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JP2002190522A - 誘電体フィルムの堆積方法 - Google Patents

誘電体フィルムの堆積方法

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JP2002190522A
JP2002190522A JP2001230269A JP2001230269A JP2002190522A JP 2002190522 A JP2002190522 A JP 2002190522A JP 2001230269 A JP2001230269 A JP 2001230269A JP 2001230269 A JP2001230269 A JP 2001230269A JP 2002190522 A JP2002190522 A JP 2002190522A
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silicon
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Li-Qun Xia
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Dian Sugiarto
スギアルト ディアン
Ellie Yieh
イー エリー
Ping Xu
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Francimar Campana-Schmitt
カンパーナ−シュミット フランシマール
Jia Lee
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 集積回路の製造プロセスで使用するための炭
化珪素層の形成方法を提供する。 【解決手段】 炭化珪素層は、珪素源、炭素源及びドー
パントを含む混合ガスを電界の存在下で反応させて形成
する。堆積された炭化珪素層の圧縮率は、層形成の間に
おける混合ガス中のドーパントの量の関数として変化す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は炭化珪素層に関し、
更に詳しくは、炭化珪素層の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路は、単一のチップの上に数百万
の部品（例えば、トランジスタ、コンデンサ及び抵抗）
を含むことができる複雑なデバイスに発展してきた。チ
ップの設計の進化は、より早い回路構成及びより大きな
回路密度を絶え間なく要求している。より大きな回路密
度に対する要請は、集積回路の部品の寸法を減少させる
ことを強いている。
【０００３】集積回路の部品の寸法が減少する（例えば
サブミクロンの寸法）につれて、このような部品を作成
するために使用される材料が、このような部品の電気的
性能を左右している。例えば、低抵抗メタルの相互接続
（例えばアルミニウムと銅）は集積回路上の部品間に導
電性のパスを提供している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般的には、メタルの
相互接続は、バルクの絶縁材料によって相互に電気的に
孤立している。隣接するメタルの相互接続間の距離ある
いはバルクの絶縁材料の厚さがサブミクロンの寸法にな
ると、このような内部接続の間に容量結合が生ずる場合
がある。隣接するメタルの相互接続間の容量結合は、集
積回路の全体的な性能を低下させるクロストークあるい
は抵抗−キャパシタンス（ＲＣ）遅延の発生の原因とな
ることがある。
【０００５】隣接するメタルの相互接続間の容量結合を
最小にするためには、低誘電率のバルクの絶縁材料（例
えば誘電率が約３．０未満）が必要である。一般的に
は、誘電率が約３．０未満であるバルクの絶縁材料は、
伸長性の材料（例えば引張応力が約１０８ｄｙｎ／ｃｍ
２より大きい材料）である。低誘電率のバルクの絶縁材
料の例としては、とりわけ、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、
珪酸ガラス、及びフッ化珪酸ガラス（ＦＳＧ）が挙げら
れる。
【０００６】これに加えて、低誘電率（低κ）のバリヤ
層は、メタルの相互接続をバルクの絶縁材料から切り離
す場合が多い。このバリヤ層は、バルクの絶縁材料の内
部にメタルが拡散するのを最小にする。バルクの絶縁材
料の内部へのメタルの拡散は、集積回路の電気的性能に
影響を与え得るので、あるいは集積回路を作動不能にし
得るので、望ましくない。
【０００７】集積回路の部品の中には、マルチレベルの
相互接続構造（例えばデュアルダマシン構造）を含んで
いるものがある。マルチレベルの相互接続構造は、一層
が他の層の上に積み重ねられて、二以上のバルクの絶縁
層、低誘電率バリヤ層、及びメタル層を持つことができ
る。伸長性のバルクの絶縁材料がマルチレベルの相互接
続構造に組み込まれると、そのような相互接続構造は、
望ましくないひび割れ及び／または 下に位置する基板
からの剥離を生ずる場合がある。
【０００８】集積回路の密度をより大きくするという要
請は、集積回路の製造に使用されるプロセスシーケンス
にもまた、いくつもの要請を課している。例えば、従来
法によるリソグラフィー技術を使用するプロセスシーケ
ンスにおいては、基板上に堆積された材料の層を覆って
エネルギー感受性レジスト層を形成する。下に位置する
これらの材料層の多くは紫外光を反射する。このような
反射は、エネルギー感受性レジスト材料中に形成される
線やバイア等のフィーチャの寸法を歪ませ得る。
【０００９】下に位置する材料の層からの反射を最小に
する為に提案されている一つの技術では、反射防止層
（ＡＲＣ）を使用する。ＡＲＣは、レジストをパターン
化する前に、反射性の材料層を覆って形成される。ＡＲ
Ｃは、レジストを画像化する間、下に位置する層からの
反射を抑制し、エネルギー感受性の層には正確なパター
ンが複製される。
【００１０】炭化珪素層は低い誘電率（約５．５未満の
誘電率）を持ち、メタル拡散に対する優れたバリヤであ
り、かつ優れた光吸収特性を持っているので、集積回路
上のバリヤ層あるいはＡＲＣとしての使用が示唆されて
来た。
【００１１】それ故、誘電率が低い、かつＡＲＣとして
の使用にも適する改良されたフィルム特性を持つ炭化珪
素フィルムの形成方法に対する必要性が継続的に存在し
ている。
【００１２】
【課題を解決する為の手段】本発明は集積回路の製造プ
ロセスにおいて使用される炭化珪素層の形成方法を提供
する。炭化珪素層は、電界の存在下で、珪素源、炭素源
及びドーパントを含む混合ガスを反応させることにより
形成される。こうして堆積された炭化珪素層の圧縮率
は、層を形成する間における混合ガス中のドーパントの
量の関数として変化する。
【００１３】炭化珪素層は、集積回路の製造プロセスと
両立する。集積回路の一つの製造プロセスにおいては、
炭化珪素層は、例えばデュアルダマシン構造等の集積回
路の構造を形成するために、ハードマスク及びバリヤ層
の両者として用いられる。このような実施形態の場合に
は、好ましいプロセスシーケンスは、基板上に形成され
たメタル層の上に炭化珪素バリヤ層を堆積させるステッ
プを含んでいる。基板上に炭化珪素バリヤ層を堆積させ
た後、その上に第１の誘電層を形成する。この第１の誘
電層の上に、炭化珪素ハードマスク層を形成する。この
炭化珪素ハードマスク層がパターン化されて、その中に
バイアが規定される。その後、パターン化された炭化珪
素ハードマスク層の上に、第２の誘電層を形成する。こ
の第２の誘電層がパターン化されて、その中に相互接続
が規定される。第２の誘電層の中に形成された相互接続
は、炭化珪素ハードマスク層中のバイアを覆って位置し
ている。第２の誘電層をパターン化した後、炭化珪素ハ
ードマスク層中に規定されたバイアを、第１の誘電層に
転写する。その後、バイアと相互接続に導電性材料を詰
めてデュアルダマシン構造が完成する。
【００１４】集積回路の別の製造プロセスにおいては、
炭化珪素層は、ＤＵＶリソグラフィーに対する反射防止
被膜（ＡＲＣ）として使用される。このような実施形態
の場合には、好ましいプロセスシーケンスは、基板上に
炭化珪素層を堆積させるプロセスを含んでいる。炭化珪
素層の屈折率（ｎ）は約１．６〜約２．２であり、また
約２５０ｎｍ未満の波長における吸収係数（ｋ）は約
０．１〜約０．６である。炭化珪素層の屈折率（ｎ）及
び吸収係数（ｋ）は調整可能である、即ち、これらを、
ＳｉＣ層を形成する間の混合ガスの組成の関数として、
希望する範囲で変えることができる。基板上に炭化珪素
層を形成した後、その上にエネルギー感受性レジスト材
料の層を形成する。約２５０ｎｍ未満の波長で、このエ
ネルギー感受性レジストの中にパターンを規定する。そ
の後、エネルギー感受性レジスト材料の中に規定された
パターンを炭化珪素層に転写する。この炭化珪素層をパ
ターン化した後で、随意にこのパターンを基板に転写す
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の種々の教示は、添付の図
面と併せて以下の詳細な説明を考察することにより、容
易に理解できる。
【００１６】図１は、ここに説明する実施形態に合う炭
化珪素層の堆積を実施するために使用できるウエハ処理
システム１０を、模式的に表している。システム１０
は、一般的には、電源１１９と１０６及び真空ポンプ１
０２等の他の機械設備と共に、プロセスチャンバ１０
０、ガスパネル１３０、制御ユニット１１０を含んでい
る。ウエハ処理システム１０の幾つかの例の中に、米国
カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアル
ズ社により入手可能なＤＸＺチャンバ等のプラズマ励起
化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）チャンバが含まれる。
【００１７】ウエハ処理システム１０の詳細は、本譲受
人が共に譲り受けて同時係属している、１９９８年１２
月１４日出願の、発明の名称が「高温化学気相堆積チャ
ンバ」である米国特許出願番号０９／２１１，９９８に
記載されており、これをここに引用して援用する。この
システム１０の特徴を以下に簡単に説明する。
【００１８】プロセスチャンバ１００は、通常半導体ウ
エハ１９０等の基板を支えるために使用する支持台１５
０を内蔵している。支持台１５０は、移動機構（図示せ
ず）を使用して、チャンバ１００の内部で一般的には垂
直方向に移動できる。
【００１９】特定のプロセスによっては、炭化珪素層の
堆積の前に、ウエハ１９０を所望の温度に加熱すること
ができる。例えば、組み込んだ電熱線１７０によってウ
エハ支持台１５０を加熱する。ＡＣ電源１０６から電熱
線１７０に電流を供給して、支持台１５０を抵抗加熱す
ることができる。次には支持台１５０がウエハ１９０を
加熱する。
【００２０】熱電対等の温度センサ１７２もウエハ支持
台１５０に埋め込まれ、従来法に従って支持台１５０の
温度を監視する。測定した温度をフィードバックループ
に使用して加熱要素１７０に供給する電力を制御し、ウ
エハ温度を特定のプロセスに適応した所望の温度に保つ
か、または制御することができる。支持台は任意に選択
して放射熱で加熱することも出来る（図示せず）。
【００２１】真空ポンプ１０２は、プロセスチャンバ１
００を真空にするため、及びチャンバ１００内のガスの
流れと圧力を適切に保持するために使用する。チャンバ
１００内部にプロセスガスを導入するためのシャワーヘ
ッド１２０は、ウエハ支持台１５０の上部に位置する。
シャワーヘッド１２０は、プロセスシーケンスの異なる
ステップで使用する種々のガスを制御しかつ供給するガ
スパネル１３０に結合されている。
【００２２】シャワーヘッド１２０とウエハ支持台１５
０は、空間的に離れた一対の電極も形成している。これ
らの電極の間に電界が発生すると、チャンバ１００内に
導入されたプロセスガスを刺激してプラズマにする。こ
の電界は、マッチング回路（図示せず）を介して、シャ
ワーヘッド１２０を高周波（ＲＦ）電源（図示せず）に
接続することにより生ずる。この代わりに、ＲＦ電源と
マッチング回路をウエハ支持台１５０に接続してもよい
し、あるいはシャワーヘッド１２０とウエハ支持台１５
０の両方に接続してもよい。
【００２３】この代わりに、シャワーヘッド１２０を混
合高周波（ＲＦ）電源１１９に接続して電界を発生させ
ることもできる。混合高周波電源１１９の詳細は、本譲
受人が共に譲り受けた、名称が「基板処理の間のイオン
衝撃を制御するための非対称波形の使用」である、２０
００年３月２８日に発行された米国特許６，０４１，７
３４に記載されており、ここに引用して援用する。
【００２４】一般的には、制御ユニット１１０で制御さ
れている混合ＲＦ電源１１９は、シャワーヘッド１２０
に、周波数の低い電力（例えば、約１５０ＫＨｚ〜約４
５０ＫＨｚのＲＦ電力）と同様、周波数の高い電力（例
えば、約１０ＭＨｚ〜約１５ＭＨｚのＲＦ電力）も提供
する。周波数の高いＲＦ電力と周波数の低いＲＦ電力の
両方が、マッチング回路（図示せず）を介してシャワー
ヘッド１２０に接続される。周波数の高いＲＦ電源及び
周波数の低いＲＦ電源の両方をウエハ支持台１５０に接
続することを任意に選択してもよいし、一方をシャワー
ヘッド１２０に接続して他方をウエハ支持台１５０に接
続してもよい。
【００２５】プラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）
技術は、基板表面の近傍の反応ゾーンに電界を供給する
ことによって反応物質であるガスの励起あるいは解離を
促進して、反応種のプラズマを生成させる。プラズマ中
の化学種の反応性が、起るべき化学反応に必要なエネル
ギーを減少させて、事実上このようなＰＥＣＶＤプロセ
スに必要な温度を低下させる。
【００２６】マスフローコントローラー（図示せず）と
制御ユニット１１０が、ガスパネル１３０を通り抜ける
ガス流を適切に制御し、調節する。シャワーヘッド１２
０は、ガスパネル１３０から来るプロセスガスをプロセ
スチャンバ１００の中に均一に導入しかつ分配する。
【００２７】図解すると、制御ユニット１１０は、中央
演算処理装置（ＣＰＵ）１１３、支援回路１１４、及び
付随する制御ソフト１１６を包含した記憶媒体を備えて
いる。制御ユニット１１０は、ウエハの移送、ガス流の
制御、混合ＲＦ電力の制御、温度制御、チャンバの真空
引き等々の、ウエハ処理に必要な多数のステップの自動
制御引き受けている。制御ユニット１１０とウエハ処理
システム１０の種々の構成要素との間の双方向情報伝達
は、シグナルバス１１８として一括して呼ばれる多数の
信号ケーブルを通して取り扱われる。これらの内のいく
つかを図１に示している。
【００２８】中央演算処理装置１１３は、プロセスチャ
ンバを工業的に設定する際に使用可能なあらゆる形態の
汎用コンピュータプロセッサの一つでよいのは勿論、サ
ブプロセッサでもよい。コンピュータは、ランダムアク
セスメモリ、読み出し専用メモリー、フロッピー（登録
商標）ディスクドライブ、ハードディスクドライブ、ま
たは他の任意のローカルまたはリモートのデジタル保存
形態を使用して良い。プロセッサを支援するため、従来
法通りに種々の支援回路をＣＰＵに接続してもよい。要
求されているプロセスシーケンスルーチンはメモリーに
記憶されるか離れた場所にある第２のＣＰＵによって実
行される。
【００２９】プロセスシーケンスルーチンは、基板１９
０をウエハ支持台１５０に置いた後に実行される。プロ
セスシーケンスルーチンが実行されると、汎用コンピュ
ータは、チャンバ操作を制御する特定の目的を持つプロ
セスコンピュータに変換され、堆積プロセスが遂行され
る。これに代えて、用途が特定された集積回路やその他
のタイプのハードウェア機器等、遠隔で設置したハード
ウェアを用いてチャンバ操作を制御してもよいし、ソフ
トウェアとハードウェアの組み合わせで制御してもよ
い。
【００３０】炭化珪素層の形成 一つの実施形態では、珪素源、炭素源及びドーパントを
含んでいる混合ガスを反応させて炭化珪素層を形成す
る。珪素源と炭素源は、一般式ＳｉｘＣｙＨｚで表され
る一つの有機シラン化合物でよい。ここで、ｘは１〜
２、ｙは１〜６、ｚは４〜１８である。例えばメチルシ
ラン（ＳｉＣＨ６）、ジメチルシラン（ＳｉＣ２Ｈ
８）、トリメチルシラン（ＳｉＣ３Ｈ１０）、テトラメ
チルシラン（ＳｉＣ４Ｈ１２）、及びジエチルシラン
（ＳｉＣ４Ｈ１２）を特に有機シラン化合物として使用
することができる。この代わりに、珪素源及び炭素源と
して、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、
メタン（ＣＨ４）及びこれらの組み合わせを用いること
ができる。
【００３１】アンモニア（ＮＨ３）、メタン（ＣＨ
４）、シラン（ＳｉＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、ア
セチレン（Ｃ２Ｈ２）、窒素（Ｎ２）、あるいはこれら
の組み合わせを特にドーパントとして使用することがで
きる。
【００３２】混合ガスは、更に不活性ガスを含んでもよ
い。ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ
２）、あるいはこれらの組み合わせが特に不活性ガスと
して使用できる。
【００３３】通常、炭化珪素層を形成するために、以下
に示す堆積プロセスパラメータを使用することができ
る。プロセスパラメータは、ウエハ温度が約１５０℃〜
約４５０℃、チャンバ圧力が約１Ｔｏｒｒ〜約１５Ｔｏ
ｒｒ、珪素源と炭素源の一方又は双方の流速が約１０ｓ
ｃｃｍ〜約２０００ｓｃｃｍ、ドーパントの流速が約５
０ｓｃｃｍ〜約１００００ｓｃｃｍ、不活性ガスの流速
が約１０００ｓｃｃｍ未満、プレートの間隙が約３００
ｍｉｌ〜約６００ｍｉｌ、一以上のＲＦ電源が約１００
Ｗ〜約１０００Ｗである。これに加えて、混合ガス中に
おける珪素源のドーパントに対する比が約１：１〜約
１：１００にあることが必要である。米国カリフォルニ
ア州州サンタクララのアプライドマテリアルズ社より入
手可能な堆積チャンバ内で、上記のプロセスパラメータ
により２００ｍｍの基板上に堆積を行った場合、炭化珪
素層の堆積速度は約１００Å／分〜約３０００Å／分で
ある。
【００３４】別の堆積チャンバも本発明の技術的範囲に
は含まれ、上記した種々のパラメータは、炭化珪素層を
形成する際に使用する特定の堆積チャンバによって変化
することが出来る。例えば、別のチャンバは、体積がよ
り大きいあるいはより小さくても良く、それにより、ガ
スの流速がアプライドマテリアルズ株式会社から入手で
きるチャンバについて記した値より大きいあるいは小さ
くても良いし、また、３００ｍｍの基板に対応して構成
されても良い。
【００３５】堆積された炭化珪素層の圧縮率は、層を形
成する間における混合ガス中のドーパントの量の関数と
して変化する。詳しくは、混合ガス中のドーパントの濃
度が増すにつれて、堆積した炭化珪素層の圧縮率も増大
する。炭化珪素層の圧縮率が増大するのは、ドーパント
が炭化珪素層中の不安定化学種（例えばＳｉ−ＣＨ２）
の数を減少させるためであると信じられる。本開示にお
いて用いられる炭化珪素層の圧縮率は、ひび割れ及び剥
離に対するその抵抗の尺度の一つである。堆積した炭化
珪素層の圧縮率は、約５×１０８ｄｙｎ／ｃｍ２より大
きい。
【００３６】これに加えて、窒素を基とするドーパント
（例えば、ＮＨ３、Ｎ２）から生ずる窒素の幾ばくか
は、層形成の間に炭化珪素層中に組み込まれる場合があ
ると信じられる。このような組み込みがあると、大気の
条件下で湿気あるいは酸素と反応して層の反応がより低
くなり、層が安定化する可能性がある。
【００３７】堆積された炭化珪素層の誘電率は約５．５
未満であり、集積回路中のバリヤ材料として使用するの
に適している。炭化珪素層の誘電率は、ＲＦ電力の関数
として変えることができるので、調節ができる。特に、
ＲＦ電力が増すにつれて堆積された炭化珪素層の誘電率
も増大する。これに加えて、誘電率は混合ガス中のドー
パント濃度の関数として変えることができる。特に、ド
ーパント濃度が増すと堆積した炭化珪素層の誘電率は減
少する。
【００３８】その上、堆積された炭化珪素層の漏洩電流
は、混合ガス中のドーパント濃度の関数として変えるこ
とができる。特に、ドーパント濃度が増すにつれて堆積
した炭化珪素層の漏洩電流は減少する。２ＭＶ／ｃｍに
おける炭化珪素層の漏洩電流は、一般的には約１×１０
−８Ａ／ｃｍ２未満であった。例えば、アンモニアドー
プにより堆積した炭化珪素層の、約２ＭＶ／ｃｍにおけ
る漏洩電流は約１×１０−９Ａ／ｃｍ２未満であった
が、これは、集積回路の相互接続構造間のクロストーク
を最小化するのに適している。
【００３９】炭化珪素層の形成に使用するパーカーサに
よっては、化学種を含んだ炭素あるいは水素のガス抜け
が生ずることがある。混合ガス中のドーパント濃度が増
すと、堆積した炭化珪素層からのこのようなガス抜けが
減少すると信じられる。
【００４０】炭化珪素層はまた、約２５０ｎｍ未満の波
長において、約０．１〜約０．６の間で変えることがで
きる光吸収係数（ｋ）を有しており、ＤＵＶの波長にお
ける反射防止層（ＡＲＣ）として使用するのに適してい
る。炭化珪素層の光吸収係数は、混合ガスの組成の関数
として変えることができる。特に、ドーパント濃度が増
すと堆積された層の吸収係数も同様に増大する。
【００４１】炭化珪素層を形成した後に、不活性ガスを
用いてプラズマ処理してもよい。不活性ガスとしては、
ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、
あるいはこれらの組み合わせが使用されて良い。このよ
うなプラズマ処理により、大気の条件下における湿気あ
るいは酸素と反応して反応性が低くなつて、層が安定化
すると信じられる。
【００４２】図１に示したものと類似したプロセスチャ
ンバ中で炭化珪素層のプラズマ処理をするために、通
常、以下のプロセスパラメータ用いることができる。プ
ロセスパラメータは、チャンバ圧力が約５Ｔｏｒｒ〜約
１０Ｔｏｒｒ、不活性ガスの流速が約１０００ｓｃｃｍ
〜約７０００ｓｃｃｍ、高周波（ＲＦ）電源が約１００
Ｗ〜約１０００Ｗである。炭化珪素層のプラズマ処理時
間は約１２０秒未満である。
【００４３】炭化珪素層の上に、随意に、炭化珪素キャ
ップ層を形成してもよい。炭化珪素キャップ層は、上述
した炭化珪素のプロセスパラメータに準じて、ドーパン
トガスを加えないで形成することができる。炭化珪素キ
ャップ層の厚さは、処理のどの段階にあるかに依存して
変化し得る。一般的には、炭化珪素キャップ層は約２０
０Å未満の厚さに堆積させる。
【００４４】ＮＨ３及びＮ２ドーパントが珪素源及び炭
素源と反応すると炭化珪素層中に窒素が組み込まれると
信じられるので、ドープされていない炭化珪素キャップ
層は、炭化珪素層とそれに直接あてがわれたフォトレジ
スト材料の間の望ましくない相互作用を最小にすると信
じられる。例えば、エネルギー感受性レジスト材料（例
えば、シップレーＵＶ５ディープＵＶレジスト、ＪＳＲ
Ｍ２０ＧディープＵＶレジスト）の中には、湿気と反応
して塩基性アミノ基（ＮＨ２）を形成するものがあり、
窒素を組み込んでいる材料の上のレジスト材料が「フッ
ティング」（即ち、現像されたレジストのフィーチャが
足元の部分で広がること）を起こす原因になると考えら
れる。
【００４５】集積回路の製造プロセス Ａ．炭化珪素ハードマスク 図２ａ−２ｅは、炭化珪素層をハードマスクとして組み
込んでいる、集積回路製造シーケンスの種々の段階にお
ける基板２００の模式断面図である。総体的に、基板２
００は処理が実施されている任意の製品を指し、基板構
造２５０は、基板２００の上に形成された別の材料の層
が一緒になっている基板を広く表示する。処理のどの段
階にあるかに依存して、基板２００はシリコンウエハに
対応してもよいし、あるいはシリコンウエハ上に形成さ
れた別の材料の層に対応してもよい。例えば、図２ａ
は、基板上に従来法にしたがって形成された材料層２０
２を持つ基板構造２５０の断面を図示している。材料層
２０２は酸化物（例えば二酸化珪素、フッ化珪酸ガラス
（ＦＳＧ））であってよい。総体的に、基板２００は珪
素、珪化物、メタル、あるいは他の材料の層を含んでよ
い。図２ａは、基板２００が珪素とその上に形成された
二酸化珪素層である場合の形態を図示している。
【００４６】図２ｂは、図２ａの基板構造２５０の上に
形成された炭化珪素層２０４の図解である。炭化珪素層
２０４は上述したプロセスパラメータに準じて基板構造
２５０上に形成されている。炭化珪素層の厚さは、処理
のどの段階にあるかに依存して変えることができる。一
般的には、炭化珪素層は約５０Å〜約１０００Åの厚さ
に堆積される。
【００４７】エネルギー感受性レジスト材料２０８の層
は、炭化珪素層２０４の上に形成される。エネルギー感
受性レジスト材料２０８の層は、基板の上に厚さが約４
０００Å〜約１００００Å内で回転被覆できる。殆どの
エネルギー感受性レジスト材料は、波長が約４５０ｎｍ
未満の紫外線（ＵＶ）に感度がある。深紫外線（ＤＵ
Ｖ）レジスト材料は波長が約２４５ｎｍ未満の紫外線に
感度がある。
【００４８】製造シーケンスにおいて使用されるエネル
ギー感受性レジスト材料のエッチングの化学反応に依存
して、炭化珪素層２０４の上に中間層２０６が形成され
る。エネルギー感受性レジスト材料２０８と炭化珪素層
２０４が同じ化学的エッチング剤を用いてエッチングで
きるとき、あるいはレジスト被毒が生じそうなときに
は、中間層２０６は炭化珪素層２０４に対するマスクと
して機能する。中間層２０６は従来法によって炭化珪素
層２０４の上に形成される。中間層２０６は、炭化珪素
キャップ層、酸化物、窒化物、酸窒化珪素、非晶質珪
素、あるいは他の適当な材料でよい。
【００４９】マスク２１０を介してこのようなエネルギ
ー感受性レジスト材料２０８に紫外線を照射することに
より、エネルギー感受性レジスト材料２０８にパターン
像を導入する。エネルギー感受性レジスト材料２０８に
導入されたパターン像を適当な現像剤中で現像して、図
２ｃに示したように、エネルギー感受性レジスト材料２
０８を貫通してパターンを規定する。その後、図２ｄを
参照するが、エネルギー感受性レジスト材料２０８中に
規定されたパターンは、炭化珪素層２０４を貫通して転
写される。パターンは、エネルギー感受性レジスト材料
２０８をマスクとして用いて、炭化珪素層２０４を貫通
して転写される。パターンは、適当な化学的エッチング
剤を用いて炭化珪素層２０４を貫通して転写される。炭
化珪素層２０４を化学的にエッチングするには、例え
ば、三フッ化メタン（ＣＨＦ３）等のフッ化炭素化合物
を使用できる。
【００５０】これに代えて、中間層２０６がある場合に
は、エネルギー感受性レジスト材料２０８中に規定され
たパターンは、エネルギー感受性レジスト材料をマスク
とし用いて、最初に中間層２０６を貫通して転写され
る。その後、パターンは中間層２０６をマスクとして用
いて、炭化珪素層２０４を貫通して転写される。パター
ンは、適当な化学的エッチング剤を用いて、中間層２０
６と共に炭化珪素層２０４の両方を貫通して転写され
る。
【００５１】図２ｅは、炭化珪素層２０４中に規定され
たパターンを、炭化珪素層２０４をハードマスクとして
用いて二酸化珪素層２０２を貫通して転写して、集積回
路の製造シーケンスが完成した状態を図示する。
【００５２】二酸化珪素層２０２をパターン化した後、
炭化珪素層２０４を、随意に、適当な化学的エッチング
剤中でエッチングして、基板２００から剥離できる。
【００５３】Ｂ 炭化珪素層を組み込んだダマシン構造 図３ａ−３ｇは、炭化珪素バリヤ層と炭化珪素ハードマ
スク層を組み込んでいるデュアルダマシン構造の製造シ
ーケンスの、種々の段階における基板３００の模式断面
図である。デュアルダマシン構造は、集積回路上に多層
のメタル相互接続を形成するため、一般的に使用され
る。処理のどの段階にあるかに依存して、基板３００は
シリコンウエハに対応してもよいし、あるいは基板３０
０上に形成されている他の材料層に対応してもよい。例
えば、図３ａは、メタル層３０２（例えば、銅（Ｃ
ｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ））が
形成されている基板３００の断面を図示する。
【００５４】図３ａは、基板３００が、上に銅層を形成
した珪素である場合の一形態を図示する。銅層３０２の
厚さは、製造すべき構造の寸法に依存して、約５０００
Å〜約５μｍである。
【００５５】図３ｂを参照して、銅層３０２の上に炭化
珪素バリヤ層３０４を形成する。炭化珪素バリヤ層３０
４は、上述したプロセスパラメータに準じて銅層３０２
上に形成される。炭化珪素バリヤ層３０４は圧縮性があ
り、また約５．５未満の誘電率を持つ。炭化珪素バリヤ
層の誘電率は、圧縮性も同様に、層形成の間におけるガ
ス組成（例えばドーパントの濃度）の関数として変える
ことができる。
【００５６】炭化珪素バリヤ層３０４の厚さは処理の特
定の段階に依存して変えることができる。一般的には、
炭化珪素バリヤ層３０４の厚さは約２００Å〜約１００
０Åである。
【００５７】図３ｃに示したように、炭化珪素バリヤ層
３０４の上に第１の誘電層３０５を形成する。第１の誘
電層３０５は、酸化物（例えば、二酸化珪素、フッ化珪
酸ガラス（ＦＳＧ））であってよい。第１の誘電層３０
５の厚さは、約５０００Å〜約１００００Åである。
【００５８】図３ｄを参照して、第１の誘電層３０５の
上に炭化珪素ハードマスク層３０６を形成して、これを
パターン化し、エッチングしてその中にバイアを規定す
る。炭化珪素ハードマスク層３０６は、上述したプロセ
スパラメータに準じて第１の誘電層３０５の上に形成さ
れる。炭化珪素ハードマスク層３０６もまた、圧縮性が
ありかつ約５．５未満の誘電率を持つ。炭化珪素ハード
マスク層の誘電率は、圧縮性も同様に、層形成の間にお
けるガス組成（例えばドーパントの濃度）の関数として
変えることができる。
【００５９】炭化珪素ハードマスク層３０６の厚さはプ
ロセスの特定の段階に依存して変えることができる。一
般的には、炭化珪素ハードマスク層３０６の厚さは約２
００Å〜約１０００Åである。
【００６０】バイア開口３０６を規定して第１の誘電層
３０５のバイアを形成すべき領域に露光するために、炭
化珪素ハードマスク層３０６をパターン化して、エッチ
ングする。炭化珪素ハードマスク層３０６は、図２ｂ−
２ｄにおいて説明したような従来法によるリソグラフィ
ーを使用してパターン化する。炭化珪素層は三フッ化メ
タン（ＣＨＦ３）等のフッ化炭素化合物を用いてエッチ
ングする。
【００６１】炭化珪素ハードマスク層３０６をパターン
化した後、図３ｅに示したように、その上に第２の誘電
層３０８を堆積させる。第２の誘電層３０８は、酸化物
（例えば、二酸化珪素、フッ化珪酸ガラス（ＦＳＧ））
であってよい。第２の誘電層３０８の厚さは、約５００
０Å〜約１００００Åである。
【００６２】次いで、図３ｆに示したように、相互接続
３１０を規定するために、好ましくは上述した従来法に
よるリソグラフィープロセスを用いて、第２の誘電層３
０８をパターン化する。第２の誘電層３０８中に形成さ
れた相互接続３１０は、炭化珪素ハードマスク層３０６
中のバイア開口３０６を覆って位置している。その後、
相互接続３１０とバイア３０６の両者を、反応性イオン
エッチングまたは他の異方性エッチング技術を用いてエ
ッチングする。
【００６３】図３ｇを参照して、相互接続３１０とバイ
ア３０６を、アルミニウム、銅、タングステン、あるい
はこれらの組み合わせ等の導電性材料で満たす。相互接
続３１０及びバイア３０６を満たすには、抵抗率の小さ
い銅（抵抗率が約１．７μΩ−ｃｍ）を用いるのが好ま
しい。化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理気相堆積（ＰＶ
Ｄ）、電気メッキ、あるいはこれらの組み合わせを用い
て導電性材料３１４を堆積させて、ダマシン構造を形成
する。
【００６４】これに加えて、メタルが炭化珪素バリヤ層
３０４及び炭化珪素ハードマスク層３０６と同様、周辺
の誘電層３０５や３０８中に移行するのを妨げるため
に、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、ある
いは他の適当なバリヤ材料のバリヤ層３１６を相互接続
３１０及びコンタクト／バイア３０６の側壁に沿って最
初に同様にして堆積させる。
【００６５】Ｃ 炭化珪素反射防止層（ＡＲＣ） 図４ａ−４ｅは、炭化珪素層を反射防止層（ＡＲＣ）と
して組み込んでいる、集積回路製造シーケンスの種々の
段階における基板４００の模式断面図である。総体的
に、基板４００はフィルム処理が実施されている任意の
製品を指し、基板構造４５０は、基板４００の上に形成
された別の材料の層が一緒になっている基板４００を広
く表示する。処理のどの段階にあるかに依存して、基板
４００はシリコンウエハに対応してもよいし、あるいは
基板上に形成された別の材料の層に対応してもよい。例
えば、図４ａは、基板４００が酸化物層をその上に持つ
シリコンウエハである基板構造４５０の断面を図示して
いる。
【００６６】基板構造４５０の上に炭化珪素層４０２を
形成する。炭化珪素層４０２は、上述したプロセスパラ
メータに準じて基板構造４５０の上に形成される。炭化
珪素層は約２５０ｎｍより短い波長において、約０．１
〜約０．６の間で可変の吸収係数（ｋ）を有しており、
ＤＵＶ波長における反射防止層（ＡＲＣ）としての使用
に適している。炭化珪素層の吸収係数は調節可能であ
る、即ちガス組成の関数として希望内で変えることがで
きる。炭化珪素層４０２の厚さは、処理のどの段階にあ
るかに依存して変えることができる。一般的には、炭化
珪素層の厚さは約２００Å〜約２０００Åである。
【００６７】図４ｂは、図４ａの基板構造４５０上に形
成されたエネルギー感受性レジスト材料層４０４の図解
である。エネルギー感受性レジスト材料層は、厚さ約２
０００Å〜約６０００Å内で、基板構造４５０上にスピ
ンコートできる。エネルギー感受性レジスト材料は、波
長が２５０ｎｍ未満のＤＵＶに感受性がある。
【００６８】マスク４０６を介してエネルギー感受性レ
ジスト材料４０４にＤＵＶを照射して、エネルギー感受
性レジスト材料層４０４にパターン像を導入する。エネ
ルギー感受性レジスト材料層４０４にパターン像が導入
されるときに、炭化珪素層４０２は、エネルギー感受性
レジスト材料層４０４に導入されたパターン像を劣化さ
せるような、下に位置する層（例えば酸化物、メタル）
のいかなる反射をも抑制する。
【００６９】図４ｃに示したように、エネルギー感受性
レジスト材料層４０４に導入されたパターン像を適当な
現像剤中で現像して、この層を貫通してパターンを規定
する。その後、図４ｄを参照して、エネルギー感受性レ
ジスト材料４０４に規定されたパターンは、炭化珪素層
４０２を貫通して転写される。パターンは、エネルギー
感受性レジスト材料４０４をマスクとして用いて、炭化
珪素層４０２に転写される。パターンは、炭化珪素層４
０２を適当な化学的エッチング剤（例えばＣＨＦ３）を
用いてエッチングして、炭化珪素層４０２を貫通して転
写される。
【００７０】図４ｅに示したように、炭化珪素層４０２
がパターン化されたあと、このパターンは、一般的に
は、基板４００に転写される。パターンは、炭化珪素Ａ
ＲＣ層４０２をハードマスクとして用いて基板４００に
転写される。パターンは、基板４００を適当な化学的エ
ッチング剤を用いてエッチングして、基板４００に転写
される。その後、炭化珪素層４０２は、随意に、適当な
化学的エッチング剤（例えばＣＨＦ３）を用いてエッチ
ングして基板構造４５０から除去される。
【００７１】本発明の教示を組み込んだ幾つかの好まし
い実施形態を詳細に示し、また説明したが、当業者は、
それでもなおこれらの教示を組み込んだ、他の多くの変
形させた実施形態を容易に工夫できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、ここに説明した種々の実施形態を実施
するために使用できる装置の模式図である。
【図２】図２ａ〜２ｅは、炭化珪素層をハードマスクと
して組み込んでいる集積回路製造の種々の段階における
基板構造の模式断面図である。
【図３】図３ａ〜３ｇは、炭化珪素層をハードマスクと
して組み込んでいる集積回路製造の種々の段階における
ダマシン構造の模式図である。
【図４】図４ａ〜４ｅは、炭化珪素層を反射防止層（Ａ
ＲＣ）として組み込んでいる集積回路製造の種々の段階
における基板構造の模式断面図である。
【符号の説明】
１０…ウエハ処理システム、１００…プロセスチャン
バ、１０２…真空ポンプ、１０６…電源、１１０…制御
ユニット、１１３…中央演算処理装置、１１４…支援回
路、１１６…制御ソフト、１１９…電源、１２０…シャ
ワーヘッド、１３０…ガスパネル、１５０…支持台、１
７０…電熱線、１７２…温度センサ、１９０…半導体ウ
エハ、２００…基板、２０２…材料層、２０４…炭化珪
素層、２０６…中間層、２０８…エネルギー感受性レジ
スト材料、２１０…マスク、２５０…基板構造、３００
…基板、３０２…メタル層、３０４…炭化珪素バリヤ
層、３０５…第１の誘電層、３０６…炭化珪素ハードマ
スク層、３０８…第２の誘電層、３１０…相互接続、３
１４…導電性材料、３１６…バリヤ層、４００…基板、
４０２…炭化珪素層、４０４…エネルギー感受性レジス
ト材料、４０６…マスク、４５０…基板構造。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スリニヴァス ディ． ネマニ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ノゼ， ホワイト チャペル アヴ ェニュー 494 (72)発明者 リー−チュン シァ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サンタ クララ， リース アヴェニュー 868 (72)発明者 ディアン スギアルト アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サニーヴェイル， キャスケイド ドライ ヴ 966 (72)発明者 エリー イー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ノゼ， ピストイア ウェイ 5888 (72)発明者 ピン シュー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， フリーモント， クラウン リッジ コモ ン 48888 (72)発明者 フランシマール カンパーナ−シュミット アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ミルピタス， フォンテンブルー アヴェ ニュー 1271 (72)発明者 ジア リー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， キャンベル， ユニオン アヴェニュー 235 アパートメントビー1023 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA09 AA13 AA20 BA01 BA02 BA20 BA37 FA03 JA05 JA09 JA10 JA14 JA16 LA15 LA19 5F033 HH11 HH21 HH32 JJ01 JJ11 JJ21 JJ32 KK08 KK11 KK19 MM02 MM05 MM12 MM13 NN06 PP06 PP14 PP27 QQ04 QQ09 QQ11 QQ28 RR01 RR04 RR11 SS02 SS03 SS15 TT02 WW00 WW03 WW04 WW05 WW06 WW07 WW08 WW09 XX03 XX28 XX34 5F058 BC20 BD01 BD04 BD10 BD15 BD18 BF17 BF23 BF26 BF27 BF37 BF39 BJ10

Claims (118)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 薄膜の堆積方法であって、（ａ）堆積チ
    ャンバ内で基板を位置決めするステップと、（ｂ）珪素
    源、炭素源、及びドーパントを含む混合ガスを、前記堆
    積チャンバに供給するステップと、（ｃ）前記混合ガス
    を電界の存在下で反応させて、前記基板の上に圧縮率が
    前記混合ガス中のドーパントの量の関数として変化する
    炭化珪素層を形成するステップとを有する堆積方法。
  2. 【請求項２】 前記珪素源及び前記炭素源が、一般式Ｓ
    ｉｘＣｙＨｚで表され、ｘが１〜２、ｙが１〜６、ｚが
    ４〜１８の有機シラン化合物を含む請求項１に記載の方
    法。
  3. 【請求項３】 前記有機シラン化合物が、メチルシラン
    （ＳｉＣＨ６）、ジメチルシラン（ＳｉＣ２Ｈ８）、ト
    リメチルシラン（ＳｉＣ３Ｈ１０）、テトラメチルシラ
    ン（ＳｉＣ４Ｈ１２）、ジエチルシラン（ＳｉＣ４Ｈ１
    ２）及びこれらの組み合わせの群より選択される請求項
    ２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記珪素源及び前記炭素源が、シラン
    （ＳｉＨ４）、メタン（ＣＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ
    ６）及びこれらの組み合わせの群より選択される請求項
    １に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記ドーパントが、アンモニア（ＮＨ
    ３）、メタン（ＣＨ４）、シラン（ＳｉＨ４）、エチレ
    ン（Ｃ２Ｈ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、窒素（Ｎ
    ２）及びこれらの組み合わせの群より選択される請求項
    １に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記混合ガスが更に不活性ガスを含む請
    求項１に記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記不活性ガスがヘリウム（Ｈｅ）、ア
    ルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）及びこれらの組み合わせ
    の群より選択される請求項６に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記混合ガス中の前記珪素源の前期ドー
    パントに対する比が約１：１〜約１：１００である請求
    項１に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記基板が約１５０℃〜約４５０℃の間
    の温度に加熱される請求項１に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記堆積チャンバが約１Ｔｏｒｒ〜約
    １５Ｔｏｒｒの間の圧力に保持される請求項１に記載の
    方法。
  11. 【請求項１１】 前記珪素源または前記炭素源のいずれ
    かが約１０ｓｃｃｍ〜約４０００ｓｃｃｍの流速で前記
    堆積チャンバに提供される請求項１に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記ドーパントが約５０ｓｃｃｍ〜約
    １００００ｓｃｃｍの流速で前記堆積チャンバに提供さ
    れる請求項１に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記電界が一以上の高周波（ＲＦ）電
    源から発生している請求項１に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記一以上のＲＦ電源の各々が約１０
    ０Ｗ〜約１０００Ｗである請求項１３に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記炭化珪素層が約５．５未満の誘電
    率を有する請求項１に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記炭化珪素層が約２５０ｎｍ未満の
    波長において反射防止被膜（ＡＲＣ）である請求項１に
    記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記炭化珪素層の２ＭＶ／ｃｍ２にお
    ける漏洩電流が約１０−８Ａ／ｃｍ２未満である請求項
    １に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記炭化珪素層をプラズマ処理するス
    テップを更に含む請求項１に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記プラズマが、一以上の不活性ガス
    をプロセスチャンバに提供するステップと、前記プロセ
    スチャンバ内の一以上の不活性ガスに電界を加えて前記
    プラズマを発生させるステップとによって生じる請求項
    １８に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 前記一以上の不活性ガスがヘリウム
    （Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、及びこれ
    らの組み合わせの群より選択される請求項１９に記載の
    方法。
  21. 【請求項２１】 前記プロセスチャンバが約５Ｔｏｒｒ
    〜約１０Ｔｏｒｒの圧力に保持される請求項１９に記載
    の方法。
  22. 【請求項２２】 前記一以上の不活性ガスが約１０００
    ｓｃｃｍ〜約７０００ｓｃｃｍの流速で前記堆積チャン
    バに供給される請求項１９に記載の方法。
  23. 【請求項２３】 前記電界が高周波（ＲＦ）電力である
    請求項１９に記載の方法。
  24. 【請求項２４】 前記高周波電力が約２００Ｗ〜約１０
    ００Ｗである請求項２３に記載の方法。
  25. 【請求項２５】（ｄ）前記炭化珪素層の上に炭化珪素キ
    ャップ層を形成するステップ、を更に有する請求項１に
    記載の方法。
  26. 【請求項２６】ソフトウェアルーチンを保持するコンピ
    ュータ記憶媒体であって、その実行により、汎用コンピ
    ュータが層堆積方法を用いて堆積チャンバを制御するこ
    とができ、該層堆積方法が、（ａ）堆積チャンバ内で基
    板を位置決めするステップと、（ｂ）珪素源、炭素源、
    及びドーパントを含む混合ガスを、前記堆積チャンバに
    提供するステップと、（ｃ）前記混合ガスを電界の存在
    下で反応させて、前記基板の上に、圧縮率が前記混合ガ
    ス中のドーパントの量の関数として変化する前記炭化珪
    素層を形成するステップとを有するコンピュータ記憶媒
    体。
  27. 【請求項２７】 前記珪素源及び前記炭素源が、一般式
    ＳｉｘＣｙＨｚで表され、ｘが１〜２、ｙが１〜６、ｚ
    が４〜１８の有機シラン化合物を含む請求項２６に記載
    のコンピュータ記憶媒体。
  28. 【請求項２８】 前記有機シラン化合物が、メチルシラ
    ン（ＳｉＣＨ６）、ジメチルシラン（ＳｉＣ２Ｈ８）、
    トリメチルシラン（ＳｉＣ３Ｈ１０）、テトラメチルシ
    ラン（ＳｉＣ４Ｈ１２）、ジエチルシラン（ＳｉＣ４Ｈ
    １２）及びこれらの組み合わせの群より選択される請求
    項２７に記載のコンピュータ記憶媒体。
  29. 【請求項２９】 前記珪素源及び炭素源が、シラン（Ｓ
    ｉＨ４）、メタン（ＣＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）
    及びこれらの組み合わせの群より選択される請求項２６
    に記載のコンピュータ記憶媒体。
  30. 【請求項３０】 前記ドーパントが、アンモニア（ＮＨ
    ３）、メタン（ＣＨ４）、シラン（ＳｉＨ４）、エチレ
    ン（Ｃ２Ｈ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、窒素（Ｎ
    ２）、及びこれらの組み合わせの群より選択される請求
    項２６に記載のコンピュータ記憶媒体。
  31. 【請求項３１】 前記混合ガスが更に不活性ガスを含む
    請求項２６に記載のコンピュータ記憶媒体。
  32. 【請求項３２】 前記不活性ガスがヘリウム（Ｈｅ）、
    アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、及びこれらの組み合
    わせの群より選択される請求項３１に記載のコンピュー
    タ記憶媒体。
  33. 【請求項３３】 前記混合ガス中の前記珪素源の前記ド
    ーパントに対する前記比が約１：１〜約１：１００であ
    る請求項２６に記載のコンピュータ記憶媒体。
  34. 【請求項３４】 前記基板が約１５０℃〜約４５０℃の
    間の温度に加熱される請求項２６に記載のコンピュータ
    記憶媒体。
  35. 【請求項３５】 前記堆積チャンバが約１Ｔｏｒｒ〜約
    １５Ｔｏｒｒの間の圧力に保持される請求項２６に記載
    のコンピュータ記憶媒体。
  36. 【請求項３６】 前記炭化珪素源または前記炭素源のい
    ずれかが約１０ｓｃｃｍ〜約４０００ｓｃｃｍの流速で
    前記堆積チャンバに提供される請求項２６に記載のコン
    ピュータ記憶媒体。
  37. 【請求項３７】 前記ドーパントが約５０ｓｃｃｍ〜約
    １００００ｓｃｃｍの流速で前記堆積チャンバに提供さ
    れる請求項２６に記載のコンピュータ記憶媒体。
  38. 【請求項３８】 前記電界が一以上の高周波（ＲＦ）電
    源より発生している請求項２６に記載のコンピュータ記
    憶媒体。
  39. 【請求項３９】 前記一以上のＲＦ電源の各々が約１０
    ０Ｗ〜約１０００Ｗである請求項３８に記載のコンピュ
    ータ記憶媒体。
  40. 【請求項４０】 前記炭化珪素層が約５．５未満の誘電
    率を有する請求項２６に記載のコンピュータ記憶媒体。
  41. 【請求項４１】 前記炭化珪素層が約２５０ｎｍ未満の
    波長において反射防止被膜（ＡＲＣ）である請求項２６
    に記載のコンピュータ記憶媒体。
  42. 【請求項４２】 前記炭化珪素層の２ＭＶ／ｃｍ２にお
    ける漏洩電流が約１０−８Ａ／ｃｍ２未満である請求項
    ２６に記載のコンピュータ記憶媒体。
  43. 【請求項４３】 前記炭化珪素層をプラズマ処理するス
    テップを更に含む請求項２６に記載のコンピュータ記憶
    媒体。
  44. 【請求項４４】 前記プラズマが、 一以上の不活性ガスをプロセスチャンバに供給するステ
    ップと、 前記プロセスチャンバ内の前記一以上の不活性ガスに電
    界を加えて前記プラズマを発生させるステップ、によっ
    て生じる請求項４３に記載のコンピュータ記憶媒体。
  45. 【請求項４５】 前記一以上の不活性ガスがヘリウム
    （Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、及びこれ
    らの組み合わせの群より選択される請求項４４に記載の
    コンピュータ記憶媒体。
  46. 【請求項４６】 前記プロセスチャンバが約５Ｔｏｒｒ
    〜約１０Ｔｏｒｒの圧力に保持される請求項４４に記載
    のコンピュータ記憶媒体。
  47. 【請求項４７】 前記一以上の不活性ガスが約１０００
    ｓｃｃｍ〜約７０００ｓｃｃｍの流速で前記堆積チャン
    バに供給される請求項４４に記載のコンピュータ記憶媒
    体。
  48. 【請求項４８】 前記電界が高周波（ＲＦ）電力である
    請求項４４に記載のコンピュータ記憶媒体。
  49. 【請求項４９】 前記高周波電力が約２００Ｗ〜約１０
    ００Ｗである請求項４８に記載のコンピュータ記憶媒
    体。
  50. 【請求項５０】 前記層堆積方法が、（ｄ）前記炭化珪
    素層の上に炭化珪素キャップ層を形成するステップを更
    に有する請求項２６に記載のコンピュータ記憶媒体。
  51. 【請求項５１】 デバイスの作製方法であって、 炭化珪素層を堆積チャンバ中の基板上に形成するステッ
    プで、珪素源、炭素源、及びドーパントを含む混合ガス
    を反応させて、圧縮率が前記混合ガス中のドーパントの
    量の関数として変化する前記炭化珪素層を形成する前記
    ステップと、 前記炭化珪素層上の少なくとも一の領域にパターンを規
    定するステップとを有する方法。
  52. 【請求項５２】 前記炭化珪素層をマスクとして用い、
    前記炭化珪素層上の少なくとも一の領域に規定された前
    記パターンを、前記基板中に転写するステップを更に有
    する請求項５１に記載の方法。
  53. 【請求項５３】 前記基板から前記炭化珪素層を除去す
    るステップを更に有する請求項５２に記載の方法。
  54. 【請求項５４】 前記基板上に一以上の材料層が形成さ
    れる請求項５１に記載の方法。
  55. 【請求項５５】 前記炭化珪素層上の前記少なくとも一
    の領域への前記パターンの規定が、 前記炭化珪素層上にエネルギー感受性レジスト材料層を
    形成するステップと、 前記エネルギー感受性レジスト材料をパターン化された
    放射線に晒して、前記エネルギー感受性レジスト材料層
    中に前記パターン像を導入するステップと、 前記エネルギー感受性レジスト材料層中に導入された前
    記パターン像を現像するステップと、 前記エネルギー感受性レジスト材料層をマスクとして用
    いて前記炭化珪素層に前記パターンを転写するステップ
    とを有する請求項５１に記載の方法。
  56. 【請求項５６】前記エネルギー感受性レジスト材料層を
    形成する前に、前記炭化珪素層上に中間層を形成し、前
    記エネルギー感受性レジスト材料層中にパターンを導入
    し、前記パターンを現像するステップと、 前記エネルギー感受性レジスト材料層をマスクとして用
    いて、前記エネルギー感受性レジスト材料層中に現像さ
    れた前記パターン像を前記中間層に転写するステップ
    と、 前記パターンを前記中間層をマスクとして用いて前記炭
    化珪素層に転写するステップとを更に有する請求項５５
    に記載の方法。
  57. 【請求項５７】 前記中間層が酸化物である請求項５６
    に記載の方法。
  58. 【請求項５８】 前記酸化物が二酸化珪素、フッ化珪酸
    ガラス（ＦＳＧ）、及び酸窒化珪素の群より選択される
    請求項５７に記載の方法。
  59. 【請求項５９】 前記炭化珪素層をフッ素主体化合物で
    除去する請求項５３に記載の方法。
  60. 【請求項６０】 前記フッ素主体化合物が四フッ化炭素
    （ＣＦ４）、及びフッ化メタン（ＣＨＦ３）の群より選
    択される請求項５９に記載の方法。
  61. 【請求項６１】 前記炭化珪素層が約２５０ｎｍ未満の
    波長において反射防止膜である請求項６２に記載の方
    法。
  62. 【請求項６２】 前記炭化珪素層の吸収係数が約２５０
    ｎｍ未満の波長において約０．１〜約０．６である請求
    項５１に記載の方法。
  63. 【請求項６３】 前記吸収係数が前記炭化珪素層の厚さ
    に対して約０．１〜約０．６である請求項６２に記載の
    方法。
  64. 【請求項６４】 前記炭化珪素層が約１．６〜約２．２
    の屈折率を有する請求項６１に記載の方法。
  65. 【請求項６５】 前記珪素源及び前記炭素源が、一般式
    ＳｉｘＣｙＨｚで表され、ｘが１〜２、ｙが１〜６、ｚ
    が４〜１８の有機シラン化合物である請求項５１に記載
    の方法。
  66. 【請求項６６】 前記有機シラン化合物が、メチルシラ
    ン（ＳｉＣＨ６）、ジメチルシラン（ＳｉＣ２Ｈ８）、
    トリメチルシラン（ＳｉＣ３Ｈ１０）、テトラメチルシ
    ラン（ＳｉＣ４Ｈ１２）、ジエチルシラン（ＳｉＣ４Ｈ
    １２）及びこれらの組み合わせの群より選択される請求
    項６５に記載の方法。
  67. 【請求項６７】 前記珪素源及び炭素源が、シラン（Ｓ
    ｉＨ４）、メタン（ＣＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）
    及びこれらの組み合わせの群より選択される請求項５１
    に記載の方法。
  68. 【請求項６８】 前記ドーパントが、アンモニア（ＮＨ
    ３）、メタン（ＣＨ４）、シラン（ＳｉＨ４）、エチレ
    ン（Ｃ２Ｈ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、窒素（Ｎ
    ２）、及びこれらの組み合わせの群より選択される請求
    項５１に記載の方法。
  69. 【請求項６９】 前記混合ガスが更に不活性ガスを含む
    請求項５１に記載の方法。
  70. 【請求項７０】 前記不活性ガスがヘリウム（Ｈｅ）、
    アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、及びこれらの組み合
    わせの群より選択される請求項６９に記載の方法。
  71. 【請求項７１】 前記混合ガス中の珪素源の前記ドーパ
    ントに対する前記比が約１：１〜約１：１００である請
    求項５１に記載の方法。
  72. 【請求項７２】 前記基板が約１５０℃〜約４５０℃の
    間の温度に加熱される請求項５１に記載の方法。
  73. 【請求項７３】 前記堆積チャンバが約１Ｔｏｒｒ〜約
    １５Ｔｏｒｒの間の圧力に保持される請求項５１に記載
    の方法。
  74. 【請求項７４】 前記炭化珪素源または前記炭素源のい
    ずれかが約１０ｓｃｃｍ〜約４０００ｓｃｃｍの流速で
    前記堆積チャンバに提供される請求項５１に記載の方
    法。
  75. 【請求項７５】 前記ドーパントが約５０ｓｃｃｍ〜約
    １００００ｓｃｃｍの流速で前記堆積チャンバに提供さ
    れる請求項５１に記載の方法。
  76. 【請求項７６】 前記電界が一以上の高周波（ＲＦ）電
    源より発生している請求項５１に記載の方法。
  77. 【請求項７７】 前記一以上のＲＦ電源の各々が約１０
    ０Ｗ〜約１０００Ｗである請求項７６に記載の方法。
  78. 【請求項７８】 前記炭化珪素層が約５．５未満の誘電
    率を有する請求項５１に記載の方法。
  79. 【請求項７９】 前記炭化珪素層が約２５０ｎｍ未満の
    波長において反射防止被膜（ＡＲＣ）である請求項５１
    に記載の方法。
  80. 【請求項８０】 前記炭化珪素層の２ＭＶ／ｃｍ２にお
    ける漏洩電流が約１０−８Ａ／ｃｍ２未満である請求項
    ５１に記載の方法。
  81. 【請求項８１】 前記炭化珪素層をプラズマ処理するス
    テップを更に含む請求項５１に記載の方法。
  82. 【請求項８２】 前記プラズマが、 一以上の不活性ガスをプロセスチャンバに提供するステ
    ップと、 前記プロセスチャンバ内の前記一以上の不活性ガスに電
    界を加えて前記プラズマを発生させるステップとによっ
    て発生する請求項８１に記載の方法。
  83. 【請求項８３】 前記一以上の不活性ガスがヘリウム
    （Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、及びこれ
    らの組み合わせの群より選択される請求項８２に記載の
    方法。
  84. 【請求項８４】 前記プロセスチャンバが約５Ｔｏｒｒ
    〜約１０Ｔｏｒｒの圧力に保持される請求項８２に記載
    の方法。
  85. 【請求項８５】 前記一以上の不活性ガスが約１０００
    ｓｃｃｍ〜約７０００ｓｃｃｍの流速で前記堆積チャン
    バに提供される請求項８２に記載の方法。
  86. 【請求項８６】 前記電界が高周波（ＲＦ）電力である
    請求項８５に記載の方法。
  87. 【請求項８７】 前記高周波電力が約２００Ｗ〜約１０
    ００Ｗである請求項８６に記載の方法。
  88. 【請求項８８】 請求項５１においてさらに、前記炭化
    珪素層中にパターンを規定する前に、前記炭化珪素層上
    に炭化珪素キャップ層を形成するステップを含む請求項
    ５１に記載の方法。
  89. 【請求項８９】 相互接続構造を製造する方法であっ
    て、 （ａ）メタル層を上方に有する基板を供するステップ
    と、 （ｂ）珪素源、炭素源、及びドーパントを含む混合ガス
    を反応させて、前記メタル層の上に、圧縮率が前記混合
    ガス中のドーパントの量の関数として変化する炭化珪素
    バリヤ層を形成するステップと、 （ｃ）前記炭化珪素バリヤ層の上に第１の誘電層を形成
    するステップと、 （ｄ）珪素源、炭素源、及びドーパントを含む混合ガス
    を反応させて、前記第１の誘電層の上に、圧縮率が前記
    混合ガス中のドーパントの量の関数として変化する炭化
    珪素ハードマスク層を形成するステップと、 （ｅ）前記炭化珪素ハードマスクをパターン化して、ハ
    ードマスクを貫通するバイアを規定するステップと、 （ｆ）前記パターン化された炭化珪素ハードマスクの上
    に第２の誘電層を形成するステップと、 （ｇ）前記第２の誘電層をパターン化して、前記炭化珪
    素ハードマスクに規定されたバイアを覆って位置する、
    第２の誘電層を貫通する相互接続を規定するステップ
    と、 （ｈ）前記炭化珪素ハードマスクを用いて、前記バイア
    パターンを前記第１の誘電層を貫通して転写するステッ
    プと、 （ｉ）前記バイアと相互接続を導電性材料で満たすステ
    ップとを有する方法。
  90. 【請求項９０】 前記第１の誘電層及び前記第２の誘電
    層のそれぞれの誘電率が約３未満である請求項８９に記
    載の方法。
  91. 【請求項９１】 前記炭化珪素バリヤ層及び前記炭化珪
    素ハードマスクのそれぞれの誘電率が約５．５未満であ
    る請求項８９に記載の方法。
  92. 【請求項９２】 前記バイア及び相互接続を満たす導電
    性材料の抵抗率が約５μΩ−ｃｍ未満である請求項８９
    に記載の方法。
  93. 【請求項９３】 前記第１の誘電層及び第２の誘電層
    が、二酸化珪素、フッ化珪酸ガラス（ＦＳＧ）、珪酸ガ
    ラス及び有機珪酸塩の群より選択される請求項８９に記
    載の方法。
  94. 【請求項９４】 前記バイア及び相互接続を満たす導電
    性材料が、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タング
    ステン（Ｗ）及びこれらの組み合わせの群より選択され
    る請求項８９に記載の方法。
  95. 【請求項９５】 前記基板上のメタル層が、銅（Ｃ
    ｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）及び
    これらの組み合わせの群より選択される請求項８９に記
    載の方法。
  96. 【請求項９６】 請求項８９において、ステップ（ｂ）
    及び（ｄ）における前記珪素源あるいは前記炭素源のい
    ずれかが、一般式ＳｉｘＣｙＨｚで表され、ｘが１〜
    ２、ｙが１〜６、ｚが４〜１８の有機シラン化合物を含
    む請求項８９に記載の方法。
  97. 【請求項９７】 前記有機シラン化合物が、メチルシラ
    ン（ＳｉＣＨ６）、ジメチルシラン（ＳｉＣ２Ｈ８）、
    トリメチルシラン（ＳｉＣ３Ｈ１０）、テトラメチルシ
    ラン（ＳｉＣ４Ｈ１２）、ジエチルシラン（ＳｉＣ４Ｈ
    １２）及びこれらの組み合わせの群より選択される請求
    項９６に記載の方法。
  98. 【請求項９８】 請求項８９において、ステップ（ｂ）
    及び（ｄ）における前記珪素源あるいは前記炭素源のい
    ずれかが、シラン（ＳｉＨ４）、メタン（ＣＨ４）、ジ
    シラン（Ｓｉ２Ｈ６）及びこれらの組み合わせの群より
    選択される請求項８９に記載の方法。
  99. 【請求項９９】 請求項８９において、ステップ（ｂ）
    及び（ｄ）におけるドーパントが、アンモニア（ＮＨ
    ３）、メタン（ＣＨ４）、シラン（ＳｉＨ４）、エチレ
    ン（Ｃ２Ｈ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、窒素（Ｎ
    ２）及びこれらの組み合わせの群より選択される請求項
    ８９に記載の方法。
  100. 【請求項１００】 請求項８９において、ステップ
    （ｂ）及び（ｄ）における混合ガスが更に不活性ガスを
    含む請求項８９に記載の方法。
  101. 【請求項１０１】 請求項１００において、前記不活性
    ガスがヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ
    ２）及びこれらの組み合わせの群より選択される請求項
    １００に記載の方法。
  102. 【請求項１０２】 請求項８９において、ステップ
    （ｂ）及び（ｄ）における前記混合ガス中の前記珪素源
    のドーパントに対する前記比が約１：１〜約１：１００
    である請求項８９に記載の方法。
  103. 【請求項１０３】 前記基板が約１５０℃〜約４５０℃
    の間の温度に加熱される請求項８９に記載の方法。
  104. 【請求項１０４】 前記堆積チャンバが約１Ｔｏｒｒ〜
    約１５Ｔｏｒｒの間の圧力に保持される請求項８９に記
    載の方法。
  105. 【請求項１０５】 請求項８９において、ステップ
    （ｂ）及び（ｄ）における前記珪素源または前記炭素源
    のいずれかが約１０ｓｃｃｍ〜約４０００ｓｃｃｍの流
    速で前記堆積チャンバに提供される請求項８９に記載の
    方法。
  106. 【請求項１０６】 請求項８９において、ステップ
    （ｂ）及び（ｄ）におけるドーパントが、約５０ｓｃｃ
    ｍ〜約１００００ｓｃｃｍの流速で前記堆積チャンバに
    提供される請求項８９に記載の方法。
  107. 【請求項１０７】 前記電界が一以上の高周波（ＲＦ）
    電源から発生している請求項８９に記載の方法。
  108. 【請求項１０８】 前記一以上のＲＦ電源の各々が約１
    ００Ｗ〜約１０００Ｗである請求項１０７に記載の方
    法。
  109. 【請求項１０９】 前記炭化珪素ハードマスクが約２５
    ０ｎｍ未満の波長において反射防止被膜（ＡＲＣ）であ
    る請求項８９に記載の方法。
  110. 【請求項１１０】 前記炭化珪素バリヤ層及び炭化珪素
    ハードマスクのそれぞれの２ＭＶ／ｃｍ２における漏洩
    電流が約１０−８Ａ／ｃｍ２未満である請求項８９に記
    載の方法。
  111. 【請求項１１１】 前記炭化珪素バリヤ層及び炭化珪素
    ハードマスクのプラズマ処理ステップを更に含む請求項
    ８９に記載の方法。
  112. 【請求項１１２】 前記プラズマが、 一以上の不活性ガスをプロセスチャンバに供給するステ
    ップと、 前記プロセスチャンバ内の前記一以上の不活性ガスに電
    界を加えて前記プラズマを発生させるステップとによっ
    て生じる請求項１１１に記載の方法。
  113. 【請求項１１３】 前記一以上の不活性ガスがヘリウム
    （Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、及びこれ
    らの組み合わせの群より選択される請求項１１２に記載
    の方法。
  114. 【請求項１１４】 前記プロセスチャンバが約５Ｔｏｒ
    ｒ〜約１０Ｔｏｒｒの圧力に保持される請求項１１２に
    記載の方法。
  115. 【請求項１１５】 前記一以上の不活性ガスが約１００
    ０ｓｃｃｍ〜約７０００ｓｃｃｍの流速で前記堆積チャ
    ンバに提供される請求項１１２に記載の方法。
  116. 【請求項１１６】 前記電界が高周波（ＲＦ）電力であ
    る請求項１１５に記載の方法。
  117. 【請求項１１７】 前記高周波電力が約２００Ｗ〜約１
    ０００Ｗである請求項１１６に記載の方法。
  118. 【請求項１１８】 前記炭化珪素ハードマスクの中にパ
    ターンを規定する前に、前記炭化珪素ハードマスク上に
    炭化珪素キャップ層を形成するステップを更に含む請求
    項８９に記載の方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064518A (ja) * 2003-08-18 2005-03-10 Asm Japan Kk 低比誘電率膜を形成する方法
JP2006502586A (ja) * 2002-10-07 2006-01-19 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 耐酸化性が良好な次世代ダマシンバリヤ適用のための二層膜
JP2006128591A (ja) * 2004-01-13 2006-05-18 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法及び成膜システム
JP2007516355A (ja) * 2003-11-18 2007-06-21 ケース ウエスタン リザーブ ユニバーシティ 炭化ケイ素膜およびセラミック膜を堆積するための方法
JP2009170872A (ja) * 2007-10-09 2009-07-30 Applied Materials Inc 優勢エッチング抵抗性を具備する低ｋ誘電バリアを得る方法
JP2014523109A (ja) * 2011-06-15 2014-09-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド レーザによる基板のダイシング及びプラズマエッチング用の多層マスク
JP2020136387A (ja) * 2019-02-15 2020-08-31 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜処理用の処理容器のクリーニング方法及び成膜装置
JP2023502277A (ja) * 2019-12-12 2023-01-23 プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド 高性能で構造的に改質された粒子状炭素吸着剤を利用するドーパント流体保管及び分配システム

Families Citing this family (210)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6303523B2 (en) 1998-02-11 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6660656B2 (en) 1998-02-11 2003-12-09 Applied Materials Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6593247B1 (en) 1998-02-11 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Method of depositing low k films using an oxidizing plasma
US6627532B1 (en) * 1998-02-11 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition
US6821571B2 (en) * 1999-06-18 2004-11-23 Applied Materials Inc. Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers
US6764958B1 (en) * 2000-07-28 2004-07-20 Applied Materials Inc. Method of depositing dielectric films
US6465366B1 (en) * 2000-09-12 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Dual frequency plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon carbide layers
US6537733B2 (en) * 2001-02-23 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers
WO2003021652A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-13 Tokyo Electron Limited Method for etching object to be processed
US6759327B2 (en) 2001-10-09 2004-07-06 Applied Materials Inc. Method of depositing low k barrier layers
US6656837B2 (en) * 2001-10-11 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications
US6528423B1 (en) * 2001-10-26 2003-03-04 Lsi Logic Corporation Process for forming composite of barrier layers of dielectric material to inhibit migration of copper from copper metal interconnect of integrated circuit structure into adjacent layer of low k dielectric material
US6838393B2 (en) 2001-12-14 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method for producing semiconductor including forming a layer containing at least silicon carbide and forming a second layer containing at least silicon oxygen carbide
US6890850B2 (en) * 2001-12-14 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Method of depositing dielectric materials in damascene applications
CN100373559C (zh) * 2002-01-15 2008-03-05 东京毅力科创株式会社 形成含硅绝缘膜的cvd方法和装置
US6541397B1 (en) * 2002-03-29 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Removable amorphous carbon CMP stop
US6936309B2 (en) 2002-04-02 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Hardness improvement of silicon carboxy films
US6664202B2 (en) * 2002-04-18 2003-12-16 Applied Materials Inc. Mixed frequency high temperature nitride CVD process
US6812043B2 (en) * 2002-04-25 2004-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming a carbon doped oxide low-k insulating layer
JP4066332B2 (ja) * 2002-10-10 2008-03-26 日本エー・エス・エム株式会社 シリコンカーバイド膜の製造方法
US6991959B2 (en) * 2002-10-10 2006-01-31 Asm Japan K.K. Method of manufacturing silicon carbide film
JP4119726B2 (ja) * 2002-10-15 2008-07-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
US20040124420A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Lin Simon S.H. Etch stop layer
US7276441B1 (en) * 2003-04-15 2007-10-02 Lsi Logic Corporation Dielectric barrier layer for increasing electromigration lifetimes in copper interconnect structures
KR100573484B1 (ko) 2003-06-30 2006-04-24 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US6967405B1 (en) 2003-09-24 2005-11-22 Yongsik Yu Film for copper diffusion barrier
US7420275B1 (en) 2003-09-24 2008-09-02 Novellus Systems, Inc. Boron-doped SIC copper diffusion barrier films
US20050230350A1 (en) 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
US7282438B1 (en) 2004-06-15 2007-10-16 Novellus Systems, Inc. Low-k SiC copper diffusion barrier films
US7332445B2 (en) 2004-09-28 2008-02-19 Air Products And Chemicals, Inc. Porous low dielectric constant compositions and methods for making and using same
US7253123B2 (en) * 2005-01-10 2007-08-07 Applied Materials, Inc. Method for producing gate stack sidewall spacers
US7638859B2 (en) * 2005-06-06 2009-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Interconnects with harmonized stress and methods for fabricating the same
US7977245B2 (en) * 2006-03-22 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Methods for etching a dielectric barrier layer with high selectivity
US7572482B2 (en) * 2006-04-14 2009-08-11 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Photo-patterned carbon electronics
US20100178017A1 (en) * 2006-10-06 2010-07-15 Boris Kharas Method for Improving Refractive Index Control in PECVD Deposited a-SiNy Films
US7915166B1 (en) 2007-02-22 2011-03-29 Novellus Systems, Inc. Diffusion barrier and etch stop films
US8173537B1 (en) 2007-03-29 2012-05-08 Novellus Systems, Inc. Methods for reducing UV and dielectric diffusion barrier interaction
US7678698B2 (en) * 2007-05-04 2010-03-16 Freescale Semiconductor, Inc. Method of forming a semiconductor device with multiple tensile stressor layers
US7700424B2 (en) * 2008-02-27 2010-04-20 Applied Materials, Inc. Method of forming an embedded silicon carbon epitaxial layer
WO2009108201A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor substrate contact via
US8124522B1 (en) 2008-04-11 2012-02-28 Novellus Systems, Inc. Reducing UV and dielectric diffusion barrier interaction through the modulation of optical properties
US7759213B2 (en) * 2008-08-11 2010-07-20 International Business Machines Corporation Pattern independent Si:C selective epitaxy
US20100117985A1 (en) * 2008-11-06 2010-05-13 Bahar Wadia Capacitive touch screen and strategic geometry isolation patterning method for making touch screens
US8247332B2 (en) * 2009-12-04 2012-08-21 Novellus Systems, Inc. Hardmask materials
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8771539B2 (en) 2011-02-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Remotely-excited fluorine and water vapor etch
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8679982B2 (en) 2011-08-26 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen
US8679983B2 (en) 2011-09-01 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US8546204B2 (en) 2011-10-03 2013-10-01 International Business Machines Corporation Method for growing conformal epi layers and structure thereof
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
WO2013070436A1 (en) 2011-11-08 2013-05-16 Applied Materials, Inc. Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing
US10832904B2 (en) 2012-06-12 2020-11-10 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of oxygen doped silicon carbide films
US10211310B2 (en) 2012-06-12 2019-02-19 Novellus Systems, Inc. Remote plasma based deposition of SiOC class of films
US10325773B2 (en) 2012-06-12 2019-06-18 Novellus Systems, Inc. Conformal deposition of silicon carbide films
US9234276B2 (en) 2013-05-31 2016-01-12 Novellus Systems, Inc. Method to obtain SiC class of films of desired composition and film properties
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8765574B2 (en) 2012-11-09 2014-07-01 Applied Materials, Inc. Dry etch process
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US9337068B2 (en) 2012-12-18 2016-05-10 Lam Research Corporation Oxygen-containing ceramic hard masks and associated wet-cleans
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
JP2014154666A (ja) * 2013-02-07 2014-08-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化珪素半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US10297442B2 (en) 2013-05-31 2019-05-21 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of graded or multi-layered silicon carbide film
WO2014204028A1 (ko) * 2013-06-18 2014-12-24 주식회사 원익아이피에스 박막 제조 방법
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US9371579B2 (en) 2013-10-24 2016-06-21 Lam Research Corporation Ground state hydrogen radical sources for chemical vapor deposition of silicon-carbon-containing films
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9355862B2 (en) 2014-09-24 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Fluorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US20160314964A1 (en) 2015-04-21 2016-10-27 Lam Research Corporation Gap fill using carbon-based films
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10858727B2 (en) 2016-08-19 2020-12-08 Applied Materials, Inc. High density, low stress amorphous carbon film, and process and equipment for its deposition
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10002787B2 (en) 2016-11-23 2018-06-19 Lam Research Corporation Staircase encapsulation in 3D NAND fabrication
US9837270B1 (en) 2016-12-16 2017-12-05 Lam Research Corporation Densification of silicon carbide film using remote plasma treatment
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
EP3382068B1 (en) * 2017-03-29 2022-05-18 SiCrystal GmbH Silicon carbide substrate and method of growing sic single crystal boules
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
KR20210055786A (ko) * 2018-10-05 2021-05-17 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 챔버
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
US11515147B2 (en) * 2019-12-09 2022-11-29 Micron Technology, Inc. Material deposition systems, and related methods

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000019498A1 (en) * 1998-10-01 2000-04-06 Applied Materials, Inc. In situ deposition of low k si carbide barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene applications

Family Cites Families (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2364989C3 (de) 1973-12-28 1979-10-18 Consortium Fuer Elektrochemische Industrie Gmbh, 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung von Schichten aus Siliciumcarbid auf einem Siliciumsubstrat
US4262631A (en) 1979-10-01 1981-04-21 Kubacki Ronald M Thin film deposition apparatus using an RF glow discharge
JPS59128281A (ja) 1982-12-29 1984-07-24 信越化学工業株式会社 炭化けい素被覆物の製造方法
JPH07111957B2 (ja) 1984-03-28 1995-11-29 圭弘 浜川 半導体の製法
US4759947A (en) 1984-10-08 1988-07-26 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming deposition film using Si compound and active species from carbon and halogen compound
JPS61257475A (ja) 1985-05-08 1986-11-14 Tdk Corp 保護膜
US5300951A (en) 1985-11-28 1994-04-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Member coated with ceramic material and method of manufacturing the same
US4822697A (en) 1986-12-03 1989-04-18 Dow Corning Corporation Platinum and rhodium catalysis of low temperature formation multilayer ceramics
JP2546696B2 (ja) 1987-12-17 1996-10-23 富士通株式会社 シリコン炭化層構造
US5082695A (en) 1988-03-08 1992-01-21 501 Fujitsu Limited Method of fabricating an x-ray exposure mask
US4885220A (en) 1988-05-25 1989-12-05 Xerox Corporation Amorphous silicon carbide electroreceptors
US4894352A (en) 1988-10-26 1990-01-16 Texas Instruments Inc. Deposition of silicon-containing films using organosilicon compounds and nitrogen trifluoride
US5238866A (en) 1991-09-11 1993-08-24 GmbH & Co. Ingenieurburo Berlin Biotronik Mess- und Therapiegerate Plasma enhanced chemical vapor deposition process for producing an amorphous semiconductive surface coating
US5472829A (en) 1991-12-30 1995-12-05 Sony Corporation Method of forming a resist pattern by using an anti-reflective layer
US5597566A (en) 1992-05-06 1997-01-28 Ford Motor Company Vibration damping universal joint
US5465680A (en) 1993-07-01 1995-11-14 Dow Corning Corporation Method of forming crystalline silicon carbide coatings
JP2641385B2 (ja) 1993-09-24 1997-08-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 膜形成方法
US5818071A (en) 1995-02-02 1998-10-06 Dow Corning Corporation Silicon carbide metal diffusion barrier layer
TW362118B (en) 1995-10-30 1999-06-21 Dow Corning Method for depositing amorphous SiNC coatings
US5759746A (en) 1996-05-24 1998-06-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Fabrication process using a thin resist
US5989998A (en) 1996-08-29 1999-11-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of forming interlayer insulating film
US5711987A (en) 1996-10-04 1998-01-27 Dow Corning Corporation Electronic coatings
JPH10223758A (ja) 1996-12-06 1998-08-21 Sony Corp 半導体装置
US5926740A (en) * 1997-10-27 1999-07-20 Micron Technology, Inc. Graded anti-reflective coating for IC lithography
US6051321A (en) 1997-10-24 2000-04-18 Quester Technology, Inc. Low dielectric constant materials and method
US5953627A (en) 1997-11-06 1999-09-14 International Business Machines Corporation Process for manufacture of integrated circuit device
US6041734A (en) 1997-12-01 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Use of an asymmetric waveform to control ion bombardment during substrate processing
US6103590A (en) 1997-12-12 2000-08-15 Texas Instruments Incorporated SiC patterning of porous silicon
DE69840889D1 (de) 1997-12-23 2009-07-23 Texas Instruments Inc Chemisch-mechanisches Polieren für die Planarisierung isolierender Dielektrika
US6555476B1 (en) 1997-12-23 2003-04-29 Texas Instruments Incorporated Silicon carbide as a stop layer in chemical mechanical polishing for isolation dielectric
US6140226A (en) 1998-01-16 2000-10-31 International Business Machines Corporation Dual damascene processing for semiconductor chip interconnects
US6627532B1 (en) 1998-02-11 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition
US6054379A (en) 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
US6287990B1 (en) 1998-02-11 2001-09-11 Applied Materials, Inc. CVD plasma assisted low dielectric constant films
US6046758A (en) * 1998-03-10 2000-04-04 Diamonex, Incorporated Highly wear-resistant thermal print heads with silicon-doped diamond-like carbon protective coatings
US6068884A (en) 1998-04-28 2000-05-30 Silcon Valley Group Thermal Systems, Llc Method of making low κ dielectric inorganic/organic hybrid films
US6159871A (en) 1998-05-29 2000-12-12 Dow Corning Corporation Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant
US6060132A (en) 1998-06-15 2000-05-09 Siemens Aktiengesellschaft High density plasma CVD process for making dielectric anti-reflective coatings
US6147009A (en) 1998-06-29 2000-11-14 International Business Machines Corporation Hydrogenated oxidized silicon carbon material
US6316167B1 (en) 2000-01-10 2001-11-13 International Business Machines Corporation Tunabale vapor deposited materials as antireflective coatings, hardmasks and as combined antireflective coating/hardmasks and methods of fabrication thereof and application thereof
US6462371B1 (en) 1998-11-24 2002-10-08 Micron Technology Inc. Films doped with carbon for use in integrated circuit technology
US6364954B2 (en) 1998-12-14 2002-04-02 Applied Materials, Inc. High temperature chemical vapor deposition chamber
US6312793B1 (en) 1999-05-26 2001-11-06 International Business Machines Corporation Multiphase low dielectric constant material
US6436824B1 (en) * 1999-07-02 2002-08-20 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Low dielectric constant materials for copper damascene
US6593653B2 (en) 1999-09-30 2003-07-15 Novellus Systems, Inc. Low leakage current silicon carbonitride prepared using methane, ammonia and silane for copper diffusion barrier, etchstop and passivation applications
US6417092B1 (en) 2000-04-05 2002-07-09 Novellus Systems, Inc. Low dielectric constant etch stop films
US6429129B1 (en) 2000-06-16 2002-08-06 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method of using silicon rich carbide as a barrier material for fluorinated materials
JP2002009069A (ja) 2000-06-22 2002-01-11 Canon Sales Co Inc 成膜方法
US6410437B1 (en) * 2000-06-30 2002-06-25 Lam Research Corporation Method for etching dual damascene structures in organosilicate glass
JP3934343B2 (ja) 2000-07-12 2007-06-20 キヤノンマーケティングジャパン株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6794311B2 (en) 2000-07-14 2004-09-21 Applied Materials Inc. Method and apparatus for treating low k dielectric layers to reduce diffusion
US6764958B1 (en) * 2000-07-28 2004-07-20 Applied Materials Inc. Method of depositing dielectric films
US6465366B1 (en) 2000-09-12 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Dual frequency plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon carbide layers
US6340628B1 (en) 2000-12-12 2002-01-22 Novellus Systems, Inc. Method to deposit SiOCH films with dielectric constant below 3.0
US6537733B2 (en) 2001-02-23 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers
US6506692B2 (en) 2001-05-30 2003-01-14 Intel Corporation Method of making a semiconductor device using a silicon carbide hard mask
US6534397B1 (en) 2001-07-13 2003-03-18 Advanced Micro Devices, Inc. Pre-treatment of low-k dielectric for prevention of photoresist poisoning
US20030045125A1 (en) 2001-09-05 2003-03-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Nitrogen containing plasma annealing method for forming a nitrogenated silicon carbide layer
US6528423B1 (en) 2001-10-26 2003-03-04 Lsi Logic Corporation Process for forming composite of barrier layers of dielectric material to inhibit migration of copper from copper metal interconnect of integrated circuit structure into adjacent layer of low k dielectric material
US6849562B2 (en) 2002-03-04 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric barrier film for copper damascene application

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000019498A1 (en) * 1998-10-01 2000-04-06 Applied Materials, Inc. In situ deposition of low k si carbide barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene applications

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006502586A (ja) * 2002-10-07 2006-01-19 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 耐酸化性が良好な次世代ダマシンバリヤ適用のための二層膜
JP2005064518A (ja) * 2003-08-18 2005-03-10 Asm Japan Kk 低比誘電率膜を形成する方法
JP4566651B2 (ja) * 2003-08-18 2010-10-20 日本エー・エス・エム株式会社 低比誘電率膜を形成する方法
JP4758354B2 (ja) * 2003-11-18 2011-08-24 ケース ウエスタン リザーブ ユニバーシティ 基体上に炭化ケイ素層を形成する方法
JP2007516355A (ja) * 2003-11-18 2007-06-21 ケース ウエスタン リザーブ ユニバーシティ 炭化ケイ素膜およびセラミック膜を堆積するための方法
JP2006128591A (ja) * 2004-01-13 2006-05-18 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法及び成膜システム
JP4715207B2 (ja) * 2004-01-13 2011-07-06 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法及び成膜システム
JP2013102174A (ja) * 2007-10-09 2013-05-23 Applied Materials Inc 優勢エッチング抵抗性を具備する低ｋ誘電バリアを得る方法
JP2009170872A (ja) * 2007-10-09 2009-07-30 Applied Materials Inc 優勢エッチング抵抗性を具備する低ｋ誘電バリアを得る方法
JP2014523109A (ja) * 2011-06-15 2014-09-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド レーザによる基板のダイシング及びプラズマエッチング用の多層マスク
JP2015097278A (ja) * 2011-06-15 2015-05-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ レーザによる基板のダイシング及びプラズマエッチング用の多層マスク
CN106229262A (zh) * 2011-06-15 2016-12-14 应用材料公司 用于以激光及等离子体蚀刻切割基板的多层掩模
CN106229262B (zh) * 2011-06-15 2020-10-30 应用材料公司 用于以激光及等离子体蚀刻切割基板的多层掩模
JP2020136387A (ja) * 2019-02-15 2020-08-31 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜処理用の処理容器のクリーニング方法及び成膜装置
JP2023502277A (ja) * 2019-12-12 2023-01-23 プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド 高性能で構造的に改質された粒子状炭素吸着剤を利用するドーパント流体保管及び分配システム
JP7556030B2 (ja) 2019-12-12 2024-09-25 プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド 高性能で構造的に改質された粒子状炭素吸着剤を利用するドーパント流体保管及び分配システム

Also Published As

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EP1176226A1 (en) 2002-01-30
DE60138595D1 (de) 2009-06-18
KR100801369B1 (ko) 2008-02-05

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