JPS6144429A - 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 - Google Patents
位置合わせ方法、及び位置合せ装置Info
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- JPS6144429A JPS6144429A JP59167020A JP16702084A JPS6144429A JP S6144429 A JPS6144429 A JP S6144429A JP 59167020 A JP59167020 A JP 59167020A JP 16702084 A JP16702084 A JP 16702084A JP S6144429 A JPS6144429 A JP S6144429A
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- Japan
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- wafer
- chip
- alignment
- mark
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は半導体装置製造用のステップアンドリピート方
式の露光装置、又はステップアンドリピート方式で順次
検査を行なう装置に好適な位置合せ方法に関し、特に露
光用の原版となるマスクやレチクルと、露光対象である
半導体ウェハ等との精密な位置合せを行なう方法に関す
る。
式の露光装置、又はステップアンドリピート方式で順次
検査を行なう装置に好適な位置合せ方法に関し、特に露
光用の原版となるマスクやレチクルと、露光対象である
半導体ウェハ等との精密な位置合せを行なう方法に関す
る。
（発明の背景）
近年、ＩＣやＬＳＩ等の半導体装置は急速に微細化、高
密度化が進み、これを製造する装置、特にマスクやレチ
クルの回路パター／を半導体ウェハに形成された回路パ
ターンの上に重ね合せて転写する露光装置にも増々、高
精度なものが要求されてきている。マスクの回路パター
／とウェハ上の回路パター／とけ例えば０．１μｍ以内
の精度で重ね合せることが要求され、このため現在、そ
の種の露光装置はマスクの回路パター／をウェハ上の局
所領域（例えば１チップ分）に露光したら、ウェハを一
定距離だけ歩進（ステッピング）させては再びマスクの
回路パターンを露光することを繰り返す、所謂ステップ
アンドリピート方式の装置、特に縮小投影型の露光装置
（ステッパー）が主流になっている。このステップアン
ドリピート方式では、ウェハを２次元移動するステージ
に載置してマスクの回路パターンの投影像に対して位置
決めするため、その投影像とウェハ上の各チップとを精
密に重ね合せることができる。また縮小投影屋露光装置
の場合、マスクやレチクルに設けられた位置合せ用のマ
ークと、ウェハ上のチップに付随したマークとを投影し
／ズを介して直接観察又は検出して位置合せするスルー
ザレンズ方式のアライメント方法と、投影レンズから一
定距離たけ離して設けた位置合せ用の顕微鏡を使ってウ
ェハ全体の位置合せを行なった後、そのウェハを投影し
／ズの直下圧送り込むオアアクシス方式のアライメント
方法との２つの方法がある。一般にスルーザレンズ方式
はウェハ上の各チップ毎に位置合せすることから、重ね
合せ精度は高くなるものの１枚のウェハの露光処理時間
が長くなるという問題がある。オフアクシス方式の場合
は、一度つエバ全体の位置合ぜが完了したら、チップの
配列に従ってウェハをステツピングさせるだけなので、
露光処理時間は短縮される。しかしながら、各チップ毎
の位置合せ分けなわないため、ウェハの伸縮、ウェハの
ステージ上の回転誤差、ステージ自体の移動の直交度等
の影響で、必らずしも満足な重ね合せ精度が得られなか
った。
密度化が進み、これを製造する装置、特にマスクやレチ
クルの回路パター／を半導体ウェハに形成された回路パ
ターンの上に重ね合せて転写する露光装置にも増々、高
精度なものが要求されてきている。マスクの回路パター
／とウェハ上の回路パター／とけ例えば０．１μｍ以内
の精度で重ね合せることが要求され、このため現在、そ
の種の露光装置はマスクの回路パター／をウェハ上の局
所領域（例えば１チップ分）に露光したら、ウェハを一
定距離だけ歩進（ステッピング）させては再びマスクの
回路パターンを露光することを繰り返す、所謂ステップ
アンドリピート方式の装置、特に縮小投影型の露光装置
（ステッパー）が主流になっている。このステップアン
ドリピート方式では、ウェハを２次元移動するステージ
に載置してマスクの回路パターンの投影像に対して位置
決めするため、その投影像とウェハ上の各チップとを精
密に重ね合せることができる。また縮小投影屋露光装置
の場合、マスクやレチクルに設けられた位置合せ用のマ
ークと、ウェハ上のチップに付随したマークとを投影し
／ズを介して直接観察又は検出して位置合せするスルー
ザレンズ方式のアライメント方法と、投影レンズから一
定距離たけ離して設けた位置合せ用の顕微鏡を使ってウ
ェハ全体の位置合せを行なった後、そのウェハを投影し
／ズの直下圧送り込むオアアクシス方式のアライメント
方法との２つの方法がある。一般にスルーザレンズ方式
はウェハ上の各チップ毎に位置合せすることから、重ね
合せ精度は高くなるものの１枚のウェハの露光処理時間
が長くなるという問題がある。オフアクシス方式の場合
は、一度つエバ全体の位置合ぜが完了したら、チップの
配列に従ってウェハをステツピングさせるだけなので、
露光処理時間は短縮される。しかしながら、各チップ毎
の位置合せ分けなわないため、ウェハの伸縮、ウェハの
ステージ上の回転誤差、ステージ自体の移動の直交度等
の影響で、必らずしも満足な重ね合せ精度が得られなか
った。
（発明の目的）
本発明はステップアンドリピート方式の位置合せにおい
て、ウェハ等の被処理基板上に配列された複数のチップ
の全てについて、マスクのパター／の投影位置等の基準
位置との位置合せをすることなく、単にステッピングだ
けでより精密な位置合せを可能とする方法を提供するこ
とを目的とする。
て、ウェハ等の被処理基板上に配列された複数のチップ
の全てについて、マスクのパター／の投影位置等の基準
位置との位置合せをすることなく、単にステッピングだ
けでより精密な位置合せを可能とする方法を提供するこ
とを目的とする。
（発明の概要）
本発明は、被処理基板（ウェハや７オトマスク）に設計
上の配列座標（αβ）に沿って規則的に整列した複数の
チップパターンの夫々を、所定の基準位置（露光装置で
られはマスクやレチクルのパターン投影位置、検査装置
であれば検査視野や検査プローブ針等の検査位置）に対
してステップアンドリピート方式で順次位置合せする方
法において、チップバター／の設計上の配列座標値（Ｄ
ｘｎ。
上の配列座標（αβ）に沿って規則的に整列した複数の
チップパターンの夫々を、所定の基準位置（露光装置で
られはマスクやレチクルのパターン投影位置、検査装置
であれば検査視野や検査プローブ針等の検査位置）に対
してステップアンドリピート方式で順次位置合せする方
法において、チップバター／の設計上の配列座標値（Ｄ
ｘｎ。
Ｄｙｎ ） Ｋ基づいて被処理基板を移動させ、複数の
チップパターンのいくりかを基準位置に合せたときの各
位置（Ｆｘｎ 、■）を実測する工程（ステップ１０３
，１０４，１０５，１０６）と、その設計上の配列座標
値とステップアンドリピート方式で位置合せずべき実際
の配列座標値（Ｆｘｎ 。
チップパターンのいくりかを基準位置に合せたときの各
位置（Ｆｘｎ 、■）を実測する工程（ステップ１０３
，１０４，１０５，１０６）と、その設計上の配列座標
値とステップアンドリピート方式で位置合せずべき実際
の配列座標値（Ｆｘｎ 。
Ｆｙｎ ）とが所定の誤差パラメータ（ウェハの残存回
転θ、ステージの直交度Ｗ、ウェハの線形伸縮Ｒを含む
変換行列Ａと、ウェハの２次元的な位置のオフセント量
の行列Ｏ）を含んで一義的な関係（行列式Ｆｎ＝Ａ−Ｄ
ｎ＋Ｏ）にあるものとしたとき、複数の実測値（Ｆｘｎ
、 Ｆｙｎ ）と実際の配列座標値（Ｆｘｎ 、 Ｆ
ｙｎ ）との平均的な偏差（アドレス誤差Ｅ）が最小に
なるように、誤差パラメータ（Ａ、Ｏ）を決定する工程
（ステップ１０７）と、その決定された誤差パラメータ
（Ａ、Ｏ）と設計上の配列座標値（Ｄｘｎ ＋ Ｄｙｎ
）とに基づいて、上記一義的な関係式から実際の配列
座標値（Ｆｘｎ 。
転θ、ステージの直交度Ｗ、ウェハの線形伸縮Ｒを含む
変換行列Ａと、ウェハの２次元的な位置のオフセント量
の行列Ｏ）を含んで一義的な関係（行列式Ｆｎ＝Ａ−Ｄ
ｎ＋Ｏ）にあるものとしたとき、複数の実測値（Ｆｘｎ
、 Ｆｙｎ ）と実際の配列座標値（Ｆｘｎ 、 Ｆ
ｙｎ ）との平均的な偏差（アドレス誤差Ｅ）が最小に
なるように、誤差パラメータ（Ａ、Ｏ）を決定する工程
（ステップ１０７）と、その決定された誤差パラメータ
（Ａ、Ｏ）と設計上の配列座標値（Ｄｘｎ ＋ Ｄｙｎ
）とに基づいて、上記一義的な関係式から実際の配列
座標値（Ｆｘｎ 。
Ｆｙｎ ）を算出しくステップ１０８）、ステップアン
ドリピート方式の位置合せ時に、その算出された実際の
配列座標値（Ｆｘｎ 、 Ｆｙｎ ）に応じて、被処理
基板を位置決めする工程（ステップ１０９゜１１０．１
１２）とを含むことを技術的要点としている。
ドリピート方式の位置合せ時に、その算出された実際の
配列座標値（Ｆｘｎ 、 Ｆｙｎ ）に応じて、被処理
基板を位置決めする工程（ステップ１０９゜１１０．１
１２）とを含むことを技術的要点としている。
（実施例）
第１図は本発明の方法を実施するのに好適な縮小投影屋
露光装置の概略的な構成を示す斜視図である。投影原版
となるレチクルＲは、その投影中心が投影レンズ１０光
軸を通るように位置決めされて、装置に装着される。投
影レンズｌはレチクルＲに描かれた回路パター／像を１
１５、又は”／１０”’小して、ウェハＷＡ上に投影す
る。
露光装置の概略的な構成を示す斜視図である。投影原版
となるレチクルＲは、その投影中心が投影レンズ１０光
軸を通るように位置決めされて、装置に装着される。投
影レンズｌはレチクルＲに描かれた回路パター／像を１
１５、又は”／１０”’小して、ウェハＷＡ上に投影す
る。
ウェハホルダー２はウェハＷＡを真空吸着するとともに
Ｘ方向とＸ方向に２次元移動するステージ３に対して微
小回転可能に設けられている。駆動モータ４Ｉｒｉステ
ージ３上に固定され、ウエノ・ホルダー２を回転させる
。またステージ３のＸ方向の移動はモータ５の駆動によ
って行なわれ、Ｘ方向の移動はモータ６の駆動によって
行なわれる。ステージ３の直交する２辺には、反射平面
がＸ方向に伸びた反射ミラー７と、反射平面がＸ方向に
伸びた反射ミラー８とが各々固設されている。レーザ光
波干渉測長器（以下単にレーザ干渉計と呼ぶ）９は反射
ミラー８にレーザ光を投射して、ステージ３のＸ方向の
位置（又は移動量）を検出し、レーザ干渉計１０は反射
ミラー７にレーザ光を投射して、ステージ３のＸ方向の
位置（又は移動量）を検出する。投影し／ズ１の側方に
は、ウエノ・ＷＡＪ：の位置合せ用のマークを検出（又
は観察）するために、オフアクシス方式のウェハアライ
メント顕微鏡（以下、ＷＡＭと呼ぶ）２０．２１が設け
られている。尚、ＷＡＭ２１ｆｌ第１図では投影し／ズ
１の後にあり、図示されていない。ＷＡＭ２０．２１は
それぞれ投影し／ズ１の光軸ＡＸと平行な光軸を有し、
Ｘ方向に細長く伸びた帯状のレーザスポット光ｙｓｐ、
θＳＰをウェハＷ入上に結像する。（スポット光ＹＳＰ
は第１図では図示せず。）これらスポット光ＹＳＰ、
θＳＰはウェハＷＡ上の感光剤（フォトレジスト）を
感光させない波長の光でわシ、本実施例では微小な振暢
でＸ方向に振動しで１ン。そしてＷＡＭ２０，２１はマ
ークからの散乱光や回折光を受光する光電素子と、その
光電信号をスポット光の振動周期で同期整流する回路と
を有し、スポット光θ５Ｐ（ＹＳＰ）のＸ方向の振動中
心に対するマークのＸ方向のずれ量（応じたアライメン
ト信号を出力する。
Ｘ方向とＸ方向に２次元移動するステージ３に対して微
小回転可能に設けられている。駆動モータ４Ｉｒｉステ
ージ３上に固定され、ウエノ・ホルダー２を回転させる
。またステージ３のＸ方向の移動はモータ５の駆動によ
って行なわれ、Ｘ方向の移動はモータ６の駆動によって
行なわれる。ステージ３の直交する２辺には、反射平面
がＸ方向に伸びた反射ミラー７と、反射平面がＸ方向に
伸びた反射ミラー８とが各々固設されている。レーザ光
波干渉測長器（以下単にレーザ干渉計と呼ぶ）９は反射
ミラー８にレーザ光を投射して、ステージ３のＸ方向の
位置（又は移動量）を検出し、レーザ干渉計１０は反射
ミラー７にレーザ光を投射して、ステージ３のＸ方向の
位置（又は移動量）を検出する。投影し／ズ１の側方に
は、ウエノ・ＷＡＪ：の位置合せ用のマークを検出（又
は観察）するために、オフアクシス方式のウェハアライ
メント顕微鏡（以下、ＷＡＭと呼ぶ）２０．２１が設け
られている。尚、ＷＡＭ２１ｆｌ第１図では投影し／ズ
１の後にあり、図示されていない。ＷＡＭ２０．２１は
それぞれ投影し／ズ１の光軸ＡＸと平行な光軸を有し、
Ｘ方向に細長く伸びた帯状のレーザスポット光ｙｓｐ、
θＳＰをウェハＷ入上に結像する。（スポット光ＹＳＰ
は第１図では図示せず。）これらスポット光ＹＳＰ、
θＳＰはウェハＷＡ上の感光剤（フォトレジスト）を
感光させない波長の光でわシ、本実施例では微小な振暢
でＸ方向に振動しで１ン。そしてＷＡＭ２０，２１はマ
ークからの散乱光や回折光を受光する光電素子と、その
光電信号をスポット光の振動周期で同期整流する回路と
を有し、スポット光θ５Ｐ（ＹＳＰ）のＸ方向の振動中
心に対するマークのＸ方向のずれ量（応じたアライメン
ト信号を出力する。
従ってＷＡＭ２０．２１は所謂スポット光振動走査型の
光電顕微鏡と同等の構成のものである。
光電顕微鏡と同等の構成のものである。
さて、本装置には投影し／ズ１を介してウエノ・Ｗ入玉
のマークを検出するレーザステツプアライメ／ト（以下
ＬＳＡと呼ぶ）光学系が設けられている。不図示のレー
ザ光源から→発生して、不図示のエクスバング−、シリ
／トリカルレンズ等を通ッテキたレーザ光束ＬＢはフォ
トレジストを感光させない波長の光で、ビームスプリッ
タ−３０に入射して２つの光束に分割される。その一方
のレーザ光束ハミラー３１で反射され、ビームスプリッ
タ−３２を通過して、結像レンズ群３３で、横断面が帯
状のスポット光になるように、収束された後、レチクル
Ｒと投影レンズ１との間に回路パターンの投影光路を遮
光しないように配置された第１折り返しミラー３４に入
射する。第１折り返しミラー３４けレーザ光束をレチク
ルＲに向けて上方に反射する。そのレーザ光束はレチク
ルＲの下側に設けられて、レチクルＲの表面と平行な反
射平面を有するミラー３５に入射して、投影し睦 ／ズ１の入射傍の中心に向けて反射される。ミラー３５
からのレーザ光束は投影し／ズ１によって収束され、ウ
ェハＷＡ上にＸ方向に細長く伸びた帯状のスポット光Ｌ
ＹＳとして結像される。スポット光ＬｙｓｉウェハＷＡ
上でＸ方向に伸びた回折格子状のマークを相対的にＸ方
向に走査して、そのマークの位置を検出するために使わ
れる。スポット光ＬＹＳがマークを照射すると、マーク
からは回折光が生じる。それら光情報は再び投影し／ズ
１、ミラー３５、ミラー３４、結偉し／ズ群３３、及び
ビームスプリンター３４に戻り、ビームスプリッタ−３
４で反射されて、集光レンズと空間フィルターから成る
光学素子３６に入射する。
のマークを検出するレーザステツプアライメ／ト（以下
ＬＳＡと呼ぶ）光学系が設けられている。不図示のレー
ザ光源から→発生して、不図示のエクスバング−、シリ
／トリカルレンズ等を通ッテキたレーザ光束ＬＢはフォ
トレジストを感光させない波長の光で、ビームスプリッ
タ−３０に入射して２つの光束に分割される。その一方
のレーザ光束ハミラー３１で反射され、ビームスプリッ
タ−３２を通過して、結像レンズ群３３で、横断面が帯
状のスポット光になるように、収束された後、レチクル
Ｒと投影レンズ１との間に回路パターンの投影光路を遮
光しないように配置された第１折り返しミラー３４に入
射する。第１折り返しミラー３４けレーザ光束をレチク
ルＲに向けて上方に反射する。そのレーザ光束はレチク
ルＲの下側に設けられて、レチクルＲの表面と平行な反
射平面を有するミラー３５に入射して、投影し睦 ／ズ１の入射傍の中心に向けて反射される。ミラー３５
からのレーザ光束は投影し／ズ１によって収束され、ウ
ェハＷＡ上にＸ方向に細長く伸びた帯状のスポット光Ｌ
ＹＳとして結像される。スポット光ＬｙｓｉウェハＷＡ
上でＸ方向に伸びた回折格子状のマークを相対的にＸ方
向に走査して、そのマークの位置を検出するために使わ
れる。スポット光ＬＹＳがマークを照射すると、マーク
からは回折光が生じる。それら光情報は再び投影し／ズ
１、ミラー３５、ミラー３４、結偉し／ズ群３３、及び
ビームスプリンター３４に戻り、ビームスプリッタ−３
４で反射されて、集光レンズと空間フィルターから成る
光学素子３６に入射する。
この光学素子３６はマークからの回折光（１次回折光や
２次回折光）を透過させ、正反射光（０欠光）を遮断し
て、その回折光をミラー３７を介して光電素子３８の受
光面に集光する。光電素子３８Ｈ集光した回折光の光量
に応じた光電信号を出力する。以上、ミラー３１、ビー
ムスプリンター３２、結像し／ズ群３３、ミラー３４．
３５、光学素子３６、ミラー３７、及び光電素子３８Ｖ
ｉ、ウェハＷ入上のマークのＸ方向の位置を検出するス
ルーザレンズ方式のアライメント光学系（以下、Ｙ−Ｌ
ＳＮ系と呼ぶ）を構成する。
２次回折光）を透過させ、正反射光（０欠光）を遮断し
て、その回折光をミラー３７を介して光電素子３８の受
光面に集光する。光電素子３８Ｈ集光した回折光の光量
に応じた光電信号を出力する。以上、ミラー３１、ビー
ムスプリンター３２、結像し／ズ群３３、ミラー３４．
３５、光学素子３６、ミラー３７、及び光電素子３８Ｖ
ｉ、ウェハＷ入上のマークのＸ方向の位置を検出するス
ルーザレンズ方式のアライメント光学系（以下、Ｙ−Ｌ
ＳＮ系と呼ぶ）を構成する。
一方、ビームスプリンター３０で分割された別のレーザ
光束は、ウェハＷＡ上のマークのＸ方向の位置を検出す
るスルーザレ／ズ方式のアライメント光学系（以下、Ｘ
−ＬＳＡ系と呼ぶ）Ｉ’Ｃ入射する。Ｘ−ＬＳＡＳＡ系
Ｙ−ＬＳＡ系と全く同様に、ミラー４１、ビームスプリ
ンター４２、結像レンズ群４３、ミラー４４．４５、光
学素子４６、ミラー４７、及び光電素子４８から構成さ
れ、ウェハＷＡ上にＸ方向に細長く伸びた帯状のスポッ
ト光ＬＸＳを結像する。
光束は、ウェハＷＡ上のマークのＸ方向の位置を検出す
るスルーザレ／ズ方式のアライメント光学系（以下、Ｘ
−ＬＳＡ系と呼ぶ）Ｉ’Ｃ入射する。Ｘ−ＬＳＡＳＡ系
Ｙ−ＬＳＡ系と全く同様に、ミラー４１、ビームスプリ
ンター４２、結像レンズ群４３、ミラー４４．４５、光
学素子４６、ミラー４７、及び光電素子４８から構成さ
れ、ウェハＷＡ上にＸ方向に細長く伸びた帯状のスポッ
ト光ＬＸＳを結像する。
主制御装置５０は、光電素子３８．４８からの光電信号
、ＷＡＭ２０．２１からの７ライメ／ト信号、及びレー
ザ干渉計９．ｌＯからの位置情報とを入力して、位置合
せのための各１演算処理を行なうとともに、モータ４，
５．６を駆動するための指令分出力する。この主制御装
置５０はマイクロコノピュータやミニコノピユータ等の
演算処理部を備えておシ、その演算処理部にはウエノ・
ＷＡに形成された複数のチップＣＰの設計位置情報（ウ
ェハＷＡ上のチップ配列座標値等）が記憶されている。
、ＷＡＭ２０．２１からの７ライメ／ト信号、及びレー
ザ干渉計９．ｌＯからの位置情報とを入力して、位置合
せのための各１演算処理を行なうとともに、モータ４，
５．６を駆動するための指令分出力する。この主制御装
置５０はマイクロコノピュータやミニコノピユータ等の
演算処理部を備えておシ、その演算処理部にはウエノ・
ＷＡに形成された複数のチップＣＰの設計位置情報（ウ
ェハＷＡ上のチップ配列座標値等）が記憶されている。
第２図は上記ＷＡＭ２０，２１とＹ−Ｉ、ＳＡ系、Ｘ−
ＬＳＡ系によるスポット光θＳＰ 、ＹＳＰ 。
ＬＳＡ系によるスポット光θＳＰ 、ＹＳＰ 。
ＬＹＳ 、ＬＸＳの投影し／ズ１の結像面（ウェハＷＡ
の表面と同一）における配置関係を示す平面図である。
の表面と同一）における配置関係を示す平面図である。
第２図において、光軸ＡＸを原点とする座標系ｘｙを定
めたとき、ｙ軸とｙ軸はそれぞれステージ３の移動方向
を表わす。第２図中、光軸ＡＸを中心とする円形の領域
はイメージフィールドｉｆであシ、その内側の矩形の領
域はレチクルＲの有効パター／領域の投影像Ｐｒである
。スポット光ＬＹＳはイメージフィールドｉｆ内で投影
像Ｐｒの外側の位置で、かつＸ軸上に一致するように形
成され、スポット光ＬＸＳもイメージフィールドｉｆ内
で投影像Ｐｒの外側の位置で、Ｘ軸上に一致するように
形成される。一方、２つのスポット光θＳｒ 、ＹＳＦ
の振動中心Ｔｄｘ軸からＸ方向に距離Ｙｏだけ離れた線
分（ｙ軸と平行）！上に一致するよう罠、かつそのＸ方
向の間隔ＤｘがウェハＷＡの直径よシも小さな値になる
ように定められている。本装置ではスポット光θＳＰ、
ＹＳＰはｙ軸に対して左右対称に配置されており、主制
御装置５０は光軸ＡＸの投影点に対するスポット光θＳ
Ｐ 、ＹＳＰの位置に関する情報を記憶している。また
主制御装置５０は、光軸ＡＸの投影点に対するスポット
光ＬＹＳのＸ方向の中心位置（距離ＸＩ）とスポット光
ＬＸＳのＸ方向の中心位置（距離Ｙｌ）に関する情報も
記憶している。
めたとき、ｙ軸とｙ軸はそれぞれステージ３の移動方向
を表わす。第２図中、光軸ＡＸを中心とする円形の領域
はイメージフィールドｉｆであシ、その内側の矩形の領
域はレチクルＲの有効パター／領域の投影像Ｐｒである
。スポット光ＬＹＳはイメージフィールドｉｆ内で投影
像Ｐｒの外側の位置で、かつＸ軸上に一致するように形
成され、スポット光ＬＸＳもイメージフィールドｉｆ内
で投影像Ｐｒの外側の位置で、Ｘ軸上に一致するように
形成される。一方、２つのスポット光θＳｒ 、ＹＳＦ
の振動中心Ｔｄｘ軸からＸ方向に距離Ｙｏだけ離れた線
分（ｙ軸と平行）！上に一致するよう罠、かつそのＸ方
向の間隔ＤｘがウェハＷＡの直径よシも小さな値になる
ように定められている。本装置ではスポット光θＳＰ、
ＹＳＰはｙ軸に対して左右対称に配置されており、主制
御装置５０は光軸ＡＸの投影点に対するスポット光θＳ
Ｐ 、ＹＳＰの位置に関する情報を記憶している。また
主制御装置５０は、光軸ＡＸの投影点に対するスポット
光ＬＹＳのＸ方向の中心位置（距離ＸＩ）とスポット光
ＬＸＳのＸ方向の中心位置（距離Ｙｌ）に関する情報も
記憶している。
次に、この装置を使った本発明による位置合せ方法を装
置の動作とともに第３図の７０−チャート図を使って説
明する。尚、この位置合せはウェハＷＡの第２膚目以降
について行なわれるもので１、ウェハＷＡ上にはチップ
と位置合せ用のマークとがすでに形成されている。
置の動作とともに第３図の７０−チャート図を使って説
明する。尚、この位置合せはウェハＷＡの第２膚目以降
について行なわれるもので１、ウェハＷＡ上にはチップ
と位置合せ用のマークとがすでに形成されている。
まず、ウェハＷＡＨステップ１００で不図示のプリアラ
イメント装置を使って、ウェハＷＡの直線的な切欠き（
７ラツト）が一定の方向に向くように粗く位置決めされ
る。ウェハＷＡのフラットは第１図に示したように、ｙ
軸と平行になるように位置決めされる。次にステップ１
０１でウェハＷＡＨステージ３のウェハホルダー２上に
搬送され、７ラツトがｙ軸と平行を保つようにウェハホ
ルダー２上に載置され、真空吸着される。そのウェハＷ
ＡＩ’Ｃは例えば第４図に示すように複数のテップＣｎ
がウェハＷＡ上の直交する配列座標αβに沿ってマトリ
ックス状に形成されている。配列座標αβのα軸はウェ
ハＷＡの７ラツトとほぼ平行である。第４図では複数の
チップＣｎのうち、代表して配列座標αβのウェハＷＡ
のほぼ中心を通るα軸上に一列に並んだチップＣ０〜Ｃ
６のみを表わしである。各チップＣｏ〜Ｃ６にはそれぞ
れ４つの位置合せ用のマークＧＹ、Ｇθ、ｓｘ、ｓｙが
付随して設けられている。今、テップＣｏ〜Ｃ６の中央
のチップＣ３の中心を配列座標αβの原点としたとき、
α軸上にはα方向に線状に伸びた回折格子状のマークＳ
Ｙ０〜ＳＹ、が、夫々チップＣｏ−Ｃ、の右脳に設けら
れている。またチップＣ３の中心を通るβ軸上にはβ方
向に線状に伸びた回折格子状のマークＳＸ３がチップＣ
３の下方に設けられ、他のチップＣＯｒ Ｃｌ ＋ Ｃ
２１Ｃ４。
イメント装置を使って、ウェハＷＡの直線的な切欠き（
７ラツト）が一定の方向に向くように粗く位置決めされ
る。ウェハＷＡのフラットは第１図に示したように、ｙ
軸と平行になるように位置決めされる。次にステップ１
０１でウェハＷＡＨステージ３のウェハホルダー２上に
搬送され、７ラツトがｙ軸と平行を保つようにウェハホ
ルダー２上に載置され、真空吸着される。そのウェハＷ
ＡＩ’Ｃは例えば第４図に示すように複数のテップＣｎ
がウェハＷＡ上の直交する配列座標αβに沿ってマトリ
ックス状に形成されている。配列座標αβのα軸はウェ
ハＷＡの７ラツトとほぼ平行である。第４図では複数の
チップＣｎのうち、代表して配列座標αβのウェハＷＡ
のほぼ中心を通るα軸上に一列に並んだチップＣ０〜Ｃ
６のみを表わしである。各チップＣｏ〜Ｃ６にはそれぞ
れ４つの位置合せ用のマークＧＹ、Ｇθ、ｓｘ、ｓｙが
付随して設けられている。今、テップＣｏ〜Ｃ６の中央
のチップＣ３の中心を配列座標αβの原点としたとき、
α軸上にはα方向に線状に伸びた回折格子状のマークＳ
Ｙ０〜ＳＹ、が、夫々チップＣｏ−Ｃ、の右脳に設けら
れている。またチップＣ３の中心を通るβ軸上にはβ方
向に線状に伸びた回折格子状のマークＳＸ３がチップＣ
３の下方に設けられ、他のチップＣＯｒ Ｃｌ ＋ Ｃ
２１Ｃ４。
ｃ５．Ｃ６Ｖｃりいても同様−チップの中心を通りβ軸
と平行な線分上にマーク５Ｘｏ−８Ｘ２、ＳＸ４〜ＳＸ
６が設けられている。これらマークＳＹｎ、５ＸｎＵそ
れぞれスポット光ＬＹＳ 、 ＬＸＳによって検出され
るものである。また各チップ００〜Ｃ６の下方にはウェ
ハＷＡの全体の位置合せ（グローパルアライメント）を
行なうために使われるマークＧＹｏ〜ＧＹ６．Ｇθ。〜
Ｇθ６が設けられている。これらマークＧＹｎ、Ｇθｎ
はα軸と平行な線分上にα方向に線状に伸ひた回折格子
状のパター／で形成されている。ざらにα方向に一列に
韮んだテップＣ、−Ｃ、のうち、例えは左端のテップＣ
８のマークＧＹｏと右端のチップＣ６のマークＧθ６と
のα方向の間隔が、ＷへＭ２０．２１によるスポット光
θｓｐ 、ｙｓｐの間隔ＤＸと一致するように定められ
ている。すなわち本実施例では離れた２ケ所のマークＧ
Ｙ。
と平行な線分上にマーク５Ｘｏ−８Ｘ２、ＳＸ４〜ＳＸ
６が設けられている。これらマークＳＹｎ、５ＸｎＵそ
れぞれスポット光ＬＹＳ 、 ＬＸＳによって検出され
るものである。また各チップ００〜Ｃ６の下方にはウェ
ハＷＡの全体の位置合せ（グローパルアライメント）を
行なうために使われるマークＧＹｏ〜ＧＹ６．Ｇθ。〜
Ｇθ６が設けられている。これらマークＧＹｎ、Ｇθｎ
はα軸と平行な線分上にα方向に線状に伸ひた回折格子
状のパター／で形成されている。ざらにα方向に一列に
韮んだテップＣ、−Ｃ、のうち、例えは左端のテップＣ
８のマークＧＹｏと右端のチップＣ６のマークＧθ６と
のα方向の間隔が、ＷへＭ２０．２１によるスポット光
θｓｐ 、ｙｓｐの間隔ＤＸと一致するように定められ
ている。すなわち本実施例では離れた２ケ所のマークＧ
Ｙ。
とマークＧθ６を使ってオアアクシス方式でウェハＷＡ
のグローバルアライメントを行なう。このためその他の
マークＧＹユ〜ＧＹ６、マークＧθ。
のグローバルアライメントを行なう。このためその他の
マークＧＹユ〜ＧＹ６、マークＧθ。
〜Ｇθ５Ｖ１本来不要であり、なくてもよい。要はウェ
ハＷＡのα軸と平行な（又は一致した）線分上にα方向
に細長く伸びた２つのマークが間隔ＤＸだけ離れて存在
すればよい。
ハＷＡのα軸と平行な（又は一致した）線分上にα方向
に細長く伸びた２つのマークが間隔ＤＸだけ離れて存在
すればよい。
さて、主制御装置５０はプリアライメント装置からウェ
ハＷＡを受は取るときのステージ３の位置情報、その位
置から、マークＧＹｏ、Ｇθ。がそれぞれＷＡＭ２１．
２０の検出（観察）視野内に位置するまでのステージ３
の移動方向と移動量等の情報を装置固有の定数として予
め記憶している。そこで次のステップ１０２において、
主制御装置５０ｔｉ、まずモータ５，６を駆動して、マ
ークＧＹ、がＷ入Ｍ２１の検出視野内に位置するように
、ステージ３を位置決めする。その後、スポット光ＹＳ
Ｐの振動中心がマークＧＹＯのＸ方向の中心と一致する
ように、主制御装置５０はＷＡＭ２１からのアライメン
ト信号とレーザ干渉計９からの位置情報とに基づいてス
テージ３をＸ方向に精密に位置決めする。スポット光Ｙ
ＳＰの振動中心とマークＧＹｏの中心とが一致したら、
その状態が維持されるように主制御装置５０Ｖ′ｉモー
タ６をＷＡＭ２１からのアライメント信号でサーボ（フ
ィードバック）制御したまま、マークＧθ６がＷＡＭ２
０のスポット光θＳＰによって検出されるようにモータ
４を駆動してウェハホルダー２を回転させる。さらに主
制御装置５０Ｖ′ｉスポツト光θＳＰの振動中心とマー
クＧθ６のＸ方向の中心とが一致するように、ＷＡＭ２
０からのアライメント信号でモータ４をサーボ制御する
。以上の一連の動作によシ、スポット光ＹＳＰとマーク
ＧＹｏが一致し、スポット光θＳＰとマークＧθ６が一
致し、ステージ３の移動座標系、すなわち座標系ｘｙに
対するウェハＷ入の配列座標αβの回転ずれが補正され
るとともに、座標系ｘｙと配列座標αβのＸ方向（β方
向）の位ｒ１ｔＶｃ関する対応付け（規定）が完了する
。次にウェハＷＡＪ：の中心部分に位置するチップＣ３
のマークＳＸ、がＸ−ＬＳＡ系のスポット光ＬＸＳＩＣ
よって走査されるように、ステージ３を位置決めした後
、Ｘ方向に移動させる。この際主制御装置５０け光電素
子４８からの時系列的な光電信号とレーザ干渉計１０か
らの位置情報とに基づいて、マークＳＸ３がスポット光
ＬＸＳと一致したときのウェハＷＡのＸ方向の位置を検
出して記憶する。これによって、座標系ｘｙと配列座標
αβのＸ方向（α方向）の位置に関する対応付けが完了
する。尚、このＸ方向の対応付けは、露光動作の直前に
Ｘ−ＬＳＡ系を使う場合は不要でわる。以上の動作によ
り、オフアクシス方式のアライメントを主としたウェハ
ＷＡのグローバルアライメント（配列座標αβの座標系
ｘｙへの対応付け）が終了する。そして従来の方法でわ
れはウェハＷＡ上の各チップの配列設計値（配列座標α
βにおけるチップの中心座標値）Ｉｃ基づいて、主制御
装置５０はレーザ干渉計９，１０からの位置情報を読み
取ってレチクルＲの投影像Ｐｒがチップに重なり合うよ
うにステージ３のステップアントリピート方式による位
置決め（アトレッジフグ）を行なった後そのチップに対
して露光（プリント）を行なう。
ハＷＡを受は取るときのステージ３の位置情報、その位
置から、マークＧＹｏ、Ｇθ。がそれぞれＷＡＭ２１．
２０の検出（観察）視野内に位置するまでのステージ３
の移動方向と移動量等の情報を装置固有の定数として予
め記憶している。そこで次のステップ１０２において、
主制御装置５０ｔｉ、まずモータ５，６を駆動して、マ
ークＧＹ、がＷ入Ｍ２１の検出視野内に位置するように
、ステージ３を位置決めする。その後、スポット光ＹＳ
Ｐの振動中心がマークＧＹＯのＸ方向の中心と一致する
ように、主制御装置５０はＷＡＭ２１からのアライメン
ト信号とレーザ干渉計９からの位置情報とに基づいてス
テージ３をＸ方向に精密に位置決めする。スポット光Ｙ
ＳＰの振動中心とマークＧＹｏの中心とが一致したら、
その状態が維持されるように主制御装置５０Ｖ′ｉモー
タ６をＷＡＭ２１からのアライメント信号でサーボ（フ
ィードバック）制御したまま、マークＧθ６がＷＡＭ２
０のスポット光θＳＰによって検出されるようにモータ
４を駆動してウェハホルダー２を回転させる。さらに主
制御装置５０Ｖ′ｉスポツト光θＳＰの振動中心とマー
クＧθ６のＸ方向の中心とが一致するように、ＷＡＭ２
０からのアライメント信号でモータ４をサーボ制御する
。以上の一連の動作によシ、スポット光ＹＳＰとマーク
ＧＹｏが一致し、スポット光θＳＰとマークＧθ６が一
致し、ステージ３の移動座標系、すなわち座標系ｘｙに
対するウェハＷ入の配列座標αβの回転ずれが補正され
るとともに、座標系ｘｙと配列座標αβのＸ方向（β方
向）の位ｒ１ｔＶｃ関する対応付け（規定）が完了する
。次にウェハＷＡＪ：の中心部分に位置するチップＣ３
のマークＳＸ、がＸ−ＬＳＡ系のスポット光ＬＸＳＩＣ
よって走査されるように、ステージ３を位置決めした後
、Ｘ方向に移動させる。この際主制御装置５０け光電素
子４８からの時系列的な光電信号とレーザ干渉計１０か
らの位置情報とに基づいて、マークＳＸ３がスポット光
ＬＸＳと一致したときのウェハＷＡのＸ方向の位置を検
出して記憶する。これによって、座標系ｘｙと配列座標
αβのＸ方向（α方向）の位置に関する対応付けが完了
する。尚、このＸ方向の対応付けは、露光動作の直前に
Ｘ−ＬＳＡ系を使う場合は不要でわる。以上の動作によ
り、オフアクシス方式のアライメントを主としたウェハ
ＷＡのグローバルアライメント（配列座標αβの座標系
ｘｙへの対応付け）が終了する。そして従来の方法でわ
れはウェハＷＡ上の各チップの配列設計値（配列座標α
βにおけるチップの中心座標値）Ｉｃ基づいて、主制御
装置５０はレーザ干渉計９，１０からの位置情報を読み
取ってレチクルＲの投影像Ｐｒがチップに重なり合うよ
うにステージ３のステップアントリピート方式による位
置決め（アトレッジフグ）を行なった後そのチップに対
して露光（プリント）を行なう。
ところがグローバルアライメントの完了までに、アライ
メント検出系の精度、各スポット光の設定精度、あるい
けウェハＷＡ上の各マークの光学的、形状的な状態（７
０セスの影響）による位置検出精度のはらつき等によっ
て誤差を生じ、ウェハＷＡのチップは座標系ｘｙに従っ
て精密に位置合せ（アドレツシング）されるとは限らな
い。そこで本発明の実施例においてはその誤差（以下シ
ョット・アドレス誤差と呼ぶ）を次の４つの要因から生
じたものとする。
メント検出系の精度、各スポット光の設定精度、あるい
けウェハＷＡ上の各マークの光学的、形状的な状態（７
０セスの影響）による位置検出精度のはらつき等によっ
て誤差を生じ、ウェハＷＡのチップは座標系ｘｙに従っ
て精密に位置合せ（アドレツシング）されるとは限らな
い。そこで本発明の実施例においてはその誤差（以下シ
ョット・アドレス誤差と呼ぶ）を次の４つの要因から生
じたものとする。
（１） ウェハの回転；
これは例えばウェハＷＡを回転補正する際、位置合せの
基準となる２つのスポット光ＹＳＰとθＳＰとの位置関
係が正確でなかつたために生じるもので６Ｄ、座標系ｘ
ｙＶｃ対する配列座標αβの残存回転誤差量θで表わさ
れる。
基準となる２つのスポット光ＹＳＰとθＳＰとの位置関
係が正確でなかつたために生じるもので６Ｄ、座標系ｘ
ｙＶｃ対する配列座標αβの残存回転誤差量θで表わさ
れる。
（２）座標系ｘｙの直交度；
これはステージ３のモータ５．６による送シ方向が正確
に直交していないことにより生じ、直交度誤差量Ｗで表
わされる。
に直交していないことにより生じ、直交度誤差量Ｗで表
わされる。
（３） ウェハのＸ（α）方向とｙ（β）方向の線形
伸縮； これはウェハＷＡの加工プロセスによって、ウェハＷＡ
が全体的に伸縮することである。このためチップの設計
上の配列座標値に対して実際のチップ位置がα、Ｉ方向
に微小量たけずれることになり、特にウェハＷＡの周辺
部で顕著になる。このウェハ全体の伸縮量はα（Ｘ）方
向とβ（ｙ）方向とについてそれぞれＲＸ 、 Ｒ３／
で表わされる。ただしＲｘはウェハＷＡ上のＸ方向（α
方向）の２点間の距離の実測値と設計値の比、Ｒｙはウ
ェハＷＡ上のＸ方向（β方向）の２点間の距離の実測値
と設計値の比で表わすものとする。従ってＲｘ 、Ｒｙ
がともＶｃｌのときは伸縮なしである。
伸縮； これはウェハＷＡの加工プロセスによって、ウェハＷＡ
が全体的に伸縮することである。このためチップの設計
上の配列座標値に対して実際のチップ位置がα、Ｉ方向
に微小量たけずれることになり、特にウェハＷＡの周辺
部で顕著になる。このウェハ全体の伸縮量はα（Ｘ）方
向とβ（ｙ）方向とについてそれぞれＲＸ 、 Ｒ３／
で表わされる。ただしＲｘはウェハＷＡ上のＸ方向（α
方向）の２点間の距離の実測値と設計値の比、Ｒｙはウ
ェハＷＡ上のＸ方向（β方向）の２点間の距離の実測値
と設計値の比で表わすものとする。従ってＲｘ 、Ｒｙ
がともＶｃｌのときは伸縮なしである。
（４）Ｘ（α）方向、ｙ（β）方向のオフセット；これ
は、アライメント系の検出精度ウェハホルダー２の位置
決め精度等、九より、ウェハＷＡが全体的にＸ方向とＸ
方向に微小量だけずれることにより生じ、オフセント量
ｏｘ、ｏｙで表わされる。
は、アライメント系の検出精度ウェハホルダー２の位置
決め精度等、九より、ウェハＷＡが全体的にＸ方向とＸ
方向に微小量だけずれることにより生じ、オフセント量
ｏｘ、ｏｙで表わされる。
さて、第４図にはウェハＷＡの残存回転誤差量θと、ス
テージ３の直交度誤差量Ｗを誇張して表わしである。
テージ３の直交度誤差量Ｗを誇張して表わしである。
この場合、直交座標系ｘｙは実際には微小量Ｗだけ傾い
た斜交座標系ｘ ｙ／ Ｋなり、ウェハＷＡは直交座標
系ｘｙに対してθだけ回転したものになる。
た斜交座標系ｘ ｙ／ Ｋなり、ウェハＷＡは直交座標
系ｘｙに対してθだけ回転したものになる。
上記（１）〜（４）の誤差要因が加わった場合、設計上
で座標位置（Ｄ ｘ ｎ ｒ Ｄ Ｙ ｎ ）のショッ
ト（チップ）について実際に位置決めすべきショット位
置（ＦＸｎ、Ｆｙｎ）は以下のように表わされる。ただ
しｎは整数でショット（チップ）瞥号を表わす。
で座標位置（Ｄ ｘ ｎ ｒ Ｄ Ｙ ｎ ）のショッ
ト（チップ）について実際に位置決めすべきショット位
置（ＦＸｎ、Ｆｙｎ）は以下のように表わされる。ただ
しｎは整数でショット（チップ）瞥号を表わす。
ここでＷはもともと微小量であり、θもグローバルアラ
イメントにより微小量に追い込まれているから、−次近
似を行なうと式（１）Ｖ′ｉ式（２）で表わされるＯ この式（２）より、各ショット位置における設計値から
の位置ずれ（εｘｔ１ 、εｙｎ）は式（３）で表わさ
れる０ さて、式（２）を行列の演算式１ｃｉＦき直すと、以下
のようになる。
イメントにより微小量に追い込まれているから、−次近
似を行なうと式（１）Ｖ′ｉ式（２）で表わされるＯ この式（２）より、各ショット位置における設計値から
の位置ずれ（εｘｔ１ 、εｙｎ）は式（３）で表わさ
れる０ さて、式（２）を行列の演算式１ｃｉＦき直すと、以下
のようになる。
Ｆｎ＝入・Ｄｎ ＋ Ｏ・”（４）
ただし、
そこで実際のショット（チンプン位置がマークの検出に
より測定され、その実測値がＦｎとして検出されたとき
、位置決めすべきショット位置Ｆｎとの位置ずれ、すな
わちアドレス誤差Ｅｎ（Ｆｎ−Ｆｎ）を最小にす、るよ
うに誤差パラメータ入（変換行列）、０（オフセット〕
を決定する。そこで評価関数として最小二乗誤差をとる
ものとすると、アドレス誤差ＥＶｉ式（９）で表わされ
る。
より測定され、その実測値がＦｎとして検出されたとき
、位置決めすべきショット位置Ｆｎとの位置ずれ、すな
わちアドレス誤差Ｅｎ（Ｆｎ−Ｆｎ）を最小にす、るよ
うに誤差パラメータ入（変換行列）、０（オフセット〕
を決定する。そこで評価関数として最小二乗誤差をとる
ものとすると、アドレス誤差ＥＶｉ式（９）で表わされ
る。
・・・（９）
そこで、アドレス誤差Ｅを最小にするように誤差パラメ
ータＡ、０を決定する。
ータＡ、０を決定する。
ただし式（９）でｍはウェハＷＡの複数のチップのうち
実測したチップ（ショット）の数を表わす。
実測したチップ（ショット）の数を表わす。
さて誤差パラメータＡ、Ｏを求める際に、最小二乗法を
用いるものとすると、この′１筐では演算量が多いため
、誤差パラメータ０（Ｏｘ 、Ｏｙ ）は別に前もって
決めておくものとする。オフセクトｉ（Ｏｘ 、 Ｏｙ
ＹＴｄウェハＷＡのグローバルなオフセント値である
ので、ウェハＷＡ上の実測した・−′− チップ位置Ｆｎの数ｍで設計値（Ｄｘｎ、Ｄｙｎ）に対
するアドレス誤差を平均化した値にするとよいＯ Ｏｘ＝□ ・・・αＱ ところで位置決めすべきショット位置Ｆｎと実測値丁１
との誤差Ｅｎのうち、Ｘ方向の成分Ｅｘｎは、式（４）
〜（８）から、 Ｅｘｎ ＝ Ｆｘｎ −Ｆｘｎ ＝ Ｆｘｎ −ａｌｌ
Ｄｘｎ −ａ１２Ｄｙｎ−Ｑｘ ・・・
α３ となり、誤差ＥｎのＸ方向の成分Ｅｙｎは同様に、Ｅｙ
ｎ ＝ Ｆｙｎ −Ｆｙｎ ＝ Ｆｙｎ −ａ２１ Ｄ
ｘｎ −ａ２２Ｄｙｎ ＯＹ −（１３ となる。そこで式（９）の誤差Ｅを最ｌトにするように
誤差パラメータ八を決定すると、要素ａｌｌ ｌ ＪＬ
１２１ａ２１１ ａ２２は以下のようになる。
用いるものとすると、この′１筐では演算量が多いため
、誤差パラメータ０（Ｏｘ 、Ｏｙ ）は別に前もって
決めておくものとする。オフセクトｉ（Ｏｘ 、 Ｏｙ
ＹＴｄウェハＷＡのグローバルなオフセント値である
ので、ウェハＷＡ上の実測した・−′− チップ位置Ｆｎの数ｍで設計値（Ｄｘｎ、Ｄｙｎ）に対
するアドレス誤差を平均化した値にするとよいＯ Ｏｘ＝□ ・・・αＱ ところで位置決めすべきショット位置Ｆｎと実測値丁１
との誤差Ｅｎのうち、Ｘ方向の成分Ｅｘｎは、式（４）
〜（８）から、 Ｅｘｎ ＝ Ｆｘｎ −Ｆｘｎ ＝ Ｆｘｎ −ａｌｌ
Ｄｘｎ −ａ１２Ｄｙｎ−Ｑｘ ・・・
α３ となり、誤差ＥｎのＸ方向の成分Ｅｙｎは同様に、Ｅｙ
ｎ ＝ Ｆｙｎ −Ｆｙｎ ＝ Ｆｙｎ −ａ２１ Ｄ
ｘｎ −ａ２２Ｄｙｎ ＯＹ −（１３ となる。そこで式（９）の誤差Ｅを最ｌトにするように
誤差パラメータ八を決定すると、要素ａｌｌ ｌ ＪＬ
１２１ａ２１１ ａ２２は以下のようになる。
ＩＩ ＩＩ
ＩＩ６ｃ６Ｃｄ 要素ａ１１ ｒ ａｌ２ ｒ ａ２１ ＋ ａ２２が求
まれば、式（６）より線形伸縮量ＲＸ、Ｒ）ｌ、残存回
転誤差量θ、直交度誤差量Ｗはただちに求められる。
ＩＩ６ｃ６Ｃｄ 要素ａ１１ ｒ ａｌ２ ｒ ａ２１ ＋ ａ２２が求
まれば、式（６）より線形伸縮量ＲＸ、Ｒ）ｌ、残存回
転誤差量θ、直交度誤差量Ｗはただちに求められる。
ＲＸ ＝ ａｌ １−（ｉ８１
ＲＹ ＝ａｚ２”４９
θ＝ ａ２ｘ／ＲＹ、 ＝ ａ２１／ａ２２
−ａｎＷ”−（ａｚｘ／Ｒ）’） （ａ１２／Ｒｘ
）＝ （１１２１／ａ２ｇ） （ａｘｚ／ａ１ｘ）
・ｌｕ従って誤差パラメータ入、０を
決定するためには、グローパルアライメ／ト終了後つェ
ハＷＡ上のいくりか（４つ以上）のチップについて、Ｘ
−ＬＳＡ系、Ｙ−ＬＳＡ系を用いてマークＳＸｎ、ＳＹ
ｎの：位置を・実測−し−て実測値（Ｆｘｎ、Ｆｙｎ）
を求めるとともに、実測したチップの設計値（Ｄｘｎ。
−ａｎＷ”−（ａｚｘ／Ｒ）’） （ａ１２／Ｒｘ
）＝ （１１２１／ａ２ｇ） （ａｘｚ／ａ１ｘ）
・ｌｕ従って誤差パラメータ入、０を
決定するためには、グローパルアライメ／ト終了後つェ
ハＷＡ上のいくりか（４つ以上）のチップについて、Ｘ
−ＬＳＡ系、Ｙ−ＬＳＡ系を用いてマークＳＸｎ、ＳＹ
ｎの：位置を・実測−し−て実測値（Ｆｘｎ、Ｆｙｎ）
を求めるとともに、実測したチップの設計値（Ｄｘｎ。
Ｄｙｎ）を使って、式α（１、Ｑｌ） 、 （１４）〜
（１７）の演算を行なえばよい。
（１７）の演算を行なえばよい。
そこで、第３図のフローチャート図に戻って動作の説明
を続ける。主制御装置５０はグローバルアライメントが
終了した後、ウェハＷ４の複数のチップの位置を計測す
る。まずステップ１０３で主制御装置５０ｉＸ−ＬＳＡ
系のスポット光ＬＸＳが第４図中の左端のチップｃｏＶ
Ｃ付随したマークＳ Ｘ ｏと平行に並ぷように、配列
設計値に基づいてステージ３を位置決めした後、マーク
Ｓ Ｘ 。
を続ける。主制御装置５０はグローバルアライメントが
終了した後、ウェハＷ４の複数のチップの位置を計測す
る。まずステップ１０３で主制御装置５０ｉＸ−ＬＳＡ
系のスポット光ＬＸＳが第４図中の左端のチップｃｏＶ
Ｃ付随したマークＳ Ｘ ｏと平行に並ぷように、配列
設計値に基づいてステージ３を位置決めした後、マーク
Ｓ Ｘ 。
がスポット光ＬＸＳを横切るようにステージ３をＸ方向
に一定量だけ移動（走査）する。この移動の間、主制御
装置５０は光電素子４８の時系列的な光電信号の波形を
レーザ干渉計１０からのＸ方向の位置情報に対応付けて
記憶し、波形状態からマークＳＸｏとスポット光ＬＸＳ
とがＸ方向に関して一致した時点の位置Ｘ□を検出する
。
に一定量だけ移動（走査）する。この移動の間、主制御
装置５０は光電素子４８の時系列的な光電信号の波形を
レーザ干渉計１０からのＸ方向の位置情報に対応付けて
記憶し、波形状態からマークＳＸｏとスポット光ＬＸＳ
とがＸ方向に関して一致した時点の位置Ｘ□を検出する
。
次に主制御装［５０はステップ１０４でＹ−ＬＳＡ系の
スポット光ＬＹＳがチップｃｏに付随したマークＳＹｏ
と平行に並ぶように配列設計値に基づいてステージ３を
位置決めする。その後５、マークＳＹ０がスポット光Ｌ
ＹＳを横切るようにステージ３をＸ方向に一定量だけ移
動する。このとき主制御装置５０は光電素子３８の時系
列的な光電信号の波形をレーザ干渉計９からのＸ方向の
位置情報と対応付けて記憶し、波形状態からマークＳＹ
ｏとスポット光ＬＹＳとがＸ方向に関して一致した時点
の位置ｙｏを検出する。そして主制御装置５０はステッ
プ１０５でｍ個のチップについて同様の位置検出を行な
ったか否かと判断して、否のときはステラ７’１０６に
進み、ウニＩＳＷ人上の別のチップまで配列設計値に基
づいてステージ３を移動させ、ステップ１０３から再び
同様の位置検出動作を繰り返す。本実施例では例えば第
５図に示すように配列座標αβの各軸とに沿ってウェハ
Ｗ人の中心からほぼ等距離に位置する４りのチップＣＯ
＋ Ｃ６＋ Ｃ７ｒ Ｃ１３と中央のチップＣ３の計５
つのチップの各々について、ステップ１０３゜１０４の
位置検出が行なわれるものとする。従ってステップ１０
５でｍ＝５と判断された時点で主制御装置５０には、５
つの実測値（Ｆｘｎ、Ｆ）’ｎ）が記憶されることＫな
る。すなわち、 （Ｆｘｌ＋Ｆ）’２）千（Ｘｏ＋）’ｏ）−チップＣ０
（ＦＸｚ、ＦＹ２）＝（Ｘａ、）’３）−チップＣ３（
「５１口）＝（Ｘａ、）’ａ）・・・チップＣ６（ＦＸ
＋＋Ｆｙ４）＝（ｘ７＋ｙ７）・”チップＣ’ｙ（Ｆ”
ｓ、Ｆ）’５）＝（ｘａ、ｙｓ）・・・テップＣ８の５
つの実測値が順次検出される。尚、この５つの実測値を
検出するとき、あるチップの実測値がそのチップの設計
値（Ｄｘｎ、Ｄｙｎ）Ｋ＜らべて大きく異っていた場合
、例えばクローバルアライメントによって決まる位置決
め精度の２倍以上、異なっていた場合には、そのチップ
での実測値を無視し、例えはそのチップの隣りのチップ
についてマーク位置の実測を行なうようにしてもよい。
スポット光ＬＹＳがチップｃｏに付随したマークＳＹｏ
と平行に並ぶように配列設計値に基づいてステージ３を
位置決めする。その後５、マークＳＹ０がスポット光Ｌ
ＹＳを横切るようにステージ３をＸ方向に一定量だけ移
動する。このとき主制御装置５０は光電素子３８の時系
列的な光電信号の波形をレーザ干渉計９からのＸ方向の
位置情報と対応付けて記憶し、波形状態からマークＳＹ
ｏとスポット光ＬＹＳとがＸ方向に関して一致した時点
の位置ｙｏを検出する。そして主制御装置５０はステッ
プ１０５でｍ個のチップについて同様の位置検出を行な
ったか否かと判断して、否のときはステラ７’１０６に
進み、ウニＩＳＷ人上の別のチップまで配列設計値に基
づいてステージ３を移動させ、ステップ１０３から再び
同様の位置検出動作を繰り返す。本実施例では例えば第
５図に示すように配列座標αβの各軸とに沿ってウェハ
Ｗ人の中心からほぼ等距離に位置する４りのチップＣＯ
＋ Ｃ６＋ Ｃ７ｒ Ｃ１３と中央のチップＣ３の計５
つのチップの各々について、ステップ１０３゜１０４の
位置検出が行なわれるものとする。従ってステップ１０
５でｍ＝５と判断された時点で主制御装置５０には、５
つの実測値（Ｆｘｎ、Ｆ）’ｎ）が記憶されることＫな
る。すなわち、 （Ｆｘｌ＋Ｆ）’２）千（Ｘｏ＋）’ｏ）−チップＣ０
（ＦＸｚ、ＦＹ２）＝（Ｘａ、）’３）−チップＣ３（
「５１口）＝（Ｘａ、）’ａ）・・・チップＣ６（ＦＸ
＋＋Ｆｙ４）＝（ｘ７＋ｙ７）・”チップＣ’ｙ（Ｆ”
ｓ、Ｆ）’５）＝（ｘａ、ｙｓ）・・・テップＣ８の５
つの実測値が順次検出される。尚、この５つの実測値を
検出するとき、あるチップの実測値がそのチップの設計
値（Ｄｘｎ、Ｄｙｎ）Ｋ＜らべて大きく異っていた場合
、例えばクローバルアライメントによって決まる位置決
め精度の２倍以上、異なっていた場合には、そのチップ
での実測値を無視し、例えはそのチップの隣りのチップ
についてマーク位置の実測を行なうようにしてもよい。
これは実測しようとしたナツプのマークが加工プロセス
によってたまたま変形した場合、そのマークにゴミが付
着していた場合、そのマークの光学像のコントラスト（
回折光の発生強度）か弱く、光電信号のＳ／Ｎ比が低い
場合等に生じる位置計測の精度劣化を補うためである。
によってたまたま変形した場合、そのマークにゴミが付
着していた場合、そのマークの光学像のコントラスト（
回折光の発生強度）か弱く、光電信号のＳ／Ｎ比が低い
場合等に生じる位置計測の精度劣化を補うためである。
尚、位置計測の精度劣化を補う方法としては、あらかじ
め６つ以上のチップ、例えば第５図中で配列座標αβの
４つの象現の各々に位置するチップを加えて、計９つの
チップについて位置計測分室ない、その９つの実測値の
中から各チップの設計値（Ｄｘｎ。
め６つ以上のチップ、例えば第５図中で配列座標αβの
４つの象現の各々に位置するチップを加えて、計９つの
チップについて位置計測分室ない、その９つの実測値の
中から各チップの設計値（Ｄｘｎ。
Ｄｙｎ）Ｋ最も近い順に５つの実測値を選び出す方法、
又は、単に設計値（Ｄｘｎ、Ｄｙｎ）と大きく異なる実
測値（Ｆｘｎ、Ｆｙｎ）を以降の演算処理で使わないよ
うにする方法等がある。
又は、単に設計値（Ｄｘｎ、Ｄｙｎ）と大きく異なる実
測値（Ｆｘｎ、Ｆｙｎ）を以降の演算処理で使わないよ
うにする方法等がある。
′ｅＫに主制御装置５０はステップ１０７において先の
弐α１．αυ、及び式α心〜ａｎに基づいて誤差パラメ
ータ八、０を決定する。この決定にあたつて、主制御装
置５０は上記５つの実測値を検出した各チップの５つの
設計値を予め選出しており、その設計値（Ｄｘｎ、Ｄｙ
ｎ）を以下のように記憶しているものとする。
弐α１．αυ、及び式α心〜ａｎに基づいて誤差パラメ
ータ八、０を決定する。この決定にあたつて、主制御装
置５０は上記５つの実測値を検出した各チップの５つの
設計値を予め選出しており、その設計値（Ｄｘｎ、Ｄｙ
ｎ）を以下のように記憶しているものとする。
（ＤＸＩ ＩＤ）’１）＝（Ｘｏ’＋）’ｏ’）”’チ
ップＣ０（Ｄ ｘ２ ＋ Ｄ Ｙ ２ン＝（ｘ３′、ｙ
３′ン・・・チップＣ３（Ｄｘｉ＋ＤＹｓ）＝（ｘａ’
＋ｙ６’）”・チップＣ６（ＤＸ４ ＩＤ）’４）＝（
Ｘ７’、Ｙｔ’） ・・・ｆ７プＣ７（Ｄｘｓ ＋ Ｄ
Ｙ ５）”（ｘ１３Ｚ ｙ ｅ’） ”・チップＣ８ま
た実際の誤差パラメータＡ、Ｏの決定に先立つて、５つ
のチップの各位置計測（所謂、ステップアライメント）
が終る毎に、例えば第３図のステップ１０６でステージ
３を移動している間に、式Ｑｌ） 、 Ｑｌ） 、α（
〜＜１７１の一部の演算を同時に実行（７ていくことが
できる。すなわち、式（１１、ａυ、Ｑ４）〜卸の中で
各チップ毎のデータ（実測値、設計値）の代数和を表わ
す演算要素にりいては、１つのチップの実測（ステップ
アライメント）が終了する毎に順次加算する。その演算
要素は以下の通りである。
ップＣ０（Ｄ ｘ２ ＋ Ｄ Ｙ ２ン＝（ｘ３′、ｙ
３′ン・・・チップＣ３（Ｄｘｉ＋ＤＹｓ）＝（ｘａ’
＋ｙ６’）”・チップＣ６（ＤＸ４ ＩＤ）’４）＝（
Ｘ７’、Ｙｔ’） ・・・ｆ７プＣ７（Ｄｘｓ ＋ Ｄ
Ｙ ５）”（ｘ１３Ｚ ｙ ｅ’） ”・チップＣ８ま
た実際の誤差パラメータＡ、Ｏの決定に先立つて、５つ
のチップの各位置計測（所謂、ステップアライメント）
が終る毎に、例えば第３図のステップ１０６でステージ
３を移動している間に、式Ｑｌ） 、 Ｑｌ） 、α（
〜＜１７１の一部の演算を同時に実行（７ていくことが
できる。すなわち、式（１１、ａυ、Ｑ４）〜卸の中で
各チップ毎のデータ（実測値、設計値）の代数和を表わ
す演算要素にりいては、１つのチップの実測（ステップ
アライメント）が終了する毎に順次加算する。その演算
要素は以下の通りである。
実施例で’ｒｉｍ＝５）
さらにこれら演算要素のうち、ウェハＷＡ上の実測すべ
きチップが予め決まっていて、変更がない場合は、設計
値（Ｄｘｎ、Ｄｙｎ）のみを含む演算要素について１３
図中のステップ１０３，１０４゜１０５．１０６の実行
前に算出しておくこともできる。このように実測値の計
測動作と並行して、一部の演算を行なっていけば、総合
的なアライメント時間はそれほど長くならない。そして
、５つの実測値が得られた段階で主制御装ｅｔ５０は上
記演算要素の結果を使って、式ｎｏ 、 ａυでオフセ
ット量（Ｏｘ、Ｏｙ）を算出した後、そのオフセント値
と上記演算要素の結果を使ってさらに式（１４） −（
１７１で配列の要素ａ１１ ＋ ａｌｚ ｌ ａ３１
＋ ａ２２を算出する。
きチップが予め決まっていて、変更がない場合は、設計
値（Ｄｘｎ、Ｄｙｎ）のみを含む演算要素について１３
図中のステップ１０３，１０４゜１０５．１０６の実行
前に算出しておくこともできる。このように実測値の計
測動作と並行して、一部の演算を行なっていけば、総合
的なアライメント時間はそれほど長くならない。そして
、５つの実測値が得られた段階で主制御装ｅｔ５０は上
記演算要素の結果を使って、式ｎｏ 、 ａυでオフセ
ット量（Ｏｘ、Ｏｙ）を算出した後、そのオフセント値
と上記演算要素の結果を使ってさらに式（１４） −（
１７１で配列の要素ａ１１ ＋ ａｌｚ ｌ ａ３１
＋ ａ２２を算出する。
以上の演算動作により、誤差パラメータＡ、０が決定さ
れるので、主制御装置５０Ｖ１次のステップ１０８で先
の式（４）を使って、ウェハＷＮの各チップについて位
置決めすべき位置、すなわち誤差パラメータによって補
正されたショットアドレス（Ｆｘｎ、Ｆｘｙ）を算出し
、記憶手段（半導体メモリ）上に、設計値（Ｄ ｘ ｎ
＋ Ｄ Ｙ ｎ ）に対して補正されたチップの配列
マツプ（ショットアドレス表）を作成する。この配列マ
ツプは例えばチップｃｏに対しては位置（ＦＸｏ、Ｆ）
’ｏ）、チップＣ１に対しては位置（Ｆｘｌ、Ｆｙｘ）
、・・・・・・という具合に、チップの番号に対応して
、各位置データを記憶している０ 次に主制御装置５０Ｖ１第３図のステップ１０９罠おい
て、記憶された配列マツプに従ってステップアンドリピ
ート方式でステージ３を位置決め（アトレッジフグ）す
る。これによってクエｌ５ＷＡ、、ｌ：のチップとレチ
クルＲの投影像Ｐｒとが正確に重なり合い、次のステッ
プ１゛１０でそのチップに投影像Ｐｒを露光（プリ／上
）する。そしてステップ１１１でウニＩＳＷ人上の全チ
ップの露光が完了していないときは、再びステップ１０
９から同様にステップアンドリピート動作を繰り返す。
れるので、主制御装置５０Ｖ１次のステップ１０８で先
の式（４）を使って、ウェハＷＮの各チップについて位
置決めすべき位置、すなわち誤差パラメータによって補
正されたショットアドレス（Ｆｘｎ、Ｆｘｙ）を算出し
、記憶手段（半導体メモリ）上に、設計値（Ｄ ｘ ｎ
＋ Ｄ Ｙ ｎ ）に対して補正されたチップの配列
マツプ（ショットアドレス表）を作成する。この配列マ
ツプは例えばチップｃｏに対しては位置（ＦＸｏ、Ｆ）
’ｏ）、チップＣ１に対しては位置（Ｆｘｌ、Ｆｙｘ）
、・・・・・・という具合に、チップの番号に対応して
、各位置データを記憶している０ 次に主制御装置５０Ｖ１第３図のステップ１０９罠おい
て、記憶された配列マツプに従ってステップアンドリピ
ート方式でステージ３を位置決め（アトレッジフグ）す
る。これによってクエｌ５ＷＡ、、ｌ：のチップとレチ
クルＲの投影像Ｐｒとが正確に重なり合い、次のステッ
プ１゛１０でそのチップに投影像Ｐｒを露光（プリ／上
）する。そしてステップ１１１でウニＩＳＷ人上の全チ
ップの露光が完了していないときは、再びステップ１０
９から同様にステップアンドリピート動作を繰り返す。
このステップ１１１でウニノーＷＡ上の全チップの露光
が終了したと判断されたら、次のステップ１１２でウェ
ハＷＡのアノロードを行ない、一枚のウェハの露光処理
が全て完了する。
が終了したと判断されたら、次のステップ１１２でウェ
ハＷＡのアノロードを行ない、一枚のウェハの露光処理
が全て完了する。
以上、本発明の実施例からも明らかなように、ウェハＷ
Ａ上でステンプアライメノトするチップ。
Ａ上でステンプアライメノトするチップ。
の数が多い程、計測精度は向上するが、それだけ計測時
間が増大する。そのため計測時間の短縮化と計測精度の
向上との兼ね合いから、ステップアライメノトするチッ
プは第５図に示したような配置の５つに選ぶことが望し
い。しかしながら、重ね合せ露光する回路パターンの最
小線幅がそれほど細くなく（例えば２〜５μｍ）、あま
り計測精度を上げる必要がない場合等には、ウエノ・Ｗ
Ａ上の互いに離れた３つのチップ（例えばｃｏ１ｃ６＋
（、ｙ）についてステンプアライメ／ト（チップの位置
計測）を行なえば十分でおり、計測時間はよシ短縮され
る。
間が増大する。そのため計測時間の短縮化と計測精度の
向上との兼ね合いから、ステップアライメノトするチッ
プは第５図に示したような配置の５つに選ぶことが望し
い。しかしながら、重ね合せ露光する回路パターンの最
小線幅がそれほど細くなく（例えば２〜５μｍ）、あま
り計測精度を上げる必要がない場合等には、ウエノ・Ｗ
Ａ上の互いに離れた３つのチップ（例えばｃｏ１ｃ６＋
（、ｙ）についてステンプアライメ／ト（チップの位置
計測）を行なえば十分でおり、計測時間はよシ短縮され
る。
また、ステップアライメントの際、各チップのＸ方向、
とＸ方向の位置をともに検出するのではなく、ステップ
アライメノトする複数のチップに付随したマークＳＸｎ
の夫々を、Ｘ−ＬＳＡ系のスポット光ＬＸＳで一括に相
対走査（ステージスキャノンして、各チップのＸ方向の
位置のみを検出した後、各チップのマークＳＹｎの夫々
をＹ−ＬＳＡ系のスポット光ＬＹＳで一括に相対走査し
て各チップのＸ方向の位置を検出するようにしてもよい
Ｏこのようにすると、チップの配列土の同−列又は同一
行に実測すべきチップが複数個存在するときは、個々の
チップ毎ＶｃＸ方向とＸ方向の位置検出をともに行なう
よりも高速な位置計測が期待できる。
とＸ方向の位置をともに検出するのではなく、ステップ
アライメノトする複数のチップに付随したマークＳＸｎ
の夫々を、Ｘ−ＬＳＡ系のスポット光ＬＸＳで一括に相
対走査（ステージスキャノンして、各チップのＸ方向の
位置のみを検出した後、各チップのマークＳＹｎの夫々
をＹ−ＬＳＡ系のスポット光ＬＹＳで一括に相対走査し
て各チップのＸ方向の位置を検出するようにしてもよい
Ｏこのようにすると、チップの配列土の同−列又は同一
行に実測すべきチップが複数個存在するときは、個々の
チップ毎ＶｃＸ方向とＸ方向の位置検出をともに行なう
よりも高速な位置計測が期待できる。
また主制御装置５０は不図示のキーボード装置から、ウ
ェハＷＡ上のどのチップについてステンプアライメ／卜
するかを任意に選択するようなデータを入力するように
すれば、ウェハＷＡの処理条件により変化する表面状態
←特にマーク形状）に対して、よりフレキシブルに対応
でき、位置計測の精度向とが期待できる。筐だ、式翰、
卸を使ったオフセント量（Ｏｘ、Ｏｙ）の決定にあたっ
ては、例えばウェハＷＡの中心から指定範囲内にあるチ
ップの位置計測結果だけを用いるようにしてもよい。そ
の指定範囲としては例えばウェハＷＡの直径の半分の直
径を有する円内に定めた）、その範囲の大きさをウェハ
ＷＡにチップやマークを形成したときの露光装置（縮／
」・投影型、等倍プロジェクション、プロキシミテイ等
のステッパー）の精度特性に応じて任意に可変したりす
るとよい。
ェハＷＡ上のどのチップについてステンプアライメ／卜
するかを任意に選択するようなデータを入力するように
すれば、ウェハＷＡの処理条件により変化する表面状態
←特にマーク形状）に対して、よりフレキシブルに対応
でき、位置計測の精度向とが期待できる。筐だ、式翰、
卸を使ったオフセント量（Ｏｘ、Ｏｙ）の決定にあたっ
ては、例えばウェハＷＡの中心から指定範囲内にあるチ
ップの位置計測結果だけを用いるようにしてもよい。そ
の指定範囲としては例えばウェハＷＡの直径の半分の直
径を有する円内に定めた）、その範囲の大きさをウェハ
ＷＡにチップやマークを形成したときの露光装置（縮／
」・投影型、等倍プロジェクション、プロキシミテイ等
のステッパー）の精度特性に応じて任意に可変したりす
るとよい。
また本実施例では、ウェハＷＡの全チップについて式（
４）を適用して、ステノプア／ドにビート方式のアトレ
ッジフグを行なうようにしたが、ウェハＷ入の表面をい
くつかの領域（ブロック）に分割し、個々のブロック毎
に最適なアライメントを行なう、所謂ブロックアライメ
／トにおいても全く同様に式（４）を適用することがで
きる。例えば第５図において、配列座標αβの各象現内
に位置する４つの；ソッと、図示の５つのチップＣｏ、
Ｃ３゜Ｃ６，Ｃ７、ＣＢとの計９つのチップについてス
テップアライメントを行なって、各チップの位置の実測
値を検出した後、配列座標αβの各象現毎に弐Ｑｆ）
、 （１１） 、 Ｑ４）〜（ｌηを使って誤差）くラ
メータＡ。
４）を適用して、ステノプア／ドにビート方式のアトレ
ッジフグを行なうようにしたが、ウェハＷ入の表面をい
くつかの領域（ブロック）に分割し、個々のブロック毎
に最適なアライメントを行なう、所謂ブロックアライメ
／トにおいても全く同様に式（４）を適用することがで
きる。例えば第５図において、配列座標αβの各象現内
に位置する４つの；ソッと、図示の５つのチップＣｏ、
Ｃ３゜Ｃ６，Ｃ７、ＣＢとの計９つのチップについてス
テップアライメントを行なって、各チップの位置の実測
値を検出した後、配列座標αβの各象現毎に弐Ｑｆ）
、 （１１） 、 Ｑ４）〜（ｌηを使って誤差）くラ
メータＡ。
０を決定し、さらに式（４）を使って、位置（Ｆｘｎ。
Ｆｙｎ）を算出するようにする０例えは配列座標αβの
第１象現のブロックについては、第１象現内の１つのチ
ップと、チップＣ３＋ Ｃ６ｒ Ｃ７との４つのチップ
の実測値を使って式（４）を決定し、第２象現内のブロ
ックについては第２象現内の１つのチップとチップＣＯ
ｒ Ｃ３＋ Ｃ７との４つのチップの実測値を使って式
（４）を決定する。そして実際の露光のときは、各ブロ
ック毎に決定された式（４）からのショット位置（Ｆｘ
ｎ、Ｆｙｎ）に基づいて、ウェハＷＡ上のチップを投影
像Ｐｒと位置合せする。このようにすると、ウェハ上で
の非線形要素による位置検出、位置合せの不良が低減す
るとともに、従来のブロックアライメントとは異なり、
平均化要素を残したま筐ブロック化できるので、各ブロ
ック内での重ね合せ精度がどのチップでもほぼ平均して
いるという利点がある。そればかりでなく、ステッパー
以外の露光装置、特にミラー投影露光装置との混用の際
にも大きな利点を得ることができる。一般にミラー投影
露光装置で焼かれたウェハのチップ配列は、湾曲してい
ることが多い。そこでステッパーにより、そのウェハに
重ね合せ露光を行なう場合（混用；ミックスφア／ド・
マツチ）、上記のようなブロックアライメントを行なえ
ば、各ブロック内ではチップ配列の湾曲が無視できる程
、小さくなるため、ウェハ全面に渡りて極めて重ね合せ
精度の高い焼き付けが５］能となる。
第１象現のブロックについては、第１象現内の１つのチ
ップと、チップＣ３＋ Ｃ６ｒ Ｃ７との４つのチップ
の実測値を使って式（４）を決定し、第２象現内のブロ
ックについては第２象現内の１つのチップとチップＣＯ
ｒ Ｃ３＋ Ｃ７との４つのチップの実測値を使って式
（４）を決定する。そして実際の露光のときは、各ブロ
ック毎に決定された式（４）からのショット位置（Ｆｘ
ｎ、Ｆｙｎ）に基づいて、ウェハＷＡ上のチップを投影
像Ｐｒと位置合せする。このようにすると、ウェハ上で
の非線形要素による位置検出、位置合せの不良が低減す
るとともに、従来のブロックアライメントとは異なり、
平均化要素を残したま筐ブロック化できるので、各ブロ
ック内での重ね合せ精度がどのチップでもほぼ平均して
いるという利点がある。そればかりでなく、ステッパー
以外の露光装置、特にミラー投影露光装置との混用の際
にも大きな利点を得ることができる。一般にミラー投影
露光装置で焼かれたウェハのチップ配列は、湾曲してい
ることが多い。そこでステッパーにより、そのウェハに
重ね合せ露光を行なう場合（混用；ミックスφア／ド・
マツチ）、上記のようなブロックアライメントを行なえ
ば、各ブロック内ではチップ配列の湾曲が無視できる程
、小さくなるため、ウェハ全面に渡りて極めて重ね合せ
精度の高い焼き付けが５］能となる。
以上、本発明の実施例に好適な露光装置においてげ、レ
ーザのスポット光をウェハＷＡ上のマークに照射して、
マーク（チップ）の位置を検出したが、スポット光をウ
ェハＷＡ上で単振動させたり、等速直線走査させたりす
るアライメント系、又はレチクルＲ上のマークとウェハ
ＷＡ上のマークとを、レチクルＲの上方に配置した顕微
鏡対物レンズを介して観察（検出）して位置合せを行な
う、所謂グイ・パイ・ダイアライメント光学系を使った
露光装置でも全く同様に実施できる。この場合、グイ・
バイ・ダイアライメント時にレチクルＲを位置合せのた
めにｘ、ｙ方向に微動させないものとすれば、レチクル
Ｒ上のマークの投影像が、本実施例のスポット光ＬＸＳ
、ＬＹＳＩＣ相当すること罠なる。またレチクルＲ＆
微動させる方式のものでは、まずレチクルＲを原点位置
に正確に合せて設定する。そして複数のチップのステン
プアライメ／ト（実測）の際、配列設計値に従ってステ
ージをステンピングさせた後、レチクルＲのマークと実
測すべきチップのマークとが所定の位置関係になるよう
にレチクルＲを微動し、レチクルＲの原点からのｘ、ｙ
方向への移動量を検出することによって、そのチップの
位置の実測値（ｒマユ１丁７１）を算出することができ
る。
ーザのスポット光をウェハＷＡ上のマークに照射して、
マーク（チップ）の位置を検出したが、スポット光をウ
ェハＷＡ上で単振動させたり、等速直線走査させたりす
るアライメント系、又はレチクルＲ上のマークとウェハ
ＷＡ上のマークとを、レチクルＲの上方に配置した顕微
鏡対物レンズを介して観察（検出）して位置合せを行な
う、所謂グイ・パイ・ダイアライメント光学系を使った
露光装置でも全く同様に実施できる。この場合、グイ・
バイ・ダイアライメント時にレチクルＲを位置合せのた
めにｘ、ｙ方向に微動させないものとすれば、レチクル
Ｒ上のマークの投影像が、本実施例のスポット光ＬＸＳ
、ＬＹＳＩＣ相当すること罠なる。またレチクルＲ＆
微動させる方式のものでは、まずレチクルＲを原点位置
に正確に合せて設定する。そして複数のチップのステン
プアライメ／ト（実測）の際、配列設計値に従ってステ
ージをステンピングさせた後、レチクルＲのマークと実
測すべきチップのマークとが所定の位置関係になるよう
にレチクルＲを微動し、レチクルＲの原点からのｘ、ｙ
方向への移動量を検出することによって、そのチップの
位置の実測値（ｒマユ１丁７１）を算出することができ
る。
また本実施例ではオフセント量（Ｏｘ、Ｏｙ）を側圧単
独に求めるようにして、演算処理の簡素化を計ったが、
式（９）のアドレス誤差Ｅを最小にするような誤差パラ
メータ人、０を、厳密な演算処理によって算出してもよ
いことは言うまでもない。
独に求めるようにして、演算処理の簡素化を計ったが、
式（９）のアドレス誤差Ｅを最小にするような誤差パラ
メータ人、０を、厳密な演算処理によって算出してもよ
いことは言うまでもない。
（発明の効果）
以上本発明による方法によれば、ウェハ等の被処理基板
上の複数のチップパターンの全てに対して、位置合せの
誤差が平均的に小さくな９．１枚の被露光基板から取れ
る良品チップの数が多くなり、半導体素子の生産性を向
上させることができる。また、被露光基板とのいくつか
のチップについて、その位置を実測（ステップアライメ
ント）しているので、すなわち同形状のマークを使った
位置計測が複数回繰り返されるので、検出系の機械的、
電気的なランダム誤差が低減される利点もある。また位
置検出用のアライメントセンサー（顕微鏡〕の感度のバ
ラつきを統計的な処理で押えることになり、総合的なア
ライメント精度が向上する。
上の複数のチップパターンの全てに対して、位置合せの
誤差が平均的に小さくな９．１枚の被露光基板から取れ
る良品チップの数が多くなり、半導体素子の生産性を向
上させることができる。また、被露光基板とのいくつか
のチップについて、その位置を実測（ステップアライメ
ント）しているので、すなわち同形状のマークを使った
位置計測が複数回繰り返されるので、検出系の機械的、
電気的なランダム誤差が低減される利点もある。また位
置検出用のアライメントセンサー（顕微鏡〕の感度のバ
ラつきを統計的な処理で押えることになり、総合的なア
ライメント精度が向上する。
さらに、実施例によれば誤差パラメータの決定にあたっ
て最小二乗法を使っているので、いくつかのチップに対
するステングアライメ／トの精度のバラツキも抑えるこ
とが可能である。尚、本発明は縮小投影型の露光装置に
限らず、ステップアンドリピート方式の露光装置、例え
ば等倍の投影型ステッパーやグロキシミテイタイプのス
テッパー（Ｘ線露光装置）等に広く応用できるものであ
る。
て最小二乗法を使っているので、いくつかのチップに対
するステングアライメ／トの精度のバラツキも抑えるこ
とが可能である。尚、本発明は縮小投影型の露光装置に
限らず、ステップアンドリピート方式の露光装置、例え
ば等倍の投影型ステッパーやグロキシミテイタイプのス
テッパー（Ｘ線露光装置）等に広く応用できるものであ
る。
また露光装置以外でも半導体ウェハや複数のチップパタ
ーンを有するフォトマスク等を検査する装置（欠陥検査
、プローパ等）で、各チップ毎にステップアンドリピー
ト方式で検査視野やグローブ針等の基準位置に対して位
置合せするものにおいても、同様に本発明を実施するこ
とができる。
ーンを有するフォトマスク等を検査する装置（欠陥検査
、プローパ等）で、各チップ毎にステップアンドリピー
ト方式で検査視野やグローブ針等の基準位置に対して位
置合せするものにおいても、同様に本発明を実施するこ
とができる。
第１図は本発明の実施例に好適な縮小投影型露光装置の
概略的な構成を示す斜視図、第２図は第１図の装置にお
けるアライメント系の各検出中心の位置関係を示す平面
図、第３図は本発明の位置合せ方法を使った全体的な動
作手順を表わす７０−チャート図、第４図は第１図の装
置を使って、位置合せ、及び露光するのに好適なウェハ
の平面図、第５図はステンプアライメントするチップの
位置を示すウェハの平面図である。 〔主要４ｐ寸の符号のｆＬ項〕 ＷＡ・・・ウニへ、ＣＰ、Ｃｎ・・・ナラ１゜αβ・・
・配列魚諌、 ｘｏ３． ｌ０ＩＪ−・・・ステヅアア
ライ１メントＩ＝、裏′る。亥到二佳−，−７１０７・
・・頷差バクメ、−ｙｅｔ沃ｉする二（Ｌ） −、ｏｇ
ノ１０９ノー１０． ＩＩＩ’・・・油゛上２れｒ；災
捩のナヅ７配列庚ｉｌｌ：坩フマステヅフ９アントリど
°−トオベマパ４は状のする審理。
概略的な構成を示す斜視図、第２図は第１図の装置にお
けるアライメント系の各検出中心の位置関係を示す平面
図、第３図は本発明の位置合せ方法を使った全体的な動
作手順を表わす７０−チャート図、第４図は第１図の装
置を使って、位置合せ、及び露光するのに好適なウェハ
の平面図、第５図はステンプアライメントするチップの
位置を示すウェハの平面図である。 〔主要４ｐ寸の符号のｆＬ項〕 ＷＡ・・・ウニへ、ＣＰ、Ｃｎ・・・ナラ１゜αβ・・
・配列魚諌、 ｘｏ３． ｌ０ＩＪ−・・・ステヅアア
ライ１メントＩ＝、裏′る。亥到二佳−，−７１０７・
・・頷差バクメ、−ｙｅｔ沃ｉする二（Ｌ） −、ｏｇ
ノ１０９ノー１０． ＩＩＩ’・・・油゛上２れｒ；災
捩のナヅ７配列庚ｉｌｌ：坩フマステヅフ９アントリど
°−トオベマパ４は状のする審理。
Claims (1)
- 被処理基板に設計上の配列座標に沿つて規則的に整列し
た複数のチップパターンの夫々を、所定の基準位置に対
してステップアンドリピート方式で順次位置合せする方
法において、該ステップアンドリピート方式の位置合せ
に先立つて、前記チップパターンの設計上の配列座標値
に基づいて前記被処理基板を移動させ、前記複数のチッ
プパターンのいくつかを前記基準位置に合せたときの各
位置を実測する工程と；前記設計上の配列座標値と前記
ステップアンドリピート方式で位置合せすべき実際の配
列座標値とが所定の誤差パラメータを含んで一義的な関
係にあるものとしたとき、前記複数の実測値と前記実際
の配列座標値との平均的な偏差が最小になるように前記
誤差パラメータを決定する工程と；該決定された誤差パ
ラメータと前記設計上の配列座標値とに基づいて前記実
際の配列座標値を算出し、ステップアンドリピート方式
の位置合せ時に、該算出された実際の配列座標値に応じ
て前記被処理基板を位置決めする工程とを含むことを特
徴とする位置合せ方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59167020A JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
| US06/915,027 US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1986-10-03 | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59167020A JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5201725A Division JPH0738376B2 (ja) | 1993-08-13 | 1993-08-13 | 投影露光装置 |
| JP6314725A Division JP2638528B2 (ja) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 位置合わせ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144429A true JPS6144429A (ja) | 1986-03-04 |
| JPH0447968B2 JPH0447968B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=15841900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59167020A Granted JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144429A (ja) |
Cited By (100)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232326A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Canon Inc | 位置合せ方法 |
| JPS63232322A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Canon Inc | 位置合せ方法 |
| JPS63232321A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Canon Inc | 位置合せ方法 |
| JPS63299122A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Canon Inc | 露光装置の位置合せ方法 |
| JPH01207604A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-21 | Canon Inc | マーク位置検出方法及びそれが適用される装置 |
| JPH01243419A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Hitachi Ltd | 位置合わせ方法 |
| JPH0432219A (ja) * | 1990-05-29 | 1992-02-04 | Canon Inc | 位置合わせ方法 |
| JPH04271109A (ja) * | 1991-01-09 | 1992-09-28 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハの位置合わせ方法 |
| JPH08330394A (ja) * | 1996-06-13 | 1996-12-13 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
| US5792580A (en) * | 1995-11-17 | 1998-08-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of aligning reticle pattern |
| US5856054A (en) * | 1996-09-03 | 1999-01-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of alignment in exposure step through array error and shot error determinations |
| WO1999028220A1 (fr) | 1997-12-03 | 1999-06-10 | Nikon Corporation | Dispositif et procede de transfert de substrats |
| US6002487A (en) * | 1995-06-20 | 1999-12-14 | Nikon Corporation | Alignment method for performing alignment between shot areas on a wafer |
| US6087053A (en) * | 1997-05-09 | 2000-07-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Device manufacturing method with transfer magnification adjustment to correct thermal distortion of substrate |
| US6171736B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-01-09 | Nikon Corporation | Projection-microlithography alignment method utilizing mask with separate mask substrates |
| US6204509B1 (en) | 1997-11-11 | 2001-03-20 | Nikon Corporation | Projection-microlithography apparatus, masks, and related methods incorporating reticle-distortion measurement and correction |
| US6239858B1 (en) | 1999-06-14 | 2001-05-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Exposure method, exposure apparatus and semiconductor device manufactured by using the exposure apparatus |
| US6304320B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-10-16 | Nikon Corporation | Stage device and a method of manufacturing same, a position controlling method, an exposure device and a method of manufacturing same, and a device and a method of manufacturing same |
| US6359678B1 (en) | 1997-11-14 | 2002-03-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for producing the same, and exposure method |
| US6576919B1 (en) | 1997-02-28 | 2003-06-10 | Nikon Corporation | Method of determining movement sequence and apparatus for realizing it |
| US6662145B1 (en) | 1998-12-08 | 2003-12-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method, equipment, and recording medium for controlling exposure accuracy |
| US6788385B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-09-07 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus and method |
| US6885430B2 (en) | 2000-11-16 | 2005-04-26 | Nikon Corporation | System and method for resetting a reaction mass assembly of a stage assembly |
| US6885908B2 (en) | 1997-02-14 | 2005-04-26 | Nikon Corporation | Method of determining movement sequence, alignment apparatus, method and apparatus of designing optical system, and medium in which program realizing the designing method |
| US6958808B2 (en) | 2000-11-16 | 2005-10-25 | Nikon Corporation | System and method for resetting a reaction mass assembly of a stage assembly |
| JP2005328061A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Asml Netherlands Bv | アラインメントシステムおよび方法およびそれにより製造したデバイス |
| JP2006140204A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Nikon Corp | 計測条件の最適化方法、該最適化方法を使用した位置計測方法、該位置計測方法を使用した位置合わせ方法、該位置合わせ方法を使用したデバイス製造方法、計測条件の最適化システム、該最適化システムを使用した位置計測装置及び該位置計測装置を使用した露光装置 |
| JP2006339303A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| US7154583B2 (en) | 2003-02-19 | 2006-12-26 | Nikon Corporation | Movement method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
| WO2007055237A1 (ja) | 2005-11-09 | 2007-05-18 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| WO2007077925A1 (ja) | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Nikon Corporation | パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
| WO2007083758A1 (ja) | 2006-01-19 | 2007-07-26 | Nikon Corporation | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| WO2007094414A1 (ja) | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| WO2007094470A1 (ja) | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| WO2007094431A1 (ja) | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| WO2007097380A1 (ja) | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | パターン形成装置及びパターン形成方法、移動体駆動システム及び移動体駆動方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| WO2007097379A1 (ja) | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | パターン形成装置、マーク検出装置、露光装置、パターン形成方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
| WO2007097466A1 (ja) | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | 測定装置及び方法、処理装置及び方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
| WO2007113955A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Nikon Corporation | 移動体装置、露光装置及び露光方法、微動体、並びにデバイス製造方法 |
| WO2007135990A1 (ja) | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 |
| WO2007136052A1 (ja) | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 |
| WO2007142351A1 (ja) | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Nikon Corporation | 移動体装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2008004358A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Tokki Corp | アライメント方法及びアライメント装置並びに有機ｅｌ素子形成装置 |
| WO2008026742A1 (fr) | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Nikon Corporation | Procédé d'entraînement de corps mobile et système d'entraînement de corps mobile, procédé et appareil de mise en forme de motif, procédé et appareil d'exposition et procédé de fabrication de dispositif |
| WO2008026739A1 (fr) | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Nikon Corporation | Procédé d'entraînement de corps mobile et système d'entraînement de corps mobile, procédé et appareil de mise en forme de motif, procédé et appareil d'exposition et procédé de fabrication de dispositif |
| WO2008026732A1 (fr) | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Nikon Corporation | Système d'entraînement de corps mobile et procédé d'entraînement de corps mobile, appareil et procédé de mise en forme de motif, appareil et procédé d'exposition, procédé de fabrication de dispositif et procédé de décision |
| WO2008029757A1 (en) | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Nikon Corporation | Mobile object driving method, mobile object driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method and calibration method |
| WO2008029758A1 (en) | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Nikon Corporation | Mobile body driving method, mobile body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus and device manufacturing method |
| US7375796B2 (en) | 2004-04-01 | 2008-05-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1944654A2 (en) | 1996-11-28 | 2008-07-16 | Nikon Corporation | An exposure apparatus and an exposure method |
| EP1995769A1 (en) | 2003-08-07 | 2008-11-26 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus, stage unit, and device manufacturing method |
| WO2009011356A1 (ja) | 2007-07-18 | 2009-01-22 | Nikon Corporation | 計測方法、ステージ装置、及び露光装置 |
| WO2009013905A1 (ja) | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Nikon Corporation | 位置計測システム、露光装置、位置計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに工具及び計測方法 |
| US7557529B2 (en) | 2005-01-11 | 2009-07-07 | Nikon Corporation | Stage unit and exposure apparatus |
| JP2009206143A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Seiko Instruments Inc | アライメント方法 |
| US7728953B2 (en) | 2004-03-01 | 2010-06-01 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure system, and substrate processing apparatus |
| EP2221865A2 (en) | 2004-01-07 | 2010-08-25 | Nikon Corporation | Stacking apparatus and method for stacking integrated circuit elements |
| US7852034B2 (en) | 2004-04-09 | 2010-12-14 | Nikon Corporation | Drive method of moving body, stage unit, and exposure apparatus |
| EP2275869A2 (en) | 2003-06-19 | 2011-01-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| JP2011029458A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Nikon Corp | 積層型半導体素子の製造方法、及び積層型半導体素子の製造装置 |
| EP2284614A2 (en) | 2003-10-09 | 2011-02-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device producing method |
| US8023106B2 (en) | 2007-08-24 | 2011-09-20 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| US8089616B2 (en) | 2007-07-13 | 2012-01-03 | Nikon Corporation | Pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method and device |
| US8089608B2 (en) | 2005-04-18 | 2012-01-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8098362B2 (en) | 2007-05-30 | 2012-01-17 | Nikon Corporation | Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| US8125613B2 (en) | 2006-04-21 | 2012-02-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8134681B2 (en) | 2006-02-17 | 2012-03-13 | Nikon Corporation | Adjustment method, substrate processing method, substrate processing apparatus, exposure apparatus, inspection apparatus, measurement and/or inspection system, processing apparatus, computer system, program and information recording medium |
| US8159650B2 (en) | 2006-03-07 | 2012-04-17 | Nikon Corporation | Device manufacturing method, device manufacturing system, and measurement/inspection apparatus |
| US8164736B2 (en) | 2007-05-29 | 2012-04-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
| US8208119B2 (en) | 2004-02-04 | 2012-06-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US8218129B2 (en) | 2007-08-24 | 2012-07-10 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, measuring method, and position measurement system |
| US8237919B2 (en) | 2007-08-24 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads |
| US8325326B2 (en) | 2004-06-07 | 2012-12-04 | Nikon Corporation | Stage unit, exposure apparatus, and exposure method |
| EP2560192A2 (en) | 2003-02-17 | 2013-02-20 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus, and method of manufacturing devices |
| US8400614B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-03-19 | Nikon Corporation | Pattern formation method and pattern formation apparatus, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US8411271B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-04-02 | Nikon Corporation | Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method |
| US8432534B2 (en) | 2006-11-09 | 2013-04-30 | Nikon Corporation | Holding apparatus, position detection apparatus and exposure apparatus, moving method, position detection method, exposure method, adjustment method of detection system and device manufacturing method |
| EP2637061A1 (en) | 2004-06-09 | 2013-09-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for producing a device |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US8609301B2 (en) | 2006-09-08 | 2013-12-17 | Nikon Corporation | Mask, exposure apparatus and device manufacturing method |
| US8854601B2 (en) | 2005-05-12 | 2014-10-07 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US8867022B2 (en) | 2007-08-24 | 2014-10-21 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
| US8982320B2 (en) | 2004-08-19 | 2015-03-17 | Nikon Corporation | Alignment information display method and its program, alignment method, exposure method, device production process, display system, display device, and program and measurement/inspection system |
| JP2015525477A (ja) * | 2012-06-06 | 2015-09-03 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 位置合わせ誤差を求めるための装置と方法 |
| US9229333B2 (en) | 2007-12-28 | 2016-01-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US9304412B2 (en) | 2007-08-24 | 2016-04-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9500960B2 (en) | 2003-04-11 | 2016-11-22 | Nikon Corporation | Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine |
| JP2017049456A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | キヤノン株式会社 | ディストーション検出方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
| US9632431B2 (en) | 2004-02-02 | 2017-04-25 | Nikon Corporation | Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9746787B2 (en) | 2011-02-22 | 2017-08-29 | Nikon Corporation | Holding apparatus, exposure apparatus and manufacturing method of device |
| JP2017183735A (ja) * | 2017-05-10 | 2017-10-05 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 位置合わせ誤差を求めるための装置と方法 |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US9915868B2 (en) | 2011-11-30 | 2018-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US11947267B2 (en) | 2021-10-01 | 2024-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of obtaining array of plurality of shot regions on substrate, exposure method, exposure apparatus, method of manufacturing article, non-transitory computer-readable storage medium, and information processing apparatus |
| US12130562B2 (en) | 2021-02-22 | 2024-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of obtaining array of plurality of regions on substrate, exposure apparatus, method of manufacturing article, non-transitory storage medium, and information processing apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS531552A (en) * | 1976-06-25 | 1978-01-09 | Honda Motor Co Ltd | Coordinate selffestimating calculation system with multiipoint measurement |
| JPS58103136A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 基板の傾き設定装置 |
| JPS5954225A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法 |
-
1984
- 1984-08-09 JP JP59167020A patent/JPS6144429A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS531552A (en) * | 1976-06-25 | 1978-01-09 | Honda Motor Co Ltd | Coordinate selffestimating calculation system with multiipoint measurement |
| JPS58103136A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 基板の傾き設定装置 |
| JPS5954225A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法 |
Cited By (253)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232322A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Canon Inc | 位置合せ方法 |
| JPS63232321A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Canon Inc | 位置合せ方法 |
| JPH0421332B2 (ja) * | 1987-03-20 | 1992-04-09 | Canon Kk | |
| JPH0468767B2 (ja) * | 1987-03-20 | 1992-11-04 | Canon Kk | |
| JPS63232326A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Canon Inc | 位置合せ方法 |
| JPS63299122A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Canon Inc | 露光装置の位置合せ方法 |
| JPH0437574B2 (ja) * | 1987-05-29 | 1992-06-19 | Canon Kk | |
| JPH01207604A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-21 | Canon Inc | マーク位置検出方法及びそれが適用される装置 |
| JPH01243419A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Hitachi Ltd | 位置合わせ方法 |
| JPH0432219A (ja) * | 1990-05-29 | 1992-02-04 | Canon Inc | 位置合わせ方法 |
| JPH04271109A (ja) * | 1991-01-09 | 1992-09-28 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハの位置合わせ方法 |
| US6002487A (en) * | 1995-06-20 | 1999-12-14 | Nikon Corporation | Alignment method for performing alignment between shot areas on a wafer |
| US5792580A (en) * | 1995-11-17 | 1998-08-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of aligning reticle pattern |
| JPH08330394A (ja) * | 1996-06-13 | 1996-12-13 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
| US5856054A (en) * | 1996-09-03 | 1999-01-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of alignment in exposure step through array error and shot error determinations |
| EP1944654A2 (en) | 1996-11-28 | 2008-07-16 | Nikon Corporation | An exposure apparatus and an exposure method |
| US6885908B2 (en) | 1997-02-14 | 2005-04-26 | Nikon Corporation | Method of determining movement sequence, alignment apparatus, method and apparatus of designing optical system, and medium in which program realizing the designing method |
| US6844917B2 (en) | 1997-02-28 | 2005-01-18 | Nikon Corporation | Method of determining movement sequence and apparatus for realizing it |
| US6576919B1 (en) | 1997-02-28 | 2003-06-10 | Nikon Corporation | Method of determining movement sequence and apparatus for realizing it |
| US6087053A (en) * | 1997-05-09 | 2000-07-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Device manufacturing method with transfer magnification adjustment to correct thermal distortion of substrate |
| US6171736B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-01-09 | Nikon Corporation | Projection-microlithography alignment method utilizing mask with separate mask substrates |
| US6180289B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-01-30 | Nikon Corporation | Projection-microlithography mask with separate mask substrates |
| US6204509B1 (en) | 1997-11-11 | 2001-03-20 | Nikon Corporation | Projection-microlithography apparatus, masks, and related methods incorporating reticle-distortion measurement and correction |
| US6359678B1 (en) | 1997-11-14 | 2002-03-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for producing the same, and exposure method |
| WO1999028220A1 (fr) | 1997-12-03 | 1999-06-10 | Nikon Corporation | Dispositif et procede de transfert de substrats |
| US6662145B1 (en) | 1998-12-08 | 2003-12-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method, equipment, and recording medium for controlling exposure accuracy |
| US6304320B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-10-16 | Nikon Corporation | Stage device and a method of manufacturing same, a position controlling method, an exposure device and a method of manufacturing same, and a device and a method of manufacturing same |
| US6239858B1 (en) | 1999-06-14 | 2001-05-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Exposure method, exposure apparatus and semiconductor device manufactured by using the exposure apparatus |
| US6885430B2 (en) | 2000-11-16 | 2005-04-26 | Nikon Corporation | System and method for resetting a reaction mass assembly of a stage assembly |
| US6958808B2 (en) | 2000-11-16 | 2005-10-25 | Nikon Corporation | System and method for resetting a reaction mass assembly of a stage assembly |
| US6788385B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-09-07 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus and method |
| EP2560192A2 (en) | 2003-02-17 | 2013-02-20 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus, and method of manufacturing devices |
| EP3038138A1 (en) | 2003-02-17 | 2016-06-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, and method of manufacturing devices |
| EP3401947A1 (en) | 2003-02-17 | 2018-11-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, and method of manufacturing devices |
| US7154583B2 (en) | 2003-02-19 | 2006-12-26 | Nikon Corporation | Movement method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9946163B2 (en) | 2003-04-11 | 2018-04-17 | Nikon Corporation | Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine |
| US9500960B2 (en) | 2003-04-11 | 2016-11-22 | Nikon Corporation | Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine |
| US9551943B2 (en) | 2003-06-19 | 2017-01-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US10007188B2 (en) | 2003-06-19 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| EP2278401A2 (en) | 2003-06-19 | 2011-01-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US9810995B2 (en) | 2003-06-19 | 2017-11-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| EP2275869A2 (en) | 2003-06-19 | 2011-01-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US10191388B2 (en) | 2003-06-19 | 2019-01-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, and device manufacturing method |
| EP1995769A1 (en) | 2003-08-07 | 2008-11-26 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus, stage unit, and device manufacturing method |
| EP3432073A1 (en) | 2003-10-09 | 2019-01-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US10209623B2 (en) | 2003-10-09 | 2019-02-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| EP3410216A1 (en) | 2003-10-09 | 2018-12-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| EP3206083A1 (en) | 2003-10-09 | 2017-08-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| EP2937734A1 (en) | 2003-10-09 | 2015-10-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| EP2284614A2 (en) | 2003-10-09 | 2011-02-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device producing method |
| US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
| JP2014003342A (ja) * | 2004-01-07 | 2014-01-09 | Nikon Corp | 積層装置 |
| JP4935074B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2012-05-23 | 株式会社ニコン | 積層装置及び集積回路素子の積層方法 |
| US8440472B2 (en) | 2004-01-07 | 2013-05-14 | Nikon Corporation | Stacking apparatus and method for stacking integrated circuit elements |
| US8129201B2 (en) | 2004-01-07 | 2012-03-06 | Nikon Corporation | Stacking apparatus and method for stacking integrated circuit elements |
| EP2221865A2 (en) | 2004-01-07 | 2010-08-25 | Nikon Corporation | Stacking apparatus and method for stacking integrated circuit elements |
| EP2221866A2 (en) | 2004-01-07 | 2010-08-25 | Nikon Corporation | Stacking apparatus and method for stacking integrated circuit elements |
| US9665016B2 (en) | 2004-02-02 | 2017-05-30 | Nikon Corporation | Lithographic apparatus and method having substrate table and sensor table to hold immersion liquid |
| US9684248B2 (en) | 2004-02-02 | 2017-06-20 | Nikon Corporation | Lithographic apparatus having substrate table and sensor table to measure a patterned beam |
| US10007196B2 (en) | 2004-02-02 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables |
| US10139737B2 (en) | 2004-02-02 | 2018-11-27 | Nikon Corporation | Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables |
| US9632431B2 (en) | 2004-02-02 | 2017-04-25 | Nikon Corporation | Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables |
| US8605252B2 (en) | 2004-02-04 | 2013-12-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US8208119B2 (en) | 2004-02-04 | 2012-06-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| EP3208658A1 (en) | 2004-02-04 | 2017-08-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device |
| US10048602B2 (en) | 2004-02-04 | 2018-08-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| EP3267469A1 (en) | 2004-02-04 | 2018-01-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| EP3252533A1 (en) | 2004-02-04 | 2017-12-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device |
| EP3093873A2 (en) | 2004-02-04 | 2016-11-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| EP2765595A1 (en) | 2004-02-04 | 2014-08-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device |
| US9316921B2 (en) | 2004-02-04 | 2016-04-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US7728953B2 (en) | 2004-03-01 | 2010-06-01 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure system, and substrate processing apparatus |
| US7375796B2 (en) | 2004-04-01 | 2008-05-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7834977B2 (en) | 2004-04-01 | 2010-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7852034B2 (en) | 2004-04-09 | 2010-12-14 | Nikon Corporation | Drive method of moving body, stage unit, and exposure apparatus |
| JP2005328061A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Asml Netherlands Bv | アラインメントシステムおよび方法およびそれにより製造したデバイス |
| JP4557791B2 (ja) * | 2004-05-14 | 2010-10-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | アラインメントマークを選択する方法およびリソグラフィ装置 |
| JP2009117872A (ja) * | 2004-05-14 | 2009-05-28 | Asml Netherlands Bv | アラインメントシステム及び方法及びそれにより製造したデバイス |
| JP2009117870A (ja) * | 2004-05-14 | 2009-05-28 | Asml Netherlands Bv | アラインメントシステム及び方法及びそれにより製造したデバイス |
| US8325326B2 (en) | 2004-06-07 | 2012-12-04 | Nikon Corporation | Stage unit, exposure apparatus, and exposure method |
| US8705008B2 (en) | 2004-06-09 | 2014-04-22 | Nikon Corporation | Substrate holding unit, exposure apparatus having same, exposure method, method for producing device, and liquid repellant plate |
| EP2637061A1 (en) | 2004-06-09 | 2013-09-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for producing a device |
| EP3318928A1 (en) | 2004-06-09 | 2018-05-09 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing a device |
| US8982320B2 (en) | 2004-08-19 | 2015-03-17 | Nikon Corporation | Alignment information display method and its program, alignment method, exposure method, device production process, display system, display device, and program and measurement/inspection system |
| JP2006140204A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Nikon Corp | 計測条件の最適化方法、該最適化方法を使用した位置計測方法、該位置計測方法を使用した位置合わせ方法、該位置合わせ方法を使用したデバイス製造方法、計測条件の最適化システム、該最適化システムを使用した位置計測装置及び該位置計測装置を使用した露光装置 |
| US7557529B2 (en) | 2005-01-11 | 2009-07-07 | Nikon Corporation | Stage unit and exposure apparatus |
| US8724077B2 (en) | 2005-04-18 | 2014-05-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8089608B2 (en) | 2005-04-18 | 2012-01-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US9429851B2 (en) | 2005-05-12 | 2016-08-30 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US9360763B2 (en) | 2005-05-12 | 2016-06-07 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US9310696B2 (en) | 2005-05-12 | 2016-04-12 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| US8854601B2 (en) | 2005-05-12 | 2014-10-07 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
| JP2006339303A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| WO2007055237A1 (ja) | 2005-11-09 | 2007-05-18 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| CN102681368A (zh) * | 2005-12-28 | 2012-09-19 | 株式会社尼康 | 图案形成方法及图案形成装置、以及元件制造方法 |
| US8411271B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-04-02 | Nikon Corporation | Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method |
| US8400614B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-03-19 | Nikon Corporation | Pattern formation method and pattern formation apparatus, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
| WO2007077925A1 (ja) | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Nikon Corporation | パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
| EP3147710A1 (en) | 2006-01-19 | 2017-03-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US10185228B2 (en) | 2006-01-19 | 2019-01-22 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| EP2963498A1 (en) | 2006-01-19 | 2016-01-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| EP3171220A1 (en) | 2006-01-19 | 2017-05-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| WO2007083758A1 (ja) | 2006-01-19 | 2007-07-26 | Nikon Corporation | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| EP2752714A1 (en) | 2006-01-19 | 2014-07-09 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
| US10133195B2 (en) | 2006-01-19 | 2018-11-20 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| EP2765458A2 (en) | 2006-01-19 | 2014-08-13 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US10203613B2 (en) | 2006-01-19 | 2019-02-12 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| EP2857902A1 (en) | 2006-01-19 | 2015-04-08 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus, immersion exposure method, and device fabricating method |
| EP2801864A2 (en) | 2006-01-19 | 2014-11-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
| US9372414B2 (en) | 2006-01-19 | 2016-06-21 | Nikon Corporation | Exposure method and device manufacturing method measuring position of substrate stage using at least three of four encoder heads |
| US9423703B2 (en) | 2006-01-19 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method measuring position of substrate stage using at least three of four encoder heads |
| US9423702B2 (en) | 2006-01-19 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method measuring position of substrate stage by switching between encoder and interferometer |
| EP3043208A1 (en) | 2006-01-19 | 2016-07-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
| US10185227B2 (en) | 2006-01-19 | 2019-01-22 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US7839485B2 (en) | 2006-01-19 | 2010-11-23 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body drive system, pattern formation method, pattern forming apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| WO2007094431A1 (ja) | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US8390779B2 (en) | 2006-02-16 | 2013-03-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US7714982B2 (en) | 2006-02-16 | 2010-05-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| WO2007094414A1 (ja) | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| WO2007094470A1 (ja) | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US8134681B2 (en) | 2006-02-17 | 2012-03-13 | Nikon Corporation | Adjustment method, substrate processing method, substrate processing apparatus, exposure apparatus, inspection apparatus, measurement and/or inspection system, processing apparatus, computer system, program and information recording medium |
| EP3270226A1 (en) | 2006-02-21 | 2018-01-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
| US10234773B2 (en) | 2006-02-21 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method |
| US8054472B2 (en) | 2006-02-21 | 2011-11-08 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method |
| EP3279739A1 (en) | 2006-02-21 | 2018-02-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US10409173B2 (en) | 2006-02-21 | 2019-09-10 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method |
| EP3267259A1 (en) | 2006-02-21 | 2018-01-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| EP3267258A1 (en) | 2006-02-21 | 2018-01-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
| US9857697B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method |
| US10345121B2 (en) | 2006-02-21 | 2019-07-09 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| EP3293577A1 (en) | 2006-02-21 | 2018-03-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
| WO2007097380A1 (ja) | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | パターン形成装置及びパターン形成方法、移動体駆動システム及び移動体駆動方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US9329060B2 (en) | 2006-02-21 | 2016-05-03 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| WO2007097379A1 (ja) | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | パターン形成装置、マーク検出装置、露光装置、パターン形成方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
| EP3115844A1 (en) | 2006-02-21 | 2017-01-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
| WO2007097466A1 (ja) | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | 測定装置及び方法、処理装置及び方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
| US10139738B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-11-27 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| US8027021B2 (en) | 2006-02-21 | 2011-09-27 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| EP2541325A1 (en) | 2006-02-21 | 2013-01-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
| US9690214B2 (en) | 2006-02-21 | 2017-06-27 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| EP3327507A1 (en) | 2006-02-21 | 2018-05-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US9989859B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-06-05 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| EP2813893A1 (en) | 2006-02-21 | 2014-12-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US10132658B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-11-20 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| US10012913B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-07-03 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| US10088759B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-10-02 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| US10088343B2 (en) | 2006-02-21 | 2018-10-02 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| US8159650B2 (en) | 2006-03-07 | 2012-04-17 | Nikon Corporation | Device manufacturing method, device manufacturing system, and measurement/inspection apparatus |
| WO2007113955A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Nikon Corporation | 移動体装置、露光装置及び露光方法、微動体、並びにデバイス製造方法 |
| US7696653B2 (en) | 2006-03-30 | 2010-04-13 | Nikon Corporation | Movable-body apparatus, exposure apparatus and methods comprising same, and device-manufacturing methods |
| US8125613B2 (en) | 2006-04-21 | 2012-02-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| WO2007135990A1 (ja) | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 |
| US8514366B2 (en) | 2006-05-18 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, maintenance method and device manufacturing method |
| WO2007136052A1 (ja) | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 |
| WO2007142351A1 (ja) | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Nikon Corporation | 移動体装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US8390780B2 (en) | 2006-06-09 | 2013-03-05 | Nikon Corporation | Movable-body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| JP2008004358A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Tokki Corp | アライメント方法及びアライメント装置並びに有機ｅｌ素子形成装置 |
| US10101673B2 (en) | 2006-08-31 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Movable body drive method and system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus for driving movable body based on measurement value of encoder and information on flatness of scale, and device manufacturing method |
| US8937710B2 (en) | 2006-08-31 | 2015-01-20 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus compensating measuring error of encoder due to grating section and displacement of movable body in Z direction |
| WO2008026732A1 (fr) | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Nikon Corporation | Système d'entraînement de corps mobile et procédé d'entraînement de corps mobile, appareil et procédé de mise en forme de motif, appareil et procédé d'exposition, procédé de fabrication de dispositif et procédé de décision |
| EP2738608A1 (en) | 2006-08-31 | 2014-06-04 | Nikon Corporation | Method and system for driving a movable body in an exposure apparatus |
| WO2008026742A1 (fr) | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Nikon Corporation | Procédé d'entraînement de corps mobile et système d'entraînement de corps mobile, procédé et appareil de mise en forme de motif, procédé et appareil d'exposition et procédé de fabrication de dispositif |
| EP3067748A1 (en) | 2006-08-31 | 2016-09-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
| US10073359B2 (en) | 2006-08-31 | 2018-09-11 | Nikon Corporation | Movable body drive system and movable body drive method, pattern formation apparatus and method, exposure apparatus and method, device manufacturing method, and decision-making method |
| US10067428B2 (en) | 2006-08-31 | 2018-09-04 | Nikon Corporation | Movable body drive system and movable body drive method, pattern formation apparatus and method, exposure apparatus and method, device manufacturing method, and decision-making method |
| EP3064999A1 (en) | 2006-08-31 | 2016-09-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US10162274B2 (en) | 2006-08-31 | 2018-12-25 | Nikon Corporation | Movable body drive method and system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus for driving movable body based on measurement value of encoder and information on flatness of scale, and device manufacturing method |
| EP2988320A1 (en) | 2006-08-31 | 2016-02-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufactuing method |
| WO2008026739A1 (fr) | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Nikon Corporation | Procédé d'entraînement de corps mobile et système d'entraînement de corps mobile, procédé et appareil de mise en forme de motif, procédé et appareil d'exposition et procédé de fabrication de dispositif |
| US9983486B2 (en) | 2006-08-31 | 2018-05-29 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| EP3418807A1 (en) | 2006-08-31 | 2018-12-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US9958792B2 (en) | 2006-08-31 | 2018-05-01 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| US8947639B2 (en) | 2006-08-31 | 2015-02-03 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus measuring position of movable body based on information on flatness of encoder grating section |
| EP3312676A1 (en) | 2006-08-31 | 2018-04-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US10338482B2 (en) | 2006-08-31 | 2019-07-02 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| US10353301B2 (en) | 2006-08-31 | 2019-07-16 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| US10353302B2 (en) | 2006-08-31 | 2019-07-16 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| EP2993688A2 (en) | 2006-08-31 | 2016-03-09 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| EP3291010A1 (en) | 2006-08-31 | 2018-03-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| EP3279738A1 (en) | 2006-08-31 | 2018-02-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| EP2990872A2 (en) | 2006-08-31 | 2016-03-02 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| EP2991101A2 (en) | 2006-08-31 | 2016-03-02 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| WO2008029757A1 (en) | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Nikon Corporation | Mobile object driving method, mobile object driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method and calibration method |
| US9760021B2 (en) | 2006-09-01 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
| WO2008029758A1 (en) | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Nikon Corporation | Mobile body driving method, mobile body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus and device manufacturing method |
| EP2993524A2 (en) | 2006-09-01 | 2016-03-09 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
| US10197924B2 (en) | 2006-09-01 | 2019-02-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
| EP2993523A2 (en) | 2006-09-01 | 2016-03-09 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| US9377698B2 (en) | 2006-09-01 | 2016-06-28 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
| US10289010B2 (en) | 2006-09-01 | 2019-05-14 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| US9846374B2 (en) | 2006-09-01 | 2017-12-19 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
| US9740114B2 (en) | 2006-09-01 | 2017-08-22 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
| US10289012B2 (en) | 2006-09-01 | 2019-05-14 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
| US9971253B2 (en) | 2006-09-01 | 2018-05-15 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
| EP3361317A1 (en) | 2006-09-01 | 2018-08-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
| US9874822B2 (en) | 2006-09-01 | 2018-01-23 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| US9625834B2 (en) | 2006-09-01 | 2017-04-18 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
| US8609301B2 (en) | 2006-09-08 | 2013-12-17 | Nikon Corporation | Mask, exposure apparatus and device manufacturing method |
| US9563116B2 (en) | 2006-09-08 | 2017-02-07 | Nikon Corporation | Mask, exposure apparatus and device manufacturing method |
| US8432534B2 (en) | 2006-11-09 | 2013-04-30 | Nikon Corporation | Holding apparatus, position detection apparatus and exposure apparatus, moving method, position detection method, exposure method, adjustment method of detection system and device manufacturing method |
| US8164736B2 (en) | 2007-05-29 | 2012-04-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
| US8098362B2 (en) | 2007-05-30 | 2012-01-17 | Nikon Corporation | Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| US8089616B2 (en) | 2007-07-13 | 2012-01-03 | Nikon Corporation | Pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method and device |
| US9239525B2 (en) | 2007-07-13 | 2016-01-19 | Nikon Corporation | Pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method and device |
| EP3447582A1 (en) | 2007-07-18 | 2019-02-27 | Nikon Corporation | Measuring method, stage apparatus, and exposure apparatus |
| EP3246755A1 (en) | 2007-07-18 | 2017-11-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
| US9804506B2 (en) | 2007-07-18 | 2017-10-31 | Nikon Corporation | Measuring method, stage apparatus, and exposure apparatus |
| EP2818927A2 (en) | 2007-07-18 | 2014-12-31 | Nikon Corporation | Measurement method, stage apparatus, and exposure apparatus |
| EP2818926A2 (en) | 2007-07-18 | 2014-12-31 | Nikon Corporation | Measurement method, stage apparatus, and exposure apparatus |
| WO2009011356A1 (ja) | 2007-07-18 | 2009-01-22 | Nikon Corporation | 計測方法、ステージ装置、及び露光装置 |
| US9372410B2 (en) | 2007-07-18 | 2016-06-21 | Nikon Corporation | Measuring method, stage apparatus, and exposure apparatus |
| US9316917B2 (en) | 2007-07-18 | 2016-04-19 | Nikon Corporation | Measuring method, stage apparatus, and exposure apparatus |
| EP2933683A1 (en) | 2007-07-18 | 2015-10-21 | Nikon Corporation | Measuring method, stage apparatus, and exposure apparatus |
| WO2009013905A1 (ja) | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Nikon Corporation | 位置計測システム、露光装置、位置計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに工具及び計測方法 |
| JP5489068B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2014-05-14 | 株式会社ニコン | 位置計測システム、露光装置、位置計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに工具及び計測方法 |
| US8243257B2 (en) | 2007-07-24 | 2012-08-14 | Nikon Corporation | Position measurement system, exposure apparatus, position measuring method, exposure method and device manufacturing method, and tool and measuring method |
| JPWO2009013905A1 (ja) * | 2007-07-24 | 2010-09-30 | 株式会社ニコン | 位置計測システム、露光装置、位置計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに工具及び計測方法 |
| US8218129B2 (en) | 2007-08-24 | 2012-07-10 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, measuring method, and position measurement system |
| US8023106B2 (en) | 2007-08-24 | 2011-09-20 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| US9304412B2 (en) | 2007-08-24 | 2016-04-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method |
| US8767182B2 (en) | 2007-08-24 | 2014-07-01 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| US8867022B2 (en) | 2007-08-24 | 2014-10-21 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
| US8237919B2 (en) | 2007-08-24 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads |
| US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US10310384B2 (en) | 2007-12-28 | 2019-06-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US9229333B2 (en) | 2007-12-28 | 2016-01-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US10274831B2 (en) | 2007-12-28 | 2019-04-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US9690205B2 (en) | 2007-12-28 | 2017-06-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| JP2009206143A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Seiko Instruments Inc | アライメント方法 |
| JP2011029458A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Nikon Corp | 積層型半導体素子の製造方法、及び積層型半導体素子の製造装置 |
| US9746787B2 (en) | 2011-02-22 | 2017-08-29 | Nikon Corporation | Holding apparatus, exposure apparatus and manufacturing method of device |
| US10416573B2 (en) | 2011-02-22 | 2019-09-17 | Nikon Corporation | Holding apparatus, exposure apparatus and manufacturing method of device |
| US9915868B2 (en) | 2011-11-30 | 2018-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method |
| JP2015525477A (ja) * | 2012-06-06 | 2015-09-03 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 位置合わせ誤差を求めるための装置と方法 |
| US10134622B2 (en) | 2012-06-06 | 2018-11-20 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Apparatus and method for ascertaining orientation errors |
| US10410896B2 (en) | 2012-06-06 | 2019-09-10 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Apparatus and method for ascertaining orientation errors |
| JP2017049456A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | キヤノン株式会社 | ディストーション検出方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
| JP2017183735A (ja) * | 2017-05-10 | 2017-10-05 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 位置合わせ誤差を求めるための装置と方法 |
| US12130562B2 (en) | 2021-02-22 | 2024-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of obtaining array of plurality of regions on substrate, exposure apparatus, method of manufacturing article, non-transitory storage medium, and information processing apparatus |
| US11947267B2 (en) | 2021-10-01 | 2024-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of obtaining array of plurality of shot regions on substrate, exposure method, exposure apparatus, method of manufacturing article, non-transitory computer-readable storage medium, and information processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0447968B2 (ja) | 1992-08-05 |
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