JP2605555B2 - 無機薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
無機薄膜ｅｌ素子Info
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- JP2605555B2 JP2605555B2 JP4269081A JP26908192A JP2605555B2 JP 2605555 B2 JP2605555 B2 JP 2605555B2 JP 4269081 A JP4269081 A JP 4269081A JP 26908192 A JP26908192 A JP 26908192A JP 2605555 B2 JP2605555 B2 JP 2605555B2
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、無機薄膜ＥＬ素子に関
し、さらに詳しくは、平面光源やディスプレイ等に利用
される無機薄膜ＥＬ素子に関するものである。
し、さらに詳しくは、平面光源やディスプレイ等に利用
される無機薄膜ＥＬ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】無機薄膜ＥＬ素子は、フラットパネルデ
ィスプレイ、平面光源としての用途が注目されており、
これまでに、ＺｎＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ等の少なくとも１
種を母体とし、発光中心としてＭｎ、Ｔｂ、Ｓｎ、Ｃ
ｅ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｔｍ等の少なくとも１つを３原子％以
下にドープした無機螢光体が用いられている。（特開平
３−１８７１９１号公報） これらのうち、橙色螢光体としてはＺｎＳ：Ｍｎが研究
され、その輝度、寿命等の特性が優れているためフラッ
トパネルディスプレイとして利用されている。また、緑
色発光螢光体としてのＺｎＳ：Ｔｂ等、亜鉛硫化物の研
究が広く行われている。その他の母体として、青色発光
螢光体としてはＳｒＳ：Ｃｅ、赤色発光螢光体としては
ＣａＳ：Ｅｕ、緑色発光螢光体としてはＣａＳ：Ｃｅ
等、アルカリ土類金属硫化物からなる螢光体も盛んに研
究されている。また、螢光体の発光メカニズムをみる
と、Ｍｎ等の遷移金属は直接母体の電子が衝突して発光
するのに対して、アルカリ希土類は母体のバンドギャッ
プに対応するエネルギーが遷移して発光する割合が大き
い。アルカリ土類金属の硫化物はそのバンドギャップエ
ネルギーが４．３〜４．４ｅＶであり、ＺｎＳも３．６
ｅＶであり、高エネルギーが必要となる青色〜紫外の発
光を得るためには、これらの化合物のバンドギャップエ
ネルギーが小さいので、高バンドギャップエネルギーを
持つＺｎＦ2 ：Ｇｄ（７〜８ｅＶ）（Ｊ．Ｊ．Ａ．
Ｐ．，ｖｏｌ．１０Ｂ（１９９１），ｐ１８１５〜１８
１６）や、ＣａＦ2 ：Ｅｕ（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅ
ｔｔ．，４１，１９８２，ｐ４６２）を母体とする研究
が行われてきた。
ィスプレイ、平面光源としての用途が注目されており、
これまでに、ＺｎＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ等の少なくとも１
種を母体とし、発光中心としてＭｎ、Ｔｂ、Ｓｎ、Ｃ
ｅ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｔｍ等の少なくとも１つを３原子％以
下にドープした無機螢光体が用いられている。（特開平
３−１８７１９１号公報） これらのうち、橙色螢光体としてはＺｎＳ：Ｍｎが研究
され、その輝度、寿命等の特性が優れているためフラッ
トパネルディスプレイとして利用されている。また、緑
色発光螢光体としてのＺｎＳ：Ｔｂ等、亜鉛硫化物の研
究が広く行われている。その他の母体として、青色発光
螢光体としてはＳｒＳ：Ｃｅ、赤色発光螢光体としては
ＣａＳ：Ｅｕ、緑色発光螢光体としてはＣａＳ：Ｃｅ
等、アルカリ土類金属硫化物からなる螢光体も盛んに研
究されている。また、螢光体の発光メカニズムをみる
と、Ｍｎ等の遷移金属は直接母体の電子が衝突して発光
するのに対して、アルカリ希土類は母体のバンドギャッ
プに対応するエネルギーが遷移して発光する割合が大き
い。アルカリ土類金属の硫化物はそのバンドギャップエ
ネルギーが４．３〜４．４ｅＶであり、ＺｎＳも３．６
ｅＶであり、高エネルギーが必要となる青色〜紫外の発
光を得るためには、これらの化合物のバンドギャップエ
ネルギーが小さいので、高バンドギャップエネルギーを
持つＺｎＦ2 ：Ｇｄ（７〜８ｅＶ）（Ｊ．Ｊ．Ａ．
Ｐ．，ｖｏｌ．１０Ｂ（１９９１），ｐ１８１５〜１８
１６）や、ＣａＦ2 ：Ｅｕ（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅ
ｔｔ．，４１，１９８２，ｐ４６２）を母体とする研究
が行われてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＺｎＳ：Ｍｎを除き、
上記の硫化物を用いた無機螢光体は、フラットパネルデ
ィスプレイ、平面光源として利用するためには、発光輝
度、効率、寿命が十分でなく、現在実用的なカラーフラ
ットパネルディスプレイは形成されていない。本発明
は、上述のような従来の問題点に対処すべく、実用レベ
ルでフルカラー表示の可能な無機薄膜ＥＬ素子を提供す
ることを目的とする。
上記の硫化物を用いた無機螢光体は、フラットパネルデ
ィスプレイ、平面光源として利用するためには、発光輝
度、効率、寿命が十分でなく、現在実用的なカラーフラ
ットパネルディスプレイは形成されていない。本発明
は、上述のような従来の問題点に対処すべく、実用レベ
ルでフルカラー表示の可能な無機薄膜ＥＬ素子を提供す
ることを目的とする。
【０００４】
【問題を解決するための手段】本発明者は、フルカラー
化が可能な無機薄膜ＥＬ素子用無機螢光体を探索した結
果、ランタンの弗素化合物が希土類元素を安定に含有
し、また高いバンドギャップエネルギーを有するという
知見に基づいて、ランタンの弗素化合物と希土類元素を
含有する新規な組成の無機螢光体が強いＥＬ発光強度を
示すことを見出し、本発明を完成するに至った。すなわ
ち、本発明は、ランタンの弗素化合物と希土類元素の金
属およびその化合物の少なくともいずれか１種とを含む
発光層を有する無機薄膜ＥＬ素子にある。
化が可能な無機薄膜ＥＬ素子用無機螢光体を探索した結
果、ランタンの弗素化合物が希土類元素を安定に含有
し、また高いバンドギャップエネルギーを有するという
知見に基づいて、ランタンの弗素化合物と希土類元素を
含有する新規な組成の無機螢光体が強いＥＬ発光強度を
示すことを見出し、本発明を完成するに至った。すなわ
ち、本発明は、ランタンの弗素化合物と希土類元素の金
属およびその化合物の少なくともいずれか１種とを含む
発光層を有する無機薄膜ＥＬ素子にある。
【０００５】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
無機薄膜ＥＬ素子において、発光層はランタンの弗素化
合物および発光中心として希土類元素の金属または化合
物を必須成分とする。そのうち、ランタンの弗素化合物
は希土類元素を安定に含有し、８〜１０ｅＶという高い
バンドギャップエネルギーを有する。また、希土類元素
はランタンの弗素化合物中にドープすることでドナーと
して働き、キャリア濃度を増加させる。本発明では、従
来の無機螢光体に比べて、希土類元素を多くドープして
母体のキャリア濃度を増加させたもので、無機螢光体を
高輝度に発光することが可能である。
無機薄膜ＥＬ素子において、発光層はランタンの弗素化
合物および発光中心として希土類元素の金属または化合
物を必須成分とする。そのうち、ランタンの弗素化合物
は希土類元素を安定に含有し、８〜１０ｅＶという高い
バンドギャップエネルギーを有する。また、希土類元素
はランタンの弗素化合物中にドープすることでドナーと
して働き、キャリア濃度を増加させる。本発明では、従
来の無機螢光体に比べて、希土類元素を多くドープして
母体のキャリア濃度を増加させたもので、無機螢光体を
高輝度に発光することが可能である。
【０００６】希土類元素としては、セリウム（Ｃｅ）、
プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム
（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇ
ｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、
ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム
（Ｔｍ）およびイッテルビウム（Ｙｂ）等が挙げられ、
これらの希土類元素は単独または２種以上併用すること
ができる。また、希土類元素は、金属または弗素、塩
素、臭素、ヨウ素および酸素のうち少なくとも１種の原
子と結合した化合物のいずれであってもよい。
プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム
（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇ
ｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、
ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム
（Ｔｍ）およびイッテルビウム（Ｙｂ）等が挙げられ、
これらの希土類元素は単独または２種以上併用すること
ができる。また、希土類元素は、金属または弗素、塩
素、臭素、ヨウ素および酸素のうち少なくとも１種の原
子と結合した化合物のいずれであってもよい。
【０００７】無機薄膜ＥＬ素子の発光層を構成する希土
類元素の割合は、その金属または化合物が５〜９０重量
％の範囲で使用することが好ましく、ランタンの弗素化
合物の割合は１０〜９５重量％の範囲が好ましい。発光
層は、ガドリニウムを添加することで得られる紫外光、
プラセオジムを添加することで得られる青色光、テルビ
ウムを添加することで得られる緑色光、ユウロピウムを
添加することで得られる橙色光等、希土類元素の種類に
より発光色を紫外光から赤外光まで変化させることが可
能である。
類元素の割合は、その金属または化合物が５〜９０重量
％の範囲で使用することが好ましく、ランタンの弗素化
合物の割合は１０〜９５重量％の範囲が好ましい。発光
層は、ガドリニウムを添加することで得られる紫外光、
プラセオジムを添加することで得られる青色光、テルビ
ウムを添加することで得られる緑色光、ユウロピウムを
添加することで得られる橙色光等、希土類元素の種類に
より発光色を紫外光から赤外光まで変化させることが可
能である。
【０００８】この発光層は、ランタンの弗素化合物およ
び希土類元素からなる発光成分を加圧焼結したペレッ
ト、または発光成分に共賦活剤、例えば金、亜鉛等の低
融点金属を添加して加圧固着したペレットを電子ビーム
蒸着法等の真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、
ＭＯＣＶＤ法などにより形成される。その厚さは０．２
〜３．０μｍの範囲とすることが好ましい。
び希土類元素からなる発光成分を加圧焼結したペレッ
ト、または発光成分に共賦活剤、例えば金、亜鉛等の低
融点金属を添加して加圧固着したペレットを電子ビーム
蒸着法等の真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、
ＭＯＣＶＤ法などにより形成される。その厚さは０．２
〜３．０μｍの範囲とすることが好ましい。
【０００９】本発明の無機薄膜ＥＬ素子は、無機螢光体
として発光層を有するものであり、例えば、図１に示す
ように、絶縁性基板１上に背面電極２、絶縁層３、発光
層４、絶縁層３、透明電極５を順次積層した構造、図２
に示すように、透明基板６上に透明電極５、絶縁層３、
発光層４、絶縁層３、背面電極２を順次積層した構造等
がある。さらに、図１に示す発光層４とその両面の絶縁
層３間に半導体層を介在させたもの、すなわち図３に示
すように、絶縁性基板１上に背面電極２、絶縁層３、半
導体層７、発光層４、半導体層７、絶縁層３、透明電極
５を順次積層した構造とすることもできる。これらの無
機薄膜ＥＬ素子を作製するには、前記発光層の形成と同
様の方法により、基板上に各層を順次形成して図１〜３
に示す構造の無機薄膜ＥＬ素子を作製することができ
る。
として発光層を有するものであり、例えば、図１に示す
ように、絶縁性基板１上に背面電極２、絶縁層３、発光
層４、絶縁層３、透明電極５を順次積層した構造、図２
に示すように、透明基板６上に透明電極５、絶縁層３、
発光層４、絶縁層３、背面電極２を順次積層した構造等
がある。さらに、図１に示す発光層４とその両面の絶縁
層３間に半導体層を介在させたもの、すなわち図３に示
すように、絶縁性基板１上に背面電極２、絶縁層３、半
導体層７、発光層４、半導体層７、絶縁層３、透明電極
５を順次積層した構造とすることもできる。これらの無
機薄膜ＥＬ素子を作製するには、前記発光層の形成と同
様の方法により、基板上に各層を順次形成して図１〜３
に示す構造の無機薄膜ＥＬ素子を作製することができ
る。
【００１０】無機薄膜ＥＬ素子の基板、電極、絶縁層と
しては公知の材料を用いることができる。例えば絶縁層
としては、ＺｎＦ2 、ＣａＦ2 、ＭｇＦ2 、ＳｉＮｘ、
ＴａＯｘ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＰｂＴｉＯ3 等が用
いられ、これらを二重に積層してもよい。また、発光の
輝度を向上させるためのキャリアの注入層として、図３
に示す半導体層を形成してもよい。層を構成する半導体
としては、水素化アモルファスシリコン、ＣａＳ、Ｍｇ
Ｓ等の周期律表第II族−第VI族元素化合物、ＨｇＩ2 等
の第II族−第VII 族元素化合物、ＡｌＡｓ、ＧａＮ等の
第III 族−第Ｖ族元素化合物、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ2 等の
第IV族−第VI族元素化合物、Ａｓ2 Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 等
の第Ｖ族−第VI族元素化合物などの無機半導体、あるい
はポリビニルカルバゾール、ＴＰＤ等の有機半導体が用
いられる。
しては公知の材料を用いることができる。例えば絶縁層
としては、ＺｎＦ2 、ＣａＦ2 、ＭｇＦ2 、ＳｉＮｘ、
ＴａＯｘ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＰｂＴｉＯ3 等が用
いられ、これらを二重に積層してもよい。また、発光の
輝度を向上させるためのキャリアの注入層として、図３
に示す半導体層を形成してもよい。層を構成する半導体
としては、水素化アモルファスシリコン、ＣａＳ、Ｍｇ
Ｓ等の周期律表第II族−第VI族元素化合物、ＨｇＩ2 等
の第II族−第VII 族元素化合物、ＡｌＡｓ、ＧａＮ等の
第III 族−第Ｖ族元素化合物、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ2 等の
第IV族−第VI族元素化合物、Ａｓ2 Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 等
の第Ｖ族−第VI族元素化合物などの無機半導体、あるい
はポリビニルカルバゾール、ＴＰＤ等の有機半導体が用
いられる。
【００１１】
【実施例】以下に実施例を示して、本発明を具体的に説
明する。 実施例１ 弗化ガドリニウム１０重量％を弗化ランタン８９重量％
に混入し、共賦活剤として金１重量％を加えて８００ｋ
ｇ／ｃｍ2 にて加圧固着し、蒸着用ペレットとした。次
いで、絶縁性基板１上に形成されたアルミニウム製の背
面電極２上に、ＺｎＦｘを電子ビームで2000オンク゛ストロ-ム
の厚さに蒸着して絶縁層３を形成した。その後、上記ペ
レットを電子ビームで7000オンク゛ストロ-ムの厚さに蒸着して
発光層４を形成した。この発光層４上に上記と同様にし
て絶縁層３を形成し、その上にＩＴＯからなる透明電極
５を1000オンク゛ストロ-ムの厚さに蒸着した。以上のようにし
て作製された無機薄膜ＥＬ素子の発光特性を調べたとこ
ろ、３１２ｎｍ付近にピークを有する紫外の発光が０．
０１ｍＷ／ｃｍ2 の強度で得られた。
明する。 実施例１ 弗化ガドリニウム１０重量％を弗化ランタン８９重量％
に混入し、共賦活剤として金１重量％を加えて８００ｋ
ｇ／ｃｍ2 にて加圧固着し、蒸着用ペレットとした。次
いで、絶縁性基板１上に形成されたアルミニウム製の背
面電極２上に、ＺｎＦｘを電子ビームで2000オンク゛ストロ-ム
の厚さに蒸着して絶縁層３を形成した。その後、上記ペ
レットを電子ビームで7000オンク゛ストロ-ムの厚さに蒸着して
発光層４を形成した。この発光層４上に上記と同様にし
て絶縁層３を形成し、その上にＩＴＯからなる透明電極
５を1000オンク゛ストロ-ムの厚さに蒸着した。以上のようにし
て作製された無機薄膜ＥＬ素子の発光特性を調べたとこ
ろ、３１２ｎｍ付近にピークを有する紫外の発光が０．
０１ｍＷ／ｃｍ2 の強度で得られた。
【００１２】実施例２ 弗化エルビウム１０重量％を弗化ランタン９０重量％に
混入し、８００ｋｇ／ｃｍ2 にて加圧焼結して蒸着用ペ
レットとした。次いで、ガラス製の透明基板６上に形成
されたＩＴＯからなる透明電極５上に、ＣａＦ2 を電子
ビームで2000オンク゛ストロ-ムの厚さに蒸着して絶縁層３を形
成した。その後、上記ペレットを電子ビームで7000オンク゛
ストロ-ムの厚さに蒸着して発光層４を形成した。この発光
層４上に上記と同様にして絶縁層３を形成し、その上に
アルミニウム製の背面電極２を1000オンク゛ストロ-ムの厚さに
蒸着した。以上のようにして作製された無機薄膜ＥＬ素
子の発光特性を調べたところ、緑色の発光が０．０１ｍ
Ｗ／ｃｍ2 の強度で得られた。
混入し、８００ｋｇ／ｃｍ2 にて加圧焼結して蒸着用ペ
レットとした。次いで、ガラス製の透明基板６上に形成
されたＩＴＯからなる透明電極５上に、ＣａＦ2 を電子
ビームで2000オンク゛ストロ-ムの厚さに蒸着して絶縁層３を形
成した。その後、上記ペレットを電子ビームで7000オンク゛
ストロ-ムの厚さに蒸着して発光層４を形成した。この発光
層４上に上記と同様にして絶縁層３を形成し、その上に
アルミニウム製の背面電極２を1000オンク゛ストロ-ムの厚さに
蒸着した。以上のようにして作製された無機薄膜ＥＬ素
子の発光特性を調べたところ、緑色の発光が０．０１ｍ
Ｗ／ｃｍ2 の強度で得られた。
【００１３】実施例３ 弗化エルビウムを５重量％および弗化ランタンを９５重
量％とした以外は実施例２と同様にして無機薄膜ＥＬ素
子を作製したところ、緑色の発光が０．００１ｍＷ／ｃ
ｍ2 の強度で得られた。 実施例４ 弗化エルビウムを５０重量％および弗化ランタンを５０
重量％とした以外は実施例２と同様にして無機薄膜ＥＬ
素子を作製したところ、緑色の発光が０．００６ｍＷ／
ｃｍ2 の強度で得られた。 実施例５ 弗化エルビウムを９０重量％および弗化ランタンを１０
重量％とした以外は実施例２と同様にして無機薄膜ＥＬ
素子を製造したところ、緑色の発光が０．０８ｍＷ／ｃ
ｍ2 の強度で得られた。
量％とした以外は実施例２と同様にして無機薄膜ＥＬ素
子を作製したところ、緑色の発光が０．００１ｍＷ／ｃ
ｍ2 の強度で得られた。 実施例４ 弗化エルビウムを５０重量％および弗化ランタンを５０
重量％とした以外は実施例２と同様にして無機薄膜ＥＬ
素子を作製したところ、緑色の発光が０．００６ｍＷ／
ｃｍ2 の強度で得られた。 実施例５ 弗化エルビウムを９０重量％および弗化ランタンを１０
重量％とした以外は実施例２と同様にして無機薄膜ＥＬ
素子を製造したところ、緑色の発光が０．０８ｍＷ／ｃ
ｍ2 の強度で得られた。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、無機薄膜ＥＬ素子の発光層を
形成する成分としてランタンの弗素化合物と希土類元素
の金属または化合物とを組み合わせたから、従来のもの
より高輝度かつ長寿命で広範囲な波長領域の光を発光し
得る無機薄膜ＥＬ素子を得ることができる。したがっ
て、本発明の無機薄膜ＥＬ素子は、ディスプレイ等の平
面光源として有利に利用できるため、その実用価値は極
めて高い。
形成する成分としてランタンの弗素化合物と希土類元素
の金属または化合物とを組み合わせたから、従来のもの
より高輝度かつ長寿命で広範囲な波長領域の光を発光し
得る無機薄膜ＥＬ素子を得ることができる。したがっ
て、本発明の無機薄膜ＥＬ素子は、ディスプレイ等の平
面光源として有利に利用できるため、その実用価値は極
めて高い。
【図１】 実施例１に示す本発明の無機薄膜ＥＬ素子の
断面図である。
断面図である。
【図２】 実施例２〜５に示す本発明の無機薄膜ＥＬ素
子の断面図である。
子の断面図である。
【図３】 半導体層を介在させた本発明の無機薄膜ＥＬ
素子の他の断面図を示す。
素子の他の断面図を示す。
１…絶縁性基板、２…背面電極、３…絶縁層、４…発光
層、５…透明電極、６…透明基板、７…半導体層。
層、５…透明電極、６…透明基板、７…半導体層。
Claims (4)
- 【請求項１】 ランタンの弗素化合物と希土類元素の金
属およびその化合物の少なくともいずれか１種とを含む
発光層を有することを特徴とする無機薄膜ＥＬ素子。 - 【請求項２】 希土類元素の金属およびその化合物の少
なくともいずれか１種を発光層中に５〜９０重量％含有
する請求項１記載の無機薄膜ＥＬ素子。 - 【請求項３】 希土類元素が、セリウム、プラセオジ
ム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウ
ム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビ
ウム、ツリウムおよびイッテルビウムの少なくとも１種
から選ばれる請求項１または２に記載の無機薄膜ＥＬ素
子。 - 【請求項４】 希土類元素の化合物は、希土類元素が弗
素、塩素、臭素、ヨウ素および酸素のうち少なくとも１
種の原子と結合した化合物である請求項１〜３のいずれ
かに記載の無機薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4269081A JP2605555B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 無機薄膜ｅｌ素子 |
| US08/563,358 US5648181A (en) | 1992-09-14 | 1995-11-28 | Inorganic thin film electroluminescent device having a light emission layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4269081A JP2605555B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 無機薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0696861A JPH0696861A (ja) | 1994-04-08 |
| JP2605555B2 true JP2605555B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=17467407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4269081A Expired - Fee Related JP2605555B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 無機薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5648181A (ja) |
| JP (1) | JP2605555B2 (ja) |
Families Citing this family (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5796120A (en) * | 1995-12-28 | 1998-08-18 | Georgia Tech Research Corporation | Tunnel thin film electroluminescent device |
| JPH09213479A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Sharp Corp | Ｅｌ素子及びその製造方法 |
| US5776623A (en) * | 1996-07-29 | 1998-07-07 | Eastman Kodak Company | Transparent electron-injecting electrode for use in an electroluminescent device |
| JP2001043977A (ja) * | 1999-05-27 | 2001-02-16 | Tdk Corp | 発光ダイオード |
| SG113443A1 (en) | 2001-12-05 | 2005-08-29 | Semiconductor Energy Laboratao | Organic semiconductor element |
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