JP2020143364A - 低伝送損失銅箔 - Google Patents

Abstract

【課題】低伝送損失を有する導電材料として、回路板に使用できる、制御された表面特性を有する電解銅箔を提供する。【解決手段】１．９０μｍ3／μｍ2未満の実体体積（ｍａｔｅｒｉａｌ ｖｏｌｕｍｅ、Ｖｍ）を有する表面処理銅箔１００であり、ドラム面１０４で処理を行っており、ノジュール層１１２を含む処理層１０８を有する表面処理銅箔。【選択図】図１

Description

本発明は、制御された表面特性を有する電解銅箔に関する。本発明は、電気信号の低伝送損失を示し、前記電解銅箔を素子として含む回路板などにも関する。

大量のデータを送信する需要が日々高まっており、回路板上の素子間の伝送速度を絶えずに増加させる必要がある。これらの速度を実現するために、周波数範囲は１ＭＨｚ未満から、１ＧＨｚ、１０ＧＨｚ、又はそれ以上に増加する必要がある。このような高い範囲では、電流は、主に導体の表面に近いところで流れており、これは、周知の「表皮効果（ｓｋｉｎ ｅｆｆｅｃｔ）」によるものであり、すなわち、高周波電流密度は、導体の表面で最も高く、中心に向かって指数関数的に減衰する傾向がある。表皮深度（ｓｋｉｎ ｄｅｐｔｈ）は、約６７％の信号を載せ、周波数の平方根に反比例する。したがって、１ＭＨｚでの表皮深度は６５．２μｍであり、１ＧＨｚでの表皮深度は２．１μｍであり、１０ＧＨｚでの表皮深度はわずか０．７μｍである。表皮深度程度又はそれ以上の粗さが信号伝送に影響を与えるため、より高い周波数では、導体の表面トポグラフィ又は粗度がますます重要となる。

劣化を強める要因の一つは、通常、導体と回路版におけるラミネート構造に使用される樹脂層との接着特性を強化するために、プリント回路板における導体の表面が意図的に粗化されることにある。通常、粗化された表面の表面粗度Ｒｚは数μｍ程度であり、それはＧＨｚ範囲内の全ての伝送に影響を与える。したがって、導体の設計は、十分な接着性を確保するための高い粗度を求めるが、一方、伝送損失を最小限に抑えるための低い粗度も求めているので、この二つの矛盾の要求によって制約される。

表面トポグラフィを制御しようとする１つのアプローチは、電解銅箔の沈積面又はドラム面を粗化することである。沈積面は、通常、ドラム面又は「光沢（ｓｈｉｎｙ）」面よりも粗い。通常の処理箔においては、沈積面は粗化され、その粗度は一般的に高いため、樹脂層との接着性が優れている。情報伝送の品質を維持するために、リバース処理箔（Ｒｅｖｅｒｓｅ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ Ｆｏｉｌ、ＲＴＦ）が開発された。ＲＴＦは、その光沢面で粗化処理が行われたため、その粗度は、全く粗化もされていない表面の粗度より高くなるが、沈積面で粗化処理が行われた粗度よりも低く制御することができる。そのため、ＲＴＦは、良好な接着性を提供し、例えば、通常の処理箔に相当するか、又は少なくとも回路板での適用に対しては許容できる。ＲＴＦは、通常の処理箔に比べて、信号の伝送損失を理想的に低減することもできる。

ＲＴＦ技術は、伝送損失を改善できるにもかかわらず、銅箔のどのような表面特性が満足できる改善を提供するかはまだ不明である。表面粗度Ｒｚは、パラメータの一つとすることができるが、いくつかの場合において、この特性の予測性は不十分である。したがって、回路板を製造するための低伝送損失と制御特性を有する銅箔については、依然として必要とする。

総合的に、本開示は、銅箔に関し、例えば、回路板における導体として使用できる電解銅箔に関する。製造された銅箔は、制御された表面特性を有し、高周波でも低伝送損失を提供することができる。

第一の態様において、本発明は、電解銅箔と処理層とを含む表面処理銅箔を提供し、前記電解銅箔はドラム面と沈積面とを含み、前記処理層は前記ドラム面に配置されて表面処理面を提供し、前記処理層はノジュール（ｎｏｄｕｌｅ）層を含む。前記表面処理面は１．９０μｍ³／μｍ²未満の実体体積（ｍａｔｅｒｉａｌ ｖｏｌｕｍｅ、Ｖｍ）を有する。必要に応じて、前記表面処理面は０．１１μｍ³／μｍ²〜１．８６μｍ³／μｍ²の範囲内、例えば０．２５μｍ³／μｍ²〜０．８５μｍ³／μｍ²の範囲内にある実体体積を有する。必要に応じて、前記ノジュール層は銅ノジュールを含む。必要に応じて、前記表面処理銅箔が２００℃で１時間加熱された後、前記表面処理銅箔は、２１．３ｋｇ／ｍｍ²〜４５．１ｋｇ／ｍｍ²の範囲内にある引張強度（ｔｅｎｓｉｌｅ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）を有する。

いくつかの場合において、前記表面処理銅箔は４６８ｐｐｍ以下の酸素含有量、例えば、必要に応じて、３４８ｐｐｍ未満の酸素含有量を有する。必要に応じて、前記表面処理銅箔は５３ｐｐｍ〜３４８ｐｐｍの範囲内にある酸素含有量を有する。必要に応じて、前記表面処理面は０．２５μｍ³／μｍ²〜１．９０μｍ³／μｍ²の範囲内にある実体体積を有し、前記表面処理銅箔は４６８ｐｐｍ以下の酸素含有量を有する。

いくつかの場合において、前記表面処理銅箔は２９ｐｐｍ以下の水素含有量を有する。必要に応じて、前記表面処理銅箔は５ｐｐｍ〜２９ｐｐｍの範囲内にある水素含有量を有する。

必要に応じて、前記処理層はカバー層（ｃｏｖｅｒ ｌａｙｅｒ）、バリア層（ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙｅｒ）、防錆層（ａｎｔｉ−ｔａｒｎｉｓｈ）及びカップリング層（ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｌａｙｅｒ）の少なくとも一つをさらに含む。必要に応じて、前記カバー層は銅を含む。必要に応じて、前記バリア層は金属又は少なくとも一種の金属を含有する合金を含み、前記金属はニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、スズ（Ｓｎ）及びバナジウム（Ｖ）から選ばれる。必要に応じて、前記バリア層は二つ以上の層を含み、各層は独立して金属又は少なくとも一種の金属を含有する合金を含み、前記金属はニッケル、亜鉛、クロム、コバルト、モリブデン、鉄、スズ及びバナジウムから選ばれる。必要に応じて、前記防錆層はクロムを含む。必要に応じて、前記カップリング層はシリコンを含む。

第二の態様において、本発明は、表面処理銅箔と樹脂層とを含むラミネート板を提供し、前記樹脂層は、前記表面処理銅箔の表面処理面と接触する。前記表面処理銅箔は電解銅箔と処理層とを含み、前記電解銅箔はドラム面と沈積面とを含み、前記処理層は前記ドラム面に配置されて表面処理面を提供し、また、前記処理層はノジュール層を含む。前記表面処理面は０．１１μｍ³／μｍ²〜１．８６μｍ³／μｍ²の範囲内にある実体体積（Ｖｍ）も有する。前記表面処理銅箔は、４６８ｐｐｍ以下の酸素含有量を有し、２９ｐｐｍ以下の水素含有量を有し、また、前記表面処理銅箔は、２００℃で１時間加熱された後、２１．３ｋｇ／ｍｍ²〜４５．１ｋｇ／ｍｍ²の範囲内にある引張強度を有する。

第三の態様において、本発明は、第一の態樣に係る表面処理銅箔と回路板に取り付けられた複数の素子とを含む回路板を提供する。前記複数の素子における少なくとも第１素子と第２素子は、前記回路板の表面処理銅箔を介して互いに電気的に接続される。

上記のまとめは、本発明のすべての実施例又は実施態様を代表するためのものではない。むしろ、上記のまとめは、単に本発明の明細書に記載されているいくつかの新規な態様及び特徴を示す例を提供するに過ぎない。添付の図面及び特許請求の範囲を組み合わせる際、以下の本発明を実施するための代表的な実施形態及び模式的な詳しい説明によれば、本発明の上記の特徴及び利点並びに他の特徴及び利点は明らかとなる。

本発明は、以下の例示的な実施形態の説明及び添付の図面の参照により、さらに理解される。
いくつかの具体的な実施態樣に係る表面処理銅箔を示す図である。 ３Ｄ表面プロット及び負荷面積率（ａｒｅａｌ ｍａｔｅｒｉａｌ ｒａｔｉｏ）を示す図である。

本発明は、様々な修飾及び代替形態を許容できる。図面の例示により、いくつかの代表的な実施形態を示し、本明細書において、それらについて詳細に説明する。ただし、本発明は、開示された特定の形態によって限定されるものではないことが理解されるべきである。むしろ、本発明は、本発明の特許請求の範囲によって定義される精神及び範囲内に含まれるすべての修飾、均等物及び代替物を含む。

本発明は、低伝送損失を有する表面処理銅箔が開示されている。 前記表面処理銅箔は、制御された表面特性、例えば、実体体積を有する。このような表面処理銅箔は、低い電気信号の伝送損失を必要とする製品、 例えば、プリント回路板又はいずれかの絶縁体を覆う薄い銅箔の製造に有用である。

図１は、電解銅箔１０２と処理層１０８とを含む表面処理銅箔１００の具体的な実施形態の横断面模式図を示す。電解銅箔１０２は、ドラム面１０４と沈積面１０６とを有する。処理層１０８は、ドラム面１０４に配置されて、表面処理面１１０を提供する。

本明細書に用いられる電解銅箔の「ドラム面」又は「光沢（ｓｈｉｎｙ）面」とは、電着過程に使用されているカソードドラムと接触する電解銅箔の表面であり、また、「沈積面」とは、前記ドラム面の反対側にある面、あるいは、電解銅箔を形成する電着過程において電解液と接触する電解銅箔の表面である。これらの用語は、回転するカソードドラムの部品を部分的に銅イオン含有電解液に浸漬することを含む電解銅箔の製造方法に関する。このため、電流の作用下で、銅イオンがカソードドラムに吸引されて還元されることにより、カソードドラムの表面に銅金属をメッキさせて、カソードドラムの表面に電解銅箔を形成する。カソードドラムを回転させることにより、形成された銅箔がカソードドラムと共に電解液から出たときに、前記銅箔を剥離することで、電解銅箔をカソードドラムから剥離して連続工程で形成する。例えば、当該電解銅箔は、形成時にカソードドラムから引き出して、連続工程においてローラーを横切る又は通過することができる。

電解銅箔１０２のドラム面１０４にて、さらに表面処理を行うことにより、処理層を形成する。図１に示されるように、ドラム面１０４は、処理層１０８で覆われることにより、処理層１０８の外表面である表面処理面１１０を提供する。表面処理は、一つ以上の処理を含むことができ、例えば、ノジュール層１１２を提供する粗化処理、バリア層１１４を提供するパッシベーション処理、防錆層１１６を提供する防錆処理及びカップリング層１１８を提供するカップリング処理などがある。したがって、図１に示す具体的な実施態樣において、当該ノジュール層１１２、バリア層１１４、防錆層１１６及びカップリング層１１８は、処理層１０８のサブ層（ｓｕｂ−ｌａｙｅｒ）である。図に示される表面処理及び処理層１０８の特定のサブ層は一つ実施形態であり、他のいくつかの実施形態では、それ以外、又はその代替物として他の表面処理及び他のサブ層を使用することができる。したがって、処理層１０８は、異なる実施形態にいて、一つ又は複数のサブ層が存在することができる。

表面処理面１１０の表面特性を制御することにより、高周波での低い伝送損失を達成できる。例えば、実体体積（Ｖｍ）の表面特性を制御できるため、良好的な伝送特性を有する回路板が製造できる。

本明細書で定義される容積パラメータは、図２を参照して例示的に説明する。この図は、容積パラメータを取得するための３Ｄ表面と派生の負荷面積プロットの導出を示す。図２の左側は、ある表面（例えば、電解銅箔のドラム面又は沈積面）の表面幾何学的構造の３次元グラフィックを示す。図２の右側は、ＩＳＯ規格法ＩＳＯ ２５１７８−２：２０１２により得られる負荷面積率曲線の導出図を示し、それは負荷率（ｍａｔｅｒｉａｌ ｒａｔｉｏ、ｍｒ）が０％である最高ピーク２１０の頂部からｍｒが１００％である最低の谷２１２にわたる。

実体体積（Ｖｍ）は、表面上に存在するピークの体積として説明されることができる。実体体積は、表面下及び水平切断面上に囲まれる実体の体積を積分することにより計算され、当該水平切断面は０％（ピーク２１０の頂部）と１００％（谷２１２の底部）の間の特定の負荷率（ｍｒ）に対応される高さに設定される。負荷率が１００％の場合、実体体積（Ｖｍ）は最大値であり、負荷率が０％の場合、実体体積（Ｖｍ）はゼロである。例えば、負荷率８０％でのＶｍは、図２の右側のプロットの陰影領域２１３として示される。別途で説明がない限り、本明細書記載されているＶｍは負荷率（ｍｒ）８０％のＶｍである。

いくつかの具体的な実施態様において、表面処理銅箔１００の表面処理面１１０は実体体積を有し、当該実体体積は、低い値と高い値との間に、例えば、約０μｍ³／μｍ²という低い値と約１．９０μｍ³／μｍ²という高い値との間に制御された範囲内にある。この範囲は連続的であり、当該範囲内の任意の値で表示できることを明確に理解されるべきである。いくつかの具体的な実施態様において、その実体体積は、少なくとも、０、０．１０、０．１１、０．１５、０．２０、０．２５、０．２７、０．３０、０．４５、０．４７、０．４８、０．５０、０．６０、０．７０、０．７５、０．７８、０．８０、０．８１、０．８２、０．８３、０．９０、１．００、１．１０、１．２０、１．３０、１．４０、１．４１、１．５０、１．６０、１．６２、１．６５、１．７０、１．８０、１．８５、１．８６又は１．９０μｍ³／μｍ²の低い値を有する。いくつかの具体的な実施態様において、前記実体体積は、１．９０、１．８６、１．８５、１．８０、１．７０、１．６５、１．６２、１．６０、１．５０、１．４１、１．４０、１．３０、１．２０、１．１０、１．００、０．９０、０．８３、０．８２、０．８１、０．８０、０．７８、０．７５、０．７０、０．６０、０．５０、０．４８、０．４７、０．４５、０．３０、０．２７、０．２５、０．２０、０．１５、０．１１又は０．１０μｍ³／μｍ²以下の高い値を有する。

特定のメカニズム又は理論を確認していないが、表皮効果により、電流が材料表面の付近に集中するので、低い実体体積は、高周波での信号損失を低減できる。

いくつかの具体的な実施態様において、銅箔の特定の応用又は用途により、銅箔の化学組成又は機械特性等の他の因素を制御できる。表面処理銅箔の化学組成又は機械特性を制御することにより、銅箔又はその銅箔で製造された部材が高温、高圧及び高湿度などの環境に耐えられるかに関わる高い信頼性が得られる。例えば、表面処理銅箔に含まれる水素と酸素の含有量、及び表面処理銅箔の引張強度を制御することにより、このような表面処理銅箔を使用して高い信頼性を有する回路板を製造できる。

いくつかの具体的な実施態様において、表面処理銅箔は、低い値と高い値との間に、例えば、０ｐｐｍ以上という低い値と４６８ｐｐｍ以下という高い値との間に制御された範囲内にある酸素含有量を有する。この範囲は連続的であり、当該範囲内の任意の値で表示できることを明確に理解されるべきである。いくつかの具体的な実施態様において、前記酸素含有量は、４６８、４５０、４００、３５０、３４８、３００、２５６、２５０、２００、１５０、１４９、１４７、１４３、１４０、１３６、１００、９０、８６、８０、７０、６０、５３又は５０ｐｐｍ以下の高い値を有する。いくつかの具体的な実施態様において、前記酸素含有量は、少なくとも、１、１０、２０、３０、４０、５０、５３、６０、７０、８０、８６、９０、１００、１３６、１４０、１４３、１４７、１４９、１５０、２００、２５０、２５６、３００、３４８、３５０、４００又は４５０ｐｐｍの低い値を有する。

いくつかの具体的な実施態様において、前記表面処理銅箔は、低い値と高い値との間に、例えば、０ｐｐｍ以上という低い値と２９ｐｐｍ以下という高い値との間に制御された範囲内にある水素含有量を有する。この範囲は連続的であり、当該範囲内の任意の値で表示できることを明確に理解されるべく、例えば、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８又は２９ｐｐｍである。

本明細書に用いられる「引張強度」とは、材料が突発故障（例えば、二つに割れる）を発生する前に耐えられる最大の引張応力（ｔｅｎｓｉｌｅ ｓｔｒｅｓｓ）と意味する。例えば、前記材料に熱処理（例えば、２００℃で１時間加熱され、周囲温度（ａｍｂｉｅｎｔ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）まで冷却されること）を行った後、その引張強度を試験できる。特定の理論に制限されないが、このような熱処理は、回路板を製造するラミネート工程において銅箔が受けられた熱応力を模擬できる。その引張強度の試験は、ラミネート工程が銅箔の強度にどのように影響を与えるかを示す指標として提供できる。

本明細書に用いられる周囲温度は、約室温、又は約１０℃〜約４０℃、約１５℃〜３５℃、約２０℃〜３０℃もしくは約２３℃〜約２７℃の温度であると理解されるべきである。

いくつかの具体的な実施態様において、表面処理銅箔は、２００℃で１時間加熱されて室温まで冷却された後、低い値と高い値との間に、例えば、２１．３ｋｇ／ｍｍ²以上という低い値と４５．１ｋｇ／ｍｍ²以下という高い値との間に制御された範囲内にある引張強度を有する。この範囲は連続的であり、当該範囲内の任意の値で表示できることを明確に理解されるべきである。いくつかの具体的な実施態様において、引張強度は、少なくとも、２１．３、２５．０、２９．０、２９．３、３０．０、３４．０、３４．４、３５．０、３５．５、３６．０、３６．７、４０．０、４０．７又は４５．０ｋｇ／ｍｍ²の低い値を有する。いくつかの具体的な実施態様において、引張強度は、４５．１、４５．０、４０．７、４０．０、３６．７、３６．０、３５．５、３５．０、３４．４、３４．０、３０．０、２９．３、２９．０、２５．０又は２１．３ｋｇ／ｍｍ²以下の高い値を有する。

いくつかの具体的な実施態様において、ノジュール層、例えば、ノジュール層１１２は、銅ノジュールのような金属ノジュールを含んでもよい。ノジュールは、例えば、銅箔に金属を電気メッキすることで形成されてもよい。いくつかの具体的な実施態様において、銅ノジュールは、銅又は銅合金で形成されてもよい。いくつかの具体的な実施態様において、ノジュール層は、約１μｍを超える厚さを有する。いくつかの具体的な実施態様において、バリア層、防錆層及びカップリング層の合計厚さは約０．１μｍ未満である。いくつかの具体的な実施態様において、カバー層は、ノジュール層に配置され、例えば、銅ノジュール層の上にある銅沈積である。例えば、カバー層は、金属ノジュールの剥離（ｅｘｆｏｌｉａｔｉｏｎ）を防止することに寄与する。

本明細書に用いられる「バリア層」とは、金属又は少なくとも一種の金属を含有する合金で製造される層である。いくつかの具体的な実施態様において、バリア層、例えば、バリア層１１４は、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、鉄（Ｆｅ）、スズ（Ｓｎ）及びそれらの組み合わせから選ばれる少なくとも一つの金属で製造される。いくつかの具体的な実施態様において、バリア層はニッケルを含む。いくつかの具体的な実施態様において、バリア層は亜鉛を含む。いくつかの具体的な実施態様において、バリア層はニッケル層及び亜鉛層を含む。

本明細書に用いられる「防錆層」、例えば、防錆層１１６とは、金属に施された塗布層（ｃｏａｔｉｎｇ）であり、塗布された金属を腐食などによる劣化から保護できる。いくつかの具体的な実施態様において、防錆層は金属又は有機化合物を含む。例えば、クロム又はクロム合金は、電解銅箔上の金属塗布層として使用されてもよい。防錆層がクロム合金で製造された場合、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）及びバナジウム（Ｖ）の中のいずれか一つ又はそれ以上をさらに含む。いくつかの実施態様において、有機物で製造された防錆層は、トリアゾール、チアゾール、イミダゾール又はそれらの誘導体からなる群から選ばれる少なくとも一つを含んでもよい。トリアゾール群は、オルソトリアゾール（１，２，３−トリアゾール）、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、塩素置換ベンゾトリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、２−アミノ−１，３，４−トリアゾール、４−アミノ−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，３，４−トリアゾール及びそれらの異性体又はそれらの誘導物を含むが、これらに限らない。チアゾール群は、チアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、ジベンゾチアジルジスルフィド及びそれらの異性体又はそれらの誘導物を含むが、これらに限らない。イミダゾール群は、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール及びそれらの異性体又はそれらの誘導物を含むが、これらに限らない。

本明細書に用いられる「カップリング層」、例えば、カップリング層１１８とは、銅箔と樹脂層との間の結合力を向上させるために添加される層であり、例を挙げれば、前記樹脂層は、回路板を製造するための樹脂層である。いくつかの具体的な実施態様において、カップリング層は、シリコン及び酸素を含む層を提供するシラン処理により提供される。前記シランは、アミノ系シラン、エポキシ系シラン及びメルカプト系シランが挙げられるが、これらに限らない。前記シランは、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミンの部分加水分解物、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリス−（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、３−ウレイドプロピルトリアルコキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン及び３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランから選ばれてもよいが、これらに限らない。

いくつかの具体的な実施態様において、サブ層、例えば、処理層１０８のサブ層を提供することにより、電解銅箔のドラム面１０４に設置されたノジュール層１１２がバリア層１１４で覆われ、当該バリア層１１４が防錆層１１６で覆われ、当該防錆層１１６がカップリング層１１８で覆われる。ただし、他の実施形態によれば、サブ層のラミネート順序又は数はこれに限定されない。このため、図１に示される実施形態において、表面処理面１１０の最終的な物理表面は、カップリング層１１８によって提供され、この後、前記カップリング層１１８はラミネート構造における樹脂層と結合する。いくつかの具体的な実施態様において、バリア層１１４、防錆層１１６及びカップリング層１１８の任意の組み合わせは、ノジュール層１１２よりもはるかに薄くなる可能性があるため、表面処理面１１０の表面特性、例えば、Ｖｍは、ノジュール層１１２によって支配される。

いくつかの具体的な実施態様において、カバー層は、ノジュール層１１２とバリア層１１４との間に配置される。いくつかの具体的な実施態様において、バリア層１１４はサブ層を含み、そのサブ層はニッケル層と前記ニッケル層の上の亜鉛層とを含む。

いくつかの具体的な実施態様において、電解銅箔の沈積面１０６はバリア層と防錆層とを含む。例えば、沈積面１０６に亜鉛層が形成され、そして、亜鉛層にクロム層が沈積される。

いくつかの具体的な実施態様において、表面処理銅箔（例えば、表面処理銅箔１００）と樹脂層とを組み合わせてラミネート構造を形成する。その構造は、二つ以上の層である交互する銅箔と樹脂層を含むことができる。例えば、交互する銅箔（その中の少なくとも一つは表面処理銅箔１００）と樹脂層シート材を積み重ねて、そのスタックを加熱するとともにプレス機を使用してそのスタックを加圧して一体化にさせることにより形成できる。いくつかの具体的な実施態様において、前記樹脂層は表面処理銅箔１００の表面処理面１１０と接触する。三層を超える導電層（例えば、少なくとも一つは表面処理銅箔１００）と樹脂層とを交互的に積み重ねると、ラミネート体は、例えば、多層プリント回路板（ＰＣＢ）の多層構造の製作に用いられることができる。これらの具体的な実施態様において、表面処理銅箔は、必要に応じて、沈積面１０６にあるバリア層と防錆層とを含んでもよい。

本明細書に用いられる「樹脂」とは、表面処理銅箔のような基材にシート又は層として形成され得る有機ポリマー材料を意味する。樹脂のいくつかの例には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート）、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ホルムアルデヒド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアン酸エステル樹脂、フッ素含有ポリマー、ポリエーテルスルホン、セルロース系熱可塑性樹脂、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリプロピレン、ポリスルフィド及びポリウレタンを含む。樹脂は、充填材料又は補強材料、例えば、アラミド、カーボン、ガラス、セルロース及び無機材料を含むこともでき、これらはすべて必要に応じて粒子、繊維、チョップド繊維（ｃｈｏｐｐｅｄ ｆｉｂｅｒｓ）、織物材料（ｗｏｖｅｎ ｍａｔｅｒｉａｌｓ）又はウェビング（ｗｅｂｂｉｎｇ）の形をしている。いくつかの具体的な実施態様において、複合シートにおいて一種類以上の樹脂及び一種類以上の充填材料を使用して、前記樹脂をシートとする。いくつかの具体的な実施態様において、一つ以上の樹脂層同士を交互に積み重ねられて直接接触させることにより、多層板とも呼ばれる多層樹脂層を提供する。本明細書に用いられる樹脂層は、多層樹脂層、例えば、多層板を指すことができる。

いくつかの具体的な実施態様において、必要に応じて沈積面１０６にあるバリア層と防錆層とを含む表面処理銅箔１００は、回路板（例えば、プリント回路板又はＰＣＢ）を製造するために使用される。例えば、前記銅箔と樹脂層とのラミネート体を使用して回路板を形成する。既知の処理方法、例えば、リソグラフィ（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）、銅エッチング、及び銅箔／樹脂のラミネート体への穴あけによって、導電線、トラック、コンタクトパッド、シールド領域及び導電ビアの製造のさらなる加工を実現できる。既知の方法により、例えば、バッテリー、抵抗器、ＬＥＤ、リレー、トランジスター、コンデンサー、インダクター、ダイオード、スイッチ、マイクロコントローラー、結晶及び発振器、並びに集積回路の素子を回路板に実装する（例えば、機械的な接続及び電気的な接続）ことができる。例えば、表面実装方法又はスルーホール方法は、素子の接続に用いられることができ、ピックアンドプレース（ｐｉｃｋ ａｎｄ ｐｌａｃｅ）技術は、アセンブリに用いられることができる。

いくつかの具体的な実施態様において、必要に応じて沈積面１０６にあるバリア層と防錆層とを含む表面処理銅箔１００は、回路板上に実装された複数の素子を含む回路板を作成するために使用することができ、当該回路板は装置に使用される。本明細書に用いられる装置は、例えば、信号の電圧、電流、周波数又は電力を制御することによって、電気信号を処理するための任意の部品又は素子を含む。例えば、ラップトップ型及びデスクトップ型のコンピューター、積載運送工具、電話、測定及び監視装置（例えば、グルコースメーター、ｐＨメーター、空気監視装置）、データ出力装置（例えば、モニター、プリンター）、入力装置（例えば、タッチスクリーン、キーボード、マウス）、及びＷｉ−Ｆｉ、ジグビー（Ｚｉｇｂｅｅ）やブルートゥースのようなワイヤレス送受信装置が挙げられるが、これらに限定されない。

いくつかの具体的な実施態様において、必要に応じて沈積面１０６にあるバリア層と防錆層とを含む表面処理銅箔１００は、集電体として使用できる。いくつかの具体的な実施態様において、表面処理銅箔は、リチウムイオン二次電池の集電体として使用できる。例えば、ラミネート式リチウムイオン電池又はボタン式リチウムイオン電池に使用できる。

本発明の範囲内で、上記及び下記の技術的特徴（実施例など）を自由にかつ相互に組み合わせて、新規又は好ましい技術的解決策を形成することができるが、それらは簡潔のために省略することを理解されたい。

［実施例］
一般的な銅箔の製造
電解銅箔を製造するためのシステムは、金属カソードドラム及び不溶性金属アノードを含んだ。前記金属カソードドラムは回転可能であった。このシステムにおいて、不溶性金属アノードは、金属カソードドラムのほぼ下半部に配置され、当該金属カソードドラムを囲んだ。金属カソードドラムと不溶性金属アノードとの間に硫酸銅電解液を流させ、両者の間に電流を印加して、銅イオンを金属カソードドラムに吸引させて還元され、金属カソードドラムに銅を電着させることにより、電解銅箔を形成し、所定の厚さを得るとき、電解銅箔を金属カソードドラムから分離することにより、連続的な電着で電解銅箔を製造した。

流れている硫酸銅電解液はパイプラインにより供給された。前記パイプラインは、不溶性金属アノードの隙間に配置され、当該パイプラインの長手方向が当該カソードドラムの軸方向に平行した。パイプラインの長さに沿って、前記パイプラインが複数の開口部を含むことにより、硫酸銅電解液をカソードドラムの長さに沿ってほぼ均一に分散させることができた。パイプラインから不溶性アノードまでの距離は制御可能であった。表１に示されるように、パイプライン中心から不溶性アノードまでの距離は１５ｍｍ〜２５ｍｍの間に変化した。

電着期間において、カソードドラム表面と不溶性アノード表面との間の距離が制御可能であった。表１に示されるように、上記の表面の間の最短距離は６ｍｍ〜１２ｍｍの間に変化可能であった。表１に示されるアノードとカソードとの間の距離は、カソードドラムと不溶性アノードとの間の距離であった。

電解銅箔の製造
銅線を硫酸水溶液（５０重量％）に溶解させ、３２０ｇ／Ｌの硫酸銅（ＣｕＳＯ₄・５Ｈ₂Ｏ）と１００ｇ／Ｌの硫酸とを含む硫酸銅電解液を製造した。前記硫酸銅電解液に２０ｍｇ／Ｌの塩素イオン濃度を提供するために、塩酸（ＲＣＩ Ｌａｂｓｃａｎ会社から取得）を添加した。また、硫酸銅電解液に０．３５ｍｇ／Ｌのゼラチン（ＤＶ、Ｎｉｐｐｉ会社製）を添加した。

硫酸銅電解液を製造した後、電着により電解銅箔を製造した。電着の過程において、硫酸銅電解液の液体温度を約５０℃に維持させ、電流密度を約７０Ａ／ｄｍ²に維持させた。製造された電解銅箔は約３５μｍの厚さを有した。

表面処理
粗化処理の第１工程において、上記のように電解銅箔を製造した後、酸性溶液を使用して電解銅箔を洗浄した。洗浄工程では、１３０ｇ／Ｌの硫酸銅と５０ｇ／Ｌの硫酸とを含む溶液が充填している酸洗浄容器を使用し、溶液の温度を約２７℃に維持させた。電解銅箔を酸洗浄容器に入れ、前記溶液に３０秒間浸すことにより、表面の油、脂肪及び酸化物を除去した。その後、電解銅箔を水でリンスした。

次いで、電解銅箔のドラム面の表面上に電気メッキによりノジュール層を形成した。ノジュール層を電気メッキするために、電解液として硫酸銅溶液を使用し、当該電解液は７０ｇ／Ｌの硫酸銅と１００ｇ／Ｌの硫酸とを含んだ。当該電解液は、５０ｍｇ／Ｌ〜４００ｍｇ／Ｌの範囲内に変化するモリブデン酸ナトリウム（Ｎａ₂ＭｏＯ₄）、１０００ｍｇ／Ｌ〜５０００ｍｇ／Ｌの範囲内に変化する硫酸第一スズ（ＳｎＳＯ₄）、及び１０ｍｇ／Ｌのサッカリン（１，１-ジオキソ-１，２-ベンゾチアゾール-３-オン、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）もさらに含み、それらの具体的な数値は表１に記載されている。電解液の温度を約２５℃に維持させ、電解銅箔は１０Ａ／ｄｍ²の電流密度で１０秒間電気メッキされた。このような粗化処理により、ドラム面上のノジュール層を提供した。

ノジュール層の剥離を防止するために、電着により銅カバー層をノジュールに沈積させた。電気メッキ条件は下記の通りであった。
硫酸銅：３２０ｇ／Ｌ
硫酸：１００ｇ／Ｌ
液体温度：４０℃
電流密度：１５Ａ／ｄｍ²
電気メッキ時間：１０秒間

カバー電気メッキ工程を完成した後、２層のバリア層を施した。まず、銅カバー層で覆われたノジュール層の表面にニッケルを沈積させ、ノジュール層をパッシベーションにした。電気メッキ条件は下記の通りであった。
硫酸ニッケル：１８８ｇ／Ｌ
ホウ酸：３２ｇ／Ｌ
次亜リン酸：０〜５ｇ／Ｌ
液体温度：２０℃
ｐＨ値：３．５
電流密度：０．５Ａ／ｄｍ²〜０．９Ａ／ｄｍ²
電気メッキ時間：３秒間

次いで、水洗の後、亜鉛層をニッケル層及び電解銅箔の沈積面に同時に沈積させた。亜鉛層は耐熱性を提供する。電気メッキ条件は下記の通りであった。
硫酸亜鉛：１１ｇ／Ｌ
バナジウム酸アンモニウム：０．２５ｇ／Ｌ
液体温度：１５℃
ｐＨ値：１３
電流密度：０．３Ａ／ｄｍ²〜０．７Ａ／ｄｍ²
電気メッキ時間：２秒間

バリア層を形成した後、水で洗浄を行い、電気メッキ浴で電気メッキをすることにより、電解銅箔の沈積面及びドラム面の亜鉛層に同時にクロム層を形成した。電気メッキ条件は下記の通りであった。
クロム酸：５ｇ／Ｌ
液体温度：３５℃
ｐＨ値：１２．５
電流密度：１０Ａ／ｄｍ²
電気メッキ時間：５秒間

最後、ドラム面のクロム層にカップリング層を形成した。シラン溶液をクロム層に１０秒間スプレーした。シラン溶液は、０．２５重量％の３−アミノプロピルトリエトキシシランを含む水溶液であった。

シラン処理後、銅箔をオーブン内に１２０℃で加熱して１分間停留させ、次いでロールに巻き取った。

試験方法
・容積パラメータ
銅箔の実体体積（Ｖｍ）は、ＩＳＯ ２５１７８−２：２０１２に基づいて、レーザー顕微鏡の表面テクスチャ解析を用いて測定した。前記レーザー顕微鏡は、Ｏｌｙｍｐｕｓ社製のＬＥＸＴ ＯＬＳ５０００−ＳＡＦであり、画像は、空気温度２４±３℃及び相対湿度６３±３％で撮られた。

測定のための設定は下記のとおりであった。光源は４０５ｎｍ−波長の光源であった。使用された対物レンズは１００×（ＭＰＬＡＰＯＮ−１００ｘＬＥＸＴ）であった。光学ズームは１．０×であった。画像面積為１２９μｍ×１２９μｍであった。解析度は１０２４画素×１０２４画素であった。条件はオートチルト除去（ａｕｔｏ ｔｉｌｔ ｒｅｍｏｖａｌ）と設定された。フィルタはフィルタなし（ｕｎｆｉｌｔｅｒｅｄ）と設定された。

表１に示されるパラメータＶｍは、０％〜８０％での負荷率又は負荷率＝８０％で計算して得られた。実体体積の単位は、μｍ³／μｍ²であった。

・酸素含有量及び水素含有量
酸素／水素／窒素アナライザ（ＥＭＧＡ−９３０、Ｈｏｒｉｂａ Ｌｔｄ．）を使用し、非分散型赤外線（ｎｏｎ−ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ ｉｎｆｒａｒｅ、ＮＤＩＲ）検出器と合わせて、表面処理銅箔の酸素含有量と水素含有量を検出した。

・熱処理後の引張強度
引張強度は、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０に従って測定を行った。表面処理銅箔を２００℃のオーブン内に１時間放置した。周囲温度まで冷却された後、表面処理銅箔からサイズが１００ｍｍ×１２．７ｍｍ（長さ×幅）である試料を切り取った。島津製作所株式会社のＡＧ−Ｉ型試験機を用いて、チャック距離５０ｍｍとクロスヘッド速度５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で、周囲温度（約２５℃）で試料の引張強度を測定した。

・伝送損失
ストリップライン（ｓｔｒｉｐ−ｌｉｎｅ）構造を使用して、伝送特性を評価した。樹脂に銅箔を貼り付け、さらにストリップラインに製造し、このストリップラインをソース電極として使用した。樹脂（Ｓ７４３９Ｇ、ＳｙＴｅｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎで製造される）の厚さは１５２．４μｍであり、ＩＰＣ−ＴＭ ６５０ Ｎｏ．２．５．５．５による１０ＧＨｚ信号の測定において、誘電率（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｎｓｔａｎｔ、Ｄｋ）は３．７４であり、誘電損失（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｏｓｓ、Ｄｆ）は０．００６であった。前記ストリップラインの長さは１００ｍｍであった。

ストリップラインを作成した後、その二つの表面を二つの他の樹脂（Ｓ７４３９Ｇ、ＳｙＴｅｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製）でそれぞれ覆い、二つの他の銅箔を接地電極として当該樹脂に配置した。このアセンブリは、カバーレイフィルムがなく、約５０Ωの特性インピーダンスがあった。ストリップラインと接地電極によって転送される信号の比較で伝送損失を提供した。

ストリップラインと接地電極の測定は、Ａｇｉｌｅｎｔ ＰＮＡ Ｎ５２３０Ｃネットワークアナライザーを使用して行われた。使用した周波数範囲は２００ＭＨｚ〜１５ＧＨｚであり、掃引数は６４０１ポイントであり、キャリブレーションはＴＲＬであり、試験方法はＣｉｓｃｏ Ｓ３方法であった。

８ＧＨｚでの伝送損失の評価基準は下記のとおりであった。
Ａ：伝送損失の数値が−０．７５ｄＢ／ｉｎを超え、例えば、−０．７５ｄＢ／ｉｎと０ｄＢ／ｉｎとの間にある場合は、良好とする。
Ｂ：伝送損失の数値が−０．７５ｄＢ／ｉｎ〜−０．８ｄＢ／ｉｎの範囲内にある場合は、中等とする。
Ｃ：伝送損失の数値が−０．８ｄＢ／ｉｎ未満である場合は、劣等とする。

・信頼性
プレッシャークッカー試験（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｏｏｋｅｒ ｔｅｓｔ、ＰＣＴ）は信頼性試験であり、製品の高温、高圧と高湿度条件に耐えられる能力を評価するための試験である。この試験は、回路板のような樹脂封止デバイスがリフローはんだ付けにおける耐熱性の評価に寄与する。また、厳しい環境で試験を行うことにより、耐湿性を評価できる。回路板工程のリフローはんだ付けにおいて、加熱を行うことにより引き起こされた樹脂割れの形成は、加速試験により予測できる。また、製造された部品（例えば、回路板又は回路板の製造に使用されるプレハブボード）の貯蔵及び運送における予想表現への予測も提供できる。

信頼性は下記のように測定した。厚さ０．０７６ｍｍの樹脂シート（Ｓ７４３９Ｇ、ＳｙＴｅｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製）を６枚ラミネートし、その上に表面処理銅箔を放置した後、２枚のステンレス鋼平板の間に放置した。前記樹脂シートと表面処理銅箔を２００℃の温度及び４００ｐｓｉの圧力で１２０分間ホットプレスして、ラミネート体を提供した。

温度が１２１℃であり、圧力が２ａｔｍであり、湿度が１００％相対湿度（ＲＨ）であるオーブンの中に、ラミネート体を３０分間放置させることにより、プレッシャークッカー試験（ＰＣＴ）を行った。ＰＣＴが完成した後、２８８℃の温度でラミネート体を１０秒間浸漬させることによりはんだ浴（ｓｏｌｄｅｒ ｂａｔｈ）試験を行った。ラミネート体がはんだ浴試験後に、泡、断裂又はデラミネーションが現れた場合は、その特定のラミネート体は無効とする。

信頼性の評価基準は下記のとおりであった。
Ａ：同じラミネート体に５０回を超えるはんだ浴試験を施した後、そのラミネート板が無効にならない場合は、良好とする。
Ｂ：同じラミネート体に１０〜５０回のはんだ浴試験を施した後、そのラミネート板が無効になった場合は、中等とする。
Ｃ：同じラミネート体に１０回未満のはんだ浴試験を施した後、そのラミネート板が無効になった場合は、劣等とする。

・銅箔の特徴
表１には、特定のＶｍで作られた銅箔を示す。表記されたデータは、表面処理銅箔の伝送損失に対するＶｍの影響を例示的に説明する。指標は、上記及び表に示されるＡ、Ｂ及びＣである。これらのデータの検討によると、Ｖｍが伝送損失の制御を提供することを示す。例えば、実施例１〜１４において、Ｖｍは１．９０μｍ³／μｍ²未満であった。これらの実施例において、伝送損失のレベルはＡ又はＢであった。比較するために、実施例１５〜１７のＶｍは２．０３μｍ³／μｍ²〜２．５５μｍ³／μｍ²と高く、伝送損失が劣等であった（伝送損失のレベルはＣであった）。

表２は、実施例１〜１７の銅箔の信頼性を示す。前記で定義されているように、実施例１〜１０、１５と１６の信頼性は良好（Ａ）又は中等（Ｂ）であった。これらの実施例において、通常、水素含有量が低く（約２９ｐｐｍ以下）、酸素含有量が低く（４６８ｐｐｍ以下）、引張強度が高かった（２１．３ｋｇ／ｍｍ²を超える）。これに対して、実施例１１は、信頼性が劣等（Ｃ）であり、水素含有量が高く（４０ｐｐｍ）、酸素含有量が高く（４６９ｐｐｍ）、引張強度が低かった（１４．２ｋｇ／ｍｍ²）。同様に、実施例１７は、信頼性が劣等（Ｃ）であり、水素含有量が高く（５５ｐｐｍ）、酸素含有量が高く（５８０ｐｐｍ）、引張強度が低かった（１８．６ｋｇ／ｍｍ²）。実施例１２において、水素含有量（１６ｐｐｍ）と引張強度（３２．４ｋｇ／ｍｍ²）は良好な信頼性をもたらすと考えられる範囲内にあるが、酸素含有量は５２４ｐｐｍと非常に高いので、信頼性は劣等（Ｃ）となった。

実施例１３と１４は、水素含有量と酸素含有量が低く、かつ引張強度が高いものの、信頼性は劣等であるため、異常と見なされると考えられる。実施例１３と１４については、Ｖｍの特性を考慮してもよく、この２つの実施例のＶｍはデータの中の最低値であった。非常に低いＶｍと良好な伝送損失特性とは関連がある場合は、Ｖｍが非常に低くと、その他の特性（例えば、信頼性）がとても重要になる可能性があり、適用によって、Ｖｍの下限値を考慮することができる。

本明細書に用いられる「含む」という用語は、請求される発明に必要な組成物、方法、及びそれらのそれぞれの組み合わせに関するが、必要とされるか否かにかかわらず、指定されていない要素を含むことが許される。

本発明の明細書及び特許請求の範囲に用いられる単数形「一つ」及び「前記」は、文脈がそうでないことを明確に示していない限り、複数形も含むことが意図される。例えば、「前記方法」について言及する場合は、１つ又は２つ以上の方法、及び／又は本発明の明細書に記載されている種類の工程、及び／又は本開示を読めば当業者にとって明白であるものを含む。同様に、「又は」という用語は、文脈がそうでないことを明確に示していない限り、「及び」を含むことが意図される。

操作された実施例又は他に説明がある場合以外、本発明の明細書において成分の数量又は反応条件を表すための数字は、すべての場合においては、用語「約」によって修飾されていると理解されるべきである。用語「約」は、言及されている値の±５％（例えば、±４％、±３％、±２％、±１％）を意味することができる。

ある数値範囲が提供される場合、その範囲の上限と下限の間にある全ての数字の数値及びその範囲の上限と下限を含むものは、本発明に開示されたと見なされる。本発明の明細書に挙げられている任意の数値範囲は、その範囲に包含されるすべてのサブ範囲を含むことを理解されたい。例えば、「１〜１０」という範囲とは、引用されている最小値１と引用されている最大値１０との間のすべてのサブ範囲を含み、その最小値と最大値を含むことを意図している。言い換えれば、１以上の最小値及び１０以下の最大値を有する。開示されている数値範囲は連続的であるため、最小値と最大値の間のすべての値を含む。特記しない限り、本発明の明細書に具体的に記載されている様々な数値範囲は近似値である。

本明細書において、別途で定義されていない限り、本出願に使用される科学的及び技術的用語は、当業者が一般的に理解する意味と同様の意味を有する。さらに、文脈上別段の要求がない限り、単数形の用語は複数形を含み、複数形の用語は単数形を含む。

本発明は、本発明の明細書に記載されている特定の方法、手順、及び試薬などに限定されるものではなく、変化してもよいことを理解されたい。本発明の明細書に用いられる用語は、特定の実施形態を説明することを目的とするに過ぎず、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲のみによって定義される。

本発明の明細書に開示されているＡＳＴＭ、ＪＩＳ方法を含むいずれの特許、特許出願及び刊行物は、説明及び開示を目的とするために明確に本開示に組み込まれ、例えば、これらの刊行物に記載されている方法は、本発明と組み合わせて使用できる。このような刊行物を提供する原因は、それらが本出願の出願日前に公開されただけである。この点に関して、そのような従来技術により、又は他の何らかの理由で、本発明者らがそのような開示に先行する権利がないことを認めると解釈されるべきではない。日付に関するすべての記述又はこれらの文書の内容に関する表現は、出願人が入手可能な情報に基づいており、これらの文書の日付又は内容の正確性を認めると解釈されるべきではない。

１００ 表面処理銅箔
１０２ 電解銅箔
１０４ ドラム面
１０６ 沈積面
１０８ 処理層
１１０ 表面処理面
１１２ ノジュール層
１１４ バリア層
１１６ 防錆層
１１８ カップリング層
２１０ ピーク
２１２ 谷
２１３ 陰影領域

Claims (20)

1. ドラム面と沈積面とを含む電解銅箔、及び
   前記ドラム面に配置されて表面処理面を提供する処理層、
   を含む表面処理銅箔であって、
   前記処理層は、ノジュール層を含み、
   前記表面処理面は、１．９０μｍ³／μｍ²未満の実体体積（Ｖｍ）を有する、
   表面処理銅箔。
2. 前記表面処理面は、０．１１〜１．８６μｍ³／μｍ²の範囲内にある実体体積（Ｖｍ）を有する、請求項１に記載の表面処理銅箔。
3. 前記表面処理面は、０．２５〜０．８５μｍ³／μｍ²の範囲内にある実体体積（Ｖｍ）を有する、請求項２に記載の表面処理銅箔。
4. 前記表面処理銅箔は、４６８ｐｐｍ以下の酸素含有量を有する、請求項１に記載の表面処理銅箔。
5. 前記表面処理銅箔は、３４８ｐｐｍ以下の酸素含有量を有する、請求項４に記載の表面処理銅箔。
6. 前記表面処理銅箔は、５３〜３４８ｐｐｍの範囲内にある酸素含有量を有する、請求項５に記載の表面処理銅箔。
7. 前記表面処理面は、０．２５〜１．９０μｍ³／μｍ²の範囲内にある実体体積（Ｖｍ）を有し、前記表面処理銅箔は、４６８ｐｐｍ以下の酸素含有量を有する、請求項１に記載の表面処理銅箔。
8. 前記表面処理銅箔は、２９ｐｐｍ以下の水素含有量を有する、請求項１に記載の表面処理銅箔。
9. 前記表面処理銅箔は、５〜２９ｐｐｍの範囲内にある水素含有量を有する、請求項８に記載の表面処理銅箔。
10. ２００℃で１時間加熱された後、２１．３〜４５．１ｋｇ／ｍｍ²の範囲内にある引張強度を有する、請求項１に記載の表面処理銅箔。
11. ２００℃で１時間加熱された後、２１．３〜４５．１ｋｇ／ｍｍ²の範囲内にある引張強度を有する、請求項４に記載の表面処理銅箔。
12. 前記処理層は、カバー層、バリア層、防錆層及びカップリング層の少なくとも一つをさらに含む、請求項１に記載の表面処理銅箔。
13. 前記カバー層は、銅を含む、請求項１２に記載の表面処理銅箔。
14. 前記バリア層は、金属又は少なくとも一種の金属を含有する合金を含み、
    前記金属は、ニッケル、亜鉛、クロム、コバルト、モリブデン、鉄、スズ及びバナジウムから選ばれる、請求項１２に記載の表面処理銅箔。
15. 前記バリア層は、二つ以上の層を含み、各層は独立して金属又は少なくとも一種の金属を含有する合金を含み、
    前記金属は、ニッケル、亜鉛、クロム、コバルト、モリブデン、鉄、スズ及びバナジウムから選ばれる、請求項１４に記載の表面処理銅箔。
16. 前記防錆層は、クロムを含む、請求項１２に記載の表面処理銅箔。
17. 前記カップリング層は、シリコンを含む、請求項１２に記載の表面処理銅箔。
18. 前記ノジュール層は、銅ノジュールを含む、請求項１に記載の表面処理銅箔。
19. 表面処理銅箔、及び
    前記表面処理銅箔の表面処理面と接触する樹脂層、
    を含むラミネート体であって、
    前記表面処理銅箔は、
    ドラム面と沈積面とを含む電解銅箔、及び
    前記ドラム面に配置されて表面処理面を提供し、ノジュール層を含む処理層、
    を含み、
    前記表面処理面は、０．１１〜１．８６μｍ³／μｍ²の範囲内にある実体体積（Ｖｍ）を有し、
    前記表面処理銅箔は、４６８ｐｐｍ以下の酸素含有量及び２９ｐｐｍ以下の水素含有量を有し、
    前記表面処理銅箔は、２００℃で１時間加熱された後、２１．３〜４５．１ｋｇ／ｍｍ²の範囲内にある引張強度を有する、
    ラミネート体。
20. 請求項１に記載の表面処理銅箔を有する回路版と、前記回路板に取り付けられた複数の素子と、を含む装置であって、
    前記複数の素子の少なくとも第１素子及び第２素子は、前記回路板の表面処理銅箔を介して互いに電気的に接続される、裝置。