JP2010118687A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010118687A5 JP2010118687A5 JP2010025992A JP2010025992A JP2010118687A5 JP 2010118687 A5 JP2010118687 A5 JP 2010118687A5 JP 2010025992 A JP2010025992 A JP 2010025992A JP 2010025992 A JP2010025992 A JP 2010025992A JP 2010118687 A5 JP2010118687 A5 JP 2010118687A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- optical system
- projection optical
- exposure
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (46)
- 投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
前記基板を載置する第1テーブルと、
前記第1テーブルとは独立に移動可能で、基準マークを有する第2テーブルと、
前記投影光学系と前記第1テーブルとの間に前記液体が維持される第1状態において前記第1、第2テーブルを接近させるように相対移動するとともに、前記第1状態から、前記投影光学系と前記第2テーブルとの間に前記液体が維持される第2状態に遷移するように、前記投影光学系の直下に前記液体を維持しつつ前記接近させた第1、第2テーブルを移動する駆動システムと、
前記投影光学系の直下に配置される前記第2テーブルの基準マークを用いて計測を行う計測システムと、を備え、
前記遷移によって、前記第2テーブルは前記投影光学系の直下に配置されて前記計測システムによる計測が行われるとともに、前記第1テーブルは前記投影光学系の直下から基板交換位置に移動されて前記露光された基板が交換される。 - 請求項1に記載の露光装置において、
前記基準マークは、表面が前記第2テーブルの表面と実質的に同一面となる基準部材に設けられる。 - 請求項1又は2に記載の露光装置において、
前記第1テーブルは、前記基板の載置領域、及びその周囲領域を有し、表面が前記周囲領域の表面とほぼ面一となるように前記基板を前記載置領域に載置する。 - 請求項3に記載の露光装置において、
前記第1テーブルは、前記周囲領域の一部に計測部材が設けられる。 - 請求項3又は4に記載の露光装置において、
前記第1テーブルは、前記載置領域に載置される基板の表面を含めて表面がほぼ面一となるように設定される。 - 請求項3〜5のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記遷移のために、前記投影光学系と前記第1テーブルの周囲領域との間に前記液体が維持される。 - 請求項3〜6のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系と対向して配置される前記第1テーブルの移動によって、前記投影光学系との間で前記液体を維持する前記周囲領域と前記基板との一方が他方に変更される。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルの位置情報を計測する計測装置をさらに備え、
前記計測装置は、前記露光において前記第1テーブルの位置情報を計測するエンコーダを含む。 - 請求項8に記載の露光装置において、
前記エンコーダは、前記第1テーブルの裏面に設けられるスケールを使ってその位置情報を計測する。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において近接または接触した状態で移動される。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記投影光学系の直下に前記液体が維持されるように近接した状態で移動される。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記液体の流出が防止されるように近接した状態で移動される。 - 請求項1〜12のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において所定方向に関して近接または接触しつつその所定方向に移動される。 - 請求項13に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記所定方向に関してその位置関係が維持されつつ同時に移動される。 - 請求項13又は14に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルは、前記所定方向に関する前記接近のための移動と、前記所定方向と直交する方向に関する位置関係の調整とが行われる。 - 請求項1〜15のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系と所定方向に関して位置が異なり、前記基板のマークを検出するマーク検出系を、さらに備え、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜16のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板は走査露光が行われ、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において、前記走査露光時に前記基板が走査される所定方向に移動される。 - 請求項1〜17のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1テーブルは、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と所定方向に関して位置が異なり、かつ前記基板の交換が行われる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜18のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板のマークを検出するマーク検出系をさらに備え、
前記基板は、前記液体を介して露光が行われ、前記マーク検出は液体を介することなく行われる。 - 請求項1〜19のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルとは独立して移動可能な第3テーブルをさらに備える。 - 請求項1〜20のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系の直下で前記基板より小さい局所領域内に前記液体を保持する液浸システムをさらに備え、
前記基板は、前記露光において前記局所領域内に保持される液体に対して相対移動される。 - 請求項21に記載の露光装置において、
前記液浸システムは、前記投影光学系の光学部材を囲んで設けられ、前記液体の流路を内部に有する液浸部材を含み、
前記基板は、前記露光において前記液浸部材の下面に近接して配置される。 - デバイス製造方法であって、
請求項1〜22のいずれか一項に記載の露光装置を用いて感光物体を露光することと、
前記露光された感光物体を現像することと、を含む。 - 投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光方法であって、
前記投影光学系と前記液体とを介して、第1テーブルに載置される基板を露光することと、
前記投影光学系と前記第1テーブルとの間に前記液体が維持される第1状態において、前記第1テーブルと、前記第1テーブルとは独立に移動可能かつ基準マークを有する第2テーブルとを接近させるように相対移動することと、
前記第1状態から、前記投影光学系と前記第2テーブルとの間に前記液体が維持される第2状態に遷移するように、前記投影光学系の直下に前記液体を維持しつつ、前記接近させた第1、第2テーブルを移動することと、
前記遷移によって前記投影光学系の直下に配置された前記第2テーブルの基準マークを用いて計測を行うことと、
前記第1テーブルを前記投影光学系の直下から基板交換位置に移動して前記露光された基板を交換することと、を含む。 - 請求項24に記載の露光方法において、
前記基準マークは、表面が前記第2テーブルの表面と実質的に同一面となる基準部材に設けられる。 - 請求項24又は25に記載の露光方法において、
前記第1テーブルは、前記基板の載置領域、及びその周囲領域を有し、表面が前記周囲領域の表面とほぼ面一となるように前記基板を前記載置領域に載置する。 - 請求項26に記載の露光方法において、
前記第1テーブルは、前記周囲領域の一部に計測部材が設けられ、前記投影光学系と前記第1テーブルとの間に前記液浸領域が維持された状態で前記計測部材を用いる計測が行われる。 - 請求項26又は27に記載の露光方法において、
前記第1テーブルは、前記載置領域に載置される基板の表面を含めて表面がほぼ面一となるように設定される。 - 請求項26〜28のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記遷移のために、前記投影光学系と前記第1テーブルの周囲領域との間に前記液体が維持される。 - 請求項26〜29のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系と対向して配置される前記第1テーブルの移動によって、前記投影光学系との間で前記液体を維持する前記周囲領域と前記基板との一方が他方に変更される。 - 請求項24〜30のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記露光において、前記第1テーブルを、エンコーダによってその位置情報を計測しつつ移動する。 - 請求項31に記載の露光方法において、
前記エンコーダによる計測では、前記第1テーブルの裏面に設けられるスケールが用いられる。 - 請求項24〜32のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において近接または接触した状態で移動される。 - 請求項24〜33のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記投影光学系の直下に前記液体が維持されるように近接した状態で移動される。 - 請求項24〜34のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記液体の流出が防止されるように近接した状態で移動される。 - 請求項24〜35のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において所定方向に関して近接または接触しつつその所定方向に移動される。 - 請求項36に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記所定方向に関してその位置関係が維持されつつ同時に移動される。 - 請求項36又は37に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルは、前記所定方向に関する前記接近のための移動と、前記所定方向と直交する方向に関する位置関係の調整とが行われる。 - 請求項24〜38のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系と所定方向に関して位置が異なるマーク検出系によって、前記基板のマークが検出され、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記所定方向に移動される。 - 請求項24〜39のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は走査露光が行われ、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において、前記走査露光時に前記基板が走査される所定方向に移動される。 - 請求項24〜40のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1テーブルは、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と所定方向に関して位置が異なり、かつ前記基板の交換が行われる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記所定方向に移動される。 - 請求項24〜41のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は、前記液体を介して露光が行われ、前記液体を介することなくマークの検出が行われる。 - 請求項24〜42のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルとは独立して移動可能な第3テーブルを用いて前記基板の露光動作と異なる動作を実行する。 - 請求項24〜43のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液体は、前記投影光学系の直下で前記基板より小さい局所領域内に保持され、
前記基板は、前記露光において前記局所領域内に保持される液体に対して相対移動される。 - 請求項44に記載の露光方法において、
前記基板は、前記露光において、前記投影光学系の光学部材を囲んで設けられる液浸部材の下面に近接して配置される。 - デバイス製造方法であって、
請求項24〜45のいずれか一項に記載の露光方法を用いて感光物体を露光することと、
前記露光された感光物体を現像することと、を含む。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010025992A JP4894936B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-02-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003174259 | 2003-06-19 | ||
JP2003174259 | 2003-06-19 | ||
JP2010025992A JP4894936B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-02-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009044470A Division JP4505675B2 (ja) | 2003-06-19 | 2009-02-26 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010293650A Division JP5287845B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-12-28 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011037040A Division JP5287900B2 (ja) | 2003-06-19 | 2011-02-23 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011037041A Division JP5287901B2 (ja) | 2003-06-19 | 2011-02-23 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010118687A JP2010118687A (ja) | 2010-05-27 |
JP2010118687A5 true JP2010118687A5 (ja) | 2011-04-21 |
JP4894936B2 JP4894936B2 (ja) | 2012-03-14 |
Family
ID=33534785
Family Applications (19)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005507235A Expired - Fee Related JP4437474B2 (ja) | 2003-06-19 | 2004-06-18 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009044470A Expired - Fee Related JP4505675B2 (ja) | 2003-06-19 | 2009-02-26 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010025992A Expired - Fee Related JP4894936B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-02-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010293650A Expired - Fee Related JP5287845B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-12-28 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011037040A Expired - Fee Related JP5287900B2 (ja) | 2003-06-19 | 2011-02-23 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011037041A Expired - Fee Related JP5287901B2 (ja) | 2003-06-19 | 2011-02-23 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012077973A Expired - Fee Related JP5494708B2 (ja) | 2003-06-19 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078269A Expired - Fee Related JP5488635B2 (ja) | 2003-06-19 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013080847A Expired - Fee Related JP5556925B2 (ja) | 2003-06-19 | 2013-04-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013272184A Expired - Fee Related JP5626443B2 (ja) | 2003-06-19 | 2013-12-27 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014076375A Expired - Fee Related JP5761418B2 (ja) | 2003-06-19 | 2014-04-02 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015006821A Expired - Fee Related JP5928618B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-01-16 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015127136A Expired - Fee Related JP5930102B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-06-25 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015206314A Expired - Fee Related JP6103016B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-10-20 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2016003694A Expired - Lifetime JP6123920B2 (ja) | 2003-06-19 | 2016-01-12 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2016207355A Expired - Fee Related JP6237857B2 (ja) | 2003-06-19 | 2016-10-21 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2017020807A Expired - Fee Related JP6264479B2 (ja) | 2003-06-19 | 2017-02-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2017176254A Expired - Fee Related JP6512252B2 (ja) | 2003-06-19 | 2017-09-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2018190188A Expired - Fee Related JP6614310B2 (ja) | 2003-06-19 | 2018-10-05 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005507235A Expired - Fee Related JP4437474B2 (ja) | 2003-06-19 | 2004-06-18 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009044470A Expired - Fee Related JP4505675B2 (ja) | 2003-06-19 | 2009-02-26 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (16)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010293650A Expired - Fee Related JP5287845B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-12-28 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011037040A Expired - Fee Related JP5287900B2 (ja) | 2003-06-19 | 2011-02-23 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011037041A Expired - Fee Related JP5287901B2 (ja) | 2003-06-19 | 2011-02-23 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012077973A Expired - Fee Related JP5494708B2 (ja) | 2003-06-19 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078269A Expired - Fee Related JP5488635B2 (ja) | 2003-06-19 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013080847A Expired - Fee Related JP5556925B2 (ja) | 2003-06-19 | 2013-04-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013272184A Expired - Fee Related JP5626443B2 (ja) | 2003-06-19 | 2013-12-27 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014076375A Expired - Fee Related JP5761418B2 (ja) | 2003-06-19 | 2014-04-02 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015006821A Expired - Fee Related JP5928618B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-01-16 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015127136A Expired - Fee Related JP5930102B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-06-25 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015206314A Expired - Fee Related JP6103016B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-10-20 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2016003694A Expired - Lifetime JP6123920B2 (ja) | 2003-06-19 | 2016-01-12 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2016207355A Expired - Fee Related JP6237857B2 (ja) | 2003-06-19 | 2016-10-21 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2017020807A Expired - Fee Related JP6264479B2 (ja) | 2003-06-19 | 2017-02-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2017176254A Expired - Fee Related JP6512252B2 (ja) | 2003-06-19 | 2017-09-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2018190188A Expired - Fee Related JP6614310B2 (ja) | 2003-06-19 | 2018-10-05 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (22) | US7321419B2 (ja) |
EP (4) | EP2275869B1 (ja) |
JP (19) | JP4437474B2 (ja) |
KR (19) | KR101674329B1 (ja) |
CN (2) | CN100459036C (ja) |
AT (1) | ATE453209T1 (ja) |
DE (1) | DE602004024782D1 (ja) |
HK (3) | HK1145043A1 (ja) |
TW (15) | TWI590306B (ja) |
WO (1) | WO2004114380A1 (ja) |
Families Citing this family (129)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7372541B2 (en) * | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG2010050110A (en) * | 2002-11-12 | 2014-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3953460B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2007-08-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置 |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG2011031200A (en) * | 2002-12-10 | 2014-09-26 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus and device manufacturing method |
EP3229077A1 (en) | 2003-04-09 | 2017-10-11 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and method for fabricating device |
EP3062152B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-20 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
KR101178754B1 (ko) | 2003-04-10 | 2012-09-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
EP3141953A3 (en) | 2003-04-11 | 2017-06-07 | Nikon Corporation | Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101674329B1 (ko) | 2003-06-19 | 2016-11-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
DE60308161T2 (de) | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101238134B1 (ko) | 2003-09-26 | 2013-02-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영노광장치 및 투영노광장치의 세정방법, 메인터넌스 방법 그리고 디바이스의 제조방법 |
US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI511179B (zh) | 2003-10-28 | 2015-12-01 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
TWI519819B (zh) | 2003-11-20 | 2016-02-01 | 尼康股份有限公司 | 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法 |
US7466489B2 (en) * | 2003-12-15 | 2008-12-16 | Susanne Beder | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
WO2005059645A2 (en) | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal elements |
KR101748504B1 (ko) | 2004-01-05 | 2017-06-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
TWI389174B (zh) | 2004-02-06 | 2013-03-11 | 尼康股份有限公司 | 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法 |
TW201816844A (zh) | 2004-03-25 | 2018-05-01 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法 |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006009573A1 (en) * | 2004-06-17 | 2006-01-26 | Nikon Corporation | Fluid pressure compensation for immersion lithography lens |
EP1761822A4 (en) | 2004-07-01 | 2009-09-09 | Nikon Corp | DYNAMIC FLUID CONTROL SYSTEM FOR IMMERSION LITHOGRAPHY |
KR101337007B1 (ko) | 2004-08-03 | 2013-12-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
SG156635A1 (en) | 2004-10-15 | 2009-11-26 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8330939B2 (en) | 2004-11-01 | 2012-12-11 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with a liquid recovery port provided on at least one of a first stage and second stage |
US7528931B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124351A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006222165A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Canon Inc | 露光装置 |
US8018573B2 (en) | 2005-02-22 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006106836A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-12 | Nikon Corporation | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US7515281B2 (en) | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7161659B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060232753A1 (en) | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Asml Holding N.V. | Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101544336B1 (ko) | 2005-05-12 | 2015-08-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
JP4708860B2 (ja) * | 2005-05-23 | 2011-06-22 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置 |
CN101138070B (zh) * | 2005-08-05 | 2011-03-23 | 株式会社尼康 | 载台装置及曝光装置 |
EP1950795A4 (en) * | 2005-11-01 | 2010-06-02 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE APPARATUS |
US20070127135A1 (en) * | 2005-11-01 | 2007-06-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
US7773195B2 (en) | 2005-11-29 | 2010-08-10 | Asml Holding N.V. | System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography |
US20070126999A1 (en) * | 2005-12-07 | 2007-06-07 | Nikon Corporation | Apparatus and method for containing immersion liquid in immersion lithography |
US7420194B2 (en) | 2005-12-27 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and substrate edge seal |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101346581B1 (ko) * | 2006-02-21 | 2014-01-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 형성 장치 및 패턴 형성 방법, 이동체 구동 시스템 및이동체 구동 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
SG178816A1 (en) * | 2006-02-21 | 2012-03-29 | Nikon Corp | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure appararus and method, and device manufacturing method |
JP4889331B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-03-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US7483120B2 (en) | 2006-05-09 | 2009-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method |
US7804582B2 (en) * | 2006-07-28 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method of calibrating a lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101670638B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2016-11-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
EP3291010A1 (en) * | 2006-08-31 | 2018-03-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
US7872730B2 (en) * | 2006-09-15 | 2011-01-18 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method |
KR101360507B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2014-02-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 시스템, 패턴 형성 장치, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US20080158531A1 (en) | 2006-11-15 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8237911B2 (en) | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
US8267388B2 (en) * | 2007-09-12 | 2012-09-18 | Xradia, Inc. | Alignment assembly |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
JP4533416B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2010-09-01 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
KR101546987B1 (ko) | 2007-10-16 | 2015-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR101562073B1 (ko) | 2007-10-16 | 2015-10-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8279399B2 (en) | 2007-10-22 | 2012-10-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP4986185B2 (ja) * | 2007-11-07 | 2012-07-25 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
CN102566320B (zh) | 2007-12-28 | 2015-01-28 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法以及器件制造方法 |
FR2927708A1 (fr) * | 2008-02-19 | 2009-08-21 | Commissariat Energie Atomique | Procede de photolithographie ultraviolette a immersion |
NL1036614A1 (nl) * | 2008-03-21 | 2009-09-22 | Asml Netherlands Bv | A target material, a source, an EUV lithographic apparatus and a device manufacturing method using the same. |
EP2128703A1 (en) | 2008-05-28 | 2009-12-02 | ASML Netherlands BV | Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus |
KR101695034B1 (ko) | 2008-05-28 | 2017-01-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 공간 광 변조기의 검사 장치, 조명 광학계, 노광 장치, 검사 방법, 조명 광학계의 조정 방법, 조명 방법, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
WO2009151984A2 (en) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Kla-Tencor Corporation | Referenced inspection device |
US8260479B2 (en) * | 2008-12-09 | 2012-09-04 | Honeywell International Inc. | Modular software architecture for an unmanned aerial vehicle |
US8902402B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8773635B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
US8760629B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
EP2221668B1 (en) * | 2009-02-24 | 2021-04-14 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning assembly |
US8792084B2 (en) * | 2009-05-20 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8970820B2 (en) * | 2009-05-20 | 2015-03-03 | Nikon Corporation | Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8553204B2 (en) * | 2009-05-20 | 2013-10-08 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5365407B2 (ja) * | 2009-08-17 | 2013-12-11 | ソニー株式会社 | 画像取得装置及び画像取得方法 |
US20110096318A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110096306A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110102761A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
US20110096312A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110123913A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
US20110128523A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
DE102010024263A1 (de) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Festo Ag & Co. Kg | Luftlagereinrichtung |
EP2593841A2 (en) * | 2010-07-15 | 2013-05-22 | Centre de Recherche Public - Gabriel Lippmann | Methods and systems for detecting, setting, monitoring, determining, storing and compensating the spatial situation of a mobile unit |
NL2008183A (en) * | 2011-02-25 | 2012-08-28 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method. |
NL2007604C2 (en) * | 2011-10-14 | 2013-05-01 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle system comprising a manipulator device for manipulation of one or more charged particle beams. |
NL2008695A (en) * | 2011-05-25 | 2012-11-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus comprising substrate table. |
NL2007114C2 (en) * | 2011-07-14 | 2013-01-15 | Levitech B V | Floating substrate monitoring and control device, and method for the same. |
NL2009692A (en) | 2011-12-07 | 2013-06-10 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
US9211481B2 (en) * | 2012-07-27 | 2015-12-15 | Nb Tech Inc. | Visual display system and method of constructing a high-gain reflective beam-splitter |
JP5975785B2 (ja) * | 2012-08-14 | 2016-08-23 | 株式会社アドテックエンジニアリング | 描画装置、露光描画装置、プログラム及び描画方法 |
US9362812B2 (en) * | 2012-09-18 | 2016-06-07 | Honeywell International Inc. | Shaft coupling apparatus, rotary fluid damper, and deployable device with magnetic coupling mechanism |
US9772564B2 (en) | 2012-11-12 | 2017-09-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
TWI564555B (zh) * | 2014-12-27 | 2017-01-01 | 財團法人工業技術研究院 | 全周反射取像模組與全周反射取像方法 |
CN104597721B (zh) * | 2015-01-20 | 2016-09-21 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 紫外光刻二维平台 |
TW202316204A (zh) * | 2015-03-31 | 2023-04-16 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、平面顯示器之製造方法、元件製造方法、及曝光方法 |
JP6727554B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2020-07-22 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法 |
AU2016290895B2 (en) | 2015-07-06 | 2021-05-06 | Mitchell Terrace Pty. Ltd. | Device for applying a product |
KR20180059810A (ko) * | 2015-09-30 | 2018-06-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 플랫 패널 디스플레이 제조 방법 |
NL2017682A (en) * | 2015-11-30 | 2017-06-07 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for processing a substrate in a lithographic apparatus |
NL2019453A (en) | 2016-09-12 | 2018-03-15 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure for lithographic apparatus |
US10372113B2 (en) * | 2016-09-23 | 2019-08-06 | Kla-Tencor Corporation | Method for defocus detection |
US9990460B2 (en) * | 2016-09-30 | 2018-06-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Source beam optimization method for improving lithography printability |
CN109256884A (zh) * | 2017-10-13 | 2019-01-22 | 朱卫 | 一种用钛金属生产的马达外壳 |
CN112154316A (zh) * | 2018-02-27 | 2020-12-29 | 乔治亚技术研究公司 | 提供流体动力阻挡件的系统、装置及方法 |
JP6922849B2 (ja) * | 2018-05-25 | 2021-08-18 | 信越化学工業株式会社 | 単量体、ポリマー、ネガ型レジスト組成物、フォトマスクブランク、及びレジストパターン形成方法 |
CN110658683A (zh) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 晶片承载系统和浸没光刻设备 |
JP7099250B2 (ja) | 2018-10-25 | 2022-07-12 | 信越化学工業株式会社 | オニウム塩、ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP2019183175A (ja) * | 2019-08-01 | 2019-10-24 | ダイキン工業株式会社 | 離型フィルム |
CN110824591A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-02-21 | 曾雪骢 | 一种液体镜片 |
CN115818207B (zh) * | 2023-02-10 | 2023-06-02 | 季华实验室 | 一种基板传送装置、控制方法及相关设备 |
Family Cites Families (334)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US4026653A (en) * | 1975-05-09 | 1977-05-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Proximity printing method |
US4341164A (en) | 1980-06-13 | 1982-07-27 | Charles H. Ruble | Folding camp table |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
US4650983A (en) | 1983-11-07 | 1987-03-17 | Nippon Kogaku K. K. | Focusing apparatus for projection optical system |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JP2940553B2 (ja) | 1988-12-21 | 1999-08-25 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
US5121256A (en) * | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
US5243195A (en) | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
JP3200874B2 (ja) | 1991-07-10 | 2001-08-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JP3203719B2 (ja) | 1991-12-26 | 2001-08-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法 |
US5469963A (en) | 1992-04-08 | 1995-11-28 | Asyst Technologies, Inc. | Sealable transportable container having improved liner |
JPH05304072A (ja) | 1992-04-08 | 1993-11-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JPH06208058A (ja) | 1993-01-13 | 1994-07-26 | Olympus Optical Co Ltd | 顕微鏡対物レンズ |
US5591958A (en) * | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JP3635684B2 (ja) | 1994-08-23 | 2005-04-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置 |
JPH09311278A (ja) | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JP3747951B2 (ja) | 1994-11-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
JP3747958B2 (ja) | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
US5636066A (en) | 1993-03-12 | 1997-06-03 | Nikon Corporation | Optical apparatus |
JP3265503B2 (ja) | 1993-06-11 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
US5534970A (en) | 1993-06-11 | 1996-07-09 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus |
JP3212199B2 (ja) | 1993-10-04 | 2001-09-25 | 旭硝子株式会社 | 平板型陰極線管 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US7365513B1 (en) | 1994-04-01 | 2008-04-29 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US6989647B1 (en) | 1994-04-01 | 2006-01-24 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
JP3395801B2 (ja) | 1994-04-28 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH07335748A (ja) | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
US5715064A (en) * | 1994-06-17 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | Step and repeat apparatus having enhanced accuracy and increased throughput |
USRE38438E1 (en) | 1994-08-23 | 2004-02-24 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same |
JPH0883753A (ja) | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 焦点検出方法 |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08136475A (ja) | 1994-11-14 | 1996-05-31 | Kawasaki Steel Corp | 板状材の表面観察装置 |
JP3387075B2 (ja) * | 1994-12-12 | 2003-03-17 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置 |
JPH08171054A (ja) | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US5677758A (en) | 1995-02-09 | 1997-10-14 | Mrs Technology, Inc. | Lithography System using dual substrate stages |
US6008500A (en) | 1995-04-04 | 1999-12-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JP3526042B2 (ja) | 1995-08-09 | 2004-05-10 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JP3242564B2 (ja) * | 1995-11-29 | 2001-12-25 | 富士通株式会社 | 昇圧回路を有する記憶装置及び昇圧回路制御方法 |
JPH09232213A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH09267236A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Kyocera Corp | 位置決め装置 |
US5964441A (en) | 1996-04-01 | 1999-10-12 | Lear Corporation | Linkage assembly with extruded hole member |
JPH103039A (ja) | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH1020195A (ja) | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JP3480192B2 (ja) * | 1996-10-01 | 2003-12-15 | ウシオ電機株式会社 | Xyステージの位置決め装置 |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JPH10188333A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-07-21 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置 |
JP4029181B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
CN1244018C (zh) | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光方法和曝光装置 |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP2000505958A (ja) | 1996-12-24 | 2000-05-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 2個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置 |
US5815246A (en) | 1996-12-24 | 1998-09-29 | U.S. Philips Corporation | Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device |
JPH10209039A (ja) | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 投影露光方法及び投影露光装置 |
USRE39027E1 (en) * | 1997-02-07 | 2006-03-21 | Emerson Power Transmission Manufacturing, L.P. | Shaft locking device for bearing assemblies |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
US6262796B1 (en) | 1997-03-10 | 2001-07-17 | Asm Lithography B.V. | Positioning device having two object holders |
JPH10255319A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) * | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
US5884841A (en) * | 1997-04-25 | 1999-03-23 | Ratnik Industries, Inc. | Method and apparatus for making snow |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
EP1028456A4 (en) | 1997-09-19 | 2003-03-05 | Nikon Corp | PLATINUM, SCANNING ALIGNMENT DEVICE, AND SCANNING EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY |
JP2000106340A (ja) * | 1997-09-26 | 2000-04-11 | Nikon Corp | 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
AU1175799A (en) | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Nikon Corporation | Projection aligner and projection exposure method |
JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP4264676B2 (ja) | 1998-11-30 | 2009-05-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
US6897963B1 (en) | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
WO1999031462A1 (fr) | 1997-12-18 | 1999-06-24 | Nikon Corporation | Platine et appareil d'exposition |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
JPH11219896A (ja) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
AU2747999A (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JPH11340846A (ja) | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Alps Electric Co Ltd | Dect通信装置 |
JP2000058436A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
AU5650399A (en) | 1998-09-17 | 2000-04-10 | Nikon Corporation | Method of adjusting optical projection system |
AU2041000A (en) * | 1998-12-02 | 2000-06-19 | Kensington Laboratories, Inc. | Specimen holding robotic arm end effector |
KR20020006670A (ko) | 1999-03-12 | 2002-01-24 | 시마무라 테루오 | 노광장치 및 노광방법, 그리고 디바이스 제조방법 |
JP4365934B2 (ja) | 1999-05-10 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
JP2001118773A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
JP2001160530A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-06-12 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
EP1111471B1 (en) * | 1999-12-21 | 2005-11-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus with collision preventing device |
TWI223734B (en) * | 1999-12-21 | 2004-11-11 | Asml Netherlands Bv | Crash prevention in positioning apparatus for use in lithographic projection apparatus |
TW546551B (en) | 1999-12-21 | 2003-08-11 | Asml Netherlands Bv | Balanced positioning system for use in lithographic apparatus |
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
JP2001267239A (ja) | 2000-01-14 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2001241439A (ja) | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Canon Inc | 静圧軸受を備えた移動装置 |
JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
SG107560A1 (en) | 2000-02-25 | 2004-12-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
JP2001244177A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Nikon Corp | ステージ装置とホルダ、および走査型露光装置並びに露光装置 |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
KR100833275B1 (ko) | 2000-05-03 | 2008-05-28 | 에이에스엠엘 유에스, 인크. | 정화 가스를 이용한 비접촉식 시일 |
SE517970C2 (sv) | 2000-07-20 | 2002-08-13 | Volvo Articulated Haulers Ab | Förfarande för att uppskatta en livslängdsreducerande skada på ett i drift belastat objekt,jämte datorprogramprodukt |
TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
JP2002134930A (ja) | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Idec Izumi Corp | 電気機器 |
JP4405071B2 (ja) * | 2000-10-23 | 2010-01-27 | パナソニック株式会社 | 送り装置及びそれを具備する光ディスク原盤記録装置 |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
JP2002198299A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2002305140A (ja) | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
US20020163629A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6788385B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-09-07 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus and method |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
US6680774B1 (en) * | 2001-10-09 | 2004-01-20 | Ultratech Stepper, Inc. | Method and apparatus for mechanically masking a workpiece |
US6665054B2 (en) * | 2001-10-22 | 2003-12-16 | Nikon Corporation | Two stage method |
US7134668B2 (en) | 2001-10-24 | 2006-11-14 | Ebara Corporation | Differential pumping seal apparatus |
JP2003249443A (ja) | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
DE10229249A1 (de) | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille |
US7190527B2 (en) | 2002-03-01 | 2007-03-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective |
US7154676B2 (en) | 2002-03-01 | 2006-12-26 | Carl Zeiss Smt A.G. | Very-high aperture projection objective |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
US7092069B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
EP1353229A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-15 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
JPWO2003085708A1 (ja) | 2002-04-09 | 2005-08-18 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
KR20040104691A (ko) | 2002-05-03 | 2004-12-10 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈 |
US20040035775A1 (en) * | 2002-05-31 | 2004-02-26 | Biolink Partners, Inc. | MemCoatTM: functionalized surface coatings, products and uses thereof |
TWI249082B (en) | 2002-08-23 | 2006-02-11 | Nikon Corp | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US7383843B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
US7372541B2 (en) | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3953460B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-08-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置 |
CN101470360B (zh) | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG2010050110A (en) | 2002-11-12 | 2014-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420300B1 (en) * | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420299B1 (en) | 2002-11-12 | 2011-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10253679A1 (de) | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
US6992750B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
SG2011031200A (en) | 2002-12-10 | 2014-09-26 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus and device manufacturing method |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
ATE424026T1 (de) | 2002-12-13 | 2009-03-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht |
KR100971441B1 (ko) | 2002-12-19 | 2010-07-21 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치 |
AU2003295177A1 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
US7010958B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
US20040227932A1 (en) | 2003-02-13 | 2004-11-18 | Geunyoung Yoon | Large dynamic range shack-hartmann wavefront sensor |
TWI247339B (en) | 2003-02-21 | 2006-01-11 | Asml Holding Nv | Lithographic printing with polarized light |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6943941B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6851787B2 (en) * | 2003-03-06 | 2005-02-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Printer servicing system and method |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
KR101176817B1 (ko) | 2003-04-07 | 2012-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
KR20110104084A (ko) | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
EP3062152B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-20 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
WO2004093160A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
KR101178754B1 (ko) * | 2003-04-10 | 2012-09-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
WO2004092830A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
EP3141953A3 (en) | 2003-04-11 | 2017-06-07 | Nikon Corporation | Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine |
DE602004024295D1 (de) | 2003-04-11 | 2010-01-07 | Nippon Kogaku Kk | Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie |
JP2006523958A (ja) | 2003-04-17 | 2006-10-19 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造 |
JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI612556B (zh) | 2003-05-23 | 2018-01-21 | Nikon Corp | 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法 |
CN1307456C (zh) | 2003-05-23 | 2007-03-28 | 佳能株式会社 | 投影光学系统、曝光装置及器件的制造方法 |
JP2004349645A (ja) | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Sony Corp | 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法 |
TWI442694B (zh) | 2003-05-30 | 2014-06-21 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及元件製造方法 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261742A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
KR101674329B1 (ko) * | 2003-06-19 | 2016-11-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP2005019616A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP4343597B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60308161T2 (de) | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
EP1494074A1 (en) | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1639391A4 (en) | 2003-07-01 | 2009-04-29 | Nikon Corp | USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS |
JP2005022696A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Kashiwara Seitai:Kk | 空気通路の構造及びこれを用いた空気封入緩衝材 |
EP2853943B1 (en) | 2003-07-08 | 2016-11-16 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
SG109000A1 (en) | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
EP1500982A1 (en) | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
JP4492239B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
KR101403117B1 (ko) | 2003-07-28 | 2014-06-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법 |
US7326522B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005057294A (ja) | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Asml Netherlands Bv | インタフェースユニット、該インタフェースユニットを含むリソグラフィ投影装置、及びデバイス製造方法 |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7700267B2 (en) | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7579135B2 (en) | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
KR101590686B1 (ko) | 2003-09-03 | 2016-02-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
US7158211B2 (en) | 2003-09-29 | 2007-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1519230A1 (en) | 2003-09-29 | 2005-03-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1519231B1 (en) | 2003-09-29 | 2005-12-21 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
JP2005136374A (ja) | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
EP1524558A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1524557A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7678527B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
TWI295408B (en) | 2003-10-22 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method, and measurement system |
US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
JP2005159322A (ja) | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
EP1685446A2 (en) | 2003-11-05 | 2006-08-02 | DSM IP Assets B.V. | A method and apparatus for producing microchips |
US7924397B2 (en) | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
EP1531362A3 (en) | 2003-11-13 | 2007-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
JP2005150290A (ja) | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Canon Inc | 露光装置およびデバイスの製造方法 |
JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
EP1695148B1 (en) | 2003-11-24 | 2015-10-28 | Carl Zeiss SMT GmbH | Immersion objective |
US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10355301B3 (de) | 2003-11-27 | 2005-06-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Abbildung einer Struktur auf einen Halbleiter-Wafer mittels Immersionslithographie |
US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
JP2005175016A (ja) | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
WO2005106589A1 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
JP2007516613A (ja) | 2003-12-15 | 2007-06-21 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | 少なくとも1つの液体レンズを備えるマイクロリソグラフィー投影対物レンズとしての対物レンズ |
EP1697798A2 (en) | 2003-12-15 | 2006-09-06 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
JP4308638B2 (ja) | 2003-12-17 | 2009-08-05 | パナソニック株式会社 | パターン形成方法 |
US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
WO2005059645A2 (en) | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal elements |
JP4323946B2 (ja) | 2003-12-19 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US20050185269A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
JP4586367B2 (ja) * | 2004-01-14 | 2010-11-24 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
KR101204114B1 (ko) | 2004-01-14 | 2012-11-23 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
JP4958562B2 (ja) | 2004-01-16 | 2012-06-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 偏光変調光学素子 |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
JP4843503B2 (ja) | 2004-01-20 | 2011-12-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
US7026259B2 (en) | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP4506674B2 (ja) | 2004-02-03 | 2010-07-21 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8852850B2 (en) | 2004-02-03 | 2014-10-07 | Rochester Institute Of Technology | Method of photolithography using a fluid and a system thereof |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1716454A1 (en) | 2004-02-09 | 2006-11-02 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
KR101115111B1 (ko) | 2004-02-13 | 2012-04-16 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로 리소그래프 투영 노광 장치 투영 대물 렌즈 |
WO2005081030A1 (en) | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Corning Incorporated | Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light |
JP2005236087A (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2005259789A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法 |
US20050205108A1 (en) | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
JP2005268700A (ja) | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US7027125B2 (en) | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
US7084960B2 (en) | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
US7227619B2 (en) | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7034917B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7295283B2 (en) | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005098504A1 (en) | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7271878B2 (en) | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
US7244665B2 (en) | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
US20050241694A1 (en) | 2004-04-29 | 2005-11-03 | Red Flame Hot Tap Services Ltd. | Hot tapping method, system and apparatus |
US7379159B2 (en) | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005111722A2 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-24 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
KR20180078354A (ko) | 2004-05-17 | 2018-07-09 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101199076B1 (ko) | 2004-06-04 | 2012-11-07 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소 |
JP4845880B2 (ja) | 2004-06-04 | 2011-12-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学結像系の像品質測定システム |
JP4305915B2 (ja) | 2004-06-17 | 2009-07-29 | シャープ株式会社 | 基地局選択に用いる基準を求める方法 |
US7057702B2 (en) | 2004-06-23 | 2006-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4305917B2 (ja) | 2004-07-14 | 2009-07-29 | シャープ株式会社 | 映像信号処理装置及びテレビジョン装置 |
US7256871B2 (en) * | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
SG156635A1 (en) | 2004-10-15 | 2009-11-26 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7119876B2 (en) | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7583357B2 (en) | 2004-11-12 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7403261B2 (en) | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124351A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7161659B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2034515A4 (en) | 2006-05-23 | 2012-01-18 | Nikon Corp | MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
US8436864B2 (en) * | 2006-08-01 | 2013-05-07 | Nvidia Corporation | Method and user interface for enhanced graphical operation organization |
US8446445B2 (en) * | 2006-09-27 | 2013-05-21 | Casio Computer Co., Ltd. | Exposure device, image forming apparatus and method for operating exposure device |
TWM314880U (en) * | 2006-10-20 | 2007-07-01 | Imagetech Co Ltd | Multimedia video generation device |
JP2007274881A (ja) * | 2006-12-01 | 2007-10-18 | Nikon Corp | 移動体装置、微動体及び露光装置 |
-
2004
- 2004-06-18 KR KR1020157001442A patent/KR101674329B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW105113425A patent/TWI590306B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020107000875A patent/KR101146962B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW102123165A patent/TWI515770B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020127016894A patent/KR101265454B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020127006006A patent/KR101265450B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW093117577A patent/TW200514132A/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW104107541A patent/TWI543235B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020107023716A patent/KR101148810B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW103137368A patent/TWI527086B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020107023718A patent/KR101148811B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW102123163A patent/TWI540612B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020137005136A patent/KR101419663B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 DE DE602004024782T patent/DE602004024782D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-18 KR KR1020137028434A patent/KR101476087B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 JP JP2005507235A patent/JP4437474B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-18 KR KR1020147002172A patent/KR101483916B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 EP EP10185953.6A patent/EP2275869B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-18 TW TW103137370A patent/TWI564933B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 EP EP04746097A patent/EP1635382B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-18 KR KR1020187035459A patent/KR20180132996A/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020117028752A patent/KR101187617B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 AT AT04746097T patent/ATE453209T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW106105260A patent/TW201721717A/zh unknown
- 2004-06-18 CN CNB200480015978XA patent/CN100459036C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-18 TW TW099136459A patent/TWI457981B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 CN CN2008101846483A patent/CN101436003B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-18 KR KR1020117022062A patent/KR101289979B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020157031632A patent/KR101686762B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW098113289A patent/TWI433211B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW102123164A patent/TWI515769B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 WO PCT/JP2004/008595 patent/WO2004114380A1/ja active Application Filing
- 2004-06-18 TW TW098146230A patent/TWI463532B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW098146233A patent/TWI433212B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW102123393A patent/TWI536430B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020187003214A patent/KR101931923B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020097023978A patent/KR101134957B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 EP EP10185992.4A patent/EP2278401B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-18 TW TW099136460A patent/TWI482200B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020167032936A patent/KR101830565B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020137005135A patent/KR101475634B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020147016500A patent/KR101529844B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 EP EP09015888A patent/EP2216685B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-10-27 US US11/258,846 patent/US7321419B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2005-12-02 KR KR1020057023089A patent/KR101119812B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-01-26 US US11/339,683 patent/US7812925B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-01-27 US US11/340,680 patent/US8018575B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-21 US US11/602,371 patent/US7486385B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-04-19 US US11/785,716 patent/US8027027B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-16 US US11/889,733 patent/US8436978B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-26 JP JP2009044470A patent/JP4505675B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-24 US US12/382,807 patent/US8319941B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-08 JP JP2010025992A patent/JP4894936B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-05 US US12/923,717 patent/US8705001B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-05 US US12/923,718 patent/US8436979B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-10 HK HK10111515.1A patent/HK1145043A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2010-12-28 JP JP2010293650A patent/JP5287845B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-23 JP JP2011037040A patent/JP5287900B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-23 JP JP2011037041A patent/JP5287901B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-21 HK HK11106397.3A patent/HK1152392A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2011-06-21 HK HK11106390.0A patent/HK1152391A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2011-09-09 US US13/137,753 patent/US8767177B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012077973A patent/JP5494708B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-29 JP JP2012078269A patent/JP5488635B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-18 US US13/449,430 patent/US8830445B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-03-28 US US13/852,807 patent/US8724085B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2013-03-29 US US13/853,319 patent/US8692976B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-03-29 US US13/853,643 patent/US8717537B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-04-08 JP JP2013080847A patent/JP5556925B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-12-27 JP JP2013272184A patent/JP5626443B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-03-31 US US14/230,377 patent/US9001307B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2014-03-31 US US14/230,537 patent/US9019473B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-04-02 JP JP2014076375A patent/JP5761418B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-16 US US14/305,656 patent/US9025129B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-16 JP JP2015006821A patent/JP5928618B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-03-26 US US14/669,326 patent/US9274437B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-25 JP JP2015127136A patent/JP5930102B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-10-20 JP JP2015206314A patent/JP6103016B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-01-12 JP JP2016003694A patent/JP6123920B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2016-02-26 US US15/054,920 patent/US9551943B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-10-21 JP JP2016207355A patent/JP6237857B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-01-17 US US15/407,597 patent/US9810995B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-02-08 JP JP2017020807A patent/JP6264479B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-09-14 JP JP2017176254A patent/JP6512252B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-10-04 US US15/724,777 patent/US10007188B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-06-20 US US16/013,131 patent/US10191388B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2018-10-05 JP JP2018190188A patent/JP6614310B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010118687A5 (ja) | ||
JP2011109138A5 (ja) | ||
JP2011109137A5 (ja) | ||
JP2012138617A5 (ja) | ||
JP2011211222A5 (ja) | ||
JP2015111696A5 (ja) | ||
JP2010098333A5 (ja) | ||
JP2015109460A5 (ja) | ||
JP2011155285A5 (ja) | 交換方法、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP2012142604A5 (ja) | ||
JP2015109459A5 (ja) | ||
JP2014131077A5 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP2011097112A5 (ja) | ||
JP2012138618A5 (ja) | ||
JP2012142603A5 (ja) | ||
JP2011181937A5 (ja) | ||
JP2015119187A5 (ja) | ||
JP2014150264A5 (ja) | ||
TWI476538B (zh) | 定位測量系統及微影裝置 | |
JP2012134553A5 (ja) | 露光装置、液体検出方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2019105861A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2009117877A5 (ja) | ||
JP2014131082A5 (ja) | リソグラフィ投影装置、オフセットを決定するための方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP2012032837A5 (ja) | 露光装置、該露光装置を用いるデバイス製造方法、及び露光用マスク | |
JP2011124606A5 (ja) |