JP4032954B2 - 冷却装置、電子機器装置、音響装置及び冷却装置の製造方法 - Google Patents
冷却装置、電子機器装置、音響装置及び冷却装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4032954B2 JP4032954B2 JP2002361393A JP2002361393A JP4032954B2 JP 4032954 B2 JP4032954 B2 JP 4032954B2 JP 2002361393 A JP2002361393 A JP 2002361393A JP 2002361393 A JP2002361393 A JP 2002361393A JP 4032954 B2 JP4032954 B2 JP 4032954B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cooling
- flow path
- wick
- pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
- F28F13/00—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing
- F28F13/18—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing by applying coatings, e.g. radiation-absorbing, radiation-reflecting; by surface treatment, e.g. polishing
- F28F13/185—Heat-exchange surfaces provided with microstructures or with porous coatings
- F28F13/187—Heat-exchange surfaces provided with microstructures or with porous coatings especially adapted for evaporator surfaces or condenser surfaces, e.g. with nucleation sites
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
- F28D15/00—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies
- F28D15/02—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes
- F28D15/0266—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes with separate evaporating and condensing chambers connected by at least one conduit; Loop-type heat pipes; with multiple or common evaporating or condensing chambers
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
- F28D15/00—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies
- F28D15/02—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes
- F28D15/04—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes with tubes having a capillary structure
- F28D15/046—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes with tubes having a capillary structure characterised by the material or the construction of the capillary structure
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/20—Cooling means
- G06F1/203—Cooling means for portable computers, e.g. for laptops
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
- F28F2245/00—Coatings; Surface treatments
- F28F2245/02—Coatings; Surface treatments hydrophilic
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2200/00—Indexing scheme relating to G06F1/04 - G06F1/32
- G06F2200/20—Indexing scheme relating to G06F1/20
- G06F2200/201—Cooling arrangements using cooling fluid
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2200/00—Indexing scheme relating to G06F1/04 - G06F1/32
- G06F2200/20—Indexing scheme relating to G06F1/20
- G06F2200/203—Heat conductive hinge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばパーソナルコンピュータの中央演算処理部や音響装置のアンプに用いられるパワートランジスタ等に用いられる冷却装置、電子機器装置、音響装置及び冷却装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、パーソナルコンピュータでは、中央演算処理部（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ、以下ＣＰＵとも言う）の高性能化が著しい。このようなＣＰＵの高性能化に伴い、発生する熱量も増加し、動作不良を起こす、という問題が発生している。
【０００３】
従来から、ファンを用いた空冷によりＣＰＵを冷却することが行われているが、それでも冷却が十分に行われないという問題があり、しかもファンの性能を上げようとすると騒音の問題も大きくなる。
【０００４】
そこで、冷媒を循環させてＣＰＵを冷却することも考えられるが、十分な冷却性能を得ることはできない。また、このような冷媒循環系では、冷却のための装置構成が大型化してしまい、これらの機器の小型薄型化を阻害することになる。
【０００５】
このような問題はパーソナルコンピュータばかりでなく、例えばハイパワーのパワートランジスタを搭載するオーディオ機器においても同様に発生している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明者らは、これら機器の冷却手段としてヒートパイプを用いることを提唱している。
【０００７】
ヒートパイプとは、管の内壁に毛細管構造を持たせた金属製パイプであり、内部は真空で、少量の水もしくは代替フロンなどが封入されている。ヒートパイプの一端（気化部）を熱源に接触させて加熱すると、内部の液体が蒸発して気化し、このとき潜熱（気化熱）として、熱が取り込まれる。そして、低温部（液化部）へ高速に（ほぼ音速で）移動し、そこで、冷やされてまた液体に戻り、熱を放出する（凝縮潜熱による熱放出）。液体は毛細管構造を通って（もしくは重力によって）元の場所へ戻るので、連続的に効率よく熱を移動させることができる。
【０００８】
しかしながら、現在用いられているヒートパイプの多くは小型のものであり、例えば上述のＣＰＵやオーディオ機器等、例えば５０〜１００Ｗ以上のワット数の大きなデバイスを一つのヒートパイプで冷却することが困難であるという問題がある。
【０００９】
また、通常のヒートパイプの形状では液相／気相になった作動液の輸送流路と気化部、液化部が一体となっている場合が多く、冷却対象物やその他周辺デバイスの配置によっては効率良く冷却・放熱ができないという問題もある。
【００１０】
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、冷却性能が高く、しかも配置のフレキシビリティーが高い冷却装置、電子機器装置、音響装置及び冷却装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の主たる観点に係る冷却装置は、（ａ）作動液を流通させる流路を有する流路基板と、金属又は金属に相当する熱伝導率を有する材料からなり、少なくともウイックを設けたウイック基板と、エバポレータ孔を有し、前記流路基板の前記流路と前記ウイック基板の前記ウイックとが通じるように前記ウイック基板が前記エバポレータ孔に嵌め込まれ、前記流路基板と接合された対向基板とを有し、対象物からの熱により作動液を気化させることで対象物を冷却する冷却部と、（ｂ）前記冷却部と物理的に分離され、前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部と、（ｃ）前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管と、（ｄ）前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の管とを具備し、前記第１の管及び前記第２の管のうち少なくとも一方は、フッ素樹脂からなる。
【００１２】
このような構成によれば、冷却部で対象物の熱を作動液により冷却し、その熱で気相となった作動液が管を介して物理的に分離した液化部へ流通して放熱することができるので、冷却性能も高くなる。しかも冷却部と液化部とが物理的に分離しているので、配置のフレキシビリティーが高くなる。
【００１３】
また、このような構成によれば、効率良く作動液を気化することができるので、対象物を効率良く冷却することができる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記ウイック基板が銅からなり、前記ウイック表面は、酸化第一銅の薄膜が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
このような構成によれば、ウイック表面が酸化第一銅からなるので、表面の親水性が向上し、毛細管力が向上する。従って作動液の気化量が向上し、冷却効率も向上する。また、耐腐食性も向上し、金属材料の腐食を防止できるので、金属材料の腐食分の厚みを考慮して形成していた従来と比較し、本発明では、腐食分の厚みを削減して形成できる。従って、小型薄型化が可能となる。また、酸化第一銅となった表面は、抗菌作用を有するため、作動液が常に清浄に保たれ、作動液の変質を防止することができる。
【００１８】
本発明の一の形態によれば、前記冷却部及び前記液化部と前記第１の管及び前記第２の管との接合部は、融着性フッ素樹脂が被覆されていることを特徴とする。これにより、接合部における気密性が向上する。特に、管がフッ素樹脂の場合には、融着性フッ素樹脂と管を構成するフッ素樹脂とが重合反応するために、接合部において非常に高い気密性が得られる。
【００１９】
本発明の一の形態によれば、前記第１の管及び前記第２の管における前記冷却部及び前記液化部との間の少なくとも１つの接合表面は、プラズマまたは反応性イオンエッチングで処理されていることを特徴とする。これにより、接着性及び気密性が向上する。前記第１の管及び前記第２の管における前記冷却部及び前記液化部との間の少なくとも１つの接合表面は、水素プラズマで処理されていることを特徴とする。特に、水素プラズマで処理することにより、アルカリ金属イオン等を使ったウエットエッチングに比し、安価で生産性に優れ、有毒性の高い廃棄物があまり排出されない、という利点がある。
【００２０】
本発明の一の形態によれば、前記第１の管及び前記第２の管の表面は、金属の薄膜が形成されていることを特徴とする。これにより、管の気密性を高めることができる。特に、フッ素樹脂の管の金属箔膜形成表面に水素プラズマで処理することにより、管と金属薄膜と接着性を高めることができる。金属の薄膜としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｉｎ及びＰｂのうち少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００２１】
金属の薄膜を形成する方法としては、真空蒸着、スパッタリング、無電界メッキ、電界メッキ等がある。
【００２２】
本発明の一の形態によれば、前記第１の管及び前記第２の管は、シリコンゴム、ポリウレタン及びポリプロピレンのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする。これにより、接着性が向上し、また好ましい接着剤の選択も容易であり、接合が容易である。特に、シリコンは、親水性が高いので、液相用の管に適応するのに好ましい。従って、例えば液化部から冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管にシリコンを用い、冷却部から液化部に気化された作動液を流通させる第２の管として、撥水性の高いテフロンやポリウレタン及びポリプロピレンを用いることが好ましい形態である。
本発明の一の形態によれば、前記第１の管及び前記第２の管の内壁及び外壁のうち少なくとも一方は、フッ素樹脂が被覆されていることを特徴とする。例えば、無電解メッキにより管の内壁や外壁にフッ素樹脂を被覆することが可能である。これにより、管の気密性を向上させることができる。
【００２３】
本発明の第２の観点に係る電子機器装置は、（ａ）中央演算処理部と、（ｂ）作動液を流通させる流路を有する流路基板と、金属又は金属に相当する熱伝導率を有する材料からなり、少なくともウイックを設けたウイック基板と、エバポレータ孔を有し、前記流路基板の前記流路と前記ウイック基板の前記ウイックとが通じるように前記ウイック基板が前記エバポレータ孔に嵌め込まれ、前記流路基板と接合された対向基板とを有し、前記中央演算処理部に近接して配置され、前記中央演算処理部からの熱により作動液を気化させることで前記中央演算処理部を冷却する冷却部と、（ｃ）前記冷却部と物理的に分離され、前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部と、（ｄ）前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管と、（ｅ）前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の管とを具備し、前記第１の管及び前記第２の管のうち少なくとも一方は、フッ素樹脂からなる。
【００２４】
このような構成によれば、本発明では、上記構成の、冷却性能が高く、かつ、配置のフレキシビリティーの高い冷却装置を搭載することになるので、電子機器装置自体動作不良等を生じることもなく、小型薄型化を図ることができる。
【００２５】
本発明の一の形態によれば、前記冷却部は、前記中央演算処理部とほぼ同じ面積であることを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば容量が大型化した中央演算処理部から生じる熱を効率良く冷却することが可能となり、動作不良を効率良く防止することができる。
【００２７】
本発明の別の形態に係る電子機器装置は、フラッシュメモリとドライバとを有するカード型の記憶装置が着脱可能なスロットを有する電子機器装置であって、（ａ）作動液を流通させる流路を有する流路基板と、金属又は金属に相当する熱伝導率を有する材料からなり、少なくともウイックを設けたウイック基板と、エバポレータ孔を有し、前記流路基板の前記流路と前記ウイック基板の前記ウイックとが通じるように前記ウイック基板が前記エバポレータ孔に嵌め込まれ、前記流路基板と接合された対向基板とを有し、前記スロットに近接するように配置され、前記カード型の記憶装置からの熱により作動液を気化させることで前記カード型の記憶装置を冷却する冷却部と、（ｂ）前記冷却部と物理的に分離され、前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部と、（ｃ）前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管と、（ｄ）前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の管とを具備し、前記第１の管及び前記第２の管のうち少なくとも一方は、フッ素樹脂からなる。
【００２８】
このような構成によれば、上述した冷却装置を中央演算処理部のみならず、その他ワット数の大きな内蔵デバイスに対しても効率良く冷却でき、かつフレキシブルに配置できできるので、電子機器装置の性能を向上させることができる。
【００２９】
本発明の別の形態に係る電子機器装置は、少なくとも中央演算処理部を有する操作部と、前記中央演算処理部に近接して設けられ、作動液を流通させる流路を有する流路基板と、金属又は金属にほぼ相当する熱伝導率を有する材料からなり、少なくともウイックを設けたウイック基板と、前記ウイック基板が表面に組み込まれ、該表面が前記流路基板と接合する対向基板とを有し、対象物からの熱により作動液を気化させることで対象物を冷却する冷却部と、前記冷却部と物理的に分離され、前記冷却部で気化された作動液を液化する液化部が設けられた表示部と、前記操作部の一辺と前記表示部の一辺との間を折り畳み可能に連結する連結部と、前記連結部を介して前記液化部と前記冷却部との間で配設され、前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管と、前記連結部を介して前記液化部と前記冷却部との間で配設され、前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の管とを具備することを特徴とするものである。
【００３０】
このような構成によれば、折り畳み可能な形状の電子機器装置において、操作部で、中央演算処理部等の冷却対象物となる対象物の冷却を行い、表示部において該対象物から奪った熱を放熱するといった配置が可能となるため、電子機器の冷却効率を向上させ、該冷却装置の配置のフレキシビリティーも向上させることができる。
【００３１】
本発明の第３の観点に係る音響装置は、パワートランジスタを有する音響機器において、
（ａ）作動液を流通させる流路を有する流路基板と、金属又は金属に相当する熱伝導率を有する材料からなり、少なくともウイックを設けたウイック基板と、エバポレータ孔を有し、前記流路基板の前記流路と前記ウイック基板の前記ウイックとが通じるように前記ウイック基板が前記エバポレータ孔に嵌め込まれ、前記流路基板と接合された対向基板とを有し、前記パワートランジスタからの熱により作動液を気化させることで前記パワートランジスタを冷却する冷却部と、（ｂ）前記冷却部と物理的に分離され、前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部と、（ｃ）前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管と、（ｄ）前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の管とを具備し、前記第１の管及び前記第２の管のうち少なくとも一方は、フッ素樹脂からなる。
【００３２】
本発明ではパワートランジスタを、上述した冷却性能が高く、配置のフレキシビリティーの高い冷却装置を用いて冷却することが可能となるため、音響装置の性能が向上し、しかも小型化を図ることができる。更に、ファンによる騒音を防止することもできるため、装置の音質を向上することも可能となる。
【００３３】
本発明の第４の観点に係る冷却装置の製造方法は、対象物からの熱により作動液を気化させることで対象物を冷却する冷却部と、前記冷却部と物理的に分離され、前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部とを備える冷却装置の製造方法であって、金属又は金属に相当する熱伝導率を有する材料からなり、少なくともウイックを設けたウイック基板を、第１の対向基板に設けられたエバポレータ孔に組み込む工程と、液化された作動液を流通させフッ素樹脂からなる第１の管の両端部にそれぞれ設けられた接触部分に水素プラズマ処理を行う工程と、気化された作動液を流通させフッ素樹脂からなる第２の管の両端部にそれぞれ設けられた接触部分に水素プラズマ処理を行う工程と、前記第１の管の前記接触部分を、前記作動液を流通させる流路を有する第１の流路基板、及び、気相流路及び液相流路を設けた第２の流路基板にそれぞれ接続する工程と、前記第２の管の前記接触部分を、前記第１の対向基板及び第２の対向基板にそれぞれ接続する工程と、前記第１の流路基板の前記流路と前記ウイック基板の前記ウイックとが通じるように前記第１の流路基板と前記第１の対向基板とを接合して前記冷却部を形成するとともに、前記第２の流路基板と前記第２の対向基板とを接合して前記液化部を形成することで、前記冷却部と前記液化部との間に、前記第１及び第２の管を接続する工程とを具備する。
【００３４】
このような構成によれば、上述した冷却性能が高く、配置のフレキシビリティーが高い冷却装置を効率よく確実に製造することが可能となる。
【００３５】
本発明の一の形態によれば、前記冷却部を形成する工程において、前記ウイック表面に酸化第一銅の薄膜を形成する工程を更に具備することを特徴とする。これによりウイック表面の親水性を向上させることができるので作動液の流動性が向上するウイックを製造することができる。
【００３６】
本発明の一の形態によれば、前記第１及び第２の管は、フッ素樹脂からなることを特徴とする。これにより、フレキシビリティーのある管を用いて冷却部と液化部を接続することができるので、様々な装置に配置可能な冷却装置を製造することができる。
【００３７】
本発明の一の形態によれば、前記冷却部及び前記液化部と前記第１の管及び前記第２の管との接合部のうち少なくとも１つに融着性フッ素樹脂を被覆する工程を更に具備することを特徴とする。これにより、接合部における気密性が向上する。特に、管がフッ素樹脂の場合には、融着性フッ素樹脂と管を構成するフッ素樹脂とが重合反応するために、接合部において非常に高い気密性が得られる。
【００３８】
本発明の一の形態によれば、前記フッ素樹脂の表面を水素プラズマにより処理する工程を更に具備することを特徴とする。これにより、接着性及び気密性が向上する。特に、水素プラズマで処理することにより、アルカリ金属イオン等を使ったウエットエッチングに比し、安価で生産性に優れ、有毒性の高い廃棄物があまり排出されない、という利点がある。
【００３９】
本発明の一の形態によれば、前記第１の管及び前記第２の管の表面のうち少なくとも一方に金属の薄膜を形成する工程を更に具備することを特徴とする。これにより、管の気密性を高めることができる。特に、フッ素樹脂の管の金属箔膜形成表面に水素プラズマで処理することにより、管と金属薄膜と接着性を高めることができる。金属の薄膜としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｉｎ及びＰｂのうち少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００４０】
本発明の一の形態によれば、前記第１の管及び前記第２の管のうち少なくとも一方は、シリコンゴム、ポリウレタン及びポリプロピレンのうち少なくとも１つ含むことを特徴とする。これにより、接着性が向上し、また好ましい接着剤の選択も容易であり、接合が容易である。特に、シリコンは、親水性が高いので、液相用の管に適応するのに好ましい。従って、例えば液化部から冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管にシリコンを用い、冷却部から液化部に気化された作動液を流通させる第２の管として、撥水性の高いテフロンやポリウレタン及びポリプロピレンを用いることが好ましい形態である。
【００４１】
本発明の一の形態によれば、前記第１の管及び前記第２の管の内壁及び外壁のうち少なくとも一方にフッ素樹脂を被覆する工程を更に具備すること特徴とする。例えば、無電解メッキにより管の内壁や外壁にフッ素樹脂を被覆することが可能である。これにより、管の気密性を向上させることができる。
【００４２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
（冷却装置）
図１は本発明の一実施形態に係る冷却装置の全体構成図である。図２は該冷却装置を分解した図である。
【００４３】
図１に示すように、冷却装置１には、パーソナルコンピュータの中央演算処理部等の冷却対象物を冷却するエバポレータ２、エバポレータ２で冷却した際の熱を外部に放出するコンデンサ３とが設けられており、エバポレータ２及びコンデンサ３の間には、作動液（図示せず）を循環させる気相路４、液相路５が接続されている。
【００４４】
図３、図４、及び図５は、冷却装置１を構成するそれぞれの基板についての図である。図６は、これらの基板を貼り付けた際の断面を表した図である。図７は、基板を貼り付けた際の内部の様子を示した図である。
【００４５】
図２に示すように、エバポレータ２は作動液を流通させる流路基板２１、対向基板２２、作動液を気化させるウイック基板２４からなり、対向基板２２には、ウイック基板２４を組み込むためのエバポレータ孔２３が形成されている。
【００４６】
流路基板２１はフッ素樹脂等からなる矩形の基板であり、リザーバ２６、溝２７、結合部２８ａが形成されている。リザーバ２６は、ヒートパイプがドライアウトしないように液体を貯蔵しておく部分である。溝２７は、作動液を流通させる流路である。結合部２８ａは、気相路４及び液相路５を組み込むための部分である。
【００４７】
対向基板２２はフッ素樹脂等からなる矩形の基板であり、エバポレータ孔２３、及び結合部２８ｂが形成されている。エバポレータ孔２３は、ウイック基板２４を組み込むための孔である。結合部２８ｂは、上述した結合部２８ａと対向する位置に設けられ、気相路４及び液相路５を組み込む結合部２８（２８ａ及び２８ｂ）を形成するために設けられ、該結合部２８（２８ａ及び２８ｂ）はスウェジロック（図示せず）等の接続部材を介して気相路４若しくは液相路５を接続するようになっている。
【００４８】
ウイック基板２４は、熱伝導性の良い、例えばニッケル、銅等の金属からなり、ここでは銅が用いられている。また、その表面２４ａにはウイックとしての溝２５が形成されている（図５参照）。
【００４９】
この溝２５表面上には、酸素イオンが注入され、酸化第一銅の膜が形成されている。
【００５０】
このように銅に酸素イオンを注入して表面を酸化第一銅とすることにより、親水性を向上することができる。すなわち、酸素イオン注入前の銅表面の水の接触角はほぼ６０°程度であるが、イオン注入を行い、酸化第一銅膜を形成した場合、酸化第一銅の水との接触角はほぼ１５°程度まで引き下げることができる。このように溝２５表面の親水性が向上することによりウイックの毛細管力が向上し、それにより作動液の気化量も向上する。
【００５１】
また、酸化第一銅は作動液に対する耐腐食も高いので、従来は腐食を考慮して厚く形成していたところ、本実施形態では小型薄型のエバポレータを形成することが可能となる。
【００５２】
なお、この酸化第一銅とされた溝表面にＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）薄膜を形成し、耐腐食性を向上させるようにしても構わない。
【００５３】
コンデンサ３は、流路基板３１、対向基板３２から形成されている。結合部３５ａは、上述したエバポレータ２の結合部２８ａと同様に、気相路４及び液相路５を組み込むために設けられる。
【００５４】
流路基板３１はフッ素樹脂等からなる矩形の基板であり、エバポレータ２で気相化された作動液を流通させる気相流路３４ａ、作動液を液化する溝３３、液化した作動液をエバポレータ２へと流通させる液相流路３４ｂとが設けられている。また、液相路５及び気相路４とをコンデンサ３に接続するための結合部３５ａが設けられている。
【００５５】
対向基板３２はフッ素樹脂等からなる矩形の基板であり、流路基板３１と接合することにより、流路基板３１とコンデンサとして機能するようになっている。
【００５６】
気相路４及び液相路５は、フッ素樹脂からなる管状をなしている。液相路５は、コンデンサ３で液相になった作動液がエバポレータ２へ移動するための流路である。気相路４は、エバポレータ２で蒸発した気体がコンデンサ３に移動するための流路である。
【００５７】
エバポレータ２は流路基板２１、対向基板２２を接合し、ウイック基板２４が対向基板２２に設けられたエバポレータ孔２３に組み込まれるようになっている。また、コンデンサ３は、流路基板３１及び対向基板３２とが接合されている。このようにして形成されたエバポレータ２若しくはコンデンサ３のどちらかに、作動液として例えば水を封入した後、上記気相路４及び液相路５が結合部２８（２８ａ及び２８ｂ）及び３５（３５ａ及び２５ｂ）に組み込まれて冷却装置１を構成する。組み込み及び貼り付けには例えば接着剤としてポリイミド樹脂３６（図６参照）が使用されている。
【００５８】
このように、冷却装置１では、フレキシブルな液相路５及び気相路４を用いてエバポレータ２とコンデンサ３とを接続しているため、様々な配置の冷却対象物にフレキシブルに対応して配置可能となり、該冷却対象物を効率よく冷却することができる。
【００５９】
次に、図７を用いて、このように構成された冷却装置１による冷却動作について便宜上液相路５を起点に説明する。
【００６０】
液相路５から輸送された作動液は、エバポレータ２から吸収された熱によって、ウイック基板２４において蒸発して気体になる。この気体となった作動液は、気相路４を通ってコンデンサ３の気相流路３４ａに流入し、溝３３を流通する際に熱を放出して再び液体になる。この液体は液相流路３４ｂを介して、液相路５を通ってエバポレータ２に流入する。そしてエバポレータ２が吸収した熱により再び気体になってコンデンサ３に流入する。このような液体及び気体の循環により、エバポレータ２からコンデンサ３に熱を移動させて冷却を行う。
【００６１】
なお、上記の実施形態では、気相路及び液相路である管がフッ素樹脂からなるものであったが、シリコンゴム、ポリウレタン又はポリプロピレンを気相路や液相路の管の材料として用いることができる。
【００６２】
本発明者等のチューブリークテストによれば、シリコンゴム、ポリウレタン又はポリプロピレンを気相路や液相路の管の材料として用いても気密性に問題のないことが確認されている。
【００６３】
チューブリークテストを行うためのチューブテスト装置としては、例えば真空チャンバー内にフィードスルー経由で各テストチューブを接続し、空気及びヘリウムをチューブ内に充満させてそのリーク度を測定するものである。
【００６４】
この結果からポリウレタンやポリプロピレンはフッ素樹脂と同様に測定限界以下であった。なお、ポリウレタンのような高温で不安定な樹脂でも、低温（低熱輸送）動作の冷却装置の管に十分適用可能である。
【００６５】
また、シリコンチューブのリーク度も要求される熱輸送能力に伴う設計次第では、実用範囲内であることが分かった。
【００６６】
そして、管の材料として、シリコンやポリウレタン、ポリプロピレンを使用する場合、フッ素樹脂を使用した場合に比べて接着剤が存在し、接合が容易にできる。
【００６７】
（冷却装置の製造方法）
次に、本発明に係る冷却装置の製造方法について図８から図１４を用いて説明する。
【００６８】
図８は、冷却装置１の製造の工程を示したものである。
【００６９】
まず、例えばノート型パーソナルコンピュータに該冷却装置を搭載する場合、設けられるコンデンサ３の大きさ及びＣＰＵ等に対応して設けられるエバポレータ２の大きさ、また、エバポレータ２とコンデンサ３との距離を考慮して、気相路４及び液相路５を形成する（ステップ１）。これらは、例えば型などを利用して作成する。
【００７０】
次に、ヒートパイプとして機能するためのエバポレータ２及びコンデンサ３の流路基板２１、３１の溝及び対向基板２２、３２を形成する（ステップ２）。例えばフッ素樹脂からなる流路基板２１の表面には溝２７を形成し、同じくフッ素樹脂からなる流路基板３１の表面には溝３３、及び気相流路３４ａ、液相流路３４ｂを形成する。フッ素樹脂からなる対向基板２２の表面上にはエバポレータ孔２３を形成し、対向基板１９は所定の形状に形成する。このとき、エバポレータ２の大きさは、冷却対象物、例えばＣＰＵの面積とほぼ同じ面積を有する形状とすることが好ましい。そのような形状とすることで、熱容量の大きなデバイスを用いた場合でも、一つのエバポレータで効率良く冷却することができる。
【００７１】
流路基板２１、３１及び対向基板２２、３２は例えばＴＩＥＧＡ（Ｔｅｆｌｏｎ Ｉｎｃｌｕｄｅｄ Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｇａｌｖａｎｉｃｆｏｒｍｉｎｇ）法によって形成される。以下、図９に基づき、ＴＩＥＧＡ法について具体的に説明する。
【００７２】
図９（ａ）において、流路基板２１、３１及び対向基板２２、３２上に、マスクとして、パターンニングされたメタルマスク３７を配置する。
【００７３】
次に、図９（ｂ）において、シンクロトロン光を照射することによって、フッ素樹脂を加工し、流路基板２１、３１及び対向基板２２、３２上に形成された溝又は孔を形成する。ここで、シンクロトロン光とは、電子又は陽電子を光速近くまで加速し、磁場の中で進行方向を曲げることにより発生する電磁波をいう。
【００７４】
次に、図９（ｃ）において、メタルマスク３７を除去し、流路基板２１、３１及び対向基板２２、３２の溝又は孔の形成が完了する。
【００７５】
次に、図９（ｄ）において、熱圧着時に必要な接着層の形成を行う。流路基板２１、３１及び対向基板２２、３２上に形成された溝又は孔の部分にレジスト層３９を形成する。さらに、フッ素樹脂表面に、ＦＣＶＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ｖａｃｕｕｍ Ａｒｃ）法によって注入層を形成する。本実施例では注入層として銅層３８が用いられているが、シリコンを注入層として用いてもよい。
【００７６】
次に、図９（ｅ）において、レジスト層３９を剥離し、接着層が形成され、流路基板２１、３１及び対向基板２２、３２が完成する。
【００７７】
なお、流路基板２１、３１及び対向基板２２、３２はシンクロトロン光の照射により形成されているが、例えばエキシマレーザー等のレーザー光の照射による形成や金型成型による形成、又は反応性イオンエッチング法等により形成しても良い。さらに、銅層３８を形成する際には、エキシマレーザーなどによってフッ素樹脂の表面を改質させた後に、蒸着やスパッタリングなどの方法によって形成しても良い。この方法により、効率的に基板を形成することができる。
【００７８】
次に、ウイック基板２４を形成する（ステップ３）。溝を有するウイック基板２４は例えばＵＶ−ＬＩＧＡと呼ばれる方法によって形成される。以下、図１０に基づきＵＶ−ＬＩＧＡの工程について具体的に説明する。
【００７９】
まず、図１０（ａ）に示すように、プレート４３上例えば有機材料であるＳＵ−８からなるレジスト層４２を形成し、その上にパターンニングされたレジスト膜４１を形成する。これをパターン基板４０と呼ぶ。
【００８０】
次に、図１０（ｂ）に示すように、パターン基板４０の上方からＵＶを照射し、レジスト層４２のエッチングを行う。
【００８１】
次に、図１０（ｃ）に示すように、このパターン基板４０からレジスト膜４１を剥離し、この表面に銅の電鋳で銅層４４を形成する。
【００８２】
そして、図１０（ｄ）に示すように、パターン基板４０から銅層４４を剥離する。剥離した銅層４４が溝を有するウイック基板２４となる。
【００８３】
次に、このようにして得られたウイック基板２４の溝表面にプラズマベースイオンインプランテーション（Ｐｌａｓｅｍａ−ｂａｓｅｄ Ｉｏｎ Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ、ＰＢＩＩとも言う）技術を用いて銅表面に酸素イオンを注入し、酸化第一銅（Ｃｕ２Ｏ）膜を形成する。
【００８４】
図１１は、ウイック基板２４の溝２５へのＰＢＩＩ（プラズマベーストイオンインプランテーション）技術を用いた表面処理装置を示している。また、図１２は、図１１の処理におけるパルス電圧を示した図である。
【００８５】
図１１に示すように、ウイック基板２４は、真空装置１２４内の中心部に絶縁碍子１２０を介しパルス電源１２１に接続されている。真空装置１２４は、真空ポンプ１２３により排気され、更に、イオン源１２２により、目的に応じて酸素、メタン、窒素、チタン等がパルスに同期して供給されるようになっていて、ここでは酸素イオンが供給されるようになっている。
【００８６】
ＰＢＩＩ技術は、被処理物としての溝２５を真空装置１２４内に中心部に配置し、その周囲をプラズマで囲み、溝２５表面に負の高電圧パルス電圧を印加することにより、プラズマ中のイオンを溝２５表面に誘引衝突堆積させ、３次元の表面の機能を改質させようとする技術である。
【００８７】
熱伝導のよい無酸素銅からなる溝２５に、イオン源１２２より供給された酸素イオンを図１２のパルス条件でパルスプラズマ化させる。例えば、深さ２０μｍ、間隔１００μｍ、幅４０μｍの溝では、時間は約１分間、温度は３５度で、パルスイオン電流は０．７Ａの条件で、酸素イオンの注入を行い、溝２５表面にイオン注入を施した。これによって、溝２５表面は、無酸素銅から酸化第一銅に改質される。無酸素銅の表面の接触角は水玉により測定され未処理では６０°であったが酸素イオン注入により接触角が１５°に改質された、すなわち親水性が向上することが確認された。これによりウイックの毛細管力が向上し、よりポンプ力を大きくすることができた。
【００８８】
なお、ウイック基板２４の形成は、反応性イオンエッチング法によっても可能である。
【００８９】
次にこのように形成されたウイック基板２４を対向基板２２を貫通して開けられたエバポレータ孔２３に組み込み接着剤などを介して接合する（ステップ４）。
【００９０】
また、図１３に示すように、対向基板２２の結合部２８ｂ、対向基板３２の結合部３５ｂには、それぞれ気相路４、及び液相路５が組み込まれる（ステップ５）。
【００９１】
そして、図１４に示すように、エバポレータ２及びコンデンサ３、気相路４及び液相路５が組み込まれた対向基板２２，３２に、流路基板２１、３１を貼り合せる（ステップ６）。
【００９２】
ステップ４からステップ６までの工程は、それぞれの基板の間、また、基板と気相路４及び液相路５との間の隙間をなくすため、ポリイミド樹脂３６を接着層として、真空中（約２６６０Ｐａ）で、約３５０℃の熱を加えて接着固定される。
【００９３】
以上の方法により冷却装置１を製造することにより、精度良く、確実に製造することができる。
【００９４】
なお、本実施形態では基板をフッ素樹脂から形成したが、例えばポリイミドやジメチルシロキサン樹脂等のその他の樹脂や、ガラスを用いて形成しても良い。
【００９５】
（電子機器装置）
図１５は本発明に係る冷却装置が搭載されたノート型パーソナルコンピュータの概略斜視図である。
【００９６】
パソコン１５０は、フラッシュメモリ１５３とドライバ１５２とを有する記録媒体１５４を着脱するためのスロット１５１、及び中央演算処理部（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ、ＣＰＵ）１５６を有する操作部１５８と、画面を表示する表示面１５９ａと、電気信号処理などを行う回路が形成された回路面（図示せず）を有する表示部１５９とが、連結部１５７を介して接続され、ノート型パーソナルコンピュータを構成している。
【００９７】
ここで、本発明に係る冷却装置１は、該中央演算処理部１５６に近接して該中央演算処理部とほぼ同じ面積のエバポレータ２が位置するように配置されている。また、コンデンサ３は、表示部１５９の表示面裏に設けられており、エバポレータ２及びコンデンサ３の間には気相／液相の作動液を流通させる管４、５（気相路４、液相路５）が連結部１５７を介して接続するように設けられ、ヒートパイプを形成している。
【００９８】
このように、冷却装置１は、エバポレータ２とコンデンサ３との配置を内蔵するデバイスの配置に応じて種々対応することが可能となるため、効率良く冷却することができるとともに、電子機器装置の小型薄型化を図ることができる。
また、冷却装置１は、上記表示部１５９の画面スロットを介して装着された記録媒体１５４の例えばドライバ１５２の直下にエバポレータ２が位置するようにパソコン１５０内に配置するようにしても良い。
【００９９】
（音響装置）
図１６は、本発明に係る冷却装置が搭載されたオーディオセットの概略構成図である。
【０１００】
オーディオセット１６０には、音楽を記録した媒体を再生したり、音量・音質等を調整したりする本体部１６１及び本体部１６１と接続して音を出力する一対のスピーカ１６２が設けられている。本体部１６１には、音量・音質調整のためのアンプ１６３が設けられており、その内部にはパワートランジスタ１６４が設けられている。
【０１０１】
ここで、該パワートランジスタ１６４に近接するように冷却装置１のエバポレータ２が配置され、管４、５（気相路４、液相路５）を介して所定の位置に配置されたコンデンサ３と接続されている。この管４及び５はフレキシブルに折り曲げ可能なため、少ないスペースでもコンデンサ３を配置することができ、効率良くパワートランジスタ１６４から生じた熱を放出することができる。オーディオセット１６０の本体部１６１では、このようにしてエバポレータ２が効率良くパワートランジスタ１６４を冷却し、そのときに奪った熱をコンデンサ３から効率良く放出することができる。
（冷却装置の他の実施形態）
図１７は本発明の他の実施形態に係る冷却装置の分解斜視図である。図１８は該冷却装置の一部断面図である。図１〜図７に示した冷却装置と同一の構成要素には同一の符号を付してある。
【０１０２】
これらの図に示すように、エバポレータ２０２における対向基板２２２には、気相流路２３４ａ−１の溝２２７に通じる孔２５１ａ及び液相流路２３４ｂ−１の溝２２７に通じる孔２５２ａが設けられている。同様に、コンデンサ２０３における対向基板２３２には、気相流路２３４ａ−２の溝２３３に通じる孔２５３ａ及び液相流路２３４ｂ−２の溝２３３に通じる孔２５４ａが設けられている。
【０１０３】
各孔２５１ａ〜２５４ａには、例えばＳｕｓやＣｕからなる管継ぎ手２５１ｂ〜２５４ｂ（２５１ｂ、２５２ｂ、２５３ｂ、２５４ｂ）がエポキシ樹脂層２５５（図１８参照）を介して接続されている。図１７に示すように、管継ぎ手２５１ｂの接続部（管の先端が出た部分）２５１ｃと管継ぎ手２５３ｂの接続部２５３ｃとの間は、フッ素樹脂からなる管２０４により接続されている。また、管継ぎ手２５２ｂの接続部２５２ｃと管継ぎ手２５４ｂの接続部２５４ｃとの間は、フッ素樹脂からなる管２０５により接続されている。
【０１０４】
接続部２５１ｃと管２０４との接合部分は融着性フッ素樹脂からなるチューブ２５１ｄが被覆されている。同様に、接続部２５３ｃと管２０４との接合部分は融着性フッ素樹脂からなるチューブ２５３ｄが被覆され、接続部２５２ｃと管２０５との接合部分は融着性フッ素樹脂からなるチューブ２５２ｄが被覆され、接続部２５４ｃと管２０５との接合部分は融着性フッ素樹脂からなるチューブ２５４ｄが被覆されている。これらのチューブ２５１ｄ〜２５４ｄは例えば管２０４、２０５よりも径の大きいチューブを接合部分にセットし、加熱により接合部分にオーバーコートすることができる。
【０１０５】
このように本実施形態では、接合部２５１ｃ〜２５４ｃと管２０４、２０５との接合部分を融着性フッ素樹脂からなるチューブ２５１ｄ〜２５４ｄで被覆することにより、接合部２５１ｃ〜２５４ｃと管２０４、２０５との接合部分における気密性を向上させることができる。特に、フッ素樹脂からなる管２０４、２０５に対して融着性フッ素樹脂からなるチューブ２５１ｄ〜２５４ｄを用いることで、これらが重合反応し、非常に高い気密性が得られる。
（管の他の例）
図１９は更に別の実施形態に係る冷却装置の構成を示す一部分解斜視図である。
【０１０６】
この実施形態における冷却装置は、図１〜図７に示した冷却装置とほぼ同様の構造であるが、フッ素樹脂からなる管４、５（気相路４、液相路５）における少なくとも結合部２８ａ、２８ｂ、３５ａ、３５ｂとの接触部分３０１が水素プラズマで処理されている点が異なる。
【０１０７】
水素プラズマでの処理とは、水素プラズマ、イオンまたは水素を含むガスソースによるプラズマや反応性イオンエッチング処理をいう。処理の一例として、例えば一般的なプラズマ発生装置に原料ガスとして例えば水素を用い、フッ素樹脂からなる管４、５表面にプラズマを照射することによりダイレクトにフッ素原子を励起、脱離させ、水素原子で終端するものである。
【０１０８】
かかるプラズマは、例えば以下のような条件で処理することが好ましい。
高周波の周波数：１５．５６ＭＨｚ
高周波の出力：１００Ｗ
ガスの種類、流量： Ｈ２ １〜２０ｃｃｍ、好適には３〜１０ｃｃｍ
真空度：１×１０−４〜１×１０−１Ｐａ、好適には１×１０−３〜１×１０−２Ｐａ
なお、Ｈ２以外のガスとしてはＣＨＦ３、ＳｉＨ４等が考えられる。
例えばテフロン（登録商標）等のフッ素樹脂に接着性がないのは、図２０に示すように、分子構造において炭素原子を終端しているフッ素原子に起因する。本実施形態では、フッ素原子を水素原子で置換することにより、接着性を向上させることができる。これにより、図１７に示したように接合に管継ぎ手のような機械的手法を用いなくとも、フッ素樹脂からなる管４、５を結合部２８ａ、２８ｂ、３５ａ、３５ｂに接合可能となる。
【０１０９】
本発明に係る水素プラズマでの処理は、フッ素樹脂をウエットエッチ等によりアルカリ金属イオン（主にＮａ）と反応させ、水素原子に置換する技術と比較すると、安価で生産性に優れ、かつ有毒性のある廃棄物が少ない利点を有する。なお、水素プラズマでの処理は、上記のような管ばかりでなく、フッ素樹脂からなる製品全般に適用できる。
【０１１０】
図２１に示すように、フッ素樹脂からなる管本体３１１表面に上述した水素プラズマで処理してプラズマ処理面３１２を形成し、その表面にＣｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｐｂ等からなる金属の薄膜３１３を形成してもよい。このような金属の薄膜３１３は、例えば真空蒸着、スパッタ、無電解メッキ、電界メッキ等の手法により形成することが可能である。金属の薄膜３１３の厚さは０．０１μｍ〜５００μｍ程度で、1〜２００μｍがより好ましい。１μｍよりも薄いとバリア性が弱くなり、例えば蒸着や無電解メッキで２００μｍ以上膜形成することは高コストになるおそれがあり、また膜形成に特殊な技術を要するおそれもあるからである。そして、このように金属の薄膜３１３を形成することで、管の気密性を高めることが可能である。
【０１１１】
なお、管が上記したようにシリコンやポリウレタン、ポリプロピレンからなる場合であっても同様に金属の薄膜を形成することにより気密性を向上させることが可能となる。この場合、フッ素樹脂と同様に水素プラズマでの処理を施すことによりより接着性の良い金属の薄膜を形成することが可能となる。
【０１１２】
また、本発明に係る管の内側又は外側に無電界メッキによりフッ素樹脂コートを行うことで、気密性は向上させることができる。フッ素樹脂コートの厚さは、０．０１μｍ〜５００μｍ程度で、1〜２００μｍがより好ましい。１μｍよりも薄いとバリア性が弱くなり、例えば蒸着や無電解メッキで２００μｍ以上膜形成することは高コストになるおそれがあり、また膜形成に特殊な技術を要するおそれもあるからである。
【０１１３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、フレキシブルに配置可能かつ小型薄型化が可能で、冷却性能が高い冷却装置、電子機器装置、音響装置及び冷却装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る冷却装置の全体構成を示す模式図である。
【図２】 本発明に係る冷却装置の構成を示す分解斜視図である。
【図３】 本発明に係る冷却装置の流路基板を示す平面図である。
【図４】 本発明に係る冷却装置の対向基板を示す平面図である。
【図５】 本発明に係る冷却装置のウイック基板の構成を示す斜視図である。
【図６】 本発明に係る冷却装置の断面図である。
【図７】 本発明に係る冷却装置における作動液の流れを示す図である。
【図８】 本発明に係る冷却装置の製造方法を説明する工程図である。
【図９】 本発明に係る冷却装置の基板形成の工程を示す図である。
【図１０】 本発明に係る冷却装置の基板形成の工程を示す図である。
【図１１】 本発明に係るウイック基板の膜処理工程を示す模式図である。
【図１２】 本発明に係るウイック基板の膜処理条件を示すグラフである。
【図１３】 本発明に係る冷却装置に用いる基板に気相路及び液相路を組み込む工程を示した概略図である。
【図１４】 本発明に係る冷却装置に用いる流路基板と対向基板とを接合する工程を示した概略図である。
【図１５】 本発明に係る冷却装置を搭載した電子機器装置の概略斜視図である。
【図１６】 本発明に係る冷却装置を搭載した音響装置の概略構成図である。
【図１７】 本発明の他の実施形態に係る冷却装置の分解斜視図である。
【図１８】 図１７に示した該冷却装置の一部断面図である。
【図１９】 本発明の更に別の実施形態に係る冷却装置の構成を示す一部分解斜視図である。
【図２０】 フッ素樹脂におけるフッ素原子を水素原子で置換する原理を説明するための図である。
【図２１】 本発明のまた別の実施形態に係る冷却装置の管の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１…冷却装置
２…エバポレータ
３…コンデンサ
４…気相路
５…液相路
２１、３１…流路基板
２２、３２…対向基板
２４…ウイック基板
２５…溝
３３…溝
３４ａ、ｂ…作動液流路
１５０…ノート型パーソナルコンピュータ
１５８…操作部
１５９…表示部
１６０…オーディオセット
１６１…本体部
１６２…スピーカ
１６３…アンプ
１６４・…パワートランジスタ
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばパーソナルコンピュータの中央演算処理部や音響装置のアンプに用いられるパワートランジスタ等に用いられる冷却装置、電子機器装置、音響装置及び冷却装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、パーソナルコンピュータでは、中央演算処理部（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ、以下ＣＰＵとも言う）の高性能化が著しい。このようなＣＰＵの高性能化に伴い、発生する熱量も増加し、動作不良を起こす、という問題が発生している。
【０００３】
従来から、ファンを用いた空冷によりＣＰＵを冷却することが行われているが、それでも冷却が十分に行われないという問題があり、しかもファンの性能を上げようとすると騒音の問題も大きくなる。
【０００４】
そこで、冷媒を循環させてＣＰＵを冷却することも考えられるが、十分な冷却性能を得ることはできない。また、このような冷媒循環系では、冷却のための装置構成が大型化してしまい、これらの機器の小型薄型化を阻害することになる。
【０００５】
このような問題はパーソナルコンピュータばかりでなく、例えばハイパワーのパワートランジスタを搭載するオーディオ機器においても同様に発生している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明者らは、これら機器の冷却手段としてヒートパイプを用いることを提唱している。
【０００７】
ヒートパイプとは、管の内壁に毛細管構造を持たせた金属製パイプであり、内部は真空で、少量の水もしくは代替フロンなどが封入されている。ヒートパイプの一端（気化部）を熱源に接触させて加熱すると、内部の液体が蒸発して気化し、このとき潜熱（気化熱）として、熱が取り込まれる。そして、低温部（液化部）へ高速に（ほぼ音速で）移動し、そこで、冷やされてまた液体に戻り、熱を放出する（凝縮潜熱による熱放出）。液体は毛細管構造を通って（もしくは重力によって）元の場所へ戻るので、連続的に効率よく熱を移動させることができる。
【０００８】
しかしながら、現在用いられているヒートパイプの多くは小型のものであり、例えば上述のＣＰＵやオーディオ機器等、例えば５０〜１００Ｗ以上のワット数の大きなデバイスを一つのヒートパイプで冷却することが困難であるという問題がある。
【０００９】
また、通常のヒートパイプの形状では液相／気相になった作動液の輸送流路と気化部、液化部が一体となっている場合が多く、冷却対象物やその他周辺デバイスの配置によっては効率良く冷却・放熱ができないという問題もある。
【００１０】
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、冷却性能が高く、しかも配置のフレキシビリティーが高い冷却装置、電子機器装置、音響装置及び冷却装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の主たる観点に係る冷却装置は、（ａ）作動液を流通させる流路を有する流路基板と、金属又は金属に相当する熱伝導率を有する材料からなり、少なくともウイックを設けたウイック基板と、エバポレータ孔を有し、前記流路基板の前記流路と前記ウイック基板の前記ウイックとが通じるように前記ウイック基板が前記エバポレータ孔に嵌め込まれ、前記流路基板と接合された対向基板とを有し、対象物からの熱により作動液を気化させることで対象物を冷却する冷却部と、（ｂ）前記冷却部と物理的に分離され、前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部と、（ｃ）前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管と、（ｄ）前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の管とを具備し、前記第１の管及び前記第２の管のうち少なくとも一方は、フッ素樹脂からなる。
【００１２】
このような構成によれば、冷却部で対象物の熱を作動液により冷却し、その熱で気相となった作動液が管を介して物理的に分離した液化部へ流通して放熱することができるので、冷却性能も高くなる。しかも冷却部と液化部とが物理的に分離しているので、配置のフレキシビリティーが高くなる。
【００１３】
また、このような構成によれば、効率良く作動液を気化することができるので、対象物を効率良く冷却することができる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記ウイック基板が銅からなり、前記ウイック表面は、酸化第一銅の薄膜が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
このような構成によれば、ウイック表面が酸化第一銅からなるので、表面の親水性が向上し、毛細管力が向上する。従って作動液の気化量が向上し、冷却効率も向上する。また、耐腐食性も向上し、金属材料の腐食を防止できるので、金属材料の腐食分の厚みを考慮して形成していた従来と比較し、本発明では、腐食分の厚みを削減して形成できる。従って、小型薄型化が可能となる。また、酸化第一銅となった表面は、抗菌作用を有するため、作動液が常に清浄に保たれ、作動液の変質を防止することができる。
【００１８】
本発明の一の形態によれば、前記冷却部及び前記液化部と前記第１の管及び前記第２の管との接合部は、融着性フッ素樹脂が被覆されていることを特徴とする。これにより、接合部における気密性が向上する。特に、管がフッ素樹脂の場合には、融着性フッ素樹脂と管を構成するフッ素樹脂とが重合反応するために、接合部において非常に高い気密性が得られる。
【００１９】
本発明の一の形態によれば、前記第１の管及び前記第２の管における前記冷却部及び前記液化部との間の少なくとも１つの接合表面は、プラズマまたは反応性イオンエッチングで処理されていることを特徴とする。これにより、接着性及び気密性が向上する。前記第１の管及び前記第２の管における前記冷却部及び前記液化部との間の少なくとも１つの接合表面は、水素プラズマで処理されていることを特徴とする。特に、水素プラズマで処理することにより、アルカリ金属イオン等を使ったウエットエッチングに比し、安価で生産性に優れ、有毒性の高い廃棄物があまり排出されない、という利点がある。
【００２０】
本発明の一の形態によれば、前記第１の管及び前記第２の管の表面は、金属の薄膜が形成されていることを特徴とする。これにより、管の気密性を高めることができる。特に、フッ素樹脂の管の金属箔膜形成表面に水素プラズマで処理することにより、管と金属薄膜と接着性を高めることができる。金属の薄膜としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｉｎ及びＰｂのうち少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００２１】
金属の薄膜を形成する方法としては、真空蒸着、スパッタリング、無電界メッキ、電界メッキ等がある。
【００２２】
本発明の一の形態によれば、前記第１の管及び前記第２の管は、シリコンゴム、ポリウレタン及びポリプロピレンのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする。これにより、接着性が向上し、また好ましい接着剤の選択も容易であり、接合が容易である。特に、シリコンは、親水性が高いので、液相用の管に適応するのに好ましい。従って、例えば液化部から冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管にシリコンを用い、冷却部から液化部に気化された作動液を流通させる第２の管として、撥水性の高いテフロンやポリウレタン及びポリプロピレンを用いることが好ましい形態である。
本発明の一の形態によれば、前記第１の管及び前記第２の管の内壁及び外壁のうち少なくとも一方は、フッ素樹脂が被覆されていることを特徴とする。例えば、無電解メッキにより管の内壁や外壁にフッ素樹脂を被覆することが可能である。これにより、管の気密性を向上させることができる。
【００２３】
本発明の第２の観点に係る電子機器装置は、（ａ）中央演算処理部と、（ｂ）作動液を流通させる流路を有する流路基板と、金属又は金属に相当する熱伝導率を有する材料からなり、少なくともウイックを設けたウイック基板と、エバポレータ孔を有し、前記流路基板の前記流路と前記ウイック基板の前記ウイックとが通じるように前記ウイック基板が前記エバポレータ孔に嵌め込まれ、前記流路基板と接合された対向基板とを有し、前記中央演算処理部に近接して配置され、前記中央演算処理部からの熱により作動液を気化させることで前記中央演算処理部を冷却する冷却部と、（ｃ）前記冷却部と物理的に分離され、前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部と、（ｄ）前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管と、（ｅ）前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の管とを具備し、前記第１の管及び前記第２の管のうち少なくとも一方は、フッ素樹脂からなる。
【００２４】
このような構成によれば、本発明では、上記構成の、冷却性能が高く、かつ、配置のフレキシビリティーの高い冷却装置を搭載することになるので、電子機器装置自体動作不良等を生じることもなく、小型薄型化を図ることができる。
【００２５】
本発明の一の形態によれば、前記冷却部は、前記中央演算処理部とほぼ同じ面積であることを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば容量が大型化した中央演算処理部から生じる熱を効率良く冷却することが可能となり、動作不良を効率良く防止することができる。
【００２７】
本発明の別の形態に係る電子機器装置は、フラッシュメモリとドライバとを有するカード型の記憶装置が着脱可能なスロットを有する電子機器装置であって、（ａ）作動液を流通させる流路を有する流路基板と、金属又は金属に相当する熱伝導率を有する材料からなり、少なくともウイックを設けたウイック基板と、エバポレータ孔を有し、前記流路基板の前記流路と前記ウイック基板の前記ウイックとが通じるように前記ウイック基板が前記エバポレータ孔に嵌め込まれ、前記流路基板と接合された対向基板とを有し、前記スロットに近接するように配置され、前記カード型の記憶装置からの熱により作動液を気化させることで前記カード型の記憶装置を冷却する冷却部と、（ｂ）前記冷却部と物理的に分離され、前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部と、（ｃ）前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管と、（ｄ）前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の管とを具備し、前記第１の管及び前記第２の管のうち少なくとも一方は、フッ素樹脂からなる。
【００２８】
このような構成によれば、上述した冷却装置を中央演算処理部のみならず、その他ワット数の大きな内蔵デバイスに対しても効率良く冷却でき、かつフレキシブルに配置できできるので、電子機器装置の性能を向上させることができる。
【００２９】
本発明の別の形態に係る電子機器装置は、少なくとも中央演算処理部を有する操作部と、前記中央演算処理部に近接して設けられ、作動液を流通させる流路を有する流路基板と、金属又は金属にほぼ相当する熱伝導率を有する材料からなり、少なくともウイックを設けたウイック基板と、前記ウイック基板が表面に組み込まれ、該表面が前記流路基板と接合する対向基板とを有し、対象物からの熱により作動液を気化させることで対象物を冷却する冷却部と、前記冷却部と物理的に分離され、前記冷却部で気化された作動液を液化する液化部が設けられた表示部と、前記操作部の一辺と前記表示部の一辺との間を折り畳み可能に連結する連結部と、前記連結部を介して前記液化部と前記冷却部との間で配設され、前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管と、前記連結部を介して前記液化部と前記冷却部との間で配設され、前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の管とを具備することを特徴とするものである。
【００３０】
このような構成によれば、折り畳み可能な形状の電子機器装置において、操作部で、中央演算処理部等の冷却対象物となる対象物の冷却を行い、表示部において該対象物から奪った熱を放熱するといった配置が可能となるため、電子機器の冷却効率を向上させ、該冷却装置の配置のフレキシビリティーも向上させることができる。
【００３１】
本発明の第３の観点に係る音響装置は、パワートランジスタを有する音響機器において、
（ａ）作動液を流通させる流路を有する流路基板と、金属又は金属に相当する熱伝導率を有する材料からなり、少なくともウイックを設けたウイック基板と、エバポレータ孔を有し、前記流路基板の前記流路と前記ウイック基板の前記ウイックとが通じるように前記ウイック基板が前記エバポレータ孔に嵌め込まれ、前記流路基板と接合された対向基板とを有し、前記パワートランジスタからの熱により作動液を気化させることで前記パワートランジスタを冷却する冷却部と、（ｂ）前記冷却部と物理的に分離され、前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部と、（ｃ）前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管と、（ｄ）前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の管とを具備し、前記第１の管及び前記第２の管のうち少なくとも一方は、フッ素樹脂からなる。
【００３２】
本発明ではパワートランジスタを、上述した冷却性能が高く、配置のフレキシビリティーの高い冷却装置を用いて冷却することが可能となるため、音響装置の性能が向上し、しかも小型化を図ることができる。更に、ファンによる騒音を防止することもできるため、装置の音質を向上することも可能となる。
【００３３】
本発明の第４の観点に係る冷却装置の製造方法は、対象物からの熱により作動液を気化させることで対象物を冷却する冷却部と、前記冷却部と物理的に分離され、前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部とを備える冷却装置の製造方法であって、金属又は金属に相当する熱伝導率を有する材料からなり、少なくともウイックを設けたウイック基板を、第１の対向基板に設けられたエバポレータ孔に組み込む工程と、液化された作動液を流通させフッ素樹脂からなる第１の管の両端部にそれぞれ設けられた接触部分に水素プラズマ処理を行う工程と、気化された作動液を流通させフッ素樹脂からなる第２の管の両端部にそれぞれ設けられた接触部分に水素プラズマ処理を行う工程と、前記第１の管の前記接触部分を、前記作動液を流通させる流路を有する第１の流路基板、及び、気相流路及び液相流路を設けた第２の流路基板にそれぞれ接続する工程と、前記第２の管の前記接触部分を、前記第１の対向基板及び第２の対向基板にそれぞれ接続する工程と、前記第１の流路基板の前記流路と前記ウイック基板の前記ウイックとが通じるように前記第１の流路基板と前記第１の対向基板とを接合して前記冷却部を形成するとともに、前記第２の流路基板と前記第２の対向基板とを接合して前記液化部を形成することで、前記冷却部と前記液化部との間に、前記第１及び第２の管を接続する工程とを具備する。
【００３４】
このような構成によれば、上述した冷却性能が高く、配置のフレキシビリティーが高い冷却装置を効率よく確実に製造することが可能となる。
【００３５】
本発明の一の形態によれば、前記冷却部を形成する工程において、前記ウイック表面に酸化第一銅の薄膜を形成する工程を更に具備することを特徴とする。これによりウイック表面の親水性を向上させることができるので作動液の流動性が向上するウイックを製造することができる。
【００３６】
本発明の一の形態によれば、前記第１及び第２の管は、フッ素樹脂からなることを特徴とする。これにより、フレキシビリティーのある管を用いて冷却部と液化部を接続することができるので、様々な装置に配置可能な冷却装置を製造することができる。
【００３７】
本発明の一の形態によれば、前記冷却部及び前記液化部と前記第１の管及び前記第２の管との接合部のうち少なくとも１つに融着性フッ素樹脂を被覆する工程を更に具備することを特徴とする。これにより、接合部における気密性が向上する。特に、管がフッ素樹脂の場合には、融着性フッ素樹脂と管を構成するフッ素樹脂とが重合反応するために、接合部において非常に高い気密性が得られる。
【００３８】
本発明の一の形態によれば、前記フッ素樹脂の表面を水素プラズマにより処理する工程を更に具備することを特徴とする。これにより、接着性及び気密性が向上する。特に、水素プラズマで処理することにより、アルカリ金属イオン等を使ったウエットエッチングに比し、安価で生産性に優れ、有毒性の高い廃棄物があまり排出されない、という利点がある。
【００３９】
本発明の一の形態によれば、前記第１の管及び前記第２の管の表面のうち少なくとも一方に金属の薄膜を形成する工程を更に具備することを特徴とする。これにより、管の気密性を高めることができる。特に、フッ素樹脂の管の金属箔膜形成表面に水素プラズマで処理することにより、管と金属薄膜と接着性を高めることができる。金属の薄膜としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｉｎ及びＰｂのうち少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００４０】
本発明の一の形態によれば、前記第１の管及び前記第２の管のうち少なくとも一方は、シリコンゴム、ポリウレタン及びポリプロピレンのうち少なくとも１つ含むことを特徴とする。これにより、接着性が向上し、また好ましい接着剤の選択も容易であり、接合が容易である。特に、シリコンは、親水性が高いので、液相用の管に適応するのに好ましい。従って、例えば液化部から冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管にシリコンを用い、冷却部から液化部に気化された作動液を流通させる第２の管として、撥水性の高いテフロンやポリウレタン及びポリプロピレンを用いることが好ましい形態である。
【００４１】
本発明の一の形態によれば、前記第１の管及び前記第２の管の内壁及び外壁のうち少なくとも一方にフッ素樹脂を被覆する工程を更に具備すること特徴とする。例えば、無電解メッキにより管の内壁や外壁にフッ素樹脂を被覆することが可能である。これにより、管の気密性を向上させることができる。
【００４２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
（冷却装置）
図１は本発明の一実施形態に係る冷却装置の全体構成図である。図２は該冷却装置を分解した図である。
【００４３】
図１に示すように、冷却装置１には、パーソナルコンピュータの中央演算処理部等の冷却対象物を冷却するエバポレータ２、エバポレータ２で冷却した際の熱を外部に放出するコンデンサ３とが設けられており、エバポレータ２及びコンデンサ３の間には、作動液（図示せず）を循環させる気相路４、液相路５が接続されている。
【００４４】
図３、図４、及び図５は、冷却装置１を構成するそれぞれの基板についての図である。図６は、これらの基板を貼り付けた際の断面を表した図である。図７は、基板を貼り付けた際の内部の様子を示した図である。
【００４５】
図２に示すように、エバポレータ２は作動液を流通させる流路基板２１、対向基板２２、作動液を気化させるウイック基板２４からなり、対向基板２２には、ウイック基板２４を組み込むためのエバポレータ孔２３が形成されている。
【００４６】
流路基板２１はフッ素樹脂等からなる矩形の基板であり、リザーバ２６、溝２７、結合部２８ａが形成されている。リザーバ２６は、ヒートパイプがドライアウトしないように液体を貯蔵しておく部分である。溝２７は、作動液を流通させる流路である。結合部２８ａは、気相路４及び液相路５を組み込むための部分である。
【００４７】
対向基板２２はフッ素樹脂等からなる矩形の基板であり、エバポレータ孔２３、及び結合部２８ｂが形成されている。エバポレータ孔２３は、ウイック基板２４を組み込むための孔である。結合部２８ｂは、上述した結合部２８ａと対向する位置に設けられ、気相路４及び液相路５を組み込む結合部２８（２８ａ及び２８ｂ）を形成するために設けられ、該結合部２８（２８ａ及び２８ｂ）はスウェジロック（図示せず）等の接続部材を介して気相路４若しくは液相路５を接続するようになっている。
【００４８】
ウイック基板２４は、熱伝導性の良い、例えばニッケル、銅等の金属からなり、ここでは銅が用いられている。また、その表面２４ａにはウイックとしての溝２５が形成されている（図５参照）。
【００４９】
この溝２５表面上には、酸素イオンが注入され、酸化第一銅の膜が形成されている。
【００５０】
このように銅に酸素イオンを注入して表面を酸化第一銅とすることにより、親水性を向上することができる。すなわち、酸素イオン注入前の銅表面の水の接触角はほぼ６０°程度であるが、イオン注入を行い、酸化第一銅膜を形成した場合、酸化第一銅の水との接触角はほぼ１５°程度まで引き下げることができる。このように溝２５表面の親水性が向上することによりウイックの毛細管力が向上し、それにより作動液の気化量も向上する。
【００５１】
また、酸化第一銅は作動液に対する耐腐食も高いので、従来は腐食を考慮して厚く形成していたところ、本実施形態では小型薄型のエバポレータを形成することが可能となる。
【００５２】
なお、この酸化第一銅とされた溝表面にＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）薄膜を形成し、耐腐食性を向上させるようにしても構わない。
【００５３】
コンデンサ３は、流路基板３１、対向基板３２から形成されている。結合部３５ａは、上述したエバポレータ２の結合部２８ａと同様に、気相路４及び液相路５を組み込むために設けられる。
【００５４】
流路基板３１はフッ素樹脂等からなる矩形の基板であり、エバポレータ２で気相化された作動液を流通させる気相流路３４ａ、作動液を液化する溝３３、液化した作動液をエバポレータ２へと流通させる液相流路３４ｂとが設けられている。また、液相路５及び気相路４とをコンデンサ３に接続するための結合部３５ａが設けられている。
【００５５】
対向基板３２はフッ素樹脂等からなる矩形の基板であり、流路基板３１と接合することにより、流路基板３１とコンデンサとして機能するようになっている。
【００５６】
気相路４及び液相路５は、フッ素樹脂からなる管状をなしている。液相路５は、コンデンサ３で液相になった作動液がエバポレータ２へ移動するための流路である。気相路４は、エバポレータ２で蒸発した気体がコンデンサ３に移動するための流路である。
【００５７】
エバポレータ２は流路基板２１、対向基板２２を接合し、ウイック基板２４が対向基板２２に設けられたエバポレータ孔２３に組み込まれるようになっている。また、コンデンサ３は、流路基板３１及び対向基板３２とが接合されている。このようにして形成されたエバポレータ２若しくはコンデンサ３のどちらかに、作動液として例えば水を封入した後、上記気相路４及び液相路５が結合部２８（２８ａ及び２８ｂ）及び３５（３５ａ及び２５ｂ）に組み込まれて冷却装置１を構成する。組み込み及び貼り付けには例えば接着剤としてポリイミド樹脂３６（図６参照）が使用されている。
【００５８】
このように、冷却装置１では、フレキシブルな液相路５及び気相路４を用いてエバポレータ２とコンデンサ３とを接続しているため、様々な配置の冷却対象物にフレキシブルに対応して配置可能となり、該冷却対象物を効率よく冷却することができる。
【００５９】
次に、図７を用いて、このように構成された冷却装置１による冷却動作について便宜上液相路５を起点に説明する。
【００６０】
液相路５から輸送された作動液は、エバポレータ２から吸収された熱によって、ウイック基板２４において蒸発して気体になる。この気体となった作動液は、気相路４を通ってコンデンサ３の気相流路３４ａに流入し、溝３３を流通する際に熱を放出して再び液体になる。この液体は液相流路３４ｂを介して、液相路５を通ってエバポレータ２に流入する。そしてエバポレータ２が吸収した熱により再び気体になってコンデンサ３に流入する。このような液体及び気体の循環により、エバポレータ２からコンデンサ３に熱を移動させて冷却を行う。
【００６１】
なお、上記の実施形態では、気相路及び液相路である管がフッ素樹脂からなるものであったが、シリコンゴム、ポリウレタン又はポリプロピレンを気相路や液相路の管の材料として用いることができる。
【００６２】
本発明者等のチューブリークテストによれば、シリコンゴム、ポリウレタン又はポリプロピレンを気相路や液相路の管の材料として用いても気密性に問題のないことが確認されている。
【００６３】
チューブリークテストを行うためのチューブテスト装置としては、例えば真空チャンバー内にフィードスルー経由で各テストチューブを接続し、空気及びヘリウムをチューブ内に充満させてそのリーク度を測定するものである。
【００６４】
この結果からポリウレタンやポリプロピレンはフッ素樹脂と同様に測定限界以下であった。なお、ポリウレタンのような高温で不安定な樹脂でも、低温（低熱輸送）動作の冷却装置の管に十分適用可能である。
【００６５】
また、シリコンチューブのリーク度も要求される熱輸送能力に伴う設計次第では、実用範囲内であることが分かった。
【００６６】
そして、管の材料として、シリコンやポリウレタン、ポリプロピレンを使用する場合、フッ素樹脂を使用した場合に比べて接着剤が存在し、接合が容易にできる。
【００６７】
（冷却装置の製造方法）
次に、本発明に係る冷却装置の製造方法について図８から図１４を用いて説明する。
【００６８】
図８は、冷却装置１の製造の工程を示したものである。
【００６９】
まず、例えばノート型パーソナルコンピュータに該冷却装置を搭載する場合、設けられるコンデンサ３の大きさ及びＣＰＵ等に対応して設けられるエバポレータ２の大きさ、また、エバポレータ２とコンデンサ３との距離を考慮して、気相路４及び液相路５を形成する（ステップ１）。これらは、例えば型などを利用して作成する。
【００７０】
次に、ヒートパイプとして機能するためのエバポレータ２及びコンデンサ３の流路基板２１、３１の溝及び対向基板２２、３２を形成する（ステップ２）。例えばフッ素樹脂からなる流路基板２１の表面には溝２７を形成し、同じくフッ素樹脂からなる流路基板３１の表面には溝３３、及び気相流路３４ａ、液相流路３４ｂを形成する。フッ素樹脂からなる対向基板２２の表面上にはエバポレータ孔２３を形成し、対向基板１９は所定の形状に形成する。このとき、エバポレータ２の大きさは、冷却対象物、例えばＣＰＵの面積とほぼ同じ面積を有する形状とすることが好ましい。そのような形状とすることで、熱容量の大きなデバイスを用いた場合でも、一つのエバポレータで効率良く冷却することができる。
【００７１】
流路基板２１、３１及び対向基板２２、３２は例えばＴＩＥＧＡ（Ｔｅｆｌｏｎ Ｉｎｃｌｕｄｅｄ Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｇａｌｖａｎｉｃｆｏｒｍｉｎｇ）法によって形成される。以下、図９に基づき、ＴＩＥＧＡ法について具体的に説明する。
【００７２】
図９（ａ）において、流路基板２１、３１及び対向基板２２、３２上に、マスクとして、パターンニングされたメタルマスク３７を配置する。
【００７３】
次に、図９（ｂ）において、シンクロトロン光を照射することによって、フッ素樹脂を加工し、流路基板２１、３１及び対向基板２２、３２上に形成された溝又は孔を形成する。ここで、シンクロトロン光とは、電子又は陽電子を光速近くまで加速し、磁場の中で進行方向を曲げることにより発生する電磁波をいう。
【００７４】
次に、図９（ｃ）において、メタルマスク３７を除去し、流路基板２１、３１及び対向基板２２、３２の溝又は孔の形成が完了する。
【００７５】
次に、図９（ｄ）において、熱圧着時に必要な接着層の形成を行う。流路基板２１、３１及び対向基板２２、３２上に形成された溝又は孔の部分にレジスト層３９を形成する。さらに、フッ素樹脂表面に、ＦＣＶＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ｖａｃｕｕｍ Ａｒｃ）法によって注入層を形成する。本実施例では注入層として銅層３８が用いられているが、シリコンを注入層として用いてもよい。
【００７６】
次に、図９（ｅ）において、レジスト層３９を剥離し、接着層が形成され、流路基板２１、３１及び対向基板２２、３２が完成する。
【００７７】
なお、流路基板２１、３１及び対向基板２２、３２はシンクロトロン光の照射により形成されているが、例えばエキシマレーザー等のレーザー光の照射による形成や金型成型による形成、又は反応性イオンエッチング法等により形成しても良い。さらに、銅層３８を形成する際には、エキシマレーザーなどによってフッ素樹脂の表面を改質させた後に、蒸着やスパッタリングなどの方法によって形成しても良い。この方法により、効率的に基板を形成することができる。
【００７８】
次に、ウイック基板２４を形成する（ステップ３）。溝を有するウイック基板２４は例えばＵＶ−ＬＩＧＡと呼ばれる方法によって形成される。以下、図１０に基づきＵＶ−ＬＩＧＡの工程について具体的に説明する。
【００７９】
まず、図１０（ａ）に示すように、プレート４３上例えば有機材料であるＳＵ−８からなるレジスト層４２を形成し、その上にパターンニングされたレジスト膜４１を形成する。これをパターン基板４０と呼ぶ。
【００８０】
次に、図１０（ｂ）に示すように、パターン基板４０の上方からＵＶを照射し、レジスト層４２のエッチングを行う。
【００８１】
次に、図１０（ｃ）に示すように、このパターン基板４０からレジスト膜４１を剥離し、この表面に銅の電鋳で銅層４４を形成する。
【００８２】
そして、図１０（ｄ）に示すように、パターン基板４０から銅層４４を剥離する。剥離した銅層４４が溝を有するウイック基板２４となる。
【００８３】
次に、このようにして得られたウイック基板２４の溝表面にプラズマベースイオンインプランテーション（Ｐｌａｓｅｍａ−ｂａｓｅｄ Ｉｏｎ Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ、ＰＢＩＩとも言う）技術を用いて銅表面に酸素イオンを注入し、酸化第一銅（Ｃｕ２Ｏ）膜を形成する。
【００８４】
図１１は、ウイック基板２４の溝２５へのＰＢＩＩ（プラズマベーストイオンインプランテーション）技術を用いた表面処理装置を示している。また、図１２は、図１１の処理におけるパルス電圧を示した図である。
【００８５】
図１１に示すように、ウイック基板２４は、真空装置１２４内の中心部に絶縁碍子１２０を介しパルス電源１２１に接続されている。真空装置１２４は、真空ポンプ１２３により排気され、更に、イオン源１２２により、目的に応じて酸素、メタン、窒素、チタン等がパルスに同期して供給されるようになっていて、ここでは酸素イオンが供給されるようになっている。
【００８６】
ＰＢＩＩ技術は、被処理物としての溝２５を真空装置１２４内に中心部に配置し、その周囲をプラズマで囲み、溝２５表面に負の高電圧パルス電圧を印加することにより、プラズマ中のイオンを溝２５表面に誘引衝突堆積させ、３次元の表面の機能を改質させようとする技術である。
【００８７】
熱伝導のよい無酸素銅からなる溝２５に、イオン源１２２より供給された酸素イオンを図１２のパルス条件でパルスプラズマ化させる。例えば、深さ２０μｍ、間隔１００μｍ、幅４０μｍの溝では、時間は約１分間、温度は３５度で、パルスイオン電流は０．７Ａの条件で、酸素イオンの注入を行い、溝２５表面にイオン注入を施した。これによって、溝２５表面は、無酸素銅から酸化第一銅に改質される。無酸素銅の表面の接触角は水玉により測定され未処理では６０°であったが酸素イオン注入により接触角が１５°に改質された、すなわち親水性が向上することが確認された。これによりウイックの毛細管力が向上し、よりポンプ力を大きくすることができた。
【００８８】
なお、ウイック基板２４の形成は、反応性イオンエッチング法によっても可能である。
【００８９】
次にこのように形成されたウイック基板２４を対向基板２２を貫通して開けられたエバポレータ孔２３に組み込み接着剤などを介して接合する（ステップ４）。
【００９０】
また、図１３に示すように、対向基板２２の結合部２８ｂ、対向基板３２の結合部３５ｂには、それぞれ気相路４、及び液相路５が組み込まれる（ステップ５）。
【００９１】
そして、図１４に示すように、エバポレータ２及びコンデンサ３、気相路４及び液相路５が組み込まれた対向基板２２，３２に、流路基板２１、３１を貼り合せる（ステップ６）。
【００９２】
ステップ４からステップ６までの工程は、それぞれの基板の間、また、基板と気相路４及び液相路５との間の隙間をなくすため、ポリイミド樹脂３６を接着層として、真空中（約２６６０Ｐａ）で、約３５０℃の熱を加えて接着固定される。
【００９３】
以上の方法により冷却装置１を製造することにより、精度良く、確実に製造することができる。
【００９４】
なお、本実施形態では基板をフッ素樹脂から形成したが、例えばポリイミドやジメチルシロキサン樹脂等のその他の樹脂や、ガラスを用いて形成しても良い。
【００９５】
（電子機器装置）
図１５は本発明に係る冷却装置が搭載されたノート型パーソナルコンピュータの概略斜視図である。
【００９６】
パソコン１５０は、フラッシュメモリ１５３とドライバ１５２とを有する記録媒体１５４を着脱するためのスロット１５１、及び中央演算処理部（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ、ＣＰＵ）１５６を有する操作部１５８と、画面を表示する表示面１５９ａと、電気信号処理などを行う回路が形成された回路面（図示せず）を有する表示部１５９とが、連結部１５７を介して接続され、ノート型パーソナルコンピュータを構成している。
【００９７】
ここで、本発明に係る冷却装置１は、該中央演算処理部１５６に近接して該中央演算処理部とほぼ同じ面積のエバポレータ２が位置するように配置されている。また、コンデンサ３は、表示部１５９の表示面裏に設けられており、エバポレータ２及びコンデンサ３の間には気相／液相の作動液を流通させる管４、５（気相路４、液相路５）が連結部１５７を介して接続するように設けられ、ヒートパイプを形成している。
【００９８】
このように、冷却装置１は、エバポレータ２とコンデンサ３との配置を内蔵するデバイスの配置に応じて種々対応することが可能となるため、効率良く冷却することができるとともに、電子機器装置の小型薄型化を図ることができる。
また、冷却装置１は、上記表示部１５９の画面スロットを介して装着された記録媒体１５４の例えばドライバ１５２の直下にエバポレータ２が位置するようにパソコン１５０内に配置するようにしても良い。
【００９９】
（音響装置）
図１６は、本発明に係る冷却装置が搭載されたオーディオセットの概略構成図である。
【０１００】
オーディオセット１６０には、音楽を記録した媒体を再生したり、音量・音質等を調整したりする本体部１６１及び本体部１６１と接続して音を出力する一対のスピーカ１６２が設けられている。本体部１６１には、音量・音質調整のためのアンプ１６３が設けられており、その内部にはパワートランジスタ１６４が設けられている。
【０１０１】
ここで、該パワートランジスタ１６４に近接するように冷却装置１のエバポレータ２が配置され、管４、５（気相路４、液相路５）を介して所定の位置に配置されたコンデンサ３と接続されている。この管４及び５はフレキシブルに折り曲げ可能なため、少ないスペースでもコンデンサ３を配置することができ、効率良くパワートランジスタ１６４から生じた熱を放出することができる。オーディオセット１６０の本体部１６１では、このようにしてエバポレータ２が効率良くパワートランジスタ１６４を冷却し、そのときに奪った熱をコンデンサ３から効率良く放出することができる。
（冷却装置の他の実施形態）
図１７は本発明の他の実施形態に係る冷却装置の分解斜視図である。図１８は該冷却装置の一部断面図である。図１〜図７に示した冷却装置と同一の構成要素には同一の符号を付してある。
【０１０２】
これらの図に示すように、エバポレータ２０２における対向基板２２２には、気相流路２３４ａ−１の溝２２７に通じる孔２５１ａ及び液相流路２３４ｂ−１の溝２２７に通じる孔２５２ａが設けられている。同様に、コンデンサ２０３における対向基板２３２には、気相流路２３４ａ−２の溝２３３に通じる孔２５３ａ及び液相流路２３４ｂ−２の溝２３３に通じる孔２５４ａが設けられている。
【０１０３】
各孔２５１ａ〜２５４ａには、例えばＳｕｓやＣｕからなる管継ぎ手２５１ｂ〜２５４ｂ（２５１ｂ、２５２ｂ、２５３ｂ、２５４ｂ）がエポキシ樹脂層２５５（図１８参照）を介して接続されている。図１７に示すように、管継ぎ手２５１ｂの接続部（管の先端が出た部分）２５１ｃと管継ぎ手２５３ｂの接続部２５３ｃとの間は、フッ素樹脂からなる管２０４により接続されている。また、管継ぎ手２５２ｂの接続部２５２ｃと管継ぎ手２５４ｂの接続部２５４ｃとの間は、フッ素樹脂からなる管２０５により接続されている。
【０１０４】
接続部２５１ｃと管２０４との接合部分は融着性フッ素樹脂からなるチューブ２５１ｄが被覆されている。同様に、接続部２５３ｃと管２０４との接合部分は融着性フッ素樹脂からなるチューブ２５３ｄが被覆され、接続部２５２ｃと管２０５との接合部分は融着性フッ素樹脂からなるチューブ２５２ｄが被覆され、接続部２５４ｃと管２０５との接合部分は融着性フッ素樹脂からなるチューブ２５４ｄが被覆されている。これらのチューブ２５１ｄ〜２５４ｄは例えば管２０４、２０５よりも径の大きいチューブを接合部分にセットし、加熱により接合部分にオーバーコートすることができる。
【０１０５】
このように本実施形態では、接合部２５１ｃ〜２５４ｃと管２０４、２０５との接合部分を融着性フッ素樹脂からなるチューブ２５１ｄ〜２５４ｄで被覆することにより、接合部２５１ｃ〜２５４ｃと管２０４、２０５との接合部分における気密性を向上させることができる。特に、フッ素樹脂からなる管２０４、２０５に対して融着性フッ素樹脂からなるチューブ２５１ｄ〜２５４ｄを用いることで、これらが重合反応し、非常に高い気密性が得られる。
（管の他の例）
図１９は更に別の実施形態に係る冷却装置の構成を示す一部分解斜視図である。
【０１０６】
この実施形態における冷却装置は、図１〜図７に示した冷却装置とほぼ同様の構造であるが、フッ素樹脂からなる管４、５（気相路４、液相路５）における少なくとも結合部２８ａ、２８ｂ、３５ａ、３５ｂとの接触部分３０１が水素プラズマで処理されている点が異なる。
【０１０７】
水素プラズマでの処理とは、水素プラズマ、イオンまたは水素を含むガスソースによるプラズマや反応性イオンエッチング処理をいう。処理の一例として、例えば一般的なプラズマ発生装置に原料ガスとして例えば水素を用い、フッ素樹脂からなる管４、５表面にプラズマを照射することによりダイレクトにフッ素原子を励起、脱離させ、水素原子で終端するものである。
【０１０８】
かかるプラズマは、例えば以下のような条件で処理することが好ましい。
高周波の周波数：１５．５６ＭＨｚ
高周波の出力：１００Ｗ
ガスの種類、流量： Ｈ２ １〜２０ｃｃｍ、好適には３〜１０ｃｃｍ
真空度：１×１０−４〜１×１０−１Ｐａ、好適には１×１０−３〜１×１０−２Ｐａ
なお、Ｈ２以外のガスとしてはＣＨＦ３、ＳｉＨ４等が考えられる。
例えばテフロン（登録商標）等のフッ素樹脂に接着性がないのは、図２０に示すように、分子構造において炭素原子を終端しているフッ素原子に起因する。本実施形態では、フッ素原子を水素原子で置換することにより、接着性を向上させることができる。これにより、図１７に示したように接合に管継ぎ手のような機械的手法を用いなくとも、フッ素樹脂からなる管４、５を結合部２８ａ、２８ｂ、３５ａ、３５ｂに接合可能となる。
【０１０９】
本発明に係る水素プラズマでの処理は、フッ素樹脂をウエットエッチ等によりアルカリ金属イオン（主にＮａ）と反応させ、水素原子に置換する技術と比較すると、安価で生産性に優れ、かつ有毒性のある廃棄物が少ない利点を有する。なお、水素プラズマでの処理は、上記のような管ばかりでなく、フッ素樹脂からなる製品全般に適用できる。
【０１１０】
図２１に示すように、フッ素樹脂からなる管本体３１１表面に上述した水素プラズマで処理してプラズマ処理面３１２を形成し、その表面にＣｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｐｂ等からなる金属の薄膜３１３を形成してもよい。このような金属の薄膜３１３は、例えば真空蒸着、スパッタ、無電解メッキ、電界メッキ等の手法により形成することが可能である。金属の薄膜３１３の厚さは０．０１μｍ〜５００μｍ程度で、1〜２００μｍがより好ましい。１μｍよりも薄いとバリア性が弱くなり、例えば蒸着や無電解メッキで２００μｍ以上膜形成することは高コストになるおそれがあり、また膜形成に特殊な技術を要するおそれもあるからである。そして、このように金属の薄膜３１３を形成することで、管の気密性を高めることが可能である。
【０１１１】
なお、管が上記したようにシリコンやポリウレタン、ポリプロピレンからなる場合であっても同様に金属の薄膜を形成することにより気密性を向上させることが可能となる。この場合、フッ素樹脂と同様に水素プラズマでの処理を施すことによりより接着性の良い金属の薄膜を形成することが可能となる。
【０１１２】
また、本発明に係る管の内側又は外側に無電界メッキによりフッ素樹脂コートを行うことで、気密性は向上させることができる。フッ素樹脂コートの厚さは、０．０１μｍ〜５００μｍ程度で、1〜２００μｍがより好ましい。１μｍよりも薄いとバリア性が弱くなり、例えば蒸着や無電解メッキで２００μｍ以上膜形成することは高コストになるおそれがあり、また膜形成に特殊な技術を要するおそれもあるからである。
【０１１３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、フレキシブルに配置可能かつ小型薄型化が可能で、冷却性能が高い冷却装置、電子機器装置、音響装置及び冷却装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る冷却装置の全体構成を示す模式図である。
【図２】 本発明に係る冷却装置の構成を示す分解斜視図である。
【図３】 本発明に係る冷却装置の流路基板を示す平面図である。
【図４】 本発明に係る冷却装置の対向基板を示す平面図である。
【図５】 本発明に係る冷却装置のウイック基板の構成を示す斜視図である。
【図６】 本発明に係る冷却装置の断面図である。
【図７】 本発明に係る冷却装置における作動液の流れを示す図である。
【図８】 本発明に係る冷却装置の製造方法を説明する工程図である。
【図９】 本発明に係る冷却装置の基板形成の工程を示す図である。
【図１０】 本発明に係る冷却装置の基板形成の工程を示す図である。
【図１１】 本発明に係るウイック基板の膜処理工程を示す模式図である。
【図１２】 本発明に係るウイック基板の膜処理条件を示すグラフである。
【図１３】 本発明に係る冷却装置に用いる基板に気相路及び液相路を組み込む工程を示した概略図である。
【図１４】 本発明に係る冷却装置に用いる流路基板と対向基板とを接合する工程を示した概略図である。
【図１５】 本発明に係る冷却装置を搭載した電子機器装置の概略斜視図である。
【図１６】 本発明に係る冷却装置を搭載した音響装置の概略構成図である。
【図１７】 本発明の他の実施形態に係る冷却装置の分解斜視図である。
【図１８】 図１７に示した該冷却装置の一部断面図である。
【図１９】 本発明の更に別の実施形態に係る冷却装置の構成を示す一部分解斜視図である。
【図２０】 フッ素樹脂におけるフッ素原子を水素原子で置換する原理を説明するための図である。
【図２１】 本発明のまた別の実施形態に係る冷却装置の管の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１…冷却装置
２…エバポレータ
３…コンデンサ
４…気相路
５…液相路
２１、３１…流路基板
２２、３２…対向基板
２４…ウイック基板
２５…溝
３３…溝
３４ａ、ｂ…作動液流路
１５０…ノート型パーソナルコンピュータ
１５８…操作部
１５９…表示部
１６０…オーディオセット
１６１…本体部
１６２…スピーカ
１６３…アンプ
１６４・…パワートランジスタ
Claims (14)
- （ａ）作動液を流通させる流路を有する流路基板と、
金属又は金属に相当する熱伝導率を有する材料からなり、少なくともウイックを設けたウイック基板と、
エバポレータ孔を有し、前記流路基板の前記流路と前記ウイック基板の前記ウイックとが通じるように前記ウイック基板が前記エバポレータ孔に嵌め込まれ、前記流路基板と接合された対向基板と
を有し、対象物からの熱により作動液を気化させることで対象物を冷却する冷却部と、
（ｂ）前記冷却部と物理的に分離され、前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部と、
（ｃ）前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管と、
（ｄ）前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の管とを具備し、
前記第１の管及び前記第２の管のうち少なくとも一方は、フッ素樹脂からなることを特徴とする冷却装置。 - 前記ウイック基板が銅からなり、
前記ウイック表面には、酸化第一銅の薄膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の冷却装置。 - 前記冷却部及び前記液化部と前記第１の管及び前記第２の管との間の少なくとも１つの接合部は、融着性フッ素樹脂が被覆されていることを特徴とする請求項１に記載の冷却装置。
- 前記第１の管及び前記第２の管における前記冷却部及び前記液化部との間の少なくとも１つの接合表面は、プラズマまたは反応性イオンエッチングで処理されていることを特徴とする請求項３記載の冷却装置。
- 前記第１の管及び前記第２の管における前記冷却部及び前記液化部との間の少なくとも１つの接合表面は、水素プラズマで処理されていることを特徴とする請求項４記載の冷却装置。
- 前記第１の管及び前記第２の管の表面のうち少なくとも一方は、金属の薄膜が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の冷却装置。
- 前記金属の薄膜は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｉｎ及びＰｂのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項６に記載の冷却装置。
- （ａ）中央演算処理部と、
（ｂ）作動液を流通させる流路を有する流路基板と、
金属又は金属に相当する熱伝導率を有する材料からなり、少なくともウイックを設けたウイック基板と、
エバポレータ孔を有し、前記流路基板の前記流路と前記ウイック基板の前記ウイックとが通じるように前記ウイック基板が前記エバポレータ孔に嵌め込まれ、前記流路基板と接合された対向基板と
を有し、前記中央演算処理部に近接して配置され、前記中央演算処理部からの熱により作動液を気化させることで前記中央演算処理部を冷却する冷却部と、
（ｃ）前記冷却部と物理的に分離され、前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部と、
（ｄ）前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管と、
（ｅ）前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の管とを具備し、
前記第１の管及び前記第２の管のうち少なくとも一方は、フッ素樹脂からなることを特徴とする電子機器装置。 - フラッシュメモリとドライバとを有するカード型の記憶装置が着脱可能なスロットを有する電子機器装置であって、
（ａ）作動液を流通させる流路を有する流路基板と、
金属又は金属に相当する熱伝導率を有する材料からなり、少なくともウイックを設けたウイック基板と、
エバポレータ孔を有し、前記流路基板の前記流路と前記ウイック基板の前記ウイックとが通じるように前記ウイック基板が前記エバポレータ孔に嵌め込まれ、前記流路基板と接合された対向基板と
を有し、前記スロットに近接するように配置され、前記カード型の記憶装置からの熱により作動液を気化させることで前記カード型の記憶装置を冷却する冷却部と、
（ｂ）前記冷却部と物理的に分離され、前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部と、
（ｃ）前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管と、
（ｄ）前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の管とを具備し、
前記第１の管及び前記第２の管のうち少なくとも一方は、フッ素樹脂からなることを特特とする電子機器装置。 - パワートランジスタを有する音響機器において、
（ａ）作動液を流通させる流路を有する流路基板と、
金属又は金属に相当する熱伝導率を有する材料からなり、少なくともウイックを設けたウイック基板と、
エバポレータ孔を有し、前記流路基板の前記流路と前記ウイック基板の前記ウイックとが通じるように前記ウイック基板が前記エバポレータ孔に嵌め込まれ、前記流路基板と接合された対向基板と
を有し、前記パワートランジスタからの熱により作動液を気化させることで前記パワートランジスタを冷却する冷却部と、
（ｂ）前記冷却部と物理的に分離され、前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部と、
（ｃ）前記液化部から前記冷却部に液化された作動液を流通させる第１の管と、
（ｄ）前記冷却部から前記液化部に気化された作動液を流通させる第２の管とを具備し、
前記第１の管及び前記第２の管のうち少なくとも一方は、フッ素樹脂からなることを特特とする音響装置。 - 対象物からの熱により作動液を気化させることで対象物を冷却する冷却部と、前記冷却部と物理的に分離され、前記冷却部で気化された作動液を液化して前記冷却部に循環する液化部とを備える冷却装置の製造方法であって、
金属又は金属に相当する熱伝導率を有する材料からなり、少なくともウイックを設けたウイック基板を、第１の対向基板に設けられたエバポレータ孔に組み込む工程と、
液化された作動液を流通させフッ素樹脂からなる第１の管の両端部にそれぞれ設けられた接触部分に水素プラズマ処理を行う工程と、
気化された作動液を流通させフッ素樹脂からなる第２の管の両端部にそれぞれ設けられた接触部分に水素プラズマ処理を行う工程と、
前記第１の管の前記接触部分を、前記作動液を流通させる流路を有する第１の流路基板、及び、気相流路及び液相流路を設けた第２の流路基板にそれぞれ接続する工程と、
前記第２の管の前記接触部分を、前記第１の対向基板及び第２の対向基板にそれぞれ接続する工程と、
前記第１の流路基板の前記流路と前記ウイック基板の前記ウイックとが通じるように前記第１の流路基板と前記第１の対向基板とを接合して前記冷却部を形成するとともに、前記第２の流路基板と前記第２の対向基板とを接合して前記液化部を形成することで、前記冷却部と前記液化部との間に、前記第１及び第２の管を接続する工程と
を具備することを特徴とする冷却装置の製造方法。 - 前記ウイック基板の前記ウイック表面に酸化第一銅の薄膜を形成する工程を更に具備することを特徴とする請求項１１に記載の冷却装置の製造方法。
- 前記第１の管の前記接触部分及び前記第２の管の前記接触部分に金属の薄膜を形成する工程を更に具備することを特徴とする請求項１１に記載の冷却装置の製造方法。
- 前記金属の薄膜は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｉｎ及びＰｂのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１３に記載の冷却装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002361393A JP4032954B2 (ja) | 2002-07-05 | 2002-12-12 | 冷却装置、電子機器装置、音響装置及び冷却装置の製造方法 |
| US10/608,367 US6840310B2 (en) | 2002-07-05 | 2003-06-30 | Cooling device, electronic apparatus and acoustic apparatus, and method for producing the cooling device |
| KR1020030044906A KR100996169B1 (ko) | 2002-07-05 | 2003-07-03 | 냉각 장치, 전자 기기 장치, 음향 장치 및 냉각 장치의제조 방법 |
| CNB031462308A CN100565855C (zh) | 2002-07-05 | 2003-07-04 | 冷却装置、电子设备和音响设备、及制造冷却装置的方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002198023 | 2002-07-05 | ||
| JP2002361393A JP4032954B2 (ja) | 2002-07-05 | 2002-12-12 | 冷却装置、電子機器装置、音響装置及び冷却装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004088048A JP2004088048A (ja) | 2004-03-18 |
| JP4032954B2 true JP4032954B2 (ja) | 2008-01-16 |
Family
ID=30447642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002361393A Expired - Fee Related JP4032954B2 (ja) | 2002-07-05 | 2002-12-12 | 冷却装置、電子機器装置、音響装置及び冷却装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6840310B2 (ja) |
| JP (1) | JP4032954B2 (ja) |
| KR (1) | KR100996169B1 (ja) |
| CN (1) | CN100565855C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004085186A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-03-18 | Sony Corp | 冷却装置、電子機器装置、音響装置及び冷却装置の製造方法。 |
Families Citing this family (60)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6976527B2 (en) * | 2001-07-17 | 2005-12-20 | The Regents Of The University Of California | MEMS microcapillary pumped loop for chip-level temperature control |
| WO2003050466A1 (en) * | 2001-12-13 | 2003-06-19 | Sony Corporation | Cooling device, electronic equipment device, and method of manufacturing cooling device |
| JP2004190977A (ja) * | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Sony Corp | 熱輸送装置、熱輸送装置の製造方法及び電子デバイス |
| TW557124U (en) * | 2003-02-20 | 2003-10-01 | Delta Electronics Inc | Circulative cooler apparatus |
| US7823629B2 (en) * | 2003-03-20 | 2010-11-02 | Thermal Corp. | Capillary assisted loop thermosiphon apparatus |
| SE0301381D0 (sv) * | 2003-05-12 | 2003-05-12 | Sapa Ab | Extruded heat sink with integrated thermosyphon |
| KR100505279B1 (ko) * | 2003-05-31 | 2005-07-29 | 아이큐리랩 홀딩스 리미티드 | 드라이 아웃이 방지된 박판형 냉각장치 |
| KR101059522B1 (ko) * | 2003-09-30 | 2011-08-26 | 트랜스퍼시픽 소닉, 엘엘씨 | 히트 파이프를 이용한 통신장비의 방열장치 |
| US7097501B2 (en) * | 2003-11-25 | 2006-08-29 | Schlumberger Technology Corporation | Micro coated electrical feedthru |
| US7204264B2 (en) * | 2004-04-21 | 2007-04-17 | Waters Investments Ltd. | High pressure capillary micro-fluidic valve device and a method of fabricating same |
| CN1705043B (zh) * | 2004-05-26 | 2010-06-23 | 财团法人工业技术研究院 | 提高液汽相散热装置内部工作流体的流动性质的方法 |
| JP4617724B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2011-01-26 | ソニー株式会社 | 冷却装置、冷却装置の製造方法、接合装置及び電子機器 |
| US20060000583A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-05 | Great Univer Technology Co., Ltd. | Heat dissipating device |
| TWI274839B (en) * | 2004-12-31 | 2007-03-01 | Foxconn Tech Co Ltd | Pulsating heat conveyance apparatus |
| CN100453955C (zh) * | 2005-01-07 | 2009-01-21 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 热管及其制造方法 |
| CN100590377C (zh) * | 2005-02-18 | 2010-02-17 | 阳傑科技股份有限公司 | 热管冷却系统及其热传递连接器 |
| JP4725138B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2011-07-13 | ソニー株式会社 | 熱輸送装置及び電子機器 |
| US20060213645A1 (en) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Wintersteen Douglas C | Integral liquid cooling unit for a computer |
| TWI262285B (en) * | 2005-06-03 | 2006-09-21 | Foxconn Tech Co Ltd | Loop-type heat exchange apparatus |
| US7353862B2 (en) * | 2005-10-03 | 2008-04-08 | Fu Zhun Precision Industry (Shenzhen) Co., Ltd. | Liquid cooling device |
| US20070091540A1 (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Applied Materials, Inc. | Method of processing a workpiece in a plasma reactor using multiple zone feed forward thermal control |
| KR100833497B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2008-05-29 | 한국전자통신연구원 | 전자기기용 열균일화 장치 |
| EP1956318B1 (en) | 2007-02-09 | 2015-04-08 | Juan Jose Rojo Sastre | Solar collector with heat dissipator |
| US7876564B2 (en) * | 2007-05-25 | 2011-01-25 | CCZ Technology Group, Inc. | Method and apparatus for cooling computer memory |
| US8919426B2 (en) * | 2007-10-22 | 2014-12-30 | The Peregrine Falcon Corporation | Micro-channel pulsating heat pipe |
| JP5757086B2 (ja) | 2008-10-29 | 2015-07-29 | 日本電気株式会社 | 冷却構造及び電子機器並びに冷却方法 |
| JP4960509B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2012-06-27 | 株式会社Ｎｂｃメッシュテック | 抗ウイルス性を有する部材 |
| ATE554361T1 (de) * | 2009-04-28 | 2012-05-15 | Abb Research Ltd | Wärmerohr mit gewundenem rohr |
| EP2246654B1 (en) * | 2009-04-29 | 2013-12-11 | ABB Research Ltd. | Multi-row thermosyphon heat exchanger |
| US20100294475A1 (en) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | General Electric Company | High performance heat transfer device, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
| JP5686504B2 (ja) * | 2009-06-15 | 2015-03-18 | 三菱電機株式会社 | 静電霧化装置及び空気調和機 |
| JP4818399B2 (ja) | 2009-06-15 | 2011-11-16 | 三菱電機株式会社 | 静電霧化装置及び空気調和機 |
| US20110232877A1 (en) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | Celsia Technologies Taiwan, Inc. | Compact vapor chamber and heat-dissipating module having the same |
| EP2383779B1 (en) * | 2010-04-29 | 2012-09-12 | ABB Oy | Mounting base |
| US20140027100A1 (en) * | 2011-04-03 | 2014-01-30 | Nec Corporation | Piping structure of cooling device, method for making the same, and method for connecting pipes |
| JP5903549B2 (ja) * | 2011-04-22 | 2016-04-13 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 冷却装置およびこれを搭載した電子機器、および電気自動車 |
| JP5903548B2 (ja) * | 2011-04-22 | 2016-04-13 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 冷却装置およびこれを搭載した電子機器、および電気自動車 |
| WO2012166086A1 (en) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | Aavid Thermalloy, Llc | Thermal transfer device with reduced vertical profile |
| US20240310128A1 (en) * | 2012-07-18 | 2024-09-19 | University Of Virginia Patent Foundation | Heat Transfer Device for High Heat Flux Applications and Related Methods Thereof |
| CA2879504A1 (en) * | 2012-07-18 | 2014-01-23 | University Of Virginia Patent Foundation | Heat transfer device for high heat flux applications and related methods thereof |
| CN103813695B (zh) * | 2012-11-13 | 2016-08-17 | 台达电子工业股份有限公司 | 虹吸式散热装置 |
| US20140182819A1 (en) * | 2013-01-01 | 2014-07-03 | Asia Vital Components Co., Ltd. | Heat dissipating device |
| ES2755490T3 (es) | 2013-04-15 | 2020-04-22 | Becton Dickinson Co | Dispositivo de extracción de fluidos biológicos y sistema de separación de fluidos biológicos |
| DE102013212724B3 (de) | 2013-06-28 | 2014-12-04 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Kühlvorrichtung zur Kühlung eines Elektronikbauteils und Elektronikanordnung mit einer Kühlvorrichtung |
| US9965003B2 (en) * | 2015-07-09 | 2018-05-08 | Htc Corporation | Electronic assembly and electronic device |
| TWI556376B (zh) * | 2015-08-28 | 2016-11-01 | 國立交通大學 | 導熱模組 |
| US20170156240A1 (en) * | 2015-11-30 | 2017-06-01 | Abb Technology Oy | Cooled power electronic assembly |
| JPWO2018043442A1 (ja) * | 2016-08-30 | 2019-06-24 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 冷却装置、およびそれを用いた電子機器 |
| EP3343161B1 (en) * | 2016-12-28 | 2023-07-12 | Ricoh Company, Ltd. | Loop heat pipe wick, loop heat pipe, cooling device, and electronic device, and method for manufacturing porous rubber and method for manufacturing loop heat pipe wick |
| TWI672478B (zh) * | 2018-05-04 | 2019-09-21 | 泰碩電子股份有限公司 | 迴路式均溫板 |
| JP7236825B2 (ja) * | 2018-07-11 | 2023-03-10 | 新光電気工業株式会社 | ループ型ヒートパイプ及びその製造方法 |
| KR102641742B1 (ko) * | 2018-09-20 | 2024-02-29 | 삼성전자주식회사 | 비금속 재질로 이루어진 방열 장치 및 이를 포함하는 전자 장치 |
| KR102173228B1 (ko) * | 2019-01-04 | 2020-11-03 | 한국과학기술원 | 연성 평판 진동형 히트파이프 및 이의 제작 방법 |
| JP7326063B2 (ja) * | 2019-08-09 | 2023-08-15 | 株式会社レゾナック・パッケージング | 熱交換器 |
| JP7567796B2 (ja) * | 2019-09-06 | 2024-10-16 | 大日本印刷株式会社 | ベーパーチャンバ、及び、電子機器 |
| US11802739B2 (en) | 2020-09-01 | 2023-10-31 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Cooling assemblies having channels to supply fluid to wick structures |
| US20220128311A1 (en) * | 2020-10-22 | 2022-04-28 | Asia Vital Components Co., Ltd | Vapor-phase/liquid-phase fluid heat exchange uni |
| WO2023006181A1 (en) * | 2021-07-27 | 2023-02-02 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Pulsating heat spreading device and method of manufacturing |
| WO2023133379A2 (en) | 2022-01-04 | 2023-07-13 | Bluexthermal, Inc. | Ocular region heat transfer devices and associated systems and methods |
| US20230397370A1 (en) * | 2022-06-07 | 2023-12-07 | Motorola Mobility Llc | Wearable Electronic Device with Thermal Energy Dissipation System and Corresponding Methods |
Family Cites Families (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4972162U (ja) * | 1972-10-07 | 1974-06-22 | ||
| JPS6120728Y2 (ja) * | 1978-10-12 | 1986-06-21 | ||
| US4602679A (en) * | 1982-03-22 | 1986-07-29 | Grumman Aerospace Corporation | Capillary-pumped heat transfer panel and system |
| JPS59119186A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 板状ヒ−トパイプ |
| US4777561A (en) * | 1985-03-26 | 1988-10-11 | Hughes Aircraft Company | Electronic module with self-activated heat pipe |
| AU618203B2 (en) * | 1989-09-29 | 1991-12-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Boiling type cooler device for power semiconductor switching elements |
| JPH06260783A (ja) * | 1993-03-02 | 1994-09-16 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 冷却装置 |
| US5394936A (en) * | 1993-03-12 | 1995-03-07 | Intel Corporation | High efficiency heat removal system for electric devices and the like |
| US5704416A (en) * | 1993-09-10 | 1998-01-06 | Aavid Laboratories, Inc. | Two phase component cooler |
| JP3385482B2 (ja) * | 1993-11-15 | 2003-03-10 | 株式会社日立製作所 | 電子機器 |
| US5441102A (en) * | 1994-01-26 | 1995-08-15 | Sun Microsystems, Inc. | Heat exchanger for electronic equipment |
| JPH0842983A (ja) * | 1994-07-28 | 1996-02-16 | Diamond Electric Mfg Co Ltd | ヒートパイプ |
| US5725049A (en) * | 1995-10-31 | 1998-03-10 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Capillary pumped loop body heat exchanger |
| GB2312734B (en) * | 1996-05-03 | 2000-05-03 | Matra Marconi Space | Capillary evaporator |
| US5731954A (en) * | 1996-08-22 | 1998-03-24 | Cheon; Kioan | Cooling system for computer |
| JP3450148B2 (ja) * | 1997-03-07 | 2003-09-22 | 三菱電機株式会社 | ループ型ヒートパイプ |
| JPH10284661A (ja) * | 1997-04-11 | 1998-10-23 | Denso Corp | 沸騰冷却装置及びその製造方法 |
| TW331586B (en) * | 1997-08-22 | 1998-05-11 | Biing-Jiun Hwang | Network-type heat pipe device |
| US6223810B1 (en) * | 1998-03-31 | 2001-05-01 | International Business Machines | Extended air cooling with heat loop for dense or compact configurations of electronic components |
| JPH11304381A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Fujikura Ltd | ヒートパイプ |
| JPH11314310A (ja) * | 1998-05-08 | 1999-11-16 | Tomoegawa Paper Co Ltd | フッ素樹脂・金属薄膜複合シートの製造方法 |
| JP2000054159A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 伝熱材及び伝熱体並びに伝熱材の製造方法及び伝熱体の製造方法 |
| JP3591339B2 (ja) * | 1998-11-16 | 2004-11-17 | 三菱電機株式会社 | ループ型ヒートパイプ |
| JP3964580B2 (ja) * | 1999-09-03 | 2007-08-22 | 富士通株式会社 | 冷却ユニット |
| JP4312312B2 (ja) * | 1999-10-12 | 2009-08-12 | シャープ株式会社 | 携帯型データ処理装置 |
| DE10011892A1 (de) * | 2000-03-03 | 2001-09-20 | Jenoptik Jena Gmbh | Montagesubstrat und Wärmesenke für Hochleistungsdiodenlaserbarren |
| JP2002081874A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-22 | Canon Inc | プレート型ヒートパイプ及びその製造方法 |
| JP3376346B2 (ja) * | 2000-09-25 | 2003-02-10 | 株式会社東芝 | 冷却装置、この冷却装置を有する回路モジュールおよび電子機器 |
| JP2002098487A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Fujitsu Ltd | ヒートパイプの製造方法 |
| JP4204187B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2009-01-07 | 三菱電機株式会社 | ループヒートパイプ |
| US6601643B2 (en) * | 2001-04-27 | 2003-08-05 | Samsung Electronics Co., Ltd | Flat evaporator |
| JP2002340489A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-27 | Hitachi Ltd | ループ型ヒートパイプ |
| US6533029B1 (en) * | 2001-09-04 | 2003-03-18 | Thermal Corp. | Non-inverted meniscus loop heat pipe/capillary pumped loop evaporator |
| WO2003050466A1 (en) * | 2001-12-13 | 2003-06-19 | Sony Corporation | Cooling device, electronic equipment device, and method of manufacturing cooling device |
| JP4178843B2 (ja) * | 2002-06-13 | 2008-11-12 | ソニー株式会社 | 冷却装置、電子機器装置及び冷却装置の製造方法 |
| JP2004037183A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Toshiba Corp | スキャンフリップフロップ |
-
2002
- 2002-12-12 JP JP2002361393A patent/JP4032954B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-06-30 US US10/608,367 patent/US6840310B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-03 KR KR1020030044906A patent/KR100996169B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-07-04 CN CNB031462308A patent/CN100565855C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004085186A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-03-18 | Sony Corp | 冷却装置、電子機器装置、音響装置及び冷却装置の製造方法。 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004088048A (ja) | 2004-03-18 |
| CN1472803A (zh) | 2004-02-04 |
| CN100565855C (zh) | 2009-12-02 |
| US6840310B2 (en) | 2005-01-11 |
| US20040069459A1 (en) | 2004-04-15 |
| KR100996169B1 (ko) | 2010-11-23 |
| KR20040004159A (ko) | 2004-01-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4032954B2 (ja) | 冷却装置、電子機器装置、音響装置及び冷却装置の製造方法 | |
| JP2004037039A (ja) | 冷却装置、電子機器装置、表示装置及び冷却装置の製造方法 | |
| US8611089B2 (en) | Heat pipe and circuit board with a heat pipe function | |
| KR100905485B1 (ko) | 냉각 장치 | |
| CN100449247C (zh) | 热输送装置及其制造方法 | |
| WO2003050466A1 (en) | Cooling device, electronic equipment device, and method of manufacturing cooling device | |
| JP2001515281A (ja) | フレキシブル回路およびキャリアと製造工程 | |
| JP2008004942A (ja) | 印刷回路基板及びその製造方法 | |
| JP2005300038A (ja) | 熱輸送装置、熱輸送装置の製造方法及び電子機器 | |
| JP2004085186A (ja) | 冷却装置、電子機器装置、音響装置及び冷却装置の製造方法。 | |
| JP2002026489A (ja) | バンプ付き配線回路基板及びその製造方法 | |
| JP2004031783A (ja) | 冷却装置、エバポレータ用基板、コンデンサ用基板、電子機器装置及び冷却装置の製造方法 | |
| JP2004108760A (ja) | 熱輸送装置、電子機器装置及び熱輸送装置の製造方法 | |
| JP2007093032A (ja) | シート状ヒートパイプおよびその製造方法 | |
| JP4178843B2 (ja) | 冷却装置、電子機器装置及び冷却装置の製造方法 | |
| JP2007100992A (ja) | フレキシブルヒートパイプおよびその製造方法 | |
| JP4178859B2 (ja) | 冷却装置、電子機器装置及び冷却装置の製造方法 | |
| JP2004037681A (ja) | 表示装置及び車載装置 | |
| JP4314791B2 (ja) | 燃料電池及び電子機器装置 | |
| JP4178855B2 (ja) | 冷却装置、電気機器装置および冷却装置の製造方法 | |
| TWI232718B (en) | Circuit manufacturing method of flexible printed circuit board | |
| JP2000299149A (ja) | 接続端子及びその製造方法 | |
| WO2024154642A1 (ja) | 静電チャック | |
| JP2007016689A (ja) | ポンプ及びそれを備えた熱交換器 | |
| JP2004032948A (ja) | モータ、ロボット及び電子機器装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060424 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060824 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060829 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061013 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070123 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070322 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070717 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070803 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071002 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071015 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131102 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |