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JP2014082512A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

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  1. 半導体上に開口部を形成する半導体装置の作製方法であって、
    前記半導体上に、第１の絶縁膜を形成し、
    前記第１の絶縁膜上に、第２の絶縁膜を形成し、
    前記第２の絶縁膜に、前記第１の絶縁膜に接する側において第１の大きさを有する第１の開口を形成し、
    前記第１の絶縁膜に、前記第２の絶縁膜に接する側において前記第１の大きさより大きな第２の大きさを有する第２の開口を形成し、
    前記第１の開口を、前記第１の絶縁膜に接する側において前記第２の大きさより大きな第３の大きさにすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 請求項１において、
    前記第１の開口を、前記第２の大きさより大きな第３の大きさにすると同時に、前記第１の開口のへりの角を丸くすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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