JP2014015490A - 封止樹脂シート、電子部品パッケージの製造方法及び電子部品パッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】 樹脂封止後の研削により清浄で平滑、平坦な研削面が得られる封止樹脂シート及びこれを用いる電子部品パッケージの製造方法、並びに該製造方法により得られる電子部品パッケージを提供すること。
【解決手段】 本発明は、１８０℃で１時間熱硬化処理した後、研削バイトの周速度１０００ｍ／ｍｉｎ、送りピッチ１００μｍ、切り込み深さ１０μｍの条件で研削した際の研削面の平均表面粗さＲａが１μｍ以下であり、前記熱硬化処理後の１００℃におけるショアＤ硬度が７０以上の封止樹脂シートである。
【選択図】 図２Ｂ

Description

本発明は、封止樹脂シート、電子部品パッケージの製造方法及び電子部品パッケージに関する。

近年、電子機器の小型化、軽量化、高機能化の要求が高まっており、それに応じて電子機器を構成するパッケージについても小型化、薄型化、高密度実装が求められている。

電子部品パッケージの作製には、代表的に、基板や仮止め材等に固定された電子部品を封止樹脂にて封止し、必要に応じて封止物を電子部品単位のパッケージとなるようにダイシングするという手順が採用されている。このような過程の中で、上記要求に応えるべく、樹脂封止後に封止物を研削（バックグラインド）して薄型化を図る技術が提案されている（例えば、特許文献１、２等）。フリップチップＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、フリップチップＳｉＰ、ファンイン型ウエハレベルパッケージ、ファンアウト型ウエハレベルパッケージ等の薄型半導体パッケージの製造工程においては、こうした研削による薄型化も重要な要素となる。

特許第３４２０７４８号 特許第３６６６５７６号

しかしながら、封止物の研削の際に、封止樹脂が砥石等の研削部材により引きずられて糸状の研削屑が生じたり、半導体チップやバンプ面への研削屑の付着等による研削面の品質劣化や、研削部材へのダメージ等が生じたりすることがある。また、単に研削するだけでなく、研削面の平滑化、平坦化も求められる。これは、研削面の凹凸が大きすぎると、電子部品の精密実装が困難となったり、後工程の熱処理時にその凹凸に起因して封止体のクラック等を生じたりするからである。特許文献１及び２では、上述のような研削に起因する不具合や平滑化、平坦化は認識されていないことから、具体的解決策が望まれている。

本発明の目的は、樹脂封止後の研削により清浄で平滑、平坦な研削面が得られる封止樹脂シート及びこれを用いる電子部品パッケージの製造方法、並びに該製造方法により得られる電子部品パッケージを提供することにある。

本発明者らは、鋭意検討した結果、特定の封止樹脂シートを採用することにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。

すなわち、本発明封止樹脂シートは、１８０℃で１時間熱硬化処理した後、研削バイトの周速度１０００ｍ／ｍｉｎ、送りピッチ１００μｍ、切り込み深さ１０μｍの条件で研削した際の研削面の平均表面粗さＲａが１μｍ以下であり、
前記熱硬化処理後の１００℃におけるショアＤ硬度が７０以上である。

当該封止樹脂シートでは、上記熱硬化処理後に所定条件で研削した際には平均表面粗さＲａが１μｍ以下となるので、当該封止樹脂シートを用いて電子部品の封止した後に、得られる封止体を研削した際には平滑で平坦な研削面を得ることができる。これにより、小型化の進む電子部品の精密実装が可能になるとともに、研削物の熱処理時等におけるクラックの発生を防止することができる。上記平均表面粗さＲａが１μｍを超えると、研削面の凹凸が大きくなりすぎ、電子部品の表面に形成された電極や、後工程で形成される電極等に高低差が生じ、基板の電極等との密着性が低下して精密実装を達成することができなくなり、また、研削物の熱処理時等にクラックが発生しやすくなって電子部品パッケージの信頼性が低下することになる。

また、当該封止樹脂シートでは、上記熱硬化処理後の１００℃でのショアＤ硬度が７０以上であることから、封止樹脂シートの硬化物に対する研削の間に摩擦等により研削面が加熱された場合であっても、研削屑はある程度の硬度を有する極微細な小片状ないし粉状となるだけで研削面から容易に除去することができ、これにより、清浄な研削面を得ることができる。熱硬化処理後のショアＤ硬度が７０未満であると、構成樹脂が軟性となって研削部材により引きずられるようにして糸状の研削屑が発生し、これが電子部品の研削面や研削部材に付着して予期せぬ汚染を引き起こすことになる。

なお、熱硬化処理条件、研削条件及び平均表面粗さＲａの測定条件のそれぞれの詳細は実施例の記載による。

当該封止樹脂シートでは、前記熱硬化処理後の２５℃におけるショアＤ硬度が７０以上であることが好ましい。これにより、研削の開始初期においても研削屑の硬度を保つことができ、研削工程の開始から終了まで研削屑の除去が容易となって、清浄な研削面を得ることができる。

当該封止樹脂シートでは、前記熱硬化処理後の２５℃における引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上であることが好ましい。これにより、研削の開始初期において、封止体の弾性によって研削部材から封止体にかかる応力が分散されて偏った研削状態となることを抑制することができ、効率的に研削面の平坦化を図ることができる。

当該封止樹脂シートでは、前記熱硬化処理後の１００℃における引張貯蔵弾性率が０．５ＧＰａ以上であることが好ましい。これにより、研削により研削面が加熱状態となった場合でも、封止体の弾性によって研削部材から封止体にかかる応力が分散されて偏った研削状態となることを抑制することができ、研削開始から終了まで効率的に研削面の平坦化を図ることができる。

当該封止樹脂シートでは、前記熱硬化処理後のガラス転移温度が１００℃以上であることが好ましい。当該封止樹脂シートがこのような構成を備えることにより、研削工程における封止樹脂シートの軟化を抑制することができ、高品質の研削面を得ることができる。

本発明には、電子部品を当該封止樹脂シートで封止する封止工程、
前記封止樹脂シートを熱硬化させて封止体を形成する封止体形成工程、及び
前記封止体の研削後の封止樹脂シートの研削面の平均表面粗さＲａが１μｍ以下となるように前記封止体の表面を研削して研削体を形成する研削工程
を含む電子部品パッケージの製造方法も含まれる。

本発明の製造方法によれば、当該封止樹脂シートを用いて得られる封止体の表面を研削後の平均表面粗さＲａが１μｍ以下となるように研削するので、平滑かつ平坦で、清浄な研削面を有する電子部品パッケージを効率良く製造することができる。

当該製造方法は、前記研削体をダイシングして電子モジュールを形成するダイシング工程をさらに含んでもよい。

当該製造方法において、前記電子部品は半導体チップであってもよく、半導体ウェハであってもよい。いずれも場合であっても平滑かつ平坦で、清浄な研削面を有する電子部品パッケージを効率良く製造することができる。

本発明には、当該電子部品パッケージの製造方法により得られる一又は複数の電子部品を樹脂封止した封止体や、電子部品の樹脂封止、研削及びダイシングを経た電子部品モジュール等の電子部品パッケージも含まれる。

本発明の一実施形態に係る封止樹脂シートを模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の別の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の別の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の別の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の別の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明の別の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明のさらに別の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明のさらに別の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明のさらに別の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明のさらに別の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明のさらに別の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明のさらに別の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。 本発明のさらに別の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。

＜第１実施形態＞
［封止樹脂シート］
本実施形態に係る封止樹脂シートについて図１を参照しつつ説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る封止樹脂シートを模式的に示す断面図である。封止樹脂シート１１は、代表的に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の支持体１１ａ上に積層された状態で提供される。なお、支持体１１ａには封止樹脂シート１１の剥離を容易に行うために離型処理が施されていてもよい。

上記封止樹脂シート１１においては、１８０℃で１時間熱硬化処理した後、研削バイトの周速度１０００ｍ／ｍｉｎ、送りピッチ１００μｍ、切り込み深さ１０μｍの条件で研削した際の研削面の平均表面粗さＲａが１μｍ以下であり、かつ前記熱硬化処理後の１００℃におけるショアＤ硬度が７０以上である。上記研削表面の平均表面粗さＲａは０．５μｍ以下が好ましく、０．３μｍ以下がより好ましい。上記研削表面の平均表面粗さＲａの下限は特に限定されないものの、配線層との密着性確保の観点から０．００５μｍ以上が好ましく、０．０１μｍ以上がより好ましい。また、上記熱硬化処理後の１００℃におけるショアＤ硬度は７５以上が好ましく、８０以上がより好ましい。上記熱硬化処理後の１００℃におけるショアＤ硬度の上限は特に限定されないものの、封止樹脂シートの反り低減の観点から、１２０以下が好ましく、９０以下がより好ましい。

当該封止樹脂シートでは、熱硬化処理後に所定条件で研削した際には平均表面粗さＲａが１μｍ以下となるので、当該封止樹脂シートを用いて電子部品の封止した後に、得られる封止体を研削した際には平滑で平坦な研削面を得ることができる。これにより、小型化の進む電子部品の精密実装が可能になるとともに、研削物の熱処理時等におけるクラックの発生を防止することができる。上記平均表面粗さＲａが１μｍを超えると、研削面の凹凸が大きくなりすぎ、電子部品の表面に形成された電極や、後工程で形成される電極等に高低差が生じ、基板の電極等との密着性が低下して精密実装を達成することができなくなり、また、研削物の熱処理時等にクラックが発生しやすくなって電子部品パッケージの信頼性が低下することになる。

また、当該封止樹脂シートでは、上記熱硬化処理後の１００℃でのショアＤ硬度が７０以上であることから、封止樹脂シートの硬化物に対する研削の間に摩擦等により研削面が加熱されても、研削屑はある程度の硬度を有する極微細な小片状ないし粉状となるだけで研削面から容易に除去することができ、これにより、清浄な研削面を得ることができる。熱硬化処理後のショアＤ硬度が７０未満であると、構成樹脂が軟性となって研削部材により引きずられるようにして糸状の研削屑が発生し、これが研削面や研削部材に付着して予期せぬ汚染を引き起こすことになる。

当該封止樹脂シートでは、上記熱硬化処理後の２５℃におけるショアＤ硬度が７０以上であることが好ましく、８０以上であることがより好ましく、９０以上であることがさらに好ましい。このような熱硬化処理後のショアＤ硬度を採用することにより、研削の開始初期においても研削屑の硬度を保つことができ、研削工程の開始から終了まで研削屑の除去が容易となって、清浄な研削面を得ることができる。これに対し、上記熱硬化処理後の２５℃におけるショアＤ硬度の上限は特に限定されないものの、常温における反り低減の観点から、１３０以下が好ましく、１００以下がより好ましい。

当該封止樹脂シートでは、上記熱硬化処理後の２５℃における引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上であることが好ましく、２ＧＰａ以上であることがより好ましく、４ＧＰａ以上であることがさらに好ましい。これにより、研削の開始初期において、封止体の弾性によって研削部材から封止体にかかる応力が分散されて偏った研削状態となることを抑制することができ、効率的に研削面の平坦化を図ることができる。上記熱硬化処理後の２５℃における引張貯蔵弾性率の上限は特に限定されないものの、常温における反り低減の観点から、３０ＧＰａ以下が好ましく、１５ＧＰａ以下がより好ましい。

当該封止樹脂シートでは、上記熱硬化処理後の１００℃における引張貯蔵弾性率が０．５ＧＰａ以上であることが好ましく、１ＧＰａ以上がより好ましく、２ＧＰａ以上がさらに好ましい。これにより、研削により研削面が加熱状態となった場合でも、封止体の弾性によって研削部材から封止体にかかる応力が分散されて偏った研削状態となることを抑制することができ、研削開始から終了まで効率的に研削面の平坦化を図ることができる。また、上記熱硬化処理後の１００℃における引張貯蔵弾性率の上限は、反り低減の点から、２５ＧＰａ以下が好ましく、１０ＧＰａ以下がより好ましい。

当該封止樹脂シートでは、上記熱硬化処理後のガラス転移温度が１００℃以上であることが好ましく、１１０℃以上であることがより好ましく、１２０℃以上であることがさらに好ましい。当該封止樹脂シートがこのような構成を備えることにより、研削工程における封止樹脂シートの軟化を抑制することができ、品質の高い研磨面を得ることができる。これに対し、上記熱硬化処理後のガラス転移温度の上限は特に限定されないものの、熱硬化の際の硬化収縮低減の観点から、２００℃以下が好ましく、１７０℃以下がより好ましい。

封止樹脂シートを形成する樹脂組成物は、上述のような特性を有し、半導体チップ等の電子部品の樹脂封止に利用可能なものであれば、特に限定されないが、例えば以下のＡ成分からＥ成分を含有するエポキシ樹脂組成物が好ましいものとして挙げられる。なお、Ｃ成分は必要に応じて添加しても添加しなくてもよい。
Ａ成分：エポキシ樹脂
Ｂ成分：フェノール樹脂
Ｃ成分：エラストマー
Ｄ成分：無機充填剤
Ｅ成分：硬化促進剤

（Ａ成分）
エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂等の各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。

エポキシ樹脂の硬化後の靭性及びエポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましく、中でも、信頼性の観点から、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂が好ましい。

また、低応力性の観点から、アセタール基やポリオキシアルキレン基等の柔軟性骨格を有する変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が好ましく、アセタール基を有する変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は、液体状で取り扱いが良好であることから、特に好適に用いることができる。

エポキシ樹脂（Ａ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体に対して１〜１０重量％の範囲に設定することが好ましい。

（Ｂ成分）
フェノール樹脂（Ｂ成分）は、エポキシ樹脂（Ａ成分）との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂、等が用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。

フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂（Ａ成分）との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、中でも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。

エポキシ樹脂（Ａ成分）とフェノール樹脂（Ｂ成分）の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂（Ａ成分）中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂（Ｂ成分）中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。

（Ｃ成分）
エポキシ樹脂（Ａ成分）及びフェノール樹脂（Ｂ成分）とともに用いられるエラストマー（Ｃ成分）は、封止樹脂シートによる電子部品の封止に必要な可撓性をエポキシ樹脂組成物に付与するものであり、このような作用を奏するものであれば特にその構造を限定するものではない。例えば、ポリアクリル酸エステル等の各種アクリル系共重合体、スチレンアクリレート系共重合体、ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、エチレン−酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）、イソプレンゴム、アクリロニトリルゴム等のゴム質重合体を用いることができる。中でも、エポキシ樹脂（Ａ成分）へ分散させやすく、またエポキシ樹脂（Ａ成分）との反応性も高いために、得られる封止樹脂シートの耐熱性や強度を向上させることができるという観点から、アクリル系共重合体を用いることが好ましい。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併せて用いてもよい。

なお、アクリル系共重合体は、例えば、所定の混合比にしたアクリルモノマー混合物を、定法によってラジカル重合することにより合成することができる。ラジカル重合の方法としては、有機溶剤を溶媒に行う溶液重合法や、水中に原料モノマーを分散させながら重合を行う懸濁重合法が用いられる。その際に用いる重合開始剤としては、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス−４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル、その他のアゾ系又はジアゾ系重合開始剤、ベンゾイルパーオキサイド及びメチルエチルケトンパーオキサイド等の過酸化物系重合開始剤等が用いられる。なお、懸濁重合の場合は、例えばポリアクリルアミド、ポリビニルアルコールのような分散剤を加えることが望ましい。

エラストマー（Ｃ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の１５〜３０重量％である。エラストマー（Ｃ成分）の含有量が１５重量％未満では、封止樹脂シート１１の柔軟性及び可撓性を得るのが困難となり、さらには封止樹脂シートの反りを抑えた樹脂封止も困難となる。逆に上記含有量が３０重量％を超えると、封止樹脂シート１１の溶融粘度が高くなって電子部品の埋まり込み性が低下するとともに、封止樹脂シート１１の硬化体の強度及び耐熱性が低下する傾向がみられる。

また、エラストマー（Ｃ成分）のエポキシ樹脂（Ａ成分）に対する重量比率（Ｃ成分の重量／Ａ成分の重量）は、３〜４．７の範囲に設定することが好ましい。上記重量比率が３未満の場合は、封止樹脂シート１１の流動性をコントロールすることが困難となり、４．７を超えると封止樹脂シート１１の電子部品への接着性が劣る傾向がみられるためである。

（Ｄ成分）
無機質充填剤（Ｄ成分）は、特に限定されるものではなく、従来公知の各種充填剤を用いることができ、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカ等）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素の粉末が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。

中でも、エポキシ樹脂組成物の硬化体の熱線膨張係数が低減することにより内部応力を低減し、その結果、電子部品の封止後の封止樹脂シート１１の反りを抑制できるという点から、シリカ粉末を用いることが好ましく、シリカ粉末の中でも溶融シリカ粉末を用いることがより好ましい。溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末が挙げられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが特に好ましい。中でも、平均粒径が０．１〜３０μｍの範囲のものを用いることが好ましく、０．３〜１５μｍの範囲のものを用いることが特に好ましい。

なお、平均粒径は、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。

無機質充填剤（Ｄ成分）の含有量は、好ましくはエポキシ樹脂組成物全体の７０〜９５重量％であり、より好ましくは７５〜９２重量％であり、さらに好ましくは８０〜９０重量％である。無機質充填剤（Ｄ成分）の含有量が５０重量％未満では、エポキシ樹脂組成物の硬化体の線膨張係数が大きくなるために、封止樹脂シート１１の反りが大きくなる傾向がみられる。一方、上記含有量が９０重量％を超えると、封止樹脂シート１１の柔軟性や流動性が悪くなるために、電子部品との接着性が低下する傾向がみられる。

（Ｅ成分）
硬化促進剤（Ｅ成分）は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されるものではないが、硬化性と保存性の観点から、トリフェニルホスフィンやテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等の有機リン系化合物や、イミダゾール系化合物が好適に用いられる。これら硬化促進剤は、単独で用いても良いし、他の硬化促進剤と併用しても構わない。

硬化促進剤（Ｅ成分）の含有量は、エポキシ樹脂（Ａ成分）及びフェノール樹脂（Ｂ成分）の合計１００重量部に対して０．１〜５重量部であることが好ましい。

（その他の成分）
また、エポキシ樹脂組成物には、Ａ成分からＥ成分に加えて、難燃剤成分を加えてもよい。難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物等の各種金属水酸化物を用いることができる。

金属水酸化物の平均粒径としては、エポキシ樹脂組成物を加熱した際に適当な流動性を確保するという観点から、平均粒径が１〜１０μｍであることが好ましく、さらに好ましくは２〜５μｍである。金属水酸化物の平均粒径が１μｍ未満では、エポキシ樹脂組成物中に均一に分散させることが困難となるとともに、エポキシ樹脂組成物の加熱時における流動性が十分に得られない傾向がある。また、平均粒径が１０μｍを超えると、金属水酸化物（Ｅ成分）の添加量あたりの表面積が小さくなるため、難燃効果が低下する傾向がみられる。

また、難燃剤成分としては上記金属水酸化物のほか、ホスファゼン化合物を用いることができる。ホスファゼン化合物としては、例えばＳＰＲ−１００、ＳＡ−１００、ＳＰ−１００（以上、大塚化学株式会社）、ＦＰ−１００、ＦＰ−１１０（以上、株式会社伏見製薬所）等が市販品として入手可能である。

少量でも難燃効果を発揮するという観点から、式（１）又は式（２）で表されるホスファゼン化合物が好ましく、これらホスファンゼン化合物に含まれるリン元素の含有率は、１２重量％以上であることが好ましい。

（式（１）中、ｎは３〜２５の整数であり、Ｒ^１及びＲ^２は同一又は異なって、アルコキシ基、フェノキシ基、アミノ基、水酸基及びアリル基からなる群より選択される官能基を有する１価の有機基である。）

（式（２）中、ｎ及びｍは、それぞれ独立して３〜２５の整数である。Ｒ^３及びＲ^５は同一又は異なって、アルコキシ基、フェノキシ基、アミノ基、水酸基及びアリル基からなる群より選択される官能基を有する１価の有機基である。Ｒ^４は、アルコキシ基、フェノキシ基、アミノ基、水酸基及びアリル基からなる群より選択される官能基を有する２価の有機基である。）

また、安定性及びボイドの生成抑制という観点から、式（３）で表される環状ホスファゼンオリゴマーを用いることが好ましい。

（式（３）中、ｎは３〜２５の整数であり、Ｒ^６及びＲ^７は同一又は異なって、水素、水酸基、アルキル基、アルコキシ基又はグリシジル基である。）

上記式（３）で表される環状ホスファゼンオリゴマーは、例えばＦＰ−１００、ＦＰ−１１０（以上、株式会社伏見製薬所）等が市販品として入手可能である。

ホスファゼン化合物の含有量は、エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ樹脂（Ａ成分）、フェノール樹脂（Ｂ成分）、エラストマー（Ｄ成分）、硬化促進剤（Ｅ成分）及びホスファゼン化合物（その他の成分）を含む有機成分全体の１０〜３０重量％であることが好ましい。すなわち、ホスファゼン化合物の含有量が、有機成分全体の１０重量％未満では、封止樹脂シート１１の難燃性が低下するとともに、被着体（例えば、電子部品を搭載した基板等）に対する凹凸追従性が低下し、ボイドが発生する傾向がみられる。上記含有量が有機成分全体の３０重量％を超えると、封止樹脂シート１１の表面にタックが生じやすくなり、被着体に対する位置合わせをしにくくなる等作業性が低下する傾向がみられる。

また、上記金属水酸化物及びホスファゼン化合物を併用し、シート封止に必要な可撓性を確保しつつ、難燃性に優れた封止樹脂シート１１を得ることもできる。両者を併用することにより、金属水酸化物のみを用いた場合の十分な難燃性と、ホスファゼン化合物のみを用いた場合は、十分な可撓性を得ることができる。

上記難燃剤のうち、樹脂封止の成型時における封止樹脂シートの変形性、電子部品や被着体の凹凸への追従性、電子部品や被着体への密着性の点から有機系難燃剤を用いるのが望ましく、特にホスファゼン系難燃剤が好適に用いられる。

なお、エポキシ樹脂組成物は、上記の各成分以外に必要に応じて、カーボンブラックをはじめとする顔料等、他の添加剤を適宜配合することができる。

（封止樹脂シートの作製方法）
封止樹脂シートの作製方法を以下に説明する。まず、上述の各成分を混合することによりエポキシ樹脂組成物を調製する。混合方法は、各成分が均一に分散混合される方法であれば特に限定するものではない。その後、例えば、各成分を有機溶剤等に溶解又は分散したワニスを塗工してシート状に形成する。あるいは、各配合成分を直接ニーダー等で混練することにより混練物を調製し、このようにして得られた混練物を押し出してシート状に形成してもよい。

ワニスを用いる具体的な作製手順としては、上記Ａ〜Ｅ成分及び必要に応じて他の添加剤を常法に準じて適宜混合し、有機溶剤に均一に溶解あるいは分散させ、ワニスを調製する。ついで、上記ワニスをポリエステル等の支持体上に塗布し乾燥させることにより封止樹脂シート１１を得ることができる。そして必要により、封止樹脂シートの表面を保護するためにポリエステルフィルム等の剥離シートを貼り合わせてもよい。剥離シートは封止時に剥離する。

上記有機溶剤としては、特に限定されるものではなく従来公知の各種有機溶剤、例えばメチルエチルケトン、アセトン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジエチルケトン、トルエン、酢酸エチル等を用いることができる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併せて用いてもよい。また通常、ワニスの固形分濃度が３０〜６０重量％の範囲となるように有機溶剤を用いることが好ましい。

有機溶剤乾燥後のシートの厚みは、特に制限されるものではないが、厚みの均一性と残存溶剤量の観点から、通常、５〜１００μｍに設定することが好ましく、より好ましくは２０〜７０μｍである。

一方、混練を用いる場合には、上記Ａ〜Ｅ成分及び必要に応じて他の添加剤の各成分をミキサーなど公知の方法を用いて混合し、その後、溶融混練することにより混練物を調製する。溶融混練する方法としては、特に限定されないが、例えば、ミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機により、溶融混練する方法などが挙げられる。混練条件としては、温度が、上記した各成分の軟化点以上であれば特に制限されず、例えば３０〜１５０℃、エポキン樹脂の熱硬化性を考慮すると、好ましくは４０〜１４０℃、さらに好ましくは６０〜１２０℃であり、時間が、例えば１〜３０分間、好ましくは５〜１５分間である。これによって、混練物を調製することができる。

得られる混練物を押出成形により成形することにより、封止樹脂シート１１を得ることができる。具体的には、溶融混練後の混練物を冷却することなく高温状態のままで、押出成形することで、封止樹脂シート１１を形成することができる。このような押出方法としては、特に制限されず、Ｔダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。押出温度としては、上記した各成分の軟化点以上であれば、特に制限されないが、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは、５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。以上により、封止樹脂シート１１を形成することができる。

このようにして得られた封止樹脂シートは、必要により所望の厚みとなるように積層して使用してもよい。すなわち、封止樹脂シートは、単層構造にて使用してもよいし、２層以上の多層構造に積層してなる積層体として使用してもよい。

［電子部品パッケージの製造方法］
次に、上記封止樹脂シートを用いる本実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法について図２Ａ〜２Ｅを参照しつつ説明する。図２Ａ〜２Ｅはそれぞれ、本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。第１実施形態では、基板上に搭載された半導体チップを封止樹脂シートにより樹脂封止して電子部品パッケージを作製する。なお、本実施形態では、電子部品として半導体チップを用い、被着体としてプリント配線基板を用いているが、これら以外の要素を用いてもよい。例えば、電子部品としてコンデンサやセンサデバイス、発光素子、振動素子等、被着体としてリードフレーム、テープキャリア等を用いることができる。また、被着体を用いずに、仮固定材上に電子部品を仮固定しておき、これらを樹脂封止することもできる。いずれの要素を用いても、電子部品の樹脂封止による高度な保護を達成することができる。第１実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法は、フリップチップ型実装基板の製造に好適である。

（半導体チップ搭載基板準備工程）
半導体チップ搭載基板準備工程では、複数の半導体チップ１３が搭載されたプリント配線基板１２を準備する（図２Ａ参照）。半導体チップ１３は、所定の回路が形成された半導体ウェハを公知の方法でダイシングして個片化することにより形成することができる。半導体チップ１３のプリント配線基板１２への搭載には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。半導体チップ１３とプリント配線基板１２とはバンプ等の突起電極１３ａを介して電気的に接続されている。また、半導体チップ１３とプリント配線基板１２との間には両者の熱膨張率の差を緩和して特に接続部位におけるクラック等の発生を防止するためのアンダーフィル材１４が充填されている。アンダーフィル材１４としては公知のものを用いればよい。アンダーフィル材１４の配置は、半導体チップ１３のプリント配線基板１２への搭載後、両者間に液状のアンダーフィル材１４を注入させることにより行ってもよく、シート状のアンダーフィル材１４付きの半導体チップ１３又はプリント配線基板１２を用意した上で、半導体チップ１３とプリント配線基板１２とを接続することにより行ってもよい。

（封止工程）
封止工程では、半導体チップ１３を覆うようにプリント配線基板１２へ封止樹脂シート１１を積層し、半導体チップ１３を上記封止樹脂シートで樹脂封止する（図２Ｂ参照）。この封止樹脂シート１１は、半導体チップ１３及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能する。

封止樹脂シート１１の積層方法としては特に限定されず、封止樹脂シートを形成するための樹脂組成物の溶融混練物を押出成形し、押出成形物をプリント配線基板１２上に載置してプレスすることにより封止樹脂シート１１の形成と積層とを一括にて行う方法や、封止樹脂シート１１を形成するための樹脂組成物を離型処理シート上に塗布し、塗布膜を乾燥させて封止樹脂シート１１を形成した上で、この封止樹脂シート１１をプリント配線基板１２上に転写する方法などが挙げられる。

本実施形態では、上記封止樹脂シート１１を採用することにより、半導体チップ１３の被覆にプリント配線基板１２上に貼り付けるだけで半導体チップ１３を埋め込むことができ、半導体パッケージの生産効率を向上させることができる。この場合、熱プレスやラミネータなど公知の方法により封止樹脂シート１１をプリント配線基板１２上に積層することができる。熱プレス条件としては、温度が、例えば、４０〜１２０℃、好ましくは、５０〜１００℃であり、圧力が、例えば、５０〜２５００ｋＰａ、好ましくは、１００〜２０００ｋＰａであり、時間が、例えば、０．３〜１０分間、好ましくは、０．５〜５分間である。また、封止樹脂シート１１の半導体チップ１３及びプリント配線基板１２への密着性および追従性の向上を考慮すると、好ましくは、減圧条件下（例えば１０〜２０００Ｐａ）において、プレスすることが好ましい。

（封止体形成工程）
封止体形成工程では、上記封止樹脂シートを熱硬化処理して封止体１５を形成する（図２Ｂ参照）。封止樹脂シートの熱硬化処理の条件は、加熱温度として好ましくは１００℃から２００℃、より好ましくは１２０℃から１８０℃、加熱時間として好ましくは１０分から１８０分、より好ましくは３０分から１２０分の間、必要に応じて加圧しても良い。加圧の際は、好ましくは０．１ＭＰａから１０ＭＰａ、より好ましくは０．５ＭＰａから５ＭＰａを採用することができる。

（研削工程）
研削工程では、上記封止体１５の研削後の封止樹脂シートの研削面の平均表面粗さＲａが１μｍ以下となるように上記封止体１５の表面を研削して研削体１６を形成する（図２Ｃ参照）。研削の際、図２Ｃに示すように封止樹脂シート１１とともに半導体チップ１３も研削してもよく、封止樹脂シート１１のみを研削してもよい。研削は公知の研削装置を用いて行えばよい。ダイアモンドバイト等の研削バイトを回転させながら、そこに封止体１５を送りつつ封止体表面を研削し、所定の厚さ及び平均表面粗さＲａを有する研削体１６を形成する手順を好適に採用することができる。本実施形態では、所定の封止樹脂シートを用いているので、研削後の平均表面粗さＲａが１μｍ以下の研削面を効率良く達成することができる。

（バンプ形成工程）
次いで、プリント配線基板１２の半導体チップ搭載面とは反対側の面にバンプ１７を形成するバンピング加工を行ってもよい（図２Ｄ参照）。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキなど公知の方法で行うことができる。バンプの材質は特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。

（ダイシング工程）
続いて、封止樹脂シート１１、プリント配線基板１２、及び半導体チップ１３などの要素からなる研削体１６のダイシングを行ってもよい（図２Ｅ参照）。これにより、半導体チップ１３単位での電子モジュール１８を得ることができる。ダイシングは、通常、従来公知のダイシングシートにより上記研削体１６を固定した上で行う。切断箇所の位置合わせは直接照明又は間接照明を用いた画像認識により行ってもよい。

本工程では、例えば、ダイシングシートまで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。

なお、ダイシング工程に続いて研削体のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介してダイシングシートを下方へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さくダイシングシートを支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、隣り合う電子モジュール１８同士が接触して破損するのを防ぐことができる。

（基板実装工程）
必要に応じて、上記で得られた電子モジュール１８を別途の基板（図示せず）に実装する基板実装工程を行うことができる。電子モジュール１８の基板への実装には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の一実施形態である第２実施形態について説明する。第１実施形態では、フリップチップ型実装基板の製造に好適な製造方法について説明したが、第２実施形態では、いわゆるＦａｎ−ｉｎ（ファンイン）型ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）と呼称される電子部品パッケージの製造に好適な製造方法について説明する。図３Ａ〜Ｅはそれぞれ、本発明の別の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。

（半導体ウェハ準備工程）
半導体ウェハ２９としては、片面に複数の突起電極２３ａが形成されていてもよく（図３Ａ参照）、半導体ウェハ２９の両面に突起電極が形成されていてもよい（図示せず）。バンプや導電材等の突起電極の材質としては、特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。突起電極の高さも用途に応じて定められ、一般的には２０〜２００μｍ程度である。

半導体ウェハ２９の両面に突起電極が形成されている場合、両面における突起電極同士は電気的に接続されていてもよく、接続されていなくてもよい。突起電極同士の電気的接続には、ＴＳＶ形式と呼ばれるビアを介しての接続等が挙げられる。

（封止工程）
封止工程では、突起電極２３ａを覆うように封止樹脂シート２１を半導体ウェハ２９へ積層し、半導体ウェハ２９の片面を上記封止樹脂シートで樹脂封止する（図３Ｂ参照）。この封止樹脂シート２１は、半導体ウェハ２９及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能する。封止樹脂シート２１の半導体ウェハ２９への積層方法は、第１実施形態と同様の条件を採用することができる。

（封止体形成工程）
封止体形成工程では、上記封止樹脂シート２１に熱硬化処理を施して封止体２５を形成する（図３Ｂ参照）。封止樹脂シート２１の熱硬化処理の条件は、第１実施形態と同様の条件を採用することができる。

（研削工程）
研削工程では、上記封止体２５の研削後の封止樹脂シートの研削面の平均表面粗さＲａが１μｍ以下となるように上記封止体２５の表面を研削して研削体２６を形成する（図３Ｃ参照）。研削の際、図３Ｃに示すように突起電極２３ａが露出するように研削する。研削は公知の研削装置を用いて行えばよい。本実施形態では、所定の封止樹脂シートを用いているので、研削後の封止樹脂シート２１の平均表面粗さＲａが１μｍ以下の研削面を効率良く達成することができる。

（バンプ形成工程）
次いで、露出させた突起電極２３ａ上にバンプ２７を形成するバンピング加工を行う（図３Ｄ参照）。バンピング加工方法及びバンプの材質は、第１実施形態と同様のものを採用することができる。

（ダイシング工程）
続いて、封止樹脂シート２１、半導体ウェハ２９及びバンプ２７などの要素からなる研削体２６のダイシングを行ってもよい（図３Ｅ参照）。これにより、半導体チップ２３単位での電子モジュール２８を得ることができる。ダイシング方法は、第１実施形態と同様の方法を採用することができる。

（基板実装工程）
必要に応じて、上記で得られた電子モジュール２８を別途の基板（図示せず）に実装する基板実装工程を行うことができる。電子モジュール２８の基板への実装には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。

＜第３実施形態＞
以下、本発明の一実施形態である第３実施形態について説明する。図４Ａ〜図４Ｇはそれぞれ、本発明のさらに別の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。第１実施形態では、プリント配線基板に搭載された半導体チップを封止樹脂シートにて樹脂封止しているが、第３実施形態では、半導体チップを基板等の被着体ではなく仮固定材に仮固定した状態で樹脂封止を行う。この第３実施形態は、いわゆるＦａｎ−ｏｕｔ（ファンアウト）型ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）と呼称される電子部品パッケージの製造に好適である。

［仮固定材準備工程］
仮固定材準備工程では、支持体３ｂ上に熱膨張性粘着剤層３ａが積層された仮固定材３を準備する（図４Ａ参照）。なお、熱膨張性粘着剤層に代えて、放射線硬化型粘着剤層を用いることもできる。本実施形態では、熱膨張性粘着剤層を備える仮固定材３について説明する。

（熱膨張性粘着剤層）
熱膨張性粘着剤層３ａは、ポリマー成分と、発泡剤とを含む粘着剤組成物により形成することができる。ポリマー成分（特にベースポリマー）としては、アクリル系ポリマー（「アクリルポリマーＡ」と称する場合がある）を好適に用いることができる。アクリルポリマーＡとしては、（メタ）アクリル酸エステルを主モノマー成分として用いたものが挙げられる。前記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓｅｃ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）などが挙げられる。これらの（メタ）アクリル酸エステルは単独で又は２種以上を併用してもよい。

なお、前記アクリルポリマーＡは、凝集力、耐熱性、架橋性などの改質を目的として、必要に応じて、前記（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他の単量体成分に対応する単位を含んでいてもよい。このような単量体成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、カルボキシエチルアクリレートなどのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イコタン酸などの酸無水物基含有モノマー；（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシブチルなどのヒドロキシル基含有モノマー；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミドなどの（Ｎ−置換又は無置換）アミド系モノマー；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのビニルエステル系モノマー；スチレン、α−メチルスチレンなどのスチレン系モノマー；ビニルメチルエーテル、ビニルエチルエーテルなどのビニルエーテル系モノマー；アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノアクリレート系モノマー；（メタ）アクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有アクリル系モノマー；エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン、イソブチレンなどのオレフィン又はジエン系モノマー；（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルなどの（置換又は無置換）アミノ基含有モノマー；（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルなどの（メタ）アクリル酸アルコキシアルキル系モノマー；Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−メチルビニルピロリドン、Ｎ−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピペリドン、Ｎ−ビニルピリミジン、Ｎ−ビニルピペラジン、Ｎ−ビニルピラジン、Ｎ−ビニルピロール、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−ビニルオキサゾール、Ｎ−ビニルモルホリン、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどの窒素原子含有環を有するモノマー；Ｎ−ビニルカルボン酸アミド類；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレートなどのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミドなどのマレイミド系モノマー；Ｎ−メチルイタコンイミド、Ｎ−エチルイタコンイミド、Ｎ−ブチルイタコンイミド、Ｎ−オクチルイタコンイミド、Ｎ−２−エチルヘキシルイタコンイミド、Ｎ−シクロヘキシルイタコンイミド、Ｎ−ラウリルイタコンイミドなどのイタコンイミド系モノマー；Ｎ−（メタ）アクリロイルオキシメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクルロイル−６−オキシヘキサメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイル−８−オキシオクタメチレンスクシンイミドなどのスクシンイミド系モノマー；（メタ）アクリル酸ポリエチレングリコール、（メタ）アクリル酸ポリプロピレングリコールなどのグリコール系アクリルエステルモノマー；（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリルなどの酸素原子含有複素環を有するモノマー；フッ素系（メタ）アクリレートなどのフッ素原子を含有するアクリル酸エステル系モノマー；シリコーン系（メタ）アクリレートなどのケイ素原子を含有するアクリル酸エステル系モノマー；ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレートなどの多官能モノマー等が挙げられる。

前記アクリルポリマーＡは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合（例えば、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合など）、乳化重合、塊状重合、懸濁重合、光重合（例えば、紫外線（ＵＶ）重合など）等の何れの方式で行うこともできる。

アクリルポリマーＡの重量平均分子量は、特に制限されないが、好ましくは３５万〜１００万、更に好ましくは４５万〜８０万程度である。

また、熱膨張性粘着剤には、粘着力を調整するため、外部架橋剤を適宜に用いることもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。外部架橋剤の使用量は、一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、２０重量部以下（好ましくは０．１重量部〜１０重量部）である。

熱膨張性粘着剤層３ａは、前述のように、熱膨張性を付与するための発泡剤を含有している。そのため、仮固定材３の熱膨張性粘着剤層３ａ上に研削された半導体チップ３３を含む研削体３６が形成された状態で（図４Ｄ参照）、任意な時に仮固定材３を少なくとも部分的に加熱して、該加熱された熱膨張性粘着剤層３ａの部分に含有されている発泡剤を発泡及び／又は膨張させることにより、熱膨張性粘着剤層３ａが少なくとも部分的に膨張し、この熱膨張性粘着剤層３ａの少なくとも部分的な膨張により、該膨張した部分に対応した粘着面（研削体３６との界面）が凹凸状に変形して、該熱膨張性粘着剤層３ａと研削体３６との接着面積が減少し、これにより、両者間の接着力が減少し、研削体３６を仮固定材３から剥離させることができる。

（発泡剤）
熱膨張性粘着剤層３ａにおいて用いられている発泡剤としては、特に制限されず、公知の発泡剤から適宜選択することができる。発泡剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。発泡剤としては、熱膨張性微小球を好適に用いることができる。

（熱膨張性微小球）
熱膨張性微小球としては、特に制限されず、公知の熱膨張性微小球（種々の無機系熱膨張性微小球や、有機系熱膨張性微小球など）から適宜選択することができる。熱膨張性微小球としては、混合操作が容易である観点などより、マイクロカプセル化されている発泡剤を好適に用いることができる。このような熱膨張性微小球としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球などが挙げられる。前記殻は、熱溶融性物質や熱膨張により破壊する物質で形成される場合が多い。前記殻を形成する物質として、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。

熱膨張性微小球は、慣用の方法、例えば、コアセルベーション法や、界面重合法などにより製造できる。なお、熱膨張性微小球には、例えば、松本油脂製薬株式会社製の商品名「マツモトマイクロスフェアー」のシリーズ（例えば、商品名「マツモトマイクロスフェアーＦ３０」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ３０１Ｄ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ５０Ｄ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ５０１Ｄ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ８０ＳＤ」、同「マツモトマイクロスフェアーＦ８０ＶＳＤ」など）の他、エクスパンセル社製の商品名「０５１ＤＵ」、同「０５３ＤＵ」、同「５５１ＤＵ」、同「５５１−２０ＤＵ」、同「５５１−８０ＤＵ」などの市販品を使用することができる。

なお、発泡剤として熱膨張性微小球を用いた場合、該熱膨張性微小球の粒径（平均粒子径）としては、熱膨張性粘着剤層の厚みなどに応じて適宜選択することができる。熱膨張性微小球の平均粒子径としては、例えば、１００μｍ以下（好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ〜５０μｍ、特に１μｍ〜３０μｍ）の範囲から選択することができる。なお、熱膨張性微小球の粒径の調整は、熱膨張性微小球の生成過程で行われていてもよく、生成後、分級などの手段により行われてもよい。熱膨張性微小球としては、粒径が揃えられていることが好ましい。

（その他の発泡剤）
本実施形態では、発泡剤としては、熱膨張性微小球以外の発泡剤も用いることもできる。このような発泡剤としては、種々の無機系発泡剤や有機系発泡剤などの各種発泡剤を適宜選択して使用することができる。無機系発泡剤の代表的な例としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水酸化ホウ素ナトリウム、各種アジド類などが挙げられる。

また、有機系発泡剤の代表的な例としては、例えば、水；トリクロロモノフルオロメタン、ジクロロモノフルオロメタンなどの塩フッ化アルカン系化合物；アゾビスイソブチロニトリル、アゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレートなどのアゾ系化合物；パラトルエンスルホニルヒドラジド、ジフェニルスルホン−３，３´−ジスルホニルヒドラジド、４，４´−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）、アリルビス（スルホニルヒドラジド）などのヒドラジン系化合物；ｐ−トルイレンスルホニルセミカルバジド、４，４´−オキシビス（ベンゼンスルホニルセミカルバジド）などのセミカルバジド系化合物；５−モルホリル−１，２，３，４−チアトリアゾールなどのトリアゾール系化合物；Ｎ，Ｎ´−ジニトロソペンタメチレンテロラミン、Ｎ，Ｎ´−ジメチル−Ｎ，Ｎ´−ジニトロソテレフタルアミドなどのＮ−ニトロソ系化合物などが挙げられる。

本実施形態では、加熱処理により、熱膨張性粘着剤層の接着力を効率よく且つ安定して低下させるため、体積膨張率が５倍以上、なかでも７倍以上、特に１０倍以上となるまで破裂しない適度な強度を有する発泡剤が好ましい。

発泡剤（熱膨張性微小球など）の配合量は、熱膨張性粘着剤層の膨張倍率や接着力の低下性などに応じて適宜設定しうるが、一般には熱膨張性粘着剤層を形成するベースポリマー１００重量部に対して、例えば１重量部〜１５０重量部（好ましくは１０重量部〜１３０重量部、さらに好ましくは２５重量部〜１００重量部）である。

本実施形態では、発泡剤としては、発泡開始温度（熱膨張開始温度）（Ｔ_０）が８０℃〜２１０℃の範囲のものを好適に用いることができ、好ましくは９０℃〜２００℃（より好ましくは９５℃〜２００℃、特に好ましくは１００℃〜１７０℃）の発泡開始温度を有するものである。発泡剤の発泡開始温度が８０℃より低いと、封止体ないし研削体の製造時や使用時の熱により発泡剤が発泡してしまう場合があり、取り扱い性や生産性が低下する。一方、発泡剤の発泡開始温度が２１０℃を超える場合には、仮固定材の支持体や封止樹脂に過度の耐熱性が必要となり、取り扱い性、生産性やコスト面で好ましくない。なお、発泡剤の発泡開始温度（Ｔ_０）は、熱膨張性粘着剤層の発泡開始温度（Ｔ_０）に相当する。

なお、発泡剤を発泡させる方法（すなわち、熱膨張性粘着剤層を熱膨張させる方法）としては、公知の加熱発泡方法から適宜選択して採用することができる。

本実施形態では、熱膨張性粘着剤層は、加熱処理前の適度な接着力と加熱処理後の接着力の低下性のバランスの点から、発泡剤を含有しない形態での弾性率が２３℃〜１５０℃において５×１０^４Ｐａ〜１×１０^６Ｐａであることが好ましく、さらに好ましくは５×１０^４Ｐａ〜８×１０^５Ｐａであり、特に５×１０^４Ｐａ〜５×１０^５Ｐａであることが好適である。熱膨張性粘着剤層の発泡剤を含有しない形態での弾性率（温度：２３℃〜１５０℃）が５×１０^４Ｐａ未満であると熱膨張性が劣り、剥離性が低下する場合がある。また、熱膨張性粘着剤層の発泡剤を含有しない形態での弾性率（温度：２３℃〜１５０℃）が１×１０^６Ｐａより大きい場合、初期接着性が劣る場合がある。

なお、発泡剤を含有しない形態の熱膨張性粘着剤層は、粘着剤（発泡剤は含まれていない）により形成された粘着剤層に相当する。従って、熱膨張性粘着剤層の発泡剤を含有していない形態での弾性率は、粘着剤（発泡剤は含まれていない）を用いて測定することができる。なお、熱膨張性粘着剤層は、２３℃〜１５０℃における弾性率が５×１０^４Ｐａ〜１×１０^６Ｐａである粘着剤層を形成可能な粘着剤と、発泡剤とを含む熱膨張性粘着剤により形成することができる。

熱膨張性粘着剤層の発泡剤を含有しない形態での弾性率は、発泡剤が添加されていない形態の熱膨張性粘着剤層（すなわち、発泡剤が含まれていない粘着剤による粘着剤層）（サンプル）を作製し、レオメトリック社製動的粘弾性測定装置「ＡＲＥＳ」を用いて、サンプル厚さ：約１．５ｍｍで、φ７．９ｍｍパラレルプレートの治具を用い、剪断モードにて、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：５℃／分、歪み：０．１％（２３℃）、０．３％（１５０℃）にて測定し、２３℃および１５０℃で得られた剪断貯蔵弾性率Ｇ´の値とした。

熱膨張性粘着剤層の弾性率は、粘着剤のベースポリマーの種類、架橋剤、添加剤などを調節することによりコントロールすることができる。

熱膨張性粘着剤層の厚さは、特に制限されず、接着力の低減性などにより適宜に選択することができ、例えば、５μｍ〜３００μｍ（好ましくは２０μｍ〜１５０μｍ）程度である。ただし、発泡剤として熱膨張性微小球が用いられている場合、熱膨張性粘着剤層の厚さは、含まれている熱膨張性微小球の最大粒径よりも厚いことが好ましい。熱膨張性粘着剤層の厚さが薄すぎると、熱膨張性微小球の凹凸により表面平滑性が損なわれ、加熱前（未発泡状態）の接着性が低下する。また、加熱処理による熱膨張性粘着剤層の変形度が小さく、接着力が円滑に低下しにくくなる。一方、熱膨張性粘着剤層の厚さが厚すぎると、加熱処理による膨張乃至発泡後に、熱膨張性粘着剤層に凝集破壊が生じやすくなり、研削体３６に糊残りが発生する場合がある。

なお、熱膨張性粘着剤層は単層、複層の何れであってもよい。

本実施形態では、熱膨張性粘着剤層には、各種添加剤（例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていても良い。

（支持体）
支持体３ｂは、仮固定材３の強度母体となる薄板状部材である。支持体３ｂの材料としては取り扱い性や耐熱性等を考慮して適宜選択すればよく、例えばＳＵＳ等の金属材料、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン等のプラスチック材料等を用いることができる。これらの中でも、耐熱性や強度、再利用可能性等の観点から、ＳＵＳプレートが好ましい。

支持体３ｂの厚さは目的とする強度や取り扱い性を考慮して適宜選択することができ、好ましくは１００〜５０００μｍであり、より好ましくは３００〜２０００μｍである。

（仮固定材の形成方法）
仮固定材３は、支持体３ｂ上に熱膨張性粘着剤層３ａを形成することにより得られる。熱膨張性粘着剤層は、例えば、粘着剤（感圧接着剤）と、発泡剤（熱膨張性微小球など）と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤、発泡剤（熱膨張性微小球など）、および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、支持体３ｂ上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記混合物を塗布して熱膨張性粘着剤層を形成し、これを支持体３ｂ上に転写（移着）する方法などにより、熱膨張性粘着剤層を形成することができる。

（熱膨張性粘着剤層の熱膨張方法）
本実施形態では、熱膨張性粘着剤層は、加熱により熱膨張させることができる。加熱処理方法としては、例えば、ホットプレート、熱風乾燥機、近赤外線ランプ、エアードライヤーなどの適宜な加熱手段を利用して行うことができる。加熱処理時の加熱温度は、熱膨張性粘着剤層中の発泡剤（熱膨張性微小球など）の発泡開始温度（熱膨張開始温度）以上であればよいが、加熱処理の条件は、発泡剤（熱膨張性微小球など）の種類等による接着面積の減少性、支持体、半導体チップを含む研削体等の耐熱性、加熱方法（熱容量、加熱手段等）などにより適宜設定できる。一般的な加熱処理条件としては、温度１００℃〜２５０℃で、１秒間〜９０秒間（ホットプレートなど）または５分間〜１５分間（熱風乾燥機など）である。なお、加熱処理は使用目的に応じて適宜な段階で行うことができる。また、加熱処理時の熱源としては、赤外線ランプや加熱水を用いることができる場合もある。

（中間層）
本実施形態では、熱膨張性粘着剤層３ａと支持体３ｂとの間に、密着力の向上や加熱後の剥離性の向上等を目的とした中間層が設けられていても良い（図示せず）。中でも、中間層としてゴム状有機弾性中間層が設けられていることが好ましい。このように、ゴム状有機弾性中間層を設けることにより、半導体チップ３３を仮固定材３に接着する際に（図４Ａ参照）、熱膨張性粘着剤層３ａの表面を半導体チップ３３の表面形状に良好に追従させて、接着面積を大きくすることができるとともに、仮固定材３から研削加工後の研削体３６を加熱剥離させる際に、熱膨張性粘着剤層３ａの加熱膨張を高度に（精度よく）コントロールし、熱膨張性粘着剤層３ａを厚さ方向へ優先的に且つ均一に膨張させることができる。

なお、ゴム状有機弾性中間層は、支持体３ｂの片面又は両面に介在させることができる。

ゴム状有機弾性中間層は、例えば、ＡＳＴＭ Ｄ−２２４０に基づくＤ型シュアーＤ型硬度が、５０以下、特に４０以下の天然ゴム、合成ゴム又はゴム弾性を有する合成樹脂により形成することが好ましい。なお、ポリ塩化ビニルなどのように本質的には硬質系ポリマーであっても、可塑剤や柔軟剤等の配合剤との組み合わせによりゴム弾性が発現しうる。このような組成物も、前記ゴム状有機弾性中間層の構成材料として使用できる。

ゴム状有機弾性中間層は、例えば、前記天然ゴム、合成ゴム又はゴム弾性を有する合成樹脂などのゴム状有機弾性層形成材を含むコーティング液を基材上に塗布する方式（コーティング法）、前記ゴム状有機弾性層形成材からなるフィルム、又は予め１層以上の熱膨張性粘着剤層上に前記ゴム状有機弾性層形成材からなる層を形成した積層フィルムを基材と接着する方式（ドライラミネート法）、基材の構成材料を含む樹脂組成物と前記ゴム状有機弾性層形成材を含む樹脂組成物とを共押出しする方式（共押出し法）などの形成方法により形成することができる。

なお、ゴム状有機弾性中間層は、天然ゴムや合成ゴム又はゴム弾性を有する合成樹脂を主成分とする粘着性物質で形成されていてもよく、また、かかる成分を主体とする発泡フィルム等で形成されていてもよい。発泡は、慣用の方法、例えば、機械的な攪拌による方法、反応生成ガスを利用する方法、発泡剤を使用する方法、可溶性物質を除去する方法、スプレーによる方法、シンタクチックフォームを形成する方法、焼結法などにより行うことができる。

ゴム状有機弾性中間層等の中間層の厚さは、例えば、５μｍ〜３００μｍ、好ましくは２０μｍ〜１５０μｍ程度である。なお、中間層が、例えば、ゴム状有機弾性中間層である場合、ゴム状有機弾性中間層の厚さが薄すぎると、加熱発泡後の３次元的構造変化を形成することができず、剥離性が悪化する場合がある。

ゴム状有機弾性中間層等の中間層は単層であってもよく、２以上の層で構成されていてもよい。

なお、中間層には、仮固定材の作用効果を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていても良い。

（半導体チップ配置工程）
半導体チップ配置工程では、上記仮固定材３上に複数の半導体チップ３３を配置する（図４Ａ参照）。半導体チップ３３の配置には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。

半導体チップ３３の配置のレイアウトや配置数は、仮固定材３の形状やサイズ、目的とするパッケージの生産数などに応じて適宜設定することができ、例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に整列させて配置することができる。

（封止工程）
封止工程では、複数の半導体チップ３３を覆うように封止樹脂シート３１を仮固定材３上へ積層して樹脂封止する（図４Ｂ参照）。封止樹脂シート３１の仮固定材３上への積層方法は、第１実施形態と同様の条件を採用することができる。

（封止体形成工程）
封止体形成工程では、上記封止樹脂シート３１に熱硬化処理を施して封止体３５を形成する（図４Ｂ参照）。封止樹脂シート３１の熱硬化処理の条件は、第１実施形態と同様の条件を採用することができる。

（研削工程）
研削工程では、上記封止体３５の研削後の封止樹脂シートの研削面の平均表面粗さＲａが１μｍ以下となるように上記封止体３５の表面を研削して研削体３６を形成する（図４Ｃ参照）。研削の際、図４Ｃに示すように半導体チップ３３が露出するように研削する。研削は公知の研削装置を用いて行えばよい。本実施形態では、所定の封止樹脂シートを用いているので、研削後の封止樹脂シート３１の平均表面粗さＲａが１μｍ以下の研削面を効率良く達成することができる。

（熱膨張性粘着剤層剥離工程）
熱膨張性粘着剤層剥離工程では、仮固定材３を加熱して熱膨張性粘着剤層３ａを熱膨張させることにより、熱膨張性粘着剤層３ａと研削体３６との間で剥離を行う（図４Ｄ参照）。熱膨張性粘着剤層３ａ加熱して熱膨張させその粘着力を低下させることで、熱膨張性粘着剤層３ａと研削体３６との界面での剥離を容易に行うことができる。熱膨張の条件としては、上述の「熱膨張性粘着剤層の熱膨張方法」の欄の条件を好適に採用することができる。

本工程では、半導体チップ３３が露出した状態で、再配線形成工程に先だってプラズマ処理などにより研削体３６の表面をクリーニングしてもよい。

（再配線形成工程）
本実施形態ではさらに再配線形成工程を含むことが好ましい。再配線形成工程では、上記放射線硬化型粘着剤層３ａの剥離後、上記露出した半導体チップ３３と接続する再配線３９を研削体３６上に形成する（図４Ｅ参照）。

再配線の形成方法としては、例えば、露出している半導体チップ３３上へ真空成膜法などの公知の方法を利用して金属シード層を形成し、セミアディティブ法などの公知の方法により、再配線３９を形成することができる。

かかる後に、再配線３９及び研削体３６上へポリイミドやＰＢＯなどの絶縁層を形成してもよい。

（バンプ形成工程）
次いで、形成した再配線３９上にバンプ３７を形成するバンピング加工を行ってもよい（図４Ｆ参照）。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキなど公知の方法で行うことができる。バンプ３７の材質は、第１実施形態と同様の材質を好適に用いることができる。

（ダイシング工程）
最後に、半導体チップ３３、封止樹脂シート３１及び再配線３９などの要素からなる積層体のダイシングを行う（図４Ｇ参照）。これにより、チップ領域の外側に配線を引き出した電子部品モジュール３８を得ることができる。ダイシング方法は、第１実施形態と同様の方法を採用することができる。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。

［実施例１］
（封止樹脂シートの作製）
以下の成分をミキサーにてブレンドし、２軸混練機により１２０℃で２分間溶融混練し、続いてＴダイから押出しすることにより、厚さ５００μｍの封止樹脂シートＡを作製した。

エポキシ樹脂：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）） ２８６部
フェノール樹脂：ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．、軟化点６７℃））
３０３部
硬化促進剤：硬化触媒としてのイミダゾール系触媒（四国化成工業（株）製、２ＰＨＺ−ＰＷ） ６部
無機充填剤：球状溶融シリカ粉末（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４、平均粒子径２０μｍ） ３６９５部
シランカップリング剤：エポキシ基含有シランカップリング剤（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−４０３） ５部
カーボンブラック（三菱化学（株）製、＃２０） ５部

［実施例２］
（封止樹脂シートの作製）
以下の成分をミキサーにてブレンドし、２軸混練機により１２０℃で２分間溶融混練し、続いてＴダイから押出しすることにより、厚さ５００μｍの封止樹脂シートＢを作製した。

エポキシ樹脂：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）） １６９部
フェノール樹脂：ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．、軟化点６７℃））
１７９部
硬化促進剤：硬化触媒としてのイミダゾール系触媒（四国化成工業（株）製、２ＰＨＺ−ＰＷ） ６部
エラストマー：スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体（（株）カネカ製、ＳＩＢＳＴＡＲ ０７２Ｔ） １５２部
無機充填剤：球状溶融シリカ粉末（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４、平均粒子径２０μｍ） ４４００部
シランカップリング剤：エポキシ基含有シランカップリング剤（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−４０３） ５部
カーボンブラック（三菱化学（株）製、＃２０） ５部
難燃剤：ホスファゼン化合物（（株）伏見製薬所製、ＦＰ−１００） ８９部

［比較例１］
（封止樹脂シートの作製）
以下の成分をメチルエチルケトンに溶解ないし分散し、固形分４０重量％のワニスを作製した。

液状エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業（株）製、ＥＸＡ−４８５０−１５０）
８０部
固形エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＰＰＮ−５０１−ＨＹ） ２０部
フェノール樹脂：ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．、軟化点６７℃））
６０部
硬化促進剤：硬化触媒としてのイミダゾール系触媒（四国化成工業（株）製、２ＰＨＺ−ＰＷ） ３部
アクリル共重合体（＊） ３３０部
無機充填剤：球状溶融シリカ粉末（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４、平均粒子径２０μｍ） ７５０部
カーボンブラック（三菱化学（株）製、＃２０） ７部

なお、上記（＊）のアクリル共重合体は、ＢＡ（ブチルアクリレート）：ＡＮ（アクリロニトリル）：ＧＭＡ（グリシジルメタクリレート）＝８５：８：７重量％からなる共重合体であり、重量平均分子量は８０万である。上記アクリル共重合体は次のように合成した。ブチルアクリレート、アクリロニトリル、グリシジルメタクリレートを８５：８：７の仕込み重量比率にて、２，２’−アゾビスイソブチロニトリルを重合開始剤に用い、メチルエチルケトン中で窒素気流下、７０℃で５時間と８０℃で１時間のラジカル重合を行うことにより、目的とするアクリル共重合体を得た。

離型処理を施したＰＥＴフィルム上に、溶剤乾燥後の塗膜の厚さが５０μｍになるように上記ワニスを塗工し、次いで乾燥条件を１２０℃、３分として上記塗膜を乾燥させて厚さ５０μｍの樹脂シートを得た。得られた樹脂シートを、ラミネータを用いて厚み５００μｍまで積層し封止樹脂シートＣを作製した。

（封止樹脂シートの引張貯蔵弾性率及びガラス転移温度（Ｔｇ）の測定）
引張貯蔵弾性率の測定は、固体粘弾性測定装置（レオメトリックサイエンティック社製：形式：ＲＳＡ−ＩＩＩ）を用いて行った。具体的には、各封止樹脂シートを１８０℃で１時間加熱して熱硬化させ、この硬化物からサンプルサイズを長さ４００ｍｍ×幅１０ｍｍ×厚さ２００μｍとして測定試料を得た後、測定試料をフィルム引っ張り測定用治具にセットし−５０〜３００℃の温度域での引張貯蔵弾性率及び損失弾性率を、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下で測定し、２５℃及び１００℃での引張貯蔵弾性率（Ｅ’）を読み取ることにより得た。また、当該測定におけるｔａｎδ（Ｇ”（損失弾性率）／Ｇ’（貯蔵弾性率））の値を算出することによりガラス転移温度（Ｔｇ）を得た。

（封止樹脂シートのショアＤ硬度の測定）
各封止樹脂シートを１８０℃で１時間加熱して熱硬化させた後、ＪＩＳ Ｋ ７２１５に準拠し、硬度計（（株）ミツトヨ製、プラスティック用硬度計）を用いて、１００℃での測定値を読み取ることで得た。

（半導体パッケージの作製）
以下の仕様の半導体チップを下記ボンディング条件にてＢＴ基板に実装した半導体チップ実装基板を作製した。

＜半導体チップ＞
半導体チップサイズ：７．３ｍｍ□（厚さ４００μｍ）
バンプ材質：Ｃｕ ３０μｍ、Ｓｎ−Ａｇ １５μｍ厚み
バンプ数：５４４バンプ
バンプピッチ：５０μｍ
チップ数：１６個（４個×４個）

＜ボンディング条件＞
装置：パナソニック電工（株）製
ボンディング条件：１５０℃、４９Ｎ、１０ｓｅｃ

得られた半導体チップ実装基板上に、以下に示す加熱加圧条件下、封止樹脂シートＡ〜Ｃのそれぞれを真空プレスにより貼付けた。

＜貼り付け条件＞
温度：９０℃
加圧力：０．５ＭＰａ
真空度：２０００Ｐａ
プレス時間：３分

大気圧に開放した後、熱風乾燥機中、１８０℃、１時間の条件で封止樹脂シートを熱硬化させ、封止体を得た。次いで、切削装置（（株）ＤＩＳＣＯ製、サーフェスプレーナー「ＤＦＳ８９１０」）を用いた研削により、研削バイトの周速度１０００ｍ／ｍｉｎ、送りピッチ１００μｍ、切り込み深さ１０μｍの条件で、封止体を半導体チップ共々厚さ１５０μｍまで薄化することで、半導体パッケージを作製した。

（研削面の外観評価）
光学顕微鏡（２００倍）により、半導体チップの表面への樹脂の付着（樹脂の引きずり）の有無を観察し、全ての半導体チップの表面への樹脂の付着が確認されたかった場合を「○」、１つでも半導体チップの表面に樹脂の付着が確認された場合を「×」として評価した。

（研削面の平均表面粗さＲａの測定）
研削後に得られた半導体パッケージのうち封止樹脂シート部分の表面粗さ（Ｒａ）を、ＪＩＳ Ｂ ０６０１に基づき、Ｖｅｅｃｏ社製表面形状測定装置（Ｄｅｋｔａｋ８Ｍ）を用いて測定した。測定条件は、室温、測定速度５μｍ／ｓとした。各種測定結果及び評価結果を表１に示す。

表１からも明らかなように、実施例１及び２では、封止樹脂シートの熱硬化後に研削した際にも露出した半導体チップの表面への樹脂の付着（引きずり）が確認されず、清浄な表面の半導体パッケージを作製することができた。また、研削後の平均表面粗さＲａが１μｍ以下であることから、半導体パッケージの表面は平滑性にも優れたものとなった。一方、比較例１の半導体パッケージでは、研削後の半導体チップ表面への樹脂付着が確認され、平均表面粗さＲａも１μｍを超えていることから、半導体パッケージの表面の清浄性及び平滑性のいずれも劣った結果となった。

１１、２１、３１ 封止樹脂シート
１１ａ 支持体
１３、３３ 半導体チップ
１５、２５、３５ 封止体
１６、２６、３６ 研削体
１８、２８、３８ 電子モジュール
２９ 半導体ウェハ

Claims (10)

1. １８０℃で１時間熱硬化処理した後、研削バイトの周速度１０００ｍ／ｍｉｎ、送りピッチ１００μｍ、切り込み深さ１０μｍの条件で研削した際の研削面の平均表面粗さＲａが１μｍ以下であり、
   前記熱硬化処理後の１００℃におけるショアＤ硬度が７０以上である封止樹脂シート。
2. 前記熱硬化処理後の２５℃におけるショアＤ硬度が７０以上である請求項１に記載の封止樹脂シート。
3. 前記熱硬化処理後の２５℃における引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上である請求項１又は２に記載の封止樹脂シート。
4. 前記熱硬化処理後の１００℃における引張貯蔵弾性率が０．５ＧＰａ以上である請求項１〜３のいずれか１項に記載の封止樹脂シート。
5. 前記熱硬化処理後のガラス転移温度が１００℃以上である請求項１〜４のいずれか１項に記載の封止樹脂シート。
6. 電子部品を請求項１〜５のいずれか１項に記載の封止樹脂シートで封止する封止工程、
   前記封止樹脂シートを熱硬化させて封止体を形成する封止体形成工程、及び
   前記封止体の研削後の封止樹脂シートの研削面の平均表面粗さＲａが１μｍ以下となるように前記封止体の表面を研削して研削体を形成する研削工程
   を含む電子部品パッケージの製造方法。
7. 前記研削体をダイシングして電子モジュールを形成するダイシング工程をさらに含む請求項６に記載の電子部品パッケージの製造方法。
8. 前記電子部品が半導体チップである請求項６又は７に記載の電子部品パッケージの製造方法。
9. 前記電子部品が半導体ウェハである請求項６又は７に記載の電子部品パッケージの製造方法。
10. 請求項６〜９のいずれか１項に記載の電子部品パッケージの製造方法により得られる電子部品パッケージ。