Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP3364229B2 - 波長変換注型材料及びその製造方法並びに発光素子 - Google Patents

波長変換注型材料及びその製造方法並びに発光素子

Info

Publication number
JP3364229B2
JP3364229B2 JP51419098A JP51419098A JP3364229B2 JP 3364229 B2 JP3364229 B2 JP 3364229B2 JP 51419098 A JP51419098 A JP 51419098A JP 51419098 A JP51419098 A JP 51419098A JP 3364229 B2 JP3364229 B2 JP 3364229B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
pigment
casting
luminescent
casting material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP51419098A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11500584A (ja
Inventor
ヘーン、クラウス
デブライ、アレクサンドラ
シュロッター、ペーター
シュミット、ラルフ
シュナイダー、ユルゲン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=7806400&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3364229(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of JPH11500584A publication Critical patent/JPH11500584A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3364229B2 publication Critical patent/JP3364229B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
    • C09K11/7716—Chalcogenides
    • C09K11/7718—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
    • C09K11/7721—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7743—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing terbium
    • C09K11/7744—Chalcogenides
    • C09K11/7746—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7743—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing terbium
    • C09K11/7749—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7767—Chalcogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7767—Chalcogenides
    • C09K11/7769—Oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、発光物質を添加されている透明なエポキシ
注型樹脂を基材とし、紫外線、青色光或いは緑色光を放
出するLEDチップを備えたエレクトロルミネセンス素子
のための波長変換注型材料、及びこの注型材料の製造方
法、並びにこの注型材料を有する発光素子に関する。
このような素子は例えばドイツ特許出願公開第380429
3号明細書により公知である。そこにはエレクトロルミ
ネセンス或いはレーザーダイオードを備え、このダイオ
ードから放出された放出スペクトルが、蛍光を放出し光
を変換する有機顔料が添加されている合成樹脂からなる
素子によってより大きい波長にずらされる装置が記載さ
れている。この装置から放出された光は、これにより、
発光ダイオードから放出された光と異なる色を持ってい
る。合成樹脂に添加された顔料の種類に応じて同一のダ
イオードの型でもって種々の異なる色に発光する発光ダ
イオード装置が作られる。
発光ダイオードの多くの潜在的な適用範囲、例えば自
動車の電装部品領域における指示器、航空機や自動車の
照明装置或いは全色に適したLEDディスプレーにおい
て、混色光、特に白色光を放出させる発光ダイオード装
置に対する要求が益々発生している。
有機の発光物質を備えた最初に挙げた種類の今まで公
知の注型材料は、しかしながら、温度や温度・湿度が加
わったときに色位置、即ちエレクトロルミネセンス素子
により放出された光の色のずれを示す。
特開平７−176794号公報には白色光を発するプレーナ
型の光源で、透明板の１つの端面に青色光を放出する２
つのダイオードが配置され、これらのダイオードにより
透明板の中に光を放出するものが記載されている。この
透明板は互いに対向する２つの主表面の１つが、透明板
がダイオードの青色光で励起されるとき、光を放出する
ルミネセンス物質で被膜されている。ルミネセンス物質
から放出される光はダイオードから放出される青色光と
は異なる波長を持っている。この公知の素子において
は、ルミネセンス物質を、光源が均質な白色光を放出す
るように被着することは特に困難である。さらに、例え
ば透明板の表面の非平滑性によりルミネセンス膜の膜厚
が僅かに変動しても放出された光の白色トーンの変動を
起こすので、大量生産における再現性にも問題がある。
本発明の課題は、均質な混合色を放出し、適用可能な
技術的コストと充分に再現可能な素子特性でもって大量
生産を可能にするエレクトロルミネセンス素子を製造し
得る波長変換注型材料を提供することにある。
本発明は、放出される光をまた温度や温度・湿度の負
荷の際にもその色が安定するようにしようとするもので
ある。
さらに、本発明の課題はこのような注型材料の製造方
法を提供することにある。
また、本発明の課題は、このような注型材料を有する
発光素子を提供することにある 波長変換注型材料に関する課題は、本発明によれば、
透明なエポキシ注型樹脂内に、一般式A3B5X12:M（但
し、ＡはY,Gd,Luを、ＢはAl,Gaを、ＸはＯを、ＭはC
e3+、Tb3+、Eu3+、Cr3+、Nd3+又はEr3+を表す）を持つ
蛍光物質の群から成る発光物質顔料を備えエポキシ注型
樹脂と混ぜられる前に≧200℃の温度で熱処理された無
機の発光物質顔料粉末が分散しており、発光物質顔料が
≦20μｍの粒子の大きさおよび≦５μｍのd50値を有す
ることによって解決される。
波長変換注型材料に関する課題は、本発明によれば、
混合色光を作るために発光物質顔料粉末として、少なく
とも１つの、希土類をドープしたチオ没食子酸塩又は希
土類をドープしたアルミン酸塩又は希土類をドープした
オルトケイ酸塩が使用され、この発光物質顔料粉末が透
明なエポキシ注型樹脂内に分散しており、発光物質顔料
が≦20μｍの粒子の大きさおよび≦５μｍのd50値を有
し、その鉄含有量が≦20ppmであることによっても解決
される。
注型材料の製造方法に関する課題は、本発明によれ
ば、発光物質顔料粉末がエポキシ注型樹脂と混ぜられる
前に≧200℃の温度で熱処理されることによって解決さ
れる。
注型材料の製造方法に関する課題は、本発明によれ
ば、発光物質顔料粉末がエポキシ注型樹脂と混ぜられる
前に高温沸騰しているアルコールに浸され、次いで乾燥
されることによっても解決される。
発光素子に関する課題は、本発明によれば、半導体素
体が半導体素子の動作中に紫外線、青色及び／又は緑色
スペクトル範囲の電磁放射線を放出するのに適している
半導体層列を有し、発光物質顔料が紫外線、青色及び／
又は緑色スペクトル範囲から出る電磁放射線の一部をよ
り大きな波長の放射線に変換し、半導体素子がこのより
大きな波長の放射線と紫外線、青色及び／又は緑色スペ
クトル範囲からなる放射線とから成る混合放射線、特に
混合色光を放射することによって解決される。
本発明によれば、透明なエポキシ注型樹脂内に一般式
A3B5X12:Mを持つガーネット（ざくろ石）マトリクス格
子を基材した無機鉱物性の発光物質顔料粉末が分散さ
れ、発光物質顔料粉末が粒子の大きさ≦20μｍと平均粒
径d50≦５μｍとを持つ。特に好ましくは平均粒径d50が
１〜２μｍである。このような粒子の大きさにおいて好
ましい製造収量を確保することができる。
無機鉱物性の発光物質は、好ましいことに、極めて温
度及び温度・湿度に安定している。
本発明による注型材料の特に好ましい実施態様におい
てはこの注型材料は次のものから構成される。即ち、 ａ）エポキシ注型樹脂≧60重量％ ｂ）発光物質顔料≦25重量％ ｃ）揺変性剤≦10重量％ ｄ）鉱物性分散剤≦10重量％ ｅ）加工補助剤≦３重量％ ｆ）疎水性剤≦３重量％ ｇ）結合剤≦２重量％ 好適なエポキシ注型樹脂は、例えばドイツ特許出願公
開第2642465号明細書の４〜９頁、特に実施例１〜４
に、及びヨーロッパ特許第0039017号明細書の２〜５
頁、特に実施例１〜８に記載されており、ここではこの
公開内容を採用する。
揺変性剤としては例えば発熱性ケイ酸が使用される。
この揺変性剤は、発光顔料粉末の沈降を低減するため
に、エポキシ注型樹脂の濃縮に用いられる。注型樹脂の
加工性のためにはさらに流動性及び濡れ性が調整され
る。
素子の光像を最適化するための鉱物性分散剤としては
特にCaF2が使用される。
加工補助剤としては例えばグルコールエーテルが適し
ている。これはエポキシ注型樹脂と発光顔料粉末との間
の協調性を改善し、これにより発光顔料粉末とエポキシ
注型樹脂との間の分散の安定化のために使用される。こ
の目的ではまたシリコーンを基材とする表面改質剤も使
用することができる。
疏水性剤、例えば流動性シリコーンワックスも同様に
顔料表面の改質の作用をし、特に無機の顔料表面の有機
の樹脂との協調性及び濡れ性が改善される。
結合剤、例えば機能的なアルコキシルオクサンは顔料
と注型材料の硬化状態におけるエポキシ樹脂との間の接
着性を改善する。これによりエポキシ樹脂と顔料との間
の境界面が例えば温度変動の場合に剥離することがな
い。エポキシ樹脂と顔料との間に空隙があると素子にお
ける光損失を招くことになる。
エポキシ注型樹脂、特に還元性オキシランドライリン
グを備えたエポキシ注型樹脂は、好ましくは、モノ及び
／又は多官能エポキシ注型樹脂系（≧80重量％、例え
ば、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル）、還元希
釈剤（≦10重量％、例えば芳香性モノグリシジルエーテ
ル）、多官能アルコール（≦５重量％）、シリコーン基
材の脱ガス剤（≦１重量％）及び色数を調整するための
脱色成分（≦１重量％）を含む。
注型材料の特に優れた実施態様において、発光物質顔
料は球状或いは鱗状である。このような顔料のアグロメ
レーション作用の傾向は好ましいことに非常に小さい。
H2O含有量は２％以下にある。
無機の発光物質顔料粉末を有するエポキシ注型樹脂の
製造及び加工の際には一般に濡れ性の問題の他に沈降の
問題も発生する。特にd50≦５μｍの発光物質顔料粉末
は著しくアグロメレーション作用の傾向がある。最後に
挙げた注型材料組成においては発光物質顔料は好ましい
ことに上述の粒子の大きさにおいて実質的に凝集がなく
かつ均質にエポキシ注型樹脂に分散される。この分散は
注型材料を比較的長く保管する場合にも安定している。
従って実質的に濡れ性及び／又は沈降の問題は発生しな
い。
発光物質顔料としてはセリウムをドープしたガーネッ
ト（ざくろ石）の群からの粒子、特にYAG:Ce粒子が特に
好適に使用される。好ましいドーピング濃度は例えば１
％で、好ましい発光物質濃度は例えば12％である。さら
に、特に高純度の発光物質顔料粉末は好ましくは≦5ppm
の鉄含有量を有している。鉄含有量が多すぎると素子の
光損失が高くなる。発光物質顔料粉末は著しく磨耗性が
ある。それ故、注型材料の鉄含有量はその製造の際にか
なり上昇する可能性がある。注型材料の鉄含有量は20pp
m以下であるのがよい。
無機発光物質YAG:Ceは、特に、約1.84の屈折率を持つ
非可溶性の色素顔料であるという特別の長所を持つ。こ
れにより波長変換の他に分散及び散乱効果が生じ、これ
により青色のダイオードビームと黄色の変換ビームとの
混合がよくなる。
さらに、エポキシ樹脂における発光物質濃度は、無機
発光物質顔料を使用する場合、有機顔料の場合のように
は、可溶性によって制限されることがないことが特に有
利である。
アグロメレーションをさらに減少させるために、発光
物質顔料は好ましくはシリコーン被膜を備えていること
ができる。
本発明による注型材料の優れた製造方法において、発
光物質顔料粉末はエポキシ注型樹脂と混ぜる前に例えば
約10時間200℃或いはそれ以上の温度で熱処理される。
これにより同様にアグロメレーションの傾向が減少す
る。
これに代わって或いは付加的に、このために発光物質
顔料粉末はエポキシ注型樹脂と混ぜる前に高沸騰のアル
コールに浸され、次いで乾燥される。アグロメレーショ
ンを減少させるための他の方法は、エポキシ注型樹脂と
混ぜる前に発光物質顔料粉末に疏水性のシリコーンワッ
クスを添加することである。顔料をグリコールエーテル
の存在の下で、例えば16時間60℃以上の温度で加熱する
ことにより発光物質の表面安定化も特に有益である。
発光物質顔料の分散の際、磨耗を原因とする邪魔な不
純物を回避するために、反応容器、攪拌及び分散装置並
びに圧延装置はガラス、コランダム、炭化物や窒化物並
びに特別に硬化された鋼材からなるものが使用される。
アグロメレーションのない発光物質の分散は超音波法で
或いは篩いやガラスセラミックの溶解多孔質材の使用に
よっても確保することができる。
白色に光るオプトエレクトロニクス素子を製造するた
めの特に優れた無機の発光物質は蛍光物質YAG:Ce（Y3Al
5O12:Ce3+）である。この物質は特に簡単に従来LEDの技
術分野において使用されてきた透明なエポキシ注型樹脂
に混合することができる。さらに、発光物質としてた希
土類をドープしたガーネット（ざくろ石）、例えばY3Ga
5O12:Ce3+、Ｙ（Al,Ga）5O12:Ce3+及びＹ（Al,Ga）
5O12:Yb3+が用いられる。
混合色光を作るためには、さらに特に、希土類をドー
プしたチオ没食子酸塩、例えばCaGa2S4:Ce3+やSrGa2S4:
Ce3+が適している。同様にこのために希土類をドープし
たアルミン酸塩、例えばYAlO3:Ce3+、YGaO3:Ce3+、Ｙ
（Al,Ga）O3:Ce3+、及び希土類をドープしたオルトケイ
酸塩M2SiO5:Ce3+（ＭはＹ又はScを表す）、例えばY2SiO
5:Ce3+が用いられる。すべてのイットリウム化合物にお
いてイットリウムは原則としてスカンジウム或いはラン
タンによって置換することもできる。
本発明による注型材料は放射線を放出する半導体素
体、特にGaxIn1-xN又はGaxAl1-xNからなる活性半導体層
或いは層列を備え、動作中に紫外線、青色及び／又は緑
色スペクトル範囲の放射線を放出する半導体素体におい
て良好に使用される。注型材料内の発光物質粒子は紫外
線、青色及び／又は緑色スペクトル範囲から出る放射線
の一部をより大きな波長を持つ放射線に変換して、半導
体素子がこのより大きな波長を持つ放射線と紫外線、青
色及び／又は緑色スペクトル範囲の放射線とから成る混
合放射線、特に混合色光を放出するようにする。即ち、
例えば、発光物質粒子は半導体素体から放出された放射
線の一部をスペクトル的に選択的に吸収し、長波長範囲
で放出する。好ましいことに半導体素体から放出された
放射線は波長λが520μｍ或いはそれ以下において相対
的な強度最大値を示し、発光物質粒子からスペクトル的
に選択的に吸収された波長範囲はこの強度最大値の外に
ある。
同様に好ましいことに、異なる波長で放出する複数の
種々の発光物質粒子もまた注型材料内に分散している。
このことは特に異なるマトリクス格子に異なるドーピン
グにより達成される。これにより、好ましいことに、素
子から放出される光の多種多様な混合及び色温度を作る
ことが可能である。このことは、全色に適したLEDに特
に有利である。
本発明による注型材料の優れた使用においては放射線
を放出する半導体素体（例えばLEDチップ）は少なくと
も部分的にこの注型材料で包囲されている。注型材料は
この場合同時に素子の被覆（容器）として利用されるの
がよい。この構成による半導体素子の利点は、主とし
て、その製造のために慣用的な、従来の発光ダイオード
（ラジアル形発光ダイオード）の製造のために使用され
てきた生産ラインが使用できるということにある。素子
の被覆には従来の発光ダイオードにおいて使用された透
明な合成樹脂に代わってこの注型材料が容易に使用され
る。
本発明による注型樹脂によれば単一色の光源、特に単
一の青色光を放出する半導体を備えた発光ダイオード
（LED）で、混合色、特に白色光が容易に得られる。例
えば、青色光を放出する半導体素体でもって白色光を作
るために、半導体素体から放出された放射線の一部が無
機の発光物質顔料によって青色のスペクトル範囲から青
色に対して補色の黄色のスペクトル範囲に変換される。
白色光の色温度或いは色位置はその場合発光物質の粒
子の大きさ及び濃度を適切に選択することにより変える
ことができる。さらに、発光物質を混合して、これによ
り放出される光の所望の色位置を正確に設定することも
できる。
この注型材料は、放出される放射線スペクトルが420
μｍ〜460μｍの波長、特に430μｍ（例えば,GaxAl1-xN
を基材とする半導体素体）或いは450μｍ（例えば、Gax
In1-xNを基材とする半導体素体）の波長において強度の
最大を示す放射線放出半導体において特に優れて使用さ
れる。このような半導体素子により、好ましいことに、
CIEの色図表の殆ど全ての色及び混合色を作り出すこと
ができる。エレクトロルミネセンス半導体材料からなる
放射線放出半導体素体の代わりに、しかしまた他のエレ
クトロルミネセンス物質、例えば重合体材料を使用する
こともできる。
この注型材料は、エレクトロルミネセンス半導体素体
が予め作られた、場合によっては既にリードフレームを
備えた容器の空所に配置され、この空所が注型材料で満
たされている発光性半導体素子（例えば発光ダイオー
ド）に対して特に好適である。このような半導体素子は
従来の生産ラインで大量に製造できる。このためにはた
だ半導体を容器に取付けた後に注型材料がこの空所に満
たされねばならない。
白色光を放出する半導体素子は、好ましいことに、発
光物質を、半導体素体から放出される青色光が補色の波
長範囲に、特に青色、黄色に、或いは例えば青、緑、赤
の３種の加法混色に変換されるように選ぶことにより、
本発明による注型材料でもって実現することができる。
この場合、黄色もしくは緑色或いは赤色光は発光物質を
介して作られる。これにより作られた白色光の色調（CI
E色図表における色位置）は、その場合、発光物質の混
合及び濃度を適切に選択することにより変えることがで
きる。
エレクトロルミネセンス半導体から放出される放射線
と発光物質によって変換される放射線との混合を、従っ
て発光素子から放出される光の色の均質性を改善するた
めに、本発明による注型材料の好ましい構成において
は、付加的に、青色に発光し、半導体から放出される放
射線のいわゆる方向性を弱める顔料が添加される。な
お、方向性とは、半導体から放出された放射線が優先的
な放射方向を持つことと解される。
青色光を放出するエレクトロルミネセンス半導体素体
を備え、白色光を放出する本発明による半導体素子は、
注型材料として使用されるエポキシ樹脂に無機の発光物
質YAG:Ce（Y3Al5O12:Ce3+）を混合することにより、特
に優れて実現することができる。半導体素体から放出さ
れる青色光の一部は、この場合、無機の発光物質Y3Al5O
12:Ce3+によって黄色のスペクトル範囲に、それ故青色
に対する補色の波長範囲にずらされる。白色光の色調
（CIE色図表における色位置）は、その場合、顔料の濃
度を適切に選択することにより変えることができる。
注型材料には付加的に光を散乱する粒子、いわゆる散
乱剤を添加することができる。これにより、好ましいこ
とに、半導体素子の色印刷及び発光特性がさらに改善さ
れる。
本発明による注型材料によれば、好ましいことに、エ
レクトロルミネセンス半導体により可視光線の他に放出
された紫外線も可視光線に変換される。これにより半導
体から放出される光の明るさが明らかに高まる。
本発明による白色光を放出し、ルミネセンス変換色素
としてYAG:Ceが使用されている半導体素子の特別な利点
は、この発光物質が青色光で励起されたとき吸収と放出
との間で約100nmのスペクトルのずれを起こすというこ
とにある。これにより発光物質により放出された光の再
吸収の著しい削減、従ってより高い光収量を得ることが
できる。さらに、YAG:Ceは高い熱的及び光化学的（例え
ば、UVの）安定性（有機の発光物質より遥に高い）を持
っているので、屋外適用及び／又は高温領域用の白色光
放出ダイオードも実現可能である。
YAG:Ceは、今までに再吸収、光収量、熱的及び光化学
的安定性及び加工性に関して最も適した発光物質である
ことが明らかにされた。しかしながら、セリウムをドー
プした他の蛍光物質、特にセリウムをドープしたガーネ
ットの型も考えられる。
一次放射線の波長変換はマトリクス格子における活性
な遷移金属中心の結晶界分解により決定される。Y3Al5O
12のガーネット格子においてＹをGd及び／又はLuにより
並びにAlをGaにより置換することにより、放出波長は、
ドーピング方式による場合のように、種々の形にずらす
ことができる。Ce3+中心をEu3+及び／又はEr3+に置換す
ることにより対応のシフトを生じさせることができる。
Nd3+及びEr3+の対応のドーピングによりその上比較的大
きいイオン半径及び従って比較的小さい結晶界分割に基
づき赤外線放出素子も可能となる。
本発明の実施例を図１〜８を参照して以下に説明す
る。
図１はこの発明による注型材料を備えた第一の半導体
素子の概略断面図、 図２はこの発明による注型材料を備えた第二の半導体
素子の概略断面図、 図３はこの発明による注型材料を備えた第三の半導体
素子の概略断面図、 図４はこの発明による注型材料を備えた第四の半導体
素子の概略断面図、 図５はこの発明による注型材料を備えた第五の半導体
素子の概略断面図、 図６はGaNを基材とする層列を備え、青色光を発する
半導体の放出スペクトルの概略グラフ、 図７はこの発明による注型材料を備え、白色光を発す
る２つの半導体素子の放出スペクトルの概略グラフ、 図８は白色光を発する他の半導体素子の放出スペクト
ルの概略グラフを示す。
各図において同一もしくは同一に機能する部分は同一
符合で示されている。
図１のルミネセンス半導体素子において、半導体素子
１は導電性の接続手段、例えば金属ろう材或いは接着剤
によりその裏側の接触11で第一の電気端子２に固定され
ている。表側の接触12はボンディングワイヤ14により第
二の電気端子３に接続されている。
半導体素子１の自由表面及び電気端子2,3の部分領域
は、硬化した波長変換注型材料５で直接包囲されてい
る。この注型材料は特に次ぎの組成を持っている。即
ち、エポキシ注型樹脂80〜90重量％、発光物質顔料（YA
G:Ce）≦15重量％、ジエチレングリコールモノメチルエ
ーテル≦２重量％、テゴプレン6875−45≦２重量％、エ
アロシル200≦５重量％。
本発明による半導体素子の図２に示された実施例は、
半導体素体１と電気端子2,3の部分領域が波長変換注型
材料の代わりに透明被覆15で包囲されている点で、図１
の実施例と異なる。この透明被覆15は半導体素体１から
放出された放射線の波長変換の作用をせず、例えば発光
ダイオードの技術分野で従来使われているエポキシ、シ
リコーン或いはアクリル樹脂、或いは例えば無機ガラス
のような他の適当な透光性物質からなる。
この透明被覆15上には、図２に示すように、波長変換
注型材料からなり被覆15の全表面を覆う層４が被着され
ている。この層４はこの表面の部分領域のみを覆うよう
にすることも同様に考えられる。層４は、例えば、発光
物質粒子６を添加されている透明なエポキシ樹脂からな
る。この場合も、白色光を発する半導体素子の発光物質
としてはYAG:Ceが特に適している。
図３に示した本発明による注型材料を備えた特に好ま
しい素子においては、第一及び第二の電気端子2,3が空
所９に備えた必要に応じて既製の透明な基本容器８に埋
め込まれている。ここで「既製」とは、容器８が、半導
体素体が端子２に取付けられる前に、既に端子2,3に例
えば射出成形により形成されていることを意味する。容
器８は例えば透光性の樹脂からなり、空所９はその形状
に関して半導体素体によって動作中放出される光の反射
体として（場合によっては空所９の内壁に適当に被膜す
ることにより）形成されている。このような容器８は特
にプリント板に表面実装可能な発光ダイオードにおいて
使用されている。容器は半導体素体を組み立てる前に、
電気端子2,3を備えている帯導体（リードフレーム）
に、例えば射出成形により取付けられる。
空所９は注型材料５で満たされ、この注型材料の組成
は図１の説明と関連して上記に挙げたものに一致する。
図４にはいわゆるラジアル形のダイオードが示されて
いる。この場合、エレクトロルミネセンス半導体素体１
は第一の電気端子２の反射体として形成されている部分
16に例えばろう付け或いは接着により固定されている。
このような容器構造形状は発光ダイオードの技術では公
知であり、従って詳細に説明する必要はない。
半導体素体１の自由表面は発光物質粒子６を備えた注
型材料５で直接覆われ、この注型材料は別の透明被覆10
で取り囲まれている。
完全を期すために、ここで、図４の構造形状において
も図１の素子と同様に、発光物質粒子６を備えた硬化性
注型材料５からなる一体被覆も使用できることは当然で
あることを述べておく。
図５の実施例において、層４（上述のように可能な物
質）が直接半導体素体１上に被着されている。この半導
体素体と電気端子2,3の部分領域は、この層４を通過す
る光線の波長変更を起こさず、例えば発光ダイオードの
技術分野において使用可能な透明エポキシ樹脂或いはガ
ラスから作れている透明被覆10で包囲されている。
層４を備え、被覆を備えていないこのような半導体素
体１が、有効に発光ダイオードの技術において公知の全
ての容器形状（例えば、SMD容器、ラジアル形容器（図
４参照））においても使用できることは当然である。
上述の素子の全てにおいて放出される光の色印象を最
適化するために並びに放射特性を適合化するために、注
型材料５、場合によっては透明被覆15及び／又は場合に
よっては透明被覆10は、光を散乱する粒子（特にいわゆ
る散乱剤）を備えることができる。このような散乱剤の
例は金属性の充填材、特にCaF2、TiO2、SiO2、CaCO3或
いはBaSO4、或いは有機の顔料である。これらの物質は
簡単な方法でエポキシ樹脂に添加することができる。
図6,7,8には青色光を発する半導体素体（図６）（λ
≒430nmにおいてルミネセンス最大）もしくはこのよう
な半導体素体により作られ白色光を放出する半導体素子
（図7,8）の放出スペクトルが示されている。横軸には
それぞれ波長λがnm単位で、縦軸にはそれぞれ相対エレ
クトロルミネセンス（EL）強度がとられている。
半導体素体から放出された図６による光の中の一部だ
けが長波長の波長範囲に変換されるので、混合色として
白色光を生ずる。図７の破線30は、２つの補色波長範囲
（青、黄）からの光線を、従って全体として白色光を放
出する半導体素子の放出スペクトルを示す。この放出ス
ペクトルはこの場合約400nm〜約430nmの波長（青）及び
約550nm〜約580nmの波長（黄）において各々最大を示
す。実線31は３つの波長範囲からなる白色（青、緑、赤
の３種の加法混色）を混ぜる半導体素子の放出スペクト
ルを表す。この放出スペクトルはここで例えば約430nm
（青）、約500nm（緑）及び約615nm（赤）の波長におい
てそれぞれ最大を示す。
図８は、図６による放出スペクトルを放出する半導体
素体を備え、発光物質としてYAG:Ceが使用されている、
白色光を放出する半導体素子の放出スペクトルを示す。
半導体素体から放出された図６による光線の中の一部だ
けが長波長の波長範囲に変換されるので、混合色として
白色光が生ずる。図８の種々の種類の破線30〜33は、注
型材料５のエポキシ樹脂がそれぞれ異なるYAG:Ce濃度を
持っているときの本発明による半導体素子の放出スペク
トルを表す。各放出スペクトルは、λ＝420nmとλ＝430
nmとの間（即ち青色スペクトル範囲）において、及びλ
＝520nmとλ＝545nmとの間（即ち緑色スペクトル範囲）
において、それぞれ強度最大を示し、長波長の強度最大
を持つ放出帯は大部分黄色スペクトル範囲にある。図８
のグラフは、本発明による半導体素子においてはエポキ
シ樹脂中の発光物質の濃度を変えることにより簡単に白
色色のCIE色位置を変えることができることを明らかに
している。
本発明の上述の素子についての説明は、当然のことな
がら、本発明をこれらに限定するものとして見做される
べきではない。例えば、発光ダイオードチップ或いはレ
ーザーダイオードチップのような半導体素体として、例
えば同様な発光スペクトルを放出する高分子LEDも考え
られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シュロッター、ペーター ドイツ連邦共和国 デー−79113 フラ イブルク カンマータールシュトラーセ ８アー (72)発明者 シュミット、ラルフ ドイツ連邦共和国 デー−79279 フェ ールシュテッテン ミューレンシュトラ ーセ 14 (72)発明者 シュナイダー、ユルゲン ドイツ連邦共和国 デー−79199 キル ヒツァルテン ノイホイザー シュトラ ーセ 62 (56)参考文献 特開 昭64−71053（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−138361（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−92549（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−24355（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−176794（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−133386（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−242513（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−142070（ＪＰ，Ａ) 日経産業新聞 1996年９月13日 第１ 面 「白色ＬＥＤランプ」 蛍光体同学会編、「蛍光体ハンドブッ ク」、第１版、株式会社オーム社、1987 年12月25日発行、ｐ．２ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00 C09K 11/00 C09K 11/80 CPB H05B 33/04 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)

Claims (18)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】発光物質を添加されている透明なエポキシ
    注型樹脂を基材とし、紫外線、青色光及び／又は緑色光
    を放出するLEDチップ（１）を備えたエレクトロルミネ
    センス素子のための波長変換注型材料（５）において、
    透明なエポキシ注型樹脂内に、一般式A3B5X12:M（但
    し、ＡはY,Gd,Luを、ＢはAl,Gaを、ＸはＯを、ＭはC
    e3+、Tb3+、Eu3+、Cr3+、Nd3+又はEr3+を表す）を持つ
    蛍光物質の群から成る発光物質顔料（６）を備えエポキ
    シ注型樹脂と混ぜられる前に≧200℃の温度で熱処理さ
    れた無機の発光物質顔料粉末が分散しており、発光物質
    顔料が≦20μｍの粒子の大きさおよび≦５μｍのd50値
    を有することを特徴とする波長変換注型材料。
  2. 【請求項２】発光物質を添加されている透明なエポキシ
    注型樹脂を基材とし、紫外線、青色光及び／又は緑色光
    を放出するLEDチップ（１）を備えたエレクトロルミネ
    センス素子のための波長変換注型材料（５）において、
    混合色光を作るために発光物質顔料粉末（６）として、
    少なくとも１つの、希土類をドープしたチオ没食子酸塩
    又は希土類をドープしたアルミン酸塩又は希土類をドー
    プしたオルトケイ酸塩が使用され、この発光物質顔料粉
    末が透明なエポキシ注型樹脂内に分散しており、発光物
    質顔料が≦20μｍの粒子の大きさおよび≦５μｍのd50
    値を有し、その鉄含有量が≦20ppmであることを特徴と
    する波長変換注型材料。
  3. 【請求項３】発光物質顔料粉末（６）として、CaGa2S4:
    Ce3+,SrGa2S4:Ce3+,MAlO3:Ce3+,MAlO3:Ce3+及び／又はM
    2SiO5:Ce3+（但し、ＭはY,Sc,Laを表す）が使用されて
    いることを特徴とする請求項２記載の波長変換注型材
    料。
  4. 【請求項４】発光物質顔料（６）が球状或いは鱗状であ
    ることを特徴とする請求項１乃至３の１つに記載の注型
    材料。
  5. 【請求項５】発光物質顔料（６）のd50値が１〜２μｍ
    であることを特徴とする請求項１乃至４の１つに記載の
    注型材料。
  6. 【請求項６】注型材料（５）が次により構成されている
    ことを特徴とする請求項１乃至５の１つに記載の注型材
    料。 ａ）エポキシ注型樹脂≧60重量％ ｂ）発光物質顔料＞０から≦25重量％ ｃ）揺変性剤＞０かつ≦10重量％ ｄ）鉱物性散乱剤＞０かつ≦10重量％ ｅ）加工補助剤＞０かつ≦３重量％ ｆ）疏水性剤＞０かつ≦３重量％ ｇ）結合剤＞０かつ≦２重量％
  7. 【請求項７】発光物質顔料として、セリウムをドープし
    たガーネットの群から成る粒子が使用されていることを
    特徴とする請求項１乃至６の１つに記載の注型材料。
  8. 【請求項８】発光物質顔料としてYAG:Ce粒子が使用され
    ていることを特徴とする請求項７記載の注型材料。
  9. 【請求項９】発光物質顔料（６）がシリコーン被膜を備
    えていることを特徴とする請求項１乃至８の１つに記載
    の注型材料。
  10. 【請求項１０】発光物質顔料粉末がエポキシ注型樹脂と
    混ぜられる前に高温沸騰しているアルコールに浸され、
    次いで乾燥されることを特徴とする請求項１乃至９の１
    つに記載の注型材料の製造方法。
  11. 【請求項１１】発光物質顔料粉末に、エポキシ注型樹脂
    と混ぜられる前に疏水性シリコーンワックスが付加され
    ることを特徴とする請求項10に記載の方法。
  12. 【請求項１２】発光物質顔料粉末がアルコール、グリコ
    ールエーテル及びシリコーンでもってエポキシ注型樹脂
    において高温で表面改質されることを特徴とする請求項
    10又は11に記載の方法。
  13. 【請求項１３】動作中に電磁放射線を放出する半導体素
    体（１）を備えた請求項１乃至12の１つに記載の波長変
    換注型材料を有する発光素子において、半導体素体
    （１）が半導体素子の動作中に紫外線、青色及び／又は
    緑色スペクトル範囲の電磁放射線を放出するのに適して
    いる半導体層列（７）を有し、発光物質顔料が紫外線、
    青色及び／又は緑色スペクトル範囲から出る電磁放射線
    の一部をより大きな波長の放射線に変換し、半導体素子
    がこのより大きな波長の放射線と紫外線、青色及び／又
    は緑色スペクトル範囲の放射線とから成る混合放射線を
    放出することを特徴とする発光素子。
  14. 【請求項１４】注型材料が半導体素体（１）の少なくと
    も一部を包囲していることを特徴とする請求項13記載の
    発光素子。
  15. 【請求項１５】半導体素体（１）から放出された放射線
    がλ＝430nm又はλ＝450nmの青色スペクトル範囲におい
    てルミネセンス強度の最大を示すことを特徴とする請求
    項14記載の発光素子。
  16. 【請求項１６】半導体素体（１）が非透光性の基本容器
    （８）の空所（９）内に配置され、この空所（９）が少
    なくとも部分的に注型材料（５）で満たされていること
    を特徴とする請求項13乃至15の１つに記載の発光素子。
  17. 【請求項１７】波長変換注型材料（５）がほぼ一定の厚
    みを有する層（４）として直接半導体素体（１）上に被
    着されていることを特徴とする請求項13乃至15の１つに
    記載の発光素子。
  18. 【請求項１８】異なる波長で放出する複数の種々の発光
    物質粒子が注型材料内に分散していることを特徴とする
    請求項13乃至17の１つに記載の発光素子。
JP51419098A 1996-09-20 1997-09-22 波長変換注型材料及びその製造方法並びに発光素子 Expired - Lifetime JP3364229B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19638667A DE19638667C2 (de) 1996-09-20 1996-09-20 Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19638667.5 1996-09-20
PCT/DE1997/002139 WO1998012757A1 (de) 1996-09-20 1997-09-22 Wellenlängenkonvertierende vergussmasse, deren verwendung und verfahren zu deren herstellung

Related Child Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000048025A Division JP4001703B2 (ja) 1996-09-20 2000-02-24 注型材料の使用方法
JP2001369805A Division JP2002208733A (ja) 1996-09-20 2001-12-04 発光素子
JP2001369804A Division JP4233252B2 (ja) 1996-09-20 2001-12-04 注型材料及びその製造方法並びに発光素子
JP2001369806A Division JP3824917B2 (ja) 1996-09-20 2001-12-04 注型材料の製造方法
JP2001369802A Division JP3866091B2 (ja) 1996-09-20 2001-12-04 波長変換注型材料及び発光素子
JP2001369803A Division JP3866092B2 (ja) 1996-09-20 2001-12-04 波長変換注型材料の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11500584A JPH11500584A (ja) 1999-01-12
JP3364229B2 true JP3364229B2 (ja) 2003-01-08

Family

ID=7806400

Family Applications (10)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51419098A Expired - Lifetime JP3364229B2 (ja) 1996-09-20 1997-09-22 波長変換注型材料及びその製造方法並びに発光素子
JP2000048025A Expired - Lifetime JP4001703B2 (ja) 1996-09-20 2000-02-24 注型材料の使用方法
JP2001369806A Expired - Lifetime JP3824917B2 (ja) 1996-09-20 2001-12-04 注型材料の製造方法
JP2001369802A Expired - Lifetime JP3866091B2 (ja) 1996-09-20 2001-12-04 波長変換注型材料及び発光素子
JP2001369805A Pending JP2002208733A (ja) 1996-09-20 2001-12-04 発光素子
JP2001369804A Expired - Lifetime JP4233252B2 (ja) 1996-09-20 2001-12-04 注型材料及びその製造方法並びに発光素子
JP2001369803A Expired - Lifetime JP3866092B2 (ja) 1996-09-20 2001-12-04 波長変換注型材料の製造方法
JP2007328490A Pending JP2008103756A (ja) 1996-09-20 2007-12-20 注型材料及びその製造方法並びに発光素子
JP2008334452A Pending JP2009071336A (ja) 1996-09-20 2008-12-26 Ｌｅｄチップ
JP2012186932A Pending JP2012238909A (ja) 1996-09-20 2012-08-27 注型材料及びその製造方法並びに発光素子

Family Applications After (9)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000048025A Expired - Lifetime JP4001703B2 (ja) 1996-09-20 2000-02-24 注型材料の使用方法
JP2001369806A Expired - Lifetime JP3824917B2 (ja) 1996-09-20 2001-12-04 注型材料の製造方法
JP2001369802A Expired - Lifetime JP3866091B2 (ja) 1996-09-20 2001-12-04 波長変換注型材料及び発光素子
JP2001369805A Pending JP2002208733A (ja) 1996-09-20 2001-12-04 発光素子
JP2001369804A Expired - Lifetime JP4233252B2 (ja) 1996-09-20 2001-12-04 注型材料及びその製造方法並びに発光素子
JP2001369803A Expired - Lifetime JP3866092B2 (ja) 1996-09-20 2001-12-04 波長変換注型材料の製造方法
JP2007328490A Pending JP2008103756A (ja) 1996-09-20 2007-12-20 注型材料及びその製造方法並びに発光素子
JP2008334452A Pending JP2009071336A (ja) 1996-09-20 2008-12-26 Ｌｅｄチップ
JP2012186932A Pending JP2012238909A (ja) 1996-09-20 2012-08-27 注型材料及びその製造方法並びに発光素子

Country Status (8)

Country Link
US (9) US6066861A (ja)
EP (2) EP0862794B1 (ja)
JP (10) JP3364229B2 (ja)
KR (8) KR100875010B1 (ja)
CN (8) CN101081909B (ja)
BR (1) BR9706787A (ja)
DE (6) DE19638667C2 (ja)
WO (1) WO1998012757A1 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002317178A (ja) * 1996-09-20 2002-10-31 Siemens Ag 波長変換注型材料及びその製造方法並びに発光素子
WO2005052087A1 (ja) 2003-11-26 2005-06-09 Independent Administrative Institution National Institute For Materials Science 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
WO2006006582A1 (ja) 2004-07-13 2006-01-19 Fujikura Ltd. 蛍光体及びその蛍光体を用いた電球色光を発する電球色光発光ダイオードランプ
WO2008146571A1 (ja) 2007-05-22 2008-12-04 Showa Denko K.K. 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
WO2009031495A1 (ja) 2007-09-03 2009-03-12 Showa Denko K.K. 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
WO2010061597A1 (ja) 2008-11-28 2010-06-03 昭和電工株式会社 表示装置用照明装置及び表示装置
EP2360225A1 (en) 2004-09-22 2011-08-24 National Institute for Materials Science Phosphor, production method thereof and light emitting instrument
US8206611B2 (en) 2005-05-24 2012-06-26 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and use thereof
US8277687B2 (en) 2005-08-10 2012-10-02 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and light-emitting device using same
US8674388B2 (en) 2009-08-06 2014-03-18 National Institute For Materials Science Phosphor, method of manufacturing the same, and light-emitting device
DE112006000291B4 (de) 2005-01-27 2019-08-14 National Institute For Materials Science Leuchtstoff, sein Herstellungsverfahren und dessen Verwendung

Families Citing this family (884)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE29724848U1 (de) 1996-06-26 2004-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6613247B1 (en) * 1996-09-20 2003-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
JP3378465B2 (ja) 1997-05-16 2003-02-17 株式会社東芝 発光装置
US6623670B2 (en) 1997-07-07 2003-09-23 Asahi Rubber Inc. Method of molding a transparent coating member for light-emitting diodes
US6319425B1 (en) * 1997-07-07 2001-11-20 Asahi Rubber Inc. Transparent coating member for light-emitting diodes and a fluorescent color light source
US7365369B2 (en) 1997-07-25 2008-04-29 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
EP2267798B1 (de) * 1997-07-29 2015-09-30 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches Bauelement
US7161313B2 (en) 1997-08-26 2007-01-09 Color Kinetics Incorporated Light emitting diode based products
US6806659B1 (en) * 1997-08-26 2004-10-19 Color Kinetics, Incorporated Multicolored LED lighting method and apparatus
US7038398B1 (en) * 1997-08-26 2006-05-02 Color Kinetics, Incorporated Kinetic illumination system and methods
US20030133292A1 (en) 1999-11-18 2003-07-17 Mueller George G. Methods and apparatus for generating and modulating white light illumination conditions
US7014336B1 (en) * 1999-11-18 2006-03-21 Color Kinetics Incorporated Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
US6580097B1 (en) * 1998-02-06 2003-06-17 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6294800B1 (en) 1998-02-06 2001-09-25 General Electric Company Phosphors for white light generation from UV emitting diodes
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6255670B1 (en) * 1998-02-06 2001-07-03 General Electric Company Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
JP3541709B2 (ja) * 1998-02-17 2004-07-14 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
CN1219320C (zh) * 1998-05-20 2005-09-14 罗姆股份有限公司 半导体器件
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
WO2000002261A1 (de) 1998-06-30 2000-01-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Lichtquelle zur erzeugung sichtbaren lichts
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
JP4366016B2 (ja) † 1998-09-28 2009-11-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照明装置
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP2000208822A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP3770014B2 (ja) 1999-02-09 2006-04-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US6351069B1 (en) 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
US6680569B2 (en) 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
KR100683877B1 (ko) 1999-03-04 2007-02-15 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 레이저소자
DE19918370B4 (de) 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
JP3458823B2 (ja) * 1999-05-11 2003-10-20 日亜化学工業株式会社 面発光装置
KR100661945B1 (ko) * 1999-06-14 2006-12-28 후-쿠 후앙 광 입사에 의해 활성화되는 에너지 레벨 전이에 기초하는 전자기파 방사 장치 및 방법
DE50016032D1 (de) 1999-07-23 2010-12-30 Osram Gmbh Lichtquelle mit einer Leuchtstoffanordnung und Vergussmasse mit einer Leuchtstoffanordnung
DE19934126A1 (de) * 1999-07-23 2001-01-25 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstoff für Lichtquellen und zugehörige Lichtquelle
KR100431398B1 (ko) * 1999-07-23 2004-05-14 파텐트-트로이한트-게젤샤프트 퓌어 엘렉트리쉐 글뤼람펜 엠베하 광원용 인광물질 및 해당 광원
DE19951790A1 (de) * 1999-10-27 2001-05-03 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstoff für Lichtquellen und zugehörige Lichtquelle
US6696703B2 (en) * 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
AU7617800A (en) 1999-09-27 2001-04-30 Lumileds Lighting U.S., Llc A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion
US6686691B1 (en) * 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
DE19947044B9 (de) * 1999-09-30 2007-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement mit Reflektor und Verfahren zur Herstellung desselben
JP2001111109A (ja) * 1999-10-07 2001-04-20 Sharp Corp 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
DE19952712A1 (de) * 1999-11-02 2001-05-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenvorrichtung
DE19952932C1 (de) * 1999-11-03 2001-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit breitbandiger Anregung
US20020176259A1 (en) 1999-11-18 2002-11-28 Ducharme Alfred D. Systems and methods for converting illumination
WO2001036864A2 (en) † 1999-11-18 2001-05-25 Color Kinetics Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
US7202506B1 (en) 1999-11-19 2007-04-10 Cree, Inc. Multi element, multi color solid state LED/laser
JP3895086B2 (ja) * 1999-12-08 2007-03-22 ローム株式会社 チップ型半導体発光装置
JP2001177153A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Sharp Corp 発光装置
JP2001177145A (ja) * 1999-12-21 2001-06-29 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光素子およびその製造方法
DE19964252A1 (de) 1999-12-30 2002-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle
DE19963805B4 (de) * 1999-12-30 2005-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Weißlichtquelle auf der Basis nichtlinear-optischer Prozesse
TWI273722B (en) * 2000-01-27 2007-02-11 Gen Electric Organic light emitting device and method for mounting
JP4709458B2 (ja) 2000-02-23 2011-06-22 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 光ルミネセンス層およびその形成方法
DE10010638A1 (de) * 2000-03-03 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines lichtabstrahlenden Halbleiterkörpers mit Lumineszenzkonversionselement
JP4406490B2 (ja) * 2000-03-14 2010-01-27 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード
US6522065B1 (en) 2000-03-27 2003-02-18 General Electric Company Single phosphor for creating white light with high luminosity and high CRI in a UV led device
US6538371B1 (en) 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
US6409938B1 (en) 2000-03-27 2002-06-25 The General Electric Company Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG
US6603258B1 (en) * 2000-04-24 2003-08-05 Lumileds Lighting, U.S. Llc Light emitting diode device that emits white light
DE10020465A1 (de) 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6604971B1 (en) 2000-05-02 2003-08-12 General Electric Company Fabrication of LED lamps by controlled deposition of a suspension media
EP1153792A1 (de) * 2000-05-09 2001-11-14 SIDLER GMBH & CO Leuchtenanordnung mit mehreren LED's
US6621211B1 (en) * 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
US6466135B1 (en) 2000-05-15 2002-10-15 General Electric Company Phosphors for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
US6501100B1 (en) 2000-05-15 2002-12-31 General Electric Company White light emitting phosphor blend for LED devices
US6555958B1 (en) 2000-05-15 2003-04-29 General Electric Company Phosphor for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
GB0012377D0 (en) * 2000-05-22 2000-07-12 Isis Innovation Oxide based phosphors
EP1206802B1 (de) * 2000-05-29 2008-03-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Weiss emittierende beleuchtungseinheit auf led-basis
DE10026435A1 (de) 2000-05-29 2002-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kalzium-Magnesium-Chlorosilikat-Leuchtstoff und seine Anwendung bei Lumineszenz-Konversions-LED
DE10027206A1 (de) * 2000-05-31 2001-12-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Alterungsstabile Epoxidharzsysteme, daraus hergestellte Formstoffe und Bauelemente und deren Verwendung
JP2002190622A (ja) * 2000-12-22 2002-07-05 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオード用透光性蛍光カバー
EP1228540B1 (en) 2000-06-29 2010-09-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optoelectric element
DE10032453A1 (de) * 2000-07-04 2002-01-24 Vishay Semiconductor Gmbh Strahlung emittierendes Bauelement
DE10036940A1 (de) 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
JP2002050797A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Toshiba Corp 半導体励起蛍光体発光装置およびその製造方法
US6747406B1 (en) * 2000-08-07 2004-06-08 General Electric Company LED cross-linkable phospor coating
EP1179858B1 (en) * 2000-08-09 2009-03-18 Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd Light emitting devices
US6635363B1 (en) * 2000-08-21 2003-10-21 General Electric Company Phosphor coating with self-adjusting distance from LED chip
JP2002076434A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
EP1187226B1 (en) * 2000-09-01 2012-12-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same
US6614103B1 (en) 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
JP2002141556A (ja) * 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
JP3609709B2 (ja) * 2000-09-29 2005-01-12 株式会社シチズン電子 発光ダイオード
US6998281B2 (en) * 2000-10-12 2006-02-14 General Electric Company Solid state lighting device with reduced form factor including LED with directional emission and package with microoptics
US6650044B1 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
JP2002133925A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Sanken Electric Co Ltd 蛍光カバー及び半導体発光装置
JP2002141559A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Sanken Electric Co Ltd 発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム
AT4889U1 (de) * 2000-11-07 2001-12-27 Binder Co Ag Diodenlichtquelle für eine zeilenkamera
US6518600B1 (en) 2000-11-17 2003-02-11 General Electric Company Dual encapsulation for an LED
JP3614776B2 (ja) 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄとその製造方法
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
JP4545956B2 (ja) * 2001-01-12 2010-09-15 ローム株式会社 半導体装置、およびその製造方法
DE10101554A1 (de) * 2001-01-15 2002-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiode
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP2002232013A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
US6541800B2 (en) * 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
DE10109349B4 (de) * 2001-02-27 2012-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
JP2002261333A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2002270365A (ja) * 2001-03-12 2002-09-20 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> Ｅｌ素子
DE10112542B9 (de) * 2001-03-15 2013-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes optisches Bauelement
JP2002299698A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP4101468B2 (ja) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US6685852B2 (en) 2001-04-27 2004-02-03 General Electric Company Phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices
US6686676B2 (en) * 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
JP2002344029A (ja) * 2001-05-17 2002-11-29 Rohm Co Ltd 発光ダイオードの色調調整方法
US6616862B2 (en) * 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
US6989412B2 (en) * 2001-06-06 2006-01-24 Henkel Corporation Epoxy molding compounds containing phosphor and process for preparing such compositions
US6576488B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
US6642652B2 (en) 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
JP2002374007A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP4114331B2 (ja) * 2001-06-15 2008-07-09 豊田合成株式会社 発光装置
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2003037295A (ja) * 2001-07-05 2003-02-07 Taiwan Lite On Electronics Inc 発光ダイオードと発光ダイオードの製造方法
DE10133352A1 (de) 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP2003027057A (ja) * 2001-07-17 2003-01-29 Hitachi Ltd 光源およびそれを用いた画像表示装置
DE10137641A1 (de) * 2001-08-03 2003-02-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Hybrid-LED
TW511303B (en) * 2001-08-21 2002-11-21 Wen-Jr He A light mixing layer and method
US6737681B2 (en) * 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
US7728345B2 (en) * 2001-08-24 2010-06-01 Cao Group, Inc. Semiconductor light source for illuminating a physical space including a 3-dimensional lead frame
DE10142009B4 (de) * 2001-08-28 2010-04-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED - Lichtquelle mit einem Konversionsmittel und mit einer UV-absorbierenden Schicht
JP3749243B2 (ja) 2001-09-03 2006-02-22 松下電器産業株式会社 半導体発光デバイス，発光装置及び半導体発光デバイスの製造方法
US7604361B2 (en) 2001-09-07 2009-10-20 Litepanels Llc Versatile lighting apparatus and associated kit
US7331681B2 (en) * 2001-09-07 2008-02-19 Litepanels Llc Lighting apparatus with adjustable lenses or filters
US6749310B2 (en) 2001-09-07 2004-06-15 Contrast Lighting Services, Inc. Wide area lighting effects system
DE10146719A1 (de) 2001-09-20 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE10147040A1 (de) 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE20115914U1 (de) 2001-09-27 2003-02-13 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH, 81543 München Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP3948650B2 (ja) 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
ATE525755T1 (de) * 2001-10-12 2011-10-15 Nichia Corp Lichtemittierendes bauelement und verfahren zu seiner herstellung
JP4043752B2 (ja) * 2001-10-19 2008-02-06 星和電機株式会社 発光ダイオードランプとこれを用いた照明器具
JP2003133595A (ja) * 2001-10-24 2003-05-09 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオードランプ、これに用いられる赤色蛍光体及びこれに用いられるフィルタ
DE10153259A1 (de) 2001-10-31 2003-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US7858403B2 (en) * 2001-10-31 2010-12-28 Cree, Inc. Methods and systems for fabricating broad spectrum light emitting devices
JP2003147351A (ja) * 2001-11-09 2003-05-21 Taiwan Lite On Electronics Inc 白色光光源の製作方法
US6734465B1 (en) * 2001-11-19 2004-05-11 Nanocrystals Technology Lp Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting
DE10241989A1 (de) * 2001-11-30 2003-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP3972670B2 (ja) * 2002-02-06 2007-09-05 豊田合成株式会社 発光装置
EP1478884B1 (en) * 2002-02-06 2011-06-22 odelo GmbH Center high mounted stop lamp including leds and tir lens
US6881983B2 (en) * 2002-02-25 2005-04-19 Kopin Corporation Efficient light emitting diodes and lasers
KR100961324B1 (ko) 2002-03-22 2010-06-04 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 형광체와 그 제조 방법 및 발광 장치
DE10213294B4 (de) * 2002-03-25 2015-05-13 Osram Gmbh Verwendung eines UV-beständigen Polymers in der Optoelektronik sowie im Außenanwendungsbereich, UV-beständiges Polymer sowie optisches Bauelement
DE10214119A1 (de) * 2002-03-28 2003-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
TW558065U (en) * 2002-03-28 2003-10-11 Solidlite Corp Purplish pink light emitting diode
US20030189215A1 (en) 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
US8294172B2 (en) 2002-04-09 2012-10-23 Lg Electronics Inc. Method of fabricating vertical devices using a metal support film
DE20206047U1 (de) 2002-04-18 2002-09-05 Zweibrüder Stahlwarenkontor GmbH, 42697 Solingen Licht emittierende Diode und Lampe
US6911079B2 (en) * 2002-04-19 2005-06-28 Kopin Corporation Method for reducing the resistivity of p-type II-VI and III-V semiconductors
TWI226357B (en) 2002-05-06 2005-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting reaction-resin, its production method, light-radiating optical component and light-radiating semiconductor-body
JP2005524737A (ja) * 2002-05-06 2005-08-18 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 波長変換する反応性樹脂材料及び発光ダイオード素子
DE10221857A1 (de) * 2002-05-16 2003-11-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterchips in einem Kunststoffgehäusekörper, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
CA2489237A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-24 Cree, Inc. Semiconductor emitter comprising a saturated phosphor
US6734091B2 (en) 2002-06-28 2004-05-11 Kopin Corporation Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors
US7002180B2 (en) * 2002-06-28 2006-02-21 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device
WO2003107442A2 (en) 2002-06-17 2003-12-24 Kopin Corporation Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors
KR100567546B1 (ko) * 2002-06-24 2006-04-05 서울반도체 주식회사 핑크색 발광 다이오드 및 그 제조 방법
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
DE10228634A1 (de) * 2002-06-26 2004-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbare Miniatur-Lumineszenz-und/oder Photo-Diode und Verfahren zu deren Herstellung
US6955985B2 (en) 2002-06-28 2005-10-18 Kopin Corporation Domain epitaxy for thin film growth
US6809471B2 (en) * 2002-06-28 2004-10-26 General Electric Company Phosphors containing oxides of alkaline-earth and Group-IIIB metals and light sources incorporating the same
KR101030068B1 (ko) 2002-07-08 2011-04-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자
US7928455B2 (en) * 2002-07-15 2011-04-19 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device and method for forming the same
WO2004010472A2 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 Microsemi Corporation Process for fabricating, and light emitting device resulting from, a homogenously mixed powder/pelletized compound
EP2290715B1 (en) * 2002-08-01 2019-01-23 Nichia Corporation Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same
KR20040017926A (ko) * 2002-08-22 2004-03-02 웬-치 호 광-혼합 층 및 광-혼합 방법
US10340424B2 (en) * 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
JP2004128273A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Sharp Corp 発光素子
JP2004132772A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Casio Comput Co Ltd 照明装置およびそれを用いた電子機器
US7554258B2 (en) 2002-10-22 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body
EP1556904B1 (de) 2002-10-30 2018-12-05 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zum herstellen einer leuchtdioden-lichtquelle mit lumineszenz-konversionselement
CN100508221C (zh) * 2002-10-30 2009-07-01 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于混合色的发光二极管光源的生产方法
DE10250911B4 (de) * 2002-10-31 2009-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Umhüllung und/oder zumindest eines Teiles eines Gehäuses eines optoelektronischen Bauelements
JP2004158635A (ja) * 2002-11-06 2004-06-03 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型チップｌｅｄ及びその製造方法
NZ540767A (en) * 2002-11-27 2009-03-31 Dmi Biosciences Inc Treatment of diseases and conditions mediated by increased phosphorylation
DE10258193B4 (de) 2002-12-12 2014-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Leuchtdioden-Lichtquellen mit Lumineszenz-Konversionselement
US7042150B2 (en) * 2002-12-20 2006-05-09 Showa Denko K.K. Light-emitting device, method of fabricating the device, and LED lamp using the device
JP4834198B2 (ja) * 2002-12-25 2011-12-14 独立行政法人科学技術振興機構 発光素子装置、受光素子装置、光学装置、フッ化物結晶
DE10261908B4 (de) * 2002-12-27 2010-12-30 Osa Opto Light Gmbh Verfahren zur Herstellung eines konversionslichtemittierenden Elementes auf der Basis von Halbleiterlichtquellen
DE10261672B4 (de) * 2002-12-31 2005-11-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Chip mit Konversionsstoff, optoelektronisches Bauelement mit einem derartigen LED-Chip und Verfahren zum Herstellen eines derartigen LED-Chips
JP3910144B2 (ja) * 2003-01-06 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
US7550777B2 (en) 2003-01-10 2009-06-23 Toyoda Gosei, Co., Ltd. Light emitting device including adhesion layer
US20040137656A1 (en) * 2003-01-15 2004-07-15 Gurbir Singh Low thermal resistance light emitting diode package and a method of making the same
TWI351566B (en) 2003-01-15 2011-11-01 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device
US20040142098A1 (en) * 2003-01-21 2004-07-22 Eastman Kodak Company Using compacted organic materials in making white light emitting oleds
JP3717480B2 (ja) * 2003-01-27 2005-11-16 ローム株式会社 半導体発光装置
US6982523B2 (en) * 2003-01-28 2006-01-03 Kabushiki Kaisha Fine Rubber Kenkyuusho Red light emitting phosphor, its production and light emitting device
TWI237546B (en) 2003-01-30 2005-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor-component sending and/or receiving electromagnetic radiation and housing-basebody for such a component
US20040151829A1 (en) * 2003-01-31 2004-08-05 Eastman Kodak Company Optimizing OLED emission
US7074346B2 (en) * 2003-02-06 2006-07-11 Ube Industries, Ltd. Sialon-based oxynitride phosphor, process for its production, and use thereof
US7042020B2 (en) 2003-02-14 2006-05-09 Cree, Inc. Light emitting device incorporating a luminescent material
US7423296B2 (en) 2003-02-26 2008-09-09 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Apparatus for producing a spectrally-shifted light output from a light emitting device utilizing thin-film luminescent layers
CN103289893B (zh) 2003-02-26 2015-11-18 凯利达基因组股份有限公司 通过杂交进行的随机阵列dna分析
EP2262006A3 (en) * 2003-02-26 2012-03-21 Cree, Inc. Composite white light source and method for fabricating
JP2004260111A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Sharp Corp 半導体発光素子およびその半導体発光素子を用いた半導体発光装置
JP4131178B2 (ja) * 2003-02-28 2008-08-13 豊田合成株式会社 発光装置
DE10308866A1 (de) 2003-02-28 2004-09-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10308890A1 (de) * 2003-02-28 2004-09-09 Opto Tech Corporation Gehäusestruktur für eine Lichtemissionsdiode und Verfahren zu dessen Herstellung
US6806658B2 (en) * 2003-03-07 2004-10-19 Agilent Technologies, Inc. Method for making an LED
US6885033B2 (en) * 2003-03-10 2005-04-26 Cree, Inc. Light emitting devices for light conversion and methods and semiconductor chips for fabricating the same
EP1602134A2 (de) 2003-03-13 2005-12-07 Osram Opto Semiconductors GmbH Lumineszenzkonversions-led mit nachleuchteffekt und deren verwendung sowie zugeh riges betriebsverfahren
DE10314524A1 (de) 2003-03-31 2004-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Scheinwerfer und Scheinwerferelement
US20040252488A1 (en) * 2003-04-01 2004-12-16 Innovalight Light-emitting ceiling tile
US7279832B2 (en) * 2003-04-01 2007-10-09 Innovalight, Inc. Phosphor materials and illumination devices made therefrom
DE10315133A1 (de) * 2003-04-03 2004-10-14 Hella Kg Hueck & Co. Beleuchtungseinheit für Kraftfahrzeuge
DE10316769A1 (de) * 2003-04-10 2004-10-28 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstoffbassierte LED und zugehöriger Leuchtstoff
US7368179B2 (en) * 2003-04-21 2008-05-06 Sarnoff Corporation Methods and devices using high efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
US7125501B2 (en) * 2003-04-21 2006-10-24 Sarnoff Corporation High efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
KR101148332B1 (ko) * 2003-04-30 2012-05-25 크리, 인코포레이티드 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7633093B2 (en) 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
US7157745B2 (en) 2004-04-09 2007-01-02 Blonder Greg E Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
US7777235B2 (en) 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US7528421B2 (en) 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US6982045B2 (en) * 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor
DE10323857A1 (de) * 2003-05-26 2005-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein Laserdiodenbauelement, Laserdiodenbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Laserdiodenbauelements
US7122841B2 (en) 2003-06-04 2006-10-17 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting devices
US6803607B1 (en) * 2003-06-13 2004-10-12 Cotco Holdings Limited Surface mountable light emitting device
JP4138586B2 (ja) * 2003-06-13 2008-08-27 スタンレー電気株式会社 光源用ｌｅｄランプおよびこれを用いた車両用前照灯
CN100511732C (zh) * 2003-06-18 2009-07-08 丰田合成株式会社 发光器件
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
US7521667B2 (en) 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
US7075225B2 (en) 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
US7462983B2 (en) 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device
US7088038B2 (en) * 2003-07-02 2006-08-08 Gelcore Llc Green phosphor for general illumination applications
US8999736B2 (en) 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic system
DE10361661A1 (de) * 2003-07-14 2005-03-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Bauelement mit einem Lumineszenz-Konversionselement
DE102004034166B4 (de) * 2003-07-17 2015-08-20 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
DE10335077A1 (de) * 2003-07-31 2005-03-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul
US6987353B2 (en) * 2003-08-02 2006-01-17 Phosphortech Corporation Light emitting device having sulfoselenide fluorescent phosphor
US7109648B2 (en) * 2003-08-02 2006-09-19 Phosphortech Inc. Light emitting device having thio-selenide fluorescent phosphor
US7112921B2 (en) * 2003-08-02 2006-09-26 Phosphortech Inc. Light emitting device having selenium-based fluorescent phosphor
US7026755B2 (en) * 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
JP2005064233A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Stanley Electric Co Ltd 波長変換型ｌｅｄ
WO2005022032A1 (ja) * 2003-08-28 2005-03-10 Mitsubishi Chemical Corporation 発光装置及び蛍光体
TWI233697B (en) * 2003-08-28 2005-06-01 Genesis Photonics Inc AlInGaN light-emitting diode with wide spectrum and solid-state white light device
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
US7029935B2 (en) * 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
TW200512949A (en) * 2003-09-17 2005-04-01 Nanya Plastics Corp A method to provide emission of white color light by the principle of secondary excitation and its product
JP4140042B2 (ja) * 2003-09-17 2008-08-27 スタンレー電気株式会社 蛍光体を用いたｌｅｄ光源装置及びｌｅｄ光源装置を用いた車両前照灯
JP2005091675A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Pentax Corp 発光装置
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
JP4378242B2 (ja) * 2003-09-25 2009-12-02 株式会社小糸製作所 車両用灯具
JP4402425B2 (ja) * 2003-10-24 2010-01-20 スタンレー電気株式会社 車両前照灯
WO2005042669A1 (ja) * 2003-10-30 2005-05-12 Japan Science And Technology Agency 電界発光材料及びそれを用いた電界発光素子
DE10351349A1 (de) 2003-10-31 2005-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Hestellen eines Lumineszenzdiodenchips
DE10351397A1 (de) * 2003-10-31 2005-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
US7276782B2 (en) * 2003-10-31 2007-10-02 Harvatek Corporation Package structure for semiconductor
KR100537560B1 (ko) * 2003-11-25 2005-12-19 주식회사 메디아나전자 2단계 큐어 공정을 포함하는 백색 발광 다이오드 소자의제조방법
JP2005167092A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Nitto Denko Corp 光半導体装置の製造方法
US20070117248A1 (en) * 2003-12-09 2007-05-24 Jochen Kunze Method for the production of light-emitting semiconductor diodes
US20050127833A1 (en) * 2003-12-10 2005-06-16 Tieszen Dwayne A. White light LED and method to adjust the color output of same
US7318651B2 (en) * 2003-12-18 2008-01-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flash module with quantum dot light conversion
US7667766B2 (en) * 2003-12-18 2010-02-23 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjustable spectrum flash lighting for image acquisition
US7102152B2 (en) * 2004-10-14 2006-09-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material
KR100610249B1 (ko) * 2003-12-23 2006-08-09 럭스피아 주식회사 황색 발광 형광체 및 그것을 채용한 백색 반도체 발광장치
JP2005191420A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Stanley Electric Co Ltd 波長変換層を有する半導体発光装置およびその製造方法
TW200522387A (en) * 2003-12-26 2005-07-01 Ind Tech Res Inst High-power LED planarization encapsulation structure
US20050146270A1 (en) * 2003-12-29 2005-07-07 Ying-Ming Ho Stacked light emitting diode
TWI275189B (en) 2003-12-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor component and method for producing such component
JP2005197329A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
US7183588B2 (en) * 2004-01-08 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emission device
JP2005209795A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール及び灯具
CN100411209C (zh) 2004-01-26 2008-08-13 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 具有电流扩展结构的薄膜led
DE102004004778B4 (de) * 2004-01-30 2010-02-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdioden-Beleuchtungsmodul und strahlungsformende optische Einrichtung für ein Leuchtdioden-Beleuchtungsmodul
DE102004004779B4 (de) * 2004-01-30 2015-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdioden-Beleuchtungsmodul mit optischer Einrichtung zur Strahlformung
US20050179042A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Kopin Corporation Monolithic integration and enhanced light extraction in gallium nitride-based light-emitting devices
US20050179046A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Kopin Corporation P-type electrodes in gallium nitride-based light-emitting devices
WO2005081319A1 (de) 2004-02-20 2005-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement, vorrichtung mit einer mehrzahl optoelektronischer bauelemente und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
JP4572312B2 (ja) * 2004-02-23 2010-11-04 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ及びその製造方法
JP2005243973A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
TWI229465B (en) 2004-03-02 2005-03-11 Genesis Photonics Inc Single chip white light component
JP2005286312A (ja) * 2004-03-02 2005-10-13 Fujikura Ltd 発光デバイス及び照明装置
US7592192B2 (en) * 2004-03-05 2009-09-22 Konica Minolta Holdings, Inc. White light emitting diode (white LED) and method of manufacturing white LED
US20050199784A1 (en) * 2004-03-11 2005-09-15 Rizal Jaffar Light to PWM converter
US7239080B2 (en) * 2004-03-11 2007-07-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd LED display with overlay
DE102004013680A1 (de) 2004-03-18 2005-10-20 Siemens Ag Lichtquelle für Bilderzeugungseinheit
JP4504056B2 (ja) * 2004-03-22 2010-07-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法
DE102004014207A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil mit mehrteiligem Gehäusekörper
US20050211991A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-29 Kyocera Corporation Light-emitting apparatus and illuminating apparatus
US7586127B2 (en) * 2004-03-29 2009-09-08 Stanley Electric Co., Ltd. Light emitting diode
JP2005285925A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ
US7327078B2 (en) * 2004-03-30 2008-02-05 Lumination Llc LED illumination device with layered phosphor pattern
JP4229447B2 (ja) * 2004-03-31 2009-02-25 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び製造方法
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
US7868343B2 (en) * 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
KR100605212B1 (ko) * 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
KR100605211B1 (ko) 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
JP4471356B2 (ja) * 2004-04-23 2010-06-02 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP2005317661A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
WO2005106978A1 (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 発光装置およびその製造方法
DE102004021233A1 (de) * 2004-04-30 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
EP2803898B1 (en) * 2004-05-05 2020-08-19 Rensselaer Polytechnic Institute A light-emitting apparatus
US7837348B2 (en) 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
KR100655894B1 (ko) 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
US11158768B2 (en) 2004-05-07 2021-10-26 Bruce H. Baretz Vacuum light emitting diode
JP4632690B2 (ja) * 2004-05-11 2011-02-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置とその製造方法
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
US20050264194A1 (en) * 2004-05-25 2005-12-01 Ng Kee Y Mold compound with fluorescent material and a light-emitting device made therefrom
JP5366399B2 (ja) 2004-05-31 2013-12-11 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 光電子半導体構成素子及び該構成素子のためのケーシング基体
DE102004040468B4 (de) 2004-05-31 2022-02-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Gehäuse-Grundkörper für ein derartiges Bauelement
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
US8318044B2 (en) 2004-06-10 2012-11-27 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
JP4583076B2 (ja) * 2004-06-11 2010-11-17 スタンレー電気株式会社 発光素子
CN100403558C (zh) * 2004-06-11 2008-07-16 浙江古越龙山电子科技发展有限公司 白偏蓝贴片式发光二极管及其制造方法
JP4632697B2 (ja) * 2004-06-18 2011-02-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
EP1772509B1 (en) * 2004-06-18 2012-02-01 National Institute for Materials Science Alpha-sialon, alpha-sialon phosphor and method for producing same
CN100401536C (zh) * 2004-06-18 2008-07-09 江苏稳润光电有限公司 白光发光二极管的制造方法
JP2004274087A (ja) * 2004-06-21 2004-09-30 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
KR20060000313A (ko) * 2004-06-28 2006-01-06 루미마이크로 주식회사 대입경 형광 분말을 포함하는 색변환 발광 장치 그의 제조방법 및 그에 사용되는 수지 조성물
DE102004064150B4 (de) * 2004-06-29 2010-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauteil mit Gehäuse mit leitfähiger Beschichtung zum ESD-Schutz
DE102004044179B4 (de) * 2004-06-30 2010-04-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Montage von Halbleiterchips
WO2006002607A2 (de) 2004-06-30 2006-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung, optisches aufzeichnungsgerät, und verfahren zum gepulsten betreiben wenigstens einer leuchtdiode
DE102004045947A1 (de) 2004-06-30 2006-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
DE102004052245A1 (de) * 2004-06-30 2006-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem derartigen Halbleiterchip
KR20060000977A (ko) * 2004-06-30 2006-01-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 백라이트 유닛
DE102004031689A1 (de) * 2004-06-30 2006-02-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
US7695641B2 (en) 2004-07-05 2010-04-13 Kri, Inc. Organic/inorganic composite
US20060006366A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Vladimir Abramov Wave length shifting compositions for white emitting diode systems
KR101209488B1 (ko) * 2004-07-06 2012-12-07 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 효율적인, 녹색 발광 인광체 및 적색 발광 인광체와의 조합
US20060006793A1 (en) * 2004-07-12 2006-01-12 Baroky Tajul A Deep ultraviolet used to produce white light
DE102004042561A1 (de) 2004-07-20 2006-02-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Element
DE102004036157B4 (de) 2004-07-26 2023-03-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Leuchtmodul
US8728937B2 (en) 2004-07-30 2014-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing semiconductor chips using thin film technology
JP4599111B2 (ja) * 2004-07-30 2010-12-15 スタンレー電気株式会社 灯具光源用ｌｅｄランプ
WO2006012838A2 (de) 2004-07-30 2006-02-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung von halbleiterchips in dünnfilmtechnik und halbleiterchip in dünnfilmtechnik
JP4858867B2 (ja) * 2004-08-09 2012-01-18 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ及びその製造方法
US7750352B2 (en) * 2004-08-10 2010-07-06 Pinion Technologies, Inc. Light strips for lighting and backlighting applications
JP4547569B2 (ja) * 2004-08-31 2010-09-22 スタンレー電気株式会社 表面実装型ｌｅｄ
WO2006025403A1 (ja) * 2004-08-31 2006-03-09 Fujifilm Corporation 分散型エレクトロルミネッセンス素子
KR101217659B1 (ko) * 2004-09-03 2013-01-02 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 Ｅｌ소자
CA2579196C (en) * 2004-09-10 2010-06-22 Color Kinetics Incorporated Lighting zone control methods and apparatus
US7217583B2 (en) * 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
EP1796181B1 (en) 2004-09-22 2020-02-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device, and back light and liquid crystal display employing it
DE102004045950A1 (de) 2004-09-22 2006-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP4922555B2 (ja) * 2004-09-24 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ装置
DE102004047061B4 (de) 2004-09-28 2018-07-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP4756841B2 (ja) * 2004-09-29 2011-08-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法
DE102004047324A1 (de) 2004-09-29 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
DE102004047640A1 (de) 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement
DE102004050371A1 (de) 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung
DE102004060358A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
DE102004047727B4 (de) 2004-09-30 2018-01-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip mit einer Konverterschicht und Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips mit einer Konverterschicht
DE102005046420B4 (de) * 2004-10-04 2019-07-11 Stanley Electric Co. Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Halbleitervorrichtung
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
US8816369B2 (en) * 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
DE102004056252A1 (de) 2004-10-29 2006-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung, Kfz-Scheinwerfer und Verfahren zur Herstellung einer Beleuchtungseinrichtung
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
JP4627177B2 (ja) * 2004-11-10 2011-02-09 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄの製造方法
JP2006140281A (ja) * 2004-11-11 2006-06-01 Stanley Electric Co Ltd パワーｌｅｄ及びその製造方法
DE602005007629D1 (de) 2004-11-18 2008-07-31 Philips Intellectual Property Lichtemittierende vorrichtung mit umwandlungsstruktur
DE602005017661D1 (de) * 2004-12-06 2009-12-24 Philips Intellectual Property Organische elektroluminsezente lichtquelle
US7768198B2 (en) * 2004-12-06 2010-08-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Organic electroluminescent light source
US7357512B2 (en) * 2004-12-15 2008-04-15 Symbol Technologies, Inc. Color image projection system and method
DE102004060890A1 (de) 2004-12-17 2006-06-29 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Kfz-Scheinwerferelement
DE102004062989A1 (de) 2004-12-22 2006-07-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungseinrichtung mit mindestens einer Leuchtdiode und Fahrzeugscheinwerfer
CA2592096C (en) * 2004-12-22 2013-08-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US7322732B2 (en) 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
US20060138941A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electrolumenscent organic light emitting device and production method thereof
JP2006190888A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型ｌｅｄ
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7564180B2 (en) * 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US9793247B2 (en) * 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
WO2006076692A1 (en) * 2005-01-12 2006-07-20 Emisphere Technologies, Inc. Compositions for buccal delivery of parathyroid hormone
US7304694B2 (en) * 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
TWI352437B (en) * 2007-08-27 2011-11-11 Epistar Corp Optoelectronic semiconductor device
DE102006002275A1 (de) 2005-01-19 2006-07-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung
US7521856B2 (en) * 2005-01-26 2009-04-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh OLED device
DE102005012953B9 (de) * 2005-01-26 2013-04-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
KR20060088228A (ko) * 2005-02-01 2006-08-04 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드 나노미터 형광 물질을 이용하여 다수 파장의 빛을 방출할수 있는 발광 장치, 발광 소자 및 그의 제조 방법
US7648649B2 (en) * 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
US7358542B2 (en) * 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US7497973B2 (en) * 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US20070114562A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
DE102005004931B4 (de) * 2005-02-03 2008-02-21 Albis Plastic Gmbh Beleuchtungsvorrichtung
US7522211B2 (en) * 2005-02-10 2009-04-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Studio light
JP2006222288A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Toshiba Corp 白色ｌｅｄ及びその製造方法
JP4733402B2 (ja) * 2005-02-14 2011-07-27 株式会社Ｋｒｉ 調光光学要素
DE102005041065A1 (de) 2005-02-16 2006-08-24 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungseinrichtung
US7405433B2 (en) 2005-02-22 2008-07-29 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Semiconductor light emitting device
DE102005019375A1 (de) 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Array
CN101982891A (zh) 2005-02-28 2011-03-02 电气化学工业株式会社 荧光体及其制造方法及使用了该荧光体的发光元件
DE102005009066A1 (de) 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement
CN101128563B (zh) * 2005-02-28 2012-05-23 三菱化学株式会社 荧光体、其制造方法及其应用
JP4538739B2 (ja) * 2005-05-19 2010-09-08 電気化学工業株式会社 α型サイアロン蛍光体とそれを用いた照明器具
US8748923B2 (en) * 2005-03-14 2014-06-10 Philips Lumileds Lighting Company Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US7341878B2 (en) * 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US20060222024A1 (en) * 2005-03-15 2006-10-05 Gray Allen L Mode-locked semiconductor lasers with quantum-confined active region
US7274045B2 (en) * 2005-03-17 2007-09-25 Lumination Llc Borate phosphor materials for use in lighting applications
JP2006261540A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Stanley Electric Co Ltd 発光デバイス
JP4788944B2 (ja) * 2005-03-18 2011-10-05 株式会社フジクラ 粉末状蛍光体とその製造方法、発光デバイス及び照明装置
TWI249867B (en) 2005-03-24 2006-02-21 Lighthouse Technology Co Ltd Light-emitting diode package, cold cathode fluorescence lamp and photoluminescence material thereof
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
JP4751972B2 (ja) * 2005-03-29 2011-08-17 独立行政法人科学技術振興機構 電界発光素子の駆動方法
US7791561B2 (en) * 2005-04-01 2010-09-07 Prysm, Inc. Display systems having screens with optical fluorescent materials
US7474286B2 (en) * 2005-04-01 2009-01-06 Spudnik, Inc. Laser displays using UV-excitable phosphors emitting visible colored light
US20060221022A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-05 Roger Hajjar Laser vector scanner systems with display screens having optical fluorescent materials
US7733310B2 (en) * 2005-04-01 2010-06-08 Prysm, Inc. Display screens having optical fluorescent materials
JP2006314082A (ja) * 2005-04-04 2006-11-16 Nippon Sheet Glass Co Ltd 発光ユニット、該発光ユニットを用いた照明装置及び画像読取装置
US20060226772A1 (en) * 2005-04-06 2006-10-12 Tan Kheng L Increased light output light emitting device using multiple phosphors
US20060227825A1 (en) * 2005-04-07 2006-10-12 Nl-Nanosemiconductor Gmbh Mode-locked quantum dot laser with controllable gain properties by multiple stacking
US20060231847A1 (en) * 2005-04-15 2006-10-19 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. Multiple-wavelength light emitting diode and its light emitting chip structure
US8000005B2 (en) * 2006-03-31 2011-08-16 Prysm, Inc. Multilayered fluorescent screens for scanning beam display systems
US7994702B2 (en) * 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
US8089425B2 (en) * 2006-03-03 2012-01-03 Prysm, Inc. Optical designs for scanning beam display systems using fluorescent screens
TW200638558A (en) * 2005-04-29 2006-11-01 Teknowledge Dev Corp White light emitting diode device
CN100399591C (zh) * 2005-05-24 2008-07-02 陈建伟 自适应360度体发光白光发光二极管
DE102005025416A1 (de) 2005-06-02 2006-12-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip mit einer Kontaktstruktur
US9297092B2 (en) 2005-06-05 2016-03-29 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
WO2007103310A2 (en) 2006-03-07 2007-09-13 Qd Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8669572B2 (en) * 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
EP1892268B1 (en) 2005-06-14 2015-10-28 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Resin composition and sheet containing phosphor, and light emitting element using such composition and sheet
BRPI0613822A2 (pt) * 2005-06-23 2011-02-15 Rensselaer Polytech Inst método e fonte de luz de largura de faixa ampla para a produção de luz visìvel e que tem um valor de cromaticidade próximo de um locus de corpo negro e um ìndice de renderização de cor de mais de aproximadamente 80 e fonte de luz de largura de faixa ampla
DE102005030324B4 (de) * 2005-06-29 2013-04-04 Lextar Electronics Corp. Lichtemittierende Dioden-Baugruppenanordnung, Kaltkathoden-Fluoreszenzlampe und photolumineszentes Material davon
DE102005031523B4 (de) * 2005-06-30 2015-11-05 Schott Ag Halbleiterlichtquelle mit Lichtkonversionsmedium aus Glaskeramik
DE102005030761A1 (de) * 2005-07-01 2007-01-04 Carl Zeiss Jena Gmbh Beleuchtungseinrichtung für Mikroskope
DE112006001722B4 (de) 2005-07-01 2021-05-06 National Institute For Materials Science Leuchtstoff und Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verwendung des Leuchtstoffs
KR101118459B1 (ko) 2005-07-01 2012-04-12 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 형광체와 그 제조 방법 및 조명 기구
KR100665216B1 (ko) * 2005-07-04 2007-01-09 삼성전기주식회사 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드
DE102005034793B3 (de) * 2005-07-21 2007-04-19 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Lichtemittierende Halbleiterdiode hoher Lichtleistung
DE102005034166A1 (de) 2005-07-21 2007-02-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement, elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses oder eines Bauelements
DE102005035722B9 (de) 2005-07-29 2021-11-18 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
JPWO2007018039A1 (ja) * 2005-08-05 2009-02-19 パナソニック株式会社 半導体発光装置
US7329907B2 (en) 2005-08-12 2008-02-12 Avago Technologies, Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
KR100691273B1 (ko) * 2005-08-23 2007-03-12 삼성전기주식회사 복합 형광체 분말, 이를 이용한 발광 장치 및 복합 형광체분말의 제조 방법
DE102005040558A1 (de) * 2005-08-26 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
DE102005041064B4 (de) * 2005-08-30 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005046450A1 (de) 2005-09-28 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil
DE102006032416A1 (de) * 2005-09-29 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
JP2007096079A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
DE102006032428A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements
DE102005049685A1 (de) 2005-10-14 2007-04-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Multifunktions-Kfz-Scheinwerfermodul insbesondere für den Frontbereich eines Fahrzeugs
US7952108B2 (en) * 2005-10-18 2011-05-31 Finisar Corporation Reducing thermal expansion effects in semiconductor packages
KR100665262B1 (ko) * 2005-10-20 2007-01-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
EP1783482A1 (de) * 2005-11-04 2007-05-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Strahlen und ein Strahlmaterial
KR101258397B1 (ko) 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
KR100691440B1 (ko) * 2005-11-15 2007-03-09 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US20070114561A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Comanzo Holly A High efficiency phosphor for use in LEDs
US7564070B2 (en) * 2005-11-23 2009-07-21 Visteon Global Technologies, Inc. Light emitting diode device having a shield and/or filter
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) * 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
US7835408B2 (en) * 2005-12-07 2010-11-16 Innolume Gmbh Optical transmission system
US7561607B2 (en) * 2005-12-07 2009-07-14 Innolume Gmbh Laser source with broadband spectrum emission
WO2007065614A2 (en) 2005-12-07 2007-06-14 Innolume Gmbh Laser source with broadband spectrum emission
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
DE102006033893B4 (de) 2005-12-16 2017-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung
JP2007165811A (ja) 2005-12-16 2007-06-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
EP2372224A3 (en) 2005-12-21 2012-08-01 Cree, Inc. Lighting Device and Lighting Method
CN101460779A (zh) 2005-12-21 2009-06-17 科锐Led照明技术公司 照明装置
US7614759B2 (en) 2005-12-22 2009-11-10 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
CN101385145B (zh) 2006-01-05 2011-06-08 伊鲁米特克斯公司 用于引导来自led的光的分立光学装置
KR100723247B1 (ko) * 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP2007188976A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光装置の製造方法
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
CN101473453B (zh) * 2006-01-20 2014-08-27 科锐公司 通过在空间上隔开荧光片转换固态光发射器内的光谱内容
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
CN1807548B (zh) * 2006-01-27 2010-09-08 罗维鸿 多棱面大粒度分散萤光粉及使用它的白光二极管
TWI317756B (en) * 2006-02-07 2009-12-01 Coretronic Corp Phosphor, fluorescent gel, and light emitting diode device
US7884816B2 (en) * 2006-02-15 2011-02-08 Prysm, Inc. Correcting pyramidal error of polygon scanner in scanning beam display systems
US8451195B2 (en) 2006-02-15 2013-05-28 Prysm, Inc. Servo-assisted scanning beam display systems using fluorescent screens
JP4820184B2 (ja) * 2006-02-20 2011-11-24 シチズン電子株式会社 発光装置とその製造方法
US7737634B2 (en) 2006-03-06 2010-06-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED devices having improved containment for liquid encapsulant
US8849087B2 (en) * 2006-03-07 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
DE102006011453A1 (de) * 2006-03-13 2007-09-20 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Hochbeständiges Kunststoffbauteil, das zur Lumineszent geeignet ist
KR100746749B1 (ko) * 2006-03-15 2007-08-09 (주)케이디티 광 여기 시트
US7808004B2 (en) * 2006-03-17 2010-10-05 Edison Opto Corporation Light emitting diode package structure and method of manufacturing the same
JP5025636B2 (ja) 2006-03-28 2012-09-12 京セラ株式会社 発光装置
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
CN101410994B (zh) * 2006-03-29 2011-06-15 京瓷株式会社 发光装置
KR101274044B1 (ko) * 2006-03-31 2013-06-12 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
US8969908B2 (en) * 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9084328B2 (en) 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
CN101438630B (zh) * 2006-04-18 2013-03-27 科锐公司 照明装置及照明方法
US7821194B2 (en) * 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
EP2008019B1 (en) 2006-04-20 2015-08-05 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US8748915B2 (en) * 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US7635915B2 (en) * 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
MX2008013868A (es) 2006-05-02 2009-02-03 Superbulbs Inc Metodo de dispersion de luz y difraccion preferencial de ciertas longitudes de onda de luz para diodos emisores de luz y bulbos construidos a partir de los mismos.
KR20090008317A (ko) 2006-05-02 2009-01-21 슈퍼불브스, 인크. 플래스틱 ｌｅｄ 전구
WO2007131195A2 (en) 2006-05-05 2007-11-15 Spudnik, Inc. Phosphor compositions and other fluorescent materials for display systems and devices
US7722220B2 (en) 2006-05-05 2010-05-25 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
TWI357435B (en) 2006-05-12 2012-02-01 Lextar Electronics Corp Light emitting diode and wavelength converting mat
EP2027412B1 (en) * 2006-05-23 2018-07-04 Cree, Inc. Lighting device
EP2027602A4 (en) * 2006-05-23 2012-11-28 Cree Inc LIGHTING DEVICE AND METHOD OF MAKING
BRPI0712439B1 (pt) * 2006-05-31 2019-11-05 Cree Led Lighting Solutions Inc dispositivo de iluminação e método de iluminação
JP2007324475A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Sharp Corp 波長変換部材および発光装置
US7541596B2 (en) * 2006-07-05 2009-06-02 Omnivision Technologies, Inc. Method and apparatus for increasing light absorption in an image sensor using energy conversion layer
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US7943952B2 (en) * 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
US20080029720A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
US8367945B2 (en) * 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US7703942B2 (en) * 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US8425271B2 (en) * 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
US7910938B2 (en) 2006-09-01 2011-03-22 Cree, Inc. Encapsulant profile for light emitting diodes
US20100224890A1 (en) * 2006-09-18 2010-09-09 Cree, Inc. Light emitting diode chip with electrical insulation element
US20080068295A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-20 Hajjar Roger A Compensation for Spatial Variation in Displayed Image in Scanning Beam Display Systems Using Light-Emitting Screens
DE102007020782A1 (de) 2006-09-27 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
KR100757803B1 (ko) 2006-09-29 2007-09-11 서울옵토디바이스주식회사 자외선 발광다이오드 어셈블리
WO2008038924A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-03 Seoul Opto Device Co., Ltd. Ultraviolet light emitting diode package
DE102006046199A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
EP2054744A1 (de) 2006-09-29 2009-05-06 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optischer lichtleiter und optische vorrichtung
DE102006046678A1 (de) 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für ein optoelektronisches Bauelement
DE102006051746A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht
JP2010506402A (ja) 2006-10-02 2010-02-25 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄのシステムおよび方法
JP2010506006A (ja) * 2006-10-03 2010-02-25 ライトスケイプ マテリアルズ，インク． 金属ケイ酸塩ハロゲン化物燐光体及びそれを使用するｌｅｄ照明デバイス
US9018619B2 (en) 2006-10-09 2015-04-28 Cree, Inc. Quantum wells for light conversion
US8133461B2 (en) * 2006-10-20 2012-03-13 Intematix Corporation Nano-YAG:Ce phosphor compositions and their methods of preparation
EP1914809A1 (en) 2006-10-20 2008-04-23 Tridonic Optoelectronics GmbH Cover for optoelectronic components
US8475683B2 (en) 2006-10-20 2013-07-02 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates
US9120975B2 (en) 2006-10-20 2015-09-01 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates
US8529791B2 (en) 2006-10-20 2013-09-10 Intematix Corporation Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications
US7659549B2 (en) * 2006-10-23 2010-02-09 Chang Gung University Method for obtaining a better color rendering with a photoluminescence plate
DE102006051756A1 (de) 2006-11-02 2008-05-08 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Lichtquelle
US8029155B2 (en) * 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US10295147B2 (en) * 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
EP1925874B8 (en) 2006-11-24 2014-09-10 OSRAM GmbH LED color-mixing lighting system
US9441793B2 (en) 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
WO2008073794A1 (en) 2006-12-07 2008-06-19 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US8013506B2 (en) * 2006-12-12 2011-09-06 Prysm, Inc. Organic compounds for adjusting phosphor chromaticity
JP4910192B2 (ja) * 2006-12-12 2012-04-04 独立行政法人科学技術振興機構 酸化物電界発光素子
US9178121B2 (en) 2006-12-15 2015-11-03 Cree, Inc. Reflective mounting substrates for light emitting diodes
US7862598B2 (en) * 2007-10-30 2011-01-04 The Invention Science Fund I, Llc Devices and systems that deliver nitric oxide
US20110190604A1 (en) * 2006-12-22 2011-08-04 Hyde Roderick A Nitric oxide sensors and systems
US8642093B2 (en) * 2007-10-30 2014-02-04 The Invention Science Fund I, Llc Methods and systems for use of photolyzable nitric oxide donors
US20090112197A1 (en) 2007-10-30 2009-04-30 Searete Llc Devices configured to facilitate release of nitric oxide
US20090110933A1 (en) * 2007-10-30 2009-04-30 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Systems and devices related to nitric oxide releasing materials
US8221690B2 (en) * 2007-10-30 2012-07-17 The Invention Science Fund I, Llc Systems and devices that utilize photolyzable nitric oxide donors
EP2109157B1 (en) * 2006-12-28 2018-11-28 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
JP5380774B2 (ja) 2006-12-28 2014-01-08 日亜化学工業株式会社 表面実装型側面発光装置及びその製造方法
KR100946015B1 (ko) * 2007-01-02 2010-03-09 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 ｌｃｄ 백라이트용 광원모듈
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US7968900B2 (en) * 2007-01-19 2011-06-28 Cree, Inc. High performance LED package
DE102007003785A1 (de) 2007-01-19 2008-07-24 Merck Patent Gmbh Emitter-converter-chip
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8232564B2 (en) * 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US20090085053A1 (en) * 2007-01-25 2009-04-02 Hsing Chen Light emitting diode package with large viewing angle
US20080179618A1 (en) * 2007-01-26 2008-07-31 Ching-Tai Cheng Ceramic led package
DE102007010244A1 (de) * 2007-02-02 2008-08-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung und Verfahren zur Erzeugung von Mischlicht
JP4335263B2 (ja) * 2007-02-07 2009-09-30 ソニー株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US8212262B2 (en) 2007-02-09 2012-07-03 Cree, Inc. Transparent LED chip
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
WO2008100991A1 (en) 2007-02-13 2008-08-21 3M Innovative Properties Company Led devices having lenses and methods of making same
US9944031B2 (en) * 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
US20080197369A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Cree, Inc. Double flip semiconductor device and method for fabrication
KR100900620B1 (ko) * 2007-02-20 2009-06-02 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
EP2122231B1 (en) * 2007-02-22 2014-10-01 Cree, Inc. Lighting devices, methods of lighting, light filters and methods of filtering light
JP5013905B2 (ja) 2007-02-28 2012-08-29 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
EP2117648B1 (en) * 2007-03-09 2015-08-26 Koninklijke Philips N.V. Lighting system for energy stimulation
KR100818518B1 (ko) * 2007-03-14 2008-03-31 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지
WO2008116123A1 (en) * 2007-03-20 2008-09-25 Spudnik, Inc. Delivering and displaying advertisement or other application data to display systems
DE102007016229A1 (de) 2007-04-04 2008-10-09 Litec Lll Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs
DE102007016228A1 (de) 2007-04-04 2008-10-09 Litec Lll Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs
US7697183B2 (en) * 2007-04-06 2010-04-13 Prysm, Inc. Post-objective scanning beam systems
US8169454B1 (en) 2007-04-06 2012-05-01 Prysm, Inc. Patterning a surface using pre-objective and post-objective raster scanning systems
US20080258130A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 Bergmann Michael J Beveled LED Chip with Transparent Substrate
DE102007019775A1 (de) 2007-04-26 2008-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102007019776A1 (de) 2007-04-26 2008-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente
EP1987762A1 (de) * 2007-05-03 2008-11-05 F.Hoffmann-La Roche Ag Oximeter
JP2010527156A (ja) 2007-05-08 2010-08-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
BRPI0811561A2 (pt) 2007-05-08 2015-06-16 Cree Led Lighting Solutions Dispositivo de iluminação e método de iluminação
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
EP2142844B1 (en) 2007-05-08 2017-08-23 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
TWI489648B (zh) 2007-05-08 2015-06-21 Cree Inc 照明裝置及照明方法
JP2010527155A (ja) * 2007-05-08 2010-08-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
WO2008144673A2 (en) 2007-05-17 2008-11-27 Spudnik, Inc. Multilayered screens with light-emitting stripes for scanning beam display systems
DE102007025092A1 (de) 2007-05-30 2008-12-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
WO2008153043A1 (ja) * 2007-06-14 2008-12-18 Rohm Co., Ltd. 半導体発光装置
US7942556B2 (en) * 2007-06-18 2011-05-17 Xicato, Inc. Solid state illumination device
DE102007028120A1 (de) 2007-06-19 2008-12-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Chlorosilikat-Leuchtstoffs und damit hergestellter Leuchtstoff
WO2009014590A2 (en) 2007-06-25 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Compositions and methods including depositing nanomaterial
US8556430B2 (en) * 2007-06-27 2013-10-15 Prysm, Inc. Servo feedback control based on designated scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
US7878657B2 (en) * 2007-06-27 2011-02-01 Prysm, Inc. Servo feedback control based on invisible scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
US20090001372A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Lumination Llc Efficient cooling of lasers, LEDs and photonics devices
DE102007030129A1 (de) 2007-06-29 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
TWI365546B (en) * 2007-06-29 2012-06-01 Ind Tech Res Inst Light emitting diode device and fabrication method thereof
US9401461B2 (en) 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US20090016066A1 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Chen Pi Hsiang Package Structure for a High-Luminance Light Source
TWI404228B (zh) * 2007-07-12 2013-08-01 Epistar Corp 半導體發光裝置與其製造方法
TWI347687B (en) * 2007-07-13 2011-08-21 Lite On Technology Corp Light-emitting device with open-loop control
WO2009012301A2 (en) * 2007-07-16 2009-01-22 Lumination Llc Red line emitting complex fluoride phosphors activated with mn4+
CN105185895A (zh) 2007-07-19 2015-12-23 夏普株式会社 发光装置
US8791631B2 (en) * 2007-07-19 2014-07-29 Quarkstar Llc Light emitting device
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
TWI384052B (zh) * 2007-07-25 2013-02-01 Univ Nat Chiao Tung 新穎螢光體與其製造方法
DE102007036226A1 (de) * 2007-08-02 2009-02-05 Perkinelmer Elcos Gmbh Anbringungsstruktur für LEDs, LED-Baugruppe, LED-Baugruppensockel, Verfahren zum Ausbilden einer Anbringungsstruktur
TWI342628B (en) * 2007-08-02 2011-05-21 Lextar Electronics Corp Light emitting diode package, direct type back light module and side type backlight module
US20090039375A1 (en) * 2007-08-07 2009-02-12 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with separated wavelength conversion materials and methods of forming the same
US7863635B2 (en) * 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
WO2009025469A2 (en) 2007-08-22 2009-02-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Non stoichiometric tetragonal copper alkaline earth silicate phosphors and method of preparing the same
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
US20090065792A1 (en) 2007-09-07 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Method of making an led device having a dome lens
US20090068496A1 (en) * 2007-09-10 2009-03-12 Liann-Be Chang Led structure
DE102007058723A1 (de) 2007-09-10 2009-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierende Struktur
US20150147240A1 (en) * 2007-09-10 2015-05-28 Liann-Be Chang Led Lamp Having Photocatalyst Agents
DE102007049005A1 (de) 2007-09-11 2009-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
DE102007043183A1 (de) * 2007-09-11 2009-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102007043355A1 (de) 2007-09-12 2009-03-19 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED-Modul, LED-Leuchtmittel und LED Leuchte für die energie-effiziente Wiedergabe von weißem Licht
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
DE102007043903A1 (de) 2007-09-14 2009-03-26 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leucht-Vorrichtung
DE102007050876A1 (de) 2007-09-26 2009-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102007057710B4 (de) * 2007-09-28 2024-03-14 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes Bauelement mit Konversionselement
DE102007046519A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-LED mit einer Spiegelschicht und Verfahren zu deren Herstellung
DE102007049799A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102008012316B4 (de) 2007-09-28 2023-02-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlichtquelle mit einer Primärstrahlungsquelle und einem Lumineszenzkonversionselement
DE102007046611A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle mit Konversionselement und Lichtwellenleiter, Verfahren zur Herstellung der Lichtquelle und deren Verwendung
TWI481068B (zh) * 2007-10-10 2015-04-11 克里公司 照明裝置及其製造方法
US9086213B2 (en) 2007-10-17 2015-07-21 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes
US7984999B2 (en) 2007-10-17 2011-07-26 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member
EP2215403A4 (en) 2007-10-24 2012-08-29 Switch Bulb Co Inc DIFFUSER FOR LIGHT SOURCES OF LIGHT EMITTING DIODES
US8877508B2 (en) * 2007-10-30 2014-11-04 The Invention Science Fund I, Llc Devices and systems that deliver nitric oxide
US10080823B2 (en) 2007-10-30 2018-09-25 Gearbox Llc Substrates for nitric oxide releasing devices
US8349262B2 (en) * 2007-10-30 2013-01-08 The Invention Science Fund I, Llc Nitric oxide permeable housings
US8980332B2 (en) 2007-10-30 2015-03-17 The Invention Science Fund I, Llc Methods and systems for use of photolyzable nitric oxide donors
US7897399B2 (en) 2007-10-30 2011-03-01 The Invention Science Fund I, Llc Nitric oxide sensors and systems
US20090112055A1 (en) * 2007-10-30 2009-04-30 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Sleeves configured to facilitate release of nitric oxide
US20090112193A1 (en) * 2007-10-30 2009-04-30 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Systems and devices that utilize photolyzable nitric oxide donors
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
US8866169B2 (en) * 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8018139B2 (en) * 2007-11-05 2011-09-13 Enertron, Inc. Light source and method of controlling light spectrum of an LED light engine
US8119028B2 (en) * 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
US8462269B2 (en) * 2007-11-16 2013-06-11 Mediatek Inc. Devices and methods for extracting a synchronization signal from a video signal
DE102007056562A1 (de) 2007-11-23 2009-05-28 Oerlikon Textile Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur optischen Detektion von Verunreinigungen in längsbewegtem Garn
DE102007057669A1 (de) 2007-11-30 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbige Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement
DE102007057812A1 (de) * 2007-11-30 2009-06-25 Schott Ag Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung sowie Lichtkonverter und dessen Verwendung
WO2009074934A1 (en) * 2007-12-11 2009-06-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Side emitting device with hybrid top reflector
RU2481672C2 (ru) * 2007-12-11 2013-05-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Устройство для бокового излучения с гибридным верхним отражателем
TWI390008B (zh) * 2007-12-12 2013-03-21 Solar cells and their light-emitting conversion layer
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8167674B2 (en) * 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US8878219B2 (en) 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US20090309114A1 (en) 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
DE102008006990A1 (de) * 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Hintergrundbeleuchtungseinheit für eine Hintergrundbeleuchtung eines Bildschirms und Bildschirmeinheit des Bildschirms
DE102008012407A1 (de) 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
DE102008006988A1 (de) * 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
KR100937963B1 (ko) * 2008-02-05 2010-01-21 삼성에스디아이 주식회사 디스플레이 장치용 형광체 조성물
EP2240968A1 (en) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
DE102008026841A1 (de) * 2008-02-22 2009-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE202008005509U1 (de) * 2008-02-26 2009-07-09 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit anwendungsspezifischer Farbeinstellung
DE102008011866B4 (de) 2008-02-29 2018-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquellenanordnung mit einer Halbleiterlichtquelle
KR100950418B1 (ko) * 2008-02-29 2010-03-29 부경대학교 산학협력단 백색 엘이디용 가넷계 결정 형광체 및 이의 제조방법
JP5416975B2 (ja) 2008-03-11 2014-02-12 ローム株式会社 半導体発光装置
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
DE102008019667A1 (de) 2008-04-18 2009-10-22 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit einer Plattform mit einer Zentralausnehmung
DE102008020882A1 (de) * 2008-04-25 2009-10-29 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Bereitstellung einer lichtemittierenden Vorrichtung mit vordefinierten optischen Eigenschaften des emittierten Lichts
DE102009018603B9 (de) 2008-04-25 2021-01-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
DE102008021436A1 (de) 2008-04-29 2010-05-20 Schott Ag Optik-Konverter-System für (W)LEDs
DE202008005987U1 (de) * 2008-04-30 2009-09-03 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit kalottenförmiger Farbkonversionsschicht
DE102008021658A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung mit Volumenstrukturierung
WO2009151515A1 (en) 2008-05-06 2009-12-17 Qd Vision, Inc. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
DE102008022795B4 (de) 2008-05-08 2020-01-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kfz-Scheinwerfer
TWI362769B (en) 2008-05-09 2012-04-21 Univ Nat Chiao Tung Light emitting device and fabrication method therefor
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
US8242525B2 (en) * 2008-05-20 2012-08-14 Lightscape Materials, Inc. Silicate-based phosphors and LED lighting devices using the same
DE102008025864A1 (de) 2008-05-29 2009-12-03 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED Modul für die Allgemeinbeleuchtung
DE202008018269U1 (de) 2008-05-29 2012-06-26 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED Modul für die Allgemeinbeleuchtung
DE102008025756B4 (de) * 2008-05-29 2023-02-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiteranordnung
US7868340B2 (en) 2008-05-30 2011-01-11 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
JP5152502B2 (ja) * 2008-06-09 2013-02-27 スタンレー電気株式会社 灯具
TWI384649B (zh) * 2008-06-18 2013-02-01 Harvatek Corp Light emitting diode chip encapsulation structure with embedded electrostatic protection function and its making method
KR101495071B1 (ko) * 2008-06-24 2015-02-25 삼성전자 주식회사 서브 마운트 및 이를 이용한 발광 장치, 상기 서브마운트의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치의 제조 방법
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
CN101619136B (zh) * 2008-06-30 2011-11-23 柏腾科技股份有限公司 用于转换光谱的有机薄膜及发光二极管芯片封装模块
KR101209548B1 (ko) 2008-07-03 2012-12-07 삼성전자주식회사 파장변환형 발광다이오드 칩 및 이를 구비한 발광장치
DE102008033394B4 (de) 2008-07-16 2018-01-25 Osram Oled Gmbh Bauteil mit einem ersten und einem zweiten Substrat
US7869112B2 (en) * 2008-07-25 2011-01-11 Prysm, Inc. Beam scanning based on two-dimensional polygon scanner for display and other applications
DE102008034708A1 (de) 2008-07-25 2010-02-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
JP4890514B2 (ja) * 2008-08-07 2012-03-07 星和電機株式会社 蛍光体及び発光ダイオード
US8152586B2 (en) 2008-08-11 2012-04-10 Shat-R-Shield, Inc. Shatterproof light tube having after-glow
CN100565000C (zh) * 2008-08-11 2009-12-02 山东华光光电子有限公司 利用yag透明陶瓷制备白光led的方法
WO2010021676A1 (en) 2008-08-18 2010-02-25 Superbulbs, Inc. Anti-reflective coatings for light bulbs
CN102144016A (zh) * 2008-09-04 2011-08-03 拜尔材料科学股份公司 发光器件及其制造方法
EP2161763A1 (de) * 2008-09-04 2010-03-10 Bayer MaterialScience AG Konversionsfolie und ein Verfahren zu deren Herstellung
DE102008048653A1 (de) * 2008-09-24 2010-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US7955875B2 (en) * 2008-09-26 2011-06-07 Cree, Inc. Forming light emitting devices including custom wavelength conversion structures
DE102008049188A1 (de) 2008-09-26 2010-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul mit einem Trägersubstrat und einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102008049069B8 (de) 2008-09-26 2020-10-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Modul mit einem Trägersubstrat, zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement und mindestens einem elektrischen Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US8075165B2 (en) * 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US20100097779A1 (en) 2008-10-21 2010-04-22 Mitutoyo Corporation High intensity pulsed light source configurations
US8096676B2 (en) * 2008-10-21 2012-01-17 Mitutoyo Corporation High intensity pulsed light source configurations
DE102008052751A1 (de) * 2008-10-22 2010-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzkonversionselements, Lumineszenzkonversionselement und optoelektronisches Bauteil
US9425172B2 (en) * 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US20100109025A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Over the mold phosphor lens for an led
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
DE102008057720B4 (de) * 2008-11-17 2024-10-31 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierende Vorrichtung
US8220971B2 (en) 2008-11-21 2012-07-17 Xicato, Inc. Light emitting diode module with three part color matching
US8456082B2 (en) * 2008-12-01 2013-06-04 Ifire Ip Corporation Surface-emission light source with uniform illumination
WO2010065731A2 (en) * 2008-12-03 2010-06-10 Innolume Gmbh Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
CN101499446B (zh) * 2009-02-26 2013-10-16 光宝电子(广州)有限公司 导线架料片、封装结构以及发光二极管封装结构
JP5126127B2 (ja) * 2009-03-17 2013-01-23 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
DE102009022682A1 (de) * 2009-05-26 2010-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode
US8921876B2 (en) * 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
US8426871B2 (en) * 2009-06-19 2013-04-23 Honeywell International Inc. Phosphor converting IR LEDs
DE102009030205A1 (de) 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
KR101055762B1 (ko) 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
WO2011020098A1 (en) 2009-08-14 2011-02-17 Qd Vision, Inc. Lighting devices, an optical component for a lighting device, and methods
DE102009037732A1 (de) * 2009-08-17 2011-02-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Konversions-LED mit hoher Effizienz
US8598809B2 (en) * 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
DE102009039982A1 (de) 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
WO2011037877A1 (en) 2009-09-25 2011-03-31 Cree, Inc. Lighting device with low glare and high light level uniformity
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
DE102009048401A1 (de) 2009-10-06 2011-04-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
KR101034054B1 (ko) * 2009-10-22 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
KR20120083933A (ko) * 2009-12-04 2012-07-26 아나톨리 바실리예비치 비신야코프 고체 백색광원용 복합 발광 물질
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
DE102009058796A1 (de) 2009-12-18 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
SG181935A1 (en) * 2009-12-30 2012-08-30 Merck Patent Gmbh Casting composition as diffusion barrier for water molecules
DE102010018260A1 (de) * 2010-01-29 2011-08-04 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Beleuchtungsvorrichtung
JP5383611B2 (ja) * 2010-01-29 2014-01-08 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
TW201128808A (en) * 2010-02-03 2011-08-16 Advanced Optoelectronic Tech Package of semiconductor light emitting device
US9631782B2 (en) * 2010-02-04 2017-04-25 Xicato, Inc. LED-based rectangular illumination device
US9468070B2 (en) 2010-02-16 2016-10-11 Cree Inc. Color control of light emitting devices and applications thereof
WO2011102185A1 (ja) * 2010-02-17 2011-08-25 シャープ株式会社 光源ユニット、照明装置、表示装置、テレビ受信装置
EP2537899B1 (en) 2010-02-19 2014-11-26 Toray Industries, Inc. Phosphor-containing cured silicone, process for production of same, phosphor-containing silicone composition, precursor of the composition, sheet-shaped moldings, led package, light -emitting device, and process for production of led-mounted substrate
DE102010009456A1 (de) 2010-02-26 2011-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement mit einem Halbleiterchip und einem Konversionselement und Verfahren zu dessen Herstellung
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US8104908B2 (en) * 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index
US9172006B2 (en) * 2010-03-16 2015-10-27 Koninklijke Philips N.V. Lighting apparatus
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
MY169600A (en) 2010-05-24 2019-04-22 Dominant Opto Tech Sdn Bhd Led lighting device with uniform color mixing
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
DE202011106595U1 (de) 2010-06-07 2011-12-06 Chee Sheng Lim LED-Leuchtvorrichtung mit hoher Farbwiedergabe
US8142050B2 (en) 2010-06-24 2012-03-27 Mitutoyo Corporation Phosphor wheel configuration for high intensity point source
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
DE102010034923A1 (de) 2010-08-20 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Schichtverbunds aus einer Lumineszenzkonversionsschicht und einer Streuschicht
DE102010034913B4 (de) 2010-08-20 2023-03-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung des Strahlung emittierenden Bauelements
US20120051045A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Xicato, Inc. Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source
KR20120024104A (ko) * 2010-09-06 2012-03-14 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US8610341B2 (en) 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Wavelength conversion component
US8957585B2 (en) 2010-10-05 2015-02-17 Intermatix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
CN103155024B (zh) 2010-10-05 2016-09-14 英特曼帝克司公司 具光致发光波长转换的固态发光装置及标牌
US8614539B2 (en) 2010-10-05 2013-12-24 Intematix Corporation Wavelength conversion component with scattering particles
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
US8604678B2 (en) 2010-10-05 2013-12-10 Intematix Corporation Wavelength conversion component with a diffusing layer
JP5468517B2 (ja) 2010-10-19 2014-04-09 パナソニック株式会社 半導体発光デバイス
US20120097985A1 (en) * 2010-10-21 2012-04-26 Wen-Huang Liu Light Emitting Diode (LED) Package And Method Of Fabrication
KR20120050282A (ko) * 2010-11-10 2012-05-18 삼성엘이디 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
DE102010051286A1 (de) 2010-11-12 2012-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
KR101967623B1 (ko) * 2010-12-13 2019-04-10 도레이 카부시키가이샤 형광체 시트, 이것을 사용한 ｌｅｄ 및 발광 장치, 그리고 ｌｅｄ의 제조 방법
KR101101712B1 (ko) * 2010-12-13 2012-01-05 한국세라믹기술원 고굴절률 발광소자용 패키지의 제조방법
DE102010055265A1 (de) * 2010-12-20 2012-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102010063760B4 (de) * 2010-12-21 2022-12-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
US8317347B2 (en) 2010-12-22 2012-11-27 Mitutoyo Corporation High intensity point source system for high spectral stability
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
US8493569B2 (en) 2010-12-27 2013-07-23 Mitutoyo Corporation Optical encoder readhead configuration with phosphor layer
DE102011013369A1 (de) 2010-12-30 2012-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen
DE102011009369A1 (de) * 2011-01-25 2012-07-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
JP5631509B2 (ja) * 2011-03-01 2014-11-26 オスラム ゲーエムベーハーＯＳＲＡＭ ＧｍｂＨ 蛍光体エレメントを有する照明装置
JPWO2012131792A1 (ja) 2011-03-31 2014-07-24 パナソニック株式会社 半導体発光装置
CN102766906B (zh) * 2011-05-05 2016-06-29 中国科学院福建物质结构研究所 一类铒离子激活3微米波段镓酸盐激光晶体及其制备方法
DE102011100710A1 (de) 2011-05-06 2012-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselement für Leuchtdioden und Herstellungsverfahren
DE102011102590A1 (de) 2011-05-27 2012-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Leuchtdioden-Bauelementen
US8747697B2 (en) * 2011-06-07 2014-06-10 Cree, Inc. Gallium-substituted yttrium aluminum garnet phosphor and light emitting devices including the same
JP5863291B2 (ja) * 2011-06-28 2016-02-16 株式会社小糸製作所 平面発光モジュール
DE102011079721A1 (de) 2011-07-25 2013-01-31 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Led-lichtquelle
JP2013030380A (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 Sharp Corp 発光装置
KR101871501B1 (ko) * 2011-07-29 2018-06-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
US9290618B2 (en) 2011-08-05 2016-03-22 Sabic Global Technologies B.V. Polycarbonate compositions having enhanced optical properties, methods of making and articles comprising the polycarbonate compositions
US9772270B2 (en) 2011-08-16 2017-09-26 Elwha Llc Devices and methods for recording information on a subject's body
DE102011113777A1 (de) 2011-09-19 2013-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonversionselement und Licht emittierendes Halbleiterbauelement mit Wellenlängenkonversionselement
CN104053945A (zh) * 2011-10-19 2014-09-17 皇家飞利浦有限公司 具有全向光分布的照明装置
DE102011116752A1 (de) * 2011-10-24 2013-04-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Streumittel
US8962117B2 (en) 2011-10-27 2015-02-24 Sabic Global Technologies B.V. Process for producing bisphenol A with reduced sulfur content, polycarbonate made from the bisphenol A, and containers formed from the polycarbonate
CN106931333B (zh) 2011-11-23 2020-11-27 夸克星有限责任公司 发光装置
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
DE102011056810B4 (de) 2011-12-21 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102012000217A1 (de) 2012-01-07 2013-07-11 Michael Licht Vis led
US8907362B2 (en) 2012-01-24 2014-12-09 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US8896010B2 (en) 2012-01-24 2014-11-25 Cooledge Lighting Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
US20130187540A1 (en) 2012-01-24 2013-07-25 Michael A. Tischler Discrete phosphor chips for light-emitting devices and related methods
KR101957700B1 (ko) 2012-02-01 2019-03-14 삼성전자주식회사 발광 장치
DE102012201448B4 (de) * 2012-02-01 2015-10-22 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen einer mit Leuchtstoff versetzten Platte
WO2013116697A1 (en) * 2012-02-03 2013-08-08 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Light emitting diode device and method for production thereof containing conversion material chemistry
WO2013118200A1 (ja) * 2012-02-08 2013-08-15 パナソニック株式会社 発光装置
WO2013118072A2 (en) * 2012-02-10 2013-08-15 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted light emitting device
DE102012202928A1 (de) * 2012-02-27 2013-08-29 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
KR101965761B1 (ko) 2012-02-29 2019-04-04 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. 변환 물질 화학을 포함하며 광학 특성이 개선된 폴리카르보네이트 조성물, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 물품
CN104144902A (zh) * 2012-02-29 2014-11-12 沙特基础创新塑料Ip私人有限责任公司 用于生产低硫双酚a的方法、用于生产聚碳酸酯的方法以及由聚碳酸酯制作的制品
WO2013145607A1 (ja) * 2012-03-27 2013-10-03 住友ベークライト株式会社 光反射用樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板および光半導体装置
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
US9346949B2 (en) 2013-02-12 2016-05-24 Sabic Global Technologies B.V. High reflectance polycarbonate
DE102012103159A1 (de) 2012-04-12 2013-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlung emittierendes Bauelement, transparentes Material und Füllstoffpartikel sowie deren Herstellungsverfahren
CN103375708B (zh) * 2012-04-26 2015-10-28 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管灯源装置
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
DE102012104363A1 (de) 2012-05-21 2013-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
JP5427324B1 (ja) 2012-06-21 2014-02-26 パナソニック株式会社 発光装置および投写装置
US9685585B2 (en) 2012-06-25 2017-06-20 Cree, Inc. Quantum dot narrow-band downconverters for high efficiency LEDs
JP2014041993A (ja) 2012-07-24 2014-03-06 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法
DE102012106812A1 (de) 2012-07-26 2014-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Vergießen von optoelektronischen Bauelementen
DE102012108828A1 (de) 2012-09-19 2014-03-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, optisches Element und deren Herstellungsverfahren
DE102012109083A1 (de) * 2012-09-26 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102012109754A1 (de) * 2012-10-12 2014-04-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
EP2910622B1 (en) 2012-10-16 2017-06-21 Denka Company Limited Phosphor, light emitting device and lighting apparatus
US9821523B2 (en) 2012-10-25 2017-11-21 Sabic Global Technologies B.V. Light emitting diode devices, method of manufacture, uses thereof
TW201418414A (zh) * 2012-11-12 2014-05-16 Genesis Photonics Inc 波長轉換物質、波長轉換膠體以及發光裝置
EP2733190B1 (en) * 2012-11-16 2020-01-01 LG Innotek Co., Ltd. Phosphor composition and light emitting device package having the same
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
KR20140111876A (ko) 2013-03-12 2014-09-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20140113046A (ko) 2013-03-15 2014-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2014151263A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Intematix Corporation Photoluminescence wavelength conversion components
WO2014145644A2 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Spanard Jan-Marie Methods of tuning light emitting devices and tuned light emitting devices
DE102013006308A1 (de) * 2013-04-12 2014-10-16 Thiesen Hardware- Und Software-Design Gmbh LED-Leuchte mit einer lichtemittierenden Diode
DE102013207460A1 (de) * 2013-04-24 2014-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
WO2014186548A1 (en) 2013-05-16 2014-11-20 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Branched polycarbonate compositions having conversion material chemistry and articles thereof
FR3006546B1 (fr) * 2013-05-28 2019-03-29 Sgame Module de diode electroluminescente lumiere blanche
CN105408408B (zh) 2013-05-29 2018-05-04 沙特基础全球技术有限公司 颜色稳定的热塑性组合物
WO2014191943A1 (en) 2013-05-29 2014-12-04 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Illuminating devices with color stable thermoplastic light-transmitting articles
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
DE102013107862A1 (de) * 2013-07-23 2015-01-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung zumindest eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterbauteils
CN103467936B (zh) * 2013-09-12 2016-01-20 苏州金海薄膜科技发展有限公司 一种可吸收并转化紫外光及短波蓝光的pet薄膜及其制备方法
JP6209949B2 (ja) * 2013-11-13 2017-10-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US9382472B2 (en) * 2013-12-18 2016-07-05 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Transformative wavelength conversion medium
JP2015144261A (ja) * 2013-12-26 2015-08-06 インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ フォトルミネセンス波長変換を用いる固体発光デバイス
WO2015119858A1 (en) 2014-02-05 2015-08-13 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
TW201545598A (zh) * 2014-03-26 2015-12-01 Lintec Corp 薄片狀密封材、密封薄片及電子裝置密封體
JP2015192096A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 豊田合成株式会社 発光装置
CZ307024B6 (cs) * 2014-05-05 2017-11-22 Crytur, Spol.S R.O. Světelný zdroj
KR20150129232A (ko) 2014-05-09 2015-11-19 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
DE102014108188A1 (de) * 2014-06-11 2015-12-17 Osram Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102014117423A1 (de) * 2014-11-27 2016-06-02 Seaborough IP IV BV Lichtemittierende Remote-Phosphor-Vorrichtung
CN107406766B (zh) * 2015-03-24 2024-03-22 亮锐控股有限公司 具有蓝色颜料的蓝色发射磷光体转换led
CN106328008B (zh) * 2015-06-30 2019-03-22 光宝光电(常州)有限公司 胶体填充至壳体的制法、发光二极管的数字显示器及制法
JP6141948B2 (ja) * 2015-11-30 2017-06-07 大電株式会社 紫外線発光蛍光体、発光素子、及び発光装置
TWI746499B (zh) 2016-01-14 2021-11-21 德商巴地斯顏料化工廠 具有剛性2,2'－聯苯氧基橋接之苝雙醯亞胺
JP6951847B2 (ja) * 2016-03-18 2021-10-20 日東電工株式会社 光学部材、ならびに、該光学部材を用いたバックライトユニットおよび液晶表示装置
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
DE102017202956A1 (de) * 2016-07-11 2018-01-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. Verfahren und aushärtbare Masse zum Vergießen elektronischer Bauteile oder Bauteilgruppen
KR101731762B1 (ko) * 2016-07-27 2017-04-28 오충봉 발광체 분말을 이용한 확산판 제조기술
DE102016113969A1 (de) * 2016-07-28 2018-02-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips, strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements
TWI721005B (zh) * 2016-08-17 2021-03-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置以及其製造方法
DE102016115907A1 (de) 2016-08-26 2018-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102016117519A1 (de) 2016-09-16 2018-03-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Siloxans, Verfahren zur Herstellung eines Polysiloxans, Verfahren zum Vergießen von optoelektronischen Bauelementen
DE102016011999A1 (de) 2016-10-06 2018-04-12 Michael Licht Uv-led
EP3523303B1 (en) 2016-10-06 2020-09-23 Basf Se 2-phenylphenoxy-substituted perylene bisimide compounds and their use
WO2018094220A1 (en) 2016-11-18 2018-05-24 Gr Energy Services Management, Lp Mobile ball launcher with free-fall ball release and method of making same
DE102017117441A1 (de) * 2017-08-01 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP2019046989A (ja) * 2017-09-04 2019-03-22 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
US10957825B2 (en) * 2017-09-25 2021-03-23 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting module and lighting apparatus having thereof
JP7297756B2 (ja) 2017-12-19 2023-06-26 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア シアノアリール置換ベンゾ（チオ）キサンテン化合物
JP7250897B2 (ja) 2018-03-20 2023-04-03 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 黄色発光素子
JP6923814B2 (ja) 2018-03-26 2021-08-25 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
US10775669B2 (en) * 2018-03-26 2020-09-15 Nichia Corporation Light emitting module
JP7089175B2 (ja) * 2018-06-20 2022-06-22 日亜化学工業株式会社 セラミックス複合体、それを用いた発光装置及びセラミックス複合体の製造方法
KR20210024034A (ko) 2018-06-22 2021-03-04 바스프 에스이 디스플레이 및 조명 응용분야를 위한 녹색 방출체로서의 광안정성 시아노-치환된 붕소-디피로메텐 염료
CN110857389B (zh) * 2018-08-23 2022-08-19 有研稀土新材料股份有限公司 一种近红外荧光粉以及含该荧光粉的发光装置
US20200161506A1 (en) * 2018-11-21 2020-05-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for Producing a Ceramic Converter Element, Ceramic Converter Element, and Optoelectronic Component
US10756243B1 (en) * 2019-03-04 2020-08-25 Chung Yuan Christian University Light-emitting diode package structure and method for manufacturing the same
US11313671B2 (en) 2019-05-28 2022-04-26 Mitutoyo Corporation Chromatic confocal range sensing system with enhanced spectrum light source configuration
DE102019212944A1 (de) * 2019-08-28 2021-03-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement, vorrichtung mit einem halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen
RU195810U1 (ru) * 2019-09-27 2020-02-05 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) Светоизлучающий диод
US11426476B2 (en) * 2019-12-12 2022-08-30 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Internal ultraviolet LED antifouling
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
DE102021105905B4 (de) 2020-05-29 2024-08-01 GM Global Technology Operations LLC Durch quantenpunkt-material verbesserte led-beleuchtung
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Family Cites Families (220)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2096693A (en) * 1937-04-03 1937-10-19 Hygrade Sylvania Corp Luminescent coating for electric lamps
US2192869A (en) * 1937-10-27 1940-03-05 Pearce John Harold George Manufacture of fluorescent discharge tubes
US2927279A (en) 1954-06-14 1960-03-01 Cgs Lab Inc Variable frequency oscillator system
US3316109A (en) * 1963-03-11 1967-04-25 Westinghouse Electric Corp Coating composition
US3312851A (en) * 1963-04-26 1967-04-04 Westinghouse Electric Corp Electroluminescent lamp structure having the phosphor particles dispersed in a modified cyanoethylated polyvinyl alcohol resin
US3440471A (en) * 1966-03-16 1969-04-22 Gen Telephone & Elect Electroluminescent cell matrix material of improved stability
GB1208308A (en) * 1966-10-27 1970-10-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electroluminescent display devices
US3453604A (en) 1966-11-15 1969-07-01 Bell Telephone Labor Inc Optical memory device employing multiphoton-excited fluorescing material to reduce exposure crosstalk
NL152702B (nl) 1966-12-31 1977-03-15 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een kathodestraalbuis, alsmede een kathodestraalbuis, vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.
US3519474A (en) 1967-02-02 1970-07-07 Corning Glass Works Light-diffusing surfaces for glass-ceramic articles
US3565815A (en) * 1967-12-28 1971-02-23 Ind Mfg Co Inc Phosphor containing plastic polystyrene
US3529200A (en) 1968-03-28 1970-09-15 Gen Electric Light-emitting phosphor-diode combination
US3510732A (en) 1968-04-22 1970-05-05 Gen Electric Solid state lamp having a lens with rhodamine or fluorescent material dispersed therein
NL6811326A (ja) * 1968-08-09 1970-02-11
NL6814348A (ja) * 1968-10-07 1970-04-09
US3621340A (en) 1969-04-16 1971-11-16 Bell Telephone Labor Inc Gallium arsenide diode with up-converting phosphor coating
US3659136A (en) 1969-04-16 1972-04-25 Bell Telephone Labor Inc Gallium arsenide junction diode-activated up-converting phosphor
US3822215A (en) * 1969-04-16 1974-07-02 Bell Telephone Labor Inc Phosphor rare earth oxychloride compositions
US3593055A (en) 1969-04-16 1971-07-13 Bell Telephone Labor Inc Electro-luminescent device
SE364160B (ja) 1969-05-26 1974-02-11 Western Electric Co
US3699478A (en) 1969-05-26 1972-10-17 Bell Telephone Labor Inc Display system
US3573568A (en) 1969-06-18 1971-04-06 Gen Electric Light emitting semiconductor chips mounted in a slotted substrate forming a display apparatus
US3602758A (en) * 1969-06-20 1971-08-31 Westinghouse Electric Corp Phosphor blend lamps which reduce the proportions of the costlier phosphors
CA932474A (en) 1969-12-12 1973-08-21 Kressel Henry Electroluminescent device
US3654463A (en) 1970-01-19 1972-04-04 Bell Telephone Labor Inc Phosphorescent devices
US3691482A (en) 1970-01-19 1972-09-12 Bell Telephone Labor Inc Display system
US3669478A (en) * 1970-05-04 1972-06-13 Gen Electric Machine and process for semiconductor device assembly
US3787684A (en) * 1970-12-30 1974-01-22 S Isenberg Beta activated ultraviolet radiation source surrounded by a visible light producing fluorescent agent
US3742277A (en) * 1971-03-18 1973-06-26 Gte Laboratories Inc Flying spot scanner having screen of strontium thiogallte coactivatedby trivalent cerium and divalent lead
US3742833A (en) * 1971-06-14 1973-07-03 J Sewell System for optically encoding an item and verifying same
BE786323A (fr) * 1971-07-16 1973-01-15 Eastman Kodak Co Ecran renforcateur et produit radiographique le
DE7128442U (de) 1971-07-23 1971-12-30 Siemens Ag Hermetisch abgeschlossenes gehaeuse fuer halbleiterbauelemente
JPS48100083A (ja) 1972-02-24 1973-12-18
JPS48102585A (ja) * 1972-04-04 1973-12-22
JPS491221A (ja) 1972-04-17 1974-01-08
JPS4924355A (ja) * 1972-06-27 1974-03-04
US3932881A (en) 1972-09-05 1976-01-13 Nippon Electric Co., Inc. Electroluminescent device including dichroic and infrared reflecting components
US3774086A (en) 1972-09-25 1973-11-20 Gen Electric Solid state lamp having visible-emitting phosphor at edge of infrated-emitting element
US3942185A (en) 1972-12-13 1976-03-02 U.S. Philips Corporation Polychromatic electroluminescent device
GB1455291A (en) 1973-02-05 1976-11-10 Rca Corp Amplifier which consumes a substantially constant current
US3780357A (en) 1973-02-16 1973-12-18 Hewlett Packard Co Electroluminescent semiconductor display apparatus and method of fabricating the same
JPS49112577A (ja) 1973-02-23 1974-10-26
US3819974A (en) 1973-03-12 1974-06-25 D Stevenson Gallium nitride metal-semiconductor junction light emitting diode
JPS5043913A (ja) 1973-08-20 1975-04-21
FR2262407B1 (ja) * 1974-02-22 1977-09-16 Radiotechnique Compelec
US4034257A (en) 1975-06-05 1977-07-05 General Electric Company Mercury vapor lamp utilizing a combination of phosphor materials
JPS5245181A (en) 1975-10-07 1977-04-09 Matsushita Electric Works Ltd Chain
JPS52135663A (en) * 1976-05-10 1977-11-12 Hitachi Ltd Manufacture for brown tube
NL181063C (nl) * 1976-05-13 1987-06-01 Philips Nv Luminescerend scherm; lagedrukkwikdampontladingslamp; werkwijze voor de bereiding van een luminescerend materiaal.
US4075532A (en) 1976-06-14 1978-02-21 General Electric Company Cool-white fluorescent lamp with phosphor having modified spectral energy distribution to improve luminosity thereof
DE2629641C3 (de) 1976-07-01 1979-03-08 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V., 8000 Muenchen Vorrichtung zur Umwandlung von Lichtenergie in Wärmeenergie
GB1594357A (en) 1976-08-19 1981-07-30 Bbc Brown Boveri & Cie Production of electroluminescent powder
GB1589964A (en) 1976-09-03 1981-05-20 Johnson Matthey Co Ltd Luminescent materials
DE2642465C3 (de) 1976-09-21 1981-01-22 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung einer VerguBmasse
NL7707008A (nl) 1977-06-24 1978-12-28 Philips Nv Luminescentiescherm.
FR2400817A1 (fr) 1977-08-19 1979-03-16 Radiotechnique Compelec Dispositifs electroluminescents pour affichage au soleil
JPS5441660A (en) 1977-09-09 1979-04-03 Matsushita Electric Works Ltd Timer
US4203792A (en) * 1977-11-17 1980-05-20 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for the fabrication of devices including polymeric materials
JPS5489984A (en) * 1977-12-27 1979-07-17 Toshiba Corp Fluorescent substance treating method
US4173495A (en) 1978-05-03 1979-11-06 Owens-Illinois, Inc. Solar collector structures containing thin film polysiloxane, and solar cells
NL7806828A (nl) 1978-06-26 1979-12-28 Philips Nv Luminescentiescherm.
FR2436505A1 (fr) 1978-09-12 1980-04-11 Radiotechnique Compelec Dispositif optoelectronique a emetteur et recepteur couples
US4431941A (en) * 1979-06-11 1984-02-14 Gte Products Corporation Fluorescent lamp having double phosphor layer
IT1132065B (it) 1979-06-15 1986-06-25 Gte Prod Corp Fosforo alluminato emettitore di raggi ultravioletti e lampade fluorescenti per l'abbronzatura artificiale utilizzanti tale fosforo
JPS5632582A (en) * 1979-08-23 1981-04-02 Chugoku Toryo Kk Method for increasing intensity of light emission of fluorescent material
US4262206A (en) 1980-01-11 1981-04-14 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Fluorescent radiation converter
DE3016103A1 (de) * 1980-04-25 1981-10-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung transparenter geissharze
US4495514A (en) 1981-03-02 1985-01-22 Eastman Kodak Company Transparent electrode light emitting diode and method of manufacture
DE3117571A1 (de) * 1981-05-04 1982-11-18 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Lumineszenz-halbleiterbauelement
US4599537A (en) * 1982-04-30 1986-07-08 Shigeaki Yamashita IR light emitting apparatus with visible detection means
NL8203543A (nl) 1982-09-13 1984-04-02 Oce Nederland Bv Kopieerapparaat.
US5184114A (en) 1982-11-04 1993-02-02 Integrated Systems Engineering, Inc. Solid state color display system and light emitting diode pixels therefor
US4479886A (en) * 1983-08-08 1984-10-30 Gte Products Corporation Method of making cerium activated yttrium aluminate phosphor
US4550256A (en) 1983-10-17 1985-10-29 At&T Bell Laboratories Visual display system utilizing high luminosity single crystal garnet material
JPS60101175A (ja) 1983-11-05 1985-06-05 Sony Corp 投射型テレビ用緑色螢光体
US4684592A (en) * 1984-04-06 1987-08-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Stimulable phosphor sheet
US4710674A (en) 1984-05-07 1987-12-01 Gte Laboratories Incorporated Phosphor particle, fluorescent lamp, and manufacturing method
US4825124A (en) * 1984-05-07 1989-04-25 Gte Laboratories Incorporated Phosphor particle, fluorescent lamp, and manufacturing method
JPS6110827A (ja) * 1984-06-27 1986-01-18 Matsushita Electronics Corp 陰極線管螢光体膜の形成方法
US4665003A (en) * 1984-07-31 1987-05-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Stimulable phosphor sheet and method of conveying the same
IT1183061B (it) 1984-07-31 1987-10-05 Zambon Spa Composti dotati di attivita'antiallergica
JPS61220250A (ja) * 1985-03-26 1986-09-30 Sony Corp 陰極線管
NL8502025A (nl) 1985-07-15 1987-02-02 Philips Nv Lagedrukkwikdampontladingslamp.
US4818983A (en) 1985-08-20 1989-04-04 Hamamatsu Photonics Kabushiki Kaisha Optical image generator having a spatial light modulator and a display device
US4818434A (en) * 1985-11-15 1989-04-04 Quantex Corporation Thermoluminescent material including fusible salt
US5166456A (en) * 1985-12-16 1992-11-24 Kasei Optonix, Ltd. Luminescent phosphor composition
NL8600023A (nl) * 1986-01-08 1987-08-03 Philips Nv Lagedrukkwikdampontladingslamp.
US4734619A (en) 1986-07-07 1988-03-29 Karel Havel Display device with variable color background
US4894583A (en) * 1986-07-14 1990-01-16 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Display devices with yttrium orthosilicate phosphors
JPS6323987A (ja) * 1986-07-17 1988-02-01 Toshiba Corp 電場発光蛍光体
DE3633251A1 (de) * 1986-09-30 1988-03-31 Siemens Ag Optoelektronisches koppelelement
US4875750A (en) * 1987-02-25 1989-10-24 Siemens Aktiengesellschaft Optoelectronic coupling element and method for its manufacture
JPS63280467A (ja) 1987-05-12 1988-11-17 Toshiba Corp 光半導体素子
JPS6471053A (en) * 1987-09-10 1989-03-16 Matsushita Electronics Corp Fluorescent high-pressure mercury lamp
DE3736970C3 (de) * 1987-10-30 1996-08-01 Stockhausen Chem Fab Gmbh Wasserfreie Hautreinigungsmittel und ihre Verwendung
US4843280A (en) * 1988-01-15 1989-06-27 Siemens Corporate Research & Support, Inc. A modular surface mount component for an electrical device or led's
DE3804293A1 (de) * 1988-02-12 1989-08-24 Philips Patentverwaltung Anordnung mit einer elektrolumineszenz- oder laserdiode
DE68916070T2 (de) 1988-03-16 1994-10-13 Mitsubishi Rayon Co Phosphorpastenzusammensetzungen und damit erhaltene Überzüge.
KR920010085B1 (ko) 1988-07-30 1992-11-14 소니 가부시기가이샤 이트륨 · 알루미늄 · 가넷미립자의 제조방법
JP2705183B2 (ja) * 1988-07-30 1998-01-26 ソニー株式会社 イットリウム・アルミニウム・ガーネット微粒子およびイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体微粒子の製造方法
JPH0749506B2 (ja) * 1988-08-10 1995-05-31 日立化成工業株式会社 難燃性エポキシ樹脂組成物
JPH0291980A (ja) 1988-09-29 1990-03-30 Toshiba Lighting & Technol Corp 固体発光素子
GB8823691D0 (en) 1988-10-08 1988-11-16 Emi Plc Thorn Aquarium lighting
DE3902001C2 (de) 1989-01-24 1995-08-31 Tacan Corp Verwendung eines Fluoreszenz-Materials
DE4003842C2 (de) 1989-02-09 1997-06-05 Shinetsu Chemical Co Epoxidharzmassen zum Einkapseln von Halbleitern, enthaltend kugelförmiges Siliciumdioxid
US5126214A (en) * 1989-03-15 1992-06-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electroluminescent element
IT1229159B (it) * 1989-04-07 1991-07-22 Minnesota Mining & Mfg Metodo per registrare e riprodurre l'immagine di una radiazione, pannello e fosfori per la memorizzazione dell'immagine di una radiazione.
EP1022787B2 (de) 1989-05-31 2012-07-11 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements und oberflächenmontierbares Opto-Bauelement
DE58908841D1 (de) * 1989-05-31 1995-02-09 Siemens Ag Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement.
DE58907120D1 (de) * 1989-06-01 1994-04-07 Weidmueller Interface Bezeichnungsträger für elektrische Leiter.
JP2536628B2 (ja) 1989-08-02 1996-09-18 信越化学工業株式会社 半導体素子保護用組成物
US5624602A (en) * 1989-09-25 1997-04-29 Osram Sylvania Inc. Method of improving the maintenance of a fluorescent lamp containing terbium-activated cerium magnesium aluminate phosphor
USRE34254E (en) * 1989-10-05 1993-05-18 Dialight Corporation Surface mounted LED package
US4935856A (en) * 1989-10-05 1990-06-19 Dialight Corporation Surface mounted LED package
US5120214A (en) 1989-11-13 1992-06-09 Control Techtronics, Inc. Acoustical burner control system and method
JPH03160714A (ja) * 1989-11-20 1991-07-10 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US5019746A (en) 1989-12-04 1991-05-28 Hewlett-Packard Company Prefabricated wire leadframe for optoelectronic devices
EP0454907A1 (en) 1990-05-03 1991-11-06 Agfa-Gevaert N.V. Reproduction of x-ray images with photostimulable phosphor
KR930006932B1 (ko) * 1990-05-11 1993-07-24 삼성전관 주식회사 녹색발광 형광체 및 그것을 사용한 브라운관
JP2506223B2 (ja) 1990-06-28 1996-06-12 トリニティ工業株式会社 自動塗装装置
JPH0463162A (ja) 1990-06-29 1992-02-28 Suzuki Motor Corp 塗装装置
DE9013615U1 (de) * 1990-09-28 1990-12-06 AEG Niederspannungstechnik GmbH & Co KG, 24534 Neumünster Elektrolumineszenz- oder Laserdiode
JP2796187B2 (ja) * 1990-10-01 1998-09-10 日東電工株式会社 光半導体装置
JP2784255B2 (ja) * 1990-10-02 1998-08-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びそれを用いた放電ランプ
JPH04280664A (ja) 1990-10-18 1992-10-06 Texas Instr Inc <Ti> 半導体装置用リードフレーム
FR2668464B1 (fr) 1990-10-25 1993-01-08 Commissariat Energie Atomique Silicates mixtes d'yttrium et de lanthanide et laser utilisant des monocristaux de ces silicates.
JPH04186679A (ja) 1990-11-16 1992-07-03 Daido Steel Co Ltd 発光ダイオード
JPH04234481A (ja) * 1990-12-28 1992-08-24 Matsushita Electron Corp 蛍光高圧水銀灯
US5202777A (en) * 1991-05-31 1993-04-13 Hughes Aircraft Company Liquid crystal light value in combination with cathode ray tube containing a far-red emitting phosphor
FR2677659B1 (fr) * 1991-06-14 1994-09-30 Hoechst France Composition fluide luminescente polymerisable et son application.
JPH0563068A (ja) 1991-08-30 1993-03-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハバスケツト
MY110582A (en) * 1991-09-03 1998-08-29 Kasei Optonix Rare earth oxysulfide phosphor and hight resolution cathode ray tube employing it.
JP2666228B2 (ja) * 1991-10-30 1997-10-22 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JPH05152609A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
US5208462A (en) * 1991-12-19 1993-05-04 Allied-Signal Inc. Wide bandwidth solid state optical source
JPH05251717A (ja) * 1992-03-04 1993-09-28 Hitachi Ltd 半導体パッケージおよび半導体モジュール
JPH0637202A (ja) * 1992-07-20 1994-02-10 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波ｉｃ用パッケージ
JPH0623195U (ja) 1992-07-29 1994-03-25 シンロイヒ株式会社 Ｅｌ発光素子
EP0607435B1 (en) 1992-08-07 1999-11-03 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Nitride based semiconductor device and manufacture thereof
JPH0669546A (ja) 1992-08-21 1994-03-11 Asahi Chem Ind Co Ltd 発光ダイオード
JPH0677537A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Asahi Chem Ind Co Ltd 発光ダイオード
EP0596548B1 (en) 1992-09-23 1998-12-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Low-pressure mercury discharge lamp
US5578839A (en) 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
US5382856A (en) * 1992-12-09 1995-01-17 General Electric Co. Generator rotor collector terminal stud hydrogen seal
US5643674A (en) * 1992-12-18 1997-07-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Luminescent materials prepared by coating luminescent compositions onto substrate particles
US5382452A (en) * 1992-12-18 1995-01-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Luminescent materials prepared by coating luminescent compositions onto substrate particles
JP2894921B2 (ja) * 1993-04-30 1999-05-24 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5379186A (en) * 1993-07-06 1995-01-03 Motorola, Inc. Encapsulated electronic component having a heat diffusing layer
JPH0799345A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
BE1007825A5 (fr) 1993-12-15 1995-10-31 Niezen Michel Dispositif lumineux.
JPH07176794A (ja) * 1993-12-17 1995-07-14 Nichia Chem Ind Ltd 面状光源
JPH07193281A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Mitsubishi Materials Corp 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード
JP3425465B2 (ja) * 1994-03-03 2003-07-14 化成オプトニクス株式会社 緑色発光蛍光体及びそれを用いた陰極線管
US5656832A (en) 1994-03-09 1997-08-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor heterojunction device with ALN buffer layer of 3nm-10nm average film thickness
US5432358A (en) * 1994-03-24 1995-07-11 Motorola, Inc. Integrated electro-optical package
JPH07263147A (ja) 1994-03-24 1995-10-13 Fuji Electric Co Ltd 薄膜発光素子
JPH07273366A (ja) 1994-03-28 1995-10-20 Pioneer Electron Corp Ｉｉｉ族窒化物発光素子の製造方法
JP3261853B2 (ja) * 1994-03-29 2002-03-04 凸版印刷株式会社 反射型液晶表示装置
JP2596709B2 (ja) * 1994-04-06 1997-04-02 都築 省吾 半導体レーザ素子を用いた照明用光源装置
NL9400766A (nl) * 1994-05-09 1995-12-01 Euratec Bv Werkwijze voor het inkapselen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
US5665793A (en) * 1994-06-09 1997-09-09 Anders; Irving Phosphorescent highway paint composition
JP3116727B2 (ja) 1994-06-17 2000-12-11 日亜化学工業株式会社 面状光源
CN1071355C (zh) * 1994-06-24 2001-09-19 因奥斯－艾瑞利克斯英国有限公司 苯乙烯系聚合物与丙烯酸系聚合物共混物的泡沫塑料制品
EP0691798A3 (en) 1994-07-05 1996-07-17 Ford Motor Co Fluorescent electroluminescent lamp
JPH0832112A (ja) 1994-07-20 1996-02-02 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子
KR100291911B1 (ko) 1994-07-26 2001-09-17 김순택 반도체발광소자를이용한표시소자
JPH0864860A (ja) * 1994-08-17 1996-03-08 Mitsubishi Materials Corp 色純度の高い赤外可視変換青色発光ダイオード
DE4432035A1 (de) 1994-09-09 1996-03-14 Philips Patentverwaltung Beschichtungsverfahren für Lumineszenzpulver, Luminenzenzpulver und beschichteter Gegenstand
US5543657A (en) * 1994-10-07 1996-08-06 International Business Machines Corporation Single layer leadframe design with groundplane capability
JPH08119631A (ja) * 1994-10-21 1996-05-14 Shin Etsu Chem Co Ltd 球状希土類元素酸化物およびその前駆体の製造方法
JPH08170077A (ja) * 1994-12-19 1996-07-02 Hitachi Ltd 蛍光体、その製造方法、発光スクリーン及びそれを用いた陰極線管
JP3260995B2 (ja) * 1994-12-28 2002-02-25 ワイケイケイ株式会社 蓄光性合成樹脂材料及びその製造方法並びに成形品
WO1996023030A2 (en) * 1995-01-25 1996-08-01 Northern Engraving Corporation Fluorescent ink and fluorescent display device
JPH08231681A (ja) * 1995-02-28 1996-09-10 Asahi Chem Ind Co Ltd 接着性付与剤
US5670798A (en) 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
US5685071A (en) * 1995-06-05 1997-11-11 Hughes Electronics Method of constructing a sealed chip-on-board electronic module
US5601751A (en) * 1995-06-08 1997-02-11 Micron Display Technology, Inc. Manufacturing process for high-purity phosphors having utility in field emission displays
US5798537A (en) * 1995-08-31 1998-08-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Blue light-emitting device
JP3931355B2 (ja) 1995-09-06 2007-06-13 日亜化学工業株式会社 面状光源
US6140040A (en) * 1995-10-06 2000-10-31 Advanced Minerals Corporation Method of mechanically separating microparticles suspended in fluids using particulate media
US5788881A (en) * 1995-10-25 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Visible light-emitting phosphor composition having an enhanced luminescent efficiency over a broad range of voltages
US5635110A (en) * 1995-10-25 1997-06-03 Micron Display Technology, Inc. Specialized phosphors prepared by a multi-stage grinding and firing sequence
JPH09125056A (ja) * 1995-11-02 1997-05-13 Hitachi Chem Co Ltd 表面処理された蛍光体及びその製造法
JP3267250B2 (ja) 1995-12-06 2002-03-18 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
US6117294A (en) * 1996-01-19 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Black matrix material and methods related thereto
JP2927229B2 (ja) 1996-01-23 1999-07-28 ヤマハ株式会社 メドレー演奏装置
DE29724381U1 (de) 1996-03-15 2001-02-22 Asahi Kogaku Kogyo K.K., Tokio/Tokyo Datenaufbelichtungseinheit für eine Kamera
US6600175B1 (en) * 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
DE29724848U1 (de) 1996-06-26 2004-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19625622A1 (de) 1996-06-26 1998-01-02 Siemens Ag Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP2927279B2 (ja) * 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6608332B2 (en) 1996-07-29 2003-08-19 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device and display
JP3338616B2 (ja) * 1996-09-05 2002-10-28 富士通株式会社 蛍光体層の形成方法及び蛍光体ペースト
JPH1092549A (ja) 1996-09-13 1998-04-10 Ngk Insulators Ltd 限流アークホーン
US6613247B1 (en) * 1996-09-20 2003-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
US5772916A (en) * 1996-10-15 1998-06-30 Liberty Technologies, Inc. Phosphor screen, method of producing the same, and method for preparing a phosphor powder for producing a phosphor screen
DE19645035C1 (de) * 1996-10-31 1998-04-30 Siemens Ag Mehrfarbiges Licht abstrahlende Bildanzeigevorrichtung
JP3522990B2 (ja) * 1996-11-13 2004-04-26 信越化学工業株式会社 イットリア球状微粒子の製造方法
JP2001513828A (ja) * 1997-02-24 2001-09-04 スーペリア マイクロパウダーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 酸素含有蛍光粉体、該蛍光粉体の製造方法、該蛍光粉体を利用してなる装置
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US5813752A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters
US5847507A (en) 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
US6501091B1 (en) * 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
US6085971A (en) * 1998-07-10 2000-07-11 Walter Tews Luminescent meta-borate substances
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
JP4110236B2 (ja) 1998-12-28 2008-07-02 富士フイルム株式会社 Ｃｃｄ撮像デバイス及びその駆動方法、並びにフイルムスキャナー
US6295750B1 (en) * 1999-07-06 2001-10-02 Beckett Publications, Inc. System for displaying cards
US6455213B1 (en) * 2000-01-04 2002-09-24 Lg Electronics, Inc. Method for manufacturing phosphor layer for image display apparatus
US6483234B1 (en) 2000-08-30 2002-11-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Single-component arctic bright calcium halophosphate phosphor
TWI226357B (en) * 2002-05-06 2005-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting reaction-resin, its production method, light-radiating optical component and light-radiating semiconductor-body
US6692659B2 (en) * 2002-05-31 2004-02-17 General Electric Company Phosporescent polycarbonate, concentrate and molded articles
US20040046938A1 (en) * 2002-09-05 2004-03-11 Gary Gero Automatic and manual lens focusing system with visual matching for motion picture camera
JP4234482B2 (ja) 2003-04-10 2009-03-04 株式会社日立製作所 動的ｄｎｓ登録方法、ドメイン名解決方法、代理サーバ、及びアドレス変換装置
JP4175265B2 (ja) 2004-02-04 2008-11-05 トヨタ自動車株式会社 内燃機関の補機部品取付構造
JP4820539B2 (ja) 2004-06-25 2011-11-24 京セラミタ株式会社 スチルベン誘導体、その製造方法、および電子写真感光体
JP4639866B2 (ja) 2005-03-10 2011-02-23 富士ゼロックス株式会社 トナー補給装置
JP4717684B2 (ja) 2006-03-30 2011-07-06 富士通テレコムネットワークス株式会社 コンデンサ充電装置
JP4142070B2 (ja) 2006-06-23 2008-08-27 信越ポリマー株式会社 キャリアテープの製造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
日経産業新聞 １９９６年９月１３日 第１面 「白色ＬＥＤランプ」
蛍光体同学会編、「蛍光体ハンドブック」、第１版、株式会社オーム社、１９８７年１２月２５日発行、ｐ．２

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002317178A (ja) * 1996-09-20 2002-10-31 Siemens Ag 波長変換注型材料及びその製造方法並びに発光素子
JP2002317177A (ja) * 1996-09-20 2002-10-31 Siemens Ag 波長変換注型材料の製造方法および注型材料
US8409470B2 (en) 2003-11-26 2013-04-02 Independent Administrative Institution National Institute For Materials Science Phosphor and light-emitting equipment using phosphor
US11084980B2 (en) 2003-11-26 2021-08-10 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and light-emitting equipment using phosphor
US10072207B2 (en) 2003-11-26 2018-09-11 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and light-emitting equipment using phosphor
US9738829B2 (en) 2003-11-26 2017-08-22 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and light-emitting equipment using phosphor
WO2005052087A1 (ja) 2003-11-26 2005-06-09 Independent Administrative Institution National Institute For Materials Science 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
US11697765B2 (en) 2003-11-26 2023-07-11 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and light-emitting equipment using phosphor
EP2574652A2 (en) 2003-11-26 2013-04-03 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and light-emitting equipment using phosphor
WO2006006582A1 (ja) 2004-07-13 2006-01-19 Fujikura Ltd. 蛍光体及びその蛍光体を用いた電球色光を発する電球色光発光ダイオードランプ
US8508119B2 (en) 2004-07-13 2013-08-13 Fujikura Ltd. Phosphor and an incandescent lamp color light emitting diode lamp using the same
EP2366754A1 (en) 2004-09-22 2011-09-21 National Institute for Materials Science Phosphor, production method thereof and light emitting instrument
EP2360225A1 (en) 2004-09-22 2011-08-24 National Institute for Materials Science Phosphor, production method thereof and light emitting instrument
DE112006000291B4 (de) 2005-01-27 2019-08-14 National Institute For Materials Science Leuchtstoff, sein Herstellungsverfahren und dessen Verwendung
US8206611B2 (en) 2005-05-24 2012-06-26 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and use thereof
US8703019B2 (en) 2005-05-24 2014-04-22 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and use thereof
US8277687B2 (en) 2005-08-10 2012-10-02 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and light-emitting device using same
US8513876B2 (en) 2007-05-22 2013-08-20 National Institute For Materials Science Fluorescent substance, method for producing the same, and light-emitting device using the same
WO2008146571A1 (ja) 2007-05-22 2008-12-04 Showa Denko K.K. 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
US8608980B2 (en) 2007-09-03 2013-12-17 National Institute For Materials Science Phosphor, method for producing the same and light-emitting device using the same
US8398892B2 (en) 2007-09-03 2013-03-19 Showa Denko K.K. Phosphor, method for producing the same and light-emitting device using the same
WO2009031495A1 (ja) 2007-09-03 2009-03-12 Showa Denko K.K. 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
WO2010061597A1 (ja) 2008-11-28 2010-06-03 昭和電工株式会社 表示装置用照明装置及び表示装置
US8550645B2 (en) 2008-11-28 2013-10-08 Showa Denko K.K. Illumination device for display device, and display device
US8674388B2 (en) 2009-08-06 2014-03-18 National Institute For Materials Science Phosphor, method of manufacturing the same, and light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
CN100492682C (zh) 2009-05-27
JP4233252B2 (ja) 2009-03-04
US7276736B2 (en) 2007-10-02
KR100908172B1 (ko) 2009-07-16
JP2012238909A (ja) 2012-12-06
US8071996B2 (en) 2011-12-06
US7235189B2 (en) 2007-06-26
EP1221724A2 (de) 2002-07-10
DE59708820D1 (de) 2003-01-09
CN1515623A (zh) 2004-07-28
US20040084687A1 (en) 2004-05-06
KR100816596B1 (ko) 2008-10-15
JP2002317178A (ja) 2002-10-31
US6592780B2 (en) 2003-07-15
EP1221724B1 (de) 2011-02-16
JP3866091B2 (ja) 2007-01-10
CN100367521C (zh) 2008-02-06
KR100908170B1 (ko) 2009-07-16
DE29724284U1 (de) 2000-09-21
CN100492681C (zh) 2009-05-27
JP4001703B2 (ja) 2007-10-31
CN1558454A (zh) 2004-12-29
JP2009071336A (ja) 2009-04-02
US20070216281A1 (en) 2007-09-20
US20010045647A1 (en) 2001-11-29
KR100933586B1 (ko) 2009-12-23
DE29724382U1 (de) 2000-12-21
JP2002232002A (ja) 2002-08-16
JP2002317177A (ja) 2002-10-31
JP3824917B2 (ja) 2006-09-20
CN101081910A (zh) 2007-12-05
KR20070068489A (ko) 2007-06-29
US6066861A (en) 2000-05-23
US20100176344A1 (en) 2010-07-15
DE29724849U9 (de) 2005-04-21
US6277301B1 (en) 2001-08-21
CN1273537C (zh) 2006-09-06
US6245259B1 (en) 2001-06-12
CN1207206A (zh) 1999-02-03
KR20060097745A (ko) 2006-09-14
KR20050084534A (ko) 2005-08-26
JP2000236112A (ja) 2000-08-29
DE19638667A1 (de) 1998-04-02
CN101081909A (zh) 2007-12-05
KR100875010B1 (ko) 2008-12-19
CN1156029C (zh) 2004-06-30
CN101081909B (zh) 2012-05-23
JP3866092B2 (ja) 2007-01-10
KR20050084535A (ko) 2005-08-26
US20010028053A1 (en) 2001-10-11
KR20070070262A (ko) 2007-07-03
KR100808752B1 (ko) 2008-02-29
CN100492683C (zh) 2009-05-27
KR101301650B1 (ko) 2013-11-21
CN1558455A (zh) 2004-12-29
WO1998012757A1 (de) 1998-03-26
BR9706787A (pt) 1999-04-13
CN1560931A (zh) 2005-01-05
EP0862794A1 (de) 1998-09-09
EP1221724A3 (de) 2005-07-06
DE29724849U1 (de) 2004-09-30
KR20080085097A (ko) 2008-09-22
US7709852B2 (en) 2010-05-04
KR100908171B1 (ko) 2009-07-16
DE59713056D1 (de) 2011-03-31
KR20080086557A (ko) 2008-09-25
JPH11500584A (ja) 1999-01-12
CN1567608A (zh) 2005-01-19
KR19990071493A (ko) 1999-09-27
JP2008103756A (ja) 2008-05-01
US20040016908A1 (en) 2004-01-29
JP2002249769A (ja) 2002-09-06
JP2002208733A (ja) 2002-07-26
EP0862794B1 (de) 2002-11-27
DE19638667C2 (de) 2001-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3364229B2 (ja) 波長変換注型材料及びその製造方法並びに発光素子
US7045956B2 (en) Light emitting diode with wavelength conversion
US6613247B1 (en) Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
JP2005524737A (ja) 波長変換する反応性樹脂材料及び発光ダイオード素子
JP2004031988A (ja) 半導体発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071025

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081025

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091025

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101025

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111025

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111025

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121025

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121025

Year of fee payment: 10

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121025

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121025

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131025

Year of fee payment: 11

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term