Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

CN101931050B - 有机器件以及具有该有机器件的电子设备 - Google Patents

有机器件以及具有该有机器件的电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN101931050B
CN101931050B CN2010102548332A CN201010254833A CN101931050B CN 101931050 B CN101931050 B CN 101931050B CN 2010102548332 A CN2010102548332 A CN 2010102548332A CN 201010254833 A CN201010254833 A CN 201010254833A CN 101931050 B CN101931050 B CN 101931050B
Authority
CN
China
Prior art keywords
organic
electrode
layer
metal
organic compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2010102548332A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101931050A (zh
Inventor
筒井哲夫
熊木大介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of CN101931050A publication Critical patent/CN101931050A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101931050B publication Critical patent/CN101931050B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

提供一种有机器件用电极以及具有该有机器件用电极的电子装置。通过将在单一的有机化合物(111)上混合了电子注入用金属(112)(功函数小于等于4.2(eV)的金属)和空穴注入用金属(113)(功函数比4.2(eV)大的金属)的载流子注入电极层(110)设置在有机器件的有机层(100)和金属电极(101)之间、或者第一有机层(100a)和第二有机层(100b)之间，根据施加电压时的极性，发挥电子注入功能或者空穴注入功能，能够扩大有机器件的应用范围。

Description

有机器件以及具有该有机器件的电子设备
本申请是申请号为200480024315.4(PCT/JP2004/012440)、申请日为2004年8月24日、发明名称为“有机器件用电极以及具有该有机器件用电极的电子装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及在利用有机化合物的性质的EL元件或者FET等的有机器件中使用的有机器件用电极、以及具有该有机器件用电极的电子装置。
背景技术
作为有机器件之一的EL元件被广泛熟知。该EL元件是将有机化合物作为发光层，通过从一对被设置为夹持该发光层的电极施加电压，使电流在发光层流动，通过发射对应于该电流密度的光子来用作光源的元件。在对EL元件中的发光层施加电压时，为了对于被基本当成是绝缘物的有机化合物降低电子注入势垒，并且提高对发光层表面的附着性，使用功函数小的Mg(镁)和Ag(银)的合金或者Li(锂)和Al(铝)的合金作为阴极一侧的金属电极。
在如上述所述的Mg或者Li的合金电极上，不仅由于电极氧化等引起元件劣化，而且也存在各种各样的限制，因此重新研究了金属电极本身，提出了如在发光层的阳极一侧设置空穴注入层，在阴极一侧也应设置具有电子施主性的层，在接触到阴极电极的发光层的表面上掺杂功函数小于等于4.2(eV)的金属，形成金属掺杂层的有机EL元件(例如，参照特开平10-270171号公报)。
但是，在上述专利公报上所记载的技术中，虽然通过设置金属掺杂层能够降低由阴极侧向发光层的电子注入势垒，但是为了确保金属掺杂层和金属电极的附着性，因而在材料选定上存在限制，另外，能够使用的金属的种类也被限定了。
另外，近年来也提出了具有串联连接了多个发光层的结构的多光子发射(MPE)型元件，要实现该MPE元件，设置在相邻的发光层之间的内部电极必须一并具有向一侧发光层注入电子，向另一侧发光层注入空穴的功能，在上述专利公报中所记载的技术不能够应用于MPE元件用的内部电极上。
本发明的目的在于提供一种通过一并具有空穴注入功能和电子注入功能，扩大有机器件的应用范围的有机器件用电极。
发明内容
根据本发明的有机器件用电极是一种被设置成连接到作为利用了有机化合物的性质的功能元件的有机器件的有机层(含有有机化合物的层)上的有机器件用电极，其特征在于：至少在与上述有机层的接合面上，使用了在单一的化合物中混合了功函数小于等于4.2(eV)的金属和功函数比4.2(eV)大的金属的电极材料。
另外，第2发明是一种设置在作为利用了有机化合物的性质的功能元件的有机器件中的第一有机层(含有有机化合物的第一有机层)和第二有机层(含有有机化合物的第二层)之间的有机器件用电极，其特征在于：具有在单一的有机化合物中混合了功函数小于等于4.2(eV)的金属的第一区域和在上述单一的有机化合物中混合了功函数比4.2(eV)大的金属的第二区域，并且上述第一区域和第二区域分别接触到第一有机层和第二有机层上。
另外，在根据上述第1发明或者第2发明的有机器件用电极中，上述单一的有机化合物既可以使用具有π共轭系的有机化合物，也可以使用具有双极性的有机化合物。
进而，第3发明是一种设置在作为利用了有机化合物的性质的功能元件的有机器件中的第一有机层和第二有机层之间的有机器件用电极，其特征在于：具有在第一有机化合物中混合了功函数小于等于4.2(eV)的金属的电子注入电极层和在与上述第一有机化合物不同的第二有机化合物中混合了功函数比4.2(eV)大的金属的空穴注入电极层，上述电子注入电极层和空穴注入电极层分别接触到第一有机层和第二有机层上。
另外，根据上述第3发明的有机器件用电极中，也可以在上述电子注入电极层的第一有机化合物上使用电子输运性高的有机化合物，在上述空穴注入电极层的第二有机化合物上使用空穴输运性高的有机化合物。
进而，根据上述发明的有机器件用电极也能够搭载到电子装置上。作为电子装置可以举出：便携电话、个人计算机、监视器、视频摄像机、数字照相机、眼镜型显示器、导航系统、组合音响、汽车音响、游戏机、移动计算机、便携型游戏机、电子图书、具有记录介质的图像重放装置等。
根据如上所述构成的第1发明的有机器件用电极，因为至少在与有机器件的有机层相接触的部分上，使用将功函数小于等于4.2(eV)的金属和功函数比4.2(eV)大的金属混合到单一的有机化合物上的电极材料，因此根据对有机层施加的电压的极性，能发挥由功函数小于等于4.2(eV)的金属带来的电子注入功能或者由功函数比4.2(eV)大的金属带来的空穴注入功能。因此，能够作为有机器件的阳极或者阴极中的任一个电极使用，并且也能够用在如MPE元件的内部电极那样对一侧的有机层需要电子注入功能，对另一侧的有机层需要空穴注入功能的有机器件上。另外，因为将单一的有机化合物用在电极材料上，因此与有机器件的有机层的附着性也提高。
另外，根据第2发明的有机器件用电极是专门用于设置在第一有机层和第二有机层之间的内部电极的电极。即，利用在单一有机化合物中混合了功函数小于等于4.2(eV)的金属的第一区域可将电子注入到第一有机层上，利用在单一的有机化合物中混合了功函数比4.2(eV)大的金属的第二区域可将空穴注入到第二有机层上，由此，能够作为看起来可从第一有机层向第二有机层流动电流的内部电极使用。
另外，在根据第1发明或者第2发明的有机器件用电极中，如果作为单一的有机化合物使用π共轭系的有机化合物，则容易发生混合的金属和电荷的授受，有机器件用电极的载流子的注入性将提高。如果作为单一有机化合物使用具有双极性的有机化合物，则有机器件用电极内部中的空穴、电子这两者的载流子的移动变得有利，能够有助于提高器件的驱动电压等特性。
另外，根据第3发明的有机器件用电极是专门用于设置在第一有机层和第二有机层之间的内部电极的电极。即，利用在第一有机化合物中混合了功函数小于等于4.2(eV)的金属的电子注入电极层，可将电子注入到第一有机层中；利用在与第一有机化合物不同的第二有机化合物中混合了功函数比4.2(eV)大的金属的空穴注入电极层，可将空穴注入到第二有机层上，由此能够作为看起来可从第一有机层向第二有机层流动电流的内部电极使用。
另外，在根据上述第3发明的有机器件用电极中，通过上述电子注入电极层的第一有机化合物使用电子输运性高的有机化合物，上述空穴注入电极层的第二有机化合物使用空穴输运性高的有机化合物，可使在电子注入电极层中的电子的移动、在空穴注入电极层中的空穴的移动分别变得容易，能够有助于提高器件的驱动电压等特性。
进而，通过搭载具有上述特征的根据第1～第3发明的有机器件用电极，可提供具有通用性的电子装置。
附图说明
图1(a)是示出本发明的有机器件用电极的实施方式1的一个实施例的示意截面图。
图1(b)是示出本发明的有机器件用电极的实施方式1的另一实施例的示意截面图。
图2是示出本发明的有机器件用电极的实施方式2的一个实施例的示意截面图。
图3是示出本发明的有机器件用电极的实施方式3的一个实施例的示意截面图。
图4是使用了根据本发明的有机器件用电极的MPE元件的示意结构图。
图5是应用了根据上述实施方式3的有机器件用电极的MPE元件的特性图。
图6(a)是示出使用了根据本发明的有机器件用电极的有机场效应晶体管的一个实施例的示意结构图。
图6(b)是示出使用了根据本发明的有机器件用电极的有机场效应晶体管的另一实施例的示意结构图。
图7(a)是示出搭载了根据本发明的有机器件用电极的显示装置的一个实施例的示意图。
图7(b)是示出搭载了根据本发明的有机器件用电极的笔记本型个人计算机的一个实施例的示意图。
图7(c)是示出搭载了根据本发明的有机器件用电极的移动计算机的一个实施例的示意图。
图7(d)示出搭载了根据本发明的有机器件用电极的便携式图像重放装置的一个实施例的示意图。
图7(e)示出搭载了根据本发明的有机器件用电极的眼镜型显示器的一个实施例的示意图。
图7(f)示出搭载了根据本发明的有机器件用电极的摄像机的一个实施例的示意图。
图7(g)示出搭载了根据本发明的有机器件用电极的便携电话的一个实施例的示意图。
具体实施方式
下面，根据附图详细说明根据本发明的有机器件用电极的实施方式。
(实施方式1)
在图1中所示的是根据第一实施方式的有机器件用电极，例如，图1(a)的电极结构是经由载流子注入电极层110，在有机器件的有机层100上形成了金属电极101。该载流子注入电极层110是将在单一的有机化合物111中，混合了电子注入用金属112(功函数小于等于4.2(eV)的金属)和空穴注入用金属113(功函数比4.2(eV)大的金属)的电极材料做成层状的电极层。
在这样构成的有机器件用电极中，因为在与有机层100的接合处使用载流子注入电极层110，所以根据对有机层100的施加电压的极性，发挥由电子注入用金属112产生的电子注入功能或者由空穴注入用金属113产生的空穴注入功能，能作为有机器件的阳极和阴极的任一个电极来使用。另外，载流子注入电极层110，具有与有机层100的附着性好，与金属电极101也容易确保附着性这样的优点。另外，也可以不采用对载流子注入电极层110上另外设置金属电极101的电极结构，而用载流子注入电极层110单体作为有机器件用电极，使其发挥功能，但是使包含价格比较高的有机化合物的载流子注入电极层110变薄，用便宜的Al等金属形成接触用电极(这里是金属电极101)时是经济的。
图1(b)的电极结构是在第一有机层100a和第二有机层100b之间设置了载流子注入电极层110。在该例子中，载流子注入电极层110作为内部电极起作用。在这样构成的有机器件用电极中，如果从第一有机层100a一侧向第二有机层100b一侧施加电压，则从载流子注入电极层110向第一有机层100a提供电子，相反地，从载流子注入电极层110向第二有机层100b提供空穴，因此从第一有机层100a向第二有机层100b流动电流。即，由载流子注入电极层110构成的有机器件用电极，因为能够对一侧有机层(第一有机层)发挥电子注入功能，对另一侧有机层(第二有机层)发挥空穴注入功能，因此可作为MPE元件或者有机场效应晶体管的内部电极使用，可期待广泛应用于今后开发的各种有机器件中。
作为被用作上述载流子注入电极层110中的电子注入用金属112的功函数小于等于4.2(eV)的金属，可以举出锂、铯等碱金属，镁、钙、钡等碱土类金属，铒、镱等稀土类金属，或者包含这些金属的合金(铝合金、铟合金等)。另一方面，作为被用作载流子注入电极层110中的空穴注入用金属113的功函数比4.2(eV)大的金属，能够应用除了稀土类金属以外的大多的过渡金属以及其合金，优选为金、银、铜、锌、铁、钴、镍等。
另外，作为载流子注入电极层110中的有机化合物111，因为需要其本身具有空穴和电子输运性，且能够进行金属和电荷的授受，因此优选为具有π共轭系的有机化合物。作为具有π共轭系的有机化合物，举出了例如4，4′-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]联苯(简称TPD)、4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯(简称α-NPD)、4，4′，4″-三(N，N-二苯基-氨基)三苯胺(简称TDATA)、4，4′，4″-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]三苯胺(简称MTDATA)、2，5-双(1-萘基)-1，3，4-噁二唑(简称BND)、2-(4-联苯基)-5-(4-三元醇-丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(简称PBD)、1，3-双[5-(p-三元醇-丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(简称OXD-7)、3-(4-三元醇-丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(简称TAZ)、红菲绕啉(简称BPhen)、浴铜灵(简称BCP)、2，2′，2″-(1，3，5-苯三基)-三[1-苯基-1H-苯并咪唑](简称TPBI)、三(8-羟基喹啉)铝(简称Alq3)、双(10-羟基-苯并[h]喹啉)铍(简称BeBq2)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚-铝(简称BAlq)、双[2-(2-羟苯基)-苯并噁唑]锌(简称Zn(BOX)2)、4，4′-双(N-咔唑基)联苯(简称CBP)、9，10-双(2-萘基)并三苯(简称β-DNA)等低分子有机化合物，聚(乙烯基三苯胺)(简称PVT)、聚(N-乙烯基咔唑)(简称PVK)、聚(2，5-二烷氧基-1，4-亚苯基亚乙烯基)(简称RO-PPV)、聚(2，5-二烷氧基-1，4-亚苯基)(简称RO-PPP)、聚(9，9-二烷氧基芴)(简称PDAF)、聚(3-烷基噻吩)(简称PAT)等的高分子有机化合物等。并且，在考虑了使从电子注入用金属112注入的电子和从空穴注入用金属113注入的空穴这两者流动的情况下，更优选是有机器件的有机层100具有双极性。
根据本实施方式1的有机器件用电极，特别是对载流子注入电极层110的形成方法不作特别限定，能够应用公知现有的各种方法。例如使用三元蒸镀法的情况下，通过将成为有机化合物111的有机化合物、成为电子注入用金属112的金属、以及成为空穴注入用金属113的金属分别装入同一腔内的不同的舟皿中，在真空下分别加热舟皿，蒸镀到载流子注入电极层形成面上，能够形成混合了所有这些(有机化合物、功函数小于等于4.2(eV)的金属、功函数大于4.2(eV)的金属)的载流子注入电极层110。此时，作为有机化合物和金属的比率，优选为金属/有机物化合物(摩尔比)大于等于1/10，小于等于50/1。因为金属比例过低的情况下，丧失作为电极的功能，另外，金属比例过高的情况下，将在与有机器件的有机层的附着性上产生问题。关于电子注入用金属112和空穴注入用金属113之间的比率，为了保持电子注入和空穴注入的平衡，优选为摩尔比大于等于1/10，小于等于10/1。
(实施方式2)
下面，根据图2说明根据本发明的有机器件用电极的实施方式2。根据实施方式2的有机器件用电极的电极结构是在第一有机层100a和第二有机层100b之间设置了电极层120。该电极层120是对于单一的有机化合物121，在与第一有机层100a相接触的一侧形成混合了电子注入用金属122(功函数小于等于4.2(eV)的金属)的电子注入区域120a，在与第二有机层100b相接触的一侧形成混合了空穴注入用金属123(功函数大于4.2(eV)的金属)的空穴注入区域120b的电极层。
在这样构成的有机器件用电极中，如果从第一有机层100a一侧向第二有机层100b一侧施加电压，则从电极层120的电子注入区域122a(第一区域)向第一有机层100a提供电子，相反地，从电极层120的空穴注入区域120b(第二区域)向第二有机层100b提供空穴，因此从第一有机层100a向第二有机层100b流动电流。即，因为由电极层120构成的有机器件用电极能够对一侧有机层发挥电子注入功能，对另一侧有机层发挥电子(本处应该为空穴)注入功能，因此可作为MPE元件或者有机场效应晶体管的内部电极使用，能够期待广泛应用于今后开发的各种有机器件中。
对作为根据实施方式2的有机器件用电极的电极层120的形成方法并不做特别限定，能够利用公知现有的各种方法。例如进行两次二元蒸镀的情况下，将成为有机化合物121的有机化合物、成为电子注入用金属122的金属(功函数小于等于4.2(eV)的金属)和成为空穴注入用金属123的金属(功函数大于4.2(eV)的金属)分别装入同一腔内的不同的舟皿中，在真空下，最初通过共同蒸镀有机化合物和功函数小于等于4.2(eV)的金属，形成成为电子注入区域120a的层，然后通过共同蒸镀有机化合物和功函数大于4.2(eV)的金属，形成成为空穴注入区域120b的层。由此，在单一的有机化合物121中，能够有选择地形成功能不同的区域(电子注入区域120a以及空穴注入区域120b)。
并且，作为电极层120中的有机化合物121能够应用与上述实施方式1中的有机化合物111相同的化合物；作为电极层120的电子注入区域120a中的电子注入用金属122，能够应用与上述实施方式1中的电子注入用金属112相同的化合物；作为电极层120的空穴注入区域120b中的空穴注入用金属123，能够应用上述实施方式1中的空穴注入用金属113。另外，作为电子注入区域和空穴注入区域中的有机化合物和金属的比率，优选为金属/有机化合物(摩尔比)为大于等于1/10，小于等于50/1。
(实施方式3)
下面，根据图3说明根据本发明的有机器件用电极的实施方式3。根据实施方式3的有机器件用电极的电极结构是在第一有机层100a和第二有机层100b之间设置层叠电极130。该层叠电极130是分别在第一有机层100a侧层叠了在电子输运用有机化合物131a中混合了电子注入用金属132(功函数小于等于4.2(eV)的金属)的电子注入电极层130a，在第二有机层100b侧层叠了在空穴输运用有机化合物131b中混合了空穴注入用金属133(功函数大于4.2(eV)的金属)的空穴注入电极层130b的电极。
在这样构成的有机器件用电极中，如果从第一有机层100a一侧向第二有机层100b一侧施加电压，则从层叠电极130的电子注入电极层130a向第一有机层100a提供电子，相反地，从层叠电极130的空穴注入电极层130b向第二有机层100b提供空穴，因此看起来，从第一有机层100a向第二有机层100b流动电流。即，因为作为有机器件用电极使用的层叠电极130，能够对一侧有机层(第一有机层)发挥电子注入功能，对另一侧有机层(第二有机层)发挥空穴注入功能，因此可作为MPE元件或者有机场效应晶体管的内部电极使用，能够期待广泛应用于今后开发的各种有机器件中。
此外，在根据本实施方式的有机器件用电极中，因为可使用电子输运性高的有机化合物作为电子注入电极层130a的电子输运用有机化合物130a(第一有机化合物)，可使用空穴输运性高的有机化合物作为空穴注入电极层130b的空穴输运用有机化合物131b(第二有机化合物)，因此也具有如上述实施方式1、2那样，由于使从电子注入用金属注入的电子和从空穴注入用金属注入的空穴这两者流动，而不必需使用具有双极性的有机化合物的优点。
对作为根据实施方式3的有机器件用电极的层叠电极130的形成方法不做特别限定，能够利用公知现有的各种方法。例如在使用进行两次二元蒸镀的形成方法的情况下，将成为电子输运用有机化合物131a的有机化合物A、成为空穴输运用有机化合物131b的有机化合物B、成为电子注入用金属122的金属(功函数小于等于4.2(eV)的金属)、成为空穴注入用金属123的金属(功函数大于4.2(eV)的金属)分别装入同一腔内的不同的舟皿上，在真空下，最初通过共同蒸镀有机化合物A和功函数小于等于4.2(eV)的金属，形成电子注入电极层130a，然后通过共同蒸镀有机化合物B和功函数大于4.2(eV)的金属，形成空穴注入电极层130b，由此能够形成层叠电极130。
并且，作为用作电子注入电极层130a中的电子输运用有机化合物131a优选的电子输运性高的有机化合物，可以举出BND、PBD、OXD-7、TAZ、BPhen、BCP、TPBI、Alq3、BeBq2、BAlq、Zn(BOX)2等；作为用作空穴注入电极层130b中的空穴输运用有机化合物131b优选的空穴输运性高的有机物，可以举出TPD、α-NPD、TDATA、MTDATA、PVT、PVK等。另外，作为层叠电极130的电子注入电极层130a中的电子注入用电极132，能够应用与上述实施方式1中的电子注入用金属112相同的电子注入用金属；作为层叠电极130的空穴注入电极层130b中的空穴注入用金属133能够应用上述实施方式1中的空穴注入用金属113。
(有机器件结构例1)
下面，作为使用关于上述实施方式的有机器件用电极构成的有机器件的结构例，说明对于有机EL元件的应用例。图4表示该元件的结构。
图4是将一并具有电子注入功能和空穴注入功能的有机器件用电极(上述的实施方式1～3的任何一种都可以应用)作为内部电极导入的公知有机EL元件(MPE元件)，201是阳极，202是阴极，203a是第一场致发光层，203b是第二场致发光层，204是电荷产生层。并且，第一场致发光层203a以及第二场致发光层203b是包含可场致发光或者可通过载流子注入发光的有机化合物的层。另外，电荷产生层204不与外部电路相连接，成为浮置状的内部电极。
在上述结构的有机EL元件中，在向阳极201和阴极202之间施加了电压V的情况下，分别从电荷产生层204向第一场致发光层203a注入电子，从电荷产生层204向第二场致发光层203b注入空穴。另一方面，从外部电路看，由于从阳极201向第一场致发光层203a注入空穴，从阴极202向第二场致发光层203b注入电子，因此在第一场致发光层203a以及第二场致发光层203b这两者中，载流子发生再次结合从而发光。此时，如果有电流I流动，第一场致发光层203a和第二场致发光层203b能够共同发射与电流I相对应大小的光子。因此，与仅有一层场致发光层的有机EL元件相比，具有用相同电流能够发射出两倍的量的光这样的优点。
并且，在本结构例中，是在电荷产生层上层叠两层场致发光层，但是通过层叠更多的场致发光层(在各场致发光层之间分别插入电荷产生层)，能够使电流效率提高多倍，在理论上，伴随着电流效率的提高，可期待元件寿命也有大的提高。但是，如果场致发光层的层叠数目增加，则为了流动相同电流I，将需要高电压。
(有机EL元件的实施例)
作为上述的有机EL元件中的电荷产生层，能够应用实施方式1～3中的任一个电极结构，不过在这里说明制作应用了根据实施方式3的有机器件用电极的有机EL元件的例子。即，在图4中，以第一场致发光层203a一侧为电子注入电极层204a，第二场致发光层203b一侧为空穴注入电极层204b的方式，形成电荷产生层204。
首先，将对作为阳极201使用的ITO进行了构图的玻璃基板用乙醇煮沸清洗，然后用臭氧等离子清洗机清洗基板表面。将该清洗过的基板和蒸镀的材料置于真空蒸镀装置内之后，将腔内减压到10-4Pa左右。
在达到希望的真空度后，首先以0.2-0.4nm/s左右的速率蒸镀TPD，制成70nm的膜。然后，以0.2-0.4nm/s左右的速率蒸镀Alq3，制成60nm的膜。以上，成为第一场致发光层203a。
然后，通过将Mg的蒸镀速率固定在0.1nm/s，同时使Alq3也蒸发，进行Mg和Alq3的共同蒸镀。此时，由于调整为总蒸镀速率为0.2nm/s，因此Mg和Alq3的比率是重量比为1∶1(摩尔比为约19∶1)。并且，该共同蒸镀层形成了10nm。进一步地，通过将Au的蒸镀速率固定在0.1nm/s，同时使TPD也蒸发，进行Au和TPD的共同蒸镀。此时，由于调整为总蒸镀速率为0.2nm/s，因此Au和TPD的比率是重量比为1∶1(摩尔比为约2.6∶1)。并且，该共同蒸镀层形成了10nm。以上共计20nm的共同蒸镀层是本发明的有机器件用电极，作为电荷产生层204起作用。
在这样形成的电荷产生层204上，与第一场致发光层203a一样，形成了层叠了TPD(70nm)和Alq3(60nm)的第二场致发光层203b。进而，用与上述同样的方法，通过以Mg和Alq3重量比1∶1的方式共同蒸镀，形成10nm的共同蒸镀层，然后用0.2-0.4nm/s左右的蒸镀速率形成80nm的Al膜，成为阴极202。
图5示出使用了如上所述形成的本发明的有机器件用电极的多光子发射元件(ITO/TPD(70nm)/Alq3(60nm)/Mg:Alq3(10nm)/Au:TPD(10nm)/TPD(70nm)/Alq3(60nm)/Mg:Alq3(10nm)/Al(80nm))的特性。横轴是电流密度(V)，纵轴是外部量子效率(％：被取出到外部的光子数目/被注入的载流子数目)。发光时的外部量子效率是1.2-1.6％左右。
(比较例1)
为了比较，制作了不具有电荷产生层，即只有一层场致发光层的有机EL元件(ITO/TPD(70nm)/Alq3(60nm)/Mg:Alq3(10nm)/Al(80nm))。该特性也在图5中示出。发光时的外部量子效率是0.6-1.1％左右。
从该结果可知，在作为上述实施例示出的元件中，与比较例1的元件相比驱动电压上升，但是在外部量子效率上远远超过比较例1的元件，是作为多光子发射元件进行动作。因此，本发明的有机器件用电极是作为电荷产生层发挥其功能，并可注入空穴和电子这两者的载流子。
(比较例2)
进而，在比较例2中，制作了从上述实施例的器件中除去Au和TPD的共同蒸镀层，其他都相同的多光子发射元件。也就是元件结构为ITO/TPD(70nm)/Alq3(60nm)/Mg:Alq3(10nm)/TPD(70nm)/Alq3(60nm)/Mg:Alq3(10nm)/Al(80nm)。这种情况下，作为电荷产生层，变成仅应用了在有机化合物中混合了功函数小于等于4.2(eV)的金属的层(Mg和Alq3的共同蒸镀层)。
该比较例2的特性也在图5中示出。驱动电压比比较例1的元件上升，但是外部量子效率未提高，未作为多光子发射元件进行动作。因此，如本比较例2那样，仅仅是混合了功函数小的金属不能成为注入空穴、电子这两者的电极。
(有机器件结构例2)
下面，作为使用关于上述的各实施方式的有机器件用电极来构成的有机器件的构成例，说明应用于有机场效应晶体管的例子。在图6中表示该元件结构。
图6(a)是将电荷产生层作为内部电极导入的有机场效应晶体管，是由基板301、第一栅电极302、第一栅绝缘膜303、第一源电极304a、第一漏电极304b、使用了具有电子输运性的有机化合物的电子输运层305a、使用了具有空穴输运性的有机化合物的空穴输运层305b、电荷产生层306、第二漏电极307a、第二源电极307b、第二栅绝缘膜308、第二栅电极309构成。并且，在以下将电子输运层305a和空穴输运层305b合并称为有机半导体层。
在该结构中，当向第一栅电极302施加Vg1(＞0)，向第二栅电极309施加Vg2(＜0)时，如图6(a)所示，由于场效应，分别从电荷产生层306向电子输运层305a注入电子，向空穴输运层305b注入空穴。另一方面，由于存在第一栅绝缘膜303和第二栅绝缘膜308，因此不会从第一栅电极302或者第二栅电极309向有机半导体层中注入载流子。因此，分别在第一栅绝缘膜303表面附近的有机半导体层中蓄积电子，在第二栅绝缘膜308表面附近的有机半导体层中蓄积空穴，形成电子和空穴各自的电荷蓄积沟道层。
此时，如图6(b)所示，向第一源电极304a和第一漏电极304b之间施加Vsd1(＞0)，向第二源电极307b和第二漏电极307a之间施加Vsd2(＜0)。于是，第一栅绝缘膜303附近的电子蓄积沟道层的电子和第二栅绝缘膜308附近的空穴蓄积沟道层的空穴在各自的源-漏电路中流动电流。
虽然认为这样得到的有机场效应晶体管具有可高速控制大电流量的实用性，但是电荷产生层306必须具有分别向图6中的向上方向注入空穴，向下方向注入电子的功能。于是，根据实施方式1的有机器件用电极可与极性无关地、保持原样作为电荷产生层306使用，根据实施方式2的有机器件用电极，可通过在电子输运层305a一侧配置电子注入区域，在空穴输运层305b一侧配置空穴注入区域，作为电荷产生层306使用，根据实施方式3的有机器件用电极，可通过在电子输运层305a一侧配置电子注入电极层，在空穴输运层305b一侧配置空穴注入电极层，作为电荷产生层306使用。
虽然说明了使用了依照本发明的有机器件用电极的有机场效应晶体管，但是根据本发明的有机器件用电极也能够搭载在电子装置上。作为电子装置可以举出便携电话、个人计算机、监视器、视频摄像机、数字照相机、眼镜型显示器、导航系统、组合音响、汽车音响、游戏机、移动计算机、便携型游戏机、电子图书、具有记录介质的图像重放装置等。这些电子装置的具体例子在图7(a)-(g)中示出。
图7(a)示出显示装置的一个实施例，包含框体1001、支撑台1002、显示部1003、扬声器部1004、视频输入端子1005等。本发明的有机器件用电极被搭载到上述显示部1003等上。并且，作为搭载了有机器件用电极的显示装置，包含计算机用、TV广播接收用、广告显示用等的信息显示用装置。
图7(b)示出笔记本型个人计算机的一个实施例，包含主体1201、框体1202、显示部1203、键盘1204、外部连接端口1205、指示鼠标1206等。本发明的有机器件用电极被搭载在上述显示部1203等上。
图7(c)示出移动计算机的一个实施例，包含主体1301、显示部1302、开关1303、操作键1304、红外端口1305等。本发明的有机器件用电极被搭载到上述显示部1302等上。
图7(d)示出具有记录介质的便携式图像重放装置(具体的是DVD重放装置)的一个实施例，包括主体1401、框体1402、显示部1403、显示部1404、记录介质(DVD等)读入部1405、操作键1406、扬声器部1407等。显示部1403主要显示图像信息，显示部1404主要显示文字信息，将本发明的有机器件用电极搭载到这些显示部1403、1404等上。并且，在具有记录介质的图像重放装置中也包含家庭用游戏机等。
图7(e)示出眼镜型显示器的一个实施例，包含主体1501、显示部1502、支架部1503。本发明的有机器件用电极被搭载在上述显示部1502等上。
图7(f)示出视频摄像机的一个实施例，包含主体1601、显示部1602、框体1603、外部连接端口1604、遥控接收部1605、图像接收部1606、电池1607、声音输入部1608、操作键1609、目镜1610等。本发明的有机器件用电极被搭载在显示部1602等上。
这里图7(g)示出便携电话的一实施例，包含主体1701、框体1702、显示部1703、声音输入部1704、声音输出部1705、操作键1706、外部连接端口1707、天线1708等。通过将本发明的有机器件用电极用于该显示部1703等来制造。并且，显示部1703通过在黑色背景上显示白色文字，能够抑制便携电话的消耗功率。
如上所示，本发明的有机器件用电极应用范围极广，通过将该有机器件用电极应用于所有领域的电子装置，可扩大通用性。

Claims (5)

1.一种有机器件，包括：
第一栅电极；
在所述第一栅电极上的第一栅绝缘膜；
在所述第一栅绝缘膜上的第一有机层；
在所述第一有机层上的电极；
在所述电极上的第二有机层；
在所述第二有机层上的第二栅绝缘膜；以及
在所述第二栅绝缘膜上的第二栅电极，
其中，所述电极包括功函数小于等于4.2eV的金属、功函数大于4.2eV的金属和有机化合物。
2.根据权利要求1的有机器件，其中，
所述有机化合物包括π共轭的有机化合物。
3.根据权利要求2的有机器件，其中，
所述有机化合物包括双极性的有机化合物。
4.根据权利要求1的有机器件，其中，
所述电极包括第一区域和第二区域，在所述第一区域中，功函数小于等于4.2eV的金属与所述有机化合物混合，在所述第二区域中，功函数大于4.2eV的金属与所述有机化合物混合，并且
所述第一区域和所述第二区域分别与所述第一有机层和所述第二有机层接触。
5.一种电子设备，包括根据权利要求1的有机器件，其中，
所述电子设备选自便携电话、个人计算机、监视器、视频摄像机、数字照相机、眼镜型显示器、导航系统、组合音响、汽车音响、游戏机、电子图书以及具有记录介质的图像重放装置。
CN2010102548332A 2003-08-25 2004-08-24 有机器件以及具有该有机器件的电子设备 Expired - Fee Related CN101931050B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003299441 2003-08-25
JP2003-299441 2003-08-25

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2004800243154A Division CN1843062B (zh) 2003-08-25 2004-08-24 有机器件以及具有该有机器件的电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101931050A CN101931050A (zh) 2010-12-29
CN101931050B true CN101931050B (zh) 2012-05-02

Family

ID=34213758

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2004800243154A Expired - Fee Related CN1843062B (zh) 2003-08-25 2004-08-24 有机器件以及具有该有机器件的电子设备
CN2010102548332A Expired - Fee Related CN101931050B (zh) 2003-08-25 2004-08-24 有机器件以及具有该有机器件的电子设备

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2004800243154A Expired - Fee Related CN1843062B (zh) 2003-08-25 2004-08-24 有机器件以及具有该有机器件的电子设备

Country Status (4)

Country Link
US (3) US7511421B2 (zh)
JP (2) JP4666633B2 (zh)
CN (2) CN1843062B (zh)
WO (1) WO2005020643A1 (zh)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG113443A1 (en) 2001-12-05 2005-08-29 Semiconductor Energy Laboratao Organic semiconductor element
EP1367659B1 (en) * 2002-05-21 2012-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field effect transistor
US7504049B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device
US7511421B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mixed metal and organic electrode for organic device
US7737625B2 (en) * 2004-03-25 2010-06-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device with carrier blocking layer interposed between two emitting layers
WO2005115059A1 (en) * 2004-05-21 2005-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device using the element
WO2006022193A1 (en) * 2004-08-23 2006-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and lighting system
US8026531B2 (en) 2005-03-22 2011-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7560735B2 (en) 2005-04-22 2009-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, organic transistor, light-emitting device, and electronic device
US20060244373A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing thereof
US7728517B2 (en) * 2005-05-20 2010-06-01 Lg Display Co., Ltd. Intermediate electrodes for stacked OLEDs
JP5072271B2 (ja) * 2005-06-22 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、及びそれを用いた電子機器
US8017252B2 (en) 2005-06-22 2011-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
US8415878B2 (en) 2005-07-06 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP5078246B2 (ja) * 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
EP1784055A3 (en) * 2005-10-17 2009-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting system
US20070194321A1 (en) * 2006-02-17 2007-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
EP1821579A3 (en) * 2006-02-17 2008-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic appliance
US7528418B2 (en) * 2006-02-24 2009-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
KR100774200B1 (ko) 2006-04-13 2007-11-08 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
KR101384785B1 (ko) * 2006-06-01 2014-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 발광장치 및 전자기기
TWI317182B (en) * 2006-07-07 2009-11-11 Au Optronics Corp Tandem organic electroluminescent elements and uses of the same
US9397308B2 (en) 2006-12-04 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US8164933B2 (en) * 2007-04-04 2012-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power source circuit
US7821201B2 (en) * 2008-01-31 2010-10-26 Global Oled Technology Llc Tandem OLED device with intermediate connector
JP2010040444A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5477547B2 (ja) * 2009-06-22 2014-04-23 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JPWO2011046166A1 (ja) * 2009-10-14 2013-03-07 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびこれを用いた照明装置
EP2503616A1 (en) * 2011-03-21 2012-09-26 Polyphotonix Limited Emissive element for light emitting device, light emitting device and method for manufacturing such element and device
CN102810646A (zh) * 2011-06-03 2012-12-05 海洋王照明科技股份有限公司 叠层有机电致发光器件及其制备方法
JP5785808B2 (ja) * 2011-07-20 2015-09-30 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法
ITMI20111446A1 (it) * 2011-07-29 2013-01-30 E T C Srl Transistor organico elettroluminescente
KR101774491B1 (ko) 2011-10-14 2017-09-13 삼성전자주식회사 유기 포토다이오드를 포함하는 유기 픽셀, 이의 제조 방법, 및 상기 유기 픽셀을 포함하는 장치들
DE102012102910B4 (de) * 2012-04-03 2016-09-22 Novaled Ag Vertikaler organischer Transistor und Verfahren zum Herstellen
WO2014073300A1 (ja) 2012-11-09 2014-05-15 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102012112796B4 (de) * 2012-12-20 2019-09-19 Novaled Gmbh Vertikaler organischer Transistor, Schaltungsanordnung und Anordnung mit vertikalem organischen Transistor sowie Verfahren zum Herstellen
CN103972406A (zh) * 2013-01-31 2014-08-06 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104701338B (zh) * 2013-12-09 2017-12-01 昆山国显光电有限公司 一种有机发光显示器件及其掩膜板
KR102135929B1 (ko) * 2013-12-31 2020-07-20 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
KR102331101B1 (ko) * 2015-01-02 2021-11-26 엘지전자 주식회사 혼합 전하주입층 및 그 이용 방법
CN108281564B (zh) * 2017-01-05 2020-07-24 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种电极及应用其的有机电致发光器件
JP2018113149A (ja) * 2017-01-11 2018-07-19 日本放送協会 導電膜、電極、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置および薄膜太陽電池
WO2019187266A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 Ｎｅｃライティング株式会社 有機ｅｌ装置および有機ｅｌ照明装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1348222A (zh) * 2001-11-09 2002-05-08 清华大学 一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法

Family Cites Families (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US517280A (en) * 1894-03-27 Bedstead
JPS55140277A (en) 1979-04-19 1980-11-01 Ricoh Co Ltd Organic phtotovoltaic element
US4552927A (en) 1983-09-09 1985-11-12 Rockwell International Corporation Conducting organic polymer based on polypyrrole
US4878097A (en) 1984-05-15 1989-10-31 Eastman Kodak Company Semiconductor photoelectric conversion device and method for making same
US4950614A (en) 1984-05-15 1990-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making a tandem type semiconductor photoelectric conversion device
US4741976A (en) 1984-07-31 1988-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescent device
US4871236A (en) 1985-09-18 1989-10-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic thin film display element
DE3745132C2 (de) 1987-01-13 1998-03-19 Hoegl Helmut Photovoltaische Solarzellenanordnung mit mindestens zwei auf Abstand voneinander angeordneten Solarzellen-Elementen
JP2813428B2 (ja) 1989-08-17 1998-10-22 三菱電機株式会社 電界効果トランジスタ及び該電界効果トランジスタを用いた液晶表示装置
US5364654A (en) 1990-06-14 1994-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Process for production of a thin film electrode and an electroluminescence device
JP2846503B2 (ja) * 1990-06-14 1999-01-13 出光興産株式会社 素子用薄膜電極及びそれを有するエレクトロルミネッセンス素子並びにそれらの製造方法
US5684320A (en) 1991-01-09 1997-11-04 Fujitsu Limited Semiconductor device having transistor pair
US5229310A (en) 1991-05-03 1993-07-20 Motorola, Inc. Method for making a self-aligned vertical thin-film transistor in a semiconductor device
US5294870A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5331183A (en) 1992-08-17 1994-07-19 The Regents Of The University Of California Conjugated polymer - acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells
JP2605555B2 (ja) 1992-09-14 1997-04-30 富士ゼロックス株式会社 無機薄膜ｅｌ素子
JP3243311B2 (ja) * 1992-12-15 2002-01-07 キヤノン株式会社 電界発光素子
GB9317932D0 (en) 1993-08-26 1993-10-13 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
US5682043A (en) 1994-06-28 1997-10-28 Uniax Corporation Electrochemical light-emitting devices
KR0164457B1 (ko) 1995-01-20 1999-04-15 김은영 백색발광용 전계발광소자 및 그 제조방법
US5858561A (en) 1995-03-02 1999-01-12 The Ohio State University Bipolar electroluminescent device
US5677546A (en) 1995-05-19 1997-10-14 Uniax Corporation Polymer light-emitting electrochemical cells in surface cell configuration
JP4477150B2 (ja) 1996-01-17 2010-06-09 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機薄膜ｅｌ素子
JP3808534B2 (ja) 1996-02-09 2006-08-16 Ｔｄｋ株式会社 画像表示装置
DE69724129T2 (de) 1996-09-04 2004-02-26 Cambridge Display Technology Ltd. Lichtemittierende organische vorrichtungen mit verbesserter kathode
JP3173395B2 (ja) 1996-11-26 2001-06-04 富士ゼロックス株式会社 電荷輸送性材料及びそれに用いる電荷輸送性微粒子の製造方法
JPH10270171A (ja) 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
US5757139A (en) * 1997-02-03 1998-05-26 The Trustees Of Princeton University Driving circuit for stacked organic light emitting devices
US5917280A (en) 1997-02-03 1999-06-29 The Trustees Of Princeton University Stacked organic light emitting devices
KR100248392B1 (ko) 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
US6337492B1 (en) 1997-07-11 2002-01-08 Emagin Corporation Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer
JP3333130B2 (ja) 1998-01-28 2002-10-07 松下電器産業株式会社 複合電極、その製造方法、およびリチウム二次電池
EP1051752A2 (en) 1998-02-02 2000-11-15 Uniax Corporation Image sensors made from organic semiconductors
JPH11251067A (ja) 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
GB9806066D0 (en) 1998-03-20 1998-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Multilayer photovoltaic or photoconductive devices
JP3884564B2 (ja) 1998-05-20 2007-02-21 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置
US6657300B2 (en) * 1998-06-05 2003-12-02 Lumileds Lighting U.S., Llc Formation of ohmic contacts in III-nitride light emitting devices
CN1941453A (zh) 1998-06-26 2007-04-04 出光兴产株式会社 发光器件
US6297495B1 (en) 1998-08-19 2001-10-02 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic devices with a top transparent electrode
US6198092B1 (en) 1998-08-19 2001-03-06 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically parallel configuration
US6278055B1 (en) 1998-08-19 2001-08-21 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically series configuration
US6198091B1 (en) 1998-08-19 2001-03-06 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with a mixed electrical configuration
US6352777B1 (en) 1998-08-19 2002-03-05 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic devices with transparent electrodes
US6451415B1 (en) 1998-08-19 2002-09-17 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device with an exciton blocking layer
JP3125763B2 (ja) 1998-09-04 2001-01-22 日本電気株式会社 電池用電極、二次電池、及びそれらの製造方法
US6214631B1 (en) 1998-10-30 2001-04-10 The Trustees Of Princeton University Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask
DE19905694A1 (de) 1998-11-27 2000-08-17 Forschungszentrum Juelich Gmbh Bauelement
JP2000196140A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
JP3641963B2 (ja) 1999-02-15 2005-04-27 双葉電子工業株式会社 有機ｅｌ素子とその製造方法
JP2000260572A (ja) 1999-03-04 2000-09-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネル
JP2000306676A (ja) 1999-04-21 2000-11-02 Chemiprokasei Kaisha Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000315581A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US6486413B1 (en) 1999-11-17 2002-11-26 Ebara Corporation Substrate coated with a conductive layer and manufacturing method thereof
JP3450304B2 (ja) * 2000-01-13 2003-09-22 松下電器産業株式会社 電極体、それを備えた薄膜ｅｌ素子及びその製造方法、並びに薄膜ｅｌ素子を備えた表示装置及び照明装置
US6849346B2 (en) * 2000-01-13 2005-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrode and thin film EL device including the same and methods of fabricating the same and display device and lighting system including the thin film EL device
JP4477729B2 (ja) 2000-01-19 2010-06-09 シャープ株式会社 光電変換素子及びそれを用いた太陽電池
US6580213B2 (en) 2000-01-31 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2001244074A (ja) 2000-02-28 2001-09-07 Technology Licensing Organization Inc 発光素子及びその製造方法
KR100329571B1 (ko) 2000-03-27 2002-03-23 김순택 유기 전자 발광소자
AT410729B (de) 2000-04-27 2003-07-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten
ATE374795T1 (de) 2000-06-12 2007-10-15 Sumation Co Ltd Elektrolumineszierende materialien und gegenstände aus einer polymermatrix
JP2001357975A (ja) 2000-06-16 2001-12-26 Rohm Co Ltd 有機ｅｌ素子
JP2002033193A (ja) 2000-07-13 2002-01-31 Hitachi Ltd 有機発光素子
JP2002164170A (ja) 2000-11-27 2002-06-07 Matsushita Electric Works Ltd 白色有機エレクトロルミネッセンスパネル
US6803720B2 (en) 2000-12-15 2004-10-12 Universal Display Corporation Highly stable and efficient OLEDs with a phosphorescent-doped mixed layer architecture
TW545080B (en) * 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US6841932B2 (en) 2001-03-08 2005-01-11 Xerox Corporation Display devices with organic-metal mixed layer
US7288887B2 (en) * 2001-03-08 2007-10-30 Lg.Philips Lcd Co. Ltd. Devices with multiple organic-metal mixed layers
US6740938B2 (en) 2001-04-16 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor provided with first and second gate electrodes with channel region therebetween
JP3955744B2 (ja) 2001-05-14 2007-08-08 淳二 城戸 有機薄膜素子の製造方法
US6580027B2 (en) 2001-06-11 2003-06-17 Trustees Of Princeton University Solar cells using fullerenes
US6657378B2 (en) 2001-09-06 2003-12-02 The Trustees Of Princeton University Organic photovoltaic devices
AU2002304247A1 (en) 2001-06-14 2003-01-02 Showa Denko K.K. Method for producing composite material for electrode comprising quinoxaline based polymer, such material, electrode and battery using the same
US6952023B2 (en) 2001-07-17 2005-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4611578B2 (ja) * 2001-07-26 2011-01-12 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
KR20030017748A (ko) 2001-08-22 2003-03-04 한국전자통신연구원 유기물 전계 효과 트랜지스터와 유기물 발광 다이오드가일체화된 유기물 전기 발광 소자 및 그 제조 방법
US6524884B1 (en) 2001-08-22 2003-02-25 Korea Electronics And Telecommunications Research Institute Method for fabricating an organic electroluminescene device having organic field effect transistor and organic eloectroluminescence diode
JP4054631B2 (ja) * 2001-09-13 2008-02-27 シャープ株式会社 半導体発光素子およびその製造方法、ｌｅｄランプ並びにｌｅｄ表示装置
TW519852B (en) 2001-10-18 2003-02-01 Opto Tech Corp Organic light emitting device capable of projecting white light source and its manufacturing method
GB0126757D0 (en) 2001-11-07 2002-01-02 Univ Cambridge Tech Organic field effect transistors
JP3983037B2 (ja) * 2001-11-22 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
SG113443A1 (en) 2001-12-05 2005-08-29 Semiconductor Energy Laboratao Organic semiconductor element
JP2003264085A (ja) 2001-12-05 2003-09-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池
US6872472B2 (en) 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4334907B2 (ja) * 2002-05-21 2009-09-30 株式会社半導体エネルギー研究所 有機電界効果トランジスタ
EP1367659B1 (en) 2002-05-21 2012-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field effect transistor
JP4368638B2 (ja) * 2002-08-09 2009-11-18 株式会社半導体エネルギー研究所 有機エレクトロルミネッセント素子
EP1388903B1 (en) 2002-08-09 2016-03-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US7045955B2 (en) 2002-08-09 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescence element and a light emitting device using the same
TWI272874B (en) 2002-08-09 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Organic electroluminescent device
TWI277363B (en) 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
JP2004111085A (ja) 2002-09-13 2004-04-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子
AU2003263609A1 (en) 2002-09-20 2004-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
US6717358B1 (en) 2002-10-09 2004-04-06 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability
CN102281659B (zh) 2002-12-26 2014-06-04 株式会社半导体能源研究所 发光装置和制造发光装置的方法
US20040124505A1 (en) 2002-12-27 2004-07-01 Mahle Richard L. Semiconductor device package with leadframe-to-plastic lock
JPWO2004068911A1 (ja) 2003-01-29 2006-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7868331B2 (en) 2003-06-13 2011-01-11 Panasonic Corporation Light-emitting device having a metal oxide semiconductor porous body with an organic light-emitting material
US7224118B2 (en) 2003-06-17 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode
US7511421B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mixed metal and organic electrode for organic device
US7504049B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device
US7635074B2 (en) * 2005-10-04 2009-12-22 Tyco Healthcare Group Lp Staple drive assembly

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1348222A (zh) * 2001-11-09 2002-05-08 清华大学 一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20050134173A1 (en) 2005-06-23
US7511421B2 (en) 2009-03-31
JP4666633B2 (ja) 2011-04-06
US8629429B2 (en) 2014-01-14
US20110215311A1 (en) 2011-09-08
JP2011040412A (ja) 2011-02-24
JPWO2005020643A1 (ja) 2006-10-26
CN1843062A (zh) 2006-10-04
CN1843062B (zh) 2010-10-13
CN101931050A (zh) 2010-12-29
WO2005020643A1 (ja) 2005-03-03
US20090230856A1 (en) 2009-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101931050B (zh) 有机器件以及具有该有机器件的电子设备
TW519770B (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
JP5031111B2 (ja) 発光素子
EP1469535B1 (en) Organic electroluminescent display device
US7548022B2 (en) Electroluminescence device
CN102027614B (zh) 发光元件、发光装置和电子设备
US8502210B2 (en) Light-emitting element and light-emitting device
CN100416884C (zh) 发光装置和其制造方法
CN102569662B (zh) 发光元件、发光器件和电子设备
KR101205192B1 (ko) 발광 소자 및 발광 장치
JP5264022B2 (ja) 電界発光素子
JPWO2005027587A1 (ja) 有機デバイス用電極、有機デバイス用電極を有する電子機器、および有機デバイス用電極の形成方法
JP2005209643A (ja) 発光素子
EP1653529B1 (en) Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same
JP2005158715A (ja) 発光素子および前記発光素子を用いた発光装置、並びに前記発光装置を用いた電気機器
JP2005100977A (ja) 電界発光素子およびそれを用いた発光装置
US20060177692A1 (en) Organic light-emitting diodes and display comprising the same
CN115132931A (zh) 一种oled器件及显示装置
CN112467046A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120502

Termination date: 20180824