JP2017226111A - Laminate, see-through electrode, touch panel and display device having touch position detection function - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、可撓性を有する積層体および透視性電極に関する。また本発明は、透視性電極を備えたタッチパネルに関する。また本発明は、タッチパネルと表示装置とを組み合わせることによって得られるタッチ位置検出機能付き表示装置に関する。 The present invention relates to a flexible laminate and a transparent electrode. The present invention also relates to a touch panel provided with a transparent electrode. The present invention also relates to a display device with a touch position detection function obtained by combining a touch panel and a display device.
今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、タッチパネル、タッチパネル上への接触位置を検出する制御回路、配線、およびFPC(フレキシブルプリント基板)を備えている。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等の表示装置が組み込まれた様々の装置等(例えば、券売機、ATM装置(Automatic Teller machine:金自動預け払い機)、携帯電話機、ゲーム機、ノートPC(Notebook Personal Computer)、スマートフォン、タブレット端末)に対する入力手段として、表示装置とともに用いられている。このような装置においては、タッチパネルが表示装置の表示面上に配置されており、これによって、表示装置に対する極めて直接的な入力、特に表示映像の位置座標及び該位置座標と対応付けられた情報の入力が可能になっている。タッチパネルのうち表示装置の表示領域に対面する領域は透明になっており、タッチパネルのこの領域が、接触位置(或いは接近位置)を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。 Today, touch panel devices are widely used as input means. The touch panel device includes a touch panel, a control circuit that detects a contact position on the touch panel, wiring, and an FPC (flexible printed circuit board). In many cases, the touch panel device includes various devices in which a display device such as a liquid crystal display or an organic EL display is incorporated (for example, a ticket vending machine, an ATM device (automatic teller machine), a mobile phone, a game, etc. It is used together with a display device as an input means for a computer, a notebook PC (Notebook Personal Computer), a smartphone, and a tablet terminal. In such a device, the touch panel is arranged on the display surface of the display device, and thereby, a very direct input to the display device, particularly the position coordinates of the display image and the information associated with the position coordinates. Input is possible. The area of the touch panel that faces the display area of the display device is transparent, and this area of the touch panel constitutes an active area that can detect the contact position (or approach position).
タッチパネルとして、投影型容量結合方式のタッチパネルが知られている。容量結合方式のタッチパネルにおいては、位置を検知されるべき外部導体(典型的には、指)が誘電体を介してタッチパネルに接触(或いは接近)する際、新たに寄生容量が発生する。この寄生容量に起因する静電容量の変化に基づいて、タッチパネル上における外部導体の位置が検出される。このような投影型容量結合方式のタッチパネルは例えば、PETフィルムなどの透明基材と、透明基材上に設けられた複数の導電パターンと、を備えた透視性電極を含んでいる。導電パターンは、例えば、透光性および導電性を有するITO(酸化インジウム錫)からなる透明導電材料から構成される。 As a touch panel, a projected capacitive coupling type touch panel is known. In a capacitively coupled touch panel, a parasitic capacitance is newly generated when an external conductor (typically a finger) whose position is to be detected contacts (or approaches) the touch panel via a dielectric. The position of the external conductor on the touch panel is detected on the basis of the change in capacitance caused by the parasitic capacitance. Such a projected capacitively coupled touch panel includes, for example, a transparent electrode including a transparent base material such as a PET film and a plurality of conductive patterns provided on the transparent base material. The conductive pattern is made of, for example, a transparent conductive material made of ITO (indium tin oxide) having translucency and conductivity.
また、導電パターンの電気抵抗値を低くし、これによってタッチ位置の検出精度を向上させるため、導電パターンを構成する材料として、透明導電材料よりも高い導電性を有する銀や銅などの金属材料を用いることが提案されている(例えば、特許文献1参照)。但し、これら金属材料は不透明の為、導電パターンが金属材料から構成される場合、導電パターンには、表示装置からの映像光を適切な比率で透過させるための開口部が形成されている。例えば導電パターンは、網目状に配置された導線によって構成されている。 In addition, in order to reduce the electrical resistance value of the conductive pattern and thereby improve the detection accuracy of the touch position, a metal material such as silver or copper having higher conductivity than the transparent conductive material is used as a material constituting the conductive pattern. It has been proposed to use (see, for example, Patent Document 1). However, since these metal materials are opaque, when the conductive pattern is made of a metal material, the conductive pattern has an opening for transmitting the image light from the display device at an appropriate ratio. For example, the conductive pattern is composed of conductive wires arranged in a mesh shape.
ところで、銅などの金属材料は、高い導電性を有する一方で、金属光沢を示す。このため、未処理の金属材料が導線として用いられると、表示装置からの映像光の視認性が、導線の金属光沢によって妨げられることになる。特に銅は、銅に特有の赤味を帯びた色を示すため、銀などのその他の金属材料に比べて目立ち易く、このため表示装置からの映像光の視認性がより妨げられることになる。このような銅特有の金属光沢を和らげるため、例えば上述の特許文献1においては、金属層の面上に、窒化銅からなる低反射層を設けることにより、導線の金属光沢を軽減することが提案されている。 By the way, metal materials, such as copper, show a metallic luster, while having high electroconductivity. For this reason, when an untreated metal material is used as a conducting wire, the visibility of the image light from the display device is hindered by the metallic luster of the conducting wire. In particular, copper exhibits a reddish color peculiar to copper, so that it is more conspicuous than other metal materials such as silver, and this hinders the visibility of image light from the display device. In order to reduce such metallic luster peculiar to copper, for example, in the above-mentioned Patent Document 1, it is proposed to reduce the metallic luster of the conductive wire by providing a low reflective layer made of copper nitride on the surface of the metal layer. Has been.
タッチパネルに用いる透視性電極などの可撓性を有する配線基板を製造する方法として、ロール・トゥー・ロール方式で供給され搬送されている長尺状の樹脂基材上に上述の低反射層や金属層を形成して長尺状の配線基板を作製し、そして配線基板をロール状に巻き取る、という方法が考えられる。尚、此処で、「ロール・トゥー・ロール(roll to roll)方式」とは、長尺帯状の可撓性基板を巻取(ロール)から巻き出し搬送して供給し、所定の加工を施した後、巻取(ロール)形態に巻き取る加工方式を言う。低反射層や金属層を形成するための方法としては、スパッタリング法などの公知の薄膜形成法を用いることができる。 As a method of manufacturing a flexible wiring substrate such as a transparent electrode used for a touch panel, the above-described low reflection layer or metal is formed on a long resin substrate that is supplied and conveyed by a roll-to-roll method. A method of forming a long wiring board by forming a layer and winding the wiring board into a roll is conceivable. Here, the “roll-to-roll method” means that a long belt-like flexible substrate is unwound from a take-up (roll), supplied, and subjected to predetermined processing. Later, it refers to a processing method of winding into a winding (roll) form. As a method for forming the low reflective layer and the metal layer, a known thin film forming method such as a sputtering method can be used.
ところで、本件発明者らは、優れた可撓性を有する配線基板を作製することを課題として鋭意研究を重ねたところ、以下の知見を得るに至った。すなわち、スパッタリング法により低反射層や金属層を含む導線形成層を形成する場合、反跳Ar原子等の高エネルギー粒子が導線形成層の中に取り込まれることで、導線形成層に内部応力(引張応力または圧縮応力)が発現することがある。配線基板の可撓性を高めるためには基材フィルムの厚みを薄くする必要があるが、薄い基材フィルム上に導線形成層を形成すると、導線形成層の内部応力により、基材フィルムと当該導線形成層との積層体に反りが発生する可能性がある。積層体に反りが発生すると、後工程においてフォトリソグラフィ法により微細な導電パターンを形成することが極めて困難となる。 By the way, when the inventors of the present invention have made extensive studies for producing a wiring board having excellent flexibility, they have obtained the following knowledge. That is, when a conductive wire forming layer including a low reflection layer and a metal layer is formed by sputtering, high energy particles such as recoil Ar atoms are taken into the conductive wire forming layer, thereby causing internal stress (tensile tension) in the conductive wire forming layer. Stress or compressive stress). In order to increase the flexibility of the wiring board, it is necessary to reduce the thickness of the base film. However, when the conductive wire forming layer is formed on the thin base film, the base film and the relevant film are caused by the internal stress of the conductive wire forming layer. There is a possibility that warpage occurs in the laminate with the conductive wire forming layer. When warpage occurs in the laminated body, it becomes extremely difficult to form a fine conductive pattern by a photolithography method in a later process.
また、スパッタリング法により導線形成層を形成する場合、アースシールド等のターゲット周辺の部材上にも導線形成層が堆積される。同じスパッタリング装置を使用して導線形成層の形成を繰り返すと、ターゲット周辺の部材上に導線形成層が多段に積層され、各層の内部応力が積算されることで積層膜全体の内部応力が増大して、積層膜がターゲット周辺の部材から部分的に剥離しやすくなる。積層膜の一部が剥離すると、その破片が異物として基材フィルム上に落下して、打痕による外観不良を発生させる可能性がある。 Moreover, when forming a conducting wire formation layer by sputtering, the conducting wire formation layer is also deposited on a member around the target such as an earth shield. When the formation of the conductive wire forming layer is repeated using the same sputtering apparatus, the conductive wire forming layers are laminated in multiple stages on the member around the target, and the internal stress of each layer is increased by integrating the internal stress of each layer. Thus, the laminated film is likely to be partially peeled from the members around the target. When a part of the laminated film is peeled off, the fragments may fall on the base film as a foreign substance, which may cause an appearance defect due to a dent.
本発明は、このような点を考慮してなされたものである。本発明の目的は、優れた可撓性を有する積層体及び透視性電極において、反りの発生を十分に抑制することにある。 The present invention has been made in consideration of such points. An object of the present invention is to sufficiently suppress the occurrence of warpage in a laminate and a transparent electrode having excellent flexibility.
本発明は、
可撓性を有する透明な基材フィルムと、
前記基材フィルム上に設けられた導線形成層と、
を備え、
前記導線形成層は、
銅からなる本体層と、
前記本体層と前記基材フィルムとの間に配置された、窒化銅からなる低反射層と、
前記本体層に対して前記低反射層とは逆側に配置された窒化銅からなる第2低反射層と、
を含み、
X線回折法を用いて測定される前記本体層の引張内部応力が、−130MPa以上20MPa以下の範囲内である、積層体である。
The present invention
A transparent base film having flexibility;
A conductor forming layer provided on the base film;
With
The conducting wire forming layer is
A body layer made of copper;
A low reflection layer made of copper nitride, disposed between the main body layer and the substrate film;
A second low reflection layer made of copper nitride disposed on the opposite side of the main reflection layer from the low reflection layer;
Including
The laminate is a laminate in which a tensile internal stress of the main body layer measured using an X-ray diffraction method is in a range of −130 MPa to 20 MPa.
あるいは、本発明は、
可撓性を有する透明な基材フィルムと、
前記基材フィルム上に設けられた複数の導電パターンと、
を備え、
前記導電パターンは、遮光性を有する導線であって、各導線の間に開口部が形成されるように網目状に配置された導線から構成されており、
前記導線は、
銅からなる本体層と、
前記本体層と前記基材フィルムとの間に配置された、窒化銅からなる低反射層と、
前記本体層に対して前記低反射層とは逆側に配置された窒化銅からなる第2低反射層と、
を含み、
X線回折法を用いて測定される前記本体層の引張内部応力が、−130MPa以上20MPa以下の範囲内である、透視性電極である。
Alternatively, the present invention provides
A transparent base film having flexibility;
A plurality of conductive patterns provided on the base film;
With
The conductive pattern is a conductive wire having a light shielding property, and is composed of conductive wires arranged in a mesh shape so that an opening is formed between the conductive wires,
The conducting wire is
A body layer made of copper;
A low reflection layer made of copper nitride, disposed between the main body layer and the substrate film;
A second low reflection layer made of copper nitride disposed on the opposite side of the main reflection layer from the low reflection layer;
Including
It is a see-through electrode whose tensile internal stress of the said main body layer measured using a X ray diffraction method exists in the range of -130 Mpa or more and 20 Mpa or less.
上述した本発明による透視性電極を備えたタッチパネルも、本発明の範囲に含まれる。 A touch panel provided with the above-described transparent electrode according to the present invention is also included in the scope of the present invention.
表示装置と、
前記表示装置の表示面上に配置された、上述した本発明によるタッチパネルと、
を備えたタッチ位置検出機能付き表示装置も、本発明の範囲に含まれる。
A display device;
A touch panel according to the present invention described above, disposed on the display surface of the display device;
A display device with a touch position detection function provided with the above is also included in the scope of the present invention.
本発明によれば、優れた可撓性を有する配線基板及び透視性電極において、反りの発生を十分に抑制することができる。 According to the present invention, it is possible to sufficiently suppress the occurrence of warpage in a wiring board and a transparent electrode having excellent flexibility.
以下に、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示の理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。 Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Note that, in the drawings attached to the present specification, for the sake of easy understanding of the drawings, the scale and the vertical / horizontal dimension ratio are appropriately changed and exaggerated from those of the actual ones.
<第1の実施の形態>
以下、図1〜図5Eを参照して、本発明の第1の実施の形態について説明する。
<First Embodiment>
Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
まず、図1を参照して、本実施の形態における透視性電極31について説明する。図1は、観察者側から見た場合の透視性電極31を示す平面図である。 First, with reference to FIG. 1, the transparent electrode 31 in this Embodiment is demonstrated. FIG. 1 is a plan view showing the transparent electrode 31 when viewed from the observer side.
ここでは、透視性電極31が、投影型の静電容量結合方式のタッチパネル用に構成される例について説明する。なお、「容量結合」方式は、タッチパネルの技術分野において「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等とも呼ばれており、本明細書では、これらの「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等と同義の用語として取り扱う。典型的な静電容量結合方式のタッチパネルは、導電性のパターンを有しており、外部の導体(典型的には人間の指)がタッチパネルに接近乃至は接触することにより、外部の導体とタッチパネルの導電性のパターンとの間でコンデンサ(静電容量)が形成される。そして、このコンデンサの形成に伴った電気的な状態の変化に基づき、タッチパネル上において外部導体が接近している位置の位置座標が特定される。 Here, an example in which the transparent electrode 31 is configured for a projection-type capacitively coupled touch panel will be described. Note that the “capacitive coupling” method is also referred to as “capacitance” method, “capacitance coupling” method, or the like in the technical field of the touch panel. It is treated as a term synonymous with the “capacitive coupling” method. A typical capacitive coupling type touch panel has a conductive pattern, and an external conductor (typically a human finger) approaches or touches the touch panel, whereby the external conductor and the touch panel are touched. A capacitor (capacitance) is formed with the conductive pattern. Based on the change in the electrical state accompanying the formation of the capacitor, the position coordinates of the position where the external conductor is approaching on the touch panel are specified.
図1に示すように、透視性電極31は、基材フィルム32と、基材フィルム32上に設けられた複数の導電パターン41と、を備えている。図1に示すように、各導電パターン41は長方形の輪郭線形状をなし、該長方形の長辺は図1の上下方向にそれぞれ帯状に延びている。また、複数の導電パターン41は、各導電パターン41が延びる方向に直交する方向において、一定の配列ピッチで並べられている。導電パターン41の配列ピッチは、タッチ位置の検出に関して求められる分解能に応じて定められるが、例えば1mm〜5mmである。 As shown in FIG. 1, the transparent electrode 31 includes a base film 32 and a plurality of conductive patterns 41 provided on the base film 32. As shown in FIG. 1, each conductive pattern 41 has a rectangular outline shape, and the long side of the rectangle extends in a strip shape in the vertical direction of FIG. The plurality of conductive patterns 41 are arranged at a constant arrangement pitch in a direction orthogonal to the direction in which each conductive pattern 41 extends. The arrangement pitch of the conductive patterns 41 is determined according to the resolution required for detecting the touch position, and is, for example, 1 mm to 5 mm.
図1に示すように、透視性電極31の基材フィルム32は、其の平面視に於いて、タッチ位置を検出され得る領域に対応する中央部から周辺部に亙る矩形状のアクティブエリアAa1と、アクティブエリアAa1の周辺に位置する矩形枠状の非アクティブエリアAa2と、を含んでいる。アクティブエリアAa1および非アクティブエリアAa2は、それぞれ、後述するタッチ位置検出機能付き表示装置10の表示装置のアクティブエリアおよび非アクティブエリアに対応して区画されたものである。 As shown in FIG. 1, the base film 32 of the transparent electrode 31 has a rectangular active area Aa1 extending from the central portion to the peripheral portion corresponding to the region where the touch position can be detected in the plan view. And a non-active area Aa2 having a rectangular frame shape located around the active area Aa1. The active area Aa1 and the inactive area Aa2 are respectively divided in accordance with the active area and the inactive area of the display device of the display device with a touch position detection function 10 described later.
上述の導電パターン41は、アクティブエリアAa1内に配置されている。また非アクティブエリアAa2には、各導電パターン41に電気的に接続された複数の額縁配線43と、基材フィルム32の外縁近傍に配置され、各額縁配線43に電気的に接続された複数の端子部44と、が設けられている。 The conductive pattern 41 described above is disposed in the active area Aa1. Further, in the inactive area Aa2, a plurality of frame wirings 43 electrically connected to the respective conductive patterns 41 and a plurality of frame wirings arranged near the outer edge of the base film 32 and electrically connected to each frame wiring 43 are provided. Terminal portion 44.
導電パターン41に接続されている額縁配線43および端子部44は、導電パターン41からの信号を透視性電極31の外部に取り出すために設けられたものである。信号を適切に伝達することができる限りにおいて、額縁配線43および端子部44の具体的な構成が特に限られることはない。例えば額縁配線43および端子部44は、後述する導線51と同一の層構成で導線51と同時に形成されるものであってもよい。 The frame wiring 43 and the terminal portion 44 connected to the conductive pattern 41 are provided for extracting a signal from the conductive pattern 41 to the outside of the transparent electrode 31. As long as signals can be appropriately transmitted, the specific configurations of the frame wiring 43 and the terminal portion 44 are not particularly limited. For example, the frame wiring 43 and the terminal portion 44 may be formed simultaneously with the conductive wire 51 with the same layer configuration as the conductive wire 51 described later.
次に、図2Aを参照して、導電パターン41のパターン形状について説明する。図2Aは、図1において符号IIが付された一点鎖線で囲まれた部分における導電パターン41を示す平面図である。図2Aに示すように、導電パターン41は、遮光性および導電性を有する導線51であって、各導線51の間に開口部51aが形成されるように網目状に配置された導線51から構成されている。 Next, the pattern shape of the conductive pattern 41 will be described with reference to FIG. 2A. 2A is a plan view showing a conductive pattern 41 in a portion surrounded by a one-dot chain line denoted by reference numeral II in FIG. As shown in FIG. 2A, the conductive pattern 41 is a conductive wire 51 having light shielding properties and electrical conductivity, and is composed of conductive wires 51 arranged in a mesh shape so that openings 51a are formed between the conductive wires 51. Has been.
導電パターン41全体の面積のうち開口部51aによって占められる面積の比率(以下、開口率と称する)が十分に高くなり、これによって、表示装置からの映像光が適切な透過率で透視性電極31のアクティブエリアAa1を透過することができる限りにおいて、導線51の寸法や形状が特に限られることはない。例えば図2Aに示す例において、導電パターン41は、矩形状に形成された導線51を所定の方向に沿って並べることによって構成されている。開口率は、表示装置から放出される映像光の特性などに応じて適宜設定される。 The ratio of the area occupied by the opening 51a (hereinafter referred to as the aperture ratio) in the total area of the conductive pattern 41 is sufficiently high, so that the image light from the display device can be transmitted through the transparent electrode 31 with an appropriate transmittance. As long as it can pass through the active area Aa1, the size and shape of the conducting wire 51 are not particularly limited. For example, in the example shown in FIG. 2A, the conductive pattern 41 is configured by arranging conductive wires 51 formed in a rectangular shape along a predetermined direction. The aperture ratio is appropriately set according to the characteristics of the image light emitted from the display device.
導線51の線幅は、求められる開口率、導電パターンの不可視性などに応じて設定されるが、例えば導線51の線幅は1μm〜5μmの範囲内、より好ましくは1μm〜3μmの範囲内、さらに好ましくは平均2μmに設定されている。また、互いに平行に延びる各導線51の配列ピッチP1も、求められる開口率などに応じて設定されるが、例えば導線51の配列ピッチP1は50μm〜500μmの範囲内に設定されている。。これによって、観察者が視認する映像に対して導線51が及ぼす影響を、無視可能な程度まで低くすること、即ち十分な不可視性を得ることができる。 The line width of the conducting wire 51 is set according to the required aperture ratio, the invisibility of the conductive pattern, etc. For example, the line width of the conducting wire 51 is in the range of 1 μm to 5 μm, more preferably in the range of 1 μm to 3 μm. More preferably, the average is set to 2 μm. Further, the arrangement pitch P1 of the conductive wires 51 extending in parallel with each other is also set according to the required aperture ratio or the like. For example, the arrangement pitch P1 of the conductive wires 51 is set within a range of 50 μm to 500 μm. . As a result, the influence of the conductive wire 51 on the image visually recognized by the observer can be reduced to a negligible level, that is, sufficient invisibility can be obtained.
なお図2Aにおいては、導電パターン41が、開口部形状が矩形状に形成された導線51を所定の方向に沿って並べることによって構成されている例を示したが、これに限られることはない。例えば図2Bに示すように、導電パターン41は、開口部形状が菱形状に形成された導線51を所定の方向に沿って並べることによって構成されていてもよい。又、本実施形態に於いては、図2A及び図2Bに示す如く導電パターン41の開口部51aは導電パターン41の延びる方向と直交方向(同図の左右方向)の配列個数が2個となっているが、本発明に於ける該配列個数は2個にのみ限定されるわけでは無く、タッチパネルの位置検知の分解能、感度、導電パターンの不可視性などに応じて適宜個数に設計される。 Although FIG. 2A shows an example in which the conductive pattern 41 is configured by arranging the conductive wires 51 whose opening portions are formed in a rectangular shape along a predetermined direction, the present invention is not limited thereto. . For example, as illustrated in FIG. 2B, the conductive pattern 41 may be configured by arranging the conductive wires 51 whose opening portions are formed in a rhombus shape along a predetermined direction. In this embodiment, as shown in FIGS. 2A and 2B, the number of openings 51a of the conductive pattern 41 is two in the direction orthogonal to the extending direction of the conductive pattern 41 (the left-right direction in the figure). However, the number of arrangements in the present invention is not limited to two, and the number is appropriately set according to the resolution of touch panel position detection, the sensitivity, the invisibility of the conductive pattern, and the like.
次に、図3および図4を参照して、透視性電極31の層構成について説明する。図3は、透視性電極31を図2AのIII線に沿って切断した場合を示す断面図であり、図4は、図3に示す基材フィルム32および導線51を拡大して示す断面図である。 Next, the layer configuration of the transparent electrode 31 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. 3 is a cross-sectional view showing a case where the transparent electrode 31 is cut along the line III in FIG. 2A. FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing the base film 32 and the conductive wire 51 shown in FIG. is there.
図3に示すように、透視性電極31は、可撓性を有する透明な基材フィルム32と、基材フィルム32の面上に設けられた導線51から成る導電パターン41と、を含んでいる。なお、本明細書において「透明」とは、光透過率が十分に高く、その向こう側が透けて見える性質を意味する。具体的には、例えば可視光透過率が50%以上、より好ましくは80%以上、更に好ましくは90%以上である。なお、全光線透過率はJIS K7361−1:1997に準拠して測定される。 As shown in FIG. 3, the transparent electrode 31 includes a transparent base film 32 having flexibility, and a conductive pattern 41 made of a conductive wire 51 provided on the surface of the base film 32. . In the present specification, “transparent” means that the light transmittance is sufficiently high and the other side can be seen through. Specifically, for example, the visible light transmittance is 50% or more, more preferably 80% or more, and still more preferably 90% or more. The total light transmittance is measured according to JIS K7361-1: 1997.
基材フィルム32は、その厚みを50μm以上100μm以下、さらに、70μm以下とすることができる。このような薄い基材フィルム32は、優れた可撓性を持つことになる。ここで、ある部材が可撓性を有するとは、人間が視覚的に感知し得る程度に、対象となる部材が湾曲することを意味している。このような基材フィルム32は、三次元曲面をなすように湾曲することができる。したがって、基材フィルム32に極めて多様な意匠性を付与することができる。 The base film 32 can have a thickness of 50 μm or more and 100 μm or less, and further 70 μm or less. Such a thin base film 32 has excellent flexibility. Here, that a certain member has flexibility means that the target member is curved to the extent that a human can visually sense it. Such a base film 32 can be curved so as to form a three-dimensional curved surface. Therefore, extremely various design properties can be imparted to the base film 32.
基材フィルム32は、上述の導電パターン41や額縁配線43などのパターンや配線を支持するためのものである。この基材フィルム32は、図4の如く表示装置からの映像光を透過させることができる透明基材33と、透明基材33と導電パターン41の導線51との間に設けられたアクリル系樹脂層34aと、を含んでいる。また基材フィルム32は、透明基材33のうち導線51に向かい合う側とは反対の側に設けられたアクリル系樹脂層34bをさらに含んでいてもよい。 The base film 32 is for supporting patterns and wiring such as the conductive pattern 41 and the frame wiring 43 described above. As shown in FIG. 4, the base film 32 includes a transparent base material 33 that can transmit image light from the display device, and an acrylic resin provided between the transparent base material 33 and the conductive wire 51 of the conductive pattern 41. And a layer 34a. The base film 32 may further include an acrylic resin layer 34 b provided on the side of the transparent base material 33 opposite to the side facing the conductive wire 51.
透明基材33を構成する材料としては、透明性および可撓性を有する材料が用いられ、例えば合成樹脂(プラスチック)が用いられる。合成樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリプロピレン(PP)、シクロオレフィンポリマー(COP)等のポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、またはトリアセチルセルロース(TAC)などのセルロース系樹脂等の可撓性及び透明性を有する樹脂が用いられる。 As a material constituting the transparent base material 33, a material having transparency and flexibility is used, and for example, a synthetic resin (plastic) is used. Examples of synthetic resins include polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyolefin resins such as polypropylene (PP) and cycloolefin polymer (COP), polycarbonate (PC) resin, and triacetyl cellulose. A resin having flexibility and transparency such as a cellulose resin such as (TAC) is used.
アクリル系樹脂層34a,34bは、ロール・トゥー・ロール方式で透視性電極31を製造する際のガイドローラとの摩擦により生じ得る擦り傷などに対する耐擦傷性を高めるという機能や、透視性電極31の透過率や反射率などの光学特性を調整するという機能を実現するために設けられる層である。 The acrylic resin layers 34a and 34b have a function of improving the scratch resistance against scratches that may be caused by friction with the guide roller when the transparent electrode 31 is manufactured by the roll-to-roll method, This is a layer provided to realize a function of adjusting optical characteristics such as transmittance and reflectance.
アクリル系樹脂層34a,34bを構成する材料としては、アクリル樹脂が用いられる。該アクリル樹脂としては、十分な耐擦傷性と透明性を有する物が好ましく、これら条件を満たす代表的なものとして、電離放射線照射による架橋反応乃至は重合反応で硬化する電離放射線型アクリル樹脂が挙げられる。斯かる電離放射線硬化型アクリル樹脂としては、分子中に(メタ)アクリロイル基、(メタ)アクリロイルオキシ基等の重合性官能基を有する(メタ)アクリレートプレポリマー又は(メタ)アクリレート単量体が用いられる。該(メタ)アクリレートプレポリマーとしては、ウレタン(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート等のプレポリマーが挙げられる。又、該(メタ)アクリレート単量体としてはエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)メタクリレート単量体等が挙げられる。(此処で、「(メタ)アクリロイル基」、「(メタ)アクリレート」等の表記は、各々「アクリロイル基又はメタクリロイル基」、「アクリレート又はメタクリレート」を意味する。)これらプレポリマー及び単量体は、耐擦傷性、可撓性、塗工適性等の要求性能に応じて、適宜、上記プレポリマーを1種類単独又は2種類以上混合して、上記単量体を1種類単独又は2種類以上混合して、或いは上記プレポリマー1種類以上と上記単量体1種類以上とを混合して用いられる。電離放射線としては、紫外線、可視光線、X線等の電磁波、電子線、アルファ線等の荷電粒子線が用いられ得る。電離放射線として紫外線又は可視光線を使用する場合には、これらプレポリマー及び単量体100質量部に対して、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物等の光開始剤を0.1質量部〜5質量部程度添加する。又、耐擦傷性を高めるために、該アクリル樹脂中に粒径0.1〜5μmの微粒子をフィラー(充填剤)として添加する。該微粒子としては、シリカ(酸化珪素)、アルミナ(酸化アルミニウム)、炭酸カルシウム、硫酸バリウム等からなる無機物粒子、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、珪素樹脂、弗素樹脂、メラミン樹脂等の有機物粒子からなるものが使用できる。又、該微粒子の添加量は、該アクリル系樹脂層組成物中に0.1〜30重量%程度とすることができる。又、該アクリル系樹脂層35a、35bの厚みは、乾燥硬化状態で1〜5μm程度とすることができる。尚、本実施形態に於いては、アクリレートプレポリマー、アクリレート単量体、及びベンゾトリアゾール系光開始剤からなる紫外線硬化型アクリル樹脂組成物の硬化物を用いた。 As a material constituting the acrylic resin layers 34a and 34b, an acrylic resin is used. As the acrylic resin, those having sufficient scratch resistance and transparency are preferable. Typical examples of satisfying these conditions include ionizing radiation type acrylic resins that cure by a crosslinking reaction or a polymerization reaction by ionizing radiation irradiation. It is done. As such an ionizing radiation curable acrylic resin, a (meth) acrylate prepolymer or a (meth) acrylate monomer having a polymerizable functional group such as a (meth) acryloyl group or a (meth) acryloyloxy group in the molecule is used. It is done. Examples of the (meth) acrylate prepolymer include prepolymers such as urethane (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, and polyester (meth) acrylate. Examples of the (meth) acrylate monomer include ethylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and dipentaerythritol hexa (meth) methacrylate. Examples include a polymer. (Here, “(meth) acryloyl group”, “(meth) acrylate” and the like mean “acryloyl group or methacryloyl group” and “acrylate or methacrylate”, respectively). These prepolymers and monomers are Depending on the required performance such as scratch resistance, flexibility, coating suitability, etc., one or more of the above prepolymers may be mixed as appropriate, and the above monomers may be used alone or in combination of two or more. Alternatively, one or more of the above prepolymers and one or more of the above monomers may be mixed and used. As the ionizing radiation, electromagnetic waves such as ultraviolet rays, visible rays, and X-rays, and charged particle beams such as electron beams and alpha rays can be used. When ultraviolet rays or visible rays are used as the ionizing radiation, 0.1 parts by mass to 5 parts by mass of a photoinitiator such as a benzotriazole compound or a benzophenone compound with respect to 100 parts by mass of the prepolymer and the monomer. Add about 1 part. Further, in order to improve the scratch resistance, fine particles having a particle size of 0.1 to 5 μm are added as fillers (fillers) in the acrylic resin. The fine particles include inorganic particles made of silica (silicon oxide), alumina (aluminum oxide), calcium carbonate, barium sulfate, etc., and organic particles such as acrylic resin, urethane resin, silicon resin, fluorine resin, melamine resin. Can be used. The addition amount of the fine particles can be about 0.1 to 30% by weight in the acrylic resin layer composition. The thickness of the acrylic resin layers 35a and 35b can be set to about 1 to 5 μm in a dry and cured state. In this embodiment, a cured product of an ultraviolet curable acrylic resin composition comprising an acrylate prepolymer, an acrylate monomer, and a benzotriazole photoinitiator is used.
なお、アクリル系樹脂層34a,34bのうち透明基材33の観察者側に位置するアクリル系樹脂層のことを「観察者側アクリル系樹脂層」と称し、反対側に位置するアクリル系樹脂層のことを「表示装置側アクリル系樹脂層」と称することもある。なお後述するように、導線51は、基材フィルム32の観察者側に位置することもあれば、基材フィルム32の表示装置側に位置することもある。従って、アクリル系樹脂層34aが「観察者側アクリル系樹脂層」になりアクリル系樹脂層34bが「表示装置側アクリル系樹脂層」になることもあれば、アクリル系樹脂層34bが「観察者側アクリル系樹脂層」になりアクリル系樹脂層34aが「表示装置側アクリル系樹脂層」になることもある。 Of the acrylic resin layers 34a and 34b, the acrylic resin layer located on the observer side of the transparent base material 33 is referred to as an “observer side acrylic resin layer”, and the acrylic resin layer located on the opposite side. This may be referred to as “display device side acrylic resin layer”. As will be described later, the conducting wire 51 may be positioned on the viewer side of the base film 32 or may be positioned on the display device side of the base film 32. Therefore, the acrylic resin layer 34a may be an “observer side acrylic resin layer” and the acrylic resin layer 34b may be a “display device side acrylic resin layer”, or the acrylic resin layer 34b may be an “observer”. In some cases, the acrylic resin layer 34 a becomes a “display side acrylic resin layer”.
次に、導線51の層構成について説明する。図4に示すように、導線51は、低反射層54、本体層53及び低反射層55が基材フィルム32側からこの順で配置されて構成された導線形成層52を含んでいる。 Next, the layer structure of the conducting wire 51 will be described. As shown in FIG. 4, the conducting wire 51 includes a conducting wire forming layer 52 configured by arranging a low reflective layer 54, a main body layer 53, and a low reflective layer 55 in this order from the base film 32 side.
本体層53は、主に、導線51における導電性を実現するための層である。本発明におけるこの本体層53は、その厚みが例えば0.3μm以下になるよう、より具体的には0.05μm〜0.2μmの範囲内になるよう構成されている。これによって、導線51全体の厚みが大きくなることを抑制することができ、このことにより、導線51の側面において外光や映像光が反射されてしまうことを抑制することができる。このため、透視性電極31が取り付けられる表示装置における視認性を十分に確保することができる。 The main body layer 53 is mainly a layer for realizing conductivity in the conductive wire 51. The main body layer 53 in the present invention is configured to have a thickness of, for example, 0.3 μm or less, more specifically within a range of 0.05 μm to 0.2 μm. Thereby, it can suppress that the thickness of the conducting wire 51 whole becomes large, and it can suppress that external light and video light are reflected in the side surface of the conducting wire 51 by this. For this reason, the visibility in the display device to which the transparent electrode 31 is attached can be sufficiently ensured.
一方、本体層53の厚みを小さくすることは、導線51の電気抵抗値が大きくなってしまうことを導き得る。ここで本実施の形態においては、本体層53を構成する材料として、その比抵抗が所望の値以下である金属材料を用いており、例えばその比抵抗が4.0×10−6(Ωm)以下である金属材料を用いている。これによって、導線51の電気抵抗値を十分に低くすることができる。例えば、本体層53のシート抵抗値を0.3Ω/□以下にすることができる。本体層53を構成するための、その比抵抗が4.0×10−6(Ωm)以下である金属材料としては、本発明に於いては、例えば、比抵抗が3.0×10−8(Ωm)以下である金、銀、銅、アルミニウム等の金属を90重量%以上含む材料(金属単体、金属合金等)を用いることが出来る。本実施形態に於いては、99.9重量%の銅を含む材料を用いることができる。 On the other hand, reducing the thickness of the main body layer 53 can lead to an increase in the electrical resistance value of the conducting wire 51. Here, in the present embodiment, a metal material having a specific resistance equal to or lower than a desired value is used as a material constituting the main body layer 53. For example, the specific resistance is 4.0 × 10 −6 (Ωm). The following metal materials are used. Thereby, the electrical resistance value of the conducting wire 51 can be made sufficiently low. For example, the sheet resistance value of the main body layer 53 can be set to 0.3Ω / □ or less. In the present invention, for example, the specific resistance is 3.0 × 10 −8 as the metal material for constituting the main body layer 53 and having a specific resistance of 4.0 × 10 −6 (Ωm) or less. A material (metal simple substance, metal alloy, etc.) containing 90% by weight or more of a metal such as gold, silver, copper, and aluminum that is (Ωm) or less can be used. In the present embodiment, a material containing 99.9% by weight of copper can be used.
ところで、銅などの金属材料は、高い導電性を有する一方で、金属光沢を示す。このため、未処理の金属材料が導線51として用いられると、表示装置からの映像光の視認性が、導線の金属光沢によって妨げられることになる。特に銅は、銅に特有の赤味を帯びた色を示すため、銀などのその他の金属材料に比べて目立ち易く、このため表示装置からの映像光の視認性がより妨げられることになる。 By the way, metal materials, such as copper, show a metallic luster, while having high electroconductivity. For this reason, when an untreated metal material is used as the conducting wire 51, the visibility of the image light from the display device is hindered by the metallic luster of the conducting wire. In particular, copper exhibits a reddish color peculiar to copper, so that it is more conspicuous than other metal materials such as silver, and this hinders the visibility of image light from the display device.
このような銅特有の金属光沢を和らげるため、本体層53に比べて金属光沢が抑制された薄い低反射層54及び低反射層55が、本体層53の両側に配置されている。以下、低反射層54、55について説明する。 In order to relieve such metallic luster peculiar to copper, a thin low-reflection layer 54 and a low-reflection layer 55 whose metallic luster is suppressed compared to the main body layer 53 are arranged on both sides of the main body layer 53. Hereinafter, the low reflection layers 54 and 55 will be described.
低反射層54、55は、共に窒化銅からなる層である。窒化銅は、酸素原子をさらに含んでいてもよい。窒化銅としては、例えば、5〜25アトミック%の窒素と、5〜25アトミック%の酸素と、50〜90アトミック%の銅を含む銅化合物が用いられ得る。このような窒化銅を用いて構成される低反射層54、55においては、その金属光沢が、本体層53における金属光沢に比べて軽減されており、特に、銅に特有の赤味を帯びた色が低減されている。このため、導線51からの反射光によって映像の視認性が低下することを抑制することができる。 The low reflection layers 54 and 55 are both layers made of copper nitride. Copper nitride may further contain oxygen atoms. As the copper nitride, for example, a copper compound containing 5 to 25 atomic% of nitrogen, 5 to 25 atomic% of oxygen, and 50 to 90 atomic% of copper may be used. In the low reflection layers 54 and 55 configured using such copper nitride, the metallic luster is reduced as compared with the metallic luster in the main body layer 53, and in particular, it has a reddish color peculiar to copper. The color has been reduced. For this reason, it can suppress that the visibility of an image | video falls by the reflected light from the conducting wire 51. FIG.
また、低反射層54、55は、共に本体層53に比べて小さな厚み、具体的には、共に10nm〜60nmの範囲内の厚み、を有しているため、導線51全体の厚みが大きくなることを抑制することができる。このことにより、導線51の側面において外光や映像光が反射されてしまうことを抑制することができる。 Moreover, since both the low reflection layers 54 and 55 have a thickness smaller than that of the main body layer 53, specifically, both have a thickness in the range of 10 nm to 60 nm, the thickness of the entire conductive wire 51 is increased. This can be suppressed. Thereby, it can suppress that external light and image light are reflected in the side surface of the conducting wire 51. FIG.
また、低反射層54、55の厚みを共に10nm〜60nmの範囲内に設定することによって、導線51における光の反射率を低くすることもできる。この理由としては、例えば、低反射層54、55において生じる薄膜干渉を挙げることができる。薄膜干渉とは、低反射層54、55の一方の面で反射された光と、低反射層54、55の他方の面で反射された光とが干渉するという現象である。低反射層54、55の厚みを上述の10nm〜60nmの範囲内に設定することにより、それぞれの面で反射された反射光が互いに弱め合うような薄膜干渉が生じ、これによって、導線51における光の反射率が低減されることが考えられ得る。 Moreover, the reflectance of the light in the conducting wire 51 can also be lowered by setting the thicknesses of both the low reflection layers 54 and 55 within the range of 10 nm to 60 nm. As this reason, the thin film interference which arises in the low reflection layers 54 and 55 can be mentioned, for example. The thin film interference is a phenomenon in which light reflected on one surface of the low reflection layers 54 and 55 interferes with light reflected on the other surface of the low reflection layers 54 and 55. By setting the thicknesses of the low reflection layers 54 and 55 within the above-mentioned range of 10 nm to 60 nm, thin film interference is generated such that the reflected lights reflected on the respective surfaces weaken each other. It can be considered that the reflectivity of is reduced.
上述のような導線形成層52を形成するための方法が特に限られることはなく、スパッタリング法、真空蒸着法、CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などの公知の薄膜形成法を用いることができる。例えば低反射層54、55を形成するための方法としてスパッタリング法が用いられる場合、Arガスを含む真空雰囲気中に所定の流量に制御された窒素ガスまたは窒素ガスおよび酸素ガスの両方を供給しながら、銅からなるターゲットに放電電力を印加することによって、所望の組成を有する上述の窒化銅からなる層を得ることができる。 The method for forming the conductive wire forming layer 52 as described above is not particularly limited, and a known thin film forming method such as a sputtering method, a vacuum evaporation method, a CVD method, an ion plating method, or an electron beam evaporation method is used. be able to. For example, when the sputtering method is used as a method for forming the low reflection layers 54 and 55, while supplying nitrogen gas or both nitrogen gas and oxygen gas controlled to a predetermined flow rate in a vacuum atmosphere containing Ar gas. By applying discharge power to a target made of copper, a layer made of the above-mentioned copper nitride having a desired composition can be obtained.
ところで、発明が解決しようとする課題の欄でも言及したように、スパッタリング法により導線形成層52を形成する場合、反跳Ar原子等の高エネルギー粒子が導線形成層52の中に取り込まれることで、導線形成層52に内部応力(引張応力または圧縮応力)が発現することがある。配線基板の可撓性を高めるためには前記例示の如き材料の基材フィルム32の厚みを前記の如き範圍の厚みに薄くする必要があるが、薄い基材フィルム32上に導線形成層52を形成すると、導線形成層52の内部応力により、基材フィルム32と導線形成層52との積層体60に反りが発生する可能性がある。積層体60に反りが発生すると、後工程においてフォトリソグラフィ法により微細な導電パターンを形成することが極めて困難となる。 By the way, as mentioned in the column of the problem to be solved by the invention, when the conductor forming layer 52 is formed by the sputtering method, high energy particles such as recoil Ar atoms are taken into the conductor forming layer 52. In some cases, internal stress (tensile stress or compressive stress) may appear in the conductive wire forming layer 52. In order to increase the flexibility of the wiring board, it is necessary to reduce the thickness of the base film 32 of the material as exemplified above to the thickness as described above, but the conductive wire forming layer 52 is formed on the thin base film 32. If formed, the laminated body 60 of the base film 32 and the conductive wire forming layer 52 may be warped due to internal stress of the conductive wire forming layer 52. When warpage occurs in the stacked body 60, it becomes extremely difficult to form a fine conductive pattern by a photolithography method in a subsequent process.
本件発明者らは、このような課題を考慮して鋭意検討を重ねた結果、X線回折法(以下XRD(X−ray diffraction)法という)を用いて測定される本体層53の引張内部応力を−130MPa以上20MPa以下の範囲内とすることで、薄い基材フィルム32上に導線形成層52を形成しても、導線形成層52の内部応力によって積層体60に反りが発生することを十分に抑制できることを確認した。以下に、本体層53及び低反射層54、55の引張内部応力と積層体60の反り量との関係について、詳述する。 As a result of intensive studies in consideration of such problems, the present inventors have determined that the tensile internal stress of the main body layer 53 is measured using an X-ray diffraction method (hereinafter referred to as an XRD (X-ray diffraction) method). Is within the range of −130 MPa or more and 20 MPa or less, it is sufficient that even if the conductive wire forming layer 52 is formed on the thin base film 32, the laminate 60 is warped by the internal stress of the conductive wire forming layer 52. It was confirmed that it can be suppressed. Below, the relationship between the tensile internal stress of the main body layer 53 and the low reflection layers 54 and 55 and the amount of warpage of the laminate 60 will be described in detail.
まず、XRD法を用いて試料の内部応力を評価する方法について説明する。図14は、試料の内部応力の測定原理を示す図である。図14(a)乃至図14(c)に示すように、試料内に例えば引張内部応力が存在している場合、当該試料内の結晶粒の格子面間隔は、均一ではない。具体的には、図14(a)乃至図14(c)に示すように、格子面の法線Nと試料面の法線N’との成す角度Ψが大きい結晶粒ほど、格子面間隔が増大している。格子面間隔が増大する程度は、内部応力の大きさに比例するので、複数の角度Ψについて格子面間隔を測定し、この測定結果に次式を適用することにより、内部応力σを求めることができる。尚、次式において、格子面間隔は、回折角度(2θ)に対応している。 First, a method for evaluating the internal stress of a sample using the XRD method will be described. FIG. 14 is a diagram showing the measurement principle of the internal stress of the sample. As shown in FIGS. 14A to 14C, when a tensile internal stress is present in a sample, for example, the lattice plane spacing of crystal grains in the sample is not uniform. Specifically, as shown in FIGS. 14A to 14C, the crystal plane spacing increases as the crystal grain has a larger angle ψ formed by the normal N of the lattice plane and the normal N ′ of the sample plane. It is increasing. The degree to which the lattice spacing increases is proportional to the magnitude of the internal stress. Therefore, the internal stress σ can be obtained by measuring the lattice spacing for a plurality of angles Ψ and applying the following equation to this measurement result. it can. In the following formula, the lattice spacing corresponds to the diffraction angle (2θ).
σ=−E/{2(1+ν)}・cotθ0・(π/180)・{Δ(2θ)/Δ(sin2Ψ)}
=K・Δ(2θ)/Δ(sin2Ψ)
ここで、σは内部応力、Eはヤング率、νはポアソン比、θ0は標準ブラッグ角である。また、Kは、材料と測定波長とにより決定される定数である。すなわち、回折角度(2θ)とsin2Ψとの関係をグラフ上にプロットし、このプロットに対して最小二乗法を適用することにより得られる近似直線の勾配を求め、これにKを乗じることにより、内部応力を評価することができる。
σ = −E / {2 (1 + ν)} · cot θ 0 · (π / 180) · {Δ (2θ) / Δ (sin 2 ψ)}
= K · Δ (2θ) / Δ (sin 2 Ψ)
Here, σ is internal stress, E is Young's modulus, ν is Poisson's ratio, and θ 0 is standard Bragg angle. K is a constant determined by the material and the measurement wavelength. That is, the relationship between the diffraction angle (2θ) and sin 2 Ψ is plotted on a graph, the gradient of the approximate straight line obtained by applying the least square method to this plot is obtained, and this is multiplied by K. The internal stress can be evaluated.
本実施の形態では、基材フィルム32上に導線形成層52を形成する際に、チャンバ内に下表1に示す圧力のArが導入された状態で、基材フィルム32上にスパッタリングによって窒化銅(低反射層54)、銅(本体層53)及び窒化銅(低反射層55)の3つの層がこの順で成膜された。そして、このようにして用意された3種類のサンプルのそれぞれについて、低反射層54、55及び本体層53の各内部応力がXRD法を用いて評価された。本実施の形態では、本体層53を構成する銅の内部応力は結晶格子の311面による回折光に基づいて評価され、低反射層54、55を構成する窒化銅の内部応力は結晶格子の220面による回折光に基づいて評価された。これは、銅に内部応力が生じた際には、銅の結晶格子の311面による回折光のピーク位置のシフトが顕著であり、窒化銅に内部応力が生じた際には、窒化銅の結晶格子の220面による回折光のピーク位置のシフトが顕著であるため、これらの面に着目すれば本体層53及び低反射層54、55の内部応力を高精度に評価できるからである。もちろん、原理的には、例えば銅の111面などの他の面による回折光を利用しても、内部応力を評価することができる。 In the present embodiment, when the conductor forming layer 52 is formed on the base film 32, copper nitride is formed by sputtering on the base film 32 in a state where Ar having the pressure shown in Table 1 below is introduced into the chamber. Three layers of (low reflection layer 54), copper (main body layer 53) and copper nitride (low reflection layer 55) were formed in this order. And about each of three types of samples prepared in this way, each internal stress of the low reflection layers 54 and 55 and the main body layer 53 was evaluated using the XRD method. In the present embodiment, the internal stress of copper constituting the main body layer 53 is evaluated based on the diffracted light from the 311 plane of the crystal lattice, and the internal stress of copper nitride constituting the low reflection layers 54 and 55 is 220 of the crystal lattice. Evaluation was based on diffracted light from the surface. This is because when the internal stress is generated in the copper, the shift of the peak position of the diffracted light by the 311 plane of the copper crystal lattice is remarkable, and when the internal stress is generated in the copper nitride, the crystal of the copper nitride This is because the peak position of the diffracted light is remarkably shifted by the 220 plane of the grating, and the internal stress of the main body layer 53 and the low reflection layers 54 and 55 can be evaluated with high accuracy by paying attention to these planes. Of course, in principle, the internal stress can also be evaluated using diffracted light from another surface such as the 111-plane of copper.
図15は、前記3種類のサンプルの内部応力の評価結果と各サンプルの反り量との関係を示す図である。図15において、破線で結ばれた3つの菱形のプロットは、各サンプルの窒化銅(低反射層54、55)の引張内部応力を示しており、破線で結ばれた3つの正方形のプロットは、銅(本体層53)の引張内部応力を示している。また、実線で結ばれた3つの三角形のプロットは、各サンプルの反り量を示している。各3つの菱形のプロット、正方形のプロット及び三角形のプロットのそれぞれについて、図中の左側に位置しているプロットがサンプル1に対応しており、中央に位置しているプロットがサンプル2に対応しており、右側に位置しているプロットがサンプル3に対応している。尚、本明細書において、反り量とは、1辺が10cmの正方形の積層体のサンプル片を平板ステージ上に載置したときに、当該サンプル片の上面の高さの最高地点と最低地点との差を意味している。 FIG. 15 is a diagram showing the relationship between the internal stress evaluation results of the three types of samples and the amount of warpage of each sample. In FIG. 15, three rhombus plots connected by broken lines show the tensile internal stress of copper nitride (low reflection layers 54 and 55) of each sample, and three square plots connected by broken lines are The tensile internal stress of copper (main body layer 53) is shown. In addition, three triangular plots connected by solid lines indicate the amount of warpage of each sample. For each of the three diamond plots, square plots, and triangle plots, the plot located on the left side of the figure corresponds to sample 1 and the plot located in the center corresponds to sample 2. The plot located on the right side corresponds to sample 3. In this specification, the amount of warping refers to the highest point and the lowest point of the height of the upper surface of the sample piece when a sample piece of a square laminate having a side of 10 cm is placed on the flat plate stage. Means the difference.
図15に示すように、窒化銅(低反射層54、55)の内部応力は、当該窒化銅を成膜する際の成膜圧力を高めても、大きな変化は見られない。一方、銅(本体層53)の内部応力は、窒化銅を成膜する際の成膜圧力を高めると増加する傾向にある。また、各サンプルの反り量は、銅(本体層53)の引張内部応力が増加すると(圧縮内部応力が小さくなると)減少する傾向にある。定量的には、各サンプルの窒化銅(低反射層54、55)の内部応力と反り量との相関係数は−0.353であり、各サンプルの銅(本体層53)の内部応力と反り量との相関係数は0.950である。すなわち、各サンプルの反り量は、実質的に本体層53の内部応力に依存すると言える。 As shown in FIG. 15, the internal stress of copper nitride (low reflection layers 54 and 55) does not change greatly even when the film forming pressure when forming the copper nitride is increased. On the other hand, the internal stress of copper (main body layer 53) tends to increase as the film formation pressure is increased when copper nitride is formed. Further, the amount of warpage of each sample tends to decrease as the tensile internal stress of copper (main body layer 53) increases (when the compressive internal stress decreases). Quantitatively, the correlation coefficient between the internal stress and the amount of warpage of copper nitride (low reflection layers 54 and 55) of each sample is −0.353, and the internal stress of copper (main body layer 53) of each sample is The correlation coefficient with the amount of warpage is 0.950. That is, it can be said that the amount of warpage of each sample substantially depends on the internal stress of the main body layer 53.
次に、図16は、内部応力(MPa)を横軸、サンプルの反り量(mm)を縦軸として、本体層53の内部応力の評価結果と反り量との関係を示す図である。図中の直線は、各プロットに対して最小二乗法を適用して得られた近似直線である。この近似直線は、反り量をY(mm)、本体層53の内部応力をX(MPa)として、次式により表される。
Y=0.0674X+3.7045 ・・・(1)
Next, FIG. 16 is a diagram showing the relationship between the evaluation result of the internal stress of the main body layer 53 and the warpage amount, with the internal stress (MPa) as the horizontal axis and the warpage amount (mm) of the sample as the vertical axis. The straight line in the figure is an approximate straight line obtained by applying the least square method to each plot. This approximate straight line is expressed by the following equation where the amount of warpage is Y (mm) and the internal stress of the main body layer 53 is X (MPa).
Y = 0.0674X + 3.70445 (1)
一般に、サンプルの反り量は−5mm以上5mm以下の範囲内であることが好ましい。前記(1)式に基づいて、この反り量の範囲に対応する内部応力Xの範囲を求めると、−130MPa以上20MPa以下という範囲が得られる。尚、負の内部応力は圧縮応力を表しており、正の内部応力は引張応力を表している。 In general, the amount of warp of the sample is preferably in the range of −5 mm to 5 mm. When the range of the internal stress X corresponding to the range of the warp amount is obtained based on the equation (1), a range of −130 MPa to 20 MPa is obtained. The negative internal stress represents a compressive stress, and the positive internal stress represents a tensile stress.
但し、窒化銅(低反射層54、55)の成膜圧力と銅(本体層53)の内部応力との関係から理解されるように、例えばサンプルの反り量を0mm近傍にする(本体層53の内部応力を0MPa近傍にする)ためには、窒化銅の成膜圧力を4.0Paよりも高圧にする必要がある。その一方で、スパッタリング装置のチャンバ内を清浄に保つためには、成膜圧力は低い方が好ましい。このような事情に鑑み、本実施の形態の透視性電極31の作製に当たっては、窒化銅の成膜圧力として4.0Paを採用したが、チャンバ内環境の汚染といった不具合は確認されなかった。尚、この時の本体層53の内部応力は、−53MPaであった(図15参照)。 However, as will be understood from the relationship between the film forming pressure of copper nitride (low reflection layers 54 and 55) and the internal stress of copper (main layer 53), for example, the amount of warping of the sample is set to around 0 mm (main layer 53). In order to set the internal stress of the copper nitride to around 0 MPa, the film forming pressure of copper nitride needs to be higher than 4.0 Pa. On the other hand, in order to keep the inside of the chamber of the sputtering apparatus clean, it is preferable that the film forming pressure is low. In view of such circumstances, in manufacturing the transparent electrode 31 according to the present embodiment, 4.0 Pa was adopted as the film forming pressure of copper nitride, but a problem such as contamination of the environment in the chamber was not confirmed. In addition, the internal stress of the main body layer 53 at this time was −53 MPa (see FIG. 15).
次に、以上のような構成からなる透視性電極31を製造する方法について、図5A〜図5Eを参照して説明する。 Next, a method for manufacturing the transparent electrode 31 having the above configuration will be described with reference to FIGS. 5A to 5E.
はじめに、図5Aに示すように、可撓性を有する透明な基材フィルム32を準備する。基材フィルム32は、上述のように、透明基材33と、透明基材33の両側の面にそれぞれ設けられたアクリル系樹脂層34a、34bと、を含んでいる。 First, as shown in FIG. 5A, a transparent base film 32 having flexibility is prepared. As described above, the base film 32 includes the transparent base material 33 and the acrylic resin layers 34a and 34b provided on both sides of the transparent base material 33, respectively.
基材フィルム32を作製する方法の一例について説明すると、まず、長尺状の透明基材33を準備し、透明基材33の両側の面にアクリル系樹脂層34a、34bを形成する。例えば、アクリル樹脂を含む塗工液を、コーターを用いて透明基材33上にコーティングすることにより、アクリル系樹脂層34a,34bを形成することができる。この際、コーターとしては、好ましくは、アクリル系樹脂層34a,34bの平坦性を十分に確保することができるものが用いられ、例えばグラビアロールコーターが用いられる。なお、アクリル系樹脂層34a,34bを形成するための塗工液には、アクリル系樹脂層34a,34bの平坦性を高めるためのレベリング剤が含まれていてもよい。これによって、例えば、アクリル系樹脂層34a上に導線51の層を形成する際にピンホールなどの欠陥が生じてしまうことを抑制することができる。 An example of a method for producing the substrate film 32 will be described. First, a long transparent substrate 33 is prepared, and acrylic resin layers 34 a and 34 b are formed on both sides of the transparent substrate 33. For example, the acrylic resin layers 34a and 34b can be formed by coating a coating liquid containing an acrylic resin on the transparent substrate 33 using a coater. At this time, as the coater, a coater that can sufficiently ensure the flatness of the acrylic resin layers 34a and 34b is preferably used. For example, a gravure roll coater is used. The coating liquid for forming the acrylic resin layers 34a and 34b may contain a leveling agent for improving the flatness of the acrylic resin layers 34a and 34b. Thereby, for example, it is possible to suppress the occurrence of defects such as pinholes when the conductive wire 51 layer is formed on the acrylic resin layer 34a.
基材フィルム32は、その厚みを50μm上以上100μm以下、さらに、70μm以下とすることができる。このような薄い基材フィルム32は、優れた可撓性を持つことになる。 The base film 32 can have a thickness of 50 μm or more and 100 μm or less, and further 70 μm or less. Such a thin base film 32 has excellent flexibility.
基材フィルム32を準備した後、図5Bに示すように、アクリル系樹脂層34a上に、低反射層54を形成する。低反射層54は、4PaのArガスを含む真空雰囲気中に窒素ガスを供給しながら交流放電及び/または直流放電を用いて銅のターゲットをスパッタリングすることで、形成することができる。交流放電の周波数としては、例えば30kHz〜2MHzが採用され得る。また、窒素ガスに加えて酸素ガスをさらに供給してもよい。 After preparing the base film 32, as shown to FIG. 5B, the low reflection layer 54 is formed on the acrylic resin layer 34a. The low reflective layer 54 can be formed by sputtering a copper target using AC discharge and / or DC discharge while supplying nitrogen gas into a vacuum atmosphere containing 4 Pa of Ar gas. As the frequency of AC discharge, for example, 30 kHz to 2 MHz can be adopted. In addition to nitrogen gas, oxygen gas may be further supplied.
次に、図5Bに示すように、低反射層54上に、本体層53を形成する。本体層53は、0.6PaのArガスを含む真空雰囲気中で交流放電及び/または直流放電を用いて銅のターゲットをスパッタリングすることで、形成することができる。交流放電の周波数としては、例えば30kHz〜2MHzが採用され得る。 Next, as shown in FIG. 5B, the main body layer 53 is formed on the low reflection layer 54. The main body layer 53 can be formed by sputtering a copper target using AC discharge and / or DC discharge in a vacuum atmosphere containing 0.6 Pa Ar gas. As the frequency of AC discharge, for example, 30 kHz to 2 MHz can be adopted.
次に、図5Bに示すように、本体層53上に低反射層55を形成する。低反射層55は、低反射層54と同一の条件で形成することができる。 Next, as shown in FIG. 5B, the low reflection layer 55 is formed on the main body layer 53. The low reflection layer 55 can be formed under the same conditions as the low reflection layer 54.
このようにして、透視性電極31を作製するための元材として、基材フィルム32と、基材フィルム32上に設けられた導線形成層52と、を備えた積層体60(ブランクとも呼ばれる)が得られる。導線形成層52は、基材フィルム32側から順に配置された低反射層54、本体層53及び低反射層55を含んでいる。前述の通り、本実施の形態の本体層53の引張内部応力をXRD法により測定したところ、−53MPaであった。また、この積層体60の反り量は、2mmであった。 Thus, the laminated body 60 (also called a blank) provided with the base film 32 and the conductive wire forming layer 52 provided on the base film 32 as a base material for producing the transparent electrode 31. Is obtained. The conductive wire forming layer 52 includes a low reflection layer 54, a main body layer 53, and a low reflection layer 55 arranged in this order from the base film 32 side. As described above, the tensile internal stress of the main body layer 53 of the present embodiment was measured by the XRD method, and was −53 MPa. Moreover, the amount of warpage of the laminate 60 was 2 mm.
積層体60を準備した後、図5Cに示すように、導線形成層52上に感光性レジスト層71を所定のパターンで形成する。感光性レジスト層71は、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。感光性レジスト層71のタイプが特に限られることはない。例えば光溶解型の感光性レジスト層が用いられてもよく、若しくは光硬化型の感光性レジスト層が用いられてもよい。ここでは、光溶解型の感光性レジスト層が用いられる例について説明する。 After preparing the laminated body 60, as shown in FIG. 5C, a photosensitive resist layer 71 is formed in a predetermined pattern on the conductive wire forming layer 52. The photosensitive resist layer 71 has photosensitivity to light in a specific wavelength range, for example, ultraviolet rays. The type of the photosensitive resist layer 71 is not particularly limited. For example, a photodissolvable photosensitive resist layer may be used, or a photocurable photosensitive resist layer may be used. Here, an example in which a photodissolvable photosensitive resist layer is used will be described.
感光性レジスト層71は、導線51のパターンに対応したパターンで形成されている。感光性レジスト層71は、例えば、はじめに、積層体60の表面上にコーターを用いて感光性レジスト材料をコーティングし、次に、感光性レジスト材料を所定のパターンで露光して現像することによって、所定のパターン形状の感光性レジスト層71が形成される。 The photosensitive resist layer 71 is formed in a pattern corresponding to the pattern of the conductive wire 51. The photosensitive resist layer 71 is, for example, by first coating a photosensitive resist material on the surface of the laminate 60 using a coater, and then exposing and developing the photosensitive resist material in a predetermined pattern. A photosensitive resist layer 71 having a predetermined pattern shape is formed.
ここで本実施の形態によれば、積層体60に反りが発生することが十分に抑制されているため、露光時に積層体60の一部がステージから浮いてしまうことが実質的に無く、感光性レジスト層71の微細なパターン形状を安定して形成することが可能である。 Here, according to the present embodiment, since the warpage of the multilayer body 60 is sufficiently suppressed, a part of the multilayer body 60 does not substantially float from the stage during exposure, and the photosensitive body The fine pattern shape of the conductive resist layer 71 can be stably formed.
次に、図5Dに示すように、感光性レジスト層71をマスクとして低反射層54、55及び本体層53をエッチングする。なお上述のように、低反射層54、55及び本体層53のいずれも、銅を含んで構成されている。このため、銅を溶解させることができるエッチング液を用いて、低反射層54、55及び本体層53を同時にエッチングすることができる。エッチング液としては、例えばリン硝酢酸が用いられる。 Next, as shown in FIG. 5D, the low reflection layers 54 and 55 and the main body layer 53 are etched using the photosensitive resist layer 71 as a mask. Note that, as described above, each of the low reflection layers 54 and 55 and the main body layer 53 includes copper. For this reason, the low reflection layers 54 and 55 and the main body layer 53 can be simultaneously etched using an etching solution capable of dissolving copper. As the etching solution, for example, phosphonitrate is used.
次に、本体層53上に残っている感光性レジスト層71に対して、これを溶解除去する薬液によって洗浄して脱膜処理する。これによって、図5Eに示すように、感光性レジスト層71を除去することができる。このようにして、低反射層54、55および本体層53を有する導線形成層52をパターン形成し、これから構成された導線51を備える透視性電極31を得ることができる。 Next, the photosensitive resist layer 71 remaining on the main body layer 53 is washed with a chemical solution for dissolving and removing the photosensitive resist layer 71 and subjected to film removal. Thereby, as shown in FIG. 5E, the photosensitive resist layer 71 can be removed. In this way, the conductive wire forming layer 52 having the low reflection layers 54 and 55 and the main body layer 53 can be patterned, and the transparent electrode 31 including the conductive wire 51 formed therefrom can be obtained.
以上のように本実施の形態によれば、XRD法を用いて測定された本体層53の引張内部応力が−53MPaであるため、優れた可撓性を有する積層体60において、導線形成層52の内部応力により基材フィルム32に反りが発生することを十分に抑制することができる。そのため、露光時に積層体60の一部がステージから浮いてしまうことが実質的に無く、感光性レジスト層71の微細なパターン形状を安定して形成することが可能である。その結果、優れた可撓性を有する透視性電極31において、導線51の十分な細線化を達成することができる。 As described above, according to the present embodiment, since the tensile internal stress of the main body layer 53 measured using the XRD method is −53 MPa, the lead wire forming layer 52 in the laminate 60 having excellent flexibility. It is possible to sufficiently suppress the warp of the base film 32 due to the internal stress. Therefore, a part of the laminated body 60 does not substantially float from the stage during exposure, and the fine pattern shape of the photosensitive resist layer 71 can be stably formed. As a result, in the transparent electrode 31 having excellent flexibility, it is possible to achieve sufficient thinning of the conductive wire 51.
また、本実施の形態によれば、導線51は、本体層53と基材フィルム32との間に設けられた低反射層54に加えて、本体層53の面のうち基材フィルム32に向かい合う面とは反対側の面上に設けられた低反射層55を含んでいる。このため、光の反射が生じることを本体層53の両側において抑制することができる。このことにより、映像の視認性を十分に確保することができる。 Further, according to the present embodiment, the conductive wire 51 faces the base film 32 in the surface of the main body layer 53 in addition to the low reflection layer 54 provided between the main body layer 53 and the base film 32. A low reflection layer 55 provided on the surface opposite to the surface is included. For this reason, the occurrence of light reflection can be suppressed on both sides of the main body layer 53. Thereby, it is possible to sufficiently ensure the visibility of the video.
<第2の実施の形態>
次に、図6〜図10を参照して、本発明の第2の実施の形態について説明する。本実施の形態においては、上述の透視性電極31を備えるタッチパネルと表示装置とを組み合わせることによって得られるタッチ位置検出機能付き表示装置について説明する。本実施の形態において、上述の各実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、各実施の形態において得られる作用効果が本実施の形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
<Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, a display device with a touch position detection function obtained by combining a touch panel including the above-described transparent electrode 31 and a display device will be described. In the present embodiment, the same parts as those in the above-described embodiments are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. In addition, when it is clear that the operational effects obtained in each embodiment can be obtained also in this embodiment, the description thereof may be omitted.
図6は、タッチ位置検出機能付き表示装置10を示す展開図である。図6に示すように、タッチ位置検出機能付き表示装置10は、タッチパネル30と、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイなどの表示装置15とを組み合わせることによって構成されている。 FIG. 6 is a development view showing the display device 10 with a touch position detection function. As shown in FIG. 6, the display device 10 with a touch position detection function is configured by combining a touch panel 30 and a display device 15 such as a liquid crystal display or an organic EL display.
図示された表示装置15は、フラットパネルディスプレイとして構成されている。表示装置15は、表示面16aを有した表示パネル16と、表示パネル16に接続された表示制御部(図示せず)と、を有している。表示パネル16は、映像を表示することができるアクティブエリアA1と、アクティブエリアA1を取り囲むようにしてアクティブエリアA1の外側に配置された非アクティブエリア(額縁領域とも呼ばれる)A2と、を含んでいる。表示制御部は、表示されるべき映像に関する情報を処理し、映像情報に基づいて表示パネル16を駆動する。表示パネル16は、表示制御部の制御信号に基づいて、所定の映像を表示面16aに表示する。すなわち、表示装置15は、文字や図等の情報を映像として出力する出力装置としての役割を担っている。 The illustrated display device 15 is configured as a flat panel display. The display device 15 includes a display panel 16 having a display surface 16 a and a display control unit (not shown) connected to the display panel 16. The display panel 16 includes an active area A1 that can display an image, and an inactive area (also referred to as a frame area) A2 that is disposed outside the active area A1 so as to surround the active area A1. . The display control unit processes information regarding the video to be displayed, and drives the display panel 16 based on the video information. The display panel 16 displays a predetermined image on the display surface 16a based on a control signal from the display control unit. That is, the display device 15 plays a role as an output device that outputs information such as characters and drawings as video.
なお、図6に示すように、タッチパネル30の観察者側、すなわち表示装置15とは反対の側に、透光性を有する保護板12がさらに設けられていてもよい。保護板12は例えば、タッチパネル30の観察者側の面に接着層などによって接着されている。この保護板12は、指などの外部導体との接触によってタッチパネル30のパターンや表示装置15が損傷することを防ぐためのものであり、いわゆる前面板とも称されるものである。 As shown in FIG. 6, a protective plate 12 having translucency may be further provided on the viewer side of the touch panel 30, that is, the side opposite to the display device 15. For example, the protective plate 12 is bonded to the surface of the touch panel 30 on the viewer side with an adhesive layer or the like. The protective plate 12 is for preventing damage to the pattern of the touch panel 30 and the display device 15 due to contact with an external conductor such as a finger, and is also referred to as a so-called front plate.
図6に示すように、タッチパネル30は、表示装置15の表示面16aに、例えば接着層(図示せず)を介して接着されている。このタッチパネル30は、2枚の透視性電極31を組み合わせることによって構成されている。図6においては、観察者側に配置された透視性電極が符号31Aで表されており、透視性電極31Aよりも表示装置側に配置された透視性電極が符号31Bで表されている。以下の説明において、符号31Aが付された透視性電極を第1透視性電極31A、符号31Bが付された透視性電極を第2透視性電極31Bとも称する。 As shown in FIG. 6, the touch panel 30 is bonded to the display surface 16 a of the display device 15 via, for example, an adhesive layer (not shown). The touch panel 30 is configured by combining two transparent electrodes 31. In FIG. 6, the see-through electrode arranged on the observer side is represented by reference numeral 31 </ b> A, and the see-through electrode arranged on the display device side from the see-through electrode 31 </ b> A is represented by reference numeral 31 </ b> B. In the following description, the transparent electrode labeled 31A is also referred to as a first transparent electrode 31A, and the transparent electrode labeled 31B is also referred to as a second transparent electrode 31B.
図7は、観察者側から見た場合のタッチパネル30を示す平面図である。図7においては、第1透視性電極31Aの構成要素が実線で表され、第2透視性電極31Bの構成要素が点線で表されている。 FIG. 7 is a plan view showing the touch panel 30 when viewed from the observer side. In FIG. 7, the constituent elements of the first transparent electrode 31A are represented by solid lines, and the constituent elements of the second transparent electrode 31B are represented by dotted lines.
図7に示すように、第1透視性電極31Aおよび第2透視性電極31Bはそれぞれ、所定の方向に延びる複数の導電パターン41を備えている。ここで、第1透視性電極31Aおよび第2透視性電極31Bは、各々の導電パターン41が互いに交差する方向に延びるよう、配置されている。例えば、第1透視性電極31Aは、その導電パターン41が第1方向D1に沿って延びるよう、配置されている。一方、第2透視性電極31Bは、その導電パターン41が、第1方向D1に直交する第2方向D2に沿って延びるよう、配置されている。 As shown in FIG. 7, each of the first transparent electrode 31A and the second transparent electrode 31B includes a plurality of conductive patterns 41 extending in a predetermined direction. Here, the first transparent electrode 31A and the second transparent electrode 31B are arranged so that the respective conductive patterns 41 extend in directions intersecting each other. For example, the first transparent electrode 31A is arranged such that the conductive pattern 41 extends along the first direction D1. On the other hand, the 2nd transparent electrode 31B is arrange | positioned so that the conductive pattern 41 may extend along the 2nd direction D2 orthogonal to the 1st direction D1.
図8は、図7において符号XVIが付された一点鎖線で囲まれた部分における導電パターン41を拡大して示す平面図である。図8に示すように、第1透視性電極31Aの導電パターン41および第2透視性電極31Bの導電パターン41はそれぞれ、網目状に配置された導線51から構成されている。 FIG. 8 is an enlarged plan view showing the conductive pattern 41 in the portion surrounded by the alternate long and short dash line with the symbol XVI in FIG. As shown in FIG. 8, the conductive pattern 41 of the first transparent electrode 31A and the conductive pattern 41 of the second transparent electrode 31B are each composed of a conductive wire 51 arranged in a mesh shape.
図9は、タッチパネル30を図8のXVII線に沿って切断した場合を示す断面図である。図9に示すように、タッチパネル30は、第1透視性電極31Aの導線51および第2透視性電極31Bの導線51のいずれもが基材フィルム32の表示装置側に位置するよう、第1透視性電極31Aおよび第2透視性電極31Bを組み合わせることによって構成されている。なお、第1透視性電極31Aと第2透視性電極31Bとの間には接着層38などが介在されていてもよい。 FIG. 9 is a cross-sectional view showing a case where the touch panel 30 is cut along the line XVII in FIG. As shown in FIG. 9, the touch panel 30 has the first perspective view so that both the lead wire 51 of the first transparent electrode 31 </ b> A and the lead wire 51 of the second transparent electrode 31 </ b> B are located on the display device side of the base film 32. 31A and the second transparent electrode 31B are combined. Note that an adhesive layer 38 or the like may be interposed between the first transparent electrode 31A and the second transparent electrode 31B.
図10は、図9に示すタッチパネル30の一部を拡大して示す断面図である。図10に示すように、第1透視性電極31Aの導線51および第2透視性電極31Bの導線51はいずれも、上述の導線形成層52を含んでいる。ここで図10に示すように、導線形成層52は、本体層53と、本体層53の観察者側に設けられた低反射層54と、本体層53の表示装置側に設けられた低反射層55と、を含んでいる。 10 is an enlarged cross-sectional view of a part of the touch panel 30 shown in FIG. As shown in FIG. 10, both the conductive wire 51 of the first transparent electrode 31 </ b> A and the conductive wire 51 of the second transparent electrode 31 </ b> B include the above-described conductive wire forming layer 52. Here, as shown in FIG. 10, the conductive wire forming layer 52 includes a main body layer 53, a low reflection layer 54 provided on the observer side of the main body layer 53, and a low reflection provided on the display device side of the main body layer 53. Layer 55.
本体層53の観察者側に低反射層54が設けられているため、観察者側からタッチパネル30に入射した外光が導線51によって反射されて観察者側に戻ってしまうことを抑制することができる。これによって、導線51が観察者から視認されてしまうことを抑制することができ、このことにより、表示装置15からの映像の視認性が導線51によって妨げられることを抑制することができる。 Since the low reflection layer 54 is provided on the viewer side of the main body layer 53, it is possible to prevent external light incident on the touch panel 30 from the viewer side from being reflected by the conductive wire 51 and returning to the viewer side. it can. Thereby, it can suppress that the conducting wire 51 is visually recognized by an observer, and this can suppress that the visibility of the image from the display device 15 is hindered by the conducting wire 51.
また、上述のように、導線形成層52の本体層53は、その厚みが0.3μm以下になるよう構成されている。本実施の形態においては0.1μmとされている。このため、基材フィルム32の法線方向から傾斜した方向に沿ってタッチパネル30に入射した光が導線形成層52の側面によって反射してしまうことを抑制することができる。このことにより、導線51の側面が観察者から視認されてしまうことや、導線51の側面によって表示装置からの映像光が妨げられてしまうことを抑制することができる。従って、映像の視認性を向上させることができる。 Further, as described above, the main body layer 53 of the conductive wire forming layer 52 is configured to have a thickness of 0.3 μm or less. In the present embodiment, it is 0.1 μm. For this reason, it can suppress that the light which injected into the touch panel 30 along the direction inclined from the normal line direction of the base film 32 is reflected by the side surface of the conducting wire formation layer 52. Thereby, it can suppress that the side of the conducting wire 51 is visually recognized by an observer, and that the video light from the display device is hindered by the side of the conducting wire 51. Accordingly, the visibility of the video can be improved.
更に、導線形成層52は、本体層53の表示装置側に設けられた低反射層55を含んでいるため、タッチパネル30に入射した表示装置15からの映像光が導線51によって反射されて表示装置15側に戻り、その後、表示装置15の構成要素によって再び反射されてノイズ光として観察者に到達してしまうことを抑制することができる。 Further, since the conductive wire forming layer 52 includes a low reflection layer 55 provided on the display device side of the main body layer 53, the image light from the display device 15 incident on the touch panel 30 is reflected by the conductive wire 51 and displayed. Returning to the 15 side, it is possible to prevent the light from being reflected again by the components of the display device 15 and reaching the observer as noise light.
なお、上述した本実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した本実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。 Various changes can be made to the above-described embodiment. Hereinafter, modified examples will be described with reference to the drawings. In the following description and the drawings used in the following description, the same reference numerals as those used for the corresponding parts in the above embodiment are used for the parts that can be configured in the same manner as the above embodiment. The duplicated explanation is omitted. In addition, when it is clear that the operational effects obtained in the above-described embodiment can be obtained in the modified example, the description thereof may be omitted.
図10においては、第1透視性電極31Aの導線51および第2透視性電極31Bの導線51のいずれもが導線形成層52を含む例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第1透視性電極31Aの導線51は、上述の導線形成層52Bを含んでいてもよい。すなわち、第1透視性電極31Aの導線51は、導線形成層52または導線形成層52Bのいずれによって構成されていてもよい。同様に、第2透視性電極31Bの導線51も、導線形成層52または導線形成層52Bのいずれによって構成されていてもよい。 FIG. 10 shows an example in which both the conductive wire 51 of the first transparent electrode 31 </ b> A and the conductive wire 51 of the second transparent electrode 31 </ b> B include the conductive wire forming layer 52. However, the present invention is not limited to this, and the conducting wire 51 of the first transparent electrode 31A may include the conducting wire forming layer 52B described above. That is, the conducting wire 51 of the first transparent electrode 31A may be configured by either the conducting wire forming layer 52 or the conducting wire forming layer 52B. Similarly, the conducting wire 51 of the second transparent electrode 31B may be constituted by either the conducting wire forming layer 52 or the conducting wire forming layer 52B.
また図9においては、第1透視性電極31Aの導線51および第2透視性電極31Bの導線51のいずれもが基材フィルム32の表示装置側に位置する例を示したが、これに限られることはない。例えば図11に示すように、第1透視性電極31Aの導線51は、基材フィルム32の観察者側に位置し、一方、第2透視性電極31Bの導線51は、基材フィルム32の表示装置側に位置していてもよい。 FIG. 9 shows an example in which both the conductive wire 51 of the first transparent electrode 31A and the conductive wire 51 of the second transparent electrode 31B are located on the display device side of the base film 32, but this is not limitative. There is nothing. For example, as shown in FIG. 11, the conducting wire 51 of the first transparent electrode 31A is located on the viewer side of the base film 32, while the conducting wire 51 of the second transparent electrode 31B is an indication of the base film 32. It may be located on the device side.
また図12に示すように、第1透視性電極31Aの導線51は、基材フィルム32の表示装置側に位置し、一方、第2透視性電極31Bの導線51は、基材フィルム32の観察者側に位置していてもよい。 As shown in FIG. 12, the conductive wire 51 of the first transparent electrode 31 </ b> A is located on the display device side of the base film 32, while the conductive wire 51 of the second transparent electrode 31 </ b> B is an observation of the base film 32. It may be located on the person side.
次に、導線51が基材フィルム32の表示装置側に設けられている場合における、導線51の断面形状の好ましい一例について、図13を参照して説明する。 Next, a preferable example of the cross-sectional shape of the conducting wire 51 when the conducting wire 51 is provided on the display device side of the base film 32 will be described with reference to FIG.
図13に示すように、導線51の導線形成層52は、表示装置15に向かうにつれて先細になるテーパ形状を有している。この場合、基材フィルム32の法線方向から傾斜した方向に沿ってタッチパネル30に入射した外光Lは、導線形成層52のテーパ形状のため、導線51の側面に入射することなく表示装置15側へ抜けていくことができる。このため、外光が導線51によって反射されて観察者側に戻ってしまうことをさらに抑制することができる。 As shown in FIG. 13, the conductive wire forming layer 52 of the conductive wire 51 has a tapered shape that tapers toward the display device 15. In this case, the external light L incident on the touch panel 30 along the direction inclined from the normal direction of the base film 32 is not incident on the side surface of the conductor 51 due to the tapered shape of the conductor formation layer 52. You can escape to the side. For this reason, it can further suppress that external light is reflected by the conducting wire 51 and returns to the observer side.
導線形成層52の具体的なテーパ形状は、想定される外光の傾斜の程度などに応じて適切に設定されるが、例えば、基材フィルム32の法線方向と導線51の側面とが成す角は10°〜30°の範囲内となっている。 Although the specific taper shape of the conducting wire formation layer 52 is appropriately set according to the assumed degree of inclination of external light, for example, the normal direction of the base film 32 and the side surface of the conducting wire 51 are formed. The angle is in the range of 10 ° to 30 °.
なお、上述した本実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。 In addition, although the some modification with respect to this Embodiment mentioned above has been demonstrated, naturally, it can also apply combining a some modification suitably.
10 タッチ位置検出機能付き表示装置
12 保護板
15 表示装置
16 表示パネル
30 タッチパネル
31 透視性電極
32 基材フィルム
33 透明基材
34a,34b アクリル系樹脂層
34a1,34b1 第1アクリル系樹脂層
34a2,34b2 第2アクリル系樹脂層
38 接着層
41 導電パターン
43 額縁配線
44 端子部
51 導線
52 導線形成層
53 本体層
54 低反射層
55 低反射層
60 積層体
71 感光性レジスト層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Display device with a touch position detection function 12 Protection plate 15 Display device 16 Display panel 30 Touch panel 31 Transparent electrode 32 Base film 33 Transparent base material 34a, 34b Acrylic resin layer 34a1, 34b1 First acrylic resin layer 34a2, 34b2 Second acrylic resin layer 38 Adhesive layer 41 Conductive pattern 43 Frame wiring 44 Terminal portion 51 Conductive wire 52 Conductive wire forming layer 53 Main body layer 54 Low reflective layer 55 Low reflective layer 60 Laminate 71 Photosensitive resist layer
Claims (4)
前記基材フィルム上に設けられた導線形成層と、
を備え、
前記導線形成層は、
銅からなる本体層と、
前記本体層と前記基材フィルムとの間に配置された、窒化銅からなる低反射層と、
前記本体層に対して前記低反射層とは逆側に配置された窒化銅からなる第2低反射層と、
を含み、
X線回折法を用いて測定される前記本体層の引張内部応力が、−130MPa以上20MPa以下の範囲内である、積層体。 A transparent base film having flexibility;
A conductor forming layer provided on the base film;
With
The conducting wire forming layer is
A body layer made of copper;
A low reflection layer made of copper nitride, disposed between the main body layer and the substrate film;
A second low reflection layer made of copper nitride disposed on the opposite side of the main reflection layer from the low reflection layer;
Including
The laminated body whose tensile internal stress of the said main body layer measured using a X ray diffraction method exists in the range of -130 Mpa or more and 20 Mpa or less.
前記基材フィルム上に設けられた複数の導電パターンと、
を備え、
前記導電パターンは、遮光性を有する導線であって、各導線の間に開口部が形成されるように網目状に配置された導線から構成されており、
前記導線は、
銅からなる本体層と、
前記本体層と前記基材フィルムとの間に配置された、窒化銅からなる低反射層と、
前記本体層に対して前記低反射層とは逆側に配置された窒化銅からなる第2低反射層と、
を含み、
X線回折法を用いて測定される前記本体層の引張内部応力が、−130MPa以上20MPa以下の範囲内である、透視性電極。 A transparent base film having flexibility;
A plurality of conductive patterns provided on the base film;
With
The conductive pattern is a conductive wire having a light shielding property, and is composed of conductive wires arranged in a mesh shape so that an opening is formed between the conductive wires,
The conducting wire is
A body layer made of copper;
A low reflection layer made of copper nitride, disposed between the main body layer and the substrate film;
A second low reflection layer made of copper nitride disposed on the opposite side of the main reflection layer from the low reflection layer;
Including
The transparent electrode whose tensile internal stress of the said main body layer measured using a X ray diffraction method exists in the range of -130 Mpa or more and 20 Mpa or less.
前記表示装置の表示面上に配置された、請求項3に記載のタッチパネルと、
を備えたタッチ位置検出機能付き表示装置。 A display device;
The touch panel according to claim 3, which is disposed on a display surface of the display device,
A display device with a touch position detection function.
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