JPH04253711A - 付加重合触媒 - Google Patents
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
物、これらの触媒の組成物を製造する方法、そして付加
重合触媒として組成物を用いる方法に関する。さらに詳
しくは、本発明は、触媒組成物、これら触媒組成物を製
造する方法及びこれらの触媒が使用されるオレフィン、
ジオレフィン及び/又はアセチレン性不飽和単量体を重
合する方法に関する。
グラー・ナッタ型触媒の使用は、もちろん、従来の技術
において周知である。一般に、これらの可溶性系は、族
4又はランタニド金属化合物及び金属アルキル共触媒特
にアルミニウムアルキル共触媒よりなる。
は、ビス(シクロペンタジエニル)金属複合体と非配位
融和性陰イオンを含むブロンステッド酸の塩とを反応さ
せることにより形成される或るビス(シクロベンタジエ
ニル)金属化合物が開示されている。文献は、これら複
合体がオレフィンの重合に触媒として有用に用いられる
という事実を開示している。該公報に含まれている教示
について、ヨーロッパ特許公開第0277004号は、
ここに、本発明に関する参考のため、その全体を引用さ
れる。
れる触媒は、触媒形成から生ずる副生アミン又はホスフ
ィン化合物の存在により悪影響を受けることが分かった
。即ち、ヨーロッパ特許公開第0277004号の方法
は、金属化合物のリガンドとブロンステッド酸塩の陽イ
オンとの不可逆反応を含む。実際には、これらの陽イオ
ンは、一般に触媒形成中リガンドへのプロトン移動によ
り第三級アミン又はホスフィンの形成をもたらすトリア
ルキルアンモニウム又はホスホニウムイオンである。 これらアミン又はホスフィン化合物は、付加重合に対す
るそれらの阻害効果による得られた触媒の望ましくない
成分である。
成するやり方で活性化される付加重合触媒が提供される
ならば、望ましいだろう。
1−4113(1987)には、d・有機金属化合物の
一つの電子酸化による陽イオン性ジルコニウム(IV)
ベンジル複合体の製法を開示している。ジルコニウムメ
タロセンの製造に用いられる溶媒は、テトラヒドロフラ
ン又は塩化メチレンであり、それらの両方は、所望の触
媒形成と干渉する及び/又は次のオレフィン重合に悪影
響を及ぼす。さらに、この方法では、テトラフェニルボ
レートを含む酸化剤を用いた。これらの陰イオンは、付
加重合触媒を製造する酸化活性化法に用いることができ
ないことが見出された。
媒の前記及び他の不利は、本発明の触媒により避けられ
るか又は少なくとも減少されることが分かった。さらに
、改良された触媒活性化法及び改良された付加重合法が
、本発明により提供される。それ故、オレフィン、ジオ
レフィン及び/又はアセチレン性不飽和単量体を含む付
加重合可能な単量体の重合に有用な改良されたイオン性
触媒系を提供するのが、本発明の目的である。この改良
された触媒を製造する方法を提供するのが、本発明の他
の目的である。これら改良された触媒を用いる改良され
た重合法を提供するのが、本発明の他の目的である。 干渉する化合物の形成を行わないこれら改良した触媒を
提供するのが、本発明のなお他の目的である。最後に、
生成重合体の分子量及び分子量分布の良好なコントロー
ルを行うことのできる改良した触媒を提供するのが、本
発明の目的である。
欠き、そして式
ガンド系であり、Mは元素の周期表の族4又はランタニ
ド列の金属であり、Xはヒドリド又は20個以内の炭素
のヒドロカルビル、シリル又はゲルミル基、珪素又はゲ
ルマニウム原子であり、1は1以上の整数であり、そし
てA−は一価の融和性の非配位陰イオンである)に相当
する付加重合に有用な触媒が提供される。
属であり、最も好ましくはチタン又はジルコニウムであ
る。又、好ましくはXはヒドリド又は20個以内の炭素
のヒドロカルビルである。
る族4又はランタニド金属の誘導体を、還元された形で
得られる触媒と干渉しない酸化剤と接触させ、該酸化剤
は、陽イオン性酸化剤及び融和性の非配位陰イオンより
なる、前記の付加重合触媒を製造する方法を提供する。
を酸化可能な(+a)の電荷を有する非ブロンステッド
酸陽イオン酸化剤であり、A−は前記同様であり、そし
てb及びaは電荷のバランスを得るために選択される整
数である)に相当する。
を酸化剤と、任意に不活性希釈剤例えば有機液体中で接
触させることにより製造できる。
、CRC Press、Inc.1989により発行
され著作権を有する元素の周期表に関する。又、族に関
する全ての引用は、族を数えるIUPACシステムを使
用する元素のこの周期表に示された族に関する。
の補助的な、電子供与性又は電子共有性部分に関する。 これらリガンドは、陰イオン性リガンド及び中性供与体
リガンドを含む。
限するものではない例は、R、−R’(OR’)mOR
、(OR’)mOR、−PR2、−SR、−OR、−N
R2、ヒドリド及び族14元素を含む有機メタロイド基
(該有機メタロイドの有機部分に含まれるヒドロカルビ
ル置換基のそれぞれは、独立して1−20個の炭素原子
を含む)を含む。これらのリガンドにおいて、Rは1−
24個の炭素のヒドロカルビル、シリル、ゲルミル又は
置換ヒドロカルビル、シリル又はゲルミル基、珪素又は
ゲルマニウム原子であり、R’はC2−10アルキレン
であり、そしてmは0−10の整数である。
するが制限するものではない例は、ROR、NR3、P
R3及びSR2(但し、Rは前記同様である)を含む。
」とは、触媒化合物を形成するために、族4又はランタ
ニド金属の誘導体の分子酸化を生じさせるのに十分な酸
化電位を有する有機又は無機のイオンに関する。一般に
そして好ましくは、誘導体化合物の族4又はランタニド
金属は、既に最高の原子酸化状態にある。本発明の方法
は、分子酸化を含む。最も好ましい陽イオン性酸化剤は
、少なくとも+0.20ボルトそして好ましくは少なく
とも+0.25ボルトの酸化電位を有する。陽イオン性
酸化剤は、ブロンステッド酸ではない。
位陰イオン」とは、本発明の触媒系で電荷をバランスす
る陰イオンとして機能するとき、任意の陽イオン性化合
物へその陰イオン性置換基又はそのフラグメントを移動
させず、それにより中性の族4又はランタニド金属生成
物を形成する陰イオンを意味する。「融和性陰イオン」
は、触媒の製造又は使用中に中性にならない陰イオンで
ある。
」とは、半金属の性質を示す非金属例えばホウ素、燐な
どを含む。
但しL’’は、金属活性部位に束縛結合構造を与えそし
て20個以内の非水素原子を含む置換したシクロペンタ
ジエニル又は同様な非局在化П結合基の誘導体であり、
そしてM及びXは前記同様である)に相当する。
り、環構造(金属が、η5又は他のП結合相互作用によ
りシクロペンタジエニル又は置換シクロペンタジエニル
基と結合して保たれそして隣接する共有結合部分に結合
される)の部分を形成するシクロペンタジエニル又は置
換シクロペンタジエニル基の1個以上の置換基のために
、金属原子は活性金属部位にさらに多く曝されることを
意味する。シクロペンタジエニル又は置換シクロペンタ
ジエニル基の構成原子と金属原子との間のそれぞれの結
合が、同じである必要はないことを理解すべきである。 即ち、金属は、シクロペンタジエニル又は置換シクロペ
ンタジエニル基に対称的又は非対称的にП結合されてい
る。
ように規定される。シクロペンタジエニル又は置換シク
ロペンタジエニル基の重心は、シクロペンタジエニル又
は置換シクロペンタジエニル基を形成する原子中心のそ
れぞれのX、Y及びZ座標の平均として規定できる。シ
クロペンタジエニル又は置換シクロペンタジエニル基の
重心と金属複合体のそれぞれの他のリガンドとの間の金
属中心で形成される角度Θは、単一の結晶X線回折の標
準技術により容易に計算できる。これらの角度のそれぞ
れは、束縛結合構造の金属複合体の分子構造に応じて増
大又は減少できる。これらの複合体(1個以上の角度Θ
が、束縛誘導置換基が水素により置換されるという事実
によってのみ異なって、同様な比較する複合体のそれよ
りも小さい)は、本発明の目的に束縛された結合構造を
有する。非常に好ましくは、全ての結合角度Θの平均値
は、又比較する複合体のそれよりも小さい。
ニド金属のモノシクロペンタジエニル金属配位複合体は
、束縛された結合構造を有し、最小の角度Θは、115
°より小さく、さらに好ましくは110°より小さく、
最も好ましくは105°より小さい。
】 (式中、Mはチタン又はジルコニウムであり、Xは前記
同様であり、CP*はMへη5結合モードで結合したシ
クロペンタジエニル又は置換シクロペンタジエニル基で
あり、Zは酸素、ホウ素又は元素の周期表の族14の一
つよりなる二価の部分であり、そしてYは窒素、燐、酸
素又は硫黄よりなる結合基であるか、又は任意にZ及び
Yは一緒になって縮合環系を形成する)に相当するモノ
シクロペンタジエニル化合物である。
は、式
)に相当する。
ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基(1個以上の
水素原子はハロゲン原子により置換されている)、ヒド
ロカルビル置換メタロイド基(メタロイドは、元素の周
期表の族14から選ばれる)及びハロゲン基からなる群
から選ばれる同一又は異なる基により置換されているか
、又は未置換である。さらに、2個以上のこれら置換基
は、一緒になって縮合環系を形成できる。好適なヒドロ
カルビル又は置換ヒドロカルビル基(シクロペンタジエ
ニル基の少なくとも1個の水素原子により置換されてい
てもよい)は、1−20個の炭素原子を含み、直鎖及び
枝分かれ鎖のアルキル基、環状炭化水素基、アルキル置
換環状炭化水素基、芳香族基及びアルキル置換芳香族基
を含む。好適な有機メタロイド基は、族14のモノ−、
ジ−及びトリ置換有機メタロイド基(各ヒドロカルビル
基は、1−20個の炭素原子を含む)を含む。さらに詳
しくは、好適な有機メタロイド基は、トリメチルシリル
、トリエチルシリル、エチルジメチルシリル、メチルジ
エチルシリル、トリフエニルゲルミル、トリメチルゲル
ミルなどを含む。
チタン又はジルコニウムであり、R’はそれぞれの存在
で水素、10個以内の炭素を有するシリル、アルキル、
アリール及びそれらの組合せ又は珪素原子から独立して
選ばれ、Eは珪素又は炭素であり、Xは独立してそれぞ
れの存在でヒドリド、10個以内の炭素のアルキル又は
アリールであり、そしてmは1又は2である)に相当す
るアミドシラン−又はアミドアルカンジル−化合物であ
る。
ミド基のR’がメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペ
ンチル、ヘキシル、(異性体を含む)、ノルボルニル、
ベンジル、フェニルなどであり、シクロペンタジエニル
基がシクロペンタジエニル、インデニル、テトラヒドロ
インデニル、フルオニル、オクタヒドロフルオレニルな
どであり、前記のシクロペンタジエニル基のR’は、そ
れぞれの存在で水素、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、(異性体を含む)、ノルボル
ニル、ベンジル、フェニルなどであり、そしてXは、メ
チル、ネオペンチル、トリメチルシリル、ノルボルニル
、ベンジル、メチルベンジル、フェニルなどである化合
物を含む。特定の化合物は、(第三級ブチルアミド)(
テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)−1、2
−エタンジルジルコニウムジメチル、(第三級ブチルア
ミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)
−1、2−エタンジルチタンジメチルベンジル、(メチ
ルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニ
ル)−1、2−エタンジルジルコニウムジベンズヒドリ
ル、(メチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペ
ンタジエニル)−1、2−エタンジルチタンジネオペン
チル、(エチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロ
ペンタジエニル)−メチレンチタンジフェニル、(第三
級ブチルアミド)ジベンジル(テトラメチル−η5−シ
クロペンタジエニル)シランジルコニウムジベンジル、
(ベンジルアミド)ジメチル(テトラメチル−η5−シ
クロペンタジエニル)シランチタンジ(トリメチルシリ
ル)及び(フェニルホスフィド)ジメチル(テトラメチ
ル−η5−シクロペンタジエニル)シランジルコニウム
ジベンジルを含む。
0個以内の非水素原子のアミドシラン又はアミドアルカ
ン基、即ち(第三級ブチルアミド)(ジメチルシリル)
、(第三級ブチルアミド)−1−エタン−2−イルなど
である。
誘導体化合物は、反応性水素を欠く(ヒドリド脱離基以
外、X)か、又は潜在的に反応性の水素がかさだかの保
護基により保護されている共有結合した金属化合物であ
る。これら金属誘導体化合物の好適なオルガニル置換基
の例は、ノルボルニル、ネオペンチル、トリメチルシリ
ル及びジフェニルメチルを含む。好適な誘導体化合物を
説明するが制限しない例は、テトラノルボルニルチタン
、テトラベンジルジルコニウム、テトラネオベンチルチ
タン、ジフェノキシビス(トリメチルシリル)ジルコニ
ウム、ビス(2、6−ジイソプロピル−4−メチルフェ
ノキシ)ジベンジルチタン、(トリ第三級ブチルシロキ
シ)トリメチルジルコニウム、ジメトキシジベンズヒド
リルチタン、ビス(2、4、6−トリメチルフェノキシ
)ジベンジルチタン、ブトキシトリス((トリメチルシ
リル)メチル)ジルコニウム、ジノルボルニルジメチル
チタン、トリベンジルチタンヒドリドなど;シクロペン
タジエニル及びビス(シクロペンタジエニル)金属化合
物例えばビス(シクロペンタジエニル)ジメチルジルコ
ニウム、シクロペンタジエニルトリベンジルシルコニウ
ム、シクロペンタジエニルトリメチルチタン、シクロペ
ンタジエニルトリメチルジルコニウム、ビス(シクロペ
ンタジエニル)ジネオペンチルチタン、シクロペンタジ
エニルトリ(ジフェニルメチル)ジルコニウム、ビス(
シクロペンタジエニル)ジフェニルジルコニウム、シク
ロペンタジエニルトリネオペンチルチタン、ビス(シク
ロペンタジエニル)ジ(m−トリル)ジルコニウム、ビ
スシクロペンタジエニルジ(p−トリル)ジルコニウム
;ヒドロカルビル置換シクロペンタジエニル又はビス(
シクロペンタジエニル)化合物例えば(ペンタメチルシ
クロペンタジエニル)−(シクロペンタジエニル)ジメ
チルジルコニウム、ビス(エチルシクロペンタジエニル
)ジメチルジルコニウム、(ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル)トリネオベンチルチタン、シクロペンタジエ
ニルジメチルチタンヒドリド、ビス(シクロペンタジエ
ニル)ビス(ジフェニルメチル)ジルコニウム、ビス(
第三級ブチルシクロペンタジエニル)ビス(トリメチル
シリルメチル)ジルコニウム、ビス(シクロヘキシルシ
クロペンタジエニル)ジメチルジルコニウム、(ベンジ
ルシクロペンタジエニル)ジ(m−トリル)メチルチタ
ン、(ジフェニルシクロペンタジエニル)ジノルボルニ
ルメチルジルコニウム、ビス(メチルシクロペンタジエ
ニル)ジフェニルジルコニウム、(テトラエチルシクロ
ペンタジエニル)トリベンジルジルコニウム、(プロピ
ルシクロペンタジエニル)(シクロペンタジエニル)ジ
メチルジルコニウム、ビス(プロピルシクロペンタジエ
ニル)ジメチルジルコニウム、(n−ブチルシクロペン
タジエニル)ジメチル(n−ブトキシ)チタン、シクロ
ペンタジエニルシフェニルイソプロポキシジルコニウム
、(シクロヘキシルメチルシクロペンタジエニル)シク
ロペンタジエニルジベンジルジルコニウム、ビス((シ
クロヘキシル)メチルシクロペンタジエニル)ジベンジ
ルジルコニウム、ビス(シクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジヒドリド、ベンジルシクロペンタジエニルジメ
チルハフニウム、ビス(インデニル)ジベンジルジルコ
ニウム、(第三級ブチルアミド)ジメチル(テトラメチ
ル−η5−シクロペンタジエニル)シランジベンジルジ
ルコニウム、(ベンジルアミド)ジメチル(テトラエチ
ル−η5−シクロペンタジエニル)シランジブチルチタ
ンなど;金属ヒドロカルビル置換シクロペンタジエニル
金属化合物例えば((トリメチルシリル)シクロペンタ
ジエニル)トリメチルジルコニウム、ビス((トリメチ
ルゲルミル)シクロペンタジエニル)シメチルチタン、
((トリメチルスタニル)シクロペンタジエニル)トリ
ベンジルジルコニウム、((ペンタトリメチルシリル)
シクロペンタジエニル)(シクロペンタジエニル)シメ
チルジルコニウム、ビス((トリメチルシリル)シクロ
ペンタジエニル)ジメチルジルコニウム、ペンタ((ト
リメチルシリル)シクロペンタジエニル)トリベンジル
チタン、ビス((トリメチルゲルミル)シクロペンタジ
エニル)ジフェニルハフニウム;ハロゲン置換シクロペ
ンタジエニル化合物例えば((トリフルオロメチル)シ
クロペンタジエニル)(シクロペンタジエニル)ジメチ
ルジルコニウム、ビス((トリフルオロメチル)シクロ
ペンタジエニル)ジノルボニルジルコニウム、((トリ
フルオロメチル)シクロペンタジエニル)トリベンジル
ジルコニウム;シリル置換(シクロペンタジエニル)金
属化合物例えばビス(シクロペンタジエニル)ジ(トリ
メチルシリル)ジルコニウム、シクロペンタジエニルト
リ(フェニルジメチルシリル)ジルコニウム;橋かけシ
クロペンタジエニル金属化合物例えばメチレンビス((
シクロペンタジエニル)ジメチルジルコニウム)、エチ
レンビス((シクロペンタジエニル)ジベンシルジルコ
ニウム)、(ジメチルシリレン)−ビス−((シクロペ
ンタジエニル)ジメチルチタン)、メチレン−ビス−(
シクロペンタジエニル)ジ(トリメチルシリル)ジルコ
ニウム、(ジメチルシリレン)ビス(シクロペンタジエ
ニルジネオペンチルハフニウム)、エチレン−ビス−(
テトラヒドロインデニル)−ジルコニウムジベンジル及
びジメチルシリレン(フルオレニル)(シクロペンタジ
エニル)チタンジメチルを含む。
に他の族4又はランタニド金属を含む化合物は、もちろ
ん当業者に明らかだろう。
て有用な化合物は、前記したように、陽イオン性酸化剤
及び1種以上の融和性非配位陰イオンよりなるだろう。
ド原子に共有的に配位しそして遮蔽している多数の親油
性基よりなる単一の配位複合体である陰イオンよりなり
、その陰イオンは、かさだかで酸化及び次の重合条件下
では安定であり、さらにその陰イオンは、得られる族4
又はランタニド金属含有触媒と融和性がありそして非配
位である。陰イオンは、Ox+aの酸化能又は得られる
触媒の触媒的性質を干渉することなく、電荷のバランス
をもたらすだけにのみ用いられる。本発明の反応条件下
で安定な配位複合体を形成できる全ての金属又はメタロ
イドが、陰イオン中に含まれる。好適な金属は、アルミ
ニウム、金及び白金を含むが、これらに限定されない。 好適なメタロイドは、ホウ素、燐及び珪素を含むが、こ
れらに限定されない。単一のホウ素を含む配位複合体よ
りなる陰イオンを含む酸化剤が最も好ましい。
りなる陰イオンは、一般式[BX1X2X3X4]−(
式中、Bは3の原子価の状態のホウ素であり、X1−X
4は同一又は異なる6−20個の炭素を含む非反応性オ
ルガニル又はシリル基又は珪素原子である)により表示
される。さらに、X1−X4の2個以上が、安定な橋か
け基により互いに結合できる。好ましくは、X1−X4
は、反応性水素部分を欠く。即ち、基は水素を欠くか、
又は非活性化位置の水素のみを含むか、又は潜在的に活
性な水素部位を保護するために十分な立体障害を含む。 X1−X4に好適な基の例は、6−20個の炭素原子を
含む過弗素化ヒドロカルビル基、3、4、5−トリフル
オロフェニルなどである。
テトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレートである。
酸化剤は、フェロセニウムイオン、ビス−インデニルF
e(III)イオン、及び置換フェロセンの陽イオン性
誘導体及び同様な分子を含む。好適な金属陽イオン性酸
化剤は、Ag+1、Pd+2、Pt+2、Hg+2、H
g2+2、Au+及びCu+を含む。最も好ましい陽イ
オン性酸化剤は、フェロセニウム及びAg+1陽イオン
である。
剤を説明するが制限しない例は、フェロセニウムテトラ
(ペンタフルオロフェニル)ボレート、金(I)テトラ
キス3、4、5−トリフルオロフェニルボレート、銀テ
トラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート及び1、1’
−ジメチルフェロセニウムテトラキス3、5−ビストリ
フルオロメチルフェニルボレートである。
属及びメタロイドを含む好適な化合物の同様なリストは
、作成できるが、これらのリストは、記述を完全にする
のに必要と思われない。この点に関し、前記のリストは
、全てを網羅することを目的としておらず、有用である
と思われる他のホウ素化合物並びに他の金属又はメタロ
イドを含む有用な化合物は、前記の一般的な式から当業
者にとり容易に明らかであろうことは、注意すべきであ
る。
ことを望まないが、陽イオン性酸化剤が、族4又はラン
タニド金属誘導体の分子酸化を生ぜしめそして方法中に
中性の化合物となるものと思われる。酸化された金属誘
導体は、単分子除去反応により水素又はヒドロカルビル
基(・R)を失う。2個以上のこれらの基は、式Rx(
但し、xは2より大きい整数である)の中性有機物又は
水素分子を形成する。これらの副生物は、もちろん中性
であるか又は全ての次の重合反応と干渉せず、そして又
反応混合物から除去できる。この結果は、アミン又は同
様な反応副生物の形成をもたらす触媒活性化の既知の方
法にとり特に好ましい。
物は、金属陽イオンへの陰イオンのフラグメント特にア
リール基の移動を避け、それにより触媒的に不活性な物
を形成するように選ばれなければならないことに、注意
すべきである。これは、立体障害により行うことができ
、それは族4又はランタニド金属へ結合した基の置換並
びに陰イオンの芳香族炭素原子の置換から生ずる。次に
、例えばペルヒドロカルビル置換シクロペンタジエニル
基よりなる族4及びランタニド金属化合物(第一の成分
)が、よりかさだかでない基よりなる第一の成分よりも
広い範囲の第二の化合物とともに有効に使用できること
になる。しかし、金属置換物の量及びサイズが減るにつ
れ、さらに有効な触媒が得られ、第二の化合物は、劣化
にさらに抵抗性の陰イオン例えばフェニル環のメタ及び
/又はパラ位に置換基を有するものを含む。陰イオンを
劣化に対してさらに抵抗性にする他の手段は、陰イオン
における弗素置換特にペルフルオロ置換により与えられ
る。弗素置換安定化陰イオンを含む第二の成分は、次に
広い範囲の第一の成分とともに使用できる。
の範囲内の温度で好適な溶媒中で2種の成分を一緒にす
ることにより製造できる。
8個の炭素原子を有するアセチレン性不飽和単量体及び
/又は4−18個の炭素原子を有するジオレフィンを単
独又は組合せて重合するのに使用できる。触媒は、又他
の不飽和単量体と組合せてα−オレフィン、ジオレフィ
ン及び/又はアセチレン性不飽和単量体を重合するのに
使用できる。一般に、重合は、チグラー・ナッタ又はカ
ミンスキー・シン型重合反応に関する当業者に周知の条
件即ち0−250℃の温度及び大気圧−100気圧(1
00MPa)の圧力で達成できる。懸濁、溶液、スラリ
ー又は他の方法の条件が、所望ならば使用できる。支持
体も使用できるが、好ましくは触媒は、均一の状態で使
用される。もちろん、もしその成分が重合工程に直接添
加され、縮合した単量体を含む好適な溶媒又は希釈剤が
該重合工程に用いられるならば、触媒系はその場で形成
することは理解されよう。しかし、触媒を重合混合物に
添加する前に好適な溶媒中で別の段階で触媒を形成する
ことが好ましい。
、好ましくは好適な溶媒又は希釈剤中で製造されるだろ
う。好適な溶媒又は希釈剤は、オレフィン、ジオレフィ
ン及びアセチレン性不飽和単量体の重合に溶媒として有
用な当業者に周知の溶媒の任意のものを含む。好適な溶
媒は、直鎖及び枝分かれ鎖の炭化水素例えばイソブタン
、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン及
びこれらの混合物;環状及び脂環状炭化水素例えばシク
ロヘキサン、シクロヘプタン、メチルシクロヘキサン、
メチルシクロヘプタン、過弗素化炭化水素例えば過弗素
化C4−10アルカン及び芳香族及びアルキル置換芳香
族化合物例えばベンゼン、トルエン及びキシレンを含む
。好適な溶媒は、又エチレン、プロピレン、ブタジエン
、シクロペンテン、1−ヘキサン、3−メチル−1−ペ
ンテン、4−メチル−1−ペンテン、1、4−ヘキサジ
エン、1−オクテン、1−デセン、スチレン、ジビニル
ベンゼン、アリルベンゼン及びビニルトルエン(単独又
は混合物で全ての異性体を含む)を含む単量体又は共単
量体として働く液状のオレフィンを含む。
のままである金属中心を含み、そしてオレフィン、ジオ
レフィン及びアセチレン性不飽和化合物と反応しうる金
属・炭素結合を有するものと思われる。又この金属中心
と結合して式A−の電荷をバランスする陰イオン性残基
がある。
液中に保持されるか、又は溶媒から分離され、単離され
、そして次の使用に保存される。前述したように、触媒
は、又別々の成分を重合器に入れ、成分が接触し反応し
て本発明の改良した触媒を生成することにより重合反応
中その場で製造できる。
酸化剤化合物の当量比は、好ましくは0.1:1−10
:1、より好ましくは0.75:1−2:1、最も好ま
しくは1.0:1.0である。多くの重合反応では、触
媒:重合可能な化合物の当量比は、10−12:1−1
0−1:1、より好ましくは10−6:1−10−3:
1である。
なる酸化剤と組み合わさったモノシクロペンタジエニル
置換チタン化合物に基づくものの有利な特徴は、本発明
の触媒がα−オレフィンを単独又はジオレフィンと重合
するのに用いられるとき、共重合体に配合される高分子
量オレフィン又はジオレフィンの量は、さらに普通のチ
グラー・ナッタ型触媒により製造された共重合体に比べ
たとき顕著に増大することである。本発明の前記のチタ
ンに基づく触媒によるエチレン及び高級α−オレフィン
の反応の相対速度は似ており、本発明の触媒により製造
した共重合体の単量体の分布は、単量体反応物の比によ
りコントロールできる。
可能な単量体」は、例えばエチレン性不飽和単量体、ア
セチレン性化合物、共役又は非共役ジエン、ポリエン、
一酸化炭素などを含む。好ましい単量体は、C2−10
α−オレフィン特にエチレン、プロピレン、イソブチレ
ン、1−ブテン、1−ヘキセン、4−メチル−1−ペン
テン及び1−オクテンを含む。他の好ましい単量体は、
スチレン、ハロ−又はアルキル置換スチレン、テトラフ
ルオロエチレン、ビニルベンゾシクロブタン及び1、4
−ヘキサジエンを含む。
により生成される重合体に一般に見出される或る痕跡量
の不純物例えばアルミニウム、マグネシウム及び塩化物
のない重合体生成物を生成するように選ぶことができる
。本発明の触媒により生成した重合体生成物は、それ故
、金属アルキル例えばアルミニウムアルキルよりなるよ
り通常のチグラー・ナッタ型触媒により生成される重合
体よりも広い範囲に応用できる。
細な説明を提供し、それを制限するものとして考えては
ならない。特に記載がない限り、全ての部及び%は、重
量に依る。
エニル)ジベンジルジルコニウム及び50ミクロモルの
フェロセニウムペルフルオロテトラフェニルボレートを
50mlの精製し且つ脱気したトルエン中で混合するこ
とにより製造した。青色のフェロセニウムの着色が消え
る迄、混合物を約30秒間攪拌した。
エクソン・ケミカルズから入手)、50psi(350
kPa)で75mlの水素及びエチレン(31気圧、3
.1MPa)よりなる混合物と、4l容の反応槽で混合
した。反応物は、予め脱気され精製され、反応槽の内容
物を170℃に加熱した。実施例1の触媒溶液10ml
を加えた。エチレンの急激な吸収及び反応槽の温度の非
常な上昇が生じた。(エチレンの吸収は、毎分100g
より大きく、温度の上昇は、17℃より高かった。)1
0分間の反応時開の終わりに、反応槽の内容物を取出し
、揮発分を除去すると、46gの非常に濃いポリエチレ
ンを得た。
ルの(第三級ブチルアミド)ジメチル(テトラメチル−
η5−シクロペンタジエニル)シランジベンジルジルコ
ニウム及び25ミクロモルのフェロセニウムペルフルオ
ロテトラフェニルボレートを加えた。混合物を、固体フ
ェロセニウム塩の青色が消える迄約1分間攪拌した。
ar−E)及び300mlの1−オクテンを入れ、15
0℃に加熱し、エチレンにより31気圧(3.1MPa
)に加圧した。全ての成分は、予め脱気され精製された
。20mlの前記の触媒溶液を加えると、エチレンの急
激な吸収及び反応槽の温度の非常な上昇が生じた(毎分
約50gのエチレンの吸収、26℃の温度の上昇)。 10分間の反応時間の終わりに、反応槽の内容物を取出
し、揮発分を除去すると、78gのエチレン/1−オク
テン共重合体を得た。重合体の1−オクテン含量は、物
質収支により求めて、7.5モル%であった。
アミド)ジメチル(η5−2、3、4、5−テトラメチ
ルシクロペンタジエニル)シランジベンジルチタン及び
フェロセニウムペルフルオロテトラフェニルボレートを
5mlのトルエン中で混合することにより製造した。3
0秒間の攪拌後青色のフェロセニウムが消費され、緑が
かった茶色の溶液が形成した。
00ml)、水素(50psi、350kPaで50m
l)及びエチレン(450psi、3MPaで飽和)を
含む攪拌(500rpm)している2l容の反応槽に1
30℃でこの触媒溶液を添加すると、40℃の温度上昇
があった。反応槽への触媒溶液の添加10分後、内容物
を反応槽から取出し、揮発分を蒸発させて、104gの
直鎖の低密度ポリエチレンを得た。
クロモルのフェロセニウムペルフロオロテトラフェニル
ボレート及び2−(η5−シクロペンタジエニル)−2
−(η5−フルオレニル)プロパンジベンジルジルコニ
ウムから製造した。緑がかった溶液を1分間の攪拌後に
得た。
、Isopar−E(600ml)及び1−オクテン(
200ml)を含む攪拌(500rpm)している2l
容の反応槽に添加した。触媒の添加により、10℃の温
度の上昇が生じ、反応槽の内部冷却コイルを通る−10
℃のエチレングリコール/水混合物の循環にもかかわら
ず3分間続いた。30分後、反応槽の内容物を取出し、
揮発分を除去して167gの透明なゴム状のシンジオタ
クチックプロピレン/1−オクテン共重合体を得た。
Claims (18)
- 【請求項1】式 【化1】 (式中、Lは独立してそれぞれの存在でリガンド又はリ
ガンド系であり、Mは元素の周期表の族4又はランタニ
ド列の金属であリ、Xはヒドリド又は20個以内の炭素
のヒドロカルビル、シリル又はゲルミル基、珪素又はゲ
ルマニウム原子であリ、1は1以上の整数であり、そし
てA−は一価の融和性の非配位陰イオンである)の付加
重合触媒の製造方法において、式 【化2】 (式中、L、1、M及び各Xは独立して前記同様である
)に相当する族4又はランタニド金属の誘導体を、還元
された形で得られる触媒と干渉しない酸化剤と接触させ
、該酸化剤は、式 【化3】 (式中、OX+aは、族4又はランタニド金属の誘導体
を酸化可能な(+a)の電荷を有する非ブロンステッド
酸陽イオン酸化剤であり、A−は前記同様であり、そし
てb及びaは電荷のバランスを得るために選択される整
数である)に相当することよりなる方法。 - 【請求項2】陽イオン酸化剤は、少なくとも+0.20
ボルトの酸化電位を有する請求項1の方法。 - 【請求項3】陽イオン酸化剤は、少なくとも+0.25
ボルトの酸化電位を有する請求項2の方法。 - 【請求項4】OX+aは、フェロセニウム;ビスインデ
ニルFe(III);置換フェロセニウムの陽イオン性
誘導体及び金属性陽イオンから選ばれる請求項1−3の
何れか一つの項の方法。 - 【請求項5】OX+aは、フェロセニウム又はAg+1
である請求項4の方法。 - 【請求項6】A−は、 【化4】 (式中、Bは3の原子価の状態のホウ素でありX1−X
4は同一又は異なる6−20個の炭素を含む非反応性の
オルガニル又はシリル基又は珪素原子であり、任意にX
1−X4の2個以上は、安定な橋かけ基により互いに結
合していてもよい)である請求項1−5の何れか一つの
項の方法。 - 【請求項7】X1、X2、X3及びX4は、6−20個
の炭素を含む過弗素化ヒドロカルビル基である請求項6
の方法。 - 【請求項8】Mはチタン又はジルコニウムである請求項
1−7の何れか一つの項の方法。 - 【請求項9】Lは、(a)R、−R’(OR’)mOR
、(OR’)mOR、−PR2、−SR、−OR、−N
R2、ヒドリド及び族14元素を含む有機メタロイド基
(該有機メタロイドの有機部分に含まれるヒドロカルビ
ル置換基のそれぞれは、独立して1−20個の炭素原子
を含む)からなる群から選ばれる陰イオン性リガンド、
但しRは1−24個の炭素のヒドロカルビル、シリル、
ゲルミル又は置換ヒドロカルビル、シリル又はゲルミル
基、珪素又はゲルマニウム原子であり、R’はC2−1
0アルキレンであり、そしてmは0−10の整数である
か、又は(b)ROR、NR3、PR3及びSR2(但
し、Rは前記同様である)よりなる群から選ばれる中性
の供与体リガンドである請求項1−8の何れか一つの項
の方法。 - 【請求項10】Lは、金属活性部位に束縛結合構造を与
えしかも20個以内の炭素の非水素原子を含む置換シク
ロペンタジエニル基の誘導基である請求項1−9の何れ
か一つの項の方法。 - 【請求項11】L1MX2は、式 【化5】 (式中、Mはチタン又はジルコニウムであり、Xは請求
項1で規定した通りであり、Cp*はMへη5結合モー
ドで結合したシクロペンタジエニル又は置換シクロペン
タジエニル基であり、Zは酸素、ホウ素又は元素の周期
表の族14の一つよりなる二価の部分であり、そしてY
は窒素、燐、酸素又は硫黄よりなる結合基であるか、又
は任意にZ及びYは一緒になって縮合環系を形成する)
に相当する請求項10の方法。 - 【請求項12】各Xは、独立してヒドリド、10個以内
の炭素原子のアルキル又はアリールであり、YはNR’
であり、そしてZは(ER’2)mであり、但し各R’
は独立して水素、10個以内の炭素を有するシリル、ア
ルキル、アリール又はそれらの組合せ又は珪素原子であ
り、そしてmは1又は2である請求項11の方法。 - 【請求項13】Xは、ヒドリド又はC1−C10ヒドロ
カルビルである請求項1−12の何れか一つの項の方法
。 - 【請求項14】Xは、ベンジルである請求項13の方法
。 - 【請求項15】アミン又はホスフィン副生物を実質的に
欠き、そして式 【化1】(式中、Lは独立してそれぞれの存在でリガン
ド又はリガンド系であり、Mは元素の周期表の族4又は
ランタニド列の金属であり、Xはヒドリド又は20個以
内の炭素のヒドロカルビル、シリル又はゲルミル基、珪
素又はゲルマニウム原子であり、1は1以上の整数であ
り、そしてA−は一価の融和性の非配位陰イオンである
)に相当する付加重合触媒。 - 【請求項16】L、l、M、X及びA−は、請求項1−
14の何れか一つの項で規定された通りである請求項1
5の触媒。 - 【請求項17】請求項1−14の何れか一つの項の方法
により得られるか又は請求項15又は16の触媒の付加
重合触媒としての用途。 - 【請求項18】触媒が、請求項15又は16のものか、
又は請求項1−14の何れか一つの項の方法により得ら
れる接触付加重合法。
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