Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

TWI285857B - Pulse output circuit, shift register and display device - Google Patents

Pulse output circuit, shift register and display device Download PDF

Info

Publication number
TWI285857B
TWI285857B TW091108006A TW91108006A TWI285857B TW I285857 B TWI285857 B TW I285857B TW 091108006 A TW091108006 A TW 091108006A TW 91108006 A TW91108006 A TW 91108006A TW I285857 B TWI285857 B TW I285857B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
transistor
electrode
gate
electrically connected
signal input
Prior art date
Application number
TW091108006A
Other languages
English (en)
Inventor
Munehiro Azami
Shou Nagao
Yoshifumi Tanada
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Lab filed Critical Semiconductor Energy Lab
Application granted granted Critical
Publication of TWI285857B publication Critical patent/TWI285857B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3685Details of drivers for data electrodes
    • G09G3/3688Details of drivers for data electrodes suitable for active matrices only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264Details of driving circuits
    • G09G2310/0286Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/021Power management, e.g. power saving

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Shift Register Type Memory (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

1285857 A7 B7 五、發明説明(1) 技術領域 --------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於脈衝輸出電路、移位暫存器和顯示裝置 。在本說明書中,將顯示裝置定義爲包括液晶顯示裝置, 其中液晶元件被用作像素,和自然發光的顯示裝置,其中 使用了諸如電致發光(E L )元件等自然發光元件。也將 顯示裝置的驅動電路界定爲將影像信號輸入到配置於顯示 裝置中的像素中以實現影像顯示之電路,以及包含諸如移 位暫存器和反向器等脈衝輸出電路以及諸如放大器等放大 電路。 背景技術 近來,流行一種顯示電路,特別是一種使用薄膜電晶 體(此後稱爲TFT)主動矩陣型的顯示裝置,其中,在 絕緣材料上,尤其是在玻璃板上形成半導體薄膜。採用 T F T的主動矩陣型的顯示裝置包含數十萬乃至數百萬個 按照方陣形式排布的像素,通過利用每個像素中配置的 丁 F T控制每個像素的電荷來顯示一幅影像。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 • l·. 根據近來的技術,進一步發展出一種技術,該技術涉 及的不是形成像素的像素T F T,而是涉及一種多晶矽 T F T,其中在像素部分的週邊區域使用τ F T,同時形 成驅動電路。這一技術極大地減小了裝置的尺寸和消耗的 功率。因此,顯示裝置是移動資訊終端的顯示部分的必不 可少的裝置,近來,其應用領域得到了極大的增加。 藉由組合N通道型T F T和P通道型T F T所産生的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -4- 1285857 A7 B7 五、發明説明(2) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C Μ〇S電路,通常被用作形成顯示裝置的驅動電路。現 在將描述移位暫存器,作爲常規使用的C M ◦ S電路的實 施例。圖1 1 A說明了常規使用的移位暫存器的實施例, 虛線框1 1 0 0所包圍的部分是用來輸出一級脈衝的電路 。在圖1 1 A中,突出顯示了三個脈衝級。電路的一級包 括鍾控的反相器1 1〇1和1 1 ◦ 3,和反相器1 1 0 2 。該電路的詳細結構示於圖1 1 B。在圖1 1 B中,鐘控 的反相器11〇1包含TFT1104至1107;反相 器1102包含1108和1109;鍾控的反相器 1103包含丁卩丁1110至1113。 形成電路的T F T包括三個電極,閘極,源極和汲極 。一般情況下,在CMOS電路中,N通道型的TFT通 常採用較低電位的部分作爲源極,較高電位部分作爲汲極 ,而P通道型T F T經常採用較高電位部分作爲源極和低 電位部分作爲汲極。這樣,將源極和汲極中之一稱爲第一 電^其他的被稱爲是第二電極,以便防止在本發明有關 的T F T描述中造成混淆。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 現在將描述電路的操作。關於T F 丁的操作,在給定 閘極電勢時,摻雜區之間形成通道時,導通狀態被看作是 “開”,而摻雜區之間的通道被淸除的非導通狀態被當作 是“關”。 參考圖1 1A、1 1 B和1 1 C中所示的時序圖。分 別向T F T 1 1 〇 7和1 1 0 4輸入時計信號(此後被稱 爲C K )和時計反轉信號(此後稱爲c K B )。向 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -5- 1285857第SHI%申請案 A7 B7
五、發明説明() 3 -----------1 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) T F T 1 1 〇 5和1 1 〇 6輸入啓始脈衝(此後稱爲S P )。當C K處於電位準Η時,C K B處於電位準L,S P 處於電位準Η,TFT1 1 〇6和1 107開通,電位準 爲L的輸出被輸入到包含TFT 1 1 0 8和1 1 0 9的反 相器,反轉輸出電位準Η到輸出節點(S R輸出1 )。然 後,當CK達到電位準L並且CKB達到電位準Η,而 S Ρ處於電位準Η時,在包含反相器1 1 〇 2和鍾控反相 器1 1 0 3的回路中進行保持操作。這樣,Η電位準輸出 被連續地輸出到輸出節點。接下來,當C Κ達到電位準Η ,而C Κ Β達到電位準L時,在鍾控反相器1 1 〇 1中再 次進行一寫操作。L電位準的輸出被輸出到輸出節點,因 爲此時S Ρ已經達到了電位準L。此後,當C Κ達到電位 準L並且C Κ Β到達電位準Η時,再次進行保持操作。在 包含反相器1 1 0 2和鍾控反相器1 1 0 3的回路中維持 輸出節點中的電位準L。 線_· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上面描述的是一個級的操作。在下面的級中,C Κ和 C Κ Β之間的連接是相反的,這樣,時計信號的極性與上 面相反,而操作情況是相似的。重復交替進行上面的操作 ,此後,類似地,按圖1 1 C所示的順序輸出取樣脈衝。 C Μ〇S電路的特徵在於,可以在總體上抑制電路中 消耗的電流,因爲電流僅在邏輯發生變化(從電位準Η到 電位準L,或從電位準L到電位準Η )時才流通,而當維 持某種邏輯不變時(儘管實際中有微小的泄漏電流)電流 是不流通的。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格{ 210X297公釐) -6- 1285857 A7 __B7___ 五、發明説明(4) 發明內容 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 隨著移動電子裝置尺寸的減小和重量的減輕,對採用 液晶或自然發光單元的顯示裝置的需求快速地增長。但是 ,從生産的角度考慮,充分減少顯示裝置的製造費用是很 難的。很容易預測這種需求在將來會更快,所以,希望能 夠提供一種低價的顯示裝置。 在一種絕緣材料上形成驅動電路的一般方法是採用多 次光掩模對諸如主動層和佈線等模式進行圖形的曝光和蝕 刻,來形成電路。製造中的處理次數最好要盡可能少,因 爲它直接影響到製造成本。當可以僅通過導電T F T來形 成通常包括C Μ〇S電路的驅動電路時,除了可以減少光 掩模的次數,還可以省去一部分的離子摻雜處理,T F Τ 既可以是Ν通道型,也可以是Ρ通道型。 圖9 Α說明了常規使用的C Μ〇S反相器(I )的實 例和包含單個導電T F Τ的反相器(Π )和(m ) 。( Π )爲tft負載型的反相器,(m)爲電阻負載型的反相 器。下面將分別描述其操作情況。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖9 B顯示了將被輸入到反相器的信號波形。此處規 定輸入信號的波形的幅値爲V D D - V s S ( V S S < VDD)。這裏假定 VSS 二 〇〔V〕。 下面將描述電路的操作情況。爲了淸晰而簡化說明, 假定組成電路的N型T F T的臨限値電壓是統一的( V t h N ),沒有任何偏差。類似地,假定ρ型T F T的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 1285857 A7 B7 五、發明説明(5) 臨限値電壓也是統一的(V t h P ) ° (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 當如圖9 B所示的信號被輸入到C Μ〇S反相器(I )時,在這種情況下,輸入信號的電位是處於電位準Η, Ρ型的丁 FT 9 0 1關斷,Ν型的TFT9 0 2開通。由 此,輸出節點的電位達到電位準L。相反,在輸入信號的 電位是電位準L的情況下,P型TFT901導通,N型 丁 F 丁 9 0 2關斷。由此,輸出節點的電位達到電位準Η (圖 9 C )。 接下來將描述T F Τ負載型的反相器(Π )的操作。 類似地,假定圖9 Β中所示的信號被輸入到上述的反相器 中。當該輸入信號處於電位準L時,Ν型T F Τ 9 0 4關 斷。輸出節點的電位朝著電位準Η升高,因爲負載 T F Τ 9 0 3總是是工作在飽和狀態。另一方面,當輸入 信號處於電位準Η時,Ν型TFT904導通。當該Ν型 T F Τ 9 0 4的電流容量被設置爲充分高於負載 丁 F 丁 9 0 3時,輸出節點的電位朝著電位準~ L減小。 電阻負載型的反相器(ΠΤ )的情況也是如此。當Ν型 丁 F Τ 9 0 6的導通電阻値被設置爲充分低於負載電阻 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 0 5的電阻値時,在輸入信號處於電位準Η時,該Ν型 T F Τ 9 0 6導通,由此,輸出節點朝著電位準L減小。 在輸入信號處於電位準L時,該Ν型T F Τ 9 0 6關斷, 使得輸出節點朝著電位準Η升高。 但是,在使用T F Τ負載型的反相器(Π )或電阻型 反相器(m )中,存在下面的問題。圖9 D顯示了 T F Τ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(210X 297公釐) -8 - 1285857 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7五、發明説明(6) 負載型的反相器(Π )的輸出波形。當輸出處於電位準Η 時,電位比9 0 7顯示的數値V D D低。當規定輸出節點 側的端子爲T F Τ 9 0, 3的源極,供電電源V D D側的端 子爲丁FT903的汲極時,閘極的電位爲VDD,因爲 閘極和汲極區是相連的。輸出節點的電位最多僅能升高到 VDD - V t hN,因爲保持負載TFT導通的條件爲( T F 丁 9 0 3的閘極和源極間的電壓> V t h N )。即, 9 0 7等於VthN。而且,當輸出電位爲電位準L時, 該電位可以比由9 0 8顯示的數値V S S高,取決於 TFT9 0 3負載和N型TFT9 0 4的電流容量的額定 値。N型T F T 9 0 4的電流容量應該充分高於負載 T F T 9 0 3的電流容量的額定値,以便使該電位高於 V S S,但充分接近於V S S。圖9 E顯示了電阻負載型 反相器(ΠΙ )的輸出波形。類似於上面的描述,其電位可 以高於9 0 9顯示的數値,取決於負載電阻9 0 5的電阻 和N型T F T 9 0 6的導通電阻的額定値。即,採用這裏 顯示的僅包含單一導電T F T導致輸出信號幅値相對於輸 入信號的幅値有所衰減。 對於電路中,其中前面的級的輸出脈衝被輸入到後續 的級,諸如移位暫存器,隨著級數從m,m + 1,m + 2 …的增加,幅値依照T F T的臨限値而衰減,使得電路不 能工作。 鑒於上述的問題,本發明的目的是提供脈衝輸出電路 和移位暫存器,能夠僅採用單一導電的T F Τ來減少製作 本紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1285857
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Μ Β7五、發明説明(7 ) 過程,降低製造費用,並能夠獲得沒有幅値衰減的輸出。 考慮這樣一種情況,在上面提到的由圖9 A的(Π ) 表示的T F T負載型反相器輸出信號的幅値可以是標準的 VDD — VSS。首先,在圖l〇A中顯示的電路中,當 輸出信號的電位達到電位準L時,相對於供電電源V D D 和輸出節點間的電阻,僅要求供電電源V S S和輸出節點 間的電阻値要足夠低,以便使該電位充分接近於V S S。 即,當N型TFT1 〇 〇 2爲導通時,僅要求N型TFT 1001爲關斷。第二,爲了使輸出信號的電位VDD,當該 電位達到電位準Η時,通常僅要求N型TFT 1 〇 〇 1的 閘極和源極之間的電壓的絕對値大於V t h N。即,N型 T F T 1 〇 〇 1的閘極電位必須高於(V D D + V t h N )’以便滿足一條件,就是輸出節點的電位準Η爲V D D 。僅有兩種爲電路供電的電源:V D D和V S S。這樣, 只要沒有第三個電位高於V D D的電源,利用常規的方法 是不能滿足上述條件的。 爲了克服上述的缺陷,本發明採用了下面的方法。如 圖1OB所示,在N型丁FT1〇〇1的閘極和源極之間 提供電容裝置1003。當在N型TFT 1001的閘極 處在具有某電位的浮動狀態下,輸出節點的電位升高時, 由於電容裝置1 0 〇 3産生的電容配合,該N型 T F T 1 〇 〇 1的閘極電位也根據輸出節點的電位升高値 而升高。可以利用上述效應,使N型T F T 1 〇 〇 1的閘 極電位高於VDD (更確切地說,是高於VDD + 秦 , -----訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -10· 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 1285857 A7 B7五、發明説明(8) V t h N )。所以,可以將輸出節點的電位充分提升到 V D D。 除了採用實際的電容裝置之外,還可以利用 T F T 1 0 0 1的閘極和源極之間的寄生電容來作爲圖 1 Ο B中的電容裝置1 〇 〇 3。在獨立産生電容裝置的情 況下,很容易並最好是採用主動層、閘極材料和佈線材料 中的任意兩種,將絕緣層夾在其中,但也可以採用其他材 料。 現在描述本發明的結構。 依照本發明的脈衝輸出電路包括: 第一電晶體,其第一電極連接到第一輸入信號線; 第二電晶體,其第一電極連接到第一電源; 第一幅値補償電路; 第二幅値補償電路;和 電容, 其中第一電晶體和第二電晶體具有相同的導電類型, 第一電晶體的第二電極、第二電晶體的第二電極和電 容的第一端子連接到輸出信號線上, 第一電晶體的閘極連接到電容的第二端子上, 第一電晶體的閘極連接到第一幅値補償電路的輸出部 分, 第二電晶體的閘極連接到第二幅値補償電路的輸出部 分, 第二信號輸入部分和第三輸入部分均連接到第一幅値 H I 批衣 J 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -11 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1285857 A7 _B7_____五、發明説明(9) 補償電路的第一輸入部分和第二輸入部分,和 第二信號輸入部分和第三輸入部分均連接到第二幅値 補償電路的第一輸入部分和第二輸入部分。 依照本發明的脈衝輸出電路包括: 第一電晶體,其第一電極連接到第一輸入信號線; 第二電晶體,其第一電極連接到第一電源; 幅値補償電路;和 電容, 其中第一電晶體和第二電晶體具有相同的導電類型, 第一電晶體的第二電極、第二電晶體的第二電極和電 容的第一端子連接到輸出信號線上, 第二電晶體的閘極連接到第二幅値補償電路的輸出部 分, 第一電晶體的閘極連接到幅値補償電路的輸出部分, 第二信號輸入部分和第三輸入部分均連接到幅値補償 電路的第一輸入部分和第二輸入部分,和 第二電晶體的閘極連接到第三輸入信號線上。 依照本發明的脈衝輸出電路包括: 第一電晶體,其第一電極連接到第一輸入信號線; 第二電晶體,其第一電極連接到第一電源; 第三電晶體,其第一電極連接到第二電源; 第四電晶體,其第一電極連接到第一電源; 第五電晶體,其第一電極連接到第二電源; 第六電晶體,其第一電極連接到第一電源;和 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -12- 1285857 A7 B7 五、發明説明( 電容, (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中所有第一至第六電晶體具有相同的導電類型, 第一電晶體的第二電極、第二電晶體的第二電極和電 容的第一端子連接到輸出信號線上, 第三電晶體的第二電極、第四電晶體的第二電極和第 一電晶體的閘極連接到電容的第二端子上, 第五電晶體的第二電極和第六電晶體的第二電極連接 到第二電晶體的閘極上, 第三電晶體的閘極和第六電晶體的閘極連接到第二輸 入信號線上,和 第四電晶體的閘極和第五電晶體的閘極連接到第三輸 入信號線上。 依照本發明的脈衝輸出電路包括: 第一電晶體,其第一電極連接到第一輸入信號線; 第二電晶體,其第一電極連接到第一電源; 第三電晶體,其第一電極連接到第二電源; 第四電晶體,其第一電極連接到第一電源;和 電容, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中所有第一-第四電晶體具有相同的導電類型, 第一電晶體的第二電極、第二電晶體的第二電極和電 容的第一端子連接到輸出信號線上, 第三電晶體的第二電極、第四電晶體的第二電極和第 一電晶體的閘極連接到電容的第二端子上, 第三電晶體的閘極連接到第二輸入信號線上,和 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -13- 1285857 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( 第二電晶體的閘極和第四電晶體的閘極連接到第三輸 入信號線上。 依照本發明的脈衝輸出電路包括: 第一電晶體,其第一電極連接到第一輸入信號線; 第二電晶體,其第一電極連接到第一電源; 第三電晶體,其第一電極連接到第二電源; 第四電晶體,其第一電極連接到第一電源; 第五電晶體,其第一電極連接到第二電源; 第六電晶體,其第一電極連接到第一電源; 第七電晶體,其第一電極連接到第二電源; 第八電晶體,其第一電極連接到第一電源;和 電容, 其中所有第一至第八電晶體具有相同的導電類型, 第一電晶體的第二電極、第二電晶體的第二電極和電 容的第一端子連接到輸出信號線上, 第三電晶體的第二電極、第四電晶體的第二電極和第 一電晶體的閘極連接到電容的第二端子上, 第五電晶體的第二電極、第六電晶體的第二電極和第 七電晶體的第二電極連接到第二電晶體的閘極上, 第三電晶體的閘極和第六電晶體的閘極連接到第二輸 入信號線上, 第四電晶體的閘極和第五電晶體的閘極連接到第三輸 入信號線上,和 第七電晶體的閘極和第八電晶體的閘極連接到第四輸 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -14- 1285857 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( 入信號線上, 依照本發明的脈衝輸出電路包括: 第一電晶體,其第一電極連接到第一輸入信號線; 第二電晶體,其第一電極連接到第一電源; 第三電晶體,其第一電極連接到第二電源; 第四電晶體,其第一電極連接到第一電源; 第五電晶體,其第一電極連接到第二電源; 第六電晶體,其第一電極連接到第一電源; 電容;和 掃描方向切換電路, 其中所有第一至第六電晶體具有相同的導電類型, 第一電晶體的第二電極、第二電晶體的第二電極和電 容的第一端子連接到輸出信號線上, 第三電晶體的第二電極、第四電晶體的第二電極和第 一電晶體的閘極均連接到電容的第二端子上, 第五電晶體的第二電極和第六電晶體的第二電極連接 到第二電晶體的閘極上, 第三電晶體的閘極和第六電晶體的閘極通過掃描方向 切換電路連接到第二輸入信號線和第三輸入信號線上, 第四電晶體的閘極和第五電晶體的閘極通過掃描方向 切換電路連接到第二輸入信號線和第三輸入信號線上, 當掃描方向切換電路處於第一狀態時,第三電晶體的 閘極和第六電晶體的閘極對於第二輸入信號線是導通的, 對於第三信號線是不導通的,而第四電晶體的閘極和第五 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -15- 1285857 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( 電晶體的閘極對於第三輸入信號線是導通的,對於第二信 號線是不導通的,和 當掃描方向切換電路處於第二狀態時,第三電晶體的 聞極和第六電晶體的闊極對於弟二輸入is號線是導通的, 對於第二信號線是不導通的,而第四電晶體的閘極和第五 電晶體的閘極對於第二輸入信號線是導通的,對於第三信 號線是不導通的。 依照本發明的脈衝輸出電路包括: 第一電晶體,其第一電極連接到第一輸入信號線; 第二電晶體,其第一電極連接到第一電源; 第三電晶體,其第一電極連接到第二電源; 第四電晶體,其第一電極連接到第一電源; 電容;和 掃描方向切換電路, 其中所有第一至第四電晶體具有相同的導電類型, 第一電晶體的第二電極、第二電晶體的第二電極和電 容的第一端子連接到輸出信號線上, 第三電晶體的第二電極、第四電晶體的第二電極和第 一電晶體的閘極連接到電容的第二端子上, 第三電晶體的閘極通過掃描方向切換電路連接到第二 輸入信號線和第三輸入信號線上, 第二電晶體的閘極和第四電晶體的閘極通過掃描方向 切換電路連接到第二輸入信號線和第三輸入信號線上, 當掃描方向切換電路處於第一狀態時,第三電晶體的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本貰} 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -16- 1285857 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7__五、發明説明( 閘極對於第二輸入信號線是導通的,對於第三信號線是不 導通的,而第二電晶體的閘極和第四電晶體的閘極對於第 三輸入信號線是導通的,對於第二信號線是不導通的,和 當掃描方向切換電路處於第二狀態時,第三電晶體的 閘極對於第三輸入信號線是導通的,對於第二信號線是不 導通的,而第二電晶體的閘極和第四電晶體的閘極對於第 二輸入信號線是導通的,對於第三信號線是不導通的。 依照本發明的脈衝輸出電路包括: 第一電晶體,其第一電極連接到第一輸入信號線; 第二電晶體,其第一電極連接到第一電 '源; 第三電晶體,其第一電極連接到第二電源; 第四電晶體,其第一電極連接到第一電源; 第五電晶體,其第一電極連接到第二電源;‘ 第六電晶體,其第一電極連接到第一電源; 第七電晶體,其第一電極連接到第二電源; 第八電晶體,其第一電極連接到第一電源; 電容;和 掃描方向切換電路, 其中所有第一至第八電晶體具有相同的導電類型, 第一電晶體的第二電極、第二電晶體的第二電極和電 容的第一端子均連接到輸出信號線上, 第三電晶體的第二電極、第四電晶體的第二電極、第 八電晶體的第二電極和第一電晶體的閘極連接到電容的第 二端子上, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X :297公釐) -17- 1285857五、發明説明(1尹 第五電晶體的第二電極 七電晶體的第二電極連接到 第三電晶體的閘極和第 切換電路連接到第二輸入信 第四電晶體的閘極和第 切換電路連接到第二輸入信 第七電晶體的閘極和第 入信號線上, 當掃描方向切換電路處 閘極和第六電晶體的閘極對 對於第三信號線是不導通的 電晶體的閘極對於第三輸入 號線是不導通的,和 當掃描方向切換電路處 閘極和第六電晶體的閘極對 對於第二信號線是不導通的 電晶體的閘極對於第二輸入 A7 B7 、第六電 第二電晶 六電晶體 號線和第 五電晶體 號線和第 八電晶體 晶體的第二電極和第 體的閘極上, 的閘極通過掃描方向 三輸入信號線上, 的閘極通過掃描方向 三輸入信號線上, 的閘極連接到第四輸 於第一狀態時,第三電晶體的 於第二輸入信號線是導通的, ,而第四電晶體的閘極和第五 信號線是導通的,對於第二信 於第二狀態時,第三電晶體的 於第三輸入信號線是導通的, ,而第四電晶體的聞極和弟五 信號線是導通的,對於第三信 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟· 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 號線是不導通的。 在依照本發明的脈衝輸出電路中,掃描方向切換電路 包括: 第七電晶體,其第一電極連接到 第八電晶體,其第一電極連接到 第九電晶體,其第一電極連接到 第十電晶體,其第一電極連接到 第二輸入信號線上; 第二輸入信號線上; 第三輸入信號線上; 第三輸入信號線上, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -18- 1285857 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(1歹 並且其中第七至第十電晶體具有與第一至第六電晶體 相同的導電類型, 第七電晶體的第二電極、第九電晶體的第二電極和第 三電晶體的閘極連接到第六電晶體的閘極上, 第八電晶體的第二電極、第十電晶體的第二電極和第 四電晶體的閘極連接到第五電晶體的閘極上, 第七電晶體的閘極和第十電晶體的閘極連接到第四輸 入信號線上, 第八電晶體的閘極和第九電晶體的閘極連接到第五輸 入信號線上, 當掃描方向切換信號被輸入到第四輸入信號線,掃描 方向切換信號的反轉信號被輸入到第五輸入信號線時,第 七電晶體和第十電晶體是導通的,而第八電晶體和第九電 晶體是不導通的,和 當掃描方向切換信號被輸入到第五輸入信號線,掃描 方向切換信號的反轉信號被輸入到第四輸入信號線時,第 八電晶體和第九電晶體是導通的,而第七電晶體和第十電 晶體是不導通的。 在依照本發明的脈衝輸出電路中,掃描方向切換電路 包括: 第五電晶體,其第一電極連接到第二輸入信號線上; 第六電晶體,其第一電極連接到第二輸入信號線上; 第七電晶體,其第一電極連接到第三輸入信號線上; 第八電晶體,其第一電極連接到第三輸入信號線上, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X297公釐) -19- 1285857 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( 其中第五至第八電晶體具有與第一至第四電晶體相同 的導電類型, 第五電晶體的第二電極、第七電晶體的第二電極均連 接到第三電晶體的閘極上, 第六電晶體的第二電極、第八電晶體的第二電極和第 二電晶體的閘極連接到第四電晶體的閘極上, 第五電晶體的閘極和第八電晶體的閘極均連接到第四 輸入信號線上, 第六電晶體的閘極和第七電晶體的閘極均連接到第五 輸入信號線上, 當掃描方向切換信號被輸入到第四輸入信號線,掃描 方向切換的反轉信號被輸入到第五輸入信號線時,第五電 晶體和第八電晶體是導通的,而第六電晶體和第七電晶體 是不導通的,和 當掃描方向切換信號被輸入到第五輸入信號線,掃描 方向切換的反向信號被輸入到第四輸入信號線時,第六電 晶體和第七電晶體是導通的,而第五電晶體和第八電晶體 是不導通的。 在依照本發明的脈衝輸出電路中,掃描方向切換電路 包括= 第九電晶體,其第一電極連接到第二輸入信號線上; 第十電晶體,其第一電極連接到第二輸入信號線上; 第十一電晶體,其第一電極連接到第三輸入信號線上 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -20 - 1285857 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(1争 第十二電晶體,其第一電極連接到第三輸入信號線上 ’ 其中第九至第十二電晶體具有與第一至第八電晶體相 同的導電類型, 第九電晶體的第二電極、第十一電晶體的第二電極和 第三電晶體的閘極連接到第六電晶體的閘極上, 第十電晶體的第二電極、第十二電晶體的第二電極和 第四電晶體的閘極連接到第五電晶體的閘極上, 第九電晶體的閘極和第十二電晶體的閘極均連接到第 五輸入信號線上, 第十電晶體的閘極和第十一電晶體的閘極均連接到第 六輸入信號線上, 當掃描方向切換信號被輸入到第四輸入信號線,掃描 方向切換的反轉信號被輸入到第五輸入信號線時,第九電 晶體和第十二電晶體是導通的,而第十電晶體和第十一電 晶體是不導通的,和 當掃描方向切換信號被輸入到第五輸入信號線,掃描 方向切換的反轉信號被輸入到第四輸入信號線時,第十電 晶體和第十一電晶體是導通的,而第九電晶體和第十二電 晶體是不導通的。 在依照本發明的脈衝輸出電路中, 電谷τπί未用弟一'電晶體的聞極和第一*電晶體的第—^電 極之間的電容器。 在依照本發明的脈衝輸出電路中, i紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210父297公慶) " ~ I----'-------:---1T------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1285857 A7 B7 ~' 一 — '—---— 五、發明説明(1亨 電容由選自主動層材料、形成閘極的材料和佈線材料 中的兩種材料組成。 依照本發明的移位暫存器是包括η級(其中n是自然 數,η > 1 )脈衝輸出電路的移位暫存器, 其中,在第一級的脈衝輸出電路中, 時計信號或時計反轉信號被輸入到第一輸入信號線上 起始脈衝被輸入到信號線上,和 第二級脈衝輸出電路的輸出信號被輸入到第三信號線 上, 在第m級脈衝輸出電路中(其中m是自然數,2 < m < η - 1 ), 時計信號或時計反轉信號被輸入到第一輸入信號線上 j 第(m - 1 )級脈衝輸出電路的輸出信號被輸入到第 二信號線上,和 第(m + 1 )級脈衝輸出電路的輸出信號被輸入到第 三信號線上, 在第η級脈衝輸出電路中, 時計信號或時計反轉信號被輸入到第一輸入信號線上 , 第(η - 1 )級脈衝輸出電路的輸出信號被輸入到第 二信號線上,和 第一電源、重設信號和起始脈衝中的被輸入到第三信 裝 ^ 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -22- 1285857 A7 B7 五、發明説明(25> 號線上, 其中根據時計信號或時計反轉信號和起始脈衝,按順 序輸出取樣脈衝。 型 在依照本發明的脈衝輸出電路中,導電類型是N通道 在依照本發明的脈衝輸出電路中,導電類型是P通道 型 在依照本發明的移位暫存器中,導電類型是N通道 型 在依照本發明的移位暫存器中,導電類型是p通道 型 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 附圖簡述 圖1 A至1 C說明的是依照本發明的脈衝輸出電路的 實施例模式; 圖2是驅動圖1 A至1 C中所示的脈衝輸出電路的時 序圖; 圖3 A和3 B說明的是附加掃描方向切換功能的移位 暫存器,即依照本發明的實施例模式的脈衝輸出電路; 圖4說明了依照本發明提供的顯示裝置中的源極信號 線驅動電路的結構的實施例; 圖5 A至5 D詳細說明了依照本發明提供的顯示裝置 中的位準移位器的電路結構及其幅値; 圖6 A和6 B詳細說明了依照本發明提供的顯示裝置 ^ :IT (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -23- 1285857五、發明説明( A7 B7 21 中的緩衝器和取樣開關的電路結構; (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖7 A至7 C說明了移位暫存器,即本發明的實施例 ,其結構被簡化。 圖8 A至8 G說明的是適用於本發明的電子裝置的實 施例。 圖9 A說明的是常規C Μ ◦ S反相器和負載型反相器 ,圖9 Β至9 Ε說明的是相應的輸入和輸出信號的波形; 圖1 Ο Α和1 Ο Β解釋了依照本發明的脈衝輸出電路 的操作原理; 圖1 1 A至1 1 C說明了常規移位暫存器的電路結構 和時序圖; 圖1 2說明了依照本發明提供的顯示裝置的全貌; 圖1 3 A至1 3 C說明了按照時計信號的不同寬度顯 示的作爲本發明的實施例模式的移位暫存器的操作。 圖1 4A和1 4B說明了添加了重設信號的輸入移位 暫存器及其時序圖; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 5 A和1 5 B說明了添加了重設信號的輸入移位 暫存器; 圖1 6 A和1 6 B與實施例模式有所不同的導電電晶 體的電路結構;和 圖1 7說明了驅動圖1 6A和1 6 B中所示的移位暫 存器的時序圖。 主要元件對照表 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -24 - 1285857 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(2? 100 脈衝輸出電路 101 薄膜電晶體 1 0 2 薄膜電晶體 103 薄膜電晶體 104 薄膜電晶體 1〇5 薄膜電晶體 106 薄膜電晶體 107 電容裝置 110 第一幅値補償電路 120 第二幅値補償電路 300 脈沖輸出電路 3 0 1 .薄膜電晶體 302 薄膜電晶體 303 薄膜電晶體 304 薄膜電晶體 305 薄膜電晶體 306 薄膜電晶體 307 電容裝置 308 薄膜電晶體 309 薄膜電晶體 310 薄膜電晶體 311 薄膜電晶體 4 0 1 時計信號位準移位器 402 啓始脈衝位準移位器 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -25- 1285857 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(2? 403 掃描方向切換型移位暫存器 404 緩衝器 4 0 5 取樣開關 501 薄膜電晶體 502 薄膜電晶體 503 薄膜電晶體 504 薄膜電晶體 505 電容裝置 506 薄膜電晶體 507 薄膜電晶體 508 薄膜電晶體 509 薄膜電晶體 510 電容裝置 511 薄膜電晶體 512 薄膜電晶體 513 薄膜電晶體 514 薄膜電晶體 515 電容裝置 516 薄膜電晶體 517 薄膜電晶體 518 薄膜電晶體 519 薄膜電晶體 520 電容裝置 606 薄膜電晶體 I----質一I------I1T-----會 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -26- 1285857 A7 五、發明説明(2子 6 〇 7 薄 膜 電 晶 體 6 〇 8 薄 膜 電 晶 體 6 2 1 薄 膜 電 晶 髀 Πϋ 7 〇 〇 脈 衝 輸 出 電 路 7 〇 1 薄 膜 電 晶 體 7 〇 2 薄 膜 電 晶 體 7 〇 3 薄 膜 電 晶 體 7 〇 4 薄 膜 電 晶 體 7 〇 5 電 容 裝 置 7 1 〇 幅 値 補 償 電 路 9 〇 1 Ν 型 薄 膜 電 晶 體 9 〇 2 Ρ 型 薄 膜 電 晶 體 9 0 3 負 載 薄 膜 電 晶 體 9 〇 4 Ν 型 薄 膜 電 晶 m nS 9 〇 5 負 載 電 阻 9 〇 6 Ν 型 薄 膜 電 晶 體 I----"------^--1Τ----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 0 1 N型薄膜電晶體 1 0 0 2 N型薄膜電晶體 1003 電容裝置 1100 輸出一級脈衝之電路 1101 鐘控反相器 1102 鐘控反相器 1103 鐘控反相器 1104 薄膜電晶體 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -27- 1285857 A7 B7 五、發明説明(巧 1105 薄膜電晶體 1106 薄膜電晶體 1107 薄膜電晶體 1108 薄膜電晶體 1109 薄膜電晶體 1110 薄膜電晶體 1111 薄膜電晶體 1112 薄膜電晶體 1113 薄膜電晶體 1200 基底 1201 源極信號線驅動電路 1202 閘極信號線驅動電路 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 2 0 3 像 素 部 份 1 2 〇 4 可 撓 印 刷 電 路 1 2 1 〇 像 素 1 4 〇 1 第 三 輸 入 訊 號線 1 5 〇 1 薄 膜 電 晶 體 1 5 〇 2 薄 膜 電 晶 體 1 5 〇 3 薄 膜 電 晶 體 1 5 〇 4 薄 膜 電 晶 體 1 5 0 5 薄 膜 電 晶 體 1 5 〇 6 薄 膜 電 晶 體 1 6 〇 〇 脈 衝 輸 出 電 路 3 〇 〇 1 框 體 -----T--裝----:---訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -28- 1285857 A7 五、發明説明(2夸 3002 支撐架 3003 顯示部份 3 0 11 本體 3012 顯示部份 3013 聲音輸入部份 3014 操作開關 3015 電池 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 〇 1 6 影像接 收部份 3 0 2 1 本體 3 0 2 2 框體 3 〇 2 3 顯示部 份 3 0 2 4 鍵盤 3 〇 3 1 本體 3 〇 3 2 觸針 3 0 3 3 顯示部 份 3 〇 3 4 操作按 鈕 3 〇 3 5 外部介面 3 0 4 1 本體 3 0 4 2 顯示部 份 3 0 4 3 操作開 關 3 0 4 4 操作開 關 3 0 5 1 本體 3 0 5 2 顯示部 份 3 0 5 3 目鏡部份 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0'乂297公釐) -29- •第91108006號專利申請案 丨中文說明書修正頁 A7 B7 五、發明説明(2> 民國93年9月13日修正 〇 5 4 操 作 開 關 〇 5 5 顯 示 部 份 〇 5 6 電 池 〇 6 1 本 體 〇 6 2 聲 音 輸 出 部份 〇 6 3 聲 輸 入 部份 〇 6 4 顯 示 部 份 〇 6 5 操 作 開 關 〇 6 6 天 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
具體實施例 〔實施例模式1〕 圖1說明了採用自舉方式的移位暫存器,屬於依照本 發明的脈衝輸出電路的一種模式。在圖1 A中所示的模組 圖中,由1 0 0顯示的模組是用來輸出一級取樣脈衝的脈 衝輸出電路。圖1 A中所不的移位暫存器包含η級的脈衝 輸出電路。時計信號(此後稱爲C Κ ) '時計反轉信號( 此後稱爲C Κ Β )和起始脈衝(此後稱爲S Ρ )被輸入到 該移位暫存器。圖1 Β說明了模組1 〇 〇的詳細電路結構 。在圖1 Β中,模組1 1 ◦是第一幅値補償電路,模組 1 2 0是第二幅値補償電路。圖1C說明了更詳細的電路結 構。在圖1 C中,第一幅値補償電路包括與電源V D D相 連的TFT101 ,和與電源VSS相連的TFT102 ,而第二個幅値補償電路1 2 0包括與電源ν D D相連的 本纸張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30- 1285857 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(2令 TFTl〇3,和與電源VSS相連的丁F丁l()4。 下面將參考圖1 A至1 C中顯示的電路圖和圖2中顯 示的時序圖來說明電路的操作。第(m - 1 )級的輸出脈 衝被輸入(ηι = 1時,即第一級時輸入的是s P )到某個 第m ( 1 < m < η )級脈衝輸出電路中的τ F T 1 〇 1和 T F Τ 1 0 4的閘極。從而,電位準達到Η,以便使 TFT1 0 1和1 04導通(參考圖2中顯示的2 1 0) 。由此節點3的電位朝V D D側升高(參考圖2中顯示的 202),當電位達到(VDD — VthN)時, T F Τ 1 〇 1關斷,處於浮動狀態。這樣,τ F Τ 1 0 5 導通。另一方面,丁 F Τ 1 〇 2和1 0 3處於關斷狀態, 因爲此時沒有爲T F 丁 1 〇 2和1 0 3的閘極輸入脈衝, 電位準仍爲L。因此,T F Τ 1 〇 6的閘極電位是電位準 L,T F Τ 1 〇 6處於關斷狀態,由此,當從 T F Τ 1 〇 5的摻雜區的邊緣輸入C K時,即第一輸入信 號線(1 )到達電位準Η時,輸出節點的電位朝V D D側 升高。 在T F Τ 1 0 5的閘極和輸出節點間提供電容裝置 1 0 7,另外,節點έ,即T F Τ 1 〇 5的閘極此時處於浮 動的狀態。所以,當輸出節點的電位升高時, T F Τ 1 〇 5的閘極電位通過自舉從(V D D — V t h Ν )進一步升高。因而,T F Τ 1 〇 5的閘極電位變得高於 VDD + VthN(參見圖2中所示的202)。這樣, 輸出節點的電位完全升高到V D D,並不因T F Τ 1 〇 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) I ^11—裝 : 訂 (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) -31 - 1285857 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
五、發明説明(27 的臨限値而減小(參見圖2中所示的2 0 3 )。 類似地,根據第(m + 1 )級的C K B輸出脈衝(參 考圖2中所示的2 0 4 )。該第(m + 1 )級的輸出脈衝 被反饋到第m級,有待被輸入到丁 F T 1 〇 2和1 〇 3的 閘極。當T F T 1 0 2和1 0 3的閘極達到電位準Η,並 且丁 F 丁 1 0 2和1 0 3導通時,節點έ的電位朝著 V S S側減小,使T F Τ 1 〇 5關斷。同時, T F Τ 1 0 6的閘極電位達到電位準Η,T F Τ 1 〇 6導 通,使第m級輸出節點的電位達到電位準L。 此後,重復類似的操作,直到最後一級,這樣就可以 及時地輸出幅値爲V D D - V S S的脈衝。在最後一級, 由於沒有後續級的輸出脈衝,實際上維持C K有待輸出, 它是從圖1 C中所示的第三輸入信號線輸入的。由此,可 以提供級數大於η的移位暫存器,當實際需要的取樣脈衝 的輸出級數爲η時,多餘的級,包括末級,可以被當作虛 設的級,因爲末級的輸出不能被用作取樣脈衝。在水平迴 圏開始之前,末級輸出應該以任何方式停止。在圖1 Α至 1 C中所示的電路中,被輸入到第一級的起始脈衝也被輸 入到末級的第三輸入信號線,被用作反4貴脈衝,由此,末 級的脈衝輸出剛好在後續水平迴圏之前停止。 作爲本實施例模式顯示的幅値補償電路結構僅是例子 ,也可採用其他的結構。 還存在其他的方式,提供重設信號有待在反饋周期中 輸入到末級第三輸入信號線1 4 0 1,以便停止圖1 4 A --------丨裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -32- 1285857 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7_五、發明説明(39> 和1 4 B中所示的脈衝輸出,和提供用於重定的 丁 F T 1 5 0 3和1 5 0 4,當輸入該重設信號時, f T F T 1 5 0 5的閘極電位達到電位準L, T F T 1 5 0 5關斷,T F T 1 5 0 6的閘極電位達到電 位準Η,T F T 1 5 0 6導通,以便將所有級的輸出固定 在電位準L,如圖1 5 Α和1 5 Β所示。輸入重設信號的 時序可以與圖14B所示的時序圖相同。在圖15A中, 在末級脈衝輸出電路中用標記*顯示的第三輸入信號線最 好是連接到V S S側的電源電位上,使得T F T 1 5 0 1 和1 5 0 2總是處於關斷狀態。 而且,在圖1 5 A和1 5 B顯示的電路情況下,可以 通過在電路開始輸出取樣脈衝之前,即電源剛剛打開之後 初次輸入重設信號來確定所有級的輸出節點電位(在圖 1 5 A和1 5 B顯示的電路情況下,所有級的輸出節點都 被確定爲電位準L ),儘管沒有在圖中特別顯示。在動態 電路的情況下,這種操作對於電路的穩定操作是很有效的 〇 由於上述操作,即使在包括單一導電T F T的電路中 ,也可以獲得相對於輸出信號具有標準幅値的輸出信號, 而不會出現因連接到高電位側供電電源的T F T的臨限値 而引起的幅値衰減。還有很大的優勢在於,與常規 C Μ〇S電路相比,本實施例模式中顯示的電路結構不很 複雜。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) -33- 1285857 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Μ _ _Β7_五、發明説明(3) 〔實施例模式2〕 圖3 Α和3 Β說明實施例,爲本發明的實施例模式中 顯示的移位暫存器增加掃描方向反轉功能。在圖3 A中, 與圖1 A所示的電路相比,增加了掃描方向切換信號( L R )和掃描方向切換反向信號(L R B )。 圖3 B說明了圖3 A中的模組3 0 0所示的脈衝輸出 電路的一級的詳細結構。與圖1 B中的脈衝電路一樣,脈 衝電路本體包括TFT3 0 1至3 0 6,電容裝置3 07 ,而在第二和第三輸入信號線(2 )和(3 )與脈衝電路 之間提供由虛線框3 5 0顯示的掃描方向切換電路。該實 施例中的掃描方向切換電路包括T F T 3 0 8至3 1 1, 起類比開關的作用。 TFT3 0 1和3 04的閘極通過TFT3 0·8連接 到第二輸入信號線(2 ),通過T F Τ 3 1 0連接到第三 信號線(· 3 ),如圖3 Β中所示。T F Τ 3 0 2和3 0 3 通過T F Τ 3 0 9連接到第二輸入信號線(2 ),通過 T F Τ 3 1 1連接到第三信號線(3 )。將L R信號輸入 到T F Τ 3 0 8和T F Τ 3 1 0的閘極,將L R Β信號輸 入到TFT309和TFT31 1的閘極。LR和LRB 排他地處於電位準Η或L,這樣,本實施例中的掃描方向 切換電路處於下面兩種狀況。 第一,當LR處於電位準Η, LRB處於電位準L時 ,T F Τ 3 0 8和3 1 0導通,第二輸入信號線(2 )導 向T F Τ 3 0 1和3 0 4的閘極,第三輸入信號線(3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) -34- 1285857 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(3? 導向TFT302和303的閘極。第二,當LR處於電 位準L, LRB處於電位準Η時,TFT309和311 導通,第二輸入信號線(2 )導向T F Τ 3 0 2和3 0 3 的閘極,第三輸入信號線(3 )導向丁 F Τ 3 0 1和 3 0 4的閘極。 也就是說,當L R達到電位準Η,而L R Β達到電位 準L時,通過輸入的信號,按照第一級,第二級…和末級 的順序輸出取樣脈衝,相反,當L R達到電位準L,而 L R Β達到電位準Η時,通過輸入的信號,按照末級…… 第二級,第一級的順序輸出取樣脈衝。依照本發明,可以 通過提供附加取樣電路,很容易添加這樣的功能。但是,‘ 在該實施例中,電路包含Ν通道型T F Τ。在採用Ρ通道 型T F Τ形成電路時,一信號輸入到l R意味者L R fe號 達到電位準L,而L R處於電位準Η意味著沒有信號輸入 到L R。 本實施例中的掃描方向切換電路僅爲一實施例。可以 在其他的結構中添加類似的功能。 實施例 下面對本發明的實施例進行描述。 〔實施例1〕 本實施例描述的是通過單一導電T F Τ産生顯示裝置 的例子。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) a4規格(210X297公釐) -35- 1285857 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(邛 可以依照現有的方法來製造具有像素T F T和驅動電 路的基底,如已公開的授予Koyama等人的美國專利 5,8 8 9,2 9 1。也可以通過採用促進結晶的金屬元 素來結晶T F T主動層的半導體薄膜。例如,在發給 Olitad等人的美國專利5,6 4 3,8 2 6中公開的採用 金屬元件的方法。可以參考這些美國專利 5, 889,291和5,643,826的完整的公開 內容。 圖1 2是顯示裝置的槪況圖。源極信號線驅動電路 1 2 0 1、閘極信號驅動電路1 2 0 2和像素部分 1 2 0 3在基底1 2 0 0上被集成爲一體,形成顯示裝置 。像素部分中虛線框包圍的部分對應於像素。在圖1 2中 顯示的實施例中,顯示了液晶顯示裝置的像素和通過 T F T (此有稱爲像素T F T )來控制施加到液晶顯示單 元的電荷。施加到源極信號線驅動電路1 ·2 0 1的信號和 驅動電路1 2 0 2的閘極信號是通過可撓印刷電路( F P C ) 1 2 0 4從外部輸入的。 圖4說明了圖1 2中顯示的顯示裝置的源極信號驅動 電路1 2 0 1的總體結構。該源極信號線驅動電路包括時 計信號位準移位器4 0 1,起始脈衝位準移位器4 0 2, 掃描方向切換型移位暫存器4 0 3,緩衝器4 0 4和取樣 開關4 0 5。外部信號爲時計信號(C Κ ),時計反轉信 號(C Κ Β ),起始脈衝(S Ρ ),掃描方向切換信號( LR,LRB)和類比視頻信號(Video卜Videol2)。在剛 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -36- 1285857 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(3予 剛以低電壓幅値信號的形式從外面輸入上面的C K、 c K B和S P之後,就通過位準移位器對其進行幅値轉換 ,然後,將其作爲高電壓幅値信號輸入到驅動電路。在一 級中從移位暫存器輸出的取樣脈衝通過驅動取樣開關 4 0 5實現1 2列源極信號線的類比視頻信號的同時取樣 〇 圖5 A說明了時計信號(L S 1 )的位準偏移器的結 構。在該結構中,電位準移動電路的信號輸入類型被設置 爲並聯(級1 ),而相應的對應於緩衝級(級2至級4 ) 的南個輸入的輸出是交替輸入的。 現在將描述電路的操作。共有三種電位V D D 1、 VDD2 和 VSS,其中 VSSCVDD1CVDD2, 作爲圖5 A至5 C中所用的電源電位。在本實施例中, VSS 二〇〔V〕,V D D 1 = 5 C v ) , V D D 2 = 16 〔V〕。圖 5A 中 501、503、506 和 506 顯示的T F T可以是單閘極結構或是多閘極結構,其中有 三個或更多的閘極,儘管在本實施例中採用的是雙閘極結 構。其他T F T也不受閘極數的限制。 從信號輸入部分1 ( 1 )輸入具有幅値V D D 1 -VSS的CK。當CK爲電位準H時,TF丁502和 5〇4導通,而當T F T 5 0 3的閘極電位達到電位準L 時,T F T 5 0 3關斷。這樣電位準爲L的信號被輸出到 節點a。當C K爲電位準L時,T F T 5 0 2和5 0 4關 斷。因此,通過操作在飽和狀態的T F T 5 0 1, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210><297公釐) -37- ---------裝----;---訂----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 1285857 Α7 Β7 五、發明説明(邛 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) T F T 5 0 3的閘極電位朝著v D D 2側升高,當電位達 到VDD2— VthN時,TFT50 1關斷,使得 T F T 5 0 3的閘極處於浮動狀態。由此,T F T 5 0 3 導通,輸出節點έ的電位朝著V D D 2側升高。當輸出節 點έ的電位升高時,由於電容裝置5 0 5的操作,處於浮 動狀態的T F Τ 5 0 3的閘極電位升高。升高的 T F Τ 5 0 3的閘極電位高於V D D 2,當該電位還高於 V D D + V t h Ν時,輸出節點έ的電位準Η變爲等於 V D D 2。這樣,輸出信號的電位準L變爲V S S,電位 準Η變爲V D D 2,完成幅値轉換。 另一方面,與C Κ類似,具有幅値V D D 1 - V S S 的C Κ Β從信號輸入部分2 ( 2 )輸入。包含 TFT5 0 6至5 0 9的位準偏移器和電容裝置51 0進 行幅値轉換,而具有幅値V D D 2 - V S S的信號被輸出 到輸出節點S。輸出到節點έ和3的信號與輸入的c Κ和 C Κ Β相比具有相反的極性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在實施例的顯示裝置中所用的位準移位器中,在幅値 轉換之後,爲脈衝負載提供了緩衝級(級2和級4 )。形 成緩衝級的反相器電路屬於兩個輸出類型,要求輸入信號 和它的反轉信號。在圖5中級2所示的緩衝電路中,輸入 到T F 丁 5 1 1的閘極的信號具有與輸入到丁 F 丁 5 1 2 的閘極的信號相反的極性。對於T F Τ 5 1 6和5 1 7也 是這樣。這裏,前面提到的位準移位器輸出被用作彼此的 反轉信號輸入,因爲C Κ和C Κ Β是彼此極性相反的信號 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) -38- 1285857 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(3今 0 現在將描述形成緩衝級的反相器電路的操作。在下文 中僅對包括TFT511至514和電容裝置515的反 相器電路的操作做詳細的描述。其他反相器電路的操作與 上述類似。 當輸入到T F T 5 1 1閘極的信號爲電位準Η時, TFT5 11導通,TFT 5 13的閘極電位朝著 V D D 2側升高。然後,當T F T 5 1 3的閘極電位達到 VDD2— VthN 時,丁 FT511 導通, T F T 5 1 3的閘極處於浮動狀態。另一方面,當電位準 爲L的信號輸入到閘極時,TFT512和514關斷。 隨後,T F T 5 1 3導通,輸出節點3的電位朝著V D D 2 側升高。由於電容裝置5 1 5以及前面提到的移位暫存器 和位準移位器的作用,處於浮動狀態的T F T 5 1 3的閘 極電位升到高於V D D 2 + V t h N。這樣,輸出節點3的 電位準Η變爲等於VDD2。 另一方面,當輸入到丁 F Τ 5 1 1閘極的信號爲電位 準L時,丁 F Τ 5 1 1關斷,而當電位準爲Η的信號輸入 到T F Τ 5 1 2和5 1 4的閘極時,T F 丁 5 1 2和 5 1 4關斷。這樣,T F 丁 5 1 3的閘極電位達到電位準 L,輸出節點3達到電位準L。 包括TFT 5 1 6 — 5 1 9和電容裝置5 2 0的反相 器電路的操作與上述類似,輸出脈衝到輸出節點々。輸出到 輸出節點ώ的脈衝與輸出到輸出節點3的信號具有相反的極 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -39 - 1285857 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(q 性。 隨後,依照與級3和級4相類似的操作,最終還從信 號輸出部分3 ( 3 )和信號輸出部分4 ( 4 )輸出脈衝。 在圖5 A中,級2的輸出被輸入到級3,這樣邏輯不會被 反轉,與級1至級2的輸入情況相反。但是,只要各級最 後按照用戶所需的脈衝邏輯相連接,則在各級的連接上沒 有特定的限制。 圖5 B說明了時計信號(C K )的幅値轉換。輸入信 號的幅値爲〇 - 5〔 V〕,而輸出信號的幅値爲〇 — 1 6 〔V〕。 圖5 C說明了用於起始脈衝(L S 2 )的位準移位 器。在圖5 C中,通過使用單輸入型的電位準移動電路( 級1 ),在級1之後是單輸入型的反相器電路(級2)和 雙輸入型的反相器電路(級3 ),因爲起始脈衝沒有反轉 信號。電路操作類似於時計信號位準移位器的操作,所以 不再贅述。 圖5 D說明了起始脈衝(s P )的幅値轉換。輸入信 號的幅値爲5〔 V〕,而輸出信號的幅値爲1 6〔 V〕。 圖6 A說明了包括單輸入型反相器電路(級1 )和三 級雙輸入型反相器電路(級2 -級4 )的緩衝器(Buf·),的 結構。單輸入型反相器電路的操作與位準移位器的操作相 同,除了輸入脈衝的幅値爲V D D 2 - V S S和在輸入和 輸出脈衝之間沒有幅値轉換之外。 雙輸入型反相器電路的操作是這樣的,前級輸出信號 裝 ; 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨〇><297公釐) -40- 1285857 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(邛 被當作輸入信號輸入到T F T 6 0 7,而前級反相器的輸 入信號被當作輸入信號的反轉信號輸入到T F T 6 0 6。 T F T 6 0 6和T F T 6 0 7的排斥操作使得 丁 F T 6 0 8的閘極電位以及前面提到的位準移位器能夠 被控制。在後續反相器的操作中,前級的輸出信號被用作 輸入信號,前級的輸入信號被用作該輸入信號的反轉信號 〇 圖6 B說明了取樣開關的結構。從信號輸入部分2 5 (2 5 )輸入取樣脈衝,能夠同時控制1 2個並聯的 T F T 6 2 1。從信號部分1 ( 1 ) — 1 2 ( 1 2 )輸入 類比視頻信號,當輸入取樣脈衝時,該類比視頻信號被寫 入到源極信號線。 本實施例中所示的形成驅動電路的電路中,反相器電 路和位準移位器與本專利發明人提交的2 0 Ol-iS 3 4 3 1 號 專利申 請中所 描述的 相同。 在本實施例中所示的顯示裝置中,構成包括像素部分 的整個顯示裝置的電路的T F T僅爲單一導通的T F T, 其導通類型與像素T F T相同(例如N型T F T )。因此 ,在向半導體層添加P型TFT時可以省去離子摻雜過程 ,可以減少製造費用,提高産量。 當然,依照本發明,可以僅用P型T F T來産生驅動 電路和像素T F T,儘管本實施例中是用n型導通的 T F T.來形成顯示裝置的。這種情況下,應該注意,該省 掉離子摻雜的過程是向半導體層添加N型T F T的過程。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -41 - 1285857 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(39 而且,本發明不僅可以用於液晶顯示裝置,而且適用於那 些在絕緣材料上通過集成形成驅動電路來生産的器件。 〔實施例2〕 在本實施例中,將描述實施例模式的圖1 A至1 C中 顯示的脈衝輸出電路的簡化結構的例子。 圖7 A至7 C說明了本實施例的移位暫存器。在圖 7 A中,模組7 0 0是用於輸出一級脈衝的脈衝輸出電路 。圖7 A中的移位暫存器包括η個步驟的脈衝輸出電路。 圖7 Β說明了詳細的電路結構。圖1 Α中顯示的移位暫存 器的模組圖與圖7 A中顯示的移位暫存器相同,兩種情況 下的輸入信號也是相同的。該實施例的不同之處在於,脈 衝輸出電路包括4個TFT7 0 1至7 0 4和電容裝置 7 0 5 ,如圖7 C所示。在圖7 B中,模組7 1 0是幅値 補償電路。圖7 C說明了進一步的細節。在圖7 C中,幅 値補償電路包括連接到電源V D D的T F T 7 0 1和連接 到電源VSS的TFT702。 現在將描述該電路的操作。第(m - 1 )級的輸出脈 衝被輸入到第m級的T F T 7 0 1的閘極(1 < m < η ) (當m = 1,即第一級時,輸入的是S Ρ ), T F T 7 Ο 1的閘極電位達到電位準Η,T F T 7 Ο 1導 通。由此,節點έ的電位朝著V D D側升高。因而,當節 點έ的電位達到v d D — V t h N時,T F T 7 Ο 1關斷 ,節點έ處於浮動狀態,這樣T F T 7 0 3將導通。另一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -42- 1285857 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(49 方面,TFT702和704將關斷,因爲此時在 T F T 7 0 2和7 0 4的閘極上還沒有脈衝輸入,電位準 保持爲L。這樣,當從τ F T 7 0 3的摻雜區的邊緣,良P 從第一輸入信號線(1 )輸入C K時,輸出節點的電位朝 著V D D側升高,達到電位準η。 在T F Τ 7 0 3的閘極和輸出節點之間提供電容裝置 7 0 5,節點έ,即T F Τ 7 0 3的閘極處於浮動狀態。因 此,隨著輸出節點電位的升高,T F Τ 7 0 3的閘極電位 從VDD — V t hN按照自舉的方式進一步升高。而後, TFT7 0 3的閘極電位變爲高於VDD + V t hN,由 此,輸出節點的電位完全升高到V D D,而不會因爲 T F T 7 0 3的臨限値而減小。 類似地,依照C K B,在第(m + 1 )級輸出脈衝。 第(m + 1 )級輸出脈衝被反饋到第m級,有待輸入到 T F T 7 0 2和7 0 4的閘極。節點έ的電位朝著V S S 側減小,當T F Τ 7 0 2和7 0 4的閘極達到電位準Η而 導通TFT702和704時,TFT703關斷,然後 ,節點輸出電位達到電位準L。 此後,重復類似的操作,直到最末一級,順次輸出幅 値爲V D D — V S S的脈衝。在最末一級,實際上是連續 輸出C Κ,因爲沒有後續級的輸出脈衝,該C Κ是從第三 輸入信號線(3 )輸入的,如圖7 Β所示。但是,這不是 假定採用虛擬級以及本實施例中的問題。圖7 Α和7 C中 顯示的本實施例中,通過在最後一級向第三輸入信號線輸 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -43- 1285857 A7 五、發明説明(4) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} 入起始脈衝,使最後一級的輸出脈衝剛好在後續水平周期 之前停止。在與上述方法不同的其他方法中,在反饋周期 中提供重定脈衝,輸入到最後一級的第三信號線上,以便 停止脈衝輸出,如實施例模式的段落中說明的那樣,或者 輸入重設信號,使得在反饋周期中所有級的輸出節點固定 在電位準L (與圖15相同)。 可以說,本實施例中顯示的脈衝輸出電路適用於此一 部分,其中輸出節點無需長時間維持需要的電位,即,其 中的驅動頻率相當高的部分。這是因爲與實施例模式中顯 示的脈衝輸出電路相比,元件數很少,在沒有取樣脈衝輸 入/輸出期間,有許多處於浮動狀態的部分。所以,本實 施例的脈衝輸出電路最適用於顯示裝置的源極信號線驅動 電路。 〔實施例3〕 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 現在參考圖1 3。在本發明的實施例模式1和2以及 實施例2中顯示的移位暫存器中,C K的電位準 Η 1 3 0 1的周期和電位準L 1 3 0 2的周期在長度上是 相同的,如圖1 3 Α中所示,而與C Κ具有相反極性的脈 衝作爲C K B輸入。這裏取樣脈衝的寬度與C K和C K B 的脈衝寬度相等,這樣,取樣脈衝的輸出如圖1 3 A中 1 3〇3至1 3 0 7所示。1 3 0 3表示第一級的取樣脈 衝;1 3 0 4表示第二級的取樣脈衝;此後,1 3 0 5至 1 3 0 7表示第三至第五級取樣脈衝。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -44- 1285857 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(岣 C K的輸入/輸出信號和其他的信號具有從電位準L 變化到電位準Η的上升沿和從電位準Η到電位準L的下降 沿。這可能引起脈衝的重疊,而在理想情況下是一定不會 出現的。圖1 3 Α中顯示的取樣脈衝1 3 0 3至1 3 0 7 顯示出在相鄰的脈衝之間,有上升周期與下降周期的重疊 0 特別是對於通過取樣類比視頻信號來顯示影像的顯示 裝置,由於相鄰取樣脈衝之間的重疊,有時視頻信號取樣 是按錯誤的時序完成的,可能會造成顯示質量變壞。 爲了避免這種取樣脈衝的重疊,如圖1 3 C中所示, 在C K的脈衝寬度上給出差値。這種情況下,電位準 Η 1 3 0 8的周期略小於電位準L 1 3 0 9的周期。在 C Κ Β中,電位準Η的周期也略小於電位準L的周期。這 樣的差別解決了 C Κ的上升沿和C Κ Β的下降沿的重疊或 C Κ的下降沿和C Κ Β的上升沿之間的重疊,由此,如圖 1 3 1 0至1 3 1 4所示,可以解決相鄰的取樣脈衝之間 的上升周期和下降周期的重疊。 現在再次參考圖1 Β。在圖1 Β中所示的脈衝輸出電 路的操作中,在T F Τ 1 〇 5導通期間,當C Κ或C Κ Β 被輸出到輸出節點上時,輸出取樣脈衝。即,從節點ό的 電位開始上升時起,到節點έ的電位降落到電位準L時, 通過一後序級的取樣脈衝,輸出C Κ或C Κ Β。這樣,當 C Κ的上升時間與C Κ Β的下降時間發生重疊時,或當 C Κ的下降時間與C Κ Β的上升時間重疊時,有時在取樣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -45- 1285857 A7 _________ B7五、發明説明(49 脈衝之前或之後可能會輸出錯誤的脈衝。 在取樣脈衝1 3 0 5前面的一級中的取樣脈衝 1 3 0 4被輸入到移位暫存器,從中輸出取樣脈衝 1 3 0 5,從此刻起,在輸出節點上出現的是C K或 C K B (對於輸出取樣脈衝的級,爲C K ),如圖1 3 A 中所示。所以,當在1 3 1 5所示的時間,即在前級取樣 脈衝1 3 0 4開始上升時,C K還沒有完全減小到電位準 L時,在最初輸出取樣脈衝1 3 0 5之前,出現錯誤的脈 衝1 3 1 6,如圖1 3 B中所示。因此,本實施例所示的 C K和C K B的脈寬度調製可以避免發生這樣的錯誤操作 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔實施例4〕 在實施例模式和上面的實施例中所示的例子裏,電路 僅包含N通道型TFT。但是,通過互換高電位和低電位 的電源,類似的電路可以僅包含P通道型T F 丁。 圖1 6A和1 6B說明僅包含P通道型TFT的移位 暫存器的例子。圖1 6 A中顯示的模組圖與圖1中所示的 僅包含N通道型T F T的移位暫存器相類似。圖1 6 A中 ,模組1 6 0 0爲輸出一級的取樣脈衝的脈衝輸出電路。 與包含N通道型T F T移位暫存器不同的一點是電源的高 低電位準是相反的,如圖1 6 B中所示。 圖1 7說明了時序圖和輸出脈衝。參考圖1 A至1 C 和2,在實施例模式中對相應部分的操作已經進行了描述 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -46- 1285857 經濟部智慧財產局員工消资合作社印製 A7 ________B7五、發明説明(兮 ,所以這裏省去細節的描述。電位準Η和電位準L剛好與 圖2中顯示的情況相反。 〔實施例5〕 本發明可以適用於製造用於不同類型的電子設備的顯 示裝置。便攜資訊終端(如電子筆記,移動式電腦和攜帶 型電話),攝影機,數位照相機,個人電腦,電視和便攜 電話都被認爲是屬於上述的電子裝置。其例子顯示於圖 8 Α 至 8 G。 圖8A說明了包括框體3001、支撐架3002和 顯示部分3 0 0 3的液晶顯示器(L C D )。本發明可用 於顯示部分3 0 0 3。 圖8B說明了一台攝影機,包含本體3 0 1 1、顯示 部分3 0 1 2、聲音輸入部分3 0 1 3、操作開關 3 0 1 4、電池3 0 1 5和影像接收部分3 0 1 6。本發 明可用於顯示部分3 0 1 2。 圖8 C說明了筆記類型的個人電腦,包括主體 3021、框體3022、顯示部分3023和鍵盤 3024。本發明可用於顯示部分3023。 圖8 D說明了攜帶型資訊終端,包括本體3 0 3 1、 觸針3 0 3 2、顯示部分3 0 3 3。以操作按鈕3 0 3 4 和外部介面3 0 3 5。被發明可用於顯示部分3 0 3 3。 圖8 E說明了放音機器,具體說是一台安裝在汽車上 的音頻裝置,包括本體3 0 4 1、顯示部分3 0 4 2和操 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -47- 1285857 A7 五、發明説明(叫 作開關3 0 4 3和3 0 4 4。本發明可用於顯示部分 3 0 4 2。儘管用安裝在汽車上的音頻裝置來顯示本實施 例的例子,本發明還可用於攜帶型或家用的音頻機器。 圖8 F說明數位照相機,包括本體3 〇 5丨、顯示部 分(A ) 3 0 5 2、目鏡部分3 0 5 3、操作開關 3 0 54、顯不部分(B) 3055和電池3〇56。本 發明可用於顯示部分(A ) 3 0 5 2和顯示部分(b )3 0 5 5 ° 圖8 G說明了攜帶型電話,包括本體3 6 1、聲音 輸出部分3 0 6 2、聲音輸入部分3 0 6 2、顯示部分 3〇6 4、操作開關3〇6 5和天線3 0 6 6。本發明可 用於顯示部分3 0 6 4。 應該注意到,本發明中顯示的例子僅是一部分,本發 明的用途不局限於上面介紹的內容。 依照本發明,顯示裝置的驅動電路和像素部分可以僅 包含單一導通的T F T,減少顯示裝置的製作過程,有助 於減少費用和提高産量,所以可以以較低的費用來提供顯 示裝置。 -----rlfT C請先閱讀背面之注意事項存填寫本買)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 48-

Claims (1)

1285857 A8 B8 C8 D8
六、申請專利範圍1 第9 1 1 08006號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國96年05月18日修正 1 · 一種脈衝輸出電路,包括 第一電晶體,其第一電極電連接到時計信號輸入線; 第二電晶體,其第一電極電連接到第一電源; 電容; 第一幅値補償電路;和 第二幅値補償電路, 其中第一電晶體和第二電晶體具有相同的導電類型, 其中第一電晶體的第二電極、及第二電晶體的第二電 極均電連接到輸出信號線上, 其中第一電晶體的閘極電連接到第一幅値補償電路的 輸出部分, 其中第二電晶體的閘極電連接到第二幅値補償電路的 輸出部分, 其中第一脈衝信號輸入部分電連接到第一幅値補償電 路的第一輸入部分和第二幅値補償電路的第二輸入部分, 其中第二脈衝信號輸入部分電連接到第二幅値補償電 路的第一輸入部分和第一幅値補償電路的第二輸入部分, 及 其中該電容存在於第一電晶體的閘極電極與第一電晶 體的第二電極之間。 2.如申請專利範圍第1項的脈衝輸出電路,其中該相同 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-1 - -- (請先聞·#背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1285857 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 的導電類型是N通道型。 3 ·如申請專利範圍第1項的脈衝輸出電路,其中該相同 的導電類型是p通道型。 (請先閎脅背面之注意事項再填寫本頁) 4·如申請專利範圍第1項的脈衝輸出電路,其中脈衝輸 出電路被用於顯不裝置中。 5. 如申請專利範圍第4項的脈衝輸出電路,其中該顯示 裝置應用至選自攜帶型資訊終端、攝影機、數位相機、個 人電腦、電視機和攜帶型電話組成的群類之電子裝置。 6. —種脈衝輸出電路,包括: 第一電晶體,其第一電極連接到時計信號輸入線; 第二電晶體,其第一電極連接到第一電源; 電容;及 幅値補償電路, 其中第一電晶體和第二電晶體具有相同的導電類型, 其中第一電晶體的第二電極、及第二電晶體的第二電 極均電連接到輸出信號線, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中第一電晶體的閘極電連接到幅値補償電路的輸出 部分, 其中第一脈衝信號輸入部分電連接到幅値補償電路的 第一輸入部分,第二脈衝信號輸入部份電連接至幅値補償 電路的第二輸入部分, 其中第二電晶體的閘極電連接到第二脈衝信號輸入部 份,和 其中該電容存在於第一電晶體的閘極電極與第一電晶 -2- 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1285857 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 3 體的第二電極之間。 7.如申請專利範圍第6項的脈衝輸出電路,其中該相同 導電類型是N通道型。 8·如申請專利範圍第6項的脈衝輸出電路,其中該相同 導電類型是P通道型。 9·如申請專利範圍第6項的脈衝輸出電路,其中脈衝輸 出電路被用於顯示裝置中。 10. 如申請專利範圍第9項的脈衝輸出電路,其中該顯 示裝置應用至選自攜帶型資訊終端、攝影機、數位相機、 個人電腦、電視機和攜帶型電話組成的群類之電子裝置。 11. 一種脈衝輸出電路,包括: 第一電晶體,其第一電極電連接到時計信號輸入線; 第二電晶體,其第一電極電連接到第一電源; 第三電晶體,其第一電極電連接到第二電源; 第四電晶體,其第一電極電連接到第一電源; 第五電晶體,其第一電極電連接到第二電源; 第六電晶體,其第一電極電連接到第一電源;及. 電容, 其中第一至第六電晶體具有相同的導電類型, 其中第一電晶體的第二電極、及第二電晶體的第二電 極均電連接到輸出信號線, 其中第三電晶體的第二電極、及第四電晶體的第二電 極均電連接至第一電晶體的閘極, 其中第五電晶體的第二電極和第六電晶體的第二電極 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I 訂 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 1285857 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍4 電連接到第二電晶體的閘極, (請先閱脅背面之注意事項再填寫本頁) 其中第三電晶體的閘極和第六電晶體的閘極電連接到 第一脈衝信號線, 其中第四電晶體的閘極和第五電晶體的閘極電連接到 第二脈衝信號輸入線,及 其中該電容存在於第一電晶體的閘極電極與第一電晶 體的第二電極之間。 1 2·如申請專利範圍第11項的脈衝輸出電路,其中該相 同導電類型是N通道型。 1 3 .如申請專利範圍第1 1項的脈衝輸出電路,其中該相 同導電類型是P通道型。 14·如申請專利範圍第11項的脈衝輸出電路,其中脈衝 輸出電路被用於顯示裝置中。 15·如申請專利範圍第14項的脈衝輸出電路,其中該顯 示裝置應用至選自攜帶型資訊終端、攝影機、數位相機、 個人電腦、電視機和攜帶型電話組成的群類之電子裝置。 16. —種脈衝輸出電路,包括: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第一電晶體,其第一電極電連接到時計信號輸入線; 第二電晶體,其第一電極電連接到第一電源; 第三電晶體,其第一電極電連接到第二電源; 第四電晶體,其第一電極電連接到第一電源;及 電容, 其中第一至第四電晶體具有相同的導電類型, 其中第一電晶體的第二電極、及第二電晶體的第二電 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ 4 - 1285857 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍5 極均電連接到輸出信號線, (請先閲·«背面之注意事項再填寫本頁) 其中第三電晶體的第二電極、及第四電晶體的第二電 極均電連接至第一電晶體的閘極, 其中第三電晶體的閘極電連接到第一脈衝信號輸入線 其中第二電晶體的閘極和第四電晶體的閘極電連接到 第二脈衝信號輸入線,及 其中該電容存在於第一電晶體的閘極電極與第一電晶 體的第二電極之間。 17. 如申請專利範圍第16項的脈衝輸出電路,其中該相 同導電類型是N通道型。 18. 如申請專利範圍第16項的脈衝輸出電路,其中該相 同導電類型是P通道型。 19. 如申請專利範圍第16項的脈衝輸出電路,其中脈衝 輸出電路被用於顯示裝置中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20. 如申請專利範圍第19項的脈衝輸出電路,其中該顯 示裝置應用至選自攜帶型資訊終端、攝影機、數位相機、 個人電腦、電視機和攜帶型電話組成的群類之電子裝置。 21. —種脈衝輸出電路,包括: 第一電晶體,其第一電極電連接到時計信號輸入線; 第二電晶體,其第一電極電連接到第一電源; 第三電晶體,其第一電極電連接到第二電源; 第四電晶體,其第一電極電連接到第一電源; 第五電晶體,其第一電極電連接到第二電源; 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X 297公釐)-5- 1285857 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍6 第六電晶體,其第一電極電連接到第一電源; 第七電晶體,其第一電極電連接到第二電源; (請先聞部背面之注意事項再填寫本頁) 第八電晶體,其第一電極電連接到第一電源;及 電容, 其中第一至第八電晶體具有相同的導電類型, 其中第一電晶體的第二電極、及第二電晶體的第二電 極電連接至輸出信號線, 其中第三電晶體的第二電極、第四電晶體的第二電極 及、第八電晶體的第二電極電連接至第一電晶體的閘極, 其中第五電晶體的第二電極、第六電晶體的第二電極 和第七電晶體的第二電極中的每一者均電連接到第二電晶 體的閘極, 其中第三電晶體的閘極和第六電晶體的閘極均電連接 到第一脈衝信號輸入線, 其中第四電晶體的閘極和第五電晶體的閘極電連接到 第二脈衝信號輸入線, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中第七電晶體的閘極和第八電晶體的閘極均電連接 到重設信號輸入線,及 其中該電容存在於第一電晶體的閘極電極與第一電晶 體的第二電極之間。 22.如申請專利範圍第21項的脈衝輸出電路,其中該相 同導電類型是N通道型。 23 .如申請專利範圍第2 1項的脈衝輸出電路,其中該相 同導電類型是P通道型。 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ 6 1285857 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍7 24·如申請專利範圍第21項的脈衝輸出電路,其中脈衝 輸出電路被用於顯示裝置中。 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 25·如申請專利範圍第24項的脈衝輸出電路,其中該顯 示裝置應用至選自攜帶型資訊終端、攝影像機、數位相機 、個人電腦、電視機和攜帶型電話組成的群類之電子裝置 〇 26·—種脈衝輸出電路,包括: 第一電晶體,其第一電極電連接到時計信號輸入線; 第二電晶體,其第一電極電連接到第一電源; 第三電晶體,其第一電極電連接到第二電源; 第四電晶體,其第一電極電連接到第一電源; 第五電晶體,其第一電極電連接到第二電源; 第六電晶體,其第一電極電連接到第一電源; 掃描方向切換電路;及 電容, 其中第一至第六電晶體具有相同的導電類型, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中第一電晶體的第二電極及第二電晶體的第二電極 均電連接到輸出is號線’ 其中第三電晶體的第二電極、及第四電晶體的第二電 極均電連接至第一電晶體的閘極, 其中第五電晶體的第二電極和第六電晶體的第二電極 電連接到第二電晶體的閘極, 其中第三電晶體的閘極和第六電晶體的閘極中的每一 者經由掃描方向切換電路而電連接到第一脈衝信號輸入線 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)· 7 - 1285857 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍8 和第二脈衝信號輸入線, (請先閲·#背面之注意事項再填寫本頁) 其中第四電晶體的閘極和第五電晶體的閘極中的每一 者經由掃描方向切換電路而電連接到第一脈衝信號輸入線 和第二脈衝信號輸入線’ 其中當掃描方向切換電路處於第一狀態時,第三電晶 體的閘極和第六電晶體的閘極對於第一脈衝信號輸入線是 導通的,對於第二脈衝信號輸入線是不導通的’而第四電 晶體的閘極和第五電晶體的閘極對於第二脈衝信號輸入線 是導通的,對於第一脈衝信號輸入線是不導通的’ 其中當掃描方向切換電路處於第二狀態時,第三電晶 體的閘極和第六電晶體的閘極對於第二脈衝信號輸入線是 導通的,對於第一脈衝信號輸入線是不導通的’而第四電 晶體的閘極和第五電晶體的閘極對於第一脈衝信號輸入線 是導通的,對於第二脈衝信號輸入線是不導通的’及 其中該電容存在於第一電晶體的閘極電極與第一電晶 體的第二電極之間。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 7.如申請專利範圍第26項的脈衝輸出電路,其中該相 同導電類型是N通道型。 28. 如申請專利範圍第26項的脈衝輸出電路,其中該相 同導電類型是P通道型。 29. 如申請專利範圍第26項的脈衝輸出電路,其中脈衝 輸出電路被用於顯示裝置中。 3 0.如申請專利範圍第29項的脈衝輸出電路,其中該顯 示裝置應用至選自攜帶型資訊終端、攝影機、數位相機、 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ g - 1285857 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍9 個人電腦、電視機和攜帶型電話組成的群類之電子裝置。 3 1 ·如申請專利範圍第26項的脈衝輸出電路’其中掃描 方向切換電路包括: 第七電晶體,其第一電極電連接到第一脈衝信號輸入 線, 第八電晶體,其第一電極電連接到第一脈衝信號輸入 線, 第九電晶體,其第一電極電連接到第二脈衝信號輸入 線, 第十電晶體,其第一電極電連接到第二脈衝信號輸入 線, 及其中第七至第十電晶體具有與第一至第六電晶體相 同的導電類型, 其中第七電晶體的第二電極、第九電晶體的第二電極 和第三電晶體的閘極中的每一者均電連接到第六電晶體的 閘極, 其中第八電晶體的第二電極、第十電晶體的第二電極 和第四電晶體的閘極中的每一者均電連接到第五電晶體的 閘極, 其中第七電晶體的閘極和第十電晶體的閘極均電連接 到第一掃描方向切換信號輸入線, 其中第八電晶體的閘極和第九電晶體的閘極電連接到 第二掃描方向切換信號輸入線, 其中當掃描方向切換信號被輸入到第一掃描方向切換 本紙張尺度適用中國國家摞準(CNS ) A4規格(210X 297公釐).g _ --------.Φ ! (請先閲·«背面之注意事項再填寫本頁) 訂 .J·. 1285857 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 Β8 C8 D8 ___六、申請專利範圍1〇 信號輸入線,掃描方向切換的反向信號被輸入到第二掃描 方向切換信號輸入線時,第七電晶體和第十電晶體是導通 的,第八電晶體和第九電晶體是不導通的,和 其中當掃描方向切換信號被輸入到第二掃描方向切換 信號輸入線,掃描方向切換的反向信號被輸入到第一掃描 方向切換信號輸入線時,第八電晶體和第九電晶體是導通 的,第七電晶體和第十電晶體是不導通的。 32.—種脈衝輸出電路,包括: 第一電晶體,其第一電極電連接到時計信號輸入線; 第二電晶體,其第一電極電連接到第一電源; 第三電晶體,其第一電極電連接到第二電源; 第四電晶體,其第一電極電連接到第一電源; 掃描方向切換電路;及 電容, 其中第一至第四電晶體具有相同的導電類型, 其中第一電晶體的第二電極及第二電晶體的第二電極 均電連接到輸出信號線上, 其中第三電晶體的第二電極、及第四電晶體的第二電 極電連接至第一電晶體的閘極, 其中第三電晶體的閘極經由掃描方向切換電路電連接 到第一脈衝信號輸入線和第二脈衝信號輸入線’ 其中第二電晶體的閘極和第四電晶體的閘極藉由掃描 方向切換電路均電連接到第一脈衝信號輸入線和第二脈衝 信號輸入線, 請 先 閲 之 注 I 旁 本紙張尺度逋用中國國家標芈(CNS ) Α4規格(210X297公嫠)-1〇 · 1285857 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍11 其中當掃描方向切換電路處於第一狀態時,第三電晶 體的閘極對於第一脈衝信號輸入線是導通的,對於第二脈 衝信號輸入線是不導通的,而第二電晶體的閘極和第四電 晶體的閘極對於第二脈衝信號輸入線是導通的,對於第一 脈衝信號輸入線是不導通的, 其中當掃描方向切換電路處於第二狀態時,第三電晶 體的閘極對於第二脈衝信號輸入線是導通的,對於第一脈 衝信號輸入線是不導通的,而第二電晶體的閘極和第四電 晶體的閘極對於第一脈衝信號輸入線是導通的,對於第二 脈衝信號輸入線是不導通的,及 其中該電容存在於第一電晶體的閘極電極與第一電晶 體的第二電極之間。 3 3·如申請專利範圍第32項的脈衝輸出電路,其中該相 同導電類型是N通道型。 34·如申請專利範圍第32項的脈衝輸出電路,其中該相 同導電類型是P通道型。 3 5·如申請專利範圍第32項的脈衝輸出電路,其中脈衝 輸出電路被用於顯示裝置中。 3 6 ·如申請專利範圍第3 5項的脈衝輸出電路,其中該顯 示裝置應用至選自攜帶型資訊終端、攝影機、數位相機、 個人電腦、電視機和攜帶型電話組成的群類之電子裝置。 3 7·如申請專利範圍第32項的脈衝輸出電路,其中掃描 方向切換電路包括: 第五電晶體,其第一電極電連接到第一脈衝信號輸入 請 先 閱 面 之 注 I 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -11 - 1285857 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍12 線上, (請先聞·«背面之注意事項再填寫本頁) 第六電晶體,其第一電極電連接到第一脈衝信號輸入 線上, 第七電晶體,其第一電極電連接到第二脈衝信號輸入 線上,和 第八電晶體’其第一電極電連接到第二脈衝信號輸入 線上, 及其中第五至第八電晶體具有與第一至第五電晶體相 同的導電類型, 其中第五電晶體的第二電極和第七電晶體的第二電極 電連接到第三電晶體的閘極上, 其中第六電晶體的第二電極、第八電晶體的第二電極 和第二電晶體的閘極中的每一者均電連接到第四電晶體的 閘極上, 其中第五電晶體的閘極和第八電晶體的閘極均電連接 到第一掃描方向切換信號輸入線, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中第六電晶體的閘極和第七電晶體的閘極電連接到 第二掃描方向切換信號輸入線, 其中當掃描方向切換信號被輸入到第一掃描方向切換 信號輸入線及掃描方向切換信號的反轉信號被輸入到第二 掃描方向切換信號輸入線時,第五電晶體和第八電晶體是 導通的,第六電晶體和第七電晶體是不導通的,和 其中當掃描方向切換信號被輸入到第二掃描方向切換 信號輸入線及掃描方向切換的反轉信號被輸入到第一掃描 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ 12 - 1285857 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍13 方向切換信號輸入線時,第六電晶體和第七電晶體是% _ 的,第五電晶體和第八電晶體是不導通的。 38.—種脈衝輸出電路,包括: 第一電晶體,其第一電極電連接到時計信號輸入線; 第二電晶體,其第一電極電連接到第一電源; 第三電晶體,其第一電極電連接到第二電源; 第四電晶體,其第一電極電連接到第一電源; 第五電晶體,其第一電極電連接到第二電源; 第六電晶體,其第一電極電連接到第一電源; 第七電晶體,其第一電極電連接到第二電源; 第八電晶體,其第一電極電連接到第一電源;及 掃描方向切換電路;及 電容, 其中第一至第八電晶體具有相同的導電類型, 其中第一電晶體的第二電極及第二電晶體的第二電極 均電連接到輸出信號線, 其中第三電晶體的第二電極、第四電晶體的第二電極 、第八電晶體的第二電極均電連接至第一電晶體的閘極, 其中第五電晶體的閘極、第六電晶體的第二電極和第 七電晶體的第二電極中的每一者均電連接到第二電晶體的 閘極, 其中第三電晶體的閘極和第六電晶體的閘極藉由掃描 方向切換電路均電連接到第一脈衝信號輸入線和第二脈衝 信號輸入線, 本紙張尺度逋用中國國家摞準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-13 - -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j 訂' d 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1285857 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍14 其中第四電晶體的閘極和第五電晶體的閘極通過掃描 方向切換電路均電連接到第一脈衝信號線和第二脈衝輸入 線, 其中第七電晶體的閘極和第八電晶體的閘極均電連接 到重設信號輸入線上, 其中當掃描方向切換電路處於第一狀態時,第三電晶 體的閘極和第六電晶體的閘極對於第一脈衝信號輸入線是 導通的,對於第二脈衝信號輸入線是不導通的,而第四電 晶體的閘極和第五電晶體的閘極對於第二脈衝信號輸入線 是導通的,對於第一脈衝信號輸入線是不導通的, 其中當掃描方向切換電路處於第二狀態時,第三電晶 體的閘極和第六電晶體的閘極對於第二脈衝信號輸入線是 導通的,對於第一脈衝信號輸入線是不導通的,而第四電 晶體的閘極和第五電晶體的閘極對於第一脈衝信號輸入線 是導通的,對於第二脈衝信號輸入線是不導通的,及 其中該電容存在於第一電晶體的閘極電極與第一電晶 體的第二電極之間。 3 9·如申請專利範圍第38項的脈衝輸出電路,其中該相 同導電類型是N通道型。 40·如申請專利範圍第38項的脈衝輸出電路,其中該相 同導電類型是P通道型。 41·如申請專利範圍第38項的脈衝輸出電路,其中脈衝 輸出電路被用於顯示裝置中。 42·如申請專利範圍第41項的脈衝輸出電路,其中該顯 請 先 聞 面 之 注 I i 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-14- 1285857 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍15 示裝置選自攜帶型資訊終端、攝影機、數位相機、個人電 腦、電視機和攜帶型電話組成的群類之電子裝置。 43 .如申請專利範圍第3 8項的脈衝輸出電路,其中掃描 方向切換電路包括: 第九電晶體,其第一電極電連接到第一脈衝信號輸入 線, 第十電晶體,其第一電極電連接到第一脈衝信號輸入 線, 第十一電晶體,其第一電極電連接到第二脈衝信號輸 入線,和 第十二電晶體,其第一電極電連接到第二脈衝信號輸 入線, 其中第九至第十二電晶體具有與第一至第八電晶體相 同的導電類型, 其中第九電晶體的第二電極、第十一電晶體的第二電 極和第三電晶體的閘極中的每一者均電連接到第六電晶體 的閘極, 其中第十電晶體的第二電極、第十二電晶體的第二電 極、第四電晶體的閘極和第四電晶體的閘極中的每一者均 電連接到第五電晶體的閘極, 其中第九電晶體的閘極和第十二電晶體的閘極電連接 到第一掃描方向切換信號輸入線, 其中第十電晶體的閘極和第十一電晶體的閘極電連接 到第二掃描方向切換信號輸入線, 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐)~-15- ~ ----------- (請先閲·#背面之注意事項再填寫本頁) 訂 4 1285857 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍16 (請先聞请背面之注意事項再填寫本頁) 其中當掃描方向切換信號被輸入到第一掃描方向切換 信號輸入線,掃描方向切換的反向信號被輸入到第二掃描 方向切換信號輸入線時,第九電晶體和第十二電晶體是導 通的,第十電晶體和第十一電晶體是不導通的,和 其中當掃描方向切換信號被輸入到第二掃描方向信號 輸入線,掃描方向切換的反向信號被輸入到第一掃描方向 信號輸入線時,第十電晶體和第十一電晶體是導通的,第 九電晶體和第十二電晶體是不導通的。 44·如申請專利範圍第1項的脈衝輸出電路,其中,該 電容包括選自主動層材料、閘極材料及接線材料組成的族 群之二材料。 45·如申請專利範圍第6項的脈衝輸出電路,其中,該 電容包括選自主動層材料、閘極材料及接線材料組成的族 群之二材料。 46·如申請專利範圍第n項的脈衝輸出電路,其中,該 電容包栝選自主動層材料、閘極材料及接線材料組成的族 群之二材料。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 47·如申請專利範圍第ι6項的脈衝輸出電路,其中,該 電容包括選自主動層材料、閘極材料及接線材料組成的族 群之二材料。 48·如申請專利範圍第2ι項的脈衝輸出電路,其中,該 電容包括選自主動層材料、閘極材料及接線材料組成的族 群之二材料。 49·如申請專利範圍第26項的脈衝輸出電路,其中,該 本紙張尺度適財咖家鮮(CNS )八4祕(210X297公釐)_16· 1285857 六、申請專利範圍17 電容包括選自主動層材料 群之二材料。 5 0 ·如申請專利範圍第 A8 B8 C8 D8 閘極材料及接線材料組成的族 32項的脈衝輸出電路,其中,該 ® Θ ί舌選自主動層材料、閘極材料及接線材料組成的族 群之二材料。 5 h如申請專利範圍第38項的脈衝輸出電路,其中,該 « Θ ί舌選自主動層材料、閘極材料及接線材料組成的族 群之二材料。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度逋用中國國家操準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)· .
TW091108006A 2001-05-11 2002-04-18 Pulse output circuit, shift register and display device TWI285857B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001141347A JP4439761B2 (ja) 2001-05-11 2001-05-11 液晶表示装置、電子機器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWI285857B true TWI285857B (en) 2007-08-21

Family

ID=18987822

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091108006A TWI285857B (en) 2001-05-11 2002-04-18 Pulse output circuit, shift register and display device
TW095142599A TWI315511B (en) 2001-05-11 2002-04-18 Pulse output circuit, shift register and display device

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095142599A TWI315511B (en) 2001-05-11 2002-04-18 Pulse output circuit, shift register and display device

Country Status (5)

Country Link
US (10) US7057598B2 (zh)
JP (1) JP4439761B2 (zh)
KR (1) KR100832252B1 (zh)
CN (1) CN100397446C (zh)
TW (2) TWI285857B (zh)

Families Citing this family (131)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4785271B2 (ja) * 2001-04-27 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
JP4439761B2 (ja) 2001-05-11 2010-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
TW582005B (en) * 2001-05-29 2004-04-01 Semiconductor Energy Lab Pulse output circuit, shift register, and display device
SG148032A1 (en) * 2001-07-16 2008-12-31 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6788108B2 (en) * 2001-07-30 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4831895B2 (ja) * 2001-08-03 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7218349B2 (en) * 2001-08-09 2007-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP3658349B2 (ja) * 2001-09-20 2005-06-08 松下電器産業株式会社 信号伝送回路、固体撮像装置、カメラおよび液晶表示装置
JP4397555B2 (ja) * 2001-11-30 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子機器
TWI293444B (en) * 2002-04-08 2008-02-11 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display device
WO2003087921A2 (en) 2002-04-08 2003-10-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP4679812B2 (ja) * 2002-11-07 2011-05-11 シャープ株式会社 走査方向制御回路および表示装置
JP4339103B2 (ja) 2002-12-25 2009-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
KR100487439B1 (ko) * 2002-12-31 2005-05-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 평판표시장치의 양방향 구동 회로 및 구동 방법
KR100843383B1 (ko) * 2002-12-31 2008-07-03 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 집적 아모퍼스실리콘계 박막트랜지스터 드라이브열을 갖는액정표시장치
JP4425547B2 (ja) * 2003-01-17 2010-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器
US7528643B2 (en) * 2003-02-12 2009-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device having the same, and driving method of the same
KR100490623B1 (ko) 2003-02-24 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 버퍼 회로 및 이를 이용한 액티브 매트릭스 표시 장치
US7221095B2 (en) * 2003-06-16 2007-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for fabricating light emitting device
US7161184B2 (en) * 2003-06-16 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US7224118B2 (en) 2003-06-17 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode
JP4565815B2 (ja) * 2003-06-27 2010-10-20 三洋電機株式会社 表示装置
JP4535696B2 (ja) * 2003-06-27 2010-09-01 三洋電機株式会社 表示装置
JP4522057B2 (ja) * 2003-06-30 2010-08-11 三洋電機株式会社 表示装置
JP4565816B2 (ja) * 2003-06-30 2010-10-20 三洋電機株式会社 表示装置
JP4759908B2 (ja) * 2003-07-09 2011-08-31 ソニー株式会社 フラットディスプレイ装置
TWI336921B (en) 2003-07-18 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
US7211454B2 (en) 2003-07-25 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a light emitting device including moving the source of the vapor deposition parallel to the substrate
TW200509026A (en) * 2003-08-25 2005-03-01 Ind Tech Res Inst Scan driver, scan driving system with low input voltage and their level shift voltage circuit
JP4686972B2 (ja) * 2003-11-17 2011-05-25 ソニー株式会社 シフトレジスタ回路、基本回路および表示装置
JP2005189680A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Sony Corp バッファ回路、ディスプレイ装置の駆動回路、ディスプレイ装置
CN100334806C (zh) * 2004-06-30 2007-08-29 统宝光电股份有限公司 移位暂存器与使用其的移位暂存器组
JP4794158B2 (ja) * 2004-11-25 2011-10-19 三洋電機株式会社 表示装置
JP2006277789A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Sony Corp シフトレジスタおよび表示装置
US7688107B2 (en) * 2005-04-19 2010-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, display device, and electronic device
US7483013B2 (en) * 2005-05-20 2009-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit, display device, and electronic appliance therewith
JP3872085B2 (ja) * 2005-06-14 2007-01-24 シャープ株式会社 表示装置の駆動回路、パルス生成方法および表示装置
KR100666637B1 (ko) * 2005-08-26 2007-01-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치의 발광제어 구동장치
CN100397468C (zh) * 2005-08-31 2008-06-25 友达光电股份有限公司 移位寄存电路
JP5291874B2 (ja) * 2005-10-18 2013-09-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、シフトレジスタ、表示装置
US9153341B2 (en) 2005-10-18 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
US7663592B2 (en) * 2005-10-19 2010-02-16 Tpo Displays Corp. Systems involving signal driving circuits for driving displays
US7675796B2 (en) * 2005-12-27 2010-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2007080813A1 (en) 2006-01-07 2007-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic device having the same
TWI329855B (en) * 2006-01-27 2010-09-01 Au Optronics Corp Dynamic shift register circuit
KR100719670B1 (ko) 2006-04-06 2007-05-18 삼성에스디아이 주식회사 데이터 구동부 및 이를 이용한 유기 전계발광 표시장치
US8330492B2 (en) 2006-06-02 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR101352344B1 (ko) * 2006-09-13 2014-01-15 삼성디스플레이 주식회사 신호전송 부재 및 이를 갖는 표시장치
JP4932415B2 (ja) 2006-09-29 2012-05-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5116277B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
TWI511116B (zh) 2006-10-17 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 脈衝輸出電路、移位暫存器及顯示裝置
JP2008140489A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Seiko Epson Corp シフトレジスタ、走査線駆動回路、データ線駆動回路、電気光学装置及び電子機器
US8552948B2 (en) 2007-04-05 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising threshold control circuit
JP5042077B2 (ja) * 2007-04-06 2012-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR100932799B1 (ko) * 2007-06-05 2009-12-21 호서대학교 산학협력단 레지스터
US8013633B2 (en) * 2007-06-20 2011-09-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thin film transistor logic
WO2009066354A1 (ja) 2007-11-21 2009-05-28 Shimadzu Corporation 質量分析装置
US8427206B2 (en) 2007-12-20 2013-04-23 Sharp Kabushiki Kaisha Buffer and display device
BRPI0822030A2 (pt) 2008-01-24 2015-07-21 Sharp Kk Dispositivo de monitor e método para acionar dispositivo de monitor
CN101515431B (zh) * 2008-02-22 2011-01-19 财团法人工业技术研究院 栅极驱动器用的平移寄存器
JP5143599B2 (ja) * 2008-03-13 2013-02-13 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 液晶駆動装置
JP5151585B2 (ja) * 2008-03-18 2013-02-27 ソニー株式会社 半導体デバイス、表示パネル及び電子機器
JP4835626B2 (ja) 2008-04-03 2011-12-14 ソニー株式会社 シフトレジスタ回路、表示パネル及び電子機器
GB2459661A (en) * 2008-04-29 2009-11-04 Sharp Kk A low power NMOS latch for an LCD scan pulse shift register
KR101301394B1 (ko) * 2008-04-30 2013-08-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치와 그 구동방법
JP5136198B2 (ja) * 2008-05-14 2013-02-06 ソニー株式会社 半導体デバイス、表示パネル及び電子機器
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
US8232947B2 (en) 2008-11-14 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR101510904B1 (ko) * 2008-12-22 2015-04-20 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
US8330702B2 (en) * 2009-02-12 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit, display device, and electronic device
US8872751B2 (en) 2009-03-26 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having interconnected transistors and electronic device including the same
EP2234100B1 (en) 2009-03-26 2016-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5751762B2 (ja) * 2009-05-21 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI381640B (zh) * 2009-07-14 2013-01-01 Au Optronics Corp 具雙向傳輸機制之移位暫存器電路
US7986172B2 (en) * 2009-08-31 2011-07-26 Freescale Semiconductor, Inc. Switching circuit with gate driver having precharge period and method therefor
TWI718565B (zh) 2009-09-10 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和顯示裝置
KR101713356B1 (ko) 2009-09-24 2017-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 상기 구동 회로를 포함하는 표시 장치, 및 상기 표시 장치를 포함하는 전자 기기
US9171640B2 (en) * 2009-10-09 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device
CN107195328B (zh) * 2009-10-09 2020-11-10 株式会社半导体能源研究所 移位寄存器和显示装置以及其驱动方法
JPWO2011046044A1 (ja) * 2009-10-13 2013-03-07 学校法人 東洋大学 信号線駆動回路
KR101801540B1 (ko) 2009-10-16 2017-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기
US8054935B2 (en) * 2009-11-13 2011-11-08 Au Optronics Corporation Shift register with low power consumption
JP4963314B2 (ja) * 2009-11-16 2012-06-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、シフトレジスタ、電子機器
JP5457826B2 (ja) * 2009-12-28 2014-04-02 株式会社ジャパンディスプレイ レベルシフト回路、信号駆動回路、表示装置および電子機器
JP5473686B2 (ja) * 2010-03-11 2014-04-16 三菱電機株式会社 走査線駆動回路
TW201133440A (en) * 2010-03-19 2011-10-01 Au Optronics Corp Shift register circuit and gate driving circuit
TWI427587B (zh) 2010-05-11 2014-02-21 Innolux Corp 顯示器
JP5581263B2 (ja) 2010-05-13 2014-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 バッファ回路
KR101994074B1 (ko) 2010-05-21 2019-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 출력 회로, 시프트 레지스터, 및 표시 장치
JP5846789B2 (ja) 2010-07-29 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101778701B1 (ko) * 2010-08-11 2017-09-15 삼성디스플레이 주식회사 구동 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
WO2012029915A1 (ja) * 2010-09-02 2012-03-08 シャープ株式会社 トランジスタ回路、フリップフロップ、信号処理回路、ドライバ回路、および表示装置
CN103081361B (zh) * 2010-09-02 2015-11-25 夏普株式会社 信号处理电路、逆变器电路、缓冲电路、电平移位器、触发器、驱动电路、显示装置
JP5396543B2 (ja) * 2010-09-02 2014-01-22 シャープ株式会社 信号処理回路、ドライバ回路、表示装置
US9024681B2 (en) 2010-09-02 2015-05-05 Sharp Kabushiki Kaisha Signal processing circuit, inverter circuit, buffer circuit, driver circuit, level shifter, and display device
KR20120033672A (ko) * 2010-09-30 2012-04-09 삼성모바일디스플레이주식회사 구동 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
JP5890234B2 (ja) 2011-04-15 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
US9466618B2 (en) 2011-05-13 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including two thin film transistors and method of manufacturing the same
US8698551B2 (en) * 2011-05-13 2014-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a circuit configured to hold an offset voltage
JP5372268B2 (ja) * 2011-05-23 2013-12-18 シャープ株式会社 走査信号線駆動回路、それを備えた表示装置、および走査信号線の駆動方法
JP6116149B2 (ja) 2011-08-24 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5288654B2 (ja) * 2011-11-02 2013-09-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP2013130802A (ja) 2011-12-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
US8994439B2 (en) 2012-04-19 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, image display device, storage device, and electronic device
US9742378B2 (en) 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
TWI635501B (zh) 2012-07-20 2018-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 脈衝輸出電路、顯示裝置、及電子裝置
US9171842B2 (en) 2012-07-30 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sequential circuit and semiconductor device
US9412764B2 (en) * 2012-11-28 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
US9041453B2 (en) * 2013-04-04 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse generation circuit and semiconductor device
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN103400559B (zh) * 2013-07-31 2015-05-13 京东方科技集团股份有限公司 显示装置
TWI502578B (zh) 2013-12-05 2015-10-01 Au Optronics Corp 閘極驅動器
CN103943055B (zh) * 2014-03-27 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 一种栅极驱动电路及其驱动方法、显示装置
US9325311B1 (en) * 2014-11-20 2016-04-26 Innolux Corporation Gate driver and display device using the same
JP2016143428A (ja) * 2015-01-29 2016-08-08 株式会社ジャパンディスプレイ シフトレジスタ回路
JP6154445B2 (ja) * 2015-09-09 2017-06-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9824658B2 (en) * 2015-09-22 2017-11-21 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd GOA circuit and liquid crystal display device
CN105529000B (zh) 2016-02-18 2018-01-23 京东方科技集团股份有限公司 信号生成单元、移位寄存器、显示装置及信号生成方法
CN106448539B (zh) * 2016-10-28 2023-09-19 合肥京东方光电科技有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置
JP2017084438A (ja) * 2016-11-21 2017-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN108346402B (zh) * 2017-01-22 2019-12-24 京东方科技集团股份有限公司 一种栅极驱动电路及其驱动方法、显示装置
CN107331418B (zh) * 2017-07-31 2020-06-19 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN107610737B (zh) * 2017-10-26 2023-07-21 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN108766336A (zh) * 2018-05-30 2018-11-06 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器、反相器制作方法、栅极驱动电路及显示装置
WO2020128713A1 (ja) 2018-12-20 2020-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 単極性トランジスタを用いて構成された論理回路、および、半導体装置
KR20200084964A (ko) * 2019-01-03 2020-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN110085160B (zh) * 2019-04-04 2020-09-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Goa电路及显示面板
CN110288960B (zh) * 2019-06-28 2021-09-28 武汉天马微电子有限公司 一种转换电路、显示面板以及显示装置
JP2020076964A (ja) * 2019-09-26 2020-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN111402804B (zh) * 2020-04-26 2021-07-13 武汉天马微电子有限公司 显示面板、显示面板的驱动方法及显示装置
WO2023178607A1 (zh) * 2022-03-24 2023-09-28 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置

Family Cites Families (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3506851A (en) 1966-12-14 1970-04-14 North American Rockwell Field effect transistor driver using capacitor feedback
US3774055A (en) 1972-01-24 1973-11-20 Nat Semiconductor Corp Clocked bootstrap inverter circuit
US3898479A (en) 1973-03-01 1975-08-05 Mostek Corp Low power, high speed, high output voltage fet delay-inverter stage
DE2639555C2 (de) 1975-09-04 1985-07-04 Plessey Overseas Ltd., Ilford, Essex Elektrische integrierte Schaltung
JPS5295961A (en) 1976-02-09 1977-08-12 Hitachi Ltd Solid scanning circuit
JPS52119160A (en) 1976-03-31 1977-10-06 Nec Corp Semiconductor circuit with insulating gate type field dffect transisto r
JPS55156427A (en) 1979-05-23 1980-12-05 Sharp Corp Bootstrap buffer circuit
JPS5694838A (en) 1979-12-27 1981-07-31 Toshiba Corp Driving circuit
JPS5693431A (en) * 1979-12-27 1981-07-29 Hitachi Ltd Bootstrap output circuit
DE3026951A1 (de) 1980-07-16 1982-02-04 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Treiberstufe in integrierter mos-schaltkreistechnik mit grossem ausgangssignalverhaeltnis
JPS5829200A (ja) 1981-08-12 1983-02-21 Semiconductor Res Found 走査回路
JPS5916424A (ja) 1982-07-19 1984-01-27 Toshiba Corp 半導体回路
JPS59225613A (ja) 1983-06-06 1984-12-18 Toshiba Corp 半導体回路
JPS60140924A (ja) 1983-12-27 1985-07-25 Nec Corp 半導体回路
JP2556684B2 (ja) * 1986-08-26 1996-11-20 則男 赤松 論理回路
JPS63204815A (ja) 1987-02-20 1988-08-24 Hitachi Ltd 半導体論理回路
US4804870A (en) 1987-08-07 1989-02-14 Signetics Corporation Non-inverting, low power, high speed bootstrapped buffer
US4958085A (en) * 1987-10-30 1990-09-18 Canon Kabushiki Kaisha Scanning circuit outputting scanning pulse signals of two or more phases
US4959697A (en) 1988-07-20 1990-09-25 Vtc Incorporated Short channel junction field effect transistor
JPH03163911A (ja) * 1989-11-22 1991-07-15 Hitachi Ltd インバータの回路
JPH03165171A (ja) 1989-11-24 1991-07-17 Ricoh Co Ltd 密着型イメージセンサー
US5222082A (en) 1991-02-28 1993-06-22 Thomson Consumer Electronics, S.A. Shift register useful as a select line scanner for liquid crystal display
JP3321188B2 (ja) * 1991-07-26 2002-09-03 株式会社東芝 出力回路
JPH05136683A (ja) * 1991-11-14 1993-06-01 Hitachi Ltd 出力バツフア回路
JP2894068B2 (ja) 1992-01-30 1999-05-24 日本電気株式会社 半導体集積回路
JPH0698081A (ja) 1992-09-14 1994-04-08 Hitachi Ltd 固体撮像素子
KR960008735B1 (en) 1993-04-29 1996-06-29 Samsung Electronics Co Ltd Mos transistor and the manufacturing method thereof
TW264575B (zh) * 1993-10-29 1995-12-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US5467038A (en) 1994-02-15 1995-11-14 Hewlett-Packard Company Quick resolving latch
JP3402400B2 (ja) 1994-04-22 2003-05-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路の作製方法
US6919874B1 (en) 1994-05-17 2005-07-19 Thales Avionics Lcd S.A. Shift register using M.I.S. transistors and supplementary column
FR2720185B1 (fr) 1994-05-17 1996-07-05 Thomson Lcd Registre à décalage utilisant des transistors M.I.S. de même polarité.
JPH08123566A (ja) 1994-08-31 1996-05-17 Mitsubishi Electric Corp 基準電圧発生回路および半導体装置の製造方法
US5701136A (en) * 1995-03-06 1997-12-23 Thomson Consumer Electronics S.A. Liquid crystal display driver with threshold voltage drift compensation
JP3092506B2 (ja) * 1995-03-27 2000-09-25 カシオ計算機株式会社 半導体装置およびこれを用いた表示駆動装置
JP2939865B2 (ja) 1995-07-03 1999-08-25 カシオ計算機株式会社 薄膜半導体装置およびそれを用いた表示装置
US5694061A (en) 1995-03-27 1997-12-02 Casio Computer Co., Ltd. Semiconductor device having same conductive type MIS transistors, a simple circuit design, and a high productivity
JPH0936729A (ja) * 1995-07-13 1997-02-07 Casio Comput Co Ltd 半導体装置
JPH0946216A (ja) * 1995-07-28 1997-02-14 Casio Comput Co Ltd 半導体装置
JP3272209B2 (ja) 1995-09-07 2002-04-08 アルプス電気株式会社 Lcd駆動回路
JP3436629B2 (ja) 1996-01-08 2003-08-11 シャープ株式会社 表示および撮像のための装置
US5949398A (en) 1996-04-12 1999-09-07 Thomson Multimedia S.A. Select line driver for a display matrix with toggling backplane
JP2921510B2 (ja) 1996-10-07 1999-07-19 日本電気株式会社 ブートストラップ回路
US5952991A (en) 1996-11-14 1999-09-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display
US5859630A (en) 1996-12-09 1999-01-12 Thomson Multimedia S.A. Bi-directional shift register
KR100218506B1 (ko) 1996-12-14 1999-09-01 윤종용 액정 표시 장치용 레벨 시프트 회로
KR100235590B1 (ko) * 1997-01-08 1999-12-15 구본준 박막트랜지스터 액정표시장치의 구동방법
KR100242244B1 (ko) * 1997-08-09 2000-02-01 구본준 스캐닝 회로
JPH11184440A (ja) * 1997-12-25 1999-07-09 Sony Corp 液晶表示装置の駆動回路
JP3680601B2 (ja) 1998-05-14 2005-08-10 カシオ計算機株式会社 シフトレジスタ、表示装置、撮像素子駆動装置及び撮像装置
JP2000106617A (ja) 1998-09-29 2000-04-11 Canon Inc 読取装置および読取システム
KR100438525B1 (ko) 1999-02-09 2004-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 쉬프트 레지스터 회로
FR2787913B1 (fr) 1998-10-21 2004-08-27 Lg Philips Lcd Co Ltd Registre a decalage
KR100281336B1 (ko) 1998-10-21 2001-03-02 구본준 쉬프트 레지스터 회로
US6384804B1 (en) 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
US6501098B2 (en) 1998-11-25 2002-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device
JP3858486B2 (ja) * 1998-11-26 2006-12-13 セイコーエプソン株式会社 シフトレジスタ回路、電気光学装置および電子機器
KR100430099B1 (ko) * 1999-03-02 2004-05-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 쉬프트 레지스터 회로
JP3609977B2 (ja) 1999-07-15 2005-01-12 シャープ株式会社 レベルシフト回路および画像表示装置
JP4627822B2 (ja) 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4651785B2 (ja) 1999-07-23 2011-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP3858136B2 (ja) 1999-08-20 2006-12-13 カシオ計算機株式会社 シフトレジスタ及び電子装置
JP2003509728A (ja) 1999-09-11 2003-03-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ アクティブマトリックスelディスプレイ装置
JP3911923B2 (ja) 1999-09-27 2007-05-09 カシオ計算機株式会社 シフトレジスタ及び電子装置
JP4359368B2 (ja) 1999-10-29 2009-11-04 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ
TW587239B (en) 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
TW577241B (en) 2000-03-28 2004-02-21 Sanyo Electric Co Display device
US6611248B2 (en) * 2000-05-31 2003-08-26 Casio Computer Co., Ltd. Shift register and electronic apparatus
US7339317B2 (en) 2000-06-05 2008-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers
JP2002176162A (ja) 2000-08-10 2002-06-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd エリアセンサ及びエリアセンサを備えた表示装置
US7030551B2 (en) 2000-08-10 2006-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Area sensor and display apparatus provided with an area sensor
JP4954404B2 (ja) 2000-09-14 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TW546615B (en) 2000-11-22 2003-08-11 Hitachi Ltd Display device having an improved voltage level converter circuit
TW525139B (en) 2001-02-13 2003-03-21 Samsung Electronics Co Ltd Shift register, liquid crystal display using the same and method for driving gate line and data line blocks thereof
KR100752602B1 (ko) 2001-02-13 2007-08-29 삼성전자주식회사 쉬프트 레지스터와, 이를 이용한 액정 표시 장치
JP4785271B2 (ja) 2001-04-27 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
JP4439761B2 (ja) 2001-05-11 2010-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、電子機器
TW582005B (en) 2001-05-29 2004-04-01 Semiconductor Energy Lab Pulse output circuit, shift register, and display device
SG148032A1 (en) 2001-07-16 2008-12-31 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6788108B2 (en) 2001-07-30 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4831895B2 (ja) 2001-08-03 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7218349B2 (en) 2001-08-09 2007-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4397555B2 (ja) 2001-11-30 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子機器
JP4425547B2 (ja) 2003-01-17 2010-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器
JP4968681B2 (ja) * 2007-07-17 2012-07-04 Nltテクノロジー株式会社 半導体回路とそれを用いた表示装置並びにその駆動方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9812218B2 (en) 2017-11-07
US8264445B2 (en) 2012-09-11
US20150340378A1 (en) 2015-11-26
KR100832252B1 (ko) 2008-05-28
US20180122492A1 (en) 2018-05-03
US10424390B2 (en) 2019-09-24
TWI315511B (en) 2009-10-01
US7057598B2 (en) 2006-06-06
US20170076820A1 (en) 2017-03-16
KR20020086298A (ko) 2002-11-18
US20100073348A1 (en) 2010-03-25
TW200710818A (en) 2007-03-16
JP2002335153A (ja) 2002-11-22
US9496291B2 (en) 2016-11-15
CN100397446C (zh) 2008-06-25
US9105520B2 (en) 2015-08-11
US20190147969A1 (en) 2019-05-16
US7710384B2 (en) 2010-05-04
US8786533B2 (en) 2014-07-22
JP4439761B2 (ja) 2010-03-24
US10109368B2 (en) 2018-10-23
US20130057161A1 (en) 2013-03-07
US20140327008A1 (en) 2014-11-06
US10916319B2 (en) 2021-02-09
US20060202940A1 (en) 2006-09-14
CN1385825A (zh) 2002-12-18
US20020167026A1 (en) 2002-11-14
US20200082895A1 (en) 2020-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI285857B (en) Pulse output circuit, shift register and display device
JP6441516B2 (ja) 半導体装置
TW544737B (en) Semiconductor device
JP5025714B2 (ja) 表示装置、半導体装置、表示モジュール及び電子機器
JP4963314B2 (ja) 半導体装置、シフトレジスタ、電子機器
JP5504367B2 (ja) 半導体装置
JP6584701B2 (ja) 半導体装置
JP6584705B2 (ja) 液晶表示装置
JP6434176B2 (ja) 半導体装置
JP6159043B1 (ja) 半導体装置及び表示装置
JP6691185B2 (ja) 半導体装置
JP6106227B2 (ja) 半導体装置及び表示装置
JP5648113B2 (ja) 半導体装置
JP5799150B2 (ja) 半導体装置
JP2006323987A (ja) シフトレジスタ、表示装置、電子機器
JP5393836B2 (ja) 表示装置、半導体装置、表示モジュール及び電子機器
JP2020035509A (ja) 半導体装置
JP2018129112A (ja) 半導体装置
JP2018049679A (ja) 半導体装置
JP2017076999A (ja) 半導体装置
JP2004173239A (ja) クロックドインバータ、nand、nor及びシフトレジスタ
JP2012042961A (ja) 半導体装置及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent