JP2010098333A - ステージ駆動方法及びステージ装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
ステージ駆動方法及びステージ装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010098333A JP2010098333A JP2010012364A JP2010012364A JP2010098333A JP 2010098333 A JP2010098333 A JP 2010098333A JP 2010012364 A JP2010012364 A JP 2010012364A JP 2010012364 A JP2010012364 A JP 2010012364A JP 2010098333 A JP2010098333 A JP 2010098333A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- exposure apparatus
- wafer
- stages
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 253
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 244
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 152
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 220
- 230000009021 linear effect Effects 0.000 claims description 127
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 41
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 8
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 6
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 5
- JUJBNYBVVQSIOU-UHFFFAOYSA-M sodium;4-[2-(4-iodophenyl)-3-(4-nitrophenyl)tetrazol-2-ium-5-yl]benzene-1,3-disulfonate Chemical compound [Na+].C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1N1[N+](C=2C=CC(I)=CC=2)=NC(C=2C(=CC(=CC=2)S([O-])(=O)=O)S([O-])(=O)=O)=N1 JUJBNYBVVQSIOU-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 173
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 25
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 729
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 66
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 37
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 28
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 101000891547 Homo sapiens Alpha-1,3/1,6-mannosyltransferase ALG2 Proteins 0.000 description 19
- 102100034785 Programmed cell death protein 6 Human genes 0.000 description 19
- 102100040428 Chitobiosyldiphosphodolichol beta-mannosyltransferase Human genes 0.000 description 17
- 101000891557 Homo sapiens Chitobiosyldiphosphodolichol beta-mannosyltransferase Proteins 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 238000007562 laser obscuration time method Methods 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000010627 cedar oil Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000008400 supply water Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70653—Metrology techniques
- G03F7/70666—Aerial image, i.e. measuring the image of the patterned exposure light at the image plane of the projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Eyeglasses (AREA)
- Prostheses (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
【解決手段】液体(Lq)が供給される投影光学系(PL)直下の第1領域に一方のステージ(WST1(又はWST2))が位置する第1の状態から他方のステージ(WST2(又はWST1))が第1領域に位置する第2の状態に遷移させる際に、両ステージが、X軸方向に関して近接した状態を維持してX軸方向に同時に駆動される。このため、投影光学系とその直下にある特定のステージとの間に液体を供給したままの状態で、第1の状態から第2の状態に遷移させることが可能となる。これにより、一方のステージ側での露光動作の終了から他方のステージ側での露光動作開始までの時間を短縮することが可能となり、高スループットの処理が可能となる。また、投影光学系の像面側には、液体が常に存在させることができるので、投影光学系の像面側の光学部材にウォーターマークが発生するのを防止する。
【選択図】図7
Description
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1はプロセス係数である。この式(1)より、使用する露光波長(露光光の波長)が短くなるほど、また投影光学系の開口数(NA)が大きいほど、解像度Rは高くなる。そのため、集積回路の微細化に伴い投影露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、今日では、KrFエキシマレーザ(波長248nm)より短波長のArFエキシマレーザ(波長193nm)を光源とする露光装置も実用化されている。また、投影光学系の開口数も次第に増大してきている。
なお、本明細書においては、水以外の液体を用いた場合に、先端レンズなどに形成される染みも水染み(ウォーターマーク)と称する。
以下、本発明の第1の実施形態を図1〜図10に基づいて説明する。
また、ウエハの移動方向とは無関係に、供給ノズル21a〜21c,22a〜22c,27a,28aから液体Lqを供給しつづけ、回収ノズル23a,23b,24a,24b,29a,29b,30a,30bから液体Lqを回収し続けるようにしても良い。
また、液体給排システムは上述の図4の形態に限られず、投影光学系PLの像面側に液浸領域を形成することができれば、いろいろな形態を適用することができる。
なお焦点位置検出系は、ウエハ表面の位置情報を液体を介して検出するものであっても良いし、液体を介さずに検出するものであっても良い。また焦点位置検出系は、投影光学系PLの像面側でウエハ表面の位置情報を検出するものに限られず、投影光学系PLから離れた場所でウエハ表面の位置情報を検出するものであっても良い。
次に、本発明の第2の実施形態を図11〜図15(B)に基づいて説明する。ここで、前述した第1の実施形態と同一若しくは同等の部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を簡略にし、若しくは省略するものとする。この第2の実施形態の露光装置では、ウエハステージ装置の構成等、及び2つのウエハステージを用いた並行処理動作が前述の第1の実施形態と異なる。また、マーク検出系が1つのみ設けられている点が、前述の第1の実施形態と異なる。その他の部分の構成等は、前述の第1の実施形態と同様になっている。従って、以下では重複説明を避ける観点から相違点を中心として説明する。
次に、本発明の第3の実施形態について、図16〜図18(B)に基づいて説明する。ここで、前述した第1の実施形態と同一若しくは同等の部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を簡略にし、若しくは省略するものとする。この第3の実施形態の露光装置では、ウエハステージ装置の構成等が前述した第1の実施形態と異なるのみで、その他の部分の構成は、同様になっている。従って、以下では重複説明を避ける観点から相違点を中心として説明する。
またウエハステージWSTには、計測用の部材を搭載しても良いし、搭載してなくても良い。
またウエハの交換毎などに計測ステージMSTに搭載された計測用部材を使って各種の計測を行って、その後の露光動作に計測結果を反映させることができるので、常に高精度に調整された状態でウエハの露光を行うことができる。
また、遷移の際の両ステージの間隙への水(液体)の漏れ出しは、漏れ出し量がわずかであれば許容される場合もあり得るので、遷移の際の両ステージの間隔は、ステージの材質やステージ表面の状態や形状、液体の種類だけでなく、漏れ出しの許容量を考慮して決めるようにしても良い。
次に、本発明の第4の実施形態について、図20〜図23(B)に基づいて説明する。ここで、前述した第3の実施形態と同一若しくは同等の部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を簡略にし、若しくは省略するものとする。この第4の実施形態の露光装置では、ウエハステージ装置の構成(干渉計の配置を含む)が前述した第3の実施形態と一部相違するのみで、その他の部分の構成等は、その第3の実施形態の装置と同様になっている。従って、以下では重複説明を避ける観点から相違点を中心として説明する。
次に上記各実施形態の露光装置をリソグラフィ工程で使用するデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
Claims (43)
- 液体が局所的に供給される2次元面内の第1領域と該第1領域の第1軸方向の一側に位置する第2領域とを含む所定範囲の領域内で、第1ステージと第2ステージとを独立して駆動するステージ駆動方法において、
前記第1、第2ステージのうちの一方のステージが前記第1領域に位置する第1の状態から他方のステージが前記第1領域に位置する第2の状態に遷移させる際に、前記第1ステージと前記第2ステージとが、前記第1軸方向に交差する第2軸方向に関して近接した状態及び接触した状態のいずれかを維持して前記第1、第2ステージを前記第2軸方向に同時に駆動することを特徴とするステージ駆動方法。 - 請求項1に記載のステージ駆動方法において、
前記第1、第2ステージは、該第1、第2ステージのいずれにも着脱自在に係合可能で、係合状態にある特定ステージを少なくとも前記第2軸方向に駆動可能な一組のリニアアクチュエータにより別々に駆動され、
前記遷移の際には、一方のステージと一方のリニアアクチュエータ、及び他方のステージと他方のリニアアクチュエータとが係合状態にあり、前記遷移の後に、各ステージとリニアアクチュエータとの係合を解除し、一方のステージと他方のリニアアクチュエータとの係合及び他方のステージと一方のリニアアクチュエータとの係合を行うことを特徴とするステージ駆動方法。 - 請求項1に記載のステージ駆動方法において、
前記遷移の際には、前記第1領域に位置する方のステージ上に、前記液体が保持され続けることを特徴とするステージ駆動方法。 - 請求項1に記載のステージ駆動方法において、
前記第1、第2ステージ上の、前記遷移の際に両ステージが近接又は接触する側の面以外の面にそれぞれ設けられた第1、第2ミラーの反射面にそれぞれ測長ビームを照射し、それぞれの測長ビームの前記第1、第2ミラーの反射面からの反射光に基づいて、前記第1、第2ステージの位置を管理することを特徴とするステージ駆動方法。 - 液体が局所的に供給される2次元面内の第1領域と該第1領域の第1軸方向の一側に位置する第2領域とを含む所定範囲の領域内で第1ステージを駆動し、前記第1領域と該第1領域の前記第1軸方向の他側に位置する第3領域とを含む所定範囲の領域内で第2ステージを駆動するステージ駆動方法において、
前記第1、第2ステージのうちの一方のステージが前記第1領域に位置する第1の状態から他方のステージが前記第1領域に位置する第2の状態に遷移させる際に、前記第1ステージと前記第2ステージとが前記第1軸方向に関して近接した状態及び接触した状態のいずれかを維持して前記第1、第2ステージを前記第1軸方向に同時に駆動することを特徴とするステージ駆動方法。 - 請求項5に記載のステージ駆動方法において、
前記遷移の際には、前記第1領域に位置する方のステージ上に、前記液体が保持され続けることを特徴とするステージ駆動方法。 - 請求項5に記載のステージ駆動方法において、
前記第1、第2ステージ上の、前記遷移の際に両ステージが近接又は接触する側の面以外の面にそれぞれ設けられた第1、第2ミラーの反射面にそれぞれ測長ビームを照射し、それぞれの測長ビームの前記第1、第2ミラーの反射面からの反射光に基づいて、前記第1、第2ステージの位置を管理することを特徴とするステージ駆動方法。 - 液体が局所的に供給される2次元面内の第1領域と該第1領域の第1軸方向の一側に位置する第2領域とを含む所定範囲の領域内で独立に駆動可能な第1、第2ステージと;
前記第1、第2ステージのうちの一方のステージが前記第1領域に位置する第1の状態から他方のステージが前記第1領域に位置する第2の状態に遷移させる際に、前記第1ステージと前記第2ステージとが、前記第1軸方向に交差する第2軸方向に関して近接した状態及び接触した状態のいずれかを維持して前記第1、第2ステージが前記第2軸方向に同時に移動するように前記第1、第2ステージを制御する制御装置と;を備えるステージ装置。 - 液体が局所的に供給される2次元面内の第1領域と該第1領域の第1軸方向の一側に位置する第2領域とを含む所定範囲の領域内で移動可能な第1ステージと;
前記第1領域と該第1領域の前記第1軸方向の他側に位置する第3領域とを含む所定範囲の領域内で移動可能な第2ステージと;
前記第1、第2ステージのうちの一方のステージが前記第1領域に位置する第1の状態から他方のステージが前記第1領域に位置する第2の状態に遷移させる際に、前記第1ステージと前記第2ステージとが前記第1軸方向に関して近接した状態及び接触した状態のいずれかを維持して前記第1、第2ステージが前記第1軸方向に同時に移動するように、前記第1、第2ステージを制御する制御装置と;を備えるステージ装置。 - 投影光学系と基板との間に液体を供給し、前記投影光学系と前記液体とを介してエネルギビームにより前記基板を露光する露光装置であって、
前記液体が供給される前記投影光学系直下の第1領域と、前記投影光学系の第1軸方向の一側に位置する第2領域とを含む所定範囲の領域内で移動可能な第1ステージと;
前記第1領域と、前記投影光学系の第1軸方向の他側に位置する第3領域とを含む領域内で移動可能な第2ステージと;
前記第1、第2ステージを駆動するとともに、一方のステージが前記第1領域に位置する第1の状態から他方のステージが前記第1領域に位置する第2の状態に遷移させる際に、前記第1ステージと前記第2ステージとが、前記第1軸方向に関して近接した状態及び接触した状態のいずれかを維持して前記第1、第2ステージを前記第1軸方向に同時に駆動するステージ駆動系と;
前記第2領域上方に配置され、前記第1ステージ上に存在するマークを検出する第1のマーク検出系と;
前記第3領域上方に配置され、前記第2ステージ上に存在するマークを検出する第2のマーク検出系と;を備える露光装置。 - 請求項10に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、ともに基板を載置可能なステージであることを特徴とする露光装置。 - 請求項10に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージのうちの一方のステージは、他方のステージに対向する側の上端部の一部が他の部分より突出した板状の庇部とされ、
前記庇部の少なくとも先端部に所定のクリアランスを介して係合可能な段部が、前記他方のステージの前記一方のステージに対向する側の面の少なくとも一部に設けられ、前記庇部と前記段部とが係合した状態では、前記一方のステージの上面の少なくとも一部と前記他方のステージの上面の少なくとも一部とで所定の大きさのフルフラットな面を形成可能であることを特徴とする露光装置。 - 請求項10に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージのそれぞれは、第1軸方向の一側の上端部の一部が他の部分より突出した板状の庇部とされるとともに、それぞれのステージの前記第1軸方向の他側の面の少なくとも一部には、他方のステージの前記庇部の少なくとも先端部に所定のクリアランスを介して係合可能な段部が設けられ、
一方のステージの前記庇部と他方のステージの前記段部とが係合した状態では、前記一方のステージの上面の少なくとも一部と前記他方のステージの上面の少なくとも一部とで所定の大きさのフルフラットな面を形成可能であることを特徴とする露光装置。 - 請求項10に記載の露光装置において、
前記ステージ駆動系は、前記遷移の際、前記第1ステージと前記第2ステージとを近接した状態で維持し、
前記第1ステージ及び前記第2ステージの少なくとも一方には、前記遷移の際に前記両ステージの間隙に位置することで該間隙からの前記液体の漏れを抑制する抑制部材が設けられていることを特徴とする露光装置。 - 請求項14に記載の露光装置において、
前記抑制部材は、シール部材及び撥水コートの少なくとも一方を含むことを特徴とする露光装置。 - 請求項10に記載の露光装置において、
前記遷移の際には、前記投影光学系と前記第1領域に位置するステージとの間に、前記液体が保持され続けることを特徴とする露光装置。 - 請求項10に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージ上の、前記遷移の際に両ステージが近接又は接触する側の面以外の面にそれぞれ設けられた第1、第2ミラーと;
前記第1、第2ミラーの反射面にそれぞれ測長ビームを照射し、それぞれの測長ビームの前記第1、第2ミラーの反射面からの反射光に基づいて、前記第1、第2ステージの位置を計測する干渉計と;を更に備える露光装置。 - 投影光学系と基板との間に液体を供給し、前記投影光学系と前記液体とを介してエネルギビームにより前記基板を露光する露光装置であって、
前記液体が供給される前記投影光学系直下の第1領域と該第1領域の第1軸方向の一側に位置する第2領域とを含む所定範囲の領域内で移動可能で、前記基板を載置可能な第1ステージと;
前記第1領域と該第1領域の前記第1軸方向の他側に位置する第3領域とを含む領域内で移動可能で、所定の計測に用いられる第2ステージと;
前記第1、第2ステージを駆動するとともに、一方のステージが前記第1領域に位置する第1の状態から他方のステージが前記第1領域に位置する第2の状態に遷移させる際に、前記第1ステージと前記第2ステージとが前記第1軸方向に関して近接した状態及び接触した状態のいずれかを維持して前記第1ステージと前記第2ステージとを前記第1軸方向に同時に駆動するステージ駆動系と;を備える露光装置。 - 請求項18に記載の露光装置において、
前記第2ステージには、前記投影光学系を介して前記エネルギビームを受光するセンサの少なくとも一部、及び少なくとも1つの基準マークが形成された基準マーク板の少なくとも一方が設けられていることを特徴とする露光装置。 - 請求項18に記載の露光装置において、
前記第2ステージは、前記投影光学系及び前記液体を介した前記エネルギビームの受光結果を用いる計測に用いられることを特徴とする露光装置。 - 請求項18に記載の露光装置において、
前記ステージ駆動系は、前記エネルギビームにより基板を露光する際に、前記第2ステージを用いた計測結果の少なくとも一部に基づいて、前記第1ステージを駆動することを特徴とする露光装置。 - 請求項21に記載の露光装置において、
前記ステージ駆動系は、前記第1ステージ上の基板の交換が行われる間に、前記第2ステージを用いた計測が実行されるように、各ステージを駆動することを特徴とする露光装置。 - 請求項18に記載の露光装置において、
前記第2ステージの前記第1ステージに対向する側の面の少なくとも一部には、当該第2ステージの位置計測に用いられる反射面が設けられていることを特徴とする露光装置。 - 請求項18に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージのうちの一方のステージは、他方のステージに対向する側の上端部の一部が他の部分より突出した板状の庇部とされ、
前記庇部の少なくとも先端部に所定のクリアランスを介して係合可能な段部が、前記他方のステージの前記一方のステージに対向する側の面の少なくとも一部に設けられ、前記庇部と前記段部とが係合した状態では、前記一方のステージの上面の少なくとも一部と前記他方のステージの上面の少なくとも一部とで所定の大きさのフルフラットな面を形成可能であることを特徴とする露光装置。 - 請求項18に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージのそれぞれは、第1軸方向の一側の上端部の一部が他の部分より突出した板状の庇部とされるとともに、それぞれのステージの前記第1軸方向の他側の面の少なくとも一部には、他方のステージの前記庇部の少なくとも先端部に所定のクリアランスを介して係合可能な段部が設けられ、
一方のステージの前記庇部と他方のステージの前記段部とが係合した状態では、前記一方のステージの上面の少なくとも一部と前記他方のステージの上面の少なくとも一部とで所定の大きさのフルフラットな面を形成可能であることを特徴とする露光装置。 - 請求項18に記載の露光装置において、
前記ステージ駆動系は、前記遷移の際、前記第1ステージと前記第2ステージとを近接した状態で維持し、
前記第1ステージ及び前記第2ステージの少なくとも一方には、前記遷移の際に前記両ステージの間隙に位置することで該間隙からの前記液体の漏れを抑制する抑制部材が設けられていることを特徴とする露光装置。 - 請求項26に記載の露光装置において、
前記抑制部材は、シール部材及び撥水コートの少なくとも一方を含むことを特徴とする露光装置。 - 請求項18に記載の露光装置において、
前記遷移の際には、前記投影光学系と前記第1領域に位置するステージとの間に、前記液体が保持され続けることを特徴とする露光装置。 - 請求項18に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージ上の、前記遷移の際に両ステージが近接又は接触する側の面以外の面にそれぞれ設けられた第1、第2ミラーと;
前記第1、第2ミラーの反射面にそれぞれ測長ビームを照射し、それぞれの測長ビームの前記第1、第2ミラーの反射面からの反射光に基づいて、前記第1、第2ステージの位置を計測する干渉計と;を更に備える露光装置。 - 投影光学系と基板との間に液体を供給し、前記投影光学系と前記液体とを介して前記基板を露光する露光装置であって、
前記液体が供給される前記投影光学系直下の第1領域と該第1領域の第1軸方向の一側に位置する第2領域とを含む所定範囲の領域内で移動可能な第1ステージと;
前記第1領域と前記第2領域とを含む領域内で前記第1ステージとは独立して移動可能な第2ステージと;
前記第1、第2ステージを駆動するとともに、一方のステージが前記第1領域に位置する第1の状態から他方のステージが前記第1領域に位置する第2の状態に遷移させる際に、前記第1ステージと前記第2ステージとが前記第1軸方向に交差する第2軸方向に関して近接した状態及び接触した状態のいずれかを維持して前記第1、第2ステージを同時に前記第2軸方向に駆動するステージ駆動系と;を備える露光装置。 - 請求項30に記載の露光装置において、
前記ステージ駆動系は、前記第1、第2ステージのいずれにも着脱自在に係合可能で、係合状態にある特定ステージを前記第2軸方向に関して駆動可能で、両ステージを別々に駆動する一組のリニアアクチュエータを含むことを特徴とする露光装置。 - 請求項31に記載の露光装置において、
前記遷移の後に、一方のステージと一方のリニアアクチュエータとが係合し、かつ他方のステージと他方のリニアアクチュエータとが係合している状態から、一方のステージと他方のリニアアクチュエータとが係合し、かつ他方のステージと一方のリニアアクチュエータとが係合している状態に、切り換える切り換え装置を、更に備える露光装置。 - 請求項30に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、ともに基板を載置可能なステージであり、
前記第2領域に配置され、前記第1及び第2ステージのうち、その直下に位置した特定ステージ上に存在するマークを検出するマーク検出系を更に備える露光装置。 - 請求項30に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージのそれぞれは、第1軸方向の一側の上端部の一部が他の部分より突出した板状の庇部とされるとともに、それぞれのステージの前記第1軸方向の他側の面の少なくとも一部には、他方のステージの前記庇部の少なくとも先端部に所定のクリアランスを介して係合可能な段部が設けられ、
一方のステージの前記庇部と他方のステージの前記段部とが係合した状態では、前記一方のステージの上面の少なくとも一部と前記他方のステージの上面の少なくとも一部とで所定の大きさのフルフラットな面を形成可能であることを特徴とする露光装置。 - 請求項30に記載の露光装置において、
前記ステージ駆動系は、前記遷移の際、前記第1ステージと前記第2ステージとを近接した状態で維持し、
前記第1ステージ及び前記第2ステージの少なくとも一方には、前記遷移の際に前記両ステージの間隙に位置することで該間隙からの前記液体の漏れを抑制する抑制部材が設けられていることを特徴とする露光装置。 - 請求項35に記載の露光装置において、
前記抑制部材は、シール部材及び撥水コートの少なくとも一方を含むことを特徴とする露光装置。 - 請求項30に記載の露光装置において、
前記遷移の際には、前記投影光学系と前記第1領域に位置するステージとの間に、前記液体が保持され続けることを特徴とする露光装置。 - 請求項30に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージ上の、前記遷移の際に両ステージが近接又は接触する側の面以外の面にそれぞれ設けられた第1、第2ミラーと;
前記第1、第2ミラーの反射面にそれぞれ測長ビームを照射し、それぞれの測長ビームの前記第1、第2ミラーの反射面からの反射光に基づいて、前記第1、第2ステージの位置を計測する干渉計と;を更に備える露光装置。 - 投影光学系と基板との間に液体を供給し、前記投影光学系と前記液体とを介して前記基板を露光する露光装置であって、
前記液体が供給される投影光学系直下の第1領域と該第1領域とは異なる領域とを含む領域内で移動可能な第1ステージと;
前記第1領域と該第1領域とは異なる領域とを含む領域内で、前記第1ステージとは独立して移動可能な第2ステージと;
前記第1、第2ステージを駆動するとともに、一方のステージが前記第1領域に位置する第1の状態から他方のステージが前記第1の領域に位置する第2の状態に遷移させる際に、前記第1ステージと前記第2ステージとが所定方向に関して近接した状態を維持して前記第1、第2ステージを同時に前記所定方向に駆動するステージ駆動系と;
前記第1ステージ及び前記第2ステージの少なくとも一方に設けられ、前記第1の状態から前記第2の状態に遷移する際に前記両ステージの間隙に位置することで前記間隙からの前記液体の漏れを抑制する抑制部材と;を備える露光装置。 - 請求項39に記載の露光装置において、
前記抑制部材は、シール部材及び撥水コートの少なくとも一方を含むことを特徴とする露光装置。 - 請求項39に記載の露光装置において、
前記遷移の際には、前記投影光学系と前記第1領域に位置するステージとの間に、前記液体が保持され続けることを特徴とする露光装置。 - 請求項39に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージ上の、前記遷移の際に両ステージが近接又は接触する側の面以外の面にそれぞれ設けられた第1、第2ミラーと;
前記第1、第2ミラーの反射面にそれぞれ測長ビームを照射し、それぞれの測長ビームの前記第1、第2ミラーの反射面からの反射光に基づいて、前記第1、第2ステージの位置を計測する干渉計と;を更に備える露光装置。 - 請求項10〜42のいずれか一項に記載の露光装置を用いて前記エネルギビームにより基板を露光するリソグラフィ工程を含むデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010012364A JP4952803B2 (ja) | 2004-02-02 | 2010-01-22 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004025837 | 2004-02-02 | ||
JP2004025837 | 2004-02-02 | ||
JP2004300566 | 2004-10-14 | ||
JP2004300566 | 2004-10-14 | ||
JP2010012364A JP4952803B2 (ja) | 2004-02-02 | 2010-01-22 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005517477A Division JP4910394B2 (ja) | 2004-02-02 | 2005-01-27 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010098333A true JP2010098333A (ja) | 2010-04-30 |
JP2010098333A5 JP2010098333A5 (ja) | 2011-06-16 |
JP4952803B2 JP4952803B2 (ja) | 2012-06-13 |
Family
ID=34829444
Family Applications (16)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005517477A Expired - Fee Related JP4910394B2 (ja) | 2004-02-02 | 2005-01-27 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010012364A Expired - Fee Related JP4952803B2 (ja) | 2004-02-02 | 2010-01-22 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010012363A Expired - Fee Related JP4952802B2 (ja) | 2004-02-02 | 2010-01-22 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011028991A Expired - Fee Related JP5287896B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011028992A Expired - Fee Related JP5287897B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011127624A Expired - Fee Related JP5287932B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-06-07 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078251A Expired - Fee Related JP5344061B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078281A Expired - Fee Related JP5333622B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013080851A Expired - Fee Related JP5488741B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-04-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013268680A Expired - Fee Related JP5630557B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-12-26 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2014122324A Expired - Fee Related JP5761430B2 (ja) | 2004-02-02 | 2014-06-13 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2015006834A Expired - Fee Related JP5930083B2 (ja) | 2004-02-02 | 2015-01-16 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2015124507A Expired - Fee Related JP5935929B2 (ja) | 2004-02-02 | 2015-06-22 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2016006012A Expired - Fee Related JP6052439B2 (ja) | 2004-02-02 | 2016-01-15 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2016132653A Expired - Fee Related JP6222301B2 (ja) | 2004-02-02 | 2016-07-04 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2017105222A Expired - Fee Related JP6327385B2 (ja) | 2004-02-02 | 2017-05-29 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005517477A Expired - Fee Related JP4910394B2 (ja) | 2004-02-02 | 2005-01-27 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (14)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010012363A Expired - Fee Related JP4952802B2 (ja) | 2004-02-02 | 2010-01-22 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011028991A Expired - Fee Related JP5287896B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011028992A Expired - Fee Related JP5287897B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011127624A Expired - Fee Related JP5287932B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-06-07 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078251A Expired - Fee Related JP5344061B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078281A Expired - Fee Related JP5333622B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013080851A Expired - Fee Related JP5488741B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-04-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013268680A Expired - Fee Related JP5630557B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-12-26 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2014122324A Expired - Fee Related JP5761430B2 (ja) | 2004-02-02 | 2014-06-13 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2015006834A Expired - Fee Related JP5930083B2 (ja) | 2004-02-02 | 2015-01-16 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2015124507A Expired - Fee Related JP5935929B2 (ja) | 2004-02-02 | 2015-06-22 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2016006012A Expired - Fee Related JP6052439B2 (ja) | 2004-02-02 | 2016-01-15 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2016132653A Expired - Fee Related JP6222301B2 (ja) | 2004-02-02 | 2016-07-04 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2017105222A Expired - Fee Related JP6327385B2 (ja) | 2004-02-02 | 2017-05-29 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (15) | US7589822B2 (ja) |
EP (9) | EP2284866B1 (ja) |
JP (16) | JP4910394B2 (ja) |
KR (16) | KR101276423B1 (ja) |
CN (1) | CN101685263B (ja) |
AT (1) | ATE493753T1 (ja) |
DE (1) | DE602005025596D1 (ja) |
HK (8) | HK1093606A1 (ja) |
IL (7) | IL226841A (ja) |
SG (5) | SG185343A1 (ja) |
TW (14) | TWI437374B (ja) |
WO (1) | WO2005074014A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014194847A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Ebara Corp | ステージ装置及び電子線応用装置 |
KR20190020139A (ko) * | 2016-07-06 | 2019-02-27 | 캐논 가부시끼가이샤 | 광학 장치, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 |
Families Citing this family (193)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP3141953A3 (en) | 2003-04-11 | 2017-06-07 | Nikon Corporation | Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine |
KR101674329B1 (ko) | 2003-06-19 | 2016-11-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
KR101242886B1 (ko) * | 2003-08-29 | 2013-03-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20070030467A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-02-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method |
JP4220423B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-02-04 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
US20070201010A1 (en) * | 2004-03-25 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | Exposure Apparatus, Exposure Method, And Device Manufacturing Method |
WO2005124833A1 (ja) * | 2004-06-21 | 2005-12-29 | Nikon Corporation | 露光装置及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法 |
SG156635A1 (en) | 2004-10-15 | 2009-11-26 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7119876B2 (en) * | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8330939B2 (en) * | 2004-11-01 | 2012-12-11 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with a liquid recovery port provided on at least one of a first stage and second stage |
TWI649790B (zh) * | 2004-11-18 | 2019-02-01 | 日商尼康股份有限公司 | 位置測量方法、位置控制方法、測量方法、裝載方法、曝光方法及曝光裝置、及元件製造方法 |
KR20070100865A (ko) * | 2004-12-06 | 2007-10-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 처리 방법, 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20070258068A1 (en) * | 2005-02-17 | 2007-11-08 | Hiroto Horikawa | Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5239337B2 (ja) | 2005-04-28 | 2013-07-17 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
CN101138070B (zh) * | 2005-08-05 | 2011-03-23 | 株式会社尼康 | 载台装置及曝光装置 |
CN101258581B (zh) | 2005-09-09 | 2011-05-11 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法以及设备制造方法 |
US7633073B2 (en) * | 2005-11-23 | 2009-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7871933B2 (en) * | 2005-12-01 | 2011-01-18 | International Business Machines Corporation | Combined stepper and deposition tool |
US8953148B2 (en) | 2005-12-28 | 2015-02-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and making method thereof |
CN102636966B (zh) | 2005-12-28 | 2014-12-03 | 株式会社尼康 | 曝光方法及曝光装置、以及元件制造方法 |
WO2007080523A1 (en) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Maglev object positioning apparatus and method for positioning an object and maintaining position with high stability |
SG10201510758QA (en) | 2006-01-19 | 2016-01-28 | Nikon Corp | Movable Body Drive Method, Movable Body Drive System, Pattern Formation Method, Pattern Forming Apparatus, Exposure Method, Exposure Apparatus, and Device Manufacturing Method |
SG170011A1 (en) | 2006-02-21 | 2011-04-29 | Nikon Corp | Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method and device manufacturing method |
SG178816A1 (en) * | 2006-02-21 | 2012-03-29 | Nikon Corp | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure appararus and method, and device manufacturing method |
KR101346581B1 (ko) | 2006-02-21 | 2014-01-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 형성 장치 및 패턴 형성 방법, 이동체 구동 시스템 및이동체 구동 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
JP5077770B2 (ja) | 2006-03-07 | 2012-11-21 | 株式会社ニコン | デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置 |
US7230676B1 (en) * | 2006-03-13 | 2007-06-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7310132B2 (en) * | 2006-03-17 | 2007-12-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7760324B2 (en) * | 2006-03-20 | 2010-07-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI454859B (zh) | 2006-03-30 | 2014-10-01 | 尼康股份有限公司 | 移動體裝置、曝光裝置與曝光方法以及元件製造方法 |
CN102298274A (zh) | 2006-05-18 | 2011-12-28 | 株式会社尼康 | 曝光方法及装置、维护方法、以及组件制造方法 |
EP2034514A4 (en) | 2006-05-22 | 2012-01-11 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, MAINTENANCE METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING THE DEVICE THEREFOR |
EP2034515A4 (en) | 2006-05-23 | 2012-01-18 | Nikon Corp | MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
WO2007139017A1 (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Nikon Corporation | 液体回収部材、基板保持部材、露光装置、及びデバイス製造方法 |
EP2037487A4 (en) | 2006-06-09 | 2014-07-02 | Nikon Corp | APPARATUS WITH MOBILE BODY, APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICES |
CN100456138C (zh) * | 2006-06-13 | 2009-01-28 | 上海微电子装备有限公司 | 浸没式光刻机浸液流场维持系统 |
KR20090033170A (ko) | 2006-06-30 | 2009-04-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 메인터넌스 방법, 노광 방법 및 장치 및 디바이스 제조 방법 |
WO2008026593A1 (fr) * | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition, procédé de fabrication de dispositif, procédé de nettoyage et élément de nettoyage |
TWI610149B (zh) | 2006-08-31 | 2018-01-01 | Nikon Corp | 移動體驅動系統及移動體驅動方法、圖案形成裝置及方法、曝光裝置及方法、元件製造方法、以及決定方法 |
KR101670638B1 (ko) | 2006-08-31 | 2016-11-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
EP3291010A1 (en) | 2006-08-31 | 2018-03-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
TWI574304B (zh) | 2006-09-01 | 2017-03-11 | 尼康股份有限公司 | Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, component manufacturing method, and correcting method |
CN102749812B (zh) | 2006-09-01 | 2015-04-29 | 株式会社尼康 | 移动体驱动方法及移动体驱动系统、图案形成方法及装置、曝光方法及装置、以及组件制造方法 |
US7872730B2 (en) * | 2006-09-15 | 2011-01-18 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method |
JP5120377B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2013-01-16 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US20080158531A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP5055971B2 (ja) | 2006-11-16 | 2012-10-24 | 株式会社ニコン | 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US7973910B2 (en) * | 2006-11-17 | 2011-07-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus and exposure apparatus |
JP5089143B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置 |
US20080156356A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
KR20100031694A (ko) * | 2007-05-28 | 2010-03-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 세정 장치, 및 클리닝 방법 그리고 노광 방법 |
US8164736B2 (en) | 2007-05-29 | 2012-04-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
US7737515B2 (en) * | 2007-06-20 | 2010-06-15 | New Jersey Institute Of Technology | Method of assembly using array of programmable magnets |
TWI443472B (zh) | 2007-07-13 | 2014-07-01 | 尼康股份有限公司 | Pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, and component manufacturing method and element |
US9025126B2 (en) | 2007-07-31 | 2015-05-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method |
US8421994B2 (en) | 2007-09-27 | 2013-04-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
US8279399B2 (en) * | 2007-10-22 | 2012-10-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP4986185B2 (ja) * | 2007-11-07 | 2012-07-25 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US8760622B2 (en) | 2007-12-11 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus and pattern formation apparatus, and device manufacturing method |
US8964166B2 (en) | 2007-12-17 | 2015-02-24 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus and method of producing device |
US20090153824A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Kla-Tencor Corporation | Multiple chuck scanning stage |
SG183058A1 (en) * | 2007-12-17 | 2012-08-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
US8269945B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-09-18 | Nikon Corporation | Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
CN102566320B (zh) | 2007-12-28 | 2015-01-28 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法以及器件制造方法 |
US8237916B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
JP5369443B2 (ja) | 2008-02-05 | 2013-12-18 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP5344180B2 (ja) | 2008-02-08 | 2013-11-20 | 株式会社ニコン | 位置計測システム及び位置計測方法、移動体装置、移動体駆動方法、露光装置及び露光方法、パターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2009218564A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-09-24 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20100039628A1 (en) * | 2008-03-19 | 2010-02-18 | Nikon Corporation | Cleaning tool, cleaning method, and device fabricating method |
WO2009125867A1 (ja) | 2008-04-11 | 2009-10-15 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US8654306B2 (en) * | 2008-04-14 | 2014-02-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method |
US8817236B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-08-26 | Nikon Corporation | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8786829B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8228482B2 (en) | 2008-05-13 | 2012-07-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8137875B2 (en) | 2008-05-22 | 2012-03-20 | Micronic-Mydata AB | Method and apparatus for overlay compensation between subsequently patterned layers on workpiece |
EP2128703A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-02 | ASML Netherlands BV | Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus |
TW201003053A (en) * | 2008-07-10 | 2010-01-16 | Nikon Corp | Deformation measuring apparatus, exposure apparatus, jig for deformation measuring apparatus, position measuring method and device manufacturing method |
JPWO2010050240A1 (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-29 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
EP2189849B1 (en) | 2008-11-21 | 2015-12-16 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus provided with a swap bridge |
EP2196857A3 (en) | 2008-12-09 | 2010-07-21 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9062260B2 (en) | 2008-12-10 | 2015-06-23 | Chevron U.S.A. Inc. | Removing unstable sulfur compounds from crude oil |
US8760629B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
US8902402B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8773635B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8896806B2 (en) | 2008-12-29 | 2014-11-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US20100196832A1 (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, liquid immersion member and device fabricating method |
KR101712219B1 (ko) | 2009-03-10 | 2017-03-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
US8202671B2 (en) | 2009-04-28 | 2012-06-19 | Nikon Corporation | Protective apparatus, mask, mask forming apparatus, mask forming method, exposure apparatus, device fabricating method, and foreign matter detecting apparatus |
WO2010125813A1 (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | 株式会社ニコン | 露光方法及びデバイス製造方法、並びに重ね合わせ誤差計測方法 |
US20110085152A1 (en) * | 2009-05-07 | 2011-04-14 | Hideaki Nishino | Vibration control apparatus, vibration control method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20100323303A1 (en) * | 2009-05-15 | 2010-12-23 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
US8395758B2 (en) | 2009-05-15 | 2013-03-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8792084B2 (en) * | 2009-05-20 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8970820B2 (en) * | 2009-05-20 | 2015-03-03 | Nikon Corporation | Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
IT1399285B1 (it) * | 2009-07-03 | 2013-04-11 | Applied Materials Inc | Sistema di lavorazione substrato |
US9164400B2 (en) * | 2009-08-07 | 2015-10-20 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5618261B2 (ja) | 2009-08-07 | 2014-11-05 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8493547B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8514395B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20110096312A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110096318A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110102761A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
US20110096306A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110199591A1 (en) * | 2009-10-14 | 2011-08-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, maintenance method and device fabricating method |
KR20170113709A (ko) | 2009-11-09 | 2017-10-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 노광 장치의 메인터넌스 방법, 노광 장치의 조정 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
US20110128523A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110123913A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
DE102009054653A1 (de) * | 2009-12-15 | 2011-06-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Substrat für einen solchen Spiegel, Verwendung einer Quarzschicht für ein solches Substrat, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel oder einem solchen Substrat und Projetktionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv |
CN103135365A (zh) | 2009-12-28 | 2013-06-05 | 株式会社尼康 | 液浸构件、液浸构件的制造方法、曝光装置、及元件制造方法 |
WO2011083724A1 (ja) | 2010-01-08 | 2011-07-14 | 株式会社ニコン | 液浸部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011156678A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sony Corp | 3次元造形装置、3次元造形物の製造方法及び3次元造形物 |
KR20120116329A (ko) | 2010-02-20 | 2012-10-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 광원 최적화 방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 프로그램, 노광 장치, 리소그래피 시스템, 광원 평가 방법 및 광원 변조 방법 |
US20110222031A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
NL2006506A (en) * | 2010-04-28 | 2011-10-31 | Asml Netherlands Bv | A component of an immersion system, an immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
US20120013864A1 (en) | 2010-07-14 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US8937703B2 (en) | 2010-07-14 | 2015-01-20 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120013863A1 (en) | 2010-07-14 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120012191A1 (en) | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120019803A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120019804A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, cleaning apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120019802A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
US8418773B2 (en) | 2010-09-10 | 2013-04-16 | Jason Cerrano | Fire-fighting control system |
JP5510299B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2014-06-04 | ウシオ電機株式会社 | 露光装置および露光方法 |
EP2469339B1 (en) * | 2010-12-21 | 2017-08-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20120162619A1 (en) | 2010-12-27 | 2012-06-28 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120188521A1 (en) | 2010-12-27 | 2012-07-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program and storage medium |
US9030057B2 (en) | 2011-06-24 | 2015-05-12 | Nikon Corporation | Method and apparatus to allow a plurality of stages to operate in close proximity |
US20130016329A1 (en) | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, measurement method, and device manufacturing method |
US9329496B2 (en) | 2011-07-21 | 2016-05-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, method of manufacturing device, program, and storage medium |
US9256137B2 (en) | 2011-08-25 | 2016-02-09 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method |
US20130050666A1 (en) | 2011-08-26 | 2013-02-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method |
US8794610B2 (en) * | 2011-09-20 | 2014-08-05 | Mitutoyo Corporation | Two-dimension precision transfer equipment, three-dimension precision transfer equipment, and coordinate measuring machine |
NL2009345A (en) * | 2011-09-28 | 2013-04-02 | Asml Netherlands Bv | Method of applying a pattern to a substrate, device manufacturing method and lithographic apparatus for use in such methods. |
WO2013073538A1 (ja) | 2011-11-17 | 2013-05-23 | 株式会社ニコン | エンコーダ装置、移動量計測方法、光学装置、並びに露光方法及び装置 |
US20130135594A1 (en) | 2011-11-25 | 2013-05-30 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US20130169944A1 (en) | 2011-12-28 | 2013-07-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
CN103199046B (zh) * | 2012-01-05 | 2015-09-09 | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 | 晶圆缺口边缘中心预对准方法 |
US9268231B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-02-23 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium |
US9323160B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-04-26 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, device fabricating method, program, and recording medium |
US20130271738A1 (en) * | 2012-04-13 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9823580B2 (en) | 2012-07-20 | 2017-11-21 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium |
CN108613638B (zh) | 2012-10-02 | 2020-09-18 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法、以及器件制造方法 |
US9494870B2 (en) | 2012-10-12 | 2016-11-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9568828B2 (en) | 2012-10-12 | 2017-02-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9772564B2 (en) * | 2012-11-12 | 2017-09-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
WO2014080957A1 (ja) | 2012-11-20 | 2014-05-30 | 株式会社ニコン | 露光装置、移動体装置、及びデバイス製造方法 |
EP2950328A4 (en) | 2012-11-30 | 2017-01-25 | Nikon Corporation | Suction apparatus, carry-in method, conveyance system, light exposure device, and device production method |
KR101450713B1 (ko) * | 2012-12-05 | 2014-10-16 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR101754679B1 (ko) | 2012-12-20 | 2017-07-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 이러한 장치에서 이용되는 테이블 |
US9651873B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-05-16 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium |
JP6119242B2 (ja) | 2012-12-27 | 2017-04-26 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US9720331B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-08-01 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium |
US9057955B2 (en) | 2013-01-22 | 2015-06-16 | Nikon Corporation | Functional film, liquid immersion member, method of manufacturing liquid immersion member, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9352073B2 (en) | 2013-01-22 | 2016-05-31 | Niko Corporation | Functional film |
WO2014132923A1 (ja) | 2013-02-28 | 2014-09-04 | 株式会社ニコン | 摺動膜、摺動膜が形成された部材、及びその製造方法 |
JP5344105B1 (ja) | 2013-03-08 | 2013-11-20 | ウシオ電機株式会社 | 光配向用偏光光照射装置及び光配向用偏光光照射方法 |
EP2838107B1 (en) | 2013-08-14 | 2016-06-01 | Fei Company | Circuit probe for charged particle beam system |
EP3057122B1 (en) | 2013-10-08 | 2018-11-21 | Nikon Corporation | Immersion member, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP6342486B2 (ja) * | 2013-10-09 | 2018-06-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 偏光非依存干渉計 |
US20150187540A1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Drawing apparatus and method of manufacturing article |
JP6481242B2 (ja) * | 2014-10-29 | 2019-03-13 | 新シコー科技株式会社 | レンズ駆動装置、カメラ装置及び電子機器 |
KR102688211B1 (ko) | 2015-02-23 | 2024-07-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
KR20240122568A (ko) | 2015-02-23 | 2024-08-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 관리 방법, 중첩 계측 방법 및 디바이스 제조 방법 |
CN111948913B (zh) * | 2015-02-23 | 2023-09-01 | 株式会社尼康 | 基板处理系统及基板处理方法 |
US9927723B2 (en) * | 2015-03-24 | 2018-03-27 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for on-the-fly digital exposure image data modification |
WO2016153031A1 (ja) | 2015-03-25 | 2016-09-29 | 株式会社ニコン | レイアウト方法、マーク検出方法、露光方法、計測装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
TW202316204A (zh) * | 2015-03-31 | 2023-04-16 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、平面顯示器之製造方法、元件製造方法、及曝光方法 |
JP6700932B2 (ja) * | 2016-04-20 | 2020-05-27 | キヤノン株式会社 | 検出装置、検出方法、プログラム、リソグラフィ装置、および物品製造方法 |
JP6353487B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2018-07-04 | 株式会社サーマプレシジョン | 投影露光装置及びその投影露光方法 |
JP7172596B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2022-11-16 | 株式会社ニコン | マーク検出装置及びマーク検出方法、計測装置、露光装置及び露光方法、並びに、デバイス製造方法 |
KR102566162B1 (ko) * | 2016-08-23 | 2023-08-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 검사 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 검사 방법 |
KR102556130B1 (ko) | 2016-09-27 | 2023-07-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 결정 방법 및 장치, 프로그램, 정보 기록 매체, 노광 장치, 레이아웃 정보 제공 방법, 레이아웃 방법, 마크 검출 방법, 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
CN110268334B (zh) * | 2017-02-03 | 2024-10-29 | Asml荷兰有限公司 | 曝光设备 |
DE112017007108T5 (de) * | 2017-02-22 | 2019-11-21 | Sintokogio, Ltd. | Prüfsystem |
US10009119B1 (en) * | 2017-03-06 | 2018-06-26 | The Boeing Company | Bandgap modulation for underwater communications and energy harvesting |
US11105619B2 (en) | 2017-07-14 | 2021-08-31 | Asml Netherlands B.V. | Measurement apparatus |
JP6985102B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2021-12-22 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP7060995B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2022-04-27 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
CN112204707B (zh) * | 2018-05-31 | 2024-07-23 | 应用材料公司 | 数字光刻系统的多基板处理 |
JP2020022010A (ja) | 2018-07-30 | 2020-02-06 | キヤノン株式会社 | 清掃装置及び清掃方法 |
US11556003B2 (en) | 2018-07-30 | 2023-01-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Cleaning apparatus and control method for cleaning apparatus |
CN110858551A (zh) * | 2018-08-24 | 2020-03-03 | 禾宬科技有限公司 | 半导体清洗装置及方法 |
TWI721307B (zh) * | 2018-09-21 | 2021-03-11 | 禾宬科技有限公司 | 半導體清洗裝置及方法 |
WO2020173652A1 (en) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | Asml Netherlands B.V. | Stage system and lithographic apparatus |
US11094499B1 (en) * | 2020-10-04 | 2021-08-17 | Borries Pte. Ltd. | Apparatus of charged-particle beam such as electron microscope comprising sliding specimen table within objective lens |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0851069A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-02-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ステップ・アンド・リピート装置 |
JPH10163097A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP2000164504A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及び前記ステージ装置を用いた位置決め方法 |
JP2000511704A (ja) * | 1997-03-10 | 2000-09-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 2個の物品ホルダを有する位置決め装置 |
JP2001118773A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2002305140A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
JP2003017404A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-17 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2003249443A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2003085708A1 (fr) * | 2002-04-09 | 2003-10-16 | Nikon Corporation | Procede d'exposition, dispositif d'exposition et procede de fabrication dudit dispositif |
JP2004207710A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2004259966A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2004114380A1 (ja) * | 2003-06-19 | 2004-12-29 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005026649A (ja) * | 2002-12-10 | 2005-01-27 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
JP2005086030A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Canon Inc | 露光装置及び露光装置の制御方法 |
JP2005183656A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2006523377A (ja) * | 2003-04-11 | 2006-10-12 | 株式会社ニコン | 液浸流体をリソグラフィック投影レンズ下に維持すること |
Family Cites Families (329)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US478661A (en) | 1892-07-12 | Henri tudor | ||
US723963A (en) * | 1902-10-01 | 1903-03-31 | Howard H Willson | Temporary binder. |
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3626560A (en) | 1970-06-04 | 1971-12-14 | Cogsdill Tool Prod | Sizing and finishing device for external surfaces |
US4026653A (en) | 1975-05-09 | 1977-05-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Proximity printing method |
US4341164A (en) | 1980-06-13 | 1982-07-27 | Charles H. Ruble | Folding camp table |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
US4465363A (en) | 1981-11-27 | 1984-08-14 | Hoechst Aktiengesellschaft | Cleaning device for cleaning the peripheral surface of a photoconductive drum in an electrophotographic copier |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
JPS59228356A (ja) | 1983-06-09 | 1984-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空気電池の収納ケ−ス |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
US4650983A (en) | 1983-11-07 | 1987-03-17 | Nippon Kogaku K. K. | Focusing apparatus for projection optical system |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6122249A (ja) | 1984-07-11 | 1986-01-30 | Tokyo Keiki Co Ltd | 超音波探傷器 |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JP2940553B2 (ja) | 1988-12-21 | 1999-08-25 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
US5121256A (en) * | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
US5243195A (en) | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
JP3200874B2 (ja) | 1991-07-10 | 2001-08-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JP3203719B2 (ja) | 1991-12-26 | 2001-08-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法 |
US5469963A (en) * | 1992-04-08 | 1995-11-28 | Asyst Technologies, Inc. | Sealable transportable container having improved liner |
JPH05304072A (ja) | 1992-04-08 | 1993-11-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JPH06208058A (ja) | 1993-01-13 | 1994-07-26 | Olympus Optical Co Ltd | 顕微鏡対物レンズ |
US5591958A (en) * | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JPH09311278A (ja) | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JP3635684B2 (ja) | 1994-08-23 | 2005-04-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置 |
JP3747958B2 (ja) | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
JP3747951B2 (ja) | 1994-11-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
US5636066A (en) | 1993-03-12 | 1997-06-03 | Nikon Corporation | Optical apparatus |
JP3265503B2 (ja) | 1993-06-11 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
US5534970A (en) | 1993-06-11 | 1996-07-09 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus |
DE69434633T2 (de) | 1993-06-18 | 2006-12-07 | Hitachi Maxell, Ltd., Ibaraki | Zelle mit organischer Elektrolytlösung |
JP3212199B2 (ja) * | 1993-10-04 | 2001-09-25 | 旭硝子株式会社 | 平板型陰極線管 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US7365513B1 (en) | 1994-04-01 | 2008-04-29 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US6989647B1 (en) | 1994-04-01 | 2006-01-24 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
JP3395801B2 (ja) | 1994-04-28 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH07335748A (ja) | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
KR0124189B1 (ko) * | 1994-07-29 | 1997-11-25 | 배순훈 | 다중광학계를 갖춘 광픽업장치 |
USRE38438E1 (en) | 1994-08-23 | 2004-02-24 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same |
JPH0883753A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 焦点検出方法 |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08136475A (ja) | 1994-11-14 | 1996-05-31 | Kawasaki Steel Corp | 板状材の表面観察装置 |
JP3387075B2 (ja) | 1994-12-12 | 2003-03-17 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置 |
JPH08171054A (ja) | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US5677758A (en) | 1995-02-09 | 1997-10-14 | Mrs Technology, Inc. | Lithography System using dual substrate stages |
US6008500A (en) | 1995-04-04 | 1999-12-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame |
DE69604524T2 (de) * | 1995-04-25 | 2000-04-13 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Abtastbelichtungsapparat und Belichtungsverfahren unter Verwendung desselben |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5751404A (en) * | 1995-07-24 | 1998-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates |
JP3526042B2 (ja) | 1995-08-09 | 2004-05-10 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH0954443A (ja) * | 1995-08-18 | 1997-02-25 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
JPH09232213A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US5964441A (en) | 1996-04-01 | 1999-10-12 | Lear Corporation | Linkage assembly with extruded hole member |
JPH103039A (ja) | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH1020195A (ja) | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP4029181B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
CN1244018C (zh) | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光方法和曝光装置 |
US5815246A (en) | 1996-12-24 | 1998-09-29 | U.S. Philips Corporation | Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device |
JP2000505958A (ja) | 1996-12-24 | 2000-05-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 2個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置 |
JPH10209039A (ja) | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 投影露光方法及び投影露光装置 |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
EP1028456A4 (en) | 1997-09-19 | 2003-03-05 | Nikon Corp | PLATINUM, SCANNING ALIGNMENT DEVICE, AND SCANNING EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY |
JP2000106340A (ja) | 1997-09-26 | 2000-04-11 | Nikon Corp | 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
AU1175799A (en) | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Nikon Corporation | Projection aligner and projection exposure method |
JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6897963B1 (en) | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
WO1999031462A1 (fr) * | 1997-12-18 | 1999-06-24 | Nikon Corporation | Platine et appareil d'exposition |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
AU5650399A (en) | 1998-09-17 | 2000-04-10 | Nikon Corporation | Method of adjusting optical projection system |
AU2041000A (en) * | 1998-12-02 | 2000-06-19 | Kensington Laboratories, Inc. | Specimen holding robotic arm end effector |
JP2000187338A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-04 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2000216082A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-04 | Nikon Corp | ステ―ジ装置および露光装置 |
KR20020006670A (ko) * | 1999-03-12 | 2002-01-24 | 시마무라 테루오 | 노광장치 및 노광방법, 그리고 디바이스 제조방법 |
JP4365934B2 (ja) | 1999-05-10 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
TWI223734B (en) | 1999-12-21 | 2004-11-11 | Asml Netherlands Bv | Crash prevention in positioning apparatus for use in lithographic projection apparatus |
EP1111471B1 (en) | 1999-12-21 | 2005-11-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus with collision preventing device |
TW546551B (en) | 1999-12-21 | 2003-08-11 | Asml Netherlands Bv | Balanced positioning system for use in lithographic apparatus |
US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
JP2001267239A (ja) | 2000-01-14 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2001241439A (ja) | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Canon Inc | 静圧軸受を備えた移動装置 |
SG107560A1 (en) | 2000-02-25 | 2004-12-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JP2001244177A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Nikon Corp | ステージ装置とホルダ、および走査型露光装置並びに露光装置 |
KR100945707B1 (ko) * | 2000-02-28 | 2010-03-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지장치와 홀더, 및 주사형 노광장치 그리고 노광장치 |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
KR100833275B1 (ko) | 2000-05-03 | 2008-05-28 | 에이에스엠엘 유에스, 인크. | 정화 가스를 이용한 비접촉식 시일 |
TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
JP4405071B2 (ja) | 2000-10-23 | 2010-01-27 | パナソニック株式会社 | 送り装置及びそれを具備する光ディスク原盤記録装置 |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
US20020163629A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
JP2002339853A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-27 | Nissan Motor Co Ltd | 充電ステーション |
KR100423783B1 (ko) * | 2001-06-13 | 2004-03-22 | 제일모직주식회사 | 인조 대리석의 제조 공정 |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
JPWO2003010802A1 (ja) * | 2001-07-26 | 2004-11-18 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US6680774B1 (en) * | 2001-10-09 | 2004-01-20 | Ultratech Stepper, Inc. | Method and apparatus for mechanically masking a workpiece |
US6665054B2 (en) | 2001-10-22 | 2003-12-16 | Nikon Corporation | Two stage method |
US7134668B2 (en) * | 2001-10-24 | 2006-11-14 | Ebara Corporation | Differential pumping seal apparatus |
WO2003065427A1 (fr) * | 2002-01-29 | 2003-08-07 | Nikon Corporation | Dispositif et procede d'exposition |
US20050003048A1 (en) * | 2002-02-11 | 2005-01-06 | Edizone, Lc | Electrolyte-containing orally soluble films |
US7190527B2 (en) | 2002-03-01 | 2007-03-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective |
DE10229249A1 (de) | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille |
US7154676B2 (en) | 2002-03-01 | 2006-12-26 | Carl Zeiss Smt A.G. | Very-high aperture projection objective |
US7092069B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
TW200305927A (en) * | 2002-03-22 | 2003-11-01 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device |
KR20040104691A (ko) | 2002-05-03 | 2004-12-10 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈 |
JP4360064B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | ステージ装置および露光装置 |
TWI249082B (en) | 2002-08-23 | 2006-02-11 | Nikon Corp | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
TW559895B (en) * | 2002-09-27 | 2003-11-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | Exposure system and exposure method thereof |
US7383843B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101470360B (zh) | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
US7372541B2 (en) | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420299B1 (en) | 2002-11-12 | 2011-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG2010050110A (en) | 2002-11-12 | 2014-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3953460B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-08-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置 |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10253679A1 (de) | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
SG2011031200A (en) | 2002-12-10 | 2014-09-26 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6992750B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
ATE424026T1 (de) | 2002-12-13 | 2009-03-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht |
AU2003295177A1 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
US7010958B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
KR100971441B1 (ko) | 2002-12-19 | 2010-07-21 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치 |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
TWI247339B (en) | 2003-02-21 | 2006-01-11 | Asml Holding Nv | Lithographic printing with polarized light |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6943941B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
KR101176817B1 (ko) | 2003-04-07 | 2012-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
KR20110104084A (ko) | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
KR101178754B1 (ko) * | 2003-04-10 | 2012-09-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
EP3062152B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-20 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
WO2004093160A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
WO2004092830A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
DE602004024295D1 (de) | 2003-04-11 | 2010-01-07 | Nippon Kogaku Kk | Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie |
JP2006523958A (ja) | 2003-04-17 | 2006-10-19 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造 |
JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4552853B2 (ja) * | 2003-05-15 | 2010-09-29 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TWI612556B (zh) | 2003-05-23 | 2018-01-21 | Nikon Corp | 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 |
CN1307456C (zh) | 2003-05-23 | 2007-03-28 | 佳能株式会社 | 投影光学系统、曝光装置及器件的制造方法 |
JP2004349645A (ja) | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Sony Corp | 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法 |
TWI442694B (zh) | 2003-05-30 | 2014-06-21 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及元件製造方法 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261742A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4343597B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005019616A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
DE60308161T2 (de) | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1494074A1 (en) | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1639391A4 (en) | 2003-07-01 | 2009-04-29 | Nikon Corp | USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS |
EP2853943B1 (en) | 2003-07-08 | 2016-11-16 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
SG109000A1 (en) | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
EP1500982A1 (en) | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7309345B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-12-18 | Boston Scientific-Scimed, Inc. | Method and system for delivering an implant utilizing a lumen reducing member |
US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
JP4492239B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
KR101403117B1 (ko) | 2003-07-28 | 2014-06-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법 |
EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7326522B2 (en) * | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005057294A (ja) | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Asml Netherlands Bv | インタフェースユニット、該インタフェースユニットを含むリソグラフィ投影装置、及びデバイス製造方法 |
US7700267B2 (en) | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7579135B2 (en) | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
KR101590686B1 (ko) | 2003-09-03 | 2016-02-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
EP1519230A1 (en) | 2003-09-29 | 2005-03-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7158211B2 (en) | 2003-09-29 | 2007-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1519231B1 (en) | 2003-09-29 | 2005-12-21 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
JP2005136374A (ja) | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
EP1524557A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1524558A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7678527B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
JP2005159322A (ja) | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
EP1685446A2 (en) | 2003-11-05 | 2006-08-02 | DSM IP Assets B.V. | A method and apparatus for producing microchips |
US7924397B2 (en) | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
EP1531362A3 (en) | 2003-11-13 | 2007-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
JP2005150290A (ja) | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Canon Inc | 露光装置およびデバイスの製造方法 |
JP4295712B2 (ja) * | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
EP1695148B1 (en) | 2003-11-24 | 2015-10-28 | Carl Zeiss SMT GmbH | Immersion objective |
US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10355301B3 (de) | 2003-11-27 | 2005-06-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Abbildung einer Struktur auf einen Halbleiter-Wafer mittels Immersionslithographie |
US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
JP2005175016A (ja) | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
EP1697798A2 (en) | 2003-12-15 | 2006-09-06 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
JP2007516613A (ja) | 2003-12-15 | 2007-06-21 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | 少なくとも1つの液体レンズを備えるマイクロリソグラフィー投影対物レンズとしての対物レンズ |
WO2005106589A1 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
JP4308638B2 (ja) | 2003-12-17 | 2009-08-05 | パナソニック株式会社 | パターン形成方法 |
JP4323946B2 (ja) | 2003-12-19 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US20050185269A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
WO2005059645A2 (en) | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal elements |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
DE10360788A1 (de) | 2003-12-23 | 2005-07-28 | Marconi Communications Gmbh | Optisches Kommunikationsnetz und Komponente dafür |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
KR101204114B1 (ko) | 2004-01-14 | 2012-11-23 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
JP4958562B2 (ja) | 2004-01-16 | 2012-06-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 偏光変調光学素子 |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
JP4843503B2 (ja) | 2004-01-20 | 2011-12-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
US7026259B2 (en) | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
US8054947B2 (en) * | 2004-02-02 | 2011-11-08 | Eicon Networks Corporation | Apparatus and method for multiplexing communication signals |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP4506674B2 (ja) | 2004-02-03 | 2010-07-21 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8852850B2 (en) | 2004-02-03 | 2014-10-07 | Rochester Institute Of Technology | Method of photolithography using a fluid and a system thereof |
US7050146B2 (en) * | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1716454A1 (en) | 2004-02-09 | 2006-11-02 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
KR101115111B1 (ko) | 2004-02-13 | 2012-04-16 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로 리소그래프 투영 노광 장치 투영 대물 렌즈 |
WO2005081030A1 (en) | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Corning Incorporated | Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light |
JP2005236087A (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2005259789A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法 |
US20050205108A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
JP2005268700A (ja) | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US7027125B2 (en) * | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
US7084960B2 (en) * | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
JP2005285881A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US7034917B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7227619B2 (en) | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7295283B2 (en) | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005098504A1 (en) | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7271878B2 (en) | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
US7244665B2 (en) | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
US7379159B2 (en) | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005111722A2 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-24 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
KR20180078354A (ko) | 2004-05-17 | 2018-07-09 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4845880B2 (ja) | 2004-06-04 | 2011-12-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学結像系の像品質測定システム |
KR101199076B1 (ko) | 2004-06-04 | 2012-11-07 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소 |
US7057702B2 (en) * | 2004-06-23 | 2006-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3919782B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2007-05-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
SG156635A1 (en) | 2004-10-15 | 2009-11-26 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7119876B2 (en) * | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7700365B2 (en) * | 2004-10-29 | 2010-04-20 | Mayo Foundation For Medical Education And Research | Vitamin D deficiencies |
US7583357B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7403261B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102004061462A1 (de) * | 2004-12-17 | 2006-07-06 | Delphi Technologies, Inc., Troy | Verfahren und Vorrichtung zur Motorsteuerung bei einem Kraftfahrzeug |
US7528931B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124351A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7161659B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2034515A4 (en) * | 2006-05-23 | 2012-01-18 | Nikon Corp | MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
JP4442904B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2010-03-31 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP5304072B2 (ja) | 2007-07-18 | 2013-10-02 | ヤマハ株式会社 | 力覚制御装置、鍵盤楽器、力覚制御方法およびプログラム |
TWI452546B (zh) * | 2012-12-28 | 2014-09-11 | Univ Chienkuo Technology | Hybrid large - scale collapse model |
-
2004
- 2004-02-02 US US10/588,029 patent/US7589822B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-01-27 KR KR1020127015767A patent/KR101276423B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020117003627A patent/KR101187615B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 AT AT05704182T patent/ATE493753T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-01-27 SG SG2012080503A patent/SG185343A1/en unknown
- 2005-01-27 WO PCT/JP2005/001076 patent/WO2005074014A1/ja active Application Filing
- 2005-01-27 KR KR1020067012095A patent/KR101187616B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP10186153.2A patent/EP2284866B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020117026306A patent/KR101276512B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020147017029A patent/KR101590742B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP10186147.4A patent/EP2287894B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 EP EP16186291.7A patent/EP3139401A1/en not_active Withdrawn
- 2005-01-27 EP EP10186140.9A patent/EP2287893B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020117003626A patent/KR101187618B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP05704182A patent/EP1713113B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 EP EP15179672.9A patent/EP2980834B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020157001506A patent/KR101673826B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 SG SG2013076823A patent/SG195559A1/en unknown
- 2005-01-27 KR KR1020187002348A patent/KR20180011877A/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020157028041A patent/KR101698290B1/ko active Application Filing
- 2005-01-27 KR KR1020117003625A patent/KR101187614B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020137031485A patent/KR101539877B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 JP JP2005517477A patent/JP4910394B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-27 KR KR1020127019812A patent/KR101476015B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 CN CN2009101689947A patent/CN101685263B/zh active Active
- 2005-01-27 EP EP15185639.0A patent/EP2998982B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020127019814A patent/KR101288139B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP15171838.4A patent/EP2960927B1/en active Active
- 2005-01-27 EP EP10186134.2A patent/EP2267759B1/en not_active Ceased
- 2005-01-27 KR KR1020117003628A patent/KR101191061B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 SG SG200903003-2A patent/SG152294A1/en unknown
- 2005-01-27 KR KR1020117003587A patent/KR101235523B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 DE DE602005025596T patent/DE602005025596D1/de active Active
- 2005-01-27 KR KR1020177000846A patent/KR101824373B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 SG SG200903000-8A patent/SG152291A1/en unknown
- 2005-01-27 SG SG2012080495A patent/SG185342A1/en unknown
- 2005-02-02 TW TW098120057A patent/TWI437374B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW107106822A patent/TW201823875A/zh unknown
- 2005-02-02 TW TW098120060A patent/TWI437376B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW094103146A patent/TWI390358B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW104118470A patent/TWI596440B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098115103A patent/TWI443475B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW106100843A patent/TWI627511B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW101103186A patent/TWI499870B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW103100487A patent/TWI564673B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098120061A patent/TWI436170B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098120058A patent/TWI437375B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW104127655A patent/TWI578114B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW101146582A patent/TWI498680B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW101103185A patent/TWI521312B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-08-01 IL IL226841A patent/IL226841A/en active IP Right Grant
- 2006-08-01 IL IL226838A patent/IL226838A/en active IP Right Grant
- 2006-08-01 IL IL177221A patent/IL177221A/en active IP Right Grant
- 2006-10-23 HK HK06111676.2A patent/HK1093606A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-04-20 US US11/785,860 patent/US8045136B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-22 US US11/812,919 patent/US9632431B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-05-08 US US12/453,386 patent/US20090231564A1/en not_active Abandoned
- 2009-08-05 US US12/461,244 patent/US8553203B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-05 US US12/461,246 patent/US8547528B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-22 JP JP2010012364A patent/JP4952803B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-22 JP JP2010012363A patent/JP4952802B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-24 US US12/659,894 patent/US9665016B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-18 HK HK10106066.4A patent/HK1139469A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2010-10-07 US US12/923,785 patent/US8705002B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-07 US US12/923,783 patent/US8724079B2/en active Active
- 2010-10-07 US US12/923,786 patent/US8736808B2/en active Active
- 2010-10-07 US US12/923,784 patent/US8711328B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-14 JP JP2011028991A patent/JP5287896B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-14 JP JP2011028992A patent/JP5287897B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-23 HK HK11105039.9A patent/HK1151144A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK16109044.9A patent/HK1221071A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK11105679.4A patent/HK1151630A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 JP JP2011127624A patent/JP5287932B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-07 HK HK11105685.6A patent/HK1151631A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK16104747.0A patent/HK1217249A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012078251A patent/JP5344061B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-29 JP JP2012078281A patent/JP5333622B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-30 US US13/435,780 patent/US9684248B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-04-08 JP JP2013080851A patent/JP5488741B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-06-09 IL IL226840A patent/IL226840A/en active IP Right Grant
- 2013-06-09 IL IL226838A patent/IL226838A0/en unknown
- 2013-06-09 IL IL226839A patent/IL226839A/en active IP Right Grant
- 2013-06-09 IL IL226841A patent/IL226841A0/en unknown
- 2013-12-26 JP JP2013268680A patent/JP5630557B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-06-13 JP JP2014122324A patent/JP5761430B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-16 JP JP2015006834A patent/JP5930083B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-03-19 US US14/663,084 patent/US10007196B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-22 JP JP2015124507A patent/JP5935929B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-09-08 US US14/847,746 patent/US10139737B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-01-15 JP JP2016006012A patent/JP6052439B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-06-21 HK HK16107103.1A patent/HK1219172A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-07-04 JP JP2016132653A patent/JP6222301B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-05-29 JP JP2017105222A patent/JP6327385B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-11-20 US US16/196,416 patent/US20190086815A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0851069A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-02-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ステップ・アンド・リピート装置 |
JPH10163097A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP2000511704A (ja) * | 1997-03-10 | 2000-09-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 2個の物品ホルダを有する位置決め装置 |
JP2000164504A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及び前記ステージ装置を用いた位置決め方法 |
JP2001118773A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2002305140A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
JP2003017404A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-17 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2003249443A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2003085708A1 (fr) * | 2002-04-09 | 2003-10-16 | Nikon Corporation | Procede d'exposition, dispositif d'exposition et procede de fabrication dudit dispositif |
JP2004207710A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
JP2005026649A (ja) * | 2002-12-10 | 2005-01-27 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
JP2004259966A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006523377A (ja) * | 2003-04-11 | 2006-10-12 | 株式会社ニコン | 液浸流体をリソグラフィック投影レンズ下に維持すること |
WO2004114380A1 (ja) * | 2003-06-19 | 2004-12-29 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005086030A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Canon Inc | 露光装置及び露光装置の制御方法 |
JP2005183656A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Canon Inc | 露光装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014194847A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Ebara Corp | ステージ装置及び電子線応用装置 |
KR20190020139A (ko) * | 2016-07-06 | 2019-02-27 | 캐논 가부시끼가이샤 | 광학 장치, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 |
KR102165797B1 (ko) | 2016-07-06 | 2020-10-14 | 캐논 가부시끼가이샤 | 광학 장치, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6327385B2 (ja) | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110421 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120214 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4952803 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150323 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150323 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |