は、ウェハ308(もしくは別のタイプのワークピース)を光学アセンブリ16の下方に支持するように構成されている。光学アセンブリ16を取り囲む環境システム26を用いて、ウェハ308と光学アセンブリ16の最下部の光学素子との間のギャップに液浸流体312を供給し、そこから液浸流体312を除去する。ウェハーローダー318とアライメントツール320を含むワークピース交換システム316は、ウェハテーブル304上のウェハ308を取り出し、それを第2ウェハに置き換えるように構成されている。このことはウェハテーブル304からウェハ308を取り出すためにウェハローダー318を使用することによって達成される。続いて、第2ウェハ(不図示)がウェハチャック318上に置かれ、アライメントツール320を用いてアライメントされ、その後、光学アセンブリ16の下方に位置付けられる。図3Bに最も分かり易く示されるように、モーターの組322を用いて、ウェハテーブル304及びウェハステージ306を含むウェハアセンブリ302を、操作中に2つの自由度(X及びY)で駆動する。上で述べたように、モーター322は、リニアモーター、ロータリーモーター、ボイスコイルモーターのような任意のタイプのモーターにすることができる。
液浸リソグラフィマシン300はまた、ウェハテーブル304が光学アセンブリの下方から離れている間、光学アセンブリ16の下方の空間に液浸流体312を維持するように構成される液浸流体維持システム324を含む。液浸流体維持システム324は、パッド326、モーター328及び制御システム330を含む。パッド326は、光学アセンブリ16とウェハテーブル204に隣接して位置決めすることができる。ウェハテーブル304は、ウェハ308の上面と面一である平坦な上面を有する。パッド326は、ウェハテーブル304の上面及びウェハ表面と面一である平坦な上面を有する。パッド326は、制御システム330により制御されるモーター328を用いて、X及びY方向に移動可能である。モーター328は、モーター322と同様に任意のタイプのモーターも使用することができる。ウェハテーブル304(ウェハステージ306)が光学アセンブリ16の下方から離れているときに、パッド326は光学アセンブリ16の下方に位置付けられる。ウェハ交換の間、ウェハテーブル304は光学アセンブリ16から遠ざかる。同時に、制御システム330は、モーター328に光学アセンブリ16の下にウェハテーブル308に代わってパッド326を移動させるように指令する。このようにして、パッド326は光学アセンブリ16の下方のギャップに液浸流体312を維持する。新しいウェハがアライメントツール320を用いてアライメントされた後、ウェハテーブル304は光学アセンブリ16の下方に再び位置付けられる。同時に、制御システム330は、モーター328に液浸流体312の漏出を防ぎつつ、ギャップからパッド326を撤退するように指令する。ウェハ交換操作中に、制御システム330はウェハテーブル304とパッド326の間を小さなギャップに維持しつつ、ウェハテーブル304とパッド326を駆動し、その間に光学アセンブリ16の下方の液浸流体312がウェハテーブル304とパッド326の間を移動する。したがって、液浸流体維持システム324はウェハ交換の間、ギャップに液浸流体312を維持する。この実施形態において、ウェハテーブル304(ウェハステージ306)及びパッド326は個別に動作可能である。それゆえ、液浸流体312がパッド326と光学アセンブリ16との間の空間に維持されている間、ウェハテーブル326は自由に移動可能である。本発明の様々な実施形態において、制御システム330は分離した制御システムにしてもよく、またはウェハステージ302及びウェハテーブル304を位置決めするためのモーター322を制御するために用いる制御システムに組み込むこともできる。ウェハテーブル304とパッド326の少なくとも一方の垂直方向の位置及び/又は傾きを調整して、ウェハテーブルが光学アセンブリの下方から送り出される前に、ウェハテーブルの表面をパッドの表面と面一にしてもよい。ウェハテーブル304を光学アセンブリ16から遠ざける操作は、ウェハ交換の操作に限定される必要はない。例えば、アライメント操作、測定操作もしくは他の操作を、パッド326と光学アセンブリ16との間の空間に液浸流体312を維持している間に実行しうる。
図4A及び4Bを参照すると、液浸リソグラフィマシンの2つの断面図が示されている。リソグラフィマシン400は、光学アセンブリ16と、ウェハテーブル404及びウェハステージ406を含むステージアセンブリ402とを備える。ウェハテーブル404は光学アセンブリ16の下方にウェハ408(または他のタイプのワークピース)を支持するように構成されている。光学アセンブリ16を取り囲む環境システム26は、ウェハ408と光学アセンブリ16の最下部の光学素子の間のギャップに液浸流体412を供給し、そこから液浸流体412を除去するのに用いられる。ウェハローダー418とアライメントツール420を含むワークピース交換システム416は、ウェハテーブル404上のウェハ408を取り出して、第2ウェハに置き換えるように構成されている。このことは、ウェハローダー418を用いてウェハテーブル404からウェハ408を取り出すことによって達成される。続いて、第2ウェハ(不図示)がウェハチャック418上に置かれ、アライメントツール420を用いてアライメントされ、その後、図4Aに示されるように光学アセンブリ16の下方に位置付けられる。
液浸リソグラフィマシン400はまた、ウェハテーブル404が光学アセンブリ16の下方から離れている間、光学アセンブリ16の下方の空間に液浸流体412を維持するように構成される液浸流体維持システム424を含む。液浸流体維持システム424は、パッド426と、光学アセンブリ16に設置される第1クランプ428と、ウェハテーブル404に設置される第2クランプ430とを含む。液浸流体412が光学アセンブリ16とウェハテーブル404(またはウェハ408)の間にあるとき、パッド426はウェハテーブル404上の適切な位置に第2クランプ430によって保持される。例えばウェハ交換操作の間のように、ウェハテーブル404が光学アセンブリ16から離れているとき、パッド426はウェハテーブル404から脱離して第1クランプ428によって保持され、光学アセンブリ16とパッド426との間に液浸流体412を維持する。ウェハテーブル404は、ウェハ408の表面と面一である平坦な上面を有する。ウェハテーブル404上に支持されるパッド426もまた、ウェハテーブル404の上面とウェハ表面に面一である平坦な上面を有する。したがって、液浸パッド426とウェハ408は、液浸流体をリークすることなく光学アセンブリの下方で移動することが可能である。様々な実施形態において、クランプ428及び430は、真空クランプ、磁気クランプ、静電クランプもしくはメカニカルクランプにすることができる。
図4Aに最良に示されているように、ウェハ408の露光中、パッド426はウェハテーブル404上に位置付けられる。第2クランプ430を用いてウェハの露光中にテーブル404上の適切な位置にパッド426を保持する。図4Bに示されるようなウェハの交換中に、ウェハテーブル404は矢印432の向きに移動して、パッド432をウェハ408の代わりに光学アセンブリ16の下方に位置付ける。この場合には、パッド426をウェハテーブル404に保持している第2クランプ430は開放しつつ、第1クランプ428がパッド426を光学アセンブリ16にクランプする。その結果、ウェハ408が交換される間、液浸流体412は光学アセンブリの下方に維持される。新しいウェハがアライメントされた後、ウェハテーブル404は矢印432と逆の向きに移動して、新しいウェハが光学アセンブリの下方に位置付けられる。この動作に先立って、第1クランプ428は開放されつつ、第2クランプ430が再びパッド426をウェハテーブル404に固定する。本実施形態においては、第1クランプ428によってパッド426がクランプされている間、ウェハテーブル404は自由に移動可能である。
様々な実施形態において、パッド426が第1クランプ428によってクランプされる動作は、ウェハ交換動作のみに限られない。アライメント動作、測定動作、もしくは他の動作は、液浸流体312が光学アセンブリ16と第1クランプ428により固定されているパッド426との間の空間に維持されている間に実行することができる。また、クランプ428はフレーム12又は他の支持部材に設けることができ、クランプ430はウェハステージ406上に設けることができる。パッド426はステージアセンブリ402以外の可動部材上に保持することができる。
図5A及び5Bは、本発明の他の実施形態に従う、2つの異なるツインステージ液浸リソグラフィシステムの平面図である。ツインステージリソグラフィシステムの基本的な構造及び操作については、米国特許第6,262,796号及び米国特許第6,341,007号を参照のこと。許容される範囲において、米国特許第6,262,796号及び米国特許第6,341,007号の開示をここに援用して本文の記載の一部とする。両方の実施形態において、一対のウェハステージW1及びW2が示されている。モーター502を用いて、2つのステージWS1及びWS2を水平方向に移動又は位置決めする。その一方で、モーター504を用いて、ステージWS1及びWS2を垂直方向に移動又は位置決めする。モーター502及び504を用いて一方のステージを光学アセンブリ16の下方に交互に位置付け、別のステージでウェハ交換及び位置決めを行う。光学アセンブリ16の下方のウェハの露光が完了したとき、2つのステージは入れ替えられて、上記のプロセスが繰り返される。図2〜4に関連してこれまでに述べられ且つ例示されたような、光学アセンブリ16の下方のギャップに液浸流体を維持するための本発明の様々な実施形態は、いずれかの構成と共に、いずれかのツインステージの構造に使用することができる。例えば、図2の実施形態に関連して、図5A又は5Bのいずれかの各ウェハステージSW1及びSW2は、パッド222及び支持部材224を含むように変更することができる。図3の実施形態に関連して、単一のパッド326、モーター328及び制御システム330は、光学アセンブリ16に隣接して使用することができる。パッド326はステージSW1及びSW2とは別個に動作可能である。ステージSW1とSW2が入れ替えられている間、光学アセンブリ16の下方に液浸流体312を維持するために、パッド326は光学アセンブリ16の下方に移動する。最後に図4の実施形態に関して、取り外し可能な単一のパッドを用いることができる。ステージSW1及びSW2が入れ替えられる間、図4Bに示されるように、パッド426はギャップに液浸流体を維持するために用いられる。その一方、露光中には、パッドは、露光されているウェハステージ上のウェハテーブルの上にクランプされる。このようにすれば、単一のパッドのみが2つのステージWS1及びWS2に対して必要とされる。その代わりに、以下で説明するように、第2ステージをパッドとして使用することもできる。
図6Aには、本発明を実施する一つの実施形態を示すツインステージリソグラフィマシンの平面図が示されている。本実施形態において、液浸リソグラフィシステム600は第1ステージ604と第2ステージ606を備える。2つのステージはモーター602によってX及びY方向に移動される。本実施形態においては、ステージ604及び606自体は、ギャップに液浸流体を維持するように用いられる。例えば、図に示されているように、第1ステージ604は光学アセンブリ16の下方に位置付けられる。ワークピースが交換されるときには、モーター602を用いて、第2ステージ606を第2ワークピースと共に、第1ステージ604に隣接して位置決めされる。近接して配置される2つのステージにより、それらは連続的な表面を実質的に形成する。次いで、モーター602を用いて2つのステージを一体的に動かすことにより、第2ステージ604が光学アセンブリ16の下方に位置付けられ、第1ステージはもはや光学アセンブリ16の下方からいなくなる。それゆえ、第1ワークピースが光学アセンブリ16から離れるとき、ギャップの液浸流体は、第1ステージとほぼ連続な面を形成する第2ステージによって維持される。別の様々な実施形態において、第2ステージ606は、第2ワークピースが第1ステージの上に置かれている間、ギャップに液浸流体を維持するために用いられるパッドを備える”パッド”ステージとすることも可能である。同様に、図5A又は5Bのいずれかに示されるモーターの構成を用いることが可能である。
図6B−6Eを参照すると、本発明の実施形態に従うワークピースの交換を表す一連の図が示されている。図6Bは、露光が完了した後のステージ604上のウェハを示す。図6Cは、光学アセンブリ16の下方の第1ステージ604と接している(もしくはすぐ隣にある)第2ステージ606を示している。図6Cは、起こっている配置替え、即ち、第2ステージ606が光学アセンブリ16の下方に位置付けられることを示している。最後に、図6Eにおいて、第1ステージ604は光学アセンブリ16から遠ざかる。図6C及び6Dに最良に図示されるように、2つのステージ604及び606は、配置替えの間、光学アセンブリ16の下方に連続な表面をもたらし、それゆえギャップに液浸流体が維持される。示された実施形態において、第2ステージ606はパッドステージである。しかし、このステージは上述したようにワークピースステージであることも可能である。
上記の様々な実施形態において、パッドはセラミックス、金属、プラスチックのような複数の異なる材料で作られていてもよい。他の実施形態によれば、これらの材料は、テフロン(商標名)でコーティングされていてもよい。また、パッドは液浸流体によって占められる領域を覆うのに十分な大きさにするべきである。上記の様々な実施形態において、光学アセンブリ16の終端の光学素子の表面は、流体マーク(いわゆる”ウォーターマーク(a water mark)”)の形成を妨げつつ、常に液浸流体の環境下にある。
半導体ウェハは、上記のシステムを用いて、一般に図7Aに示したプロセスによって製造されることができる。工程701において、ワークピースの機能及び性能特性が設計される。次に、工程702において、パターンを有するマスク(レチクル)が先の設計工程に従って設計され、並行する工程703において、ウェハはシリコン材料で製造される。工程702で設計されたマスクパターンは、工程704において、本発明に従ってこれまでに記載したフォトリソグラフィシステムによって、工程703で製造されたウェハ上に露光される。工程705において、半導体ワークピースは組み立てられ(ダイシング工程、ボンディング工程及びパッケージング工程を含む)、最終的に、ワークピースは工程606において検査される。
図7Bは、半導体ワークピース製造の場合における、上記工程704の詳細なフローチャートの例を示している。図7Bにおいて、工程711(酸化工程)では、ウェハ表面が酸化される。工程712(CVD工程)では、絶縁薄膜がウェハ表面に形成される。工程713(電極形成工程)では、蒸着によってウェハ表面上に電極が形成される。工程714(イオン注入工程)では、イオンがウェハ内に注入される。上記の工程711−714は、ウェハ加工処理中のウェハに対する前処理工程を形成し、加工処理の要請に従って各々の工程が選択される。
ウェハ加工処理の各々の段階において、前記前処理工程が完了したとき、以下の後処理工程が実行される。後処理工程の間、先ず、工程715(フォトレジスト形成工程)において、フォトレジストがウェハに塗布される。次に、工程716(露光工程)において、上記の露光ワークピースを用いて、マスク(レチクル)の回路パターンをウェハに転写する。その後、工程717(現像工程)において、露光されたウェハが現像され、工程718(エッチング工程)において、残存したフォトレジスト以外の部分(露光された材料表面)がエッチングによって取り除かれる。工程719(フォトレジスト除去工程)において、エッチング後に残存する不必要なフォトレジストが除去される。
多重の回路パターンが、これらの前処理工程及び後処理工程を繰り返すことによって形成される。
本願に示され、開示されている特定のリソグラフィマシンは、十分に目標を達成することができ、本願で以前に述べた利点を十分に提供することができるが、それは単に発明の現時点の好ましい実施形態の例示であり、添付の請求の範囲に記載されたこと以外に、本願に示されている構造や設計の詳細に限定するものではないと解されるべきである。
図1は本発明の特徴を有するリソグラフィマシンの図である。 図2は本発明の一実施形態に従う液浸リソグラフィマシンの断面図である。 図3A及び3Bは、本発明の別の実施形態に従う液浸リソグラフィマシンの断面図及び上面図である。 図4A及び4Bは、本発明の別の実施形態に従う液浸リソグラフィマシンの断面図及び上面図である。 図5A及び5Bは、本発明の他の実施形態に従う2つの異なるツインウェハステージの上面図である。 図6Aは本発明の別の実施形態に従うツインステージリソグラフィマシンの上面図である。 図6B−6Eは本発明に従うウェハ交換を例示す一連の図である。 図7Aは本発明に従うワークピースを製造するためのプロセスを説明するフローチャートである。 図7Bはワークピース加工をより詳細に説明するフローチャートである。

Claims (45)

  1. ワークピース上に像を投影するように構成された光学アセンブリと、
    前記ワークピースを前記光学アセンブリに隣接して支持するように構成されたワークピーステーブルを有するステージアセンブリと、
    前記ワークピーステーブルが前記光学アセンブリから離隔するときに、前記光学アセンブリに隣接するギャップに液浸流体を実質上維持するように構成された液浸流体システムを備える装置。
  2. 前記液浸流体維持システムが、
    前記ワークピースに隣接して配置されたパッドと、
    前記パッドが前記ギャップに前記液浸流体を維持するために前記光学アセンブリに隣接して位置付けされるように前記ステージアセンブリを移動するように構成されたステージアセンブリ駆動装置とを備える請求項1に記載の装置。
  3. 前記液浸流体システムが、さらに前記パッドを前記光学アセンブリに隣接して保持して前記ギャップに前記液浸流体を維持するように構成された第1クランプを備える請求項2に記載の装置。
  4. 前記第1クランプが、前記光学アセンブリに取り付けられたハウジングに機械的に連結されている請求項3に記載の装置。
  5. さらに前記ステージアセンブリ上に第2クランプを有し、第2クランプは、前記ワークピーステーブルが前記光学アセンブリに隣接するとき、前記ワークピース上に前記パッドを保持するように構成されている請求項3に記載の装置。
  6. さらに前記ステージアセンブリ上に第2クランプを有し、該第2クランプは、前記ワークピーステーブルが前記光学アセンブリに隣接するとき、前記ステージアセンブリ上に前記パッドを保持するように構成されている請求項3に記載の装置。
  7. 前記第1クランプは、前記ワークピーステーブルが前記光学アセンブリから離隔しているときには前記パッドをクランプし、前記ワークピーステーブルが前記光学アセンブリに隣接するときには前記パッドを開放するように構成されている請求項5に記載の装置。
  8. 前記第2クランプは、前記ワークピーステーブルが前記光学アセンブリから離隔しているときには前記パッドをクランプし、前記ワークピーステーブルが前記光学アセンブリに隣接するときには前記パッドを開放するように構成されている請求項6に記載の装置。
  9. 前記クランプが、真空クランプ、磁力クランプ、静電クランプ及びメカニカルクランプのいずれか一つのタイプのクランプを備える請求項3に記載の装置。
  10. 前記液浸流体システムがさらに、
    前記光学アセンブリ及び前記ワークピーステーブルを含むステージアセンブリに隣接して位置決めされるパッドと、
    前記パッドに連結され、且つ前記ワークピーステーブルが前記光学アセンブリから離隔するときに、前記ギャップに前記液浸流体を維持するために、前記ギャップに前記パッドを挿入するように構成されるモーターとを備える請求項1に記載の装置。
  11. 前記ステージアセンブリは、さらに、前記ワークピーステーブルに隣接して配置され且つ、前記ワークピースステージを移動するように構成されるワークピースステージを備え、前記ワークピースステージは、さらに、前記ワークピース交換システムがワークピースを交換しているとき、ギャップに挿入されてギャップに前記液浸流体を維持するように構成されたパッドを備える請求項1に記載の装置。
  12. 前記ワークピースステージは、さらに、前記ワークピース交換システムが前記ワークピースを交換していないときは前記ギャップに隣接する前記パッドを支持し、前記ワークピース交換システムが前記ワークピースを交換しているときは前記パッドを前記ギャップに位置するように構成される支持部材を備える請求項9に記載の装置。
  13. さらに、第2ワークピースを支持するように構成される第2ワークピーステーブルを含む第2ステージアセンブリと、
    前記第1ステージアセンブリと前記第2ステージアセンブリの移動を、前記2つのステージアセンブリが前記光学アセンブリの下方に交互に位置するように制御するように構成された制御システムとを備える請求項1に記載の装置。
  14. さらに、前記ワークピーステーブル上の前記ワークピースを取り除き、前記ワークピースを第2ワークピースに交換するように構成されたワークピース交換システムを備える請求項1に記載の装置。
  15. 前記ワークピース交換システムが、前記ワークピースを取り出し、前記ワークピースを第2ワークピースに交換するためのロボットを備える請求項14に記載の装置。
  16. さらに前記ワークピースをアライメントするためのアライメントツールを備える請求項1に記載の装置。
  17. さらに前記ギャップに液浸流体を供給し、前記ギャップから液浸流体を除去するように構成される環境システムを備える請求項1に記載の装置。
  18. 前記ステージアセンブリが前記ワークピーステーブルと第2ワークピーステーブルを備え、前記ワークピーステーブルと第2ワークピーステーブルは、前記ワークピースと第2ワークピースを交互に前記光学アセンブリにそれぞれ隣接して支持するように構成されている請求項1に記載の装置。
  19. 前記液浸流体維持システムは、前記ワークピーステーブル又は第2ワークピーステーブルが前記光学アセンブリから離隔するときに、前記ギャップに前記液浸流体を維持するために用いられるパッドを備える請求項18に記載の装置。
  20. さらに、パターンが定義されたレチクルを保持するように構成されたレチクルステージと、
    前記レチクルにより定義された前記パターンを、前記光学アセンブリを通じて前記ワークピース上に投影するように構成された投影システムとを備える請求項1に記載の装置。
  21. 前記装置がリソグラフィマシンである請求項1に記載の装置。
  22. 前記ワークピースが、半導体ウェハまたはLCDディスプレイパネルである請求項1に記載の装置。
  23. 前記液浸流体システムが、さらに、前記ステージアセンブリに隣接して位置決めされるように構成され、前記ステージアセンブリとほぼ連続な表面を形成し且つ、前記ワークピースが前記光学アセンブリから離隔するときに前記ステージアセンブリと共に移動するように構成される第2ステージを備える請求項1に記載の装置。
  24. 前記第2ステージが、前記光学アセンブリに隣接する第2ワークピースを支持するように構成される第2ワークピーステーブルを含む請求項23に記載の装置。
  25. 前記第2ステージがパッドを備える請求項23に記載の装置。
  26. 像を投影するように構成された光学アセンブリと、
    ワークピースを前記光学アセンブリに隣接して支持するように構成されたワークピーステーブルを含む第1ステージアセンブリと、
    前記光学アセンブリと前記ステージアセンブリ上の前記ワークピースの間のギャップであって、液浸流体によって満たされるように構成されているギャップと、
    前記第1ステージに隣接して位置決めされるように構成された第2ステージであって、前記第1ステージ及び前記第2ステージが前記光学アセンブリの下で共に移動されるときに、前記ギャップの前記流体がほぼ維持されるように、実質的に連続する表面を形成している第1ステージ及び第2ステージとを備える装置。
  27. さらに、前記第1ステージ及び前記第2ステージを移動するモーターを備える請求項26に記載の装置。
  28. 前記第2ステージは、前記第2ステージが前記光学アセンブリの下方に位置付けられているときに、第2ワークピースを前記光学アセンブリに隣接して支持するように構成される第2ワークピーステーブルを含む第2ステージアセンブリである請求項26に記載の装置。
  29. 前記第2ステージがパッドを支持するように構成されたパッドステージである請求項26に記載の装置。
  30. 前記パッドは、それらに限定されないが、プラスチック、金属及びセラミックの一つの材料によって製造されている請求項2に記載の装置。
  31. 前記パッドがテフロンでコーティングされている請求項30に記載の装置。
  32. さらにArFエキシマレーザーを含む照明源を備え、前記液浸流体が水を含み、前記ワークピースが前記液浸流体を通して露光される請求項21に記載の装置。
  33. 前記液浸流体システムがさらに、
    前記光学アセンブリに隣接して前記光学アセンブリと液浸部材との間のギャップに前記液浸流体を維持するように構成される液浸部材を備える請求項21に記載の装置。
  34. 前記液浸部材がパッドを含む請求項33に記載の装置。
  35. 前記液浸流体システムが、前記液浸部材を前記光学アセンブリに隣接する前記ギャップから又は前記ギャップへ移動させるように構成される移動システムを含む請求項33に記載の装置。
  36. 前記移動システムが前記ステージアセンブリの一部を含む請求項35に記載の装置。
  37. 前記液浸部材が前記ステージアセンブリに着脱可能である請求項36に記載の装置。
  38. 前記移動システムが前記液浸部材を前記ワークピーステーブルとは独立に移動する請求項35に記載の装置。
  39. 前記液浸部材が、前記光学アセンブリと前記液浸部材との間の前記ギャップに前記液浸流体を保持するために、前記光学アセンブリに相対してクランプされる請求項33に記載の装置。
  40. 前記液浸流体が前記光学アセンブリと前記液浸部材との間の前記ギャップに保持されている間、前記ワークピーステーブルが前記液浸部材とは独立に移動可能である請求項33に記載の装置。
  41. 前記液浸流体が前記光学アセンブリと前記液浸部材との間の前記ギャップに維持されている間、ワークピース交換動作が実行される請求項33に記載の装置。
  42. 前記液浸部材が前記液浸流体を弾く表面を有する請求項33に記載の装置。
  43. 前記液浸部材の表面がテフロンでコーティングされている請求項42に記載の装置。
  44. 前記液浸部材が、プラスチック、金属及びセラミックスの一つの材料で製造されている請求項42記載の装置。
  45. 請求項33に記載の装置を用いるマイクロデバイス製造方法。
JP2006506525A 2003-04-11 2004-03-17 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP4315198B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US46249903P 2003-04-11 2003-04-11
PCT/IB2004/001259 WO2004090577A2 (en) 2003-04-11 2004-03-17 Maintaining immersion fluid under a lithographic projection lens

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008111219A Division JP4775402B2 (ja) 2003-04-11 2008-04-22 液浸露光装置、液浸露光方法、デバイス製造方法、及び液浸露光装置の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006523377A true JP2006523377A (ja) 2006-10-12
JP2006523377A5 JP2006523377A5 (ja) 2008-06-05
JP4315198B2 JP4315198B2 (ja) 2009-08-19

Family

ID=33159850

Family Applications (12)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006506525A Expired - Fee Related JP4315198B2 (ja) 2003-04-11 2004-03-17 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法
JP2008111219A Expired - Fee Related JP4775402B2 (ja) 2003-04-11 2008-04-22 液浸露光装置、液浸露光方法、デバイス製造方法、及び液浸露光装置の製造方法
JP2010012365A Expired - Fee Related JP4952804B2 (ja) 2003-04-11 2010-01-22 液浸露光装置、及び液浸露光方法
JP2011112549A Expired - Fee Related JP5440551B2 (ja) 2003-04-11 2011-05-19 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法
JP2011266300A Expired - Fee Related JP5556798B2 (ja) 2003-04-11 2011-12-05 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法
JP2011266301A Expired - Fee Related JP5660016B2 (ja) 2003-04-11 2011-12-05 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法
JP2012078264A Expired - Fee Related JP5556840B2 (ja) 2003-04-11 2012-03-29 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法
JP2013127364A Expired - Lifetime JP5510596B2 (ja) 2003-04-11 2013-06-18 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法
JP2014136910A Expired - Fee Related JP5862716B2 (ja) 2003-04-11 2014-07-02 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法
JP2015010863A Expired - Fee Related JP5900669B2 (ja) 2003-04-11 2015-01-23 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法
JP2015127873A Expired - Fee Related JP6028838B2 (ja) 2003-04-11 2015-06-25 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法
JP2016026294A Expired - Fee Related JP6090486B2 (ja) 2003-04-11 2016-02-15 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法

Family Applications After (11)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008111219A Expired - Fee Related JP4775402B2 (ja) 2003-04-11 2008-04-22 液浸露光装置、液浸露光方法、デバイス製造方法、及び液浸露光装置の製造方法
JP2010012365A Expired - Fee Related JP4952804B2 (ja) 2003-04-11 2010-01-22 液浸露光装置、及び液浸露光方法
JP2011112549A Expired - Fee Related JP5440551B2 (ja) 2003-04-11 2011-05-19 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法
JP2011266300A Expired - Fee Related JP5556798B2 (ja) 2003-04-11 2011-12-05 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法
JP2011266301A Expired - Fee Related JP5660016B2 (ja) 2003-04-11 2011-12-05 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法
JP2012078264A Expired - Fee Related JP5556840B2 (ja) 2003-04-11 2012-03-29 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法
JP2013127364A Expired - Lifetime JP5510596B2 (ja) 2003-04-11 2013-06-18 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法
JP2014136910A Expired - Fee Related JP5862716B2 (ja) 2003-04-11 2014-07-02 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法
JP2015010863A Expired - Fee Related JP5900669B2 (ja) 2003-04-11 2015-01-23 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法
JP2015127873A Expired - Fee Related JP6028838B2 (ja) 2003-04-11 2015-06-25 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法
JP2016026294A Expired - Fee Related JP6090486B2 (ja) 2003-04-11 2016-02-15 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法

Country Status (10)

Country Link
US (18) US7372538B2 (ja)
EP (8) EP3141953A3 (ja)
JP (12) JP4315198B2 (ja)
KR (15) KR101861493B1 (ja)
CN (3) CN101980087B (ja)
HK (7) HK1087782A1 (ja)
IL (5) IL170735A (ja)
SG (12) SG10201504396VA (ja)
TW (16) TWI614564B (ja)
WO (1) WO2004090577A2 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006135165A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JPWO2005074014A1 (ja) * 2004-02-02 2007-09-13 株式会社ニコン ステージ駆動方法及びステージ装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JPWO2006049134A1 (ja) * 2004-11-01 2008-05-29 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JPWO2007055237A1 (ja) * 2005-11-09 2009-04-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
WO2009116625A1 (ja) * 2008-03-19 2009-09-24 株式会社ニコン クリーニング工具、クリーニング方法、及びデバイス製造方法
JP2010080980A (ja) * 2004-11-17 2010-04-08 Asml Netherlands Bv 光学露光装置及び基板取り扱いシステム
JP2010521814A (ja) * 2007-03-15 2010-06-24 株式会社ニコン 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法
JP2011166165A (ja) * 2004-01-20 2011-08-25 Carl Zeiss Smt Gmbh マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置
JP2012094902A (ja) * 2004-11-18 2012-05-17 Nikon Corp 計測方法、ロード方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2012134557A (ja) * 2005-04-28 2012-07-12 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2015039038A (ja) * 2004-12-20 2015-02-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置
US10180629B2 (en) 2003-06-09 2019-01-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10261428B2 (en) 2002-11-12 2019-04-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Families Citing this family (197)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420299B1 (en) 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3953460B2 (ja) 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ投影装置
SG2011031200A (en) 2002-12-10 2014-09-26 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus and device manufacturing method
US7948604B2 (en) 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
SG157962A1 (en) 2002-12-10 2010-01-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
KR101101737B1 (ko) 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
KR101037057B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7242455B2 (en) 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
SG2012087615A (en) 2003-02-26 2015-08-28 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4353179B2 (ja) 2003-03-25 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
KR101176817B1 (ko) 2003-04-07 2012-08-24 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
WO2004093160A2 (en) 2003-04-10 2004-10-28 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
EP3062152B1 (en) 2003-04-10 2017-12-20 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus
KR101178754B1 (ko) 2003-04-10 2012-09-07 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
EP3141953A3 (en) 2003-04-11 2017-06-07 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
DE602004024295D1 (de) 2003-04-11 2010-01-07 Nippon Kogaku Kk Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI612556B (zh) 2003-05-23 2018-01-21 Nikon Corp 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
TWI614794B (zh) 2003-05-23 2018-02-11 Nikon Corp 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
KR101915914B1 (ko) 2003-05-28 2018-11-06 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
EP2261742A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
WO2004112108A1 (ja) 2003-06-13 2004-12-23 Nikon Corporation 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
KR101674329B1 (ko) * 2003-06-19 2016-11-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP2853943B1 (en) * 2003-07-08 2016-11-16 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
EP2264532B1 (en) 2003-07-09 2012-10-31 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101296501B1 (ko) 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20060026883A (ko) 2003-07-09 2006-03-24 가부시키가이샤 니콘 결합장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법
EP1650787A4 (en) 2003-07-25 2007-09-19 Nikon Corp INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM
KR101403117B1 (ko) * 2003-07-28 2014-06-03 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101242886B1 (ko) 2003-08-29 2013-03-12 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101590686B1 (ko) 2003-09-03 2016-02-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005031799A2 (ja) 2003-09-29 2005-04-07 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP4335213B2 (ja) 2003-10-08 2009-09-30 株式会社蔵王ニコン 基板搬送装置、露光装置、デバイス製造方法
EP1672681B8 (en) 2003-10-08 2011-09-21 Miyagi Nikon Precision Co., Ltd. Exposure apparatus, substrate carrying method, exposure method, and method for producing device
TW200514138A (en) 2003-10-09 2005-04-16 Nippon Kogaku Kk Exposure equipment and exposure method, manufacture method of component
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置製造方法
WO2005055296A1 (ja) 2003-12-03 2005-06-16 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法、並びに光学部品
DE602004030481D1 (de) 2003-12-15 2011-01-20 Nippon Kogaku Kk Bühnensystem, belichtungsvorrichtung und belichtungsverfahren
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4506674B2 (ja) 2004-02-03 2010-07-21 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
TW201816844A (zh) 2004-03-25 2018-05-01 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7400460B2 (en) * 2004-04-26 2008-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Method for connection of an optical element to a mount structure
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4845880B2 (ja) 2004-06-04 2011-12-28 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学結像系の像品質測定システム
KR101421870B1 (ko) 2004-06-09 2014-07-22 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치 및 그것을 구비하는 노광 장치, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 발액 플레이트
CN105911821B (zh) 2004-06-09 2019-03-15 株式会社尼康 曝光装置
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
ATE441937T1 (de) 2004-07-12 2009-09-15 Nikon Corp Belichtungsgerät und bauelemente- herstellungsverfahren
KR101337007B1 (ko) * 2004-08-03 2013-12-06 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
TW200615716A (en) * 2004-08-05 2006-05-16 Nikon Corp Stage device and exposure device
US8305553B2 (en) 2004-08-18 2012-11-06 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG156635A1 (en) 2004-10-15 2009-11-26 Nikon Corp Exposure apparatus and device manufacturing method
US7119876B2 (en) 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7583357B2 (en) * 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4807629B2 (ja) * 2004-11-25 2011-11-02 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7446850B2 (en) 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101339887B1 (ko) 2004-12-06 2013-12-10 가부시키가이샤 니콘 메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 노광 장치, 및디바이스 제조 방법
US7196770B2 (en) 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4752473B2 (ja) * 2004-12-09 2011-08-17 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7403261B2 (en) 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US20060147821A1 (en) 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE602006012746D1 (de) 2005-01-14 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
KR101942138B1 (ko) 2005-01-31 2019-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR101211570B1 (ko) 2005-02-10 2012-12-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 침지 액체, 노광 장치, 및 노광 프로세스
US7378025B2 (en) 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224431B2 (en) 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684010B2 (en) 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
US7330238B2 (en) 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
JP4544303B2 (ja) * 2005-03-30 2010-09-15 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
US7317507B2 (en) 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7751027B2 (en) 2005-06-21 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7652746B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7468779B2 (en) 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7583358B2 (en) 2005-07-25 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Systems and methods for retrieving residual liquid during immersion lens photolithography
CN101138070B (zh) 2005-08-05 2011-03-23 株式会社尼康 载台装置及曝光装置
US8054445B2 (en) 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101258581B (zh) * 2005-09-09 2011-05-11 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法以及设备制造方法
US7417710B2 (en) * 2005-09-26 2008-08-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3997244B2 (ja) * 2005-10-04 2007-10-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3997245B2 (ja) * 2005-10-04 2007-10-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4164508B2 (ja) * 2005-10-04 2008-10-15 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7656501B2 (en) 2005-11-16 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7633073B2 (en) 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US8125610B2 (en) 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US7420194B2 (en) 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7839483B2 (en) 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8472004B2 (en) * 2006-01-18 2013-06-25 Micron Technology, Inc. Immersion photolithography scanner
SG10201510758QA (en) * 2006-01-19 2016-01-28 Nikon Corp Movable Body Drive Method, Movable Body Drive System, Pattern Formation Method, Pattern Forming Apparatus, Exposure Method, Exposure Apparatus, and Device Manufacturing Method
KR101346581B1 (ko) * 2006-02-21 2014-01-02 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 장치 및 패턴 형성 방법, 이동체 구동 시스템 및이동체 구동 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US7760324B2 (en) * 2006-03-20 2010-07-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4889331B2 (ja) * 2006-03-22 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8027019B2 (en) 2006-03-28 2011-09-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20080108341A (ko) * 2006-04-03 2008-12-12 가부시키가이샤 니콘 액침 액체에 대해 소용매성인 입사면 및 광학 윈도우
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
CN100456138C (zh) 2006-06-13 2009-01-28 上海微电子装备有限公司 浸没式光刻机浸液流场维持系统
KR101670638B1 (ko) * 2006-08-31 2016-11-09 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US7872730B2 (en) 2006-09-15 2011-01-18 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method
CN100468212C (zh) * 2006-09-22 2009-03-11 上海微电子装备有限公司 双台定位交换系统
JP5120377B2 (ja) * 2006-09-29 2013-01-16 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US20080158531A1 (en) 2006-11-15 2008-07-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7973910B2 (en) * 2006-11-17 2011-07-05 Nikon Corporation Stage apparatus and exposure apparatus
JP5089143B2 (ja) * 2006-11-20 2012-12-05 キヤノン株式会社 液浸露光装置
US8045135B2 (en) 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US7728952B2 (en) * 2007-01-25 2010-06-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for closing plate take-over in immersion lithography
US7841352B2 (en) 2007-05-04 2010-11-30 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
KR20100031694A (ko) * 2007-05-28 2010-03-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 세정 장치, 및 클리닝 방법 그리고 노광 방법
US8279399B2 (en) 2007-10-22 2012-10-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP4986185B2 (ja) 2007-11-07 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
SG183058A1 (en) * 2007-12-17 2012-08-30 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US8451425B2 (en) 2007-12-28 2013-05-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, cleaning apparatus, and device manufacturing method
JP2009182110A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US8610873B2 (en) * 2008-03-17 2013-12-17 Nikon Corporation Immersion lithography apparatus and method having movable liquid diverter between immersion liquid confinement member and substrate
US8654306B2 (en) * 2008-04-14 2014-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method
EP2128703A1 (en) 2008-05-28 2009-12-02 ASML Netherlands BV Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus
US20100053588A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Nikon Corporation Substrate Stage movement patterns for high throughput While Imaging a Reticle to a pair of Imaging Locations
US20100060106A1 (en) * 2008-09-10 2010-03-11 Hiwin Mikrosystem Corp. Linear planar servomotor with spare-mover standby area
DE102009015717B4 (de) * 2009-03-31 2012-12-13 Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg Verfahren und System zum Erkennen einer Teilchenkontamination in einer Immersionslithographieanlage
US8970820B2 (en) 2009-05-20 2015-03-03 Nikon Corporation Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8792084B2 (en) 2009-05-20 2014-07-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20100294742A1 (en) * 2009-05-22 2010-11-25 Enrico Magni Modifications to Surface Topography of Proximity Head
NL2005207A (en) 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US20110199591A1 (en) * 2009-10-14 2011-08-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, maintenance method and device fabricating method
KR20170113709A (ko) 2009-11-09 2017-10-12 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 노광 장치의 메인터넌스 방법, 노광 장치의 조정 방법, 및 디바이스 제조 방법
US8896810B2 (en) * 2009-12-29 2014-11-25 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Liquid immersion scanning exposure system using an immersion liquid confined within a lens hood
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
US8877080B2 (en) 2010-10-18 2014-11-04 Tokyo Electron Limited Using vacuum ultra-violet (VUV) data in microwave sources
US20120188521A1 (en) 2010-12-27 2012-07-26 Nikon Corporation Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program and storage medium
US20120162619A1 (en) 2010-12-27 2012-06-28 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, program, and storage medium
US9329496B2 (en) 2011-07-21 2016-05-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, method of manufacturing device, program, and storage medium
US20130135594A1 (en) 2011-11-25 2013-05-30 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium
US20130169944A1 (en) 2011-12-28 2013-07-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium
US9207549B2 (en) 2011-12-29 2015-12-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement
JP6037732B2 (ja) * 2012-09-03 2016-12-07 オリンパス株式会社 浸液保持具、観察部位固定装置、及び、顕微鏡
US9772564B2 (en) 2012-11-12 2017-09-26 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
JP6362312B2 (ja) * 2013-09-09 2018-07-25 キヤノン株式会社 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法
US10534277B2 (en) * 2014-03-26 2020-01-14 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, manufacturing method of flat panel display, and device manufacturing method
US11300769B2 (en) 2014-05-29 2022-04-12 Rarecyte, Inc. Automated substrate loading
CN106415356B (zh) 2014-05-29 2019-03-26 瑞尔赛特股份有限公司 用来将基板保持在二级装置内的设备
US11422352B2 (en) 2014-05-29 2022-08-23 Rarecyte, Inc. Automated substrate loading
US10802260B2 (en) 2014-05-29 2020-10-13 Rarecyte, Inc. Automated substrate loading
US10890748B2 (en) 2014-05-29 2021-01-12 Rarecyte, Inc. Automated substrate loading
KR102022471B1 (ko) * 2014-09-19 2019-09-18 한화정밀기계 주식회사 기판 검사장치
US10632556B2 (en) * 2014-11-07 2020-04-28 Kiffer Industries, Inc. Method and apparatus for eliminating cut taper
CN106166323A (zh) * 2015-05-19 2016-11-30 雅培心血管系统有限公司 囊体导管
KR102410381B1 (ko) * 2015-11-20 2022-06-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 리소그래피 장치를 작동시키는 방법
KR102644544B1 (ko) 2016-09-21 2024-03-11 넥스트큐어 인코포레이티드 Siglec-15를 위한 항체 및 이의 사용 방법
US10948830B1 (en) 2019-12-23 2021-03-16 Waymo Llc Systems and methods for lithography

Family Cites Families (318)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US211920A (en) * 1879-02-04 Improvement in manufacture of boots
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US4026653A (en) 1975-05-09 1977-05-31 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Proximity printing method
US4341164A (en) 1980-06-13 1982-07-27 Charles H. Ruble Folding camp table
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
US4650983A (en) 1983-11-07 1987-03-17 Nippon Kogaku K. K. Focusing apparatus for projection optical system
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
US4780617A (en) 1984-08-09 1988-10-25 Nippon Kogaku K.K. Method for successive alignment of chip patterns on a substrate
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) * 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JP2940553B2 (ja) 1988-12-21 1999-08-25 株式会社ニコン 露光方法
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置
US5121256A (en) 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JP3200874B2 (ja) 1991-07-10 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置
US5243195A (en) 1991-04-25 1993-09-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系
JP3203719B2 (ja) * 1991-12-26 2001-08-27 株式会社ニコン 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法
JPH05304072A (ja) 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5469963A (en) * 1992-04-08 1995-11-28 Asyst Technologies, Inc. Sealable transportable container having improved liner
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3316833B2 (ja) 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JPH06208058A (ja) * 1993-01-13 1994-07-26 Olympus Optical Co Ltd 顕微鏡対物レンズ
US5591958A (en) 1993-06-14 1997-01-07 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JP3635684B2 (ja) 1994-08-23 2005-04-06 株式会社ニコン 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置
JP3747951B2 (ja) 1994-11-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
US5636066A (en) 1993-03-12 1997-06-03 Nikon Corporation Optical apparatus
JPH09311278A (ja) 1996-05-20 1997-12-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JP3265503B2 (ja) 1993-06-11 2002-03-11 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US5534970A (en) 1993-06-11 1996-07-09 Nikon Corporation Scanning exposure apparatus
JP3212199B2 (ja) 1993-10-04 2001-09-25 旭硝子株式会社 平板型陰極線管
DE59502762D1 (de) * 1994-01-13 1998-08-13 Ims Ionen Mikrofab Syst Teilchenoptisches abbildungssystem
JPH07220990A (ja) * 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US5874820A (en) * 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US6989647B1 (en) 1994-04-01 2006-01-24 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US7365513B1 (en) 1994-04-01 2008-04-29 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
JP3395801B2 (ja) 1994-04-28 2003-04-14 株式会社ニコン 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH07335748A (ja) 1994-06-07 1995-12-22 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
US5715064A (en) * 1994-06-17 1998-02-03 International Business Machines Corporation Step and repeat apparatus having enhanced accuracy and increased throughput
USRE38438E1 (en) 1994-08-23 2004-02-24 Nikon Corporation Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same
JPH0883753A (ja) 1994-09-13 1996-03-26 Nikon Corp 焦点検出方法
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JPH08136475A (ja) 1994-11-14 1996-05-31 Kawasaki Steel Corp 板状材の表面観察装置
JP3387075B2 (ja) 1994-12-12 2003-03-17 株式会社ニコン 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置
JPH08171054A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
US5677758A (en) 1995-02-09 1997-10-14 Mrs Technology, Inc. Lithography System using dual substrate stages
US5699201A (en) 1995-03-27 1997-12-16 Hewlett-Packard Co. Low-profile, high-gain, wide-field-of-view, non-imaging optics
US6008500A (en) 1995-04-04 1999-12-28 Nikon Corporation Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JP3526042B2 (ja) 1995-08-09 2004-05-10 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH09232213A (ja) 1996-02-26 1997-09-05 Nikon Corp 投影露光装置
US5964441A (en) 1996-04-01 1999-10-12 Lear Corporation Linkage assembly with extruded hole member
JPH103039A (ja) 1996-06-14 1998-01-06 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP4029181B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置
CN1244018C (zh) 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光方法和曝光装置
JP2000505958A (ja) 1996-12-24 2000-05-16 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 2個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置
US5815246A (en) 1996-12-24 1998-09-29 U.S. Philips Corporation Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device
JPH10209039A (ja) 1997-01-27 1998-08-07 Nikon Corp 投影露光方法及び投影露光装置
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
US6262796B1 (en) * 1997-03-10 2001-07-17 Asm Lithography B.V. Positioning device having two object holders
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) * 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
EP1028456A4 (en) 1997-09-19 2003-03-05 Nikon Corp PLATINUM, SCANNING ALIGNMENT DEVICE, AND SCANNING EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY
JP2000106340A (ja) 1997-09-26 2000-04-11 Nikon Corp 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
AU1175799A (en) * 1997-11-21 1999-06-15 Nikon Corporation Projection aligner and projection exposure method
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
WO1999031462A1 (fr) 1997-12-18 1999-06-24 Nikon Corporation Platine et appareil d'exposition
US6897963B1 (en) 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
JP4264676B2 (ja) 1998-11-30 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
AU2747999A (en) * 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
AU5650399A (en) 1998-09-17 2000-04-10 Nikon Corporation Method of adjusting optical projection system
AU2041000A (en) 1998-12-02 2000-06-19 Kensington Laboratories, Inc. Specimen holding robotic arm end effector
KR20020006670A (ko) * 1999-03-12 2002-01-24 시마무라 테루오 노광장치 및 노광방법, 그리고 디바이스 제조방법
JP4365934B2 (ja) * 1999-05-10 2009-11-18 キヤノン株式会社 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
JP2001118773A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
TWI223734B (en) 1999-12-21 2004-11-11 Asml Netherlands Bv Crash prevention in positioning apparatus for use in lithographic projection apparatus
TW546551B (en) 1999-12-21 2003-08-11 Asml Netherlands Bv Balanced positioning system for use in lithographic apparatus
EP1111471B1 (en) 1999-12-21 2005-11-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus with collision preventing device
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US6995930B2 (en) 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP2001267239A (ja) 2000-01-14 2001-09-28 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2001313250A (ja) 2000-02-25 2001-11-09 Nikon Corp 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法
JP2001241439A (ja) 2000-02-25 2001-09-07 Canon Inc 静圧軸受を備えた移動装置
SG107560A1 (en) 2000-02-25 2004-12-29 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
JP2001244177A (ja) 2000-02-28 2001-09-07 Nikon Corp ステージ装置とホルダ、および走査型露光装置並びに露光装置
JP2001257143A (ja) * 2000-03-09 2001-09-21 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US20020041377A1 (en) 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
KR100833275B1 (ko) * 2000-05-03 2008-05-28 에이에스엠엘 유에스, 인크. 정화 가스를 이용한 비접촉식 시일
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
JP4405071B2 (ja) 2000-10-23 2010-01-27 パナソニック株式会社 送り装置及びそれを具備する光ディスク原盤記録装置
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP2002305140A (ja) 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
US6788385B2 (en) 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
US6680774B1 (en) 2001-10-09 2004-01-20 Ultratech Stepper, Inc. Method and apparatus for mechanically masking a workpiece
US6665054B2 (en) 2001-10-22 2003-12-16 Nikon Corporation Two stage method
US7134668B2 (en) 2001-10-24 2006-11-14 Ebara Corporation Differential pumping seal apparatus
JP2003249443A (ja) 2001-12-21 2003-09-05 Nikon Corp ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7154676B2 (en) 2002-03-01 2006-12-26 Carl Zeiss Smt A.G. Very-high aperture projection objective
US7190527B2 (en) 2002-03-01 2007-03-13 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective
DE10229249A1 (de) 2002-03-01 2003-09-04 Zeiss Carl Semiconductor Mfg Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille
US7092069B2 (en) 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
JPWO2003085708A1 (ja) 2002-04-09 2005-08-18 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20040104691A (ko) 2002-05-03 2004-12-10 칼 짜이스 에스엠테 아게 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈
JP2004017261A (ja) 2002-06-20 2004-01-22 Shinya Tsukamoto 機械加工装置および機械加工方法ならびに機械加工システム
TWI249082B (en) 2002-08-23 2006-02-11 Nikon Corp Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
US7372541B2 (en) 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101470360B (zh) 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
EP1420299B1 (en) * 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3953460B2 (ja) 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ投影装置
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4645027B2 (ja) * 2002-12-10 2011-03-09 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP4232449B2 (ja) * 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
SG2011031200A (en) 2002-12-10 2014-09-26 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus and device manufacturing method
JP4701606B2 (ja) * 2002-12-10 2011-06-15 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
US6992750B2 (en) 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
ATE424026T1 (de) 2002-12-13 2009-03-15 Koninkl Philips Electronics Nv Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht
US7010958B2 (en) 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
JP4004461B2 (ja) * 2002-12-19 2007-11-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. デバイス製造方法、コンピュータ・プログラム、及びリソグラフィ投影装置
KR100971441B1 (ko) 2002-12-19 2010-07-21 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치
AU2003295177A1 (en) 2002-12-19 2004-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
TWI247339B (en) 2003-02-21 2006-01-11 Asml Holding Nv Lithographic printing with polarized light
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
KR101176817B1 (ko) 2003-04-07 2012-08-24 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
KR101178754B1 (ko) 2003-04-10 2012-09-07 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
WO2004093160A2 (en) 2003-04-10 2004-10-28 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
EP3062152B1 (en) 2003-04-10 2017-12-20 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus
DE602004024295D1 (de) 2003-04-11 2010-01-07 Nippon Kogaku Kk Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie
EP3141953A3 (en) * 2003-04-11 2017-06-07 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1307456C (zh) 2003-05-23 2007-03-28 佳能株式会社 投影光学系统、曝光装置及器件的制造方法
TWI612556B (zh) 2003-05-23 2018-01-21 Nikon Corp 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
JP2004349645A (ja) 2003-05-26 2004-12-09 Sony Corp 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法
TWI442694B (zh) 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261742A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
KR101674329B1 (ko) 2003-06-19 2016-11-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4343597B2 (ja) 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1494074A1 (en) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1639391A4 (en) 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS
EP2853943B1 (en) 2003-07-08 2016-11-16 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
SG109000A1 (en) 2003-07-16 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
JP4492239B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
KR101403117B1 (ko) 2003-07-28 2014-06-03 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005057294A (ja) 2003-08-07 2005-03-03 Asml Netherlands Bv インタフェースユニット、該インタフェースユニットを含むリソグラフィ投影装置、及びデバイス製造方法
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7700267B2 (en) 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7579135B2 (en) 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101590686B1 (ko) 2003-09-03 2016-02-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4378136B2 (ja) 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3870182B2 (ja) 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
EP1519230A1 (en) 2003-09-29 2005-03-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158211B2 (en) 2003-09-29 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1519231B1 (en) 2003-09-29 2005-12-21 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
JP2005136374A (ja) 2003-10-06 2005-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1524557A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7678527B2 (en) 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2005159322A (ja) 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
EP1530217A2 (en) * 2003-11-05 2005-05-11 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit having temperature detector
EP1685446A2 (en) 2003-11-05 2006-08-02 DSM IP Assets B.V. A method and apparatus for producing microchips
US7924397B2 (en) 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
JP2005150290A (ja) 2003-11-13 2005-06-09 Canon Inc 露光装置およびデバイスの製造方法
EP1531362A3 (en) 2003-11-13 2007-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置製造方法
EP1695148B1 (en) 2003-11-24 2015-10-28 Carl Zeiss SMT GmbH Immersion objective
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10355301B3 (de) 2003-11-27 2005-06-23 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Abbildung einer Struktur auf einen Halbleiter-Wafer mittels Immersionslithographie
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
JP2005175016A (ja) 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2005175034A (ja) 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 露光装置
WO2005106589A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
JP2007516613A (ja) 2003-12-15 2007-06-21 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー 少なくとも1つの液体レンズを備えるマイクロリソグラフィー投影対物レンズとしての対物レンズ
EP1697798A2 (en) 2003-12-15 2006-09-06 Carl Zeiss SMT AG Projection objective having a high aperture and a planar end surface
JP4308638B2 (ja) 2003-12-17 2009-08-05 パナソニック株式会社 パターン形成方法
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP4323946B2 (ja) 2003-12-19 2009-09-02 キヤノン株式会社 露光装置
WO2005059645A2 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
KR101204114B1 (ko) 2004-01-14 2012-11-23 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 반사굴절식 투영 대물렌즈
JP4958562B2 (ja) 2004-01-16 2012-06-20 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 偏光変調光学素子
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
JP4843503B2 (ja) 2004-01-20 2011-12-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置
US7026259B2 (en) 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8852850B2 (en) 2004-02-03 2014-10-07 Rochester Institute Of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
JP4506674B2 (ja) 2004-02-03 2010-07-21 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP1716454A1 (en) 2004-02-09 2006-11-02 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101115111B1 (ko) 2004-02-13 2012-04-16 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로 리소그래프 투영 노광 장치 투영 대물 렌즈
WO2005081030A1 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Corning Incorporated Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light
JP2005236087A (ja) 2004-02-20 2005-09-02 Nikon Corp 露光装置
JP4622340B2 (ja) 2004-03-04 2011-02-02 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法
JP2005259789A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
JP2005268700A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR20180078354A (ko) 2004-05-17 2018-07-09 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4845880B2 (ja) 2004-06-04 2011-12-28 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学結像系の像品質測定システム
KR101199076B1 (ko) 2004-06-04 2012-11-07 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소
US7057702B2 (en) 2004-06-23 2006-06-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG156635A1 (en) 2004-10-15 2009-11-26 Nikon Corp Exposure apparatus and device manufacturing method
US7119876B2 (en) 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7583357B2 (en) 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403261B2 (en) 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161659B2 (en) 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2034515A4 (en) 2006-05-23 2012-01-18 Nikon Corp MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
CN106975118B (zh) 2011-05-12 2020-09-08 拜耳医药保健有限公司 具有用于控制注射程序的不同系统的流体注射系统

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10962891B2 (en) 2002-11-12 2021-03-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10261428B2 (en) 2002-11-12 2019-04-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10180629B2 (en) 2003-06-09 2019-01-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10678139B2 (en) 2003-06-09 2020-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2011166165A (ja) * 2004-01-20 2011-08-25 Carl Zeiss Smt Gmbh マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置
JP2014212330A (ja) * 2004-02-02 2014-11-13 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP2015222427A (ja) * 2004-02-02 2015-12-10 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP2010098333A (ja) * 2004-02-02 2010-04-30 Nikon Corp ステージ駆動方法及びステージ装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2014099631A (ja) * 2004-02-02 2014-05-29 Nikon Corp 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP2017151479A (ja) * 2004-02-02 2017-08-31 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JPWO2005074014A1 (ja) * 2004-02-02 2007-09-13 株式会社ニコン ステージ駆動方法及びステージ装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2012142603A (ja) * 2004-02-02 2012-07-26 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2010098332A (ja) * 2004-02-02 2010-04-30 Nikon Corp ステージ駆動方法及びステージ装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2016106257A (ja) * 2004-02-02 2016-06-16 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
US9709900B2 (en) 2004-11-01 2017-07-18 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
JP4848956B2 (ja) * 2004-11-01 2011-12-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JPWO2006049134A1 (ja) * 2004-11-01 2008-05-29 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US8330939B2 (en) 2004-11-01 2012-12-11 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with a liquid recovery port provided on at least one of a first stage and second stage
JP2011082538A (ja) * 2004-11-01 2011-04-21 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US8922754B2 (en) 2004-11-01 2014-12-30 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device fabricating method with two substrate stages and metrology station
JP4517354B2 (ja) * 2004-11-08 2010-08-04 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006135165A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2010080980A (ja) * 2004-11-17 2010-04-08 Asml Netherlands Bv 光学露光装置及び基板取り扱いシステム
US9188882B2 (en) 2004-11-17 2015-11-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2012094902A (ja) * 2004-11-18 2012-05-17 Nikon Corp 計測方法、ロード方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2014131082A (ja) * 2004-11-18 2014-07-10 Nikon Corp 露光装置
JP2016040624A (ja) * 2004-11-18 2016-03-24 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2012103269A (ja) * 2004-11-18 2012-05-31 Nikon Corp 位置計測方法、位置制御方法、計測方法、ロード方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US10248035B2 (en) 2004-12-20 2019-04-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2015039038A (ja) * 2004-12-20 2015-02-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置
US9835960B2 (en) 2004-12-20 2017-12-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2012134557A (ja) * 2005-04-28 2012-07-12 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JPWO2007055237A1 (ja) * 2005-11-09 2009-04-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2013225693A (ja) * 2007-03-15 2013-10-31 Nikon Corp リソグラフィック投影装置及び液浸露光方法
KR101580467B1 (ko) 2007-03-15 2015-12-28 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신 내에서 웨이퍼 교환 동안 광학 어셈블리에 인접하게 액침 유체를 유지하기 위한 장치 및 방법
KR20140124867A (ko) * 2007-03-15 2014-10-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신 내에서 웨이퍼 교환 동안 광학 어셈블리에 인접하게 액침 유체를 유지하기 위한 장치 및 방법
JP2014168068A (ja) * 2007-03-15 2014-09-11 Nikon Corp 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法
JP2013123079A (ja) * 2007-03-15 2013-06-20 Nikon Corp 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法
JP2010521814A (ja) * 2007-03-15 2010-06-24 株式会社ニコン 液浸リソグラフィマシンにおける基板交換の間に、液浸流体を光学アセンブリに隣接して保持する装置および方法
JP5152321B2 (ja) * 2008-03-19 2013-02-27 株式会社ニコン クリーニング工具、クリーニング方法、及びデバイス製造方法
WO2009116625A1 (ja) * 2008-03-19 2009-09-24 株式会社ニコン クリーニング工具、クリーニング方法、及びデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2613195A2 (en) 2013-07-10
TW200821734A (en) 2008-05-16
US20110025999A1 (en) 2011-02-03
CN101980087B (zh) 2013-03-27
US8848168B2 (en) 2014-09-30
KR101861493B1 (ko) 2018-05-28
JP2008244488A (ja) 2008-10-09
IL209439A0 (en) 2011-01-31
EP2613194A3 (en) 2014-06-11
EP1616220A2 (en) 2006-01-18
EP3141953A3 (en) 2017-06-07
TW201144925A (en) 2011-12-16
TW200507013A (en) 2005-02-16
SG139735A1 (en) 2008-02-29
US7545479B2 (en) 2009-06-09
TW201612618A (en) 2016-04-01
TW201241545A (en) 2012-10-16
US9081298B2 (en) 2015-07-14
EP2613192A2 (en) 2013-07-10
EP2613194A2 (en) 2013-07-10
SG10201603067VA (en) 2016-05-30
EP2618213A3 (en) 2014-06-11
TW201337444A (zh) 2013-09-16
KR101577555B1 (ko) 2015-12-14
KR101475657B1 (ko) 2014-12-22
KR20120034134A (ko) 2012-04-09
CN101002140A (zh) 2007-07-18
SG194260A1 (en) 2013-11-29
KR101225884B1 (ko) 2013-01-28
IL209222A0 (en) 2011-01-31
US20060033894A1 (en) 2006-02-16
US8488100B2 (en) 2013-07-16
SG139733A1 (en) 2008-02-29
JP5862716B2 (ja) 2016-02-16
US8351019B2 (en) 2013-01-08
TW201530248A (zh) 2015-08-01
IL170735A (en) 2010-12-30
KR20140098830A (ko) 2014-08-08
TW201439663A (zh) 2014-10-16
KR20120005568A (ko) 2012-01-16
TW200818262A (en) 2008-04-16
EP2613192A3 (en) 2014-06-11
KR20130079609A (ko) 2013-07-10
IL209224A0 (en) 2011-01-31
EP2887143A1 (en) 2015-06-24
IL209439A (en) 2017-02-28
US20160238948A1 (en) 2016-08-18
US8514367B2 (en) 2013-08-20
JP2015172787A (ja) 2015-10-01
CN101980086A (zh) 2011-02-23
CN101002140B (zh) 2010-12-08
US8879047B2 (en) 2014-11-04
IL209224A (en) 2015-11-30
EP2613193A3 (en) 2014-06-11
JP5900669B2 (ja) 2016-04-06
EP2618213B1 (en) 2016-03-09
SG10201404132YA (en) 2014-09-26
SG2012031738A (en) 2015-07-30
KR101178756B1 (ko) 2012-08-31
TW201337443A (zh) 2013-09-16
TW201812430A (zh) 2018-04-01
US20060023186A1 (en) 2006-02-02
KR20150122363A (ko) 2015-11-02
KR101304105B1 (ko) 2013-09-05
TWI437351B (zh) 2014-05-11
KR101533206B1 (ko) 2015-07-01
KR20150023912A (ko) 2015-03-05
TWI648589B (zh) 2019-01-21
TW201239509A (en) 2012-10-01
US20070273857A1 (en) 2007-11-29
KR20120034135A (ko) 2012-04-09
KR101498405B1 (ko) 2015-03-04
CN101980087A (zh) 2011-02-23
US20080074634A1 (en) 2008-03-27
JP2012169641A (ja) 2012-09-06
SG10201504396VA (en) 2015-07-30
KR101225829B1 (ko) 2013-01-24
JP6028838B2 (ja) 2016-11-24
KR101245031B1 (ko) 2013-03-18
JP5556798B2 (ja) 2014-07-23
JP2016114957A (ja) 2016-06-23
JP2015092628A (ja) 2015-05-14
KR101697896B1 (ko) 2017-01-18
EP2613195A3 (en) 2014-06-11
TWI545387B (zh) 2016-08-11
JP2011166173A (ja) 2011-08-25
US20070216886A1 (en) 2007-09-20
EP2613193A2 (en) 2013-07-10
TW201721277A (zh) 2017-06-16
TWI614564B (zh) 2018-02-11
KR20180054929A (ko) 2018-05-24
US7327435B2 (en) 2008-02-05
SG139734A1 (en) 2008-02-29
WO2004090577A3 (en) 2005-04-21
KR101612681B1 (ko) 2016-04-15
EP2613192B1 (en) 2015-10-28
KR20170007547A (ko) 2017-01-18
US20130308107A1 (en) 2013-11-21
US9329493B2 (en) 2016-05-03
TWI397762B (zh) 2013-06-01
EP2618213A2 (en) 2013-07-24
KR20110092318A (ko) 2011-08-17
US9500960B2 (en) 2016-11-22
KR20110091012A (ko) 2011-08-10
TWI342036B (en) 2011-05-11
SG2012031209A (en) 2015-07-30
US20180231898A1 (en) 2018-08-16
US20070247602A1 (en) 2007-10-25
HK1185668A1 (zh) 2014-02-21
JP6090486B2 (ja) 2017-03-08
SG2012031217A (en) 2015-09-29
KR101177332B1 (ko) 2012-08-30
TWI372309B (en) 2012-09-11
TW201142477A (en) 2011-12-01
JP2013191884A (ja) 2013-09-26
US20130301021A1 (en) 2013-11-14
EP2887143B1 (en) 2016-11-02
TW200818251A (en) 2008-04-16
TWI425302B (zh) 2014-02-01
SG139736A1 (en) 2008-02-29
TWI545386B (zh) 2016-08-11
US8610875B2 (en) 2013-12-17
TW201142478A (en) 2011-12-01
US8269944B2 (en) 2012-09-18
EP3141953A2 (en) 2017-03-15
JP2012074729A (ja) 2012-04-12
TWI346345B (en) 2011-08-01
JP5440551B2 (ja) 2014-03-12
KR20140010472A (ko) 2014-01-24
JP4315198B2 (ja) 2009-08-19
TWI486701B (zh) 2015-06-01
HK1087782A1 (en) 2006-10-20
HK1185667A1 (en) 2014-02-21
US20130301022A1 (en) 2013-11-14
TWI578091B (zh) 2017-04-11
KR101159564B1 (ko) 2012-06-25
EP1616220B1 (en) 2013-05-01
HK1186526A1 (zh) 2014-03-14
HK1210279A1 (en) 2016-04-15
EP2613195B1 (en) 2015-12-16
WO2004090577A2 (en) 2004-10-21
TWI364623B (en) 2012-05-21
SG194264A1 (en) 2013-11-29
US20070195300A1 (en) 2007-08-23
TWI346349B (en) 2011-08-01
US7372538B2 (en) 2008-05-13
KR20050121723A (ko) 2005-12-27
HK1185666A1 (en) 2014-02-21
EP2613194B1 (en) 2015-09-16
TWI371649B (ja) 2012-09-01
JP5660016B2 (ja) 2015-01-28
JP5510596B2 (ja) 2014-06-04
JP5556840B2 (ja) 2014-07-23
US8634057B2 (en) 2014-01-21
IL209223A (en) 2017-03-30
JP4775402B2 (ja) 2011-09-21
US8848166B2 (en) 2014-09-30
US20150268563A1 (en) 2015-09-24
TWI382270B (zh) 2013-01-11
US20070252965A1 (en) 2007-11-01
EP1616220A4 (en) 2008-10-01
JP2014222762A (ja) 2014-11-27
JP4952804B2 (ja) 2012-06-13
KR20140108340A (ko) 2014-09-05
IL209223A0 (en) 2011-01-31
US20110026000A1 (en) 2011-02-03
CN101980086B (zh) 2014-01-01
US20100203455A1 (en) 2010-08-12
US8035795B2 (en) 2011-10-11
EP2613193B1 (en) 2016-01-13
US20130301020A1 (en) 2013-11-14
JP2012084903A (ja) 2012-04-26
HK1185665A1 (zh) 2014-02-21
JP2010123991A (ja) 2010-06-03
US9946163B2 (en) 2018-04-17
KR20110092317A (ko) 2011-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6090486B2 (ja) 液浸リソグラフィ装置、デバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080411

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090127

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090330

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090428

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090511

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4315198

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120529

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150529

Year of fee payment: 6

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150529

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150529

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees