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CN104756178B - 光学单元、制造光学单元的方法以及电子装置 - Google Patents

光学单元、制造光学单元的方法以及电子装置 Download PDF

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Abstract

本发明的目的是提供一种能够有效密封光学元件而不需特殊材料或特殊结构的光学装置。在本发明的光学装置中，封闭部分(50)包括：圆形密封部分(51)，在配线基板的平面内方向上围绕在配线基板上的一个或多个光学元件(40)；以及内部填充部分(52)，被填充进密封部分(51)的内部并且密封一个或多个光学元件(40)。每个光学元件(40)是发光器件、光接收元件、图像传感器、X射线传感器或发电元件。密封部分(51)和内部填充部分(52)通过固化热固性树脂来获得。内部填充部分(52)的透光率高于密封部分(51)的透光率。内部填充部分(52)的弹性模量小于密封部分(51)的弹性模量。

Description

光学单元、制造光学单元的方法以及电子装置
技术领域
本技术涉及一种包括其中布置一个或多个光学器件的安装基板的光学单元、制造该光学单元的方法、以及包括上述光学单元的电子装置。
背景技术
近几年，作为重量轻并且薄的显示器，针对显示器像素使用LED(发光二极管)的LED显示器已经引起注意。LED显示器的特征在于较小的根据观察角度引起对比度或颜色方面的变化的视角依赖性，并且其特征还在于在改变颜色的情况下的高反应速度(参见专利文献1)。
为了改善LED的耐湿可靠性，在一些LED显示器中通过树脂、玻璃基板等密封LED。为了密封LED，例如，可以使用作为在液晶注射中常用的ODF(一滴填充)方法(参见专利文献2)。当在有机EL(电致发光)显示器中密封有机EL器件时，也可以使用ODF方法(参见专利文献3)。在ODF方法中，在附接用于密封的两个基板之前，树脂材料被落在基板之一上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利申请公开第2009-272591号
专利文献2：日本专利申请公开第2006-268020号
专利文献3：日本专利申请公开第2010-287421号
发明内容
顺便提及，在UV可固化的树脂用作密封材料的情况下，必须提供用于允许UV光到达该密封材料的路径。然而，不容易在器件中提供这类路径。此外，当密封LED、有机EL器件等时，针对密封材料所必须的是在所有密封特性、透明性、耐热性和耐光性方面优良的树脂。然而，不易于获得作为UV可固化树脂的这类树脂。因此，选择热固性树脂而不是UV可固化树脂作为密封材料可以是一种选择。然而，通过使用热固性树脂的密封在诸如热膨胀的处理中有困难。
这些问题不限于LED显示器、有机EL显示器等，并且可能起源于设置有必须被密封的光学设备的所有设备。
因此，期望提供甚至不用特殊材料、特殊结构等也能够有效进行密封的光学单元，制造这类光学单元的方法，以及包括这类光学单元的电子装置。
本技术的实施方式的光学单元包括：安装基板，包括安装在配线基板上的一个或多个光学器件；以及对置基板，在与安装基板的关系中被布置在一个或多个光学器件侧，并且被布置为与安装基板对置。光学单元进一步包括封闭部分，被布置在安装基板和对置基板之间，并且被配置为密封一个或多个光学器件。封闭部分包括：圆形密封部分，从配线基板的平面内方向围绕在配线基板上的一个或多个光学设备；以及内部填充部分，填充密封部分的内部并且密封在配线基板上的一个或多个光学器件。密封部分和内部填充部分各自由固化的热固性树脂配置。内部填充部分具有高于密封部分透光率的透光率。内部填充部分具有小于密封部分弹性模量的弹性模量。
本技术的实施方式的电子装置包括上述光学单元、以及驱动上述光学单元的驱动单元。
在本技术的实施方式的光学单元和电子装置中，包括密封部分和内部填充部分的封闭部分被设置在安装基板和对置基板之间。相比于密封部分，内部填充部分具有更高的透光率和更小的弹性模量。因此，例如，可以通过以下方法形成封闭部分。具体地，首先，布置热固性第一树脂，以便从配线基板的平面内方向在配线基板上围绕一个或多个光学设备。随后，在第一树脂未完全固化的状态下使第一树脂内部填充热固性第二树脂。第二树脂具有小于第一树脂弹性模量的弹性模量，并且具有高于第一树脂透光率的透光率。随后，通过加热处理一起固化第一树脂和第二树脂。此时，因为第二树脂的弹性模量小于第一树脂的弹性模量，所以当第二树脂在加热处理中扩张或收缩时可以防止第一树脂从配线基板或对置基板被剥离。同样，因为第二树脂的透光率高于第一树脂的透光率，所以可以使从光学设备发射的光经由第二树脂出射至外部，或者使外部光经由第二树脂进入光学设备。
一种制造本技术的实施方式的光学单元的方法包括以下三个过程(A)至(C)。
(A)制备安装基板和对置基板，安装基板包括安装在配线基板上的一个或多个光学器件，并且对置基板在与安装基板的关系中被布置在一个或多个光学器件侧。
(B)布置热固性的第一树脂以从配线基板的平面内方向围绕在配线基板上的一个或多个光学器件，并且随后在第一树脂未完全固化的状态下在第一树脂内部填充热固性的第二树脂，第二树脂具有小于第一树脂弹性模量的弹性模量，并且具有高于第一树脂透光率的透光率。
(C)通过加热处理一起固化第一树脂和第二树脂。
在制造本技术的实施方式的光学单元的方法中，因为第二树脂的弹性模量小于第一树脂的弹性模量，所以当第二树脂在加热处理中扩张或收缩时可以防止第一树脂从配线基板或对置基板被剥离。同样，因为第二树脂的透光率高于第一树脂的透光率，所以可以使从光学设备发射的光经由第二树脂出射至外部，或者使外部光经由第二树脂进入光学设备。
根据本技术的实施方式的光学单元、制造该光学单元的方法和电子装置，通过使用在弹性模量和透光率方面彼此不同的两种热固性树脂来密封一个或多个光学设备。因此，可以实现甚至不用特殊材料、特殊结构等也能进行有效密封。
附图说明
图1是示出根据本技术第一实施方式的显示装置的轮廓构造的实施例的立体图。
图2是示出在图1中的安装基板的表面布局的实施例的平面视图。
图3是示出在图1中的显示面板的截面构造的实施例的截面图。
图4是示出在图1中的安装基板的表面布局的另一实施例的平面视图。
图5A是示出在图1中的显示面板构造的实施例的顶视图。
图5B是示出在图1中的显示面板构造的实施例的截面图。
图6A是示出在图1中的显示面板构造的另一实施例的顶视图。
图6B是示出在图1中的显示面板构造的另一实施例的截面图。
图7A是示出在图1中的显示面板构造的其他实施例的顶视图。
图7B是示出在图1中的显示面板构造的其他实施例的截面图。
图8是在制造图1中的显示面板的处理中的安装基板的截面图。
图9是在制造图1中的显示面板的处理中的对置基板的截面图。
图10A是示出在图8中的安装基板上设置第一树脂和第二树脂的状态的截面图。
图10B是示出在图10A中的安装基板上设置第三树脂的状态的截面图。
图11A是示出将图9中的对置基板暂时固定到图10B中的安装基板上的状态的截面图。
图11B是示出将图9中的对置基板暂时固定到图10B中的安装基板上的状态的截面图。
图12是示出固化在图11B中的第一树脂和第二树脂的状态的截面图。
图13是示出根据本技术的第二实施方式的光接收单元的实施例的立体图。
图14A是示出在图13中的光接收面板构造的实施例的顶视图。
图14B是示出在图13中的光接收面板构造的实施例的截面图。
图15A是示出在图13中的光接收面板构造的另一实施例的顶视图。
图15B是示出在图13中的光接收面板构造的另一实施例的截面图。
具体实施方式
下面参考附图详细描述本发明的一些实施方式。顺便提及，该描述按以下顺序进行。
1.第一实施方式(显示装置)
2.第一实施方式的变形(显示装置)
3.第二实施方式(光接收单元)
4.第二实施方式的变形(光接收单元、成像单元和发电单元)
[1.第一实施方式]
[构造]
图1以立体的方式示出了根据本技术的实施方式的显示装置1的轮廓构造的实施例。本实施方式的显示装置1可以是所谓的LED显示器，并且LED在其中用作显示器像素。如图1所示，例如，显示装置1可以包括显示面板10和驱动显示面板10的驱动电路20(具体地，后续描述的发光部分40)。
(显示面板10)
显示面板10由被引起彼此重叠的安装基板10A和对置基板10B来配置。对置基板10B的表面被配置为图像显示表面，并且具有在其中间部分的显示区域和作为围绕该显示区域的非显示区域的框架区域。
(安装基板10A)
图2示出了作为安装基板10A的在对置基板10B侧的表面并且对应于显示区域的区域布局的实施例。如图2所示，例如，安装基板10A可以在作为安装基板10A的表面并且对应于显示区域的区域中包括多个Y线14和多个X线15。X线15对应于扫描线。例如，Y线14和X线15可以形成在安装基板10A内部，并且可以不形成在安装对应于显示器像素的发光部分40(后续描述)所在的安装表面上。
Y线14各自是根据图像信号通过驱动电路20将信号输入至其的数据线。例如，根据图像信号的信号可以是控制发光部分40的开启时段(发光时段)的信号，并且可以是具有小电流的信号。Y线14被形成为沿预定方向(在图中，纵列方向)延伸，并且以预定节距并列布置。
X线15各自是通过驱动电路20将选择发光部分40的信号输入至其的扫描线。例如，选择发光部分40的信号可以是将驱动电流供给发光部分40的信号，并且可以是具有大电流的信号。X线15被形成为在与Y线14交叉(例如，垂直)的方向(在图中为横行方向)上延伸，并且以预定节距并排布置。Y线14和X线15可以各自由诸如Cu(铜)的导电材料制成。X线15被布置在深于Y线14的层中，具体地，在随后描述的支撑基板11和包括Y线14的层之间的层中(即，具体地，在与后续描述的中间层绝缘膜12相同的层中)。
安装基板10A包括对应于显示器像素的多个发光部分40。例如，发光部分40可以沿平行于Y线14的方向和沿平行于X线15的方向并排布置。换言之，发光部分40可以布置成显示区域中的矩阵。发光部分40的每一个经由导电性连接部分19A电连接至Y线14，并且经由导电性连接部分19B电连接至X线15。
如图2和3所示，例如，安装基板10A可以由被安装在配线基板30上的多个发光部分40配置。例如，配线基板30可以通过在支撑基板11上按顺序层压中间层绝缘膜12和中间层绝缘膜13来配置。例如，支撑基板11可以由玻璃基板、树脂基板、硅基板等配置。支撑基板11可以根据需要包括用于实现与发光部分40电连接的通孔。在其后表面上，支撑基板11可以进一步包括经由该通孔电连接至发光部分40的电极板。应注意，在配线基板30的上表面具有不与对置基板10B对置的部分的情况下，可以在配线基板30的上表面上设置电连接至从发光部分40路由的线的电极板。
例如，中间层绝缘膜12和中间层绝缘膜13可以各自由SiN、SiO2或Al2O3制成。在此，例如，中间层绝缘膜13是配置支撑基板11的最上表面的层，并且Y线14可以形成在与作为最上层的中间层绝缘膜13相同的层中。在这种情况下，Y线14经由在与中间层绝缘膜13相同的层中形成的导电性连接部分16电连接至连接部分19A。另一方面，例如，X线15可以形成在支撑基板11和中间层绝缘膜13之间的层中，并且例如，可以形成在与中间层绝缘膜12相同的层中。在这种情况下，X线15经由分别形成在与中间层绝缘膜12和13相同的层中的导电性连接部分17和18电连接至连接部分19B。
(对置基板10B)
对置基板10B在与安装基板10A的关系中被布置在发光部分40侧上，并且被布置为与安装基板10A对置。如图3所示，例如，对置基板10B可以包括保护基板21以及形成在保护基板21的安装基板10A侧上的黑矩阵22。保护基板21是传输从发光部分40的每一个发射的光的光传输基板，并且可以由玻璃基板、透明树脂基板等配置。例如，黑矩阵22可以设置在保护基板21的表面上、在安装基板10A侧上。当从与配线基板30(或安装基板10A)垂直的方向观察时，黑矩阵22可以设置在与在相邻的显示器像素之间的间隙对置的对置区域中。例如，黑矩阵22被配置为吸收从发光装置40的每一个发射的光，并且可以由将碳分散在硅树脂中的凝固的涂料来配置。
然后，描述发光部分40的内部构造。发光部分40由安装在设备基板上的多个LED芯片配置。LED芯片可以各自包括半导体层，该半导体层包括具有彼此不同的导电类型的半导体层将有源层夹在中间的层压结构。同样，LED芯片可以各自包括布置在半导体层的共同表面(相同表面)上的两个电极。电极之一电连接至在半导体层中具有导电类型之一的半导体层，并且另一电极电连接至在半导体层中具有另一导电类型的半导体层。
例如，可以通过在支撑基板上按顺序层压绝缘层和电极板来配置设备基板。例如，支撑基板可以由硅基板、树脂基板等配置。绝缘层被配置为形成作为电极板的形成表面的平坦表面。例如，电极板可以在电解电镀中用作馈电层。同样，电极板可以进一步用作LED芯片被安装的电极板。LED芯片安装在电极板上。具体地，在LED芯片中的电极之一经由电镀金属(未示出)连接至电极板之一，并且在LED芯片中的另一电极经由电镀金属(未示出)连接至另一电极板。
在发光部分40包括三个LED芯片的情况下，LED芯片之一可以是例如发红光的LED芯片，LED芯片的另一个可以是例如发绿光的LED芯片，并且LED芯片的剩下一个可以是例如发蓝光的LED芯片。应注意，发光部分40可以具有各自由元件基板配置的多个发光元件40A和安装在其上的一个LED芯片被视为一个组的构造。给出实施例，如图4所示，发光部分40可以具有三个发光元件40A被视为一个组的构造。在这种情况下，例如，在一个组中的三个发光元件40A中，发光元件40A之一可以包括发红光的LED芯片，发光元件40A的另一个可以包括发绿光的LED芯片，并且发光元件40A的剩下一个可以包括发蓝光的LED芯片。
(封闭部分50)
图5A示出了显示面板10的上表面构造的实施例。图5B示出了沿图5A中的箭头A-A的方向的截面构造的实施例。如图3、5A和5B所示，例如，显示面板10可以包括在安装基板10A和对置基板10B之间的封闭部分50。封闭部分50密封配线基板30上的相应的发光部分40。封闭部分50包括圆形密封部分51和内部填充部分52。密封部分51从配线基板30的平面内方向围绕配线基板30上的所有发光部分40。密封部分51的内部被填充有内部填充部分52，并且内部填充部分52密封在配线基板30上的所有发光部分40。例如，密封部分51可以布置在显示面板10的框架区域中。另一方面，例如，内部填充部分52可以至少布置在显示面板10的整个显示区域中。
密封部分51被配置为防止湿气等进入封闭部分50内部深处(内部填充部分52)，并且由具有大弹性模量的热固性树脂配置。例如，密封部分51的弹性模量可以是约2GPa。通过固化具有大弹性模量的热固性树脂(第一树脂)形成密封部分51。作为这类材料，填料被加入环氧类树脂的混合树脂可能是优选的。例如，该混合树脂的粘性可以是约350Pa.S。
内部填充部分52被配置为防止发光部分40暴露于湿气等，并且由具有优良耐光性、优良光传输特性等的热固性树脂配置。内部填充部分52的透光率高于密封部分51的透光率。因此，从发光部分40发射的光被允许穿过内部填充部分52。内部填充部分52的弹性模量不同于密封部分51的弹性模量。具体地，内部填充部分52的弹性模量小于密封部分51的弹性模量。通过固化具有优良耐光性、优良光传输特性等的热固性树脂(第二树脂)形成内部填充部分52。作为这类材料，硅树脂可能是优选的。硅树脂不仅在耐光性、光传输特性等方面是优良的，而且也是具有极容易调整的粘性的材料。因此，如后续所描述，极容易精细地调整其弹性模量(或粘度)，使得固化的树脂(内部填充部分52)的弹性模量处于期望的范围内。应注意，根据内部填充部分52的弹性模量的大小，也可以采用烯烃类树脂、丙烯酸类树脂等来代替硅树脂。
内部填充部分52的弹性模量小于密封部分51的弹性模量。相比于密封部分51的弹性模量，内部填充部分52的弹性模量可以处于从1/500至1/100000的范围内。例如，在密封部分51的弹性模量是约2GPa的情况下，内部填充部分52的弹性模量可以是约1.5MPa。可以优选调整第一树脂和第二树脂的弹性模量，使得第一树脂和第二树脂的弹性模量具有上述关系。在这类情况下，当第二树脂在加热(固化)处理中扩张或收缩时，可以防止第一树脂从配线基板30或对置基板10B上被剥离。当在第一树脂和第二树脂之间在弹性模量方面的差异变得更大时，在固化并且收缩第二树脂时更易于发生在第二树脂中引起的破裂。另一方面，当在第一树脂和第二树脂之间在弹性模量方面的差异变得更小时，第二树脂由于在固化的中间第二树脂的扩张而用于推送出第一树脂。因此，由第一树脂构成的岸堤(bank)破裂，这使第二树脂更易于泄漏到外部。
第一树脂的固化开始温度可能低于第二树脂的固化开始温度。在第一树脂和第二树脂的固化开始温度处于上面描述的关系的情况下，当将热量同时施加于第一树脂和第二树脂时，第一树脂先于第二树脂开始固化，并且第一树脂用作用于防止第二树脂流动到外部的岸堤。同样，由于第一树脂的固化先于第二树脂的固化，密封部分51限定了封闭部分50的厚度，并且因此，限定了在发光部分40的顶面和对置基板10B的底面之间的间隙尺寸。因此，甚至当没有间隔物设置在封闭部分50中时，可以通过使用密封部分51限定间隙尺寸。
封闭部分50可以根据需要进一步包括在安装基板10A和对置基板10B之间的部分中的支柱53和暂时固定部分54，并且在密封部分51的外周上。
支柱53被配置为防止由于安装基板10A和对置基板10B的弯曲而使作为在安装基板10A和对置基板10B之间的间隙并且对应于显示面板10的显示区域的部分的平面尺寸方面的变化。例如，支柱53可以布置在显示面板10的框架区域中。如图5A和5B所示，例如，支柱53可以一对一的关系布置在对置基板10B的四个角落。例如，可以通过固化光敏丙烯酸树脂等形成支柱53。例如，可以通过旋涂方法将光敏丙烯酸树脂等施加至对置基板10B的整个表面，并且随后对施加的树脂执行曝光和显影来形成支柱53。
暂时固定部分54在将安装基板10A和对置基板10B彼此附接的处理中防止安装基板10A和对置基板10B的位置关系脱离期望的范围。暂时固定部分54的一端固定至安装基板10A，并且其另一端固定至对置基板10B。例如，暂时固定部分54可以布置在显示面板10的框架区域中。如图5A和5B所示，例如，暂时固定部分54可以一对一的关系布置在对置基板10B的四侧中的两侧上。例如，暂时固定部分54可以由固化的UV可固化树脂配置。
应注意，作为一个实施例，图5A和5B示出了安装基板10A大于对置基板10B的情况。然而，如图6A和6B所示，例如，安装基板10A可以小于对置基板10B。可替代地，如图7A和7B所示，例如，安装基板10A和对置基板10B可以具有相同的尺寸。在安装基板10A大于对置基板10B的情况下，安装基板10A的上表面具有与对置基板10B不对置的部分。在这种情况下，不对置部分可以设置有电连接至发光部分40的电极板。替换地，在安装基板10A小于对置基板10B或者具有与对置基板10B相同的尺寸的情况下，电连接至发光部分40的电极板可以经由设置在支撑基板11中的通孔设置在支撑基板11的后表面上。
(驱动电路20)
例如，驱动电路20可以由驱动Y线14的数据驱动器和驱动X线15的扫描驱动器配置。例如，驱动电路20可以由IC芯片配置。例如，驱动电路20可以安装在安装基板10A上，或者可以安装在独立于显示面板10而提供的印刷配线基板上。
[制造方法]
然后，参考图8至12，描述制造显示面板10的方法的实施例。
首先，制备其中多个发光部分40安装在配线基板30上的安装基板10A。然后，如图8所示，例如，作为密封部分51的原材料(固化之前的材料)的第一树脂51D可以在位于安装基板10A上表面并且对应于显示面板10的框架区域的区域中以圆形形状来设置。换言之，第一树脂51D被如此布置，以便从配线基板30的平面内方向围绕配线基板30上的所有发光部分40。
第一树脂51D是热固性树脂。第一树脂51D的弹性模量大于作为内部填充部分52的原材料(固化之前的材料)的第二树脂52D的弹性模量。第一树脂51D是其中填料被加入环氧树脂的混合树脂，并且具有约350Pa.S的粘性。在粘性为约350Pa.S高的情况下，可以优选使用螺杆式点胶机。例如，第一树脂51D的横截面积可以是约40000μm2。第一树脂51D的固化开始温度低于第二树脂52D的固化开始温度。例如，第一树脂51D的固化开始温度可以是120℃。
然后，制备在与安装基板10A的关系中被布置在发光部分40侧上的对置基板10B。随后，如图9所示，例如，多个柱状支柱53可以设置在位于对置基板10B的上表面(随后与安装基板10A对置的表面)上并且对应于显示面板10的框架区域的区域中。
然后，在第一树脂51D未完全固化的状态下(图10A)，位于施加有第一树脂51D的安装基板10A的上表面上并且在密封部分51内部的部分填充有作为内部填充部分52的原材料的第二树脂52D。在这种情况下，例如，第二树脂52D可以使在安装基板10A上的所有发光部分40被嵌入。
第二树脂52D是热固性树脂。第二树脂52D的透光率高于第一树脂51D的透光率。第二树脂52D的弹性模量小于第一树脂51D的弹性模量。第二树脂52D是硅树脂，并且具有约500mPa.S的粘性。在粘性为约500mPa.S低的情况下，可以使用液晶下滴装置。应注意，可以通过丝网印刷执行涂覆而不通过使用液晶下滴装置来进行下滴，或替换地，可以通过使用喷射式点胶机执行涂覆。第二树脂52D的固化开始温度高于第一树脂51D的固化开始温度。在第一树脂51D的固化开始温度是120℃的情况下，例如，第二树脂52D的固化开始温度可以是150℃。
然后，作为暂时固定部分54的原材料的第三树脂54D设置在位于安装基板10A的上表面上并且对应于显示面板10的框架区域(图10B)的区域中。第三树脂54D是UV可固化的树脂。
然后，执行安装基板10A和对置基板10B的对齐，并且安装基板10A和对置基板10B在真空中彼此附接(图11A)。随后，紫外线L从紫外线应用装置100发射，并且将紫外线L施加于第三树脂54D(图11B)。因此，安装基板10A和对置基板10B附接的位置被制成不能移动。此后，在大气中以彼此附接的状态释放安装基板10A和对置基板10B。这使得在防止气泡被包含于第一树脂51D和第二树脂52D中的同时可以将安装基板10A和对置基板10B彼此附接。
然后，通过从加热装置200施加的热量H加热处于彼此附接的状态的安装基板10A和对置基板10B。因此，通过加热处理一起固化第一树脂51D和第二树脂52D。因此，第一树脂51D变为密封部分51，并且第二树脂52D变为内部填充部分52。
在这种情况下，例如，第一树脂51D的固化开始温度可以是120℃，并且例如，第二树脂52D的固化开始温度可以是150℃。当热处理通过使用加热装置200对第一树脂51D和第二树脂52D在150℃下执行一小时时，第一树脂51D首先开始固化，并且第二树脂52D随后开始固化。因此，第一树脂51D用作防止第二树脂52D流到外部的岸堤。
另外，可以优选调整第一树脂51D和第二树脂52D的弹性模量，使得相比于密封部分51的弹性模量，内部填充部分52的弹性模量处于从1/500至1/100000的范围内。在这种情况下，当第二树脂52D在加热处理中扩张或收缩时，可以防止第一树脂51D从配线基板30或对置基板10B被剥离。这时，也可以防止在第二树脂52D中引起的破裂。
[显示装置1的操作和效果]
在本实施方式中，可以经由布置在简单矩阵中(可以简单矩阵方式驱动)的Y线14和X线15通过驱动电路20驱动发光部分40。因此，电流连续地被供应给被设置在靠近Y线14和X线15的交叉处的发光部分40，并且因此图像被显示在显示区域中。
顺便提及，在本实施方式中，包括密封部分51和内部填充部分52的封闭部分50被设置在安装基板10A和对置基板10B之间。相比于密封部分51，内部填充部分52具有较高的透光率和较小的弹性模量。此外，内部填充部分52的原材料(第二树脂52D)的固化开始温度高于密封部分51的原材料(第一树脂51D)的固化开始温度。因此，例如，可以通过如上所述的方法形成封闭部分50。因此，甚至不用特殊材料、特殊结构等也可以密封相应的发光部分40。
[2.第一实施例的变形]
在上面描述的实施方式中，作为多个发光部分40的LED被安装在配线基板30上。然而，例如，可以安装诸如有机EL器件的自发光器件。另外，在上面描述的实施方式中，黑矩阵22被设置在对置基板10B上。然而，可以省去黑矩阵22。
另外，在上面描述的实施方式中，发光部分40包括三个LED芯片。然而，发光部分40可以包括少于三个的LED芯片，或者可以包括四个以上的LED芯片。另外，在上面描述的实施方式中，在发光部分40中的相应LED芯片被连接到彼此不同的Y线14。然而，例如，在发光部分40中的相应LED芯片可以连接到未示出的相同Y线14。
另外，在上面描述的实施方式中，描述了通过驱动电路20以无源方式驱动相应发光部分40的实施例。然而，例如，可以通过驱动电路20以有源矩阵方式驱动相应的发光部分40。
另外，在上面描述的实施方式中，第三树脂54D被设置在安装基板10A上。然而，第三树脂54D可以设置在对置基板10B上。
[3.第二实施方式]
[构造]
图13以立体的方式示出了根据本技术的第二实施方式的光接收单元2的轮廓构造的实施例。本实施方式的光接收单元2可以由二维布置的多个光接收装置61配置。例如，光接收装置61各自是将光转换为电的器件，并且可以各自是PD(光敏二极管)或光电转换器件。PD是用于感测光的器件，而光电转换器件是用于从光获得能量的器件。如图13所示，例如，光接收单元2可以包括光接收面板60和驱动光接收面板60(具体地，后续描述的光接收装置61)的驱动电路70。
光接收面板60由使得彼此重叠的安装基板60A和对置基板60B配置。对置基板60B的表面被配置为光接收面。如图14A和14B所示，安装基板60A对应于其中设置光接收装置61而不是发光部分40的安装基板10A。光接收装置61各自包括具有光电转换功能的半导体层和电连接至半导体层的两个电极。如图14B所示，例如，对置基板60B可以由保护基板21配置。应注意，黑矩阵22可以根据需要设置在保护基板21的表面、在安装基板60A侧上。
[4.第二实施方式的变形]
应注意，如图15A和15B所示，例如，安装基板60A可以包括仅一个光接收装置61。在这种情况下，一个光接收装置61可以是其中集成多个光接收元件的图像传感器，或者可以是其中集成多个X射线光接收元件的X射线传感器。替换地，一个光接收装置61可以是其中集成多个光电转换元件的发电设备。
另外，例如，本技术可以采用以下配置。
(1)
一种光学单元，包括：
安装基板，包括安装在配线基板上的一个或多个光学器件；
对置基板，在与所述安装基板的关系中被布置在所述光学器件侧，并且被布置为与所述安装基板对置；以及
封闭部分，被布置在所述安装基板和所述对置基板之间，并且被配置为密封所述光学器件，
所述封闭部分包括
圆形密封部分，从所述配线基板的平面内方向围绕所述配线基板上的所述一个或多个光学器件，以及
内部填充部分，所述密封部分的内部填充有所述内部填充部分，并且所述内部填充部分密封所述配线基板上的所述一个或多个光学器件，
所述密封部分和所述内部填充部分各自由固化的热固性树脂构成，以及
所述内部填充部分具有高于所述密封部分透光率的透光率，并且具有小于所述密封部分弹性模量的弹性模量。
(2)
根据(1)所述的光学单元，其中，相比于所述密封部分的所述弹性模量，所述内部填充部分的所述弹性模量处于从1/500至1/100000的范围内。
(3)
根据(1)或(2)所述的光学单元，其中，所述密封部分的材料在固化之前的固化开始温度低于所述内部填充部分的材料在固化之前的固化开始温度。
(4)
根据(1)至(3)中任一项所述的光学单元，其中，
通过固化将填料加入环氧类树脂而成的树脂形成所述密封部分，并且
通过固化硅树脂形成所述内部填充部分。
(5)
根据(1)至(4)中任一项所述的光学单元，其中，所述光学器件是发光器件或光接收器件。
(6)
根据(1)至(5)中任一项所述的光学单元，其中，当从与所述安装基板垂直的方向观察时，所述对置基板包括处于与在相邻显示像素之间的间隙对置的对置区域中的黑矩阵。
(7)
一种电子装置，包括：
光学单元；以及
驱动单元，被配置为驱动所述光学单元，
所述光学单元包括
安装基板，包括安装在配线基板上的一个或多个光学器件，
对置基板，在与所述安装基板的关系中被布置在所述光学器件侧，并且被布置为与所述安装基板对置，以及
封闭部分，被布置在所述安装基板和所述对置基板之间，并且被配置为密封所述光学器件，
所述封闭部分包括
圆形密封部分，从所述配线基板的平面内方向围绕所述配线基板上的所述一个或多个光学器件，以及
内部填充部分，所述密封部分的内部填充有所述内部填充部分，并且所述内部填充部分密封所述配线基板上的所述一个或多个光学器件，
所述密封部分和所述内部填充部分各自由固化的热固性树脂构成，以及
所述内部填充部分具有高于所述密封部分透光率的透光率，并且具有小于所述密封部分弹性模量的弹性模量。
(8)
一种制造光学单元的方法，所述方法包括：
制备安装基板和对置基板，所述安装基板包括安装在配线基板上的一个或多个光学器件，并且所述对置基板在与所述安装基板的关系中被布置在光学器件侧；
布置热固性的第一树脂以从所述配线基板的平面内方向围绕所述配线基板上的所有的所述光学器件，并且随后在所述第一树脂未完全固化的状态下在所述第一树脂内部填充热固性的第二树脂，所述第二树脂具有小于所述第一树脂弹性模量的弹性模量，并且具有高于所述第一树脂透光率的透光率；以及
通过加热处理来一起固化所述第一树脂和所述第二树脂。
本申请要求基于于2012年11月5日提交的日本专利申请JP 2012-243318的优先权，通过引用将其全部内容结合于此。
本领域技术人员应理解，根据设计需求和其他因素，可出现各种修改、组合、子组合或变更，只要它们在所附权利要求及其等同物的范围内。

Claims (8)

1.一种光学单元，包括：
安装基板，包括安装在配线基板上的一个或多个光学器件；
对置基板，在与所述安装基板的关系中被布置在所述一个或多个光学器件侧，并且被布置为与所述安装基板对置；以及
封闭部分，被布置在所述安装基板和所述对置基板之间，并且被配置为密封所述一个或多个光学器件，
所述封闭部分包括
圆形密封部分，从所述配线基板的平面内方向围绕所述配线基板上的所述一个或多个光学器件，以及
内部填充部分，所述圆形密封部分的内部填充有所述内部填充部分，并且所述内部填充部分密封所述配线基板上的所述一个或多个光学器件，
所述圆形密封部分和所述内部填充部分各自由固化的热固性树脂构成，以及
所述内部填充部分具有高于所述圆形密封部分透光率的透光率，并且具有小于所述圆形密封部分弹性模量的弹性模量；
其中，相比于所述圆形密封部分的所述弹性模量，所述内部填充部分的所述弹性模量处于从1/500至1/100000的范围内。
2.根据权利要求1所述的光学单元，其中，所述圆形密封部分的材料在固化之前的固化开始温度低于所述内部填充部分的材料在固化之前的固化开始温度。
3.根据权利要求1所述的光学单元，其中，
通过固化将填料加入环氧类树脂而成的树脂形成所述圆形密封部分，并且
通过固化硅树脂形成所述内部填充部分。
4.根据权利要求1所述的光学单元，其中，所述一个或多个光学器件是一个或多个发光器件或一个或多个光接收器件。
5.根据权利要求1所述的光学单元，其中，当从与所述安装基板垂直的方向观察时，所述对置基板包括处于与在相邻显示像素之间的间隙对置的对置区域中的黑矩阵。
6.一种电子装置，包括：
光学单元；以及
驱动单元，被配置为驱动所述光学单元，
所述光学单元包括
安装基板，包括安装在配线基板上的一个或多个光学器件，
对置基板，在与所述安装基板的关系中被布置在所述一个或多个光学器件侧，并且被布置为与所述安装基板对置，以及
封闭部分，被布置在所述安装基板和所述对置基板之间，并且被配置为密封所述一个或多个光学器件，
所述封闭部分包括
圆形密封部分，从所述配线基板的平面内方向围绕所述配线基板上的所述一个或多个光学器件，以及
内部填充部分，所述圆形密封部分的内部填充有所述内部填充部分，并且所述内部填充部分密封所述配线基板上的所述一个或多个光学器件，
所述圆形密封部分和所述内部填充部分各自由固化的热固性树脂构成，以及
所述内部填充部分具有高于所述圆形密封部分透光率的透光率，并且具有小于所述圆形密封部分弹性模量的弹性模量；
其中，相比于所述圆形密封部分的所述弹性模量，所述内部填充部分的所述弹性模量处于从1/500至1/100000的范围内。
7.根据权利要求6所述的电子装置，其中，所述圆形密封部分的材料在固化之前的固化开始温度低于所述内部填充部分的材料在固化之前的固化开始温度。
8.一种制造光学单元的方法，所述方法包括：
制备安装基板和对置基板，所述安装基板包括安装在配线基板上的一个或多个光学器件，并且所述对置基板在与所述安装基板的关系中被布置在一个或多个光学器件侧；
布置热固性的第一树脂以从所述配线基板的平面内方向围绕所述配线基板上的所有的所述一个或多个光学器件，并且随后在所述第一树脂未完全固化的状态下在所述第一树脂内部填充热固性的第二树脂，所述第二树脂具有小于所述第一树脂弹性模量的弹性模量，并且具有高于所述第一树脂透光率的透光率；以及
通过加热处理来一起固化所述第一树脂和所述第二树脂；
其中，相比于所述第一树脂的所述弹性模量，所述第二树脂的所述弹性模量处于从1/500至1/100000的范围内。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104756178B (zh) 2012-11-05 2018-05-25 索尼半导体解决方案公司 光学单元、制造光学单元的方法以及电子装置
EP3091822A1 (en) * 2015-05-08 2016-11-09 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Method for the production of an electronic module as well as corresponding electronic module
JP2018125319A (ja) * 2015-06-18 2018-08-09 ソニー株式会社 モジュール、モジュールの製造方法、及び、電子機器
US10304813B2 (en) * 2015-11-05 2019-05-28 Innolux Corporation Display device having a plurality of bank structures
KR20180094199A (ko) * 2017-02-14 2018-08-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP6826947B2 (ja) * 2017-05-18 2021-02-10 新光電気工業株式会社 配線基板、配線基板の製造方法
US10256218B2 (en) * 2017-07-11 2019-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
TWI683431B (zh) * 2018-11-26 2020-01-21 友達光電股份有限公司 發光元件基板及其修復方法
JP7289660B2 (ja) * 2019-01-30 2023-06-12 キヤノン株式会社 モジュールおよび機器
TWI685097B (zh) * 2019-01-31 2020-02-11 啟端光電股份有限公司 微發光二極體顯示器及其形成方法
CN111584533B (zh) * 2019-02-19 2023-06-13 启端光电股份有限公司 微发光二极管显示器及其形成方法
CN111025797A (zh) * 2019-12-25 2020-04-17 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示装置

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06118423A (ja) * 1992-09-30 1994-04-28 Sony Corp 液晶表示素子の製造方法
JP3594018B2 (ja) * 2002-02-18 2004-11-24 富士電機ホールディングス株式会社 有機ｅｌディスプレイ
JP4166997B2 (ja) 2002-03-29 2008-10-15 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波素子の実装方法及び樹脂封止された弾性表面波素子を有する弾性表面波装置
US6982470B2 (en) * 2002-11-27 2006-01-03 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, method of manufacturing the same, cover for semiconductor device, and electronic equipment
JP4493926B2 (ja) * 2003-04-25 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
JP2005190703A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌパネル及びその製造方法
JP4271625B2 (ja) * 2004-06-30 2009-06-03 株式会社フジクラ 半導体パッケージ及びその製造方法
JP5025123B2 (ja) * 2004-12-03 2012-09-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
JP2006268020A (ja) 2005-02-25 2006-10-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JPWO2007018039A1 (ja) * 2005-08-05 2009-02-19 パナソニック株式会社 半導体発光装置
JP2008010402A (ja) * 2006-06-02 2008-01-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子及び表示装置
US20070278493A1 (en) 2006-06-02 2007-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
JP2008249839A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Fujifilm Corp 有機ｅｌパネルおよびその製造方法
KR101175836B1 (ko) * 2007-04-24 2012-08-24 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 경화성 수지 조성물, ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법, 및, 광반도체
JP2008288012A (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法
US8258696B2 (en) * 2007-06-28 2012-09-04 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Light emitting display and method of manufacturing the same
JP2009048834A (ja) * 2007-08-17 2009-03-05 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電子機器
JP2009047879A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電子機器
JP4924377B2 (ja) * 2007-11-19 2012-04-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
JP4479827B2 (ja) 2008-05-12 2010-06-09 ソニー株式会社 発光ダイオード表示装置及びその製造方法
JP2010080087A (ja) 2008-09-24 2010-04-08 Toshiba Corp 平面表示装置の製造方法、平面表示装置の製造装置及び平面表示装置
TWI385612B (zh) 2009-05-06 2013-02-11 Wintek Corp 具光電效應之顯示面板與應用其之電子裝置
JP2010287421A (ja) 2009-06-11 2010-12-24 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ装置及びその製造方法
RU2011147916A (ru) 2009-06-11 2013-10-27 Шарп Кабусики Кайся Органическое электролюминесцентное дисплейное устройство и способ его изготовления
JP2011077108A (ja) 2009-09-29 2011-04-14 Elpida Memory Inc 半導体装置
JP2011204384A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Canon Inc 表示装置
KR101127591B1 (ko) 2010-04-01 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
KR101318595B1 (ko) * 2010-08-03 2013-10-15 샤프 가부시키가이샤 박막 트랜지스터 기판
JP2012079876A (ja) 2010-09-30 2012-04-19 Fujitsu Ltd 電子装置の製造方法及び電子装置
TWI434250B (zh) * 2010-12-15 2014-04-11 Au Optronics Corp 可撓性顯示面板
KR102038844B1 (ko) * 2011-06-16 2019-10-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체의 제작 방법 및 밀봉체, 그리고 발광 장치의 제작 방법 및 발광 장치
JP5753446B2 (ja) 2011-06-17 2015-07-22 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
JP2013118230A (ja) * 2011-12-01 2013-06-13 Canon Inc 固体撮像装置
JP5591845B2 (ja) 2012-02-28 2014-09-17 株式会社東芝 液晶光学素子及び立体画像表示装置
US9337405B2 (en) 2012-08-31 2016-05-10 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
CN104756178B (zh) 2012-11-05 2018-05-25 索尼半导体解决方案公司 光学单元、制造光学单元的方法以及电子装置

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