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WO2001078139A1 - Fil d'electrode commune pour plaquage - Google Patents

Fil d'electrode commune pour plaquage Download PDF

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WO2001078139A1
WO2001078139A1 PCT/JP2001/002911 JP0102911W WO0178139A1 WO 2001078139 A1 WO2001078139 A1 WO 2001078139A1 JP 0102911 W JP0102911 W JP 0102911W WO 0178139 A1 WO0178139 A1 WO 0178139A1
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WO
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common electrode
plating
electrode line
line
holes
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Application number
PCT/JP2001/002911
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French (fr)
Inventor
Masayoshi Kikuchi
Masahiro Ohtahara
Kiyoshi Shimizu
Original Assignee
Citizen Watch Co., Ltd.
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Publication date
Application filed by Citizen Watch Co., Ltd. filed Critical Citizen Watch Co., Ltd.
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Priority to JP2001574895A priority patent/JP4532807B2/ja
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    • Y10T29/49158Manufacturing circuit on or in base with molding of insulated base
    • Y10T29/4916Simultaneous circuit manufacturing

Definitions

  • the present invention relates to a plating common electrode line for collectively forming a plurality of circuit board conductor patterns on a main board, for example, a ball grid array (BGA) type semiconductor package circuit board electrode.
  • the present invention relates to a common electrode line for plating, in which a pad and a conductor pattern are collectively formed.
  • CSP chip-size no-package
  • FIG. 1 of the publication a lead wire 1 reaching a connection point 2 with a wiring of an adjacent integrated circuit is formed in a frame for electrical connection and a short circuit in an etching wiring 4 for an integrated circuit. It is formed in a meandering shape. Therefore, by cutting between adjacent integrated circuits at the cutting portion 7, the integrated circuit is divided without wasting material. At that time, all the short-circuit couplings of the meandering pattern are separated by the cutting at the cutting portion 7, and are formed as terminals (lead wires) in each integrated circuit.
  • the semiconductor substrate 10 is a partial plan view of an adjacent chip circuit showing a pattern of another conventional common electrode line for plating described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 9-55339.
  • the semiconductor substrate 10 has a plurality of chip circuits formed collectively on the same semiconductor substrate 10.
  • the semiconductor substrate 10 is made of a silicon substrate, cut into a predetermined size, and divided into a number of chip circuits.
  • the common electrode line for plating 12 is connected to the electrode pads 14 of the adjacent individual chip circuits 10A.
  • the common electrode line for plating 12 is formed to meander in a crank shape across the cut lines X and Y.
  • the wiring (conductor) pattern 13 in each chip circuit 1OA is formed by the common electrode line 12 for plating.
  • the electrode pad 14 is provided on the active surface side of the semiconductor substrate 10.
  • the electrode pad 14 is connected to the wiring pattern 13 and functions as an external connection electrode.
  • the common electrode line for plating 12 has a predetermined width and is meandering in a crank shape across the cut line X.
  • the common electrode line for plating 12 is formed between the wiring patterns 13 so that adjacent common electrode lines for plating 12 do not contact each other. Has a constant gap G1.
  • FIG. 11 is an enlarged plan view of a main part showing a pattern of another conventional common electrode line for plating.
  • the common electrode line for plating 12 is composed of a main line 12a that is continuous between wiring patterns (conductor patterns) and a branch line 12 that connects a specific pad formed by branching off the main line 12a. b (Fig. 11 shows only a part). Also in this case, a certain gap G2 is provided between the wiring patterns 13 to prevent the adjacent common electrode lines for plating 12 (12a, 12b) from coming into contact with each other. .
  • a common electrode line 12 for plating is provided to short-circuit a pad pattern before electrolytic plating, and thereafter, an electrode material is deposited on each pad pattern by electrolytic plating to form a plurality of pads.
  • the electrodes are formed collectively.
  • all the pad patterns have the same potential from the plating common electrode line 12, thereby preventing the deposition amount and the film thickness of the electrode material of each pad pattern from varying.
  • each circuit board 1OA can be cut and divided without causing waste of the substrate material.
  • the common electrode line for plating 12 is formed so as to meander in a crank shape across the cut line. Further, since the plating common electrode line 12 has a predetermined width and is formed on the same surface of the main substrate, the neighboring plating common electrode line or the plating common electrode line and the wiring pattern are formed. It is necessary to provide predetermined gaps G 1 and G 2 between the wiring patterns 13 and 13 so that the (conductor pattern) does not contact. Therefore, the number of terminals (the number of pins) formed on one side of the circuit board is limited, and it is difficult to form the terminals with high density.
  • the present invention eliminates waste of substrate material during dicing, reduces the gap between wiring patterns as much as possible, increases the number of terminals per side of each circuit board, and responds to high density.
  • An object of the present invention is to provide a common electrode line for plating of a main substrate which is possible and highly reliable. Disclosure of the invention
  • the present invention provides a method of forming a plurality of circuit board conductor patterns on a main board at a time, and connecting the plurality of circuit board conductors via a plating common electrode line.
  • the plating common electrode line of the main substrate for simultaneously plating the pattern the plating common electrode lines respectively connected to the pads of the plurality of circuit boards are formed on both front and back surfaces of the main substrate via through holes.
  • both of the front and back surfaces are configured such that wiring is performed from an adjacent circuit board across a cut line for dividing the plurality of circuit boards.
  • the plating common electrode line is formed to meander along a cut line.
  • the plating common electrode line for continuous connection with each other is formed as a main line on the surface of the substrate, and another plating common electrode line branched from the main line and connected to a specific pad is used as a branch line and the back surface of the substrate.
  • the structure is formed as follows.
  • the common electrode line for plating for alternately and continuously connecting through holes in two circuit boards adjacent to each other is formed as a main line on the back surface or the front surface of the substrate, and branched from the through hole.
  • the other common electrode line for plating for connecting to a specific through-hole is formed as a branch line on the front or back surface of the substrate.
  • each adjacent circuit board is divided without causing waste of the board material by dicing. Also, even if the space between the conductor patterns is narrowed by the common electrode lines for plating formed on the front and back surfaces of the main board, the individual circuit boards are surely divided without being short-circuited. As a result, the number of terminals on the circuit board is significantly increased, and it is possible to provide a high-density mounting circuit board required by the market.
  • FIG. 1 shows an example of a pattern of a common electrode line for plating according to the present invention formed on the IC mounting side of a main substrate.
  • FIG. 2 shows an example of a pattern of plating common electrode lines appearing on the side of the main substrate shown in FIG. 1 on which solder bumps are formed.
  • FIG. 3 is an enlarged view of a portion E surrounded by a two-dot chain line in FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged view of a main part of FIG.
  • FIG. 5 is an enlarged view showing another example of the pattern of the common electrode line for plating according to the present invention, similarly to the case of FIG.
  • FIG. 6 is an enlarged view of a main part of FIG.
  • FIG. 7 is an enlarged view showing still another example of the pattern of the common electrode line for plating according to the present invention as in the case of FIG.
  • FIG. 8 is an enlarged view of a main part showing still another example of the pattern of the common electrode line for plating according to the present invention, similarly to the case of FIG.
  • FIG. 9 shows yet another pattern example of the common electrode line for plating according to the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged view of a main part shown in the same manner as in FIG.
  • FIG. 10 is a partial plan view of a circuit board showing an example of a conventional common electrode line pattern for plating.
  • FIG. 11 is an enlarged view of a main part of another conventional example of a pattern of a plating electrode wire.
  • FIGS. 1 and 2 a plurality (four in the drawing) of circuit boards 2OA are cut and divided from the main board 20.
  • Bonding patterns 24 for IC connection are radially arranged on the front side of each circuit board 2OA in correspondence with pad electrodes (not shown) of the IC chip 21.
  • the bonding pattern 24 is wire-bonded to the pad electrode of the IC chip 21.
  • each circuit board 2OA On the periphery of each circuit board 2OA, a plurality of (13 in one side in the drawing) through holes 11 are formed along the cut lines X and Y.
  • the common electrode line 22 for plating is formed on the electrode line 22 A formed on the side (front side) of the main board 20 on which the solder bump, which is a conductor pattern for external connection, is formed, and on the side mounted with electronic components (rear side). Electrode wire 22B.
  • the common electrode lines 22 A and 22 B for plating are connected through the through-holes 11 and straddle cut lines X and Y for dividing into individual circuit boards 2 OA, and meander as a whole. It is formed.
  • the common electrode wire 22 A for plating is orthogonal to the cut line X
  • the electrode wire 22 B for plating is oblique
  • the common electrode wire 2 22 A for cutting is provided on the cutting line Y.
  • the plating electrode wires 22B are orthogonal.
  • the common electrode lines 22 A and 22 B for the plating are connected to the bonding pattern for IC connection in FIG. 1 and the solder pole pads 14 in FIG. 2 via the through holes 11.
  • FIG. 3 shows a portion E surrounded by a two-dot chain line in FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged view of a main part of FIG.
  • each circuit board 2OA constituting the main board 20 Through holes 11 are formed at predetermined pitches and predetermined dimensions along cut lines X and Y.
  • These plating common electrode wires 22 A and 22 B are formed in a meandering manner across the cut lines X and Y on the front and back surfaces of the main substrate 20, and have a predetermined width. Therefore, a gap G3 is provided between the conductor patterns 13 so that the adjacent conductor patterns 13 do not come into contact with each other.
  • the common electrode lines 22 A and 22 B for plating are formed separately on the front and back surfaces of the main substrate 20, the conductor pattern 13 and the common electrode line 22 B for plating cannot be in contact with each other. Instead, the gap G3 can be made as narrow as possible.
  • FIG. 5 is an enlarged view showing another pattern example of the plating common electrode line of the present invention.
  • the plating common electrode line in FIG. 5 is formed by connecting a plurality of through holes 11 continuously on the surface of the main substrate 20 to form a plating common electrode functioning as a main line 22a.
  • the branch line 22b is connected to the main line 22a with the main line 22a via the through hole 11 and functions as a branch line 22b connecting to the inner pad 14a arranged inside the circuit board 20a. It consists of a common electrode wire 22 B for plating.
  • FIG. 6 is an enlarged view of a main part of FIG.
  • the common electrode line 2 2 A for plating which functions as the main line 2 2 a, is wired in a meandering manner in a crank shape across the X cut line, and alternates through holes 11 provided in the adjacent circuit board 2 OA.
  • the common electrode line for plating 22 B which functions as the branch line 2 2b, is connected across the X-cut line to the through-hole 11 a for the inner pad of the adjacent circuit board 2 OA, and is branched again. It detours across the cut line and is connected to the through hole for the inner pad 11b of its own circuit board.
  • the common electrode line for plating shown in FIGS. 5 and 6 has a main line 22a formed on the surface of the main substrate 20 and a branch line 22b formed on the back surface of the main substrate 20.
  • the main line 22 A can be formed on the back surface of the main substrate 20
  • the branch line 22 b can be formed on the front surface of the main substrate 20.
  • FIG. 7 is an enlarged view showing still another example of the common electrode line for plating of the present invention.
  • the main electrode line 2 2a for continuously connecting the plurality of through holes 11 provided on the adjacent circuit boards 20A and 2OA is formed on the front and back surfaces of the main board 20. Are formed alternately.
  • FIG. 8 is an enlarged view of a main part showing still another example of the pattern of the plating common electrode line of the present invention.
  • the common electrode line for plating in FIG. 8 is a modified example of the pattern example shown in FIG.
  • the main line 22 a meandering across the X-cut line in a crank shape is attached to the front and back surfaces of the main substrate 20 via the through holes 11. It is formed alternately.
  • the branch line 22b is formed via a through hole 11 on the surface opposite to the main line 22a.
  • FIG. 9 is an enlarged view of a main part showing still another pattern example of the common electrode line for plating of the present invention.
  • the common electrode line for plating in FIG. 9 is also a modified example of the pattern example shown in FIG.
  • a main line 22 a meandering across the X-cut line in a crank shape is formed irregularly on the front and back surfaces of the main substrate 20.
  • the branch line 22b is formed via a through hole on the surface opposite to the main line 22a.
  • the pattern shape of the common electrode line for plating and the positional relationship between the main line and the branch line in the present invention are not limited to those in the above embodiment, and various modifications are possible.
  • the common electrode line for plating is alternately formed on the front and back of the circuit board.
  • the present invention is not limited to this, and one of the circuit boards shown in the prior art is not limited to this. It may be formed by being mixed with a meandering common electrode line for the plating that is formed only on the surface.
  • a common electrode line for plating 22 (22a, 22b) for short-circuiting the pad pattern is formed, and the electrode material is applied on each pad pattern by the electroplating process.
  • a plurality of pad electrodes are collectively formed by deposition.
  • all the pad patterns have the same potential by the plating common electrode line 22, and the deposition amount and the film thickness of the electrode material of each pad pattern are prevented from being varied.
  • the common electrode line for plating 22 is formed in a meandering manner across the cut lines X and Y and diced, even if there is a slight displacement in the dicing process, the common electrode for plating can be reliably used.
  • the electrode wire 22 can be cut. As a result, short circuit and short circuit failure of the common electrode line for plating in each circuit board device is eliminated. Further, since the cutting width in the dicing step is small, the main substrate can be cut and divided into individual circuit boards without wasting the substrate material. Industrial applicability

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Description

明 細 書 メツキ用共通電極線 技術分野
本発明は、 主基板に複数個分の回路基板の導体パターンを一括して形成するた めのメツキ用共通電極線に関し、 例えば、 ボールグリットアレイ (B GA) 型の 半導体パッケージ用回路基板の電極パッドと導体パターンを一括して形成するメ ツキ用共通電極線に関するものである。 背景技術
近年、 半導体パッケージの小型化、 高密度化に伴いベア ·チップを直接フェイ スダウンで、 基板上に実装するフリップチップボンディング及びワイヤーポンデ イングされたポールグリッドアレイ (B GA) 型半導体パッケージが開発されて いる。
また、 カメラ一体型 V T Rや携帯電話機等の登場により、 ベア ·チップとほぼ 同じ寸法の小型パッケージ、 所謂 C S P (チップサイズノスケ一ル ·パッケ一 ジ) を載せた携帯機器が相次いで登場してきている。 この C S Pの開発は急速に 進み、 その巿場要求が本格化している。
従来、 TA B用のフレキシブルフィルムを用いた配線基板として、 日本国特公 平 7— 6 6 9 3 2号公報にその技術が開示されている。 この技術は、 同公報の図 1に示すように、 集積回路用のエッチング配線 4における電気的接続及び短絡用 フレームにおいて、 隣接する集積回路の配線との接続点 2に至るリ一ド線 1が蛇 行状に形成されている。 従って、 隣接する集積回路との間を、 切断箇所 7で切断 することにより、 材料のむだを生じることなく集積回路が分割される。 その際、 蛇行パターンは、 切断箇所 7での切断によってすベて短絡結合が分離され、 それ ぞれの集積回路における端子 (リード線) として形成される。 第 1 0図は、 日本国特開平 9一 5 5 3 9 8号に記載の他の従来メツキ用共通電 極線のーパターンを示す隣接するチップ回路の部分平面図である。 第 1 0図において、 半導体基板 1 0は、 複数個分のチップ回路を同一の半導体 基板 1 0に一括して形成してある。 この半導体基板 1 0は、 シリコン基板からな り、 所定の大きさにカツ卜され多数のチップ回路に分割される。
メツキ用共通電極線 1 2は、 前記隣接する個々のチップ回路 1 O Aの電極パッ ド 1 4に接続している。 また、 メツキ用共通電極線 1 2は、 カットライン X、 Y を跨いでクランク状に蛇行して形成されている。
個々のチップ回路 1 O Aにおける配線 (導体) パターン 1 3は、 前記メツキ用 共通電極線 1 2によって形成される。
電極パッド 1 4は、 半導体基板 1 0の能動面側に配設されている。 この電極パ ッド 1 4は、 前記配線パターン 1 3と接続し外部接続用電極として機能する。 メツキ用共通電極線 1 2は、 所定の幅を有し、 カットライン Xを跨いでクラン ク状に蛇行している。 しかも、 メツキ用共通電極線 1 2は、 主基板 1 0の同一表 面に形成されているので、 隣接するメツキ用共通電極線 1 2どうしが接触しない ようにするため、 配線パターン 1 3の間に一定のギャップ G 1を設けてある。 第 1 1図は、 さらに他の従来のメツキ用共通電極線のパターンを示す要部拡大 平面図である。 メツキ用共通電極線 1 2は、 配線パターン (導体パターン) 間を 次々と連続していく本線 1 2 aと、 この本線 1 2 aから分岐して形成された特定 のパッドを接続する支線 1 2 bからなつている (第 1 1図では一部のみ図示)。 そして、 この場合も、 隣接するメツキ用共通電極線 1 2 ( 1 2 a、 1 2 b) どう しが接触しないようにするため、 配線パターン 1 3の間に一定のギャップ G 2を 設けてある。
これら従来技術にあっては、 電解メツキ処理の前にパッドパターンを短絡する メツキ用共通電極線 1 2を設け、 その後、 電解メツキ処理により各パッドパター ン上に電極材料を析出させて複数のパッド電極を一括して形成する。 この電解メ ツキ処理時に、 メツキ用共通電極線 1 2より各パッドパターンはすべて同電位と なり、 各パッドパターンの電極材料の析出量及び膜厚のばらつきが防止される。 メツキ用共通電極線 1 2をカットライン X、 Yに跨って蛇行状に形成することに より、 ダイシング工程で若干のダイシングの位置ずれが生じても、 確実にメツキ 用共通電極線 1 2を切断 (導通遮断) することができ、 個々の回路基板 1 O Aに. おけるメツキ用共通電極線の短絡によるショート不良がなくなる。 また、 ダイシ ング工程における切断幅が狭くてすむので、 基板材料のむだを生じることなく、 個々の回路基板 1 O Aを切断 ·分割することができる。
しかしながら、 上記した従来技術のメツキ用共通電極線には次の様な問題点が ある。
すなわち、 メツキ用共通電極線 1 2は、 カットラインを跨いでクランク状に蛇 行するよう形成してある。 また、 メツキ用共通電極線 1 2は、 所定の幅を有し、 しかも主基板の同一表面に形成されているので、 隣接するメツキ用共通電極線ど うし、 あるいはメツキ用共通電極線と配線パターン (導体パターン) が接触しな いようにするため配線パターン 1 3、 1 3の間に所定のギャップ G 1、 G 2を設 ける必要がある。 このため、 回路基板の一辺当たり形成する端子数 (ピン数) に 限度があり、 高密度に端子を形成することが困難である。
なお、 メツキ用共通電極線の形状を、 クランク状から傾斜上にしても同様の理 由によって端子数を増加させることが難しい。 そこで、 本発明は、 ダイシング時における基板材料のむだを無くすとともに、 配線パターンの間の間隙を可能な限り狭くして、 個々の回路基板の一辺当たりの 端子数を増加させ、 高密度化に対応可能であって信頼性の高い主基板のメツキ用 共通電極線の提供を目的とする。 発明の開示
このような目的を達成するため、 本発明は、 主基板に複数個分の回路基板の導 体パターンを一括して形成し、 メツキ用共通電極線を介して前記複数個分の回路 基板の導体パターンを同時にメツキする主基板のメツキ用共通電極線において、 前記複数個分の回路基板のパッドにそれぞれ接続する前記メツキ用共通電極線が、 前記主基板の表裏両面にスルーホールを介して形成され、 かつ、 表裏両面のいず れにおいても、 前記複数個分の回路基板に分割するためのカットラインを跨いで 隣接する回路基板から配線された構成としてある。
このとき、 前記メツキ用共通電極線は、 カットラインに沿って蛇行して形成す ることが好ましい。
また、 具体的には、 互いに隣接する二つの回路基板におけるスルーホールを交 互に連続して接続するための前記メツキ用共通電極線を本線として前記基板表面 に形成し、 前記本線から分岐して特定のパッドと接続する他のメツキ用共通電極 線を支線として前記基板裏面に形成した構成としてある。
そして、 好ましくは、 互いに隣接する二つの回路基板におけるスルーホールを 交互に連続して接続するための前記メツキ用共通電極線を本線として前記基板の 裏面又は表面に形成し、 前記スルーホールから分岐して特定のスルーホールと接 続するための前記他のメツキ用共通電極線を支線として前記基板の表面又は裏面 に形成した構成としてある。
このような構成からなる本発明のメツキ用共通電極線によれば、 隣接する個々 の回路基板はダイシングにより基板材料のむだを生じることなく分割される。 ま た、 主基板の表裏面に形成されたメツキ用共通電極線より、 導体パターン間の間 隔が狭められても、 個々の回路基板は短絡することなく確実に分割される。 その 結果、 回路基板の端子数が著しく増加し、 市場が要求する高密度化実装な回路基 板の提供が可能となる。 図面の簡単な説明
第 1図は、 主基板の I C搭載側に形成した本発明にかかるメツキ用共通電極線 の一パターン例を示す。
第 2図は、 第 1図の主基板の半田バンプ形成側に現れるメツキ用共通電極線の 一パターン例を示す。
第 3図は、 第 2図における二点鎖線で囲んだ E部の拡大図を示す。
第 4図は、 第 3図の要部拡大図を示す。
第 5図は、 本発明にかかるメッキ用共通電極線の他のパターン例を第 3図の場 合と同様に示した拡大図を示す。
第 6図は第 5図の要部拡大図を示す。
第 7図は、 本発明にかかるメツキ用共通電極線のさらに他のパターン例を第 3 図の場合と同様に示した拡大図を示す。
第 8図は、 本発明にかかるメツキ用共通電極線のさらに他のパターン例を第 4 図の場合と同様に示した要部拡大図を示す。
第 9図は、 本発明にかかるメツキ用共通電極線のさらに他のパターン例を第 4 図の場合と同様に示した要部拡大図を示す。
第 1 0図は、 従来のメツキ用共通電極線パターン例を示す回路基板の部分平面 図である。
第 1 1図は、 他の従来のメツキ用電極線のパターン例における要部拡大図を示 す。 発明を実施するための最良の形態
本発明を、 添付の図面にもとづいて詳細に説明する。
第 1図及び第 2図において、 主基板 2 0からは複数個 (図面では 4個) の回路 基板 2 O Aが切断、 分割されるようになっている。 個々の回路基板 2 O Aの表面 側には、 I Cチップ 2 1の図示しないパッド電極に対応して I C接続用のボンデ ィングパターン 2 4が放射状に配置されている。 このボンディングパターン 2 4 は、 I Cチップ 2 1のパッド電極とワイヤ一ボンディングされる。
個々の回路基板 2 O Aの周縁には、 カットライン X、 Yに沿って複数個 (図面 では一辺に 1 3個) のスルーホール 1 1が形成してある。 メツキ用共通電極線 2 2は、 主基板 2 0の外部接続用導体パターンである半田バンプの形成側 (表面) に形成される電極線 2 2 Aと、 電子部品搭載側 (裏面) に形成される電極線 2 2 Bからなつている。 メツキ用共通電極線 2 2 A、 2 2 Bは、 スルーホール 1 1を 介して接続されると共に、 個々の回路基板 2 O Aに分割するためのカットライン X、 Yに跨がり、 全体として蛇行して形成されている。
第 1図及び第 2図では、 カットライン Xにメツキ用共通電極線 2 2 Aが直交し、 メツキ用電極線 2 2 Bが傾交しており、 カツトライン Yにメツキ用共通電極線 2 2 Aが傾交し、 メツキ用電極線 2 2 Bが直交している。 このメツキ用共通電極線 2 2 A、 2 2 Bは、 スルーホール 1 1を介して、 第 1図では I C接続用のポンデ イングパターンに、 第 2図では、 半田ポールパッド 1 4にそれぞれ接続する導体 パターン 1 3に接続されている。 すなわち、 互いに隣合う位置関係で形成された メッキ用共通電極線 2 2 Aとメッキ用共通電極線 2 2 Bは、 それぞれ回路基板 2 O Aの表裏面に、 カットラインを跨ぐように形成されている。 そして、 それぞれ のメツキ用共通電極線 2 2 A、 2 2 Bを、 スルーホール 1 1を介して連続的に接 続することにより、 メツキ用共通電極線全体がカットライン X、 Yを跨いで蛇行 したメツキ用共通電極線を構成している。 第 3図は、 第 2図の二点鎖線で囲む E部を示している。 第 4図は第 3図の要部 拡大図である。
主基板 2 0を構成する個々の回路基板 2 O Aの周縁には、 カットライン X、 Y に沿ってスルーホール 1 1が所定のピッチ、 所定の寸法で形成されている。 これ らメツキ用共通電極線 2 2 A及び 2 2 Bは主基板 2 0の表裏面においてカツトラ イン X、 Yを跨いで蛇行状に形成され、 且つ、 所定の幅を有している。 したがつ て、 隣接する導体パターン 1 3どうしが接触しないように、 両導体パターン 1 3 の間にギャップ G 3を設けてある。 しかしながら、 メツキ用共通電極線 2 2 A、 2 2 Bは、 主基板 2 0の表裏面に分けて形成してあるので、 導体パターン 1 3と メツキ用共通電極線 2 2 Bが接触することはなく、 前記ギャップ G 3を可能な限 り接近させて狭くすることができる。 これにより、 個々の回路基板 2 O Aにおけ る一辺当たりの端子数を増やすことができる。 例えば、 第 3図に示す本発明の一 実施例の場合は、 回路基板 2 O Aの一辺当たり 1 3個の端子数を形成できるのに 対し、 前述した従来例のもの (第 1 0図) では 9個の端子しか形成できない。 こ のように、 本発明によれば従来に比べ、 端子数が一辺当たり 4個増えるので回路 基板 2 O Aの四辺ではその 4倍、 すなわち、 1 6個の端子数が増加することにな り、 さらなる高密度実装を可能とする。
なお、 ここで、 第 4図に示すように、 一の回路基板におけるスルーホールを奇 数番とし、 他の一の回路基板におけるスルーホールを偶数番とすると、 奇数番 1 1 ( 1 ) から偶数番 1 2 ( 2 ) のスルーホールを接続するメツキ用共通電極線 2 2 Aが主基板 2 0の表面に形成してあり、 偶数番 1 1 ( 2 ) から奇数番のスルー ホール 1 1 ( 3 ) を接続するメツキ用共通電極線 2 2 Bが、 主基板 2 0の裏面に 形成してあることになる。 第 5図は、 本発明のメツキ用共通電極線の他のパターン例を拡大して示してい る。
第 5図におけるメツキ用共通電極線は、 主基板 2 0の表面において、 複数のス ルーホール 1 1を連続して接続し、 本線 2 2 aとして機能するメツキ用共通電極 線 2 2 Aと、 この本線 2 2 aとスルーホール 1 1を介して分岐接続され、 回路基 板 2 0 Aの内側に配置された内側パッド 1 4 aと接続する支線 2 2 bとして機能 するメツキ用共通電極線 2 2 Bとからなっている。
第 6図は、 第 5図の要部拡大図である。 本線 2 2 aとして機能するメツキ用共 通電極線 2 2 Aは、 Xカットラインを跨いでクランク状に蛇行して配線され、 隣 接する回路基板 2 O Aに設けられたスルーホール 1 1を交互に接続している。 また、 支線 2 2 bとして機能するメツキ用共通電極線 2 2 Bは、 隣接する回路 基板 2 O Aの内側パッド用スルーホール 1 1 aと Xカツトラインを跨いで接続す るとともに、 再度分岐され、 Xカットラインを跨いで迂回し自らの回路基板の内 側パッド用スルーホール 1 1 bと接続している。
メツキ用共通電極線を、 このようなパターンで配線すると、 第 1 1図で示した 従来のものと同様の機能を生じながら、 導体パターン 1 3間のギャップ G 4を従 来のもののギャップ G 2より、 はるかに狭くすることができる。
なお、 第 5図及び第 6図に示すメツキ用共通電極線は、 本線 2 2 aを主基板 2 0の表面に形成し、 支線 2 2 bを主基板 2 0の裏面に形成してあるが、 本線 2 2 Aを主基板 2 0の裏面に、 また、 支線 2 2 bを主基板 2 0の表面に形成すること も可能である。 第 7図は、 本発明のメッキ用共通電極線のさらに他のパ夕一ン例を拡大して示 している。 第 7図におけるメツキ用共通電極線は、 隣接する回路基板 2 0 A、 2 O Aに設けられた複数のスルーホール 1 1を連続して接続する本線 2 2 aが、 主 基板 2 0の表裏両面に交互に形成されている。 すなわち、 主基板 2 0の表面では Xカツトラインを跨いで本線 2 2 aとしてのメツキ用共通電極線 2 2 Aが直線状 に形成され、 裏面では Xカツトラインを跨いで本線 2 2 aとしてのメツキ用共通 電極線 2 2 Bがクランク状に蛇行して形成されている。 第 8図は、 本発明のメツキ用共通電極線のさらに他のパターン例を示す要部拡 大図を示している。 第 8図におけるメツキ用共通電極線は、 第 6図に示すパター ン例の変形例である。 このパターン例では、 クランク状に Xカットラインを跨い で蛇行する本線 2 2 aを、 スルーホール 1 1を介して主基板 2 0の表面と裏面に 交互に形成してある。 支線 2 2 bは、 本線 2 2 aと反対側の面においてスルーホ ール 1 1を介して形成してある。
第 9図は、 本発明のメツキ用共通電極線のさらに他のパターン例を示す要部拡 大図を示している。 第 9図におけるメツキ用共通電極線も、 第 6図に示すパ夕一 ン例の変形例である。 このパターン例では、 クランク状に Xカットラインを跨い で蛇行する本線 2 2 aを主基板 2 0の表面と裏面に不規則に形成してある。 支線 2 2 bは、 この場合も、 本線 2 2 aと反対側の面においてスルーホールを介して 形成してある。 なお、 本発明におけるメツキ用共通電極線のパターン形状及び本線と支線の位 置関係は上記実施形態のものに限定されるものではなく、 種々変形が可能である。 また、 本実施形態はすべてメツキ用共通電極線が回路基板の表裏に互い違いに形 成されているが、 本発明はこれに限定されるものではなく、 従来技術に示した、 回路基板の一方の面だけに形成した蛇行形状のメツキ用共通電極線と混在して形 成してもよい。
上記のようにして、 電解メツキ処理の前に、 パッドパターンを短絡するメツキ 用共通電極線 2 2 ( 2 2 a , 2 2 b ) を形成し、 電解メツキ処理により各パッド パターン上に電極材料を析出させて複数のパッド電極を一括して形成する。 その 結果、 電極メツキ処理時に、 メツキ用共通電極線 2 2により、 各パッドパターン はすべて同電位となり、 各パッドパターンの電極材料の析出量及び膜厚のばらつ きが防止される。 また、 メツキ用共通電極線 2 2をカットライン X、 Yを跨いで 蛇行状に形成し、 ダイシングするようにしてあるので、 ダイシング工程で多少の 位置のずれが生じても、 確実にメツキ用共通電極線 2 2を切断することができる。 その結果、 個々の回路基板装置におけるメツキ用共通電極線の短絡ショート不良 がなくなる。 また、 ダイシング工程における切断幅が狭くて済むので基板材料の むだを生じることなく主基板を切断して個々の回路基板に分割することができる。 産業上の利用可能性
電子部品を高密度実装する回路基板として有効に利用することができ、 特に小 型の携帯機器、 たとえば、 電子時計、 通信機器などに用いると好適である。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 主基板に複数個分の回路基板の導体パターンを一括して形成し、 メツキ用共 通電極線を介して前記複数個分の回路基板の導体パターンを同時にメツキする主 基板のメツキ用共通電極線において、
前記複数個分の回路基板の導体パターンにそれぞれ接続する前記メツキ用共通 電極線が、
前記主基板の表裏両面にスルーホールを介して接続形成され、 かつ、 表裏両面 のいずれにおいても、 前記複数個分の回路基板に分割するためのカツトラインを 跨いで隣接する回路基板から配線されている
ことを特徴とするメッキ用共通電極線。
2 . 前記主基板の表面及び/又は裏面に形成され、 前記回路基板のスルーホール どうしを接続する前記メツキ用共通電極線が、
前記力ットラインを跨いで隣接する回路基板から配線されている請求の範囲 1 記載のメツキ用共通電極線。
3 . 前記メツキ用共通電極線が、 前記カットラインに沿って蛇行して形成されて いる請求の範囲 1又は 2記載のメツキ用共通電極線。
4 . 互いに隣接する二つの回路基板に、 合計 n個のスルーホールが形成してある 場合に、
1番目力、ら n番目までのスルーホールを任意の組合せでそれぞれ接続する前記 メツキ用共通電極線を、 前記カットラインを跨いで隣接する回路基板を介して配 線するとともに、 このうち、 少なくとも一のメツキ用共通電極線を基板裏面に形 成した請求の範囲 1, 2又は 3記載のメツキ用共通電極線。
5 . —の回路基板に奇数番目のスルーホールが形成され、 他の回路基板に偶数番 目のスルーホールが形成されている場合に、
奇数番目のスルーホールと偶数番目のスルーホールを接続する前記メツキ用共 通電極線を基板表面に形成し、 偶数番目のスルーホールと奇数番目のスルーホー ルを接続する前記メツキ用電極線を基板裏面に形成した請求の範囲 4記載のメッ キ用共通電極線。
6 . 前記メツキ用共通電極線が、 分岐して形成された他のメツキ用共通電極線を 有する請求の範囲 1〜 5のいずれかに記載のメツキ用共通電極線。
7 . 前記メツキ用共通電極線が、 前記スルーホールから分岐して形成された他の メツキ用共通電極線を有する請求の範囲 1〜 5のいずれかに記載のメツキ用共通
8 . 前記他のメツキ用共通電極線が、 前記カットラインを跨いで蛇行している請 求の範囲 6又は 7記載のメッキ用共通電極線。
9 . 前記他のメツキ用共通電極線が、 前記メツキ用共通電極線の形成面と反対側 の面に形成されている請求の範囲 6 , 7又は 8のいずれかに記載のメツキ用共通
1 0 . 前記他のメツキ用共通電極線が、 前記スルーホールを介して前記回路基板 の表裏面に形成した前記導体パターンと接続されている請求の範囲 6〜 9のいず れかに記載のメッキ用共通電極線。
1 1 . 前記他のメツキ用共通電極線が、 前記カットラインを挟んで配置されたス ルーホールを接続している請求の範囲 6〜 1 0のいずれかに記載のメッキ用共通
1 2 . 互いに隣接する二つの回路基板におけるスルーホールを交互に連続して接 続するための前記メツキ用共通電極線を本線として前記基板表面に形成し、 前記 本線から分岐して特定のパッドと接続する他のメツキ用共通電極線を支線として 前記基板裏面に形成した請求の範囲 6〜 1 1記載のメツキ用共通電極線。
1 3 . 互いに隣接する二つの回路基板におけるスルーホールを交互に連続して接 続するための前記メツキ用共通電極線を本線として前記基板裏面に形成し、 前記 スルーホールから特定のスルーホールと接続するための前記他のメツキ用共通電 極線を支線として前記基板表面に形成した請求の範囲 6〜 1 1記載のメツキ用共
1 4. 互いに隣接する二つの回路基板におけるスルーホールを交互に連続して接 続するための前記メツキ用共通電極線を本線として前記基板の表面または裏面に 任意に形成し、 前記スルーホールから特定のスルーホールと接続するための前記 他のメツキ用共通電極線を支線として前記本線を形成してある基板の反対側の面 に形成した請求の範囲 6〜1 1記載のメツキ用共通電極線。
1 5 . 一の回路基板における二以上のパッドをまたはスルーホールを接続する前 記メツキ用共通電極線が、
前記カツトラインを跨いで隣接する回路基板を迂回して形成されている請求の 範囲 1〜1 4記載にメツキ用共通電極線。
1 6 . 前記回路基板の表面に形成した前記導体パターンが電子部品接続用の電極 パターンであり、 裏面に形成した前記導体パターンが外部接続用の電極パターン である請求の範囲 1から 1 4に記載のメツキ用共通電極線。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009206183A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Fujitsu Media Device Kk 電子部品及びその製造方法
US8500984B2 (en) 2008-06-26 2013-08-06 Oki Semiconductor Co., Ltd. Method for manufacturing printed-circuit board

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7181837B2 (en) * 2004-06-04 2007-02-27 Micron Technology, Inc. Plating buss and a method of use thereof
KR100702016B1 (ko) * 2005-02-02 2007-03-30 삼성전자주식회사 양면 실장 메모리 모듈의 인쇄 회로 기판 및 이를이용하는 양면 실장 메모리 모듈
JP2006348371A (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Fujitsu Ltd 電解めっき方法
JP2009170561A (ja) * 2008-01-15 2009-07-30 Panasonic Corp 配線基板およびその製造方法
TWI393969B (zh) * 2009-05-27 2013-04-21 Au Optronics Corp 一種具有迴轉訊號傳輸線路之顯示基板及其製造方法
JP5952032B2 (ja) * 2012-03-07 2016-07-13 新光電気工業株式会社 配線基板及び配線基板の製造方法
US9222178B2 (en) 2013-01-22 2015-12-29 GTA, Inc. Electrolyzer
US8808512B2 (en) 2013-01-22 2014-08-19 GTA, Inc. Electrolyzer apparatus and method of making it
KR20220037857A (ko) * 2020-09-18 2022-03-25 삼성전기주식회사 인쇄회로기판

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148770A (ja) * 1994-11-15 1996-06-07 Sharp Corp 配線基板
JPH11340609A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Eastern Co Ltd プリント配線板、および単位配線板の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4426773A (en) * 1981-05-15 1984-01-24 General Electric Ceramics, Inc. Array of electronic packaging substrates
JPH0766932A (ja) 1993-08-24 1995-03-10 Canon Inc 原稿読取装置
JPH08153819A (ja) * 1994-11-29 1996-06-11 Citizen Watch Co Ltd ボールグリッドアレイ型半導体パッケージの製造方法
JPH0955398A (ja) 1995-08-10 1997-02-25 Murata Mfg Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP3717660B2 (ja) * 1998-04-28 2005-11-16 株式会社ルネサステクノロジ フィルムキャリア及びバーンイン方法
JP3020201B2 (ja) * 1998-05-27 2000-03-15 亜南半導体株式会社 ボールグリッドアレイ半導体パッケージのモールディング方法
JP2001237346A (ja) * 2000-02-23 2001-08-31 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子搭載基板、及び半導体装置の製造方法
JP2001332579A (ja) * 2000-05-19 2001-11-30 Advantest Corp 半導体回路装置及びその製造方法
US6319750B1 (en) * 2000-11-14 2001-11-20 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Layout method for thin and fine ball grid array package substrate with plating bus
TW479334B (en) * 2001-03-06 2002-03-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Electroplated circuit process in the ball grid array chip package structure
US6903442B2 (en) * 2002-08-29 2005-06-07 Micron Technology, Inc. Semiconductor component having backside pin contacts

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148770A (ja) * 1994-11-15 1996-06-07 Sharp Corp 配線基板
JPH11340609A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Eastern Co Ltd プリント配線板、および単位配線板の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009206183A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Fujitsu Media Device Kk 電子部品及びその製造方法
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