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KR20240122212A - 적층형 전자 부품 - Google Patents

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KR20240122212A
KR20240122212A KR1020230015100A KR20230015100A KR20240122212A KR 20240122212 A KR20240122212 A KR 20240122212A KR 1020230015100 A KR1020230015100 A KR 1020230015100A KR 20230015100 A KR20230015100 A KR 20230015100A KR 20240122212 A KR20240122212 A KR 20240122212A
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KR
South Korea
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region
fluorine
electronic components
dielectric
stacked electronic
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KR1020230015100A
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최호삼
심규정
박정진
최효성
이종호
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삼성전기주식회사
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Publication date
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Priority to US18/523,082 priority patent/US20240266114A1/en
Priority to JP2023204219A priority patent/JP2024110922A/ja
Priority to CN202410111408.XA priority patent/CN118448162A/zh
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Abstract

본 발명의 일 실시형태는 제1 방향으로 번갈아 배치되는 유전체층 및 내부 전극을 포함하는 용량 형성부 및 상기 용량 형성부의 상기 제1 방향으로 마주보는 양 단면 상에 배치되는 커버부를 포함하는 바디 및 상기 바디의 외부에 배치되어 상기 내부 전극과 연결되는 외부 전극을 포함하고, 상기 커버부는 상기 용량 형성부에 인접한 제1 영역 및 상기 커버부의 외측에 인접한 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역에 포함된 불소(F)의 함량은 상기 제1 영역에 포함된 불소(F)의 함량보다 큰 적층형 전자 부품을 제공한다.

Description

적층형 전자 부품{MULTILAYER ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은 적층형 전자 부품에 관한 것이다.
적층형 전자 부품의 하나인 적층 세라믹 커패시터(MLCC: Multi-Layered Ceramic Capacitor)는 액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display) 및 플라즈마 표시 장치 패널(PDP: Plasma Display Panel) 등의 영상 기기, 컴퓨터, 스마트폰 및 휴대폰 등 여러 전자 제품의 인쇄회로기판에 장착되어 전기를 충전시키거나 또는 방전시키는 역할을 하는 칩 형태의 콘덴서이다.
이러한 적층 세라믹 커패시터는 소형이면서 고용량이 보장되고 실장이 용이하다는 장점을 인하여 다양한 전자 장치의 부품으로 사용될 수 있다. 컴퓨터, 모바일 기기 등 각종 전자 기기가 소형화, 고출력화되면서 적층 세라믹 커패시터에 대한 소형화 및 고용량화의 요구가 증대되고 있다.
적층 세라믹 커패시터는 일반적으로 유전체층 및 내부 전극이 번갈아 배치되어 용량이 형성되는 용량 형성부와 상기 용량 형성부를 보호하기 위한 커버부를 포함한다. 한편, 적층 세라믹 커패시터의 초소형화 및 초고용량화를 구현하기 위해 유전체층을 박층화함에 따라 적층 세라믹 커패시터의 내전압 및 신뢰성 특성이 열화되는 문제점이 발생할 수 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 커버부의 치밀도를 향상시키고 커버부에 포함된 유전체 결정립의 크기를 감소시키는 방법을 고려할 수 있다.
다만, 커버부에 포함된 유전체 결정립의 크기를 감소시키면 내전압 및 신뢰성 특성 확보에는 유리할 수 있으나, 외부 충격에 의한 크랙(crack) 발생 등의 부효과를 야기할 수 있다. 따라서, 적층 세라믹 커패시터의 내전압 및 신뢰성 특성을 향상시키면서도 외부 충격에 의한 크랙 발생을 방지할 수 있는 커버부 구조에 관한 연구가 필요한 실정이다.
본 발명의 여러 목적 중 하나는 적층형 전자 부품의 내전압 및 신뢰성 특성을 향상시키는 것이다.
본 발명의 여러 목적 중 하나는 적층형 전자 부품에 크랙이 발생하는 것을 방지하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시형태는 제1 방향으로 번갈아 배치되는 유전체층 및 내부 전극을 포함하는 용량 형성부 및 상기 용량 형성부의 상기 제1 방향으로 마주보는 양 단면 상에 배치되는 커버부를 포함하는 바디 및 상기 바디의 외부에 배치되어 상기 내부 전극과 연결되는 외부 전극을 포함하고, 상기 커버부는 상기 용량 형성부에 인접한 제1 영역 및 상기 커버부의 외측에 인접한 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역에 포함된 불소(F)의 함량은 상기 제1 영역에 포함된 불소(F)의 함량보다 큰 적층형 전자 부품을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태는 제1 방향으로 번갈아 배치되는 유전체층 및 내부 전극을 포함하는 용량 형성부 및 상기 용량 형성부의 상기 제1 방향으로 마주보는 양 단면 상에 배치되는 커버부를 포함하는 바디 및 상기 바디의 외부에 배치되어 상기 내부 전극과 연결되는 외부 전극을 포함하고, 상기 커버부는 상기 용량 형성부에 인접한 제1 영역 및 상기 커버부의 외측에 인접한 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역은 불소(F)를 포함하며, 상기 제1 영역에 포함된 유전체 결정립의 평균 크기를 A1, 상기 제2 영역에 포함된 유전체 결정립의 평균 크기를 A2라 할 때, A2 > A1를 만족하는 적층형 전자 부품을 제공한다.
본 발명의 여러 효과 중 하나로서 적층형 전자 부품의 내전압 및 신뢰성 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 여러 효과 중 하나로서 적층형 전자 부품에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품을 개략적으로 나타낸 사시도다.
도 2는 도 1의 I-I` 절단 단면을 개략적으로 도시한 단면도다.
도 3은 도 1의 II-II` 절단 단면을 개략적으로 도시한 단면도다.
도 4는 도 3의 K1 영역 확대도다.
도 5는 실험예의 제1 영역을 주사전자현미경(SEM)으로 촬영한 이미지다.
도 6은 실험예의 제2 영역을 주사전자현미경(SEM)으로 촬영한 이미지다.
도 7은 비교예의 내습 신뢰성 평가 결과를 나타낸 그래프다.
도 8은 실험예의 내습 신뢰성 평가 결과를 나타낸 그래프다.
이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 통상의 기술자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 또한, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다. 나아가, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도면에서, 제1 방향은 두께(T) 방향, 제2 방향은 길이(L) 방향, 제3 방향은 폭(W) 방향으로 정의될 수 있다.
적층형 전자 부품
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품을 개략적으로 나타낸 사시도다.
도 2는 도 1의 I-I` 절단 단면을 개략적으로 도시한 단면도다.
도 3은 도 1의 II-II` 절단 단면을 개략적으로 도시한 단면도다.
도 4는 도 3의 K1 영역 확대도다.
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품(100)에 대하여 상세히 설명한다. 또한, 적층형 전자 부품의 일례로서 적층 세라믹 커패시터(Multi-layered Ceramic Capacitor, 이하 'MLCC'라 함)에 대하여 설명하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 적층형 전자 부품, 예를 들어, 인덕터, 압전체 소자, 바리스터, 또는 서미스터 등에도 적용될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품(100)은 제1 방향으로 번갈아 배치되는 유전체층(111) 및 내부 전극(121, 122)을 포함하는 용량 형성부(Ac) 및 상기 용량 형성부의 상기 제1 방향으로 마주보는 양 단면 상에 배치되는 커버부(112, 113)를 포함하는 바디(110) 및 상기 바디의 외부에 배치되어 상기 내부 전극과 연결되는 외부 전극(131, 132)을 포함하고, 상기 커버부는 상기 용량 형성부에 인접한 제1 영역(112a, 113a) 및 상기 커버부의 외측에 인접한 제2 영역(112b, 113b)을 포함하고, 상기 제2 영역에 포함된 불소(F)의 함량은 상기 제1 영역에 포함된 불소(F)의 함량보다 클 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 불소(F)가 저온 소결 조제의 역할을 수행함으로써 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 유전체 결정립(G2)의 입성장 및 치밀화를 유도할 수 있다. 이에 따라, 커버부(112, 113)의 외측에 인접한 제2 영역(112b, 113b)의 인성(toughness)을 향상시켜 외부 충격에 의한 크랙 발생을 방지할 수 있다.
또한, 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 불소(F)의 함량은 제1 영역(112a, 113a)에 포함된 불소(F)의 함량보다 클 수 있고, 이에 따라 제2 영역(112b, 113b)의 인성(toughness)을 향상시키면서도 용량 형성부(Ac)와 인접한 제1 영역(112a, 113a)의 입성장을 제어하여 적층형 전자 부품(100)의 내전압 및 신뢰성 특성을 확보할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품(100)에 포함되는 각각의 구성에 대하여 보다 자세히 설명한다.
바디(110)의 구체적인 형상에 특별히 제한은 없지만, 도시된 바와 같이 바디(110)는 육면체 형상이나 이와 유사한 형상으로 이루어질 수 있다. 소성 과정에서 바디(110)에 포함된 세라믹 분말의 수축이나 모서리부의 연마로 인해 바디(110)는 완전한 직선을 가진 육면체 형상은 아니지만 실질적으로 육면체 형상을 가질 수 있다.
바디(110)는 제1 방향으로 마주보는 제1면 및 제2면(1, 2), 상기 제1면 및 제2면(1, 2)과 연결되고 제2 방향으로 마주보는 제3면 및 제4면(3, 4), 제1면 내지 제4면(1, 2, 3, 4)과 연결되며 제3 방향으로 마주보는 제5면 및 제6면(5, 6)을 가질 수 있다.
바디(110)는 유전체층(111) 및 내부 전극(121, 122)이 교대로 적층되어 있을 수 있다. 바디(110)를 형성하는 복수의 유전체층(111)은 소성된 상태로서, 인접하는 유전체층(111) 사이의 경계는 주사전자현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)을 이용하지 않고 확인하기 곤란할 정도로 일체화될 수 있다.
유전체층(111)은 세라믹 분말, 유기 용제 및 바인더를 포함하는 세라믹 슬러리를 제조하고, 상기 슬러리를 캐리어 필름(carrier film) 상에 도포 및 건조하여 세라믹 그린 시트를 마련한 후, 상기 세라믹 그린 시트를 소성함으로써 형성할 수 있다. 세라믹 분말은 충분한 정전 용량을 얻을 수 있는 한 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 티탄산바륨계 재료, 납 복합 페로브스카이트계 재료 또는 티탄산스트론튬계 재료 등을 사용할 수 있으며, 상기 세라믹 분말의 예시로, BaTiO3, BaTiO3에 Ca(칼슘), Zr(지르코늄) 등이 일부 고용된 (Ba1-xCax)TiO3 (0<x<1), Ba(Ti1-yCay)O3 (0<y<1), (Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3 (0<x<1, 0<y<1)또는 Ba(Ti1-yZry)O3 (0<y<1) 등을 들 수 있다.
일 실시예에서, 유전체층(111)은 불소(F)를 포함할 수 있다. 저온 소결 조제인 불소(F)를 포함함으로써 유전체층(111)에 포함된 유전체 결정립의 입성장을 유도할 수 있고, 이로써 적층형 전자 부품의 용량 측면에서 유리한 이점이 있을 수 있다. 다만, 유전체층(111)에 포함된 유전체 결정립이 과도하게 입성장하면 온도 및 DC 전압에 따른 용량 변화율이 증가할 수 있고, 유전체층 당 유전체층 결정립 개수의 감소로 인해 신뢰성이 저하될 우려가 있다. 따라서, 유전체층(111)은 불소(F)를 포함하지 않거나, 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 불소(F)의 함량보다 적은 함량의 불소(F)를 포함할 수도 있다.
유전체층(111)의 평균 두께(td)는 특별히 한정할 필요는 없다. 다만, 유전체층(111)의 두께가 얇아질수록 적층형 전자 부품의 내전압 및 신뢰성 특성이 열화될 수 있고, 전압 인가 시 발생하는 응력에 의해 크랙이 쉽게 발생하는 문제점이 있다. 반면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품의 경우, 제2 영역(112b, 113b)이 불소를 포함하고, 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 불소(F)의 함량이 제1 영역(112a, 113a)에 포함된 불소(F)의 함량보다 큼으로써 유전체층(111)의 평균 두께(td)가 0.4 ㎛ 이하인 경우에도 적층형 전자 부품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
여기서 유전체층(111)의 평균 두께(td)는 내부 전극(121, 122) 사이에 배치되는 유전체층(111)의 제1 방향 크기를 의미한다. 유전체층(111)의 평균 두께는 바디(110)의 제1 방향 및 제2 방향 단면을 1만 배율의 주사전자현미경(SEM)으로 스캔하여 측정할 수 있다. 보다 구체적으로, 하나의 유전체층(111)의 다수의 지점, 예를 들면 제2 방향으로 등간격인 30개의 지점에서 그 두께를 측정하여 평균값을 측정할 수 있다. 상기 등간격인 30개의 지점은 후술할 용량 형성부(Ac)에서 지정될 수 있다. 또한, 이러한 평균값 측정을 10개의 유전체층(111)으로 확장하여 평균값을 측정하면, 유전체층(111)의 평균 두께를 더욱 일반화할 수 있다.
내부 전극(121, 122)은 유전체층(111)과 번갈아 배치될 수 있으며, 예를 들면, 서로 다른 극성을 갖는 한 쌍의 전극인 제1 내부 전극(121)과 제2 내부 전극(122)이 유전체층(111)을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치될 수 있다. 제1 내부 전극(121) 및 제2 내부 전극(122)은 그 사이에 배치된 유전체층(111)에 의해 서로 전기적으로 분리될 수 있다.
제1 내부 전극(121)은 제4면(4)과 이격되며 제3면(3)과 연결되도록 배치될 수 있다. 또한, 제2 내부 전극(122)은 제3면(3)과 이격되며 제4면(4)과 연결되도록 배치될 수 있다.
내부 전극(121, 122)에 포함되는 도전성 금속은 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 주석(Sn), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금 중 하나 이상일 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
내부 전극(121, 122)은 세라믹 그린시트 상에 소정의 두께로 도전성 금속을 포함하는 내부전극용 도전성 페이스트를 도포하고 소성함으로써 형성될 수 있다. 내부전극용 도전성 페이스트의 인쇄방법은 스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법 등을 사용할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
내부 전극(121, 122)의 평균 두께(te)는 특별히 한정할 필요는 없다. 다만, 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품의 경우, 제2 영역(112b, 113b)이 불소를 포함하고, 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 불소(F)의 함량이 제1 영역(112a, 113a)에 포함된 불소(F)의 함량보다 큼으로써 내부 전극(121, 122)의 평균 두께(te)가 0.4 ㎛ 이하인 경우에도 적층형 전자 부품의 신뢰성을 확보할 수 있다.
내부 전극(121, 122)의 평균 두께(te)는 내부 전극(121, 122)의 제1 방향 크기를 의미한다. 여기서 내부 전극(121, 122)의 평균 두께는 바디(110)의 제1 방향 및 제2 방향 단면을 1만 배율의 주사전자현미경(SEM)으로 스캔하여 측정할 수 있다. 보다 구체적으로, 하나의 내부 전극(121, 122)의 다수의 지점, 예를 들면 제2 방향으로 등간격인 30개의 지점에서 그 두께를 측정하여 평균값을 측정할 수 있다. 상기 등간격인 30개의 지점은 후술할 용량 형성부(Ac)에서 지정될 수 있다. 또한, 이러한 평균값 측정을 10개의 내부 전극(121, 122)으로 확장하여 평균값을 측정하면, 내부 전극(121, 122)의 평균 두께를 더욱 일반화할 수 있다.
바디(110)는 바디(110)의 내부에 배치되며, 유전체층(111)을 사이에 두고 서로 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극(121. 122)을 포함하여 용량이 형성되는 용량 형성부(Ac)와 용량 형성부(Ac)의 제1 방향으로 마주보는 양 단면 상에 각각 배치되는 제1 커버부(112) 및 제2 커버부(113)를 포함할 수 있다. 커버부(112, 113)는 기본적으로 물리적 또는 화학적 스트레스에 의한 내부 전극의 손상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
커버부(112, 113)는 용량 형성부(Ac)에 인접한 제1 영역(112a, 113a) 및 상기 커버부의 외측에 인접한 제2 영역(112b, 113b)를 포함할 수 있다. 제1 영역(112a, 113a) 및 제2 영역(112b, 113b)은 유전체층(111)과 유사한 구성을 가질 수 있고, 이에 따라 BaTiO3계를 주성분으로 포함할 수 있다. 이때, 제2 영역(112b, 113b)은 복수의 유전체 결정립(G2) 및 인접한 유전체 결정립 상에 배치되며 불소(F)를 포함하는 결정립계(GB2)를 포함할 수 있다.
상기 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 불소(F)는 커버부(112, 113)의 소성 과정에서 저온 소결 조제로서의 역할을 수행할 수 있다. 따라서, 제2 영역(112b, 113b)은 불소(F)에 의해 낮은 온도에서부터 소성이 진행될 수 있고, 이로써 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 유전체 결정립(G2)의 입성장 및 치밀화를 유도할 수 있다. 결과적으로, 커버부(112, 113)의 외측에 인접한 제2 영역(112b, 113b)의 인성(toughness)을 향상시켜 외부 충격에 의한 크랙을 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 제2 영역(112b, 113b)은 Ca, Al, Li, Co, Zn, Mn, Mg 및 S 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 불소(F)는 상기 원소들과 결합하여 일종의 화합물을 형성할 수 있고, 상기 화합물이 유전체 결정립 치밀화를 유도함으로써 본 발명의 인성(toughness) 향상 효과가 더욱 현저해질 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 불소(F)의 함량은 제1 영역(112a, 113a)에 포함된 불소(F)보다 클 수 있다. 이에 따라, 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 유전체 결정립(G2)에 비해 용량 형성부(Ac)에 인접한 제1 영역(112a, 113a)에 포함된 유전체 결정립(G1)의 입성장을 제어함으로써 적층형 전자 부품의 내전압 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
제1 영역(112a, 113a)에 포함된 불소(F)의 함량은 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 불소(F)의 함량보다 작으면 족하므로, 제1 영역(112a, 113a)의 결정립계(GB1)는 불소(F)를 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 영역(112a, 113a)은 불소(F)를 포함하지 않을 수도 있다.
커버부(112, 113)는 예를 들어, 용량 형성부(Ac) 상에 제1 영역(112a, 113a)을 형성하는 제1 유전체 패턴을 1개 이상 적층하고, 제2 영역(112b, 113b)을 형성하는 제2 유전체 패턴을 1개 이상 적층한 후 소성함으로써 형성할 수 있다. 이때, 상기 제2 영역을 형성하는 제2 유전체 패턴에 저온 소결 조제인 불소(F) 성분을 첨가함으로써 상기 제2 영역에 포함된 불소(F)의 함량이 상기 제1 영역에 포함된 불소(F)의 함량보다 클 수 있다. 여기서, 상기 제2 유전체 패턴에 첨가되는 불소(F) 성분은 예를 들어, 대전 방지제로서의 역할을 수행하는 불소계 화합물 형태일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 영역(112a, 113a)에 포함된 불소(F)의 함량과 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 불소(F)의 함량을 측정하는 방법은 특별히 한정할 필요는 없다. 예를 들어, 제1 영역(112a, 113a)에 포함된 불소(F) 및 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 불소(F)는 비행 시간형 2차 이온 질량 분석(TOF-SIMS)에 의한 음이온 분석을 통해 측정할 수 있다.
예를 들어, 바디(110)의 제3 방향 중앙에서 절단한 제1 및 제2 방향 단면 또는 바디(110)의 제2 방향 중앙에서 절단한 제1 및 제3 방향 단면에서 제1 영역(112a, 113a) 및 제2 영역(112b, 113b)이 배치된 영역에 대해 비행 시간형 2차 이온 질량 분석(TOF-SIMS)을 실시함으로써 제1 영역(112a, 113a) 및 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 불소(F)를 측정할 수 있다. 이때, 제2 영역(112b, 113b)은 비행 시간형 2차 이온 질량 분석(TOF-SIMS)에 의한 음이온 분석 시, 불소 이온(F-)이 검출될 수 있다.
한편, 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 불소(F)의 함량은 제1 영역(112a, 113a)에 포함된 불소(F)의 함량보다 크므로, 제1 영역(112a, 113a)의 비행 시간형 2차 이온 질량 분석(TOF-SIMS)에 의한 음이온 분석에서, 전체 음이온의 검출 강도에 대한 상기 불소 이온(F-)의 검출 강도의 비율을 I1, 제2 영역(112b, 113b)의 비행 시간형 2차 이온 질량 분석(TOF-SIMS)에 의한 음이온 분석에서, 전체 음이온의 검출 강도에 대한 상기 불소 이온(F-)의 검출 강도의 비율을 I2라 할 때, I2 > I1을 만족할 수 있다.
다만, 제1 영역(112a, 113a) 및 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 불소(F)를 측정하는 방법은 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 X선 광전자 분광법, 적외선 분광법 등 다양한 검출 장치로도 측정할 수 있을 것이다.
일 실시예에서, 제1 영역(112a, 113a)에 포함된 유전체 결정립(G1)의 평균 크기를 A1, 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 유전체 결정립(G2)의 평균 크기를 A2라 할 때, A2 > A1를 만족할 수 있다. A1 및 A2를 조절하는 방법은 특별히 한정할 필요는 없으나, 유전체 결정립의 입성장을 유도하는 불소(F)의 함량 차이를 통해 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 유전체 결정립(G2)의 평균 크기(A2)가 제1 영역(112a, 113a)에 포함된 유전체 결정립(G1)의 평균 크기(A1)보다 크도록 조절할 수 있다. A2 > A1를 만족함으로써 전술한 제2 영역(112b, 113b)의 인성 향상 효과 및 적층형 전자 부품의 내전압 및 신뢰성을 향상 효과가 더욱 현저해질 수 있다.
상기 A1 및 A2는 예를 들어, 바디(110)의 제3 방향 중앙에서 절단한 제1 및 제2 방향 단면 또는 바디(110)의 제2 방향 중앙에서 절단한 제1 및 제3 방향 단면에서 제1 영역(112a, 113a) 및 제2 영역(112b, 113b)을 주사전자현미경(SEM)으로 50,000배 확대한 이미지를 얻은 후, 상기 이미지를 이미지 분석 프로그램, 예를 들어, Zootos사의 Zootos Program을 이용해 분석하여 얻은 유전체 결정립 크기의 평균값을 의미할 수 있다. 또는, Sigma scan Program을 이용하여 유전체 결정립의 평균 크기를 측정할 수도 있다.
상기 A2는 특별히 한정할 필요는 없으나, 예를 들어 180nm 이상 270nm 이하일 수 있다. 상기 A2가 180nm 미만인 경우, 전술한 제2 영역(112b, 113b)의 인성 향상 효과가 미미할 수 있다. 또한, A2가 270nm 초과인 경우, 제2 영역(112b, 113b)의 과소성으로 인한 수축 증가로 응력이 증가하여 크랙이나 변형 불량 등이 발생할 우려가 있다.
일 실시예에서, 제1 영역(112a, 113a)에 포함된 유전체 결정립(G1)의 Ba/Ti의 몰비를 M1, 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 유전체 결정립(G2)의 Ba/Ti의 몰비를 M2라 할 때, M1 > M2를 만족할 수 있다. M1 > M2를 만족하는 경우, 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 유전체 결정립(G2) 대비 제1 영역(112a, 113a)에 포함된 유전체 결정립(G1)의 입성장을 억제할 수 있다. 또한, 제1 영역(112a, 113a)에 포함된 유전체 결정립(G1)의 산포를 제어함으로써 적층형 전자 부품의 내전압 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기 M1은 특별히 한정할 필요는 없으나, 예를 들어 0.999 이상 1.05 이하일 수 있다. 상기 M1이 0.999 미만인 경우, 유전체 결정립의 입성장 제어 효과가 미미할 수 있다. 또한, 상기 M1이 1.05 초과인 경우, 제1 영역(112a, 113a) 내에 포어(pore)가 증가하여 치밀도가 저하되는 문제점이 발생할 수 있다.
상기 M1을 조절하는 방법은 특별히 한정할 필요는 없다. 예를 들어, 제1 영역(112a, 113a)을 형성하는 세라믹 슬러리에 Ba를 포함하는 산화물 및/또는 탄산염 등과 같은 Ba 첨가제를 첨가함으로써 Ba/Ti의 몰비를 증가시킬 수 있다.
상기 M1 및 M2를 측정하는 방법은 특별히 한정할 필요는 없으나, 예를 들어 바디(110)의 제3 방향 중앙에서 절단한 제1 및 제2 방향 단면 또는 바디(110)의 제2 방향 중앙에서 절단한 제1 및 제3 방향 단면에서 제1 영역(112a, 113a) 및 제2 영역(112b, 113b)을 X선 마이크로 분석기(EPMA)를 구비한 주사전자현미경(SEM) 또는 투과전자현미경(TEM)을 이용하여 측정하거나, XRF 등을 이용하여 상기 M1 및 M2를 측정할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 영역(112a, 113a)의 평균 두께를 T1, 제2 영역(112b, 113b)의 평균 두께를 T2라 할 때, T2/T1는 1 이상 4 이하일 수 있다. 상기 T2/T1가 상기 범위를 만족하는 경우, 본 발명의 인성(toughness) 향상 효과, 내전압 특성 및 신뢰성 향상 효과가 더욱 현저해질 수 있다.
제1 영역(112a, 113a)의 평균 두께(T1)는 제1 영역(112a, 113a)의 제1 방향으로의 평균 크기를 의미할 수 있고, 제2 영역(112b, 113b)의 평균 두께(T2)는 제2 영역(112b, 113b)의 제1 방향으로의 평균 크기를 의미할 수 있다. 또한, 상기 T1은 바디(110)의 제3 방향 중앙에서 절단한 제1 방향 및 제2 방향 단면 또는 바디(110)의 제2 방향 중앙에서 절단한 제1 방향 및 제3 방향 단면에서 등간격인 5개 지점에서 측정한 제1 영역(112a, 113a)의 제1 방향 크기를 평균한 값일 수 있고, 상기 T2는 바디(110)의 제3 방향 중앙에서 절단한 제1 방향 및 제2 방향 단면 또는 바디(110)의 제2 방향 중앙에서 절단한 제1 방향 및 제3 방향 단면에서 등간격인 5개 지점에서 측정한 제2 영역(112b, 113b)의 제1 방향 크기를 평균한 값일 수 있다. 제1 영역(112a, 113a) 및 제2 영역(112b, 113b) 사이의 경계는 불소(F)의 함량, 유전체 결정립의 크기 및/또는 유전체 결정립의 Ba/Ti의 몰비가 급격하게 변하는 지점일 수 있고, 상기 T1 및 T2는 상기 경계를 기준으로 측정될 수 있다.
커버부(112, 113)의 평균 두께는 특별히 한정할 필요는 없다. 다만, 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품의 경우, 제2 영역(112b, 113b)이 불소를 포함하고, 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 불소(F)의 함량이 제1 영역(112a, 113a)에 포함된 불소(F)의 함량보다 큼으로써 커버부(112, 113)의 평균 두께가 20㎛ 이하인 경우에도 적층형 전자 부품의 신뢰성을 확보할 수 있다.
여기서, 커버부(112, 113)의 평균 두께는 제1 커버부(112) 및 제2 커버부(113) 각각의 평균 두께를 의미한다. 또한, 커버부(112, 113)의 평균 두께는 커버부(112, 113)의 제1 방향으로의 평균 크기를 의미할 수 있으며, 바디(110)의 제1 방향 및 제2 방향 단면에서 등간격인 5개 지점에서 측정한 제1 방향 크기를 평균한 값일 수 있다.
바디(110)는 용량 형성부(Ac)의 제3 방향으로 마주보는 양면 상에 배치되는 마진부(114, 115)를 포함할 수 있다. 즉, 마진부(114, 115)는 바디(110)를 제1 방향 및 제3 방향으로 자른 단면에서 내부 전극(121, 122)의 양 끝과 바디(110)의 경계면 사이의 영역을 의미할 수 있다. 이때, 마진부(114, 115)는 바디(110)의 제5면(5) 측에 배치된 제1 마진부(114) 및 바디(110)의 제6면(6) 측에 배치된 제2 마진부(115)를 포함할 수 있다.
마진부(114, 115)는 내부 전극(121, 122)을 포함하지 않는 것을 제외하고는 유전체층(111)과 동일한 재료를 포함할 수 있다. 마진부(114, 115)는 기본적으로 물리적 또는 화학적 스트레스에 의한 내부 전극(121, 122)의 손상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
마진부(114, 115)는 세라믹 그린시트 상에 마진부가 형성될 곳을 제외하고 내부 전극용 도전성 페이스트를 도포하고 소성함으로써 형성된 것일 수 있다. 또는, 내부 전극(121, 122)에 의한 단차를 억제하기 위하여, 적층 후 내부 전극(121, 122)이 바디의 제5면 및 제6면(5, 6)과 연결되도록 절단한 후, 단일 유전체층 또는 2개 이상의 유전체층을 용량 형성부(Ac)의 제3 방향으로 마주보는 양면 상에 적층함으로써 마진부(114, 115)를 형성할 수도 있다.
마진부(114, 115)의 평균 두께는 특별히 한정할 필요는 없다. 다만, 적층형 전자 부품의 소형화 및 고용량화를 위해 마진부(114, 115)의 평균 두께는 20㎛ 이하일 수 있다. 전술한 바와 같이, 마진부(114, 115)의 평균 두께가 20㎛ 이하인 경우에도, 제2 영역(112b, 113b)이 불소를 포함하고, 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 불소(F)의 함량이 제1 영역(112a, 113a)에 포함된 불소(F)의 함량보다 큼으로써 적층형 전자 부품의 신뢰성을 확보할 수 있다.
여기서, 마진부(114, 115)의 평균 두께는 제1 마진부(114) 및 제2 마진부(115) 각각의 평균 두께를 의미한다. 마진부(114, 115)의 평균 두께는 마진부(114, 115)의 제3 방향 평균 크기를 의미할 수 있으며, 바디(110)의 제1 방향 및 제3 방향 단면에서 등간격인 5개의 지점에서 측정한 제3 방향 크기를 평균한 값일 수 있다.
외부 전극(131, 132)은 바디(110)의 외부에 배치되어 내부 전극(121, 122)과 연결될 수 있다. 외부 전극(131, 132)은 제3면(3)에 배치되어 제1 내부 전극(121)과 연결되는 제1 외부 전극(131) 및 제4면(4)에 배치되어 제2 내부 전극(122)과 연결되는 제2 외부 전극(132)을 포함할 수 있다. 외부 전극(131, 132)은 제1면, 제2면, 제5면 및 제6면(1, 2, 5, 6)의 일부 상으로 연장되어 배치될 수 있다.
외부 전극(131, 132)은 내부 전극(121, 122)과 연결되는 제1 전극층(131a, 132a) 및 상기 제1 전극층 상에 배치되는 제2 전극층(131b, 132b)을 포함할 수 있다. 제1 전극층(131a, 132a)은 금속 및 글라스를 포함할 수 있고, 상기 글라스는 바디(110)와 외부 전극(131, 132) 사이의 접합력을 향상시키는 역할을 수행할 수 있다.
제1 전극층(131a, 132a)은 바디(110)의 제3면 및 제4면(3, 4)을 도전성 금속 및 글라스를 포함하는 외부전극용 도전성 페이스트에 디핑(dipping)한 후 소성함으로써 형성될 수 있다. 또는 도전성 금속 및 글래스를 포함하는 시트를 전사하는 방식으로 형성될 수도 있다.
제1 전극층(131a, 132a)에 포함되는 도전성 금속은 구리(Cu),　니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 납(Pb) 및/또는 이를 포함하는 합금 등을 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극층(131b, 132b)은 실장 특성을 향상시킬 수 있다. 제2 전극층(131b, 132b)의 종류는 특별히 한정하지 않으며, 니켈(Ni), 주석(Sn), 팔라듐(Pd) 및/또는 이를 포함하는 합금 등을 포함하는 도금층일 수 있고, 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 제2 전극층(131b, 132b)은, 예를 들면, 니켈(Ni) 도금층 또는 주석(Sn) 도금층일 수 있으며, 니켈(Ni) 도금층 및 주석(Sn) 도금층이 순차적으로 형성된 형태일 수도 있다. 또한, 제2 전극층(131b, 132b)은 복수의 니켈(Ni) 도금층 및/또는 복수의 주석(Sn) 도금층을 포함할 수도 있다.
도면에서는 적층형 전자 부품(100)이 2개의 외부 전극(131, 132)을 갖는 구조를 설명하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 외부 전극(131, 132)의 개수나 형상 등은 내부 전극(121, 122)의 형태나 기타 다른 목적에 따라 바뀔 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품에 대하여 설명하도록 한다. 다만, 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품은 상술한 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품과 마찬가지의 구성을 가질 수 있다. 따라서, 상술한 본 발명의 일 실시형태와 중복되는 설명은 생략하도록 한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품(100)은 제1 방향으로 번갈아 배치되는 유전체층(111) 및 내부 전극(121, 122)을 포함하는 용량 형성부(Ac), 및 상기 용량 형성부의 상기 제1 방향으로 마주보는 양 단면 상에 배치되는 커버부(112, 113)를 포함하는 바디(110) 및 상기 바디의 외부에 배치되어 상기 내부 전극과 연결되는 외부 전극(131, 132)을 포함하고, 상기 커버부는 상기 용량 형성부에 인접한 제1 영역(112a, 112b), 및 상기 커버부의 외측에 인접한 제2 영역(112b, 113b)을 포함하고, 상기 제2 영역은 불소(F)를 포함하며, 상기 제1 영역에 포함된 유전체 결정립(G1)의 평균 크기를 A1, 상기 제2 영역에 포함된 유전체 결정립(G2)의 평균 크기를 A2라 할 때, A2 > A1를 만족할 수 있다.
전술한 바와 같이, 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 불소(F)는 커버부(112, 113)의 소성 과정에서 저온 소결 조제로서의 역할을 수행함으로써 제2 영역(112b, 113b)에 포함된 유전체 결정립(G2)의 입성장 및 치밀화를 유도할 수 있다. 이로써 커버부(112, 113)의 외측에 인접한 제2 영역(112b, 113b)의 인성(toughness)을 향상시켜 외부 충격에 의한 크랙을 방지할 수 있다.
또한, A2 > A1를 만족함으로써 커버부(112, 113)의 외측에 인접한 제2 영역(112b, 113b)의 인성을 향상시켜 외부 충격에 의한 크랙을 방지하면서도, 용량 형성부(Ac)와 인접한 제1 영역(112a, 113a)의 입성장을 제어하여 적층형 전자 부품의 내전압 특성 및 신뢰성을 확보할 수 있다.
(실험예)
<제1 영역 및 제2 영역에 포함된 유전체 결정립의 크기 비교>
우선, 유전체층 및 내부 전극을 적층된 용량 형성부를 형성한 후, 상기 용량 형성부의 제1 방향으로 마주보는 양 단면 상에 제1 영역을 형성하는 제1 유전체 패턴을 적층하고, 제2 영역을 형성하는 제2 유전체 패턴을 적층한 후 소성하여 커버부를 포함하는 바디를 마련하였다.
이때, 상기 제1 및 제2 유전체 패턴은 BaTiO3계 분말, 바인더, 유기 용제 및 분산제 등을 포함하는 세라믹 슬러리를 캐리어 필름(carrier film) 상에 인쇄 및 건조함으로써 형성하였다. 이때, 제1 유전체 패턴을 형성하는 세라믹 슬러리에는 불소계 화합물을 첨가하지 않고, Ba 첨가제를 첨가함으로써 소성 후 제1 영역에 포함된 유전체 결정립의 Ba/Ti의 몰비가 0.999 내지 1,05가 되도록 하였다. 또한, 제2 유전체 패턴을 형성하는 세라믹 슬러리에는 대전 방지제로 불소계 화합물을 첨가하였다.
다음으로, 바디의 외부에 내부 전극과 연결되는 외부 전극을 형성함으로써 실험예의 샘플 칩을 마련하였다. 비교예의 샘플 칩은 실험예와 동일한 방법으로 제조하되, 비교예의 샘플 칩은 불소계 화합물을 첨가하지 않았으며, 용량 형성부에 인접한 영역과 커버부의 외측에 인접한 영역을 구분하지 않은 단일 커버부로 제작하였다.
다음으로, 상기 제1 영역 및 제2 영역에 포함된 유전체 결정립의 평균 크기(A1, A2)를 측정하였다. 바디의 제3 방향 중앙에서 절단한 제1 및 제2 방향 단면에서, 커버부의 제2 방향 중앙 영역을 주사전자현미경(SEM)으로 50,000배 확대한 이미지를 관찰하였다.
도 5는 실험예의 제1 영역을 주사전자현미경(SEM)으로 촬영한 이미지다. 도 6은 실험예의 제2 영역을 주사전자현미경(SEM)으로 촬영한 이미지다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 실험예의 제2 영역은 제1 영역에 비해 유전체 결정립의 평균 크기가 큰 것을 확인할 수 있다. 이는 제2 영역에 포함된 불소(F)가 저온 소결 조제로서의 역할을 수행하여 제2 영역에 포함된 유전체 결정립의 입성장을 유도한 것으로 예상된다.
<제2 영역의 인성(toughness) 평가>
다음으로, 각 샘플 칩의 제2 영역에 대해 비행 시간형 2차 이온 질량 분석(TOF-SIMS)에 의한 음이온 분석을 실행하였다. 이때, 전체 음이온의 검출 강도에 대한 불소 이온(F-)의 검출 강도의 비율을 측정하여 하기 표 1에 기재하였다. 또한, 각 샘플 칩의 제2 영역에 대한 비행 시간형 2차 이온 질량 분석(TOF-SISMS)은 각 샘플 칩의 제1면 또는 제2면에 배치된 제2 영역의 외표면을 약 10nm 식각한 후 제2 방향 크기 × 제3 방향 크기 = 100 ㎛ × 100 ㎛인 영역에 대해 실시하였다.
또한, 제1면 또는 제2면에 배치된 제2 영역의 외표면에 대해 비커스 경도계(Vickers hardness Tester)를 이용해 제2 영역의 인성(toughness)을 측정하여 하기 표 1에 기재하였다.
구분 불소 이온의 검출 강도(%) 인성(MPa·m1/2)
실험예 10.5 2.370
비교예 3.9 1.017
상기 표 1을 참조하면, 실험예의 경우, 제2 영역이 불소(F)를 포함함으로써 비행 시간형 2차 이온 질량 분석(TOF-SIMS) 시 강한 불소 이온의 검출 강도가 높은 것을 확인할 수 있다. 또한, 저온 소결 조제로서의 역할을 수행할 수 있는 불소(F)를 포함함으로써 커버부의 제2 영역에 포함된 유전체 결정립의 입성장 및 치밀화를 유도하여, 인성(toughness)이 향상된 것을 확인할 수 있다.
반면, 비교예의 경우, 비행 시간형 2차 이온 질량 분석(TOF-SIMS) 시 불소 이온의 검출 강도가 실험예에 비해 매우 낮은 것을 확인할 수 있고, 이에 따라 실험예에 비해 인성(toughness)이 낮은 것을 확인할 수 있다. 비교예의 경우, 제2 영역을 형성할 때, 불소계 화합물을 첨가하지 않았으나, 노이즈(noise)에 의해 미량의 불소 이온(F-)이 검출된 것으로 예상된다.
<내습 신뢰성 평가>
다음으로, 실험예 및 비교예의 샘플 칩에 대한 내습 신뢰성 평가를 실시하였다. 내습 신뢰성 평가는 실험예 및 비교예 각각 400개의 샘플 칩에 대해 온도 85℃, 습도 85%, 1.5 Vr의 전압을 12시간동안 인가한 후, 절연 저항 값의 변화를 측정한 것이다.
도 7은 비교예의 내습 신뢰성 평가 결과를 나타낸 그래프다. 도 8은 실험예의 내습 신뢰성 평가 결과를 나타낸 그래프다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 실험예의 경우, 절연 저항이 107Ω 이하로 떨어진 샘플 칩이 존재하지 않았으나, 비교예의 경우, 절연 저항이 107Ω 이하로 떨어진 샘플이 다수 존재하였다. 제2 영역이 불소(F)를 포함함으로써 제2 영역에 포함된 유전체 결정립의 입성장을 유도하여 인성(toughness)이 증가하고, 치밀도가 향상되어 칩 내부로 침투하는 외부 수분을 막아 내습 신뢰성을 개선할 수 있음을 확인하였다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
또한, '일 실시예'라는 표현은 서로 동일한 실시 예를 의미하지 않으며, 각각 서로 다른 고유한 특징을 강조하여 설명하기 위해서 제공된 것이다. 그러나, 상기 제시된 일 실시예들은 다른 일 실시예의 특징과 결합되어 구현되는 것을 배제하지 않는다. 예를 들어, 특정한 일 실시예에서 설명된 사항이 다른 일 실시예에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 일 실시예에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 일 실시예에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.
또한, 제1, 제2 등의 표현은 한 구성요소와 다른 구성요소를 구분 짓기 위해 사용되는 것으로, 해당 구성요소들의 순서 및/또는 중요도 등을 한정하지 않는다. 경우에 따라서는 권리범위를 벗어나지 않으면서, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수도 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수도 있다.
100: 적층형 전자 부품
110: 바디
111: 유전체층
112, 113: 커버부
112a, 113a: 제1 영역
112b, 113b: 제2 영역
114, 115: 마진부
121, 122: 내부 전극
131, 132: 외부 전극
131a, 132a: 제1 전극층
131b, 132b: 제2 전극층
G1, G2: 유전체 결정립
GB1, GB2: 결정립계

Claims (15)

  1. 제1 방향으로 번갈아 배치되는 유전체층 및 내부 전극을 포함하는 용량 형성부 및 상기 용량 형성부의 상기 제1 방향으로 마주보는 양 단면 상에 배치되는 커버부를 포함하는 바디; 및
    상기 바디의 외부에 배치되어 상기 내부 전극과 연결되는 외부 전극; 을 포함하고,
    상기 커버부는 상기 용량 형성부에 인접한 제1 영역 및 상기 커버부의 외측에 인접한 제2 영역을 포함하고,
    상기 제2 영역에 포함된 불소(F)의 함량은 상기 제1 영역에 포함된 불소(F)의 함량보다 큰
    적층형 전자 부품.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 영역은 복수의 유전체 결정립 및 인접한 유전체 결정립 사이에 배치되며 불소(F)를 포함하는 결정립계를 포함하는
    적층형 전자 부품.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 영역에 포함된 유전체 결정립의 평균 크기를 A1, 상기 제2 영역에 포함된 유전체 결정립의 평균 크기를 A2라 할 때, A2 > A1를 만족하는
    적층형 전자 부품.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 A2는 180m 이상 270nm 이하인
    적층형 전자 부품.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 영역에 포함된 유전체 결정립의 Ba/Ti의 몰비를 M1, 상기 제2 영역에 포함된 유전체 결정립의 Ba/Ti의 몰비를 M2라 할 때, M1 > M2를 만족하는
    적층형 전자 부품.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 M1은 0.999 이상 1.05 이하인
    적층형 전자 부품.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2 영역은 비행 시간형 2차 이온 질량 분석(TOF-SIMS)에 의한 음이온 분석 시, 불소 이온(F-)이 검출되는
    적층형 전자 부품.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 영역의 비행 시간형 2차 이온 질량 분석(TOF-SIMS)에 의한 음이온 분석에서, 전체 음이온의 검출 강도에 대한 상기 불소 이온(F-)의 검출 강도의 비율을 I1, 상기 제2 영역의 비행 시간형 2차 이온 질량 분석(TOF-SIMS)에 의한 음이온 분석에서, 전체 음이온의 검출 강도에 대한 상기 불소 이온(F-)의 검출 강도의 비율을 I2라 할 때, I2 > I1을 만족하는
    적층형 전자 부품.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 영역은 BaTiO3계를 주성분으로 포함하고, Ca, Al, Li, Co, Zn, Mn, Mg 및 S 중 적어도 하나를 더 포함하는
    적층형 전자 부품.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 영역의 평균 두께를 T1, 상기 제2 영역의 평균 두께를 T2라 할 때, T2/T1은 1 이상 4 이하인
    적층형 전자 부품.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층은 불소(F)를 포함하는
    적층형 전자 부품.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층은 불소(F)를 포함하지 않거나, 상기 제2 영역에 포함된 불소(F)의 함량보다 작은 함량의 불소(F)를 포함하는
    적층형 전자 부품.
  13. 제1 방향으로 번갈아 배치되는 유전체층 및 내부 전극을 포함하는 용량 형성부 및 상기 용량 형성부의 상기 제1 방향으로 마주보는 양 단면 상에 배치되는 커버부를 포함하는 바디; 및
    상기 바디의 외부에 배치되어 상기 내부 전극과 연결되는 외부 전극; 을 포함하고,
    상기 커버부는 상기 용량 형성부에 인접한 제1 영역 및 상기 커버부의 외측에 인접한 제2 영역을 포함하고,
    상기 제2 영역은 불소(F)를 포함하며,
    상기 제1 영역에 포함된 유전체 결정립의 평균 크기를 A1, 상기 제2 영역에 포함된 유전체 결정립의 평균 크기를 A2라 할 때, A2 > A1를 만족하는
    적층형 전자 부품.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 A2는 180nm 이상 270nm 이하인
    적층형 전자 부품.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제1 영역에 포함된 유전체 결정립의 Ba/Ti의 몰비를 M1, 상기 제2 영역에 포함된 유전체 결정립의 Ba/Ti의 몰비를 M2라 할 때, M1 > M2를 만족하는
    적층형 전자 부품.
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