Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2017033018A - 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017033018A
JP2017033018A JP2016207355A JP2016207355A JP2017033018A JP 2017033018 A JP2017033018 A JP 2017033018A JP 2016207355 A JP2016207355 A JP 2016207355A JP 2016207355 A JP2016207355 A JP 2016207355A JP 2017033018 A JP2017033018 A JP 2017033018A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
optical system
projection optical
liquid
holding members
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016207355A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6237857B2 (ja
Inventor
明光 蛯原
Akimitsu Ebihara
明光 蛯原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of JP2017033018A publication Critical patent/JP2017033018A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6237857B2 publication Critical patent/JP6237857B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2014Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
    • G03F7/2016Contact mask being integral part of the photosensitive element and subject to destructive removal during post-exposure processing
    • G03F7/202Masking pattern being obtained by thermal means, e.g. laser ablation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70225Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • H01L21/0275Photolithographic processes using lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70275Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70325Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70325Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
    • G03F7/70333Focus drilling, i.e. increase in depth of focus for exposure by modulating focus during exposure [FLEX]
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • G03F7/70725Stages control
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70758Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70816Bearings
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826Assembling or joining

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Control Of Vending Devices And Auxiliary Devices For Vending Devices (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Magnetic Bearings And Hydrostatic Bearings (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

【課題】 焦点位置検出系などを必ずしも設けることなく、デフォーカスの殆どない基板上へのパターンの転写を実現することが可能な露光装置を提供する。【解決手段】水圧パッドと水圧パッドとによって、ウエハ及び該ウエハが載置されたテーブルが狭持されている。水圧パッドによって、その軸受面とウエハとの投影光学系の光軸方向に関する間隔が、所定寸法に維持される。また、水圧パッドは、気体静圧軸受とは異なり、軸受面と支持対象物(基板)との間の非圧縮性流体(液体)の静圧を利用するので、軸受の剛性が高く、軸受面と基板との間隔が、安定してかつ一定に保たれる。また、液体(例えば純水)は気体(例えば空気)に比べて、粘性が高く、液体は振動減衰性が気体に比べて良好である。従って、焦点位置検出系などを必ずしも設けることなく、デフォーカスの殆どないウエハ(基板)上へのパターンの転写が実現される。【選択図】図1

Description

本発明は、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に係り、更に詳しくは、半導体素子、液晶表示素子等の電子デバイスの製造におけるリソグラフィ工程で用いられる露光装置、露光方法、及び該露光装置、露光方法を用いたデバイス製造方法に関する。
半導体素子(集積回路)、液晶表示素子等の電子デバイスを製造するリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル(以下、「レチクル」と総称する)のパターンの像を投影光学系を介して、レジスト(感光剤)が塗布されたウエハ又はガラスプレート等感光性の基板(以下、「基板」又は「ウエハ」と呼ぶ)上の各ショット領域に転写する投影露光装置が使用されている。この種の投影露光装置としては、従来、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置(いわゆるステッパ)が多用されていたが、最近ではレチクルとウエハとを同期走査して露光を行うステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ)も注目されている。
投影露光装置が備える投影光学系の解像度は、使用する露光光の波長(以下、「露光波長」とも呼ぶ)が短くなるほど、また投影光学系の開口数(NA)が大きいほど高くなる。そのため、集積回路の微細化に伴い投影露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大してきている。そして、現在主流の露光波長は、KrFエキシマレーザの248nmであるが、更に短波長のArFエキシマレーザの193nmも実用化されている。
また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度(DOF)も重要となる。解像度R、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。
R=k1・λ/NA ……(1)
δ=k2・λ/NA2……(2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1,k2はプロセス係数である。(1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きく(大NA化)すると、焦点深度δが狭くなることが分かる。投影露光装置では、オートフォーカス方式でウエハの表面を投影光学系の像面に合わせ込んで露光を行っているが、そのためには焦点深度δはある程度広いことが望ましい。そこで、従来においても位相シフトレチクル法、変形照明法、多層レジスト法など、実質的に焦点深度を広くする提案がなされている。
上記の如く従来の投影露光装置では、露光光の短波長化及び投影光学系の大NA化によって、焦点深度が狭くなってきている。そして、集積回路の一層の高集積化に対応するために、露光波長は将来的に更に短波長化することが確実視されており、このままでは焦点深度が狭くなり過ぎて、露光動作時のマージンが不足するおそれがある。
そこで、実質的に露光波長を短くして、かつ空気中に比べて焦点深度を大きく(広く)する方法として、液浸露光法(以下、適宜「液浸法」とも呼ぶ)が提案されている。この液浸法は、投影光学系の下面とウエハ表面との間を水又は有機溶媒等の液体で満たし、液体中での露光光の波長が、空気中の1/n倍(nは液体の屈折率で通常1.2〜1.6程度)になることを利用して解像度を向上すると共に、その解像度と同一の解像度が液浸法によらず得られる投影光学系(このような投影光学系の製造が可能であるとして)に比べ
て焦点深度をn倍に拡大する、すなわち空気中に比べて焦点深度を実質的にn倍に拡大するものである。
上記の液浸法を、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置に単に適用するものとすると、1つのショット領域の露光を終了した後、次のショット領域を露光位置に移動するためのウエハのショット間ステップ移動の際に、投影光学系とウエハとの間から液体が出てしまう。このため、再び液体を供給する必要があるとともに、液体の回収も困難になるおそれがあった。また、液浸法を仮にステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置に適用する場合、ウエハを移動させながら露光を行うため、ウエハを移動させている間も投影光学系とウエハとの間には液体が満たされている必要がある。
かかる点に鑑みて、最近になって、「基板を所定方向に沿って移動させる際に、投影光学系の基板側の光学素子の先端部とその基板の表面との間を満たすように、その基板の移動方向に沿って所定の液体を流すようにした、投影露光方法及び装置に関する発明」が提案されている(例えば、下記特許文献1参照)。
この他、液浸露光法と同様に、解像度の向上を目的とするものとして、投影リソグラフィ・レンズ系(投影光学系)とサンプルとの間にソリッドイマージョンレンズ(Solid Immersion Lens)を配置した、リソグラフィシステムが知られている(例えば下記特許文献2参照)。
下記特許文献1に記載の発明によると、液浸法による高解像度かつ空気中と比べて焦点深度が大きくなった露光を行うことができるとともに、投影光学系とウエハとが相対移動しても、投影光学系と基板との間に液体を安定に満たしておくこと、すなわち保持することができる。
しかしながら、下記特許文献1に記載の発明では、投影光学系の外部に供給用配管、回収用配管などが配置されているため、投影光学系の周囲に配置する必要がある、フォーカスセンサやアライメントセンサなどの各種センサなどの周辺機器の配置の自由度が制限される。
また、下記特許文献1に記載の発明では、投影光学系と基板との間の液体に流れがあると、その液体に露光光が照射されることによって、パターンの投影領域内で投影光学系と基板との間にその流れの方向に関する温度傾斜や、圧力傾斜が発生する可能性があり、特に投影光学系と基板との間隔、すなわち液体の層が厚い場合、上記温度傾斜や圧力傾斜が像面傾斜などの収差の要因となり、パターンの転写精度の部分的な低下、ひいてはパターンの転写像の線幅均一性の悪化要因となるおそれもあった。このため、液体の層は薄い方が望ましいが、この場合、投影光学系と基板との間隔が狭くなり、フォーカスセンサの配置が困難になってしまう。
また、下記特許文献1に記載の発明では、完全に液体を回収するのが困難であり、露光後、ウエハ上に液浸に用いた液体が残る蓋然性が高かった。このような場合、残った液体が蒸発する際の気化熱によって雰囲気中に温度分布が生じ、あるいは雰囲気の屈折率変化が生じ、これらの現象が、そのウエハが載置されたステージの位置を計測するレーザ干渉計の計測誤差の要因となるおそれがあった。また、ウエハ上に残留した液体がウエハの裏側に回り込み、ウエハが搬送アームに密着して離れにくくなったりするおそれもあった。
一方、下記特許文献2に記載のリソグラフィシステムでは、ソリッドイマージョンレンズ(以下、適宜「SIL」と略述する)とサンプルとの間隔を50nm程度以下に保つようにされているが、近い将来の目標とされている線幅70nm程度以下の微細パターンを
サンプル(ウエハ等)上に転写、形成するリソグラフィシステムでは、SILとサンプルとの間に厚さ50nmの空気層が存在したのでは、上記微細パターンの像の十分な解像度を得ることが困難である。すなわち、上記微細パターン像の十分な解像度を得るためには、SILとサンプルとの間隔を最大でも30nm以下に保つ必要がある。
しかしながら、下記特許文献2に記載のリソグラフィシステムでは、エアベアリング(空気ベアリング)を用いてSILとサンプルとの間隔を保つ構成が採用されているため、エアベアリングの性質上十分な振動減衰性を得ることが困難であり、その結果、SILとサンプルとの間隔を30nm以下に保つことができなかった。
このように、下記特許文献1、2などに開示される従来例には、数々の改善すべき点が散見される。
国際公開第99/49504号 米国特許第5,121,256号明細書
本発明は、上述したような事情の下になされたもので、その第1の目的は、焦点位置検出系などを必ずしも設けることなく、デフォーカスの殆どない基板上へのパターンの転写を実現することが可能な露光装置及び露光方法を提供することにある。
また、本発明の第2の目的は、液浸法に好適な複数のテーブルを備えた露光装置及び露光方法を提供することにある。
また、本発明の第3の目的は、高集積度のマイクロデバイスの生産性の向上を図ることが可能なデバイス製造方法を提供することにある。
本発明の一態様に従えば、液体を介して照明光で基板を露光する露光装置であって、平面が前記液体と接する平凸レンズと、一部が倍率および収差の調整に用いられる複数のレンズと、を有する反射屈折型の投影系と、前記投影系から離れて配置され、前記基板のマークを検出する検出系と、前記平凸レンズを囲んで設けられるとともに、前記照明光が通過する開口部を有し、前記液体によって前記投影系の下に液浸領域を形成する液浸部材と、前記投影系および前記検出系の下方に配置され、前記液浸領域と接触可能な上面を有し、前記上面の開口内で前記基板を載置するとともに、前記開口内で載置される基板の表面から外れる前記液浸領域の少なくとも一部を前記上面で維持可能な第1可動部材と、前記投影系および前記検出系の下方に配置され、前記液浸領域と接触可能な上面を有し、前記第1可動部材に対して相対移動可能な第2可動部材と、前記第1、第2可動部材にそれぞれ一部が設けられるモータを有し、前記モータによって前記第1、第2可動部材を移動する駆動システムと、前記駆動システムによる前記第1、第2可動部材の駆動を制御するコントローラと、を備え、前記コントローラは、前記投影系と対向して配置される前記第1、第2可動部材の一方に対して前記第1、第2可動部材の他方が接近するように前記第1、第2可動部材を相対移動するとともに、前記投影系の下に前記液浸領域を実質的に維持しつつ前記一方の可動部材の代わりに前記他方の可動部材が前記投影系と対向して配置されるように、前記投影系の光軸と直交する所定方向に関して、前記液浸部材に対して前記接近した第1、第2可動部材を移動し、前記投影系と対向して配置される前記第1、第2可動部材の一方によって前記液浸領域が前記投影系の下に維持される間、前記第1、第2
可動部材の他方は、前記投影系の下から離れて移動され、前記液浸部材を介して供給される液体によって前記液浸領域が形成されるとともに、前記液浸領域の液体が前記液浸部材を介して回収され、前記基板は、前記投影系と前記液浸領域の液体とを介して前記照明光で露光が行われるとともに、前記液体を介すことなく前記検出系によって前記マークの検出が行われる露光装置が提供される。
本発明の他の態様に従えば、投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光装置であって、前記液体と接する前記投影光学系の光学部材を囲んで設けられるとともに、前記エネルギビームが通過する開口が一部に形成される下面を有し、前記液体によって前記投影光学系の下に液浸領域を形成する液浸部材と、前記液浸領域と接する上面の一部に形成される開口内に前記基板の載置領域が設けられ、前記載置領域に載置される基板から外れる前記液浸領域の少なくとも一部を前記上面で維持可能な基板テーブルと、前記液浸領域を維持可能な上面を有し、前記基板テーブルが前記投影光学系の下方から離れて移動されるときに前記液浸部材と対向して配置される可動部材と、前記基板の露光動作に続いて、前記可動部材が前記液浸部材と対向して配置されて前記液浸領域を維持するとともに、前記基板テーブルが前記投影光学系の下方から離れて移動されるように、前記投影光学系の光軸と直交する所定方向に関する、前記液浸部材に対する前記基板テーブル及び前記可動部材の移動を制御する制御装置と、を備え、前記基板テーブルと前記可動部材とは互いに相対移動可能であり、前記液浸部材を介して供給される液体によって前記液浸領域が形成されるとともに、前記液浸領域の液体が前記液浸部材を介して回収される露光装置が提供される。
本発明の他の態様に従えば、デバイス製造方法であって、上記の露光装置を用いて基板を露光することと、前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の他の態様に従えば、リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、前記リソグラフィ工程では、上記の露光装置を用いて基板上にデバイスパターンを転写することを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
本発明の他の態様に従えば、液体を介して照明光で基板を露光する露光方法であって、平面が前記液体と接する平凸レンズと、一部が倍率および収差の調整に用いられる複数のレンズと、を有する反射屈折型の投影系の下に液浸領域を形成するため、前記平凸レンズを囲んで設けられるとともに、前記照明光が通過する開口部を有する液浸部材を介して液体を供給することと、前記投影系および前記投影系から離れて配置され、前記基板のマークを検出する検出系の下方に配置され、前記液浸領域と接触可能な上面を有し、前記上面の開口内で前記基板を載置するとともに、前記開口内で載置される基板の表面から外れる前記液浸領域の少なくとも一部を前記上面で維持可能な第1可動部材と、前記投影系および前記検出系の下方に配置され、前記液浸領域と接触可能な上面を有し、前記第1可動部材に対して相対移動可能な第2可動部材との一方を前記投影系と対向して配置することと、前記投影系と対向して配置される前記第1、第2可動部材の一方に対して前記第1、第2可動部材の他方が接近するように、前記第1、第2可動部材を相対移動することと、前記投影系の下に前記液浸領域を実質的に維持しつつ前記一方の可動部材の代わりに前記他方の可動部材が前記投影系と対向して配置されるように、前記投影系の光軸と直交する所定方向に関して、前記液浸部材に対して前記接近した第1、第2可動部材を移動することと、を含み、前記第1、第2可動部材は、一部が前記第1、第2可動部材にそれぞれ設けられるモータによって移動され、前記投影系と対向して配置される前記第1、第2可動部材の一方によって前記液浸領域が前記投影系の下に維持される間、前記第1、第2可動部材の他方は、前記投影系の下から離れて移動され、前記基板は、前記投影系と前記液浸領域の液体とを介して前記照明光で露光が行われるとともに、前記液体を介すことなく前記検出系によって前記マークの検出が行われ、前記液浸領域の液体は、前記液浸部材を介して回収される露光方法が提供される。
本発明の他の態様に従えば、投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光方法であって、前記液体と接する前記投影光学系の光学部材を囲んで設けられる
とともに、前記エネルギビームが通過する開口が一部に形成される下面を有する液浸部材を介して供給される液体によって、前記投影光学系の下に液浸領域を形成することと、前記液浸領域と接する上面の一部に形成される開口内に前記基板の載置領域が設けられ、前記載置領域に載置される基板から外れる前記液浸領域の少なくとも一部を前記上面で維持可能な基板テーブルによって、前記液浸部材と対向して前記基板を配置することと、前記投影光学系と、前記基板の一部に位置する前記液浸領域の液体とを介して、前記エネルギビームで前記基板を露光することと、前記液浸領域を維持可能な上面を有する可動部材が前記液浸部材と対向して配置されて前記液浸領域を維持するとともに、前記基板テーブルが前記投影光学系の下方から離れて移動されるように、前記投影光学系の光軸と直交する所定方向に関して、前記液浸部材に対して前記基板テーブルと前記可動部材とを移動することと、を含み、前記基板テーブルと前記可動部材とは互いに相対移動可能であり、前記液浸領域の液体は前記液浸部材を介して回収される露光方法が提供される。
本発明のさらに他の態様に従えば、リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、前記リソグラフィ工程では、上記の露光方法を用いて基板上にデバイスパターンを転写することを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
本発明の他の態様に従えば、デバイス製造方法であって、上記の露光方法を用いて基板を露光することと、前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
本発明は、第1の観点からすると、エネルギビームによりパターンを照明し、前記パターンを投影光学系を介して基板上に転写する露光装置であって、前記基板が載置され、該基板を保持して2次元的に移動可能なテーブルと;前記投影光学系の像面側に配置され、前記テーブル上の基板に対向する軸受面と前記基板との間に液体を供給して該液体の静圧により前記軸受面と前記基板の表面との間隔を維持する少なくとも1つの液体静圧軸受を含む液体静圧軸受装置と;を備える第1の露光装置である。
これによれば、液体静圧軸受装置によって、液体静圧軸受の軸受面と基板の表面との投影光学系の光軸方向に関する間隔が、所定寸法に維持される。液体静圧軸受は、気体静圧軸受とは異なり、軸受面と支持対象物(基板)との間の非圧縮性流体である液体の静圧を利用するので、軸受の剛性が高く、軸受面と基板との間隔を、安定してかつ一定に保つことができる。また、液体(例えば純水)は気体(例えば空気)に比べて、粘性が高く、液体は振動減衰性が気体に比べて良好である。従って、本発明の露光装置によれば、焦点位置検出系などを必ずしも設けることなく、デフォーカスの殆どない基板上へのパターンの転写を実現することができる。
この場合において、前記投影光学系と前記基板表面との間に、空気に比べて屈折率が高い高屈折率流体が常に存在する状態で、前記パターン、前記投影光学系及び前記高屈折率流体を介して前記エネルギビームにより前記基板が露光されることとすることができる。かかる場合には、投影光学系と基板表面との間に、空気に比べて屈折率が高い高屈折率流体が常に存在する状態で、前記パターン、投影光学系及び高屈折率流体を介してエネルギビームにより基板が露光されるので、基板表面におけるエネルギビームの波長を空気中における波長の1/n倍(nは高屈折率流体の屈折率)に短波長化でき、更に焦点深度は空気中に比べて約n倍に広がる。
この場合において、前記高屈折率流体は、液体であることとすることができる。
この場合において、前記液体静圧軸受用の液体が、前記投影光学系と前記テーブル上の前記基板との間を満たすための前記高屈折率流体として用いられることとすることができる。
本発明の第1の露光装置では、前記少なくとも1つの液体静圧軸受は、前記投影光学系
の光軸方向に関し、前記投影光学系との位置関係を一定に維持した状態で配置されていることとすることができる。
本発明の第1の露光装置では、前記投影光学系を構成する最も基板側の光学部材(22)は、その瞳面側が曲面でかつ像面側が平面であることとすることができる。
この場合において、前記投影光学系を構成する最も基板側の光学部材は、その像面側の平面が、前記液体静圧軸受の軸受面と略同一面上に位置することとすることができる。かかる場合には、その光学部材と基板との間の間隔を、例えば10μm程度に維持することが可能となる。特に、投影光学系と基板表面との間に高屈折率流体を満たす場合には、その高屈折率流体の消費量が極めて少なくなり、パターン像の結像性能が流体の屈折率変化(例えば温度等に起因する)の影響を受け難くなる。また、特に、高屈折率流体が液体の場合に基板の乾燥に有利になる。
本発明の第1の露光装置では、前記液体静圧軸受装置は、前記少なくとも1つの液体静圧軸受の軸受面と前記基板との間に前記液体を供給するとともに、前記軸受面と前記基板との間の液体を負圧を利用して外部に排出することとすることができる。かかる場合には、液体静圧軸受が、一層剛性が高いものとなり、一層安定して軸受面と基板との間隔を一定に維持することが可能になる。
この場合において、前記少なくとも1つの液体静圧軸受は、前記基板上の前記パターンの投影領域の周囲を取り囲む状態で、配置されていることとすることができる。
この場合において、前記少なくとも1つの液体静圧軸受として、複数の液体静圧軸受を用い、それら複数の液体静圧軸受を基板上のパターンの投影領域の周囲を取り囲む状態で配置することとすることもできるし、あるいは、前記少なくとも1つの液体静圧軸受は、その軸受面が前記基板上の前記投影領域を取り囲む、単一の軸受であることとすることもできる。
本発明の第1の露光装置では、少なくとも1つの液体静圧軸受は、前記基板上の前記パターンの投影領域の周囲を取り囲む状態で、配置されている場合、前記液体静圧軸受の前記軸受面には、複数の環状の溝が多重に形成され、前記複数の溝は、液体供給溝と液体排出溝とを少なくとも各1つ含むこととすることができる。
この場合において、前記複数の溝は、液体供給溝と、該液体供給溝の内外にそれぞれ形成された少なくとも各1つの液体排出溝とを含むこととすることができる。
本発明の第1の露光装置では、少なくとも1つの液体静圧軸受は、前記基板上の前記パターンの投影領域の周囲を取り囲む状態で、配置されている場合、前記液体静圧軸受に設けられ、少なくとも1つの計測点で前記基板表面との間の間隔を計測するギャップセンサを更に備え、前記液体静圧軸受装置は、前記ギャップセンサの計測値に応じて前記液体を排出するための負圧と前記液体を供給するための陽圧との少なくとも一方を調整することとすることができる。
本発明の第1の露光装置では、前記テーブルを介して前記液体静圧軸受に対向して配置され、前記テーブルに対向する軸受面と前記テーブルとの間に流体を供給して該流体の静圧により前記軸受面と前記テーブルの面との隙間を維持する少なくとも1つの流体静圧軸受を、更に備えることとすることができる。かかる場合には、結果的に、テーブルと該テーブル上の基板とが、前述した液体静圧軸受と上記流体静圧軸受とによって、上下から狭持される。この場合、それぞれの軸受面と基板又はテーブルとの間隔を、例えば10μm
程度以下に安定してかつ一定に保つことができる。従って、テーブル自体の剛性はそれほど高くなくても良くなるので、テーブルを薄くすることができ、その分軽量化が可能である。
この場合において、前記流体静圧軸受は、その軸受面が前記テーブルの前記基板が載置される面とは反対側の面上の前記投影領域に対応する領域を取り囲む、単一の軸受であることとすることができる。
この場合において、前記流体静圧軸受の前記軸受面には、複数の環状の溝が多重に形成され、前記複数の溝は、流体供給溝と流体排出溝とを少なくとも各1つ含むこととすることができる。
この場合において、前記複数の溝は、流体供給溝と、該流体供給溝の内外にそれぞれ形成された少なくとも各1つの流体排出溝とを含むこととすることができる。
本発明の第1の露光装置では、上記流体静圧軸受を備える場合、前記流体は、液体であることとすることができる。すなわち、流体静圧軸受として、液体静圧軸受を用いることができる。かかる場合には、テーブルと該テーブル上の基板とが、非圧縮流体である液体によって上下から狭持されることとなるので、テーブルと該テーブル上の基板とを、より安定して狭持することが可能となる。この場合、上下の軸受がともに高剛性なので、それぞれの軸受面と基板又はテーブルとの間隔が、一層安定して一定に維持される。
本発明の第1の露光装置では、前記軸受面と前記基板の表面との隙間は、0より大きく10μm程度以下に維持されることとすることができる。
本発明の第1の露光装置では、前記テーブルの前記2次元面内の位置情報を検出する位置検出系を更に備えることとすることができる。
本発明は、第2の観点からすると、投影光学系と基板との間に液体を供給し、エネルギビームによりパターンを照明し、前記パターンを投影光学系及び液体を介して前記基板上に転写する露光装置であって、基板の載置領域が形成され、該載置領域の周囲の領域の表面が前記載置領域に載置された基板の表面とほぼ面一となるように設定され、前記液体が供給される前記投影光学系直下の位置を含む第1領域と該第1領域の一軸方向の一側に位置する第2領域とを含む所定範囲の領域内で移動可能な第1テーブルと;表面がほぼ面一となるように設定され、前記第1領域と前記第2領域とを含む領域内で前記第1テーブルとは独立して移動可能な第2テーブルと;前記第1、第2テーブルを駆動するとともに、一方のテーブルが前記第1領域に位置する第1の状態から他方のテーブルが前記第1領域に位置する第2の状態に遷移させる際に、両テーブルが前記一軸方向に関して近接又は接触した状態を維持して両テーブルを同時に前記一軸方向の前記第2領域側から第1領域側へ向かう方向に駆動するステージ駆動系と;を備える第2の露光装置である。
これによれば、ステージ駆動系により、液体が供給される投影光学系直下の位置を含む第1領域に一方のテーブルが位置する第1の状態から他方のテーブルを前記第1領域に位置する第2の状態に遷移させる際に、両テーブルが一軸方向に関して近接又は接触した状態を維持して両テーブルが同時に一軸方向の第2領域側から第1領域側へ向かう方向に駆動される。このため、投影光学系直下には、常にいずれかのテーブルが存在し、そのテーブル(基板又はその基板が載置された領域の周囲の領域)と投影光学系との間に液浸領域が形成された状態が維持され、投影光学系と前記テーブルとの間に液体を保持することができ、その液体の流出を防止することが可能となる。
また、リソグラフィ工程において、本発明の第1、第2の露光装置のいずれかを用いて露光を行うことにより、基板上にパターンを精度良く形成することができ、これにより、より高集積度のマイクロデバイスを歩留まり良く製造することができる。従って、本発明は、更に別の観点からすると、本発明の第1、第2の露光装置のいずれかを用いるデバイス製造方法であるとも言える。
本発明の第1の実施形態の露光装置の構成を概略的に示す図である。 駆動装置の構成をウエハテーブルTBとともに示す斜視図である。 図2の駆動装置のXZ断面を、水圧パッドに対する給排水のための配管系とともに概略的に示す図である。 水圧パッド32の底面図である。 水圧パッド32、34によるウエハテーブルが支持される際の、それらの水圧パッド近傍の水の流れを示す図である。 第1の実施形態の露光装置の制御系の構成を一部省略して示すブロック図である。 位置検出系として干渉計を用いる場合のウエハテーブルの構成を示す図である。 変形例を説明するための図である。 第2の実施形態の露光装置を構成するウエハステージ装置の構成を示す平面図である。 第2の実施形態におけるウエハテーブルの交換の際の動作を説明するための図である。 水圧パッドの変形例を説明するための図である。 図11(A)の水圧パッドに用いて好適な給水管(又は排気管)を示す図である。 本発明に係るデバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。 図12のステップ204の具体例を示すフローチャートである。
《第1の実施形態》
以下、本発明の第1の実施形態について、図1〜図6に基づいて説明する。
図1には、第1の実施形態に係る露光装置100の概略構成が示されている。この露光装置100は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ)である。この露光装置100は、照明系10、マスクとしてのレチクルRを保持するレチクルステージRST、光学ユニットPU、基板としてのウエハWが搭載されるテーブルとしてのウエハテーブルTB、及び装置全体を統括制御する主制御装置20等を備えている。
前記照明系10は、例えば特開2001−313250号公報及びこれに対応する米国特許出願公開第2003/0025890号などに開示されるように、光源、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、ビームスプリッタ、リレーレンズ、可変NDフィルタ、レチクルブラインド等(いずれも不図示)を含んで構成されている。この他、例えば特開平6−349701号公報及びこれに対応する米国特許第5,534,970号などに開示されるような照明系と同様に照明系10を構成しても良い。
この照明系10では、回路パターン等が描かれたレチクルR上のレチクルブラインドで規定されたスリット状の照明領域部分をエネルギビームとしての照明光(露光光)ILによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ILとしては、一例としてArFエキシ
マレーザ光(波長193nm)が用いられている。なお、照明光ILとして、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などの遠紫外光、あるいは超高圧水銀ランプからの紫外域の輝線(g線、i線等)を用いることも可能である。また、オプティカルインテグレータとしては、フライアイレンズ、ロッドインテグレータ(内面反射型インテグレータ)あるいは回折光学素子などを用いることができる。本国際出願で指定した指定国(又は選択した選択国)の国内法令が許す限りにおいて、上記各公開公報及びこれらに対応する米国特許又は米国特許出願公開公報における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
前記レチクルステージRST上には、レチクルRが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージRSTは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動部11(図1では図示せず図6参照)によって、照明系10の光軸(後述する光学系の光軸AXに一致)に垂直なXY平面内で微少駆動可能であるとともに、所定の走査方向(ここでは図1における紙面内左右方向であるY軸方向とする)に指定された走査速度で駆動可能となっている。
レチクルステージRSTのXY面内の位置は、レチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)16によって、移動鏡15を介して、例えば0.5〜1nm程度の分解能で常時検出される。ここで、実際には、レチクルステージRST上にはY軸方向に直交する反射面を有する移動鏡とX軸方向に直交する反射面を有する移動鏡とが設けられ、これらの移動鏡に対応してレチクルY干渉計とレチクルX干渉計とが設けられているが、図1ではこれらが代表的に移動鏡15、レチクル干渉計16として示されている。なお、例えば、レチクルステージRSTの端面を鏡面加工して反射面(移動鏡15の反射面に相当)を形成しても良い。また、レチクルステージRSTの走査方向(本実施形態ではY軸方向)の位置検出に用いられるX軸方向に伸びた反射面の代わりに、少なくとも1つのコーナーキューブ型ミラー(例えばレトロリフレクタ)を用いても良い。ここで、レチクルY干渉計とレチクルX干渉計の一方、例えばレチクルY干渉計は、測長軸を2軸有する2軸干渉計であり、このレチクルY干渉計の計測値に基づきレチクルステージRSTのY位置に加え、θz(Z軸回りの回転)も計測できるようになっている。
レチクル干渉計16からのレチクルステージRSTの位置情報は主制御装置20に供給される。主制御装置20では、レチクルステージRSTの位置情報に基づいてレチクルステージ駆動部11(図6参照)を介してレチクルステージRSTを駆動制御する。
前記光学ユニットPUは、レチクルステージRSTの図1における下方に配置されている。光学ユニットPUは、鏡筒40と、該鏡筒内に所定の位置関係で保持された複数の光学素子、具体的にはZ軸方向の共通の光軸AXを有する複数のレンズ(レンズエレメント)から成る光学系42とを備えている。また、本実施形態では、鏡筒40の下端(光学系42を構成する最も像面側(ウエハW側)の光学素子(光学部材)を保持する鏡筒40部分の先端)に液体静圧軸受としての水圧パッド32が一体的に取り付けられ、該水圧パッド32の中央部の開口の内部にソリッドイマージョンレンズ(以下、「SIL」と略述する)22が配置されている(図3参照)。このSIL22は、平凸レンズから成り、その平面(以下、便宜上「下面」と呼ぶ)を下方に向け、その下面が水圧パッド32の軸受面とほぼ同一面とされている。SIL22は、屈折率nSILが2〜2.5程度の素材によって形成されている。
本実施形態では、鏡筒40内部の光学系42とSIL22とによって、例えば両側テレセントリックで所定の投影倍率(例えば1/4倍又は1/5倍)の屈折光学系から成る投影光学系が実質的に構成されている。以下、この投影光学系を投影光学系PLと記述する。
この場合、照明系10からの照明光ILによってレチクルRの照明領域が照明されると、このレチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PLを介してその照明領域内のレチクルRの回路パターンの縮小像(回路パターンの一部の縮小像)が表面にレジスト(感光剤)が塗布されたウエハW上の前記照明領域に共役な照明光の照射領域(以下、「露光領域」とも呼ぶ)に形成される。
また、図示は省略されているが、光学系42を構成する複数のレンズのうち、特定の複数のレンズは、主制御装置20からの指令に基づいて、結像特性補正コントローラ81によって制御され、投影光学系PLの光学特性(結像特性を含む)、例えば倍率、ディストーション、コマ収差、及び像面湾曲(像面傾斜を含む)などを調整できるようになっている。
なお、上記の水圧パッド32及びこれに接続された配管系の構成等については後に詳述する。
前記ウエハテーブルTBは、矩形板状部材から成り、その表面には、中央に円形開口(図2参照)が形成された補助プレート24が固着されている。ここで、図2に示されるように、補助プレート24とウエハWとの間には、隙間Dが存在するが、隙間Dの寸法は、3mm以下になるように設定されている。また、ウエハWには、その一部にノッチ(V字状の切欠き)が存在するが、このノッチの寸法は、隙間Dより更に小さく1mm程度であるから、図示は省略している。
また、補助プレート24には、その一部に円形開口が形成され、その開口内に、基準マーク板FMが隙間がないように嵌め込まれている。基準マーク板FMはその表面が、補助プレート24と同一面とされている。基準マーク板FMの表面には、後述するレチクルアライメントや後述するアライメント検出系ALGのベースライン計測などに用いられる各種の基準マーク(いずれも不図示)が形成されている。
ここで、実際には、補助プレート24とウエハテーブルTBとの間には、図3に示されるように、弾性体25が組み込まれている。この場合、補助プレート24の上方に水圧パッド32が位置しない状態では、補助プレート24の上面がウエハ上面より常に低くなるように設定されている。そして、補助プレート24の上方に水圧パッド32が位置する状態では、水圧パッド32の陽圧と負圧とのバランスにより、補助プレート24の上面がウエハW上面と一致する高さまで上昇するようになっている。これにより、水圧パッド32とそれに対向する補助プレート24の上面とのギャップが一定に保たれるので、圧力が一定に保たれるとともに、水の漏れ量をほとんど0にすることができる。
ウエハテーブルTBは、走査方向(Y軸方向)の移動のみならず、ウエハW上の複数のショット領域を前記照明領域と共役な露光領域に位置させることができるように、走査方向に直交する非走査方向(X軸方向)にも後述する駆動装置により、移動可能に構成されている。これにより、ウエハW上の各ショット領域を走査(スキャン)露光する動作と、次ショットの露光のための加速開始位置(走査開始位置)まで移動する動作(区画領域間移動動作)とを繰り返すステップ・アンド・スキャン動作を行うことができるようになっている。
また、ウエハテーブルTBの下面(裏面)側には、図1に示されるように、前述の水圧パッド32に対向して、流体静圧軸受としての水圧パッド34が配置されており、この水圧パッド34は、固定部材36の上面に固定されている。この場合、ウエハテーブルTBと該ウエハテーブルTB上のウエハWとが、水圧パッド32と水圧パッド34とによって、上下から非接触で狭持されている。なお、この水圧パッド34及びこれに接続された配
管系の構成等については後述する。
また、ウエハテーブルTBのXY平面内での位置(Z軸回りの回転(θz回転)を含む)は、エンコーダ96によって計測されているが、この点についても後述する。
次に、ウエハテーブルTBを駆動する駆動装置について、図2及び図3に基づいて説明する。図2には、駆動装置50の構成がウエハテーブルTB等とともに、斜視図にて示され、図3には、この駆動装置50のXZ断面が、前述の水圧パッド32、34に対する給排水のための配管系とともに、概略的に示されている。
駆動装置50は、ウエハテーブルTBを移動可能に下方から支持するステージ52(図2参照)と、ウエハテーブルTBをステージ52に対して走査方向であるY軸方向に駆動するとともに、非走査方向(X軸方向)に微小駆動する第1駆動機構と、ステージ52と一体的にウエハテーブルTBをX軸方向に駆動する第2駆動機構と、を備えている。
前記ステージ52は、矩形枠状の部材から成り(図3参照)、その底面のY軸方向の一側と他側には、図2に示されるように、例えばX軸方向に所定間隔で配置された複数の永久磁石を有する磁極ユニットから成る一対のX可動子54A、54Bが設けられている。これらのX可動子54A、54Bとともに、それぞれX軸リニアモータ58A,58Bを構成する電機子ユニットから成るX固定子56A、56Bが、X軸方向にそれぞれ延設されている。X固定子56A、56Bは、同一のXY面内でY軸方向に所定間隔を隔てて配設され、それぞれ不図示の支持部材によって支持されている。X固定子56A、56Bは、X可動子54A、54Bがその内部に挿入可能な断面U字状の形状を有し、X可動子54A、54Bが対向する少なくとも一面には、X軸方向に所定間隔で配置された複数の電機子コイルを有している。
このようにして構成される、X軸リニアモータ58A,58Bによって、ステージ52と一体的にウエハテーブルTBがX軸方向に駆動される。すなわち、X軸リニアモータ58A,58Bによって、第2駆動機構の少なくとも一部が構成されている。
前記ウエハテーブルTBは、図3に示されるように、その底面のX軸方向の一側と他側の端部近傍にそれぞれ設けられた複数のエアベアリング48を介して、ステージ52の上面の上方に数μm程度のクリアランスを介して浮上支持されている。
ウエハテーブルTBのX軸方向の一側と他側の端面のY軸方向のほぼ中央の位置には、図2に示されるように、例えばY軸方向に所定間隔で配置された複数の永久磁石を有する磁極ユニットから成る一対のY可動子60A,60Bがそれぞれ設けられている。これらのY可動子60A,60Bとともに、Y軸リニアモータ64A,64Bをそれぞれ構成するY固定子62A,62Bが、ステージ52上面のX軸方向の一側と他側の端部にY軸方向にそれぞれ延設されている。Y固定子62A,62Bのそれぞれは、例えばY軸方向に所定間隔で配置された複数の電機子コイルを有する電機子ユニットによって構成される。ウエハテーブルTBは、Y軸リニアモータ64A,64BによってY軸方向に駆動される。また、Y軸リニアモータ64A,64Bが発生する駆動力を僅かに異ならせることにより、ウエハテーブルTBをZ軸回りに回転させることも可能である。
さらに、ウエハテーブルTBのX軸方向一側(−X側)の端面には、Y可動子60Bの+Y側、−Y側に、前記Y固定子62Bとともに、それぞれボイスコイルモータを構成するU字状の永久磁石66A,66Bが設けられている。これらのボイスコイルモータは、ウエハテーブルTBをX軸方向に微小駆動する。以下においては、これらのボイスコイルモータを、その可動子である永久磁石と同一の符号を用いて、ボイルコイルモータ66A
,66Bとも呼ぶ。
これまでの説明からわかるように、Y軸リニアモータ64A,64B及びボイスコイルモータ66A,66Bによって、第1駆動機構の少なくとも一部が構成されている。
図1に戻り、光学ユニットPUの鏡筒40の側面には、オフアクシス(off−axis)方式のアライメント検出系ALGが設けられている。このアライメント検出系ALGとしては、例えば、ウエハ上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標の像とを撮像素子(CCD)等を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のFIA(Field Image Alignment)系のアライメントセンサが用いられている。このアライメント検出系ALGの出力に基づき、基準マーク板FM上の基準マーク及びウエハ上のアライメントマークのX、Y2次元方向の位置計測を行なうことが可能である。
次に、水圧パッド32、34及びこれらに接続された配管系について、図3、及び図4に基づいて説明する。
光学ユニットPUの鏡筒40の像面側の端部(下端部)には、図3に示されるように、下方に行くにつれてその直径が小さくなるテーパ部40aが形成されている。この場合、テーパ部40aの内部に光学系42を構成する最も像面側のレンズ(不図示)、すなわち投影光学系PLを構成する像面に2番目に近いレンズが配置されている。
鏡筒40の下方に取り付けられた水圧パッド32は、一例として、外径が60mm、内径が35mm程度で、高さが20mm〜50mm程度の厚肉の円筒状(ドーナツ状)の形状を有するものが用いられている。この水圧パッド32は、その軸受面(底面)が、XY平面に平行になる状態で、鏡筒40の下端面に軸受面と反対側の面(上面)が固着されている。この結果、本実施形態では、投影光学系PLの光軸AX方向に関し、水圧パッド32と投影光学系PLとの位置関係が一定に維持されるようになっている。
水圧パッド32の軸受面(底面)には、図3及び水圧パッド32の底面図である図4を総合するとわかるように、液体排出溝(及び溝)としての円環状の排水溝68、液体供給溝(及び溝)としての円環状の給水溝70、及び液体排出溝(及び溝)としての円環状の排水溝72が、内側から外側に順次、かつ同心円状に形成されている。なお、図3においては、これらの3つの溝68,70,72の内、中央の給水溝70の溝幅が残りの二つの溝の溝幅の約2倍程度とされているが、溝70と溝72の面積比は、各陽圧、負圧による力が丁度つりあうように決定される。
排水溝72の内部底面(図3の内部上面)には、上下方向に貫通する貫通孔74が、ほぼ等間隔で複数形成され、各貫通孔74に排水管76の一端がそれぞれ接続されている。
同様に、給水溝70の内部底面(図3の内部上面)には、上下方向に貫通する貫通孔78が、ほぼ等間隔で複数形成され、各貫通孔78に給水管80の一端がそれぞれ接続されている。
同様に、排水溝68の内部底面(図3の内部上面)には、上下方向に貫通する貫通孔82が、ほぼ等間隔で複数形成され、各貫通孔82に排水管84の一端がそれぞれ接続されている。
上記各給水管80の他端は、バルブ86aをそれぞれ介して、液体供給装置88にその
一端が接続された供給管路90の他端にそれぞれ接続されている。液体供給装置88は、液体のタンク、加圧ポンプ、温度制御装置等を含んで構成され、主制御装置20によって制御される。この場合、対応するバルブ86aが開状態のとき、液体供給装置88が作動されると、例えば露光装置100(の本体)が収納されているチャンバ(図示省略)内の温度と同程度の温度に温度制御装置によって温調された液浸用の所定の液体が、供給管路90、給水管80及び貫通孔78を順次介して、水圧パッド32の給水溝70内部に供給される。なお、以下では、各給水管80に設けられたバルブ86aを纏めて、バルブ群86aとも記述する(図6参照)。
上記の液体としては、ここでは、ArFエキシマレーザ光(193.3nmの光)が透過する超純水(以下、特に必要な場合を除いて、単に「水」と記述する)を用いるものとする。超純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できると共に、ウエハ上のフォトレジストや光学レンズ等に対する悪影響がない利点がある。また、超純水は環境に対する悪影響がないと共に、不純物の含有量が極めて低いため、ウエハの表面、及びSIL22の表面を洗浄する作用も期待できる。
前記各排水管76の他端は、バルブ86bをそれぞれ介して、液体回収装置92にその一端が接続された排水路94の他端にそれぞれ接続されている。液体回収装置92は、液体のタンク及び真空ポンプ(又は吸引ポンプ)等を含んで構成され、主制御装置20によって制御される。この場合、対応するバルブ86bが開状態のとき、水圧パッド32の軸受面とウエハW表面との間の、排水溝72近傍に存在する水が排水管76を介して液体回収装置92によって回収される。なお、以下では、各排水管76に設けられたバルブ86bを纏めて、バルブ群86bとも記述するものとする(図6参照)。
また、前記各排水管84の他端は、不図示の水槽の内部空間に引き込まれ、その水槽の内部空間は、大気中に開放されている。
前記水圧パッド34は、上記水圧パッド32と同様に、外径が60mm、内径が35mm程度で、高さが20mm〜50mm程度の厚肉の円筒状(ドーナツ状)の形状を有するものが用いられている。この水圧パッド34は、その軸受面(上面)が、XY平面に平行になる状態で、固定部材36の上面に固定されている。
前記ウエハテーブルTBの裏面には、XY2次元スケール(不図示)が形成され、このXY2次元スケールを読み取り可能な光学式(又は磁気式)のエンコーダ96が、水圧パッド34の中央の開口の内部に設けられている。従って、ウエハテーブルTBの一部が、エンコーダ96に対向する状態では、エンコーダ96によってウエハテーブルTBのXY面内の位置情報を所定の分解能、例えば0.2nmで計測することができる。このエンコーダ96の計測値が、主制御装置20に供給されている(図6参照)。ウエハテーブルTBは上下の水圧パッド32,34に剛に押えられているため、水圧パッド32,34で挟まれたウエハテーブルTBの部分のたわみがなく、エンコーダ96の計測値に含まれるウエハテーブルTBのたわみに起因するサイン誤差は極めて小さくなる。
水圧パッド34の軸受面には、前述の水圧パッド32と全く同様の配置形状で1つの流体供給溝(及び溝)としての給水溝102と、その外側及び内側の流体排出溝(及び溝)としての排水溝104,106とが形成されている。これらの溝102,104,106には、前述と同様に、水圧パッド34の底面に連通する複数の貫通孔がそれぞれ形成されている。給水溝102は、複数の貫通孔のそれぞれを介して複数の給水管108それぞれの一端が接続され、各給水管108の他端は、バルブ86c及び不図示の給水路を介して液体供給装置114(図3では図示せず、図6参照)に接続されている。この液体供給装置114は、前述の液体供給装置88と同様に構成されている。
外側の排水溝104は、複数の貫通孔のそれぞれを介して複数の排水管110それぞれの一端が接続され、各排水管110の他端は、バルブ86d及び不図示の回収路を介して液体回収装置116(図3では図示せず、図6参照)に接続されている。液体回収装置116は、前述の液体回収装置92と同様に構成されている。
内側の排水溝106は、上記と同様に、複数の貫通孔のそれぞれを介して複数の排水管112それぞれの一端が接続され、各排水管112の他端は、バルブ86e及び不図示の回収路を介して液体回収装置116に接続されている。すなわち、水圧パッド34では、内側の排水溝106は、大気解放状態とはなっていない。
以下の説明では、複数の給水管108の他端にそれぞれ設けられたバルブ86cを、まとめてバルブ群86cとも記述する(図6参照)。同様に、複数の配水管110、112の他端にそれぞれ設けられたバルブ86d、86eを、それぞれまとめてバルブ群86d、86eとも記述する(図6参照)。
なお、上記各バルブとしては、開閉の他、その開度の調整が可能な調整弁(例えば流量制御弁)などが用いられている。これらのバルブは、主制御装置20によって制御される(図6参照)。
図6には、露光装置100の制御系の構成が一部省略してブロック図にて示されている。この制御系は、ワークステーション(又はマイクロコンピュータ)などから成る主制御装置20を中心として構成されている。
ここで、本実施形態の露光装置100における、水圧パッド32、34によるウエハテーブルTBの支持について、主制御装置20の動作を含めて、図3、図5及び図6等を参照して説明する。
まず、ウエハテーブルTBが、静止状態にある、例えば、水圧パッド32、34によってウエハテーブルTBの支持が開始されるときの様子を説明する。
主制御装置20は、まず、バルブ群86aを所定の開度で開いた状態で、液体供給装置88から上側の水圧パッド32に対して給水を開始するとともに、バルブ群86bを所定の開度で開いた状態で、液体回収装置92の作動を開始させる。これにより、液体供給装置88から給水路90及び各給水管80を介して水圧パッド32の給水溝70内部に所定の圧力(陽圧)の水が送り込まれ、この送り込まれた水の一部が水圧パッド32の給水溝70内部及び水圧パッド32の軸受面とウエハWとの間を介して排水溝72、各貫通孔74、排水管76及び排水路94を介して液体回収装置92に回収される(図5参照)。
また、主制御装置20は、上述の水圧パッド32に対する給水の開始とほぼ同時に、バルブ群86cを所定の開度で開いた状態で、液体供給装置114から下側の水圧パッド34に対して給水を開始するとともに、バルブ群86d、86eをそれぞれ所定の開度で開いた状態で、液体回収装置116の作動を開始させる。これにより、液体供給装置114から給水路及び各給水管108を介して水圧パッド34の給水溝102内部に所定の圧力(陽圧)の水が送り込まれ、この送り込まれた水が水圧パッド34の給水溝102内部及び水圧パッド34の軸受面とウエハテーブルTBとの間の空間に行き渡った後、排水溝104,106及び各貫通孔、並びに配水管110,112を介して液体回収装置116に回収される(図5参照)。このとき、主制御装置20は、水圧パッド34に供給される水の量と、水圧パッド34の排水溝104,106を介して排出される水の量とが、ほぼ一致するようにバルブ群86d,86eの各バルブの開度、液体供給装置114からの供給
される水の圧力、液体回収装置116が各配水管110、112の内部に生じさせる負圧などを設定している。この結果、常に一定量の水が水圧パッド34とウエハテーブルTBとの間に満たされるようになっている。従って、水圧パッド34の軸受面とウエハテーブルTBの裏面との間の水の層の厚さが常に一定となり、高剛性でウエハテーブルTBが水圧パッド34によって支持される。このとき、水圧パッド34とウエハテーブルTBとの間の水の圧力は、上側の水圧パッド32に対する予圧力(与圧力)として作用する。すなわち、ウエハテーブルTBは、常に一定の力で下方から押圧されている。
このとき、主制御装置20は、水圧パッド32に対する給水量が、排水溝72から排水される量より僅かに多くなるように、バルブ群86a,86bの各バルブの開度、液体供給装置88から供給される水の圧力、液体回収装置92が各配水管76の内部に生じさせる負圧などを設定している。このため、水圧パッド32に供給され、排水溝72から排水されなかった残りの水は、水圧パッド32の軸受面とウエハWとの間の空間(SIL22下の空間を含む)を満たした後、排水溝68に形成された各貫通孔82,排水管84を介して外部に排水される。
ここで、排水溝68は、大気開放された受動的な排水溝となっているので、SIL22とウエハWとの間に存在する水は大気開放された状態になっている。従って、SIL22には、殆ど水圧がかからず、ストレス(応力)が発生しない。
この一方、給水溝70内部近傍の水は、高い圧力(陽圧)がかかっており、高い負荷容量と剛性を水圧パッド32に与えている。また、水圧パッド32とウエハW表面との間には、常時一定量の水が送り込まれ、この送り込まれた水のうちの一部の一定量の水が液体回収装置92によって常時回収されている。この結果、水圧パッド32の軸受面とウエハW表面との間の隙間(いわゆる軸受け隙間)が一定に維持されている。
従って、本実施形態では、ウエハテーブルTB及び該ウエハテーブルTB上に載置されたウエハWのSIL22の周辺領域部分は、水圧パッド32、34によって上下から狭持された状態で、かつ高い剛性で支持されている。
そして、ウエハテーブルTBが、所定方向、例えば図5中に矢印Cで示される方向に移動する際には、SIL22の下方に同図に矢印Fで示されるような水の流れが生じる。この矢印Fで示される流れは、非圧縮性の粘性流体であり、かつニュートンの粘性の法則が成り立つニュートン流体である水が、ウエハW表面とSIL22下面との相対変位によりせん断力を受けることに起因して生じる、層流クエット(Couette)流れである。
本実施形態の露光装置100では、ウエハテーブルTB及びウエハWが、水圧パッド32、34によって上述のようにして狭持され、かつ駆動されるとき、例えば後述するウエハテーブルTBのショット間ステッピング時及びスキャン露光時などには、その駆動方向に応じた向きの層流クエット流れが生じるので、SIL22下方の水が入れ替わるようになっている。
上述のようにして構成された本実施形態の露光装置100では、通常のスキャニング・ステッパと同様に、不図示のレチクルアライメント系、アライメント検出系ALG及び前述した基準マーク板FMなどを用いた、レチクルアライメント、アライメント検出系ALGのベースライン計測、並びにEGA(エンハンスト・グローバル・アライメント)等のウエハアライメントなどの所定の準備作業が行われる。なお、上記のレチクルアライメント、ベースライン計測等の準備作業については、例えば特開平7−176468号公報及びこれに対応する米国特許第5,646,413号に詳細に開示され、これに続くEGAについては、特開昭61−44429号公報及びこれに対応する米国特許第4,780,
617号等に詳細に開示されている。本国際出願で指定した指定国(又は選択した選択国)の国内法令が許す限りにおいて、上記各公報及びこれらに対応する上記米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
そして、ウエハアライメントが終了すると、主制御装置20により、前述した水圧パッド32、34に対する給水動作が開始され、前述のようにして、ウエハテーブルTB及び該ウエハテーブルTB上に載置されたウエハWが、水圧パッド32、34によって高剛性で狭持される。
次いで、主制御装置20によって、ウエハアライメントの結果に基づいて、ウエハW上の第1番目の区画領域としての第1ショット領域(ファーストショット)の露光のための加速開始位置に駆動装置50を介してウエハテーブルTBが移動される。
上記の加速開始位置へのウエハWの移動が終了すると、主制御装置20が、レチクルステージ駆動部11及び駆動装置50の第1駆動機構(Y軸リニアモータ64A,64B及びボイスコイルモータ66A,66B)を介してレチクルステージRSTとウエハテーブルTBとのY軸方向の相対走査を開始する。そして、レチクルステージRSTとウエハテーブルTBとが、それぞれの目標走査速度に達し、等速同期状態に達すると、照明系10からの照明光(紫外パルス光)ILによってレチクルRのパターン領域が照明され始め、走査露光が開始される。上記の相対走査は、主制御装置20が前述したエンコーダ96、並びにレチクル干渉計16の計測値をモニタしつつ、レチクルステージ駆動部11及び上記第1駆動機構を制御することにより行われる。
主制御装置20は、特に上記の走査露光時には、レチクルステージRSTのY軸方向の移動速度VrとウエハテーブルTBのY軸方向の移動速度Vwとが、投影光学系PLの投影倍率に応じた速度比に維持されるように同期制御を行う。
そして、レチクルRのパターン領域の異なる領域が紫外パルス光で逐次照明され、パターン領域全面に対する照明が完了することにより、ウエハW上のファーストショットの走査露光が終了する。これにより、レチクルRのパターンが投影光学系PLを介してファーストショットに縮小転写される。
このようにして、ウエハW上のファーストショットに対する走査露光が終了すると、主制御装置20により、駆動装置50の第2駆動機構(X軸リニアモータ58A,58B)を介してウエハテーブルTBが例えばX軸方向にステップ移動され、ウエハW上のセカンドショット(第2番目の区画領域としてのショット領域)の露光のための加速開始位置に移動される。次に、主制御装置20の管理の下、ウエハW上のセカンドショットに対して前述と同様の走査露光が行われる。
このようにして、ウエハW上のショット領域の走査露光とショット領域間のステッピング動作とが繰り返し行われ、ウエハW上の複数の区画領域としてのショット領域にレチクルRの回路パターンが順次転写される。
ここで、上記のウエハテーブルTBのショット間ステッピング時及びスキャン露光時などには、ウエハテーブルTBのその駆動方向に応じた向きの前述した層流クエット流れが生じるので、SIL22下方の水が常時入れ替わる。従って、露光装置100では、新鮮で温度の安定した水を常に用いて液浸露光が行われるようになっている。
また、例えば、ウエハW上の周辺ショット領域を露光する場合などには、水圧パッド32の軸受面の少なくとも一部が、ウエハWから外れることがあるが、ウエハテーブルTB
上には、ウエハWの周辺に前述の補助プレート24が設けられているので、水圧パッド32の軸受面の全域が、ウエハW又は補助プレートのいずれかに対向した状態が維持される。この場合、前述のように、補助プレート24の上方に水圧パッド32が位置する状態では、水圧パッド32の陽圧と負圧とのバランスにより、補助プレート24の上面がウエハW上面と一致する高さまで上昇するようになっていることから、水圧パッド32に供給された水を、水圧パッド32と補助プレート24又はウエハWとで狭持することができるので、水の漏出を防ぐことができる。
これまでの説明から明らかなように、本実施形態では、水圧パッド32、液体供給装置88、液体回収装置92及びこれらに接続された給排水系(具体的には、排水管76、給水管80、排水管84、バルブ群86a、86b、供給管路90及び排水路94)によって、液体軸受装置が構成されている。
以上詳細に説明したように、本実施形態の露光装置100によると、上記の液体静圧軸受装置によって、水圧パッド32の軸受面とウエハテーブルTB上に載置されたウエハWの表面との投影光学系PLの光軸AX方向(Z軸方向)に関する間隔が、所定寸法(例えば10μm程度)に維持される。また、ウエハテーブルTBの裏面側には、水圧パッド32に対向して流体静圧軸受としての水圧パッド34が配置され、該水圧パッド34によってウエハテーブルTBの裏面に対向する軸受面とウエハテーブルとの間に水を供給して該水の静圧によりその軸受面とウエハテーブルTBの裏面との隙間が維持されている。この結果、ウエハテーブルTBと該ウエハテーブルTB上のウエハWとが、水圧パッド32と水圧パッド34とによって、上下から狭持される。この場合、水圧パッド32、34それぞれの軸受面とウエハW又はウエハテーブルTBとの間隔を、例えば10μm程度以下に安定してかつ一定に保つことができる。水圧パッドなどの液体静圧軸受は、気体静圧軸受とは異なり、軸受面と支持対象物(ウエハW又はウエハテーブルTB)との間の非圧縮性流体である水(液体)の静圧を利用するので、軸受の剛性が高く、軸受面と支持対象物との間隔を、安定してかつ一定に保つことができる。また、水(液体)は気体(例えば空気)に比べて、粘性が高く、液体は振動減衰性が気体に比べて良好である。この結果、ウエハテーブルTB及びウエハWは、その移動時に少なくとも露光領域及びその近傍の部分では、Z軸方向(光軸AX方向)の位置ずれが生じないようになっている。
従って、本実施形態の露光装置100によると、フォーカスセンサなどの焦点位置検出系を特に設けなくても、ウエハテーブルTBの移動に起因するデフォーカスの発生をほぼ確実に防止した状態で、レチクルRのパターンをウエハW上の複数のショット領域に転写することが可能となる。
また、本実施形態の露光装置100では、ウエハテーブルTB及びウエハWが、ウエハW上へのパターンの投影領域(露光領域)が含まれるSIL22の周囲の帯状の領域(水圧パッド32,34の軸受面に対応する領域)部分で、水圧パッド32、34によって高剛性で狭持されるので、ウエハテーブルTB自体の剛性はそれほど高くなくても良くなる。この結果、ウエハテーブルTBを薄くすることができ、その分ウエハテーブルTBの軽量化、ひいてはその位置制御性の向上が可能である。例えば、ウエハテーブルTBの厚さを、従来の1/4程度以下に設定することも可能である。すなわち、ウエハテーブルTBの厚さは、10mm程度以下に設定することができる。
また、本実施形態の露光装置100では、投影光学系PLの最も像面側の光学部材であるSIL22の下面とウエハW表面との間に、空気に比べて屈折率が高い水(高屈折率流体)が常に存在する状態で、レチクルRのパターン領域、投影光学系PL及び水を介して照明光ILによりウエハWが露光される。すなわち、液浸露光が行われ、ウエハW表面における照明光ILの波長を空気中における波長の1/n倍(nは液体の屈折率、水の場合
nは1.4)に短波長化でき、更に実効的な焦点深度は空気中に比べて約n倍に広がる。従って、解像度の高い露光が可能になる。なお、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できれば良い場合には、投影光学系PLの開口数(NA)をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。
また、実効的な焦点深度が空気中に比べて約n倍に広がることは、デフォーカスの発生を抑制できるという効果もある。
また、本実施形態の露光装置100では、走査露光中などには、前述の如く、水圧パッド32に供給される水は、常時入れ替えられているので、ウエハW上に異物が付着している場合には、その異物が水の流れにより除去される。
また、本実施形態の露光装置100によると、ウエハWの周辺部のショット領域を露光する際、あるいは露光終了後にウエハテーブルTB上のウエハを交換する際などに、投影光学系PL(SIL22)とウエハWとの間に水を保持した状態で、投影光学系PLがウエハWから外れる位置にウエハテーブルTBが移動した場合でも、投影光学系PLと補助プレート24との間に水を保持することができ、その水の流出を防止することが可能となる。これにより、水の流出に起因する種々の不都合の発生を回避することができる。また、補助プレート24とウエハWとの隙間は3mm以下に設定されているので、ウエハWが投影光学系PLの下方にある状態からウエハWが投影光学系PLから外れる位置にウエハテーブルTBが移動する場合などに、その移動の途中でウエハWと補助プレート24との間の隙間に水が流出するのが、その水の表面張力により防止される。
従って、本実施形態の露光装置100によると、上述したような種々の効果により、レチクルRのパターンをウエハW上の複数のショット領域のそれぞれに極めて精度良く転写することが可能になる。また、空気中に比べて広い焦点深度での露光を行うことも可能になる。
また、本実施形態の露光装置100では、投影光学系PLの最も像面側の光学部材であるSIL22の下面が、水圧パッド32の軸受面とほぼ一致しているので、SIL22とウエハW表面との間隔は、水圧パッド32の軸受面とウエハWとの間隔である、10μm程度となり、液浸露光用に供給する液体(水)の使用量が少なくなるとともに、液浸露光の終了後に水の回収を速やかに行うことができ、これにより、その回収後のウエハWの乾燥が容易となる。
また、水の層の厚みが極めて小さいので、その水による照明光ILの吸収が小さく、更には、水の温度分布の不均一性に起因する光学収差を抑制することができる。
なお、上記実施形態では、ウエハテーブルTB及びウエハWを、上下から水圧パッド32、34によって高剛性で狭持する場合について説明したが、特にウエハテーブルTB下方の水圧パッド34は、主として、上側の水圧パッド32に対し、一定の予圧(与圧)を付与することを目的とするので、ウエハテーブルTBの裏面に対し、一定の上向きの力を付与できるのであれば、必ずしも設けなくても良い。あるいは、水圧パッド34に代えて、他の種類の流体軸受、例えば加圧気体の静圧を利用する気体静圧軸受のうち、軸受剛性の高い種類、例えば真空予圧型のエアベアリング等を用いることも可能である。
また、上記実施形態では、水圧パッド32に供給された水の一部を液浸露光用の水として用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではなく、水圧パッド32に対する水の供給経路とは、全く独立の供給経路を介して液浸露光用の液体を投影光学系PLとウエハWとの間の空間に供給するようにしても構わない。
さらに、上記実施形態では、本発明が液浸露光を行う露光装置に適用された場合について説明したが、水圧パッドなどの液体静圧軸受を用いてウエハテーブルTBなどの移動体を支持する手法は、液浸露光を行わない露光装置にも好適に適用できる。かかる場合であっても、その液体静圧軸受によって、その軸受面と基板(ウエハ)の表面との投影光学系の光軸方向に関する間隔が、所定寸法(例えば10μm程度)に維持される。液体静圧軸受は、気体静圧軸受とは異なり、軸受面と支持対象物(基板)との間の非圧縮性流体である液体の静圧を利用するので、軸受の剛性が高く、軸受面と基板との間隔を、安定してかつ一定に保つことができる。また、液体(例えば純水)は気体(例えば空気)に比べて、粘性が高く、液体は振動減衰性が気体に比べて良好である。従って、本発明の露光装置によれば、焦点位置検出系などを必ずしも設けることなく、デフォーカスの殆どない基板上へのパターンの転写を実現することができる。
なお、上記実施形態では、ドーナツ状の水圧パッド32,34を、ウエハテーブルTB上のウエハWの上側(投影光学系PLの像面側)、ウエハテーブルTBの下側にそれぞれ設けた場合について説明したが、これに限らず、露光領域(レチクルパターンの投影領域)を取り囲む矩形(長方形)環状の軸受面を有する液体静圧軸受を、上記の水圧パッド32,34の少なくとも一方に代えて設けても良い。
また、水圧パッド32に代えて、複数の小型の水圧パッドを、露光領域(レチクルパターンの投影領域)を取り囲む状態で、投影光学系PLの下端部近傍に取り付けても良い。同様に、水圧パッド34に代えて、複数の小型の流体静圧軸受を、ウエハテーブルTBの裏面側の露光領域(レチクルパターンの投影領域)を取り囲む領域に対応する領域に対向して配置しても良い。あるいは、水圧パッド32に代えて設けられる1又は2以上の水圧パッドを投影光学系PLの像面側に投影光学系PLとの位置関係を維持した状態で配置しても良い。
なお、上記実施形態では、焦点位置検出系(フォーカスセンサ)を特に設けないものとしたが、フォーカスセンサが必要な場合には、少なくとも1つの計測点でウエハW表面との間の間隔を計測するギャップセンサを水圧パッド32に取り付け、そのギャップセンサの計測値に応じて水圧パッド32に接続された排気管76の内部に生じさせる負圧を、液体回収装置(又は主制御装置20)が調整することにより、ウエハW表面のZ軸方向の位置(フォーカス)を調整することとしても良い。この場合のギャップセンサとしては、水圧パッド32の一部にダイヤフラムを取り付け、そのダイヤフラムに作用する水の圧力と大気圧との差を計測し、その差を距離に換算する、圧力センサを用いることができる。あるいは静電容量センサなどを用いることもできる。また、例えば投影光学系PLの少なくとも一部の光学素子を介して、ウエハWに検出光を照射するとともに、その反射光を受光して、投影光学系PLとウエハWとの間隔を計測し、その計測値に応じて水圧パッド32とウエハW表面との間隔を調整するようにしても良い。
なお、上記実施形態では、ウエハテーブルTBの裏面に形成されたXY2次元スケールを、光学式(又は磁気式)のエンコーダ96を用いて読み取ることにより、ウエハテーブルTBのXY面内の位置情報を計測することとしたが、本発明がこれに限られるものではなく、レーザ干渉計を用いてウエハテーブルTBのXY面内の位置情報を計測することとしても良い。
この場合、ウエハテーブルTBのX軸方向一側の端面(例えば−X側端面)と、Y軸方向一側の端面(例えば−Y側端面)を鏡面加工する必要があるが、図2から分かるように−X側端面には、Y軸リニアモータ64AのY可動子60Aが設けられるので、図2の状態では、+X側端面のY軸方向全域にわたって鏡面加工をすることができないおそれがあ
る。この場合、図7に示されるように、一方のY可動子60Aと他方のY可動子60BのZ軸方向位置を互いにずらすことにより、ウエハテーブルTBの+X側端面をY軸方向全域にわたって鏡面加工することができる。ここで、Y可動子60A、60BをウエハテーブルTBの重心Gに対して点対称な位置に設けることにより、Y軸リニアモータ64A,64Bの推力をウエハテーブルTBの重心Gに作用させることが可能となる。
このようにして形成した反射面に対して、干渉計18(図7では、X軸方向の計測に用いられる干渉計のみを図示)からの測長ビームが照射され、干渉計18では、その反射光を受光することにより、ウエハテーブルTBのX軸方向およびY軸方向の位置を例えば0.5〜1nm程度の分解能で計測する。この場合、干渉計としては、測長軸を複数有する多軸干渉計を用いることができ、この干渉計によって、ウエハテーブルTBのX、Y位置の他、回転(ヨーイング(Z軸回りの回転であるθz回転)、ローリング(Y軸回りの回転であるθy回転)及びピッチング(X軸回りの回転であるθx回転))も計測可能とすることができる。
《変形例》
これまでの説明では、水圧パッド32が鏡筒40に固定され、投影光学系PLと水圧パッド32との位置関係が一定に維持されている場合について説明したが、これに限らず、例えば、投影光学系PLを構成する最も像面側の光学部材として、図8に示されるような上下に2分割された分割レンズ(Divided Lens)を用いることとしても良い
。この図8に示される分割レンズ150は、下側の半球状の第1部分レンズ152aと、その第1部分レンズの外表面(球面の一部)と同一の点を中心とする曲率半径が僅かに大きな曲率半径の球面をその内面(内表面)として有し、前記第1部分レンズ152aの中心とは異なる点を中心とする球面を外面(外表面)として有する第2部分レンズ152bとによって構成されている。この場合、第1部分レンズ152aは平凸レンズであり、第2部分レンズ152bは、凹メニスカスレンズである。
このようにして構成される分割レンズ150を、上記実施形態中のSIL22に代えて用いることができる。このとき、第2部分レンズ152bを、鏡筒40に一体的に取り付け、第1部分レンズ152aを、水圧パッド32にその軸受面と第1部分レンズ152aの下面とがほぼ同一面となるように保持させる。そして、第1部分レンズ152aの下方(ウエハWとの間)の空間のみならず、第1部分レンズ152aと第2部分レンズ152bとの間の隙間にも、液浸用の液体(水など)を満たすようにする。このような構成を採用すれば、第1部分レンズ152aに作用する水圧によりその第1部分レンズ152aに必要以上の負荷が掛かる場合に、第1部分レンズ152aが水圧パッド32とともに上下に動くことで、第1部分レンズ152aに余計な応力が生じるのを抑制することができ、その応力に起因にする光学性能の劣化を防止することができる。この場合、上記の第1部分レンズ152a及び水圧パッド32の上下動により、給水溝内の圧力(陽圧)と排水溝内の圧力(負圧)とが丁度つりあうように設定され、第1部分レンズ152a下方の水の層(水膜)の厚さが一定になるとともに、第1部分レンズ152aが上下に動くことで、光路が変化し、自動的にフォーカス位置が調整されるようになっている。
なお、本実施形態においては、分割レンズ150は、平凸レンズと凹メニスカスレンズに分割されているが、投影光学系PLの瞳面に近い上側の光学素子を平凸レンズとして、投影光学系PLの像面に近い下側の光学素子を無屈折力の平行平面板としても良い。この場合、その平行平面版の変動によって、投影光学系PLの像面などの結像特性が変化する場合には、投影光学系の一部のレンズの移動、レチクルの移動、露光光の波長の微調整の少なくとも一つを行って、その結像特性の変化を補償するようにしても良い。
上記第1の実施形態では、本発明が、ウエハテーブルTB及び該ウエハテーブルを支持
するステージ52を、各1つ備えた露光装置に適用された場合について説明したが、これに限らず、次の第2の実施形態のように、ウエハテーブルTB及びステージを複数、例えば2つ備えた露光装置に本発明を適用しても良い。
《第2の実施形態》
次に、図9及び図10に基づいて本発明の第2の実施形態の露光装置について説明する。図9には、第2の実施形態の露光装置を構成するウエハステージ装置300の構成が、平面図にて示されている。ここで、重複説明を避ける観点から、前述の第1の実施形態と同一の構成部分には、同一の符号を用いるとともに、その説明を省略するものとする。
本第2の実施形態の露光装置では、光学ユニットPUと、アライメント検出系ALGと同様のアライメント検出系ALG’とが、Y軸方向に所定距離離れて配置されている。そして、光学ユニットPUの下方に、前述の駆動装置50が配置され、この駆動装置50を構成するステージ52上に搭載されたウエハテーブルTB1上にウエハWが載置されている。また、アライメント検出系ALG’の下方には、XYステージ装置180が配置されている。このXYステージ装置180を構成するステージ171上にウエハテーブルTB2が搭載され、該ウエハテーブルTB2上にウエハWが載置されている。
XYステージ装置180は、前述したステージ52の外形と同形状の長方形部材から成るステージ171と、該ステージ171をX軸方向に駆動するX軸リニアモータ178と、該X軸リニアモータ178と一体的にステージ171を、Y軸方向に駆動する一対のY軸リニアモータ176A,176Bとを備えている。
前記Y軸リニアモータ176A,176Bは、駆動装置50を構成するX固定子56AのX軸方向の一端及び他端に近接して配置されそれぞれY軸方向に延びるY固定子(Y軸リニアガイド)172A,172Bと、これらY固定子172A,172Bそれぞれに個別に係合するY可動子(スライダ)174A,174Bとによって構成されている。すなわち、一方のY固定子172Aと一方のY可動子174Aとによって、相互間の電磁相互作用によってY可動子174AをY軸方向に駆動する駆動力を発生するYリニアモータ176Aが構成され、他方のY固定子172Bと他方のY可動子174Bとによって、相互間の電磁相互作用によってY可動子174BをY軸方向に駆動する駆動力を発生するYリニアモータ176Bが構成されている。
Y可動子174A,174Bは、前述のXリニアモータ178を構成するX軸方向に延びるX固定子(X軸リニアガイド)の一端と他端とにそれぞれ固定されている。このXリニアモータ178のX固定子に対応してステージ171にはX可動子が設けられており、そのX可動子とX固定子178とによって構成されるXリニアモータ178によってステージ171がX軸方向に駆動される。
この場合、Xリニアモータ178によって、ステージ171は、X軸方向に駆動されるとともに、一対のYリニアモータ176A,176Bによって、Xリニアモータ178と一体的にステージ171がY軸方向に駆動されるようになっている。
前記ステージ171上面のX軸方向の一側と他側の端部には、Y固定子162A,162Bが、Y軸方向にそれぞれ延設されている。
ウエハテーブルTB1、TB2は、前述したウエハテーブルTBと全く同様に構成されており、同様に、X軸方向の一側、他側の端部にY可動子60A及び永久磁石66A、66B、Y可動子60Bを、それぞれ備えている。
この図9のウエハステージ装置300では、ウエハテーブルTB1に設けられたY可動子60Aは、ステージ52上のY固定子62Aに係合した状態(図9の状態)で、Y固定子62Aとの間で電磁相互作用を行いY軸方向の駆動力を発生するのみならず、ステージ171上のY固定子162Aに係合した状態では、そのY固定子162Aとの間で電磁相互作用を行いY軸方向の駆動力を発生するようになっている。
同様に、ウエハテーブルTB2に設けられたY可動子60Aは、ステージ171上のY固定子162Aに係合した状態(図9の状態)で、Y固定子162Aとの間で電磁相互作用を行いY軸方向の駆動力を発生するのみならず、ステージ52上のY固定子62Aに係合した状態では、そのY固定子62Aとの間で電磁相互作用を行いY軸方向の駆動力を発生するようになっている。
同様に、ウエハテーブルTB1に設けられたY可動子60Bは、ステージ52上のY固定子62Bに係合した状態(図9の状態)で、Y固定子62Bとの間で電磁相互作用を行いY軸方向の駆動力を発生するのみならず、ステージ171上のY固定子162Bに係合した状態では、そのY固定子162Bとの間で電磁相互作用を行いY軸方向の駆動力を発生するようになっている。
同様に、ウエハテーブルTB2に設けられたY可動子60Bは、ステージ171上のY固定子162Bに係合した状態(図9の状態)で、Y固定子162Bとの間で電磁相互作用を行いY軸方向の駆動力を発生するのみならず、ステージ52上のY固定子62Bに係合した状態では、そのY固定子62Bとの間で電磁相互作用を行いY軸方向の駆動力を発生するようになっている。
また、ウエハテーブルTB1に設けられた永久磁石66A,66Bのそれぞれは、Y固定子62Bにそれぞれ係合した状態(図9の状態)で、ウエハテーブルTB1をステージ52上でX軸方向に微小駆動するボイスコイルモータを構成するとともに、Y固定子162Bにそれぞれ係合した状態では、ウエハテーブルTB1をステージ171上でX軸方向に微小駆動するボイスコイルモータを構成する。同様に、ウエハテーブルTB2に設けられた永久磁石66A,66Bのそれぞれは、Y固定子162Bにそれぞれ係合した状態(図9の状態)で、ウエハテーブルTB2をステージ171上でX軸方向に微小駆動するボイスコイルモータを構成するとともに、Y固定子62Bにそれぞれ係合した状態では、ウエハテーブルTB2をステージ52上でX軸方向に微小駆動するボイスコイルモータを構成する。
ウエハテーブルTB1,TB2のXY面内の位置は、レーザ干渉計その他の位置計測装置(不図示)によって計測され、その計測結果が、不図示の主制御装置に送られるようになっている。また、ウエハステージ装置300を構成する前述の各モータは、主制御装置によって制御されるようになっている。
その他の部分の構成は、前述した第1の実施形態の露光装置100と同様に構成されている。
このようにして構成された本第2の実施形態の露光装置では、主制御装置の管理の下、次のような処理シーケンスが行われることとすることができる。
すなわち、例えば一方のステージ171上にウエハWを保持したウエハテーブルTB2(又はTB1)を搭載し、そのウエハテーブルTB2(又はTB1)上のウエハWに形成されたアライメントマークの検出動作(例えばEGA方式のウエハアライメント計測動作)を、アライメント検出系ALG’の下方でウエハテーブルTB2(又はTB1)を2次
元駆動しつつ行うのと並行して、他方のステージ52上に搭載されたウエハテーブルTB1(又はTB2)に保持されたウエハWに対する前述のステップ・アンド・スキャン方式の露光動作を駆動装置50によりウエハテーブルTB1(又はTB2)を駆動しつつ行う。
そして、その並行動作の終了後、ステージ171をY軸リニアモータ176A,176Bを用いて、ステージ52に最接近する位置まで移動させるとともに、両ステージ171,52のX軸方向の位置が一致するように両ステージ171,52のX軸方向の位置関係を調整する。
次に、露光済みのウエハWを保持するウエハテーブルTB1(又はTB2)を、そのウエハテーブルに設けられたY可動子60A,60Bと、Y固定子62A,62Bとの電磁相互作用により−Y方向に駆動する。これと同時に、上記のマーク検出動作が終了したウエハWを保持するウエハテーブルTB2(又はTB1)を、そのウエハテーブルに設けられたY可動子60A,60Bと、Y固定子162A,162Bとの電磁相互作用により、他方のウエハテーブルと同速度で−Y方向に駆動する。これにより、両ウエハテーブルTB1,TB2が相互に最接近した位置関係を保ちながら、−Y方向に移動する。
そして、上記のウエハテーブルTB1,TB2の−Y方向への移動開始から所定時間経過すると、マーク検出動作が終了したウエハWを保持するウエハテーブルTB2(又はTB1)に設けられたY可動子60A,60Bが、Y固定子162A,162Bと、Y固定子62A,62Bとに同時に係合する状態となる。図10には、このときの状態が示されている。
図10の状態から、さらにウエハテーブルTB1,TB2が−Y方向に所定距離進むと、露光済みのウエハWを保持するウエハテーブルTB1(又はTB2)に設けられたY可動子60A,60Bが、Y固定子62A,62Bから完全に離脱する位置(離脱位置)に達する。上記の離脱位置にウエハテーブルTB1(又はTB2)が到達する直前に、不図示のロボットアームがそのウエハテーブルTB1(又はTB2)を受け取り、アライメント検出系ALG’近傍のウエハ交換位置に搬送する。
このとき、マーク検出動作が終了したウエハWを保持するウエハテーブルTB2(又はTB1)は、光学ユニットPUの下端に設けられた水圧パッド32の下方に達しており、その後、このウエハテーブルは、その全体がステージ52上に搭載される位置まで進む。これにより、ステージ52上では、ウエハテーブルの交換が終了する。
このように、本第2の実施形態では、露光済みのウエハWを保持したウエハテーブルのステージ52上での−Y方向への移動及びロボットアームに対する受け渡しと、マーク検出動作が終了したウエハWを保持するウエハテーブルのステージ171からステージ52への移動とが、並行して行われる結果、水圧パッド32の下方及び投影光学系PL直下、すなわち投影光学系PLを構成する最も像面側の光学部材(SIL22又は前述の第1分割レンズ151aなど)の下方には、常にいずれかのウエハテーブルが存在し、そのウエハテーブル上のウエハ又は補助プレート24との間に液浸領域が形成された状態が維持され、投影光学系PL、すなわち投影光学系PLを構成する最も像面側の光学部材とウエハ又は補助プレート24との間に液体(水)を保持することができ、その液体(水)の流出を防止することが可能となる。
また、本第2の実施形態では、一方のウエハテーブル上のウエハに対する露光動作と、他方のウエハテーブル上のウエハに対するマーク検出動作(及びウエハ交換動作)とが、並行して行われるので、ウエハ交換、マーク検出動作、及び露光がシーケンシャルに行わ
れる場合に比べてスループットの向上が可能である。ここで、ウエハテーブルを2以上備える場合には、一のウエハテーブル上で露光を行っている間に、他のウエハテーブル上でウエハを完全に乾燥させる時間を設けることとしても良い。このような場合には、スループットの最適化を図るため、3つのウエハテーブルを用意し、1つ目のウエハテーブルでは露光動作を行い、2つ目のウエハテーブルではアライメント動作を行い、3つ目のウエハテーブルでは露光後のウエハ乾燥及びウエハ交換動作を行うという並行処理シーケンスを実行することが望ましい。
なお、本第2の実施形態では、マーク検出動作(例えばEGA方式のウエハアライメント計測)の結果得られたウエハW上の複数のショット領域の位置情報(配列座標)は、基準マーク板FM上の基準マークを基準とする情報に換算しておくことが望ましい。このようにすると、そのアライメント計測が終了したウエハがステージ52上に移動した際に、不図示のレチクルアライメント系を用いてレチクル上のマークと基準マーク板FM上の基準マークとの相対位置を計測することで、仮にウエハテーブルの移動中に、連続的な位置情報の検出が困難な場合であっても、レチクルとウエハW上の各ショット領域の相対位置を所望の関係に高精度に調整することができる。
また、複数のテーブルを備えた露光装置として、例えば特開平10−163099号及び特開平10−214783号公報(対応米国特許第6,341,007号、第6,400,441号、第6,549,269号及び第6,590,634号)、特表2000−505958号公報(対応米国特許第5,969,441号)あるいは米国特許6,208,407号に開示されている露光装置にも本発明を適用することができる。
また複数のテーブルを備えた露光装置として、例えば特開平11−135400号公報(対応国際公開WO99/23692号公報)に開示されている露光装置にも本発明を適用することができる。
なお、本国際出願で指定した指定国(又は選択した選択国)の国内法令が許す限りにおいて、上記各公報及び各米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
なお、水圧パッド32の構成については、上記各実施形態で説明した構成に限らず、図11(A)に示される水圧パッド32’のような構成を採用することもできる。すなわち、前記排水溝68、給水溝70、排水溝72を隔壁にてほぼ等角度間隔で仕切ることとしても良い(以下、隔壁に囲まれた部分を「セル」と呼ぶものとし、排水溝68、72に形成されたセルを「排水用セル」、給水溝70に形成されたセルを「給水用セル」と呼ぶものとする)。
前記排水用セルの内部底面には、図11(A)の紙面直交方向(Z軸方向)に貫通する貫通孔74がそれぞれ形成され、給水溝70に形成された給水用セルの内部底面には、貫通孔78がそれぞれ形成され、排水溝68に形成された排水用セルの内部底面には、貫通孔82がそれぞれ形成されている。
このように、給水溝及び排水溝を隔壁で仕切り、セルを形成することで、ウエハのエッジ部分に給水パッド32がかかった際に、エッジ部分に対応するセルの圧力変化が生じる場合であっても、該圧力変化の影響がその他のセルに及ばないようにすることができる。
なお、貫通孔78,82,74に接続される給水管80、排水管84,76のそれぞれに、図11(B)に示されるような、絞り79を設けることとしても良い。この場合においても、絞り79により、一部のセルがウエハのエッジ部分にかかった際に、当該セルにおける圧力が変化しても、その圧力変化がその他のセルに与える影響を極力抑制すること
ができる。
また、下側の水圧パッド34に、図11(A)のような構成を採用しても良いし、図11(B)に示すような絞りを、水圧パッド34に接続された給水管や配水管に設けることとしても良い。
なお、上記各実施形態においては、投影光学系PLの最も像面側(ウエハW側)の光学素子として、ソリッドイマージョンレンズSILを採用しているが、ソリッドイマージョンレンズSILの替わりに石英や蛍石から形成されているレンズ素子を用いてもよいし、無屈折力の平行平面板を用いてもよい。
また上述の実施形態においては、補助プレート24とテーブルTB(TB1,TB2)との間に弾性体25が配置されているが、水圧パッド32とそれに対向する面(ウエハW表面、補助プレート24上面)とのギャップを一定に保つことができれば、弾性対25を省いてもよい。
なお、上記各実施形態では、液体として超純水(水)を用いるものとしたが、本発明がこれに限定されないことは勿論である。液体としては、化学的に安定で、照明光ILの透過率が高く安全な液体、例えばフッ素系不活性液体を使用しても良い。このフッ素系不活性液体としては、例えばフロリナート(米国スリーエム社の商品名)が使用できる。このフッ素系不活性液体は冷却効果の点でも優れている。また、液体として、照明光ILに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、また、投影光学系やウエハ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油等)を使用することもできる。
また、上記各実施形態では、水圧パッド(又はSIL22下方)に液体を供給する経路と、水圧パッドから液体を回収する経路とが別々である場合について説明したが、水圧パッド(又はSIL22下方)から回収された液体を再度水圧パッド(又はSIL22下方)に供給する循環経路と液体給排装置との組み合わせを採用しても良い。この場合は回収された液体から不純物を除去するフィルタをその循環経路のうち、回収側の一部に設けておくことが望ましい。
なお、上記各実施形態では、ウエハテーブルのウエハWが載置される領域の周囲に補助プレートが設けられるものとしたが、本発明の中には、露光装置は、補助プレートあるいはそれと同等の機能を有する平面板を必ずしもテーブル上に設けなくても良いものもある。但し、この場合には、供給される液体がウエハテーブル上から溢れないように、そのウエハテーブル上に液体を回収する配管を更に設けておくことが望ましい。
なお、上記各実施形態では、ウエハ表面に局所的な凹凸がある場合には、ウエハ表面(露光面)と像面とにずれが生じる可能性もある。従って、ウエハ表面に局所的な凹凸があることが予想される場合には、露光に先立って、ウエハ表面の凹凸情報を記憶しておき、露光中は、その凹凸情報に基づいて、投影光学系の一部のレンズの移動、レチクルの移動、露光光の波長の微調整の少なくとも一つを行って、像面の位置や形状の調整を行うようにすれば良い。
なお、上記各実施形態では、照明光ILとしてArFエキシマレーザ光又はKrFエキシマレーザ光などの遠紫外光、あるいは超高圧水銀ランプからの紫外域の輝線(g線、i線等)を用いるものとしたが、これに限らず、例えば、照明光ILとして、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(Er)(又はエルビウムとイッテルビウム(Yb)の両方)がドープ
されたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波(例えば、波長193nm)を用いても良い。
また、投影光学系PLは、屈折系に限らず、カタディオプトリック系(反射屈折系)であっても良い。また、その投影倍率も1/4倍、1/5倍などに限らず、1/10倍などであっても良い。
なお、上記各実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、本発明の適用範囲がこれに限定されないことは勿論である。すなわちステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置にも本発明は好適に適用できる。この場合、露光が走査露光方式で行われる点を除き、基本的には前述した第1の実施形態と同等の構成を用いることができ、同等の効果を得ることができる。
なお、複数のレンズから構成される照明光学系、光学ユニットPU、水圧パッド32,34等を露光装置本体に組み込み、更に、水圧パッド32,34等に対する配管を行う。その後、光学調整をするとともに、多数の機械部品からなるレチクルステージやウエハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整(電気調整、動作確認等)をすることにより、上記各実施形態の露光装置を製造することができる。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
また、上記各実施形態では、本発明が半導体製造用の露光装置に適用された場合について説明したが、これに限らず、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子、マイクロマシン、有機EL、DNAチップなどを製造するための露光装置などにも本発明は広く適用できる。
また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、DUV(遠紫外)光やVUV(真空紫外)光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、螢石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。
《デバイス製造方法》
次に上述した露光装置をリソグラフィ工程で使用したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
図12には、デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートが示されている。図12に示されるように、まず、ステップ201(設計ステップ)において、デバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップ202(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ203(ウエハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップ204(ウエハ処理ステップ)において、ステップ201〜ステップ203で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップ205(デバイス組立てステップ)において、ステップ204で処理されたウエハを用いてデバイス組立てを行う。この
ステップ205には、ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。
最後に、ステップ206(検査ステップ)において、ステップ205で作成されたデバイスの動作確認テスト、耐久テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。
図13には、半導体デバイスにおける、上記ステップ204の詳細なフロー例が示されている。図13において、ステップ211(酸化ステップ)においてはウエハの表面を酸化させる。ステップ212(CVDステップ)においてはウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ213(電極形成ステップ)においてはウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ214(イオン打ち込みステップ)においてはウエハにイオンを打ち込む。以上のステップ211〜ステップ214それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ215(レジスト形成ステップ)において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップ216(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置)及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップ217(現像ステップ)においては露光されたウエハを現像し、ステップ218(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップ219(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
以上説明した本実施形態のデバイス製造方法を用いれば、露光工程(ステップ216)において上記各実施形態の露光装置が用いられるので、精度良くレチクルのパターンをウエハ上に転写することができる。この結果、高集積度のマイクロデバイスの生産性(歩留まりを含む)を向上させることが可能になる。
以上説明したように、本発明の露光装置は、基板上へのパターンの転写に適している。また、本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスの製造に適している。
10…照明系、20…主制御装置、100…露光装置、PU…光学ユニット、TB…ウエハテーブル、W…ウエハ

Claims (44)

  1. 液体を介して照明光で基板を露光する露光装置であって、
    前記照明光の射出面が前記液体と接するレンズを含む複数の光学素子と、前記複数の光学素子を保持する鏡筒と、を有し、前記複数の光学素子のうち前記レンズが最も像面側に配置される反射屈折型の投影光学系と、
    前記複数の光学素子の一部を制御して前記投影光学系の光学特性を調整する補正系と、
    前記レンズを囲むように設けられ、前記投影光学系の下に前記液体で液浸領域を形成する液浸部材と、
    前記液浸部材の下方に配置されるとともに、それぞれ前記液浸領域と接触可能な上面を有し、前記上面の開口内で基板を保持する第1、第2保持部材と、
    前記第1、第2保持部材を移動するモータを有し、前記第1、第2保持部材をそれぞれ浮上支持する駆動系と、
    前記第1、第2保持部材の位置情報を計測するエンコーダを有する計測系と、
    前記計測系の計測情報に基づいて前記駆動系を制御するとともに、前記光学特性の調整のために前記補正系を制御する制御装置と、を備え、
    前記制御装置は、前記駆動系を制御し、前記投影光学系と対向して配置される前記第1、第2保持部材の一方に対して前記第1、第2保持部材の他方が接近するように前記第1、第2保持部材を相対移動するとともに、前記投影光学系の下に前記液浸領域が実質的に維持されつつ前記一方の保持部材の代わりに前記他方の保持部材が前記投影光学系と対向して配置されるように前記液浸部材に対して前記接近した第1、第2保持部材を相対移動する。
  2. 請求項1に記載の露光装置において、
    前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2保持部材の相対移動において、前記液浸領域は、前記接近した第1、第2保持部材の少なくとも一方によって前記投影光学系の下に維持される。
  3. 請求項1又は2に記載の露光装置において、
    前記第1、第2保持部材は、前記一方の保持部材によって前記投影光学系の下に前記液浸領域を維持しつつ、前記投影光学系の光軸と直交する所定方向に関して互いに接近し、かつ前記上面が並んで配置されるように相対移動され、
    前記接近した第1、第2保持部材は、前記所定方向に関して前記液浸部材に対して相対移動される。
  4. 請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記制御装置は、前記照明光に対して前記基板を相対移動する前記基板の走査露光が行われるように前記駆動系を制御し、
    前記接近した第1、第2保持部材は、前記所定方向に関して前記液浸部材に対して相対移動される。
  5. 請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記第1、第2保持部材は、前記液浸部材に対して前記接近した第1、第2保持部材が移動される所定方向と交差する方向に関して位置関係が調整されるように、前記一方の保持部材によって前記投影光学系の下に前記液浸領域を維持しつつ相対移動される。
  6. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記接近した第1、第2保持部材はその位置関係が実質的に維持されつつ前記液浸部材に対して相対移動される。
  7. 請求項1〜6のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記液浸領域は、前記照明光の照射領域を含む、前記第1保持部材又は前記第2保持部材によって前記投影光学系と対向して配置される基板の一部に形成され、
    前記第1、第2保持部材はそれぞれ、前記基板の露光動作において前記基板が前記液浸領域に対して相対移動するように駆動される。
  8. 請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記第1、第2保持部材はそれぞれ、前記上面と前記基板の表面との間に間隙が形成され、かつ前記上面と前記基板の表面とが実質的に同一面となるように前記開口内で前記基板を保持するとともに、前記上面によって、前記開口内で保持される基板の表面から外れる前記液浸領域の少なくとも一部を維持する。
  9. 請求項1〜8のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記第1、第2保持部材はそれぞれ、前記開口と異なる、前記上面の開口内に配置され、表面に前記基板のアライメントに用いられる基準が形成される基準部材を有する。
  10. 請求項9に記載の露光装置において、
    前記第1、第2保持部材はそれぞれ、前記表面が前記上面と実質的に同一面となるように前記基準部材が設けられる。
  11. 請求項1〜10のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記液浸部材はその下面側に、前記照明光が通過する開口部と、前記開口部を囲むように配置される回収口と、を有し、前記回収口を介して前記液浸領域の液体を回収する。
  12. 請求項11に記載の露光装置において、
    前記液浸部材はその下面側に、前記開口部と前記回収口との間で前記開口部を囲むように配置される供給口を有し、前記供給口を介して前記液浸領域に前記液体を供給する。
  13. 請求項11又は12に記載の露光装置において、
    前記液浸部材はその下面側に、前記開口部に対して前記回収口より外側に配置される別の回収口を有する。
  14. 請求項1〜13のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記液浸部材は、前記投影光学系に対して可動に設けられる。
  15. 請求項1〜14のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記第1、第2保持部材の一方が前記投影光学系と対向して配置される間、前記第1、第2保持部材の他方は前記投影光学系の下から離れて移動可能であり、
    前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2保持部材の相対移動の前後でそれぞれ、前記第1保持部材と前記第2保持部材とで互いに異なる動作が行われる。
  16. 請求項15に記載の露光装置において、
    前記投影光学系と対向して配置される前記一方の保持部材では前記基板の露光動作が行われるとともに、前記投影光学系の下から離れた前記他方の保持部材では前記基板の計測動作と交換動作との少なくとも一方が行われる。
  17. 請求項16に記載の露光装置において、
    前記第1、第2保持部材はそれぞれ、前記計測動作、前記露光動作、および前記交換動作が行われるように移動され、
    前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2保持部材の相対移動は、前記露光動作の前後でそれぞれ行われる。
  18. 請求項15〜17のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記第1保持部材と前記第2保持部材とで前記動作の少なくとも一部が並行して行われる。
  19. 請求項1〜18のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記第1保持部材に保持される基板の露光動作と、前記第2保持部材に保持される基板の露光動作とが交互に行われ、前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2保持部材の相対移動はその露光動作の間に行われる。
  20. 請求項1〜19のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記第1、第2保持部材を交互に用いて複数の基板の露光動作が行われ、前記液浸領域は、前記複数の基板の露光動作において前記投影光学系の下に維持される。
  21. 請求項1〜20のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記投影光学系から離れて配置され、前記基板のマークを検出する検出系を、さらに備え、
    前記検出系によって前記液体を介すことなく前記マークが検出され、
    前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記基板が露光される。
  22. 請求項21に記載の露光装置において、
    前記検出系は、前記液浸部材に対して前記接近した第1、第2保持部材が相対移動される所定方向に関して前記投影光学系と異なる位置に配置される。
  23. 請求項21又は22に記載の露光装置において、
    前記検出系は、前記投影光学系が配置される第1領域と異なる第2領域に配置され、
    前記第1、第2保持部材はそれぞれ、前記第2領域から前記第1領域への移動と、前記第1領域から前記第2領域への移動とで経路が異なるように、前記第1、第2領域の一方から他方に移動される。
  24. 請求項21〜23のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記検出系は、前記投影光学系が配置される第1領域と異なる第2領域に配置され、
    前記第1、第2保持部材はそれぞれ、前記第2領域から前記第1領域への移動において経路が実質的に同一となるように、前記第1、第2領域の一方から他方に移動される。
  25. デバイス製造方法であって、
    請求項1〜24のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    前記露光された基板を現像することと、を含む。
  26. 液体を介して照明光で基板を露光する露光方法であって、
    前記照明光の射出面が前記液体と接するレンズを含む複数の光学素子と、前記複数の光学素子を保持する鏡筒と、を有し、前記複数の光学素子のうち前記レンズが最も像面側に配置される反射屈折型の投影光学系の光学特性を調整するために、前記複数の光学素子の一部を制御することと、
    前記レンズを囲むように設けられ、前記投影光学系の下に前記液体で液浸領域を形成する液浸部材の下方に配置されるとともに、それぞれ前記液浸領域と接触可能な上面を有し、前記上面の開口内で基板を保持する第1、第2保持部材のうち、前記投影光学系と対向して配置される一方の保持部材の位置情報をエンコーダで計測することと、
    前記一方の保持部材に対して前記第1、第2保持部材の他方が接近するように、前記第1、第2保持部材を相対移動することと、
    前記投影光学系の下に前記液浸領域が実質的に維持されつつ前記一方の保持部材の代わりに前記他方の保持部材が前記投影光学系と対向して配置されるように、前記液浸部材に対して前記接近した第1、第2保持部材を相対移動することと、を含む。
  27. 請求項26に記載の露光方法において、
    前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2保持部材の相対移動において、前記液浸領域は、前記接近した第1、第2保持部材の少なくとも一方によって前記投影光学系の下に維持される。
  28. 請求項26又は27に記載の露光方法において、
    前記第1、第2保持部材は、前記一方の保持部材によって前記投影光学系の下に前記液浸領域を維持しつつ、前記投影光学系の光軸と直交する所定方向に関して互いに接近し、かつ前記上面が並んで配置されるように相対移動され、
    前記接近した第1、第2保持部材は、前記所定方向に関して前記液浸部材に対して相対移動される。
  29. 請求項26〜28のいずれか一項に記載の露光方法において、
    前記照明光に対して前記基板を相対移動する前記基板の走査露光が行われ、
    前記接近した第1、第2保持部材は、前記走査露光時に前記基板が移動される所定方向に関して前記液浸部材に対して相対移動される。
  30. 請求項26〜29のいずれか一項に記載の露光方法において、
    前記第1、第2保持部材は、前記液浸部材に対して前記接近した第1、第2保持部材が移動される所定方向と交差する方向に関して位置関係が調整されるように、前記一方の保持部材によって前記投影光学系の下に前記液浸領域を維持しつつ相対移動される。
  31. 請求項26〜30のいずれか一項に記載の露光方法において、
    前記接近した第1、第2保持部材はその位置関係が実質的に維持されつつ前記液浸部材に対して相対移動される。
  32. 請求項26〜31のいずれか一項に記載の露光方法において、
    前記液浸領域は、前記照明光の照射領域を含む、前記第1保持部材又は前記第2保持部材によって前記投影光学系と対向して配置される基板の一部に形成され、
    前記第1、第2保持部材はそれぞれ、前記基板の露光動作において前記基板が前記液浸領域に対して相対移動するように駆動される。
  33. 請求項26〜32のいずれか一項に記載の露光方法において、
    前記第1、第2保持部材はそれぞれ、前記上面と前記基板の表面との間に間隙が形成され、かつ前記上面と前記基板の表面とが実質的に同一面となるように前記開口内で前記基板を保持するとともに、前記上面によって、前記開口内で保持される基板の表面から外れる前記液浸領域の少なくとも一部を維持する。
  34. 請求項26〜33のいずれか一項に記載の露光方法において、
    前記第1、第2保持部材の一方が前記投影光学系と対向して配置される間、前記第1、第2保持部材の他方は前記投影光学系の下から離れて移動され、
    前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2保持部材の相対移動の前後でそれぞれ、前記第1保持部材と前記第2保持部材とで互いに異なる動作が行われる。
  35. 請求項34に記載の露光方法において、
    前記投影光学系と対向して配置される前記一方の保持部材では前記基板の露光動作が行われるとともに、前記投影光学系の下から離れた前記他方の保持部材では前記基板の計測動作と交換動作との少なくとも一方が行われる。
  36. 請求項35に記載の露光方法において、
    前記第1、第2保持部材はそれぞれ、前記計測動作、前記露光動作、および前記交換動作が行われるように移動され、
    前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2保持部材の相対移動は、前記露光動作の前後でそれぞれ行われる。
  37. 請求項34〜36のいずれか一項に記載の露光方法において、
    前記第1保持部材と前記第2保持部材とで前記動作の少なくとも一部が並行して行われる。
  38. 請求項26〜37のいずれか一項に記載の露光方法において、
    前記第1保持部材に保持される基板の露光動作と、前記第2保持部材に保持される基板の露光動作とが交互に行われ、前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2保持部材の相対移動はその露光動作の間に行われる。
  39. 請求項26〜38のいずれか一項に記載の露光方法において、
    前記第1、第2保持部材を交互に用いて複数の基板の露光動作が行われ、前記液浸領域は、前記複数の基板の露光動作において前記投影光学系の下に維持される。
  40. 請求項26〜39のいずれか一項に記載の露光方法において、
    前記投影光学系から離れて配置される検出系によって前記液体を介すことなく前記基板のマークが検出され、
    前記基板は、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記照明光で露光される。
  41. 請求項40に記載の露光方法において、
    前記第1、第2保持部材はそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記検出系が配置される第2領域との一方から他方に移動されるとともに、前記第2領域から前記第1領域への移動と、前記第1領域から前記第2領域への移動とで経路が異なる。
  42. 請求項40又は41に記載の露光方法において、
    前記第1、第2保持部材はそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記検出系が配置される第2領域との一方から他方に移動され、
    前記第2領域から前記第1領域への移動経路は前記第1保持部材と前記第2保持部材とで実質的に同一である。
  43. デバイス製造方法であって、
    請求項26〜42のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
    前記露光された基板を現像することと、を含む。
  44. 液体を介して照明光で基板を露光する露光装置であって、
    前記照明光が射出する平面が前記液体と接する平凸レンズを含む複数の光学素子と、前記複数の光学素子を保持する鏡筒と、を有し、前記複数の光学素子のうち前記平凸レンズが最も像面側に配置される反射屈折型の投影光学系と、
    前記平凸レンズを囲むように設けられ、前記投影光学系の下に前記液体で液浸領域を形成する液浸部材と、
    前記液浸部材の下方に配置されるとともに、それぞれ前記液浸領域と接触可能な上面を有し、前記上面の開口内で基板を保持する第1、第2保持部材と、を備える。
JP2016207355A 2003-06-19 2016-10-21 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP6237857B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003174259 2003-06-19
JP2003174259 2003-06-19

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016003694A Division JP6123920B2 (ja) 2003-06-19 2016-01-12 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017020807A Division JP6264479B2 (ja) 2003-06-19 2017-02-08 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2017176254A Division JP6512252B2 (ja) 2003-06-19 2017-09-14 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017033018A true JP2017033018A (ja) 2017-02-09
JP6237857B2 JP6237857B2 (ja) 2017-11-29

Family

ID=33534785

Family Applications (19)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005507235A Expired - Fee Related JP4437474B2 (ja) 2003-06-19 2004-06-18 露光装置及びデバイス製造方法
JP2009044470A Expired - Fee Related JP4505675B2 (ja) 2003-06-19 2009-02-26 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2010025992A Expired - Fee Related JP4894936B2 (ja) 2003-06-19 2010-02-08 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2010293650A Expired - Fee Related JP5287845B2 (ja) 2003-06-19 2010-12-28 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2011037040A Expired - Fee Related JP5287900B2 (ja) 2003-06-19 2011-02-23 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2011037041A Expired - Fee Related JP5287901B2 (ja) 2003-06-19 2011-02-23 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2012077973A Expired - Fee Related JP5494708B2 (ja) 2003-06-19 2012-03-29 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2012078269A Expired - Fee Related JP5488635B2 (ja) 2003-06-19 2012-03-29 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2013080847A Expired - Fee Related JP5556925B2 (ja) 2003-06-19 2013-04-08 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2013272184A Expired - Fee Related JP5626443B2 (ja) 2003-06-19 2013-12-27 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2014076375A Expired - Fee Related JP5761418B2 (ja) 2003-06-19 2014-04-02 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2015006821A Expired - Fee Related JP5928618B2 (ja) 2003-06-19 2015-01-16 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2015127136A Expired - Fee Related JP5930102B2 (ja) 2003-06-19 2015-06-25 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2015206314A Expired - Fee Related JP6103016B2 (ja) 2003-06-19 2015-10-20 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2016003694A Expired - Lifetime JP6123920B2 (ja) 2003-06-19 2016-01-12 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2016207355A Expired - Fee Related JP6237857B2 (ja) 2003-06-19 2016-10-21 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2017020807A Expired - Fee Related JP6264479B2 (ja) 2003-06-19 2017-02-08 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2017176254A Expired - Fee Related JP6512252B2 (ja) 2003-06-19 2017-09-14 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2018190188A Expired - Fee Related JP6614310B2 (ja) 2003-06-19 2018-10-05 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法

Family Applications Before (15)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005507235A Expired - Fee Related JP4437474B2 (ja) 2003-06-19 2004-06-18 露光装置及びデバイス製造方法
JP2009044470A Expired - Fee Related JP4505675B2 (ja) 2003-06-19 2009-02-26 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2010025992A Expired - Fee Related JP4894936B2 (ja) 2003-06-19 2010-02-08 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2010293650A Expired - Fee Related JP5287845B2 (ja) 2003-06-19 2010-12-28 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2011037040A Expired - Fee Related JP5287900B2 (ja) 2003-06-19 2011-02-23 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2011037041A Expired - Fee Related JP5287901B2 (ja) 2003-06-19 2011-02-23 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2012077973A Expired - Fee Related JP5494708B2 (ja) 2003-06-19 2012-03-29 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2012078269A Expired - Fee Related JP5488635B2 (ja) 2003-06-19 2012-03-29 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2013080847A Expired - Fee Related JP5556925B2 (ja) 2003-06-19 2013-04-08 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2013272184A Expired - Fee Related JP5626443B2 (ja) 2003-06-19 2013-12-27 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2014076375A Expired - Fee Related JP5761418B2 (ja) 2003-06-19 2014-04-02 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2015006821A Expired - Fee Related JP5928618B2 (ja) 2003-06-19 2015-01-16 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2015127136A Expired - Fee Related JP5930102B2 (ja) 2003-06-19 2015-06-25 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2015206314A Expired - Fee Related JP6103016B2 (ja) 2003-06-19 2015-10-20 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2016003694A Expired - Lifetime JP6123920B2 (ja) 2003-06-19 2016-01-12 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017020807A Expired - Fee Related JP6264479B2 (ja) 2003-06-19 2017-02-08 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2017176254A Expired - Fee Related JP6512252B2 (ja) 2003-06-19 2017-09-14 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2018190188A Expired - Fee Related JP6614310B2 (ja) 2003-06-19 2018-10-05 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法

Country Status (10)

Country Link
US (22) US7321419B2 (ja)
EP (4) EP2275869B1 (ja)
JP (19) JP4437474B2 (ja)
KR (19) KR101674329B1 (ja)
CN (2) CN100459036C (ja)
AT (1) ATE453209T1 (ja)
DE (1) DE602004024782D1 (ja)
HK (3) HK1145043A1 (ja)
TW (15) TWI590306B (ja)
WO (1) WO2004114380A1 (ja)

Families Citing this family (129)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7372541B2 (en) * 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG2010050110A (en) * 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3953460B2 (ja) * 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ投影装置
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG2011031200A (en) * 2002-12-10 2014-09-26 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus and device manufacturing method
EP3229077A1 (en) 2003-04-09 2017-10-11 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device
EP3062152B1 (en) 2003-04-10 2017-12-20 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus
KR101178754B1 (ko) 2003-04-10 2012-09-07 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
EP3141953A3 (en) 2003-04-11 2017-06-07 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101674329B1 (ko) 2003-06-19 2016-11-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
KR101238134B1 (ko) 2003-09-26 2013-02-28 가부시키가이샤 니콘 투영노광장치 및 투영노광장치의 세정방법, 메인터넌스 방법 그리고 디바이스의 제조방법
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI511179B (zh) 2003-10-28 2015-12-01 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置製造方法
TWI519819B (zh) 2003-11-20 2016-02-01 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
US7466489B2 (en) * 2003-12-15 2008-12-16 Susanne Beder Projection objective having a high aperture and a planar end surface
WO2005059645A2 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
KR101748504B1 (ko) 2004-01-05 2017-06-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7589822B2 (en) * 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
TWI389174B (zh) 2004-02-06 2013-03-11 尼康股份有限公司 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法
TW201816844A (zh) 2004-03-25 2018-05-01 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006009573A1 (en) * 2004-06-17 2006-01-26 Nikon Corporation Fluid pressure compensation for immersion lithography lens
EP1761822A4 (en) 2004-07-01 2009-09-09 Nikon Corp DYNAMIC FLUID CONTROL SYSTEM FOR IMMERSION LITHOGRAPHY
KR101337007B1 (ko) 2004-08-03 2013-12-06 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
SG156635A1 (en) 2004-10-15 2009-11-26 Nikon Corp Exposure apparatus and device manufacturing method
US8330939B2 (en) 2004-11-01 2012-12-11 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with a liquid recovery port provided on at least one of a first stage and second stage
US7528931B2 (en) * 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006222165A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Canon Inc 露光装置
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006106836A1 (ja) * 2005-03-31 2006-10-12 Nikon Corporation 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US7515281B2 (en) 2005-04-08 2009-04-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161659B2 (en) 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101544336B1 (ko) 2005-05-12 2015-08-12 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
JP4708860B2 (ja) * 2005-05-23 2011-06-22 キヤノン株式会社 液浸露光装置
CN101138070B (zh) * 2005-08-05 2011-03-23 株式会社尼康 载台装置及曝光装置
EP1950795A4 (en) * 2005-11-01 2010-06-02 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE APPARATUS
US20070127135A1 (en) * 2005-11-01 2007-06-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US20070126999A1 (en) * 2005-12-07 2007-06-07 Nikon Corporation Apparatus and method for containing immersion liquid in immersion lithography
US7420194B2 (en) 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101346581B1 (ko) * 2006-02-21 2014-01-02 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 장치 및 패턴 형성 방법, 이동체 구동 시스템 및이동체 구동 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
SG178816A1 (en) * 2006-02-21 2012-03-29 Nikon Corp Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure appararus and method, and device manufacturing method
JP4889331B2 (ja) * 2006-03-22 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US7483120B2 (en) 2006-05-09 2009-01-27 Asml Netherlands B.V. Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method
US7804582B2 (en) * 2006-07-28 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of calibrating a lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101670638B1 (ko) * 2006-08-31 2016-11-09 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
EP3291010A1 (en) * 2006-08-31 2018-03-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and method, and device manufacturing method
US7872730B2 (en) * 2006-09-15 2011-01-18 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method
KR101360507B1 (ko) * 2006-09-29 2014-02-07 가부시키가이샤 니콘 이동체 시스템, 패턴 형성 장치, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US20080158531A1 (en) 2006-11-15 2008-07-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8267388B2 (en) * 2007-09-12 2012-09-18 Xradia, Inc. Alignment assembly
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
JP4533416B2 (ja) * 2007-09-25 2010-09-01 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
KR101546987B1 (ko) 2007-10-16 2015-08-24 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101562073B1 (ko) 2007-10-16 2015-10-21 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8279399B2 (en) 2007-10-22 2012-10-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4986185B2 (ja) * 2007-11-07 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
CN102566320B (zh) 2007-12-28 2015-01-28 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法以及器件制造方法
FR2927708A1 (fr) * 2008-02-19 2009-08-21 Commissariat Energie Atomique Procede de photolithographie ultraviolette a immersion
NL1036614A1 (nl) * 2008-03-21 2009-09-22 Asml Netherlands Bv A target material, a source, an EUV lithographic apparatus and a device manufacturing method using the same.
EP2128703A1 (en) 2008-05-28 2009-12-02 ASML Netherlands BV Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus
KR101695034B1 (ko) 2008-05-28 2017-01-10 가부시키가이샤 니콘 공간 광 변조기의 검사 장치, 조명 광학계, 노광 장치, 검사 방법, 조명 광학계의 조정 방법, 조명 방법, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
WO2009151984A2 (en) * 2008-06-09 2009-12-17 Kla-Tencor Corporation Referenced inspection device
US8260479B2 (en) * 2008-12-09 2012-09-04 Honeywell International Inc. Modular software architecture for an unmanned aerial vehicle
US8902402B2 (en) * 2008-12-19 2014-12-02 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8773635B2 (en) * 2008-12-19 2014-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8599359B2 (en) 2008-12-19 2013-12-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method
US8760629B2 (en) 2008-12-19 2014-06-24 Nikon Corporation Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body
EP2221668B1 (en) * 2009-02-24 2021-04-14 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and positioning assembly
US8792084B2 (en) * 2009-05-20 2014-07-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8970820B2 (en) * 2009-05-20 2015-03-03 Nikon Corporation Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8553204B2 (en) * 2009-05-20 2013-10-08 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5365407B2 (ja) * 2009-08-17 2013-12-11 ソニー株式会社 画像取得装置及び画像取得方法
US20110096318A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20110096306A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US20110102761A1 (en) * 2009-09-28 2011-05-05 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US20110096312A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20110123913A1 (en) * 2009-11-19 2011-05-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
US20110128523A1 (en) * 2009-11-19 2011-06-02 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
DE102010024263A1 (de) * 2010-06-18 2011-12-22 Festo Ag & Co. Kg Luftlagereinrichtung
EP2593841A2 (en) * 2010-07-15 2013-05-22 Centre de Recherche Public - Gabriel Lippmann Methods and systems for detecting, setting, monitoring, determining, storing and compensating the spatial situation of a mobile unit
NL2008183A (en) * 2011-02-25 2012-08-28 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method.
NL2007604C2 (en) * 2011-10-14 2013-05-01 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle system comprising a manipulator device for manipulation of one or more charged particle beams.
NL2008695A (en) * 2011-05-25 2012-11-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus comprising substrate table.
NL2007114C2 (en) * 2011-07-14 2013-01-15 Levitech B V Floating substrate monitoring and control device, and method for the same.
NL2009692A (en) 2011-12-07 2013-06-10 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
US9207549B2 (en) 2011-12-29 2015-12-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement
US9211481B2 (en) * 2012-07-27 2015-12-15 Nb Tech Inc. Visual display system and method of constructing a high-gain reflective beam-splitter
JP5975785B2 (ja) * 2012-08-14 2016-08-23 株式会社アドテックエンジニアリング 描画装置、露光描画装置、プログラム及び描画方法
US9362812B2 (en) * 2012-09-18 2016-06-07 Honeywell International Inc. Shaft coupling apparatus, rotary fluid damper, and deployable device with magnetic coupling mechanism
US9772564B2 (en) 2012-11-12 2017-09-26 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
TWI564555B (zh) * 2014-12-27 2017-01-01 財團法人工業技術研究院 全周反射取像模組與全周反射取像方法
CN104597721B (zh) * 2015-01-20 2016-09-21 中国科学院上海光学精密机械研究所 紫外光刻二维平台
TW202316204A (zh) * 2015-03-31 2023-04-16 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、平面顯示器之製造方法、元件製造方法、及曝光方法
JP6727554B2 (ja) * 2015-03-31 2020-07-22 株式会社ニコン 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法
AU2016290895B2 (en) 2015-07-06 2021-05-06 Mitchell Terrace Pty. Ltd. Device for applying a product
KR20180059810A (ko) * 2015-09-30 2018-06-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 플랫 패널 디스플레이 제조 방법
NL2017682A (en) * 2015-11-30 2017-06-07 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for processing a substrate in a lithographic apparatus
NL2019453A (en) 2016-09-12 2018-03-15 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure for lithographic apparatus
US10372113B2 (en) * 2016-09-23 2019-08-06 Kla-Tencor Corporation Method for defocus detection
US9990460B2 (en) * 2016-09-30 2018-06-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Source beam optimization method for improving lithography printability
CN109256884A (zh) * 2017-10-13 2019-01-22 朱卫 一种用钛金属生产的马达外壳
CN112154316A (zh) * 2018-02-27 2020-12-29 乔治亚技术研究公司 提供流体动力阻挡件的系统、装置及方法
JP6922849B2 (ja) * 2018-05-25 2021-08-18 信越化学工業株式会社 単量体、ポリマー、ネガ型レジスト組成物、フォトマスクブランク、及びレジストパターン形成方法
CN110658683A (zh) * 2018-06-28 2020-01-07 上海微电子装备(集团)股份有限公司 晶片承载系统和浸没光刻设备
JP7099250B2 (ja) 2018-10-25 2022-07-12 信越化学工業株式会社 オニウム塩、ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2019183175A (ja) * 2019-08-01 2019-10-24 ダイキン工業株式会社 離型フィルム
CN110824591A (zh) * 2019-11-20 2020-02-21 曾雪骢 一种液体镜片
CN115818207B (zh) * 2023-02-10 2023-06-02 季华实验室 一种基板传送装置、控制方法及相关设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10154659A (ja) * 1996-10-07 1998-06-09 Nikon Corp リソグラフィーアライナー、製造装置、または検査装置用の焦点及びチルト調節システム
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000511704A (ja) * 1997-03-10 2000-09-05 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 2個の物品ホルダを有する位置決め装置
JP2001160530A (ja) * 1999-12-01 2001-06-12 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置

Family Cites Families (329)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US4026653A (en) * 1975-05-09 1977-05-31 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Proximity printing method
US4341164A (en) 1980-06-13 1982-07-27 Charles H. Ruble Folding camp table
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) * 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) * 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
US4650983A (en) 1983-11-07 1987-03-17 Nippon Kogaku K. K. Focusing apparatus for projection optical system
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
US4780617A (en) 1984-08-09 1988-10-25 Nippon Kogaku K.K. Method for successive alignment of chip patterns on a substrate
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JP2940553B2 (ja) 1988-12-21 1999-08-25 株式会社ニコン 露光方法
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置
US5121256A (en) * 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
US5243195A (en) 1991-04-25 1993-09-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor
JP3200874B2 (ja) 1991-07-10 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系
JP3203719B2 (ja) 1991-12-26 2001-08-27 株式会社ニコン 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法
US5469963A (en) 1992-04-08 1995-11-28 Asyst Technologies, Inc. Sealable transportable container having improved liner
JPH05304072A (ja) 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3316833B2 (ja) 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JPH06208058A (ja) 1993-01-13 1994-07-26 Olympus Optical Co Ltd 顕微鏡対物レンズ
US5591958A (en) * 1993-06-14 1997-01-07 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JP3635684B2 (ja) 1994-08-23 2005-04-06 株式会社ニコン 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置
JPH09311278A (ja) 1996-05-20 1997-12-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP3747951B2 (ja) 1994-11-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
US5636066A (en) 1993-03-12 1997-06-03 Nikon Corporation Optical apparatus
JP3265503B2 (ja) 1993-06-11 2002-03-11 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US5534970A (en) 1993-06-11 1996-07-09 Nikon Corporation Scanning exposure apparatus
JP3212199B2 (ja) 1993-10-04 2001-09-25 旭硝子株式会社 平板型陰極線管
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US7365513B1 (en) 1994-04-01 2008-04-29 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US6989647B1 (en) 1994-04-01 2006-01-24 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
JP3395801B2 (ja) 1994-04-28 2003-04-14 株式会社ニコン 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH07335748A (ja) 1994-06-07 1995-12-22 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
US5715064A (en) * 1994-06-17 1998-02-03 International Business Machines Corporation Step and repeat apparatus having enhanced accuracy and increased throughput
USRE38438E1 (en) 1994-08-23 2004-02-24 Nikon Corporation Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same
JPH0883753A (ja) 1994-09-13 1996-03-26 Nikon Corp 焦点検出方法
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JPH08136475A (ja) 1994-11-14 1996-05-31 Kawasaki Steel Corp 板状材の表面観察装置
JP3387075B2 (ja) * 1994-12-12 2003-03-17 株式会社ニコン 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置
JPH08171054A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
US5677758A (en) 1995-02-09 1997-10-14 Mrs Technology, Inc. Lithography System using dual substrate stages
US6008500A (en) 1995-04-04 1999-12-28 Nikon Corporation Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JP3526042B2 (ja) 1995-08-09 2004-05-10 株式会社ニコン 投影露光装置
JP3242564B2 (ja) * 1995-11-29 2001-12-25 富士通株式会社 昇圧回路を有する記憶装置及び昇圧回路制御方法
JPH09232213A (ja) 1996-02-26 1997-09-05 Nikon Corp 投影露光装置
JPH09267236A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Kyocera Corp 位置決め装置
US5964441A (en) 1996-04-01 1999-10-12 Lear Corporation Linkage assembly with extruded hole member
JPH103039A (ja) 1996-06-14 1998-01-06 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP3480192B2 (ja) * 1996-10-01 2003-12-15 ウシオ電機株式会社 Xyステージの位置決め装置
JPH10188333A (ja) * 1996-11-08 1998-07-21 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置
JP4029181B2 (ja) * 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置
CN1244018C (zh) 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光方法和曝光装置
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP2000505958A (ja) 1996-12-24 2000-05-16 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 2個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置
US5815246A (en) 1996-12-24 1998-09-29 U.S. Philips Corporation Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device
JPH10209039A (ja) 1997-01-27 1998-08-07 Nikon Corp 投影露光方法及び投影露光装置
USRE39027E1 (en) * 1997-02-07 2006-03-21 Emerson Power Transmission Manufacturing, L.P. Shaft locking device for bearing assemblies
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
US5884841A (en) * 1997-04-25 1999-03-23 Ratnik Industries, Inc. Method and apparatus for making snow
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
EP1028456A4 (en) 1997-09-19 2003-03-05 Nikon Corp PLATINUM, SCANNING ALIGNMENT DEVICE, AND SCANNING EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY
JP2000106340A (ja) * 1997-09-26 2000-04-11 Nikon Corp 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
AU1175799A (en) 1997-11-21 1999-06-15 Nikon Corporation Projection aligner and projection exposure method
JPH11176727A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
JP4264676B2 (ja) 1998-11-30 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US6897963B1 (en) 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
WO1999031462A1 (fr) 1997-12-18 1999-06-24 Nikon Corporation Platine et appareil d'exposition
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
JPH11219896A (ja) * 1998-02-02 1999-08-10 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JPH11340846A (ja) 1998-05-26 1999-12-10 Alps Electric Co Ltd Dect通信装置
JP2000058436A (ja) * 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
AU5650399A (en) 1998-09-17 2000-04-10 Nikon Corporation Method of adjusting optical projection system
AU2041000A (en) * 1998-12-02 2000-06-19 Kensington Laboratories, Inc. Specimen holding robotic arm end effector
KR20020006670A (ko) 1999-03-12 2002-01-24 시마무라 테루오 노광장치 및 노광방법, 그리고 디바이스 제조방법
JP4365934B2 (ja) 1999-05-10 2009-11-18 キヤノン株式会社 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
JP2001118773A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
EP1111471B1 (en) * 1999-12-21 2005-11-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus with collision preventing device
TWI223734B (en) * 1999-12-21 2004-11-11 Asml Netherlands Bv Crash prevention in positioning apparatus for use in lithographic projection apparatus
TW546551B (en) 1999-12-21 2003-08-11 Asml Netherlands Bv Balanced positioning system for use in lithographic apparatus
US6995930B2 (en) 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
JP2001267239A (ja) 2000-01-14 2001-09-28 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2001241439A (ja) 2000-02-25 2001-09-07 Canon Inc 静圧軸受を備えた移動装置
JP2001313250A (ja) 2000-02-25 2001-11-09 Nikon Corp 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法
SG107560A1 (en) 2000-02-25 2004-12-29 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
JP2001244177A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Nikon Corp ステージ装置とホルダ、および走査型露光装置並びに露光装置
US20020041377A1 (en) 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
KR100833275B1 (ko) 2000-05-03 2008-05-28 에이에스엠엘 유에스, 인크. 정화 가스를 이용한 비접촉식 시일
SE517970C2 (sv) 2000-07-20 2002-08-13 Volvo Articulated Haulers Ab Förfarande för att uppskatta en livslängdsreducerande skada på ett i drift belastat objekt,jämte datorprogramprodukt
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
JP2002134930A (ja) 2000-10-20 2002-05-10 Idec Izumi Corp 電気機器
JP4405071B2 (ja) * 2000-10-23 2010-01-27 パナソニック株式会社 送り装置及びそれを具備する光ディスク原盤記録装置
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP2002198299A (ja) 2000-12-27 2002-07-12 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2002305140A (ja) 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
US6788385B2 (en) 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
US6680774B1 (en) * 2001-10-09 2004-01-20 Ultratech Stepper, Inc. Method and apparatus for mechanically masking a workpiece
US6665054B2 (en) * 2001-10-22 2003-12-16 Nikon Corporation Two stage method
US7134668B2 (en) 2001-10-24 2006-11-14 Ebara Corporation Differential pumping seal apparatus
JP2003249443A (ja) 2001-12-21 2003-09-05 Nikon Corp ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
DE10229249A1 (de) 2002-03-01 2003-09-04 Zeiss Carl Semiconductor Mfg Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille
US7190527B2 (en) 2002-03-01 2007-03-13 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective
US7154676B2 (en) 2002-03-01 2006-12-26 Carl Zeiss Smt A.G. Very-high aperture projection objective
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7092069B2 (en) 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
EP1353229A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-15 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
JPWO2003085708A1 (ja) 2002-04-09 2005-08-18 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20040104691A (ko) 2002-05-03 2004-12-10 칼 짜이스 에스엠테 아게 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈
US20040035775A1 (en) * 2002-05-31 2004-02-26 Biolink Partners, Inc. MemCoatTM: functionalized surface coatings, products and uses thereof
TWI249082B (en) 2002-08-23 2006-02-11 Nikon Corp Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
US7372541B2 (en) 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3953460B2 (ja) 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ投影装置
CN101470360B (zh) 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420300B1 (en) * 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420299B1 (en) 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
US6992750B2 (en) 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
SG2011031200A (en) 2002-12-10 2014-09-26 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus and device manufacturing method
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
ATE424026T1 (de) 2002-12-13 2009-03-15 Koninkl Philips Electronics Nv Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht
KR100971441B1 (ko) 2002-12-19 2010-07-21 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치
AU2003295177A1 (en) 2002-12-19 2004-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US7010958B2 (en) 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US20040227932A1 (en) 2003-02-13 2004-11-18 Geunyoung Yoon Large dynamic range shack-hartmann wavefront sensor
TWI247339B (en) 2003-02-21 2006-01-11 Asml Holding Nv Lithographic printing with polarized light
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6851787B2 (en) * 2003-03-06 2005-02-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printer servicing system and method
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
KR101176817B1 (ko) 2003-04-07 2012-08-24 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
EP3062152B1 (en) 2003-04-10 2017-12-20 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
WO2004093160A2 (en) 2003-04-10 2004-10-28 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
KR101178754B1 (ko) * 2003-04-10 2012-09-07 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
EP3141953A3 (en) 2003-04-11 2017-06-07 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
DE602004024295D1 (de) 2003-04-11 2010-01-07 Nippon Kogaku Kk Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI612556B (zh) 2003-05-23 2018-01-21 Nikon Corp 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
CN1307456C (zh) 2003-05-23 2007-03-28 佳能株式会社 投影光学系统、曝光装置及器件的制造方法
JP2004349645A (ja) 2003-05-26 2004-12-09 Sony Corp 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法
TWI442694B (zh) 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261742A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
KR101674329B1 (ko) * 2003-06-19 2016-11-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP2005019616A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
JP4343597B2 (ja) 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1494074A1 (en) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1639391A4 (en) 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS
JP2005022696A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Kashiwara Seitai:Kk 空気通路の構造及びこれを用いた空気封入緩衝材
EP2853943B1 (en) 2003-07-08 2016-11-16 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
SG109000A1 (en) 2003-07-16 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
JP4492239B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
KR101403117B1 (ko) 2003-07-28 2014-06-03 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005057294A (ja) 2003-08-07 2005-03-03 Asml Netherlands Bv インタフェースユニット、該インタフェースユニットを含むリソグラフィ投影装置、及びデバイス製造方法
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7700267B2 (en) 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7579135B2 (en) 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101590686B1 (ko) 2003-09-03 2016-02-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4378136B2 (ja) 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3870182B2 (ja) 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7158211B2 (en) 2003-09-29 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1519230A1 (en) 2003-09-29 2005-03-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1519231B1 (en) 2003-09-29 2005-12-21 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
JP2005136374A (ja) 2003-10-06 2005-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1524557A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7678527B2 (en) 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
TWI295408B (en) 2003-10-22 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method, and measurement system
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2005159322A (ja) 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
EP1685446A2 (en) 2003-11-05 2006-08-02 DSM IP Assets B.V. A method and apparatus for producing microchips
US7924397B2 (en) 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
EP1531362A3 (en) 2003-11-13 2007-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method
JP2005150290A (ja) 2003-11-13 2005-06-09 Canon Inc 露光装置およびデバイスの製造方法
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置製造方法
EP1695148B1 (en) 2003-11-24 2015-10-28 Carl Zeiss SMT GmbH Immersion objective
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10355301B3 (de) 2003-11-27 2005-06-23 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Abbildung einer Struktur auf einen Halbleiter-Wafer mittels Immersionslithographie
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
JP2005175016A (ja) 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2005175034A (ja) 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 露光装置
WO2005106589A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
JP2007516613A (ja) 2003-12-15 2007-06-21 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー 少なくとも1つの液体レンズを備えるマイクロリソグラフィー投影対物レンズとしての対物レンズ
EP1697798A2 (en) 2003-12-15 2006-09-06 Carl Zeiss SMT AG Projection objective having a high aperture and a planar end surface
JP4308638B2 (ja) 2003-12-17 2009-08-05 パナソニック株式会社 パターン形成方法
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
WO2005059645A2 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
JP4323946B2 (ja) 2003-12-19 2009-09-02 キヤノン株式会社 露光装置
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
JP4586367B2 (ja) * 2004-01-14 2010-11-24 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
KR101204114B1 (ko) 2004-01-14 2012-11-23 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 반사굴절식 투영 대물렌즈
JP4958562B2 (ja) 2004-01-16 2012-06-20 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 偏光変調光学素子
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
JP4843503B2 (ja) 2004-01-20 2011-12-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置
US7026259B2 (en) 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
US7589822B2 (en) * 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4506674B2 (ja) 2004-02-03 2010-07-21 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US8852850B2 (en) 2004-02-03 2014-10-07 Rochester Institute Of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1716454A1 (en) 2004-02-09 2006-11-02 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
KR101115111B1 (ko) 2004-02-13 2012-04-16 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로 리소그래프 투영 노광 장치 투영 대물 렌즈
WO2005081030A1 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Corning Incorporated Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light
JP2005236087A (ja) 2004-02-20 2005-09-02 Nikon Corp 露光装置
JP2005259789A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
JP2005268700A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US20050241694A1 (en) 2004-04-29 2005-11-03 Red Flame Hot Tap Services Ltd. Hot tapping method, system and apparatus
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR20180078354A (ko) 2004-05-17 2018-07-09 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101199076B1 (ko) 2004-06-04 2012-11-07 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소
JP4845880B2 (ja) 2004-06-04 2011-12-28 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学結像系の像品質測定システム
JP4305915B2 (ja) 2004-06-17 2009-07-29 シャープ株式会社 基地局選択に用いる基準を求める方法
US7057702B2 (en) 2004-06-23 2006-06-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4305917B2 (ja) 2004-07-14 2009-07-29 シャープ株式会社 映像信号処理装置及びテレビジョン装置
US7256871B2 (en) * 2004-07-27 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for calibrating the same
SG156635A1 (en) 2004-10-15 2009-11-26 Nikon Corp Exposure apparatus and device manufacturing method
US7119876B2 (en) 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7583357B2 (en) 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403261B2 (en) 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161659B2 (en) 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2034515A4 (en) 2006-05-23 2012-01-18 Nikon Corp MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US8436864B2 (en) * 2006-08-01 2013-05-07 Nvidia Corporation Method and user interface for enhanced graphical operation organization
US8446445B2 (en) * 2006-09-27 2013-05-21 Casio Computer Co., Ltd. Exposure device, image forming apparatus and method for operating exposure device
TWM314880U (en) * 2006-10-20 2007-07-01 Imagetech Co Ltd Multimedia video generation device
JP2007274881A (ja) * 2006-12-01 2007-10-18 Nikon Corp 移動体装置、微動体及び露光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10154659A (ja) * 1996-10-07 1998-06-09 Nikon Corp リソグラフィーアライナー、製造装置、または検査装置用の焦点及びチルト調節システム
JP2000511704A (ja) * 1997-03-10 2000-09-05 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 2個の物品ホルダを有する位置決め装置
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2001160530A (ja) * 1999-12-01 2001-06-12 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20120200837A1 (en) 2012-08-09
KR20160137693A (ko) 2016-11-30
KR20140029530A (ko) 2014-03-10
TW200947517A (en) 2009-11-16
US8830445B2 (en) 2014-09-09
TWI433211B (zh) 2014-04-01
TW201342428A (zh) 2013-10-16
KR20100124345A (ko) 2010-11-26
EP1635382B1 (en) 2009-12-23
US20140211176A1 (en) 2014-07-31
TW201021093A (en) 2010-06-01
JP2015079996A (ja) 2015-04-23
US7812925B2 (en) 2010-10-12
US20140211177A1 (en) 2014-07-31
EP1635382A4 (en) 2008-01-30
JP5494708B2 (ja) 2014-05-21
JP6614310B2 (ja) 2019-12-04
TWI463532B (zh) 2014-12-01
HK1145043A1 (en) 2011-03-25
EP2278401A2 (en) 2011-01-26
US8319941B2 (en) 2012-11-27
TW201342430A (zh) 2013-10-16
EP2278401B1 (en) 2014-01-15
JP5287901B2 (ja) 2013-09-11
KR20130028805A (ko) 2013-03-19
JPWO2004114380A1 (ja) 2006-08-03
TWI527086B (zh) 2016-03-21
KR20150130563A (ko) 2015-11-23
KR20180132996A (ko) 2018-12-12
US20060132740A1 (en) 2006-06-22
JP2015172784A (ja) 2015-10-01
KR101419663B1 (ko) 2014-07-15
JP2012138617A (ja) 2012-07-19
US8717537B2 (en) 2014-05-06
KR101148811B1 (ko) 2012-05-24
JP2011109138A (ja) 2011-06-02
KR20100124346A (ko) 2010-11-26
JP2012138618A (ja) 2012-07-19
KR20130125842A (ko) 2013-11-19
EP1635382A1 (en) 2006-03-15
US20180299788A1 (en) 2018-10-18
KR101475634B1 (ko) 2014-12-22
TWI540612B (zh) 2016-07-01
JP4894936B2 (ja) 2012-03-14
TW201508818A (zh) 2015-03-01
JP4437474B2 (ja) 2010-03-24
TWI344171B (ja) 2011-06-21
TW201630048A (zh) 2016-08-16
KR20120030166A (ko) 2012-03-27
US20160202617A1 (en) 2016-07-14
US8436978B2 (en) 2013-05-07
KR20060018869A (ko) 2006-03-02
US9019473B2 (en) 2015-04-28
TWI590306B (zh) 2017-07-01
KR20140097389A (ko) 2014-08-06
US8018575B2 (en) 2011-09-13
TW201342431A (zh) 2013-10-16
US9810995B2 (en) 2017-11-07
KR101187617B1 (ko) 2012-10-08
JP2014158038A (ja) 2014-08-28
KR20100005133A (ko) 2010-01-13
US7486385B2 (en) 2009-02-03
US20060114445A1 (en) 2006-06-01
EP2275869B1 (en) 2014-01-15
KR101931923B1 (ko) 2018-12-21
KR101289979B1 (ko) 2013-07-26
KR101483916B1 (ko) 2015-01-16
TWI543235B (zh) 2016-07-21
KR20150023815A (ko) 2015-03-05
KR20130028981A (ko) 2013-03-20
JP2017227915A (ja) 2017-12-28
EP2216685A3 (en) 2010-11-10
KR101476087B1 (ko) 2014-12-23
US7321419B2 (en) 2008-01-22
KR101146962B1 (ko) 2012-05-22
TW201508817A (zh) 2015-03-01
KR101265450B1 (ko) 2013-05-16
US9025129B2 (en) 2015-05-05
TWI536430B (zh) 2016-06-01
TWI482200B (zh) 2015-04-21
JP2017090932A (ja) 2017-05-25
US8767177B2 (en) 2014-07-01
US20140293252A1 (en) 2014-10-02
JP2011119746A (ja) 2011-06-16
US20090190112A1 (en) 2009-07-30
TWI515769B (zh) 2016-01-01
US20110025996A1 (en) 2011-02-03
CN1802726A (zh) 2006-07-12
US20150198897A1 (en) 2015-07-16
TW201342429A (zh) 2013-10-16
EP2216685A2 (en) 2010-08-11
JP5287845B2 (ja) 2013-09-11
JP5556925B2 (ja) 2014-07-23
JP5287900B2 (ja) 2013-09-11
US20080002166A1 (en) 2008-01-03
EP2275869A3 (en) 2011-04-27
KR101830565B1 (ko) 2018-02-20
TWI564933B (zh) 2017-01-01
US20070211234A1 (en) 2007-09-13
US20110025997A1 (en) 2011-02-03
KR20180016621A (ko) 2018-02-14
CN101436003B (zh) 2011-08-17
US20170123326A1 (en) 2017-05-04
EP2275869A2 (en) 2011-01-19
TW201019373A (en) 2010-05-16
US20130250257A1 (en) 2013-09-26
US8692976B2 (en) 2014-04-08
KR101265454B1 (ko) 2013-05-16
JP2016042187A (ja) 2016-03-31
TW201123267A (en) 2011-07-01
DE602004024782D1 (de) 2010-02-04
JP2009117877A (ja) 2009-05-28
US8027027B2 (en) 2011-09-27
US10007188B2 (en) 2018-06-26
US10191388B2 (en) 2019-01-29
TWI433212B (zh) 2014-04-01
US9551943B2 (en) 2017-01-24
JP2011109137A (ja) 2011-06-02
EP2278401A3 (en) 2011-04-27
JP5626443B2 (ja) 2014-11-19
JP2010118687A (ja) 2010-05-27
TW201721717A (zh) 2017-06-16
CN101436003A (zh) 2009-05-20
TWI515770B (zh) 2016-01-01
ATE453209T1 (de) 2010-01-15
US9274437B2 (en) 2016-03-01
JP6103016B2 (ja) 2017-03-29
KR20120093403A (ko) 2012-08-22
TW201117261A (en) 2011-05-16
KR101686762B1 (ko) 2016-12-28
WO2004114380A1 (ja) 2004-12-29
EP2216685B1 (en) 2012-06-27
JP6512252B2 (ja) 2019-05-15
US20060132739A1 (en) 2006-06-22
US8724085B2 (en) 2014-05-13
KR101148810B1 (ko) 2012-05-24
KR20110122743A (ko) 2011-11-10
TW201530615A (zh) 2015-08-01
JP2019020745A (ja) 2019-02-07
KR101674329B1 (ko) 2016-11-08
US20130215403A1 (en) 2013-08-22
US9001307B2 (en) 2015-04-07
JP6237857B2 (ja) 2017-11-29
HK1152392A1 (en) 2012-02-24
TW200514132A (en) 2005-04-16
JP5928618B2 (ja) 2016-06-01
US8436979B2 (en) 2013-05-07
US8705001B2 (en) 2014-04-22
KR101134957B1 (ko) 2012-04-10
JP2016106251A (ja) 2016-06-16
HK1152391A1 (en) 2012-02-24
JP2013168666A (ja) 2013-08-29
JP5761418B2 (ja) 2015-08-12
JP6264479B2 (ja) 2018-01-24
TWI457981B (zh) 2014-10-21
KR20100024488A (ko) 2010-03-05
JP5930102B2 (ja) 2016-06-08
US20130229637A1 (en) 2013-09-05
CN100459036C (zh) 2009-02-04
JP5488635B2 (ja) 2014-05-14
KR20120003015A (ko) 2012-01-09
JP6123920B2 (ja) 2017-05-10
JP4505675B2 (ja) 2010-07-21
KR101119812B1 (ko) 2012-03-06
JP2014078752A (ja) 2014-05-01
US20120008111A1 (en) 2012-01-12
US20070064214A1 (en) 2007-03-22
US20180039185A1 (en) 2018-02-08
KR101529844B1 (ko) 2015-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6614310B2 (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170726

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170801

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170914

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171003

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171016

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6237857

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees