JP2005057294A - インタフェースユニット、該インタフェースユニットを含むリソグラフィ投影装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】リソグラフィ投影装置の稼働停止が発生する機会を減少させたインタフェースユニットを得ること。
【解決手段】基板等の対象物Ｗを移送するインタフェースユニット２０が設けられ、該インタフェースユニット２０が、対象物処理用のトラック１０とリソグラフィ投影装置の対象物露光ユニット１との間で、対象物を移送するための第１移送経路２１を有しており、しかも、このインタフェースユニットは、対象物第２移送経路２３をも備え、該第２移送経路２３が、外部空間２５とリソグラフィ露光ユニット１との間で対象物を移送するため、外部空間への閉鎖可能な移送開口２４を通って延在している。
【選択図】図３Ａ

Description

本発明は、基板等の対象物を、露光用のリソグラフィ露光ユニットと、対象物処理（ベイキング、現像）用トラックとの間を移送するためのインタフェースユニットに関するものである。
本発明は、また本発明のインタフェースユニットを備えたリソグラフィ投影装置に関するものである。
更に、本発明はデバイス製造方法に係わり、この場合、対象物は、本発明によるインタフェースユニットを介してリソグラフィ露光ユニットへ供給される。

従来のリソグラフィ装置は、トラックに接続されたリソグラフィ露光ユニットを有している。トラックは、対象物を処理する多ステーションと、該ステーションと露光ユニットとの間で対象物を移送する移送システムとを備えている。概してトラックは細長にされて、一方の側に対象物用の積み降ろしユニットを有し、他方の側に露光ユニットとの接続部を有している。多ステーションはトラックに沿って配置されている。稼働時には、移送システムは、ステーションと露光ユニットとの間をトラックに沿って多数回対象物を移送し、対象物上に多層構成物を生成する。
従来のリソグラフィ投影装置の欠点は、対象物が、積み降ろし装置を介して送入された後、露光ユニットへ移送され、その後で細長のトラックに沿って移送システムによって運ばれねばならない点である。従来のリソグラフィ投影装置は、移送システムが故障の場合には、稼働が停止する。

本発明の目的は、リソグラフィ投影装置の稼働停止の機会を減少させたインタフェースユニットを得ることにある。

この目的は、基板等の対象物を移送するインタフェースユニットを得ることによって達せられ、該インタフェースユニットは、対象物処理用のトラックと、リソグラフィ装置の対象物露光ユニットとの間で、対象物を移送するための第１移送経路を有しており、しかも、このインタフェースユニットは、また対象物の第２移送経路を備え、該移送経路が、外部空間とリソグラフィ露光ユニットとの間で対象物を移送するための、外部空間への閉鎖可能な移送開口を貫通して延在している。対象物の第１移送経路と第２移送経路とは、接続されているのが好ましい。その場合、対象物は、外部空間（外界）から、それぞれ第２移送経路と第１移送経路とを介してリソグラフィ露光ユニットへ供給され、それによってリソグラフィ投影装置は、トラックの移送システムの故障時にも稼働が継続できる。こうすることで、トラックは、積み降ろしユニットの位置と反対のトラック側で対象物を交換することで、バイパスされることが可能になる。

好ましくは、インタフェースユニットの閉鎖可能な第２移送開口は、対象物を担持するための前部開口汎用ポッド（ＦＯＵＰ）と係合するように構成されたインタフェース（ＦＯＵＰ−インタフェース）、又は標準機械インタフェース（ＳＭＩＦ）−ポッドと係合するように構成されたＳＭＩＦをを含んでいる。
本発明によるインタフェースの一好適実施例は、超紫外線（ＥＵＶ）投影ユニット等のリソグラフィ露光ユニットのロードロックに接続されるように構成されており、その場合、該投影ユニットは、ロードロックによって閉鎖可能な第２開口を有する囲まれた真空空間を備えたより閉鎖可能な第２開口を有する囲まれた真空空間を備えており、しかも、対象物の第１移送経路が第２開口を貫通して真空空間内へ延在している。ロードロックは、圧力差、例えばトラック内の大気圧と前記真空空間内の真空状態（大気圧より小さいガス圧を有する環境と定義される）との圧力差をブリッジするのに使用される。インタフェースユニットは、それの大気圧内部空間内へ対象物を送入することができる。次いで対象物は、第１移送経路を介し、更にロードロックを介してリソグラフィ露光ユニットの真空空間内へ送られることができる。この実施例の利点は、従来式のキャリア（ＦＯＵＰＳ、ＳＭＩＦポッド等）が（ＥＵＶ）装置のトラックをバイパスするのに使用できる点である。

本発明の一態様によれば、インタフェースユニットは、インタフェースユニット内に対象物を保持するためのステーションを備えており、それによって少なくとも１ステーションが次の機能の１つ以上を備えている。すなわち、対象物の緩衝、対象物の清浄化、対象物の前加工（露光前ベイク等の前処理）、対象物の後加工（露光後ベイク等の後処理）。各機能は以下で、より詳しく説明する。
概して従来式のトラックでのタイミングは、トラック内での対象物の予め定められたサイクル時間に基づいている（したがって、リジッドタイムクロックに基づく）。概して、リソグラフィ投影装置内でのタイミングは、対象物が受けねばならないイベントに基づいている（したがって、基礎はイベントを駆動するタイミングである）。これらの２つの異なるタイミング原理により、トラックとリソグラフィ投影装置との間の対象物交換に関して、タイミングの問題が発生する。本発明の一態様によれば、トラックとリソグラフィ投影装置との間のコミュニケーションが改善されることで、前記タイミングの問題は解消する（又は少なくとも出来る限り減少する）。緩衝機能（少なくとも１ステーションに関係する緩衝位置）を利用することで、リソグラフィ投影装置には、装置の準備が出来れば、対象物を供給できる。このようにして、望ましくない稼働停止の機会が、より減少せしめられる。

本出願では、「パターニング素子」という用語は、入射ビームの横断面に、基板のターゲット区画に転写されるパターンに対応するパターンを付与するのに使用する素子を指すものと、広義に解釈されたい。「ライトバルブ」の用語も、その意味で使用される。概して、前記パターンは、ターゲット区画に形成されるデバイス、例えば集積回路その他のデバイス（後述）の特定機能層に対応する。そうしたパターニング素子の実例には、マスクと、プログラム可能なミラー配列と、プログラム可能なＬＣＤ配列とが含まれている：
マスク： マスクの概念はリソグラフィでは周知であり、バイナリ、交番位相偏移、減衰位相偏移等の型のマスク、種々のハイブリッド型のマスクを含んでいる。このマスクを放射ビーム内に配置することにより、マスクに入射する放射ビームが、マスクパターンに従って、選択的に透過（透過性マスクの場合）又は反射（反射性マスクの場合）せしめられる。マスクの場合、支持構造物は、概してマスクテーブルであり、マスクテーブルにより、マスクは、入射放射ビーム内の目標位置に保持され、所望とあればビームに対し移動させられることが可能である。

プログラム可能なミラー配列： このデバイスの一例は、行列形式で区画認識可能な、粘弾性制御層と反射面とを有する面である。この配列の背後ある基本原理は、反射面の（例えば）認識された区域が、入射光を回折光として反射する一方、認識されない区域は、入射光を非回折光として反射することにある。適当なフィルタを使用することで、前記非回折光は反射光から濾外され、回折光のみを残すことができる。このようにして、ビームは、行列形式で区画認識可能な面の認識パターンに従ってパターン付与される。プログラム可能なミラー配列の別の実施例では、行列構成の小ミラーが採用され、適当な局部電界をかけることで、又は圧電式作動装置を用いることで、小ミラーの各々を、軸線を中心として個別に傾けることができる。繰り返すが、ミラーは行列形式で区画認識可能であり、認識されたミラーは、入射ビームを、認識されないミラーとは異なる方向に反射する。このようにして、反射ビームは、行列形式で区画認識可能なミラーの認識パターンに従ってパターン付与される。要求される行列形式での区画認識は、適当な電子装置を使用することで行うことができる。以上に説明した状況のいずれの場合にも、パターニング素子は、１つ以上のプログラム可能なミラー配列を含むことができる。ここで言及したミラー配列に関する情報は、例えば米国特許ＵＳ５，２９６，８９１及びＵＳ５，５２３，１９３と、ＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７及びＷＯ９８／３３０９６とから収集でき、これらの文献は、ここに引用することで本明細書に取り入れられる。プログラム可能なミラー配列の場合、前記支持構造物は、例えば、要求に応じて固定式にも移動式にもできるフレーム又はテーブルとして具体化することができる。

プログラム可能なＬＣＤ配列： この構成物の例としては、米国特許ＵＳ５，２２９，８７２が挙げられる。該特許は、ここに引用することで本明細書に取り入れられる。前述のように、この場合の支持構造物は、例えば、要求に応じて固定式にも移動式にもできるフレーム又はテーブルとして具体化できる。
簡単化のため、本明細書の以下の部分において、ある箇所では、具体的にマスクやマスクテーブルに係わる例について説明するが、それらの例で説明される一般原理は、既述のように、より広い意味でのパターニング素子と見られたい。

リソグラフィ投影装置は、例えば集積回路（ＩＣｓ）の製造に使用できる。その場合、パターニング素子は、ＩＣの個別層に対応する回路パターンを生成させ、そのパターンが、放射線感受性材料層（レジスト）で被覆された基板（シリコンウエーハ）上のターゲット区画に転写される。一般に、単一のウエーハは、複数の隣接ターゲット区画の全ネットワークを包含しており、該区画が、一度に１つづつ投影系を介して順次に照射される。マスクとマスクテーブルによるパターニングを採用している現在の装置では、２つの異なる型の装置が区別できる。一方の型のリソグラフィ投影装置では、各ターゲット区画が照射され、全マスクパターンがターゲット区画上に一括露光される。この種の装置は、普通、ウエーハステッパ又はステップ・アンド・リピート装置と呼ばれる。別の装置 −普通、ステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれる− では、投影ビーム下で、所定基準方向（「走査」方向）にマスクパターンが漸次走査される一方、同時に、前記方向と平行又は逆平行に基板テーブルが走査されることで、各ターゲット区画が照射される。一般に投影系は倍率Ｍ（概して＜１）を有しているので、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスクテーブルが走査される速度のＭ倍である。リソグラフィ装置に関するこれ以上の情報は、米国特許ＵＳ６，０４６，７９２から収集でき、該特許は、ここに引用することで、本明細書に取り入れられるものである。

リソグラフィ投影装置を使用する製造工程で、パターン（例えばマスクの）は、少なくとも部分的に放射線感受性材料層（レジスト）により被覆された基板上に結像される。この結像段階の前に、基板は、種々の処理、例えばプライミング、レジスト被覆、ソフトベイク等を施される。露光後、基板は、例えば露光後ベイク（ＰＥＢ）、現像、ハードベイク、結像された形状特徴の測定／検査等の別の処理を受ける。この一連の処理が、デバイス、例えばＩＣの個別の層にパターン付与する基礎となる。こうしてパターン付与された層は、次いでエッチング、イオン注入（ドーピング）、金属化、酸化、化学機械式研磨等の種々の処理を施されるが、これらすべては、個別層を完成させるための処理である。数層が要求される場合は、全処理又はその変化形式が、各新層ごとに繰り返される。場合により、複数デバイスが基板（ウエーハ）上に配列される。これらのデバイスは、その場合、ダイシング又はソーイング等の技術によって互いに分離され、個々のデバイスはピン等に接続されたキャリアに取り付けられる。これ以上の情報は、例えば次の書物、ピータ・ヴァン・ザント著「マイクロチップの製造、半導体加工便覧」（Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ Ａ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）（３版、１９９７年、マグロウヒル出版社刊、ＩＳＢＮ ０−０７−０６７２５０−４）から得ることができ、該著書は、ここに引用することで本明細書に取り入れられるものである。

簡単化のため、投影系は、以下では「レンズ」と呼ぶことがあるが、この用語は、例えば屈折光学素子、反射光学素子、反射屈折系を含む種々の投影系を包含するものと広義に解釈されたい。放射系は、またこれらの種類の設計のいずれかに従って、放射投影ビームを指向させ、付形し、制御するために動作する構成素子を含んでおり、それらの構成素子をも、以下では、集合的にも単独でも、「レンズ」と呼ぶことがある。更に、リソグラフィ投影装置は、２つ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有する種類のものである。この種の「マルチステージ」装置では、付加的テーブルが並列的に使用されるか、又は準備段階が１つ以上のテーブルで行われる一方、露光用に１つ以上のテーブルが使用される。２段リソグラフィ投影装置は、例えばＵＳ５，９６９，４４１及びＷＯ９８／４０７９１に説明されており、該特許は、ここに引用することで本明細書に取り入れられるものである。

この種のリソグラフィ投影装置は、通常、トラックと協働し、トラックがリソグラフィ投影装置と接続されていることで、当業者には周知のように、トラックと投影装置間で基板を交換できる。基板は、既述のあらゆる種類の処理、例えばプライミング、レジスト被覆、ソフトベイク、露光後ベイク（ＰＥＢ）、現像、ハードベイク、結像した形状特徴の測定／検査を、トラック内で受ける。本発明の一実施例によれば、リソグラフィ投影装置が第１制御ユニットを含み、インタフェースユニットが第２制御ユニットを含み、トラックが第３制御ユニットを含み、第１から第３までの制御ユニットが互いに通信可能に構成されている。
本発明の一実施例によれば、リソグラフィ投影装置とインタフェースユニットとが、第１制御ユニットを含み、トラックが第２制御ユニットを含み、第１と第２制御ユニットとが互いに通信可能に構成されている。
本発明の一実施例によれば、リソグラフィ投影装置が第１制御ユニットを含み、インタフェースユニットとトラックとが第２制御ユニットを含み、第１制御ユニットと第２制御ユニットとが互いに通信可能に構成されている。

前記の３実施例には、インタフェースユニットを制御する異なる形式が具体化されている。インタフェースユニットは、それ自体の制御ユニットを備えているか、又はリソグラフィ投影装置の制御ユニット又はトラックの制御ユニットによって制御される。どの実施例が最も有用かは状況による。例えば、インタフェースユニットは、リソグラフィ投影装置に備えられたロボット式取り扱い器を使用する場合、インタフェースユニットをリソグラフィ投影装置の制御ユニットで制御するのが好ましい。
本発明の一実施例によれば、インタフェースユニットは、更にインタフェースユニットと、リソグラフィ投影装置及びトラックのうちの少なくとも１つとの間で基板を取り扱うためのロボット式取り扱い器を含んでいる。ロボット式取り扱い器を備えたインタフェースユニットは、トラック及び／又はリソグラフィ投影装置のロボット式取り扱い器の補助を必要とせずに、独立して基板を取り扱うことができる。

本発明の一実施例によれば、少なくとも１ステーションが、一時的に基板を保管するバッファステーションを含んでいる。バッファステーションは生産高の増加を助けるが、これは、リソグラフィ投影装置とトラック間又はその逆の間での取り扱い速度の差が、バッファステーションを利用することで低減されるからである。また、バッファステーションは、リソグラフィ投影装置から後処理装置への移動時間を一定にするのを助けることで、製造された基板の品質が改善される。良好な一定品質を備えた基板を製造するためには、露光と露光後ベイクとの間の時間を制限しかつ一定にするのがよい。レジストに投影されたパターンの線の太さは、露光と露光後ベイクとの間に変化することがあり、またパターンの鮮明度も低下することがある。したがって、最良品質は、露光と露光後ベイクとの間の時間のギャップが低減された場合に達せられ、最も重要なことは、時間ギャップがどの基板の場合にも一定であることである。

本発明の一実施例によれば、少なくとも１インタフェースステーションが、リソグラフィ投影装置からインタフェースユニットへの基板移送後、例えば露光後ベイク等の処理を基板に施すための後処理ステーションを含んでいる。インタフェースユニット内で基板に露光後処理を施すことにより、基板の露光と次の処理との間の時間が一定に保たれ、また最小化できる。リソグラフィ投影装置とトラックとの間の生産速度の差というマイナス効果は、こうして低減される。
本発明の一実施例によれば、少なくとも１ステーションに、リソグラフィ投影装置が使用可能な基板の製造前に、基板にプリベイク等の処理を施すための前処理ステーションが含まれている。この前処理、例えばプリベイクは、製造されるチップの品質を高めることができる。プリベイクは、基板からの分子のガス放出を減少させるのを助け、分子放出の結果であるリソグラフィ投影装置内部の汚染を最小化する。このことは、基板等の対象物がリソグラフィ投影装置内で（ロードロックを介して）真空条件下におかれ、次いで、真空条件下で前記プリベイク処理なしでガス放出する機会が増大する状況下で重要になる。ガス放出によるガスは、真空を妨害し、またリソグラフィ投影装置内部を汚染させる。

本発明の一実施例によれば、少なくとも１ステーションが基板を清浄化する浄化ステーションを含んでいる。インタフェースユニット内に浄化ステーションを設けることで、リソグラフィ投影装置とトラック間の協働が改善でき、その場合には、トラックとその生産高とにより、リソグラフィ投影装置により設定される汚染必要条件が満たされることはない。汚染の検出は、例えば粒子スキャン装置により浄化ステーションで行われる。この検出は、基板の表面を走査するレーザービームを使用して行うことができる。このことが重要なのは、リソグラフィの工程が極めて粒子による汚染を受けやすいからである。したがって、リソグラフィ投影装置に送入される対象物（基板）は清浄であるのが好ましく、どのような汚染粒子をも伴っていてはならない。しかし、トラックによりリソグラフィ投影装置へ送られる対象物（基板）は、しばしば汚染され、このことがリソグラフィ投影装置の作業にマイナス効果を与える。リソグラフィ投影装置の製造者は、通常、顧客が使用するトラックに対する影響を制限するに過ぎず、そのようなトラックでは、リソグラフィ投影装置の汚染に関係する要求を満たす対象物（基板）を必ずしも送出できない。そうした要求が満たされないため、例えばリソグラフィ投影装置の清浄化作業がより頻繁に行われる結果となり、そのことがまたリソグラフィ投影装置の生産能力を制限し、良好な基板の毎時生産高を減少させる。

本発明の一実施例によれば、少なくとも１ステーションは、リソグラフィ投影装置及びトラックの外部空間と基板を交換するためのステーションを含んでいる。この交換ステーションにより、トラックのバイパスが可能になる。基板は、リソグラフィ投影装置から交換ステーションを介して、トラックの使用なしで送・受できる。交換ステーションは、特に、リソグラフィ投影装置が真空に保たれ、直接外界と基板の交換が、ロードロック等の付加的ハードウエアを設けることなしには不可能な場合に役立つ。
本発明の一実施例によれば、交換ステーションは、前部開口汎用ポッドと係合するように構成された前部開口汎用ポッドインタフェースを含んでいる。前部開口汎用ポッド（ＦＯＵＰ）は、集積回路のフィールド内で普通に使用される基板搬送用キャリアである。別の実施例では、交換ステーションが標準機械インタフェースポッド（ＳＭＩＦ−Ｐｏｄ）含んでいる。

本発明の一実施例によれば、インタフェースユニットは、ロードロックを介してリソグラフィ投影装置に接続されている。ロードロックは、リソグラフィ投影装置とトラックとの差圧が維持される場合、例えばリソグラフィ投影装置がトラックより事実上低圧に保たれる場合に使用できる。
本発明の一実施例によれば、リソグラフィ投影装置は真空に保たれる。
別の態様によれば、本発明はリソグラフィ投影装置、それも、
放射投影ビームを得るための放射系と、
所望パターンに従って投影ビームにパターン付与するのに役立つパターニング素子用の支持構造物と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン付与されたビームを基板のターゲット部分に投影するための投影系とを含む形式のものに関わり、
リソグラフィ投影装置がインタフェースユニットを含むことを特徴としている。

別の態様によれば、本発明はデバイス製造方法、それも、
少なくとも部分的に放射線感受性材料層により被覆された基板を得る段階と、
放射系を使用して放射投影ビームを得る段階と、
パターニング素子を使用して投影ビーム横断面にパターン付与する段階と、
放射線感受性材料層のターゲット区画に、パターン付与された放射ビームを投影する段階とを含む形式のものに関わり、
基板が本発明によりインタフェースユニットを介して供給されることを特徴としている。

本明細書では、本発明による装置が、特にＩＣｓの製造に使用することに関連して説明されるが、言うまでもなく、該装置は、他の多くの可能な用途を有することを理解されたい。例えば、該装置は、集積光学系、磁区メモリ用の案内及び検出パターン、液晶ディスプレーパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用できよう。当業者は、それらの別の用途との関連では、本明細書での「レチクル」、「ウエーハ」、「ダイ」等の用語は、それぞれ、より一般的な用語「マスク」、「基板」、「ターゲット区画」に代えられるものと考えられたい。
本明細書では、「放射線」、「ビーム」などの用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば波長３６５，２４８，１９３，１５７，１２６ｎｍ）、極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば波長範囲５〜２０ｎｍ）、例えばイオンビーム又は電子ビーム等の粒子線など、あらゆる種類の電磁放射線を包含するものとして使用されている。
以下で本発明の複数実施例を添付図面につき説明するが、これらの実施例は、単に一例にすぎない。対応する部材には対応する符号が付されている。

実施例１
図１には、本発明によるリソグラフィ投影装置１の一実施例が略示されている。該装置は、放射系Ｅｘ，ＩＬと、第１対象物テーブル（マスクテーブル）ＭＴと、第２対象物テーブル（基板テーブル）ＷＴと、投影系（「レンズ」）とを含んでいる。
放射系Ｅｘ，ＩＬは、放射投影ビームＰＢ（例えばＥＵＶ）の供給用である。この場合、放射系は光源ＬＡも含んでいる。
第１対象物テーブルＭＴは、マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するマスクホールダを備え、かつ素子ＰＬに対するマスクの精密な位置決め用の第１位置決め装置ＰＭに接続されている。
第２対象物テーブル（基板テーブル）ＷＴは、基板Ｗ（例えばレジスト被覆シリコンウエーハ）を保持する基板ホールダを備え、かつ素子ＰＬに対する基板の精密位置決め用の第２位置決め装置ＰＷに接続されている。
投影系（「レンズ」）ＰＬ（例えばミラー群又はレンズ群）は、基板Ｗのターゲット区画（例えば１個以上のダイを含む）にマスクＭＡの照射区域を結像させるためのものである。

ここで説明する装置は反射型である（すなわち反射性マスクを有している）。しかし、一般に、この装置は、例えば透過型（透過性マスクを有する）であってもよい。あるいは又、この装置は、別種のパターニング素子、例えば既述の種類のプログラム可能なミラー配列を使用することもできる。
光源ＬＡ（例えばＥＵＶ源）は放射ビームを発生させる。この放射ビームは、直接又は、例えばビーム伸長器等の横調整素子を介して、照明系（照明器）ＩＬへ供給される。照明器ＩＬは、ビームの半径方向外方及び／又は内方（普通、σ外方及びσ内方と呼ばれる）の強度範囲を設定するための調節素子を含んでいる。加えて、照明器は、概して、積分器ＩＮや集光レンズＣＯ等、他の種々の構成素子を含んでいる。このようにして、マスクＭＡに入射するビームＰＢには、横断面内での目標均一性及び強度分布が得られる。
図１に関して注意すべき点は、光源ＬＡがリソグラフィ投影装置ハウジング内に配置されているが（光源ＬＡが例えば水銀ランプの場合が多い）、該装置から離れたところに配置して、発生する放射ビームを該装置へ導入してもよい（例えば適当な指向ミラーを介して）点である。この後者の形式の場合は、光源ＬＡがエキシマレーザの場合が多い。本発明及びクレームは、これらの形式の双方を包含している。

ビームＰＢは、マスクテーブルＭＴ上に保持されるマスクＭＡに交差する。マスクＭＡを反射したビームＰＢは、レンズＰＬを通過し、該レンズにより基板Ｗのターゲット区画Ｃに集束する。第２位置決め素子ＰＷ（及び干渉測定素子ＩＦ）は、基板テーブルＷＴを精密移動させて、例えば、異なるターゲット区画ＣをビームＰＢ経路内に位置決めすることができる。同じように第１位置決め素子ＰＭは、例えば、マスクライブラリからマスクＭＡの取り出し後、又は走査中に、ビームＰＢ経路に対してマスクＭＡを精密位置決めするのに使用できる。概して、対象物テーブルＭＴ，ＷＴの移動は、図１には明示されていない長行程モジュール（粗位置決め）と短行程モジュール（精密位置決め）とによって実現される。しかし、ウエーハステッパの場合（ステップアンドスキャン装置の場合とは異なり）、マスクテーブルＭＴは、短行程アクチュエータにのみ接続されるか、又は固定される。マスクＭＡと基板Ｗとは、マスク位置合わせマークＭ１，Ｍ２及び基板位置合わせマークＰ１，Ｐ２を用いて位置合わせされる。

既述の装置は２つの異なるモードで使用できる：
１． ステップ・モードでは、マスクテーブルＭＴは事実上固定され、全マスク像がターゲット区画Ｃへ一括（すなわち単一「フラッシュ」で）投影される。基板テーブルＷＴが、次いでｘ方向及び／又はｙ方向に変位され、異なるターゲット区画ＣがビームＰＢによって照射される。
２． 走査モードでは、事実上同じ手順が適用されるが、異なる点は、所定ターゲット区画Ｃが単一「フラッシュ」では露光されない点である。その代わり、マスクテーブルＭＴが所定方向（いわゆる「走査方向」、例えばｙ方向）に速度ｖで変位し、それにより投影ビームＰＢがマスク像にわたり走査せしめられる。同時に、基板テーブルＷＴが等方向又は反対方向に速度ｖ＝Ｍｖで変位する。この場合、ＭはレンズＰＬの倍率（通常、Ｍ＝１／４又は１／５）である。このようにして、解像度が犠牲にされることなく、比較的大きいターゲット区画Ｃが露光できる。

図２ａ及び図２ｂは、従来技術によるリソグラフィ露光ユニット１とトラック１０とを示したものである。図２ａには、リソグラフィ露光ユニット１とトラック１０とが示され、更に基板Ｗ（例えばウエーハ又は平面的な基板）が、トラック１０とリソグラフィ露光ユニット１とを通過して、またトラック１０を通過して戻る経路が示されている。
図２ｂに示した実施例では、リソグラフィ露光ユニット１が、露光にＥＵＶ放射線を採用し、真空に保たれた少なくとも１露光チャンバを有している。リソグラフィ露光ユニット１とトラック１０（大気圧又は他の圧力）との間のインタフェースには、ロードロックＬＬが配置されている。矢印は、ウエーハＷ等の基板が、トラック１０、ロードロックＬＬ、リソグラフィ露光ユニット１を通過し、再びロードロックＬＬとトラック１０とを通過して移動する方向を略示している。基板Ｗは、取り扱いロボットにより搬送され取り扱われるが、ロボットは図示されていない。
以下で説明する実施例は、投影ビームＰＢにＥＵＶ放射線を使用するリソグラフィ露光ユニット１であり、該ユニットは真空に保たれている（図２ｂ）。しかし、本発明は、例えば図２ａに示した非ＥＵＶかつ非真空のリソグラフィ露光ユニットにも有利に適用できることは理解されよう。

実施例２
図３Ａは、対象物処理用のトラック１０と、対象物露光用のリソグラフィ露光ユニット１とを示している。更に、図３Ａには、トラック１０とリソグラフィ露光ユニット１との間で基板Ｗ等の対象物を移送するインタフェースユニット２０が示されている。インタフェースユニット２０は、トラック１０とリソグラフィ露光ユニット１とに接続されている。インタフェースユニット２０は、トラック１０とリソグラフィ露光ユニット１との間で対象物（基板、ウエーハ）を正規に移送する第１対象物移送経路２１を有している。インタフェースユニット２０は、対象物の移送又は搬送用のロボットを備えることができる。リソグラフィ投影装置（ここでは、インタフェースユニット２０とリソグラフィ露光ユニット１とを含むもの）は、対象物の温度制御と前位置合わせとのためのウエーハ取り扱い器を備えることができる。インタフェースユニット２０は、第１対象物移送経路内で対象物を保持するための少なくとも１ステーション２２を含んでいる。このステーション２２は、更に詳細に後述されるが、インタフェースユニット２０内にまとめられた数機能用に使用される。

インタフェースユニット２０は、また第２対象物移送経路２３を備え、該経路が第１対象物移送経路２１と接続されている。第２移送経路２３は、インタフェースユニット２０をトラック１０と接続する第１移送経路２１のバイパスとして使用できる。第２移送経路２３は、閉鎖可能な第２移送開口２４を通って外部（この場合、外界２５）へ延在している。基板は、外界２５から第２移送経路２３と第１移送経路２１とをへてリソグラフィ投影装置２６内へ移送される（その逆も可能である）。この移送には、閉鎖可能な第２開口２４が従来式ＦＯＵＰを備えている場合には、従来式ＦＯＵＱを使用できる。別形式として、いわゆるＳＭＩＦインタフェース及びＳＭＩＦポッドを使用できる。

図３Ｂには、リソグラフィ露光ユニット１が極端紫外線露光ユニット１である場合の構成が示されている。この露光ユニットの内部空間は、稼働中、真空状態に維持できる。露光ユニット１は、インタフェースユニット２０と露光ユニット１の内部空間との間の差圧を架橋するためのロードロック２７を備えている。第１対象物移送経路は、ロードロックの閉鎖可能な開口をへてＥＵＶ露光ユニット１の内部空間に接続されている。基板（例えばウエーハ）等の対象物は、図３Ａの装置と類似の形式でリソグラフィ装置２６内へ送入されるが、そのさいには、対象物は、第２移送経路２３と、これに接続された第１移送経路２１をへてロードロックを通過し露光ユニット１の内部空間へ送入される。開口２４が従来式のＦＯＵＰインタフェースを有する場合、従来式ＦＯＵＰ基板キャリアを使用できる。したがって、インタフェースユニット２０は、ＥＵＶリソグラフィ投影装置のトラック１０をバイパスするための従来式ＦＯＵＰキャリアを使用できる。

図３ＢのＥＵＶリソグラフィ投影装置２６のウエーハ取り扱い器は、対象物の前位置合わせ機能と対象物の温度制御機能とを有している。加えて、ウエーハ取り扱い器は、ロードロックを制御する機能を有している。ロードロックは、インタフェースユニットと露光ユニットとの間の真空インタフェースとして役立つ。ロードロックは、リソグラフィ投影装置の大気圧部分から該装置の真空部分へ、またその逆に、対象物を移送するための真空−インタフェース−チャンバを有している。この真空−インタフェース−チャンバは、真空に引いたり、より高ガス圧（大気圧）に昇圧したり交互に行うことができる。対象物を大気圧下から真空下へて送り込む場合の一連のイベント例は次ぎの通りである： 対象物を開口を通じて真空−インタフェース−チャンバ内へ送入し、該チャンバを閉じ、該チャンバを真空に引き、該チャンバを開き、対象物を開口からリソグラフィ投影装置の真空部分内へ移送する。真空−インタフェース−チャンバを真空に引く間、該チャンバ内の対象物（基板）温度は降下する。この温度降下は、予め計算可能で、該チャンバを真空に引く前に基板を前加熱することで補償できる。この種の温度制御はウエーハ取り扱い器によって実施できる。

実施例３
図４は、本発明の一実施例による、リリソグラフィ露光ユニット１とトラック１０との間のインタフェースの略示図である。ロードロックＬＬを含むリソグラフィ露光ユニット１とトラック１０との間には、インタフェースユニット２０が設けられているが、インタフェースユニット２０の主要目的はリソグラフィ露光ユニット１とトラック１０との間の協働及び連絡の不足から発生する問題の幾つかを克服することである。
このインタフェースユニット２０は、リソグラフィ投影装置１の一体部分として作られるのが好ましいが、トラック１０の一部として作られてもよいし、また別個のボックスとして作られてもよく、その場合、このボックスは、既存のリソグラフィ投影装置１とトラック１０との間に配置される。

実施例４
インタフェースユニット２０は、当業者には理解されるであろうような種々の機能を備えている。それらの幾つかを図５に関連して以下で説明する。
第一に、インタフェースユニット２０は、１個以上の基板取り扱いユニット、例えばロボット式取り扱い器３０を備えている。ロボット式取り扱い器３０の端部には、基板Ｗを掴むように構成されたグリッパ（図示せず）が備えられている。ロボット式取り扱い器３０は、したがって、第１箇所で基板Ｗをピックアップして、その基板Ｗを第２箇所で送出するように構成されている。一好適実施例では、ロボット式取り扱い器３０は、ロードロックＬＬ及びトラック１０との基板Ｗの受け渡しに十分な長さを有している。
しかし、インタフェースユニット２０は、またリソグラフィ投影装置及び／又はトラックに備えられたロボット式取り扱い器を使用することもできる。その場合、インタフェースユニット２０には付加的なロボット式取り扱い器を備える必要はない。
インタフェースユニット２０は、更に１つ以上のステーションを備えることができ、その場合、各ステーションが一定の機能を有することになる。

インタフェースユニット２０は、１つ以上の基板Ｗを保管するように構成されたバッファステーション４１を備えることができる。このバッファステーション４１を１つ以上の基板Ｗを保管するのに使用して、トラック１０とリソグラフィ投影装置１との取り扱い速度の差を調停することができる。バッファステーション４１は、例えば、リソグラフィ投影装置１からトラック１０へ送出される１個以上の基板Ｗを保管するのに使用することができる。したがって、リソグラフィ投影装置１は、次の基板Ｗを受け取る準備のために、トラック１０を待つ必要がない。リソグラフィ投影装置１は、単に基板Ｗをバッファステーション４１へ送出し、次の基板Ｗを続けて送り出せばよい。もちろん、同じ原則は、逆にも適用でき、１個以上の基板Ｗをトラック１０からリソグラフィ投影装置１へ送出することもできる。インタフェースユニットは、また２つのバッファステーション４１を備えることができよう。すなわち１つは、リソグラフィ投影装置１からトラック１０へ送られる１個以上の基板Ｗの保管用であり、他は、トラック１０からリソグラフィ投影装置１へ送られる１個以上の基板Ｗの保管用である。この形式は、リソグラフィ投影装置１とトラック１０との取り扱い速度が、時間の経過中に変化する場合に特に有益である。

インタフェースユニット２０は、また浄化ステーション４２を備えることができる。この浄化ステーションには、基板Ｗの縁部及び裏側のレジスト清浄化用及び／又は基板Ｗからの汚染粒子除去用の浄化手段が備えられる。浄化ステーション４２は、更に汚染検出システムを備えることができる。この汚染検出システムは、例えばレーザーで基板Ｗを走査することで汚染粒子を検出できる。この検出情報は、浄化工程を補助するのに使用される。提案した浄化手段及び浄化方法は、リソグラフィ装置の他の部分にも適用できる。
既述のように、リソグラフィ投影装置内で露光される基板は、通常、トラック内で被覆され現像される。被覆工程は、基板（ウエーハ）が、露光ユニット内で露光される前に行われ、現像工程は、ウエーハの露光後に行われる。基板の露光は、極めて精密な作業である。表面及び／又は裏面にどのような汚染があっても、露光は、ホットスポットと呼ばれる不精密な露光になる。これらのホットスポットは、顧客にとっては歩留まりの低下につながる。ホットスポットは、往々にして基板（ウエーハ）上又はテーブル上の汚染の結果である。

リソグラフィ投影装置の内部空間は、汚染基板（ウエーハ）が投影装置に供給されると、汚染される。汚染が基板に付着した場合、この汚染は、リソグラフィ投影装置の１つ以上の箇所に移され、それらの箇所では、汚染ウエーハを取り扱うことになる（例えば基板テーブル上の基板との接触箇所で）。
イマージョン（浸漬）リソグラフィ装置の内部空間は、イマージョン工程中又は工程後に汚染される。工程中には、流体が直接にフォトレジスト又はトップコートに接触する。イマージョン工程後に（したがって露光後に）、基板（ウエーハ）は、まだ流体の（幾つかの）単層を有しており、該複数単層は、流体が一様に蒸発しない場合には、乾燥しみを生じさせる。
従来のリソグラフィ投影装置では、リソグラフィ投影装置へ送入される基板の汚染の有無が点検又は検出されない。このことは、汚染基板が送られるあらゆる取り扱い箇所が、無警告で汚染されることを意味する。この汚染が、リソグラフィ投影装置内の敏感な箇所に固着する結果、（最後には）続くすべての基板も対応箇所が汚染され、それらの箇所が適正に露光されなくなる（歩留まりが低下し、再加工が必要になる）。

次に浄化ステーションの作業を補助する２つの可能な検出方法を提案する：
− 基板の露光後に、基板上の結像又はパターンを点検する。この点検で結像又はパターンの欠陥が明らかになった場合には、続いてリソグラフィ投影装置の他の基板にも欠陥がないかどうか点検する。幾つかの又は多くの基板が汚染されていることが判明すれば、それは、歩留まり低下が生じたことを意味する。
− 検査を定期的にリソグラフィ投影装置に対して行う。
前記２検出方法の１つで、汚染問題が生じていることが判明すれば、解決策は、リソグラフィ投影装置を開いて内部の汚染箇所を手で浄化することである。このことは、リソグラフィ投影装置の予定外の稼働停止の必要を含意する。
イマージョンリソグラフィ投影装置の場合、イマージョン段階で発生した欠陥は、（もし除去されなければ）続く（トラック内での）ＰＥＢベイク段階中に「焼き付け」られ、更にトラック内で加工される。その結果、現像中に各欠陥個所で（現像液内での露光レジストの）溶解速度が変化し、最終的には、このことが各箇所でＣＤ変化（＝不一様）を生じさせる。

本発明の一態様によれば、ウエーハ（基板）取り扱い器及び／又はリソグラフィ投影装置の他の部分を浄化し、検査する方法が得られる。
リソグラフィ投影装置内での基板の自動式検査及び／又は浄化は、ウエーハ取り扱い器内で実施される。基板がトラックによって送出されると直ちに、基板は、交換位置から取り出され、基板取り扱い器内の検査／浄化装置内へ置かれる。検査／浄化装置のための好適位置は、ウエーハ取り扱い器内の交換位置にある。
検査及び／又は浄化装置には次の操作形式がある：
− 基板は検査されるのみで、浄化されずに取り扱い装置から除去される。この結果、汚染基板が更に取り扱い器へ送入されるのが防止される。
− 基板は、検査せずに常時浄化される。この場合は、汚染とは関係なしに、すべての基板が浄化されねばならない。
− 基板を検査して、汚染が判明すれば、それを浄化する。

イマージョンリソグラフィ投影装置は、基板検査用の検査及び／又は浄化装置を備えている。検査により特定基板に汚染（しみ、よごれ）が判明した場合には、それを浄化する。浄化は、例えば全基板に流体を（再）被着させ、それを制御しつつ（スピン乾燥、加熱その他）乾燥させる。この検査／浄化工程は、従来の工程と比較して顧客にとって、歩留まりが減少し、損失／再加工が減少する利点がある。加えて、本発明による装置の非稼働時間が、従来の装置に比較して減少する。
この検査及び／又は浄化装置は、現在ロードポートに利用可能な空間内に組み付けることができよう。また、基板投入交換位置の数を増すことや、これら投入交換位置と検査及び／又は浄化装置とを統合することも可能である。
検査／浄化のサイクル時間は、検査／浄化装置の数、検査／浄化方策、リソグラフィ投影装置の処理量によって決まる。例えば、検査／浄化装置を１つだけしか利用できず、すべての基板が検査及び／又は浄化を要する場合は、所要検査／浄化サイクル時間（基板交換を含めて）は、露光のサイクル時間（最大）と等しくするのがよい。

検査／浄化方策は、以下のように区別される：
− 検査のみを行い、汚染基板が検出された場合には、加工を停止することで基板がスキャナを汚染するのを防止する、
− 検査のみを行い、該基板を主流から除去することで基板がスキャナを汚染するのを防止し、基板の加工を続行する、
− すべての基板を浄化するが、このことは、汚染の有無を問わず、すべての基板を浄化することを意味する、
− すべての基板を検査して、必要とあれば浄化するが、この場合は、すべての基板を通常の手順にしたがって取り扱い、露光し、基板を主流から除去することはなく、汚染基板がスキャナを汚染させることが防止される。
注意を要する点は、基板の検査は以下のように行う点である（但し、これらに制限はされない）：
− 基板の裏側のみを検査する、
− 基板の上側のみを検査する、
− 基板のすべての側を検査する、
− インライン測定を利用する。

更に、注意を要する点は、基板の浄化は、基板の上側及び／又は裏側のあらゆる種類の汚染を浄化するあらゆる手段に係わる点である。
検査システムの一例は、ビーム反射の原理に基づく光学式の検査用具でもよいだろう。浄化システムの一例は、溶剤を使用して裏側の汚れを除去する回転装置でもよいだろう。
インタフェースユニット２０は、更に前処理ステーション４３を備えることができる。この前処理ステーション４３では、基板がリソグラフィ投影装置１に送入されるのに要する１つ以上の処理を受けることができる。この前処理は、例えばプリベイクである。プリベイク中、基板は、レジストのガス抜きのため、一定時間の間に特定温度に加熱される。レジストのガス抜きは、清浄な及び／又は真空の環境内、例えばロードロックｌｌやリソグラフィ投影装置１内では極めて有害である。したがって、このガス抜きは、インタフェースユニット２０内で実施及び／又は許可される。

既述のように、重要な点は、露光と露光後ベイクとの時間間隔を短く、かつ一定にすることである。投影されたパターンの線の太さは、露光後に変化することがあり、ターンの鮮明度も時とともに低下し得る。この低下過程は、基板Ｗに適当な露光後処理を施せば、直ちに停止させ得る。インタフェースユニット２０に後処理ステーション４４を設けることで、露光と適当な後処理のすべて又は一部との間の時間を一定にすることができる。リソグラフィ投影装置１から到着する基板は、例えば、後処理ステーション４４で露光後ベイク処理を受けることができる。
他のステーションも、インタフェースユニット２０内に設けることができる。例えば、基板は、ロードロックＬＬ及び／又はリソグラフィ投影装置１に送入される前に、基板特性を測定できる。該特性には位置合わせ情報を含めることができる。これによって、リソグラフィ投影装置１の取り扱い速度を高めることができる。なぜなら、基板Ｗは、基板ステージＷＳで迅速に位置決めできるからである。

インタフェースユニット２０は、更に外界との間で基板を送出入時に基板交換する交換ステーション４５を備えることができる。この交換ステーション４５は、好ましくはＦＯＵＰインタフェース等のキャリア用インタフェースを備え、該インタフェースは、リソグラフィ投影装置１又はトラック１０との基板Ｗの交換の代わりに、基板Ｗをインタフェースユニット２０に対し受け渡しするためにキャリアと接触するように構成されている。
この交換ステーション４５が特に役立つのは、トラック１０が故障した場合や、トラック１０による周期化の不要なリソグラフィ投影装置１による基板の周期化が必要な場合である。
もちろん、当業者には理解されるだろうが、インタフェースユニット２０は、これまでに挙げたステーションのすべては備える必要はなく、また別の機能を有する別のステーションを備えることもできる。また、１つ以上の特定の機能を発揮するように構成されたステーションを設けることもできる。

インタフェースユニット２０は、リソグラフィ投影装置１とトラック１０との間の基板Ｗの受け渡しを行い、またインタフェースユニット２０内にある加工ステーションで作業を行う。リソグラフィ投影装置１とトラック１０とが情報交換することが、最適作業のために極めて重要である。図６ａ、図６ｂ、図６ｃは、インタフェースユニット２０を制御するための異なる形式を示している。

実施例５
図６ａは、リソグラフィ投影装置１と、インタフェースユニット２０と、トラック１０とを示した図である。リソグラフィ投影装置１は制御ユニット５０を備え、インタフェースユニットは制御ユニット５１を備え、トラック１０は制御ユニット５２を備えている。矢印で示すように、制御ユニット５０，５１と制御ユニット５１，５２とは、各々が相互通信可能に構成され、情報交換や要求が可能に構成されている。例えば、リソグラフィ投影装置１の制御ユニット５０は、インタフェースユニット２０の制御ユニット５１に要求信号を送って、１つ以上の新しい基板Ｗを求めることができる。インタフェースユニット２０は、１つ以上の新しい基板Ｗを供給することによってリソグラフィ投影装置１に応答する。インタフェースユニット２０の制御ユニット５１が、インタフェースユニット内ではもはや基板Ｗは入手できないか、又は入手可能な基板Ｗの数が一定の閾値以下であることを検知した場合には、トラック１０の制御ユニット５２に新しい基板Ｗを要求する信号を送ることができる。

別の実施例では、またリソグラフィ投影装置１の制御ユニット５０とトラック１０の制御ユニット５２とが互いに直接通信するように構成されている。
図６ｂは、インタフェースユニット２０がリソグラフィ投影装置１の制御ユニット５０により直接制御される形式の別の実施例を示している。この場合は、インタフェースユニット２０には、別個の制御ユニット５１は不要である。またこの場合、リソグラフィ投影装置１の制御ユニット５０とトラック１０の制御ユニット５２とが互いに通信可能に構成され、情報交換や要求が可能である。
図６ｃに示した更に別の実施例では、インタフェースユニット２０がトラック１０の制御ユニット５２により直接に制御される。この場合も、インタフェースユニット２０には、別個の制御ユニット５１は不要である。リソグラフィ投影装置１の制御ユニット５０と、トラック１０の制御ユニット５２とが互いに通信可能に構成され、情報交換と要求が可能である。

図６ａ、図６ｂ、図６ｃに示した実施例では、すべてリソグラフィ投影装置１とインタフェースユニット２０とが直接に接続されている。しかし、リソグラフィ投影装置１とインタフェースユニット２０とは、ロードロックＬＬとも接続されている。
図６ａについて説明した実施例は、インタフェースユニット２０が別個のロボット式取り扱い器３０を備えている場合に使用するのが好ましい。インタフェースユニット２０が、別個のロボット式取り扱い器３０を備えていず、トラック１０又はリソグラフィ投影装置１のロボット式取り扱い器３０を使用する場合には、図６ｂ及び図６ｃで説明した実施例を、それぞれ使用するのが好ましい。しかし、制御ユニット５０，５１，５２は、これらのうちのどれかとどれかとが相互通信するように構成でき、したがって他の制御ユニットにそれらのロボット式取り扱い器３０を使用するように要求信号を送ることができるので、異なる組み合わせも適用できる。
以上、本発明の複数実施例を説明したが、本発明は以上の説明とは別様に実施できることが理解されよう。以上の説明は、本発明を制限する意図のものではない。

本発明の一実施例によるリソグラフィ投影装置を示す図。（実施例１） 先行技術により公知の第１実施例によるリソグラフィ投影装置及びトラックを示す図。 先行技術により公知の第２実施例によるリソグラフィ投影装置及びトラックを示す図。 本発明の一実施例によるリソグラフィ露光ユニット、トラック、インタフェースユニットを示す図。（実施例２） 図３Ａの実施例によるリソグラフィ露光ユニット、トラック、インタフェースユニットの別の形式を示す図。 本発明の一実施例によるリソグラフィ露光ユニット、トラック、インタフェースユニットを示す図。（実施例３） 本発明の一実施例によるインタフェースユニットを示す図。（実施例４） 本発明の一実施例による、リソグラフィ投影装置、インタフェースユニット、トラックを制御する形式を示す図。（実施例５） 図６ａの実施例によるリソグラフィ投影装置、インタフェースユニット、トラックを制御する別の形式を示す図。 図６ａの実施例によるリソグラフィ投影装置、インタフェースユニット、トラックを制御する更に別の形式を示す図。

符号の説明

ＬＡ 放射線源
Ｅｘ 伸長器
ＩＬ 照明器
ＡＭ 調節器
ＩＮ 積分器
ＣＯ 集光レンズ
ＰＬ レンズ
Ｐ１，Ｐ２ 基板合わせマーク
ＭＡ マスク
Ｍ１，Ｍ２ マスク位置合わせマーク
Ｃ ターゲット区画
ＩＦ 干渉計
ＰＢ 放射ビーム
ＭＴ マスクテーブル
ＰＭ 第１位置決め手段
ＷＴ ウエーハテーブル
ＰＷ 第２位置決め手段
Ｗ ウエーハ
Ｐ１，Ｐ２ 基板位置合わせマーク
ＬＬ ロードロック
１ リソグラフィ露光ユニット
１０ トラック
２０ インタフェースユニット
２１ 基板第１移送経路
２２ 基板保持テーブル
２３ 基板第２移送経路
２４ 第２移送開口
２５ 外界
２６ リソグラフィ投影装置
２７ ロードロック
３０ ロボット式取り扱い器
４１ バッファステーション
４２ 浄化ステーション
４３ 前処理ステーション
４４ 後処理ステーション
４５ 基板交換ステーション
５０，５１，５２ 制御ユニット

Claims (14)

1. 基板等の対象物を移送するためのインタフェースユニットにおいて、
   該インタフェースユニットが、対象物処理用のトラックと対象物露光用のリソグラフィ露光ユニットとの間で対象物を移送する第１移送経路を有し、しかも、前記インタフェースユニットが、また外部空間とリソグラフィ露光ユニットとの間で対象物を移送する第２移送経路をも備えており、該第２移送経路が外部空間への閉鎖可能な開口を通って延在している、基板等の対象物を移送するためのインタフェースユニット。
2. 対象物の前記第１移送経路が前記第２移送経路と接続されている、請求項１に記載のインタフェースユニット。
3. 前記閉鎖可能の移送開口が、前部開口汎用ポッドと接触するように構成された前部開口汎用ポッドインタフェースを含む、請求項１又は請求項２に記載のインタフェースユニット。
4. 前記インタフェースユニットが、リソグラフィ露光ユニット、例えば超紫外線（ＥＵＶ）投影ユニット等のロードロックに接続されるように構成されており、該投影ユニットが、ロードロックによって閉鎖可能な第２開口を有する囲まれた真空空間を有し、しかも、前記第１移送経路が、該第２開口を通って前記真空空間内へ延在している、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のインタフェースユニット。
5. 前記インタフェースユニットが、リソグラフィ露光ユニット及びトラックに接続されるように構成されている、請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のインタフェースユニット。
6. 前記インタフェースユニットが、対象物（Ｗ）を移送するためのロボット式取り扱い器（３０）を含む、請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載のインタフェースユニット。
7. 前記インタフェースユニットが、インタフェースユニット内に対象物を保持するための少なくとも１つのステーションを含む、請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載のインタフェースユニット。
8. 前記少なくとも１ステーションが、対象物（Ｗ）の一時保管用バッファステーション（４１）を含む、請求項７に記載のインタフェースユニット。
9. 前記少なくとも１ステーションが、対象物（Ｗ）を清浄化するための浄化ステーション（４２）を含む、請求項７又は請求項８に記載のインタフェースユニット。
10. 前記少なくとも１ステーションが、リソグラフィ露光ユニットに使用可能な基板（Ｗ）を供給する前に、対象物（Ｗ）にプリベイク等の処理を施すための前処理ステーション（４３）を含む、請求項７から請求項９までのいずれか１項に記載のインタフェースユニット。
11. 前記少なくとも１ステーションが、対象物（Ｗ）がリソグラフィ露光ユニットからインタフェースユニット（２０）へ移送された後、対象物（Ｗ）に露光後ベイク等の処理を施すための後処理ステーション（４４）を含む、請求項７から請求項１０までのいずれか１項に記載のインタフェースユニット。
12. 前記インタフェースユニット（２０）が、リソグラフィ露光ユニットの制御ユニット及び／又はトラックの制御ユニットと通信するように構成された制御ユニット（５１）を含む、請求項１から請求項１１までのいずれか１項に記載のインタフェースユニット。
13. リソグラフィ投影装置であって、
    放射投影ビーム（ＰＢ）を得るための放射系（Ｅｘ，ＩＬ）と、
    所望パターンに従って投影ビーム（ＰＢ）にパターン付与するのに役立つパターニング素子（ＭＡ）のための支持構造物と、
    基板（Ｗ）を保持するための基板テーブル（ＷＴ）と、
    パターン付与されたビーム（ＰＢ）を基板（Ｗ）のターゲット区画（Ｃ）に投影するための投影系（ＰＬ）とを含む形式のものにおいて、
    前記リソグラフィ投影装置が、請求項１から請求項１２までのいずれか１項に記載されたインタフェースユニットを含み、しかも、該インタフェースユニットがリソグラフィ露光ユニットと接続されていることを特徴とする、リソグラフィ投影装置。
14. デバイス製造方法であって、
    少なくとも部分的に放射線感受性材料層により被覆された対象物、例えば基板（Ｗ）等を得る段階と、
    放射系を使用して放射投影ビーム（ＰＢ）を得る段階と、
    パターニング素子を使用して投影ビーム（ＰＢ）の横断面にパターンを付与する段階と、
    放射線感受性材料層のターゲット区画（Ｃ）に、パターン付与された放射ビーム（ＰＢ）を投影する段階とを含む形式のものにおいて、
    前記対象物（Ｗ）が、請求項１から請求項１２までのいずれか１項に記載されたインタフェースユニットを介して得られることを特徴とする、デバイス製造方法。

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