JP2927279B2 - 発光ダイオード - Google Patents
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- Led Devices (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、ＬＥＤディスプ
レイ、バックライト光源、信号機、照光式スイッチ及び
各種インジケータなどに利用される発光ダイオードに係
わり、特に発光素子であるＬＥＤチップからの発光を変
換して発光させるフォトルミネセンス蛍光体を有し使用
環境によらず高輝度、高効率な発光装置である白色系が
発光可能な発光ダイオードに関する。
レイ、バックライト光源、信号機、照光式スイッチ及び
各種インジケータなどに利用される発光ダイオードに係
わり、特に発光素子であるＬＥＤチップからの発光を変
換して発光させるフォトルミネセンス蛍光体を有し使用
環境によらず高輝度、高効率な発光装置である白色系が
発光可能な発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード（以下、ＬＥＤともい
う）は、小型で効率が良く鮮やかな色の発光をする。ま
た、半導体素子であるため球切れなどの心配がない。駆
動特性が優れ、振動やON／OFF点灯の繰り返しに強いと
いう特長を有する。そのため各種インジケータや種々の
光源として利用されている。最近、超高輝度高効率な発
光ダイオードとしてＲＧＢ（赤、緑、青色）などの発光
ダイオードがそれぞれ開発された。これに伴いＲＧＢの
三原色を利用したＬＥＤディスプレイが省電力、長寿
命、軽量などの特長を生かして飛躍的に発展を遂げつつ
ある。
う）は、小型で効率が良く鮮やかな色の発光をする。ま
た、半導体素子であるため球切れなどの心配がない。駆
動特性が優れ、振動やON／OFF点灯の繰り返しに強いと
いう特長を有する。そのため各種インジケータや種々の
光源として利用されている。最近、超高輝度高効率な発
光ダイオードとしてＲＧＢ（赤、緑、青色）などの発光
ダイオードがそれぞれ開発された。これに伴いＲＧＢの
三原色を利用したＬＥＤディスプレイが省電力、長寿
命、軽量などの特長を生かして飛躍的に発展を遂げつつ
ある。
【０００３】発光ダイオードは使用される発光層の半導
体材料、形成条件などによって紫外から赤外まで種々の
発光波長を放出させることが可能である。また、優れた
単色性ピーク波長を有する。
体材料、形成条件などによって紫外から赤外まで種々の
発光波長を放出させることが可能である。また、優れた
単色性ピーク波長を有する。
【０００４】しかしながら、発光ダイオードは優れた単
色性ピーク波長を有するが故に白色系発光光源などとさ
せるためには、ＲＧＢなどが発光可能な各ＬＥＤチップ
をそれぞれ近接して発光させ拡散混色させる必要があ
る。このような発光ダイオードは、種々の色を自由に発
光させる発光装置としては有効であるが、白色系などの
色のみを発光させる場合においても赤色系、緑色系及び
青色系の発光ダイオード、あるいは青緑色系及び黄色系
の発光ダイオードをそれぞれ使用せざるを得ない。ＬＥ
Ｄチップは、半導体であり色調や輝度のバラツキもまだ
相当ある。また、半導体発光素子であるＬＥＤチップが
それぞれ異なる材料を用いて形成されている場合、各Ｌ
ＥＤチップの駆動電力などが異なり個々に電源を確保す
る必要がある。そのため、各半導体ごとに電流などを調
節して白色系を発光させなければならない。同様に、半
導体発光素子であるため個々の温度特性の差や経時変化
が異なり、色調が種々変化してしまう。さらに、ＬＥＤ
チップからの発光を均一に混色させなければ色むらを生
ずる場合がある。
色性ピーク波長を有するが故に白色系発光光源などとさ
せるためには、ＲＧＢなどが発光可能な各ＬＥＤチップ
をそれぞれ近接して発光させ拡散混色させる必要があ
る。このような発光ダイオードは、種々の色を自由に発
光させる発光装置としては有効であるが、白色系などの
色のみを発光させる場合においても赤色系、緑色系及び
青色系の発光ダイオード、あるいは青緑色系及び黄色系
の発光ダイオードをそれぞれ使用せざるを得ない。ＬＥ
Ｄチップは、半導体であり色調や輝度のバラツキもまだ
相当ある。また、半導体発光素子であるＬＥＤチップが
それぞれ異なる材料を用いて形成されている場合、各Ｌ
ＥＤチップの駆動電力などが異なり個々に電源を確保す
る必要がある。そのため、各半導体ごとに電流などを調
節して白色系を発光させなければならない。同様に、半
導体発光素子であるため個々の温度特性の差や経時変化
が異なり、色調が種々変化してしまう。さらに、ＬＥＤ
チップからの発光を均一に混色させなければ色むらを生
ずる場合がある。
【０００５】そこで、本出願人は先にＬＥＤチップの発
光色を蛍光体で色変換させた発光ダイオードとして特開
平５−１５２６０９号公報、特開平７−９９３４５号公
報などに記載された発光ダイオードを開発した。これら
の発光ダイオードによって、１種類のＬＥＤチップを用
いて白色系など他の発光色を発光させることができる。
光色を蛍光体で色変換させた発光ダイオードとして特開
平５−１５２６０９号公報、特開平７−９９３４５号公
報などに記載された発光ダイオードを開発した。これら
の発光ダイオードによって、１種類のＬＥＤチップを用
いて白色系など他の発光色を発光させることができる。
【０００６】具体的には、発光層のエネルギーバンドギ
ャップが大きいＬＥＤチップをリードフレームの先端に
設けられたカップ上などに配置する。ＬＥＤチップは、
ＬＥＤチップが設けられたメタルステムやメタルポスト
とそれぞれ電気的に接続させる。そして、ＬＥＤチップ
を被覆する樹脂モールド部材中などにＬＥＤチップから
の光を吸収し波長変換する蛍光体を含有させて形成させ
てある。
ャップが大きいＬＥＤチップをリードフレームの先端に
設けられたカップ上などに配置する。ＬＥＤチップは、
ＬＥＤチップが設けられたメタルステムやメタルポスト
とそれぞれ電気的に接続させる。そして、ＬＥＤチップ
を被覆する樹脂モールド部材中などにＬＥＤチップから
の光を吸収し波長変換する蛍光体を含有させて形成させ
てある。
【０００７】ＬＥＤチップからの発光を波長変換した発
光ダイオードとして、青色系の発光ダイオードの発光
と、その発光を吸収し黄色系を発光する蛍光体からの発
光との混色により白色系が発光可能な発光ダイオードな
どとすることができる。これらの発光ダイオードは、白
色系を発光する発光ダイオードとして利用した場合にお
いても十分な輝度を発光する発光ダイオードとすること
ができる。
光ダイオードとして、青色系の発光ダイオードの発光
と、その発光を吸収し黄色系を発光する蛍光体からの発
光との混色により白色系が発光可能な発光ダイオードな
どとすることができる。これらの発光ダイオードは、白
色系を発光する発光ダイオードとして利用した場合にお
いても十分な輝度を発光する発光ダイオードとすること
ができる。
【０００８】
【発明が解決する課題】発光ダイオードによって励起さ
れる蛍光体は、蛍光染料、蛍光顔料さらには有機、無機
化合物などから様々なものが挙げられる。また、蛍光体
は、発光素子からの発光波長を波長の短いものから長い
波長へと変換する、あるいは発光素子からの発光波長を
波長の長いものから短い波長へと変換するものとがあ
る。
れる蛍光体は、蛍光染料、蛍光顔料さらには有機、無機
化合物などから様々なものが挙げられる。また、蛍光体
は、発光素子からの発光波長を波長の短いものから長い
波長へと変換する、あるいは発光素子からの発光波長を
波長の長いものから短い波長へと変換するものとがあ
る。
【０００９】しかしながら、波長の長いものから短い波
長へと変換する場合、変換効率が極めて悪く実用に向か
ない。また、ＬＥＤチップ周辺に近接して配置された蛍
光体は、太陽光よりも約３０倍から４０倍にも及ぶ強照
射強度の光線にさらされる。特に、発光素子であるＬＥ
Ｄチップを高エネルギーバンドギャップを有する半導体
を用い蛍光体の変換効率向上や蛍光体の使用量を減らし
た場合においては、ＬＥＤチップから発光した光が可視
光域にあるといっても光エネルギーが必然的に高くな
る。この場合、発光強度を更に高め長期にわたって使用
すると、蛍光体自体が劣化しやすい。蛍光体が劣化する
と色調がずれる、あるいは蛍光体が黒ずみ光の外部取り
出し効率が低下する場合がある。同様にＬＥＤチップの
近傍に設けられた蛍光体は、ＬＥＤチップの昇温や外部
環境からの加熱など高温にもさらされる。さらに、発光
ダイオードは、一般的に樹脂モールドに被覆されてはい
るものの外部環境からの水分の進入などを完全に防ぐこ
とや製造時に付着した水分を完全に除去することはでき
ない。蛍光体によっては、このような水分が発光素子か
らの高エネルギー光や熱によって蛍光体物質の劣化を促
進する場合もある。また、イオン性の有機染料に至って
はチップ近傍では直流電界により電気泳動を起こし、色
調が変化する可能性がある。したがって、本願発明は上
記課題を解決し、より高輝度、長時間の使用環境下にお
いても発光光率の低下や色ずれの極めて少ない発光ダイ
オードを提供することを目的とする。
長へと変換する場合、変換効率が極めて悪く実用に向か
ない。また、ＬＥＤチップ周辺に近接して配置された蛍
光体は、太陽光よりも約３０倍から４０倍にも及ぶ強照
射強度の光線にさらされる。特に、発光素子であるＬＥ
Ｄチップを高エネルギーバンドギャップを有する半導体
を用い蛍光体の変換効率向上や蛍光体の使用量を減らし
た場合においては、ＬＥＤチップから発光した光が可視
光域にあるといっても光エネルギーが必然的に高くな
る。この場合、発光強度を更に高め長期にわたって使用
すると、蛍光体自体が劣化しやすい。蛍光体が劣化する
と色調がずれる、あるいは蛍光体が黒ずみ光の外部取り
出し効率が低下する場合がある。同様にＬＥＤチップの
近傍に設けられた蛍光体は、ＬＥＤチップの昇温や外部
環境からの加熱など高温にもさらされる。さらに、発光
ダイオードは、一般的に樹脂モールドに被覆されてはい
るものの外部環境からの水分の進入などを完全に防ぐこ
とや製造時に付着した水分を完全に除去することはでき
ない。蛍光体によっては、このような水分が発光素子か
らの高エネルギー光や熱によって蛍光体物質の劣化を促
進する場合もある。また、イオン性の有機染料に至って
はチップ近傍では直流電界により電気泳動を起こし、色
調が変化する可能性がある。したがって、本願発明は上
記課題を解決し、より高輝度、長時間の使用環境下にお
いても発光光率の低下や色ずれの極めて少ない発光ダイ
オードを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願発明の請求項１の発
光ダイオードは、マウント・リードのカップ内に配置さ
せた発光層を窒化ガリウム系化合物半導体とするＬＥＤ
チップと、このＬＥＤチップに導電性ワイヤーを用いて
電気的に接続されるインナー・リードと、ＬＥＤチップ
の発光によって励起されて発光する発光体を含有する透
明樹脂であってカップ内に充填されているコーティング
部材と、コーティング部材、ＬＥＤチップ、導電性ワイ
ヤー及びマウント・リ−ドとインナ一・リードの少なく
とも一部を被覆するモールド部材とを有する。ＬＥＤチ
ップの発光スペクトルは、４００ｎｍから５３０ｎｍに
発光ピークのある、単色性ピーク波長のものである。蛍
光体は（ＲＥ １−ｘ Ｓｍ ｘ ） ３ （Ａｌ ｙ Ｇａ １−ｙ ） ５
Ｏ １２ ：Ｃｅである。 ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦
１、ＲＥは、Ｙ、Ｇｄから選択される少なくとも１種で
ある。ＬＥＤチップからの光及び蛍光体からの光は、モ
ールド部材を透過して、白色系に発光可能な状態となっ
ている。
光ダイオードは、マウント・リードのカップ内に配置さ
せた発光層を窒化ガリウム系化合物半導体とするＬＥＤ
チップと、このＬＥＤチップに導電性ワイヤーを用いて
電気的に接続されるインナー・リードと、ＬＥＤチップ
の発光によって励起されて発光する発光体を含有する透
明樹脂であってカップ内に充填されているコーティング
部材と、コーティング部材、ＬＥＤチップ、導電性ワイ
ヤー及びマウント・リ−ドとインナ一・リードの少なく
とも一部を被覆するモールド部材とを有する。ＬＥＤチ
ップの発光スペクトルは、４００ｎｍから５３０ｎｍに
発光ピークのある、単色性ピーク波長のものである。蛍
光体は（ＲＥ １−ｘ Ｓｍ ｘ ） ３ （Ａｌ ｙ Ｇａ １−ｙ ） ５
Ｏ １２ ：Ｃｅである。 ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦
１、ＲＥは、Ｙ、Ｇｄから選択される少なくとも１種で
ある。ＬＥＤチップからの光及び蛍光体からの光は、モ
ールド部材を透過して、白色系に発光可能な状態となっ
ている。
【００１１】また、本発明の請求項２の発光ダイオード
は、モールド部材に、レンズ効果のある形状のものを使
用し、さらに、請求項３の発光ダイオードは、透明樹脂
に、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーンから選択さ
れる一種のものを使用する。
は、モールド部材に、レンズ効果のある形状のものを使
用し、さらに、請求項３の発光ダイオードは、透明樹脂
に、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーンから選択さ
れる一種のものを使用する。
【００１２】さらにまた、本願発明の請求項４に記載す
る発光ダイオードは、モールド部材に、コーティング部
材を構成している透明樹脂と同じ部材を用いている。
る発光ダイオードは、モールド部材に、コーティング部
材を構成している透明樹脂と同じ部材を用いている。
【００１３】また、本発明の請求項５の発光ダイオード
は、コーティング部に、表面側からＬＥＤチップ側に、
蛍光体を徐々に多くしている。
は、コーティング部に、表面側からＬＥＤチップ側に、
蛍光体を徐々に多くしている。
【００１４】さらに、本発明の請求項６に記載する発光
ダイオードは、ＬＥＤチップとモールド部材とを有す
る。ＬＥＤチップは、チップタイプＬＥＤの筺体内に配
置させている発光層を窒化ガリウム系化合物半導体とす
る。モールド部材は、透明樹脂をＬＥＤチップを配設し
ている筺体内に充填させたもので、ＬＥＤチップの発光
に励起されて発光する蛍光体を含有している。ＬＥＤチ
ップの発光スペクトルは、４００ｎｍから５３０ｎｍに
発光ピークのある単色性ピーク波長を示す。蛍光体は
（ＲＥ １−ｘ Ｓｍ ｘ ） ３ （Ａｌ ｙ Ｇａ １−ｙ ）
５ Ｏ １２ ：Ｃｅである。 ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦
１、ＲＥは、Ｙ、Ｇｄから選択される少なくとも１種で
ある。ＬＥＤチップからの光及び蛍光体からの光は、モ
ールド部材を透過して、白色系が発光可能である。
ダイオードは、ＬＥＤチップとモールド部材とを有す
る。ＬＥＤチップは、チップタイプＬＥＤの筺体内に配
置させている発光層を窒化ガリウム系化合物半導体とす
る。モールド部材は、透明樹脂をＬＥＤチップを配設し
ている筺体内に充填させたもので、ＬＥＤチップの発光
に励起されて発光する蛍光体を含有している。ＬＥＤチ
ップの発光スペクトルは、４００ｎｍから５３０ｎｍに
発光ピークのある単色性ピーク波長を示す。蛍光体は
（ＲＥ １−ｘ Ｓｍ ｘ ） ３ （Ａｌ ｙ Ｇａ １−ｙ ）
５ Ｏ １２ ：Ｃｅである。 ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦
１、ＲＥは、Ｙ、Ｇｄから選択される少なくとも１種で
ある。ＬＥＤチップからの光及び蛍光体からの光は、モ
ールド部材を透過して、白色系が発光可能である。
【００１５】
【発明の実施の形態】本願発明者は、種々の実験の結
果、可視光域における光エネルギーが比較的高いＬＥＤ
チップからの発光光をフォトルミネセンス蛍光体によっ
て色変換させる発光ダイオードにおいて、特定の半導体
及び蛍光体を選択することにより高輝度、長時間の使用
時における光効率低下や色ずれを防止できることを見出
し本願発明を成すに至った。
果、可視光域における光エネルギーが比較的高いＬＥＤ
チップからの発光光をフォトルミネセンス蛍光体によっ
て色変換させる発光ダイオードにおいて、特定の半導体
及び蛍光体を選択することにより高輝度、長時間の使用
時における光効率低下や色ずれを防止できることを見出
し本願発明を成すに至った。
【００１６】すなわち、発光ダイオードに用いられるＬ
ＥＤチップとしては、 １．ＬＥＤチップの発光特性が長期間の使用に対して安
定していること。 ２．蛍光体を励起させ二次的な放出を行うのに十分な高
輝度、高エネルギーの単色性ピーク波長を効率よく発光
可能であることが求められる。また、発光ダイオードに
用いられるフォトルミネセンス蛍光体としては、 １．耐光性に優れていることが要求される。特に、半導
体発光素子などの微小領域から強放射されるために太陽
光の約３０倍から４０倍にもおよぶ強照射強度にも十分
耐える必要がある。 ２．発光素子との混色を利用するため紫外線ではなく青
色系発光で効率よく発光すること。 ３．混色を考慮して緑色系から赤色系の光が発光可能な
こと。 ４．発光素子近傍に配置されるため温度特性が良好であ
ること。 ５．色調が組成比あるいは複数の蛍光体の混合比で連続
的に変えられること。 ６．発光ダイオードの利用環境に応じて耐候性があるこ
となどの特長を有することが求められる。
ＥＤチップとしては、 １．ＬＥＤチップの発光特性が長期間の使用に対して安
定していること。 ２．蛍光体を励起させ二次的な放出を行うのに十分な高
輝度、高エネルギーの単色性ピーク波長を効率よく発光
可能であることが求められる。また、発光ダイオードに
用いられるフォトルミネセンス蛍光体としては、 １．耐光性に優れていることが要求される。特に、半導
体発光素子などの微小領域から強放射されるために太陽
光の約３０倍から４０倍にもおよぶ強照射強度にも十分
耐える必要がある。 ２．発光素子との混色を利用するため紫外線ではなく青
色系発光で効率よく発光すること。 ３．混色を考慮して緑色系から赤色系の光が発光可能な
こと。 ４．発光素子近傍に配置されるため温度特性が良好であ
ること。 ５．色調が組成比あるいは複数の蛍光体の混合比で連続
的に変えられること。 ６．発光ダイオードの利用環境に応じて耐候性があるこ
となどの特長を有することが求められる。
【００１７】これらの条件を満たすものとして本願発明
の発光ダイオードは、発光層に高エネルギーバンドギャ
ップを有する窒化ガリウム系化合物半導体素子と、フォ
トルミネセンス蛍光体であるセリウムで付活されたイッ
トリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体とを組み
合わせる。これにより発光素子から放出された可視光域
における高エネルギー光を長時間その近傍で高輝度に照
射した場合であっても発光色の色ずれや発光輝度の低下
が極めて少ない発光ダイオードとすることができるもの
である。特に、窒化物系化合物半導体としてＩｎＧａＮ
の青色発光と、セリウムで付活されたイットリウム・ア
ルミニウム・ガーネット系蛍光体の吸収スペクトルとは
非常に良く一致している。また、セリウムで付活された
イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体の発
する蛍光とＩｎＧａＮの青色光の混色は、演色性の良い
良質の白色を得るという点において他の組み合わせには
ない極めて特異な性能を有する。
の発光ダイオードは、発光層に高エネルギーバンドギャ
ップを有する窒化ガリウム系化合物半導体素子と、フォ
トルミネセンス蛍光体であるセリウムで付活されたイッ
トリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体とを組み
合わせる。これにより発光素子から放出された可視光域
における高エネルギー光を長時間その近傍で高輝度に照
射した場合であっても発光色の色ずれや発光輝度の低下
が極めて少ない発光ダイオードとすることができるもの
である。特に、窒化物系化合物半導体としてＩｎＧａＮ
の青色発光と、セリウムで付活されたイットリウム・ア
ルミニウム・ガーネット系蛍光体の吸収スペクトルとは
非常に良く一致している。また、セリウムで付活された
イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体の発
する蛍光とＩｎＧａＮの青色光の混色は、演色性の良い
良質の白色を得るという点において他の組み合わせには
ない極めて特異な性能を有する。
【００１８】具体的な発光ダイオードの一例を図１に示
し、さらに、チップタイプＬＥＤのの断面図を図２に示
す。チップタイプＬＥＤの筐体２０４内に窒化ガリウム
系半導体を用いたＬＥＤチップ２０２をエポキシ樹脂な
どを用いて固定させてある。導電性ワイヤー２０３とし
て金線をＬＥＤチップ２０２の各電極と筐体に設けられ
た各電極２０５とにそれぞれ電気的に接続させてある。
（ＲＥ１−ｘＳｍｘ）３（ＡｌｙＧａ１−ｙ）
５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体をエポキシ樹脂中に混合分散させ
たものをＬＥＤチップ、導電性ワイヤーなどを外部応力
などから保護するモールド部材２０１として均一に硬化
形成させる。このような発光ダイオードに電力を供給さ
せることによってＬＥＤチップ２０２を発光させる。Ｌ
ＥＤチップ２０２からの発光と、その発光によって励起
されたフォトルミネセンス蛍光体からの発光光との混色
により白色系などが発光可能な発光ダイオードとするこ
とができる。以下、本願発明の構成部材について詳述す
る。
し、さらに、チップタイプＬＥＤのの断面図を図２に示
す。チップタイプＬＥＤの筐体２０４内に窒化ガリウム
系半導体を用いたＬＥＤチップ２０２をエポキシ樹脂な
どを用いて固定させてある。導電性ワイヤー２０３とし
て金線をＬＥＤチップ２０２の各電極と筐体に設けられ
た各電極２０５とにそれぞれ電気的に接続させてある。
（ＲＥ１−ｘＳｍｘ）３（ＡｌｙＧａ１−ｙ）
５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体をエポキシ樹脂中に混合分散させ
たものをＬＥＤチップ、導電性ワイヤーなどを外部応力
などから保護するモールド部材２０１として均一に硬化
形成させる。このような発光ダイオードに電力を供給さ
せることによってＬＥＤチップ２０２を発光させる。Ｌ
ＥＤチップ２０２からの発光と、その発光によって励起
されたフォトルミネセンス蛍光体からの発光光との混色
により白色系などが発光可能な発光ダイオードとするこ
とができる。以下、本願発明の構成部材について詳述す
る。
【００１９】 （蛍光体） 本願発明の発光ダイオードに用いられるフォトルミネセ
ンス蛍光体は、半導体発光層から発光された可視光や紫
外線で励起されて発光するフォトルミネセンス蛍光体で
ある。フォトルミネセンス蛍光体は、セリウムで付活さ
れたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体
である。
ンス蛍光体は、半導体発光層から発光された可視光や紫
外線で励起されて発光するフォトルミネセンス蛍光体で
ある。フォトルミネセンス蛍光体は、セリウムで付活さ
れたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体
である。
【００２０】本明細書においてイットリウム・アルミニ
ウム・ガーネット系蛍光体は特に広義に解釈するものと
し、イットリウムの一部あるいは全体を、Ｌｕ、Ｓｃ、
Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選ばれる少なくとも
１つの元素に置換し、あるいは、アルミニウムの一部あ
るいは全体を、ＧａとＩｎの何れかまたは両方で置換す
る蛍光体を含む広い意味に使用する。
ウム・ガーネット系蛍光体は特に広義に解釈するものと
し、イットリウムの一部あるいは全体を、Ｌｕ、Ｓｃ、
Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選ばれる少なくとも
１つの元素に置換し、あるいは、アルミニウムの一部あ
るいは全体を、ＧａとＩｎの何れかまたは両方で置換す
る蛍光体を含む広い意味に使用する。
【００２１】更に詳しくは、（ＲＥ１−ｘＳｍｘ）
３（ＡｌｙＧａ１−ｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ（但し、０≦ｘ
＜１、０≦ｙ≦１、ＲＥは、Ｙ、Ｇｄから選択される少
なくとも一種）である。窒化ガリウム系化合物半導体を
用いたＬＥＤチップから発光した光と、ボディーカラー
が黄色であるフォトルミネセンス蛍光体から発光する光
が補色関係にある場合、ＬＥＤチップからの発光と、フ
ォトルミネセンス蛍光体からの発光とを混色表示させる
と、白色系の発光色表示を行うことができる。そのため
発光ダイオード外部には、ＬＥＤチップからの発光とフ
ォトルミネセンス蛍光体からの発光とがモールド部材を
透過する必要がある。したがって、フォトルミネセンス
蛍光体をスパッタリング法などにより形成させた蛍光体
の層などにＬＥＤチップを閉じこめ、フォトルミネセン
ス蛍光体層にＬＥＤチップからの光が透過する開口部を
１ないし２以上有する或いはＬＥＤチップからの光が透
過可能な如き薄膜とした構成の発光ダイオードとしても
良い。なお、スパッタリング法などにより形成させた蛍
光体は、コーティング部のバインダーを省略することも
できる。その膜厚で発光色を調整することもできる。ま
た、フォトルミネセンス蛍光体の粉体を樹脂や硝子中に
含有させＬＥＤチップからの光が透過する程度に薄く形
成させても良い。同様に、フォトルミネセンス蛍光体の
粉体を樹脂や硝子中に含有させＬＥＤチップからの光が
透過する程度に薄く形成させても良い。フォトルミネセ
ンス蛍光体と樹脂などとの比率や塗布、充填量を種々調
整すること及び発光素子の発光波長を選択することによ
り白色を含め電球色など任意の色調を提供させることが
できる。
３（ＡｌｙＧａ１−ｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ（但し、０≦ｘ
＜１、０≦ｙ≦１、ＲＥは、Ｙ、Ｇｄから選択される少
なくとも一種）である。窒化ガリウム系化合物半導体を
用いたＬＥＤチップから発光した光と、ボディーカラー
が黄色であるフォトルミネセンス蛍光体から発光する光
が補色関係にある場合、ＬＥＤチップからの発光と、フ
ォトルミネセンス蛍光体からの発光とを混色表示させる
と、白色系の発光色表示を行うことができる。そのため
発光ダイオード外部には、ＬＥＤチップからの発光とフ
ォトルミネセンス蛍光体からの発光とがモールド部材を
透過する必要がある。したがって、フォトルミネセンス
蛍光体をスパッタリング法などにより形成させた蛍光体
の層などにＬＥＤチップを閉じこめ、フォトルミネセン
ス蛍光体層にＬＥＤチップからの光が透過する開口部を
１ないし２以上有する或いはＬＥＤチップからの光が透
過可能な如き薄膜とした構成の発光ダイオードとしても
良い。なお、スパッタリング法などにより形成させた蛍
光体は、コーティング部のバインダーを省略することも
できる。その膜厚で発光色を調整することもできる。ま
た、フォトルミネセンス蛍光体の粉体を樹脂や硝子中に
含有させＬＥＤチップからの光が透過する程度に薄く形
成させても良い。同様に、フォトルミネセンス蛍光体の
粉体を樹脂や硝子中に含有させＬＥＤチップからの光が
透過する程度に薄く形成させても良い。フォトルミネセ
ンス蛍光体と樹脂などとの比率や塗布、充填量を種々調
整すること及び発光素子の発光波長を選択することによ
り白色を含め電球色など任意の色調を提供させることが
できる。
【００２２】さらに、フォトルミネセンス蛍光体の含有
分布は、混色性や耐久性にも影響する。すなわち、フォ
トルミネセンス蛍光体が含有されたコーティング部やモ
ールド部材の表面側からＬＥＤチップに向かってフォト
ルミネセンス蛍光体の分布濃度が高い場合は、外部環境
からの水分などの影響をより受けにくく水分による劣化
を抑制しやすい。他方、フォトルミネセンス蛍光体の含
有分布をＬＥＤチップからモールド部材表面側に向かっ
て分布濃度が高くなると外部環境からの水分の影響を受
けやすいがＬＥＤチップからの発熱、照射強度などの影
響がより少なくフォトルミネセンス蛍光体の劣化を抑制
することができる。このような、フォトルミネセンス蛍
光体の分布は、フォトルミネセンス蛍光体を含有する部
材、形成温度、粘度やフォトルミネセンス蛍光体の形
状、粒度分布などを調整させることによって種々形成さ
せることができる。したがって、使用条件などにより蛍
光体の分布濃度を、種々選択することができる。
分布は、混色性や耐久性にも影響する。すなわち、フォ
トルミネセンス蛍光体が含有されたコーティング部やモ
ールド部材の表面側からＬＥＤチップに向かってフォト
ルミネセンス蛍光体の分布濃度が高い場合は、外部環境
からの水分などの影響をより受けにくく水分による劣化
を抑制しやすい。他方、フォトルミネセンス蛍光体の含
有分布をＬＥＤチップからモールド部材表面側に向かっ
て分布濃度が高くなると外部環境からの水分の影響を受
けやすいがＬＥＤチップからの発熱、照射強度などの影
響がより少なくフォトルミネセンス蛍光体の劣化を抑制
することができる。このような、フォトルミネセンス蛍
光体の分布は、フォトルミネセンス蛍光体を含有する部
材、形成温度、粘度やフォトルミネセンス蛍光体の形
状、粒度分布などを調整させることによって種々形成さ
せることができる。したがって、使用条件などにより蛍
光体の分布濃度を、種々選択することができる。
【００２３】本願発明の発光ダイオードのフォトルミネ
センス蛍光体は、特にＬＥＤチップと接する、あるいは
近接して配置され照射強度として（Ｅｅ）＝３Ｗ・ｃｍ
−２以上１０Ｗ・ｃｍ−２以下においても高効率に十分
な耐光性を有し、優れた発光特性の発光ダイオードとす
ることができる。
センス蛍光体は、特にＬＥＤチップと接する、あるいは
近接して配置され照射強度として（Ｅｅ）＝３Ｗ・ｃｍ
−２以上１０Ｗ・ｃｍ−２以下においても高効率に十分
な耐光性を有し、優れた発光特性の発光ダイオードとす
ることができる。
【００２４】本願発明に用いられるフォトルミネセンス
蛍光体は、ガーネット構造のため、熱、光及び水分に強
く、図４に示すように、励起スペクトルのピークを４５
０ｎｍ付近にさせることができる。また、発光ピークも
図４に示すように、５８０ｎｍ付近にあり７００ｎｍま
で裾を引くブロードな発光スペクトルを持つ。
蛍光体は、ガーネット構造のため、熱、光及び水分に強
く、図４に示すように、励起スペクトルのピークを４５
０ｎｍ付近にさせることができる。また、発光ピークも
図４に示すように、５８０ｎｍ付近にあり７００ｎｍま
で裾を引くブロードな発光スペクトルを持つ。
【００２５】また、本願発明の発光ダイオードのフォト
ルミネセンス蛍光体は、結晶中にＧｄ（ガドリニウム）
を含有することにより、４６０ｎｍ以上の長波長域の励
起発光効率を高くすることができる。Ｇｄの含有量の増
加により、発光ピーク波長が長波長に移動し全体の発光
波長も長波長側にシフトする。すなわち、赤みの強い発
光色が必要な場合、Ｇｄの置換量を多くすることで達成
できる。一方、Ｇｄが増加すると共に、青色光によるフ
ォトルミネセンスの発光輝度は低下する傾向にある。
ルミネセンス蛍光体は、結晶中にＧｄ（ガドリニウム）
を含有することにより、４６０ｎｍ以上の長波長域の励
起発光効率を高くすることができる。Ｇｄの含有量の増
加により、発光ピーク波長が長波長に移動し全体の発光
波長も長波長側にシフトする。すなわち、赤みの強い発
光色が必要な場合、Ｇｄの置換量を多くすることで達成
できる。一方、Ｇｄが増加すると共に、青色光によるフ
ォトルミネセンスの発光輝度は低下する傾向にある。
【００２６】しかも、ガーネット構造を持ったイットリ
ウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体の組成の内、
Ａｌの一部をＧａで置換することで発光波長が短波長側
にシフトする。また、組成のＹの一部をＧｄで置換する
ことで、発光波長が長波長側にシフトする。
ウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体の組成の内、
Ａｌの一部をＧａで置換することで発光波長が短波長側
にシフトする。また、組成のＹの一部をＧｄで置換する
ことで、発光波長が長波長側にシフトする。
【００２７】ＡｌをＧａに置換させる場合、発光効率と
発光波長を考慮してＡｌ：Ｇａ＝６：４から１：１の間
の比率に設定することが好ましい。同様に、Ｙの一部を
Ｇｄで置換することはＹ：Ｇｄ＝９：１から１：９の範
囲の比率に設定することが好ましく、４：１から２：３
の範囲に設定することがより好ましい。Ｇｄへの置換が
２割未満では、緑色成分が大きく赤色成分が少なくな
る。また、Ｇｄへの置換が６割以上では、赤み成分が増
えるものの輝度が急激に低下する傾向にある。特に、Ｌ
ＥＤチップの発光波長によるがイットリウム・アルミニ
ウム・ガーネット系蛍光体の組成の内Ｙ：Ｇｄ＝４：１
から２：３の範囲とすることにより１種類のイットリウ
ム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体を用いて黒体放
射軌跡におおよそ沿って白色光が発光可能な発光ダイオ
ードとすることができる。なお、Ｙ：Ｇｄ＝２：３より
多く１：４では輝度は低くなるものの電球色が発光可能
な発光ダイオードとすることができる。また、Ｃｅの含
有（置換）は、０．００３から０．２含有させることに
より相対発光輝度が７０％以上となる。（なお、相対発
光輝度は、ｑ＝０．０３の蛍光体の発光輝度を１００％
とした場合における発光輝度である。）０．００３未満
では、Ｃｅによるフォトルミネセンスの励起発光中心の
数が減少することで輝度が低下し、逆に、０．２より大
きくなると濃度消光が生ずる。（濃度消光とは、蛍光体
の輝度を高めるため付活材の濃度を増加していくと、あ
る最適値以上の濃度では発光強度が低下することをい
う。）
発光波長を考慮してＡｌ：Ｇａ＝６：４から１：１の間
の比率に設定することが好ましい。同様に、Ｙの一部を
Ｇｄで置換することはＹ：Ｇｄ＝９：１から１：９の範
囲の比率に設定することが好ましく、４：１から２：３
の範囲に設定することがより好ましい。Ｇｄへの置換が
２割未満では、緑色成分が大きく赤色成分が少なくな
る。また、Ｇｄへの置換が６割以上では、赤み成分が増
えるものの輝度が急激に低下する傾向にある。特に、Ｌ
ＥＤチップの発光波長によるがイットリウム・アルミニ
ウム・ガーネット系蛍光体の組成の内Ｙ：Ｇｄ＝４：１
から２：３の範囲とすることにより１種類のイットリウ
ム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体を用いて黒体放
射軌跡におおよそ沿って白色光が発光可能な発光ダイオ
ードとすることができる。なお、Ｙ：Ｇｄ＝２：３より
多く１：４では輝度は低くなるものの電球色が発光可能
な発光ダイオードとすることができる。また、Ｃｅの含
有（置換）は、０．００３から０．２含有させることに
より相対発光輝度が７０％以上となる。（なお、相対発
光輝度は、ｑ＝０．０３の蛍光体の発光輝度を１００％
とした場合における発光輝度である。）０．００３未満
では、Ｃｅによるフォトルミネセンスの励起発光中心の
数が減少することで輝度が低下し、逆に、０．２より大
きくなると濃度消光が生ずる。（濃度消光とは、蛍光体
の輝度を高めるため付活材の濃度を増加していくと、あ
る最適値以上の濃度では発光強度が低下することをい
う。）
【００２８】本願発明の発光ダイオードのフォトルミネ
センス蛍光体は、このように組成を変化することで発光
色を連続的に調節することが可能である。また、２５４
ｎｍや３６５ｎｍなどのＨｇ輝線ではほとんど励起され
ず４５０ｎｍ付近などの青色系ＬＥＤチップからの光に
よる励起効率が高い。したがって、長波長側の強度がＧ
ｄの組成比で連続的に変えられるなど窒化物半導体の青
色系発光を白色系発光に変換するための理想条件を備え
ている。
センス蛍光体は、このように組成を変化することで発光
色を連続的に調節することが可能である。また、２５４
ｎｍや３６５ｎｍなどのＨｇ輝線ではほとんど励起され
ず４５０ｎｍ付近などの青色系ＬＥＤチップからの光に
よる励起効率が高い。したがって、長波長側の強度がＧ
ｄの組成比で連続的に変えられるなど窒化物半導体の青
色系発光を白色系発光に変換するための理想条件を備え
ている。
【００２９】表１は、本願発明に用いられるフォトルミ
ネセンス蛍光体の組成と発光特性の一例を示す。（な
お、測定条件は、４６０ｎｍの青色光で励起して観測し
てある。また、輝度と効率は、相対値で表してある。）
ネセンス蛍光体の組成と発光特性の一例を示す。（な
お、測定条件は、４６０ｎｍの青色光で励起して観測し
てある。また、輝度と効率は、相対値で表してある。）
【００３０】
【表１】
【００３１】また、窒化ガリウム系半導体を用いたＬＥ
Ｄチップと、セリウムで付活されたイットリウム・アル
ミニウム・ガーネット蛍光体（ＹＡＧ）に希土類元素の
サマリウム（Ｓｍ）を含有させたフォトルミネセンス蛍
光体と、を有する発光ダイオードとすることによりさら
に光効率を向上させることができる。
Ｄチップと、セリウムで付活されたイットリウム・アル
ミニウム・ガーネット蛍光体（ＹＡＧ）に希土類元素の
サマリウム（Ｓｍ）を含有させたフォトルミネセンス蛍
光体と、を有する発光ダイオードとすることによりさら
に光効率を向上させることができる。
【００３２】このようなフォトルミネセンス蛍光体は、
Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ａｌ及びＧａの原料として酸化
物、又は高温で容易に酸化物になる化合物を使用し、そ
れらを化学量論比で十分に混合して原料を得る。又は、
Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓｍの希土類元素を化学量論比で酸に
溶解した溶解液を蓚酸で共沈したものを焼成して得られ
る共沈酸化物と、酸化アルミニウム、酸化ガリウムとを
混合して混合原料を得る。これにフラックスとしてフッ
化アンモニウム等のフッ化物を適量混合して坩堝に詰
め、空気中１３５０〜１４５０°Ｃの温度範囲で２〜５
時間焼成して焼成品を得、次に焼成品を水中でボールミ
ルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通すことで得る
ことができる。
Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ａｌ及びＧａの原料として酸化
物、又は高温で容易に酸化物になる化合物を使用し、そ
れらを化学量論比で十分に混合して原料を得る。又は、
Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｓｍの希土類元素を化学量論比で酸に
溶解した溶解液を蓚酸で共沈したものを焼成して得られ
る共沈酸化物と、酸化アルミニウム、酸化ガリウムとを
混合して混合原料を得る。これにフラックスとしてフッ
化アンモニウム等のフッ化物を適量混合して坩堝に詰
め、空気中１３５０〜１４５０°Ｃの温度範囲で２〜５
時間焼成して焼成品を得、次に焼成品を水中でボールミ
ルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通すことで得る
ことができる。
【００３３】Ｓｍを含有する（Ｙ１−ｐ−ｑ−ｒＧｄｐ
ＣｅｑＳｍｒ）３Ａｌ５Ｏ１２蛍光体は、Ｇｄの含有量
の増加に関わらず温度特性の低下が少ない。このように
Ｓｍを含有させることにより、高温度におけるフォトル
ミネセンス蛍光体の発光輝度は大幅に改善される。その
改善される程度はＧｄの含有量が高くなるほど大きくな
る。すなわち、Ｇｄを増加してフォトルミネセンス蛍光
体の発光色調に赤みを付与した組成ほどＳｍの含有によ
る温度特性改善に効果的であることが分かった。（な
お、ここでの温度特性とは、４５０ｎｍの青色光による
常温（２５°Ｃ）における励起発光輝度に対する、同蛍
光体の高温（２００°Ｃ）における発光輝度の相対値
（％）で表している。）
ＣｅｑＳｍｒ）３Ａｌ５Ｏ１２蛍光体は、Ｇｄの含有量
の増加に関わらず温度特性の低下が少ない。このように
Ｓｍを含有させることにより、高温度におけるフォトル
ミネセンス蛍光体の発光輝度は大幅に改善される。その
改善される程度はＧｄの含有量が高くなるほど大きくな
る。すなわち、Ｇｄを増加してフォトルミネセンス蛍光
体の発光色調に赤みを付与した組成ほどＳｍの含有によ
る温度特性改善に効果的であることが分かった。（な
お、ここでの温度特性とは、４５０ｎｍの青色光による
常温（２５°Ｃ）における励起発光輝度に対する、同蛍
光体の高温（２００°Ｃ）における発光輝度の相対値
（％）で表している。）
【００３４】Ｓｍの含有量は０．０００３≦ｒ≦０．０
８の範囲で温度特性が６０％以上となり好ましい。この
範囲よりｒが小さいと、温度特性改良の効果が小さくな
る。また、この範囲よりｒが大きくなると温度特性は逆
に低下してくる。０．０００７≦ｒ≦０．０２の範囲で
は温度特性は８０％以上となり最も好ましい。
８の範囲で温度特性が６０％以上となり好ましい。この
範囲よりｒが小さいと、温度特性改良の効果が小さくな
る。また、この範囲よりｒが大きくなると温度特性は逆
に低下してくる。０．０００７≦ｒ≦０．０２の範囲で
は温度特性は８０％以上となり最も好ましい。
【００３５】本願発明の発光ダイオードにおいてこのよ
うなフォトルミネセンス蛍光体は、２種類以上の（ＲＥ
１−ｘＳｍｘ）３（ＡｌｙＧａ１−ｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ
フォトルミネセンス蛍光体を混合させてもよい。すなわ
ち、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ及びＧｄやＳｍの含有量が異なる２
種類以上の（ＲＥ１−ｘＳｍｘ）３（ＡｌｙＧ
ａ１− ｙ）５Ｏ１２：Ｃｅフォトルミネセンス蛍光体を
混合させてＲＧＢの波長成分を増やすことができる。こ
れに、カラーフィルターを用いることによりフルカラー
液晶表示装置用としても利用できる。
うなフォトルミネセンス蛍光体は、２種類以上の（ＲＥ
１−ｘＳｍｘ）３（ＡｌｙＧａ１−ｙ）５Ｏ１２：Ｃｅ
フォトルミネセンス蛍光体を混合させてもよい。すなわ
ち、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ及びＧｄやＳｍの含有量が異なる２
種類以上の（ＲＥ１−ｘＳｍｘ）３（ＡｌｙＧ
ａ１− ｙ）５Ｏ１２：Ｃｅフォトルミネセンス蛍光体を
混合させてＲＧＢの波長成分を増やすことができる。こ
れに、カラーフィルターを用いることによりフルカラー
液晶表示装置用としても利用できる。
【００３６】 （ＬＥＤチップ１０２、２０２、７０２） ＬＥＤチップは、図１に示すように、モールド部材１０
４に埋設される。本願発明の発光ダイオードに用いられ
るＬＥＤチップとは、セリウムで付活されたイットリウ
ム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体を効率良く励起
できる窒化物系化合物半導体である。ここで、窒化物系
化合物半導体（一般式ＩｎｉＧａｊＡｌｋＮ、但し、０
≦ｉ、０≦ｊ、０≦ｋ、ｉ＋ｊ＋ｋ＝１）としては、Ｉ
ｎＧａＮや各種不純物がドープされたＧａＮを始め、種
々のものが含まれる。発光素子であるＬＥＤチップは、
ＭＯＣＶＤ法等により基板上にＩｎＧａＮ等の半導体を
発光層として形成させる。半導体の構造としては、ＭＩ
Ｓ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合などを有するホモ構造、
ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられ
る。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種
々選択することができる。また、半導体活性層を量子効
果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量
子井戸構造とすることもできる。特に、本願発明におい
ては、ＬＥＤチップの活性層をＩｎＧａＮの単一量子井
戸構造とすることにより、フォトルミネセンス蛍光体の
劣化がなく、より高輝度に発光する発光ダイオードとし
て利用することができる。
４に埋設される。本願発明の発光ダイオードに用いられ
るＬＥＤチップとは、セリウムで付活されたイットリウ
ム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体を効率良く励起
できる窒化物系化合物半導体である。ここで、窒化物系
化合物半導体（一般式ＩｎｉＧａｊＡｌｋＮ、但し、０
≦ｉ、０≦ｊ、０≦ｋ、ｉ＋ｊ＋ｋ＝１）としては、Ｉ
ｎＧａＮや各種不純物がドープされたＧａＮを始め、種
々のものが含まれる。発光素子であるＬＥＤチップは、
ＭＯＣＶＤ法等により基板上にＩｎＧａＮ等の半導体を
発光層として形成させる。半導体の構造としては、ＭＩ
Ｓ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合などを有するホモ構造、
ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられ
る。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種
々選択することができる。また、半導体活性層を量子効
果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量
子井戸構造とすることもできる。特に、本願発明におい
ては、ＬＥＤチップの活性層をＩｎＧａＮの単一量子井
戸構造とすることにより、フォトルミネセンス蛍光体の
劣化がなく、より高輝度に発光する発光ダイオードとし
て利用することができる。
【００３７】窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場
合、半導体基板にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、Ｓ
ｉ、ＺｎＯ等の材料が用いられる。結晶性の良い窒化ガ
リウムを形成させるためにはサファイヤ基板を用いるこ
とが好ましい。このサファイヤ基板上にＧａＮ、ＡｌＮ
等のバッファー層を形成しその上にＰＮ接合を有する窒
化ガリウム半導体を形成させる。窒化ガリウム系半導体
は、不純物をドープしない状態でＮ型導電性を示す。発
光効率を向上させるなど所望のＮ型窒化ガリウム半導体
を形成させる場合は、Ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜導入することが好ましい。
一方、Ｐ型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、Ｐ
型ドーパンドであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
ａ等をドープさせる。窒化ガリウム系化合物半導体は、
Ｐ型ドーパントをドープしただけではＰ型化しにくいた
めＰ型ドーパント導入後に、炉による加熱、低速電子線
照射やプラズマ照射等によりＰ型化させることが好まし
い。エッチングなどによりＰ型半導体及びＮ型半導体の
露出面を形成させた後、半導体層上にスパッタリング法
や真空蒸着法などを用いて所望の形状の各電極を形成さ
せる。
合、半導体基板にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、Ｓ
ｉ、ＺｎＯ等の材料が用いられる。結晶性の良い窒化ガ
リウムを形成させるためにはサファイヤ基板を用いるこ
とが好ましい。このサファイヤ基板上にＧａＮ、ＡｌＮ
等のバッファー層を形成しその上にＰＮ接合を有する窒
化ガリウム半導体を形成させる。窒化ガリウム系半導体
は、不純物をドープしない状態でＮ型導電性を示す。発
光効率を向上させるなど所望のＮ型窒化ガリウム半導体
を形成させる場合は、Ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜導入することが好ましい。
一方、Ｐ型窒化ガリウム半導体を形成させる場合は、Ｐ
型ドーパンドであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
ａ等をドープさせる。窒化ガリウム系化合物半導体は、
Ｐ型ドーパントをドープしただけではＰ型化しにくいた
めＰ型ドーパント導入後に、炉による加熱、低速電子線
照射やプラズマ照射等によりＰ型化させることが好まし
い。エッチングなどによりＰ型半導体及びＮ型半導体の
露出面を形成させた後、半導体層上にスパッタリング法
や真空蒸着法などを用いて所望の形状の各電極を形成さ
せる。
【００３８】次に、形成された半導体ウエハー等をダイ
ヤモンド製の刃先を有するブレードが回転するダイシン
グソーにより直接フルカットするか、又は刃先幅よりも
広い幅の溝を切り込んだ後（ハーフカット）、外力によ
って半導体ウエハーを割る。あるいは、先端のダイヤモ
ンド針が往復直線運動するスクライバーにより半導体ウ
エハーに極めて細いスクライブライン（経線）を例えば
碁盤目状に引いた後、外力によってウエハーを割り半導
体ウエハーからチップ状にカットする。このようにして
窒化ガリウム系化合物半導体であるＬＥＤチップを形成
させることができる。
ヤモンド製の刃先を有するブレードが回転するダイシン
グソーにより直接フルカットするか、又は刃先幅よりも
広い幅の溝を切り込んだ後（ハーフカット）、外力によ
って半導体ウエハーを割る。あるいは、先端のダイヤモ
ンド針が往復直線運動するスクライバーにより半導体ウ
エハーに極めて細いスクライブライン（経線）を例えば
碁盤目状に引いた後、外力によってウエハーを割り半導
体ウエハーからチップ状にカットする。このようにして
窒化ガリウム系化合物半導体であるＬＥＤチップを形成
させることができる。
【００３９】本願発明の発光ダイオードにおいて白色系
を発光させる場合は、フォトルミネセンス蛍光体との補
色関係や樹脂劣化等を考慮して発光素子の発光波長は４
００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好ましく、４２０ｎｍ以
上４９０ｎｍ以下がより好ましい。ＬＥＤチップとフォ
トルミネセンス蛍光体との効率をそれぞれより向上させ
るためには、４５０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下がさらに好
ましい。本願発明の白色系発光ダイオードの発光スペク
トルを図３に示す。４５０ｎｍ付近にピークを持つ発光
がＬＥＤチップからの発光であり、５７０ｎｍ付近にピ
ークを持つ発光がＬＥＤチップによって励起されたフォ
トルミネセンスの発光である。なお、本願発明のＬＥＤ
チップに加えて、蛍光体を励起しないＬＥＤチップを一
緒に用いることもできる。
を発光させる場合は、フォトルミネセンス蛍光体との補
色関係や樹脂劣化等を考慮して発光素子の発光波長は４
００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好ましく、４２０ｎｍ以
上４９０ｎｍ以下がより好ましい。ＬＥＤチップとフォ
トルミネセンス蛍光体との効率をそれぞれより向上させ
るためには、４５０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下がさらに好
ましい。本願発明の白色系発光ダイオードの発光スペク
トルを図３に示す。４５０ｎｍ付近にピークを持つ発光
がＬＥＤチップからの発光であり、５７０ｎｍ付近にピ
ークを持つ発光がＬＥＤチップによって励起されたフォ
トルミネセンスの発光である。なお、本願発明のＬＥＤ
チップに加えて、蛍光体を励起しないＬＥＤチップを一
緒に用いることもできる。
【００４０】具体的には、フォトルミネセンス蛍光体が
励起可能な窒化物系化合物半導体であるＬＥＤチップに
加えて、フォトルミネセンス蛍光体を実質的に励起しな
い発光層がガリウム燐、ガリウムアルミニウム砒素、ガ
リウム砒素燐やインジュウムガリウムアルミニウム燐な
どであるＬＥＤチップを配置させる。フォトルミネセン
ス蛍光体を励起しないＬＥＤチップからの光は、蛍光体
自体に吸収されることなく外部に放出される。そのた
め、効率よく紅白が発光可能な発光ダイオードなどとす
ることができる。
励起可能な窒化物系化合物半導体であるＬＥＤチップに
加えて、フォトルミネセンス蛍光体を実質的に励起しな
い発光層がガリウム燐、ガリウムアルミニウム砒素、ガ
リウム砒素燐やインジュウムガリウムアルミニウム燐な
どであるＬＥＤチップを配置させる。フォトルミネセン
ス蛍光体を励起しないＬＥＤチップからの光は、蛍光体
自体に吸収されることなく外部に放出される。そのた
め、効率よく紅白が発光可能な発光ダイオードなどとす
ることができる。
【００４１】 （導電性ワイヤー１０３、２０３） 導電性ワイヤー１０３、２０３としては、ＬＥＤチップ
１０２、２０２の電極とのオーミック性、機械的接続
性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求められる。
熱伝導度としては０．０１ｃａｌ／（ｓ）（ｃｍ２）
（℃／ｃｍ）以上が好ましく、より好ましくは０．５ｃ
ａｌ／（ｓ）（ｃｍ２）（℃／ｃｍ）以上である。ま
た、作業性などを考慮して導電性ワイヤーの直径は、好
ましくは、Φ１０μｍ以上、Φ４５μｍ以下である。特
に、蛍光体が含有されたコーティング部と蛍光体が含有
されていないモールド部材との界面で導電性ワイヤーが
断線しやすい。それぞれ同一材料を用いたとしても蛍光
体が入ることにより実質的な熱膨張量が異なるため断線
しやすいと考えられる。そのため、導電性ワイヤーの直
径は、２５μｍ以上がより好ましく、発光面積や扱い易
さの観点から３５μｍ以下がより好ましい。このような
導電性ワイヤーとして具体的には、金、銅、白金、アル
ミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイ
ヤーが挙げられる。このような導電性ワイヤーは、各Ｌ
ＥＤチップの電極と、インナー・リード及びマウント・
リードなどと、をワイヤーボンディング機器によって容
易に接続させることができる。
１０２、２０２の電極とのオーミック性、機械的接続
性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求められる。
熱伝導度としては０．０１ｃａｌ／（ｓ）（ｃｍ２）
（℃／ｃｍ）以上が好ましく、より好ましくは０．５ｃ
ａｌ／（ｓ）（ｃｍ２）（℃／ｃｍ）以上である。ま
た、作業性などを考慮して導電性ワイヤーの直径は、好
ましくは、Φ１０μｍ以上、Φ４５μｍ以下である。特
に、蛍光体が含有されたコーティング部と蛍光体が含有
されていないモールド部材との界面で導電性ワイヤーが
断線しやすい。それぞれ同一材料を用いたとしても蛍光
体が入ることにより実質的な熱膨張量が異なるため断線
しやすいと考えられる。そのため、導電性ワイヤーの直
径は、２５μｍ以上がより好ましく、発光面積や扱い易
さの観点から３５μｍ以下がより好ましい。このような
導電性ワイヤーとして具体的には、金、銅、白金、アル
ミニウム等の金属及びそれらの合金を用いた導電性ワイ
ヤーが挙げられる。このような導電性ワイヤーは、各Ｌ
ＥＤチップの電極と、インナー・リード及びマウント・
リードなどと、をワイヤーボンディング機器によって容
易に接続させることができる。
【００４２】 （マウント・リード１０５） マウント・リード１０５としては、ＬＥＤチップ１０２
を配置させるものであり、ダイボンド機器などで積載す
るのに十分な大きさがあれば良い。また、ＬＥＤチップ
を複数設置しマウント・リードをＬＥＤチップの共通電
極として利用する場合においては、十分な電気伝導性と
ボンディングワイヤー等との接続性が求められる。ま
た、マウント・リード上のカップ内にＬＥＤチップを配
置すると共に蛍光体を内部に充填させる場合は、近接し
て配置させた別の発光ダイオードからの光により疑似点
灯することを防止することができる。
を配置させるものであり、ダイボンド機器などで積載す
るのに十分な大きさがあれば良い。また、ＬＥＤチップ
を複数設置しマウント・リードをＬＥＤチップの共通電
極として利用する場合においては、十分な電気伝導性と
ボンディングワイヤー等との接続性が求められる。ま
た、マウント・リード上のカップ内にＬＥＤチップを配
置すると共に蛍光体を内部に充填させる場合は、近接し
て配置させた別の発光ダイオードからの光により疑似点
灯することを防止することができる。
【００４３】ＬＥＤチップ１０２とマウント・リード１
０５のカップとの接着は熱硬化性樹脂などによって行う
ことができる。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂やイミド樹脂などが挙げられる。また、フェースダウ
ンＬＥＤチップなどによりマウント・リードと接着させ
ると共に電気的に接続させるためにはＡｇペースト、カ
ーボンペースト、金属バンプ等を用いることができる。
さらに、発光ダイオードの光利用効率を向上させるため
にＬＥＤチップが配置されるマウント・リードの表面を
鏡面状とし、表面に反射機能を持たせても良い。この場
合の表面粗さは、０．１Ｓ以上０．８Ｓ以下が好まし
い。また、マウント・リードの具体的な電気抵抗として
は３００μΩ−ｃｍ以下が好ましく、より好ましくは、
３μΩ−ｃｍ以下である。また、マウント・リード上に
複数のＬＥＤチップを積置する場合は、ＬＥＤチップか
らの発熱量が多くなるため熱伝導度がよいことが求めら
れる。具体的には、０．０１ｃａｌ／（ｓ）（ｃｍ２）
（℃／ｃｍ）以上が好ましくより好ましくは ０．５ｃ
ａｌ／（ｓ）（ｃｍ２）（℃／ｃｍ）以上である。これ
らの条件を満たす材料としては、鉄、銅、鉄入り銅、錫
入り銅、メタライズパターン付きセラミック等が挙げら
れる。
０５のカップとの接着は熱硬化性樹脂などによって行う
ことができる。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂やイミド樹脂などが挙げられる。また、フェースダウ
ンＬＥＤチップなどによりマウント・リードと接着させ
ると共に電気的に接続させるためにはＡｇペースト、カ
ーボンペースト、金属バンプ等を用いることができる。
さらに、発光ダイオードの光利用効率を向上させるため
にＬＥＤチップが配置されるマウント・リードの表面を
鏡面状とし、表面に反射機能を持たせても良い。この場
合の表面粗さは、０．１Ｓ以上０．８Ｓ以下が好まし
い。また、マウント・リードの具体的な電気抵抗として
は３００μΩ−ｃｍ以下が好ましく、より好ましくは、
３μΩ−ｃｍ以下である。また、マウント・リード上に
複数のＬＥＤチップを積置する場合は、ＬＥＤチップか
らの発熱量が多くなるため熱伝導度がよいことが求めら
れる。具体的には、０．０１ｃａｌ／（ｓ）（ｃｍ２）
（℃／ｃｍ）以上が好ましくより好ましくは ０．５ｃ
ａｌ／（ｓ）（ｃｍ２）（℃／ｃｍ）以上である。これ
らの条件を満たす材料としては、鉄、銅、鉄入り銅、錫
入り銅、メタライズパターン付きセラミック等が挙げら
れる。
【００４４】 （インナー・リード１０６） インナー・リード１０６としては、マウント・リード１
０５上に配置されたＬＥＤチップ１０２と接続された導
電性ワイヤー１０３との接続を図るものである。マウン
ト・リード上に複数のＬＥＤチップを設けた場合は、各
導電性ワイヤー同士が接触しないよう配置できる構成と
する必要がある。具体的には、マウント・リードから離
れるに従って、インナー・リードのワイヤーボンディン
グさせる端面の面積を大きくすることなどによってマウ
ント・リードからより離れたインナー・リードと接続さ
せる導電性ワイヤーの接触を防ぐことができる。導電性
ワイヤーとの接続端面の粗さは、密着性を考慮して１．
６Ｓ以上１０Ｓ以下が好ましい。インナー・リードの先
端部を種々の形状に形成させるためには、あらかじめリ
ードフレームの形状を型枠で決めて打ち抜き形成させて
もよく、あるいは全てのインナー・リードを形成させた
後にインナー・リード上部の一部を削ることによって形
成させても良い。さらには、インナー・リードを打ち抜
き形成後、端面方向から加圧することにより所望の端面
の面積と端面高さを同時に形成させることもできる。
０５上に配置されたＬＥＤチップ１０２と接続された導
電性ワイヤー１０３との接続を図るものである。マウン
ト・リード上に複数のＬＥＤチップを設けた場合は、各
導電性ワイヤー同士が接触しないよう配置できる構成と
する必要がある。具体的には、マウント・リードから離
れるに従って、インナー・リードのワイヤーボンディン
グさせる端面の面積を大きくすることなどによってマウ
ント・リードからより離れたインナー・リードと接続さ
せる導電性ワイヤーの接触を防ぐことができる。導電性
ワイヤーとの接続端面の粗さは、密着性を考慮して１．
６Ｓ以上１０Ｓ以下が好ましい。インナー・リードの先
端部を種々の形状に形成させるためには、あらかじめリ
ードフレームの形状を型枠で決めて打ち抜き形成させて
もよく、あるいは全てのインナー・リードを形成させた
後にインナー・リード上部の一部を削ることによって形
成させても良い。さらには、インナー・リードを打ち抜
き形成後、端面方向から加圧することにより所望の端面
の面積と端面高さを同時に形成させることもできる。
【００４５】インナー・リードは、導電性ワイヤーであ
るボンディングワイヤー等との接続性及び電気伝導性が
良いことが求められる。具体的な電気抵抗としては、３
００μΩ−ｃｍ以下が好ましく、より好ましくは３μΩ
−ｃｍ以下である。これらの条件を満たす材料として
は、鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅及び銅、金、銀をメッ
キしたアルミニウム、鉄、銅等が挙げられる。
るボンディングワイヤー等との接続性及び電気伝導性が
良いことが求められる。具体的な電気抵抗としては、３
００μΩ−ｃｍ以下が好ましく、より好ましくは３μΩ
−ｃｍ以下である。これらの条件を満たす材料として
は、鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅及び銅、金、銀をメッ
キしたアルミニウム、鉄、銅等が挙げられる。
【００４６】 （コーティング部１０１） 本願発明に用いられるコーティング部１０１とは、モー
ルド部材１０４とは別にマウント・リードのカップに設
けられるものでありＬＥＤチップの発光を変換するフォ
トルミネセンス蛍光体が含有されるものである。コーテ
ィング部の具体的材料としては、エポキシ樹脂、ユリア
樹脂、シリコーンなどの耐候性に優れた透明樹脂や硝子
などが好適に用いられる。また、フォトルミネセンス蛍
光体と共に拡散剤を含有させても良い。具体的な拡散剤
としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミ
ニウム、酸化珪素等が好適に用いられる。
ルド部材１０４とは別にマウント・リードのカップに設
けられるものでありＬＥＤチップの発光を変換するフォ
トルミネセンス蛍光体が含有されるものである。コーテ
ィング部の具体的材料としては、エポキシ樹脂、ユリア
樹脂、シリコーンなどの耐候性に優れた透明樹脂や硝子
などが好適に用いられる。また、フォトルミネセンス蛍
光体と共に拡散剤を含有させても良い。具体的な拡散剤
としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミ
ニウム、酸化珪素等が好適に用いられる。
【００４７】 （モールド部材１０４） モールド部材１０４は、発光ダイオードの使用用途に応
じてＬＥＤチップ１０２、導電性ワイヤー１０３、フォ
トルミネセンス蛍光体が含有されたコーティング部１０
１などを外部から保護するために設けることができる。
モールド部材は、一般には樹脂を用いて形成させること
ができる。また、フォトルミネセンス蛍光体を含有させ
ることによって視野角を増やすことができるが、樹脂モ
ールドに拡散剤を含有させることによってＬＥＤチップ
１０２からの指向性を緩和させ視野角をさらに増やすこ
とができる。更にまた、モールド部材１０４を所望の形
状にすることによってＬＥＤチップからの発光を集束さ
せたり拡散させたりするレンズ効果を持たせることがで
きる。従って、モールド部材１０４は複数積層した構造
でもよい。具体的には、凸レンズ形状、凹レンズ形状さ
らには、発光観測面から見て楕円形状やそれらを複数組
み合わせた物である。モールド部材１０４の具体的材料
としては、主としてエポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコ
ーン樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂や硝子などが好
適に用いられる。また、拡散剤としては、チタン酸バリ
ウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好
適に用いられる。さらに、拡散剤に加えてモールド部材
中にもフォトルミネセンス蛍光体を含有させることもで
きる。したがって、フォトルミネセンス蛍光体はモール
ド部材中に含有させてもそれ以外のコーティング部など
に含有させて用いてもよい。また、コーティング部をフ
ォトルミネセンス蛍光体が含有された樹脂、モールド部
材を硝子などとした異なる部材を用いて形成させても良
い。この場合、生産性良くより水分などの影響が少ない
発光ダイオードとすることができる。また、屈折率を考
慮してモールド部材とコーティング部とを同じ部材を用
いて形成させても良い。本願発明においてモールド部材
に拡散剤や着色剤を含有させることは、発光観測面側か
ら見た蛍光体の着色を隠すことができる。なお、蛍光体
の着色とは、本願発明のフォトルミネセンス蛍光体が強
い外光からの光のうち、青色成分を吸収し発光する。そ
のため黄色に着色しているように見えることである。特
に、凸レンズ形状などモールド部材の形状によっては、
着色部が拡大されて見えることがある。このような着色
は、意匠上など好ましくない場合がある。モールド部材
に含有された拡散剤は、モールド部材を乳白色に着色剤
は所望の色に着色することで着色を見えなくさせること
ができる。したがって、このような発光観測面側からフ
ォトルミネセンス蛍光体の色が観測されることはない。
また、ＬＥＤチップから放出される光の主発光波長が４
３０ｎｍ以上では、光安定化剤である紫外線吸収剤をモ
ールド部材中に含有させた方が耐候性上より好ましい。
じてＬＥＤチップ１０２、導電性ワイヤー１０３、フォ
トルミネセンス蛍光体が含有されたコーティング部１０
１などを外部から保護するために設けることができる。
モールド部材は、一般には樹脂を用いて形成させること
ができる。また、フォトルミネセンス蛍光体を含有させ
ることによって視野角を増やすことができるが、樹脂モ
ールドに拡散剤を含有させることによってＬＥＤチップ
１０２からの指向性を緩和させ視野角をさらに増やすこ
とができる。更にまた、モールド部材１０４を所望の形
状にすることによってＬＥＤチップからの発光を集束さ
せたり拡散させたりするレンズ効果を持たせることがで
きる。従って、モールド部材１０４は複数積層した構造
でもよい。具体的には、凸レンズ形状、凹レンズ形状さ
らには、発光観測面から見て楕円形状やそれらを複数組
み合わせた物である。モールド部材１０４の具体的材料
としては、主としてエポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコ
ーン樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂や硝子などが好
適に用いられる。また、拡散剤としては、チタン酸バリ
ウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好
適に用いられる。さらに、拡散剤に加えてモールド部材
中にもフォトルミネセンス蛍光体を含有させることもで
きる。したがって、フォトルミネセンス蛍光体はモール
ド部材中に含有させてもそれ以外のコーティング部など
に含有させて用いてもよい。また、コーティング部をフ
ォトルミネセンス蛍光体が含有された樹脂、モールド部
材を硝子などとした異なる部材を用いて形成させても良
い。この場合、生産性良くより水分などの影響が少ない
発光ダイオードとすることができる。また、屈折率を考
慮してモールド部材とコーティング部とを同じ部材を用
いて形成させても良い。本願発明においてモールド部材
に拡散剤や着色剤を含有させることは、発光観測面側か
ら見た蛍光体の着色を隠すことができる。なお、蛍光体
の着色とは、本願発明のフォトルミネセンス蛍光体が強
い外光からの光のうち、青色成分を吸収し発光する。そ
のため黄色に着色しているように見えることである。特
に、凸レンズ形状などモールド部材の形状によっては、
着色部が拡大されて見えることがある。このような着色
は、意匠上など好ましくない場合がある。モールド部材
に含有された拡散剤は、モールド部材を乳白色に着色剤
は所望の色に着色することで着色を見えなくさせること
ができる。したがって、このような発光観測面側からフ
ォトルミネセンス蛍光体の色が観測されることはない。
また、ＬＥＤチップから放出される光の主発光波長が４
３０ｎｍ以上では、光安定化剤である紫外線吸収剤をモ
ールド部材中に含有させた方が耐候性上より好ましい。
【００４８】 （表示装置） 本願発明の発光ダイオードをＬＥＤ表示器に利用した場
合、ＲＧＢをそれぞれ発光する発光ダイオードの組み合
わせだけによるＬＥＤ表示器よりも、より高精細に白色
系表示させることができる。従来の装置が、３個の発光
ダイオードで白色表示するのに対して、本発明の発光ダ
イオードを使用する装置は１個の発光ダイオードで白色
表示できるからである。すなわち、従来の表示装置は、
発光ダイオードを組み合わせて白色系などを混色表示さ
せるためには、ＲＧＢの各発光ダイオードをそれぞれ同
時に発光せざるを得ない。そのため赤色系、緑色系、青
色系のそれぞれ単色表示した場合に比べて、一画素あた
りの表示領域が大きくなる。したがって、白色系の表示
の場合においては、ＲＧＢ単色のモノクローム表示に比
較して、高精細に表示させることができない。また、白
色系の表示は各発光ダイオードの発光出力を調節して表
示させるため、各半導体の温度特性などを考慮し種々調
整しなければならない。さらに、混色による表示である
が故にＬＥＤ表示器の視認する方向や角度によって、Ｒ
ＧＢの発光ダイオードが部分的に遮光され表示色が変わ
る場合もある。本願発明の発光ダイオードをＲＧＢの発
光ダイオードに代えて使用する表示装置は、より高精細
化が可能となると共に、安定して白色系に発光でき、さ
らに、色むらを少なくできる特長がある。また、本発明
の発光ダイオードは、ＲＧＢの各発光ダイオードととも
に使用することもできる。この表示装置は、輝度を向上
させることができる。
合、ＲＧＢをそれぞれ発光する発光ダイオードの組み合
わせだけによるＬＥＤ表示器よりも、より高精細に白色
系表示させることができる。従来の装置が、３個の発光
ダイオードで白色表示するのに対して、本発明の発光ダ
イオードを使用する装置は１個の発光ダイオードで白色
表示できるからである。すなわち、従来の表示装置は、
発光ダイオードを組み合わせて白色系などを混色表示さ
せるためには、ＲＧＢの各発光ダイオードをそれぞれ同
時に発光せざるを得ない。そのため赤色系、緑色系、青
色系のそれぞれ単色表示した場合に比べて、一画素あた
りの表示領域が大きくなる。したがって、白色系の表示
の場合においては、ＲＧＢ単色のモノクローム表示に比
較して、高精細に表示させることができない。また、白
色系の表示は各発光ダイオードの発光出力を調節して表
示させるため、各半導体の温度特性などを考慮し種々調
整しなければならない。さらに、混色による表示である
が故にＬＥＤ表示器の視認する方向や角度によって、Ｒ
ＧＢの発光ダイオードが部分的に遮光され表示色が変わ
る場合もある。本願発明の発光ダイオードをＲＧＢの発
光ダイオードに代えて使用する表示装置は、より高精細
化が可能となると共に、安定して白色系に発光でき、さ
らに、色むらを少なくできる特長がある。また、本発明
の発光ダイオードは、ＲＧＢの各発光ダイオードととも
に使用することもできる。この表示装置は、輝度を向上
させることができる。
【００４９】また、本願発明の発光ダイオードを用いた
ＬＥＤ表示器を図５に示す。この図のＬＥＤ表示器は、
本願発明の白色系発光ダイオードのみを用いて、白黒用
のＬＥＤ表示装置に使用される。白黒用のＬＥＤ表示器
は、本願発明の発光ダイオード５０１のみをマトリック
ス状などに配置している。この図のＬＥＤ表示器を備え
る表示装置は、ＲＧＢの発光ダイオードを備えない。こ
のため、ＲＧＢ発光ダイオード用の複数の駆動回路を必
要としない。複数の駆動回路に代わって、白色系発光ダ
イオード用の駆動回路で、ＬＥＤ表示器を駆動できる。
ＬＥＤ表示器を図５に示す。この図のＬＥＤ表示器は、
本願発明の白色系発光ダイオードのみを用いて、白黒用
のＬＥＤ表示装置に使用される。白黒用のＬＥＤ表示器
は、本願発明の発光ダイオード５０１のみをマトリック
ス状などに配置している。この図のＬＥＤ表示器を備え
る表示装置は、ＲＧＢの発光ダイオードを備えない。こ
のため、ＲＧＢ発光ダイオード用の複数の駆動回路を必
要としない。複数の駆動回路に代わって、白色系発光ダ
イオード用の駆動回路で、ＬＥＤ表示器を駆動できる。
【００５０】ＬＥＤ表示器は、駆動回路である点灯回路
などと電気的に接続させる。駆動回路からの出力パルス
によって種々の画像が表示可能なデイスプレイ等とする
ことができる。駆動回路を図６に示す。駆動回路は、入
力される表示データを一時的に記憶させる画像データー
記憶手段であるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ、Ａｃｃｅｓｓ、
Ｍｅｍｏｒｙ）６０３と、ＲＡＭ６０３に記憶されるデ
ータから、ＬＥＤ表示器６０１のそれぞれの発光ダイオ
ードを所定の明るさに点灯させるための階調信号を演算
する階調制御回路６０４と、階調制御回路６０４の出力
信号でスイッチングされて、発光ダイオードを点灯させ
るドライバー６０２とを備える。階調制御回路６０４
は、ＲＡＭ６０３に記憶されるデータからＬＥＤ表示器
６０１の発光ダイオード点灯時間を演算して点滅させる
パルス信号を出力する。
などと電気的に接続させる。駆動回路からの出力パルス
によって種々の画像が表示可能なデイスプレイ等とする
ことができる。駆動回路を図６に示す。駆動回路は、入
力される表示データを一時的に記憶させる画像データー
記憶手段であるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ、Ａｃｃｅｓｓ、
Ｍｅｍｏｒｙ）６０３と、ＲＡＭ６０３に記憶されるデ
ータから、ＬＥＤ表示器６０１のそれぞれの発光ダイオ
ードを所定の明るさに点灯させるための階調信号を演算
する階調制御回路６０４と、階調制御回路６０４の出力
信号でスイッチングされて、発光ダイオードを点灯させ
るドライバー６０２とを備える。階調制御回路６０４
は、ＲＡＭ６０３に記憶されるデータからＬＥＤ表示器
６０１の発光ダイオード点灯時間を演算して点滅させる
パルス信号を出力する。
【００５１】したがって、白黒用のＬＥＤ表示器は、Ｒ
ＧＢのフルカラー表示器と異なり、回路構成を簡略化で
きると共に高精細化できる。そのため、安価にＲＧＢの
発光ダイオードの特性に伴う色むらなどのないディスプ
レイとすることができるものである。また、従来の赤
色、緑色のみを用いたＬＥＤ表示器に比べ人間の目に対
する刺激が少なく長時間の使用に適している。
ＧＢのフルカラー表示器と異なり、回路構成を簡略化で
きると共に高精細化できる。そのため、安価にＲＧＢの
発光ダイオードの特性に伴う色むらなどのないディスプ
レイとすることができるものである。また、従来の赤
色、緑色のみを用いたＬＥＤ表示器に比べ人間の目に対
する刺激が少なく長時間の使用に適している。
【００５２】本願発明の発光ダイオードは、白色発光ダ
イオード（Ｗ）として図９の如く、ＲＧＢにそれぞれ発
光する発光ダイオードに加えて使用することもできる。
図中９００は、ＬＥＤ表示器の一部を表し９００が一絵
素を構成する。このＬＥＤ表示器は、駆動回路である点
灯回路などと電気的に接続させる。駆動回路からの出力
パルスによって種々の画像が表示可能なデイスプレイ等
とすることができる。駆動回路は、モノクロームの表示
装置と同じように、入力される表示データを一時的に記
憶させる、画像データー記憶手段であるＲＡＭ（Ｒａｎ
ｄｏｍ、Ａｃｃｅｓｓ、Ｍｅｍｏｒｙ）と、ＲＡＭに記
憶されるデータから各発光ダイオードを所定の明るさに
点灯させるための階調信号を演算する階調制御回路と、
階調制御回路の出力信号でスイッチングされて、各発光
ダイオードを点灯させるドライバーとを備える。ただ
し、この駆動回路は、ＲＧＢと白色系に発光する発光ダ
イオードに専用の回路を必要とする。階調制御回路は、
ＲＡＭに記憶されるデータから、それぞれの発光ダイオ
ードの点灯時間を演算して、点滅させるパルス信号を出
力する。ここで、白色系の表示を行う場合は、ＲＧＢ各
発光ダイオードを点灯するパルス信号のパルス幅を短
く、あるいは、パルス信号のピーク値を低く、あるいは
全くパルス信号を出力しない。他方、それを補償するよ
うに白色系発光ダイオードにパルス信号を出力する。こ
れにより、ＬＥＤ表示器の白色を表示する。
イオード（Ｗ）として図９の如く、ＲＧＢにそれぞれ発
光する発光ダイオードに加えて使用することもできる。
図中９００は、ＬＥＤ表示器の一部を表し９００が一絵
素を構成する。このＬＥＤ表示器は、駆動回路である点
灯回路などと電気的に接続させる。駆動回路からの出力
パルスによって種々の画像が表示可能なデイスプレイ等
とすることができる。駆動回路は、モノクロームの表示
装置と同じように、入力される表示データを一時的に記
憶させる、画像データー記憶手段であるＲＡＭ（Ｒａｎ
ｄｏｍ、Ａｃｃｅｓｓ、Ｍｅｍｏｒｙ）と、ＲＡＭに記
憶されるデータから各発光ダイオードを所定の明るさに
点灯させるための階調信号を演算する階調制御回路と、
階調制御回路の出力信号でスイッチングされて、各発光
ダイオードを点灯させるドライバーとを備える。ただ
し、この駆動回路は、ＲＧＢと白色系に発光する発光ダ
イオードに専用の回路を必要とする。階調制御回路は、
ＲＡＭに記憶されるデータから、それぞれの発光ダイオ
ードの点灯時間を演算して、点滅させるパルス信号を出
力する。ここで、白色系の表示を行う場合は、ＲＧＢ各
発光ダイオードを点灯するパルス信号のパルス幅を短
く、あるいは、パルス信号のピーク値を低く、あるいは
全くパルス信号を出力しない。他方、それを補償するよ
うに白色系発光ダイオードにパルス信号を出力する。こ
れにより、ＬＥＤ表示器の白色を表示する。
【００５３】したがって、白色系発光ダイオードを所望
の輝度で点灯させるためのパルス信号を演算する階調制
御回路としてＣＰＵを別途備えることが好ましい。階調
制御回路から出力されるパルス信号は、白色系発光ダイ
オードのドライバーに入力されてドライバーをスイッチ
ングさせる。ドライバーがオンになると白色系発光ダイ
オードが点灯され、オフになると消灯される。
の輝度で点灯させるためのパルス信号を演算する階調制
御回路としてＣＰＵを別途備えることが好ましい。階調
制御回路から出力されるパルス信号は、白色系発光ダイ
オードのドライバーに入力されてドライバーをスイッチ
ングさせる。ドライバーがオンになると白色系発光ダイ
オードが点灯され、オフになると消灯される。
【００５４】 （信号機） 本願発明の発光ダイオードを表示装置の１種である信号
機として利用した場合、長時間安定して発光させること
が可能であると共に発光ダイオードの一部が消灯しても
色むらなどが生じないという特長がある。本願発明の発
光ダイオードを用いた信号機の概略構成として、導電性
パターンが形成された基板上に白色系発光ダイオードを
配置させる。このような発光ダイオードを直列又は直並
列に接続された発光ダイオードの回路を発光ダイオード
群として扱う。発光ダイオード群を２つ以上用いそれぞ
れ渦巻き状に発光ダイオードを配置させる。全ての発光
ダイオードが配置されると円状に全面に配置される。各
発光ダイオード及び基板から外部電力と接続させる電源
コードをそれぞれ、ハンダにより接続させた後、鉄道用
信号用の筐体内に固定させる。ＬＥＤ表示器は、遮光部
材が付いたアルミダイキャストの筐体内に配置され表面
にシリコーンゴムの充填材で封止されている。筐体の表
示面は、白色レンズを設けてある。また、ＬＥＤ表示器
の電気的配線は、筐体の裏面からゴムパッキンを通し筐
体内を密閉する。これにより白色系信号機を形成するこ
とができる。本願発明の発光ダイオードを、複数の群に
分け中心部から外側に向け輪を描く渦巻き状などに配置
し、並列接続させることでより信頼性が高い信号機とさ
せることができる。中心部から外側に向け輪を描くとは
連続的に輪を描くものも断続的に配置するものをも含
む。したがって、ＬＥＤ表示器の表示面積などにより配
置される発光ダイオードの数や発光ダイオード群の数を
種々選択することができる。この信号機により、一方の
発光ダイオード群や一部の発光ダイオードが何らかのト
ラブルにより消灯したとしても他方の発光ダイオード群
や残った発光ダイオードにより信号機を円形状に均一に
発光させることが可能となるものである。また、色ずれ
が生ずることもない。渦巻き状に配置してあることから
中心部を密に配置することができ電球発光の信号と何ら
違和感なく駆動させることができる。
機として利用した場合、長時間安定して発光させること
が可能であると共に発光ダイオードの一部が消灯しても
色むらなどが生じないという特長がある。本願発明の発
光ダイオードを用いた信号機の概略構成として、導電性
パターンが形成された基板上に白色系発光ダイオードを
配置させる。このような発光ダイオードを直列又は直並
列に接続された発光ダイオードの回路を発光ダイオード
群として扱う。発光ダイオード群を２つ以上用いそれぞ
れ渦巻き状に発光ダイオードを配置させる。全ての発光
ダイオードが配置されると円状に全面に配置される。各
発光ダイオード及び基板から外部電力と接続させる電源
コードをそれぞれ、ハンダにより接続させた後、鉄道用
信号用の筐体内に固定させる。ＬＥＤ表示器は、遮光部
材が付いたアルミダイキャストの筐体内に配置され表面
にシリコーンゴムの充填材で封止されている。筐体の表
示面は、白色レンズを設けてある。また、ＬＥＤ表示器
の電気的配線は、筐体の裏面からゴムパッキンを通し筐
体内を密閉する。これにより白色系信号機を形成するこ
とができる。本願発明の発光ダイオードを、複数の群に
分け中心部から外側に向け輪を描く渦巻き状などに配置
し、並列接続させることでより信頼性が高い信号機とさ
せることができる。中心部から外側に向け輪を描くとは
連続的に輪を描くものも断続的に配置するものをも含
む。したがって、ＬＥＤ表示器の表示面積などにより配
置される発光ダイオードの数や発光ダイオード群の数を
種々選択することができる。この信号機により、一方の
発光ダイオード群や一部の発光ダイオードが何らかのト
ラブルにより消灯したとしても他方の発光ダイオード群
や残った発光ダイオードにより信号機を円形状に均一に
発光させることが可能となるものである。また、色ずれ
が生ずることもない。渦巻き状に配置してあることから
中心部を密に配置することができ電球発光の信号と何ら
違和感なく駆動させることができる。
【００５５】 （面状発光光源） 本願発明の発光ダイオードは、図７に示すように、面状
発光光源とすることもできる。図に示す面状発光光源の
発光ダイオードは、フォトルミネセンス蛍光体をコーテ
ィング部や導光板上の散乱シート７０６に含有させる。
あるいはバインダー樹脂と共に散乱シート７０６に塗布
などさせシート状７０１に形成しモールド部材を省略し
ても良い。具体的には、絶縁層及び導電性パターンが形
成されたコの字形状の金属基板７０３内にＬＥＤチップ
７０２を固定する。ＬＥＤチップと導電性パターンとの
電気的導通を取った後、フォトルミネセンス蛍光体をエ
ポキシ樹脂と混合攪拌しＬＥＤチップ７０２が積載され
た金属基板７０３上に充填させる。こうして固定された
ＬＥＤチップは、アクリル性導光板７０４の端面にエポ
キシ樹脂などで固定される。導光板７０４の一方の主面
上には、蛍現象防止のため白色散乱剤が含有されたフィ
ルム状の反射部材７０７を配置させてある。同様に、導
光板の裏面側全面やＬＥＤチップが配置されていない端
面上にも反射部材７０５を設け発光効率を向上させてあ
る。これにより、ＬＣＤのバックライトとして十分な明
るさを得られる面状発光光源の発光ダイオードとするこ
とができる。液晶表示装置として利用する場合は、導光
板７０４の主面上に不示図の透光性導電性パターンが形
成された硝子基板間に注入された液晶装置を介して配さ
れた偏光板により構成させることができる。以下、本願
発明の実施例について説明するが、本願発明は具体的実
施例のみに限定されるものではないことは言うまでもな
い。
発光光源とすることもできる。図に示す面状発光光源の
発光ダイオードは、フォトルミネセンス蛍光体をコーテ
ィング部や導光板上の散乱シート７０６に含有させる。
あるいはバインダー樹脂と共に散乱シート７０６に塗布
などさせシート状７０１に形成しモールド部材を省略し
ても良い。具体的には、絶縁層及び導電性パターンが形
成されたコの字形状の金属基板７０３内にＬＥＤチップ
７０２を固定する。ＬＥＤチップと導電性パターンとの
電気的導通を取った後、フォトルミネセンス蛍光体をエ
ポキシ樹脂と混合攪拌しＬＥＤチップ７０２が積載され
た金属基板７０３上に充填させる。こうして固定された
ＬＥＤチップは、アクリル性導光板７０４の端面にエポ
キシ樹脂などで固定される。導光板７０４の一方の主面
上には、蛍現象防止のため白色散乱剤が含有されたフィ
ルム状の反射部材７０７を配置させてある。同様に、導
光板の裏面側全面やＬＥＤチップが配置されていない端
面上にも反射部材７０５を設け発光効率を向上させてあ
る。これにより、ＬＣＤのバックライトとして十分な明
るさを得られる面状発光光源の発光ダイオードとするこ
とができる。液晶表示装置として利用する場合は、導光
板７０４の主面上に不示図の透光性導電性パターンが形
成された硝子基板間に注入された液晶装置を介して配さ
れた偏光板により構成させることができる。以下、本願
発明の実施例について説明するが、本願発明は具体的実
施例のみに限定されるものではないことは言うまでもな
い。
【００５６】
（実施例１） 発光素子として発光ピークが４５０ｎｍ、半値幅３０ｎ
ｍのＩｎＧａＮ半導体を発光層に用いた。ＬＥＤチップ
は、洗浄させたサファイア基板上にＴＭＧ（トリメチル
ガリウム）ガス、ＴＭＩ（トリメチルインジュウム）ガ
ス、窒素ガス及びドーパントガスをキャリアガスと共に
流し、ＭＯＣＶＤ法で窒化物系化合物半導体を成膜させ
ることにより形成させた。成膜時に、ドーパントガスと
してＳｉＨ４とＣｐ２Ｍｇと、を切り換えることによっ
てＮ型導電性やＰ型導電性を有する窒化ガリウム半導体
を形成させる。半導体発光素子としては、Ｎ型導電性を
有する窒化ガリウム半導体であるコンタクト層と、Ｐ型
導電性を有する窒化ガリウムアルミニウム半導体である
クラッド層、Ｐ型導電性を有する窒化ガリウム半導体で
あるコンタクト層を形成させた。Ｎ型導電性を有するコ
ンタクト層と、Ｐ型導電性を有するクラッド層との間に
厚さ約３ｎｍであり、単一量子井戸構造とされるノンド
ープＩｎＧａＮの活性層を形成した。（なお、サファイ
ア基板上には低温で窒化ガリウム半導体を形成させバッ
ファ層としてある。また、Ｐ型半導体は、成膜後４００
℃以上でアニールさせてある。）
ｍのＩｎＧａＮ半導体を発光層に用いた。ＬＥＤチップ
は、洗浄させたサファイア基板上にＴＭＧ（トリメチル
ガリウム）ガス、ＴＭＩ（トリメチルインジュウム）ガ
ス、窒素ガス及びドーパントガスをキャリアガスと共に
流し、ＭＯＣＶＤ法で窒化物系化合物半導体を成膜させ
ることにより形成させた。成膜時に、ドーパントガスと
してＳｉＨ４とＣｐ２Ｍｇと、を切り換えることによっ
てＮ型導電性やＰ型導電性を有する窒化ガリウム半導体
を形成させる。半導体発光素子としては、Ｎ型導電性を
有する窒化ガリウム半導体であるコンタクト層と、Ｐ型
導電性を有する窒化ガリウムアルミニウム半導体である
クラッド層、Ｐ型導電性を有する窒化ガリウム半導体で
あるコンタクト層を形成させた。Ｎ型導電性を有するコ
ンタクト層と、Ｐ型導電性を有するクラッド層との間に
厚さ約３ｎｍであり、単一量子井戸構造とされるノンド
ープＩｎＧａＮの活性層を形成した。（なお、サファイ
ア基板上には低温で窒化ガリウム半導体を形成させバッ
ファ層としてある。また、Ｐ型半導体は、成膜後４００
℃以上でアニールさせてある。）
【００５７】エッチングによりＰＮ各半導体表面を露出
させた後、スパッタリングにより各電極をそれぞれ形成
させた。こうして出来上がった半導体ウエハーをスクラ
イブラインを引いた後、外力により分割させ発光素子と
してＬＥＤチップを形成させた。
させた後、スパッタリングにより各電極をそれぞれ形成
させた。こうして出来上がった半導体ウエハーをスクラ
イブラインを引いた後、外力により分割させ発光素子と
してＬＥＤチップを形成させた。
【００５８】銀メッキした銅製リードフレームの先端に
カップを有するマウント・リードにＬＥＤチップをエポ
キシ樹脂でダイボンディングした。ＬＥＤチップの各電
極とマウント・リード及びインナー・リードと、をそれ
ぞれ直径が３０μｍの金線でワイヤーボンディングし電
気的導通を取った。
カップを有するマウント・リードにＬＥＤチップをエポ
キシ樹脂でダイボンディングした。ＬＥＤチップの各電
極とマウント・リード及びインナー・リードと、をそれ
ぞれ直径が３０μｍの金線でワイヤーボンディングし電
気的導通を取った。
【００５９】一方、フォトルミネセンス蛍光体は、Ｙ、
Ｇｄ、Ｃｅの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶
解液を蓚酸で共沈させた。これを焼成して得られる共沈
酸化物と、酸化アルミニウムを混合して混合原料を得
る。これにフラックスとしてフッ化アンモニウムを混合
して坩堝に詰め、空気中１４００°Ｃの温度で３時間焼
成して焼成品を得た。焼成品を水中でボールミルして、
洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通して形成させた。フォ
トルミネセンス蛍光体は、Ｙ（イットリウム）がＧｄ
（ガドリニウム）で約２割置換されたイットリウム・ア
ルミニウム酸化物として（Ｙ０．８Ｇｄ０．２）３Ａｌ
５Ｏ１２：Ｃｅが形成された。なお、Ｃｅの置換は、
０．０３であった。
Ｇｄ、Ｃｅの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶
解液を蓚酸で共沈させた。これを焼成して得られる共沈
酸化物と、酸化アルミニウムを混合して混合原料を得
る。これにフラックスとしてフッ化アンモニウムを混合
して坩堝に詰め、空気中１４００°Ｃの温度で３時間焼
成して焼成品を得た。焼成品を水中でボールミルして、
洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通して形成させた。フォ
トルミネセンス蛍光体は、Ｙ（イットリウム）がＧｄ
（ガドリニウム）で約２割置換されたイットリウム・ア
ルミニウム酸化物として（Ｙ０．８Ｇｄ０．２）３Ａｌ
５Ｏ１２：Ｃｅが形成された。なお、Ｃｅの置換は、
０．０３であった。
【００６０】形成された（Ｙ０．８Ｇｄ０．２）３Ａｌ
５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体８０重量部、エポキシ樹脂１００
重量部をよく混合してスラリーとさせた。このスラリー
をＬＥＤチップが配置されたマウント・リード上のカッ
プ内に注入させた。注入後、フォトルミネセンス蛍光体
が含有された樹脂を１３０℃１時間で硬化させた。こう
してＬＥＤチップ上に厚さ１２０μのフォトルミネセン
ス蛍光体が含有されたコーティング部が形成された。な
お、コーティング部には、ＬＥＤチップに向かってフォ
トルミネセンス蛍光体が徐々に多くしてある。照射強度
は、約３．５Ｗ／ｃｍ２であった。その後、さらにＬＥ
Ｄチップやフォトルミネセンス蛍光体を外部応力、水分
及び塵芥などから保護する目的でモールド部材として透
光性エポキシ樹脂を形成させた。モールド部材は、砲弾
型の型枠の中にフォトルミネセンス蛍光体のコーティン
グ部が形成されたリードフレームを挿入し透光性エポシ
キ樹脂を混入後、１５０℃５時間にて硬化させた。こう
して形成された発光ダイオードは、発光観測正面から視
認するとフォトルミネセンス蛍光体のボディーカラーに
より中央部が黄色っぽく着色していた。
５Ｏ１２：Ｃｅ蛍光体８０重量部、エポキシ樹脂１００
重量部をよく混合してスラリーとさせた。このスラリー
をＬＥＤチップが配置されたマウント・リード上のカッ
プ内に注入させた。注入後、フォトルミネセンス蛍光体
が含有された樹脂を１３０℃１時間で硬化させた。こう
してＬＥＤチップ上に厚さ１２０μのフォトルミネセン
ス蛍光体が含有されたコーティング部が形成された。な
お、コーティング部には、ＬＥＤチップに向かってフォ
トルミネセンス蛍光体が徐々に多くしてある。照射強度
は、約３．５Ｗ／ｃｍ２であった。その後、さらにＬＥ
Ｄチップやフォトルミネセンス蛍光体を外部応力、水分
及び塵芥などから保護する目的でモールド部材として透
光性エポキシ樹脂を形成させた。モールド部材は、砲弾
型の型枠の中にフォトルミネセンス蛍光体のコーティン
グ部が形成されたリードフレームを挿入し透光性エポシ
キ樹脂を混入後、１５０℃５時間にて硬化させた。こう
して形成された発光ダイオードは、発光観測正面から視
認するとフォトルミネセンス蛍光体のボディーカラーに
より中央部が黄色っぽく着色していた。
【００６１】こうして得られた白色系が発光可能な発光
ダイオードの色度点、色温度、演色性指数を測定した。
それぞれ、色度点（ｘ＝０．３０２、ｙ＝０．２８
０）、色温度８０８０Ｋ、Ｒａ（演色性指数）＝８７．
５と三波長型蛍光灯に近い性能を示した。また、発光効
率は９．５ｌｍ／ｗと白色電球並であった。さらに寿命
試験として温度２５℃６０ｍＡ通電、温度２５℃２０ｍ
Ａ通電、温度６０℃９０％ＲＨ下で２０ｍＡ通電の各試
験においても蛍光体に起因する変化は観測されず通常の
青色発光ダイオードと寿命特性に差がないことが確認で
きた。
ダイオードの色度点、色温度、演色性指数を測定した。
それぞれ、色度点（ｘ＝０．３０２、ｙ＝０．２８
０）、色温度８０８０Ｋ、Ｒａ（演色性指数）＝８７．
５と三波長型蛍光灯に近い性能を示した。また、発光効
率は９．５ｌｍ／ｗと白色電球並であった。さらに寿命
試験として温度２５℃６０ｍＡ通電、温度２５℃２０ｍ
Ａ通電、温度６０℃９０％ＲＨ下で２０ｍＡ通電の各試
験においても蛍光体に起因する変化は観測されず通常の
青色発光ダイオードと寿命特性に差がないことが確認で
きた。
【００６２】 （比較例１） フォトルミネセンス蛍光体を（Ｙ０．８Ｇｄ０．２）３
Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅから（ＺｎＣｄ）Ｓ：Ｃｕ、Ａｌと
した以外は、実施例１と同様にして発光ダイオードの形
成及び寿命試験を行った。形成された発光ダイオードは
通電直後、実施例１と同様白色系の発光が確認されたが
輝度が低かった。また、寿命試験においては、約１００
時間で出力がゼロになった。劣化原因を解析した結果、
蛍光体が黒化していた。
Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅから（ＺｎＣｄ）Ｓ：Ｃｕ、Ａｌと
した以外は、実施例１と同様にして発光ダイオードの形
成及び寿命試験を行った。形成された発光ダイオードは
通電直後、実施例１と同様白色系の発光が確認されたが
輝度が低かった。また、寿命試験においては、約１００
時間で出力がゼロになった。劣化原因を解析した結果、
蛍光体が黒化していた。
【００６３】これは、発光素子の発光光と蛍光体に付着
していた水分あるいは外部環境から進入した水分により
光分解し蛍光体結晶表面にコロイド状亜鉛金属を析出し
外観が黒色に変色したものと考えられる。温度２５℃２
０ｍＡ通電、温度６０℃９０％ＲＨ下で２０ｍＡ通電の
寿命試験結果を実施例１と共に図８に示す。輝度は初期
値を基準にしそれぞれの相対値を示す。また、実線が実
施例１であり破線が比較例１を示す。
していた水分あるいは外部環境から進入した水分により
光分解し蛍光体結晶表面にコロイド状亜鉛金属を析出し
外観が黒色に変色したものと考えられる。温度２５℃２
０ｍＡ通電、温度６０℃９０％ＲＨ下で２０ｍＡ通電の
寿命試験結果を実施例１と共に図８に示す。輝度は初期
値を基準にしそれぞれの相対値を示す。また、実線が実
施例１であり破線が比較例１を示す。
【００６４】 （実施例２） ＬＥＤチップの窒化物系化合物半導体を実施例１よりも
Ｉｎの含有量を増やし発光ピークを４６０ｎｍとした。
同様にフォトルミネセンス蛍光体として実施例１よりも
Ｇｄの含有量を増やし（Ｙ０．６Ｇｄ０．４）３Ａｌ５
Ｏ１２：Ｃｅとした以外は実施例１と同様にして発光ダ
イオードを１００個形成し寿命試験を行った。
Ｉｎの含有量を増やし発光ピークを４６０ｎｍとした。
同様にフォトルミネセンス蛍光体として実施例１よりも
Ｇｄの含有量を増やし（Ｙ０．６Ｇｄ０．４）３Ａｌ５
Ｏ１２：Ｃｅとした以外は実施例１と同様にして発光ダ
イオードを１００個形成し寿命試験を行った。
【００６５】こうして得られた白色系が発光可能な発光
ダイオードの色度点、色温度、演色性指数を測定した。
それぞれ、色度点（ｘ＝０．３７５、ｙ＝０．３７
０）、色温度４４００Ｋ、Ｒａ（演色性指数）＝８６．
０であった。さらに寿命試験においては、形成させた発
光ダイオード１００個平均で行った。寿命試験前の光度
を１００％とし１０００時間経過後における平均光度を
調べた。寿命試験後も９８．８％であり特性に差がない
ことが確認できた。この実施例のフォトルミネッセンス
蛍光体と、ＬＥＤチップ及び発光ダイオードの各発光ス
ペクトルを、図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）にそれぞれ
示している。
ダイオードの色度点、色温度、演色性指数を測定した。
それぞれ、色度点（ｘ＝０．３７５、ｙ＝０．３７
０）、色温度４４００Ｋ、Ｒａ（演色性指数）＝８６．
０であった。さらに寿命試験においては、形成させた発
光ダイオード１００個平均で行った。寿命試験前の光度
を１００％とし１０００時間経過後における平均光度を
調べた。寿命試験後も９８．８％であり特性に差がない
ことが確認できた。この実施例のフォトルミネッセンス
蛍光体と、ＬＥＤチップ及び発光ダイオードの各発光ス
ペクトルを、図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）にそれぞれ
示している。
【００６６】 （実施例３） フォトルミネセンス蛍光体をＹ、Ｇｄ、Ｃｅの希土類元
素に加えＳｍを含有させ（Ｙ０．３９Ｇｄ０．５７Ｃｅ
０．０３Ｓｍ０．０１）３Ａｌ５Ｏ１２蛍光体とした以
外は、実施例１と同様にして発光ダイオードを１００個
形成した。この発光ダイオードを１３０℃の高温下にお
いて点灯させても実施例１の発光ダイオードと比較して
平均温度特性が８％ほど良好であった。
素に加えＳｍを含有させ（Ｙ０．３９Ｇｄ０．５７Ｃｅ
０．０３Ｓｍ０．０１）３Ａｌ５Ｏ１２蛍光体とした以
外は、実施例１と同様にして発光ダイオードを１００個
形成した。この発光ダイオードを１３０℃の高温下にお
いて点灯させても実施例１の発光ダイオードと比較して
平均温度特性が８％ほど良好であった。
【００６７】 （実施例４） 本願発明の発光ダイオードを図５のごとくＬＥＤ表示器
の１つであるディスプレイに利用した。実施例１と同様
にして形成させた発光ダイオードを銅パターンを形成さ
せたセラミックス基板上に、１６×１６のマトリックス
状に配置させた。基板と発光ダイオードとは自動ハンダ
実装装置を用いてハンダ付けを行った。次にフェノール
樹脂によって形成された筐体５０４内部に配置し固定さ
せた。遮光部材５０５は、筐体と一体成形させてある。
発光ダイオードの先端部を除いて筐体、発光ダイオー
ド、基板及び遮光部材の一部をピグメントにより黒色に
着色したシリコンゴム４０６によって充填させた。その
後、常温、７２時間でシリコンゴムを硬化させＬＥＤ表
示器を形成させた。このＬＥＤ表示器と、入力される表
示データを一時的に記憶させるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ、
Ａｃｃｅｓｓ、Ｍｅｍｏｒｙ）及びＲＡＭに記憶される
データから発光ダイオードを所定の明るさに点灯させる
ための階調信号を演算する階調制御回路と階調制御回路
の出力信号でスイッチングされて発光ダイオードを点灯
させるドライバーとを備えたＣＰＵの駆動手段と、を電
気的に接続させてＬＥＤ表示装置を構成した。ＬＥＤ表
示器を駆動させ白黒ＬＥＤ表示装置として駆動できるこ
とを確認した。
の１つであるディスプレイに利用した。実施例１と同様
にして形成させた発光ダイオードを銅パターンを形成さ
せたセラミックス基板上に、１６×１６のマトリックス
状に配置させた。基板と発光ダイオードとは自動ハンダ
実装装置を用いてハンダ付けを行った。次にフェノール
樹脂によって形成された筐体５０４内部に配置し固定さ
せた。遮光部材５０５は、筐体と一体成形させてある。
発光ダイオードの先端部を除いて筐体、発光ダイオー
ド、基板及び遮光部材の一部をピグメントにより黒色に
着色したシリコンゴム４０６によって充填させた。その
後、常温、７２時間でシリコンゴムを硬化させＬＥＤ表
示器を形成させた。このＬＥＤ表示器と、入力される表
示データを一時的に記憶させるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ、
Ａｃｃｅｓｓ、Ｍｅｍｏｒｙ）及びＲＡＭに記憶される
データから発光ダイオードを所定の明るさに点灯させる
ための階調信号を演算する階調制御回路と階調制御回路
の出力信号でスイッチングされて発光ダイオードを点灯
させるドライバーとを備えたＣＰＵの駆動手段と、を電
気的に接続させてＬＥＤ表示装置を構成した。ＬＥＤ表
示器を駆動させ白黒ＬＥＤ表示装置として駆動できるこ
とを確認した。
【００６８】 （実施例５） 実施例５の発光ダイオードは、フォトルミネセンス蛍光
体として一般式（Ｙ０．２Ｇｄ０．８）３Ａｌ
５Ｏ１２：Ｃｅで表される蛍光体を用いた以外は、実施
例１と同様にして発光ダイオードを１００個形成させ
た。こうして得られた発光ダイオードの色度点（平均
値）は（ｘ＝０．４５０、ｙ＝０．４２０）であり電球
色を発光することができた。また、実施例５の発光ダイ
オードは、実施例１の発光ダイオードと比較して輝度が
約４０％低くかった。しかし、寿命試験においては実施
例１と同様に優れた耐候性を示していた。この実施例の
フォトルミネッセンス蛍光体、ＬＥＤチップ及び発光ダ
イオードの各発光スペクトルを、図１１（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）にそれぞれ示している。
体として一般式（Ｙ０．２Ｇｄ０．８）３Ａｌ
５Ｏ１２：Ｃｅで表される蛍光体を用いた以外は、実施
例１と同様にして発光ダイオードを１００個形成させ
た。こうして得られた発光ダイオードの色度点（平均
値）は（ｘ＝０．４５０、ｙ＝０．４２０）であり電球
色を発光することができた。また、実施例５の発光ダイ
オードは、実施例１の発光ダイオードと比較して輝度が
約４０％低くかった。しかし、寿命試験においては実施
例１と同様に優れた耐候性を示していた。この実施例の
フォトルミネッセンス蛍光体、ＬＥＤチップ及び発光ダ
イオードの各発光スペクトルを、図１１（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）にそれぞれ示している。
【００６９】 （実施例６） 実施例６の発光ダイオードは、フォトルミネセンス蛍光
体として一般式Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅで表される蛍光
体を用いた以外は、実施例１と同様にして発光ダイオー
ドを１００個形成させた。実施例６の発光ダイオード
は、実施例１の発光ダイオードと比較してやや黄緑色が
かった白色であった。しかし、寿命試験においては実施
例１と同様に優れた耐候性を示していた。この実施例の
フォトルミネッセンス蛍光体、ＬＥＤチップ及び発光ダ
イオードの各発光スペクトルを、図１２（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）に示している。
体として一般式Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅで表される蛍光
体を用いた以外は、実施例１と同様にして発光ダイオー
ドを１００個形成させた。実施例６の発光ダイオード
は、実施例１の発光ダイオードと比較してやや黄緑色が
かった白色であった。しかし、寿命試験においては実施
例１と同様に優れた耐候性を示していた。この実施例の
フォトルミネッセンス蛍光体、ＬＥＤチップ及び発光ダ
イオードの各発光スペクトルを、図１２（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）に示している。
【００７０】 （実施例７） 実施例７の発光ダイオードは、フォトルミネセンス蛍光
体として一般式Ｙ３（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）
５Ｏ１２：Ｃｅで表される蛍光体を用いた以外は、実施
例１と同様にして発光ダイオードを１００個形成させ
た。実施例７の発光ダイオードは、緑色がかっており輝
度が低かった。しかし、寿命試験においては実施例１と
同様に優れた耐候性を示していた。この実施例のフォト
ルミネッセンス蛍光体、ＬＥＤチップ及び発光ダイオー
ドの各発光スペクトルを、順番に図１３（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）に示している。
体として一般式Ｙ３（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）
５Ｏ１２：Ｃｅで表される蛍光体を用いた以外は、実施
例１と同様にして発光ダイオードを１００個形成させ
た。実施例７の発光ダイオードは、緑色がかっており輝
度が低かった。しかし、寿命試験においては実施例１と
同様に優れた耐候性を示していた。この実施例のフォト
ルミネッセンス蛍光体、ＬＥＤチップ及び発光ダイオー
ドの各発光スペクトルを、順番に図１３（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）に示している。
【００７１】 （実施例８） 実施例８の発光ダイオードは、フォトルミネセンス蛍光
体として一般式Ｇｄ３（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）５Ｏ
１２：Ｃｅで表されるＹを含まない蛍光体を用いた以外
は、実施例１と同様にして発光ダイオードを１００個形
成させた。実施例８の発光ダイオードは、輝度が低い
が、寿命試験において実施例１と同様に優れた耐候性を
示していた。
体として一般式Ｇｄ３（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）５Ｏ
１２：Ｃｅで表されるＹを含まない蛍光体を用いた以外
は、実施例１と同様にして発光ダイオードを１００個形
成させた。実施例８の発光ダイオードは、輝度が低い
が、寿命試験において実施例１と同様に優れた耐候性を
示していた。
【００７２】 （実施例９） 実施例９の発光ダイオードは、フォトルミネッセンス蛍
光体として一般式Ｙ３Ｉｎ３Ｏ１２：Ｃｅで表されるＡ
ｌを含まない蛍光体を用いた以外は、実施例１と同様に
して発光ダイオードを１００個形成させた。実施例９の
発光ダイオードは、輝度が低いが寿命試験において実施
例１と同様に優れた耐候性を示していた。
光体として一般式Ｙ３Ｉｎ３Ｏ１２：Ｃｅで表されるＡ
ｌを含まない蛍光体を用いた以外は、実施例１と同様に
して発光ダイオードを１００個形成させた。実施例９の
発光ダイオードは、輝度が低いが寿命試験において実施
例１と同様に優れた耐候性を示していた。
【００７３】
【発明の効果】本願発明の発光ダイオードは、窒化ガリ
ウム系化合物半導体の発光素子と、特定の蛍光体を組み
合わせることにより長時間高輝度時の使用においても発
光効率が高い発光ダイオードを実現する。さらに、本願
発明の発光ダイオードは、信頼性や省電力化、小型化さ
らには色温度の可変性など車載や航空産業、一般電気機
器に表示の他に照明として新たな用途を開くことができ
る。特に、本願発明に用いられるフォトルミネセンス蛍
光体は、短残光であり１２０ｎsecという応答速度を有
する光源などとして利用することもできる。また、発光
色を白色にして、人間の目で長時間視認する場合には刺
激が少なく目に優しい発光ダイオードとすることができ
る。さらに、ＬＥＤチップは単色性ピーク波長を有する
といってもある程度のスペクトル幅を持つため演色性が
高い。広く光源として使用する場合には欠かせない長所
となる。即ち、発光ダイオードを用いてスペクトル幅の
広いスキャナー用の光源などとすることもできる。
ウム系化合物半導体の発光素子と、特定の蛍光体を組み
合わせることにより長時間高輝度時の使用においても発
光効率が高い発光ダイオードを実現する。さらに、本願
発明の発光ダイオードは、信頼性や省電力化、小型化さ
らには色温度の可変性など車載や航空産業、一般電気機
器に表示の他に照明として新たな用途を開くことができ
る。特に、本願発明に用いられるフォトルミネセンス蛍
光体は、短残光であり１２０ｎsecという応答速度を有
する光源などとして利用することもできる。また、発光
色を白色にして、人間の目で長時間視認する場合には刺
激が少なく目に優しい発光ダイオードとすることができ
る。さらに、ＬＥＤチップは単色性ピーク波長を有する
といってもある程度のスペクトル幅を持つため演色性が
高い。広く光源として使用する場合には欠かせない長所
となる。即ち、発光ダイオードを用いてスペクトル幅の
広いスキャナー用の光源などとすることもできる。
【００７４】特に、本願発明の発光ダイオードは、高輝
度、長時間の使用においても色ずれ、発光効率の低下が
極めて少ない白色系が発光可能な発光ダイオードとする
ことができる。また、樹脂劣化に伴う輝度の低下も抑制
させることができる。
度、長時間の使用においても色ずれ、発光効率の低下が
極めて少ない白色系が発光可能な発光ダイオードとする
ことができる。また、樹脂劣化に伴う輝度の低下も抑制
させることができる。
【００７５】本発明の発光ダイオードは、効率よく発光
することができる。すなわち、一般に、蛍光体は短波長
側から長波長側に変換させる方が効率がよい。また、発
光ダイオードにおいては紫外光が樹脂（モールド部材や
コーティング部材に樹脂を用いた場合）を劣化させるた
めに可視光の方が好ましい。本願発明は、可視光のうち
短波長側の青色光を利用し、フォトルミネセンス蛍光体
によってそれよりも長波長側の光に効率よく変換させる
ことができる。さらに、変換された光はＬＥＤチップか
ら放出される光よりも長波長側（すなわち、蛍光体から
の光エネルギーは、ＬＥＤチップのバンドギャプよりも
小さい）になっている。そのため、フォトルミネセンス
蛍光体などによって非発光観測面側であるマウント・リ
ード側などに反射散乱されてもＬＥＤチップに吸収され
にくい。そのためにフォトルミネセンス蛍光体により変
換された光が、ＬＥＤチップ側に向かったとしてもＬＥ
Ｄチップに吸収されずマウント・リードのカップなどで
反射され効率よく発光することが可能となる。
することができる。すなわち、一般に、蛍光体は短波長
側から長波長側に変換させる方が効率がよい。また、発
光ダイオードにおいては紫外光が樹脂（モールド部材や
コーティング部材に樹脂を用いた場合）を劣化させるた
めに可視光の方が好ましい。本願発明は、可視光のうち
短波長側の青色光を利用し、フォトルミネセンス蛍光体
によってそれよりも長波長側の光に効率よく変換させる
ことができる。さらに、変換された光はＬＥＤチップか
ら放出される光よりも長波長側（すなわち、蛍光体から
の光エネルギーは、ＬＥＤチップのバンドギャプよりも
小さい）になっている。そのため、フォトルミネセンス
蛍光体などによって非発光観測面側であるマウント・リ
ード側などに反射散乱されてもＬＥＤチップに吸収され
にくい。そのためにフォトルミネセンス蛍光体により変
換された光が、ＬＥＤチップ側に向かったとしてもＬＥ
Ｄチップに吸収されずマウント・リードのカップなどで
反射され効率よく発光することが可能となる。
【００７６】本願発明の発光ダイオードは、高輝度、長
時間の使用においても色ずれ、発光効率の低下が極めて
少ない発光ダイオードなど種々の発光ダイオードとする
ことができることに加えて、発光ダイオードを複数近接
して配置した場合においても他方の発光ダイオードから
の光により蛍光体が励起され疑似点灯されることを防止
させることができる。また、ＬＥＤチップ自体の発光む
らを蛍光体により分散することができるためより均一な
発光光を有する発光ダイオードとすることができる。通
常、ＬＥＤチップから放出される光は、ＬＥＤに電力を
供給する電極を介して光が放出される。放出された光
は、ＬＥＤチップに形成された電極の陰となる。電極に
より一定の不要な発光パターンをとる。そのため全方位
的に均等に光を放出することができない。本願発明は、
フォトルミネセンス蛍光体によってＬＥＤチップからの
光を散乱させるため発光ダイオードから均一な発光をさ
せることができ不要な発光パターンをとることはない。
時間の使用においても色ずれ、発光効率の低下が極めて
少ない発光ダイオードなど種々の発光ダイオードとする
ことができることに加えて、発光ダイオードを複数近接
して配置した場合においても他方の発光ダイオードから
の光により蛍光体が励起され疑似点灯されることを防止
させることができる。また、ＬＥＤチップ自体の発光む
らを蛍光体により分散することができるためより均一な
発光光を有する発光ダイオードとすることができる。通
常、ＬＥＤチップから放出される光は、ＬＥＤに電力を
供給する電極を介して光が放出される。放出された光
は、ＬＥＤチップに形成された電極の陰となる。電極に
より一定の不要な発光パターンをとる。そのため全方位
的に均等に光を放出することができない。本願発明は、
フォトルミネセンス蛍光体によってＬＥＤチップからの
光を散乱させるため発光ダイオードから均一な発光をさ
せることができ不要な発光パターンをとることはない。
【図１】図１は、本願発明の発光ダイオードの模式的断
面図である。
面図である。
【図２】図２は、本願発明の他の発光ダイオードの模式
的断面図である。
的断面図である。
【図３】図３は、本願発明の発光ダイオードの発光スペ
クトルの一例を示した図である。
クトルの一例を示した図である。
【図４】図４（Ａ）は、本願発明に使用されるフォトル
ミネセンス蛍光体の吸収スペクトルの一例を示し、図４
（Ｂ）は、本願発明に使用されるフォトルミネセンス蛍
光体の発光スペクトルの一例を示した図である。
ミネセンス蛍光体の吸収スペクトルの一例を示し、図４
（Ｂ）は、本願発明に使用されるフォトルミネセンス蛍
光体の発光スペクトルの一例を示した図である。
【図５】図５は、本願発明の発光ダイオードを用いたＬ
ＥＤ表示装置の模式図である。
ＥＤ表示装置の模式図である。
【図６】図６は、図５に用いられるＬＥＤ表示装置のブ
ロック図である。
ロック図である。
【図７】図７は、本願発明の発光ダイオードを用いた別
のＬＥＤ表示装置の模式図である。
のＬＥＤ表示装置の模式図である。
【図８】図８（Ａ）は、本願発明の実施例１と比較のた
めに示した比較例１の発光ダイオードとの温度２５℃２
０ｍＡ通電における寿命試験を示し、図８（Ｂ）は、本
願発明の実施例１と比較のために示した比較例１の発光
ダイオードとの温度６０℃９０％ＲＨ下で２０ｍＡ通電
における寿命試験を示したグラフである。
めに示した比較例１の発光ダイオードとの温度２５℃２
０ｍＡ通電における寿命試験を示し、図８（Ｂ）は、本
願発明の実施例１と比較のために示した比較例１の発光
ダイオードとの温度６０℃９０％ＲＨ下で２０ｍＡ通電
における寿命試験を示したグラフである。
【図９】図９は、本願発明の発光ダイオードに加えＲＧ
Ｂがそれぞれ発光可能な発光ダイオードを一絵素として
配置させた表示装置の部分正面図である。
Ｂがそれぞれ発光可能な発光ダイオードを一絵素として
配置させた表示装置の部分正面図である。
【図１０】 図１０（Ａ）は、（Ｙ０．６Ｇｄ０．４）３Ａｌ５Ｏ
１２：Ｃｅで表される実施例２のフォトルミネッセンス
蛍光体の発光スペクトルを示す。 図１０（Ｂ）は、主ピーク波長が４６０ｎｍを有する実
施例２のＬＥＤチップの発光スペクトルを示す。 図１０（Ｃ）は、実施例２の発光ダイオードの発光スペ
クトルを示す。
１２：Ｃｅで表される実施例２のフォトルミネッセンス
蛍光体の発光スペクトルを示す。 図１０（Ｂ）は、主ピーク波長が４６０ｎｍを有する実
施例２のＬＥＤチップの発光スペクトルを示す。 図１０（Ｃ）は、実施例２の発光ダイオードの発光スペ
クトルを示す。
【図１１】 図１１（Ａ）は、（Ｙ０．２Ｇｄ０．８）３Ａｌ５Ｏ
１２：Ｃｅで表される実施例５のフォトルミネッセンス
蛍光体の発光スペクトルを示す。 図１１（Ｂ）は、主ピーク波長が４５０ｎｍを有する実
施例５のＬＥＤチップの発光スペクトルを示す。 図１１（Ｃ）は、実施例５の発光ダイオードの発光スペ
クトルを示す。
１２：Ｃｅで表される実施例５のフォトルミネッセンス
蛍光体の発光スペクトルを示す。 図１１（Ｂ）は、主ピーク波長が４５０ｎｍを有する実
施例５のＬＥＤチップの発光スペクトルを示す。 図１１（Ｃ）は、実施例５の発光ダイオードの発光スペ
クトルを示す。
【図１２】 図１２（Ａ）は、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅで表される実
施例６のフォトルミネッセンス蛍光体の発光スペクトル
を示す。 図１２（Ｂ）は、主ピーク波長が４５０ｎｍを有する実
施例６のＬＥＤチップの発光スペクトルを示す。 図１２（Ｃ）は、実施例６の発光ダイオードの発光スペ
クトルを示す。
施例６のフォトルミネッセンス蛍光体の発光スペクトル
を示す。 図１２（Ｂ）は、主ピーク波長が４５０ｎｍを有する実
施例６のＬＥＤチップの発光スペクトルを示す。 図１２（Ｃ）は、実施例６の発光ダイオードの発光スペ
クトルを示す。
【図１３】 図１３（Ａ）は、Ｙ３（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）５Ｏ
１２：Ｃｅで表される実施例７のフォトルミネッセンス
蛍光体の発光スペクトルを示す。 図１３（Ｂ）は、主ピーク波長が４５０ｎｍを有する実
施例７のＬＥＤチップの発光スペクトルを示す。 図１３（Ｃ）は、実施例７の発光ダイオードの発光スペ
クトルを示す。
１２：Ｃｅで表される実施例７のフォトルミネッセンス
蛍光体の発光スペクトルを示す。 図１３（Ｂ）は、主ピーク波長が４５０ｎｍを有する実
施例７のＬＥＤチップの発光スペクトルを示す。 図１３（Ｃ）は、実施例７の発光ダイオードの発光スペ
クトルを示す。
１０１、７０１・・・フォトルミネセンスが含有された
コーティング部 １０２、２０２、７０２・・・ＬＥＤチップ １０３、２０３・・・導電性ワイヤー １０４・・・モールド部材 １０５・・・マウント・リード １０６・・・インナー・リード ２０１・・・フォトルミネセンスが含有されたモールド
部材 ２０４・・・筐体 ２０５・・・筐体に設けられた電極 ５０１・・・発光ダイオード ５０４・・・筐体 ５０５・・・遮光部材 ５０６・・・充填材 ６０１・・・ＬＥＤ表示器 ６０２・・・ドライバー ６０３・・・ＲＡＭ ６０４・・・階調制御手段 ７０３・・・金属製基板 ７０４・・・導光板 ７０５、７０７・・・反射部材 ７０６・・・散乱シート
コーティング部 １０２、２０２、７０２・・・ＬＥＤチップ １０３、２０３・・・導電性ワイヤー １０４・・・モールド部材 １０５・・・マウント・リード １０６・・・インナー・リード ２０１・・・フォトルミネセンスが含有されたモールド
部材 ２０４・・・筐体 ２０５・・・筐体に設けられた電極 ５０１・・・発光ダイオード ５０４・・・筐体 ５０５・・・遮光部材 ５０６・・・充填材 ６０１・・・ＬＥＤ表示器 ６０２・・・ドライバー ６０３・・・ＲＡＭ ６０４・・・階調制御手段 ７０３・・・金属製基板 ７０４・・・導光板 ７０５、７０７・・・反射部材 ７０６・・・散乱シート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 33/00
Claims (6)
- 【請求項１】 マウント・リードのカップ内に配置させ
た発光層が窒化ガリウム系化合物半導体であるＬＥＤチ
ップと、該ＬＥＤチップと導電性ワイヤーを用いて電気
的に接続させたインナー・リードと、前記ＬＥＤチップ
が発光した光によって励起され発光する蛍光体を含有す
る透明樹脂を前記カップ内に充填させたコーティング部
材と、該コーティング部材、ＬＥＤチップ、導電性ワイ
ヤー及びマウント・リードとインナーリードの先端を被
覆するモールド部材とを有する発光ダイオードであっ
て、前記ＬＥＤチップは、発光スペクトルが４００ｎｍ
から５３０ｎｍの単色性ピーク波長を発光し、前記蛍光
体は（ＲＥ １−ｘ Ｓｍ ｘ ） ３ （Ａｌ ｙ Ｇａ １−ｙ ） ５ Ｏ
１２ ：Ｃｅであり、且つＬＥＤチップからの光及び蛍光
体からの光はモールド部材を透過することによって白色
系が発光可能なことを特徴とする発光ダイオード。ただ
し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、ＲＥは、Ｙ、Ｇｄから選
択される少なくとも１種である。 - 【請求項２】 前記モールド部材が、レンズ効果を有す
る形状であると共に拡散材を含有する請求項１に記載の
発光ダイオード。 - 【請求項３】 前記透明樹脂が、エポキシ樹脂、ユリア
樹脂、シリコーンから選択される一種である請求項１に
記載の発光ダイオード。 - 【請求項４】 前記モールド部材は、前記コーティング
部材を構成する透明樹脂と同じ部材を用いている請求項
１に記載の発光ダイオード。 - 【請求項５】 前記コーティング部の表面側からＬＥＤ
チップ側に蛍光体を徐々に多くする請求項１に記載の発
光ダイオード。 - 【請求項６】 チップタイプＬＥＤの筐体内に配置させ
た発光層が窒化ガリウム系化合物半導体であるＬＥＤチ
ップと、該ＬＥＤチップが発光した光によって励起され
て発光する蛍光体を含有する透明樹脂を前記ＬＥＤチッ
プが配設された筐体内に充填させたモールド部材とを有
する発光ダイオードであって、前記ＬＥＤチップは、発
光スペクトルが４００ｎｍから５３０ｎｍの単色性ピー
ク波長を発光し、前記蛍光体は（ＲＥ １−ｘ Ｓｍ ｘ ） ３
（Ａｌ ｙ Ｇａ １−ｙ ） ５ Ｏ １２ ：Ｃｅであり、且つＬＥ
Ｄチップからの光及び蛍光体からの光は、前記モールド
部材を透過することによって白色系が発光可能なことを
特徴とする発光ダイオード。ただし、０≦ｘ＜１、０≦
ｙ≦１、ＲＥは、Ｙ、Ｇｄから選択される少なくとも１
種である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21814997A JP2927279B2 (ja) | 1996-07-29 | 1997-07-28 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19858596 | 1996-07-29 | ||
| JP8-198585 | 1996-07-29 | ||
| JP8-245381 | 1996-09-18 | ||
| JP24538196 | 1996-09-18 | ||
| JP8-359004 | 1996-12-27 | ||
| JP35900496 | 1996-12-27 | ||
| JP21814997A JP2927279B2 (ja) | 1996-07-29 | 1997-07-28 | 発光ダイオード |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10352136A Division JPH11243232A (ja) | 1998-11-25 | 1998-11-25 | Ｌｅｄ表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242513A JPH10242513A (ja) | 1998-09-11 |
| JP2927279B2 true JP2927279B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=27475917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21814997A Expired - Lifetime JP2927279B2 (ja) | 1996-07-29 | 1997-07-28 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2927279B2 (ja) |
Cited By (61)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002133925A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sanken Electric Co Ltd | 蛍光カバー及び半導体発光装置 |
| US6613247B1 (en) | 1996-09-20 | 2003-09-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component |
| US6812500B2 (en) | 1996-06-26 | 2004-11-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg. | Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element |
| WO2005052087A1 (ja) | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Independent Administrative Institution National Institute For Materials Science | 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具 |
| US6909123B2 (en) | 2003-04-24 | 2005-06-21 | Kyo-A Optics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device with reflectors having cooling function |
| WO2005090517A1 (ja) | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Fujikura Ltd. | 発光デバイス及び照明装置 |
| WO2006006582A1 (ja) | 2004-07-13 | 2006-01-19 | Fujikura Ltd. | 蛍光体及びその蛍光体を用いた電球色光を発する電球色光発光ダイオードランプ |
| US7005086B2 (en) | 2002-11-08 | 2006-02-28 | Seiwa Electric Mfg. Co., Ltd. | Fluorescent substance, light-emitting diode and method for producing fluorescent substance |
| US7023019B2 (en) | 2001-09-03 | 2006-04-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
| JP2006167305A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| WO2006093135A1 (ja) | 2005-02-28 | 2006-09-08 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | 蛍光体とその製造方法、及びそれを用いた発光素子 |
| US7166873B2 (en) | 2002-10-03 | 2007-01-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| US7176500B2 (en) | 2003-12-19 | 2007-02-13 | Nec Corporation | Red fluorescent material, white light emitting diode using red fluorescent material, and lighting system using white light emitting diode |
| US7253446B2 (en) | 2005-03-18 | 2007-08-07 | Fujikura Ltd. | Light emitting device and illumination apparatus |
| US7265486B2 (en) | 2003-07-31 | 2007-09-04 | Toshinobu Yoko | Light emitting diode including a cover covering a light emitting diode element |
| WO2007099862A1 (ja) | 2006-02-24 | 2007-09-07 | National Institute For Materials Science | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
| WO2008020541A1 (fr) | 2006-08-14 | 2008-02-21 | Fujikura Ltd. | Dispositif électroluminescent et dispositif d'éclairage |
| WO2008023746A1 (en) | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor device member, liquid for forming semiconductor device member, method for manufacturing semiconductor device member, and liquid for forming semiconductor device member using the method, phosphor composition, semiconductor light emitting device, illuminating apparatus and image display apparatus |
| US7365485B2 (en) | 2003-10-17 | 2008-04-29 | Citizen Electronics Co., Ltd. | White light emitting diode with first and second LED elements |
| JP2008515184A (ja) * | 2004-09-28 | 2008-05-08 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 改善された変換層を有する発光装置 |
| WO2008062781A1 (fr) | 2006-11-20 | 2008-05-29 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Substance fluorescente et son procédé de fabrication, et dispositif électroluminescent |
| WO2008084848A1 (ja) | 2007-01-12 | 2008-07-17 | National Institute For Materials Science | 蛍光体、その製造方法および発光器具 |
| WO2008146571A1 (ja) | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Showa Denko K.K. | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
| WO2009031495A1 (ja) | 2007-09-03 | 2009-03-12 | Showa Denko K.K. | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
| WO2009041237A1 (ja) | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Showa Denko K.K. | Ⅲ族窒化物半導体発光素子 |
| US7518160B2 (en) | 2005-10-31 | 2009-04-14 | Kyocera Corporation | Wavelength converter, lighting system, and lighting system assembly |
| US7608862B2 (en) | 2004-03-02 | 2009-10-27 | Fujikura Ltd. | Light emitting device and a lighting apparatus |
| US7618557B2 (en) | 2006-07-03 | 2009-11-17 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | White light emitting phosphor and light emitting module using the same |
| EP2119754A2 (en) | 2008-05-15 | 2009-11-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US7713443B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-05-11 | National Institute For Materials Science | Phosphor production method |
| WO2010061597A1 (ja) | 2008-11-28 | 2010-06-03 | 昭和電工株式会社 | 表示装置用照明装置及び表示装置 |
| US7810947B2 (en) | 2006-12-04 | 2010-10-12 | Stanley Electric Co., Ltd. | White LED light source device and LED backlight using the same |
| JP2010270197A (ja) * | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Citizen Electronics Co Ltd | コーティング用樹脂組成物および該組成物を用いて得られる硬化体 |
| US7855389B2 (en) | 2007-03-29 | 2010-12-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device |
| US7868340B2 (en) | 2008-05-30 | 2011-01-11 | Bridgelux, Inc. | Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices |
| US7910939B2 (en) | 2000-09-21 | 2011-03-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device and light-emitting display therewith |
| US7959321B2 (en) | 2005-03-31 | 2011-06-14 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Backlight panel employing white light emitting diode having red phosphor and green phosphor |
| US7985981B2 (en) | 2008-12-17 | 2011-07-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device |
| EP2360225A1 (en) | 2004-09-22 | 2011-08-24 | National Institute for Materials Science | Phosphor, production method thereof and light emitting instrument |
| US8080174B2 (en) | 2006-06-09 | 2011-12-20 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Fluorescent material, process for producing the same and illuminator employing the same |
| US8088302B2 (en) | 2005-05-24 | 2012-01-03 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Green phosphor of thiogallate, red phosphor of alkaline earth sulfide and white light emitting device thereof |
| WO2012026592A1 (ja) | 2010-08-27 | 2012-03-01 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、照明器具および画像表示装置 |
| US8206611B2 (en) | 2005-05-24 | 2012-06-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and use thereof |
| US8277687B2 (en) | 2005-08-10 | 2012-10-02 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and light-emitting device using same |
| US8323529B2 (en) | 2006-03-16 | 2012-12-04 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Fluorescent material and light emitting diode using the same |
| WO2013046856A1 (ja) | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版の製版方法 |
| WO2013069696A1 (ja) | 2011-11-07 | 2013-05-16 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体および製造方法、蛍光体を用いる発光装置および画像表示装置 |
| WO2013153591A1 (ja) | 2012-04-09 | 2013-10-17 | 日本コルモ株式会社 | Ｌｅｄデバイス |
| WO2013180216A1 (ja) | 2012-05-31 | 2013-12-05 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 |
| WO2014003076A1 (ja) | 2012-06-27 | 2014-01-03 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 |
| WO2014017613A1 (ja) | 2012-07-25 | 2014-01-30 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体およびその製造方法、蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 |
| US8674388B2 (en) | 2009-08-06 | 2014-03-18 | National Institute For Materials Science | Phosphor, method of manufacturing the same, and light-emitting device |
| WO2014175385A1 (ja) | 2013-04-25 | 2014-10-30 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 |
| WO2014185415A1 (ja) | 2013-05-14 | 2014-11-20 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 |
| WO2015080062A1 (ja) | 2013-11-29 | 2015-06-04 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 |
| US9287241B2 (en) | 2005-09-30 | 2016-03-15 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device and LCD backlight using the same |
| US9465143B2 (en) | 2011-09-20 | 2016-10-11 | Oki Data Corporation | Lens optical element and display apparatus |
| WO2020261691A1 (ja) | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法および発光装置 |
| DE112004001533B4 (de) | 2003-08-22 | 2021-07-22 | National Institute For Materials Science | Leuchtbauelement und Bildanzeige enthaltend ein fluoreszierendes Oxynitridmaterial |
| DE112005000044B4 (de) | 2004-03-12 | 2022-07-21 | National Institute For Materials Science | Leuchtstoff, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung |
| WO2022244523A1 (ja) | 2021-05-21 | 2022-11-24 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光素子および発光装置 |
Families Citing this family (133)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19638667C2 (de) * | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| US20030133292A1 (en) | 1999-11-18 | 2003-07-17 | Mueller George G. | Methods and apparatus for generating and modulating white light illumination conditions |
| JP3938470B2 (ja) * | 1997-12-24 | 2007-06-27 | 株式会社日立メディコ | 蛍光体及びそれを用いた放射線検出器及びｘ線ｃｔ装置 |
| JP3857417B2 (ja) * | 1998-05-13 | 2006-12-13 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| US6204523B1 (en) * | 1998-11-06 | 2001-03-20 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range |
| JP2000164936A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Nippon Denyo | 発光表示装置 |
| JP3400958B2 (ja) * | 1999-07-07 | 2003-04-28 | 株式会社シチズン電子 | 多色発光ダイオード |
| EP1107321A4 (en) | 1999-06-23 | 2006-08-30 | Citizen Electronics | LIGHT-EMITTING DIODE |
| JP3533345B2 (ja) * | 1999-07-13 | 2004-05-31 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP2001144331A (ja) | 1999-09-02 | 2001-05-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| JP2001128941A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-15 | Inami Co Ltd | 眼圧計 |
| WO2001036864A2 (en) † | 1999-11-18 | 2001-05-25 | Color Kinetics | Systems and methods for generating and modulating illumination conditions |
| US20020176259A1 (en) | 1999-11-18 | 2002-11-28 | Ducharme Alfred D. | Systems and methods for converting illumination |
| EP1113506A3 (en) | 1999-12-28 | 2005-03-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode |
| TW480879B (en) * | 2000-01-06 | 2002-03-21 | Dynascan Technology Corp | Method to compensate for the color no uniformity of color display |
| JP2001196642A (ja) | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| JP2001228252A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-08-24 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器 |
| JP3726252B2 (ja) | 2000-02-23 | 2005-12-14 | 独立行政法人理化学研究所 | 紫外発光素子およびＩｎＡｌＧａＮ発光層の製造方法 |
| TW497277B (en) | 2000-03-10 | 2002-08-01 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
| KR100456430B1 (ko) * | 2000-04-26 | 2004-11-10 | 광주과학기술원 | 백색발광소자용 야그계 황색 형광체의 제조방법 |
| JP4386693B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2009-12-16 | パナソニック株式会社 | Ｌｅｄランプおよびランプユニット |
| JP2002057376A (ja) * | 2000-05-31 | 2002-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｌｅｄランプ |
| US6577073B2 (en) | 2000-05-31 | 2003-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Led lamp |
| JP2002244591A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-08-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 表示装置 |
| JP3614776B2 (ja) | 2000-12-19 | 2005-01-26 | シャープ株式会社 | チップ部品型ｌｅｄとその製造方法 |
| JP5110744B2 (ja) | 2000-12-21 | 2012-12-26 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光装置及びその製造方法 |
| EP1672707B1 (en) | 2001-04-20 | 2019-07-31 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US7091656B2 (en) | 2001-04-20 | 2006-08-15 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| JP3940596B2 (ja) | 2001-05-24 | 2007-07-04 | 松下電器産業株式会社 | 照明光源 |
| JP5157029B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2013-03-06 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体を用いた発光装置 |
| JP2007329511A (ja) * | 2001-09-03 | 2007-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2003124521A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-04-25 | Rohm Co Ltd | ケース付半導体発光装置 |
| DE60332676D1 (de) | 2002-02-15 | 2010-07-01 | Mitsubishi Chem Corp | Lichtemittierendes Element und zughörige Beleuchtungsvorrichtung |
| KR100461582B1 (ko) * | 2002-02-26 | 2004-12-13 | 럭스피아 주식회사 | 액상 에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자의 제조방법 |
| US7432642B2 (en) | 2002-04-25 | 2008-10-07 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device provided with a light conversion element using a haloborate phosphor composition |
| JP3707688B2 (ja) | 2002-05-31 | 2005-10-19 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| US10340424B2 (en) | 2002-08-30 | 2019-07-02 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting diode component |
| EP1540747B1 (en) | 2002-09-19 | 2012-01-25 | Cree, Inc. | Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor |
| US7595113B2 (en) | 2002-11-29 | 2009-09-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | LED devices and silicone resin composition therefor |
| JP2004296830A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Solidlite Corp | 白色ｌｅｄの製造方法 |
| JP4799809B2 (ja) * | 2003-08-04 | 2011-10-26 | 株式会社ファインラバー研究所 | 半導体発光装置の製造方法 |
| DE102004039111A1 (de) | 2003-08-14 | 2005-04-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Härtbare Silikonharzzusammensetzung |
| US20050104072A1 (en) | 2003-08-14 | 2005-05-19 | Slater David B.Jr. | Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed |
| WO2005022032A1 (ja) | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Mitsubishi Chemical Corporation | 発光装置及び蛍光体 |
| US7183587B2 (en) | 2003-09-09 | 2007-02-27 | Cree, Inc. | Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices |
| US7029935B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-04-18 | Cree, Inc. | Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same |
| TW200513483A (en) | 2003-10-10 | 2005-04-16 | Shinetsu Chemical Co | Curable composition |
| JPWO2005093860A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2008-02-14 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| US7514867B2 (en) | 2004-04-19 | 2009-04-07 | Panasonic Corporation | LED lamp provided with optical diffusion layer having increased thickness and method of manufacturing thereof |
| JP4434840B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2010-03-17 | キヤノン株式会社 | 照明装置および撮影装置 |
| CN1981018B (zh) | 2004-06-30 | 2011-06-22 | 三菱化学株式会社 | 荧光体和使用它的发光元件以及图像显示装置、照明装置 |
| US7733002B2 (en) | 2004-10-19 | 2010-06-08 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device provided with an alkaline earth metal boric halide phosphor for luminescence conversion |
| CN100449802C (zh) * | 2004-11-18 | 2009-01-07 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有改善的调光性能的光源 |
| US7322732B2 (en) | 2004-12-23 | 2008-01-29 | Cree, Inc. | Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays |
| US7304694B2 (en) * | 2005-01-12 | 2007-12-04 | Cree, Inc. | Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays |
| TWI419375B (zh) | 2005-02-18 | 2013-12-11 | Nichia Corp | 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置 |
| JP5080723B2 (ja) | 2005-02-22 | 2012-11-21 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
| CN101128563B (zh) * | 2005-02-28 | 2012-05-23 | 三菱化学株式会社 | 荧光体、其制造方法及其应用 |
| JP2006282447A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 透光性材料およびその製造方法 |
| JP2007049114A (ja) | 2005-05-30 | 2007-02-22 | Sharp Corp | 発光装置とその製造方法 |
| US7837898B2 (en) | 2005-05-30 | 2010-11-23 | Nemoto & Co., Ltd. | Green light emitting phosphor |
| JP4809131B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2011-11-09 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置用バックライドアセンブリ及びこれを利用した液晶表示装置 |
| KR101217663B1 (ko) * | 2005-05-31 | 2013-01-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 백라이트 유닛 |
| DE112006001722B4 (de) | 2005-07-01 | 2021-05-06 | National Institute For Materials Science | Leuchtstoff und Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verwendung des Leuchtstoffs |
| KR101118459B1 (ko) | 2005-07-01 | 2012-04-12 | 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 | 형광체와 그 제조 방법 및 조명 기구 |
| JP4966530B2 (ja) | 2005-09-15 | 2012-07-04 | 国立大学法人 新潟大学 | 蛍光体 |
| KR100678197B1 (ko) | 2005-09-23 | 2007-02-02 | 삼성전자주식회사 | 키패드의 백라이팅 장치 |
| EP1929501A4 (en) * | 2005-09-30 | 2010-01-06 | Univ California | PHOSPHORESCENT MATERIALS BASED ON CERIUM NITRIDE AND OXYNITRIDE FOR SEMICONDUCTOR LIGHTING APPLICATIONS |
| JP2007155829A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Aiphone Co Ltd | 液晶モジュール |
| JP2007157831A (ja) | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Sharp Corp | 発光装置 |
| JP4932248B2 (ja) | 2005-12-21 | 2012-05-16 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 黄色発光蛍光体、それを用いた白色発光素子、およびそれを用いた照明装置 |
| US7614759B2 (en) | 2005-12-22 | 2009-11-10 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Lighting device |
| US8441179B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-05-14 | Cree, Inc. | Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources |
| JP4980640B2 (ja) | 2006-03-31 | 2012-07-18 | 三洋電機株式会社 | 照明装置 |
| US9084328B2 (en) | 2006-12-01 | 2015-07-14 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
| US8513875B2 (en) | 2006-04-18 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
| CN101432899B (zh) | 2006-04-28 | 2014-05-28 | 岛根县 | 半导体发光组件及其制造方法、半导体发光装置 |
| WO2007135707A1 (ja) | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Nichia Corporation | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| JP5088320B2 (ja) * | 2006-06-21 | 2012-12-05 | 株式会社村田製作所 | 透光性セラミック、ならびに光学部品および光学装置 |
| JP4563977B2 (ja) | 2006-09-22 | 2010-10-20 | 信越化学工業株式会社 | 加熱硬化型シリコーン組成物及びそれを用いた発光ダイオード素子 |
| US7579765B2 (en) | 2006-10-06 | 2009-08-25 | Nemoto & Company, Ltd. | Orange-emitting phosphor |
| US8133461B2 (en) * | 2006-10-20 | 2012-03-13 | Intematix Corporation | Nano-YAG:Ce phosphor compositions and their methods of preparation |
| US8475683B2 (en) | 2006-10-20 | 2013-07-02 | Intematix Corporation | Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates |
| US9120975B2 (en) | 2006-10-20 | 2015-09-01 | Intematix Corporation | Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates |
| US8529791B2 (en) | 2006-10-20 | 2013-09-10 | Intematix Corporation | Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications |
| JP5367218B2 (ja) | 2006-11-24 | 2013-12-11 | シャープ株式会社 | 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法 |
| US9441793B2 (en) | 2006-12-01 | 2016-09-13 | Cree, Inc. | High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting |
| JP4228012B2 (ja) | 2006-12-20 | 2009-02-25 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 赤色発光窒化物蛍光体およびそれを用いた白色発光素子 |
| JP4912176B2 (ja) * | 2007-02-09 | 2012-04-11 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| JP4895879B2 (ja) | 2007-03-19 | 2012-03-14 | サンユレック株式会社 | 発光素子封止用シリコーン樹脂組成物及びこれを用いたポッティング方式による光半導体電子部品の製造方法 |
| JP5402008B2 (ja) * | 2009-01-16 | 2014-01-29 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体の製造方法及び蛍光体並びにこれを用いた発光装置 |
| KR20140082852A (ko) * | 2009-09-07 | 2014-07-02 | 엘시드 가부시끼가이샤 | 반도체 발광 소자 |
| US8593040B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-11-26 | Ge Lighting Solutions Llc | LED lamp with surface area enhancing fins |
| JP4888853B2 (ja) | 2009-11-12 | 2012-02-29 | 学校法人慶應義塾 | 液晶表示装置の視認性改善方法、及びそれを用いた液晶表示装置 |
| CN107656332B (zh) | 2010-06-22 | 2021-10-15 | 东洋纺株式会社 | 液晶显示装置、偏振板及偏振片保护膜 |
| CN102376860A (zh) | 2010-08-05 | 2012-03-14 | 夏普株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
| JP5445473B2 (ja) | 2011-01-14 | 2014-03-19 | 信越化学工業株式会社 | 光学材料形成用シリコーン樹脂組成物及び光学材料 |
| EP2674662B1 (en) | 2011-02-09 | 2020-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | White light source and white light source system using same |
| TWI573290B (zh) * | 2011-02-24 | 2017-03-01 | 日東電工股份有限公司 | 具有磷光質成分的發光組成物 |
| EP3176837B1 (en) | 2011-03-15 | 2018-08-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | White light source |
| EP3848985B1 (en) | 2011-04-22 | 2023-06-07 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | White light equipment |
| JP6180113B2 (ja) | 2011-05-18 | 2017-08-16 | 東洋紡株式会社 | 三次元画像表示対応液晶表示装置に適した偏光板及び液晶表示装置 |
| WO2012157663A1 (ja) | 2011-05-18 | 2012-11-22 | 東洋紡株式会社 | 液晶表示装置、偏光板および偏光子保護フィルム |
| US8747697B2 (en) * | 2011-06-07 | 2014-06-10 | Cree, Inc. | Gallium-substituted yttrium aluminum garnet phosphor and light emitting devices including the same |
| CA2848917A1 (en) | 2011-09-30 | 2013-04-04 | General Electric Company | Phosphor materials and related devices |
| US9082939B2 (en) | 2011-10-24 | 2015-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | White light source and white light source system including the same |
| EP2772953B1 (en) | 2011-10-24 | 2022-01-26 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | White light source and white light source system using white light source |
| JP6189217B2 (ja) | 2011-11-07 | 2017-08-30 | 株式会社東芝 | 白色光源およびそれを用いた白色光源システム |
| US9500355B2 (en) | 2012-05-04 | 2016-11-22 | GE Lighting Solutions, LLC | Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device |
| WO2014050183A1 (ja) | 2012-09-28 | 2014-04-03 | シャープ株式会社 | 蛍光体含有封止材の製造方法、蛍光体含有封止材、発光装置の製造方法およびディスペンサー |
| JP6356606B2 (ja) | 2012-10-04 | 2018-07-11 | 株式会社東芝 | 歯科用照明装置 |
| JP6054526B2 (ja) | 2013-05-28 | 2016-12-27 | シャープ株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP2013191883A (ja) * | 2013-06-07 | 2013-09-26 | Sharp Corp | 半導体発光装置 |
| DE102013109313A1 (de) | 2013-08-28 | 2015-03-05 | Leuchtstoffwerk Breitungen Gmbh | Verbesserter Granatleuchtstoff und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP6038824B2 (ja) | 2014-02-07 | 2016-12-07 | 信越化学工業株式会社 | 硬化性組成物、半導体装置、及びエステル結合含有有機ケイ素化合物 |
| JP2015183084A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | 三菱化学株式会社 | 紫光励起用蛍光体、該蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、該発光装置を用いた照明装置及び画像表示装置 |
| AU2017391778B2 (en) * | 2017-01-04 | 2022-09-29 | Shih-Hsien Tseng | Pixel unit structure and manufacturing method thereof |
| JP6863071B2 (ja) * | 2017-05-19 | 2021-04-21 | 日亜化学工業株式会社 | 希土類アルミニウム・ガリウム酸塩の組成を有する蛍光体及び発光装置 |
| US11142691B2 (en) | 2017-10-31 | 2021-10-12 | Nichia Corporation | Rare earth aluminate fluorescent material, and method for producing the same |
| JP6741056B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2020-08-19 | 日亜化学工業株式会社 | 希土類アルミン酸塩蛍光体の製造方法 |
| JPWO2020012923A1 (ja) * | 2018-07-12 | 2021-08-02 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光源装置、プロジェクタ及び車両 |
| JP6981933B2 (ja) | 2018-08-15 | 2021-12-17 | 信越化学工業株式会社 | 硬化性組成物、該組成物の硬化物、及び該硬化物を用いた半導体装置 |
| CN112639545A (zh) | 2018-09-12 | 2021-04-09 | 松下知识产权经营株式会社 | 波长转换部件及使用了该波长转换部件的光源装置、投影仪以及车辆 |
| CN111286330A (zh) | 2018-12-06 | 2020-06-16 | 松下知识产权经营株式会社 | 荧光体及使用了它的半导体发光装置 |
| JP2019108548A (ja) * | 2019-02-06 | 2019-07-04 | 日立化成株式会社 | アクリル樹脂組成物及び電子部品 |
| CN110570798B (zh) * | 2019-07-22 | 2023-07-07 | 深圳市艾比森光电股份有限公司 | 彩色显示面板及其控制方法 |
| US11158235B2 (en) * | 2019-07-22 | 2021-10-26 | Shenzhen Absen Optoelectronic Co., Ltd. | Color display panel and control method thereof |
| JP7401247B2 (ja) | 2019-10-08 | 2023-12-19 | 信越化学工業株式会社 | 硬化性組成物、その硬化物、及び半導体装置 |
| JP7436175B2 (ja) | 2019-10-08 | 2024-02-21 | 信越化学工業株式会社 | 硬化性組成物、その硬化物、及び半導体装置 |
| JP2021059686A (ja) | 2019-10-09 | 2021-04-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 蛍光体およびそれを使用した半導体発光装置 |
| JP7444718B2 (ja) * | 2020-07-09 | 2024-03-06 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
| JP7476002B2 (ja) * | 2020-07-09 | 2024-04-30 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
| EP4191133A4 (en) | 2020-07-31 | 2024-01-10 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | VEHICLE LAMP |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5043913A (ja) * | 1973-08-20 | 1975-04-21 | ||
| JPS5079379U (ja) * | 1973-11-24 | 1975-07-09 | ||
| NL8502025A (nl) * | 1985-07-15 | 1987-02-02 | Philips Nv | Lagedrukkwikdampontladingslamp. |
| JP2606025Y2 (ja) * | 1993-12-24 | 2000-09-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード素子 |
-
1997
- 1997-07-28 JP JP21814997A patent/JP2927279B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (91)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6812500B2 (en) | 1996-06-26 | 2004-11-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg. | Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element |
| US6613247B1 (en) | 1996-09-20 | 2003-09-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component |
| US7910939B2 (en) | 2000-09-21 | 2011-03-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device and light-emitting display therewith |
| JP2002133925A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sanken Electric Co Ltd | 蛍光カバー及び半導体発光装置 |
| EP2017901A1 (en) | 2001-09-03 | 2009-01-21 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting DEV |
| US7422504B2 (en) | 2001-09-03 | 2008-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
| US7629620B2 (en) | 2001-09-03 | 2009-12-08 | Panasonic Corporation | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
| US7592639B2 (en) | 2001-09-03 | 2009-09-22 | Panasonic Corporation | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
| US7023019B2 (en) | 2001-09-03 | 2006-04-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
| USRE47453E1 (en) | 2001-09-03 | 2019-06-25 | Panasonic Corporation | Luminescent layer and light-emitting semiconductor device |
| US7772769B2 (en) | 2001-09-03 | 2010-08-10 | Panasonic Corporation | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
| US7166873B2 (en) | 2002-10-03 | 2007-01-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| DE10345495B4 (de) * | 2002-10-03 | 2010-11-11 | Sharp K.K. | Lichtemissions-Bauteil |
| US7005086B2 (en) | 2002-11-08 | 2006-02-28 | Seiwa Electric Mfg. Co., Ltd. | Fluorescent substance, light-emitting diode and method for producing fluorescent substance |
| US6909123B2 (en) | 2003-04-24 | 2005-06-21 | Kyo-A Optics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device with reflectors having cooling function |
| US7265486B2 (en) | 2003-07-31 | 2007-09-04 | Toshinobu Yoko | Light emitting diode including a cover covering a light emitting diode element |
| DE112004001533B4 (de) | 2003-08-22 | 2021-07-22 | National Institute For Materials Science | Leuchtbauelement und Bildanzeige enthaltend ein fluoreszierendes Oxynitridmaterial |
| US7365485B2 (en) | 2003-10-17 | 2008-04-29 | Citizen Electronics Co., Ltd. | White light emitting diode with first and second LED elements |
| US9738829B2 (en) | 2003-11-26 | 2017-08-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
| US8409470B2 (en) | 2003-11-26 | 2013-04-02 | Independent Administrative Institution National Institute For Materials Science | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
| EP2574652A2 (en) | 2003-11-26 | 2013-04-03 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
| US10072207B2 (en) | 2003-11-26 | 2018-09-11 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
| US11697765B2 (en) | 2003-11-26 | 2023-07-11 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
| WO2005052087A1 (ja) | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Independent Administrative Institution National Institute For Materials Science | 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具 |
| US11084980B2 (en) | 2003-11-26 | 2021-08-10 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
| US7176500B2 (en) | 2003-12-19 | 2007-02-13 | Nec Corporation | Red fluorescent material, white light emitting diode using red fluorescent material, and lighting system using white light emitting diode |
| US7608862B2 (en) | 2004-03-02 | 2009-10-27 | Fujikura Ltd. | Light emitting device and a lighting apparatus |
| DE112005000044B4 (de) | 2004-03-12 | 2022-07-21 | National Institute For Materials Science | Leuchtstoff, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung |
| US7564065B2 (en) | 2004-03-22 | 2009-07-21 | Fujikura Ltd. | Light emitting device and a lighting apparatus |
| WO2005090517A1 (ja) | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Fujikura Ltd. | 発光デバイス及び照明装置 |
| WO2006006582A1 (ja) | 2004-07-13 | 2006-01-19 | Fujikura Ltd. | 蛍光体及びその蛍光体を用いた電球色光を発する電球色光発光ダイオードランプ |
| US8508119B2 (en) | 2004-07-13 | 2013-08-13 | Fujikura Ltd. | Phosphor and an incandescent lamp color light emitting diode lamp using the same |
| EP2366754A1 (en) | 2004-09-22 | 2011-09-21 | National Institute for Materials Science | Phosphor, production method thereof and light emitting instrument |
| EP2360225A1 (en) | 2004-09-22 | 2011-08-24 | National Institute for Materials Science | Phosphor, production method thereof and light emitting instrument |
| JP2008515184A (ja) * | 2004-09-28 | 2008-05-08 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 改善された変換層を有する発光装置 |
| JP2006167305A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP4729918B2 (ja) * | 2004-12-17 | 2011-07-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| DE112006000291B4 (de) | 2005-01-27 | 2019-08-14 | National Institute For Materials Science | Leuchtstoff, sein Herstellungsverfahren und dessen Verwendung |
| US7713443B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-05-11 | National Institute For Materials Science | Phosphor production method |
| WO2006093135A1 (ja) | 2005-02-28 | 2006-09-08 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | 蛍光体とその製造方法、及びそれを用いた発光素子 |
| US7253446B2 (en) | 2005-03-18 | 2007-08-07 | Fujikura Ltd. | Light emitting device and illumination apparatus |
| US7959321B2 (en) | 2005-03-31 | 2011-06-14 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Backlight panel employing white light emitting diode having red phosphor and green phosphor |
| US8132952B2 (en) | 2005-03-31 | 2012-03-13 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Backlight panel employing white light emitting diode having red phosphor and green phosphor |
| US8088302B2 (en) | 2005-05-24 | 2012-01-03 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Green phosphor of thiogallate, red phosphor of alkaline earth sulfide and white light emitting device thereof |
| US8703019B2 (en) | 2005-05-24 | 2014-04-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and use thereof |
| US8206611B2 (en) | 2005-05-24 | 2012-06-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and use thereof |
| US8277687B2 (en) | 2005-08-10 | 2012-10-02 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and light-emitting device using same |
| US9576940B2 (en) | 2005-09-30 | 2017-02-21 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device and LCD backlight using the same |
| US9287241B2 (en) | 2005-09-30 | 2016-03-15 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device and LCD backlight using the same |
| US7518160B2 (en) | 2005-10-31 | 2009-04-14 | Kyocera Corporation | Wavelength converter, lighting system, and lighting system assembly |
| WO2007099862A1 (ja) | 2006-02-24 | 2007-09-07 | National Institute For Materials Science | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
| US8323529B2 (en) | 2006-03-16 | 2012-12-04 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Fluorescent material and light emitting diode using the same |
| US8080174B2 (en) | 2006-06-09 | 2011-12-20 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Fluorescent material, process for producing the same and illuminator employing the same |
| US7618557B2 (en) | 2006-07-03 | 2009-11-17 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | White light emitting phosphor and light emitting module using the same |
| WO2008020541A1 (fr) | 2006-08-14 | 2008-02-21 | Fujikura Ltd. | Dispositif électroluminescent et dispositif d'éclairage |
| US8053970B2 (en) | 2006-08-14 | 2011-11-08 | Fujikura Ltd. | Light emitting device and illumination device |
| WO2008023746A1 (en) | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor device member, liquid for forming semiconductor device member, method for manufacturing semiconductor device member, and liquid for forming semiconductor device member using the method, phosphor composition, semiconductor light emitting device, illuminating apparatus and image display apparatus |
| WO2008062781A1 (fr) | 2006-11-20 | 2008-05-29 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Substance fluorescente et son procédé de fabrication, et dispositif électroluminescent |
| US7810947B2 (en) | 2006-12-04 | 2010-10-12 | Stanley Electric Co., Ltd. | White LED light source device and LED backlight using the same |
| WO2008084848A1 (ja) | 2007-01-12 | 2008-07-17 | National Institute For Materials Science | 蛍光体、その製造方法および発光器具 |
| US7855389B2 (en) | 2007-03-29 | 2010-12-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device |
| US8513876B2 (en) | 2007-05-22 | 2013-08-20 | National Institute For Materials Science | Fluorescent substance, method for producing the same, and light-emitting device using the same |
| WO2008146571A1 (ja) | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Showa Denko K.K. | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
| US8608980B2 (en) | 2007-09-03 | 2013-12-17 | National Institute For Materials Science | Phosphor, method for producing the same and light-emitting device using the same |
| US8398892B2 (en) | 2007-09-03 | 2013-03-19 | Showa Denko K.K. | Phosphor, method for producing the same and light-emitting device using the same |
| WO2009031495A1 (ja) | 2007-09-03 | 2009-03-12 | Showa Denko K.K. | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
| WO2009041237A1 (ja) | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Showa Denko K.K. | Ⅲ族窒化物半導体発光素子 |
| EP2119754A2 (en) | 2008-05-15 | 2009-11-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US10263163B2 (en) | 2008-05-30 | 2019-04-16 | Bridgelux, Inc. | Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices |
| US7868340B2 (en) | 2008-05-30 | 2011-01-11 | Bridgelux, Inc. | Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices |
| WO2010061597A1 (ja) | 2008-11-28 | 2010-06-03 | 昭和電工株式会社 | 表示装置用照明装置及び表示装置 |
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| US7985981B2 (en) | 2008-12-17 | 2011-07-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device |
| JP2010270197A (ja) * | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Citizen Electronics Co Ltd | コーティング用樹脂組成物および該組成物を用いて得られる硬化体 |
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