Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP5110851B2 - 有機発光素子 - Google Patents

有機発光素子 Download PDF

Info

Publication number
JP5110851B2
JP5110851B2 JP2006297374A JP2006297374A JP5110851B2 JP 5110851 B2 JP5110851 B2 JP 5110851B2 JP 2006297374 A JP2006297374 A JP 2006297374A JP 2006297374 A JP2006297374 A JP 2006297374A JP 5110851 B2 JP5110851 B2 JP 5110851B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
nanoparticles
organic
emission
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006297374A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008117827A5 (ja
JP2008117827A (ja
Inventor
明 坪山
和則 上野
隆行 手島
幸一 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2006297374A priority Critical patent/JP5110851B2/ja
Priority to US11/930,828 priority patent/US8080322B2/en
Publication of JP2008117827A publication Critical patent/JP2008117827A/ja
Publication of JP2008117827A5 publication Critical patent/JP2008117827A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5110851B2 publication Critical patent/JP5110851B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/341Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/341Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10Triplet emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/371Metal complexes comprising a group IB metal element, e.g. comprising copper, gold or silver
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、発光素子、特に有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子に関するものである。
有機EL素子は、高速応答性や高発光効率の発光素子として、応用研究が精力的に行われている。
有機EL素子の発光層は、発光材料のみからなるものと発光ドーパントとホスト材料からなるものが知られている。発光層を、発光ドーパントとホスト材料の2成分から構成する理由は、発光ドーパントの濃度消光(自己消光)を抑制するためである。一般に媒体中の発光ドーパントの濃度が高いと、発光ドーパント分子間のエネルギー移動がしやすくなり、かつ分子会合体を形成して熱失活経路を生成するため発光量子収率が低下する。従って、これまでの有機EL素子では、発光層を0.1%乃至20%程度の発光ドーパントとホスト材料から構成することが一般的であり、理想的には発光ドーパントはホスト材料中に分子レベルで分散していることが必要である。
近年、燐光発光ドーパントを発光ドーパントとして用いた有機EL素子が高効率で安定した発光が得られることで注目されている。燐光発光ドーパントには、種々の金属を中心金属とした金属配位化合物が用いられる。
また、ナノ粒子を発光中心に用いた有機EL素子が発表されている。これらは、CdSeやCdSeSなどの無機発光材料ナノ粒子を用いたもの(非特許文献1,2)や、発光材料ではない金属酸化物ナノ粒子や金属ナノ粒子を用いたもの(特許文献1,2)である。
非特許文献1,2の無機発光材料ナノ粒子を用いた素子は、その発想は興味深いが、素子の外部量子効率は1%以下と著しく低い。
特開2004−335438号公報 特開2003−257671号公報 S.Coeら、「Nature」2002、420、p800 E.Jangら、「Chemical Communications」2003、p2964−2965
本発明は、高発光効率で高い安定性を有する発光素子を提供することを目的とする。
即ち、本発明の有機発光素子は、2つの電極と該2つの電極の間に配置される発光層とを有し、該発光層はホスト材料と該ホスト材料に含まれる粒子とを有し、該粒子は、前記発光層の層厚より小さい粒径を有し、かつ燐光発光する金属錯体であり、前記ホスト材料はポリビニルカルバゾールであり、前記金属錯体は下記構造式で示す化合物のいずれか1つであることを特徴とする。
Figure 0005110851
本発明の発光素子は、その発光層の層厚より小さい粒径の金属配位化合物からなる発光性ナノ粒子を発光中心とすることにより、発光効率が高く安定した発光が得られるものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の発光素子は、2つの電極間に少なくとも発光層を有する。その一例を図1に示す。図1に示すように、発光層103を含む1層または複数層の有機層を有し、これらの有機層は2つの電極(陽極105と陰極101)に挟まれている。陰極101及び陽極105界面には、電子またはホール注入層が設けられる場合がある。
発光層103は、発光性ナノ粒子を含有する。
発光性ナノ粒子は、発光層103の層厚より小さい粒径を有する。具体的には、発光層103の層厚が50nm以上500nm以下であり、発光性ナノ粒子の粒径が25nm以上250nm以下であることが好ましい。
また、発光性ナノ粒子は、有機化合物からなる配位子を有する金属配位化合物からなる。金属配位化合物の好ましい例を以下に示すが、これらに限定されるわけではない。
Figure 0005110851
Figure 0005110851
Figure 0005110851
中心金属にCu(2001乃至2008)、Au(3001乃至3003)、Re(3011乃至3013)、Ir(4001乃至4006)、Pt(4011乃至4012)を有する金属配位化合物を示した。これらの錯体は、有機溶媒などの溶液中の発光と結晶状態の発光の発光スペクトルを観察することができる。これらの金属錯体は、中心金属の原子番号が大きいため、重原子効果により室温において強いりん光が観測される。
本発明では、これら金属配位化合物の結晶状態、微結晶状態またはアモルファスと結晶の混在状態のナノ粒子を用いるが、ナノ粒子に適した発光材料としては、単体の固体状態あるいは結晶状態で強く発光する金属配位化合物が望ましい。上記したCu、Au、Reを中心金属に持つ配位化合物は、溶液状態より単体の固体状態の方が強く発光する場合が多い。これらの金属配位化合物の発光の特徴は、溶液状態より固体状態の発光の方が発光寿命が長く、発光スペクトルの波長が短波長の場合が多い。その理由は明らかではないが、固体状態の結晶構造が発光に有利に働き、溶液中のように単分子レベルで分散した状態より強い発光があらわれると考えられる。また、IrやPt配位化合物は、通常溶液中のほうが強い発光を示す。しかしながら、上記したようにフッ素原子やアルキル基などの比較的大きな置換基を与えると、単体の固体状態においても強い発光を示すようになり、本発明の発光素子に適した発光性金属配位化合物になる。
例示化合物2007や2008は、金属配位高分子化合物の例である。この例では、銅イオンがハロゲンと4,4’−ビピリジンとピラジンで架橋され高分子化されている。この金属配位化合物は、固体状態で非常に強く発光する。
発光層103は、さらにホスト化合物を含有することが好ましい。ホスト材料の一例を以下に示した。
Figure 0005110851
ホスト材料が電子とホールのキャリア輸送をし、ナノ粒子中の分子が励起され発光する。その時、ホストからナノ粒子へのキャリア移動またはエネルギー移動がスムースに行われることが重要である。ホスト材料と金属配位化合物の配位子が、π電子が豊富な有機化合物から構成されているため、電子やホールなどのキャリア移動またはホスト材料からナノ粒子への励起エネルギーのエネルギー移動がスムースであり、高発光効率の発光素子を実現することができる。
また、一般に有機EL素子の有機層は、「アモルファス状態」が必須であると考えられている。その理由は、(1)アモルファス状態にすることにより、50nm乃至200nm程度の有機層の良質な膜形成が可能になること、かつ、(2)高いキャリア導電性を付与することのためである。アモルファス状態では微結晶状態とは異なり、結晶界面でのキャリアトラップがなくキャリアが容易に流れることが可能になる。しかしながら、この「アモルファス状態」は熱的に準安定状態であり、構造的には必ずしも安定とはいえない。特に発光中心は、励起状態−基底状態の状態間遷移を繰り返す必要があるため、劣化に強い強固な構造を持っていることが望ましい。
本発明の様に、発光層に結晶状態または微結晶状態のナノ粒子を導入することで安定な発光が期待できる。発光層がホスト材料を含有すると、ホスト材料はアモルファス状態を形成するため電界印加時にキャリアを有効に流すことが可能になる。一方発光中心であるナノ粒子は熱的に安定な結晶または微結晶状態であるため、発光が結晶場中でなされる。そのため、安定で劣化が小さい発光が可能になるという利点がある。
発光層103を含む有機層の作成方法としては、スピンコート法、インクジェット法、印刷法、スプレー法など、材料を溶液にして塗膜形成する方法が挙げられる。
ナノ粒子の生成方法は特に限定されない。微粒子の生成法としては、「乾式粉砕法」「湿式粉砕法」が挙げられるが、これらは大きな粒子を小さく砕くことにより粒子を生成する方法である。そのため、均一なナノ粒子を生成するには、ナノ粒子の前駆体もしくは原料が含まれる2つの液体を、流路から供給し、それらの混合により前記ナノ粒子を生成する方法が好ましい。ここでは、その方法を説明する。
マイクロリアクターとは、反応や混合を行うために使用される小型の3次元構造体でマイクロ空間での現象を利用したケミカルデバイスである。マイクロリアクターは、マイクロスケールの複数の流路を有する反応や混合装置を一般に総称するものであり、例えば、下記文献等に詳細に記載されている。
“Microreactors New Technology for Modern Chemistry”(Wolfgang Ehrfeld、Volker Hessel、Holger Loewe著、WILEY−VCH社、2000年発行)
本発明においてマイクロリアクターは例えば図2乃至図5に示すマイクロスケールの流路を有するマイクロリアクターを用いることができるが、本発明に用いるマイクロリアクターの形態や構造はこれらに限定するものでない。
図2,図3は、ともに形は異なるが第1の流路と第2の流路を持ちそれらの流路にナノ粒子生成に必要な2つの液体を流し、流路が結合したところで混合が起きナノ粒子が生成される。
例えば市販のIMM(Institute fur Mikrotechnik Mianz)製のマイクロリアクターを用いてもよい。本発明で利用するマイクロリアクターの流路は流路幅が数μmから数百μmないし数千μmのマイクロスケールであり、寸法が小さく流路内を流れる流体の流速も小さいためレイノルズ数は小さい。
マイクロスケールの流路内を流れる流体は流路径や形の設計により、乱流または層流を支配的にすることができ、本発明では乱流または層流のどちらも利用することが可能である。層流支配下では2つの液体の流れを接触させても界面を通じた拡散が支配的となる。
例えばマイクロスケール空間では単位体積あたりの表面積が大きいため2液の層流が接触する界面での拡散混合に非常に有利といわれている。またFickの法則により混合に要する時間は拡散距離の2乗に比例する。すなわち分子拡散による混合は流路幅を小さくすればするほど混合時間は速くなる。具体的には流路幅が1/10になれば混合時間は1/100になる。したがって流路幅として好ましくは1000μmより小さく、好ましくは500μm以下であり、好ましくは200μm以下であり、好ましくは100μm以下である。
本発明のマイクロリアクターの流路として使用される材料の例を挙げれば、金属、ガラス、シリコン、テフロン(登録商標)、セラミックス、プラスチックなどである。耐熱、耐圧および耐溶剤性が必要な場合として金属、ガラス、シリコン、テフロン(登録商標)、セラミックスであるが、好ましくは金属である。金属の例としてステンレス、ハステロイ(Ni−Fe系合金)ニッケル、金、白金、タンタル等が挙げられるが本発明に用いるマイクロリアクターの流路の金属材料はこれらに限定するものでない。
また、流路の耐食性や所望の表面エネルギーを得るために流路表面にライニング加工を施したものを用いてもよい。
マイクロスケールの空間では機械的攪拌などを用いなくても分子輸送、反応、分離が分子の自発的挙動だけで速やかに行われる。したがって、マイクロリアクターの層流下の反応では、これまでのマクロな反応装置を用いる場合の乱流下での反応に比べて、一般に反応速度が高まるといわれている。さらに2つの液体が常に同じタイミングで接し、層流をなして混合ないし反応が進行していくことにより均一な混合や反応の秩序性を維持することができる。例えばマイクロリアクターを利用し微粒子が生成する反応を行えば、反応が瞬時に進行し、多数の核が生じ、それに基づき多数の粒子が成長するため、一次粒径の小さい微粒子が形成される。よってマイクロリアクターを利用して機能物質の合成もしくは沈殿もしくは結晶化を行うことによって一次粒径の小さい機能物質の微粒子を得ることが可能になる。また、反応に秩序性があることにより粒度分布を狭く抑えることができる。
また、機能物質分散物の量産時においては必要な生産量に応じてマイクロリアクターを並列に並べること(numbering−up)によって対応が可能となる。
本発明に用いるナノ粒子を生成するには、金属配位化合物を生成するための反応溶液AとBをあらかじめ用意しておく。別に、図4に示すように異なる直径をもつ2つの環を互いに入りこむように設定する。図4では例えばA液を流す管の直径を1mm、B液を流す管の直径を3mmとし、A液とB液を一定の流量で流す。AとB液は反応液面ですばやく反応を起こし所望の金属錯体が生成する。この液を容器に取り粒子径測定装置DLS−7000(大塚電子(株)社製)にて測定することにより、生成した粒径を確認することができる。
<実施例1>
例示化合物2001の生成を、以下の反応式で行った。
Figure 0005110851
上記の反応式で生成した例示化合物2001を、クロロホルム中に溶解しその溶液をA液とした。A液の濃度は、飽和溶液に体積比率で20%分のクロロホルムを加えた濃度にした。また、この金属配位化合物の貧溶媒として用いるヘキサンをB液とした。A液に貧溶媒であるB液を混合することにより、例示化合物2001がマイクロリアクター内で再沈殿し、急速に反応が進むためにナノレベルの微粒子が生成する。
図4に示すようにマイクロリアクタ合成装置にA液とB液を流すことにより、例示化合物2001のナノ粒子を合成した。A液とB液の流速は、0.3ml/minと30ml/minで行った。ダイナミック光散乱光度計DLS−7000(大塚電子(株)社製)により粒径を測定すると中心粒径が50nm以上70nm以下のナノ粒子が確認された。
上記ナノ粒子を発光中心として用いて、図1(a)に示す有機層が3層の有機EL素子を作成した。
ガラス基板106(透明基板)上に厚さ100nmのITO(陽極105)をパターニングして、電極面積が3.14mm2になるようにした。
そのITO基板上に、バイエル社製のPEDOT(有機EL用)を40nmの膜厚に1000rpm(20秒)の条件でスピンコートで塗布した。それを120℃の真空チャンバーで1時間乾燥し、ホール輸送層104を形成した。
その上に、以下の溶液を用いて、窒素雰囲気下で2000rpm、20秒間でスピンコートすることで、120nmの膜厚の有機膜(発光層103)を形成した。製膜後、ホール輸送層104の製膜時と同じ条件で乾燥した。
トルエン:10g
ポリビニルカルバゾール(例示化合物5001:平均分子量9600):92mg
ナノ粒子(例示化合物2001):8mg
この基板を真空蒸着チャンバーに装着して、Bphenを40nmの膜厚に真空蒸着成膜した(電子輸送層102)。
有機層の総膜厚は130nmである。
次に、以下のような構成の陰極101を形成した。
金属電極層1(15nm):AlLi合金(Li含有量1.8質量%)
金属電極層2(100nm):Al
以上の製膜が終わった後、素子を取り出して評価した。
陰極101をマイナス、陽極105をプラスにしてDC電圧を印加して素子特性を評価した。
電圧電流特性は、良好な整流性を示した。発光スペクトルと発光輝度は、トプコン社製、スペクトル測定機SR1及びBM7で測定した。電圧印加時の電流値は、ヒューレッドパッカード社製の4140Bdで測定した。得られたEL発光は緑色発光(発光ピーク波長=535nm)で、その外部発光量子収率は5.5%であり高効率が得られた。最高輝度は1200cd/cm2で高輝度を実現した。また、EL発光は、100cd/cm2で発光させた時安定して良好な発光を示し、10時間通電しても良好な発光が得られた。
<実施例2>
金属配位化合物として、例示化合物4003を用いた以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作成し評価した。
外部発光量子収率は、5.5%であり高効率が得られた。最高輝度は、950cd/cm2で高輝度を実現した。また、EL発光は、100cd/cm2で発光させた時安定して良好な発光を示し、10時間通電しても良好な発光得られた。
<実施例3>
図1(b)に示す有機層が2層の有機EL素子を作成した。
実施例1と同様にしてホール輸送層102まで形成した。その上に、以下の溶液を用いて、窒素雰囲気下で2000rpm、20秒間でスピンコートすることで、120nmの膜厚の有機膜(発光層103)を形成し、120℃の真空チャンバーで1時間乾燥した。
クロロベンゼン:10g
ポリビニルカルバゾール(例示化合物5001:平均分子量9600):92mg
実施例1と同じナノ粒子(例示化合物2001):8mg
その後、実施例1と同様にして陰極101を形成し、実施例1と同様に素子特性を評価した。
得られたEL発光は緑色発光(発光ピーク波長=530nm)で、その外部発光量子収率は4.8%であり高効率が得られた。最高輝度は1000cd/cm2で高輝度を実現した。また、EL発光は、100cd/cm2で発光させた時安定して良好な発光を示し、10時間通電しても良好な発光が得られた。
本発明の発光素子の構成の一例を示す断面模式図である。 発光性ナノ粒子を合成するマイクロリアクターの一例を説明する図である。 発光性ナノ粒子を合成するマイクロリアクターの一例を説明する図である。 発光性ナノ粒子を合成するマイクロリアクターの一例を説明する図である。 発光性ナノ粒子を合成するマイクロリアクターの一例を説明する図である。

Claims (1)

  1. 2つの電極と該2つの電極の間に配置される発光層とを有し、該発光層はホスト材料と該ホスト材料に含まれる粒子とを有し、該粒子は、前記発光層の層厚より小さい粒径を有し、かつ燐光発光する金属錯体であり、前記ホスト材料はポリビニルカルバゾールであり、前記金属錯体は下記構造式で示す化合物のいずれか1つであることを特徴とする有機発光素子。
    Figure 0005110851
JP2006297374A 2006-11-01 2006-11-01 有機発光素子 Expired - Fee Related JP5110851B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006297374A JP5110851B2 (ja) 2006-11-01 2006-11-01 有機発光素子
US11/930,828 US8080322B2 (en) 2006-11-01 2007-10-31 Light emitting device having high luminous efficiency and high stability

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006297374A JP5110851B2 (ja) 2006-11-01 2006-11-01 有機発光素子

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008117827A JP2008117827A (ja) 2008-05-22
JP2008117827A5 JP2008117827A5 (ja) 2009-12-17
JP5110851B2 true JP5110851B2 (ja) 2012-12-26

Family

ID=39329309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006297374A Expired - Fee Related JP5110851B2 (ja) 2006-11-01 2006-11-01 有機発光素子

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8080322B2 (ja)
JP (1) JP5110851B2 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5084204B2 (ja) * 2006-09-06 2012-11-28 キヤノン株式会社 発光素子及び高分子混合金属錯体
DE102008048336A1 (de) * 2008-09-22 2010-03-25 Merck Patent Gmbh Einkernige neutrale Kupfer(I)-Komplexe und deren Verwendung zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen
JP5670834B2 (ja) * 2010-05-31 2015-02-18 住友化学株式会社 銀錯体
JP5670835B2 (ja) * 2010-05-31 2015-02-18 住友化学株式会社 銀錯体
EP2543673A1 (de) * 2011-07-08 2013-01-09 cynora GmbH Kupfer(I)komplexe für opto-elektronische Vorrichtungen
JP6123438B2 (ja) * 2013-04-05 2017-05-10 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを具備した照明装置及び表示装置
JP6223110B2 (ja) * 2013-10-10 2017-11-01 学校法人近畿大学 配位高分子微粒子および配位高分子薄膜の製造方法
WO2015137289A1 (ja) * 2014-03-10 2015-09-17 国立大学法人 東京大学 水分散性非晶質粒子及びその調製方法
US9312503B2 (en) * 2014-05-13 2016-04-12 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Green light iridium (III) complex and a method of preparing the same
JP2016044227A (ja) * 2014-08-22 2016-04-04 パナソニック株式会社 蛍光体含有硬化物とその製造方法
EP3876296A1 (en) * 2020-03-05 2021-09-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting device
US20230357292A1 (en) * 2020-09-29 2023-11-09 University Of Kentucky Research Foundation Multi-coordinate gold-phosphine compounds and method of use
CN116684725B (zh) * 2022-10-18 2024-04-16 荣耀终端有限公司 应用界面的布局方法、装置、电子设备、存储介质及芯片

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6830828B2 (en) * 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
JP4154138B2 (ja) * 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子、表示装置及び金属配位化合物
CN100425103C (zh) * 2001-03-29 2008-10-08 富士胶片株式会社 电致发光器件
TW548860B (en) * 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003257671A (ja) 2002-02-28 2003-09-12 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子及びその製造方法
KR100537966B1 (ko) 2003-04-30 2005-12-21 한국과학기술연구원 나노복합체를 발광층으로 이용하는 고분자 전기발광 소자
JP4328702B2 (ja) 2003-12-01 2009-09-09 キヤノン株式会社 有機el素子
JP2005276748A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子及びその製造方法
JP4792724B2 (ja) * 2004-09-29 2011-10-12 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US7615800B2 (en) * 2005-09-14 2009-11-10 Eastman Kodak Company Quantum dot light emitting layer
DE602006020911D1 (de) * 2005-10-31 2011-05-05 Nippon Steel Chemical Co Organisches elektrolumineszenzbauelement

Also Published As

Publication number Publication date
US20080100212A1 (en) 2008-05-01
US8080322B2 (en) 2011-12-20
JP2008117827A (ja) 2008-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5110851B2 (ja) 有機発光素子
Zhu et al. Solvent-free mechanosynthesis of composition-tunable cesium lead halide perovskite quantum dots
Cao et al. Ionic liquid‐assisted fast synthesis of carbon dots with strong fluorescence and their tunable multicolor emission
Yang et al. Large-scale synthesis of ultrathin cesium lead bromide perovskite nanoplates with precisely tunable dimensions and their application in blue light-emitting diodes
Cai et al. Emerging Hierarchical Aerogels: Self‐Assembly of Metal and Semiconductor Nanocrystals
Shamsi et al. Colloidal synthesis of quantum confined single crystal CsPbBr3 nanosheets with lateral size control up to the micrometer range
Liang et al. Shape-controlled synthesis of all-inorganic CsPbBr3 perovskite nanocrystals with bright blue emission
Ghosh et al. Colloidal silicon quantum dots: synthesis and luminescence tuning from the near-UV to the near-IR range
Wang et al. Facile microwave synthesis of carbon dots powder with enhanced solid-state fluorescence and its applications in rapid fingerprints detection and white-light-emitting diodes
Zhang et al. Ligand‐Controlled Formation and Photoluminescence Properties of CH3NH3PbBr3 Nanocubes and Nanowires
Dai et al. Rare-earth free self-activated graphene quantum dots and copper-cysteamine phosphors for enhanced white light-emitting-diodes under single excitation
Zhang et al. Synthesis and applications of organic nanorods, nanowires and nanotubes
Acharyya et al. 2D nanoplates and scaled-Up bulk polycrystals of Ruddlesden–Popper Cs2PbI2Cl2 for optoelectronic applications
Shen et al. Size-, shape-, and assembly-controlled synthesis of Cu 2− x Se nanocrystals via a non-injection phosphine-free colloidal method
WO2005023704A1 (ja) 複合微粒子の製造方法および複合微粒子の製造装置、並びに複合微粒子
JPWO2007086302A1 (ja) ナノ半導体粒子の製造方法
Wang et al. Electrospinning synthesis and luminescence properties of one-dimensional Zn2SiO4: Mn2+ microfibers and microbelts
WO2017100950A1 (en) Method for synthesizing quantum dots and compositions and uses thereof
Zhang et al. Construction of Ag-doped Zn–In–S quantum dots toward white LEDs and 3D luminescent patterning
Yuan et al. Progress on the controllable synthesis of all-inorganic halide perovskite nanocrystals and their optoelectronic applications
Zhang et al. Preparation, characterization and catalytic property of CuO nano/microspheres via thermal decomposition of cathode-plasma generating Cu2 (OH) 3NO3 nano/microspheres
KR101092639B1 (ko) 금속-고분자 하이브리드 나노입자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 발광소자와 태양전지
Huong et al. Enhanced luminescence in electrospun polymer hybrids containing Mn-doped ZnSe/ZnS nanocrystals
Peng et al. Formation of CsPbCl3 Cubes and Edge-Truncated Cuboids at Room Temperature
KR101881949B1 (ko) 금속원자가 도핑된 유기금속-탄소 복합체 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091102

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091102

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120621

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120703

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120723

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121002

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121009

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151019

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151019

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees