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TW548860B - Light emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents

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TW548860B
TW548860B TW091112667A TW91112667A TW548860B TW 548860 B TW548860 B TW 548860B TW 091112667 A TW091112667 A TW 091112667A TW 91112667 A TW91112667 A TW 91112667A TW 548860 B TW548860 B TW 548860B
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TW
Taiwan
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insulating film
substrate
light
emitting device
bonding layer
Prior art date
Application number
TW091112667A
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English (en)
Inventor
Shunpei Yamazaki
Toru Takayama
Mai Akiba
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
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Description

548860 A7 B7 五、發明説明（’） 1.發明領域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明關於製造半導體裝置的方法，具體而言，關於 發光裝置，包括發光元件，舉例而言，在塑膠基底上形成 的有機發光二極體（OLED)。本發明還關於OLED 模組，其中有控制器之類的I C安裝在〇L E D板上。在 本說明書中，0 L E D板和〇L E D模組一般都叫做發光 裝置。本發明還關於這種採用這種發光裝置的電器。 2 ·相關技術 近來，在基底上形成TFT (薄膜電晶體）的技術取 得了顯著的進展，人們正在繼續硏究將它應用於主_矩陣 顯示器。特別是採用多晶矽薄膜的T F T能夠以很高的速 度工作，因爲這樣的T F T比採用傳統非晶矽薄膜的 T F T具有更高的場效應遷移率。因此，以前用設置在基 底外的驅動電路進行的像素控制，現在可以用形成像素的 相同基底上的驅動電路來進行。 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 這種主動矩陣顯示器包括同一基底上形成的各種電路 或者元件。由於這樣一種結構，主動矩陣顯示器具有多個 優點，比如降低生産成本、顯示裝置體積縮小，及增加總 生產量。 此外，還對包括〇L ED作爲自發光元件的主動矩陣 發光裝置（以後簡稱爲發光裝置）進行了積極硏究。這種 發光裝置也叫做有機EL顯示（OELD)或者有機發光 二極體。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _ 4 — 548860 A7 B7 五、發明説明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 這種0 L E D特別適合於減小發光裝置的厚度，因爲 它能夠自發光因而具有很高的可見度，不需要液晶顯示器 (L C D )必不可少的背光。此外，〇L E D對於視角沒 有限制。由於具有這些優點，採用0 L E D的發光裝置作 爲替換C RT或者L C D的顯示裝置引起了人們注意。 〇L E D包括有機化合物（有機發光材料·，以後將這 樣的層叫做有機發光層）層、陽極層和陰極層。藉由在陽 極和陰極之間施加一個電場，有機發光層會發出冷光（電 致發光）。有機化合物産生的電致發光包括：從單重激勵 態返回基態引起的發光（螢光）：以及從三重激勵態返回 基態引起的發光（磷光）。本發明的發光裝置可以利用上 述發光類型中的任意一種類型，也可以同時採用上述兩種 發光類型。 經濟部智慧財/i局員工消費合作社印製 在本說明書中，◦ L E D陰極和陽極之間的所有層一 般都被定義爲有機發光層。具體而言，發光層、電洞注入 層、電子注入層、電洞傳遞層、電子傳遞層之類全部包括 在有機發光層這一大類中。〇 L E D的結構按順序基本上 是陽極、發光層和陰極。除了這一結構以外，一些 〇L E D的結構按順序包括陽極、電洞注入層、發光層和 陰極，其他0 L E D的結構中按順序包括陽極、電洞注入 層、發光層、電子傳遞層、陰極之類。 人們預期這種發光裝置適合於各種應用。特別是因爲 它的厚度很小，需要將這種發光裝置用於攜帶型設備，這 樣能夠減輕重量。爲了這一目的，已經有人嘗試在可撓塑 -5 — 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇x297公釐） 548860 A7 B7 五、發明説明（3 ) 膠薄膜上形成〇LED。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在塑膠薄膜這種柔性基底上形成〇 L E D發光裝置的 優點不僅僅在於它厚度小、重量輕，還在於它能夠用於具 有彎曲表面之顯示器、展示窗等等。因此，它的應用範圍 特別廣，並不限於攜帶型設備。 但是一般而言，濕氣或者氧氣能夠通過塑膠製成的基 底。由於濕氣和氧氣會加速有機發光層的老化，濕氣和氧 氣的穿透會縮短發光裝置的壽命。作爲這個問題的傳統解 決辦法，在塑膠基底和〇 L E D之間採用氮化矽薄膜或者 氮氧化矽薄膜這樣的絕緣膜，防止濕氣和氧氣進入有機發 光層。 但是總的來說，塑膠薄膜這樣的基底很容易受熱影響 。在形成氮化矽薄膜或者氮氧化矽薄膜這種絕緣膜的時候 ，特別高的薄膜形成溫度會導致基底變形。相反地，特別 低的薄膜形成溫度會影響薄膜質量，使它很難充分地防止 濕氣和氧氣滲透。 經濟部智慧財產局資工消費合作社印製 此外，如果增加氮化矽薄膜或者氮氧化矽薄膜這種絕 緣膜的厚度來防止濕氣和氧氣穿透，會相應地增大應力， 從而很容易導致薄膜開裂。另外，隨著厚度增加，基底彎 曲的時候絕緣膜很容易開裂。 發明槪述 考慮到以上問題，本發明的一個目的是提供一種發光 裝置，它包括在塑膠基底上形成的OL ED，能夠減緩濕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —6 — 548860 A7 B7 五、發明説明（4) 氣或者氧氣透過引起的老化。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明，在塑膠基底上形成多層薄膜，以防止氧 氣和濕氣進入〇L E D的有機發光層（以後將它叫做隔離 ^ )，還形成應力比隔離膜小的一層（以後將它叫做應力 鬆弛膜），夾在隔離膜之間。在本說明書中，隔離膜和應 力鬆弛膜疊層形成的薄膜叫做密封膜。 具體而言，用無機材料製作兩層或者多層隔離膜（以 後簡稱爲隔離膜）。此外，在隔離膜之間形成包括樹脂的 一層應力鬆弛膜（以後簡稱爲應力鬆弛膜）。然後在這些 三層或者多層絕緣膜上形成〇L ED。將這個〇L ED密 封起來形成一個發光裝置。 本發明將多層隔離膜重疊起來。通過這種方式，即使 這些隔離膜中的一層發生開裂，其他隔離膜也能夠有效地 防止濕氣和氧氣進入有機發光層。此外，即使由於薄膜形 成溫度太低而導致隔離膜劣化，重疊起來的多層隔離膜也 能夠有效地阻擋濕氣和氧氣進入有機發光層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更進一步，將應力小於隔離膜的一層應力鬆弛膜夾在 隔離膜之間，減小密封膜的總應力。這樣，跟厚度相同的 單層隔離膜相比，在多層隔離膜上很難因爲應力而發生開 裂，其中應力鬆驰膜夾在隔離膜之間。 因此，跟厚度相同的單層隔離膜相比，多層薄膜能夠 有效地防止濕氣和氧氣進入有機發光層。另外，這樣的多 層隔離膜很難因爲應力而發生開裂。 還有，隔離膜和應力鬆驰膜的疊層結構能夠使裝置的 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 548860 A7 B7 五、發明説明（5) 可撓性更好，從而防止由於基底彎曲發生開裂。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，本發明中基底上形成的〇L E D密封膜（以後 叫做密封膜）也可以具有上述多層結構。利用這種結構會g 夠有效地防止濕氣和氧氣進入有機發光層。此外，能夠防 止彎曲基底的時候發生開裂。結果能夠獲得具有增強的可 撓度的發光裝置。 圖式簡述 在附圖中： 圖1 A至1 C顯示根據本發明之發光裝置的製造方法 j 圖2 A及2 3顯不根據本發明之發光裝置的製造方法 f 圖3 A至3 D顯示根據本發明之發光裝置的製造方法 圖4 A至4 C顯示根據本發明之發光裝置的製造方法 f 經濟部智慧財產nira (工消費合作社印製 圖5 A顯示根據本發明之發光裝置的外觀；圖5 8顯 示F P C連接部分的放大視圖；圖5 C顯示連接部分的剖 面視圖； 圖6 A顯示根據本發明之發光裝置彎曲狀態的一個示 意圖；圖6 B是它的剖面圖； 圖7係剖面視圖，顯示根據本發明之發光裝置跟 FPC連接的那一部分； —8 一 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產苟S工消費合作社印製 548860 A7 __ B7 _ ......................................................................................—- 五'發明説明（6) 圖8 A至8 D顯示根據本發明之發光裝置的製造方法 圖9 A至9 C顯示根據本發明之發光裝置的製造方法 f 圖1 0 A至1 0 C顯示包括在根據本發明之發光裝蘧 中的TFT和〇L ED的製造步驟； 圖1 1 A至1 1 C顯示包括在根據本發明之發光裝置 中的T F T和〇L E D的製造步驟； 圖12A及12B顯示包括在根據本發明發光裝置中 的TFT和OLED的製造步驟； 圖1 3係剖面視圖，顯示根據本發明中發光裝置； 圖1 4顯示如何用水柱噴射法去掉接合層； 圖1 5顯示如何以噴灑射形成有機發光層； 圖1 6 A是像素的頂視圖；圖1 6 B是像素的電路圖[ f 圖17係顯示發光裝置電路結構； 圖1 8 A至1 8 D分別說明採用本發明的發光裝置的 電器；和 圖1 9說明採用捲裝進出方法的密封膜形成設備。 較佳實施例說明 將於下述中，參考附圖說明本發明的實施例模式。圖 1 A至4 C說明像素部分和驅動電路的製造步驟。 符號說明 $紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ - f請先閲讀背面之注意事¾再填寫本頁j
548860 A7 B7 五、發明説明（7 ) 經濟部智总財產局g(工消費合作社印製 1 0 1 第 —* 基 底 1 0 2 第 — 接 合 層 1 0 3 絕 緣 膜 1 0 4 a 薄 膜 電 晶 體 Π-ΊΖ. 1 0 4 b 薄 膜 電 晶 體 1 0 4 c 薄 膜 電 晶 體 1 0 5 有 機 發 光 二極體 1 0 6 驅 動 電 路 1 0 8 絕 緣 膜 1 0 9 第 二 接 合 層 1 1 0 第 二 基 底 1 1 1 密 封 膜 1 1 1 a 隔 離 膜 1 1 1 b 應 力 鬆 弛 膜 1 1 1 c 隔 離 膜 1 1 2 第 三 基 底 1 1 3 第 三 接 合 層 1 1 4 密 封 膜 1 1 4 a 隔 離 膜 1 1 4 b 應 力 鬆 弛 膜 1 1 4 c 隔 離 膜 2 0 1 第 一 基 底 2 0 2 第 — 接 合 層 2 0 3 絕 緣 膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 10 — 548860 A7 B7 五、發明説明（8 ) 經濟部智慧財產苟B(工消費合作社印製 2 0 4 a 薄 膜 電 晶 體 2 0 4 b 薄 膜 電 晶 體 2 0 4 c 薄 膜 電 晶 體 2 0 5 有 機 發 光 二極體 2 0 6 驅 動 電 路 2 0 8 絕 緣 膜 2 0 9 第 二 接 合 層 2 1 0 第 二 基 底 2 1 2 第 二 基 底 2 1 3 第 二 接 合 層 2 1 4 密 封 膜 2 1 4 a 隔 離 膜 2 1 4 b 應 力 鬆 弛 膜 2 1 4 c 隔 離 膜 2 1 5 密 封 膜 2 1 5 a 隔 離 膜 2 1 5 b 應 力 鬆 弛 膜 2 1 5 c 隔 離 膜 3 0 1 第 二 基 底 3 0 2 第 三 基 底 3 0 3 像 素 部 份 3 0 3 a 薄 膜 電 晶 體 3 0 3 b 薄 膜 電 晶 體 3 0 3 c 薄 膜 電 晶 體 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 11 548860 A7 B7 五、發明説明（9 ) 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 3 0 4 源 極 側 驅 動 電 路 3 0 5 閘 極 側 驅 動 電 路 3 0 6 密 封 膜 3 0 6 a 隔 離 膜 3 0 6 b 應 力 鬆 弛 膜 3 0 6 c 隔 離 膜 3 0 7 密 封 膜 3 0 7 a 隔 離 膜 3 0 7 b 應 力 鬆 弛 膜 3 0 7 c 隔 離 膜 3 0 8 第 二 接 合 層 3 1 0 延 長 導 線 3 1 1 端 子 3 1 2 導 電 樹 脂 3 1 3 接 觸 孔 4 0 1 第 二 基 底 4 0 2 密 封 膜 4 0 3 導 線 4 0 4 可 撓 印 刷 電 路 板 4 0 5 端 子 4 0 6 導 電 樹 脂 5 0 1 第 一 基 底 5 0 2 第 一 接 合 層 5 0 3 保 護 膜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 12 - 548860 A7 B7 五、發明説明（1〇) 經濟部智慧財產局a(工消費合作社印製 5 0 4 a 薄 膜 電 晶 體 5 0 4 b 薄 膜 電 晶 體 5 0 8 絕 緣 膜 5 0 9 第 二 接 合 層 5 1 0 第 二 基 底 5 1 1 密 封 膜 5 1 1 a 隔 離 膜 5 1 1 b 應 力 鬆 弛 膜 5 1 1 c 隔 離 膜 5 1 2 第 二 基 底 5 1 3 第 三 接 合 層 5 1 4 密 封 膜 5 1 4 a 隔 離 膜 5 1 4 b 應 力 鬆 弛 膜 5 1 4 c 隔 離 膜 5 5 0 第 一 電 極 5 5 1 絕 緣 膜 5 5 2 半 導 體 膜 5 5 3 絕 緣 膜 5 5 4 第 二 電 極 5 6 0 第 一 電 極 5 6 2 半 導 體 膜 5 6 4 第 二 電 極 5 6 5 絕 緣 膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13 - 548860 A7 B7 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 五、發明説明（ 11) 5 7 0 端 子 5 7 1 導 線 5 7 2 導 線 5 7 3 導 線 5 7 4 絕 緣 膜 5 8 0 端 子 5 8 1 端 子 5 9 0 可 撓 印 刷 電 路 板 5 9 1 端 子 5 9 2 第 四 接 合 層 6 0 1 密 封 膜 6 0 1 a 隔 離 膜 6 0 1 b m 力 鬆 弛 膜 6 0 1 c 隔 離 膜 6 0 3 基 底 6 0 4 有 機 發 光 二 極 體 6 0 4 a 薄 膜 電 晶 體 6 0 4 b 薄 膜 電 晶 體 rjjL 6 0 4 c 薄 膜 電 晶 體 6 0 5 有 機 發 光 二 極 體 6 0 6 接 合 層 6 0 7 流 體 6 0 8 密 封 膜 6 0 8 a 隔 離 膜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 14 — 548860 A7 B7 五、發明説明（12) 經濟部智慧財是苟肖工消費合作社印製 6 0 8 b 應 力 鬆 弛 膜 6 0 8 c 隔 離 膜 6 0 9 密 封 膜 6 1 0 驅 動 電 路 6 1 1 像 素 部 份 6 1 2 絕 緣 膜 6 1 3 閘 電 極 6 1 4 閘 電 極 6 1 5 半 導 體 膜 6 2 0 閘 電 極 6 2 1 閘 電 極 6 2 2 半 導 體 Π 1/* 膜 6 3 0 閘 電 極 6 3 1 半 導 體 Η-ϋ 膜 6 4 0 像 素 電 極 6 4 1 有 機 發 光 層 6 4 2 陰 極 6 5 0 有 機 發 光 層 6 5 1 光 罩 8 0 1 滾 筒 8 0 2 開 關 薄 膜 電晶體 8 0 3 滾 筒 8 0 4 室 8 0 5 汲 極 導 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 15 — 548860 A7 B7 五、發明説明（13) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 0 6 電流 控制 薄 膜 電 晶 體 8 0 7 閘電 極 8 0 8 室 8 0 9 室 8 1 0 電壓 施加 電 極 8 1 1 加熱 器 8 1 2 樹脂 8 1 3 固化 施加 的 樹 脂 之 機構 8 1 4 電壓 施加 電 極 8 1 5 源極 導線 8 1 6 電源 線 8 1 7 汲極 導線 8 1 8 像素 電極 8 1 9 電容 器儲 存 8 2 0 半導 體膜 9 0 1 源極 側驅 動 電 路 9 0 2 移位 暫存 器 9 0 3 /[宁鎖 器 9 0 4 佇鎖 器 9 0 5 緩衝 器 9 0 6 像素 部份 9 0 7 閘極 側驅 動 電 路 9 0 8 移位 暫存 器 9 0 9 緩衝 器 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 16 — 548860 A7 B7 五、發明説明（14) 2 1 0 1主體 2 1 0 2顯示單元 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 1 0 3影像接收單元 2 1 0 4操作鍵 2 1 0 5外部連接埠 2 1 0 6快門按鈕 2 3 0 1 主體 2 3 0 2顯示單元 2 3 0 3開關 2 3 0 4操作鍵 2 3 0 5紅外線埠 2 5 0 1主體 3 5 0 2顯示單元 2 5 0 3臂單元 2 7 0 1主體 2 7 0 2 殼 經濟部智慧財產局K工消費合作社印製 2703顯示單元 2 7 0 4音頻輸入單元 2 7 0 5音頻輸出單元 2 7 0 6操作鍵 2707外部連接埠 2 7 0 8天線 5 0 0 0第一基底 5 0 0 1第一接合膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 17 — 548860 A7 B7 五、發明説明（15) 5 0 0 2基膜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5003島狀半導體 5004島狀半導體 5005島狀半導體 5006 島狀半導體 5 0 0 7閘絕緣膜 5008第一導電膜 5009第二導電膜 5 0 1 1第一形狀的導電層 5 0 11a 第一導電層 5 0 11b 第二導電層 5012第一形狀的導電層 5012a 第一導電層 5 0 12b 第二導電層 5013第一形狀的導電層 5013a 第一導電層 5 0 13b 第二導電層 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5014第一形狀的導電層 5 0 14a 第一導電層 5 0 14b 第二導電層 5015第一形狀的導電層 5015a 第一導電層 5 0 15b 第二導電層 5016第一形狀的導電層 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） 18 - 548860 A7 B7 五、發明説明（d 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 5 0 1 6 a 第一 導 電層 5 0 1 6 b 第二 導 電層 5 0 1 7 第 一雜質 丨品~ 5 0 1 8 第 一雜質 區 5 0 1 9 第 一雜質 區 5 0 2 0 第 一雜質 區 5 0 2 1 第 一雜質 區 5 0 2 2 第 一雜質 區 5 0 2 3 第 一雜質 區 5 0 2 4 第 一雜質 1¾ 5 0 2 5 第 一雜質 區 5 0 2 6 第 二形狀 的 導電 層 5 0 2 6 a 第一 導 電層 5 0 2 6 b 第二 導 電層 5 0 2 7 第 二形狀 的 導電 層 5 0 2 7 a 第一 導 電層 5 0 2 7 b 第二 導 電層 5 0 2 8 第 二形狀 的 導電 層 5 0 2 8 a 第一 導 電層 5 0 2 8 b 第二 導 電層 5 0 2 9 第 二形狀 的 導電 層 5 0 2 9 a 第一 導 電層 5 0 2 9 b 第二 導 電層 5 0 3 0 第 二形狀 的 導電 層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 19 — 548860 A7 B7 五、發明説明（17) 5 0 3 0 a 第一導電層 5 0 3 0 b 第二導電層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 0 3 1第二形狀的導電層 5 0 3 1 a 第一導電層 5 0 3 1 b 第二導電層 5 0 3 2第三雜質區 5 0 3 3第三雜質區 5 0 3 4第三雜質區 5 0 3 5第三雜質區 5 0 3 6第三雜質區 5037第三形狀的導電層 5 0 3 7 a 第一導電層 5 0 3 7 b 第二導電層 5038第三形狀的導電層 5 0 3 8 a 第一導電層 5 0 3 8 b 第二導電層 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 5039第三形狀的導電層 5 0 3 9 a 第一導電層 5 0 3 9 b 第二導電層 5040第三形狀的導電層 5 0 4 0 a 第一導電層 5 0 4 0 b 第二導電層 5041第三形狀的導電層 5 0 4 1 a 第一導電層 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20 - 548860 A7 B7 經濟部智慧財產(工消費合作社印製 五、發明説明（u) 1 〇 5041b 第二導電層 5042第三形狀的導電層 5 0 4 2 a 第一導電層 5 0 4 2 b 第二導電層 5 0 4 3第四雜質區 5 0 4 4第四雜質區 5045第四雜質區 5046第四雜質區 5047第四雜質區 5048第四雜質區 5 0 4 9第四雜質區 5 0 5 0第四雜質區 5051第四雜質區 5052第四雜質區 5053第四雜質區 5054第四雜質區 5 0 5 5第一中間層絕緣膜 5 0 5 6第二中間層絕緣膜 5 0 5 7導線 5 0 5 8導線 5 0 5 9導線 5 0 6 0導線 5 0 6 1導線 5 0 6 2導線 ---------批衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —21 548860 A7 B7 五、發明説明（19) 5063像素電極 5 0 6 4導線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 0 6 5第三中間層絕緣膜 5 0 6 6有機發光層 5 0 6 7陰極 5 0 6 8平坦化膜 5200光阻掩罩 實施例模式1 在圖1 A中，在第一基底1 〇 1上，形成形成厚度 1 0 0 -5 0 0 nm (在本實施例模式中是3 0 0 nm)的 非晶矽薄膜所製成的第一接合層1 0 2。雖然在本實施例 模式中將玻璃基底作爲第一基底1 0 1 ，但是也可以採用 石英基底、金屬基底或者陶瓷基底。可以將任意材料用作 第一基底1 0 1 ，只要它能夠承受後續製造步驟中的處理 溫度。 經濟部智慧財產局S(工消費合作社印製 作爲形成第一接合層1 〇 2的一種方法，可以採用低 壓熱CVD法、電漿CVD法、濺射法或者蒸鍍法。在第 一接合層1 0 2上，由氧化矽薄膜製成的絕緣膜1 〇 3形 成爲具有2 0 0 nm的厚度。關於形成絕緣膜1 〇 3的方 法’可以採用低壓熱CVD法、電漿CVD法、濺射法或 者蒸鍍法。當第一接合層1 〇 2被剝離第一基底1 0 1的 時候，絕緣膜1 0 3用於保護第一基底1 〇 1上形成的元 件。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^ 一 22 — 548860 A7 B7 五、發明説明（2Q) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，在絕緣膜1 〇 3上形成元件（圖1 B )。該元 件是半導體元件（通常是T F T)或者是Μ I Μ元件，用 作主動矩陣發光裝置中像素、〇L E D之類的開關元件。 對於被動發光裝置，這個元件是〇L E D。在圖1 Β中， 將驅動電路106中的TFT l〇4a、像素部分中的 TFT l〇4b和l〇4c以及〇LED 105作爲 元件代表。 然後’形成一層絕緣膜1 0 8，覆蓋上述元件。絕緣 膜1 0 8在形成以後較佳的是具有平坦表面。不一定需要 設置絕緣膜1 0 8。 接下來’如圖1 C所示，藉由第二接合層1 〇 9將第 一基底1 1 0接合到第一基底1 〇 1上。在這個實施例模 式中’將塑膠基底用作第二基底1 1 〇。具體而言，可以 採用PES (聚醚碾）、PC (聚碳酸脂）、PET (聚 對苯二甲酸乙二酯）或者P E N形成厚度爲1 〇微米或者 更厚的樹脂基底。 經濟部智慧財產苟肖工消費合作社印製 關於第二接合層1 〇 9的材料，有必要使用在以後的 步驟中要去掉第一接合層1 〇 2的時候能夠提供高選擇比 的材料。一般而言’可以將樹脂製成的絕緣膜用作第二接 合層1 0 9 °雖然在這個實施例模式中將聚醯亞胺用作第 二接合層1 0 9的材料，但是也可以使用丙烯、聚醯胺或 者環氧樹脂。從0 L E D看過去的時候，如果第二接合層 10 9在觀看者一側（發光裝置用戶一側），材料就需要 具有透光性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) 格（21〇><297公董) — ~ 548860 A7 B7 五、發明説明（21) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，在本實施例模式中，在第二基底1 1 0上形成 兩層或者多層隔離膜。然後在兩層隔離膜之間形成一層應 力鬆弛膜。結果，在第二基底1 1 0和第二接合層1 0 9 之間形成具有隔離膜和應力鬆弛膜這種疊層結構的一層密 封膜。 舉例而言，在這個實施例模式中，藉由在第二基底 1 1 0上進行濺射形成氮化矽薄膜作爲隔離膜1 1 1 a ; 在隔離膜1 1 1 a上形成包括聚醯亞胺的應力鬆弛膜 1 1 1 b ;藉由在應力鬆弛膜1 1 1 b上進行濺射形成氮 化矽膜作爲隔離膜1 1 1 c。隔離膜1 1 1 a、應力鬆弛 膜1 1 1 b和隔離膜1 1 1 c形成的分層膜一起叫做密封 膜1 1 1。然後通過第二接合層1 0 9將其上形成密封膜 1 1 1的第二基底1 1 0接合在第一基底1 0 1上形成的 元件上。 提供兩層或者多層隔離模是足夠了的。可以將氮化矽 、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁或者氮氧化鋁矽 (A 1 S i ON)用作隔離膜的材料。 經濟部智慈財產苟a (工消費合作社印製 由於氮氧化鋁矽具有較高的導熱率，將它用作隔離膜 能夠有效地散除元件中産生的熱。 可以將透光樹脂用作應力鬆弛膜1 1 1 b。一般而言 可以使用聚醯亞胺、丙烯、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯並 環丁烯、環氧樹脂之類。還可以採用除了以上樹脂以外的 樹脂。在這個實施例模式中，利用可聚合聚醯亞胺然後進 行烘烤來形成應力鬆弛膜。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 24 一 548860 A7 B7 五、發明説明（22) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在大約0·4Pa的濺射壓力和150攝氏度的基底 溫度下，導入氬形成氮化矽薄膜。除了氬以外還利用氮和 氫，將矽作爲靶材形成薄膜。對於氮氧化矽，在大約 0 · 4Pa的濺射壓力和150攝氏度的基底溫度下，通 過引入氬形成薄膜。將矽作爲靶材，除了氬以外，再藉由 引入氮、二氧化氮和氫，形成薄膜。也可以將氧化矽作爲 靶子。 每層隔離膜1 1 1 a和1 1 1 C的厚度都需要在5 0 n m到3微米的範圍內。在這個實施例模式中，形成厚度 爲1微米的氮化矽薄膜。 形成隔離膜的方法不限於濺射；薄膜的形成方法可以 由實施本發明的人適當地確定。舉例而言，隔離膜可以用 L P C V D法、電漿C V D法等等來形成。 應力鬆弛膜1 1 1 b的厚度應該在2 0 0奈米到2微 米之間。在這個實施例模式中，形成1微米的聚醯亞胺薄 膜作爲應力鬆弛膜。 對於隔離膜1 1 1 a和1 1 1 c以及應力鬆弛膜 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 1 1 1 b，有必要選擇的材料是在以後的步驟中去掉第一 接合層1 0 2的時候它應當提供高選擇比。 由於圖1 A所示的步驟，〇L E D能夠跟空氣完全隔 離。結果，由於氧氣導致的有機發光材料的老化能夠被完 全抑制，明顯地提高〇 L E D的可靠性。 下一步，如圖2A所示，將第一基底1〇1、第二基 底1 1 0、它們之間形成的所有元件和整個薄膜曝露在包 ^氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(2HTX297公釐） 一 25 — 548860 A7 _____ B7 五、發明説明（23) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 括氟化鹵的氣體中，從而去掉第一接合層1 〇 2。在這個 實施例模式中’將三氟化氯（C 1 F 3 )用作氟化鹵，而將 氮氣用作稀釋氣體。也可以將氬、氨或者氖用作稀釋氣體 。可以將兩種氣體的流速設置爲5 0 0 s c c m ( 8.35x10— 6m3/s)，將反應壓力設置爲1 — 1〇 托（1 . 3χ102— 1 · 3xl〇3Pa)。處理溫度可以 是室溫（通常是2 0-2 7攝氏度）。 在這種情況下，對矽薄膜進行鈾刻，而不對塑膠薄膜 、玻璃基底、聚醯亞胺薄膜和二氧化矽薄膜進行蝕刻。具 體而言，曝露在三氟化氯中以後，有選擇性地蝕刻掉第一 接合層1 0 2，而使之完全移除。由於類似地用矽層做成 的T F T的主動層沒有曝露在外界，因此，主動層沒有曝 露在三氟化氯中，因而沒有被蝕刻。 在這個實施例模式中，從它曝露的邊緣部分逐漸地鈾 刻第一接合層1 0 2。當第一接合層1 0 2被完全去掉的 時候，第一基底1 0 1和絕緣膜1 0 3被完全分開。每個 都包括多層薄膜的這些T F T和〇L E D留在第二基底上 經濟部智慧財產苟Μ工消費合作社印製 因寸好 ， 尺最 行底寸 進基尺 漸著的 逐隨底 緣間基 邊時之 的的 ο 2 要 1 ο 需底 1 所基 層 2 一 合 ο 第 接 1 爲 一 層作 第合 ， 從接以 是一所 刻第， 蝕掉長 爲去變 因全而 完大 此增 1 小 ο 更 1 者 底或 基吋 一 英 第 1 ， 是 中好 式最 模 C 例小 施更 實者 個或 這吋 在英 以 3 所是 。 該 , 應 大線 太角 不對 是的 適 ί度 尺 I張 紙 一本 準 標 家 國 I國 釐 9 26 548860 A7 _ B7_ 五、發明説明（24) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以這種方式剝離了第一基底1 〇 1以後，按照圖2 B 的方式形成第三接合層1 1 3。然後，經由第Η接合層 1 1 3將第三基底1 1 2接合到第二基底1 1 〇上。以這 種方式，將一個塑膠基底用作第三基底1 1 2。具體而言 ，可以將厚度爲1 0微米或者更厚的樹脂基底，例如 PES (聚醚碾）基底、pc (聚碳酸脂）、PET (聚 對苯二甲酸乙二酯）或者PEN，用作第三基底1 1 2。 可以將樹脂（一般是聚醯亞胺、丙燒、聚醯胺或者環 氧樹脂）做成的絕緣膜用作第三接合層1 1 3。從 〇L ED看過去，當第三接合層1 1 3在觀看者一側的時 候（發光裝置用戶一側），需要能夠透光的材料。 在這個實施例模式中，在第三基底1 1 2上形成兩層 或者多層隔離膜。然後在這兩層隔離膜之間做一層應力鬆 弛膜。結果，在第二基底112和第三接合層113之間 形成具有隔離膜和應力鬆弛膜形成的疊層結構的密封膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 舉例而言，在這個實施例模式中，在第三基底1 1 〇 上通過濺射形成氮化矽薄膜作爲隔離膜1 1 4 a ;在隔離 膜1 1 4 a上形成包括聚醯亞胺的應力鬆弛膜1 1 4b ; 通過在應力鬆弛膜1 1 4 b上進行濺射形成氮化矽薄膜作 爲隔離膜1 14c。隔離膜1 14、應力鬆弛膜1 14b 和隔離膜1 1 4 c形成的分層膜一起叫做密封膜1 1 4。 然後在它上面形成密封膜1 1 4的第三基底1 1 2，通過 第三接合層1 1 3接合到固定在第二基底1 1 〇上的元件 上去。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -27 — 548860 A7 B7 五、發明説明（25) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 提供兩層或者多層隔離膜足夠了。關於隔離膜的材料 ，可以採用氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化氯、氮氧化 鋁或者氮氧化鋁矽（A 1 S i〇N )。 由於氮氧化鋁矽的導熱率較高，將它用作隔離膜能夠 有效地散發元件産生的熱。 可以將能夠透光的樹脂用作應力鬆弛膜1 1 4 b。一 般而言可以使用聚醯亞胺、丙烯、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺 、苯並環丁烯、環氧樹脂之類。在這個實施例模式中，應 力鬆弛模是藉由使用可熱聚合聚醯亞胺然後進行烘烤形成 的。 氮化矽薄膜是在大約0 . 4 P a的濺射壓力下，在 1 5 0攝氏度的基底溫度上引入氬形成的。薄膜是以矽作 爲靶材，除了氬以外還要引入氮和氫形成的。氮氧化矽是 在大約0 . 4Pa的濺射壓力下，在1 50攝氏度的基底 溫度下引入氬形成的。爲了形成薄膜，將矽作爲靶材，除 了氬以外，還引入了氮、二氧化氮和氫。也可以將二氧化 矽用作靶材。 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 隔離膜1 1 4 a和1 1 4 c的厚度應該在5 0奈米到 3微米之間。在這個實施例模式中，氮化矽薄膜的厚度是 1微米。 形成隔離膜的方法不限於濺射；薄膜形成方法可以由 實施本發明的人決定。例如，隔離膜可以用L P C VD法 、電漿CVD法等等形成。 應力鬆弛膜1 1 4 b的厚度在2 0 0奈米到2微米之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28 - 548860 A7 B7 五、發明説明（％) 26 間是較佳的。在這個實施例模式中，用作應力鬆弛膜的聚 醯亞胺薄膜的厚度是1微米。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以這種方式，能夠獲得兩層可撓基底1 1 0和1 1 2 之間的一個可撓發光裝置。將同一材料用作第二基底 1 1 0和第三基底1 1 2，基底1 1 0和1 1 2會具有相 同的熱膨脹係數。結果，基底1 1 0和1 1 2很難受溫度 變化産生的應力應變的影響。 根據這一實施例模式製造的發光裝置允許用半導體製 造元件（例如T F T )而不會受到塑膠基底熱阻的影響。 這樣就能夠獲得性能非常好的發光裝置。 經濟部智慈財產笱w工消費合作社印製 雖然在這個實施例模式中第一接合層1 〇 2是用非晶 矽製作的，並且是由含有氟化鹵的氣體移除，但是本發明 並不限於這種結構。可以由實施本發明的人來決定第一接 合層1 0 2採用哪種材料以及採用哪種移除方法。爲第一 接合層1 0 2找到合適的材料和移除方法是非常重要的， 這樣才能保證除了第一接合層1 0 2以外不需要去除的基 底、元件和薄膜不被去除，同時又能夠去除第一接合層 1 0 2，而不影響發光裝置的工作。第一接合層1 〇 2的 材料不會在第一接合層1 0 2的去除步驟以外的步驟中被 去除也是非常重要的。 舉例而言，可以將一種有機材料用作第一接合層 102，它是用雷射光束照射，從而全部或者部分地蒸發 的。另外，這種材料應該能夠吸收雷射光束能量，例如它 是有顔色的，或者是黑色材料（例如有黑色素的樹脂材料 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 29 — 548860 A 7 __B7 五、發明説明（27) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) )’這樣才能夠在採用γ A G雷射二次諧波的時候，只有 第一接合層1 0 2能夠有效地吸收雷射光束能量。將元件 形成步驟的熱處理過程中不會蒸發的一種材料用作第一接 合層1 0 2。 第一、第二和第三接合層中的每一層既可以是單層的 ，也可以是多層的。可以在接合層和基底之間採用非晶矽 薄膜或者D L C薄膜。 第一接合層1 0 2可以用非晶矽薄膜形成，第一基底 可以在以後的步驟中將雷射光束照射到第一接合層1 〇 2 上來剝離。在這種情況下，爲了方便第一基底的剝離，最 好是採用包括大量氫的非晶砂薄膜。非晶政薄膜中包括的 氫在受到雷射光束照射的時候會蒸發，因而能夠很容易地 剝離第一基底。 經濟部智慧財產局〗貝工涓費合作社印製 關於雷射光，可以採用脈衝振盪或者是連續波準分子 雷射、YAG雷射或者YV〇4雷射。雷射光經由第一基底 照射到第一接合層，從而只蒸發第一接合層，將它剝離第 一基底。因此，第一基底最好是能夠使用允許至少照射的 雷射通過的基底，舉例而言，玻璃基底、石英基底等等， 它的厚度大於第二和第三基底的厚度。 在本發明中，爲了讓雷射光束能夠透過第一基底，應 該適當地選擇雷射光束和第一基底。例如，將石英基底用 作第一基底的時候，用YAG雷射器（基波（1 〇 6 4奈 米）、二次諧波（532奈米）、三次諧波（355奈米 )、四次諧波（2 6 6奈米））或者準分子雷射（波長·· 一 30 — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 548860 A7 B7 五、發明説明（28) 批衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 0 8奈米）形成直光束，它能夠透過石英基底。準分子 雷射光束不能通過玻璃基底。因此，將玻璃基底用作第一 基底的時候，用Y A G雷射器的基波、二次諧波或者三次 諧波，最好是二次諧波（波長5 3 2奈米），形成一個直 光束，它能夠通過玻璃基底。 也可以採用將一種液體（加壓液體或者氣體）噴射到 第一接合層上分離第一基底的一種方法（一般是水柱噴射 法）。 如果第一接合層是用非晶矽薄膜做成的，就可以用聯 氨去掉第一接合層。 也可以採用日本專利申請公開號H e i 8 -2 8 8 5 2 2中所述之以蝕刻分離第一基底的方法。具體 而言，施加的氧化矽薄膜（S Ο G )作爲第一接合層，然 後用氟化氫將它去除。在這種情況下，以濺射法或者 C V D，將不需要被移去的氧化矽薄膜形成爲具有精細結 構，以致於要以氟化氫去除第一接合層的時候，氧化矽薄 膜會提供高選擇比。 經濟部智慧財產笱a(工消費合作社印製 藉由這樣的結構，即使是使用非常薄的基底時，具體 而言是5 0到3 00微米，最好是1 5 0到2 0 0微米， 也能夠獲得高可靠性的發光裝置。用傳統的製造設備很難 在這樣薄的基底上形成元件。但是，由於這一元件是以接 合到第一基底而形成的，就可以採用利用薄基底的製造設 備，而不需要改變現有設備。 利用包括多層絕緣膜的密封膜，能夠有效地防止濕氣 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —31 548860 A7 B7 五、發明説明（29) 或氧氣滲透導致的劣化。此外，在彎曲基底的時候能夠防 止斷裂。結果，能夠實現具有增強的可撓度之發光裝置。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例模式2 接著，說明本發明中不同於第一個實施例模式的另一 個實施例模式。 在圖3 A中，在第一基底2 0 1上形成非晶矽薄膜製 成之厚度爲1 0 0 - 5 0 0奈米（在這個實施例模式中是 3 0 0奈米）的第一接合層2 0 2。雖然在這個實施例模 式中將玻璃基底用作第一基底2 0 1，但是也可以採用石 英基底、矽基底、金屬基底或者陶瓷基底。第一基底 2 0 1可以是任意材料，只要它能夠承受後續處理步驟中 的熱處理。 經濟部智慧財產苟，'貝工消費合作社印製 形成第一接合層2 0 2的方法可以是低壓熱CVD法 、電漿C V D法、濺射法或者蒸鍍法。在第一接合層 2 0 2上，由氧化矽膜製成的絕緣膜2 0 3形成爲具有 2 0 0 n m的厚度。形成絕緣膜2 0 3的方法可以是低壓 熱C V D法、電漿C V D法、濺射法或者蒸鍍法。絕緣膜 2 0 3用於從第一基底2 0 1上剝離第一接合層2 0 2的 時候保護第一基底2 0 1上形成的元件。 接著，在絕緣膜203上形成一個元件（圖3B)。 這裏的元件是半導體元件（一般是TFT)或者是MIM 元件，在主動矩陣發光裝置中用作像素的開關元件，或者 是〇L ED之類。對於被動發光裝置，這個元件是一個 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32 - 548860 A7 B7 五、發明説明（3C)) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〇Led。在圖3B中，將驅動電路206中的TFT 2〇4a、像素部分中TFT 204b和204c以及 〇LED 205作爲代表元件。 然後形成一層絕緣膜2 0 8，覆蓋上述元件。絕緣膜 2 0 8在形成以後較佳的是具有平坦表面。絕緣膜2 0 8 不是必需的。 接著，如圖3 C所示，藉由第二接合層2 0 9將第二 基底2 1 0接合到第一基底2 0 1上去。雖然在這個實施 例模式中將玻璃基底用作第二基底2 1 0，但是也可以採 用石英基底、矽基底、金屬基底或者陶瓷基底。第二基底 2 1 0可以採用任何材料，只要這種材料能夠承受後續處 理步驟中的熱處理。 第二接合層2 0 9的材料必須能夠在後續步驟中去掉 第一接合層2 0 2的時候能夠提供高選擇比。典型上，對 於第二接合層2 0 9，去掉第二接合層的時候接合第三基 底的第三接合層必須不被去掉，不導致第三基底剝落。在 這個實施例模式中採用日本專利申請公開號H e i 5 - 經濟部智慈財產笱肖工消費合作社印製 3 1 5 6 3 0中所述的聚醯胺酸溶液，它是聚醯亞胺樹脂 的前期産品。具體而言，使用未經硬化的樹脂之聚醯胺酸 溶液以形成厚度1 0-1 5微米的第二接合層2 0 9之後， ，第二基底2 1 0和中間層絕緣膜2 0 8經由熱壓接合互 相接合在一起。然後加熱，暫時將樹脂硬化。 在這個實施例模式中第二接合層2 0 9的材料不限於 聚醯胺酸溶液。可以採用任何材料，只要它能夠在後續步 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 548860 A7 ______B7 五、發明説明（31) (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 驟中當第一接合層2 0 2要被移除的時候能提供高選擇比 以及用於接合第三基底的第三接合層不會隨著第二接合層 2 0 9的移除而被移除以及不導致第三基底脫落即可。重 要的是’第二接合層2 0 9由在去掉第二接合層2 0 9以 外的步驟中不被移除之材料所製成。 接著，如圖3D所示，將第一基底201、第二基底 2 1 0和所有元件以及它們之間形成的整個薄膜在包括氟 化鹵的氣體中，以移除第一接合層2 0 2。在這個實施例 模式中，三氟化氯（C 1 F 3 )被用作氟化鹵，將氮用作稀 釋氣體。也可以將氬、氦或者氖用作稀釋氣體。兩種氣體 的流速都可以是5 0 0 s c cm (8 · 3 5x1 0— 6m3/ S ) ’反應壓力可以是1 — 10托（1.3χ102 — 1 . 3 X 1 0 3 P a )。處理溫度可以是室溫（一般是20 一 2 7攝氏度）。 經濟部智慧財產局資工消費合作社印製 在這種情況下蝕刻矽薄膜，而塑膠薄膜、玻璃基底、 聚醯亞胺薄膜和氧化矽薄膜則不被腐蝕。具體而言，曝露 在三氟化氯氣體中，選擇地蝕刻第一接合層2 0 2，將它 完全剝落。由於同樣是由矽薄膜製成的T F T的主動層未 曝露在外面，所以，主動層就沒有曝露在三氟化氯氣體中 ，因而沒有被飽刻。 在這個實施例模式中，第一接合層2 0 2從它的邊緣 部分開始被逐漸蝕刻。當第一接合層2 0 2被完全移除時 ，第一基底2 0 1和絕緣膜2 0 3被互相分離。去掉第一 接合層2 0 2以後，各自都包括薄膜疊層的TFT和 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） —34 — 548860 A7 B7 五、發明説明（32) 〇LED都保留在第二基底210上。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將大塊基底用作第一基底2 0 1是較不佳的，因爲第 一接合層2 0 2是從它的邊緣開始逐漸地被蝕刻掉的，完 全去掉第一接合層2 0 2所需要的時間隨著它的尺寸變大 而延長。因此，在這個實施例模式中第一基底2 0 1的對 角線應該是3英寸或者更小（最好是1英寸或者更小）。 如圖4A所示，以此方式移除第一基底2 0 1以後， 形成第三接合層2 1 3。然後經由第三接合層2 1 3將第 三基底2 1 2接合到第二基底2 1 2上。在這個實施例模 式中，將塑膠基底用作第三基底212。具體而言，可以 將厚度爲10微米或者更厚的樹脂基底用作第三基底 212，例如使用由PES (聚醚碾）、PC (聚碳酸脂 )、PET (聚對苯二甲酸乙二酯）或者PEN (聚萘酸 乙二酯）製成的基底作爲第三基底2 0 2。 經濟部智慈財產局吕(工消費合作社印製 由樹脂（典型上爲聚醯亞胺、丙烯、聚醯胺或者環氧 樹脂）製成的絕緣膜可以作爲第三接合層2 1 3。如果從 〇L ED看過去的時候第三接合層2 1 3在觀看者一側（ 發光裝置用戶一側）時，這種材料就應該透光。 此外，在這個實施例模式中，在第三基底2 1 2上形 成兩層或者多層隔離膜。然後，在兩層隔離膜之間設置應 力鬆弛薄。結果，在第三基底2 1 2和第三接合層2 1 3 之間形成具有隔離膜和應力鬆弛膜疊層結構的密封膜。 舉例而言，在這個實施例模式中，在第三基底2 1 2 上藉由濺射形成氮化矽薄膜以作爲隔離膜2 1 4 a ;在隔 一 35 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ 297公釐） 548860 A7 ______B7__ 五、發明説明（33) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 離膜2 1 4 a上形成包括聚醯亞胺的應力鬆弛膜2 1 4 b ;在應力鬆弛膜2 1 4 b上藉由濺射形成氮化矽薄膜以作 爲隔離膜2 1 4 C。隔離膜2 1 4 a、應力鬆弛膜 2 1 4 b和隔離膜2 1 4 c形成的疊層膜統稱密封膜 2 1 4。然後藉由第三接合層2 1 3，將上面形成了密封 膜2 1 4的第三基底2 1 2接合至固定於第二基底2 1 0 的元件上。 提供兩層或者多層隔離膜足夠了。關於隔離膜的材料 ，可以採用氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化 鋁或者氮氧化鋁矽（AlSiON)。 由於氮氧化鋁矽的導熱率較高，因此用它作爲隔離膜 能夠有效地散去元件産生的熱。 透光樹脂能夠被用作應力鬆驰膜2 1 4 b。一般而言 ，可以採用聚醯亞胺、丙烯、聚醯胺、聚醯亞醯胺、苯並 環丁烯、環氧樹脂之類。在這個實施例模式中，藉由採用 丙烯，然後進行烘烤，形成應力鬆驰膜。 經濟部智慧財/i^7B(工消費合作社印製 在大約0 · 4P a的濺射壓力和1 5 0攝氏度的基底 溫度下藉由引入氬形成氮化矽薄膜。薄膜是通過將矽作爲 靶材，除了氬以外，還引入氮和氫形成的。對於氮氧化矽 ，是在大約0 · 4P a的濺射壓力和1 5 0攝氏度的基底 溫度下，藉由引入氬形成薄膜。薄膜是藉由使用矽作爲靶 材，同時除了氬以外，還引入氮、二氧化氮和氫來形成的 。也可以將氧化矽用作靶材。 隔離膜2 1 4 a和2 1 4 c的厚度應該在5 0奈米到 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 -36 - 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 548860 A7 B7 五、發明説明（34) 3微米之間。在這個實施例模式中，氮化矽薄膜的厚度爲 1微米。 隔離膜的形成方法不限於濺射；可以由實現本發明的 人來決定採用什麽樣的薄膜形成方法。例如，可以用 L P CVD法、電漿C VD法之類形成隔離膜。 應力鬆弛膜2 1 4 b的厚度應該在2 0 0奈米到2微 米之間。在這個實施例模式中，丙烯薄膜的厚度爲1微米 〇 接著，如圖4 B所示，將第二接合層2 0 9從第二基 底2 1 0移除剝離。具體而言，藉由浸入水中大約1個小 時，去掉第二接合層209，從而剝離第二基底210。 根據第二接合層2 0 9的材料、元件或者薄膜的材料 、基底材料等等以選擇剝離第二接合層2 0 9的方法非常 重要。 接著，如圖4 C所示，在第二基底2 1 0被剝離的一 側上，亦即，在經由0 L E D跟第三基底相對的側上，設 置兩層或者多層隔離膜。然後在兩層隔離膜之間提供應力 鬆弛膜。 舉例而言，在這個實施例模式中，在絕緣膜2 0 8跟 接觸第二基底2 1 0的一側相對的一側上，藉由濺射形成 氮化矽薄膜作爲隔離膜2 1 5 a ;在隔離膜2 1 5 a上形 成包含聚醯亞胺的應力鬆弛膜2 1 5 b ;在應力鬆弛膜 2 1 5 b上藉由濺射形成氮化矽薄膜作爲隔離膜2 1 5 c 。隔離膜2 1 5 a、應力鬆弛膜2 1 5b和隔離膜 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
—37 — 548860 A7 B7 五、發明説明（奶） '~^ 2 1 5 c統稱密封膜2 1 5。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 提供兩層或者多層隔離膜足夠了。隔離膜的材料可以 採用氮化矽、氮氧化砂、氧化銘、氮化ig、氮氧化銘或者 氮氧化鋁矽（AlSiON)。 由於氮氧化鋁矽的導熱率較高，將它用作隔離膜能多旬 有效地散去元件産生的熱。 透光樹脂可以被用作應力鬆弛膜2 1 5 b。典型上使 用聚醯亞胺、丙烯、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯並環丁燒 、環氧樹脂之類。在這個實施例模式中，應力鬆弛膜是藉 由採用丙烯，然後進行烘烤形成的。 在大約0 . 4P a的濺射壓力和1 5 0攝氏度的基底 溫度下藉由引入氬形成氮化矽薄膜。薄膜形成是通過除了 氬以外引入氮和氫，將矽作爲靶材形成的。對於氮氧化矽 ，在大約0 · 4 P a的濺射壓力和1 5 0攝氏度的基底溫 度下通過引入氬形成薄膜。薄膜是通過除了氬以外引入氮 、二氧化氮和氫，將矽作爲靶材而形成的。也可以將氧化 矽用作靶材。 經濟部智慧財/i^B(工消費合作社印製 隔離膜2 1 5 a和2 1 5 c的厚度應該在範圍50奈 米到3微米之間。在這個實施例模式中，氮化矽薄膜的厚 度爲1微米。 形成隔離膜的方法不限於濺射；可以由實現本發明的 人決定採用什麽樣的薄膜形成方法。例如，薄膜可以用 LPCVD法、電漿CVD法等等形成。 應力鬆弛膜2 1 5 b的厚度應該在2 0 0奈米到2微 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X25)7公釐） -38 - 548860 A7 B7 五、發明説明（36) 米之間。在這個實施例模式中，丙烯薄膜的厚度爲1微米 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉由這種方式可以利用單一塑膠基底獲得可撓發光裝 置。 由於可以用半導體形成元件（例如T F T )而不會受 到塑膠基底熱阻的限制，所以，根據本發明，能夠製造高 性能的發光裝置。 雖然本發明第一個實施例模式中第一接合層2 0 2是 用非晶矽做成的，並且是用包括氟化鹵的氣體移除的，但 是本發明並不限於這一結構。可以由實現本發明的人去決 定第一接合層2 0 2採用什麽材料和移除方法。決定第一 接合層2 0 2的材料和移除方法以致於第一接合層2 0 2 以外之不需要被去除的基底、其他接合層、元件和薄膜不 會在去除第一接合層2 0 2的時候被去除掉，從而不影響 發光裝置的工作，是非常重要的。第一接合層2 0 2的材 料不允許其本身在去除第一接合層2 0 2的步驟以外的其 他製程中不被去除，也是重要的。 經濟部智慧財1局員工消費合作社印製 雖然聚醯亞胺樹脂的先驅物之聚醯胺酸溶液被用作隨 後由水移除之第二接合層2 0 9，但是本發明的結構並不 限於此。第二接合層2 0 9的材料和去除方法可以由實施 本發明的人來確定。重要的是，決定第二接合層2 〇 9的 材料和移除方法，以致於除了第二接合層2 〇 9以外不需 要被移除的基底、其他接合層、元件和薄膜不會隨著第二 接合層的移除而被移除，從而不影響發光裝置的工作。第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —39 — 548860 A7 _____B7 五、發明説明（37) 二接合層2 0 9的材料使得它在去除第二接合層2 〇 9的 步驟以外的其他步驟裏不被移除同樣重要。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 舉例而言，可以使用可由雷射光束照射而全部或者部 分蒸發的有機材料以用於第一和第二接合層2 〇 2和 2 0 9。另外，應該採用能夠吸收雷射光束能量的材料， 例如有色材料或者黑色材料（例如包括黑色素的樹脂材料 )，從而在使用Y A G雷射的二次諧波的時候，只有第一 和第二接合層2 0 2和2 0 9有效地吸收雷射光束的能量 。採用在元件形成步驟的熱處理過程中不被蒸發的第一和 第二接合層202和209。 第一、第二、第三接合層中的每一層既可以是單層的 ，也可以是多層的。可以在接合層和基底之間提供非晶矽 薄膜或者DLC薄膜。 經濟部智慧財產局貨工消費合作社印製 第一接合層2 0 2或者第二接合層2 0 9可以用非晶 矽薄膜形成，可以藉由在以後的步驟裏將雷射光照射在第 一接合層2 0 2或者第二接合層2 0 9上以將基底剝離。 在這種情況下，爲了方便第一基底剝離，較佳的是採用含 有大量氫的非晶矽薄膜。非晶砂中包含的氫在雷射光束的 照射下被蒸發，從而能夠很容易地剝離基底。 雷射光束可以採用脈衝振盪或者連續波準分子雷射、 YAG雷射或者YV〇4雷射。在第一基底要被剝離的情形 中，將雷射光束經過第一基底照射到第一接合層上，從而 只蒸發第一接合層，將第一基底剝離。在第二基底要被剝 離的情形中，將雷射光束經過第二基底照射到第二接合層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —40 — 548860 A7 B7 五、發明説明（38) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 上，從而只蒸發第二接合層，以剝離第二基底。因此’第 一或第二基底最好是厚度大於第三基底的基底，它至少允 許雷射光束通過，一般情況下它能夠透過光’例如玻璃基 底、石英基底之類。 在本發明中，爲了讓雷射光束通過第一或者第二基底 ，需要正確地選擇雷射光的類型和第一基底的類型。舉例 而言，將石英基底用作第一基底的時候，用YAG雷射（ 基波（1 0 6 4奈米）、二次諧波（5 3 2奈米）、三次 諧波（3 5 5奈米）、四次諧波（2 6 6奈米））或者準 分子雷射（波長：308奈米）形成直光束，它能夠透過 石英基底。準分子雷射光束不能通過玻璃基底。因此，採 用玻璃基底的時候，用Y A G雷射器的基波、二次諧波或 者三次諧波，最好是二次諧波（波長5 3 2奈米），形成 一個直光束，它能夠通過玻璃基底。 或者，舉例而言，也可以採用將液體（加壓流體或者 氣體）噴射到第一接合層上以分離第一基底的方法（通常 是水柱噴射法）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在第一接合層是由非晶矽薄膜製成的情形中，第一接 合層就可以用聯氨去除。 另外，也可以採用日本專利申請公開號H e i 8 -2 8 8 5 2 2中描述的蝕刻方法以分離第一基底。具體而 言，可以將使用的氧化矽薄膜（S OG)用作第一或者第 二接合層，然後用氟化氫淸除掉。在這種情況下，經由濺 射或者C VD法，形成具有精細結構之不需要去除的氧化 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 41 一 548860 A7 B7 五、發明説明（39) 矽膜，以致於用氟化氫去除第一或者第二接合層的時候氧 化矽薄膜時能夠提供足夠的選擇比’是重要的。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 利用這樣的結構，即使將非常薄的基底用作第三基底 ，具體而言是50-300微米’最好是150-200 微米，也能夠獲得高可靠性的發光裝置。利用傳統的製造 設備很難在這樣薄的基底上形成元件。但是既然元件是通 過接合到第一和第二基底上形成的’就能夠使用採用薄基 底的製造設備而不需要改變這些設備。 利用包括多層絕緣膜的密封膜’能夠有效地緩解由於 濕氣或者氧氣滲透而導致的劣化。此外還能夠防止彎曲基 底的時候發生斷裂。結果是能夠獲得具有增進的可撓度之 發光裝置。 在第一個和第二個實施例模式中，〇L E D的陽極和 陰極都可以被用作像素電極。 實施例 將於下述中說明本發明的實施例。 經濟部智慈財產笱a (工消費合作社印製 實施例1 在實施例1中描述根據本發明中發光裝置的外觀以及 它與FPC的連接。 圖5 A是顯示實施例模式1中所描述的根據本發明的 發光裝置的頂視圖實例。第二基底3 0 1和第三基底 3 0 2都是具有可撓性的塑膠基底。像素部分3 0 3和驅 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X 297公釐） 548860 A7 B7 五、發明説明（4C)) 動電路（源極側驅動電路3 0 4和閘極側驅動電路3 0 5 )設在第二基底3 0 1和第三基底3 0 2之間。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在圖5 A中，顯示源極側驅動電路3 0 4和閘極側驅 動電路3 0 5是形於也有像素部分3 0 3形成於上的基底 上之實施例。但是，源極側驅動電路3 0 4和閘極側驅動 電路3 0 5代表的驅動電路可以在不同於形成像素部分 3 0 3的基底上形成。在這種情況下，驅動電路可以經由 FPC之類而連接至像素部分303。 源極側驅動電路3 0 4和閘極側驅動電路3 0 5的數 目和配置不限於圖5 A所示的結構。 代號306表示一個FPC，通過它，來自包含控制 器的I C的信號或者源極電壓被供應至像素部分3 0 3、 源側驅動電路3 0 4和閘極側驅動電路3 0 5。 圖5 B是圖5 A中虛線圍起來的一部分的放大視圖， 其中，FPC 306和第二基底301互相連接。圖 5 C是沿著圖5 B中直線A — A ’的剖面視圖圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在第二基底3 0 1和第三基底3 0 2之間設有導線 3 1 0，它們能夠延伸以供應信號或者源極電壓給像素部 分3 0 3、源極側驅動電路3 0 4和閘極側驅動電路 305。設置端子311以用於FPC 306。 用雷射光束之類將第二基底3 0 1和設在第二基底 3 0 1與延伸接線3 1 0之間諸如密封膜和絕緣膜等不同 的膜，以去除第二基底301，而提供接觸孔313。因 此，眾多延伸的導線3 1 0經過接觸孔3 1 3出來，並經 本^張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210父297公釐1 一 43 — 548860 A7 B7_ 五、發明説明（） 41 由具有各向異性之導電樹脂3 1 2分別跟端子3 1 1連接 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 雖然在圖5 A - 5 C顯示的實例中，延伸的導線’ 3 1 0從第二基底3 0 1部分地出來，但是本發明並不限 於此。或者，延伸的導線也能夠部分地從第三基底3 0 2 的側邊。 圖6 A顯示彎曲狀態之圖5 A所示的發光裝置。由於 實施例模式1中所述的發光裝置的第二基底和第三基底都 具有可撓性，所以，發光裝置能夠像圖6 A所示的一樣彎 曲一定的角度。因此，這種發光裝置具有廣泛的用途，因 爲它能夠用於彎曲表面、展示櫥窗等等。此外，不僅是實 施例模式1中所述的發光裝置能夠彎曲，實施例模式2中 所述的發光裝置也能夠類似地彎曲。 經濟部智慈財1局a(工消費合作社印製 圖6 B是圖6 A所示發光裝置的剖面圖。在第二基底 3 0 1和第三基底3 0 2之間形成了多個元件。此處，代 表性地顯示TFT 303a、303b和303c以及 〇LED 304。虛線309表示第二基底301和第 三基底3 0 2之間的一條中心線。 在第二基底3 0 1和多個元件之間設有隔離膜 306a、應力鬆弛膜306b和隔離膜3〇6c (它們 統稱密封膜306)。在第三基底302和多個元件之間 設有隔離膜3 0 7 a、應力鬆驰膜3 0 7 b和隔離膜 3 0 7 c (統稱密封膜3 0 7 )。 此外’在密封膜3 0 6和多個元件之間有第二接合層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " -- —44 — 548860 A7 B7 _ 五、發明説明（42) 3 0 5，而密封膜3 0 7和多個元件之間有第三接合層 3 0 8 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，說明實_施例模式2中所述的發光裝置跟F P C 的連接。圖7是剖面圖，說明實施例模式2中所述的發光 裝置跟F P C連接的部分。 在第三基底4 0 1上設有導線4 0 3。形成密封膜 402，以覆蓋第三基底40 1上延伸的導線403和多 個元件。雖然圖7中的密封膜4 0 2顯示爲單層膜，但是 此密封膜實際上包括多層密封膜和其間的一層應力鬆弛膜 〇 用雷射光之類移除設在第三基底4 0 1和延伸的導線 4 0 3之間的諸如密封膜4 0 2和絕緣膜等不同薄膜以提 供接觸孔。因此，延伸的導線4 0 3經由接觸孔而，並經 由具有各向異性的導電樹脂4 0 6電連接至包含於F P C 404中的端子405。 經濟部智慧財產局a(工消費合作社印製 雖然在這個實例中延伸的導線從圖7中的密封膜 4 0 2部分地出來，但是本發明並不限於此。延伸的導線 可以從第三基底一側部分地出來。 實施例2 在實施例2中說明本發明中實施例模式1的一個實施 例。 在圖8A中，用氧化矽薄膜（SOG)在第一基底 50 1上做成厚度是1 00-500 (在這個實施例中是 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董) " 548860 A7 ______B7 五、發明説明（43) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 300奈米）奈米的第一接合層5〇2。雖然在這個實施 例中將玻璃基底用作第一基底5 〇 1 ，但是也可以採用石 央基底、政基底、金屬基底或者陶瓷基底。第一基底 5 0 1可以採用任意材料，只要它能夠承受後續製造步驟 中的處理溫度就行。 形成S 0 G薄膜的方法是藉由旋轉塗敷以將碘溶液添 加到S〇G溶液中去，然後乾燥，使之釋放出其中的碘。 然後在大約4 0 0°C的熱處理中形成S〇G薄膜。在這個 實施例中，形成厚度爲1 〇 〇奈米的SO G薄膜。形成 S〇G薄膜作爲第一接合層5 0 2的方法不限於上述方法 。既可以將有機S0G用作S0G，也可以將無機S〇G 用作S 0 G ;可以採用任何S 0 G，只要能夠在後續步驟 中用氟化氫將它去除。不需要去除的氧化矽薄膜通過濺射 或者C V D方法以形成具有精細結構，以致於在以氟化氫 去除第一接合層時候能夠提供足夠的選擇比，是重要的。 經濟部智慈財產局a (工消費合作社印製 接著，用低壓熱CVD法、電漿CVD法、濺射法或 者蒸鍍法以在第一接合層5 0 2上形成一層鋁保護膜。在 這個實施例中，藉由濺射在第一接合層5 0 2上用鋁形成 厚度爲200奈米的保護膜503。 雖然在這個實施例中使用鋁作爲保護膜5 0 3的材料 ，但是本發明並不限於此。所選擇的材料能夠不隨著第一 接合層5 0 2 —起被移除以及在移除保護膜5 0 3的步驟 以外的其他製程中被移除，是非常重要的。此外，在移除 保護膜5 0 3的步驟中，此材料不會導致其他薄膜和基底 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 46 經濟部智慧財凌局員工消費合作社印製 548860 A7 _B7 ___ 五、發明説明（44) 被移除也是非常重要的。當第一接合層5 0 2被移除以剝 7離第一基底5 0 1時’保護膜5 0 3用以保護形成於第 一基底501上的元件。 接著，在保護膜503上形成元件（圖8B)。在圖 8B中，驅動電路中的TFT 504a和504b顯示 爲代表元件。 在這個實施例中，TFT 504a是一個η通道 TFT，而TFT 504b則是p通道的TFT。 TFT 504a 和 504b 形成一個 CMOS。 TFT 5 04 a包括形成於保護膜5 0 3上的第一 電極550、形成爲覆蓋第一電極550的絕緣膜551 、形成爲與絕緣膜5 5 1接觸的半導體膜5 5 2、形成爲 與半導體薄膜5 5 2接觸的絕緣膜5 5 3 ’以及與絕緣膜 5 5 3接觸的第二電極5 5 4。 TFT 504b包括第一電極560、形成爲覆蓋 第一電極5 6 0的絕緣膜5 5 1、形成爲與絕緣膜5 5 1 接觸的半導體薄膜5 6 2、形成爲與半導體薄膜5 6 2接 觸的絕緣膜5 5 3以及與絕緣膜5 5 3接觸的第二電極 5 6 4 ° 與第一個電極5 5 0及5 6 0同時形成之端子5 7 0 設在保護膜503上。 然後，形成絕緣膜5 6 5以覆蓋T F T 5 0 4 a和 5 〇 4b。與半導體薄膜5 5 2及端子5 70相接觸的導 線571、與半導體膜552和562相接觸的導線 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ —47 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
548860 A7 B7 五、發明説明（45) 5 7 2、以及跟半導體薄膜5 6 2接觸的導線5 7 3形成 爲通過接觸孔，接觸孔係形成於穿透絕緣膜5 6 5、 5 5 1 和 5 5 3。 形成絕緣膜5 7 4覆蓋導線5 7 1、5 7 2和5 7 3 以及絕緣膜5 6 5。雖然圖中沒有顯示，但是在絕緣膜 574上形成〇LED。 然後，形成絕緣膜5 0 8，以遮蓋這些元件。較佳的 是，絕緣膜5 0 8在形成之後具有平坦的表面。沒有必要 形成絕緣膜5 0 8。 接著，如圖8 C所示，經由第二接合層5 0 9，將第 二基底5 1 0接合到第一基底上。在這個實施例中將塑膠 基底用作第二基底5 1 0。具體而言，可以使用例如厚度 爲10奈米或者更厚的樹脂基底、PES(聚醚礪）、 PC (聚碳酸脂）、PET (聚對苯二甲酸乙二酯）或者 P EN (聚萘酸乙二酯）製成的基底作爲第二基底5 1 0 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 關於第二接合層5 0 9的材料，其需要在第一接合層 於後續步驟中被移除時，能夠高的選擇比。典型上，可以 採用樹脂製成的絕緣膜。雖然在這個實施例中採用聚醯亞 胺，但是也可以採用丙烯、聚醯胺或者環氧樹脂。當第二 接合層5 9 0放在從〇L ED看過去的觀看者一側（發光 裝置用戶一側）時，材料需要能夠透光。 此外，在這個實施例中，在第二基底5 1 0上形成兩 層或者多層隔離膜。然後在兩層隔離膜之間設置應力鬆弛 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -48 - 548860 A7 B7 五、發明説明（46) 膜。結果，在第二基底5 1 0和第二接合層5 0 9之間形 成具有隔離膜和應力鬆弛膜的疊層結構之密封膜。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 舉例而言，在這個實施例中，在第二基底5 1 0上進 行濺射以形成氮化矽膜作爲隔離膜5 1 1 a ;在隔離膜 5 1 1 a上形成包含聚醯亞胺的應力鬆弛膜5 1 1 b ;在 應力鬆驰膜5 1 1 b上藉由濺射形成氮化矽薄膜作爲隔離 膜5 1 1 c。隔離膜5 1 1 a、應力鬆弛膜5 1 1 b和隔 離膜5 1 1 c統稱爲密封膜5 1 1。然後，經由第二接合 層5 0 9以將形成密封膜5 1 1的第二基底5 1 0接合至 形成於第一基底上的元件。 設置兩層或者多層隔離膜就足夠了。關於隔離膜的材 料，可以使用氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧 化鋁或者氮氧化鋁矽（A 1 S i〇N )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可以使用具有透光的樹脂用於應力鬆弛膜5 1 1 b。 典型上，可以採用聚醯亞胺、丙烯、聚醯胺、聚醯亞胺醯 胺、苯並環丁烯、或環氧樹脂之類。在這個實施例中，應 力鬆弛模是藉由應用熱可聚合聚醯亞胺，然後進行烘烤形 成的。 在約0 · 4P a的濺射壓力和1 5 0攝氏度的基底溫 度下引入氬以形成氮化矽薄膜。使用矽作爲靶材並導入氬 以及氮和氫，以執行膜形成。在氮氧化矽的情形中，在約 0 · 4P a的濺射壓力和攝氏1 5 0度的基底溫度下藉由 引入氬以形成膜。形成薄膜的時候以矽作爲靶材，除了氬 以外，同時引入氮、二氧化氮和氫。也可以使用氧化矽作 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -49 一 548860 A7 B7 五、發明説明（47) 爲靶材。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 希望每層隔離膜5 1 1 a和5 1 1 c的厚度在50奈 米到3微米範圍之間。在這個實施例中’氮化矽膜的厚度 形成爲1微米。 形成隔離膜的方法不限於濺射法；可以由實施本發明 的人決定採用什麽樣的薄膜形成方法。舉例而言’可以用 L P CVD法、電漿CVD法等等來形成膜。 希望應力鬆弛膜5 1 1 b的厚度在2 0 0奈米到2微 米之間。在這個實施例中’聚醯亞胺膜的厚度形成爲1微 米。 對於第一和第二隔離層5 1 1 a和5 1 1 c以及應力 鬆弛層5 1 1 b，採用的材料在後續步驟去除第一接合層 5 0 2的時候應該能夠提供高選擇比。 由於圖8 C所示的製程，〇LED能夠跟空氣完全隔 離。結果，能夠充分延緩由於氧化而導致有機發光材料的 劣化，從而顯著地增進〇 L E D的可靠性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，如圖8 D所示，用氟化氫去除第一接合層 5 0 2。在這個實施例中，將第一和第二基底5 0 1和 5 1 0、它們之間形成的所有元件和整個薄膜浸入緩衝氫 氟酸（HF/NH4F = 0 . 01 - 〇 · 2 ’ 例如 0 · 1) ，以移除第一接合層502。 由於不希望移除的氧化矽薄膜是藉由濺射或者c v D 法所形成的膜所製成，所以，僅有第一接合層會由氟化氫 移除。 —50 — 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 548860 A7 B7 五、發明説明（48) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在這個實施例中’第一接合層5 0 2從的邊緣部分逐 漸地被蝕刻。完全移除第一接合層5 0 2時，第一基底 5 0 1和保護膜5 0 3互相分離。在移除第一接合層 5 0 2之後，均包括複數個薄膜的疊層之τ F T和 〇LED仍保留在第二基底510上。 使用大基底作爲第一基底5 0 1不是較佳的，因爲隨 著第一基底的尺寸變大，從邊緣開始完全去掉第一接合層 5 0 2所需要的時間會越來越長。因此，這個實施例中第 一基底5 0 1的對角線應該是3英吋或者更短（較佳地爲 1英吋或者更短）。 接著，如圖9A所示，移除保護膜5 〇 3。在這個實 施例中，用磷酸型的蝕刻劑進行濕蝕刻，以移除鋁做成的 保護膜503，以出端子570和第一電極550和 5 6 0 〇 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 然後’如圖9 B所示，形成具有各向異性之導電樹脂 製成的第三接合層5 1 3。經由第三接合層5 1 3，將第 三基底5 1 2附著到會有端子5 7 0和第一電極5 5 0和 5 6 0的一側。 在這個實施例中，將塑膠基底用作第三基底5 1 2。 具體而言’可以將厚度爲1 〇微米或者更厚的樹脂基底， 舉例而言，PES (聚醚碾）、pc (聚碳酸脂）、 PET (聚對苯二甲酸乙二酯）或者pen (聚萘酸乙二 酯）做成的基底，用作第三基底5 1 2。 關於第三接合層5 1 3，可以採用樹脂（典型上爲聚 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " 548860 Δ7 Α7 Β7 五、發明説明（49) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 醯亞胺、丙烯、聚醯胺或者環氧樹脂）製成的絕緣膜。如 果從OL ED看過去，第三接合層5 1 3在觀看者一側時 ，這種材料就必須透光。 在這個實施例中，在第三基底5 1 2上形成兩層或者 多層隔離膜。然後，在這兩層隔離膜之間設置應力鬆弛膜 。結果，在第三基底5 1 2和第三接合層5 1 3之間形成 具有隔離膜和應力鬆弛膜的疊層結構之密封膜。 舉例而言，在這個實施例中，藉由在第三基底5 1 2 上進行濺射形成氮化矽膜作爲隔離膜5 1 4 a ;在隔離膜 5 1 4 a上形成包括聚醯亞胺的應力鬆弛膜5 1 4 b ;在 應力鬆弛膜5 1 4 b上藉由濺射形成氮化矽膜作爲隔離膜 5 1 4 c。隔離膜5 1 4 a、應力鬆弛膜5 1 4 b和隔離 膜5 1 4 c形成的疊層膜統稱密封膜5 1 4。然後，經由 第三接合層5 1 3，將上面形成有密封膜5 1 4的第三基 底512接合到固定在第二基底510上的元件上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 提供二或者更多隔離膜即已足夠。關於隔離膜的材料 ，可以採用氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化 鋁或者氮氧化鋁矽（A 1 S i〇N )。 應力鬆弛膜5 1 b可以採用透光的樹脂。一般而言， 可以使用聚醯亞胺、丙烯、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯並 環丁烯、環氧樹脂之類。在這個實施例中，應力鬆弛模是 藉採用熱可聚合聚醯亞胺然後進行烘烤來形成。 在大約0 · 4P a的濺射壓力和攝氏1 5 〇度的基底 溫度下藉由引入氬來形成氮化矽膜。除了氬以外，還引入 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -52 - 548860 A7 B7 五、發明説明（50) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 氮和氫，並且將矽作爲靶材來形成薄膜。在氮氧化矽的情 形中，是在大約0 · 4P a濺射壓力和攝氏1 5 〇度的基 底溫度下藉由引入氬來形成薄膜的。膜的形成是藉由引入 除了氬以外的氮、二氧化氮和氫，並且以矽作爲靶材以實 現的。也可以將氧化矽用作靶材。 希望每層隔離膜5 1 4 a和5 1 4 c的厚度在5 0奈 米到3微米之間。在這個實施例中，氮化矽薄膜的厚度是 1微米。 形成隔離膜的方法不限於濺射；膜形成方法可以由實 現本發明的人適當地決定。舉例而言，可以用L P CVD 法、電漿C V D法等等來形成膜。 應力鬆弛膜5 1 4 b的厚度需在2 0 0奈米到2微米 之間。在這個實施例中，聚醯亞胺薄膜的厚度爲1微米。 經濟部智慈財產苟員工消費合作社印製 然後，利用雷射光照射，形成經過第三基底5 1 2和 密封膜之接觸孔。在第三基底5 1 2上形成接觸孔處的一 部份及其周圍蒸鍍鋁，藉以在第三基底5 1 2的個別表面 上形成端子5 8 0和5 8 1 ，它們之間互相有電連接。形 成端子5 8 0和5 8 1的方法不限於上述結構。 在第三基底5 1 2上形成的端子5 8 0經由第三接合 層5 1 3以電連接至端子570，端子570是跟第一電 極5 5 0和5 6 0同時形成的。 以此方式，能夠取得介於塑膠基底5 1 0和5 1 2之 間的可撓發光裝置。第二基底510和第三基底512採 用同樣的材料，所以，基底5 1 0和5 1 2具有同樣的熱 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -53 — 548860 A7 B7 五、發明説明（Μ) 〇Ί 膨脹係數。結果，基底5 1 0和5 1 2很難因爲溫度變化 而受到影響。 如圖9 C所示，端子5 8 1形成爲不會跟第三接合層 5 1 3接觸，但是會跟第三基底5 1 2連接，以及包含於 F P C 5 9 0中的端子5 9 1經由具有各向異性的導電 樹脂製成的第四接合層5 9 2而互相連接。 根據本實施例製造的發光裝置允許採用半導體製作元 件（例如T F Τ )而不會受到塑膠基底熱阻的限制。這樣 就能夠獲得具有特別高性能的發光裝置。 雖然在這個實施例中的接合層5 0 2是用S〇G做成 的，並且在本實施例中由氟化氫移除，但是本發明並不限 於這一結構。第一接合層5 0 2的材料和移除方法可以由 實施本發明的人適當地決定。重要的是，決定第一接合層 5 0 2的材料和移除方法，以致於第一接合層5 0 2以外 的不需要移除之基底、元件及膜不會隨著第一接合層 5 0 2的移除而被移除，且不會影響發光裝置的操作。此 外，第一接合層5 0 2的材料在去除第一接合層5 0 2的 步驟以外的製程中不會被去除掉也是非常重要的。 舉例而言，被雷射光照射而會部分或者全部蒸發的有 機材料可以作爲第一接合層5 0 2。另外，希望採用能夠 吸收雷射光的材料，舉例而言，有色材料或者黑色材料（ 例如包括黑色色素的樹脂材料），這樣才能夠保證採用來 自Y A G雷射的二次諧波的時候，只有第一接合層5 〇 2 有效地吸收雷射光的能量。採用在兀件形成步驟中熱處理 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慈財產苟員工消費合作社印製 ~~ 54 — 548860 A7 B7 五、發明説明（） 時不會被蒸發的第一接合層5 0 2。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第一、第二和第三接合層都可以是單層的，也可以是 多層的。在接合層和基底之間可以設置非晶矽薄膜或者 D L C薄膜。 第一接合層5 0 2可以由非晶矽膜形成，在以後的步 驟中，第一基底可以藉由雷射光照射第一接合層5 0 2而 剝離。在這種情況下，爲了方便第一基底的剝離，較佳的 是採用包含大量氫的非晶砂薄膜。藉由雷射光照射以蒸發 包含於非晶矽裏的氫，從而很容易地剝離第一基底。 關於雷射光，可以使用脈衝或者連續波準分子雷射、 Y A G雷射或者Y V ◦ 4雷射。雷射光經過第一基底照射至 第一接合層上，而僅蒸發第一接合層，從而剝離第一基底 。因此，關於第一基底，較佳的是使用厚度大於第二和第 三基底的基底，它至少允許照射的雷射光通過，典型上是 具有透光性的基底，舉例而言，玻璃基底、石英基底等等 〇 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 在本發明中，爲了允許雷射光通過第一基底，需要適 當地選擇雷射光和第一基底的類型。舉例而言，當使用石 英基底作爲第一基底的時候，使用Y A G雷射（基波（ 1 0 6 4奈米）、二次諧波（5 3 2奈米）、三次諧波（ 355奈米）、四次諧波（266奈米））或者準分子雷 射（波長：308奈米）形成直光束，它能夠透過石英基 底。準分子雷射光不能通過玻璃基底。因此，使用玻璃基 底作爲第一基底的時候，用Y A G雷射的基波、二次諧波 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -55 - 548860 A7 B7 五、發明説明（„) 〇〇 或者三次諧波，最好是二次諧波（波長：5 3 2奈米）來 形成直光束，它能夠通過玻璃基底。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，可以採用噴灑流體（加壓液體或者氣體）到第 一接合層上以分離第一基底的方法（通常是水柱噴射法） ’或者採用結合此方法的方法。 在第一接合層是由非晶矽膜製成的情形中，第一接合 層就可以用聯氨去除。 或者，可以採用JP 8-288522 A中描述 的以蝕刻分離第一基底的方法。具體而言，使用氧化矽薄 膜（S ◦ G )作爲第一接合層，以氟化氫移除它。在此情 形中，重要的是，藉由濺射或者CVD法，將不希望移除 的氧化矽膜形成爲具有精細結構，以致於當以氟化氫移除 第一接合層時，氧化矽膜能夠提供高選擇比。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 利用這樣一種結構，即使第二和第三基底採用非常薄 的基底，具體而言5 0 - 3 0 0微米，較佳地爲1 5 0 -2 0 0微米，仍然能夠獲得高可靠性的發光裝置。利用已 知的製造設備也很難在這樣薄的基底上形成元件。但是， 由於元件是接合到第一基底上，因此可以利用厚基底製造 設備而不需要改變設備。 利用包括多層絕緣膜的密封膜，能夠有效地緩解濕氣 或者氧氣透過而引起的劣化。此外還能夠防止基底彎曲的 時候發生開裂。結果是能夠獲得具有增進的可撓度之發光 裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -56 - 548860 A7 B7 五、發明説明（54) 實施例3 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在這個實施例中，詳細介紹配置於像素部分周圍及像 素部份中的驅動電路（源極信號線驅動電路和閘極信號線 驅動電路）之TFT的方法。在這個實施例中，關於驅動 電路，僅顯示CMO S電路爲基本單元以簡要介紹。 首先，如圖1 0 A所示，在第一基底5 0 0 0上形成 由非晶矽膜形成的第一接合膜5 0 0 1且厚度爲1 0 0至 500nm (較佳地爲300nm)，第一基底5000 係由諸如CORN I NG公司的第7 0 5 9號和第 1 7 3 7號所代表的硼矽酸鋇玻璃或者硼酸矽鋁玻璃等形 成。可以用低壓C V D法、電漿法、濺射法或者蒸鍍法以 形成第一接合膜5 0 0 1。在這個實施例中用濺射法形成 第一接合膜5 0 0 1。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 接著，在第一接合膜5 0 0 1上形成氧化矽膜、氮氧 化矽膜或者氮氧化矽膜所形成的絕緣膜形成的基膜 5002。基膜5002能夠在移除第一接合層500 1 以剝離基底5 0 0 0時保護形成於基底5 0 0 0上的元件 。舉例而言，用電漿CVD法從S i H4、NH3和N2〇 形成厚度爲1 〇 - 2 0 0奈米（較佳的是5 0-1 0 0奈米 )的氮氧化矽膜。同樣地，在它的上面疊上厚度爲5 0 -200奈米（較佳的是1 〇〇 — 1 50奈米）的S i H4和 N 2 〇所形成的氫化氮氧化矽薄膜。在這個實施例中，這個 基薄膜5 0 〇 2有兩層結構，但是也可以由上述絕緣膜之 一的單層薄膜，或者是由具有二層以上的上述絕緣膜之疊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0、〆297公釐） 548860 A7 B7 五、發明説明（55) 層膜所形成。 在具有非晶結構的半導體薄膜上，從雷射結晶或者習 知的熱結晶方法取得之結晶半導體薄膜中形成島狀半導體 層5003至5006。這些島狀半導體層5003至 5 0 0 6的厚度從2 5至8 0奈米（較佳的是3 0 - 6 0 奈米）之間。沒有對結晶半導體膜的材料進行任何限制， 但是結晶半導體膜較佳的是由矽、鍺化矽（S i G e )合 金等等形成。 當以雷射結晶法製造結晶半導體膜時，使用脈衝類型 或者連續發光類型的準分子雷射、YA G雷射和YVO 4 雷射。當使用這些雷射時，較佳的是使用從雷射發光裝置 照射的雷射光由光學系統收歛成直線形並接著被照射至半 導體膜之方法。由操作員適當地選擇結晶條件。當使用準 分子雷射時，將脈衝振盪頻率設定爲3 0 0赫茲，並將雷 射能量密度設定爲1 〇 〇至4 0 0毫焦耳每平方釐米（一 般是200-300毫焦耳每平方釐米）。當使用YAG 雷射時，脈衝振盪頻率最好是設定成3 0 - 3 0 0 kHz ’採用它的二次諧波，雷射能量密度較佳地爲3 0 0 - 6 0 0毫焦耳每平方釐米（一般是3 5 0 - 5 0 0毫焦耳 每平方釐米）。收歛成直線形狀，寬度爲1 〇 〇 - 1 0 0 0微米，例如4 0 0微米，的雷射光束，照射到整 個基底表面。此時，直線雷射光束的重疊比被設定爲5 0 至 9 0 % 〇 接著，形成覆蓋島狀半導體層5 0 0 3 - 5 0 0 6的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ^--^----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產苟8工消費合作社印製 -58 - 548860 A7 B7 五、發明説明（56) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 閘絕緣膜5 0 0 7。閘絕緣膜5 0 0 7是採用C V D法或 者濺射法形成的包含矽且厚度爲4 0 - 1 5 0奈米之絕緣 膜。在這個實施例中，閘絕緣膜5 0 0 7是由1 2 0奈米 厚的氮氧化矽形成的。但是，閘絕緣膜並不限於這樣的氮 氧化矽薄膜，而是可以是包括其他並具有單層或者疊層結 構的絕緣膜。舉例而言，當使用氧化矽膜的時候，用電漿 CVD法混合TEOS (原矽酸四乙酯）和〇2，反應壓力 設定爲40Pa，基底溫度設定爲攝氏300 — 400度 ，高頻（13 · 56MHz)功率密度設定爲0 . 5 -0·8W/cm2以用於放電。可以藉由放電而形成氧化矽 膜。如此，以此方式製造的氧化矽膜接著在攝氏4 0 0 -5 0 0度的退火下，能夠取得作爲閘絕緣膜之較佳特性。 用於形成閘電極的第一導電膜5 0 0 8和第二導電膜 5 0 0 9形成於閘絕緣膜5 0 0 7上。在這個實施例中， 厚度爲5 0 - 1 0 0奈米的第一導電膜5 0 0 8係由T a 形成，厚度爲1 〇 〇 — 3 0 0奈米的第二導電膜5 0 0 9 是由w形成。 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 採用濺射方法形成T a薄膜，T a靶被A r濺射。在 此情形中，A !·中添加適當量的X e和K r的時候，丁 a 薄膜的內部應力被釋放，因而能夠防止此薄膜剝落。α相 T a薄膜的電阻率是大約2 0 μΩ c m，這個T a薄膜可以 被用作閘電極。但是，β相T a膜的電阻率是大約 1 8 0 μΩ c m，且不適合作爲閘電極。事先形成晶體結構 接近T a膜的α相的結構且厚度爲1 〇 - 5 0奈米的氮化鉅 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -59 — 548860 A7 B7 五、發明説明（ 57 ’用於作T a膜的基部，以形成α相T a膜時，就能夠很容 易地獲得α相T a膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以鎢作爲靶材，採用濺射方法形成鎢薄膜。此外，可 以利用六氟化鎢（W F 6 )採用熱C V D法形成鎢膜。在任 何情形中，要使用這個膜作爲閘電極，都要減小它的電阻 。需要將鎢膜的電阻率設定成等於或者小於2 0 μΩ c m。 呈鎢的晶粒變大的時候，能夠減小鎢膜的電阻率。但是， 虽鎢膜中有g午多雜質’比方說氧等等的時候，就能夠防止 結晶，電阻率會增大。因此’在濺射法的情形中，採用純 度爲99·9999%或者99·99%的鎢靶，要形成 膜的時候，充分注意不要將雜質從氣相混合到鎢膜中，以 形成追個鶴膜。迫樣就夠實現9 一 2 0 μ Ω c in的電阻率 〇 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 在這個實施例中，第一導電膜5 0 0 8是由T a形成 的，第二導電膜5 0 0 9是由鎢形成的。但是，本發明並 不限於這種情況。這些導電薄膜中的每一個也可以由T a 、W、Ti 、Μο、Α1和Cu或具有這些元素爲主要組 成的合金材料或者化合物材料製成。還有，也可以採用摻 雜了諸磷之雜質元素的多晶矽膜代表的半導體薄膜。除了 這個實施例說明的以外的其他組合實例包括：用氮化鉅（ T a N)形成第一導電膜5 0 0 8、用W形成第二導電膜 5 0 0 9的組合；第一導電膜5 0 0 8是用氮化鉅（ TaN)、第二導電膜5009是用A 1形成的一個組合 :以及第一導電膜5008是用氮化鉅（TaN)，第二 本紙張尺度適用巾國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董) 一 ' -60 - 548860 A7 B7 五、發明説明（58) 導電膜5 0 0 9是用C u形成的一個組合。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，由光阻形成掩罩，執行第一蝕刻處理以形成電 極和導線。在這個實施例中，採用I C P (感應耦合電漿 )蝕刻法，將C F 4和C 1 2跟氣體混合以進行腐蝕。在1 Pa的壓力下，將500W功率的RF ( 1 3 · 5 6 Μ Η z )電力施加到線圈類型的電極上，以産 生電漿。將100W的RF(13·56MHz)功率施 加到基底側（樣品級），及施加實質上是負電壓的自偏壓 。C F 4和C 1 2混合的時候，將W薄膜和T a薄膜蝕刻到 同樣程度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在上述鈾刻條件下，藉由使光阻形成的掩罩之形狀成 爲適當形成，在施加至基底側的偏壓作用下，將第一導電 層及第二導電層的部份形成爲推拔狀。推拔部分的角度設 定爲1 5到4 5度。較佳的是，延長鈾刻時間1 0 — 2 0 %，以執行蝕刻而不會在閘絕緣膜上留下殘留物。由於氮 氧化矽膜對W膜的選擇比之範圍爲2 — 4 (通常是3 )， 所以，氮氧化矽膜的表面會被過蝕刻處理蝕刻掉2 0 -5 0奈米。如此，由第一蝕刻處理形成第一和第二導電層 形成的第一形狀的導電層5011 - 5016 (第一導電 層5011a — 5016a和第二導電層5011b — 5 0 1 6 B )。在閘絕緣膜5 0 0 7中，未由第一形狀的 導電層5 0 1 1 — 5 0 1 6覆蓋的區域會被蝕刻大約2 0 —50奈米（見圖10A)。 然後，進行第一次摻雜，添加造成η型導電率之雜質 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 548860 A7 __________B7 五、發明説明（59) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 兀素。摻雜方法可以是離子摻雜法或者離子佈植法。離子 摻雜法的條件是劑量爲i X 1 〇 1 3 一 5 χ 1 i 4原子/ cm2 ’加速電壓爲6 〇 - 1 〇 〇k e V。屬於第5族的元 素’通常是磷（P)或者砷（A s )被用作雜質元素來獲 得η型導電率。但是在這裏使用磷（p)。在此情形中， 導電層5 0 1 1 - 5 0 1 5作爲造成η型導電率的雜質元 素之掩罩，以及，以自行對齊方法形成第一雜質區 5 0 1 7 - 5 0 2 5。將造成η型導電率之雜質元素以lx 1 02。至1χ1 021原子/ cm3的密度，添加至第一雜質 區5017至5025。（見圖10B) 接著，如圖1 〇 C所示，進行第二蝕刻過程，而不移 除光阻掩罩。用C F 4、c 1 2和〇2選擇性地蝕刻W膜。 以第二鈾刻形成第二形狀的導電層5026-5031( 第一導電層5 0 2 6 a — 5 0 3 1 a和第二導電層 5026b — 5031b)。未由第二形狀的導電層 5 0 2 6 — 5 0 3 1覆蓋的閘絕緣膜5 0 0 7的區域會被 進一步蝕刻約2 0 - 5 0奈米，從而形成薄區域。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 利用C F 4和C 1 2混合氣體和T a薄膜以蝕刻W薄膜 的蝕刻反應可以由所產生自由基或離子的蒸汽壓力及反應 産品來實現。當W和T a的氟和氯化物蒸汽壓力比較時， 作爲W的氟化物的W F 6蒸汽壓力特別高，其他W C 1 5、 Ta F5和T a C 1 5的蒸汽壓力幾乎彼此相等。因此，用 C F 4和C 1 2的混合氣體蝕刻W薄漠和T a薄膜。但是， 將適當量的〇2添加到這種混合氣體中去的時候，C F 4和 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -62 - 548860 A7 B7 五、發明説明（6〇) 〇2發生反應，變成CO和F，以致於産生大量的F自由基 或者F離子。結果，氟化物蒸汽壓力非常高的W薄膜的蝕 刻速度加快。與此相反，增加F的時候，T a膜的蝕刻速 度增加非常少。由於跟W比，T a很容易氧化，所以T a 膜的表面因添加〇2而氧化。由於沒有任何T a的氧化物跟 氟或者氯化物反應，所以，T a膜的蝕刻速度進一步降低 。因此，有可能使W膜和T a膜的蝕刻速度出現差別，以 致於W膜的蝕刻速度比T a膜的蝕刻速度高。 如圖1 1 A所示，接著進行第二次摻雜處理。在這種 情況下，以劑量低於第一次摻雜處理的劑量及高加速電壓 ’摻雜造成η型導電性的雜質元素。舉例而言，加速電壓 設定成70至1 20k eV，劑量設定爲1χ1 013原子/ cm2。這樣，在圖1 〇 B所示的島狀半導體層內形成的第 一個雜質區內形成一個新的雜質區。摻雜的時候，第二形 狀的導電層5 0 2 6 - 5 0 3 0被用作雜質元素的掩罩， 並執行摻雜，以使得雜質元素也被添加到第一導電層 5 0 2 6 a — 5 0 3 0 a下面的區域。這樣就形成第三雜 質區5032 — 5041。第三雜質區5032 — 5036包括磷（P)，具有溫和的濃度梯度，跟第一導 電層5 0 2 6 a - 5 0 3 0 a的推拔部分的厚度梯度相符 合。在重疊第一導電層5 0 2 6 a - 5 0 3 0 a的推拔部 分的半導體層中，雜質濃度在中心略微低於第一導電層 5 0 2 6 a - 5 0 3 0 a的推拔部分的邊緣部分。但是這 種差別很小，整個半導體層幾乎是具有相同的雜質濃度。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ml Is --: -I - I mi ill —-:=爭 i—ϋ I . (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產苟S工消費合作社印製 -63 - 548860 Α7 Β7 五、發明説明（61) 然後進行第三蝕刻處理，如圖1 1 B所示。將C H F 6 用作蝕刻氣體，採用反應離子蝕刻（R I Ε )技術。經由 第三蝕刻處理，第一導電層5 026 a - 5 0 3 1 a的推 拔部分被部分地蝕刻，以縮小第一導電層重疊半導體層的 區域。這樣形成的是第三形狀的導電層5 0 3 7 -5042 (第一導電層5037a — 5042a和第二導 電層5037b - 5042b)。此時，未被第三形狀的 導電層5 0 3 7 - 5 0 4 2覆蓋的閘絕緣膜5 0 0 7的區 域被進一步蝕刻，被薄化約2 0 - 5 0奈米。 經由第三蝕刻處理，形成第三雜質區5 0 3 2 -5036。第三雜質區5032a - 5036a分別重疊 第一導電層5037a - 5041 a，第二雜質區 5 0 3 2 b - 5 0 3 6 b每個都在第一雜質區和第三雜質 區之間形成。 如圖1 1 C所示，在島狀半導體層5 0 0 4和 5 〇 0 6中形成跟第一導電率型相反的導電率型之第四雜 質區5043 — 5054，用於形成P通道TFT。第三 形狀的導電層5 0 3 8 b和5 0 4 1 b被用作雜質元素的 掩罩’並以自行對齊方式形成雜質區。在這一點上，用於 形成η通道T F T和導線部分5 0 4 2的島狀半導體層 5 0 0 3和5 0 0 5全部被光阻掩罩5 2 0 0覆蓋。雜質 區5 0 4 3 - 5 0 5 4已經摻雜了不同濃度的磷。雜質區 5 04 3 - 5 0 5 4經由離子摻雜而摻雜了乙硼烷（ Β 2 Η 6 )，以致於每個區域內乙硼烷比磷多，以及每個區 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ΙΙΦ丨丨 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產苟g(工消費合作社印製 -64 - 548860 A7 B7 五、發明説明（62) 域都包括濃度爲2χ1 〇2〇 — 2χ1 021原子/cm3的雜 質元素。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經由以上步驟，在個別的島狀半導體層中形成雜質區 。覆蓋島狀半導體層的第三形狀導體層5 0 3 7 - 5 0 4 1作爲閘電極。代號5 0 4 2作爲島狀源極信號線 〇 在移除光阻掩罩5 2 0 0以後，活化添加到島狀半導 體層中的雜質元素，以控制導電率型。此製程是使用用於 爐退火之爐子之熱退火方法完成的。此外，也可以採用雷 射退火法或者快速熱退火法（R T A法）。在熱退火法中 ，此製程是在攝氏4 0 0 - 7 0 0度的溫度，通常是 5 0 0 — 6 0 0攝氏度的溫度，在氮氣氛圍中，其中氧氣 濃度等於或者小於1 P P m，最好是等於或者小於〇 · 1 p p m的情況下執行的。在這個實施例中，在攝氏5 〇 〇 度的溫度下進行4個小時的熱處理。當第三形狀的導電層 5 0 3 7 - 5 0 4 2裏使用的導電材料抗熱力弱的時候， 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 較佳的是在形成中間層絕緣膜（以砂爲主要成份）以保護 導線等等之後，進行活化。 此外，在包括3 — 1 0 〇%氫的氣氛內，在攝氏 3 0 0 - 4 5 0度的溫度下進行1 — 1 2個小時的熱處理 ’使島狀半導體層被氫化。這個步驟是以熱激發的氫終止 半導體層的懸浮鍵。電漿氫化（利用電漿激發的氫）可以 作爲另一種氫化手段。 接著，如圖12A所示，用1〇〇 一 2〇〇奈米厚的 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（1210X297公釐） ^ -- -65 — 548860 A7 B7 五、發明説明（ 63 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 氮氧化矽膜形成第一中間層絕緣膜5 0 5 5。在第一中間 層絕緣膜上面用有機絕緣材料形成第二中間層絕緣膜。然 後，藉由第一中間層絕緣膜5 0 5 5、第二中間層絕緣膜 5 0 5 6和閘絕緣膜5 0 0 7形成接觸孔。形成並圖型化 每根導線（包括連接線和信號線）5 0 5 7 - 5 0 6 2以 及5064。然後圖型化及形成跟連接導線5062相接 觸的像素電極5063。 以有機樹脂爲材料的薄膜被用作第二中間層絕緣膜 5056。聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯酸、BCB (苯並環 丁烯）等等可以作爲這一有機樹脂。具體而言，由於第二 中間層絕緣膜5 0 5 6主要是用於平面化，所以，能夠使 薄膜平整的丙烯酸是優良的。在這個實施例中，形成厚度 足以平整T F T造成的水平差的一層丙烯酸薄膜。它的薄 膜厚度較佳的是1 一 5微米（設置成2 - 4微米更好）。 經濟部智慧財產笱g(工消費合作社印製 在形成接觸孔時，形成到達η型雜質區5 0 1 7、 5018、5021和5023或者Ρ型雜質區5043 —5 0 5 4的接觸孔，到達導線5 0 4 2的接觸孔’到達 電源線的接觸孔（未顯示），以及到達閘電極的接觸孔（ 未顯示）。 此外，按照需要的形狀形成三層結構之疊層膜’並將 其作爲導線（包括連接線和信號線）5 0 5 7 - 5 0 6 2 、5 0 6 4。在這個三層結構中，用濺射方法形成厚度爲 1 0 0奈米的丁 i薄膜，厚度爲3 0 0奈米的含T i之鋁 薄膜，以及厚度爲1 5 0奈米的T i薄膜。但是也可以使 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —66 — 548860 A7 B7 五、發明説明（64) 用另一導電膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在這個實施例中，形成厚度是1 1 〇奈米的I τ〇膜 ’作爲像素電極，並將其圖型化。藉由將像素電極 5 0 6 3配置成與連接電極5 0 6 2接觸，並與此連接導 線5 〇 6 2重疊，而形成接觸。此外，也可以使用混合2 一 2 0 %氧化鋅（Ζ η〇）和氧化銦而得到的透明導電膜 。這個像素電極5 0 6 3成爲〇L ED的陽極（見圖 1 2 A )。 如圖1 2 B所示，接著形成含矽、厚度爲5 0 0奈米 的絕緣膜（在這個實施例中是氧化矽膜）。形成第三中間 層絕緣膜5 0 6 5，其中的開口形成於對應於像素電極 5 0 6 3的位置。當形成開口時，利用濕蝕刻法能夠很容 易地使開孔的側壁推拔化。當開孔的側壁不夠平緩的時候 ，由水平差所引起的有機發光層劣化會成爲嚴重問題。 經濟部智慧財產笱g(工消費合作社印製 接著，利用真空蒸鍍法而不在大氣中，連續形成有機 發光層5066和陰極（MgAg電極）5067。有機 發光層5 0 6 6的厚度爲8 0-2 0 0奈米（一般是1 0 0 —120奈米），陰極5067的厚度是180 — 300 奈米（一般是200 - 250奈米）。 在此製程中，順序地形成與對應於紅色、綠色和藍色 像素的有機發光層。在這種情況下，由於有機發光層對溶 液的抗蝕能力不夠，因此必須分別對爲每一種顔色形成有 機發光層，而不是採用光刻技術。因此，較佳的是用金屬 掩罩覆蓋所需的像素除外的部份，以致於只在需要的部分 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -67 - 548860 A7 B7 五、發明説明（65) 選擇性地形成有機發光層。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 換言之，首先設置覆蓋對應於紅色的像素除外的所有 部分之掩罩，藉由使用此掩罩，選擇性地形成發射紅光的 有機發光層。接著，設置覆蓋對應於綠色的像素除外的所 有部分之掩罩，使用此掩罩，選擇性地形成發射綠光的有 機發光層。接著，類似地設置覆蓋除了對應於藍光的像素 以外的所有部分，使用此掩罩，選擇性地形成發射藍光的 有機發光層。此處，必須使用不同的掩罩，但是也可以重 復使用同一掩罩。 此處，使用用於形成對應於R G B的三種〇 L E D之 系統。但是也可以結合發射白光的0 L E D和濾色片的系 統，發射藍光或者藍綠光的〇 L E D與熒光物質相結合的 系統（熒光彩色轉換層：C C Μ )，可使用利用透明電極 (相對電極）等等以使分別對應於R、G、Β的0 L E D 跟陰極重疊的系統。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 習知材料可作爲有機發光層5 0 6 6。慮及驅動電壓 ，較佳地使用有機材料。舉例而言，最好是將包括電洞注 入層、電洞傳遞層、發光層和電子注入層的四層結構較佳 地作爲有機發光層。 接著，在包含切換T F Τ的像素（同一條線上的像素 )上形成陰極5 067，在切換TFT中，藉由使用金屬 掩罩以將閘電極連接至相同的閘極信號線。這個實施例使 用MgAg用於陰極5067，但是並不侷限於此。也可 以使用其他材料用於陰極5 0 6 7。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 68 548860 A7 B7 五、發明説明（66) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 最後形成厚度爲3 0 0奈米，由氮化矽膜形成的平坦 化膜5 0 6 8。實際上，平坦化膜5 0 6 8扮演保護有機 發光層5 0 6 6不受濕氣等影響之角色。但是，藉由形成 平坦化膜5 0 6 8，可進一步提高〇L ED的可靠性。 如此，就完成了圖1 2 B所示的狀態。雖然圖中沒有 顯示，但是按照實施例模式1的製造方法，藉由使用第二 接合層，將提供密封膜的第二基底跟平面化膜5 0 6 8接 合起來。另外，可以根據實施例模式1所示的方法執行以 下步驟。按照實施例模式2的製造方法，提供密封膜的第 二基底利用第二接合層跟平面化膜5 0 6 8接合。另外， 可以按照實施例模式2中所示的方法執行以下步驟。 在這個實施例中形成發光裝置的製程中，爲了便於電 路建和製程中的程序，源信號線是用T a和W形成的，它 們是閘電極的材料，閘信號線是由A 1形成的，它們是源 極電極和汲極電極的導線材料。但是，也可使用不同的材 經濟部智慧財產^員工消費合作社印製 藉由將最佳結構的T F T配置於像素部份以外的驅動 電路部份中，這個實施例中的發光裝置會具有很高的可靠 性及增進的操作特徵。另外，在結晶製程中，藉由添加諸 如N i等金屬觸媒，也可增進晶性。這樣，源信號線驅動 電路的驅動頻率可以達到1 ΟΜΗ z甚至更高。 首先，使用結構上能夠減少熱載流子注入而盡可能地 不降低操作速度的T F T以作爲形成驅動電路部份的 CMOS電路的η通道TFT。此處，驅動電路包括移位 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -69 - 548860 A7 A7 B7 五、發明説明（67) 暫存器、緩衝器、位準偏移器、行順序驅動中的仔鎖器、 點順序驅動中的傳輸閘。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本實施例的情形中，η通道型T F T的活動層包括 源極區、汲極區、經由閘絕緣膜與閘電極重疊的重疊 L D D ( L ο ν區域）、不經由閘絕緣膜與閘電極重疊的 偏移LDD區（Lo f f區域）、以及通道形成區。 CM〇S電路的P通道型T F 丁中的熱載子注入引起 的劣化幾乎是可以忽略的。因此在這種η通道型T F T中 不需要特別地形成L D D區域。但是，跟η通道型T F Τ 相似，L D D區可以用作熱載子的反制措施。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 此外，當這個驅動電路中使用電流雙向流經通道形成 區的C Μ〇S電路，亦即，源極區和汲極區的角色互換之 CMOS電路時，構成CMOS電路的η通道TFT較佳 地形成L D D區，以致於通道形成區夾在L D D區中間。 有關其實施例，係點順序驅動中使用的一個傳輸閘。當驅 動電路中使用盡可能地減小關閉狀態電流値所需的 CM〇S電路時，形成CM〇S電路的n通道型TFT較 佳地具有L ο ν區。點順序驅動中使用的傳輸閘也可以作 爲此種實施例。 實際上，根據實施例模式1或者2完成發光裝置時， 較佳的是使用具有高度氣密性及允許些微除氣之保護膜（ 疊層膜、紫外線可修復樹脂膜、等等）和半透明密封膜， 以便防止曝露於外界空氣。在這種情況下，以惰性氣體氣 氛填充密封膜內部以及在其中配置濕氣吸收材料彳舉例而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " 一 70 — 548860 A7 B7 五、發明説明（68) 言，氧化鋇）’改進〇L E D的可靠度。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，藉由封裝處理等等以增進氣密性之後，附著連 接器（可撓印刷電路板：F P C )以使這個裝置完成而成 爲産品。連接器用於跟外部信號端子，端子係從形成於基 底上的元件或電路引出。這種狀態的裝置已經能夠出貨且 在本說明書中稱爲自行發光裝置。 此外，根據這個實施例中的製程，可以減少製造發光 裝置所需要的光罩數目。結果減少了製程，並有助於降低 成本，及提高産量。 要注意可以將實施例1 - 2相結合以實現實施例3。 實施例4 在實施例4中，將說明根據本發明之使逆交錯型 T F T的發光裝置的結構。 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 圖1 3是剖面視圖，顯示根據本發明之發光裝置。在 可撓第三基底6 0 1上形成密封膜6 0 1。密封膜6 0 1 包括隔離膜6 0 1 a、應力鬆驰膜6 〇 1 b和隔離膜 6 0 1 c ° 在可撓第二基底6 0 6上形成密封膜6 0 8。密封膜 608包括隔離膜608 a、應力鬆驰膜608b和隔離 膜 6 0 8 c。
在密封膜6 0 1和6 0 8之間形成T F T、〇L E D 和其他元件。在這個實施例中，將包含於驅動電路6 1 〇 中的TFT 604a和包含於像素部分6 1 1中的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -71 548860 A7 B7 五、發明説明（69) TFT 6 0 4 b和6 0 4 c顯示爲代表性實施例。 0 L E D 605包括像素電極640、有機發光層 641和陰極642。 TFT 604a包括閘電極61 3和614、形成 爲與閘電極6 1 3和6 1 4接觸的絕緣膜6 1 2、及形成 爲與絕緣膜6 1 2接觸的半導體膜6 1 5。T F T 6 0 4 b包括閘電極6 2 0和6 2 1、形成爲跟閘電極 6 2 0和6 2 1接觸的絕緣膜6 1 2、 以及形成爲與絕 緣膜612接觸的半導體膜622。TFT 604c包 括閘電極6 3 0、形成爲與閘電極6 3 0接觸的絕緣膜 6 12 、以及形成爲與絕緣膜6 1 2接觸的半導體膜 6 3卜 雖然在這個實例中逆交錯型T F T被用於根據實施例 模式1製造的發光裝置中，但是本發明的結構並不侷限於 此。逆交錯型的T F T可以用於依照實施例模式2製造的 發光裝置中。 實施例4可以與實施例1自由結合。 實施例5 在實施例5中，將說明藉由噴射流體以移除接合層的 實施例。 關於噴射流體的方法，可以使用從噴嘴噴射高壓水柱 噴於物體上之方法（稱爲水柱噴射法），或者將高壓氣流 噴至物體上之方法。在水柱噴射法的情形中，可以用有機 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^ ^01 -丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -72 - 54^86〇 A7 B7 五、發明説明（70) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 溶劑、酸溶液或者鹼溶液替代水。關於氣流，可以採用空 氣、氮氣、二氧化碳氣體或者稀有氣體。此外，也可以採 用從這些氣體取得的電漿。根據接合層的材料及不希望移 除的膜和基底的材料，選擇適當的流體是非常重要的，這 樣才能夠在移除接合層的時候不會移除這些膜和基底。 關於接合層，可以使用添加氫氣、氧氣、氮氣或者稀 有氣體的多孔矽層或者矽層。在採用多孔矽層的情況下， 可以對非晶矽薄膜或者多晶矽膜進行陽極化處理，以提供 多孔性以便使用。 圖1 4說明用水柱噴射法移除接合層。〇 L E D 604設在基底603和606之間。〇LED 604 由絕緣膜6 0 3覆蓋。在絕緣膜6 0 3和基底6 0 6之間 設有包括多層絕緣膜的密封膜6 0 9。 在基底6 0 3和〇L E D 6 0 4之間設置絕緣膜 605與接合層606。接合層606跟基底603接觸 。雖然圖1 4中只是代表性地顯示〇L E D，但是在絕緣 膜6 0 5和6 0 3之間一般是設置T F T和其他元件。 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 接合層606的厚度爲〇 . 1 - 900微米（較佳地 爲0 _ 5 — 10微米）。在實施例5中，使用厚度爲1微 米的SOG薄膜作爲接合層6 0 6。 從噴嘴608將流體607噴向接合層606。爲了 將流體6 0 7有效率地噴射到接合層6 0 6的整個部分， 建議噴射流體的時候，讓接合層6 0 6沿著垂直於基底 6 0 1的一個中心線旋轉，如圖1 4所示般。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 548860 A7 B7 五、發明説明（71) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將受到1χ1 07 - lxl 〇9P a (較佳地爲3χ1 07 —5x1 〇8Pa)之壓力的流體607，從噴嘴608噴 向接合層6 0 6曝露的部分。由於這個樣本在旋轉，所以 ’流體6 0 7延著接合層6 0 6曝露的表面噴灑。 當從噴嘴6 0 8噴射出來的流體噴向接合層6 0 6時 ’接合層由於較脆弱而破裂，然後被淸除掉，或者被化學 方法淸除掉。結果，接合層6 0 6裂裂或被移除，而使基 底6 〇 3和絕緣膜6 0 5互相分開。在藉由斷裂接合層 6 0 6以取得分離的情形中，剩下的接合層就可以用蝕刻 去除。 關於流體6 0 7，可以採用諸如水、有機溶劑、酸溶 液或者鹼溶液。也可以採用空氣、氮氣、二氧化碳氣體或 者稀有氣體。還可以採用從這些氣體獲得的電漿。 實施例5可以跟實施例1 - 4結合起來使用。 實施例6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在這個實施例中，藉由使用有機發光材料顯著地增進 外部發光量子效率，可以使用來自有機發光材料的三重激 發的磷光以發光。結果，能夠降低0 L E D的功率消耗， 延長〇L ED的壽命，減輕OL ED的重量。 在下面的報告中用三重激發改進外部發光量子效率（ T· Tsutsui，C. Adachi，S. Saito，有機分子系統中的光化學製 程，K. Honda編輯（Elsvier Sci· Pub·，東京，1 9 9 1 )第 4 3 7 頁）。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —74 — 548860 A7 B7 五、發明説明（ 12 以上文獻報告的有機發光材料（香豆素顔料）的分子 是可以表示爲：
化學式 (M. A. Baldo,D.F.〇 Brien,Y. You, A. Shoustikov,S . Sibley’M.E· Thompson’S.R· Forrest，自然雜質 3 9 5 (1 9 9 8 )第 1 5 1 頁） 以上文章報道的EL材料（P t合成物）的分子式表 示爲：
Et Et
Et Et 化學式2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (M. A. Baldo, S. Lamansky ,Ρ.Ε. Burrows,M.E. Thompson，S.R. Forrest,應用物理通信，75( 1 999)第 4 頁）（T· Tsutsui,M.-J. Yang,M. Yahiro,K. Nakamura,T. Watanabe,T. Tsuji，Y. Fukuda，T· Wakimoto，S· Mayaguchi，日本應用物理 ，38(12B)(1999)L1 502 )。 以上文章報告的E L材料（I r合成物）的分子式如 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -75 - 548860 A7 B7 五、發明説明（73) 下：
如上所述，如果來自三重激發的磷光可以實用，則基 本上它可以將外部發光量子效率提高到單重激子熒光的三 到四倍。 這個實施例的結構能夠自由地跟實施例1 -5的結構結 合起來使用。 實施例7 有機發光材料製成的膜一般是用噴墨法、旋轉塗敷法 或者蒸鍍法形成的。在實施例7中，介紹上述方法以外之 形成有機發光層的方法。 在這個實施例中，使用其中散佈了構成有機發光材料 的分子團的膠體溶液（也叫做溶膠），藉由噴灑，在惰性 氣體氣氛下，在基底上形成包含有機發光材料的分子團的 膜。這種有機發光材料以顆粒存在，每一個顆粒爲液體中 的數個分子的組合。 圖1 5說明如何在惰性氣體（在這個實施例裏是氮氣 )中從噴嘴（未顯示）噴灑組成物，以形成有機發光層 6 5 0。這種組成物是藉由在甲苯中散佈三（2 —苯基口比 啶）銥（I r ( ρ ρ y ) 3 )獲得的，三（2 -苯基吡啶） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 -76 - 548860 A7 ____B7 五、發明説明（74) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 銥（I r (ppy) 3)是一種銥複合物，用作有機發光材 料，以及浴銅靈（BCP)，它是一種有機發光材料，用 作一種基質（以後將它叫做基質材料）。 在圖1 5中，用光罩6 5 1選擇性地形成厚度爲2 5 一 40奈米的有機發光層6 5 0。銥化合物和BCP都不 溶於甲苯。 實際上，有時將有機發光層作爲單層形式來使用，有 時將它作爲多層來使用。在有機發光層具有多層結構的情 形中，在形成有機發光層6 5 0之後，以類似方式形成另 一（其他）有機發光層。在此情形中，所有沈積的有機發 光層統稱爲有機發光層。 經濟部智慧財產局a(工消費合作社印製 這個實施例的膜形成法即使在液體中的有機發光材料 處於任何狀態下仍能允許膜形成。具體而言，利用很難溶 解的有機發光材料，這種方法允許形成具有良好品質的有 機發光層。還有，由於藉由利用載運氣體以噴灑含有有機 發光材料的液體以形成膜，因此能夠在短時間內形成膜。 産生要噴灑之包括有機發光材料的液體的方法能夠大大地 簡化。再者，在這個實施例中使用掩罩以形成具有所需圖 案的膜，從而經由掩罩的開口以執行膜的形成。此外，爲 了有效率地利用昂貴的有機發光材料以外，能夠將附著在 光罩上的有機發光材料收集起來重新使用。 噴墨法和旋轉塗敷法有局限性，那就是不能使用易溶 於溶劑的有機發光材料。蒸鍍的局限性在於無法使用蒸鍍 之前分解的有機發光材料。但是，這個實施例中的膜形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -77 - 548860 A7 B7 _ 五、發明説明（75) 方法不受上述限制影響。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 適合於這個實施例中的膜形成方法的有機發光材料之 實施例有二羥基喹啉並吖啶、三（2 -苯基吡啶）銥、浴 銅靈、聚（1 ，4 一二乙烯基苯）、聚（1 ’ 4 —二乙烯 基萘）、聚（2 -苯基一 1 ，4-二乙烯基苯）、聚噻吩、 聚（3 -苯基噻吩）、聚（1，4-亞苯基）、聚（2，7 一芴）等等。 實施例7的結構可以跟實施例1 - 6中的任意一個自由 結合。 實施例8 這個實施例更加詳細地描述本發明中獲得的發光裝置 的像素部分。像素部分的頂部結構如圖1 6 A所示，它的 電路圖顯示於圖16B中。圖16A和16B採用共用的 代號。 經濟部智慧財產笱8工消費合作社印製 開關TFT 802具有連接至源極導線815之源 極，並具有連接至汲極導線8 0 5之汲極。汲極導線 8 0 5跟電流控制T F T 8 0 6的閘電極電連接。電流 控制T F T 8 0 6具有跟電源線8 1 6電連接的源極， 並具有跟汲極導線8 1 7電連接的汲極。汲極導線8 1 7 跟虛線所示的像素電極（陰極）8 1 8有電連接。 此處，在8 1 9代表的區域中形成電容儲存。電容儲 存8 1 9由電連接至電源線8 1 6的半導體薄膜8 2 0、 跟閘絕緣膜在同一層上的絕緣膜（未顯示）、及閘電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' -78 - 548860 Α7 Β7 五、發明説明（ 76 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 〇 7所構成。也可使用由閘電極8 0 7、與第一中間層 相同層的絕緣膜（未顯示）、和電源線8 1 6構成的電容 作爲儲存電容器。 這個實施例8可以跟實施例1 - 7結合使用。 實施例9 這個實施例參考圖1 7，顯示發光裝置的一個電路結 構實施例。這個實施例中顯示的電路結構是用於數位驅動 。這個實施例中所示的電路結構具有源極側驅動電路 9 0 1、像素部分9 0 6和閘極側的驅動電路9 0 7。 源極側驅動電路9 0 1設有移位暫存器9 0 2、佇鎖 器（A) 903、佇鎖器（B) 904和緩衝器905。 在類比驅動的情形中，設置取樣電路（傳輸閘）以取代替 佇鎖器（A )和（B )。閘極側的驅動電路9 0 7設有移 位暫存器9 0 8和緩衝器9 0 9。但是，並非總是需要設 置緩衝器9 0 9。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在這個實施例中，像素部分9 0 6包括多個像素，每 個像素都設有〇LED。較佳的是OLED的陰極跟電流 控制T F T的汲極電連接。 源極側驅動電路9 0 1和閘極側驅動電路9 0 7由按 照實施例2-4獲得的η通道T F T或者p通道T F T構成 〇 雖然未顯示，但是，可在橫越像素部分9 0 6之閘極 側驅動電路9 0 7相對立處增加另一閘極側驅動電路。在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -79 - 548860 A7 B7 五、發明説明（77) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此情形中，閘極側驅動電路中的二電路具有相同的結構， 共用閘導線，以致於另一者可以取代損壞者，發送閘信號 ’讓像素部分正常工作。 這個實施例能夠跟實施例1 - 8相結合。 實施例1 0 在實施例1 0中，將說明可撓塑膠基底上形成密封膜 的捲裝進出方法。 圖1 9以簡單方式顯示根據實施例1 〇之膜形成設備 的結構。圖1 9中所示的根據本發明的膜形成設備包括藉 由濺射以形成隔離膜的兩個室8 0 4和8 9 0、用於控制 兩個室804和809內空氣壓力的室805 — 808， 塗敷樹脂的機構8 2 0、以及固化施加的樹脂之機構 8 13° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用於藉由濺射以形成隔離膜之室4包括用於展開基底 802之滾筒801、具有靶材的電壓施加電極810， 以及同時用作電極的加熱器8 1 1。用於藉由濺射以形成 隔離膜的室8 0 9包括用於捲繞基底8 0 2的滾筒8 0 3 、具有靶材的電壓施加電極814和同時作爲電極的加熱 器 8 1 5。 基底8 0 2從展開滾筒8 0 1被載送至捲繞滾筒 8 0 3 ° 在這個實施例中，在室8 0 4中形成氮化矽膜。具體 而言，用渦輪分子泵之類將室8 0 4內的空氣壓力維持在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -80 - 548860 A7 B7 五、發明説明（78) 〇 · 4P a。在這種情形下，供應流速爲1 0 s c cm的 氣、35 s c cm的氣和5 s c cm的氫（。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在室8 0 4內，形成有氮化矽薄膜的基底8 0 2連續 地通過室805和806，然後置於大氣壓力內。以用於 塗敷樹脂之機構820，將樹脂812塗在基底802上 。用渦輪分子泵之類將室8 0 5和8 0 6抽成真空，使室 8 〇 4中的空氣壓力維持在需要的水準，而不受大氣壓力 的影響。雖然採用了兩個室8 0 5和8 0 6來防止大氣壓 力的影響，但是，視情況而定，一個室也許就足夠了。如 果需要，還可以提供三個或者更多的室。 關於樹脂8 1 2，在這個實施例中，採用熱可聚合聚 乙烯。塗上樹脂8 1 2以後，用鹵素燈8 1 3加熱基底 8 0 2，以固化塗敷的樹脂8 1 2。 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 具體而言，在這個實施例中，加熱基底的鹵素燈作爲 固化所用樹脂的機構8 1 3。在以加熱方式固化樹脂的情 形中，加熱機構不限於鹵素燈；也可以採用紅外燈、金屬 鹵化物燈、氙弧燈、碳弧燈、高壓鈉燈或者高壓水銀燈。 此外’加熱裝置也不限於燈；可以用加熱器之類進行加熱 。在樹脂不是可以用熱固化的而是可以用紫外線固化的情 形中，樹脂就可以藉由紫外線照射而固化。 將上面形成有樹脂薄膜的基底8 0 2送進室8 0 7和 808，最終到達至809。室807和808用渦輪分 子泵之類抽成真空，使室8 0 9內的空氣壓力保持在所需 的壓力而不受大氣壓力的影響。雖然採用了兩個室8 0 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) —81 — 548860 A 7 B7 五、發明説明（79) 和8 0 8來防止大氣壓力影響，但是視情形而定’ 一個室 也許就足夠了。需要的時候可以採用三個或者多個室。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在室8 0 9中形成氮氧化矽薄膜。具體而言’用渦輪 分子泵之類保持室809內的空氣壓力爲〇 . 4Pa ’同 時採用流速爲lOsccm的氬、31 seem的氮、5 s c cm的氫和4 s c cm的N2〇。 形成有氮氧化矽膜的基底8 0 2由捲繞滾筒8 0 3捲 繞。 上述結構能夠用於量産可撓塑膠基底，它在兩層隔離 膜之間具有包含應力鬆弛膜的密封膜。 雖然在這個實施例中描述了用於形成包括氮化矽膜、 聚乙烯膜、和氮氧化矽膜的疊層之密封膜的膜形成設備， 但是隔離膜的材料不限於此。另外，應力鬆弛膜的材料不 限於聚乙烯；可以採用比隔離膜的應力小的任何樹脂材料 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 雖然在這個實施例中形成了兩層隔離膜，但是也可以 形成三層或者多層隔離膜。在這種情況下，按照適合於每 個薄膜形成的方式提供濺射室、防止大氣壓力影響的室、 塗敷樹脂的機構以及固化塗敷樹脂的機構，即已足夠。 此外，在將基底8 0 2捲繞到滾筒8 0 3上之後，重 復延著展開滾筒8 0 1展開捲繞的基底之步驟，可以形成 包括隔離膜和應力鬆弛膜的多層密封膜。 實施例1 0可以跟實施例1 - 9中的任意一個相結合。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —82 - 548860 A7 ________B7 五、發明説明（8()) 實施例1 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 跟液晶顯示器相比，利用發光元件，能夠自己照明的 發光裝置在明亮的地方有更好的能見度和更大的視角。因 此’這種發光裝置可以用於各種電器的顯示裝置。 採用依據本發明製造的發光裝置的電器的實例有攝影 機、數位相機、罩鏡式顯示器（頭帶式顯示器）、導航系 統、音頻再生裝置（比方說汽車音頻和音頻元件）、筆記 型電腦、遊戲機、攜帶型資訊終端（比方說移動電腦、蜂 巢式電話、攜帶型遊戲機和電子圖書）以及配備了記錄媒 介的影像再生裝置（具體而言是配置了顯示器的裝置，它 能夠再生記錄在數位光碟（D V D )這樣的記錄媒介上的 資料以顯示資料的影像）。視角廣是非常重要的，特別是 對於攜帶型資訊終端，因爲看它們的時候它們常常是斜著 的。因此，攜帶型資訊終端最好是採用利用發光元件的發 光裝置。這些電器的具體實例顯示於圖18A—18H中 〇 圖1 8 A顯示數位相機，它包括主體2 1 0 1、顯示 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 單元2 1 0 2、影像接受單元2 1 0 3、操作鍵2 1 0 4 、外部連接埠2 1 0 5和快門按鈕2 1 0 6等等。按照本 發明製造的發光裝置可以用於顯示單元2 1 0 2。 圖1 8 B顯示移動電腦，其係由主體2 3 0 1、顯示 單元2 3 0 2、開關2 3 0 3、操作鍵2 3 0 4、紅外線 埠2 3 0 5等等構成。按照本發明製造的發光裝置可以用 於顯示單元2 3 0 2。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —83 - 548860 A7 B7 五、發明説明（81) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1 8 c顯示罩鏡式顯示器（頭帶式顯示器）’其係 由主體2501、顯示單元2502和臂單元2503所 構成。按照本發明製造的發光裝置能夠用於顯示單元 2 5 0 2 ° 圖18D顯示蜂巢式電話，其由主體2701、殼 2702、顯示單元2703、音頻輸入單元2704、 音頻輸出單元2705、操作鍵2706、外部連接埠 2707、天線2708等等構成。按照本發明製造的發 光裝置能夠用於顯示單元2 7 0 3。如果顯示單元 2 7 0 3在黑色背景上顯示白色字母時，蜂巢式電話消耗 的電力更小。 如果將來增強了有機材料發射的光的強度，這種發光 裝置就能夠用於投影機或者背投機，通過透鏡之類放大包 括影像資訊的光，將光投射出去。 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 這些電器越來越頻繁地用來顯示通過諸如網際網路和 C A T V (有線電視）等電子通信線路傳送的資訊，特別 是動畫資訊。由於有機材料具有很高的回應速度，因此這 種發光裝置適合於動畫顯示。 在發光裝置中，發光部分會消耗功率，因此較佳地以 需要較少的發光部份之方式，顯示資訊。當在使用攜帶型 資訊終端的顯示單元中使用發光裝置時，特別是主要顯示 文字資訊的蜂巢式電話和音頻再生裝置時，較佳的是驅動 裝置以致於不發射光的部分形成背景，發射光的部分形成 文字資訊。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） —84 — 548860 A7 B7 五、發明説明（82) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上所述’使用本發明的沈積裝置製造的發光裝置的 應用範圍如此之廣’它可以用於所有領域的電器。這個實 施例的電器可以採用實施例1 - 1 〇中的任意發光裝置。 根據本發明，由於存在多層隔離膜形成的疊層結構， 因此即使是一層隔離膜發生了開裂，其他的隔離膜仍然能 夠有效地防止濕.氣或者氧氣進入有機發光層。此外，即使 隔離膜的質量由於膜的形成溫度太低而下降，多層隔離膜 的疊層結構仍然能夠有效地防止濕氣和氧氣進入有機發光 層。 此外，在隔離膜之間插入了應力比隔離膜薄小的應力 鬆弛膜，以致於能夠減小整個絕緣膜的應力。如此，跟單 層隔離膜相比，將應力鬆弛膜夾在其中的隔離膜很少會因 爲應力而發生開裂，即使是多層隔離膜的總厚度跟單層隔 離膜一樣。 經濟部智慧財產笱S工消費合作社印製 因此，跟單層隔離膜比較，多層隔離膜能夠有效地防 止濕氣和氧氣進入有機發光層，即使是多層隔離膜的總厚 度跟單層隔離膜一樣。還有，這樣的多層隔離膜很少因爲 應力而發生開裂。 一 85 — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公襲）

Claims (1)

  1. 548860 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 1 · 一種發光裝置，包括： 第〜基底； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第二基底； 在第一基底和第二基底之間形成的發光元件； 在第一基底和該發光元件之間形成的多層第一絕緣膜 在該多層第一絕緣膜之間的每個空間內形成的至少一 第二絕緣膜； 在第二基底和發光元件之間形成的多層第三絕緣膜； 和 在該多層第三絕緣膜之間的每一個空間中形成的至少 一第四絕緣膜， 其中，第一基底和第二基底是由塑膠形成的，和 其中，至少一層第二絕緣膜的應力小於該多層第一絕 緣膜中每一層的應力，至少一層第四絕緣膜的應力小於該 多層第三絕緣膜中每一層的應力。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 ·如申請專利範圍第1項的發光裝置，其中第一基 底和第二基底中的至少一層具有可撓性。 3 ·如申請專利範圍第1項的發光裝置，其中塑膠包 括選自聚醚礪、聚碳酸脂、聚對苯二甲酸乙二酯和聚萘酸 乙二酯組成的群類中的任一者。 4 ·如申請專利範圍第1項的發光裝置，其中該多層 第一絕緣膜和該多層第三絕緣膜中的至少一層包括選自氮 化砂、氮氧化砂、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁和氮氧化鋁 -86- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 548860 A8 B8 C8 D8 六、申請專利乾圍 2 矽組成的群類中的任一者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 .如申請專利範圍第1項的發光裝置，其中第二絕 緣膜和第四絕緣膜包括選自聚醯亞胺、丙烯、聚醯胺、聚 醯亞胺醯胺、苯並環丁烯和環氧樹脂組成的群類中的任— 者。 6 · —種電子設備，其特徵在於包括如申請專利範圍 第1項的發光裝置，其中電子設備是選自攝影機、數位相 機、罩鏡式顯示器、汽車導航系統、個人電腦和攜帶型資 訊終端組成的群類。 7.—種發光裝置，包括： 第一基底； 第二基底； 在第一基底和第二基底之間形成的發光元件和薄膜電 晶體； 在第一基底及發光元件和薄膜電晶體之間形成的多層 第一絕緣膜； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在多層第一絕緣膜之間的每個空間中形成的至少一層 第二絕緣膜； 在第二基底、發光元件和薄膜電晶體之間形成的多層 第三絕緣膜；和 在多層第三絕緣膜之間的每一空間中形成至少一層第 四絕緣膜， 其中第一基底和第二基底是由塑膠形成的，和 其中至少一層第二絕緣膜的應力小於多層第一絕緣膜 -87- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 548860 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 中每一層的應力；至少一層第四絕緣膜的應力小於多層第 三絕緣膜中每一層的應力。 (請先聞讀背面之注意事項存填寫本頁) 8 ·如申請專利範圍第7項的發光裝置，其中第一基 底和第二基底中至少一者具有可撓性。 9 ·如申請專利範圍第7項的發光裝置，其中塑膠包 括選自聚醚颯、聚碳酸脂、聚對苯二甲酸乙二酯和聚萘酸 乙二酯組成的群類中的任一者。 1 〇 ·如申請專利範圍第7項的發光裝置，其中多層 第一絕緣膜和多層第三絕緣膜中的至少一層包括選自氮化 矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁和氮氧化鋁矽 組成的群類中的任一者。 1 1 .如申請專利範圍第7項的發光裝置，其中第二 絕緣膜和第四絕緣膜中的至少一層包括從聚醯亞胺、丙烯 、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯丙環丁烯和環氧樹脂組成的. 群類的任一者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 2 · —種電子設備’其特徵在於包括如申請專利範 圍第7項的發光裝置，其中電子設備是選自攝影機、數位 相機、罩鏡式顯示器、汽車導航系統、個人電腦和攜帶型 貪訊終端組成的群類。 13·—種發光裝置，包括： 基底； 發光元件； 在該基底和該發光元件之間形成的多層第一絕緣膜； 在多層第一絕緣膜之間的每一空間中形成的至少一層 88 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 548860 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 第二絕緣膜； 多層第三絕緣膜；和 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在多層第三絕緣膜之間的每一空間中形成的至少一層 第四絕緣膜， 其中發光元件是形成於多層第三絕緣膜和基底之間， 其中基底是由塑膠形成的，和 其中至少一層第二絕緣膜的應力小於多層第一絕緣膜 中每一層的應力；至少一層第四絕緣膜的應力小於多層第 三絕緣膜中每一層的應力。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項的發光裝置，其中基 底具有可撓性。 1 5 ·如申請專利範圍第1 3項的發光裝置，其中塑 膠包括選自聚醚颯、聚碳酸脂、聚對苯二甲酸乙二酯和聚 萘酸乙二酯組成的群類中的任一者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 6 .如申請專利範圍第1 3項的發光裝置，其中多 層第一絕緣膜和多層第三絕緣膜中的至少一層包括選自氮 化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁和氮氧化鋁 石夕組成的群類中的任一者。 1 7 ·如申請專利範圍第1 3項的發光裝置，其中第 二絕緣膜和第四絕緣膜中的至少一層包括從聚醯亞胺、丙 烯、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯丙環丁烯和環氧樹脂組成 的群類的任一者。 1 8 · —種電子設備，其特徵在於包括如申請專利範 圍第1 3項的發光裝置，其中電子設備是選自攝影機、數 -89- 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS )八4祕（21GX297公釐） 548860 Α8 Β8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 5 位相機、罩鏡式顯示器、汽車導航系統、個人電腦和攜帶 Μ _訊終端組成的群類。 1 9 . 一種發光裝置，包括： 基底； 發光元件和薄膜電晶體； 在基底、發光元件和薄膜電晶體之間形成的多層第一 絕緣膜； 在多層第一絕緣膜之間的每一空間中形成的至少一層 第二絕緣膜； 多層第三絕緣膜；和 在多層第三絕緣膜之間的每一空間中形成的至少一層 第四絕緣膜， 其中發光元件和薄膜電晶體是形成於多層第三絕緣膜 和基底之間， 其中基底是由塑膠形成的，和 其中至少一層第二絕緣膜的應力小於多層第一絕緣膜 中每一層的應力；至少一層第四絕緣膜的應力小於多層第 三絕緣膜中每一層的應力。 2 〇 ·如申請專利範圍第1 9項的發光裝置，其中基 底具有可撓性。 2 1 .如申請專利範圍第1 9項的發光裝置，其中塑 膠包括選自聚醚颯、聚碳酸脂、聚對苯二甲酸乙二酯和聚 萘酸乙二酯組成的群類中的任一者。 2 2 .如申請專利範圍第1 9項的發光裝置，其中多 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210x297公釐） -90 - 548860 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 6 層第一絕緣膜和多層第三絕緣膜中的至少一層包括選自氮 化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁和氮氧化銘 矽組成的群類中的任一者。 2 3 ·如申請專利範圍第1 9項的發光裝置，其中第 二絕緣膜和第四絕緣膜中的至少一層包括從聚醯亞胺、丙 烯、聚醯胺 '聚醯亞胺醯胺、苯丙環丁烯和環氧樹脂組成 的群類的任一者。 2 4 · —種電子設備，其特徵在於包括如申請專利範 圍第1 9項的發光裝置，其中電子設備是選自攝影機、數 位相機、罩鏡式顯示器、汽車導航系統、個人電腦和攜帶 型資訊終端組成的群類。 2 5 · —種發光裝置，包括·· 第一基底» 第二基底； 在第一基底和第二基底之間形成的發光元件； 在第一基底和發光元件之間形成的多層第一絕緣膜； 在多層第一絕緣膜之間的每一空間內形成的至少一層 第二絕緣膜； 在第一基底和多層第一絕緣膜之間形成的第一接合層 ;和 在第二基底和發光元件之間形成的多層第三絕緣膜； 在多層第三絕緣膜之間的每一空間中形成的至少一層 第四絕緣膜；和 在第二基底和多層第三絕緣膜之間形成的第二接合層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 91 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 548860 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 7 其中的第一基底和第二基底是由塑膠形成的，和 其中至少一層第二絕緣膜的應力小於多層第一絕緣膜 中每一層的應力，至少一層第四絕緣膜的應力小於多層第 二絕緣膜中每一*層的應力。 2 6 ·如申請專利範圍第2 5項的發光裝置，其中第 一基底和第二基底中至少一者具有可撓性。 2 7 ·如申請專利範圍第2 5項的發光裝置，其中塑 膠包括選自聚醚礪、聚碳酸脂、聚對苯二甲酸乙二酯和聚 萘酸乙二酯組成的群類中的任一者。 2 8 ·如申請專利範圍第2 5項的發光裝置，其中多 層第一絕緣膜和多層第三絕緣膜中的至少一層包括選自氮 化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁和氮氧化鋁 矽組成的群類中的任一者。 2 9 ·如申請專利範圍第2 5項的發光裝置，其中第 二絕緣膜和第四絕緣膜中的至少一層包括從聚醯亞胺、丙 烯、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯丙環丁;(:希和環氧樹脂組成 的群類的任一者。 3 0 . —種電子設備，其特徵在於包括如申請專利範 圍第2 5項的發光裝置，其中電子設備是選自攝影機、數 位相機、罩鏡式顯示器、汽車導航系統、個人電腦和攜帶 型資訊終端組成的群類。 3 1 . —種製造發光裝置的方法，包括： 在第一基底上形成第一接合層； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -92- 548860 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 8 在第一接合層上形成第一絕緣膜； 在第一絕緣膜上形成發光元件和薄膜電晶體； 形成第二絕緣膜，以覆蓋發光元件和薄膜電晶體； 經由第二接合層，將包含於第二基底中的多層第四絕 緣膜跟第二絕緣膜互相接合，多層第四絕緣膜之間插入至 少一第二絕緣膜； 移除第一基底，及藉由移除第一接合層而曝露出第一 絕緣膜；和 經由第三接合層，將包含於第三基底中的多層第六絕 緣膜和第一絕緣膜互相接合，該多層第六絕緣膜之間插入 至少一第五絕緣膜， 其中第二基底和第三基底是由塑膠形成的，和 其中該至少一第三絕緣膜的應力小於多層第四絕緣膜 中每一層的應力，至少一第五絕緣膜的應力小於多層第六 絕緣膜中每一層的應力。 3 2 ·如申請專利範圍第3 1項之製造發光裝置的方 法，其中藉由噴射流體至第一接合層以將其移除。 3 3 ·如申請專利範圍第3 1項之製造發光裝置的方 法’其中第一接合層包括砂。 3 4 .如申請專利範圍第3 3項之製造發光裝置的方 法，其中使用氟化鹵以移除第一接合層。 3 5 .如申請專利範圍第3 1項之製造發光裝置的方 法’其中第一接合層包括SOG。 3 6 ·如申請專利範圍第3 5項之製造發光裝置的方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -93- 548860 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 9 法，其中使用氟化氫以移除第一接合層。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 7 ·如申請專利範圍第3 1項之製造發光裝置的方 法，其中使用雷射光以移除第一接合層。 3 8 ·如申請專利範圍第3 7項之製造發光裝置的方 法，其中雷射光束是由脈衝振盪準分子雷射、連續波準分 子雷射、YAG雷射和YV〇4雷射中的任一者發射。 3 9 ·如申請專利範圍第3 7項之製造發光裝置的方 法，其中雷射光是Y A G雷射發射的基波、二次諧波和三 次諧波中的任一者。 4 〇 ·如申請專利範圍第3 1項之製造發光裝置的方 法，其中至少一層第三絕緣膜和至少一層第五絕緣膜之一 包括選自聚醯亞胺、丙烯、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯丙 環丁烯和環氧樹脂組成的群類中之任一者。 4 1 ·如申請專利範圍第3 1項之製造發光裝置的方 法，其中多層第四絕緣膜和多層第六絕緣膜中的一些包括 選自氮化砂、氮氧化砂、氧化銘、氮化銘、氮氧化ig和氮 氧化鋁矽組成的群類中之任一者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 2 .如申請專利範圍第3 1項之製造發光裝置的方 法，其中塑膠包括選自聚醚礪、聚碳酸脂、聚對苯二甲酸 乙二酯和聚萘酸乙二酯組成的群類中的任一者。 43·—種製造發光裝置的方法，包括： 在第一基底上形成第一接合層； 在第一接合層上形成第一絕緣膜； 在第一絕緣膜上形成發光元件、薄膜電晶體和導線； -94- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 548860 A8 Β8 C8 D8_____ 夂、申請專利範圍 10 形成第二絕緣膜，以覆蓋發光元件、薄膜電晶體和導 線； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經由第二接合層將包含於第二基底中的多層第四絕緣 膜跟第二絕緣膜互相接合，多層第四絕緣膜之間插入至少 一第三絕緣膜； 移除第一基底，及藉由移除第一接合層以使第一絕緣 膜曝露； 經由第三接合層將包含於第三基底中的多層第六絕緣 膜和第一絕緣膜互相接合，多層第六絕緣膜之間插入至少 一第五絕緣膜；及 部分地移除第二基底、第二絕緣膜、至少一第三絕緣 膜、多層第四絕緣膜和第二接合層，以部分地曝露出導線 ，以致於包含於可撓印刷電路板中的部份導線及端子利用 具有各向異性的導電樹脂而彼此電連接， 其中第二基底和第三基底是由塑膠形成的，和 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中至少一第三絕緣膜的應力小於多層第四絕緣膜中 每一層的應力，至少一第五絕緣膜的應力小於多層第六絕 緣膜中每一層的應力。 4 4 .如申請專利範圍第4 3項之製造發光裝置的方 法，其中藉由噴射流體至第一接合層以將其移除。 4 5 ·如申請專利範圍第4 3項之製造發光裝置的方 法，其中第一接合層包括矽。 4 6 .如申請專利範圍第4 5項之製造發光裝置的方 法，其中使用氟化鹵以移除第一接合層。 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210x297公釐） -95 - 548860 A8 B8 § C8 D8 六、申請專利範圍 Ή 4 7 ·如申請專利範圍第4 3項之製造發光裝置的方 法，其中第一接合層包括SOG。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 8 ·如申請專利範圍第4 7項之製造發光裝置的方 法，其中第一接合層是用氟化氫移除。 4 9 ·如申請專利範圍第4 3項之製造發光裝置的方 法，其中第一接合層是用雷射光移除。 5 〇 ·如申請專利範圍第4 9項之製造發光裝置的方 法，其中雷射光是從脈衝振盪準分子雷射、連續波準分子 雷射、Y A G雷射和Y V〇4雷射中的任一者發射。 5 1 .如申請專利範圍第4 9項之製造發光裝置的方 法，其中雷射光是Y A G雷射發射的基波、二次諧波和三 次諧波中的任一者。 5 2 ·如申請專利範圍第4 3項之製造發光裝置的方 法，其中至少一第三絕緣膜和至少一第五絕緣膜之一包括 選自聚醯亞胺、丙烯、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯丙環丁 烯和環氧樹脂組成的群類中之任一者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 3 .如申請專利範圍第4 3項之製造發光裝置的方 法，其中多層第四絕緣膜和多層第六絕緣膜中的一些包括 選自氮化砂、氮氧化砂、氧化銘、氮化纟g、氮氧化絕和氮 氧化鋁矽組成的群類中之任一者。 5 4 ·如申請專利範圍第4 3項之製造發光裝置的方 法，其中塑膠包括選自聚醚礪、聚碳酸脂、聚對苯二甲酸 乙二酯和聚萘酸乙二酯組成的群類中的任一者。· 55·—種製造發光裝置的方法，包括： 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 96 _ ' 548860 A8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 12 在第一基底上形成第一接合層； 在第一接合層上形成第一絕緣膜； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在第一絕緣膜上形成發光元件、薄膜電晶體和導線； 形成第二絕緣膜，以覆蓋發光元件、薄膜電晶體和導 線， 經由第二接合層將包含於第二基底中的多層第四絕緣 膜跟第二絕緣膜互相接合，多層第四絕緣膜之間插入至少 一第三絕緣膜； 移除第一基底，及藉由移除第一接合層以曝露第一絕 緣膜； 經由第三接合層將包含於第三基底中的多層第六絕緣 膜和第一絕緣膜互相接合，多層第六絕緣膜之間插入至少 一第五絕緣膜；及 部分地移除第三基底、第一絕緣膜、至少一第五絕緣 膜、多層第六絕緣膜和第三接合層，以部分地曝露導線， 以致於包含於可撓印刷電路板中的部份導線及端子利用具 有各向異性的導電樹脂而彼此電連接， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中第二基底和第三基底是由塑膠形成的，及 其中至少一第三絕緣膜的應力小於多層第四絕緣膜中 每一層的應力，至少一第五絕緣膜的應力小於多層第六絕 緣膜中每一層的應力。 5 6 ·如申請專利範圍第5 5項之製造發光裝置的方 法，其中藉由噴射流體至第一接合層以將其移除。- 5 7 ·如申請專利範圍第5 5項之製造發光裝置的方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _97· ' "" 548860 A8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 13 法’其中第一接合層包括矽。 5 8 ·如申請專利範圍第5 7項之製造發光裝置的方 法’其中使用氟化鹵以移除第一接合層。 5 9 ·如申請專利範圍第5 5項之製造發光裝置的方 法’其中第一接合層包括SOG。 6 0 ·如申請專利範圍第5 9項之製造發光裝置的方 法’其中第一接合層是用氟化氫移除。 6 1 .如申請專利範圍第5 5項之製造發光裝置的方 法’其中第一接合層是用雷射光移除。 6 2 ·如申請專利範圍第6 1項之製造發光裝置的方 法’其中雷射光是從脈衝振盪準分子雷射、連續波準分子 雷射、Y A G雷射和Y V〇4雷射中的任一者發射。 6 3 .如申請專利範圍第6 1項之製造發光裝置的方 法，其中雷射光是Y A G雷射發射的基波、二次諧波和三 次諧波中的任一者。 6 4 ·如申請專利範圍第5 5項之製造發光裝置的方 法，其中至少一第三絕緣膜和至少一第五絕緣膜之一包括 選自聚醯亞胺、丙烯、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯丙環丁 烯和環氧樹脂組成的群類中之任一者。 6 5 ·如申請專利範圍第5 5項之製造發光裝置的方 法，其中多層第四絕緣膜和多層第六絕緣膜中的一些包括 選自氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁和氮 氧化鋁矽組成的群類中之任一者。 6 6 ·如申請專利範圍第5 5項之製造發光裝置的方 ^紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210x297公釐） -98- --：--Γ---ί·裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 548860 A8 B8 C8 D8 __ 六、申請專利範圍 14 法，其中塑膠包括選自聚醚碾、聚碳酸脂、聚對苯二甲酸 乙二酯和聚萘酸乙二酯組成的群類中的任一者。 67·—種製造發光裝置的方法，包括： 在第一基底上形成第一接合層； 在第一接合層上形成第一絕緣膜； 在第一絕緣膜上形成發光元件和薄膜電晶體； 形成第二絕緣膜，以覆蓋發光元件和薄膜電晶體； 藉由第二接合層將第二基底跟第二絕緣膜互相接合； 移除第一基底，及經由移除第一接合層以曝露第一絕 緣膜； 經由第三接合層將包含於第三基底中的多層第四絕緣 膜和第一絕緣膜互相接合，多層第四絕緣膜之間插入至少 一第三絕緣膜； 移除第二基底，及經由移除第二絕緣膜以曝露第二絕 緣膜；及 形成多層第六絕緣膜，在多層第六絕緣膜之間插入至 少一第五絕緣膜，多層第六絕緣膜跟第二絕緣膜接觸， 其中第三基底是由塑膠形成的，及 其中至少一第三絕緣膜的應力小於多層第四絕緣膜中 每一層的應力，至少一第五絕緣膜的應力小於多層第六絕 緣膜中每一層的應力。 6 8 ·如申請專利範圍第6 7項之製造發光裝置的方 法’其中藉由噴射流體至第一接合層及第二接合層之一以 將其移除。 本^張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -99 - ' --：--Γ------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 548860 A8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 15 6 9 ·如申請專利範圍第6 7項之製造發光裝置的方 法，其中第一接合層包括矽。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 0 ·如申請專利範圍第6 9項之製造發光裝置的方 法，其中使用氟化鹵以移除第一接合層。 7 1 ·如申請專利範圍第6 7項之製造發光裝置的方 法，其中第一接合層包括SOG。 7 2 ·如申請專利範圍第7 1項之製造發光裝置的方 法，其中第一接合層是用氟化氫移除。 7 3 ·如申請專利範圍第6 7項之製造發光裝置的方 法，其中第一接合層及第二接合層之一是用雷射光移除。 7 4 ·如申請專利範圍第7 3項之製造發光裝置的方 法，其中雷射光是從脈衝振盪準分子雷射、連續波準分子 雷射、Y A G雷射和Y V〇4雷射中的任一者發射。 7 5 ·如申請專利範圍第7 3項之製造發光裝置的方 法，其中雷射光是Y A G雷射發射的基波、二次諧波和三 次諧波中的任一者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 6 .如申請專利範圍第6 7項之製造發光裝置的方 法，其中至少一第三絕緣膜和至少一第五絕緣膜之一包括 選自聚醯亞胺、丙烯、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯丙環丁 烯和環氧樹脂組成的群類之任一者。 7 7 ·如申請專利範圍第6 7項之製造發光裝置的方 法，其中多層第四絕緣膜和多層第六絕緣膜中的一些包括 選自氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁和氮 氧化鋁矽組成的群類之任一者。 本紙張尺度適用中國國家#準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -1〇〇 - 548860 A8 B8 C8 D8 ☆、申請專利範圍 16 7 8 .如申請專利範圍第6 7項之製造發光裝置的方 法’其中塑膠包括選自聚醚碾、聚碳酸脂、聚對苯二甲酸 乙二酯和聚萘酸乙二酯組成的群類中的任一者。 79.—種製造發光裝置的方法，包括： 在第一基底上形成第一接合層； 在第一接合層上形成第一絕緣膜； 在第一絕緣膜上形成發光元件、薄膜電晶體和導線； 形成第二絕緣膜，以覆蓋發光元件、薄膜電晶體和導 線； 經由第二接合層將第二基底跟第二絕緣膜互相接合； 移除第一基底，及藉由移除第一接合層以曝露第一絕 緣膜； 經由第三接合層將包含於第三基底中的多層第四絕緣 膜和第一絕緣膜互相接合，多層第四絕緣膜之間插入至少 一第三絕緣膜， 移除第二接合層，以移除第二基底，而曝露第二絕緣 膜； 形成多層第六絕緣膜，在多層第六絕緣膜之間插入至 少一第五絕緣膜，多層第六絕緣膜跟第二絕緣膜接觸；和 部分地移除第二絕緣膜、至少一第五絕緣膜和多層第 六絕緣膜，而部分地曝露導線，以致於包含於可撓印刷電 路板中的部份導線和端子利用具有各向異性之導電樹脂彼 此電連接， 其中第三基底是由塑膠形成的，和 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210x297公釐） -101 _ --：--7---ί·裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 548860 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 17 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中至少一第三絕緣膜的應力小於多層第四絕緣膜中 每一層的應力，至少一第五絕緣膜的應力小於多層第六絕 緣膜中每一層的應力。 8 0 ·如申請專利範圍第7 9項之製造發光裝置的方 法’其中藉由噴射流體至第一接合層及第二接合層之一以 將其移除。 8 1 ·如申請專利範圍第7 9項之製造發光裝置的方 法，其中第一接合層包括矽。 8 2 _如申請專利範圍第8 1項之製造發光裝置的方 法，其中使用氟化鹵以移除第一接合層。 8 3 ·如申請專利範圍第7 9項之製造發光裝置的方 法，其中第一接合層包括SOG。 8 4 ·如申請專利範圍第8 3項之製造發光裝置的方 法，其中第一接合層是用氟化氫移除。 8 5 ·如申請專利範圍第7 9項之製造發光裝置的方 法，其中第一接合層及第二接合層之一是用雷射光移除。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 6 ·如申請專利範圍第8 5項之製造發光裝置的方 法’其中雷射光是從脈衝振盪準分子雷射、連續波準分子 雷射、Y A G雷射和Y V〇4雷射中的任一者發射。 8 7 ·如申請專利範圍第8 5項之製造發光裝置的方 法，其中雷射光是Y A G雷射發射的基波、二次諧波和三 次諧波中的任一者。 8 8 ·如申請專利範圍第7 9項之製造發光裝置的方 法，其中至少一第三絕緣膜和至少一第五絕緣膜之一包括 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -102·- ： 548860 A8 B8 C8 ________D8 ___ 六、申請專利範圍 18 選自聚醯亞胺、丙烯、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯丙環丁 烯和環氧樹脂組成的群類之任一者。 8 9 ·如申請專利範圍第7 9項之製造發光裝置的方 法，其中多層第四絕緣膜和多層第六絕緣膜中的一些包括 選自氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁和氮 氧化鋁矽組成的群類之任一者。 9 0 ·如申請專利範圍第7 9項之製造發光裝置的方 法，其中塑膠包括選自聚醚碾、聚碳酸脂、聚對苯二甲酸 乙二酯和聚萘酸乙二酯組成的群類中的任一者。 9 1 . 一種製造發光裝置的方法，包括： 在第一基底上形成第一接合層； 在第一接合層上形成第一絕緣膜； 在第一絕緣膜上形成發光元件、薄膜電晶體和導線； 形成第二絕緣膜，以覆蓋發光元件、薄膜電晶體和導 線； 藉由第二接合層將第二基底跟第二絕緣膜互相接合； 移除第一基底，及藉由移除第一接合層以曝露第一絕 緣膜； 經由第三接合層將包含於第三基底中的多層第四絕緣 膜和第一絕緣膜互相接合，多層第四絕緣膜之間插入至少 一第三絕緣膜， 移除第二基底，及經由移除第二接合層以曝露第二絕 緣膜； 形成多層第六絕緣膜，在多層第六絕緣之間插入至少 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' (請先閲讀背面之注意事項存填寫本頁) tr 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 548860 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 19 一第五絕緣膜，多層第六絕緣膜跟第二絕緣膜接觸；及 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 部分地移除第三基底、第一絕緣膜、至少一第三絕緣 膜、多層第四絕緣膜和第三接合層，以部分地曝露導線， 以致於包含於可撓印刷電路板中的部份導線及端子利用具 有各向異性的導電樹脂而彼此電連接， 其中第三基底是由塑膠形成的，及 其中至少一第三絕緣膜的應力小於多層第四絕緣膜中 每一層的應力，至少一第五絕緣膜的應力小於多層第六絕 緣膜中每一層的應力。 9 2 ·如申請專利範圍第9 1項之製造發光裝置的方 法，其中藉由噴射流體至第一接合層及第二接合層之一以 將其移除。 9 3 .如申請專利範圍第9 1項之製造發光裝置的方 法，其中第一接合層包括砂。 9 4 .如申請專利範圍第9 3項之製造發光裝置的方 法，其中使用氟化鹵以移除第一接合層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 5 ·如申請專利範圍第9 1項之製造發光裝置的方 法，其中第一接合層包括SOG。 9 6 ·如申請專利範圍第9 5項之製造發光裝置的方 法，其中第一接合層是用氟化氫移除。 9 7 .如申請專利範圍第9 1項之製造發光裝置的方 法，其中第一接合層及第二接合層之一是用雷射光移除。 9 8 .如申請專利範圍第9 7項之製造發光裝置的方 法，其中雷射光是從脈衝振盪準分子雷射、連續波準分子 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -ί〇4 - 548860 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 20 雷射、Y A G雷射和γ V ◦ 4雷射中的任一者發射。 9 9 ·如申請專利範圍第9 7項之製造發光裝置的方 法，其中雷射光是γ A G雷射發射的基波、二次諧波和三 次諧波中的任一者。 1 0 0 ·如申請專利範圍第9 1項之製造發光裝置的 方法，其中至少一第三絕緣膜和至少一第五絕緣膜之一包 括選自聚醯亞胺、丙烯、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯丙環 丁燒和環氧樹脂組成的群類之任一*者。 101·如申請專利範圍第91項之製造發光裝置的 方法，其中多層第四絕緣膜和多層第六絕緣膜中的一些包 括選自氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁和 氮氧化鋁矽組成的群類之任一者。 1 0 2 ·如申請專利範圍第9 1項之製造發光裝置的 方法，其中塑膠包括選自聚醚礪、聚碳酸脂、聚對苯二甲 酸乙二酯和聚萘酸乙二酯組成的群類中之任一者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -105- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
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