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JP4493926B2 - 製造装置 - Google Patents

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JP4493926B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は蒸着により成膜可能な材料(以下、蒸着材料という)の成膜に用いられる成膜装置および該成膜装置を備えた製造装置に関する。特に、基板に対向して設けられた蒸着源から蒸着材料を蒸発させて成膜を行う蒸着装置に関する。また、発光装置およびその作製方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。
【0003】
発光素子の発光機構は、一対の電極間に有機化合物を含む層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が有機化合物層中の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
【0004】
このような発光素子をマトリクス状に配置して形成された発光装置には、パッシブマトリクス駆動(単純マトリクス型)とアクティブマトリクス駆動(アクティブマトリクス型)といった駆動方法を用いることが可能である。しかし、画素密度が増えた場合には、画素(又は1ドット)毎にスイッチが設けられているアクティブマトリクス型の方が低電圧駆動できるので有利であると考えられている。
【0005】
また、有機化合物を含む層は「正孔輸送層/発光層/電子輸送層」に代表される積層構造を有している。また、EL層を形成するEL材料は低分子系(モノマー系)材料と高分子系(ポリマー系)材料に大別され、低分子系材料は、蒸着装置を用いて成膜される。
【0006】
従来の蒸着装置は基板ホルダに基板を設置し、EL材料、つまり蒸着材料を封入したルツボ(または蒸着ボート)と、昇華するEL材料の上昇を防止するシャッターと、ルツボ内のEL材料を加熱するヒータとを有している。そして、ヒータにより加熱されたEL材料が昇華し、回転する基板に成膜される。このとき、均一に成膜を行うために、基板とルツボとの間の距離は1m以上離している。
【0007】
従来の蒸着装置や蒸着方法では、蒸着によりEL層を形成する場合、昇華したEL材料の殆どが蒸着装置の成膜室内の内壁、シャッターまたは防着シールド(蒸着材料が成膜室の内壁に付着することを防ぐための保護板)に付着してしまった。そのため、EL層の成膜時において、高価なEL材料の利用効率が約1%以下と極めて低く、発光装置の製造コストは非常に高価なものとなっていた。
【0008】
また従来の蒸着装置は、均一な膜を得るため、基板と蒸着源との間隔を1m以上離していた。また、大面積基板になると、基板の中央部と周縁部とで膜厚が不均一になりやすい問題が生じる。さらに、蒸着装置は基板を回転させる構造であるため、大面積基板を目的とする蒸着装置には限界があった。
【0009】
加えて、大面積基板と蒸着用マスクを密着させた状態で一緒に回転させると、マスクと基板との位置ズレが発生する恐れがある。また、蒸着の際に基板やマスクが加熱されると熱膨張によって寸法変化が生じるため、マスクと基板との熱膨張率の違いから寸法精度や位置精度が低下してしまう。
【0010】
これらの点から上記課題を解決する1つの手段として、本出願人は、蒸着装置(特許文献1、特許文献2)を提案している。
【0011】
【特許文献1】
特開2001−247959号公報
【特許文献2】
特開2002−60926号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、EL材料の利用効率を高めることによって製造コストを削減し、且つ、EL層成膜の均一性やスループットの優れた製造装置の一つである蒸着装置を備えた製造装置を提供するものである。
【0013】
また本発明は、例えば、基板サイズが、320mm×400mm、370mm×470mm、550mm×650mm、600mm×720mm、680mm×880mm、1000mm×1200mm、1100mm×1250mm、1150mm×1300mmのような大面積基板に対して、効率よくEL材料を蒸着する製造装置を提供するものである。また、本発明は、大面積基板に対しても基板全面において均一な膜厚が得られる蒸着装置を提供するものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は、3層積層で発光素子の有機化合物を含む層を構成し、少ないチャンバー数でフルカラーの発光装置を作製するものである。具体的には、3層積層のうち、正孔輸送層と電子輸送層を共通の層として用い、1つのチャンバーで赤色、緑色、または青色を発光する発光素子の発光層のみを画素毎で塗り分ける。即ち、少なくとも3つのチャンバーで発光素子の有機化合物を含む層を作製する。
【0015】
1つのチャンバーで選択的に蒸着を行い、異なる3つの発光層(有機化合物を含む層)を形成する。図1に示すように、異なる蒸着源の搭載された3つのロボットアーム(移動手段)106a、106b、106cが1つのチャンバー内を自在に移動して順次、選択的に成膜を行う。なお、1つの層の成膜が終了したら、基板100とマスク113を離間し、基板及びマスクのアライメントを次の2つ目の層の成膜位置にずらして変更し、次の2つ目の層の成膜を行う。そして、2つの層の成膜が終了したら、同様に基板とマスクを離間し、基板及びマスクのアライメントを行った後、次の3つ目の層の成膜を行う。
【0016】
また、1つのアームを移動させて蒸着を行っている間、他のアームは設置室で待機させておき、順次交替して蒸着を行う。
【0017】
また、画素配列にもよるが、R、G、Bの画素で蒸着する位置はそれぞれ異ならせる。従って、発光色ごとに基板とマスクのアライメントを行って順次、蒸着を行う。同一のマスクを用いて位置をずらすことによってR、G、Bの塗りわけを行う。
【0018】
また、蒸着源を移動させるロボットアームは、Z方向にも移動でき、昇降可能とする。また、ロボットアームの旋回中心は、設置室内に位置してもよいし、成膜室内に位置してもよい。
【0019】
本明細書で開示する発明の構成は、図1にその一例を示した、
ロード室、該ロード室に連結された搬送室、および該搬送室に連結された複数の成膜室とを有する製造装置であって、
前記成膜室は、前記成膜室内を真空にする真空排気処理室と連結され、マスクと基板の位置合わせを行うアライメント手段と、基板保持手段と、基板を加熱する手段と、
第1の蒸着源と、該第1の蒸着源を移動させる手段と、
第2の蒸着源と、該第2の蒸着源を移動させる手段と、
第3の蒸着源と、該第3の蒸着源を移動させる手段と、
を有することを特徴とする製造装置である。
【0020】
上記構成において、前記成膜室には設置室が連結されており、設置室は、前記設置室内を真空にする真空排気手段と連結され、設置室内で蒸着源に蒸着材料をセットする機構を有していることを特徴としている。
【0021】
また、上記構成において、前記成膜室および前記設置室は、室内を真空にする真空排気処理室と連結され、且つ、材料ガスまたはクリーニングガスを導入しうる手段とを有していることを特徴としている。
【0022】
また、上記構成において、前記蒸着源は、成膜室内をX方向、Y方向またはZ方向に移動可能であることを特徴としている。
【0023】
また、上記構成において、前記成膜室には、成膜室内を区切り、且つ、前記基板への蒸着を遮蔽するシャッターを有することを特徴としている。
【0024】
また、上記構成において、前記搬送室には封止室が連結されており、前記封止室内を真空にする真空排気手段と連結され、封止室内においてシール材をインクジェット法で塗布する機構を有していることを特徴としている。なお、有機化合物を含む層と陰極(または陽極)を蒸着により積層した後、大気にふれることなくインクジェット法でシール層を形成する。また、インクジェット法でシール層を形成する前にスパッタ法で無機絶縁膜からなる保護膜を形成してもよい。
【0025】
また、発光素子の封止では、封止基板と素子基板との間をシール材で充填する。上面出射型であれば、透明なシール材を用いることが望ましい。また、貼り合わせる前にシール材を画素領域に滴下するが、減圧下でのインクジェット法によりシール材を画素領域に噴射させることが好ましい。
【0026】
また、減圧下でのインクジェット法によりシール材を画素領域に噴射させ、固化させた後、スパッタ法によって窒化珪素膜で代表される無機絶縁膜を形成し、さらに減圧下でのインクジェット法によりシール材を噴射、固化させた後に窒化珪素膜を形成することを繰り返してもよい。シール材と無機絶縁膜の積層を設けることによって外気からの水分や不純物の侵入をブロックすることができ、信頼性が向上する。
【0027】
また、他の発明の構成は、
陰極と、該陰極に接する有機化合物層と、該有機化合物層に接する陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置であって、
第1の発光素子と、第2の発光素子と、第3の発光素子とが配置されており、
前記第1の発光素子は、少なくとも正孔輸送層と、第1の有機化合物を含む層と、電子輸送層との積層を有し、
前記第2の発光素子は、少なくとも前記正孔輸送層と、第2の有機化合物を含む層と、前記電子輸送層との積層を有し、
前記第3の発光素子は、少なくとも前記正孔輸送層と、第3の有機化合物を含む層と、前記電子輸送層との積層を有し、
前記第1の有機化合物層、前記第2の有機化合物層、または前記第2の有機化合物層のうち、2層が一部重なっていることを特徴とする発光装置である。
【0028】
また、上記構成においては、陽極と陰極とに挟まれる有機化合物を含む層(EL層)のうち、正孔輸送層と電子輸送層の2層を共通としている。従って、これら2層の蒸着精度はあまり問われないため、発光層のみを精度の高い蒸着装置を用いればよい。また、2層を共通とし、フルカラーとする場合には適宜、材料、膜厚を選択することが望ましい。
【0029】
また、上記構成において、前記発光素子は、高分子材料からなる正孔注入層を有していることを特徴としている。スピンコートなどを用いた塗布法で高分子材料からなる正孔注入層を形成した場合、平坦性が向上し、その上に成膜される膜のカバレッジおよび膜厚均一性を良好なものとすることができる。特に発光層の膜厚が均一となるため均一な発光を得ることができる。
【0030】
また、上記構成において、前記第1の発光素子は、赤色、緑色、または青色のうち、いずれか一色を発光することを特徴としている。
【0031】
また、多面取り可能な大面積基板を用いる場合、蒸着マスクは、何枚かを貼り合わせたものを用いる。従って、それらの貼り合わせ精度によって、TFT基板と蒸着パターンとでパネルごとにズレが生じる恐れがある。そこで本発明では、予め蒸着パターンを測定して、その測定値に基づき、TFT作製におけるステッパーの設定を適宜補正して露光パターンを合わせ込む。補正を行ったステッパーでTFT作製後、蒸着マスクを用いて蒸着を行えばズレの少ないパターンを得ることができる。
【0032】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【0033】
(実施の形態1)
図1に本発明の蒸着装置の上面図の一例を示す。
【0034】
図1中、100は基板、101は成膜室、102a〜102cは設置室、103a〜103c、104はシャッター、105は搬送室、106a〜106cはロボットアーム、107は蒸着された領域、108はパネルとなる領域、109は蒸着ホルダ、110は容器を指している。
【0035】
なお、基板100には9つのパネルとなる領域108が設計されている例を示している。
【0036】
ここではシャッター103a〜103c、設置室106a〜106cを横並びに配置した例を示したが、特に限定されず、1つの設置室に3つのロボットを配置してもよい。
【0037】
また、マスク113が基板100に接してアライメントされており、1枚のマスクを1画素分ずらし、アライメントを複数回行って蒸着することによってRGBを塗り分ける。
【0038】
また、図2は図1中の鎖線で切断した断面図を示している。なお、図2において図1の符号と同一の箇所には同一の符号を用いている。
【0039】
パターン開口を有する薄板状のマスク113は、枠状のマスクフレーム114に接着または溶接により固定されている。蒸着する材料に適した加熱を行いながら蒸着することが好ましく、その加熱温度で適度なテンションがマスクにかかるように適宜固定する位置を決定すればよい。また、基板との位置合わせは、マスク113およびマスクフレーム114を支持するマスクホルダ111によって行う。まず、搬送された基板はアライメント機構112aによって支持され、マスクホルダ111に搭載させる。次いで、マスク113に載せられた基板をアライメント機構112bに近づけて磁力によりマスク113とともに基板を引き付け固定する。なお、アライメント機構112bには永久磁石(図示しない)や加熱手段(図示しない)が設けられている。
【0040】
また、蒸着を行う際には、設置室102aに待機しているロボットアーム106aの先端を成膜室101に移動させ、X方向、Y方向、またはZ方向に移動させながら基板に蒸着を行ってゆく。ロボットアーム106aの先端には蒸着ホルダ109が設けられており、蒸着材料が収納された容器110がセットされている。図1に示すように、異なる蒸着源の搭載された3つのロボットアーム(移動手段)106a、106b、106cが1つのチャンバー内を自在に移動して順次、選択的に成膜を行う。
【0041】
共蒸着を行う場合、蒸発中心が蒸着しようとする基板の一点に合うように蒸着源の取り付け角度を自在にできるしくみとしてもよい。ただし、蒸着源ごと角度を傾けるためには2つの蒸着源の間隔がある程度必要になってくる。従って、図3に示すように容器110を角柱形状とし、容器の開口方向で蒸発中心を調節することが好ましい。容器は上部パーツと下部パーツとで構成し、開口から蒸着材料が飛び出す角度が異なる上部パーツを複数用意して適宜選択すればよい。蒸着材料によって蒸着の広がり方などが異なっているため、共蒸着をする際には、異なる上部パーツを取り付けた2つの蒸着源を用意すればよい。
【0042】
共蒸着において、2種類の異なる蒸着材料を混合させることが重要であり、図3に示す容器であれば、容器の開口から放出された直後に混合させ、基板に膜を形成することができる。特に、図2に示す蒸着装置は、基板と蒸着ホルダとの間隔距離dを代表的には30cm以下、好ましくは20cm以下、さらに好ましくは5cm〜15cmに狭め、蒸着材料の利用効率を格段に向上させている。
【0043】
なお、図3(A)は容器の斜視図であり、図3(B)は鎖線A−Bで切断した断面図であり、図3(C)は点線C−Dで切断した断面図である。
【0044】
蒸着源の取付け角度を変える場合、円筒形のルツボおよびそれを取り囲むヒータまでも傾けることになるため、2つのルツボを用いて共蒸着を行う場合には、それらの間隔が大きくなってしまう。間隔が大きくなると異なる2つの蒸着材料を均一に混合することが困難になってしまう。また、蒸着源と基板との間隔を狭めて蒸着を行いたい場合には、均一な膜を得ることが困難となる。
【0045】
そこで、本発明では、蒸着源の取付け角度を変えるのではなく、容器上部800aの開口810によって蒸発中心を調節する。容器は容器上部800aと容器下部800bと中蓋800cで構成する。なお、中蓋800cには複数の小さいな穴が設けられており、蒸着時には蒸着材料をその穴に通過させる。また容器は、BNの焼結体、BNとAlNの複合焼結体、石英、またはグラファイトなどの材料で形成された、高温、高圧、減圧に耐えうるものとなっている。蒸着材料によって蒸着方向や広がり方が異なるため、各蒸着材料に適した開口810の面積、開口のガイド部、開口の位置を調節した容器を適宜用意する。
【0046】
本発明の容器とすることで、蒸着源のヒータを傾けることなく、蒸着中心を調節することができる。また、図3(D)に示すように共蒸着においては開口810aと開口810bの両方を向かい合わせ、複数の異なる蒸着材料(材料A805、材料B806)が収納された複数の容器同士の間隔を狭め、均一に混合しながら蒸着することができる。図3(D)において加熱手段801〜804は別々の電源に接続されており、互いに独立して温度調節を行う。また、蒸着源と基板との間隔、例えば20cm以下に狭めて蒸着を行いたい場合にも、均一な膜を得ることができる。
【0047】
また、図3(D)とは異なる例を図3(E)に示す。図3(E)においては、開口810cは垂直方向に蒸発するような上部パーツを使用し、その方向に合わせて傾いた開口810dを有する上部パーツを使用して蒸発させる例である。図3(E)においても加熱手段801、803、807、808は別々の電源に接続されており、互いに独立して温度調節を行う。
【0048】
また、図3に示した本発明の容器は、開口が細長いため、均一な蒸着領域が広くなり、大面積基板を固定したまま蒸着を均一に行う場合に適している。
【0049】
また、図1に示す蒸着装置を1室として備えたマルチチャンバー型の製造装置を図4に示している。なお、図4の構成は、実施例1で後述する。また、インライン式の製造装置の1室として備えることも可能であることはいうまでもない。
【0050】
(実施の形態2)
ここでは、図5に示す装置を用いてインクジェット法によりシール滴下、シール描画、または補助配線の形成を行う例を示す。
【0051】
図5(A)は線状液滴噴射装置の一構成例について示した概略斜視図である。
【0052】
図5(A)に示す線状液滴噴射装置は、ヘッド部306a〜306bを有し、ヘッド部から液滴を噴射することで、基板310に所望の液滴パターンを得るものである。線状液滴噴射装置においては、基板310として、所望のサイズのガラス基板の他、プラスチック基板に代表される樹脂基板、或いはシリコンに代表される半導体ウエハ等の被処理物に適用することができる。
【0053】
図5(A)において、基板310は搬入口304から処理室515内部へ搬入し、液滴噴射処理を終えた基板は再び戻され、搬入口304から搬出する。基板310は搬送台303に搭載され、搬送台303は搬入口からのびているレール315a、315b上を移動する。
【0054】
ヘッド支持部307は、液滴を噴射するヘッド306a〜306cを支持し、搬送台303と平行に移動する。基板310が内部へ搬入されると、これと同時にヘッド支持部307が、最初の液滴噴射処理を行う所定の位置に合うように移動する。ヘッド306a〜306cの初期位置への移動は、基板搬入時、或いは基板搬出時に行うことで、効率良く噴射処理を行うことができる。
【0055】
ここでは異なる3種類の材料を噴射するヘッド306a〜306cを用意している。例えば、ヘッド306aにはギャップ材を含むシール材、ヘッド306bには基板間を充填するための透明樹脂を含むシール材、ヘッド306cは配線や電極を形成するための導電性微粒子を含むインクがそれぞれ噴射可能としている。
【0056】
液滴噴射処理は、搬送台303の移動により基板310が、所定の位置に到達すると開始する。液滴噴射処理は、ヘッド支持部307及び基板310の相対的な移動と、ヘッド支持部に支持されるヘッド306a〜306cからの液滴噴射の組み合わせによって達成される。基板やヘッド支持部の移動速度と、ヘッド306a〜306cからの液滴を噴射する周期を調節することで、基板310上に所望の液滴パターンを描画することができる。特に、液滴噴射処理は高度な精度が要求されるため、液滴噴射時は搬送台の移動を停止させ、制御性の高いヘッド支持部307のみを順次走査させることが望ましい。ヘッド306a〜306cの駆動にはサーボモータやパルスモータ等、制御性の高い駆動方式を選択することが望ましい。また、ヘッド306a〜306cのヘッド支持部307による走査は一方向のみに限らず、往復或いは往復の繰り返しを行うことで液滴噴射処理を行っても良い。上記の基板およびヘッド支持部の移動によって、基板全域に液滴を噴射することができる。
【0057】
液滴は、処理室515外部に設置した液滴供給部309a〜309cから筐体内部へ供給され、さらにヘッド支持部307を介してヘッド306a〜306c内部の液室に供給される。この液滴供給は処理室515外部に設置した制御手段308によって制御されるが、処理室515内部におけるヘッド支持部307に内蔵する制御手段によって制御しても良い。
【0058】
制御手段308は上記の液滴供給の制御の他、搬送台及びヘッド支持部の移動とこれに対応した液滴噴射の制御が主要機能となる。また液滴噴射によるパターン描画のデータは該装置外部からCAD等のソフトウエアを通してダウンロードすることが可能であり、これらデータは図形入力や座標入力等の方法によって入力する。また液滴として用いる組成物の残量を検知する機構をヘッド306a〜306c内部に設け、制御手段308に残量を示す情報を転送することで、自動残量警告機能を付加させても良い。
【0059】
図5(A)には記載していないが、さらに基板や基板上のパターンへの位置合わせのためのセンサや、筐体へのガス導入手段、筐体内部の排気手段、基板を加熱処理する手段、基板へ光照射する手段、加えて温度、圧力等、種々の物性値を測定する手段等を、必要に応じて設置しても良い。またこれら手段も、処理室515外部に設置した制御手段308によって一括制御することが可能である。さらに制御手段308をLANケーブル、無線LAN、光ファイバ等で生産管理システム等に接続すれば、工程を外部から一律管理することが可能となり、生産性を向上させることに繋がる。
【0060】
図5(B)には、3つのヘッド部のうち、2つを用いて基板310に第1シール材312と第2シール材314とを滴下させている様子を示している。ヘッド306aで第1シール材312を描画し、ヘッド306bで画素部311を覆うように滴下する。2つのヘッドから同時に噴射させてもよいし、一方のヘッドから噴射、固化させた後、もう一方のヘッドから噴射させてもよい。なお、図5(D)は、第1シール材312と第2シール材314の噴射処理が終了した基板310の斜視図を示している。ノズル306aから噴射させる材料としては、有機材料であれば特に限定されず、代表的には紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を用いればよい。ノズル306bから噴射させる材料としては、透光性を有している有機材料であれば特に限定されず、代表的には紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を用いればよい。
【0061】
また、図5(A)に示す装置内に紫外線照射機能や加熱ランプを具備させ、シール材を装置内で固化させる構成としてもよい。
【0062】
次にヘッド306a〜306c内部の構造を図5(C)に説明する。図5(C)中、点線で囲まれた領域は溶液を塗布するための装置(以下、溶液塗布装置という。)におけるヘッド部を拡大したものであり、一部分については内部構造を示している。
【0063】
液滴供給部309a〜309cは、材料溶液を溶液塗布装置に装備(ストック)しておくための容器(キャニスター缶)が用意されており、容器としては機密性、特に酸素や水分の透過に対して十分な耐性を有する材質で形成することが望ましく、ステンレスやアルミニウム等を用いれば良い。また、容器には窒素、希ガスその他の不活性ガスを入れるための導入口が設けられ、そこから不活性ガスを導入して容器内圧を加圧する。容器内圧と成膜室内圧で大きな圧力差が生じるのであれば、容器内圧を減圧としてもよく、例えば、成膜室内の真空度より容器内圧を低い真空度とすればよい。
【0064】
また、容器内圧を減圧とする場合には、成膜室を大気圧とした時に逆流する恐れがあるため、図5(C)に示すように、ボール321を利用した逆流防止機構が設けてある。断面Aにはボールの遊動量を規制する突起が設けてあり、ボールの脇をインクが流れるようになっている。また、ボールは供給管の直径よりやや小さい直径であり、ある範囲で遊動可能となっている。また、このボールは、急峻なインクの流れを緩和する役割も果たしている。また、供給管は途中で細くなっており、断面Bにおいてはボールの直径よりも小さく、液体が逆流した場合にボールが供給管を完全に塞ぐようになっている。ヘッド部は、溶液を噴射する機能を持つ噴射部317を有しており、それぞれに圧電素子(ピエゾ素子)316が設けられる。圧電素子は、供給管を塞ぐように設けてあり、振動によって僅かに管内壁との間に隙間ができ、その隙間に液体(シール材、またはナノメタルインクで代表される導電性微粒子を含むインク)を通過させる。成膜室内が減圧されているので僅かな隙間でも勢いよく噴射することができる。また、噴射部のそれぞれには液体が充填されている。なお、図5(C)は圧電素子の振動によりシャッターが閉となっている状態を示している。
【0065】
ここでは液滴噴射を圧電素子を用いた、いわゆるピエゾ方式で行う例を示すが、液滴の材料によっては、発熱体を発熱させ気泡を生じさせ液滴を押し出す、いわゆるサーマル方式(サーマルインクジェット方式)を用いても良い。この場合、圧電素子316を発熱体に置き換える構造となる。
【0066】
なお、図5(C)においては1つの噴射部しか説明していないが、並列に複数の噴射部(ノズル)を並べることも可能であり、スループットを考慮すると画素部の一行分、もしくは一列分の画素数(ピクセル数)、もしくは画素部を囲む領域の一辺に相当する数だけ並べることが最も望ましいと言える。
【0067】
また、処理室515に真空排気手段(図示しない)を連結させ、ヘッド部と基板310との間の空間は減圧、即ち大気圧よりも低い圧力に維持する。具体的には、不活性雰囲気では1×102〜2×104Pa(好ましくは、5×102〜5×103Pa)である。噴射部に充填された液体(シール材、または導電微粒子を含むインク)は、圧電素子316により供給管を開閉し、成膜室515内を減圧にすることでノズルから引き出され、基板310に向かって噴射される。そして、噴射された液滴は、減圧下で溶媒を揮発させながら進行し、残存した材料(シール材または導電性微粒子)が基板上に堆積する。そして、順次、噴射部(ノズル)から液滴を所定のタイミングで吐出させる。その結果、材料は間欠的に堆積されることになる。
【0068】
上記の手段によって、液滴を処理基板上に噴射することができる。液滴噴射方式には、液滴を連続して噴射させ連続した線状のパターンを形成する、いわゆるシーケンシャル方式(ディスペンサ方式)と、液滴を点状に噴射する、いわゆるオンデマンド方式があり、図5における装置構成ではオンデマンド方式を示したが、シーケンシャル方式によるヘッドを用いることも可能である。
【0069】
また、他の応用としては、図6に示すように無機絶縁層620aで覆われた発光素子をさらに強固に封止するため、ノズル306bのみを用いてシール層621aを形成、固化させた後、シール層621a上にスパッタ法で無機絶縁層620bを形成し、その上に再びノズル306bのみを用いてシール層621bを形成、固化させてもよい。シール層と無機絶縁層の積層によって、特にパネルの側面からの水分や不純物の侵入をブロッキングする。
【0070】
なお、図6中、600は基板、601は透明電極、603は偏光板、606はカバー、607はシール材(ギャップ材を含む)、620a〜620cは無機絶縁層(窒化珪素膜(SiN)、酸化窒化珪素膜(SiNO)、窒化アルミニウム膜(AlN)、または窒化酸化アルミニウム膜(AlNO)など)、621a〜621cはシール層、622は透明電極、623は隔壁(土手とも呼ばれる)である。また、624bはEL層であり発光素子として青色発光を形成し、624gはEL層であり発光素子として緑色発光を形成し、624rはEL層であり発光素子として赤色発光を形成し、フルカラー表示を実現している。なお、透明電極601はTFTのソース電極またはドレイン電極に接続されている発光素子の陽極(或いは陰極)である。
【0071】
また、他の応用としては、図7(B)に示すようにノズル306cを用いてインクジェット法により補助配線70を描画してもよい。図7(B)は、図7(A)に示した画素部82における1画素の断面図を示しており、第2の電極(陽極)上に正孔輸送層79H、発光層79G、電子輸送層79Eの積層からなる有機化合物を含む層が形成され、さらにその上に第1の電極(陰極)となる透明電極73が設けられている。第1の電極(陰極)となる透明電極73は、仕事関数の小さい金属(MgAg、MgIn、AlLi、CaF2、CaNなどの合金、または周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜)を含む薄膜と、透明導電膜(ITO(酸化インジウム酸化スズ合金)、酸化インジウム酸化亜鉛合金(In23―ZnO)、酸化亜鉛(ZnO)等)との積層である。
【0072】
補助配線70は、発光素子の陰極となっている透明電極73の上に形成して電極全体として低抵抗化を図るためのものである。また、補助配線は遮光膜としても機能し、コントラストの向上につながる。また、インクジェット法により引き回し配線や接続配線なども形成してもよい。
【0073】
ノズル306cから噴射させる材料としては、ペースト状の金属材料または前記ペースト状の金属を分散させた導電性ポリマー等の有機系溶液、さらに超微粒子状の金属材料と前記金属材料を分散させた導電性ポリマー等の有機系溶液等を用いることができる。超微粒子状の金属材料とは数μm〜サブμmの微粒子、またはnmレベルの微粒子に加工した金属材料であり、前記微粒子のいずれか一方、または両方を有機系溶液に分散させて用いる。
【0074】
また、図7(A)中、82は画素部、83はソース側駆動回路、84、85はゲート側駆動回路、86は電源供給線、72は第2の電極(陽極)である。また、第1の電極と同時に形成される配線は、電源供給線86、引き回し配線87、ソース配線である。また、図7(A)においては、ゲート配線と同時にFPCと接続する端子電極を形成している。
【0075】
また、本実施の形態は実施の形態1と自由に組み合わせることができる。
【0076】
(実施の形態3)
ここでは、蒸着パターンのずれを抑える手法を提供する。
【0077】
通常、基板のマーカーにあわせてTFTおよび画素電極(発光素子の陽極、或いは陰極となる電極)、土手(隔壁ともよぶ)が形成される。その後、TFTおよび画素電極、土手が作り込まれた基板に蒸着を行うこととなる。特に画素電極と、有機化合物を含む層との位置がずれてしまうと不良、例えばショートを招く。
【0078】
多面取りのマスクにおいて、マスクは同じパターンで数枚が貼り合わされており、貼り合わせ精度が悪い場合、パネルごとにずれが生じてしまう。
【0079】
そこで、本発明ではマスクを用いてダミー基板に蒸着を行った蒸着パターンに基づき、ステッパー露光位置を補正し、それに基づいてTFTを作製し、その後、蒸着を行うことによってずれを抑える。すなわち、使用するマスクに合わせてTFTを作製することになる。
【0080】
図8に本発明のフロー図を示す。
【0081】
まず、テスト基板にマスクを用いて蒸着を行う。複数のマスクを合わせた多面取り用のマスクは精度よく作製されているものの、若干ずれている場合があり、マスク毎によって微妙に異なっている可能性がある。また、蒸着パターンが蒸着装置に依存する場合も考えられる。ここでは、発光装置の作製で使用する蒸着装置での蒸着パターンを得る。
【0082】
次いで、得られた蒸着パターンを多数測定する。得られたデータを基にしてステッパーの1ショットに対して四隅と真ん中のズレ量をX方向、Y方向ともに測長し、補正データを作成する。
【0083】
次いで、補正データに基づいてステッパーの露光位置を設定する。こうして、ある特定の蒸着マスクに合わせたステッパー露光設定にすることができる。
【0084】
次いで、アクティブマトリクス基板を作製する。
【0085】
予め測定した蒸着パターンに基づいてTFTや陽極(または陰極)や隔壁が形成される。従って、有機化合物を含む膜を蒸着で形成する際には、ズレを小さくすることができる。
【0086】
蒸着マスクを変更して用いる場合には、そのつど蒸着パターンを測定し、その測定値に基づいてステッパー露光などを調節すればよい。
【0087】
(実施の形態4)
ここでは、画素部に規則的に配置される多数の画素のうち、3×3の画素を例に本発明を以下に説明する。
【0088】
図9(A)は断面図の一例である。陽極と陰極とに挟まれる有機化合物を含む層(EL層)のうち、少なくとも1層、たとえば正孔輸送層(または正孔注入層)19Hを共通とする。図9(A)においては、電子輸送層(または電子注入層)19Eも共通としている。また、図9(A)においては、発光層19R、19G、19Bがそれぞれ精度よく蒸着された例である。従って、発光層19R、19G、19Bの端面が土手の上に位置している。
【0089】
また、陽極と陰極とに挟まれる有機化合物を含む層(EL層)のうち、2層を共通とすれば、その2層の蒸着精度はあまり問われないため、発光層のみを精度の高い蒸着装置を用いればよい。従って、発光層以外の共通な層を形成する場合には、比較的短時間で処理できるインクジェット法や、スピンコーティング法を用いることが好ましい。また、2層を共通とし、フルカラーとする場合には適宜、材料、膜厚を選択することが望ましい。
【0090】
また、11〜13は、発光素子の陰極(或いは陽極)であり、20は、発光素子の陽極(或いは陰極)である。11〜13の両端部およびそれらの間は無機絶縁物14で覆われている。ここでは、20として透明導電膜を用い、各発光素子からの光を通過させている。
【0091】
また、約10μmの間隔が保たれるようにシール材(ここでは図示しない)によって封止基板(ここでは図示しない)が貼りつけられており、全ての発光素子は密閉されている。
【0092】
また、図9(A)中、TFT1は、赤色を発光する発光素子に流れる電流を制御する素子であり、4、7はソース電極またはドレイン電極である。また、TFT2は、緑色を発光する発光素子に流れる電流を制御する素子であり、5、8はソース電極またはドレイン電極である。TFT3は、青色を発光する発光素子に流れる電流を制御する素子であり、6、9はソース電極またはドレイン電極である。15、16は有機絶縁材料または無機絶縁膜材料からなる層間絶縁膜である。
【0093】
図9(B)は断面図の他の一例である。図9(B)に示したように、赤色を発光する発光層19Rと、緑を発光する発光層19Gとを一部重ね、積層部21bを形成している。また、緑を発光する発光層19Gとを、青色を発光する発光層19Bとを一部重ね、積層部22bを形成している。隔壁24上に積層部21b、22bが位置しており、特に隔壁の幅が狭い場合、例えば10μm、好ましくは5μm以下として発光層を積層させることが有用である。
【0094】
このようにEL層を一部重ねても構わない構成とするため、有機化合物層の成膜方法(インクジェット法や、蒸着法や、スピンコーティング法など)やそれらの成膜精度によらず、赤、緑、青の発光色を用いるフルカラーのフラットパネルディスプレイとして、高精細化や高開口率化を実現することができる。
【0095】
特に、発光層をインクジェット法によって形成する場合には、処理時間を短くすることができる。
【0096】
図9(C)は断面図の他の一例である。図9(C)において、電極12上に積層部21cを有している。従って、積層部21cもわずかに発光する。
【0097】
図10は、図9(C)に対応する上面図である。図10中、発光領域10Rは赤色の発光領域を示しており、発光領域10Gは緑色の発光領域を示しており、発光領域10Bは青色の発光領域を示しており、これらの3色の発光領域によりフルカラー化された発光表示装置を実現している。本発明においては、赤色を発光するEL層と、緑を発光するEL層とを一部重ね、積層部を形成している。また、緑を発光するEL層とを、青色を発光するEL層とを一部重ね、積層部を形成している。
【0098】
積層部での発光輝度は、発光領域10R、10G、10Bでの発光輝度の約1000分の一となる。また、積層部は、X方向(またはY方向)で同一の幅だけ重なっているため、1ラインに同じ補正を行えばよい。実施者は、設定した積層部の幅に合わせて発光素子に印加される信号を変化させて、パネル全体の輝度を適宜調節すればよい。
【0099】
また、図9(D)は断面図の他の一例である。積層部21dは隔壁24を完全に覆っており、隔壁24の両側で積層部によるわずかな発光が存在する。
【0100】
また、図9(A)〜図9(D)においては、EL層から透明電極20に向かう方向に発光させる構成、EL層からTFTに向かう方向に発光させる構成、或いはその両方の方向に発光させる構成とすることができる。
【0101】
また、図11(A)は、正孔注入層29Hを塗布法により形成した例である。なお、図9とはEL層の積層構造が異なるだけであるので、同一の部分には同じ符号を用いる。
【0102】
正孔注入層29Hとしては、インクジェット法やスピンコート法などでポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)水溶液(PEDOT/PSS)、ポリアニリン/ショウノウスルホン酸水溶液(PANI/CSA)、PTPDES、Et−PTPDEK、またはPPBAなどを用いればよい。
【0103】
また、図11(A)においては、発光層29R、29G、29Bがそれぞれ精度よく蒸着された例である。従って、発光層29R、29G、29Bの端面が土手の上に位置している。隔壁24上にはごく薄い層しか形成されず、正孔注入層29Hが存在しない。従って、隔壁の側面は正孔注入層29Hによって覆われるが、隔壁上には発光層29B、29G、29Rが接している。なお、ここでは図示していないが、発光層と正孔注入層の間には全画素に共通な正孔輸送層を設ける。
【0104】
スピンコートなどを用いた塗布法で高分子材料からなる正孔注入層を形成した場合、平坦性が向上し、その上に成膜される膜のカバレッジおよび膜厚均一性を良好なものとすることができる。特に発光層の膜厚が均一となるため均一な発光を得ることができる。この場合、正孔注入層を塗布法で形成した後、蒸着法による成膜直前に真空加熱(100〜200℃)を行うことが好ましい。例えば、第1の電極(陽極)の表面をスポンジで洗浄した後、スピンコート法でポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)水溶液(PEDOT/PSS)を全面に膜厚60nmで塗布した後、80℃、10分間で仮焼成、200℃、1時間で本焼成し、さらに蒸着直前に真空加熱(170℃、加熱30分、冷却30分)した後、大気に触れることなく蒸着法で発光層29B、29G、29Rの形成を行えばよい。特に、ITO膜を陽極材料として用い、表面に凹凸や微小な粒子が存在している場合、PEDOT/PSSの膜厚を30nm以上の膜厚とすることでこれらの影響を低減することができる。
【0105】
また、図11(B)は断面図の他の一例である。図11(B)に示したように、赤色を発光する発光層29Rと、緑を発光する発光層29Gとを一部重ね、積層部31bを形成している。また、緑を発光する発光層29Gとを、青色を発光する発光層29Bとを一部重ね、積層部32bを形成している。
【0106】
図11(C)は断面図の他の一例である。図11(C)において、電極12上に積層部31cを有している。従って、積層部31cもわずかに発光する。
【0107】
また、図11(D)は断面図の他の一例である。積層部31dは隔壁24を完全に覆っており、隔壁24の両側で積層部によるわずかな発光が存在する。
【0108】
なお、図9や図11に示す構成とする場合、正孔注入層をスピンコート法で形成し、正孔輸送層や発光層や電子輸送層をインクジェット法で形成することができる。また、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層を全てインクジェット法で形成しても高精細な発光装置を作製することができる。
【0109】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
【0110】
(実施例)
[実施例1]
本実施例では、フルカラーの表示パネルを作製する例を示す。
【0111】
以下、予め陽極(第1の電極)と、該陽極の端部を覆う絶縁物(隔壁)とが設けられた基板を図4に示す製造装置に搬入し、発光装置を作製する手順を示す。なお、アクティブマトリクス型の発光装置を作製する場合、予め基板上には、陽極に接続している薄膜トランジスタ(電流制御用TFT)およびその他の薄膜トランジスタ(スイッチング用TFTなど)が複数設けられ、薄膜トランジスタからなる駆動回路も設けられている。また、単純マトリクス型の発光装置を作製する場合にも図4に示す製造装置で作製することが可能である。
【0112】
まず、基板投入室520に上記基板(600mm×720mm)をセットする。基板サイズは、320mm×400mm、370mm×470mm、550mm×650mm、600mm×720mm、680mm×880mm、1000mm×1200mm、1100mm×1250mm、さらには1150mm×1300mmのような大面積基板でも対応可能である。
【0113】
基板投入室520にセットした基板(陽極と、該陽極の端部を覆う絶縁物とが設けられた基板)は大気圧が保たれている搬送室518に搬送する。なお、搬送室518には基板を搬送または反転するための搬送機構(搬送ロボットなど)が設けられている。
【0114】
また、搬送室508、514、502には、それぞれ搬送機構と真空排気手段とが設けてある。搬送室518に設けられたロボットは、基板の表裏を反転させることができ、受渡室505に反転させて搬入することができる。受渡室505は、真空排気処理室と連結されており、真空排気して真空にすることもでき、真空排気した後、不活性ガスを導入して大気圧にすることもできる。
【0115】
また、上記の真空排気処理室としては、磁気浮上型のターボ分子ポンプ、クライオポンプ、またはドライポンプが備えられている。これにより各室と連結された搬送室の到達真空度を10-5〜10-6Paにすることが可能であり、さらにポンプ側および排気系からの不純物の逆拡散を制御することができる。装置内部に不純物が導入されるのを防ぐため、導入するガスとしては、窒素や希ガス等の不活性ガスを用いる。装置内部に導入されるこれらのガスは、装置内に導入される前にガス精製機により高純度化されたものを用いる。従って、ガスが高純度化された後に蒸着装置に導入されるようにガス精製機を備えておく必要がある。これにより、ガス中に含まれる酸素や水、その他の不純物を予め除去することができるため、装置内部にこれらの不純物が導入されるのを防ぐことができる。
【0116】
また、基板投入室520にセットする前には、点欠陥を低減するために第1の電極(陽極)の表面に対して界面活性剤(弱アルカリ性)を含ませた多孔質なスポンジ(代表的にはPVA(ポリビニルアルコール)製、ナイロン製など)で洗浄して表面のゴミを除去することが好ましい。洗浄機構として、基板の面に平行な軸線まわりに回動して基板の面に接触するロールブラシ(PVA製)を有する洗浄装置を用いてもよいし、基板の面に垂直な軸線まわりに回動しつつ基板の面に接触するディスクブラシ(PVA製)を有する洗浄装置を用いてもよい。
【0117】
次いで、搬送室518から受渡室505に基板を搬送し、さらに、大気にふれさせることなく、受渡室505から搬送室502に基板を搬送する。
【0118】
また、シュリンクをなくすために、有機化合物を含む膜の蒸着直前に真空加熱を行うことが好ましく、基板を搬送室502から多段真空加熱室521に搬送し、上記基板に含まれる水分やその他のガスを徹底的に除去するために、脱気のためのアニールを真空(5×10-3Torr(0.665Pa)以下、好ましくは10-4〜10-6Pa)で行う。多段真空加熱室521では平板ヒータ(代表的にはシースヒータ)を用いて、複数の基板を均一に加熱する。この平板ヒータは複数設置され、平板ヒータで基板を挟むように両面から加熱することもでき、勿論、片面から加熱することもできる。特に、層間絶縁膜や隔壁の材料として有機樹脂膜を用いた場合、有機樹脂材料によっては水分を吸着しやすく、さらに脱ガスが発生する恐れがあるため、有機化合物を含む層を形成する前に100℃〜250℃、好ましくは150℃〜200℃、例えば30分以上の加熱を行った後、30分の自然冷却を行って吸着水分を除去する真空加熱を行うことは有効である。
【0119】
また、上記真空加熱に加えて、不活性ガス雰囲気で200〜250℃の加熱を行いながらUVを照射してもよい。また、真空加熱を行わず、不活性ガス雰囲気で200〜250℃の加熱を行いながらUVを照射する処理を行うだけでもよい。
【0120】
また、必要であれば、成膜室512で大気圧下、または減圧下でインクジェット法やスピンコート法やスプレー法などで高分子材料からなる正孔注入層を形成してもよい。また、インクジェット法で塗布した後、スピンコータで膜厚の均一化を図ってもよい。同様に、スプレー法で塗布した後、スピンコータで膜厚の均一化を図ってもよい。また、基板を縦置きとして真空中でインクジェット法により成膜してもよい。
【0121】
例えば、成膜室512で第1の電極(陽極)上に、正孔注入層(陽極バッファー層)として作用するポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)水溶液(PEDOT/PSS)、ポリアニリン/ショウノウスルホン酸水溶液(PANI/CSA)、PTPDES、Et−PTPDEK、またはPPBAなどを全面に塗布、焼成してもよい。焼成する際には多段加熱室523a、523bで行うことが好ましい。
【0122】
スピンコートなどを用いた塗布法で高分子材料からなる正孔注入層(HIL)を形成した場合、平坦性が向上し、その上に成膜される膜のカバレッジおよび膜厚均一性を良好なものとすることができる。特に発光層の膜厚が均一となるため均一な発光を得ることができる。この場合、正孔注入層を塗布法で形成した後、蒸着法による成膜直前に大気圧加熱または真空加熱(100〜200℃)を行うことが好ましい。
【0123】
例えば、第1の電極(陽極)の表面をスポンジで洗浄した後、基板投入室520に搬入し、成膜室512aに搬送してスピンコート法でポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)水溶液(PEDOT/PSS)を全面に膜厚60nmで塗布した後、多段加熱室523a、523bに搬送して80℃、10分間で仮焼成、200℃、1時間で本焼成し、さらに多段真空加熱室521に搬送して蒸着直前に真空加熱(170℃、加熱30分、冷却30分)した後、成膜室506H、506RGB、506Eに搬送して大気に触れることなく蒸着法でEL層の形成を行えばよい。特に、ITO膜を陽極材料として用い、表面に凹凸や微小な粒子が存在している場合、PEDOT/PSSの膜厚を30nm以上の膜厚とすることでこれらの影響を低減することができる。また、PEDOT/PSSの濡れ性改善するために、UV処理室531で紫外線照射を行うことが好ましい。
【0124】
また、スピンコート法によりPEDOT/PSSを成膜した場合、全面に成膜されるため、基板の端面や周縁部、端子部、陰極と下部配線との接続領域などは選択的に除去することが好ましく、前処理室503でマスクを使用してO2アッシングなどにより選択的に除去することが好ましい。前処理室503はプラズマ発生手段を有しており、Ar、H、F、およびOから選ばれた一種または複数種のガスを励起してプラズマを発生させることによって、ドライエッチングを行う。マスクを使用することによって不要な部分だけ選択的に除去することができる。
【0125】
なお、蒸着マスクはマスクストック室524a、524bにストックして、適宜、蒸着を行う際に成膜室に搬送する。大型基板を用いるとマスクが大面積化するため、マスクを固定するフレームが大きくなり、枚数をたくさんストックするのが困難になるため、ここでは2つのマスクストック室524a、524bを用意している。マスクストック室524a、524bで蒸着マスクのクリーニングを行ってもよい。また、蒸着の際にはマスクストック室が空くため、成膜後または処理後の基板をストックすることも可能である。
【0126】
次いで、搬送室502から受渡室507に基板を搬送し、さらに、大気にふれさせることなく、受渡室507から搬送室508に基板を搬送する。
【0127】
次いで、搬送室508に連結された成膜室506H、506RGB、506Eへ基板を適宜、搬送して、正孔輸送層、発光層、電子輸送層となる低分子からなる有機化合物層を適宜形成する。成膜室506H、506Eには、蒸着材料を蒸着ホルダにセットするための設置室526h、526eがそれぞれ設けられている。また、成膜室506RGBには、3つの設置室526r、526g、526bが設けられており、実施の形態1の図1に示す蒸着装置が適用される。マスクを用いてEL材料を適宜選択することにより、発光素子全体として、3種類の色(具体的にはR、G、B)の発光を示す発光素子を形成することができる。
【0128】
次いで、搬送室514内に設置されている搬送機構により、基板を成膜室510に搬送し、陰極を形成する。この陰極は、透明または半透明であることが好ましく、抵抗加熱を用いた蒸着法により形成される金属膜(MgAg、MgIn、CaF2、LiF、CaNなどの合金、または周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜、またはこれらの積層膜)の薄膜(1nm〜10nm)、或いは上記金属膜の薄膜(1nm〜10nm)と透明導電膜との積層を陰極とすることが好ましい。また、搬送室508から受渡室511を経由して搬送室514に基板を搬送した後、成膜室509に搬送し、スパッタ法を用いて透明導電膜を形成する。
【0129】
以上の工程で有機化合物を含む層を有する積層構造の発光素子が形成される。
【0130】
また、搬送室514に連結した成膜室513に搬送して窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜からなる保護膜を形成して封止してもよい。ここでは、成膜室513内には、珪素からなるターゲット、または酸化珪素からなるターゲット、または窒化珪素からなるターゲットが備えられている。
【0131】
また、固定している基板に対して棒状のターゲットを移動させて保護膜を形成してもよい。また、固定している棒状のターゲットに対して、基板を移動させることによって保護膜を形成してもよい。
【0132】
例えば、珪素からなる円盤状のターゲットを用い、成膜室雰囲気を窒素雰囲気または窒素とアルゴンを含む雰囲気とすることによって陰極上に窒化珪素膜を形成することができる。また、炭素を主成分とする薄膜(DLC膜、CN膜、アモルファスカーボン膜)を保護膜として形成してもよく、別途、CVD法を用いた成膜室を設けてもよい。ダイヤモンドライクカーボン膜(DLC膜とも呼ばれる)は、プラズマCVD法(代表的には、RFプラズマCVD法、マイクロ波CVD法、電子サイクロトロン共鳴(ECR)CVD法、熱フィラメントCVD法など)、燃焼炎法、スパッタ法、イオンビーム蒸着法、レーザー蒸着法などで形成することができる。成膜に用いる反応ガスは、水素ガスと、炭化水素系のガス(例えばCH4、C22、C66など)とを用い、グロー放電によりイオン化し、負の自己バイアスがかかったカソードにイオンを加速衝突させて成膜する。また、CN膜は反応ガスとしてC24ガスとN2ガスとを用いて形成すればよい。なお、DLC膜やCN膜は、可視光に対して透明もしくは半透明な絶縁膜である。可視光に対して透明とは可視光の透過率が80〜100%であることを指し、可視光に対して半透明とは可視光の透過率が50〜80%であることを指す。
【0133】
また、上記保護層に代えて、陰極上に第1の無機絶縁膜と、応力緩和膜と、第2の無機絶縁膜との積層からなる保護層を形成してもよい。例えば、陰極を形成した後、成膜室513に搬送して第1の無機絶縁膜を5nm〜50nm形成し、成膜室506W1や506W2や506W3に搬送して蒸着法で吸湿性および透明性を有する応力緩和膜(無機層、または有機化合物を含む層など)を10nm〜100nm形成し、さらに再度、成膜室513に搬送して第2の無機絶縁膜を5nm〜50nm形成すればよい。
【0134】
次いで、発光素子が形成された基板を封止室519に搬送する。
【0135】
封止基板は、ロード室517に外部からセットし、用意される。封止基板をロード室517から搬送室527に搬送し、必要があれば乾燥剤や、光学フィルタ(カラーフィルタ、偏光フィルムなど)を貼り付けるための光学フィルム貼付室529に搬送する。また、予め光学フィルム(カラーフィルタ、偏光板)が貼られた封止基板をロード室517にセットしてもよい。
【0136】
なお、封止基板における水分などの不純物を除去するために予め多段加熱室516でアニールを行うことが好ましい。そして、封止基板に発光素子が設けられた基板と貼り合わせるためのシール材を形成する場合には、受渡室542を経由して搬送室514に搬送し、インクジェット室515にセットする。減圧下のインクジェット装置(またはディスペンス装置)で画素部を囲む第1シール材を形成し、第1シール材で囲まれた領域を充填するための第2のシール材を滴下する。インクジェット室515の詳細な説明は上記実施の形態2に示したのでここではその説明を省略する。また、透明導電膜からなる陰極上にナノメタルインクなどを用いてインクジェット装置で補助配線も作製してもよい。焼成が必要な場合は多段加熱室516に搬送して加熱を行えばよい。
【0137】
そして、シール材を形成した封止基板をさらに封止基板ストック室530に搬送する。なお、ここでは、封止基板にシール材を形成した例を示したが、特に限定されず、発光素子が形成された基板にシール材を形成してもよい。また、封止基板ストック室530に蒸着の際に使用する蒸着マスクをストックしてもよい。
【0138】
なお、本実施例は両面出射構造とする場合であるので、封止基板を光学フィルム貼付室529に搬送し、封止基板の内側に光学フィルムを貼り付ければよい。或いは、発光素子が設けられた基板と封止基板とを貼り合わせた後、光学フィルム貼付室529に搬送し、封止基板の外側に光学フィルム(カラーフィルタ、または偏光板)を貼り付ければよい。
【0139】
次いで、封止室519で基板と封止基板と貼り合わせ、貼り合わせた一対の基板を封止室519に設けられた紫外線照射機構によってUV光を照射してシール材を硬化させる。光を遮光してしまうTFTが設けられていない封止基板側からUV光を照射することが好ましい。なお、ここではシール材として紫外線硬化+熱硬化樹脂を用いたが、接着材であれば特に限定されず、紫外線のみで硬化樹脂などを用いればよい。
【0140】
両面出射型の場合において紫外光を封止基板側から照射する場合は、紫外線が陰極を通過してEL層にダメージを与えるため紫外線硬化性の樹脂は使わないほうが好ましい。従って、本実施例の両面出射型の場合、充填する樹脂として熱硬化する透明な樹脂を用いることが好ましい。
【0141】
次いで、貼り合わせた一対の基板を封止室519から搬送室514、そして受渡室542を経由して搬送室527から取出室525に搬送して取り出す。
【0142】
また、取出室525から取り出した後、加熱を行ってシール材を硬化させる。パネル構造を上面出射型とし、熱硬化性樹脂を充填した場合、シール材を硬化させる加熱処理と同時に硬化させることができる。
【0143】
以上のように、図4に示した製造装置を用いることで完全に発光素子を密閉空間に封入するまで大気に曝さずに済むため、信頼性の高い発光装置を作製することが可能となる。
【0144】
なお、ここでは図示しないが、基板を個々の処理室に移動させる経路を制御して全自動化を実現する制御装置を設けている。
【0145】
また、本実施例は、実施の形態1乃至4のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
【0146】
[実施例2]
本実施例では、絶縁表面を有する基板上に、有機化合物層を発光層とする発光素子を備えた発光装置(両面出射構造)を作製する例を図12に示す。
【0147】
なお、図12(A)は、発光装置を示す上面図、図12(B)は図12(A)をA−A’で切断した断面図である。点線で示された1101はソース信号線駆動回路、1102は画素部、1103はゲート信号線駆動回路である。また、1104は透明な封止基板、1105は第1のシール材であり、第1のシール材1105で囲まれた内側は、透明な第2のシール材1107で充填されている。なお、第1のシール材1105には基板間隔を保持するためのギャップ材が含有されている。
【0148】
なお、1108はソース信号線駆動回路1101及びゲート信号線駆動回路1103に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキット)1109からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基盤(PWB)が取り付けられていても良い。また、FPC1109を覆うように樹脂1150が設けられている。
【0149】
次に、断面構造について図12(B)を用いて説明する。透明な基板1110上には駆動回路及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース信号線駆動回路1101と画素部1102が示されている。
【0150】
なお、ソース信号線駆動回路1101はnチャネル型TFT1123とpチャネル型TFT1124とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路を形成するTFTは、公知のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。また、ポリシリコン膜またはアモルファスシリコン膜を活性層とするTFTの構造は特に限定されず、トップゲート型TFTであってもよいし、ボトムゲート型TFTであってもよい。
【0151】
また、画素部1102はスイッチング用TFT1111と、電流制御用TFT1112とそのドレインに電気的に接続された第1の電極(陽極)1113を含む複数の画素により形成される。電流制御用TFT1112としてはnチャネル型TFTであってもよいし、pチャネル型TFTであってもよいが、陽極と接続させる場合、pチャネル型TFTとすることが好ましい。また、保持容量(図示しない)を適宜設けることが好ましい。なお、ここでは無数に配置された画素のうち、一つの画素の断面構造のみを示し、その一つの画素に2つのTFTを用いた例を示したが、3つ、またはそれ以上のTFTを適宜、用いてもよい。
【0152】
ここでは第1の電極1113がTFTのドレインと直接接している構成となっているため、第1の電極1113の下層はシリコンからなるドレインとオーミックコンタクトのとれる材料層とし、有機化合物を含む層と接する最上層を仕事関数の大きい材料層とすることが望ましい。例えば、透明導電膜(ITO(酸化インジウム酸化スズ合金)、酸化インジウム酸化亜鉛合金(In23―ZnO)、酸化亜鉛(ZnO)等)を用いる。
【0153】
また、第1の電極(陽極)1113の両端には絶縁物(バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる)1114が形成される。絶縁物1114は有機樹脂膜もしくは珪素を含む絶縁膜で形成すれば良い。ここでは、絶縁物1114として、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いて図12に示す形状の絶縁物を形成する。
【0154】
カバレッジを良好なものとするため、絶縁物1114の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物1114の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物1114の上端部のみに曲率半径(0.2μm〜3μm)を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物1114として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【0155】
また、絶縁物1114を窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜、炭素を主成分とする薄膜、または窒化珪素膜からなる保護膜で覆ってもよい。
【0156】
また、第1の電極(陽極)1113上には、蒸着法によって有機化合物を含む層1115を選択的に形成する。本実施例では、有機化合物を含む層1115を実施の形態2に示す製造装置で成膜を行い、均一な膜厚を得る。さらに、有機化合物を含む層1115上には第2の電極(陰極)1116が形成される。陰極としては、仕事関数の小さい材料(Al、Ag、Li、Ca、またはこれらの合金MgAg、MgIn、AlLi、CaF2、またはCaN)を用いればよい。ここでは、発光が透過するように、第2の電極(陰極)1116として、膜厚を薄くした金属薄膜(MgAg:膜厚10nm)と、膜厚110nmの透明導電膜(ITO(酸化インジウム酸化スズ合金)、酸化インジウム酸化亜鉛合金(In23―ZnO)、酸化亜鉛(ZnO)等)との積層を用いる。こうして、第1の電極(陽極)1113、有機化合物を含む層1115、及び第2の電極(陰極)1116からなる発光素子1118が形成される。本実施例では、有機化合物を含む層1115として、CuPc(膜厚20nm)、α−NPD(膜厚30nm)、白金を中心金属とした有機金属錯体(Pt(ppy)acac)を含むCBP(膜厚30nm)、BCP(膜厚20nm)、BCP:Li(膜厚40nm)とを順次積層させて白色発光を得る。本実施例では発光素子1118は白色発光とする例であるので着色層1131と遮光層(BM)1132からなるカラーフィルター(簡略化のため、ここではオーバーコート層は図示しない)を設けている。
【0157】
また、このような両面発光表示装置において、背景が透けてしまうことを防止し、外光の反射防止を行うための光学フィルム1140、1141を設ける。光学フィルム1140、1141としては、偏光フィルム(高透過型偏光板、薄肉偏光板、ホワイト偏光板、高性能染料系偏光板、AR偏光板など)や、位相差フィルム(広帯域1/4λ板、温度補償型位相差フィルム、ねじれ位相差フィルム、広視角位相差フィルム、ニ軸配向位相差フィルムなど)や、輝度向上フィルムなどを適宜組み合わせて用いればよい。例えば、光学フィルム1140、1141として偏光フィルムを用い、互いに光の偏光方向が直交するように配置すれば、背景が透けてしまうことを防止する効果と、反射防止の効果とが得られる。この場合、発光して表示を行う部分以外は、黒になり、どちらの側から表示を見ても背景が透けて見えることがないものとすることができる。また、発光パネルからの発光は1枚の偏光板のみを通過するため、そのまま表示される。
【0158】
なお、2枚の偏光フィルムを直交させなくとも、互いに光の偏光方向が±45°以内、好ましくは±20°以内であれば同様の上記効果が得られる。
【0159】
光学フィルム1140、1141により、人が一方の面から見た場合に、背景が透けて見えて表示を認識しにくくなることを防ぐことができる。
【0160】
さらに、光学フィルムをもう1枚追加してもよい。例えば、一方の偏光フィルムがS波(或いはP波)を吸収するが、S波(或いはP波)を発光素子側に反射し、再生させる輝度上昇フィルムを偏光板と発光パネルの間に設けてもよい。結果として偏光板を通過するP波(或いはS波)が多くなり、積算光量の増加が得られる。両面発光パネルにおいては、発光素子からの通過する層構造が異なっているため、発光の様子(輝度、色度合いなど)が異なっており、光学フィルムは両方の発光バランスを調節するのに有用である。また、両面発光パネルにおいては、外光の反射の度合いも異なっているため、より反射が多い面に輝度上昇フィルムを偏光板と発光パネルの間に設けることが好ましい。
【0161】
また、発光素子1118を封止するために透明保護積層1117を形成する。この透明保護積層1117は、第1の無機絶縁膜と、応力緩和膜と、第2の無機絶縁膜との積層からなっている。第1の無機絶縁膜および第2の無機絶縁膜としては、スパッタ法またはCVD法により得られる窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜(SiNO膜(組成比N>O)またはSiON膜(組成比N<O))、炭素を主成分とする薄膜(例えばDLC膜、CN膜)を用いることができる。これらの無絶縁膜は水分に対して高いブロッキング効果を有しているが、膜厚が厚くなると膜応力が増大してピーリングや膜剥がれが生じやすい。しかし、第1の無機絶縁膜と第2の無機絶縁膜との間に応力緩和膜を挟むことで、応力を緩和するとともに水分を吸収することができる。また、成膜時に何らかの原因で第1の無機絶縁膜に微小な穴(ピンホールなど)が形成されたとしても、応力緩和膜で埋められ、さらにその上に第2の無機絶縁膜を設けることによって、水分や酸素に対して極めて高いブロッキング効果を有する。また、応力緩和膜としては、無機絶縁膜よりも応力が小さく、且つ、吸湿性を有する材料が好ましい。加えて、透光性を有する材料であることが望ましい。また、応力緩和膜としては、α―NPD(4,4'-ビス-[N-(ナフチル)-N-フェニル-アミノ]ビフェニル)、BCP(バソキュプロイン)、MTDATA(4,4',4"-トリス(N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ)トリフェニルアミン)、Alq3(トリス−8−キノリノラトアルミニウム錯体)などの有機化合物を含む材料膜を用いてもよく、これらの材料膜は、吸湿性を有し、膜厚が薄ければ、ほぼ透明である。また、MgO、SrO2、SrOは吸湿性及び透光性を有し、蒸着法で薄膜を得ることができるため、応力緩和膜に用いることができる。本実施例では、シリコンターゲットを用い、窒素とアルゴンを含む雰囲気で成膜した膜、即ち、水分やアルカリ金属などの不純物に対してブロッキング効果の高い窒化珪素膜を第1の無機絶縁膜または第2の無機絶縁膜として用い、応力緩和膜として蒸着法によりAlq3の薄膜を用いる。また、透明保護積層に発光を通過させるため、透明保護積層のトータル膜厚は、可能な限り薄くすることが好ましい。
【0162】
また、発光素子1118を封止するために不活性気体雰囲気下で第1シール材1105、第2シール材1107により封止基板1104を貼り合わせる。なお、第1シール材1105としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第2シール材1107としては透光性を有している材料であれば特に限定されず、代表的には紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を用いるのが好ましい。ここでは屈折率1.50、粘度500cps、ショアD硬度90、テンシル強度3000psi、Tg点150℃、体積抵抗1×1015Ω・cm、耐電圧450V/milである高耐熱のUVエポキシ樹脂(エレクトロライト社製:2500Clear)を用いる。また、第2のシール材1107を一対の基板間に充填することによって、一対の基板間を空間(不活性気体)とした場合に比べて全体の透過率を向上させることができる。また、第1シール材1105、第2シール材1107はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
【0163】
また、本実施例では封止基板1104を構成する材料としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。また、第1シール材1105、第2シール材1107を用いて封止基板1104を接着した後、さらに側面(露呈面)を覆うように第3のシール材で封止することも可能である。
【0164】
以上のようにして発光素子を第1シール材1105、第2シール材1107に封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐ。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【0165】
また、上面出射型の発光装置を作製する場合には、陽極は反射性を有する金属膜(クロム、窒化チタンなど)であることが好ましい。また、下面出射型の発光装置を作製する場合には、陰極はAl、Ag、Li、Ca、またはこれらの合金MgAg、MgIn、AlLiからなる金属膜(膜厚50nm〜200nm)を用いることが好ましい。
【0166】
また、本実施例は、実施の形態1乃至4、実施例1のいずれか一と自由に組み合わせることが可能である。
【0167】
[実施例3]
本実施例では、2つ以上の表示装置を備えた電子機器の例について図13に説明する。本発明を実施してELモジュールを備えた電子機器を完成させることができる。電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。
【0168】
図13(A)はノート型パーソナルコンピュータの斜視図であり、図13(B)は折りたたんだ状態を示す斜視図である。ノート型パーソナルコンピュータは本体2201、筐体2202、表示部2203a、2203b、キーボード2204、外部接続ポート2205、ポインティングマウス2206等を含む。
【0169】
図13(A)および図13(B)に示したノート型パーソナルコンピュータは、主に画像をフルカラー表示する高画質な表示部2203aと、モノクロで主に文字や記号を表示する表示部2203bとを備えている。
【0170】
また、図13(C)はモバイルコンピュータの斜視図であり、図13(D)は裏面側を示す斜視図である。モバイルコンピュータは、本体2301、表示部2302a、2302b、スイッチ2303、操作キー2304、赤外線ポート2305等を含む。主に画像をフルカラー表示する高画質な表示部2302aと、モノクロで主に文字や記号を表示する表示部2302bとを備えている。
【0171】
また、図13(E)はビデオカメラであり、本体2601、表示部2602、筐体2603、外部接続ポート2604、リモコン受信部2605、受像部2606、バッテリー2607、音声入力部2608、操作キー2609等を含む。表示部2602は両面発光パネルであり、一方の面にて主に画像をフルカラー表示する高画質な表示と、もう一方の面にてモノクロで主に文字や記号を表示ができる。なお、表示部2602は取付け部のところで回転させることができる。本発明は、表示部2602に適用することができる。
【0172】
また、図13(F)は携帯電話の斜視図であり、図13(G)は折りたたんだ状態を示す斜視図である。携帯電話は、本体2701、筐体2702、表示部2703a、2703b、音声入力部2704、音声出力部2705、操作キー2706、外部接続ポート2707、アンテナ2708等を含む。
【0173】
図13(F)および図13(G)に示した携帯電話は、主に画像をフルカラー表示する高画質な表示部2703aと、エリアカラーで主に文字や記号を表示する表示部2703bとを備えている。この場合、表示部2703aはカラーフィルタが使用され、表示部2703bはエリアカラーとなる光学フィルムが使用される。
【0174】
また、本実施例は、実施の形態1乃至4、実施例1、実施例2のいずれか一と自由に組み合わせることが可能である。
【0175】
[実施例4]
図16は本発明の表示装置を用いた携帯電話を充電しているときの図を示したものである。図16では携帯を開いた状態で両側発光させているが、閉じた状態であっても良い。
【0176】
発光パネル4001の両側には光学フィルム4002、4003が設けられている。光学フィルム4002、4003としては、偏光フィルム(高透過型偏光板、薄肉偏光板、ホワイト偏光板、高性能染料系偏光板、AR偏光板など)や、位相差フィルム(広帯域1/4λ板、温度補償型位相差フィルム、ねじれ位相差フィルム、広視角位相差フィルム、ニ軸配向位相差フィルムなど)や、輝度向上フィルムなどを適宜組み合わせて用いればよい。例えば、光学フィルム4002、4003として偏光フィルムを用い、互いに光の偏光方向が直交するように配置すれば、背景が透けてしまうことを防止する効果と、反射防止の効果とが得られる。この場合、発光して表示を行う部分以外は、黒になり、どちらの側から表示を見ても背景が透けて見えることがないものとすることができる。また、発光パネルからの発光は1枚の偏光板のみを通過するため、そのまま表示される。このように2枚の偏光板を用いれば、光の透過率は5%以下とすることができ、コントラストは100以上を達成することができる。
【0177】
一般に発光素子を用いた表示装置では、時間とともに発光素子が劣化し、輝度が低下していく。特に、画素一つ一つに発光素子が配置された表示装置の場合、画素は場所によって点灯頻度が異なるため、場所によって劣化の度合いがことなる。したがって、点灯頻度の高い画素ほど劣化が激しく、焼きつき現象として、画質を低下させる。よって、通常使用状態に無い充電時などにある表示を行い、使用頻度の低い画素を点灯させることによって、焼きつきを目立たなくすることが可能になる。充電時の表示内容としては、全点灯、標準画像(受けまち画面など)の明暗を反転させた画像、使用頻度の低い画素を検出して表示する画像などがある。
【0178】
図14は図に対応するブロック図であるが、充電器2017より充電状態を検出する信号をCPU2001が得ることによって、上記に対応する信号を表示するようにディスプレイコントローラ2004に指示をだし、両面発光ディスプレイが発光をおこなう。
【0179】
図15は前述した標準信号の明暗を反転した画像を作り出す手段の例である。映像信号選択スイッチ2106の出力はスイッチ2107に入力され、スイッチ2106の信号がそのままディスプレイ2101に入力されるか、反転して入力されるかを選択できる。明暗反転が必要な場合には反転して入力をおこなえばよい。この選択はディスプレイコントローラによっておこなわれる。また、全点灯をおこなう場合場合にはディスプレイ2101に固定の電圧を入力すればよい。(図示せず)
【0180】
このようにして、充電中に焼きつきを低減するような発光をおこなうことにより、表示画質の劣化を抑えることができる。
【0181】
また、本実施例は、実施の形態1乃至4、実施例1乃至3のいずれか一と自由に組み合わせることが可能である。
【0182】
【発明の効果】
本発明により、EL材料の利用効率を高めることによって製造コストを削減し、且つ、EL層成膜の均一性やスループットの優れた製造装置の一つである蒸着装置を備えた製造装置を実現することができる。
【0183】
また、フルカラーの発光装置を作製する場合、発光層の選択的な蒸着を精密に行うことが必要とされるが、有機化合物を含む層の一部が重なってもよい構成とすることによって、さらなる隔壁のサイズ縮小を行うことができ、開口率の向上につなげることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の蒸着装置を示す上面図である。(実施の形態1)
【図2】 本発明の蒸着装置を示す断面図である。(実施の形態1)
【図3】 蒸着源にセットする容器の一例を示す図である。(実施の形態1)
【図4】 本発明の製造装置を示す上面図である。(実施例1)
【図5】 液滴噴射装置を示す図である。(実施の形態2)
【図6】 本発明の発光装置を示す断面図である。(実施の形態2)
【図7】 補助配線を設けたパネルの上面図である。(実施の形態2)
【図8】 工程フロー図を示す図である。(実施の形態3)
【図9】 本発明の発光装置を示す断面図である。(実施の形態4)
【図10】 本発明の発光装置を示す上面図である。(実施の形態4)
【図11】 本発明の発光装置を示す断面図である。(実施の形態4)
【図12】 本発明の発光装置を示す上面図および断面図である。(実施例2)
【図13】 電子機器の一例を示す図。(実施例3)
【図14】 実施例4に示した電子機器のブロック図。
【図15】 コントローラのブロック図。
【図16】 実施例4に示した電子機器の充電中の様子を示す図。

Claims (6)

  1. 基板投入室、該基板投入室に連結された搬送室、該搬送室に連結された成膜室、該成膜室に連結された第1乃至第3の設置室とを有する製造装置であって、
    前記成膜室は、
    マスクと基板の位置合わせを行うアライメント手段と、
    基板保持手段とを有し、
    前記第1の設置室は、第1の蒸着源を移動させる手段を有し、
    前記第2の設置室は、第2の蒸着源を移動させる手段を有し、
    前記第3の設置室は、第3の蒸着源を移動させる手段を有し、
    前記第1の蒸着源乃至前記第3の蒸着源各々は、前記成膜室内をX方向、Y方向またはZ方向に移動可能であり、
    前記第1の蒸着源乃至前記第3の蒸着源のうち少なくとも1つの蒸着源は、第1の容器と第2の容器を有し、
    前記第1の容器及び前記第2の容器は、それぞれ開口部を有し、
    前記開口部は、蒸発中心が蒸着しようとする前記基板の一点に合うように取り付け角度が調節されていることを特徴とする製造装置。
  2. 請求項1において、
    前記第1の設置室は、前記第1の蒸着源に蒸着材料をセットする機構を有し、
    前記第2の設置室は、前記第2の蒸着源に蒸着材料をセットする機構を有し、
    前記第3の設置室は、前記第3の蒸着源に蒸着材料をセットする機構を有していることを特徴とする製造装置。
  3. 請求項1または請求項2において、
    前記開口部は細長い形状であることを特徴とする製造装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
    前記第1の容器は、第1の加熱手段に取り囲まれ、
    前記第2の容器は、第2の加熱手段に取り囲まれ、
    前記第1の加熱手段と前記第2の加熱手段は、互いに異なる電源に接続されていることを特徴とする製造装置。
  5. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
    前記第1の容器は、上部パーツと下部パーツを有し、
    前記第2の容器は、上部パーツと下部パーツを有し、
    前記第1の容器の上部パーツは、第1の加熱手段に取り囲まれ、
    前記第1の容器の下部パーツは、第2の加熱手段に取り囲まれ、
    前記第2の容器の上部パーツは、第3の加熱手段に取り囲まれ、
    前記第2の容器の下部パーツは、第4の加熱手段に取り囲まれ、
    前記第1の加熱手段乃至前記第4の加熱手段は、互いに異なる電源に接続されていることを特徴とする製造装置。
  6. 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
    前記第1の容器及び前記第2の容器は、角柱形状であることを特徴とする製造装置。
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Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3877613B2 (ja) * 2002-03-05 2007-02-07 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
US6858464B2 (en) * 2002-06-19 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing light emitting device
US7211454B2 (en) * 2003-07-25 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a light emitting device including moving the source of the vapor deposition parallel to the substrate
US6962648B2 (en) * 2003-09-15 2005-11-08 Global Silicon Net Corp. Back-biased face target sputtering
KR100552975B1 (ko) * 2003-11-22 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
US8884845B2 (en) * 2003-10-28 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and telecommunication system
JP2005283922A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Tdk Corp 画像表示装置
US20050279285A1 (en) * 2004-06-10 2005-12-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Phosphor sheet manufacturing apparatus
US20050282308A1 (en) * 2004-06-22 2005-12-22 Albrecht Uhlig Organic electroluminescent display device and method of producing the same
JP4545504B2 (ja) * 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
JP2006164737A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Sharp Corp 表示素子、若しくはそれを備えた表示パネル及び表示装置
JP4384109B2 (ja) * 2005-01-05 2009-12-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸着システム用蒸着源の駆動軸及びこれを具備した蒸着システム
JP4442558B2 (ja) 2005-01-06 2010-03-31 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸発源の加熱制御方法,蒸発源の冷却制御方法および蒸発源の制御方法
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100623730B1 (ko) * 2005-03-07 2006-09-14 삼성에스디아이 주식회사 증발원 어셈블리 및 이를 구비한 증착 장치
JP4694429B2 (ja) * 2005-07-11 2011-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4789551B2 (ja) * 2005-09-06 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 有機el成膜装置
JP4974504B2 (ja) * 2005-10-13 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置、発光装置の作製方法
US20070145895A1 (en) * 2005-10-14 2007-06-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light emitting apparatus, exposure apparatus, and method for manufacturing light emitting apparatus
US20070084717A1 (en) * 2005-10-16 2007-04-19 Makoto Nagashima Back-biased face target sputtering based high density non-volatile caching data storage
JP4736757B2 (ja) * 2005-12-01 2011-07-27 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
US20070205096A1 (en) * 2006-03-06 2007-09-06 Makoto Nagashima Magnetron based wafer processing
US8454810B2 (en) 2006-07-14 2013-06-04 4D-S Pty Ltd. Dual hexagonal shaped plasma source
TWI324491B (en) * 2006-08-16 2010-05-01 Au Optronics Corp Low-reflection self-illumination unit display pixel structure
JP4337852B2 (ja) * 2006-08-30 2009-09-30 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器
WO2008069259A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device
KR100842183B1 (ko) * 2006-12-29 2008-06-30 두산메카텍 주식회사 증발원 스캐닝 장치
KR101098859B1 (ko) 2007-02-21 2011-12-26 울박, 인크 표시 장치, 표시 장치용 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US7973473B2 (en) * 2007-03-02 2011-07-05 Global Oled Technology Llc Flat panel OLED device having deformable substrate
KR101457653B1 (ko) * 2007-03-22 2014-11-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막장치, 제조장치, 성막방법, 및 발광장치의 제조방법
KR101563237B1 (ko) * 2007-06-01 2015-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 제조장치 및 발광장치 제작방법
KR20090041316A (ko) * 2007-10-23 2009-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막 방법 및 발광 장치의 제작 방법
US8153201B2 (en) * 2007-10-23 2012-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing light-emitting device, and evaporation donor substrate
KR20090041314A (ko) * 2007-10-23 2009-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 증착용 기판 및 발광장치의 제조방법
US8425974B2 (en) * 2007-11-29 2013-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaporation donor substrate and method for manufacturing light-emitting device
KR101689519B1 (ko) * 2007-12-26 2016-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 증착용 기판, 증착용 기판의 제조방법, 및 발광장치의 제조방법
US8080811B2 (en) 2007-12-28 2011-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing evaporation donor substrate and light-emitting device
WO2009099002A1 (en) 2008-02-04 2009-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and method for manufacturing light-emitting device
WO2009107548A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
US20090218219A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing Apparatus
JP5416987B2 (ja) 2008-02-29 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
JP5238544B2 (ja) * 2008-03-07 2013-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
US8182863B2 (en) 2008-03-17 2012-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
JP5217564B2 (ja) * 2008-03-28 2013-06-19 カシオ計算機株式会社 発光装置の製造方法
US7993945B2 (en) * 2008-04-11 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
JP5244680B2 (ja) * 2008-04-14 2013-07-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US7968353B2 (en) 2008-04-15 2011-06-28 Global Solar Energy, Inc. Apparatus and methods for manufacturing thin-film solar cells
US8409672B2 (en) * 2008-04-24 2013-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device
JP5159689B2 (ja) * 2008-04-25 2013-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
KR20090130559A (ko) * 2008-06-16 2009-12-24 삼성모바일디스플레이주식회사 이송 장치 및 이를 구비하는 유기물 증착 장치
JP5469950B2 (ja) * 2008-08-08 2014-04-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US8486736B2 (en) * 2008-10-20 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
JP5291607B2 (ja) * 2008-12-15 2013-09-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2010163637A (ja) * 2009-01-13 2010-07-29 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法
EP2425470A2 (en) * 2009-05-01 2012-03-07 Kateeva, Inc. Method and apparatus for organic vapor printing
JP4831841B2 (ja) * 2009-07-10 2011-12-07 三菱重工業株式会社 真空蒸着装置及び方法
KR101015357B1 (ko) * 2009-08-20 2011-02-16 삼성모바일디스플레이주식회사 정전파괴 방지구조를 갖는 마스터 글래스
JP5473576B2 (ja) * 2009-12-10 2014-04-16 住友化学株式会社 シリコン膜およびリチウム二次電池
TW201200948A (en) * 2010-06-22 2012-01-01 Au Optronics Corp Pixel structure and method for manufacturing the same
JP5412389B2 (ja) * 2010-09-03 2014-02-12 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置の製造方法
DE102010055285A1 (de) * 2010-12-21 2012-06-21 Solarion Ag Photovoltaik Verdampferquelle, Verdampferkammer und Beschichtungsverfahren
WO2012098927A1 (ja) * 2011-01-18 2012-07-26 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、有機el素子、及び有機el表示装置
KR101233629B1 (ko) * 2011-04-13 2013-02-15 에스엔유 프리시젼 주식회사 대용량 박막형성용 증착장치
US9055654B2 (en) 2011-12-22 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus and film formation method
KR101810046B1 (ko) * 2012-01-19 2017-12-19 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치 및 기상 증착 방법
US9991463B2 (en) * 2012-06-14 2018-06-05 Universal Display Corporation Electronic devices with improved shelf lives
KR101888000B1 (ko) * 2012-07-04 2018-08-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
JP6181358B2 (ja) * 2012-07-25 2017-08-16 東京エレクトロン株式会社 ベーク処理システム及び有機el素子の有機機能膜の積層体の製造方法
KR102064391B1 (ko) * 2012-08-31 2020-01-10 삼성디스플레이 주식회사 기판 처리 장치
CN104756178B (zh) * 2012-11-05 2018-05-25 索尼半导体解决方案公司 光学单元、制造光学单元的方法以及电子装置
KR20140077625A (ko) * 2012-12-14 2014-06-24 삼성디스플레이 주식회사 유기물 증착 장치
KR102108361B1 (ko) * 2013-06-24 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
JP2015060780A (ja) * 2013-09-20 2015-03-30 株式会社東芝 表示装置の製造方法及び製造システム
CN104637972A (zh) * 2013-11-08 2015-05-20 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种高分辨率的有机发光显示器及其制造方法
CN104851901B (zh) * 2014-02-18 2018-03-30 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种高分辨率的oled显示装置及其制造方法
WO2015125046A1 (en) 2014-02-19 2015-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and peeling method
CN103938161A (zh) * 2014-04-29 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 基板蒸镀装置和蒸镀方法
US10056574B2 (en) * 2015-02-19 2018-08-21 Sharp Kabushiki Kaisha Organic EL display device
JP6685675B2 (ja) * 2015-09-07 2020-04-22 株式会社Joled 有機el素子、それを用いた有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法
CN105506548B (zh) * 2016-03-01 2018-05-25 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板修复装置、修复方法及蒸镀系统
JP6371354B2 (ja) * 2016-09-30 2018-08-08 本田技研工業株式会社 被膜形成装置
CN106941111A (zh) * 2017-03-14 2017-07-11 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板、阵列基板的制造方法以及显示装置
JP7055282B2 (ja) * 2017-09-29 2022-04-18 エルジー・ケム・リミテッド 有機電子素子の封止方法
KR102697922B1 (ko) * 2019-01-09 2024-08-22 삼성전자주식회사 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법
JP2022527127A (ja) * 2019-04-04 2022-05-30 ルナ・リソーシズ・インコーポレーテッド 宇宙において機能性材料を真空気相蒸着する方法およびシステム
KR102145879B1 (ko) * 2019-06-07 2020-08-19 한국생산기술연구원 미세 금속 마스크 세정 공정 분석용 모사 마스크, 이를 이용한 분석 방법 및 그 제조 방법
JP7522837B2 (ja) 2020-01-22 2024-07-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Oled層の厚さ及びドーパント濃度のインライン監視
KR20220129598A (ko) * 2020-01-22 2022-09-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Oled 층 두께 및 도펀트 농도의 인-라인 모니터링
CN111321376B (zh) * 2020-03-26 2022-05-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀机
KR20220097068A (ko) * 2020-12-31 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN114645250B (zh) * 2022-03-25 2024-07-19 无锡极电光能科技有限公司 蒸镀设备、钙钛矿电池蒸镀方法以及钙钛矿电池

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0688233A (ja) * 1992-09-04 1994-03-29 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 真空蒸着装置
JPH06228740A (ja) * 1993-01-29 1994-08-16 Sony Corp 真空蒸着装置
JPH06299353A (ja) * 1993-04-09 1994-10-25 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 連続真空蒸着装置
JP2000223269A (ja) * 1999-01-28 2000-08-11 Anelva Corp 有機薄膜形成装置
JP2002080961A (ja) * 2000-06-22 2002-03-22 Matsushita Electric Works Ltd 真空蒸着装置及び真空蒸着方法
JP2002208477A (ja) * 2000-11-10 2002-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2002348659A (ja) * 2001-05-23 2002-12-04 Junji Kido 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法
JP2003115379A (ja) * 2001-09-28 2003-04-18 Kiko Kenji Kagi Kofun Yugenkoshi 有機el素子製造装置
JP2003129224A (ja) * 2001-10-26 2003-05-08 Matsushita Electric Works Ltd 真空蒸着装置及び真空蒸着方法
JP2004035964A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Tokki Corp 蒸着装置
JP2004107762A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Ulvac Japan Ltd 蒸発源及びこれを用いた薄膜形成装置
JP2004149846A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Sony Corp 蒸着装置および有機電界発光素子の製造装置
JP2004315898A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Tokki Corp 蒸着装置における蒸発源
JP2005515304A (ja) * 2002-01-22 2005-05-26 ヨンセイ ユニバーシティ 膜厚プロファイルのコントロールが可能なリニアタイプ又はプレーナタイプのエバポレータ

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US636726A (en) * 1898-03-04 1899-11-07 Percy J Hindmarsh Seat-post.
US2435997A (en) 1943-11-06 1948-02-17 American Optical Corp Apparatus for vapor coating of large surfaces
FR2244014B1 (ja) 1973-09-17 1976-10-08 Bosch Gmbh Robert
US4023523A (en) 1975-04-23 1977-05-17 Xerox Corporation Coater hardware and method for obtaining uniform photoconductive layers on a xerographic photoreceptor
US4187801A (en) 1977-12-12 1980-02-12 Commonwealth Scientific Corporation Method and apparatus for transporting workpieces
JPS59156996A (ja) * 1983-02-23 1984-09-06 Koito Mfg Co Ltd 化合物結晶膜の製造方法とその装置
DE3330092A1 (de) 1983-08-20 1985-03-07 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zum einstellen der oertlichen verdampfungsleistung an verdampfern in vakuumaufdampfprozessen
US4897290A (en) 1986-09-26 1990-01-30 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Method for manufacturing the substrate for liquid crystal display
JPS63282190A (ja) * 1987-05-12 1988-11-18 Agency Of Ind Science & Technol 分子線結晶成長装置
JPH03111578A (ja) * 1989-06-29 1991-05-13 Toshiba Corp 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
US5258325A (en) 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
US5429884A (en) 1992-01-17 1995-07-04 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent element
KR100291971B1 (ko) 1993-10-26 2001-10-24 야마자끼 순페이 기판처리장치및방법과박막반도체디바이스제조방법
US5578404A (en) * 1995-03-27 1996-11-26 Polaroid Corporation Process for the production of liquid crystal display
US5532102A (en) * 1995-03-30 1996-07-02 Xerox Corporation Apparatus and process for preparation of migration imaging members
JPH09143697A (ja) * 1995-11-20 1997-06-03 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 真空蒸着装置の成膜方法および真空蒸着装置
JP3539125B2 (ja) 1996-04-18 2004-07-07 東レ株式会社 有機電界発光素子の製造方法
US5817366A (en) 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
JP2848371B2 (ja) 1997-02-21 1999-01-20 日本電気株式会社 有機el表示装置及びその製造方法
JPH1161386A (ja) * 1997-08-22 1999-03-05 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子の成膜装置
US6090207A (en) * 1998-04-02 2000-07-18 Neocera, Inc. Translational target assembly for thin film deposition system
US6284052B2 (en) 1998-08-19 2001-09-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. In-situ method of cleaning a metal-organic chemical vapor deposition chamber
US6053981A (en) * 1998-09-15 2000-04-25 Coherent, Inc. Effusion cell and method of use in molecular beam epitaxy
JP3782245B2 (ja) 1998-10-28 2006-06-07 Tdk株式会社 有機el表示装置の製造装置及び製造方法
US6214631B1 (en) 1998-10-30 2001-04-10 The Trustees Of Princeton University Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask
DE59914510D1 (de) * 1999-03-29 2007-11-08 Antec Solar Energy Ag Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung von Substraten durch Aufdampfen mittels eines PVD-Verfahrens
JP4187367B2 (ja) 1999-09-28 2008-11-26 三洋電機株式会社 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法
TW574396B (en) 1999-10-22 2004-02-01 Kurt J Lesker Company Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US6244212B1 (en) 1999-12-30 2001-06-12 Genvac Aerospace Corporation Electron beam evaporation assembly for high uniform thin film
CN1307143A (zh) * 2000-01-21 2001-08-08 李京熙 薄膜的制作方法及制作装置
US6237529B1 (en) 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
US20020011205A1 (en) 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
JP4785269B2 (ja) 2000-05-02 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法及び成膜装置のクリーニング方法
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
EP1167566B1 (en) 2000-06-22 2011-01-26 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Apparatus for and method of vacuum vapor deposition
SG125891A1 (en) * 2000-09-08 2006-10-30 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of manufacturing thesame, and thin film forming apparatus
TW522577B (en) 2000-11-10 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6641674B2 (en) * 2000-11-10 2003-11-04 Helix Technology Inc. Movable evaporation device
CN101397649B (zh) * 2001-02-01 2011-12-28 株式会社半导体能源研究所 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置
SG149680A1 (en) 2001-12-12 2009-02-27 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
US6815723B2 (en) 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
SG143063A1 (en) 2002-01-24 2008-06-27 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TWI258317B (en) 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
SG113448A1 (en) 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
US7309269B2 (en) 2002-04-15 2007-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
US20040035360A1 (en) 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
TWI336905B (en) 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
US20030221620A1 (en) 2002-06-03 2003-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vapor deposition device
US20040040504A1 (en) 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
TWI277363B (en) 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
US20040123804A1 (en) 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
US7211461B2 (en) 2003-02-14 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP4463492B2 (ja) 2003-04-10 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0688233A (ja) * 1992-09-04 1994-03-29 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 真空蒸着装置
JPH06228740A (ja) * 1993-01-29 1994-08-16 Sony Corp 真空蒸着装置
JPH06299353A (ja) * 1993-04-09 1994-10-25 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 連続真空蒸着装置
JP2000223269A (ja) * 1999-01-28 2000-08-11 Anelva Corp 有機薄膜形成装置
JP2002080961A (ja) * 2000-06-22 2002-03-22 Matsushita Electric Works Ltd 真空蒸着装置及び真空蒸着方法
JP2002208477A (ja) * 2000-11-10 2002-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2002348659A (ja) * 2001-05-23 2002-12-04 Junji Kido 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法
JP2003115379A (ja) * 2001-09-28 2003-04-18 Kiko Kenji Kagi Kofun Yugenkoshi 有機el素子製造装置
JP2003129224A (ja) * 2001-10-26 2003-05-08 Matsushita Electric Works Ltd 真空蒸着装置及び真空蒸着方法
JP2005515304A (ja) * 2002-01-22 2005-05-26 ヨンセイ ユニバーシティ 膜厚プロファイルのコントロールが可能なリニアタイプ又はプレーナタイプのエバポレータ
JP2004035964A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Tokki Corp 蒸着装置
JP2004107762A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Ulvac Japan Ltd 蒸発源及びこれを用いた薄膜形成装置
JP2004149846A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Sony Corp 蒸着装置および有機電界発光素子の製造装置
JP2004315898A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Tokki Corp 蒸着装置における蒸発源

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