JP2000299149A

JP2000299149A - 接続端子及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000299149A
Application number: JP11105028A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Yamano; 清山野; Tamotsu Ueno; 保上野; Yoshikazu Yamada; 義和山田; Yasuhito Tanaka; 康仁田中
Original assignee: TOSEI ELECTRO BEAM KK
Current assignee: TOSEI ELECTRO BEAM KK
Priority date: 1999-04-13
Filing date: 1999-04-13
Publication date: 2000-10-24

Abstract

(57)【要約】【課題】気密性を高めることができ、高温，高真空で
使用しても外部へのガスの発生がないコネクタ１を提供
する。【解決手段】リード線１４を通すためのセラミックス
板１１に形成された開口部３３に銅膜１３ａがIBAD法で
蒸着され、銅膜１３ａが蒸着された開口部３３にリード
線１４が通される。リード線１４が通された開口部３３
近傍にさらに銅メッキ１６が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品と電子部
品とを接続する接続端子及びその製造方法に関し、特
に、気密性を高めることができる接続端子及びその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示装置が搭載された電子機
器が普及している。このような電子機器では、外部接続
用コネクタが備えられており、このコネクタにより外部
の電子機器に接続される。

【０００３】図１３（ａ）は、従来のコネクタ２０１を
示す図である。従来のコネクタ２０１は、複数のリード
線２１４が通された上側のセラミックス板２１１と下側
のセラミックス板２１１’、左右のセラミックス板２２
１とセラミックス板２２２、及び図中、前後から取り付
けられる２枚のセラミックス板（不図示）の内部に接着
剤２１５が注入されてリード線２１４が固定されてい
た。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、コネク
タ２０１を電子機器内で使用する際、電子機器内は、気
圧が約10^-10［Pa］程度で真空に近いため、コネクタ２
０１内部の気圧とコネクタ２０１外部（電子機器内）の
気圧差により、図１３（ｂ）に示すように、コネクタ２
０１内部の接着剤２１５がコネクタ２０１の外側方向に
移動し（分子流が発生し）、セラミックス板２１１及び
セラミックス板２１１’とリード線２１４との間にクラ
ック２３１が生じたり、接着剤２１５が外部（電子機器
内）に漏れ出したりする課題があった。

【０００５】特に、温度が上昇し、約３５０℃くらいに
なると、さらに、コネクタ２０１内部の気圧とコネクタ
２０１外部の気圧の差が大きくなるため、接着剤２１５
のコネクタ２０１外部への漏れ出し、及びセラミックス
板２１１, セラミックス板２１２におけるクラック２３
１の発生がさらに大きくなり、またコネクタ２０１内部
からガスが発生する課題があった。

【０００６】このため、電子機器内部において上述した
真空度が保てないため、装置不良の原因となっていた。
また、真空炉に装着され、真空炉内部の電子部品と真空
炉外部の電子機器とを接続するための接続端子において
も、真空炉内は超高真空（〜10^-12[Pa]程度）であるた
め、上述した課題と同様の課題が発生すると考えられ
る。

【０００７】本発明は、上記した課題に鑑みてなされた
ものであり、気密性を高めることができると共にガスの
発生のない接続端子及びその製造方法を提供することを
目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の接続端子は、電子部品と電子部品
とを接続する接続端子であって、接続線が通されている
基板の開口部に、接続線と基板の原子間距離及び熱膨張
係数に近い第１の金属膜が形成され、接続線が通された
基板の開口部近傍に第１の金属膜と同一の第２の金属膜
が形成されていることを特徴とする。

【０００９】即ち、請求項１に記載の接続端子は、接続
線が通されている基板の開口部に、接続線及び基板の原
子間距離及び熱膨張係数に近い第１の金属膜が形成さ
れ、接続線と基板が、開口部に形成された第１の金属膜
により強固に密着されている。さらに、接続線が通され
た開口部近傍に第１の金属膜と同一の第２の金属膜が形
成されており、接続線と基板が、第１の金属膜及び第２
の金属膜により強固に密着されている。また、請求項１
に記載の接続端子では、温度が上昇した場合、接続線、
基板、第１の金属膜、及び第２の金属膜は、それぞれの
原子間距離及び熱膨張係数が近いため、強固に密着され
つつ、ほぼ同様に膨張する。

【００１０】また、上記課題を解決するために、請求項
２に記載の接続端子は、請求項１に記載の接続端子にお
いて、接続線は、基板と同一の第１の基板及び第２の基
板の開口部に通されていて、第１の基板、第２の基板、
及び４枚の板により箱体が形成され、内部に接着剤が封
入されていることを特徴とする。

【００１１】即ち、請求項２に記載の接続端子は、請求
項１に記載の接続端子において、接続線は、基板と同一
の第１の基板及び第２の基板の開口部に通されていて、
接続線と第１の基板又は第２の基板は、第１の金属膜及
び第２の金属膜により強固に密着されて、第１の基板、
第２の基板、及び４枚の基板により内部に接着剤が封入
されている。また、請求項２に記載の接続端子では、温
度が上昇した場合、内部に封入されている接着剤は膨張
するが、接続線、第１の基板、第２の基板、第１の金属
膜、及び第２の金属膜は、それぞれの原子間距離及び熱
膨張係数が近いため、強固に密着されつつ、ほぼ同様に
膨張する。

【００１２】また、上記課題を解決するために、請求項
３に記載の接続端子は、請求項１に記載の接続端子にお
いて、接続線は、基板と同一の第１の基板及び第２の基
板の開口部に通されていて、第１の基板と第２の基板と
の間に第３の基板が挿入され、接続線が通された第３の
基板の開口部に、第１の金属膜が形成されていることを
特徴とする。

【００１３】即ち、請求項３に記載の接続端子は、請求
項１に記載の接続端子において、接続線は、基板と同一
の第１の基板及び第２の基板の開口部に通されていて、
接続線と第１の基板及び第２の基板は、開口部に形成さ
れた第１の金属膜により強固に密着され、内部に封入さ
れた第３の基板の開口部にも第１の金属膜が形成されて
接続線が通されており、接続線と第３の基板は、開口部
に形成された第１の金属膜により強固に密着されてい
る。また、請求項３に記載の接続端子では、温度が上昇
した場合、第１の基板、第２の基板、第３の基板、第１
の金属膜、及び第２の金属膜は、それぞれの原子間距離
及び熱膨張係数が近いため、強固に密着されつつ、ほぼ
同様に膨張する。

【００１４】また、上記課題を解決するために、請求項
４に記載の接続端子の製造方法は、電子部品と電子部品
とを接続する接続端子の製造方法であって、接続線を通
す基板の開口部に、接続線と基板の原子間距離及び熱膨
張係数に近い第１の金属膜を形成した後に、第１の金属
膜が形成された基板の開口部に接続線を通し、接続線が
通された基板の開口部近傍に第１の金属膜と同一の第２
の金属膜を形成することを特徴とする。

【００１５】即ち、請求項４に記載の接続端子の製造方
法は、接続線を通す基板の開口部に、接続線と基板の原
子間距離及び熱膨張係数に近い第１の金属膜を形成した
後に、第１の金属膜が形成された基板の開口部に接続線
を通し、接続線、基板、及び第１の金属膜を強固に密着
させる。そして、接続線が通された基板の開口部近傍に
第１の金属膜と同一の第２の金属膜を形成し、接続線、
基板、第１の金属膜、及び第２の金属膜を強固に密着さ
せる。また、請求項４に記載の接続端子の製造方法によ
り製造された接続端子は、温度が上昇しても、接続線、
基板、第１の金属膜、及び第２の金属膜は、原子間距離
及び熱膨張係数が近いため、強固に密着されつつ、ほぼ
同様に膨張する。

【００１６】また、上記課題を解決するために、請求項
５に記載の接続端子の製造方法は、請求項４に記載の接
続端子の製造方法において、接続線を基板の開口部に通
す際、基板上に後に除去可能な除去膜を形成し、除去膜
が基板よりも内側に残留されるように開口部を形成し、
開口部及び除去膜上に第１の金属膜を形成し、除去膜を
除去して開口部に接続線を通すことを特徴とする。

【００１７】即ち、請求項５に記載の接続端子の製造方
法は、請求項４に記載の接続端子の製造方法において、
接続線を基板の開口部に通す際、基板上に後に除去可能
な除去膜を形成した後、除去膜が基板よりも内側に残留
されるように開口部を形成する。そして、開口部及び除
去膜上に第１の金属膜を形成し、除去膜を除去して、開
口部近傍に第１の金属膜を残留させる。開口部近傍に残
留された第１の金属膜は、他の開口部近傍に残留された
第１の金属膜と隔離される。そして、接続線が通された
開口部近傍に第２の金属膜が形成され、形成された第２
の金属膜により、既に形成されている第１の金属膜及び
接続線の開口部近傍を密着させる。

【００１８】また、上記課題を解決するために、請求項
６に記載の接続端子の製造方法は、請求項５に記載の接
続端子の製造方法において、第１の金属膜が形成された
基板の開口部に接続線を通す際、基板と同一の工程によ
り形成された第１の基板及び第２の基板の開口部に接続
線を通した後に、第１の基板及び第２の基板並びに４枚
の板により形成される箱体の内部に接着剤を封入し、接
続線が通された第１の基板及び第２の基板の開口部近傍
に第２の金属膜を形成する。

【００１９】即ち、請求項６に記載の接続端子の製造方
法は、請求項５に記載の接続端子の製造方法において、
第１の金属膜が形成された基板の開口部に接続線を通す
際、基板と同一の工程により形成された第１の基板及び
第２の基板の開口部に接続線を通し、接続線、第１の基
板、第２の基板、及び第１の金属膜を強固に密着させ
る。そして、第１の基板、第２の基板、及び４枚の板に
より形成される箱体の内部に接着剤を封入する。その
後、接続線が通された第１の基板及び第２の基板の開口
部近傍に第２の金属膜を形成し、接続線、第１の基板、
第２の基板、第１の金属膜、及び第２の金属膜を強固に
密着させる。また、請求項６に記載の接続端子の製造方
法により製造された接続端子では、温度が上昇した場
合、接続線、第１の基板、第２の基板、第１の金属膜、
及び第２の金属膜は、強固に密着されつつ、ほぼ同様に
膨張する。

【００２０】また、上記課題を解決するために、請求項
７に記載の接続端子の製造方法は、請求項５に記載の接
続端子の製造方法において、第１の金属膜が形成された
基板の開口部に接続線を通す際、基板と同一の工程によ
り形成された第１の基板及び第２の基板とは異なる第３
の基板上に後に除去可能な除去膜を形成し、第３の基板
及び除去膜に同様な形状に開口部を形成し、開口部及び
除去膜上に第１の金属膜を形成し、除去膜を除去し、そ
の後、第１の基板及び第２の基板の間に第３の基板を挟
んで、第１の基板、第２の基板、及び第３の基板の開口
部に接続線を通すことを特徴とする。

【００２１】即ち、請求項７に記載の接続端子の製造方
法は、請求項５に記載の接続端子の製造方法において、
第１の金属膜が形成された基板の開口部に接続線を通す
際、第１の基板及び第２の基板とは異なる第３の基板上
に後に除去可能な膜を形成する。そして、第３の基板及
び除去膜に同様な形状に開口部を形成し、開口部及び除
去膜上に第１の金属膜を形成し、除去膜を除去し、第３
の基板の開口部内側に第１の金属膜を残留させ、接続
線、第３の基板、及び第１の金属膜を強固に密着させ
る。その後、第３の基板を第１の基板と第２の基板の間
に挟んで、第１の基板、第２の基板、及び第３の基板の
開口部に接続線を通し、第１の基板、第２の基板、第３
の基板、及び第１の金属膜が強固に密着される。さら
に、接続線が通されている第１の基板及び第２の基板の
開口部に、第２の金属膜を形成し、接続線、第１の基
板、第２の基板、第１の金属膜、及び第２の金属膜が強
固に密着される。また、請求項７に記載の接続端子の製
造方法により製造された接続端子では、温度が上昇した
場合、接続線、第１の基板、第２の基板、第３の基板、
第１の金属膜、及び第２の金属膜は、強固に密着されつ
つ、ほぼ同様に膨張する。

【００２２】また、上記課題を解決するために、請求項
８に記載の接続端子の製造方法は、請求項５乃至請求項
７に記載の接続端子の製造方法において、開口部及び後
に除去可能な除去膜上に第１の金属膜を形成する際、開
口部及び除去膜上に第１の金属膜を蒸着させ、蒸着させ
た第１の金属膜をイオンビームでスパッタすることを特
徴とする。

【００２３】即ち、請求項８に記載の接続端子の製造方
法は、請求項５に記載の接続端子の製造方法において、
開口部及び除去膜上に第１の金属膜を形成する際、開口
部及び除去膜上に第１の金属膜を蒸着させ、蒸着させた
第１の金属膜をイオンビームでスパッタし、開口部及び
除去膜上に第１の金属膜を強固に密着させる。そして、
除去膜を除去し、基板の開口部近傍にのみ強固に密着さ
れた第１の金属膜を残留させる。

【００２４】また、請求項８に記載の接続端子の製造方
法は、請求項６に記載の接続端子の製造方法において、
除去膜が第１の基板及び第２の基板よりも内側に残留さ
れるように形成された開口部及び除去膜上に第１の金属
膜を蒸着させ、蒸着させた第１の金属膜をイオンビーム
でスパッタし、開口部及び除去膜上に第１の金属膜を強
固に密着させる。そして、除去膜を除去し、第１の基板
及び第２の基板の開口部近傍にのみ強固に密着された第
１の金属膜を残留させる。その後、第１の基板及び第２
の基板の開口部に接続線が通され、接続線、第１の基
板、第２の基板、及び第１の金属膜が強固に密着され
る。

【００２５】また、請求項８に記載の接続端子の製造方
法は、請求項７に記載の接続端子の製造方法において、
第３の基板及び除去膜に同様な形状に形成された開口部
及び除去膜上に第１の金属膜を蒸着させ、蒸着させた第
１の金属膜をイオンビームでスパッタし、開口部及び除
去膜上に第１の金属膜を強固に密着させる。そして、除
去膜を除去し、第３の基板の開口部内側にのみ強固に密
着された第１の金属膜を残留させる。その後、開口部内
側に第１の金属膜が形成された第３の基板が、第１の基
板及び第２の基板に挟まれ、第１の基板及び第２の基板
並びに第３の基板の開口部に接続線が通され、接続線、
第１の基板、第２の基板、第３の基板、及び第１の金属
膜が強固に密着される。

【００２６】また、上記課題を解決するために、請求項
９に記載の接続端子は、電子部品と電子部品とを接続す
る接続端子であって、接続線が通されている基板の開口
部に、接続線と基板の原子間距離及び熱膨張係数に近い
第１の金属膜が形成され、接続線が通された基板の開口
部近傍に第１の金属膜と同一の第２の金属膜が形成され
ている接続端子の外部がエポキシ系樹脂で覆われ、接続
端子の外部にフランジが装着されていることを特徴とす
る。

【００２７】即ち、請求項９に記載の接続端子は、外部
がエポキシ系樹脂で覆われ、さらに、その外部にフラン
ジが装着されている接続端子の接続線が通されている基
板の開口部に、接続線及び基板の原子間距離及び熱膨張
係数に近い第１の金属膜が形成され、接続線と基板が、
開口部に形成された第１の金属膜により強固に密着され
ている。さらに、接続線が通された開口部近傍に第１の
金属膜と同一の第２の金属膜が形成されており、接続線
と基板が、第１の金属膜及び第２の金属膜により強固に
密着されている。また、請求項９に記載の接続端子で
は、温度が上昇した場合、接続線、基板、第１の金属
膜、及び第２の金属膜は、それぞれの原子間距離及び熱
膨張係数が近いため、強固に密着されつつ、ほぼ同様に
膨張する。従って、請求項９に記載の接続端子では、超
高真空中においても、接続線、基板、第１の金属膜、及
び第２の金属膜は、強固に密着される。

【００２８】また、上記課題を解決するために、請求項
１０に記載の接続端子の製造方法は、電子部品と電子部
品とを接続する接続端子の製造方法であって、接続線を
通す基板の開口部に、接続線と基板の原子間距離及び熱
膨張係数に近い第１の金属膜を形成した後に、第１の金
属膜が形成された基板の開口部に接続線を通し、接続線
が通された基板の開口部近傍に第１の金属膜と同一の第
２の金属膜を形成して製造された端子の外部をエポキシ
系樹脂で覆い、さらに、接続端子の外部にフランジを装
着することを特徴とする。

【００２９】即ち、請求項１０に記載の接続端子の製造
方法は、接続線を通す基板の開口部に、接続線と基板の
原子間距離及び熱膨張係数に近い第１の金属膜を形成し
た後に、第１の金属膜が形成された基板の開口部に接続
線を通し、接続線、基板、及び第１の金属膜を強固に密
着させる。そして、接続線が通された基板の開口部近傍
に第１の金属膜と同一の第２の金属膜を形成し、接続
線、基板、第１の金属膜、及び第２の金属膜を強固に密
着させる。このようにして製造された接続端子の外部を
エポキシ系樹脂で覆い、さらに、その外部にフランジを
装着する。製造された接続端子は、温度が上昇しても、
接続線、基板、第１の金属膜、及び第２の金属膜は、原
子間距離及び熱膨張係数が近いため、強固に密着されつ
つ、ほぼ同様に膨張する。従って、請求項１０に記載の
接続端子の製造方法により製造された接続端子では、超
高真空中においても、接続線、基板、第１の金属膜、及
び第２の金属膜は、強固に密着される。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態のコネ
クタの構造について、添付の図面を用いて説明する。図
１は本実施の形態のコネクタの構造を示す斜視図であ
り、図２は図１のＡ−Ａ’線での断面図である。

【００３１】本実施の形態の接続端子であるコネクタ１
は、図１では省略しているが、セラミックス板１１及び
セラミックス板１１’に約８０本程度のリード線１４が
通されている。このリード線１４は、タングステンから
形成されている。そして、セラミックス板２１、セラミ
ックス板２２、セラミックス板２３、及びセラミックス
板２４により箱体が形成され、内部に接着剤１５が封入
されて、リード線１４が固定されている。リード線１４
が通されているセラミックス板１１及びセラミックス板
１１’の近傍には、それぞれ銅膜１３ａ及び銅膜１３’
ａが形成され、さらに銅メッキ１６が形成されている。

【００３２】その詳細な断面構造は、図２に示されてお
り、セラッミクス板１１の開口部３３及びセラミックス
板１１’の開口部３３’と、開口部３３及び開口部３
３’に通されたリード線１４との間が、それぞれ銅膜１
３ａ及び銅膜１３’ａにより挟まれた構造となってお
り、セラミックス板１１及びセラミックス板１１’の外
側で、開口部３３及び開口部３３’のリード線１４の近
傍の銅膜１３ａ及び銅膜１３’ａの上部には、銅メッキ
１６が形成され、リード線１４が通されたセラミックス
板１１，１１’の開口部３３，３３’の近傍が銅膜１
３，１３’ａ、及び銅メッキ１６により覆われた構造と
なっている。以下、セラミックス板１１，１１’のこと
をセラミックス基板１１，１１’とも称する。

【００３３】次に、本実施の形態のコネクタ１の製造方
法について、図３及び図４を用いて説明する。まず、図
３（ａ）に示すように、セラミックス基板１１上にペン
キ層１２が塗布される。

【００３４】次に、図３（ｂ）に示すように、ペンキ層
１２上から矢印に示すようにエキシマレーザが照射さ
れ、ペンキ層１２及びセラミックス基板１１に開口部３
１が形成される。形成された開口部３１の形状は、ペン
キ層１２が、セラミックス基板１１よりも内側に小さく
形成され、ペンキ層１２とセラミックス基板１１とで階
段状の形状になるようにする。

【００３５】そして、図３（ｃ）に示すように、銅膜１
３をイオンビーム支援型真空蒸着IBAD(Ion Beam Assist
ed Deposition)法により、開口部３１の形状に沿って膜
厚が均一になるように蒸着させる。IBAD法とは、銅分子
をセラミックス基板１１及びペンキ層１２に蒸着させた
後に、イオンビームでスパッタして、セラミックス基板
１１及びペンキ層１２に、銅分子をめり込ませて密着さ
せる蒸着法である。

【００３６】その詳細は、図５に示すように、真空炉６
０の下方に設置された、銅溶液を蓄えたるつぼ６１がヒ
ータ６２により加熱されて銅分子が蒸発され、蒸発され
た銅分子が、真空炉６０の上方に設置されている、セラ
ミックス基板１１及びペンキ層１２に蒸着される。そし
て、ビームガン６３によりイオンビームが発射され、発
射されたイオンビームが加速電極６４により加速され
て、セラミックス基板１１及びペンキ層１２に蒸着され
ている銅分子がスパッタされ、銅分子がセラミックス基
板１１及びペンキ層１２にめり込まされて密着される。
そのため、蒸着された銅膜１３は、セラミックス基板１
１及びペンキ層１２に強固に密着されて形成される。

【００３７】次いで、図３（ｄ）に示すように、ペンキ
層１２がシンナーなどの溶剤により溶解される。このと
き、ペンキ層１２の上部に形成されている銅膜１３は、
IBAD法により蒸着されており、ペンキ層１２に強固に形
成されているため、ペンキ層１２が溶解されるときに同
時に剥離され、開口部３３の内側及びセラミックス基板
１１の開口部３３近傍にのみ銅膜１３ａが残留される。
このとき、絶縁性を保つため、セラミックス基板１１の
開口部３３の近傍だけに銅膜１３ａが形成された状態と
なるようにし、他の開口部３３の近傍に蒸着させられた
銅膜１３ａと隔離されていることを確認する。この状態
のセラミックス基板１１及び銅膜１３ａを合わせたもの
を、便宜上、第１の中間部材４０と称することにする。

【００３８】そして、図４（ａ）に示すように、第１の
中間部材４０の開口部３３と、この第１の中間部材４０
と同様の方法で形成された他の第１の中間部材４０’の
開口部３３’にリード線１４が通される。なお、他の第
１の中間部材４０’の開口部３１’と開口部３２’の形
成過程は省略されているが、第１の中間部材４０の場合
と同様である。

【００３９】次いで、図４（ｂ）に示すように、セラミ
ックス板２１がセラミックス基板１１及びセラミックス
基板１１’に、右側（図４（ｂ）中では）から取り付け
られた後に、内部に接着剤１５が注入され、その後、セ
ラミック板２２が左側（図４（ｂ）中では）から取り付
けられる。さらに、図４（ｂ）では不図示のセラミック
ス板２３及びセラミックス板２４が、前後から取り付け
られ、第２の中間部材５０が組み立てられる。

【００４０】そして、図４（ｃ）に示すように、第２の
中間部材５０の銅膜１３ａ上及び開口部３３近傍のリ−
ド線１４側部、並びに銅膜１３’ａ上及び開口部３３’
近傍のリ−ド線１４側部に銅メッキ１６が形成される。

【００４１】最後に、リード線１４の切断及び研磨など
が行われ、図１に示したコネクタ１が完成される。な
お、コネクタ１の用途に応じて、リード線１４の折り曲
げなどの各種変形は可能である。また、リード線１４の
本数も用途に応じて変更可能である。

【００４２】以上のように、本実施の形態のコネクタ１
の製造方法によれば、セラミックス基板１１の開口部３
２に、銅膜１３ａを蒸着させて、リード線１４を通し、
銅膜１３ａ上及び開口部３３近傍のリード線１４側部に
銅メッキ１６を形成し、セラミックス基板１１、リード
線１４、及び銅膜１３ａと銅メッキ１６の材料に原子間
距離及び熱膨張係数に近い材料を用いた（セラミック
ス、タングステン、及び銅の原子間距離は、それぞれ約
３Å, セラミックス、タングステン、及び銅の熱膨張係
数は約〜10^-6/ ℃）ので、セラミックス基板１１、リー
ド線１４、及び銅膜１３ａと銅メッキ１６の密着度を向
上することができ、コネクタ１の気密性を高くすること
ができる。

【００４３】また、セラミックス基板１１及びペンキ層
１２に銅膜１３ａを蒸着させる際、IBAD法により蒸着さ
せるため、銅膜１３ａは、セラミックス基板１１に強固
に密着させて形成させることができ、銅膜１３ａの剥離
を抑止することができ、コネクタ１の気密性をさらに向
上することができる。

【００４４】さらに、ペンキ層１２上部に銅膜１３が強
固に蒸着されているため、ペンキ層１２を溶解する際、
ペンキ層１２上部に蒸着させられた銅膜１３も除去する
ことができ、銅膜１３ａを開口部３３近傍にのみ残留さ
せることができ、他の開口部の銅膜と隔離することがで
きるため、ショ−トを防止することができる。

【００４５】このように構成されたコネクタ１は、超高
真空の高温時に内部の接着剤１５でガスが発生しないの
で、コネクタ１外部へのガスの発生がなく、液晶などに
悪影響を与えない。

【００４６】なお、以上においては、コネクタ１は、セ
ラミックス基板１１，１１’の外側にのみ銅膜１３ａ，
１３’ａを形成したが、セラミックス基板１１，１１’
の両側に銅膜を形成すれば、さらにコネクタ１の気密性
を向上することができる。

【００４７】また、以上においては、コネクタ１は、セ
ラミックス基板１１，１１’、セラミックス板２１，２
２，２３，２４により囲むような構造としたが、構造の
各種変形は可能であり、例えば、全てを球形若しくは一
枚の板を変形させた形状の板で囲むようにして、内部に
接着剤１５を封入する構造としてもよい。

【００４８】図６は、本実施の形態のコネクタの他の構
造を示す斜視図であり、図７は、図６のＢ−Ｂ’線での
断面図である。図６のコネクタ７０は、図１のコネクタ
１において、セラミックス板２３，２４を取り除いて、
セラミックス基板１１，１１’の間にセラミックス板７
１−１，７１−２，７１−３，７１−４の隙間が接着剤
１５により接着されて積層された構造となっている。

【００４９】そして、セラミックス基板１１，１１’及
びセラミックス板７１−１，７１−２，７１−３，７１
−４に開口部が形成され、その開口部にリード線１４が
通されている。そして、図１のコネクタ１と同様に、セ
ラミックス基板１１，１１’のリード線１４が通されて
いる開口部近傍に銅膜１３ａ，１３’ａ及び銅メッキ１
６が形成されている。

【００５０】その断面構造は、図７に示されており、セ
ラミックス板７１−１，７１−２，７１−３，７１−４
のリード線１４が通されている開口部９３−１，９３−
２，９３−３，９３−４にも、銅膜７３ａ−１，７３ａ
−２，７３ａ−３，７３ａ−４がそれぞれ形成されてい
る。

【００５１】このコネクタ７０の製造方法は、図８及び
図９に示されており、図８はセラミックス板７１−１乃
至７１−４の製造方法を示す断面図であり、図９はその
後の、コネクタ７０の製造方法を示す断面図である。以
下、セラミックス板７１−１乃至７１−４を特に区別す
る必要のない場合、セラミックス板７１と称し、セラミ
ックス板７１のことをセラミックス基板７１とも称す
る。

【００５２】図１のコネクタ１のセラミックス基板１
１，１１’と同様に、まず、図８（ａ）に示すように、
セラミックス基板７１上にペンキ層７２が塗布される。
次に、図８（ｂ）に示すように、図８（ａ）のように形
成されたセラミックス基板７１及びペンキ層７２に、点
線で示されるようにエキシマレーザが照射され、開口部
９１が形成される。この開口部９１は、コネクタ１の開
口部３１と異なり、セラミックス基板７１及びペンキ層
７２に同様な形状となるように形成される。

【００５３】そして、図８（ｃ）に示すように、セラミ
ックス基板７１とペンキ層７２の開口部９１及びペンキ
層７２上に銅膜７３がIBAD法により蒸着され、セラミッ
クス基板７１及びペンキ層７２に強固に密着される。

【００５４】次いで、図８（ｄ）に示すように、ペンキ
層７２がシンナ−などの溶剤により溶解される。ペンキ
層７２に蒸着されている銅膜７３は、ペンキ層７２に強
固に密着しているため、ペンキ層７２が溶解される際、
同時に剥離され、セラミックス基板７１の開口部９３内
側にのみ、銅膜７３ａが蒸着された状態となる。このと
きのセラミックス基板７１を便宜上、第１の中間部材１
００と称する。

【００５５】そして、図９（ａ）に示すように、図１の
コネクタ１と同様の製造方法により形成された第１の中
間部材４０，４０’（セラミックス基板１１，１１’）
の間に、上述した製造方法により形成された第１の中間
部材１００−１，１００−２，１００−３，１００−４
の隙間が接着剤１５により接着されつつ積層される。

【００５６】次いで、図９（ｂ）に示すように、図中右
側及び左側からセラミックス板２１，２２が取り付けら
れ、第２の中間部材１１０が形成される。最後に、図１
のコネクタ１と同様に、第２の中間部材１１０のセラミ
ック板１１，１１’のリード線１４が通されている開口
部３３，３３’及び銅膜１３ａ，１３ａ’上に銅メッキ
１６が形成され、図７に示すコネクタ７０が完成する。
なお、図９（ｂ）に示すようなセラミックス板２１，２
２を取り付けずに、セラミックス基板１１，１１’のリ
ード線１４が通されている開口部及び銅膜１３ａ，１３
ａ’上に銅メッキ１６を形成して、コネクタを完成させ
てもよい。

【００５７】以上のように、図７のコネクタ７０によれ
ば、セラミックス基板１１，１１’の間に接着剤１５を
封入せずに、セラミックス基板７１を積層したので、接
着剤１５の使用料を減少することができ、コネクタ７０
の内部と外部の気圧差があっても、接着剤１５の外部へ
の漏れ出し、セラミックス基板１１，１１’，７１での
クラックの発生を防止することができる。

【００５８】また、コネクタ７０の温度が上昇しても、
コネクタ７０の内部での接着剤１５の使用料を減少し、
セラミックス板７１という固体を使用したので、温度変
化による、コネクタ７０内部の変化を防止することがで
き、接着剤１５から発生するガスの外部への漏れ出し、
接着剤１５の外部への移動に伴うセラミックス板でのク
ラックの発生、さらに外部へのガスの漏れ出しを回避す
ることができる。

【００５９】従って、本実施の形態のコネクタ１，７０
を各種電子機器に搭載しても、コネクタ１，７０を構成
するセラミックス基板１１のクラックの発生及びコネク
タ１，７０内部に封入又は接着されている接着剤１５の
漏れ出しなどを防止することができ、各種電子機器に搭
載された各部品に悪影響を及ぼすことがない。

【００６０】また、コネクタ１，７０を装着した電子機
器の温度が上昇しても、コネクタ１，７０を構成するセ
ラミックス基板１１，７１でのクラック、コネクタ１，
７１内部に封入又は接着されている接着剤１５の漏れ出
し、及びコネクタ１，７０内部からのガスの発生を抑止
することができ、コネクタ１，７０の気密性を維持する
ことができる。

【００６１】ここで、図１０に示すように、本実施の形
態のコネクタ１，７０を液晶表示装置１２０に搭載し、
温度を約３５０℃程度に上昇させてみて、本実施の形態
のコネクタ１，７０の気密性が向上しているかどうかに
ついて確かめた。図１０は、本実施の形態のコネクタ
１，７０が搭載された液晶表示装置１２０の上部を開け
て示しており、液晶パネル１２１の側部に搭載された液
晶駆動用IC１２２がリード線１４によりコネクタ１，７
０に接続され、さらにコネクタ１，７０からリード線１
４が液晶パネル１２１の外部に延び出している様子を示
している。

【００６２】このような液晶表示装置１２０で、温度を
約３５０度に上昇させてみても、本実施の形態のコネク
タ１，７０には、クラックが生じず、接着剤１５の外部
への漏れ出し、コネクタ１，７０の外部へのガスの発生
もなく、コネクタ１，７０の気密性が向上していること
がわかった。

【００６３】本実施の形態のコネクタ１，７０は、上述
した液晶表示装置１２０のみならず、パーソナルコンピ
ュータなどの各種電子機器に用いられるコネクタに使用
することが可能であり、電子機器内部の温度が上昇して
も、コネクタの気密性を保ち、電子機器内部の各部品に
悪影響を与えることはない。

【００６４】図１１は、本実施の形態のコネクタ１，７
０をエポキシ系樹脂１３２で覆い、フランジ１３１に装
着した接続端子１３０を示している。図１２は、この接
続端子１３０を真空炉１４０の開口部１４１との間に、
気密性を保つためＯリング１４２を装着し、ネジ穴１３
３にネジ１４３を通して取り付けた様子を示している。
接続端子１３０は、リード線１４により真空炉１４０内
部の電子部品と、外部の電子機器とを接続している。

【００６５】図１２のように、接続端子１３０を真空炉
１４０等に搭載し、外部の電子機器の接続に用いても、
真空炉１４０内が超高真空にもかかわらず、コネクタ
１，７０からの接着剤１５の漏れ出し、及びセラミック
ス基板１，７１でのクラックの発生は起こらず、コネク
タ１，７０の気密性が向上していることが分かった。

【００６６】

【発明の効果】以上のように、請求項１に記載の接続端
子によれば、接続線が通されている基板の開口部に、接
続線と基板の原子間距離及び熱膨張係数に近い第１の金
属膜が形成され、接続線が通された基板の開口部近傍に
第１の金属膜と同一の第２の金属膜が形成され、接続
線、基板、第１の金属膜、及び第２の金属膜が強固に密
着されているため、接続端子の気密性を高めることがで
き、接続端子の内部と外部の気圧差があったとしても、
基板でのクラックの発生を防止することができる。ま
た、請求項１に記載の接続端子の温度が上昇しても、接
続線、基板、第１の金属膜、及び第２の金属膜は、それ
ぞれの原子間距離及び熱膨張係数が近く、強固に密着さ
れつつ、ほぼ同様に膨張するため、接続端子の気密性を
維持することができ、接続端子の内部と外部の気圧差が
大きくなったとしても、基板でのクラックの発生を防止
することができる。

【００６７】また、請求項２に記載の接続端子によれ
ば、請求項１に記載の接続端子において、接続線が第１
の基板及び第２の基板の第１の金属が形成されている開
口部に通され、接続線、第１の基板、第２の基板、第１
の金属膜、及び第２の金属膜が強固に密着されているた
め、内部に接着剤が封入されていても、接続端子の気密
性を高めることができ、接続端子の内部と外部の気圧差
が大きくなったとしても、基板でのクラックの発生、内
部に封入されている接着剤の外部への漏れ出し、及び接
続端子の外部へのガスの発生を防止することができる。
また、請求項１に記載の接続端子の温度が上昇しても、
内部に封入されている接着剤は膨張するが、接続線、第
１の基板、第２の基板、第１の金属膜、及び第２の金属
膜は、それぞれの原子間距離及び熱膨張係数が近く、強
固に密着されつつ、ほぼ同様に膨張するため、接続端子
の気密性を維持することができ、接続端子の内部と外部
の気圧差が大きくなったとしても、基板でのクラックの
発生、内部に封入されている接着剤の外部への漏れ出
し、及び接続端子の外部へのガスの発生を防止すること
ができる。

【００６８】また、請求項３に記載の接続端子によれ
ば、請求項１に記載の接続端子において、第１の基板及
び第２の基板の内部に第３の基板が挿入され、第３の基
板の開口部に第１の金属膜が形成されて接続線が通さ
れ、接続線、第３の基板、及び第１の金属膜が強固に密
着され、さらに第１の基板及び第２の基板の開口部に第
１の金属膜が形成されて接続線が通され、接続線が通さ
れた第１の基板及び第２の基板の開口部近傍に第２の金
属膜が形成され、接続線、第１の基板、第２の基板、第
１の金属膜、及び第２の金属膜が強固に密着されている
ので、接続端子の気密性を高めることができ、接続端子
の内部と外部の気圧差が大きくなったとしても、基板で
のクラックの発生、接続端子の外部へのガスの発生を防
止することができる。また、請求項３に記載の接続端子
の温度が上昇しても、挿入された第３の基板は、接続
線、第１の基板、第２の基板、第１の金属膜、及び第２
の金属膜の原子間距離及び熱膨張係数に近く、強固に密
着されつつ、ほぼ同様に膨張するため、接続端子の気密
性を維持することができ、接続端子の内部と外部の気圧
差が大きくなったとしても、基板でのクラックの発生、
及び接続端子の外部へのガスの発生を防止することがで
きる。

【００６９】従って、請求項１乃至請求項３に記載の接
続端子を電子機器に搭載すれば、温度が上昇し、接続端
子の内部と外部との気圧差が大きくなったとしても、接
続端子の気密性を維持することができ、基板でのクラッ
クの発生、及び接続端子の外部へのガスの発生を防止す
ることができるため、電子機器に搭載されている各部品
に悪影響を与えることがない。

【００７０】また、請求項４に記載の接続端子の製造方
法によれば、接続線を通す基板の開口部に、接続線と基
板の原子間距離及び熱膨張係数に近い第１の金属膜を形
成し、接続線、基板、及び第１の金属膜を強固に密着さ
せ、接続線が通された基板の開口部近傍に第１の金属膜
と同一の第２の金属膜を形成し、接続線、基板、第１の
金属膜、及び第２の金属膜を強固に密着させるため、接
続端子の気密性を高めることができ、接続端子の内部と
外部の気圧差があったとしても、基板でのクラックの発
生を防止することができる。また、請求項４に記載の接
続端子の製造方法により製造された接続端子の温度が上
昇しても、接続線、基板、第１の金属膜、及び第２の金
属膜は、原子間距離及び熱膨張係数が近く、強固に密着
されつつ、ほぼ同様に膨張するため、接続端子の気密性
を維持することができ、接続端子の内部と外部の気圧差
が大きくなったとしても、基板でのクラックの発生を防
止することができる。

【００７１】また、請求項５に記載のコネクタの製造方
法によれば、請求項４に記載の接続端子の製造方法にお
いて、除去膜が基板よりも内側に残留されるように開口
部を形成し、第１の金属膜を開口部近傍に残留させるの
で、他の開口部近傍に残留された第１の金属膜と隔離さ
れ、接続端子でのショートを防止することができる。

【００７２】また、請求項６に記載の接続端子の製造方
法によれば、請求項５に記載の接続端子の製造方法にお
いて、基板と同一の工程により形成された第１の基板と
第２の基板の開口部に第１の金属を形成して接続線を通
し、接続線、第１の基板、第２の基板、及び第１の金属
膜を強固に密着させるので、接続端子の気密性を高める
ことができ、内部に封入された接着剤の接続端子の外部
への漏れ出し、及び基板でのクラックの発生を防止する
ことができる。また、請求項６に記載の接続端子の製造
方法により製造された接続端子の温度が上昇しても、接
続線、第１の基板、第２の基板、第１の金属膜、及び第
２の金属膜が強固に密着されつつ、ほぼ同様に膨張する
ため、接続端子の気密性を維持することができ、内部に
封入された接着剤の接続端子の外部への漏れ出し、及び
接続端子の外部へのガスの発生を防止することができ
る。

【００７３】また、請求項６に記載の接続端子の製造方
法によれば、請求項５に記載の接続端子の製造方法にお
いて、基板と同一の工程で形成された第１の基板及び第
２の基板の間に、第３の基板を挟み、第３の基板の開口
部に第１の金属膜を形成して接続線を通し、接続線、第
１の基板、第２の基板、第３の基板、第１の金属膜、及
び第２の金属膜を強固に密着させるので、接続端子の気
密性を高めることができ、接続端子の内部と外部の気圧
差があったとしても、基板でのクラックの発生を防止す
ることができる。また、請求項６に記載の接続端子の製
造方法により製造された接続端子の温度が上昇しても、
第３の基板は、第１の基板、第２の基板、接続線、第１
の金属膜と強固に密着されつつ、ほぼ同様に膨張するの
で、接続端子の気密性を維持することができ、接続端子
の内部と外部の気圧差があったとして、基板でのクラッ
クの発生を防止することができ、接続端子の外部へのガ
スの発生がない。

【００７４】また、請求項８に記載の接続端子の製造方
法によれば、請求項５又は請求項６に記載の接続端子の
製造方法において、開口部及び除去膜上に第１の金属膜
を形成する際、開口部及び除去膜上に第１の金属膜を蒸
着させ、蒸着させた第１の金属膜をイオンビームでスパ
ッタし、開口部近傍にのみ強固に密着された第１の金属
膜を残留させるので、製造された接続端子の気密性をさ
らに向上することができる。

【００７５】また、請求項８に記載の接続端子の製造方
法によれば、請求項７に記載の接続端子の製造方法にお
いて、第３の基板及び除去膜に同様に形成された開口部
及び除去膜上に第１の金属膜を蒸着させ、蒸着させた第
１の金属膜をイオンビームでスパッタし、第３の基板の
開口部内側にのみ強固に密着された第１の金属膜を残留
させるので、製造された接続端子の気密性をさらに向上
することができる。

【００７６】また、請求項９に記載の接続端子及び請求
項１０に記載の接続端子の製造方法によれば、外部がエ
ポキシ系樹脂で覆われ、さらに、その外部がフランジに
装着されている接続端子の接続線を通す基板の開口部
に、接続線と基板の原子間距離及び熱膨張係数に近い第
１の金属膜を形成し、接続線、基板、及び第１の金属膜
を強固に密着させ、接続線が通された基板の開口部近傍
に第１の金属膜と同一の第２の金属膜を形成し、接続
線、基板、第１の金属膜、及び第２の金属膜を強固に密
着させるため、接続端子の気密性を高めることができ、
接続端子の内部と外部の気圧差が大きくなったとして
も、基板でのクラックの発生、及び接続端子の外部への
ガスの発生を防止することができる。また、請求項９に
記載の接続端子及び請求項１０に記載の接続端子の製造
方法により製造された接続端子の温度が上昇しても、接
続線、基板、第１の金属膜、及び第２の金属膜は、原子
間距離及び熱膨張係数が近く、強固に密着されつつ、ほ
ぼ同様に膨張するため、接続端子の気密性を維持するこ
とができ、接続端子の内部と外部の気圧差が大きくなっ
たとしても、基板でのクラックの発生、及び接続端子の
外部へのガスの発生などを防止することができる。

【００７７】従って、請求項９に記載の接続端子及び請
求項１０に記載の接続端子の製造方法により製造された
接続端子を真空炉に装着しても、接続端子の気密性を維
持することができ、基板でのクラックの発生、接続端子
の外部へのガスの発生などを防止することができ、真空
炉内の電子部品に悪影響を与えることがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態のコネクタ１の構造を示す
斜視図である。

【図２】図１のコネクタ１のＡ−Ａ’線での断面図であ
る。

【図３】本発明の実施の形態のコネクタ１の製造方法の
工程を示す断面図である。

【図４】本発明の実施の形態のコネクタ１の製造方法の
工程を示す断面図である。

【図５】本発明の実施の形態のコネクタ１の製造方法で
使用される真空炉６０を示す図である。

【図６】本発明の実施の形態の他の構造を有するコネク
タ７０の構造を示す斜視図である。

【図７】図６のコネクタ７０のＢ−Ｂ’線での断面図で
ある。

【図８】本発明の実施の形態のコネクタ７０のセラミッ
クス基板７１の製造方法の工程を説明する断面図であ
る。

【図９】本発明の実施の形態のコネクタ７０の製造方法
の工程を示す断面図である。

【図１０】本発明の実施の形態のコネクタ１，７０を液
晶表示装置１２０に搭載した例を示す斜視図である。

【図１１】本発明の実施の形態のコネクタ１，７０を用
いて接続端子１３０を製造した例を示す正面図である。

【図１２】図１１の接続端子１３０を真空炉１４０に搭
載した例を示す断面図である。

【図１３】図１３（ａ）は従来のコネクタ２０１の構造
を示す断面図であり、図１３（ｂ）は従来のコネクタ２
０１のクラック２３１の発生を説明する断面図である。

【符号の説明】

１，７０コネクタ１１, １１’，７１セラミックス基板（板）２１, ２２，２３，２４セラミックス板１２，７２ペンキ層１３，１３ａ，１３’，１３’ａ，７３，７３ａ銅膜１４リード線１５接着剤１６銅メッキ３１，３１’，３２，３２’，３３，３３’，９１，９
２，９３開口部４０，１００第１の中間部材５０，１１０第２の中間部材６０真空炉６１るつぼ６２ヒータ６３ビームガン６４加速電極１２０液晶表示装置１２１液晶パネル１２２液晶駆動用IC １３０接続端子１３１フランジ１３２エポキシ系樹脂１３３ネジ穴１４０真空炉１４１開口部１４２Ｏリング１４３ネジ２０１コネクタ２１１，２１１’，２２１，２２２セラミックス板２１４リード線２１５接着剤２３１クラック

フロントページの続き (72)発明者山田義和東京都西多摩郡瑞穂町高根651−６東成エレクトロビーム株式会社内 (72)発明者田中康仁東京都西多摩郡瑞穂町高根651−６東成エレクトロビーム株式会社内Ｆターム(参考） 5E023 AA04 AA29 BB03 BB22 CC02 CC22 EE36 FF20 GG02 GG11 HH16 HH25 5E077 BB01 BB31 CC02 DD19 GG29 JJ30

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子部品と電子部品とを接続する接続端
子であって、接続線が通されている基板の開口部に、前記接続線と前
記基板の原子間距離及び熱膨張係数に近い第１の金属膜
が形成され、前記接続線が通された前記基板の開口部近
傍に前記第１の金属膜と同一の第２の金属膜が形成され
ていることを特徴とする接続端子。
【請求項２】前記接続線は、前記基板と同一の第１の
基板及び第２の基板の開口部に通されていて、前記第１の基板、前記第２の基板、及び４枚の板により
箱体が形成され、内部に接着剤が封入されていることを
特徴とする請求項１に記載の接続端子。
【請求項３】前記接続線は、前記基板と同一の第１の
基板及び第２の基板の開口部に通されていて、前記第１の基板と前記第２の基板との間に第３の基板が
挿入され、前記接続線が通された前記第３の基板の開口
部に、前記第１の金属膜が形成されていることを特徴と
する請求項１に記載の接続端子。
【請求項４】電子部品と電子部品とを接続する接続端
子の製造方法であって、接続線を通す基板の開口部に、前記接続線と前記基板の
原子間距離及び熱膨張係数に近い第１の金属膜を形成し
た後に、前記第１の金属膜が形成された基板の開口部に
前記接続線を通し、前記接続線が通された基板の開口部
近傍に前記第１の金属膜と同一の第２の金属膜を形成す
ることを特徴とする接続端子の製造方法。
【請求項５】前記接続線を基板の開口部に通す際、前
記基板上に後に除去可能な除去膜を形成し、前記除去膜
が前記基板よりも内側に残留されるように開口部を形成
し、該開口部及び前記除去膜上に前記第１の金属膜を形
成し、前記除去膜を除去して前記開口部に前記接続線を
通すことを特徴とする請求項４に記載の接続端子の製造
方法。
【請求項６】前記第１の金属膜が形成された基板の開
口部に前記接続線を通す際、前記基板と同一の工程によ
り形成された第１の基板及び第２の基板の開口部に前記
接続線を通し、前記第１の基板及び前記第２の基板並び
に４枚の板により形成される箱体の内部に接着剤を封入
し、前記接続線が通された前記第１の基板及び前記第２
の基板の開口部近傍に前記第２の金属膜を形成すること
を特徴とする請求項５に記載の接続端子の製造方法。
【請求項７】前記第１の金属膜が形成された基板の開
口部に前記接続線を通す際、前記基板と同一の工程によ
り形成された第１の基板及び第２の基板とは異なる第３
の基板上に後に除去可能な除去膜を形成し、前記第３の
基板及び前記除去膜に同様な形状に開口部を形成し、該
開口部及び前記除去膜上に前記第１の金属膜を形成し、
前記除去膜を除去し、その後、前記第１の基板及び前記第２の基板の間に前記
第３の基板を挟んで、前記第１の基板、前記第２の基
板、及び前記第３の基板の開口部に前記接続線を通すこ
とを特徴とする請求項５に記載の接続端子の製造方法。
【請求項８】前記開口部及び前記除去膜上に前記第１
の金属膜を形成する際、前記開口部及び前記除去膜上に
前記第１の金属膜を蒸着させ、前記蒸着させた第１の金
属膜をイオンビームでスパッタすることを特徴とする請
求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の接続端子の
製造方法。
【請求項９】電子部品と電子部品とを接続する接続端
子であって、接続線が通されている基板の開口部に、前記接続線と前
記基板の原子間距離及び熱膨張係数に近い第１の金属膜
が形成され、前記接続線が通された前記基板の開口部近
傍に前記第１の金属膜と同一の第２の金属膜が形成され
ている接続端子の外部がエポキシ系樹脂で覆われ、前記
接続端子の外部にフランジが装着されていることを特徴
とする接続端子。
【請求項１０】電子部品と電子部品とを接続する接続
端子の製造方法であって、接続線を通す基板の開口部に、前記接続線と前記基板の
原子間距離及び熱膨張係数に近い第１の金属膜を形成し
た後に、前記第１の金属膜が形成された基板の開口部に
前記接続線を通し、前記接続線が通された基板の開口部
近傍に前記第１の金属膜と同一の第２の金属膜を形成し
て製造された接続端子の外部をエポキシ系樹脂で覆い、
さらに、前記接続端子の外部にフランジを装着すること
を特徴とする接続端子の製造方法。