TW200923115A - Indium oxide target - Google Patents

Description

200923115 六、發明說明： 【發明所屬的技術領域】 本發明是有關一種氧化銦系靶，其可容易獲得非晶形 膜，該非晶形膜可藉由弱酸蝕刻而易於進行圖案化，並且 容易結晶，更且結晶而成之膜可製造低電阻且高透過率的 透明導電膜。 【先前技術】 氧化銦-氧化錫（In2〇3-Sn〇2的複合氧化物，以下稱為 「ΙΤ0」）膜，雖然因其可見光透過性高且導電性高，故廣 泛使用於液晶顯示裝置作為透明導電膜、或玻璃的防結露 用發熱膜、紅外線反射膜等，但有難以作成非晶形膜之問 題。 另一方面，做為非晶形膜者，雖然已知有氧化銦-氧化 鋅（IZ0)透明導電膜，但這種膜有透明性不如IT0膜、帶黃 色的問題。 因此，本案申請人雖然已先行提案在ΙΤ0膜内添加矽 後以規定的條件成版的非晶形透明導電膜（蒼照專利文獻 1)，但在添加矽後則有傾向高電阻化的問題。 [專利文獻1]日本特開2005-135649號公報（申請專利範 圍） 【發明内容】 (發明欲解決的課題） 有鑑於這樣的情況下，本發明是以提供一種氧化銦系 靶為課題，其可容易獲得非晶形膜，該非晶形膜可藉由弱 3 320651 200923115 酸蝕刻而易於進行圖案化 之膜可製造低電阻且高透射α 日’更且結晶而成 (解決問題的方法）過率的透明導電膜。 社果本為了解決上制題而反覆進行各種探討的 果，在《現有添加鋇的氧化銦 且透明性優異的非晶形膜，且可藉由弱阻 圖案化，並且容易社日，夂钱刻而谷易進盯 願簡姻83)日日亚已先行提出專利之申請（日本特 不過，在作為可成膜為這 且備:之第1個形態是一種氧化銦系乾，其為 :::，在其中，錫及—是相對於二:： ><1〇、〇〇-5.8><1(}-2)之值以上，且^^比4不的（-2.5 ΧΙΟ—2)的值以下之範圍。 ._]Ln(x)-5.〇 在這樣的第！個形態甲，藉由在規定範圍有 Y’而可以不到丨_咖溫度形成非晶獅，再_由= ；：〇〇，,^(anneallng)4iI^ 本，明的第2個形態是如第i個形態的氧化鋼系 :中’相對於丨莫耳銦的錫之莫耳比y在以相對於^ 、嫩之莫耳比X表示的（一2. 6χ10、（χ) + 5. lxir)之值 320651 4 200923115 以上的範圍。 在這樣的第2個形態中，藉由在規定範圍内含有Sn及 Y，而可使在不到200°C不結晶的非晶形膜成膜。 本發明的第3個形態是如第1或第2個形態的氧化銦 系靶，其中，使相對於1莫耳銦的錫之莫耳比y為〇. 23以 下，相對於1莫耳銦的釔之莫耳比X為0. 08以下。 在這樣的第3個形態中，藉由在規定範圍内含有Sn及 Y，而可以250°C的退火處理後成膜為比電阻在3.0xl0_4 Ω · cm以下的膜。 (發明的效果） 依照本發明，藉由在規定範圍内含有Sn及Y，而可以 不到100°C的成膜溫度使非晶形膜成膜，再藉由100至300 °C的退火處理而可進行結晶。因此發揮下述效果可提供一 種氧化銦系靶，其可容易獲得非晶形膜，該非晶形膜可藉 由弱酸蝕刻而易於進行圖案化，並且容易結晶，更且結晶 性而成之膜可成膜為低電阻且高透過率的透明導電膜。 【實施方式】 實施發明的最佳形態 形成本發明的氧化銦系透明導電膜時所使用的透明導 電膜用濺鍍靶，為含有氧化銦及錫同時也含有釔的氧化物 燒結體，釔只要以維持其氧化物之狀態存在、或以複合氧 化物之狀態、或以固熔體之狀態存在即可，無特別的限制。 此處，所謂氧化銦系靶，是指具備氧化銦系燒結體的 靶，除了使用於藉由濺鍍而成膜為透明導電膜時的濺鍍靶 5 320651 200923115 之外，也包含使用於藉由離子鍍覆而成膜為透明導電膜的 離子鍍覆用靶（也可稱為顆粒（pellet))。 釔及錫的含量，是相對於1莫耳銦的錫之莫耳比y在 以相對於1莫耳銦的釔之莫耳比X表示的（-2. 5xl(T2Ln(x)-5. 8χ1(Γ2)之值以上，且在（-1. 0x10—Wx)·^. 0χ1(Γ2)的值以 下之範圍。同時，藉由上述氧化銦系靶而形成的透明導電 膜中添加元素的含量，與所使用的氧化銦系革巴中之含量是 同樣的含量。 當這樣的氧化銦系靶為濺鍍靶時，因其具有可以DC磁 控錢鑛法（magnetron sputtering)藏鍵之程度的電阻值， 而可以比較價廉的DC磁控濺鍍法濺鍍，當然也可使用高頻 磁控濺鍍裝置。 藉由這種氧化銦系靶的使用，即可形成同一組成的氧 化銦系透明導電膜。這種氧化銦系透明導電膜之組成分 析，可將單膜全部溶解後以ICP分析。同時，當膜自身為 元件組成時等，也可配合需要而藉由FIB等切出相對應之 部份的剖面後，使用附在SEM或TEM等中的元素分析裝置 (EDS或WDS、歐傑（Auger)分析等）進行特定。 這樣的本發明的氧化銦系靶，因Sn及Y是含在規定範 圍内，而可藉由在低於100°C的溫度條件進行成膜，使非 晶形狀態的膜成膜。同時，這種非晶形膜具有可以弱酸性 蝕刻劑進行蝕刻的優點。此處，本說明書中的蝕刻是包括 在圖案化步驟中，且是用以得到所規定圖案者。 另外，所得的透明導電膜之電阻率，雖然也因添加元 6 320651 200923115 素的種類、含量而不同，但電阻率為1. OxlO—4至1. 0χ10_3 Ω · cm 〇 並且，所成膜的膜之結晶溫度因所含有添加元素之含 量而不同，雖然是含量越增加即越上昇，但可藉由在100 °匚至300°C的溫度條件下之退火，而使其結晶。由這樣的 溫度範圍已在一般的半導體製程中使用，故也可在這種製 程中使其結晶。同時，在此溫度範圍中，是以在l〇〇°C至 300°C使其結晶為佳，並以在150°C至250°C使其結晶更 佳，而最佳是以在200°C至250°C使其結晶。 此處所謂的退火，是指在大氣中、環境中、真空中等 中，以所要求的溫度加熱一定的時間。所謂的一定時間， 雖然一般為數分鐘至數小時左右，但若工業上效果相同則 以短時間為佳。 错由這樣的退火而結晶後之透明導電膜’可提rlj短波 長側的透過率，例如可使波長400至50Onm的平均透過率 成為85%以上。同時，也因此而無以ΙΖ0會成為問題之膜 帶黃色的問題。再者，一般短波長侧的透過率是以越高者 越佳。 另一方面，結晶後的透明導電膜，可提高其耐蝕刻性， 而使可蝕刻非晶形膜的弱酸性蝕刻劑變成不能蝕刻。因此 即可提高後段步驟的耐腐蝕性、和裝置自身的耐環境性。 因此在本發明中，可藉由改變添加元素的含量，而調 整成膜之膜的結晶溫度，故在成膜後，可不接受結晶溫度 以上的溫度之熱處理、或使其維持在非晶形狀態、或在成 7 320651 200923115 膜後進行圖案化夕你 曰 後，以結晶溫度以上的温度熱處理而結 日日，而改變其耐蝕刻特性。 此處，當Ώ ν ^,如 及γ的含量，是相對於1莫耳銦的鍚之莫 〗b2 y以相對於1莫耳銦的纪之莫耳比X表示的（-2.6Χ π ^ & 1+5·1x10 2)之值以上的範圍時，使所成膜的非晶 =成為可成膜為在不到2_的退火溫度中不結晶，而 C以上的退火溫度結晶之透明導電膜者，而考量成 膜步驟時成為更理想的膜。 f ' 亚且，當相對於1莫耳銦的錫之莫耳比y為0.23以 ±才$於1莫耳銦的紀之莫耳比X為〇· 08以下之含量 ^ ’可成膜為以25(rc退火處理後的比電阻為3.0x10—4Ω · cm以下之尤其低電阻的膜者而更佳。 接著’雖然說明與本發明有關的氧化銦系靶之製造方 法彳:此等僅是例示者，製造方法並無特別的限制。 首先’在作為組成本發明的濺鍍靶之起始原料上，雖 I 然般疋使用組成元素的氧化物，但也可以此等的單體、 化合物、複合氧化物等作為原料。在使用單體、化合物時， 可預先使其通過製成氧化物的步驟。 以所要求的配合率將此等原料粉混合後成形的方法並 無特別限制，可使用以往即已知的各種濕式法或乾式法使 其成形。 至於乾式法，可舉例如冷壓（Cold Press)法或熱墨 (Hot Press)法等。在冷壓法中，是將混合粉填充到成形模 内製作成形體後，再進行煅燒。在熱壓法中，是使混合物 8 320651 200923115 在成形模内锻燒、燒結。 至於濕式法，以使用例如過濾式成形法（參照日本特開 平1 1-286002號公報）為佳。此過濾式成形法，是一種由非 水溶性材料組成的過濾式成形模，其係用以使陶瓷原料漿 液減壓排水後而得成形體，是由具有1個以上排水孔的成 形用下模、載置在此成形用下模之上方之具有透水性的過 濾器、與隔著用以密封此過濾器的密封材而從上方挾持的 成形用模框組成，前述成形用下模、成形用模框、密封材 及過濾器是以分別可各自分解的方式組裝，使用只可從該 過濾器面侧將漿液中的水分減壓排水的過濾式成形模，調 製由混合粉、離子交換水與有機添加劑組成的漿液後，將 此漿液注入過濾式成形模中，使漿液中的水分僅從該過濾 器面侧減壓排水，而製作成形體，再使所得的陶瓷成形體 乾燥脫脂後，予以煅燒。 以冷壓法或濕式法成形而成之成形體的煅燒溫度，是 以1，300至1，650°C為佳，並以1, 500至1，650°C更佳，其 環境為大氣環境、氧氣環境、非氧化性環境或真空環境等。 另一方面，在熱麼法時，是以在1，2 0 0 °C附近使其燒結為 佳，其環境為非氧化性環境或真空環境等。同時，在各方 法中在烺燒之後，施予機械加工後製作成成形加工為規定 尺寸的把。 (實施例） 以下是依照以濺鍍靶為例的實施例說明本發明，但本 發明並不侷限於此等例中。 320651 200923115 (減鑛#£製造例1)(γ_ΙΤ〇) (Υ 添加1TO，Y=0. 02-Sn=0· 10) 準備純度>99. 99%的In2〇3粉、Sn〇2粉及純度>99. 99 % 的 Y2(C〇3)3 · 3H2〇 粉。 首先，準備以 In2〇3粉 40. 2wt%及 Y2(C〇3)3.3H2〇 粉 59. 8 wt%的比率之試料總量2〇〇g，於乾燥狀態中以球磨機混合 後’在大氣中以l，2〇(rc預煅燒3小時後，得到γΐη〇3粉。 其次，準備以上述的ΥΙη〇3粉3. 6wt%、Ιη2〇3粉85. 6wt %及Sn〇2粉i〇.8wt%的比率之試料總量約1〇kg(各金屬 原子的組成是卜=88. 0 at. %、Sn=10. 〇 at. %、Y=2. 0 at. %)，將此等粉類放入球磨機内混合。之後，加入作為 黏&刎的PVA水溶液後混合’使其乾燥後，經冷壓後得到 成形體。於大氣中600。〇以60t/小時的速度昇溫丨〇小 時，使此成形體脫脂後，接著於氧氣環境下，以15501 锻燒8小時後得顺賴。具體上錢條件，是從室溫以 20(TC/小時昇温至8〇(rc，再從8〇(rCg 4〇(rc/小時昇

溫至l’55〇t後，維持8小時之後，再從1，55(TC以100〇C /小㈠·冷卻至室溫的條件。之後將此燒結體加工即得到 靶。此時的密度為7. 02g/cm3。 以同樣的操作，製造 Y=〇 〇5_Sn=〇. 1〇、γ=(). 25_Sn =0. 12的濺鍍靶。 並且，以同樣的操作’製造如表1中所示組成的濺鑛 320651 10 200923115 [表l] 試料編號 一〆 組成 (at%) 相對於1莫耳銦的比例 Γτη cj 1 1 . S n y Υ S η a 1 9 4 _ 5 5. 0 〇. 5 ο. 0 0 s 0 . 0 5 3 a 2 — 10.0 〇. 5 ο . 0 0 fi 0 . 112 a 3 15.0 〇. 5 ο 0 0 6 0 . 1 7 8 a 4 79^-J_ 2 0.0 0.5 ο. ο ο β 0 . 2 5 2 a 5 9j^-2—— 5 . 0 1.0 o-oi] 0.053 a 6 1 0 . 0 1.0 0.011 0 . 112 a 7 — 15.0 1. 0 0.012 0. 17 9 a 8 7 9 . 0 2 0.0 1.0 〇 - 0 13 0. 2 5 3 a 9 -^X-2__ 5. 〇 2. 〇 0 . 0 2 2 0.054 a 1 0 10.0 2.0 〇 . 0 2 3 0 . 114 all __ 15.0 2. 〇 0.024 0.181 a 1 2 -^Ts. 0 2 0.0 2. 0 0 . 0 2 6 0,256 a 1 3 ^ji-9__ 5 . 0 3. 〇 0 . 0 3 3 0 . 0 5 4 a 1 4 10.0 3. 〇 0 . 0 3 4 0.115 a 1 5 — 15.0 3. 〇 0 . 0 3 7 0 . 18 3 a 1 6 2 0.0 3. 〇 0 - 0 3 9 0 . 2 6 0 a 1 7 9^-9— 5.0 5. 〇 〇 . 0 5 6 0 . 0 5 6 a 1 8 _〇 10.0 5. 0 〇 . 0 5 9 0 . 118 a 1 9 __ 15.0 5. 〇 0 . 0 6 3 0 . 18 8 a 2 0 —— 2 0 . 0 5. 〇 〇 . 0 6 7 0 . 2 6 7 a 2 1 — 5 . 0 10.0 0. 118 0.059 a 2 2 •^55: 0 10.0 10.0 0. 12 5 0 , 12 5 a 2 3 15. 0 10.0 〇 . 13 3 0 · 2 0 0 a 2 4 ^T〇l_〇_ 2 0.0 10.0 0 . 14 3 0 . 2 8 6 a 2 5 一~^fZo〇〇 10.000 15.000 0. 200000 0. 133333 a 2 6 •^J3J00· 16. 000 0. lOfi 0. 001192 0. 190703 a 2 7 20. 000 0.010 0. 000125 0. 250031 a 2 8 22.000 0. 030 0. 000385 0. 282160 a 2 9 g2· δ〇〇 17.000 0. 500 0. 006061 0. 206061 a 3 0 〇〇〇 12. 000 25. 000 0. 396825 0· 190476 (成膜例1裘3) 依照下述實施成膜例1至3。 將各製造例 1 的靶之 Y=〇. 02-Sn= 0. 10、Y二 0. 05-Sn =〇. 10的組成物及γ=〇. 25-Sn=〇. 12的組成物，分別作 為成膜例1至3的靶，並將此等分別裝設在4英吋的DC磁 控濺鍍装置内，在基板溫度為室溫（約20。〇，並一邊使氧 11 320651 200923115 氣分壓於0至3. Osccm之間變化（相當於0至1. lxlO_2Pa) 時，得到各成膜例的透明導電膜。 依照以下的濺鍍條件，得到厚度1，200A的膜。 革巴的尺寸：0 = 4英对 t = 6mm 濺鍍方式：DC磁控濺鍍裝置 排氣裝置：旋轉幫浦+冷涞幫浦（cryopump) 到達真空度：5. 3xl(T6[Pa]

Ar 壓力：4. 0x10—iPa] 氧氣壓力：0至1. lxlO_2[Pa] 水壓力：5. Oxl(T6[Pa] 基板溫度：室溫 濺鍍電力：130W(電力密度1. 6 W/cm2) 使用基板：Corning# 1737(液晶顯示器用玻璃）t = 0. 8mm 測定以各氧氣分壓成膜的膜之電阻率、與以250°C將 各膜退火後的電阻率。結果如第1圖及第2圖中所示。 由此結果可知，在任何情況下都有最適氧氣分壓的存 在。 同時也可知，在任何情況下，室溫成膜的最適氧氣分 壓與250°C退火後成膜為最低電阻率時的氧氣分壓是不同 的。表2是表示室溫成膜的最適氧氣分壓與250°C退火後 成膜為最低電阻率時的氧氣分壓。因此，在成膜例1至3 中可知，在以250°C退火後成膜為最低電阻率時的氧氣分 壓下成膜之後，是以經250°C退火者可得到最低電阻率的 膜。 12 320651 200923115 曰在下述表2中，有最適氧氣分壓變化者以〇表示，無 最適氧氣分壓變化者以>< 表示。 …、 (试驗例1 ) ^在成膜例1至3中’將室溫成膜時以最適氧氣分壓下 製绝的透明導電膜，分別切出13mm見方的大小後，使此等 試料在大氣中以250°C退火1小時。成膜例1、2的退火前 後之薄膜XRD圖案，如第3目中所示。同時，有關成膜例 ‘至3對於至溫成膜時與250°C退火後的結晶狀態，如表 2中所示’ a為非晶形、c為結晶。 由此結果可確認，在為室溫成膜的成膜例丨至2時， ，然成膜時為非晶形膜，但以25(rc退火丨小時後形成結 曰曰。另一方面，在添加量較多的成膜例3中，即使成臈時 為非晶形，以25(TC退火也不結晶，再以300。(：退火也不^ 、会吉晶 ° (試驗例2) 對於各成膜例中成膜的各透明導電膜，測定其在室溫 成膜時的最適氧氣分壓成膜時之電阻率ρ (Ω ·。此外， 也測定對於試驗例1之退火後的試樣測定而得之電阻率。 此專結果如表2中所示。 由此結果可知，在為成膜例1、2時，其電阻率為3 〇 Χΐ(Γ4Ω · cm 以下。 不過，在成膜例3中，其電阻率為7.4〇χι〇-4ω ·⑽之 稍微高的電阻率。 (試驗例3) 320651 13 200923115 在成膜例1至3中，將室溫成膜時以最適氧氣分壓製 造的透明導電膜，分別切出13麵見方的大小後，測定其透 過光譜。同時，對於試驗例1的退火後之膜也測定同樣的 透過光譜。此等結果如第4圖中所示。同時，各成膜例1 至3的退火後之平均透過率如表2中所示。 由此等結果可知，成膜後退火前的透過光諸可藉由250 °C的退火1小時，而使吸收端位移到低波長侧，而改善顏 色。 (試驗例4) 在成膜例1至3中，將室溫成膜時以最適氧氣分壓製 造的透明導電膜，分別切出10X50mm的大小後，使用 ΙΤ0-05N(草酸系，關東化學（股）製）（草酸濃度50g/L)作 為蝕刻液，確認是否可以30°C的溫度進行蝕刻。同時，對 於試驗例1的退火後之試料也進行同樣的確認。此等結 果，如表2中所示，「〇」表示可蝕刻，「X」表示無法蝕刻。 由此結果也可知，由於成膜例1至3全部是非晶形膜， 故可以弱酸性敍刻。 14 320651 200923115 [表2 ] Ί4刻率 之可否 [Ο 或 X] | 〇 o 〇 辫ίΓ s CM (*5 σ> r*· CO σ> p- w eo ^nSg [a 或。] ο ϋ to 成膜時 結晶性 丨[a或c] | (0 <0 to [x 10-4Q -cm]( eo csi 气 成膜時 比電阻 [x10-4Q-cm] m CD 〇i CO CO 最適氧氣 分壓變化 1[〇或><]1 〇 O o 相對於銦1 莫耳的比例 I 0.023 0.059 0.400 組成[atX! >- s 5 0 01 ** C? o 〇 o o in CNi § CO s CO o n (D 添加 元素 >- > >· 試料名 Y=0.02 Sn=0.10 Y=0.05 Sn=0.10 Y=0.25 Sn=0.12 成膜例 1 成膜例2 3 200923115 (成膜例al至a30) 使用依照上述製造之如表1中所示組成的靶，將此等 分別裝設在4英吋的DC磁控濺鍍裝置上後，在基板溫度為 室溫（約20°C)，並一邊使氧氣分壓於0至3. Osccm之間變 化（相當於0至1. lxlO_2Pa)時，得到各組成的透明導電膜。 依照以下的濺鍍條件，得到厚度1, 200A的膜。 革巴的尺寸：0 = 4英叶 t= 6mm 濺鍍方式：DC磁控濺鑛裝置 排氣裝置：旋轉幫浦+冷凍幫浦 到達真空度：5. 3xl(T5[Pa]

Ar 壓力：4. OxlO_1[Pa] 氧氣壓力：0至1. lxlO_2[Pa] 水壓力：5.0xl(T5[Pa] 基板溫度.室溫 濺鍍電力·· 130W(電力密度1. 6 W/cm2) 使用基板：Corning # 1737 (液晶顯示器用玻璃）t = 0. 8_ 此時，雖然有較多的試料是室溫成膜的最適氧氣分 壓、與250°C退火後成膜為最低電阻率時的氧氣分屢不同 者，但依照組成，也有時無最適氧氣分壓的變化。 在下述表3中所示，〇表示有最適氧氣分壓的變化 者，X表示無最適氧氣分壓的變化者。 同時，將各組成以室溫成膜時的最適氧氣分壓製造的 透明導電膜，分別切出13mm見方的大小後，使此等試料在 大氣中以250°C退火1小時後，對於室溫成膜時與250°C退 16 320651 200923115 火後的結晶狀態，如表3中所示，a為非晶 pq ni 、、'口 曰日。 P、，測定各組成的結晶溫度，結果如表3中 結晶溫度是以騰之後，再使其結晶的溫度，以^ C成膜時不會成為非晶形者為不到10{rc。

亚且，已成膜的各透明導電膜，在以室溫成膜 適氧氣分虔成膜後，測定退火後而結晶的試料之電 (Ω .cm)。此等結果如表3中所示。 P 同和’將至溫成膜時以最適氧氣分壓製造的透明導

Hi切出13賴見方的大小後，對於退火後的膜測定其 透、“。退火後的平均透過率如表3所示。 、 同時’將以室溫歧時的最適減分壓製 =而^晶後的透明導電膜，分別切出的大= ^ t A (草㈣，關東化學（股）製）_濃度响 二)=1液’確認是否可以的溫度進㈣刻。此 蝕刻。 ϋ」表不可餘刻’「X」表示無法 。⑽第5圖中所示。在第5圖中，可以不到⑽ C的成膜 >皿度成膜為非晶 -

結晶的試料，其他則以▲表示。、不w以0至300°C 的錫之草=可知’當錫及記的含量，是相對於1莫耳銦 莫耳比y在以相對於1莫耳銦的纪之莫耳比x表干 的（―2.5χ1〇1η(χ)—5 8 7乙之其耳比x表不

LnCx)'^ η ιη-2\ 值以上，且在（-1. OxlCT1

的溫度條二仙下之範圍時，可藉料低於⑽。C 、又” ^仃’而在非晶形的狀態下成膜，且成膜後， 320651 17 200923115 ， 再經由以⑽至細t的退火後，即可成膜為結晶之膜。 之莫：:Γ:，#如及Y的含量，是相對於1莫耳鋼的錫 C26耳二:相對於1莫耳銦_之莫耳“表示的 ?，膜成為可成膜為在不到靴的退火溫度… :在200C以上的退火溫度結晶之透明導電 置成膜步驟時成為更適合的膜。 、者而考 下當相對於1莫耳銦的錫之莫耳比y為0 23以 ;對於1莫耳銦的妃之莫耳“為請以心; ◦ ’則可成膜為以25Gt;退火處理後的 u · cm以下之女甘把兩„ * υχιυ 义尤其低電阻的膜者而更佳。 320651 18 200923115 [表3] f

【圖式簡單說明】

第1圖（a)及（b)係表示本發明的成膜例卜2之氧 壓與電阻率的關係之圖。 第2圖係表示本發明的成膜例3之氧氣分麼與電阻率 的關係之圖。 第3圖（a)及（b)係表示本發明的成膜例】、2在退火前 後的薄膜XRD圖案之圖。 320651 19 200923115 第4圖（a)及（b)係表示本發明的成膜例1、2在退火前 後的透過光諸之圖。 第5圖係表示本發明的成膜例al至a30的結晶溫度之 圖。 20 320651

Claims (1)

1. 200923115 七、申請專利範圍： 銦絲，係具備含有氧化銦與朗時也含有妃 的氧化燒結體之氧化銦彳、#，其巾，錫及㈣含量係相 對於1莫耳_錫之料比7細相對於 之莫耳比X表示的㈠·5χ奶η(χ)_5.δχ1(Γ2)之值= 上’且在(-1划'心)—5.〇><1〇，的值以下之範圍。 2.如申請專利範圍第1JM的氧化銦系靶，其中，相對於1 莫耳銦的錫之莫耳比y在以相對於！莫耳銦•乙之莫耳 3.如申請專利範圍第1項的氧化銦系革巴，其巾，相對於 莫耳銦的錫之莫耳比7為〇.23以下，相對 ^ 的釔之莫耳比X為0.08以下。 冥耳南 4.如申請專利範圍第2項的氧化銦系靶 莫耳鋼的錫之莫耳比y為0.23以下， 的釔之莫耳比X為0.08以下。 其中’相對於1 相對於1莫耳鋼 320651 21