JP2013070070A5 - 半導体装置及びその作製方法 - Google Patents

Claims (2)

1. ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、を有する半導体装置であって、
   前記酸化物半導体層の上方の絶縁層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有し、
   前記絶縁層は、水素と、窒素とを、含んでおり、
   前記酸化物半導体層は、水素を含んでいることを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、を有する半導体装置の作製方法であって、
   前記酸化物半導体層に第１の加熱処理を行い、表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を形成し、
   前記酸化物半導体層の上方に、水素と、窒素と、を含む絶縁層を形成し、
   前記酸化物半導体層及び前記絶縁層に第２の加熱処理を行い、前記絶縁層から前記酸化物半導体層の方向へ水素を拡散させることを特徴とする半導体装置の作製方法。