Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

WO2005020643A1 - 有機デバイス用電極およびそれを有する電子機器 - Google Patents

有機デバイス用電極およびそれを有する電子機器 Download PDF

Info

Publication number
WO2005020643A1
WO2005020643A1 PCT/JP2004/012440 JP2004012440W WO2005020643A1 WO 2005020643 A1 WO2005020643 A1 WO 2005020643A1 JP 2004012440 W JP2004012440 W JP 2004012440W WO 2005020643 A1 WO2005020643 A1 WO 2005020643A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
organic
electrode
layer
organic compound
metal
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/012440
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tetsuo Tsutsui
Daisuke Kumaki
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Priority to JP2005513386A priority Critical patent/JP4666633B2/ja
Priority to CN2004800243154A priority patent/CN1843062B/zh
Publication of WO2005020643A1 publication Critical patent/WO2005020643A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes

Definitions

  • the present invention relates to an electrode for an organic device used for an organic device such as an EL device or FET utilizing the properties of an organic compound, and an electronic apparatus having the electrode for an organic device.
  • EL elements are widely known as one of the organic devices.
  • an organic compound is used as a light emitting layer, and a current is caused to flow through the light emitting layer by applying a voltage from a pair of electrodes provided so as to sandwich the light emitting layer, and a photon corresponding to the current density is emitted.
  • the light source is used.
  • a voltage to the light emitting layer in an EL element work is required to lower the electron injection barrier for organic compounds that are basically considered to be insulators and to increase the adhesion to the light emitting layer surface.
  • An alloy of Mg (magnesium) and Ag (silver) with a small function, or an alloy of L ⁇ ⁇ (lithium) and AI (aluminum) was used as the metal electrode on the cathode side.
  • MPE metal-oxide-semiconductor
  • An object of the present invention is to provide an electrode for an organic device that has both a hole injection function and an electron injection function to extend the range of use of an organic device. Disclosure of the invention
  • the electrode for an organic device according to the present invention is a single electrode for an organic device provided in contact with an organic layer (a layer containing an organic compound) of an organic device which is a functional element utilizing the properties of an organic compound.
  • the second invention is directed to a first organic layer (a first organic layer containing an organic compound) and a second organic layer (an organic compound) in an organic device which is a functional element utilizing the properties of an organic compound.
  • the second region including a second region containing a single organic compound and a metal having a work function of 4.2 [eV] or less.
  • an organic compound having a 7 ⁇ conjugated system may be used, or an organic compound having a bipolar property may be used.
  • Compounds may be used.
  • a third invention provides an organic device electrode provided between a first organic layer and a second organic layer in an organic device which is a functional element utilizing the properties of an organic compound.
  • An electron injection electrode layer in which a metal having a work function of 4.2 eV or less is mixed with one organic compound; and a second organic compound different from the first organic compound has a work function of 4.2 Ce V], wherein the electron injection electrode layer and the hole injection electrode layer are in contact with the first organic layer and the second organic layer, respectively.
  • JP2004 / 012440 JP2004 / 012440
  • the first organic compound of the electron injection electrode layer may be an organic compound having a high electron transporting property
  • the second organic compound of the hole injection electrode layer may be an organic compound. May be an organic compound having a high hole-transport property.
  • the electrode for an organic device according to the above invention can be mounted on an electronic device.
  • Electronic devices include mobile phones, personal computers, monitors, video cameras, digital cameras, goggle-type displays, navigation systems, audio components, car audio, game machines, mopile computers, portable game machines, electronic books, and recording devices.
  • An image reproducing device provided with a medium is exemplified.
  • the electrode for an organic device configured as described above, at least a portion having a work function of 4.2 [eV] or less and a work function of 4.2 or less [eV] at least at a portion in contact with the organic layer of the organic deposition. Since an electrode material in which a metal larger than 2 [eV] is mixed with a single organic compound is used, the work function is less than 4.2 [eV] depending on the polarity of the voltage applied to the organic layer. An electron injection function derived from a metal or a hole injection function derived from a metal having a work function larger than 4.2 [eV] is exhibited.
  • anode and cathode electrodes of an organic device can be used as both anode and cathode electrodes of an organic device, and has an electron injection function for one organic layer such as an internal electrode of an MPE element, and a hole injection function for the other organic layer. It can also be used for organic devices required for each. Further, since a single organic compound is used for the electrode material, the adhesion to the organic layer of the organic device is also improved.
  • the electrode for an organic device according to the second invention is specialized for an internal electrode provided between the first organic layer and the second organic layer.
  • the first region in which a single organic compound is mixed with a metal having a work function of 4.2 CeV or less enables electrons to be injected into the first organic layer, and the work function of the single organic compound is reduced.
  • the second region where a metal larger than 4.2 [eV] is mixed holes can be injected into the second organic layer. It can be used as an internal electrode capable of passing a current to the organic layer.
  • the electrode for an organic device if a 7: conjugated organic compound is used as the single organic compound, the transfer of charges with the mixed metal is likely to occur.
  • the carrier injection property of the organic device electrode is improved. If a single organic compound having a bipolar property is used, the movement of carriers of both holes and electrons within the organic device electrode is advantageous, which can contribute to improvement of characteristics such as device driving voltage.
  • the organic device electrode according to the third invention is specialized for an internal electrode provided between the first organic layer and the second organic layer. That is, an electron injection electrode layer obtained by mixing a metal having a work function of 4.2 [eV] or less with the first organic compound enables electrons to be injected into the first organic layer. By using a hole injection electrode layer in which a different second organic compound is mixed with a metal having a work function larger than 4.2 [eV], holes can be injected into the second organic layer. Moreover, it can be used as an internal electrode that allows current to flow from the first organic layer to the second organic layer.
  • the first organic compound of the electron injection electrode layer may be an organic compound having a high electron transporting property
  • the second organic compound of the hole injection electrode layer may be an organic compound.
  • a versatile electronic device can be provided by mounting the organic device electrode according to the first to third inventions having the above-described features.
  • FIG. 1 (a) is a schematic sectional view showing one example of the first embodiment of the electrode for an organic device of the present invention.
  • FIG. 1 (b) is a schematic sectional view showing another example of the first embodiment of the electrode for an organic device of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing one example of the second embodiment of the electrode for organic deposition of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic sectional view showing one example of the third embodiment of the electrode for an organic device of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an MPE element using the electrode for an organic device according to the present invention.
  • FIG. 5 is a characteristic diagram of an MPE element to which the electrode for organic deposition according to the third embodiment is applied.
  • FIG. 6 (a) is a schematic configuration diagram showing an embodiment of an organic field-effect transistor using the electrode for an organic device according to the present invention.
  • FIG. 6 (b) is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the organic field-effect transistor using the electrode for an organic device according to the present invention.
  • FIG. 7 (a) is a schematic diagram showing one embodiment of a display device equipped with an electrode for an organic device according to the present invention.
  • FIG. 7 (b) is a schematic diagram showing an embodiment of a notebook personal computer equipped with an electrode for an organic device according to the present invention.
  • FIG. 7 (c) is a schematic diagram showing an example of a mopile computer equipped with the electrode for an organic device according to the present invention.
  • FIG. 7 (d) is a schematic view showing an embodiment of a portable image reproducing apparatus equipped with the electrode for an organic device according to the present invention.
  • FIG. 7 ( ⁇ ) is a schematic view showing one embodiment of a goggle type display equipped with an electrode for an organic device according to the present invention.
  • FIG. 7 (f) is a schematic view showing one embodiment of a video camera equipped with the electrode for an organic device according to the present invention.
  • FIG. 7 (g) is a schematic diagram showing one embodiment of a mobile phone equipped with the electrode for an organic device according to the present invention.
  • FIG. 1 shows an electrode for an organic device according to the first embodiment.
  • the electrode structure in FIG. 1A has a carrier injection electrode layer 110 on an organic layer 100 of the organic device.
  • a metal electrode 101 is formed through the substrate.
  • the carrier injection electrode layer 110 is formed by adding a single organic compound 111 to a metal for electron injection 112 (having a work function of 4.2). 0
  • the carrier injection electrode layer 110 since the carrier injection electrode layer 110 is used for bonding to the organic layer 100, the metal for the electron injection depends on the polarity of the voltage application to the organic layer 100.
  • the electron injecting function of 112 or the hole injecting function of metal for hole injection 113 is exhibited, and it can be used as both anode and cathode electrodes of organic devices.
  • the carrier injection electrode layer 110 has an advantage that the adhesion to the organic layer 100 is good and the adhesion to the metal electrode 101 is easily ensured. Note that the carrier injection electrode layer 110 alone may function as an electrode for an organic device without using an electrode structure in which the metal electrode 101 is separately provided on the carrier injection electrode layer 110.
  • the electrode structure shown in FIG. 1B has a carrier injection electrode layer 110 provided between the first organic layer 100a and the second organic layer 100.
  • the carrier injection electrode layer 110 functions as an internal electrode.
  • the carrier injection electrode layer 110 moves from the first organic layer 100b to the second organic layer 100b side. Electrons are supplied to one organic layer 100a, and conversely, holes are supplied from the carrier injection electrode layer 110 to the second organic layer 100b.
  • the electrode for an organic device composed of the carrier injection electrode layer 110 has an electron injection function for one organic layer (first organic layer) and an electron injection function for the other organic layer (second organic layer). Since it can exhibit the hole injection function, it can be used as the internal electrode of MPE elements and organic field-effect transistors, and can be expected to be widely applied to various organic devices and chips to be developed in the future. .
  • Metals having a work function of 4.2 [eV] or less used as the electron injection metal 112 in the carrier injection electrode layer 110 include alkali metals such as lithium and cesium, magnesium, calcium, and barium. Rare earth metals such as alkaline earth metals, erbium and ytterbium, or alloys containing these metals (aluminum Alloys, indium alloys, etc.).
  • alkali metals such as lithium and cesium, magnesium, calcium, and barium.
  • Rare earth metals such as alkaline earth metals, erbium and ytterbium, or alloys containing these metals (aluminum Alloys, indium alloys, etc.).
  • a metal having a work function higher than 4.2 [eV] used as the hole injection metal 113 in the carrier injection electrode layer 110 many transition metals other than rare earth metals, and Can be applied, and gold, silver, copper, zinc, iron, cobalt, nickel and the like are preferable.
  • the organic compound 111 in the carrier injection electrode layer 110 has a ⁇ -conjugated system because it must have a hole or electron transporting property and can transfer charges to and from a metal. Is desirable.
  • the organic compound having a 7 ⁇ conjugated system include 4,4′-bis [ ⁇ — (3-methylphenyl) -1-phenyl-2-amino] biphenyl (abbreviation: TPD) and 4,4′-bis [ ⁇ — (1-naphthyl) 1-phenyl-2-amino] biphenyl (abbreviation: Hiichi NPD), 4, 4 ', 4 "tris (4, ⁇ -diphenylamino) triphenylamine (abbreviation: TDATA), 4, 4 ', 4 "tris [ ⁇ — (3-methylphenyl) monophenylamino] triphenylamine (abbreviation: MT DATA), 2, 5-bis (1-1 naphthyl) — 1, 3, 4 2-oxadiazole (abbreviation
  • Nant mouth phosphorus abbreviation: BP hen
  • bathocuproin abbreviation: BCP
  • 2, 2 ', 2 "-(1,3,5 benzenetrilyl) Benzimidazole] abbreviation: TPB I
  • tris (8-quinolinolato) aluminum abbreviation: AI q 3
  • bis (10-hydroxy-1-benzo [h] quinolinato) beryllium Abbreviation: B e B q 2
  • Bis (2-methyl-8-quinolinolato) -141-phenylphenolate-aluminum abbreviation: BAIq
  • bis [2- (2-hydroxyphenyl) -benzobenzoxolato] zinc abbreviation: Zn) (BOX) 2 ), 4, 4'-bis (N-carbazolyl) biphenyl (abbreviation: CBP), 9,10-bis (2-naphthyl) anthracene (abbreviation:
  • the method for forming the electrode for an organic device according to the first embodiment, in particular, the carrier injection electrode layer 110 is not particularly limited, and various known methods can be applied.
  • an organic compound to be an organic compound 111, a metal to be an electron injection metal 112, and a metal to be a hole injection metal 111 are respectively. These boats are charged into another boat in the same champer, and each boat is heated under vacuum to deposit them on the surface on which the carrier injection electrode layer is formed.
  • the carrier injection electrode layer 110 can be formed by mixing all of the following metals (eV) and metals with a work function greater than 4.2 [eV].
  • the ratio between the organic compound and the metal is preferably at least 10 and no more than 50/1.
  • the ratio of the metal and the organic compound (molar ratio) is preferably not more than 50.
  • the molar ratio is preferably 110 or more and 10 Z1 or less.
  • the electrode structure of the electrode for an organic device according to the second embodiment is such that an electrode layer 120 is provided between a first organic layer 100a and a second organic layer 100b.
  • the electrode layer 120 is formed of a single organic compound 1221 and an electron injection metal 122 (a metal having a work function of 4.2 eV or less) on the side in contact with the first organic layer 100a. )
  • an electron injection metal 122 a metal having a work function of 4.2 eV or less
  • Mixed hole injection The region 120b is formed.
  • the electrode for an organic device when a voltage is applied from the first organic layer 100a side to the second organic layer 100b side, the electron injection region 12 of the electrode layer 12 Electrons are supplied from 0 a (first region) to the first organic layer 100 a, and conversely, from the hole injection region 120 b (second region) of the electrode layer 120. Since holes are supplied to the second organic layer 100b, a current flows from the first organic layer 100a to the second organic layer 100b.
  • the electrode for an organic device composed of the electrode layer 120 can exhibit an electron injection function for one organic layer and an electron injection function for the other organic layer. It can also be used as the internal electrode of organic field effect transistors, and is expected to be widely applied to various organic devices to be developed in the future.
  • the method of forming the electrode layer 120 as the electrode for an organic device according to the second embodiment is not particularly limited, and various known methods can be applied.
  • an organic compound that becomes organic compound 121, a metal that becomes electron injection metal 122 (a metal having a work function of 4.2 [eV] or less) is charged into separate boats in the same chamber, and is first placed under vacuum.
  • An organic compound and a metal having a work function of 4.2 [eV] or less are co-evaporated to form a layer serving as an electron injection region 120a.
  • the organic compound 121 in the electrode layer 120 the same compound as the organic compound 111 in the above-described first embodiment can be applied, and the electron injection region 120a of the electrode layer 120 can be used.
  • the electron injection metal 122 in the first embodiment the same metal as the electron injection metal 112 in the first embodiment described above can be applied, and the positive electrode in the hole injection region 120b of the electrode layer 120 can be used.
  • the hole injection metal 123 the hole injection metal 113 in the first embodiment described above can be applied.
  • the ratio of the organic compound to the metal in the electron injection region and the hole injection region is defined as metal / organic compound (molar ratio) force ⁇ 1 It is preferably 0 or more and 50 Z 1 or less.
  • the electrode structure of the electrode for an organic device according to the third embodiment is such that a laminated electrode 130 is provided between a first organic layer 100a and a second organic layer 1O Ob.
  • This laminated electrode 130 is composed of an electron injection electrode layer 13 in which an electron transporting organic compound 1331a is mixed with an electron injection metal 132 (a metal having a work function of 4.2 CeV or less).
  • an electron injection metal 132 a metal having a work function of 4.2 CeV or less.
  • the electron injection electrode layer 1 Electrons are supplied from 30a to the first organic layer 100a, and conversely, from the hole injection electrode layer 130b of the laminated electrode 130 to the second organic layer 100b. Since holes are supplied, an electric current apparently flows from the first organic layer 100a to the second organic layer 100b. That is, the laminated electrode 130 used as an electrode for an organic device has an electron injection function for one organic layer (first organic layer) and a function for the other organic layer (second organic layer). Since it can exhibit a hole injection function, it can be used as an internal electrode of an MPE element or an organic field effect transistor, and is expected to be widely applied to various organic devices to be developed in the future.
  • an organic compound having a high electron-transport property is used as the electron-transport organic compound 130a (first organic compound) of the electron-injection electrode layer 130a
  • the organic compound having a high hole-transport property can be used as the hole-transporting organic compound 13 1 b (second organic compound) of the hole-injection electrode layer 13 Ob
  • the first and second organic compounds described above can be used.
  • the second embodiment there is also an advantage that it is not necessary to use a bipolar organic compound in order to flow both electrons injected from the electron injection metal and holes injected from the hole injection metal.
  • the method for forming the laminated electrode 130 which is the electrode for an organic device according to the third embodiment is not particularly limited, and various known methods can be applied.
  • 2 yuan In the case of using a formation method in which vapor deposition is performed twice, the organic compound A becomes the organic compound for electron transport 1 31 a, the organic compound B becomes the organic compound for hole transport 1 31 b, and the metal 122 becomes the electron injecting metal
  • the metal the metal whose work function is less than 4.2 [eV]
  • the metal that becomes the hole injection metal 123 (the metal whose work function is larger than 4.2 [ ⁇ V]) are the same.
  • the organic compound ⁇ and a metal with a work function of 4.2 eV or less are first co-evaporated under vacuum to obtain an electron injection electrode layer 1.
  • 30a is formed, and then the organic compound B and a metal having a work function larger than 4.2 [eV] are co-evaporated to form the hole injection electrode layer 13 Ob.
  • the laminated electrode 130 can be formed.
  • Organic compounds having a high electron-transporting property as the electron-transporting organic compound 1331a in the electron-injection electrode layer 130a include BND, PBD, OXD-7, TAZ, BPhen, BCP, and TPBI. , A lq 3, B e B q 2, BA I q, etc. Z n (BOX) 2 and the like, preferably positive as a hole transport organic compounds 1 3 1 b of the hole-injection electrode layer 1 3 O b
  • Examples of the organic substance having a high hole transporting property include TPD, Hichi NPD, TDATA, MTDATA, PVT, and PVK.
  • the electron injection metal 132 in the electron injection electrode layer 130a of the multilayer electrode 130 the same metal as the electron injection metal 112 in the first embodiment described above can be applied.
  • the hole injection metal 133 in the 30 hole injection electrode layers 130b the hole injection metal 113 in the first embodiment described above can be applied.
  • Fig. 4 shows the device structure.
  • FIG. 4 shows a known organic EL element (MPE element) in which an electrode for an organic device having both an electron injection function and a hole injection function (applicable to any of the above-described first to third embodiments) is introduced as an internal electrode.
  • 201 is an anode
  • 202 is a cathode
  • 203a is a first electroluminescent layer
  • 203b is a second electroluminescent layer
  • 204 is a charge generation layer.
  • the first electroluminescent layer 203a and the second electroluminescent layer 203b are layers containing an organic compound capable of electroluminescence or emitting light by carrier injection.
  • the charge generation layer 204 is not connected to an external circuit, and is a floating internal electrode.
  • both the first electroluminescent layer 203 a and the second electroluminescent layer 203 b can emit photons corresponding to the current I. Therefore, the electroluminescent layer
  • the electroluminescent layer compared with a single-layer organic EL device, there is an advantage that the same current can emit twice as much light.
  • the two electroluminescent layers are stacked with the charge generation layer.
  • more electroluminescent layers are stacked (the charge generation layer is inserted between each electroluminescent layer).
  • the current efficiency can be improved many times, and in theory, with the improvement of the current efficiency, a large improvement in the device life can be expected.
  • a high voltage is required to allow the same current I to flow.
  • any of the electrode structures of the first to third embodiments can be applied.
  • the organic EL element to which the electrode for an organic device according to the third embodiment is applied is described.
  • the created example will be described. That is, in FIG. 4, the first electroluminescent layer 203 a side is the electron injection electrode layer 204 a, and the second electroluminescent layer 203 b side is the hole injection electrode layer 204 b
  • the charge generation layer 204 is formed such that
  • a glass substrate on which ITO was used as an anode 201 was washed by boiling with ethanol, and the surface of the substrate was further washed with an ozone plasma washing machine. After the cleaned substrate and the material to be deposited are set in a vacuum deposition apparatus, the inside of the chamber — Reduced pressure to about 4 Pa.
  • TPD was deposited at a rate of about 0.2 to 0.4 nmZs to form a 70 nm film. Then depositing the A lq 3 at a rate of about 0. 2 ⁇ 0. 4 nm / s, and 60 nm deposited.
  • the above is the first electroluminescent layer 203a.
  • the ratio of Au to TPD was 1: 1 by weight (about 2.6: 1 by mole). ing.
  • This co-deposition layer was formed to a thickness of 10 nm.
  • the above-described co-deposited layer having a total of 20 nm is the electrode for an organic device of the present invention, and functions as the charge generation layer 204.
  • the horizontal axis is the current density [V]
  • the vertical axis is the external quantum efficiency [%: the number of photons taken out and the number of injected carriers].
  • the external quantum efficiency during light emission was about 1.2 to 1.60.
  • the driving voltage is higher than that of the device of Comparative Example “!”, But the external quantum efficiency is much higher than that of the device of Comparative Example 1, and the multiphoton Therefore, it was clarified that the electrode for an organic device of the present invention functions as a charge generation layer and can inject both carriers of holes and electrons.
  • the element structure is I TOZT PD (70 nm) ZA I q 3 (60 nm) / U g: AI qa (10 nm) / TPD (70 nm) / AI q 3 (60 nm) / M g : AI q 3 (10 nm) / AI (80 nm).
  • the work function is 4. applying only a layer of a mixture of 2 [theta V] following metals (co-deposited layer of Mg and AI q 3) in organic compounds become.
  • Comparative Example 2 The characteristics of Comparative Example 2 are also shown in FIG.
  • the driving voltage is higher than that of the device of Comparative Example 1, but the external quantum efficiency is not improved and the device does not operate as a multi-photon emission device. Therefore, as in Comparative Example 2, mixing only a metal having a small work function did not provide an electrode for injecting both holes and electrons.
  • FIG. 6 (a) shows an organic field-effect transistor in which a charge generation layer is introduced as an internal electrode.
  • the electron transport layer 305a and the hole transport layer 305b are collectively referred to as an organic semiconductor layer.
  • V sd 1 (> 0) is applied between the first source electrode 304a and the first drain electrode 304b, and the second V sd 2 ( ⁇ 0) is applied between the source electrode 307b and the second drain electrode 307a. Then, the electrons in the electron storage channel layer near the first gate insulating film 303 and the holes in the hole storage channel layer near the second gate insulating film 308 are connected to the respective source-drain circuits. Apply current.
  • the organic field-effect transistor obtained in this manner is considered to have practicality in which a large amount of current can be controlled at high speed, but the charge generation layer 306 generates holes upward in FIG. It must have a function to inject electrons downward.
  • the electrode for an organic device according to the first embodiment can be used as it is as the charge generation layer 306 irrespective of the polarity, and the electrode for an organic device according to the second embodiment has an electron transport layer
  • the electron injection region can be used as the charge generation layer 306 by arranging the hole injection region on the hole transport layer 305 b side, and the electrode for an organic device according to the third embodiment has an electron injection region.
  • the electrode for an organic device according to the present invention can be mounted on an electronic device.
  • Electronic devices include mobile phones, personal computers, monitors, video cameras, digital cameras, goggle-type displays, navigation systems, audio components, car audio, game devices, mobile computers, portable game machines, electronic books, An image reproducing device provided with a recording medium is exemplified. Specific examples of these electronic devices are shown in Figs. 7 (a) to ( g ).
  • FIG. 7 (a) shows an embodiment of the display device, which includes a housing 1001, a support 1002, a display section 1003, a speaker part 1004, a video input terminal 1005, and the like.
  • the organic device electrode of the present invention is mounted on the display unit 1003 or the like.
  • Display devices equipped with electrodes for organic devices include devices for displaying information such as for computers, for receiving TV broadcasts, and for displaying advertisements.
  • FIG. 7 (b) shows an embodiment of a notebook personal computer, which includes a main body 1201, a housing 1202, a display section 1203, a keyboard 1204, an external connection port 1205, a pointing mouse 1206, and the like. .
  • the electrode for an organic device of the present invention is described in the display section 1203 and the like.
  • FIG. 7 (c) shows an embodiment of the mopile computer, which includes a main body 1301, a display section 1302, a switch 1303, operation keys 1304, an infrared port 1305, and the like.
  • the electrode for an organic device of the present invention is mounted on the display portion 1302 and the like.
  • FIG. 7 (d) shows an embodiment of a portable image reproducing apparatus (specifically, a DVD reproducing apparatus) provided with a recording medium, and includes a main body 1401, a housing 1402, a display section 1403, and a table.
  • the display portion 1403 mainly displays image information
  • the display portion 1404 mainly displays character information.
  • the electrodes for an organic device of the present invention are mounted on these display portions 1403, 1404, and the like.
  • the image reproducing device provided with the recording medium includes a home game machine and the like.
  • FIG. 7 (e) shows an embodiment of the goggle type display, which includes a main body 1501, a display section 1502, and an arm section 1503.
  • the electrode for an organic device of the present invention, It is mounted on the display unit 1502 and so on.
  • FIG. 7 (f) shows an embodiment of the video camera, including a main body 1601, a display section 1602, a housing 1603, an external connection port 1604, a remote control receiving section 1605, an image receiving section 1606, and a battery 1 607, a voice input section 1608, an operation key 1609, an eyepiece section 1610, and the like.
  • the electrode for an organic device of the present invention is mounted on a display portion 1602 or the like.
  • FIG. 7 (g) shows an embodiment of a mobile phone, including a main body 1701, a housing 1702, a display section 1703, a voice input section 1704, a voice output section 1705, and operation keys 1706. , External connection port 1 707, antenna 1 708 and the like. It is manufactured by using the electrode for organic device of the present invention for the display portion 103 and the like. Note that the display portion 1703 can reduce power consumption of the mobile phone by displaying white characters on a black background.
  • the applicable range of the electrode for an organic device of the present invention is extremely wide, and the versatility can be expanded by applying the electrode for an organic device to electronic devices in all fields.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

単一の有機化合物(111)に、電子注入用金属(112)(仕事関数が4.2[eV]以下の金属)と正孔注入用金属(113)(仕事関数が4.2[eV]よりも大なる金属)を混合したキャリア注入電極層(110)を、有機デバイスの有機層(100)と金属電極(101)との間、もしくは、第一の有機層(100a)と第二の有機層(100b)との間に設けることで、電圧を印加した時の極性に応じて電子注入機能若しくは、正孔注入機能が発揮され、有機デバイスの活用範囲を拡大することができる。

Description

明 細 書 有機デバイス用電極およびそれを有する電子機器 技術分野
本発明は、 有機化合物の性質を利用した E L素子や F E Tなどの有機デバィス に用いる有機デバイス用電極およびその有機デバイス用電極を有する電子機器に 関するものである。 背景技術
有機デバイスの一つとして、 E L素子が広く知られている。 この E L素子は、 有機化合物を発光層とし、 この発光層を挟持するように設けた一対の電極から電 圧を印加することで発光層に電流を流し、 その電流密度に応じたフオトンを放出 させることで光源とするものである。 E L素子における発光層への電圧印加に際 しては、 基本的に絶縁物とみなされる有機化合物に対して電子注入障壁を低下さ せると共に、 発光層表面への密着性を高めるために、 仕事関数の小さい M g (マ グネシゥム） と A g (銀） との合金や、 L ·· (リチウム） と A I (アルミニウム ) との合金を陰極側の金属電極として用いていた。
上記のような M gや L iの合金電極では、 電極の酸化等による素子劣化が起き る上に、 種々の制限もあることから、 金属電極そのものを見直し、 発光層の陽極 側に正孔注入層を設けるように、 陰極側にも電子供与性を有する層を設けるべく 、 陰極電極に接する発光層の表面に仕事関数が 4 . 2 〔e V〕 以下の金属をドー ビングして金属ドーピング層を形成した有機 E L素子が提案されている （例えば 、 特開平 1 0— 2 7 0 1 7 1号公報参照） 。
し力、.し、 上記特許公報に記載された技術では、 金属ドーピング層を設けること によって陰極側から発光層への電子注入障壁を低減できるものの、 金属ドーピン グ層と金属電極との密着性を確保するために材料選定の制限があり、 また、 用い ることが出来る金属の種類も限られていた。
また、 近来は複数の発光層を直列に接続した構造のマルチフォトンエミッショ T JP2004/012440
ン （M P E ) 素子も提案されており、 この M P E素子を実現するには、 隣接する 発光層の間に設ける内部電極が、 一方の発光層へ電子を注入し他方の発光層へ正 孔を注入する機能を併せ持っていなければならず、 上記特許公報に記載された技 術は、 M P E素子用の内部電極には適用できない。
本発明は、 正孔注入機能と電子注入機能とを併せ持つことで、 有機デバイスの 活用範囲を拡張する有機デバィス用電極を提供することを目的としている。 発明の開示
本発明に係る有機デパイス用電極は、 有機化合物の性質を利用した機能素子で ある有機デバイスの有機層 （有機化合物を含む層） に接して設けられた有機デバ イス用電極において、 単一の有機化合物に、 仕事関数が 4 . 2 〔e V〕 以下の金 属と、 仕事関数が 4. 2 C e V] よりも大なる金属を混合した電極材料を、 少な くとも前記有機層との接合面に用いることを特徴とする。
また、 第 2の発明は、 有機化合物の性質を利用した機能素子である有機デバィ スにおける第一の有機層 （有機化合物を含む第 1の有機層） と第二の有機層 （有 機化合物を含む第 2の層） との間に設ける有機デバイス用電極において、 単一の 有機化合物に仕事関数が 4 . 2 〔e V〕 以下の金属を混合した第一の領域と、 前 記単一の有機化合物に仕事関数が 4. 2 C e V ] よりも大なる金属を混合した第 二の領域とを有し、 前記第一の領域と第二の領域が夫々第一の有機層と第二の有 機層に接するようにしたことを特徴とする。
また、 上記第 1の発明又は第 2の発明に係る有機デバイス用電極において、 前 記単一の有機化合物には、 7Γ共役系を有する有機化合物を用いても良いし、 パイ ポーラ性を有する有機化合物を用いても良い。
更に、 第 3の発明は、 有機化合物の性質を利用した機能素子である有機デバィ スにおける第一の有機層と第二の有機層との間に設ける有機デバイス用電極にお し、て、 第一の有機化合物に仕事関数が 4. 2 〔e V〕 以下の金属を混合した電子 注入電極層と、 前記第一の有機化合物とは異なる第二の有機化合物に仕事関数が 4. 2 C e V ] よりも大なる金属を混合した正孔注入電極層とを有し、 前記電子 注入電極層と正孔注入電極層が夫々第一の有機層と第二の有機層に接するように JP2004/012440
したことを特徴とする。
また、 上記第 3の発明に係る有機デバイス用電極において、 前記電子注入電極 層の第一の有機化合物には電子輸送性の高い有機化合物を、 前記正孔注入電極層 の第二の有機化合物には正孔輸送性の高い有機化合物を用いても良い。
さらに、 上記発明に係る有機デバイス用電極は電子機器に搭載することもでき る。 電子機器としては、 携帯電話、 パーソナルコンピュータ、 モニタ、 ビデオ力 メラ、 ディジタルカメラ、 ゴーグル型ディスプレイ、 ナビゲーシヨンシステム、 オーディオコンポ、 カーオーディオ、 ゲーム機器、 モパイルコンピュータ、 携帯 型ゲーム機、 電子書籍、 記録媒体を備えた画像再生装置などが挙げられる。
上記のように構成した第 1の発明に係る有機デバイス用電極は、 少なくとも有 機デパイスの有機層と接する部分に、 仕事関数が 4 . 2 〔e V〕 以下の金属と仕 事関数が 4 . 2 〔e V〕 よりも大なる金属を単一の有機化合物に混合した電極材 料を用いるので、 有機層への電圧印加の極性に応じて、 仕事関数が 4 . 2 [ e V 〕 以下の金属に由来する電子注入機能、 もしくは仕事関数が 4 . 2 〔e V〕 より も大なる金属に由来する正孔注入機能が発揮される。 従って、 有機デバイスの陽 極 ·陰極のどちらの電極としても使えると共に、 M P E素子の内部電極のような 一方の有機層に対して電子注入機能が、 他方の有機層に対して正孔注入機能が各 々必要とされる有機デバイスにも利用できる。 また、 単一の有機化合物を電極材 料に用いるので、 有機デバイスの有機層との密着性も向上する。
また、 第 2の発明に係る有機デバイス用電極は、 第一の有機層と第二の有機層 との間に設ける内部電極に特化したものである。 すなわち、 単一の有機化合物に 仕事関数が 4 . 2 C e V 以下の金属を混合した第一の領域により、 第一の有機 層に電子を注入可能とし、 単一の有機化合物に仕事関数が 4 . 2 〔e V〕 よりも 大なる金属を混合した第二の領域によリ、 第二の有機層に正孔を注入可能とする ことで、 見かけ上、 第一の有機層から第二の有機層へ電流を流すことが可能な内 部電極として用いることが出来る。
また、 上記第 1の発明又は第 2の発明に係る有機デバイス用電極において、 単 一の有機化合物として 7：共役系の有機化合物を用いれば、 混合した金属と電荷の 授受が起こリやすくなリ、 有機デバィス用電極のキヤリァの注入性が向上する。 単一の有機化合物としてパイポーラ性を有する有機化合物を用いれば、 有機デバ イス用電極内部での正孔'電子両方のキャリアの移動が有利になり、 デバイスの 駆動電圧等の特性向上に寄与できる。
また、 第 3の発明に係る有機デバイス用電極は、 第一の有機層と第二の有機層 との間に設ける内部電極に特化したものである。 すなわち、 第一の有機化合物に 仕事関数が 4 . 2 [ e V ] 以下の金属を混合した電子注入電極層により、 第一の 有機層に電子を注入可能とし、 前記第一の有機化合物とは異なる第二の有機化合 物に仕事関数が 4 . 2 [ e V ] よりも大なる金属を混合した正孔注入電極層によ リ、 第二の有機層に正孔を注入可能とすることで、 見かけ上、 第一の有機層から 第二の有機層へ電流を流すことが可能な内部電極として用いることが出来る。 また、 上記第 3の発明に係る有機デバイス用電極において、 前記電子注入電極 層の第一の有機化合物には電子輸送性の高い有機化合物を、 前記正孔注入電極層 の第二の有機化合物には正孔輸送性の高い有機化合物を用いることにより、 電子 注入電極層においては電子が、 正孔注入電極層においては正孔が、 夫々動き易く なり、 デバイスの駆動電圧等の特性向上に寄与できる。
さらに、 上記の特徴を有する第 1 ~第 3の発明に係る有機デバイス用電極を搭 載することにより汎用性のある電子機器を提供することができる。 図面の簡単な説明
第 1図 （a ) は、 本発明の有機デバイス用電極の第 1実施形態の一実施例を示 す概略断面図である。
第 1図 （b ) は、 本発明の有機デバイス用電極の第 1実施形態の他の実施例を 示す概略断面図である。
第 2図は、 本発明の有機デパイス用電極の第 2実施形態の一実施例を示す概略 断面図である。
第 3図は、 本発明の有機デバィス用電極の第 3実施形態の一実施例を示す概略 断面図である。
第 4図は、 本発明に係る有機デバイス用電極を用いた M P E素子の概略構成図 である。 第 5図は、 上記第 3実施形態に係る有機デパイス用電極を適用した M P E素子 の特性図である。
第 6図 （a ) は、 本発明に係る有機デバイス用電極を用いた有機電界効果トラ ンジスタのー実施例を示す概略構成図である。
第 6図 （b ) は、 本発明に係わる有機デバイス用電極を用いた有機電界効果ト ランジスタの他の実施例を示す概略構成図である。
第 7図 （a ) は、 本発明に係わる有機デバイス用電極を搭載した表示装置の一 実施例を示す概略図である。
第 7図 （b ) は、 本発明に係わる有機デバイス用電極を搭載したノート型パー ソナルコンピュータの一実施例を示す概略図である。
第 7図 （c ) は、 本発明に係わる有機デバイス用電極を搭載したモパイルコン ピュータのー実施例を示す概略図である。
第 7図 （d ) は、 本発明に係わる有機デバイス用電極を搭載した携帯型の画像 再生装置の一実施例を示す概略図である。
第 7図 （β ) は、 本発明に係わる有機デバイス用電極を搭載したゴーグル型デ イスプレイの一実施例を示す概略図である。
第 7図 （ f ) は、 本発明に係わる有機デバイス用電極を搭載したビデオカメラ の一実施例を示す概略図である。
第 7図 （g ) は、 本発明に係わる有機デバイス用電極を搭載した携帯電話の一 実施例を示す概略図である。 発明を実施するための最良の形態
次に、 本発明に係る有機デバイス用電極の実施形態を添付図面に基づいて詳細 に説明する。
〔第 1実施形態〕
第 1図に示すのは、 第 1実施形態に係る有機デバイス用電極で、 例えば、 第 1 図 （a ) の電極構造は、 有機デバイスの有機層 1 0 0上にキャリア注入電極層 1 1 0を介して金属電極 1 0 1を形成したものである。 このキャリア注入電極層 1 1 0は、 単一の有機化合物 1 1 1に、 電子注入用金属 1 1 2 (仕事関数が 4 . 2 0
6
〔e V〕 以下の金属） と正孔注入用金属 1 1 3 (仕事関数が 4. 2 〔e V〕 より も大なる金属） を混合した電極材料を層状としたものである。
斯く構成した有機デバイス用電極においては、 有機層 1 0 0との接合にキヤリ ァ注入電極層 1 1 0を用いるので、 有機層 1 0 0への電圧印加の極性に応じて、 電子注入用金属 1 1 2による電子注入機能もしくは正孔注入用金属 1 1 3による 正孔注入機能が発揮され、 有機デバイスの陽極 ·陰極のどちらの電極としても使 える。 また、 キャリア注入電極層 1 1 0は、 有機層 1 0 0との密着性が良く、 金 属電極 1 0 1とも密着性を確保し易いという利点もある。 なお、 キャリア注入電 極層 1 1 0上へ別途に金属電極 1 0 1を設ける電極構造とせずに、 キャリア注入 電極層 1 1 0単体で有機デバイス用電極として機能させても良いが、 比較的高価 な有機化合物を含むキャリア注入電極層 1 1 0を薄くして、 安価な A I等の金属 でコンタク卜用電極 （ここでは、 金属電極 1 0 1 ) を形成した方が経済的である 第 1図 （b ) の電極構造は、 第一の有機層 1 0 0 aと第二の有機層 1 0 0 と の間にキャリア注入電極層 1 1 0を設けたものである。 この例では、 キャリア注 入電極層 1 1 0が内部電極として機能する。 斯く構成した有機デバイス用電極に おいては、 第一の有機層 1 0 0 a側から第二の有機層 1 0 0 b側へ電圧が印加さ れると、 キャリア注入電極層 1 1 0から第一の有機層 1 0 0 aへは電子が供給さ れ、 逆に、 キャリア注入電極層 1 1 0から第二の有機層 1 0 0 bへは正孔が供給 されるので、 第一の有機層 1 0 0 aから第二の有機層 1 0 0 bへ電流が流れるこ ととなる。 すなわち、 キャリア注入電極層 1 1 0により構成した有機デバイス用 電極は、 一方の有機層 （第一の有機層） に対しては電子注入機能を、 他方の有機 層 （第二の有機層） に対しては正孔注入機能を発揮できるので、 M P E素子や有 機電界効果トランジスタの内部電極として利用することもでき、 今後開発される 様々な有機デ /くィスへの広範な応用が期待できる。
上記キャリア注入電極層 1 1 0における電子注入用金属 1 1 2として用いる仕 事関数が 4 . 2 〔e V〕 以下の金属としては、 リチウム、 セシウム等のアルカリ 金属、 マグネシウム、 カルシウム、 バリウム等のアルカリ土類金属、 エルビウム 、 イッテルビウム等の希土類金属、 あるいはこれら金属を含む合金 （アルミニゥ 厶合金、 インジウム合金等） が挙げられる。 一方、 キャリア注入電極層 1 1 0に おける正孔注入用金属 1 1 3として用いる仕事関数が 4. 2 〔eV〕 よりも大な る金属としては、 希土類金属を除く多くの遷移金属、 およびそれらの合金が適用 でき、 金、 銀、 銅、 亜鉛、 鉄、 コバルト、 ニッケル等が好ましい。
また、 キャリア注入電極層 1 1 0における有機化合物 1 1 1としては、 それ自 体が正孔ないしは電子輸送性を有し、 また金属と電荷の授受ができることが必要 なので、 π共役系を有するものが望ましい。 7Γ共役系を有する有機化合物として は、 例えば、 4， 4' 一ビス [Ν— （3—メチルフエニル） 一 Ν—フエ二ルーァ ミノ] ビフエニル （略称： T P D) 、 4, 4' —ビス [Ν— （ 1一ナフチル） 一 Ν—フエ二ルーアミノ] ビフエニル （略称： ひ一 NPD) 、 4, 4' ， 4" ート リス （Ν, Ν—ジフエニルァミノ） トリフエニルァミン （略称： TDATA) 、 4, 4' , 4"一卜リス [Ν— （3—メチルフエニル） 一 Ν—フエ二ルーアミノ ] トリフエニルァミン （略称： MT DATA) 、 2, 5—ビス （1一ナフチル） —1 , 3， 4ーォキサジァゾール （略称： BND) 、 2— （4ービフエ二リル） -5- (4一 t e r t一ブチルフエニル） 一 1， 3, 4—ォキサジァゾール （略 称： PBD) 、 1， 3—ビス [5— （p— t e r t—ブチルフエニル） 一 1， 3 , 4一ォキサジァゾ一ルー 2—ィル] ベンゼン （略称： OXD— 7) 、 3— （4 - t e r t一ブチルフエニル） 一 4一フエ二ルー 5— （4ービフエ二リル） 一 1 ， 2, 4ートリアゾール （略称： TAZ) 、 パソフ：！:ナント口リン （略称： BP h e n) , バソキュプロイン （略称： BCP) 、 2, 2' , 2 " - ( 1 , 3, 5 一ベンゼントリーィル） 一卜リス [1一フエ二ルー 1 H—べンズイミダゾール] (略称： TPB I ) 、 卜リス （8—キノリノラト） アルミニウム （略称： A I q 3) 、 ビス （1 0—ヒドロキシ一べンゾ [h] キノリナト） ベリリウム略称： B e B q2) 、 ビス （2—メチルー 8—キノリノラト） 一 4一フエニルフエノラ卜 —アルミニウム （略称： BA I q) 、 ビス [2— （ 2—ヒドロキシフエニル） 一 ベンゾォキサゾラト] 亜鉛 （略称： Z n (BOX) 2) 、 4, 4' —ビス （N— カルバゾリル） ビフヱニル （略称： CBP) 、 9, 1 0—ビス （2—ナフチル） アントラセン （略称： ）S— DNA) などの低分子有機化合物や、 ポリ （ビニルト リフ Iニルァミン） （略称： PVT) 、 ポリ （N—ビニルカルバゾール） （略称 ： PVK) 、 ポリ （2， 5—ジアルコキシ一 1 , 4一フエ二レンビニレン） （略 称： RO— PPV) 、 ポリ （2， 5—ジアルコキシ一 1 , 4一フエ二レン） （略 称： RO— PP P) 、 ポリ （9, 9ージアルキルフルオレン） （略称： PDA F ) 、 ポリ （3—アルキルチオフェン） （略称： PAT) などの高分子有機化合物 などが挙げられる。 なお、 電子注入用金属 1 1 2から注入される電子と正孔注入 用金属 1 1 3から注入される正孔の両方を流すことを考慮した場合、 有機デバィ スの有機層 1 00がバイポーラ性を有していることが、 一層好ましい。
本第 1実施形態に係る有機デバイス用電極、 特にキャリア注入電極層 1 1 0の 形成手法は特に限定されるものではなく、 公知既存の種々の方法を適用できる。 例えば、 3元蒸着法を用いる場合は、 有機化合物 1 1 1となる有機化合物と、 電 子注入用金属 1 1 2となる金属と、 正孔注入用金属 1 1 3となる金属を、 それぞ れ同一チャンパ一内の別のボートに仕込んでおき、 真空下においてそれぞれのボ 一卜を加熱してキャリア注入電極層形成面へ蒸着することにより、 これら （有機 化合物， 仕事関数が 4. 2 〔eV〕 以下の金属， 仕事関数が 4. 2 〔e V〕 より 大の金属） の全てが混合されたキャリア注入電極層 1 1 0を形成することができ る。 この時、 有機化合物と金属との比率としては、 金属 有機化合物 （モル比） 力 " 1 0以上、 50/1以下が好ましい。 金属の割合が少なすぎる場合は電極 としての機能を失い、 また、 金属の割合が多すぎる場合は有機デバイスの有機層 との密着性に問題が生じるためである。 電子注入用金属 1 1 2と正孔注入用金属 1 1 3との比率に関しては、 電子注入と正孔注入のバランスを保っため、 モル比 で 1 1 0以上、 1 0 Z 1以下が好ましい。
〔第 2実施形態〕
次に、 本発明に係る有機デバイス用電極の第 2実施形態を第 2図に基づき説明 する。 第 2実施形態に係る有機デバイス用電極の電極構造は、 第一の有機層 1 0 0 aと第二の有機層 1 00 bとの間に電極層 1 20を設けたものである。 この電 極層 1 20は、 単一の有機化合物 1 2 1に対し、 第一の有機層 1 00 aと接する 側に電子注入用金属 1 22 (仕事関数が 4. 2 〔eV〕 以下の金属） を混合した 電子注入領域 1 20 aを形成し、 第二の有機層 1 00 bと接する側に正孔注入用 金属 1 23 (仕事関数が 4. 2 [β V] よりも大なる金属） を混合した正孔注入 領域 1 2 0 bを形成したものである。
斯く構成した有機デバイス用電極においては、 第一の有機層 1 0 0 a側から第 二の有機層 1 0 0 b側へ電圧が印加されると、 電極層 1 2 0の電子注入領域 1 2 0 a (第一の領域） から第一の有機層 1 0 0 aへは電子が供給され、 逆に、 電極 層 1 2 0の正孔注入領域 1 2 0 b (第二の領域） から第二の有機層 1 0 0 bへは 正孔が供給されるので、 第一の有機層 1 0 0 aから第二の有機層 1 0 0 bへ電流 が流れることとなる。 すなわち、 電極層 1 2 0により構成した有機デバイス用電 極は、 一方の有機層に対しては電子注入機能を、 他方の有機層に対しては電子注 入機能を発揮できるので、 M P E素子や有機電界効果トランジスタの内部電極と して利用することもでき、 今後開発される様々な有機デバイスへの広範な応用が 期待できる。
第 2実施形態に係る有機デバイス用電極である電極層 1 2 0の形成手法は特に 限定されるものではなく、 公知既存の種々の方法を適用できる。 例えば、 2元蒸 着を 2回行う場合、 有機化合物 1 2 1となる有機化合物と、 電子注入用金属 1 2 2となる金属 （仕事関数が 4 . 2 〔e V〕 以下の金属） と、 正孔注入用金属 1 2 3となる金属 （仕事関数が 4. 2 〔e V〕 よリ大の金属） を、 それぞれ同一チヤ ンバー内の別のボートに仕込んでおき、 真空下において、 最初に有機化合物と仕 事関数が 4 . 2 〔e V〕 以下の金属とを共蒸着することにより、 電子注入領域 1 2 0 aとなる層を形成し、 次に、 有機化合物と仕事関数が 4 . 2 〔e V〕 ょリ大 の金属とを共蒸着することにより、 正孔注入領域 1 2 0 bとなる層を形成する。 これにより、 単一の有機化合物 1 2 1の中に、 機能の異なる領域 （電子注入領域 1 2 0 aおよび正孔注入領域 1 2 0 b ) を選択的に形成できるのである。
なお、 電極層 1 2 0における有機化合物 1 2 1としては、 上述した第 1実施形 態における有機化合物 1 1 1と同様のものが適用でき、 電極層 1 2 0の電子注入 領域 1 2 0 aにおける電子注入用金属 1 2 2としては、 上述した第 1実施形態に おける電子注入用金属 1 1 2と同様のものが適用でき、 電極層 1 2 0の正孔注入 領域 1 2 0 bにおける正孔注入用金属 1 2 3としては、 上述した第 1実施形態に おける正孔注入用金属 1 1 3が適用できる。 また、 電子注入領域と正孔注入領域 における有機化合物と金属との比率としては、 金属 /有機化合物 （モル比） 力《1 0以上、 5 0 Z 1以下が好ましい。
〔第 3実施形態〕
次に、 本発明に係る有機デパイス用電極の第 3実施形態を第 3図に基づき説明 する。 第 3実施形態に係る有機デバイス用電極の電極構造は、 第一の有機層 1 0 0 aと第二の有機層 1 O O bとの間に積層電極 1 3 0を設けたものである。 この 積層電極 1 3 0は、 電子輸送用有機化合物 1 3 1 aに電子注入用金属 1 3 2 (仕 事関数が 4 . 2 C e V ] 以下の金属） を混合した電子注入電極層 1 3 0 aを第一 の有機層 1 0 0 a側に、 正孔輸送用有機化合物 1 3 1 bに正孔注入用金属 1 3 3 (仕事関数が 4 . 2 〔e V〕 よりも大なる金属） を混合した正孔注入電極層 1 3 0 bを第二の有機層 1 0 0 b側に、 各々積層したものである。
斯く構成した有機デバイス用電極においては、 第一の有機層 1 0 0 a側から第 二の有機層 1 0 0 b側へ電圧が印加されると、 積層電極 1 3 0の電子注入電極層 1 3 0 aから第一の有機層 1 0 0 aへは電子が供給され、 逆に、 積層電極 1 3 0 の正孔注入電極層 1 3 0 bから第二の有機層 1 0 0 bへは正孔が供給されるので 、 見かけ上、 第一の有機層 1 0 0 aから第二の有機層 1 0 0 bへ電流が流れるこ ととなる。 すなわち、 有機デバイス用電極として用いる積層電極 1 3 0は、 一方 の有機層 （第一の有機層） に対しては電子注入機能を、 他方の有機層 （第二の有 機層） に対しては正孔注入機能を発揮できるので、 M P E素子や有機電界効果ト ランジスタの内部電極として利用することもでき、 今後開発される様々な有機デ パイスへの広範な応用が期待できる。
加えて、 本実施形態に係る有機デバイス用電極では、 電子注入電極層 1 3 0 a の電子輸送用有機化合物 1 3 0 a (第一の有機化合物） として電子輸送性の高い 有機化合物を用い、 正孔注入電極層 1 3 O bの正孔輸送用有機化合物 1 3 1 b ( 第二の有機化合物） として正孔輸送性の高い有機化合物を用いることができるの で、 上述した第 1 , 第 2実施形態の如く、 電子注入用金属から注入される電子と 正孔注入用金属から注入される正孔の両方を流すために、 バイポーラ性を有する 有機化合物を用いる必要がないという利点もある。
第 3実施形態に係る有機デバイス用電極である積層電極 1 3 0の形成手法は特 に限定されるものではなく、 公知既存の種々の方法を適用できる。 例えば、 2元 蒸着を 2回行う形成法を用いる場合、 電子輸送用有機化合物 1 31 aとなる有機 化合物 Aと、 正孔輸送用有機化合物 1 31 bとなる有機化合物 Bと、 電子注入用 金属 1 22となる金属 （仕事関数が 4. 2 〔eV〕 以下の金属） と、 正孔注入用 金属 1 23となる金属 （仕事関数が 4. 2 [Θ V] よりも大なる金属） を、 それ ぞれ同一チャンバ一内の別のボートに仕込んでおき、 真空下において、 最初に有 機化合物 Αと仕事関数が 4. 2 〔eV〕 以下の金属とを共蒸着することによリ電 子注入電極層 1 30 aを形成し、 次いで、 有機化合物 Bと仕事関数が 4. 2 [e V〕 よりも大なる金属とを共蒸着することによリ正孔注入電極層 1 3 O bを形成 することで、 積層電極 1 30を形成できる。
なお、 電子注入電極層 1 30 aにおける電子輸送用有機化合物 1 3 1 aとして 好ましい電子輸送性の高い有機化合物としては、 BND、 PBD、 OX D— 7、 TAZ、 BP h e n、 BCP、 T PB I、 A l q3、 B e B q 2, BA I q、 Z n (BOX) 2などが挙げられ、 正孔注入電極層 1 3 O bにおける正孔輸送用有 機化合物 1 3 1 bとして好ましい正孔輸送性の高い有機物としては、 T P D、 ひ 一 N PD、 TDATA、 MTDATA、 PVT、 PVKなどが挙げられる。 また 、 積層電極 1 30の電子注入電極層 1 30 aにおける電子注入用金属 1 32とし ては、 上述した第 1実施形態における電子注入用金属 1 1 2と同様のものが適用 でき、 積層電極 1 30の正孔注入電極層 1 30 bにおける正孔注入用金属 1 33 としては、 上述した第 1実施形態における正孔注入用金属 1 1 3が適用できる。 〔有機デバイス構成例 1〕
次に、 上述した各実施形態に係る有機デバイス用電極を用いて構成した有機デ バイスの構成例として、 有機 Eし素子への適用例を説明する。 その素子構造を第 4図に示す。
第 4図は、 電子注入機能と正孔注入機能を併せ持つ有機デバイス用電極 （上述 した第 1〜第 3実施形態の何れでも適用可能） を内部電極として導入した公知の 有機 EL素子 （MPE素子） であり、 20 1は陽極、 202は陰極、 203 aは 第一の電界発光層、 203 bは第二の電界発光層、 204は電荷発生層である。 なお、 第一の電界発光層 203 aおよび第二の電界発光層 203 bは、 電界発光 可能な、 あるいはキャリア注入により発光可能な有機化合物を含む層である。 ま た、 電荷発生層 2 0 4は外部回路と接続しておらず、 フローティング状の内部電 極となっている。
上述した構成の有機 E L素子において、 陽極 2 0 1と陰極 2 0 2との間に電圧 Vを印加した場合、 電荷発生層 2 0 4から第一の電界発光層 2 0 3 aに対しては 電子が、 電荷発生層 2 0 4から第二の電界発光層 2 0 3 bに対しては正孔が、 そ れぞれ注入される。 一方、 外部回路から見れば、 陽極 2 0 "Iから第一の電界発光 層 2 0 3 aに対しては正孔が、 陰極 2 0 2から第二の電界発光層 2 0 3 bに対し ては電子が注入されるため、 第一の電界発光層 2 0 3 aおよび第二の電界発光層 2 0 3 bの両方でキャリアの再結合が起こり、 発光に至る。 この時、 電流 Iが流 れているとすると、 第一の電界発光層 2 0 3 aおよび第二の電界発光層 2 0 3 b 共に、 電流 Iに対応する分のフォトンを放出することができる。 したがって、 電 界発光層が一層のみの有機 E L素子に比べると、 同じ電流で二倍の量の光を放出 できるというメリッ卜がある。
なお、 本構成例では、 二層の電界発光層を電荷発生層で積層するものとしたが 、 より多くの電界発光層を積層する （各電界発光層の間には各々電荷発生層を揷 入する） ことにより、 電流効率を何倍にも向上させることができ、 理論上におい ては、 電流効率の向上に伴い、 素子寿命に関しても大きな向上が期待される。 但 し、 電界発光層の積層数が増えれば、 同じ電流 Iを流すために、 高電圧が必要と なる。
〔有機 E L素子の実施例〕
上述した有機 E L素子における電荷発生層としては、 第 1〜第 3実施形態の何 れの電極構造でも適用できるが、 ここでは、 第 3実施形態に係る有機デバイス用 電極を適用した有機 E L素子を作成した例を説明する。 すなわち、 第 4図に於て 、 第一の電界発光層 2 0 3 a側が電子注入電極層 2 0 4 aで、 第二の電界発光層 2 0 3 b側が正孔注入電極層 2 0 4 bとなるように、 電荷発生層 2 0 4を形成す るのである。
まず、 陽極 2 0 1として用いる I T Oがパターンされたガラス基板をエタノー ルで煮沸洗浄し、 さらにオゾンプラズマ洗浄機で基板表面を洗浄した。 この洗浄 した基板と蒸着する材料を真空蒸着装置内にセットした後、 チャンバ一内を 1 0 —4P a程度まで減圧した。
目的の真空度に到達した後、 まず、 T P Dを 0. 2~0. 4 nmZs程度のレ 一卜で蒸着し、 7 0 nm成膜した。 次いで、 A l q 3を 0. 2〜0. 4 n m/ s 程度のレートで蒸着し、 60 nm成膜した。 以上が第一の電界発光層 203 aと なる。
次に、 Mgの蒸着レートを 0. 1 nmZsに固定しつつ、 A I q3も蒸発させ ることにより、 Mgと A l q 3の共蒸着を行った。 この時、 トータルの蒸着レー 卜が 0. 2 nmZsとなるように調整したため、 Mgと A I q 3の比率は重量比 で 1 ： 1 (モル比で約 1 9 : 1 ) となっている。 なお、 この共蒸着層は 1 O nm 形成した。 さらに、 A uの蒸着レートを 0. 1 nmZsに固定しつつ、 T P Dも 蒸発させることにより、 A uと T P Dの共蒸着を行った。 この時、 I ^一タルの蒸 着レートが 0. 2 nmZsとなるように調整したため、 A uと T P Dの比率は重 量比で 1 ： 1 (モル比で約 2. 6 : 1 ) となっている。 なお、 この共蒸着層は 1 0 nm形成した。 以上の計 20 nmの共蒸着層が本発明の有機デバイス用電極で あり、 電荷発生層 204として作用する。
このようにして形成された電荷発生層 204上に、 第一の電界発光層 203 a と同様に、 丁 0 (700 ） と 1 93 (600 ） とを積層した第二の電界 発光層 203 bを形成した。 さらに、 上述と同様の手法にて Mgと A I q 3が重 量比で 1 ： 1となるように共蒸着して 1 O r rriの共蒸着層を形成し、 次いで 0. 2-0. 4 nmZs程度の蒸着レートにて A Iを 80 nm成膜することにより、 陰極 202とした。
上述のようにして形成された本発明の有機デバイス用電極を用いたマルチフォ トンェミッション素子 （ I TOZT P D (70 nm) /A I q3 (60 n m) / M g ： A I q a ( 1 0 n m) A u ： T P D ( 1 0 n m) ZT P D (70 nm) /A I q a (60 nm) ZM g ： A I q 3 ( 1 0 n m) ノ A l (80 nm) ) の 特性を第 5図に示す。 横軸は電流密度 〔V〕 、 縦軸は外部量子効率 〔％：外部に 取り出されるフオトンの数 注入されたキャリアの数〕 である。 発光時の外部量 子効率は 1. 2〜1. 60 程度であった。
〔比較例 1〕 比較のため、 電荷発生層を持たない、 すなわち電界発光層が一層のみの有機 EL 素子 （ I TOZTPD (70 nm) ZA I q 3 ( 60 n m) ZM g ·· A I q 3 ( 1 0 nm) ZA I (80 nm) ) を作成した。 その特性も第 5図中に示してある 。 発光時の外部量子効率は 0. 6~1. 1%程度であった。
この結果から、 上記実施例として示した素子では、 比較例"!の素子に比べて駆 動電圧が上昇しているが、 外部量子効率で比較例 1の素子を十分に上回っており 、 マルチフォトンェミッション素子として動作している。 したがって、 本発明の 有機デバイス用電極は、 電荷発生層として機能しており、 正孔および電子の両方 のキャリアを注入できることが明らかとなった。
〔比較例 2〕
更に、 比較例 2では、 上記実施例のデバイスから Auと TPDとの共蒸着層を 除き、 その他は同様のマルチフォトンェミッション素子を作製した。 すなわち素 子構造は、 I TOZT P D (70 nm) ZA I q 3 (60 nm) /U g : A I q a ( 1 0 nm) /TP D (70 nm) /A I q 3 (60 nm) /M g : A I q3 ( 1 0 nm) /A I ( 80 n m) 、 となる。 この場合、 電荷発生層として、 有機化 合物に仕事関数が 4. 2 [θ V] 以下の金属を混合した層 （Mgと A I q3との 共蒸着層） のみを適用していることになる。
この比較例 2の特性も第 5図中に示してある。 駆動電圧は比較例 1の素子に比 ベて上昇するが、 外部量子効率は向上せず、 マルチフォトンェミッション素子と して動作していない。 したがって、 本比較例 2のように、 仕事関数の小さい金属 を混合しただけでは、 正孔、 電子の両方を注入する電極にはならなかった。 〔有機デバイス構成例 2〕
次に、 上述した各実施形態に係る有機デバイス用電極を用いて構成した有機デ パイスの構成例として、 有機電界効果トランジスタへの適用例を説明する。 その 素子構造を第 6図に示す。
第 6図 （a) は、 電荷発生層を内部電極として導入した有機電界効果トランジ スタであり、 基板 301、 第一のゲート電極 302、 第一のゲート絶縁膜 303 、 第一のソース電極 304 a、 第一のドレイン電極 304 b、 電子輸送性の有機 化合物を用いた電子輸送層 305 a、 正孔輸送性の有機化合物を用いた正孔輸送 層 3 0 5 b、 電荷発生層 3 0 6、 第二のドレイン電極 3 0 7 a、 第二のソース電 極 3 0 7 b、 第二のゲート絶縁膜 3 0 8、 第二のゲート電極 3 0 9、 から構成さ れている。 なお、 以下では、 電子輸送層 3 0 5 aと正孔輸送層 3 0 5 bとを併せ て有機半導体層と称する。
この構造において、 第一のゲート電極 3 0 2に V g 1 (> 0〉 を、 第二のゲー ト電極 3 0 9に V g 2 « 0 ) を印加すると、 第 6図 （a ) に示すように、 電界 効果によって、 電荷発生層 3 0 6から電子輸送層 3 0 5 aに電子が、 正孔輸送層 3 0 5 bに正孔が、 それぞれ注入される。 一方、 第一のゲ一卜絶縁膜 3 0 3およ び第二のゲート絶縁膜 3 0 8が存在するため、 第一のゲート電極 3 0 2や第二の ゲート電極 3 0 9から有機半導体層中にキャリアが注入されることはない。 した がって、 第一のゲート絶縁膜 3 0 3表面近傍の有機半導体層中に電子が、 第二の ゲート絶縁膜 3 0 8表面近傍の有機半導体層中に正孔が、 それぞれ蓄積され、 電 子と正孔それぞれの電荷蓄積チャネル層を形成する。
この時、 第 6図 （b ) に示すように、 第一のソース電極 3 0 4 aと第一のドレ イン電極 3 0 4 bとの間に V s d 1 ( > 0 ) を、 第二のソース電極 3 0 7 bと第 二のドレイン電極 3 0 7 aとの間に V s d 2 ( < 0 ) を印加する。 すると、 第一 のゲート絶縁膜 3 0 3近傍の電子蓄積チャネル層の電子と、 第二のゲー卜絶縁膜 3 0 8近傍の正孔蓄積チャネル層の正孔が、 それぞれのソース一ドレイン回路に 電流を流す。
このようにして得られる有機電界効果トランジスタは、 大きな電流量を高速に 制御可能な実用性を有すると考えられるが、 電荷発生層 3 0 6は、 第 6図におけ る上方向に正孔を、 下方向に電子を、 それぞれ注入する機能を持つ必要がある。 そして、 第 1実施形態に係る有機デバイス用電極は極性に関係なくそのまま電荷 発生層 3 0 6として用いることができ、 第 2実施形態に係る有機デバイス用電極 は、 電子輸送層 3 0 5 a側に電子注入領域を、 正孔輸送層 3 0 5 b側に正孔注入 領域を配置することで電荷発生層 3 0 6として用いることができ、 第 3実施形態 に係る有機デバイス用電極は、 電子輸送層 3 0 5 a側に電子注入電極層を、 正孔 輸送層 3 0 5 b側に正孔注入電極層を配置することで電荷発生層 3 0 6として用 いることができる。 本発明に依る有機デバィス用電極を用いた有機電界効果トランジスタの説明を したが、 本発明に係る有機デバイス用電極は電子機器に搭載することもできる。 電子機器としては、 携帯電話、 パーソナルコンピュータ、 モニタ、 ビデオカメラ 、 ディジタルカメラ、 ゴーグル型ディスプレイ、 ナビゲーシヨンシステム、 ォー ディォコンポ、 カーオーディオ、 ゲーム機器、 モバイルコンピュータ、 携帯型ゲ ーム機、 電子書籍、 記録媒体を備えた画像再生装置などが挙げられる。 これらの 電子機器の具体例を第 7図 （a) 〜 （g) に示す。
第 7図 （a) は表示装置の一実施例を示し、 筐体 1 001、 支持台 1 002、 表示部 1 003、 スピーカ一部 1 004、 ビデオ入力端子 1 005等を含む。 本 発明の有機デバイス用電極は、 上記表示部 1 003等に搭載されている。 なお、 有機デバイス用電極を搭載した表示装置としては、 コンピュータ用、 TV放送受 信用、 広告表示用などの情報表示用装置が含まれる。
第 7図 （b) はノート型パーソナルコンピュータの一実施例を示し、 本体 1 2 01、 筐体 1 202、 表示部 1 203、 キーボード 1 204、 外部接続ポート 1 205、 ポインティングマウス 1 206等を含む。 本発明の有機デバイス用電極 は上記表示部 1 203等に掲載されている。
第 7図 （c) はモパイルコンピュータの一実施例を示し、 本体 1 30 1、 表示 部 1 302、 スィッチ 1 303、 操作キー 1 304、 赤外線ポート 1 305等を 含む。 本発明の有機デバイス用電極は、 上記表示部 1 302等に搭載されている 。
第 7図 （d) は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置 （具体的には DVD再 生装置） の一実施例を示し、 本体 1 401、 筐体 1 402、 表示部 1 403、 表 示部 1 404、 記録媒体 （DVD等） 読み込み部 1 405、 操作キー 1 406、 スピーカ一部 1 407等を含む。 表示部 1 403は主として画像情報を表示し、 表示部 1 404は主として文字情報を表示するが、 本発明の有機デバイス用電極 をこれら表示部 1 403、 1 404等に搭載されている。 なお、 記録媒体を備え た画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
第 7図 （e) はゴーグル型ディスプレイの一実施例を示し、 本体 1 501、 表 示部 1 502、 アーム部 1 503を含む。 本発明の有機デバイス用電極は、 上記 表示部 1 502等に搭載されている。
第 7図 （f ) はビデオカメラの一実施例を示し、 本体 1 601、 表示部 1 60 2、 筐体 1 603、 外部接続ポート 1 604、 リモコン受信部 1 605、 受像部 1 606、 バッテリー 1 607、 音声入力部 1 608、 操作キー 1 609、 接眼 部 1 6 1 0等を含む。 本発明の有機デバイス用電極は、 表示部 1 602等に搭載 にされている。
ここで、 第 7図 （g) は携帯電話の一実施例を示し、 本体 1 701、 筐体 1 7 02、 表示部 1 703、 音声入力部 1 704、 音声出力部 1 705、 操作キー 1 706、 外部接続ポート 1 707、 ァンテナ 1 708等を含む。 本発明の有機デ パイス用電極をその表示部 1 フ 03等に用いることにより作製される。 なお、 表 示部 1 703は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を 抑えることができる。
以上の様に、 本発明の有機デバイス用電極の適用範囲は極めて広く、 この有機 デバイス用電極をあらゆる分野の電子機器に適用することにより、 汎用性の拡大 が可能となる。

Claims

1 . 有機化合物の性質を利用した機能素子である有機デバイスの有機層に接し て設けられた有機デバイス用電極において、
単一の有機化合物に、 仕事関数が 4 . 2 C e V ] 以下の金属と、 仕事関数が 4 . 2 〔e V〕 よりも大なる金属を混合した電極材料を、 少なくとも前記有機層と
主
の接合面に用いることを特徴とする有機デバイス用電極。
2 . 有機化合物の性質を利用した機能素子である有機デバイスにおける第一の の
有機層と第二の有機層との間に設ける有機デバイス用電極において、
範
単一の有機化合物に仕事関数が 4. 2 〔e V〕 以下の金属を混合した第一の領 囲
域と、 前記単一の有機化合物に仕事関数が 4 . 2 〔e V〕 よりも大なる金属を混 合した第二の領域とを有し、 前記第一の領域と第二の領域が夫々第一の有機層と 第二の有機層に接するようにしたことを特徴とする有機デパイス用電極。
3 . 前記単一の有機化合物には、 7Γ共役系を有する有機化合物を用いることを 特徴とする請求の範囲第 1項又は第 2項に記載の有機デバイス用電極。
4 . 前記単一の有機化合物には、 バイポーラ性を有する有機化合物を用いるこ とを特徴とする請求の範囲第 3項記載の有機デバイス用電極。
5 . 有機化合物の性質を利用した機能素子である有機デバイスにおける第一の 有機層と第二の有機層との間に設ける有機デバイス用電極において、
第一の有機化合物に仕事関数が 4 . 2 〔e V〕 以下の金属を混合した電子注入 電極層と、 前記第一の有機化合物とは異なる第二の有機化合物に仕事関数が 4 . 2 C e V] よりも大なる金属を混合した正孔注入電極層とを有し、 前記電子注入 電極層と正孔注入電極層が夫々第一の有機層と第二の有機層に接するようにした ことを特徴とする有機デバイス用電極。
6 . 前記電子注入電極層の第一の有機化合物には電子輸送性の高い有機化合物 を、 前記正孔注入電極層の第二の有機化合物には正孔輸送性の高い有機化合物を 用いることを特徴とする請求の範囲第 5項記載の有機デバィス用電極。
7 . 請求の範囲第 1項、 第 2項又は第 5項の何れか 1項記載の前記有機デ /くィ ス用電極を有する電子機器であって、 前記電子機器は、 表示装置、 パーソナルコ ンピュータ、 モバイルコンピュータ、 記録媒体を備えた画像再生装置、 ゴーグル 型ディスプレイ、 ビデオカメラ、 又は携帯電話である有機デバイス用電極を有す る電子機器。
PCT/JP2004/012440 2003-08-25 2004-08-24 有機デバイス用電極およびそれを有する電子機器 WO2005020643A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005513386A JP4666633B2 (ja) 2003-08-25 2004-08-24 有機電界効果トランジスタ
CN2004800243154A CN1843062B (zh) 2003-08-25 2004-08-24 有机器件以及具有该有机器件的电子设备

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003299441 2003-08-25
JP2003-299441 2003-08-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005020643A1 true WO2005020643A1 (ja) 2005-03-03

Family

ID=34213758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/012440 WO2005020643A1 (ja) 2003-08-25 2004-08-24 有機デバイス用電極およびそれを有する電子機器

Country Status (4)

Country Link
US (3) US7511421B2 (ja)
JP (2) JP4666633B2 (ja)
CN (2) CN1843062B (ja)
WO (1) WO2005020643A1 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332048A (ja) * 2005-05-20 2006-12-07 Lg Phillips Lcd Co Ltd 積層型ｏｌｅｄ用中間電極
JP2007096055A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP2007287691A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Lg Electronics Inc 有機ｅｌ素子及びその製造方法
JP2008021665A (ja) * 2005-06-22 2008-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、及びそれを用いた電子機器
JPWO2005112518A1 (ja) * 2004-03-25 2008-03-27 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010040444A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2011077044A (ja) * 2003-08-25 2011-04-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電極の作製方法
US8017252B2 (en) 2005-06-22 2011-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
US8592821B2 (en) 2005-04-22 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, organic transistor, light-emitting device, and electronic device
JP2018113149A (ja) * 2017-01-11 2018-07-19 日本放送協会 導電膜、電極、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置および薄膜太陽電池

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG113443A1 (en) 2001-12-05 2005-08-29 Semiconductor Energy Laboratao Organic semiconductor element
EP1367659B1 (en) * 2002-05-21 2012-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field effect transistor
US7511421B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mixed metal and organic electrode for organic device
WO2005115059A1 (en) * 2004-05-21 2005-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device using the element
WO2006022193A1 (en) * 2004-08-23 2006-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and lighting system
US8026531B2 (en) 2005-03-22 2011-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060244373A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing thereof
US8415878B2 (en) 2005-07-06 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
EP1784055A3 (en) * 2005-10-17 2009-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting system
US20070194321A1 (en) * 2006-02-17 2007-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
EP1821579A3 (en) * 2006-02-17 2008-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic appliance
US7528418B2 (en) * 2006-02-24 2009-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
KR101384785B1 (ko) * 2006-06-01 2014-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 발광장치 및 전자기기
TWI317182B (en) * 2006-07-07 2009-11-11 Au Optronics Corp Tandem organic electroluminescent elements and uses of the same
US9397308B2 (en) 2006-12-04 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US8164933B2 (en) * 2007-04-04 2012-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power source circuit
US7821201B2 (en) * 2008-01-31 2010-10-26 Global Oled Technology Llc Tandem OLED device with intermediate connector
JP5477547B2 (ja) * 2009-06-22 2014-04-23 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JPWO2011046166A1 (ja) * 2009-10-14 2013-03-07 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびこれを用いた照明装置
EP2503616A1 (en) * 2011-03-21 2012-09-26 Polyphotonix Limited Emissive element for light emitting device, light emitting device and method for manufacturing such element and device
CN102810646A (zh) * 2011-06-03 2012-12-05 海洋王照明科技股份有限公司 叠层有机电致发光器件及其制备方法
JP5785808B2 (ja) * 2011-07-20 2015-09-30 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法
ITMI20111446A1 (it) * 2011-07-29 2013-01-30 E T C Srl Transistor organico elettroluminescente
KR101774491B1 (ko) 2011-10-14 2017-09-13 삼성전자주식회사 유기 포토다이오드를 포함하는 유기 픽셀, 이의 제조 방법, 및 상기 유기 픽셀을 포함하는 장치들
DE102012102910B4 (de) * 2012-04-03 2016-09-22 Novaled Ag Vertikaler organischer Transistor und Verfahren zum Herstellen
WO2014073300A1 (ja) 2012-11-09 2014-05-15 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102012112796B4 (de) * 2012-12-20 2019-09-19 Novaled Gmbh Vertikaler organischer Transistor, Schaltungsanordnung und Anordnung mit vertikalem organischen Transistor sowie Verfahren zum Herstellen
CN103972406A (zh) * 2013-01-31 2014-08-06 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104701338B (zh) * 2013-12-09 2017-12-01 昆山国显光电有限公司 一种有机发光显示器件及其掩膜板
KR102135929B1 (ko) * 2013-12-31 2020-07-20 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
KR102331101B1 (ko) * 2015-01-02 2021-11-26 엘지전자 주식회사 혼합 전하주입층 및 그 이용 방법
CN108281564B (zh) * 2017-01-05 2020-07-24 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种电极及应用其的有机电致发光器件
WO2019187266A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 Ｎｅｃライティング株式会社 有機ｅｌ装置および有機ｅｌ照明装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04230997A (ja) * 1990-06-14 1992-08-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 素子用薄膜電極及びそれを有するエレクトロルミネッセンス素子並びにそれらの製造方法
JPH06188074A (ja) * 1992-12-15 1994-07-08 Canon Inc 電界発光素子
WO2000001203A1 (fr) * 1998-06-26 2000-01-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Dispositif luminescent
JP2000315581A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2003045676A (ja) * 2001-07-26 2003-02-14 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2003157983A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
US20030127967A1 (en) * 2001-12-05 2003-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor element
JP2004095546A (ja) * 2002-08-09 2004-03-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2004281371A (ja) * 2002-10-09 2004-10-07 Eastman Kodak Co 電圧安定性を向上したカスケード式有機電場発光デバイス

Family Cites Families (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US517280A (en) * 1894-03-27 Bedstead
JPS55140277A (en) 1979-04-19 1980-11-01 Ricoh Co Ltd Organic phtotovoltaic element
US4552927A (en) 1983-09-09 1985-11-12 Rockwell International Corporation Conducting organic polymer based on polypyrrole
US4878097A (en) 1984-05-15 1989-10-31 Eastman Kodak Company Semiconductor photoelectric conversion device and method for making same
US4950614A (en) 1984-05-15 1990-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making a tandem type semiconductor photoelectric conversion device
US4741976A (en) 1984-07-31 1988-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescent device
US4871236A (en) 1985-09-18 1989-10-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic thin film display element
DE3745132C2 (de) 1987-01-13 1998-03-19 Hoegl Helmut Photovoltaische Solarzellenanordnung mit mindestens zwei auf Abstand voneinander angeordneten Solarzellen-Elementen
JP2813428B2 (ja) 1989-08-17 1998-10-22 三菱電機株式会社 電界効果トランジスタ及び該電界効果トランジスタを用いた液晶表示装置
US5364654A (en) 1990-06-14 1994-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Process for production of a thin film electrode and an electroluminescence device
US5684320A (en) 1991-01-09 1997-11-04 Fujitsu Limited Semiconductor device having transistor pair
US5229310A (en) 1991-05-03 1993-07-20 Motorola, Inc. Method for making a self-aligned vertical thin-film transistor in a semiconductor device
US5294870A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5331183A (en) 1992-08-17 1994-07-19 The Regents Of The University Of California Conjugated polymer - acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells
JP2605555B2 (ja) 1992-09-14 1997-04-30 富士ゼロックス株式会社 無機薄膜ｅｌ素子
GB9317932D0 (en) 1993-08-26 1993-10-13 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
US5682043A (en) 1994-06-28 1997-10-28 Uniax Corporation Electrochemical light-emitting devices
KR0164457B1 (ko) 1995-01-20 1999-04-15 김은영 백색발광용 전계발광소자 및 그 제조방법
US5858561A (en) 1995-03-02 1999-01-12 The Ohio State University Bipolar electroluminescent device
US5677546A (en) 1995-05-19 1997-10-14 Uniax Corporation Polymer light-emitting electrochemical cells in surface cell configuration
JP4477150B2 (ja) 1996-01-17 2010-06-09 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機薄膜ｅｌ素子
JP3808534B2 (ja) 1996-02-09 2006-08-16 Ｔｄｋ株式会社 画像表示装置
DE69724129T2 (de) 1996-09-04 2004-02-26 Cambridge Display Technology Ltd. Lichtemittierende organische vorrichtungen mit verbesserter kathode
JP3173395B2 (ja) 1996-11-26 2001-06-04 富士ゼロックス株式会社 電荷輸送性材料及びそれに用いる電荷輸送性微粒子の製造方法
JPH10270171A (ja) 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
US5757139A (en) * 1997-02-03 1998-05-26 The Trustees Of Princeton University Driving circuit for stacked organic light emitting devices
US5917280A (en) 1997-02-03 1999-06-29 The Trustees Of Princeton University Stacked organic light emitting devices
KR100248392B1 (ko) 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
US6337492B1 (en) 1997-07-11 2002-01-08 Emagin Corporation Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer
JP3333130B2 (ja) 1998-01-28 2002-10-07 松下電器産業株式会社 複合電極、その製造方法、およびリチウム二次電池
EP1051752A2 (en) 1998-02-02 2000-11-15 Uniax Corporation Image sensors made from organic semiconductors
JPH11251067A (ja) 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
GB9806066D0 (en) 1998-03-20 1998-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Multilayer photovoltaic or photoconductive devices
JP3884564B2 (ja) 1998-05-20 2007-02-21 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置
US6657300B2 (en) * 1998-06-05 2003-12-02 Lumileds Lighting U.S., Llc Formation of ohmic contacts in III-nitride light emitting devices
US6297495B1 (en) 1998-08-19 2001-10-02 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic devices with a top transparent electrode
US6198092B1 (en) 1998-08-19 2001-03-06 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically parallel configuration
US6278055B1 (en) 1998-08-19 2001-08-21 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically series configuration
US6198091B1 (en) 1998-08-19 2001-03-06 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with a mixed electrical configuration
US6352777B1 (en) 1998-08-19 2002-03-05 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic devices with transparent electrodes
US6451415B1 (en) 1998-08-19 2002-09-17 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device with an exciton blocking layer
JP3125763B2 (ja) 1998-09-04 2001-01-22 日本電気株式会社 電池用電極、二次電池、及びそれらの製造方法
US6214631B1 (en) 1998-10-30 2001-04-10 The Trustees Of Princeton University Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask
DE19905694A1 (de) 1998-11-27 2000-08-17 Forschungszentrum Juelich Gmbh Bauelement
JP2000196140A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
JP3641963B2 (ja) 1999-02-15 2005-04-27 双葉電子工業株式会社 有機ｅｌ素子とその製造方法
JP2000260572A (ja) 1999-03-04 2000-09-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネル
JP2000306676A (ja) 1999-04-21 2000-11-02 Chemiprokasei Kaisha Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6486413B1 (en) 1999-11-17 2002-11-26 Ebara Corporation Substrate coated with a conductive layer and manufacturing method thereof
JP3450304B2 (ja) * 2000-01-13 2003-09-22 松下電器産業株式会社 電極体、それを備えた薄膜ｅｌ素子及びその製造方法、並びに薄膜ｅｌ素子を備えた表示装置及び照明装置
US6849346B2 (en) * 2000-01-13 2005-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrode and thin film EL device including the same and methods of fabricating the same and display device and lighting system including the thin film EL device
JP4477729B2 (ja) 2000-01-19 2010-06-09 シャープ株式会社 光電変換素子及びそれを用いた太陽電池
US6580213B2 (en) 2000-01-31 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2001244074A (ja) 2000-02-28 2001-09-07 Technology Licensing Organization Inc 発光素子及びその製造方法
KR100329571B1 (ko) 2000-03-27 2002-03-23 김순택 유기 전자 발광소자
AT410729B (de) 2000-04-27 2003-07-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten
ATE374795T1 (de) 2000-06-12 2007-10-15 Sumation Co Ltd Elektrolumineszierende materialien und gegenstände aus einer polymermatrix
JP2001357975A (ja) 2000-06-16 2001-12-26 Rohm Co Ltd 有機ｅｌ素子
JP2002033193A (ja) 2000-07-13 2002-01-31 Hitachi Ltd 有機発光素子
JP2002164170A (ja) 2000-11-27 2002-06-07 Matsushita Electric Works Ltd 白色有機エレクトロルミネッセンスパネル
US6803720B2 (en) 2000-12-15 2004-10-12 Universal Display Corporation Highly stable and efficient OLEDs with a phosphorescent-doped mixed layer architecture
TW545080B (en) * 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US6841932B2 (en) 2001-03-08 2005-01-11 Xerox Corporation Display devices with organic-metal mixed layer
US7288887B2 (en) * 2001-03-08 2007-10-30 Lg.Philips Lcd Co. Ltd. Devices with multiple organic-metal mixed layers
US6740938B2 (en) 2001-04-16 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor provided with first and second gate electrodes with channel region therebetween
JP3955744B2 (ja) 2001-05-14 2007-08-08 淳二 城戸 有機薄膜素子の製造方法
US6580027B2 (en) 2001-06-11 2003-06-17 Trustees Of Princeton University Solar cells using fullerenes
US6657378B2 (en) 2001-09-06 2003-12-02 The Trustees Of Princeton University Organic photovoltaic devices
AU2002304247A1 (en) 2001-06-14 2003-01-02 Showa Denko K.K. Method for producing composite material for electrode comprising quinoxaline based polymer, such material, electrode and battery using the same
US6952023B2 (en) 2001-07-17 2005-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR20030017748A (ko) 2001-08-22 2003-03-04 한국전자통신연구원 유기물 전계 효과 트랜지스터와 유기물 발광 다이오드가일체화된 유기물 전기 발광 소자 및 그 제조 방법
US6524884B1 (en) 2001-08-22 2003-02-25 Korea Electronics And Telecommunications Research Institute Method for fabricating an organic electroluminescene device having organic field effect transistor and organic eloectroluminescence diode
JP4054631B2 (ja) * 2001-09-13 2008-02-27 シャープ株式会社 半導体発光素子およびその製造方法、ｌｅｄランプ並びにｌｅｄ表示装置
TW519852B (en) 2001-10-18 2003-02-01 Opto Tech Corp Organic light emitting device capable of projecting white light source and its manufacturing method
GB0126757D0 (en) 2001-11-07 2002-01-02 Univ Cambridge Tech Organic field effect transistors
CN1157807C (zh) * 2001-11-09 2004-07-14 清华大学 一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法
JP2003264085A (ja) 2001-12-05 2003-09-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池
US6872472B2 (en) 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4334907B2 (ja) * 2002-05-21 2009-09-30 株式会社半導体エネルギー研究所 有機電界効果トランジスタ
EP1367659B1 (en) 2002-05-21 2012-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field effect transistor
EP1388903B1 (en) 2002-08-09 2016-03-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US7045955B2 (en) 2002-08-09 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescence element and a light emitting device using the same
TWI272874B (en) 2002-08-09 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Organic electroluminescent device
TWI277363B (en) 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
JP2004111085A (ja) 2002-09-13 2004-04-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子
AU2003263609A1 (en) 2002-09-20 2004-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
CN102281659B (zh) 2002-12-26 2014-06-04 株式会社半导体能源研究所 发光装置和制造发光装置的方法
US20040124505A1 (en) 2002-12-27 2004-07-01 Mahle Richard L. Semiconductor device package with leadframe-to-plastic lock
JPWO2004068911A1 (ja) 2003-01-29 2006-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7868331B2 (en) 2003-06-13 2011-01-11 Panasonic Corporation Light-emitting device having a metal oxide semiconductor porous body with an organic light-emitting material
US7224118B2 (en) 2003-06-17 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode
US7511421B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mixed metal and organic electrode for organic device
US7504049B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device
US7635074B2 (en) * 2005-10-04 2009-12-22 Tyco Healthcare Group Lp Staple drive assembly

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04230997A (ja) * 1990-06-14 1992-08-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 素子用薄膜電極及びそれを有するエレクトロルミネッセンス素子並びにそれらの製造方法
JPH06188074A (ja) * 1992-12-15 1994-07-08 Canon Inc 電界発光素子
WO2000001203A1 (fr) * 1998-06-26 2000-01-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Dispositif luminescent
JP2000315581A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2003045676A (ja) * 2001-07-26 2003-02-14 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2003157983A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
US20030127967A1 (en) * 2001-12-05 2003-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor element
JP2004095546A (ja) * 2002-08-09 2004-03-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2004281371A (ja) * 2002-10-09 2004-10-07 Eastman Kodak Co 電圧安定性を向上したカスケード式有機電場発光デバイス

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011077044A (ja) * 2003-08-25 2011-04-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電極の作製方法
JPWO2005112518A1 (ja) * 2004-03-25 2008-03-27 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4621201B2 (ja) * 2004-03-25 2011-01-26 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8592821B2 (en) 2005-04-22 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, organic transistor, light-emitting device, and electronic device
JP4711424B2 (ja) * 2005-05-20 2011-06-29 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 積層型ｏｌｅｄ用中間電極
JP2006332048A (ja) * 2005-05-20 2006-12-07 Lg Phillips Lcd Co Ltd 積層型ｏｌｅｄ用中間電極
DE102006023512B4 (de) * 2005-05-20 2017-03-09 Lg Display Co., Ltd. Zwischenelektroden für gestapelte OLEDs
JP2008021665A (ja) * 2005-06-22 2008-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、及びそれを用いた電子機器
US8017252B2 (en) 2005-06-22 2011-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
US8252434B2 (en) 2005-06-22 2012-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
US8541114B2 (en) 2005-06-22 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
US8815419B2 (en) 2005-06-22 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
JP2007096055A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP2007287691A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Lg Electronics Inc 有機ｅｌ素子及びその製造方法
US8420228B2 (en) 2006-04-13 2013-04-16 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescence display with intermediate layer and method for fabricating the same
JP2010040444A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2018113149A (ja) * 2017-01-11 2018-07-19 日本放送協会 導電膜、電極、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置および薄膜太陽電池

Also Published As

Publication number Publication date
US20050134173A1 (en) 2005-06-23
US7511421B2 (en) 2009-03-31
CN101931050B (zh) 2012-05-02
JP4666633B2 (ja) 2011-04-06
US8629429B2 (en) 2014-01-14
US20110215311A1 (en) 2011-09-08
JP2011040412A (ja) 2011-02-24
JPWO2005020643A1 (ja) 2006-10-26
CN1843062A (zh) 2006-10-04
CN1843062B (zh) 2010-10-13
CN101931050A (zh) 2010-12-29
US20090230856A1 (en) 2009-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2005020643A1 (ja) 有機デバイス用電極およびそれを有する電子機器
TW519770B (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
JP6490146B2 (ja) 発光素子、発光装置および電気器具
US7548022B2 (en) Electroluminescence device
JP5089750B2 (ja) 有機電界効果トランジスタ
TWI233312B (en) Organic light emitting device and display device using the same
KR100670383B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이를 구비한 평판 표시 장치
JP5137292B2 (ja) 発光素子、発光装置および電気器具
KR20120013283A (ko) 발광소자 및 발광장치
JP4047015B2 (ja) 発光素子、発光装置、電気器具
WO2004057926A1 (ja) 有機発光素子、有機発光素子を用いた発光装置、及び前記発光装置を用いた電気器具
JP2005190998A (ja) 発光素子およびそれを用いた発光装置
JP2006253444A (ja) 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器
JP2009194403A (ja) 電界発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200480024315.4

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005513386

Country of ref document: JP

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DPEN Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
122 Ep: pct application non-entry in european phase