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JP2000238178A - 透明導電積層体 - Google Patents

透明導電積層体

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Publication number
JP2000238178A
JP2000238178A JP4615699A JP4615699A JP2000238178A JP 2000238178 A JP2000238178 A JP 2000238178A JP 4615699 A JP4615699 A JP 4615699A JP 4615699 A JP4615699 A JP 4615699A JP 2000238178 A JP2000238178 A JP 2000238178A
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JP
Japan
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film
plane
ray diffraction
transparent conductive
ito
Prior art date
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Pending
Application number
JP4615699A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Hara
寛 原
Seiji Tsuboi
誠治 坪井
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Teijin Ltd
Original Assignee
Teijin Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to EP00905291A priority patent/EP1081718B1/en
Priority to CN008006741A priority patent/CN1217344C/zh
Priority to CA 2330123 priority patent/CA2330123C/en
Priority to US09/673,854 priority patent/US6617056B1/en
Priority to PCT/JP2000/001033 priority patent/WO2000051139A1/ja
Priority to KR1020007011762A priority patent/KR100669064B1/ko
Priority to JP2000601655A priority patent/JP4759143B2/ja
Priority to DE2000629706 priority patent/DE60029706T8/de
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 比抵抗が従来のフィルム上ＩＴＯ膜に比べて
低減された透明導電積層体を提供する。 【解決手段】 高分子フィルム上に、結晶質部を有する
Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系透明導電膜が形成されてなる透明導電
積層体において、該結晶質部の（２２２）面からのＸ線
回折強度に対する（４４０）面からのＸ線回折強度の比
が０．３〜１．２の範囲であることを特徴とする透明導
電積層体。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系透
明導電膜を有する透明導電積層体に関し、特に高分子フ
ィルムの上にＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系透明導電膜を設けてなる
低抵抗の透明導電積層体に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種表示素子或いは薄膜太陽電池の電極
部には、可視光線透過率が高く、低抵抗な特性を有する
透明導電膜が欠かせない。また、近年の携帯移動端末の
急激な小型化・軽量化に伴って、透明電極基板にも、よ
り軽量の部材が要求されている。そのため、基板材料と
しては、ガラスに比べてより軽量な高分子フィルム（高
分子透明基板と言うことがある）等の透明高分子材料に
Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏを主成分とする膜（以下ＩＴＯ膜と記
す）を積層した透明導電性フィルムが使用されつつあ
る。また、高分子フィルム上に形成したＩＴＯ膜を用い
てカラーの表示素子を作成することを鑑みた場合、ＩＴ
Ｏ膜の表面抵抗は２０Ω／□程度が望まれている。
【０００３】ＩＴＯ膜をガラス及び／または高分子フィ
ルムに形成するためには、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ング、ＲＦマグネトロンスパッタリング、真空蒸着法、
イオンプレーティング法などが用いられている。特に大
面積に対して膜厚分布を低減させた透明導電膜を形成す
るためにはＤＣマグネトロンスパッタリングが有効であ
る。
【０００４】高分子フィルム上に積層されたＩＴＯ膜は
ガラス基板上に積層されたＩＴＯ膜に比較して一般的に
比抵抗が高い。この理由には主として二つの要因が考え
られる。一つはプロセス温度がガラス基板上への成膜プ
ロセスに比較して低いために、十分に結晶成長を行うこ
とができないことに起因している。もう一つは高分子透
明基板の剛性に由来するところの膜厚の制約に起因して
いる。これらの理由により、高分子透明基板上のＩＴＯ
膜は比抵抗が５．０×１０-4Ω・ｃｍより下がりにく
く、表面抵抗値として４０Ω／□より低い抵抗値の膜を
形成することは困難であった。
【０００５】バルクのＩＴＯ多結晶体のＸ線回折チャー
トには強い３本の反射が観測される。ミラー指数によっ
てそれらの反射を帰属すると（２２２）面、（４００）
面、（４４０）面の反射に由来するものである。Ｘ線源
をＣｕ−Ｋαとすると、これらの反射は（２２２）面か
らの反射が３０．５°（２θ）、（４００）面からの反
射が３５°（２θ）、（４４０）面からの反射が５０．
５°（２θ）付近にそれぞれ現れることが知られてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】高分子透明基板上への
ＩＴＯの形成においては、基板のガラス転移温度が２０
０℃にみたないため、成膜温度をあまり上昇させること
ができず、ガラス上へのＩＴＯ膜の形成時のように２０
０℃を超えるような高い基板温度条件を使用することが
できない。また、高分子透明基板の曲げに対する剛性は
ガラス基板に比して小さいことより、高分子透明基板上
には１３０ｎｍ程度しかＩＴＯを形成することができな
い。これ以上にＩＴＯ膜の膜厚を厚くするように形成す
ると、高分子透明基板がＩＴＯ膜の応力のためにカール
が大きくなってしまったり、クラックが発生してしまっ
たりする。よって、膜厚は最大で１３０ｎｍ程度に抑制
することが必要である。
【０００７】従って表面抵抗の小さなＩＴＯ膜を高分子
透明基板上に形成するためには、ＩＴＯ膜厚の増加では
なく、ＩＴＯ膜の比抵抗を低減しなければならない。ま
た、そのためには微細構造制御が非常に重要となる。一
般に、ＤＣマグネトロンスパッタリングにおいて形成さ
れるＩＴＯ膜の構造は、その成膜温度に強く依存すると
言われており、基板温度を室温にした成膜では、結晶質
部と非晶質部が混合した状態が形成される。さらに、Ｉ
ＴＯ膜の結晶質部の構造はｂｉｘｂｉｔｅ型であり、そ
の結晶配向は基板温度を室温乃至２００℃程度の温度範
囲に設定した状態で成膜した場合、最密面である（２２
２）面が基板に対して平行になるような結晶配向を示
す。これに対して、成膜時の基板温度が２００℃を超え
るような条件でＩＴＯを成膜した場合、（２２２）面の
みならず、（４００）面がさらに基板に対して平行にな
るような結晶配向を示すと言われている。
【０００８】このような背景をもとに、結晶配向を制御
することによって比抵抗を低減させることを目的とした
技術として、例えば特開平７−９０５５０号公報には、
（１００）方向を基板に平行になるように形成したＩＴ
Ｏ膜は比抵抗が低減されていることが提案されている。
但し、ＩＴＯ膜の形成に際し基板温度を２００℃以上に
加熱した場合に起こる現象である。この特許を始め基板
温度を２００℃以上に保った高温プロセスにおける低比
抵抗化のための結晶配向制御は多く議論されているもの
の、低温プロセスで形成したＩＴＯを主成分とする透明
導電膜の低比抵抗を実現するための構造制御は議論され
ていない。
【０００９】本発明者らは、軽量であり耐衝撃性に優れ
ているプラスティック基板の特性を最大に生かすことに
主眼におき、高分子透明基板の温度を該高分子透明基板
のガラス転移温度より上昇させること無くＩＴＯ膜の比
抵抗を低減させることを検討した。そして、該基板とし
てビスフェノール成分がビスフェノールＡであるポリカ
ーボネートからなるフィルムを用いた場合、室温乃至２
００℃以下で成膜したＩＴＯ膜及びそれらを８０〜１５
０℃で熱処理したＩＴＯ膜に関して、それらの微細構造
を詳細に考察した結果、基板温度を低温として形成した
ＩＴＯ膜であっても、（４４０）配向及び（２２２）配
向の存在比を適切に制御することで、ＩＴＯ膜の比抵抗
を任意に制御できることを明らかにした。
【００１０】本発明の目的は、ＩＴＯ膜の微細構造を積
極的に制御し、高分子透明基板上に、該基板温度を室温
程度の温度で形成したＩＴＯ膜を有する透明導電積層体
において、その比抵抗が従来のフィルム上ＩＴＯ膜に比
べて低減された透明導電積層体を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、高分子フィル
ム上に、結晶質部を有するＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系透明導電膜
が形成されてなる透明導電積層体において、該結晶質部
の（２２２）面からのX線回折強度に対する（４４０）
面からのX線回折強度の比が０．３〜１．２の範囲であ
ることを特徴とする透明導電積層体である。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明における高分子フィルム上
に形成したＩＴＯ膜は、該膜中の微細構造が制御され、
さらに、熱力学的に平衡な熱履歴を与えることにより極
めて比抵抗を低減させた膜である。
【００１３】具体的には、成膜直後の結晶質部の配向度
を（４４０）面からの反射強度と（２２２）面からの反
射強度の比として定義し、（４４０）強度／（２２２）
強度が０．３〜１．２の間に入ることを特徴とするＩＴ
Ｏ膜を提供する。さらに、８０〜１５０℃の範囲で０．
５時間以上の熱処理を行った後の結晶質部の配向度が
０．３〜１．２の間に入ることを特徴とするＩＴＯ膜を
提供する。
【００１４】本発明に用いられる高分子フィルムとして
は、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレート、ポリカーボネイト、ポリエーテルスルホ
ン等の高分子フィルムを用いることができる。さらに、
共重合高分子や、ブレンド高分子であってもよい。用途
によっては光学特性に優れた高分子フィルムを用いるこ
ともできる。光学特性を必要としない場合には、不透明
な高分子フィルムを用いても構わない。
【００１５】本発明に用いる高分子フィルムの厚みは
０．０１〜０．４ｍｍのものを用いることができる。光
学用途を鑑みた場合、視認性とハンドリングの観点から
０．１ｍｍ〜０．２ｍｍがより好ましい。
【００１６】本発明の透明導電積層体は、上記高分子フ
ィルム上に形成されてなるＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系透明導電膜
の結晶質部の（２２２）面からのX線回折強度に対する
（４４０）面からのX線回折強度の比が０．３〜１．２
の範囲である。かかる構成とすることにより、高分子フ
ィルム上において、比抵抗が４．５×１０-4Ω・ｃｍ以
下、望ましくは３．０×１０-4Ω・ｃｍ以下を示すよう
な、極めて抵抗値の低いＩＴＯ膜を提供することができ
る。
【００１７】本発明の透明導電積層体は、上記高分子フ
ィルム上に、例えば以下に示すようなスパッタリング法
によってＩＴＯ膜を成膜することにより、得ることがで
きる。
【００１８】通常、Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ（以下ＰＶＤと略）を行うと、基板と
して用いる高分子フィルムに飛来する粒子のエネルギー
は基板が緩和する。このとき、基板の温度が高ければエ
ネルギーの緩和はあまり起こらず、粒子は最適なサイト
へランディングする。一方、低温では適切なサイトに入
ることができず、ほとんど結晶化することはない。その
ため、微結晶と非晶状態が存在する状態が発生する。こ
の微結晶の配向制御を行うことによって低比抵抗ＩＴＯ
膜の素地を形成する。
【００１９】一般に基板温度を２００℃以上の高温状態
にして、ＩＴＯのスパッタリングを行うと、（１００）
面が基板に平行に成長することが多い。しかしながら、
（１００）面はエネルギー的には最安定な状態ではな
く、完全な平衡状態とは言えず、ＩＴＯ膜内部に歪みを
持っていると考えられる。一方、基板温度を室温程度の
低温状態にして、ＩＴＯのスパッタリングを行うと、成
膜直後にはＩＴＯ膜内部の非平衡の度合いはさらに高く
なっていると考えられる。ところが、低温で形成された
の非晶質状態は、完全なランダム状態ではなく、結晶の
座標に対してわずかに原子位置がずれた準安定な状態で
あるので、８０〜１５０℃という低温の熱刺激により、
容易に安定なサイトへと原子の移動を行うことが可能で
ある。このような結晶化は、直接基板上にＩＴＯを結晶
化させるよりも、熱力学的に平衡に近い状態での結晶化
である。従って、この熱刺激によって形成されたＩＴＯ
膜においては、結晶質部が理想的な結晶成長過程を経て
いるため比抵抗が著しく低減すると推測される。
【００２０】結晶配向がランダム配向になっている状態
においては（４４０）配向と（２２２）配向の量比は
０．３程度になることが知られている。ところが、基板
温度を２００℃以下室温程度までの低温にして成膜を行
った場合、（４４０）配向と（２２２）配向の量比は
０．３より小さい。そこで、本発明者らはこの低温度範
囲においても（４４０）配向を示す結晶核が形成できる
方法を検討した。
【００２１】ＩＴＯ膜の結晶核発生に最も影響を与えて
いるのは、ＩＴＯ膜を形成する成膜装置の雰囲気及び添
加する酸素の分圧であると考える。これは、装置内に残
留しているガス成分が結晶核の発生のきっかけを与えて
いるためと、添加する酸素分圧の上昇に伴って化学量論
的に酸化インジウムがＩｎ2Ｏ3に近づくために結晶核に
なり易いことに由来している。
【００２２】従って、成膜の雰囲気において残留ガスを
極力排除するために、到達真空度は１．０×１０-6Ｔｏ
ｒｒ以下が望ましい。より好ましくは５．０×１０-7Ｔ
ｏｒｒ以下の到達真空度を実現することによって、残留
ガスに由来する結晶核の形成を制御する。さらに、添加
する酸素量を制御することにより結晶核の形成を制御す
ることができる。
【００２３】その結果、厚さ０．０１〜０．４ｍｍの高
分子フィルム上に、結晶部の配向度が０．３〜１．２に
制御された透明導電膜を形成することができる。さらに
熱処理を加えた後においても０．３〜１．２に制御する
ことができる。また、結晶質部からのＸ線回折強度は
（２２２）面又は（４４０）面からの反射が強い。
【００２４】真空槽中の残留ガスを制御した後、Ａｒと
伴に導入するガスは酸素であることが望ましいが、窒素
或いはＣＯ、ＣＯ2、であっても構わない。酸素を導入
する場合、酸素の分圧は１〜１０×１０-5Ｔｏｒｒであ
ることが望ましい。より望ましくは、１〜５×１０-5Ｔ
ｏｒｒの範囲である。
【００２５】また、酸素の分圧は、四重極の質量分析計
を用いて測定しても良い。あるいは、Ａｒと酸素の流量
比をマスフローコントローラーにて制御し、全圧より計
算にて求めても良い。
【００２６】ＩＴＯ膜の配向度は成膜直後から（４４
０）強度／（２２２）強度は０．３〜１．２であること
が望ましい。より望ましくは０．４〜０．８である。こ
れは、結晶の配向により導電性に異方性が存在するため
であり、面内に均一な導電性を示させるためには（４４
０）面が適しているものと推察している。
【００２７】また、透明導電膜の結晶質部は、（４０
０）面、（２２２）面、及び（４４０）面からのＸ線回
折強度が主として観察されるが、この中で（２２２）面
または（４４０）面からのＸ線回折強度がもっとも強い
場合に、比抵抗が小さくなることが多く好ましい。
【００２８】上記配向度は、高分子フィルムのガラス転
移温度以下、例えばビスフェノール成分がビスフェノー
ルＡであるポリカーボネートからなるフィルムを用いた
場合は８０〜１５０℃で熱処理を行うことにより、かか
る配向度が０．３〜１．２であることが望ましい。熱処
理後には、配向度がやや大きくなる傾向がある。そし
て、熱処理後には比抵抗が著しく低減されたＩＴＯ膜と
なり好ましい。このとき膜全体が結晶質になるが、配向
度は０．３〜１．２であることが望ましい。より望まし
くは０．４〜０．８である。
【００２９】なお、本発明における高分子フィルムは、
例えば該高分子フィルム上に、ＩＴＯ膜との密着性を高
める作用をもたらすために単層または二層以上で構成さ
れる無機物及び／または有機物からなる下地層を有して
いても良い。さらに、密着性以外の特徴である、例えば
耐湿熱性を高分子フィルムに与えるような単層または二
層以上で構成される無機物及び／または有機物からなる
下地層を有する高分子フィルムであってもよい。
【００３０】高分子フィルム上に形成される透明導電膜
はＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系の材料を使用するが、これはＩｎ2
Ｏ3とＳｎＯ2の混合焼結ターゲットを用いることができ
る。または、ＩｎとＳｎの金属ターゲットを用いて、反
応性スパッタを実施してもよい。ただ、生産マージンを
鑑みると焼結ターゲット用いることが望ましい。
【００３１】Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系材料におけるＳｎＯ2の
濃度は、６〜２０重量％を導入することができる。これ
は、抵抗値を低減させるために必要なキャリアを効率的
に生成するためである。より望ましくは７．５〜１２．
５重量％のＳｎＯ2を有するＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系材料が望
ましい。
【００３２】
【実施例】以下実施例をもって本発明を更に詳しく説明
する。尚、ＩＴＯ膜の配向度は以下の要領で実施した。
【００３３】本発明においては、反応性ＤＣマグネトロ
ンスパッタリングにおいて形成されたＩＴＯ膜の（２２
２）面及び（４４０）面に由来するＸ線回折強度を計測
することにより、結晶部の配向を評価した。
【００３４】Ｘ線回折強度はＲｉｇａｋｕ社製Ｒｏｔａ
ｆｌｅｘ ＲＵ−３００において、ブラッグ−ブレンタ
ーノの光学配置によって測定した。光源にはＣｕＫα線
（波長：１．５４１Å）を５０ｋＶ、２００ｍＡのパワ
ーで用い、発散スリット１°、受光スリット１°及び散
乱スリット０．１５°を光学系として採用した。また、
グラファイトのモノクロメーターも使用した。ＩＴＯ膜
の（２２２）面からの回折線は、ＣｕＫα線を使用した
場合、およそ３０．５°（２θ）の位置に表われる。ま
た、（４４０）面からの回折線は５０．５°（２θ）に
表われる。ＩＴＯ膜の（２２２）面からのＸ線回折強度
は２９〜３２°（２θ）の領域を０．０５°刻みで観測
し、１刻みあたり１秒をかけた。（４４０）面からのＸ
線回折強度は４９〜５１°（２θ）の領域を０．０５°
刻みで観測し、１刻みあたり１秒をかけた。
【００３５】そして、得られたＸ線回折図形より求めた
（２２２）面及び（４４０）面からのＸ線回折強度比を
求めた。（４４０）面からの回折図形には、光源である
ＣｕのＸ線のＫα１線及びＫα２線が分離してしまうこ
とに由来するショルダーが観測されるが、ここでは、そ
れらを分離せずに、回折ピークのピークトップの強度か
ら、そのピークのベースラインを直線としたときのベー
スライン強度の差を、反射強度として定義した。
【００３６】ＩＴＯ膜の表面抵抗は三菱化学製のLｏｒ
ｅｓｔａ ＭＰ ＭＣＰ−Ｔ３５０を用いて測定した。
ＩＴＯ膜の膜厚は、ガラス上へ成膜した当該膜の段差を
Ｓｌｏａｎ社製のＤｅｋｔａｋを用いて測定し、スパッ
タレートを求めこれから逆算した。
【００３７】［実施例１］到達真空度を１．０Ｅ-7Ｔｏ
ｒｒ以下とした後、成膜ガスとしてＡｒ及び分圧で1.6
×１０-5Ｔｏｒｒの酸素を導入し雰囲気を３×１０-3Ｔ
ｏｒｒとした。そして、４インチのＩｎ−Ｓｎ−Ｏから
なる焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ2の電力密度でＤＣマ
グネトロンスパッタリング法により、基板温度２０℃の
ポリカーボネイト基板上へ、７．５ｗｔ％ＳｎＯ２添加
のＩｎ2Ｏ3を１３００Å成膜した。
【００３８】当該膜の、（４４０）面反射強度と（２２
２）面反射強度をＸ線回折にて測定しＸ線回折強度比を
求めた。さらに、当該膜を１３０℃に設定した恒温槽に
１時間投入した後、Ｘ線回折装置により（４４０）面反
射強度と（２２２）面反射強度より強度比を求めた。ま
た、四端子抵抗計にて表面抵抗を測定し、比抵抗に換算
した。これらの結果を表１に示す。
【００３９】［実施例２］到達真空度を１．０×１０-7
Ｔｏｒｒ以下とした後、成膜ガスとしてＡｒ及び分圧で
2.0×１０-5Ｔｏｒｒの酸素を導入し雰囲気を３×１０
-3Ｔｏｒｒとした。そして、４インチのＩｎ−Ｓｎ−Ｏ
からなる焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ2の電力密度でＤ
Ｃマグネトロンスパッタリング法により、基板温度２０
℃のポリカーボネイト基板上へ、１０ｗｔ％ＳｎＯ2添
加のＩｎ2Ｏ3を１３００Å成膜した。
【００４０】当該膜の、（４４０）面反射強度と（２２
２）面反射強度をＸ線回折にて測定しＸ線回折強度比を
求めた。さらに、当該膜を１３０℃に設定した恒温槽に
１時間投入した後、Ｘ線回折装置により（４４０）面反
射強度と（２２２）面反射強度より強度比を求めた。ま
た、四端子抵抗計にて表面抵抗を測定し、比抵抗に換算
した。これらの結果を表１に示す。
【００４１】［実施例３］到達真空度を１．０×１０-7
Ｔｏｒｒ以下とした後、成膜ガスとしてＡｒ及び分圧で
２．６×１０-5Ｔｏｒｒの酸素を導入し雰囲気を３×１
０-3Ｔｏｒｒとした。そして、４インチのＩｎ−Ｓｎ−
Ｏからなる焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ2の電力密度で
ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、基板温度２
０℃のポリカーボネイト基板上へ、１２．５ｗｔ％Ｓｎ
Ｏ2添加のＩｎ2Ｏ3を１３００Å成膜した。
【００４２】当該膜の、（４４０）面反射強度と（２２
２）面反射強度をＸ線回折にて測定しＸ線回折強度比を
求めた。さらに、当該膜を１３０℃に設定した恒温槽に
１時間投入した後、Ｘ線回折装置により（４４０）面反
射強度と（２２２）面反射強度より強度比を求めた。ま
た、四端子抵抗計にて表面抵抗を測定し、比抵抗に換算
した。これらの結果を表１に示す。
【００４３】［実施例４］到達真空度を１．０×１０-7
Ｔｏｒｒ以下とした後、成膜ガスとしてＡｒ及び分圧で
2.0×１０-5Ｔｏｒｒの酸素を導入し雰囲気を３×１０
-3Ｔｏｒｒとした。そして、４インチのＩｎ−Ｓｎ−Ｏ
からなる焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ2の電力密度でＤ
Ｃマグネトロンスパッタリング法により、一層からなる
有機層を下地層として有する、２０℃に保持したポリカ
ーボネイト基板上へ、１０ｗｔ％ＳｎＯ2添加のＩｎ2Ｏ
3を１３００Å成膜した。
【００４４】当該膜の、（４４０）面反射強度と（２２
２）面反射強度をＸ線回折にて測定しＸ線回折強度比を
求めた。さらに、当該膜を１３０℃に設定した恒温槽に
１時間投入した後、Ｘ線回折装置により（４４０）面反
射強度と（２２２）面反射強度より強度比を求めた。ま
た、四端子抵抗計にて表面抵抗を測定し、比抵抗に換算
した。これらの結果を表１に示す。
【００４５】［比較例１］到達真空度を１．０×１０-7
Ｔｏｒｒ以下とした後、成膜ガスとしてＡｒ及び１．１
×１０-5Ｔｏｒｒの酸素を所望の流量だけ投入し雰囲気
を３×１０-3Ｔｏｒｒとした。そして、４インチのＩｎ
−Ｓｎ−Ｏからなる焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ2の電
力密度でＤＣマグネトロンスパッタリング法により、基
板温度２０℃のポリカーボネイト基板上へ、５ｗｔ％Ｓ
ｎＯ2添加のＩｎ2Ｏ3を１３００Å成膜した。
【００４６】当該膜の、（４４０）面反射強度と（２２
２）面反射強度をＸ線回折にて測定しＸ線回折強度比を
求めた。さらに、当該膜を１３０℃に設定した恒温槽に
１時間投入した後、Ｘ線回折装置により（４４０）面反
射強度と（２２２）面反射強度より強度比を求めた。ま
た、四端子抵抗計にて表面抵抗を測定し、比抵抗に換算
した。これらの結果を表１に示す。
【００４７】［比較例２］到達真空度を１．０×１０-7
Ｔｏｒｒ以下とした後、成膜ガスとしてＡｒ及び１．２
×１０-4Ｔｏｒｒの酸素を導入し雰囲気を３×１０-3Ｔ
ｏｒｒとした。そして、４インチのＩｎ−Ｓｎ−Ｏから
なる焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ2の電力密度でＤＣマ
グネトロンスパッタリング法により、基板温度２０℃の
ポリカーボネイト基板上へ、７．５ｗｔ％ＳｎＯ2添加
のＩｎ2Ｏ3を１３００Å成膜した。
【００４８】当該膜の、（４４０）面反射強度と（２２
２）面反射強度をＸ線回折にて測定しＸ線回折強度比を
求めた。さらに、当該膜を１３０℃に設定した恒温槽に
１時間投入した後、Ｘ線回折装置により（４４０）面反
射強度と（２２２）面反射強度より強度比を求めた。ま
た、四端子抵抗計にて表面抵抗を測定し、比抵抗に換算
した。これらの結果を表１に示す。
【００４９】［比較例３］到達真空度を１．０×１０-7
Ｔｏｒｒ以下とした後、成膜ガスとしてＡｒ及び1.2×
１０-4Ｔｏｒｒの酸素を導入し雰囲気を３×１０-3Ｔｏ
ｒｒとした。そして、４インチのＩｎ−Ｓｎ−Ｏからな
る焼結ターゲットに１Ｗ／ｃｍ2の電力密度でＤＣマグ
ネトロンスパッタリング法により、基板温度２０℃のポ
リカーボネイト基板上へ、１０ｗｔ％ＳｎＯ2添加のＩ
ｎ2Ｏ3を１３００Å成膜した。
【００５０】当該膜の、（４４０）面反射強度と（２２
２）面反射強度をＸ線回折にて測定しＸ線回折強度比を
求めた。さらに、当該膜を１３０℃に設定した恒温槽に
１時間投入した後、Ｘ線回折装置により（４４０）面反
射強度と（２２２）面反射強度より強度比を求めた。ま
た、四端子抵抗計にて表面抵抗を測定し、比抵抗に換算
した。これらの結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】
【００５２】このように、（４４０）面反射強度と（２
２２）面反射強度の比率を特定の範囲とすることによっ
て、特にＳｎＯ2濃度が高いときに著しく比抵抗が低減
された透明導電積層体が得られることが明らかになっ
た。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による透明
導電積層体は、高分子透明基板上に低温プロセスにて形
成した膜であるが、他に類を見ないような低比抵抗の透
明導電積層体を与えるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F100 AA33B AK01A AK45 BA02 EH66B EH662 EJ423 GB41 JA11B JG01B JG04 JN01B 4K029 AA11 AA25 BA50 BB07 BC09 EA08 GA01 5G307 FA02 FB01 FC10

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高分子フィルム上に、結晶質部を有する
    Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系透明導電膜が形成されてなる透明導電
    積層体において、該結晶質部の（２２２）面からのＸ線
    回折強度に対する（４４０）面からのＸ線回折強度の比
    が０．３〜１．２の範囲であることを特徴とする透明導
    電積層体。
  2. 【請求項２】 透明導電膜の結晶質部は（２２２）面ま
    たは（４４０）面からのＸ線回折強度がもっとも強いこ
    とを特徴とする請求項1記載の透明導電積層体。
  3. 【請求項３】 高分子フィルム上に、スパッタリングに
    より室温乃至２００℃以下の温度で成膜することによ
    り、結晶質部を有し、該結晶部の（２２２）面からのＸ
    線回折強度に対する（４４０）面からのＸ線回折強度の
    比が０．３〜１．２の範囲であるＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系透明
    導電膜が形成されてなる透明導電積層体を、８０〜１５
    ０℃で熱処理することを特徴とする透明導電積層体の製
    造方法。
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