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KR102340997B1 - 에칭액 조성물 및 에칭 방법 - Google Patents

에칭액 조성물 및 에칭 방법 Download PDF

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KR102340997B1
KR102340997B1 KR1020197010956A KR20197010956A KR102340997B1 KR 102340997 B1 KR102340997 B1 KR 102340997B1 KR 1020197010956 A KR1020197010956 A KR 1020197010956A KR 20197010956 A KR20197010956 A KR 20197010956A KR 102340997 B1 KR102340997 B1 KR 102340997B1
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다마미 아오키
유지 마사모토
요시히데 사이오
준로 이시자키
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가부시키가이샤 아데카
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

에칭에 의한 세선의 폭 좁아짐이 작고, 세선 상부에 있어서의 1 내지 5㎛ 정도의 크기의 절결의 발생이 억제되어, 원하는 폭을 갖는 세선을 형성하는 것이 가능한, 구리계 층을 에칭하기 위한 에칭액 조성물을 제공한다. 구리계 층을 에칭하기 위한 에칭액 조성물로서, (A) 과산화수소 0.1 내지 35질량%; (B) 히드록시알칸술폰산 0.1 내지 20질량%; (C) 아졸계 화합물 및 1 이상의 질소 원자를 포함하고 또한 3개의 이중 결합을 갖는 복소 6원환을 구조 중에 갖는 화합물에서 선택되는 적어도 1종의 화합물 0.01 내지 1질량%; 및 물을 함유하고, 25℃에 있어서의 pH가 0.1 내지 4의 범위 내이다.

Description

에칭액 조성물 및 에칭 방법
본 발명은, 구리계 층을 에칭하기 위해서 사용되는 에칭액 조성물 및 그것을 사용한 에칭 방법에 관한 것이다.
표면에 회로 배선을 형성한 프린트 배선 기판(또는 필름)이, 전자 부품이나 반도체 소자 등을 실장하기 위해서 널리 사용되고 있다. 그리고, 근년의 전자 기기의 소형화 및 고기능화의 요구에 수반하여, 프린트 배선 기판(또는 필름)의 회로 배선에 대해서도, 고밀도화 및 박형화가 요망되고 있다. 또한, 스마트폰의 보급에 의해 정전 용량식의 터치 패널의 수요가 확대되고 있으며, 투명 도전막에 사용되는 인듐-주석 산화물(이하, 「ITO」라고도 기재한다) 박막을 가공하기 위한 에칭액 수요가 높아지고 있다. 그 중에서도, ITO 박막 상의 구리 및 구리 합금 피막을 선택적으로 에칭할 수 있는 에칭액이 강하게 요구되고 있다.
관련된 종래 기술로서, 특허문헌 1에서는, 과산화수소, 불소 원자를 함유하지 않는 산, 불소 이온 공급원, 포스폰산류, 과산화수소 안정제 및 물을 함유하는 pH 5 이하의 에칭액이 제안되어 있다. 또한, 특허문헌 1의 비교예 2 및 5에서는, 과산화수소 및 5-아미노-1H-테트라졸을 조합한 조성물이 예시되어 있다. 단, 비교예 2 및 5에서 예시된 조성물은, IGZO에 대한 대미지를 충분히 억제할 수 없음과 함께, 구리 등의 금속 화합물이 용해하면 과산화수소의 분해 속도가 상승한다고 되어 있기 때문에, 구리 또는 구리를 주성분으로 하는 금속 화합물용 에칭액으로서는 부적당하다고 되어 있다.
또한, 특허문헌 2에서는, 쇄상 알칸올아민, 산기를 분자 내에 갖는 킬레이트제 및 과산화수소를 함유하는 구리 또는 구리 합금용 에칭액이 제안되어 있다.
일본특허공개 제2016-111342호 공보 일본특허공개 제2013-076119호 공보
특허문헌 1에서 제안된 에칭액을 사용해서 구리층을 에칭하면, 세선의 좁아짐이 커서, 원하는 폭의 세선을 얻는 것은 곤란하다. 그 중에서도, 10 내지 40㎛의 폭의 세선을 형성하는 것이 매우 곤란한 것이나, 세선 상부에 1 내지 5㎛ 정도의 크기의 절결이 발생하기 쉬워지는 것이 문제가 되었다.
따라서, 본 발명은 상기 문제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 그 과제로 하는 바는, 에칭에 의한 세선의 폭 좁아짐이 작고, 세선 상부에 있어서의 1 내지 5㎛ 정도의 크기의 절결의 발생이 억제되어, 원하는 폭을 갖는 세선을 형성하는 것이 가능한, 구리계 층을 에칭하기 위한 에칭액 조성물을 제공하는 데 있다. 또한, 본 발명의 과제로 하는 바는, 상기 에칭액 조성물을 사용한 에칭 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명자들은, 상기 문제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 특정한 성분을 함유하는 에칭액 조성물이 상기 문제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명에 이르렀다.
즉, 본 발명에 따르면, 구리계 층을 에칭하기 위한 에칭액 조성물로서, (A) 과산화수소 0.1 내지 35질량%; (B) 히드록시알칸술폰산 0.1 내지 20질량%; (C) 아졸계 화합물 및 1 이상의 질소 원자를 포함하고 또한 3개의 이중 결합을 갖는 복소 6원환을 구조 중에 갖는 화합물에서 선택되는 적어도 1종의 화합물 0.01 내지 1질량%; 및 물을 함유하고, 25℃에 있어서의 pH가 0.1 내지 4의 범위 내인 에칭액 조성물이 제공된다.
본 발명에 있어서는, 또한 (D) 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물, 타우린 및 글리신으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 것이 바람직하다.
Figure 112019039212450-pct00001
(상기 일반식 (1) 중, X1 및 X2는 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 내지 5의 알칸디일기를 나타내고, n은 0 또는 1의 수를 나타낸다)
또한, 본 발명에 따르면, 상기 에칭액 조성물을 사용해서 구리계 층을 에칭하는 공정을 갖는 에칭 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 에칭에 의한 세선의 폭 좁아짐이 작고, 세선 상부에 있어서의 1 내지 5㎛ 정도의 크기의 절결의 발생이 억제되어, 원하는 폭을 갖는 세선을 형성하는 것이 가능한, 구리계 층을 에칭하기 위한 에칭액 조성물을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 상기 에칭액 조성물을 사용한 에칭 방법을 제공할 수 있다. 본 발명의 에칭액 조성물을 사용해도, 산화인듐계 층은 실질적으로 에칭되지 않는다. 이 때문에, 본 발명의 에칭액 조성물은, 산화인듐계 층과 구리계 층을 포함하는 적층체 중, 구리계 층만을 에칭하는 경우에 적합하게 사용할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 구체적으로 설명한다. 본 명세서에 있어서의 「에칭」이란, 화학 약품 등의 부식 작용을 이용한 소형(塑形) 또는 표면 가공의 기법을 의미한다. 본 발명의 에칭액 조성물의 구체적인 용도로서는, 예를 들어 제거제, 표면 평활화제, 표면 조화제, 패턴 형성용 약제, 기체에 미량 부착된 성분의 세정액 등을 들 수 있다. 본 발명의 에칭액 조성물은, 구리계 층의 제거 속도가 빠른 점에서 제거제로서 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 3차원 구조를 갖는 미세한 형상의 패턴의 형성에 사용하면, 직사각형 등의 원하는 형상의 패턴을 얻을 수 있기 때문에, 패턴 형성용 약제로서도 적합하게 사용할 수 있다.
본 명세서에 있어서의 「구리계 층」은, 구리를 포함하는 층이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 「구리계 층」은, 구체적으로는, 금속 구리 및 구리 니켈 합금 등의 구리 합금에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 층의 총칭이다. 「구리계 층」의 구체예로서는, 구리를 10질량% 이상 함유하는 도전층을 들 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서의 「산화인듐계 층」은, 산화인듐을 포함하는 층이면 특별히 한정되는 것이 아니다. 「산화인듐계 층」은, 예를 들어 산화인듐, 인듐-주석 산화물 및 인듐-아연 산화물에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 층의 총칭이다.
본 발명의 에칭액 조성물은, (A) 과산화수소(이하, 「(A) 성분」이라고도 기재한다)를 함유한다. 에칭액 조성물 중의 (A) 성분의 농도는, 0.1 내지 35질량%의 범위이다. (A) 성분의 농도가 0.1질량% 미만이면, 에칭 속도가 너무 느려지게 되어, 생산성이 현저하게 저하된다. 한편, (A) 성분의 농도가 35질량% 초과이면, 에칭액 조성물의 취급이 곤란해지는 경우가 있다.
(A) 성분의 농도는, 피에칭체인 구리계 층의 두께나 폭에 따라서, 상기 농도 범위 내에서 적절히 조정하면 된다. 그 중에서도, 에칭 속도가 제어 가능한 범위에서 빠르고, 레지스트의 폭과 형성되는 세선의 폭의 어긋남이 작아, 세선을 원하는 폭으로 할 수 있으며, 또한 세선 상부에 있어서의 1 내지 5㎛ 정도의 크기의 절결의 발생을 보다 억제할 수 있는 점에서, (A) 성분의 농도는, 1 내지 20질량%의 범위인 것이 바람직하고, 1 내지 10질량%의 범위인 것이 더욱 바람직하고, 1 내지 5질량%의 범위인 것이 특히 바람직하다.
본 발명의 에칭액 조성물은, (B) 히드록시알칸술폰산(이하, 「(B) 성분」이라고도 기재한다)을 함유한다. 에칭액 조성물 중의 (B) 성분의 농도는, 0.1 내지 20질량%의 범위이다. (B) 성분의 농도가 0.1질량% 미만이면, 구리계 층을 에칭할 수 없게 되는 경우가 있다. 한편, (B) 성분의 농도를 20질량% 초과로 해도, 그 이상 효과를 향상시킬 수 없다. (B) 성분의 농도는, 피에칭체인 구리계 층의 두께나 폭에 따라서, 상기 농도 범위 내에서 적절히 조정하면 된다. 그 중에서도, (B) 성분의 농도는, 1 내지 10질량%의 범위인 것이 바람직하다.
히드록시알칸술폰산의 구체예로서는, 2-히드록시에탄-1-술폰산(이세티온산), 2-히드록시프로판-1-술폰산, 1-히드록시프로판-2-술폰산, 3-히드록시프로판-1-술폰산, 2-히드록시부탄-1-술폰산, 4-히드록시부탄-1-술폰산, 2-히드록시펜탄-1-술폰산, 2-히드록시헥산-1-술폰산 및 2-히드록시데칸-1-술폰산, 및 이들 암모늄염, 나트륨염, 칼륨염, 칼슘염, 구리염 및 철염 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 2-히드록시에탄-1-술폰산을 사용하면, 구리계 층에 산화구리가 포함되어 있던 경우에도, 충분한 속도로 에칭할 수 있기 때문에 바람직하다.
본 발명의 에칭액 조성물은, (i) 아졸계 화합물 및 (ii) 1 이상의 질소 원자를 포함하고 또한 3개의 이중 결합을 갖는 복소 6원환을 구조 중에 갖는 화합물에서 선택되는 적어도 1종의 화합물(이하, 「(C) 성분」이라고도 기재한다)을 함유한다. 에칭액 조성물 중의 (C) 성분의 농도는, 0.01 내지 1질량%의 범위이다. (C) 성분의 농도는, 피에칭체인 구리계 층의 두께나 폭에 따라서, 상기 농도 범위 내에서 적절히 조정하면 된다. 그 중에서도, 레지스트의 폭과 형성되는 세선의 폭의 어긋남이 작아, 세선을 원하는 폭으로 할 수 있으며, 또한 세선 상부에 있어서의 1 내지 5㎛ 정도의 크기의 절결의 발생을 보다 억제할 수 있는 점에서, (C) 성분의 농도는, 0.01 내지 0.5질량%인 것이 바람직하다.
(i) 아졸계 화합물은, 예를 들어 1 이상의 질소 원자를 포함하고 또한 2개의 이중 결합을 갖는 복소 5원환을 구조 중에 갖는 화합물이다. 아졸계 화합물의 구체예로서는, 1-메틸피롤 등의 알킬피롤, 피롤 등의 아졸 화합물; 1-메틸이미다졸 등의 알킬이미다졸, 아데닌, 이미다졸, 피라졸 등의 디아졸 화합물; 1,2,4-트리아졸, 5-메틸-1H-벤조트리아졸, 1H-벤조트리아졸, 3-아미노-1H-트리아졸 등의 트리아졸 화합물; 1H-테트라졸, 5-메틸-1H-테트라졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 5-아미노-1H-테트라졸(이하, 「5-아미노테트라졸」이라고도 기재한다) 등의 테트라졸 화합물; 1,3-티아졸, 4-메틸티아졸, 이소티아졸 등의 티아졸 화합물; 이소옥사졸 등의 옥사졸 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 5-아미노테트라졸을 사용하면, 잘록함이 보다 적고, 또한 직선성이 더욱 양호한 세선을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.
(ii) 1 이상의 질소 원자를 포함하고 또한 3개의 이중 결합을 갖는 복소 6원환을 구조 중에 갖는 화합물의 구체예로서는, 2-메틸피리딘 등의 알킬피리딘 화합물; 2-아미노피리딘, 2-(2-아미노에틸)피리딘 등의 아미노피리딘 화합물; 피리딘; 피라진; 피리미딘; 피리다진; 트리아진; 테트라진을 들 수 있다.
본 발명의 에칭액 조성물의 25℃에 있어서의 pH는, 0.1 내지 4의 범위 내이며, 바람직하게는 1 내지 3의 범위 내, 더욱 바람직하게는 1 내지 2의 범위 내이다.
본 발명의 에칭액 조성물은, 또한 (D) 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물, 타우린 및 글리신으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종(이하, 「(D) 성분」이라고도 기재한다)을 함유하는 것이 바람직하다. (D) 성분을 함유시킴으로써, 세선 상부에 있어서의 1 내지 5㎛ 정도의 크기의 절결의 발생을 대폭으로 억제할 수 있다.
Figure 112019039212450-pct00002
(상기 일반식 (1) 중, X1 및 X2는 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 내지 5의 알칸디일기를 나타내고, n은 0 또는 1의 수를 나타낸다)
일반식 (1) 중, X1 및 X2로 표시되는 탄소 원자수 1 내지 5의 알칸디일기로서는, 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 메틸에틸렌, 부틸렌, 1-메틸프로필렌, 2-메틸프로필렌 등을 들 수 있다. 일반식 (1)로 표시되는 화합물 중에서도 n=0임과 함께 X2가 에틸렌인 화합물이나, X1 및 X2가 모두 에틸렌인 화합물을 사용하면, 세선 상부에 있어서의 1 내지 5㎛ 정도의 크기의 절결의 발생을 억제하는 효과가 특히 높기 때문에 바람직하다.
일반식 (1)로 표시되는 화합물의 적합예로서는, 하기 화학식 No.1 내지 No.4로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure 112019039212450-pct00003
본 발명의 에칭액 조성물은, (A) 성분, (B) 성분 및 (C) 성분 이외에도, 용매인 물을 필수 성분으로서 함유한다. 또한, 본 발명의 에칭액 조성물에는, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 물 이외의 성분으로서, 본 발명의 효과를 저해하는 일이 없는 범위에서, 주지의 첨가제를 배합시킬 수 있다. 첨가제로서는, 에칭액 조성물의 안정화제, 각 성분의 가용화제, 소포제, pH 조정제, 비중 조정제, 점도 조정제, 습윤성 개선제, 킬레이트제, 산화제, 환원제, 계면 활성제 등을 들 수 있다. 이들 첨가제의 농도는, 일반적으로, 0.001 내지 50질량%의 범위이다.
pH 조정제로서는, 예를 들어 인산나트륨, 인산수소나트륨 등의 무기산 및 그들의 염; 수용성의 유기산 및 그들의 염; 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 수산화 알칼리 금속류; 수산화칼슘, 수산화스트론튬, 수산화바륨 등의 수산화 알칼리토금속류; 탄산암모늄, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨 등의 알칼리 금속의 탄산염류; 탄산수소나트륨, 탄산수소칼륨 등의 알칼리 금속 탄산수소화물염; 테트라메틸암모늄히드록시드, 콜린 등의 4급 암모늄 히드록시드류; 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 히드록시에틸아민, 알칸올아민 등의 유기 아민류; 글루탐산, 아스파르트산 등의 아미노산; 암모니아; 불화 암모늄; 산성 불화 암모늄; 불화 수소 암모늄; 산성 불화 수소 암모늄; 암모늄 수산화물; 암모늄 탄산염; 암모늄 탄산수소염 등을 들 수 있다. 이들의 pH 조정제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. pH 조정제로서 인산나트륨 또는 산성 불화 수소 암모늄을 사용하면, 보다 절결이 적은 세선을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.
킬레이트제로서는, 예를 들어 에틸렌디아민4아세트산, 디에틸렌트리아민5아세트산, 트리에틸렌테트라민6아세트산, 테트라에틸렌펜타민7아세트산, 펜타에틸렌헥사민8아세트산, 니트릴로3아세트산, 및 이들의 알칼리 금속(바람직하게는 나트륨)염 등의 아미노카르복실산계 킬레이트제; 히드록시에틸리덴디포스폰산, 니트릴로트리스메틸렌포스폰산, 포스포노부탄트리카르복실산, 및 이들 알칼리 금속(바람직하게는 나트륨)염 등의 포스폰산계 킬레이트제; 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 말레산, 푸마르산, 말산, 타르타르산, 시트르산, 이들의 무수물, 및 이들의 알칼리 금속(바람직하게는 나트륨)염 등의 2가 이상의 카르복실산 화합물, 또는 2가 이상의 카르복실산 화합물이 탈수한 1 무수물 혹은 2 무수물을 들 수 있다. 이들의 킬레이트제의 농도는, 일반적으로, 0.01 내지 40질량%의 범위이다.
에칭 속도가 빠른 경우, 환원제를 첨가제로서 사용하는 것이 바람직하다. 환원제의 구체예로서는, 염화구리, 염화 제1철, 구리 분말, 은 분말 등을 들 수 있다. 이들의 환원제의 농도는, 일반적으로, 0.01 내지 10질량%의 범위이다.
본 발명의 에칭 방법은, 상기 본 발명의 에칭액 조성물을 사용해서 구리계 층을 에칭하는 공정을 갖는다. 구리계 층을 에칭하는 방법은 특별히 한정되지 않고 일반적인 에칭 방법을 채용하면 된다. 예를 들어, 딥식, 스프레이식, 스핀식 등에 의한 에칭 방법을 들 수 있다. 예를 들어, 딥식의 에칭 방법에 의해, PET 기판 상에 CuNi/Cu/ITO층이 성막된 기재 중, CuNi/Cu층만을 에칭하는 경우를 상정한다. 이 경우에는, 상기 기재를 적절한 에칭 조건으로 에칭액 조성물에 침지한 후, 끌어 올림으로써, PET 기판 상의 CuNi/Cu층만을 에칭할 수 있다.
딥식의 에칭 방법에 있어서의 에칭 조건은 특별히 한정되지 않고, 기재(피에칭체)의 형상이나 막 두께 등에 따라서 임의로 설정하면 된다. 예를 들어, 에칭 온도는 10 내지 60℃로 하는 것이 바람직하고, 20 내지 50℃로 하는 것이 더욱 바람직하다. 에칭액 조성물의 온도는 반응열에 의해 상승하는 경우가 있다. 이 때문에, 필요에 따라서, 에칭액 조성물의 온도를 상기 범위 내로 유지하도록 공지된 수단에 의해 온도 제어해도 된다. 또한, 에칭 시간은, 에칭이 완료되기에 충분한 시간으로 하면 되며, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 전자 회로 기판의 배선 제조에 있어서, 막 두께 5 내지 500㎚ 정도이면, 상기 온도 범위에서 10 내지 600초 정도 에칭하면 된다.
본 발명의 에칭액 조성물 및 이 에칭액 조성물을 사용한 에칭 방법은, 주로 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이, 터치 패널, 유기 EL, 태양 전지, 조명 기구 등의 전극이나 배선을 가공할 때 적합하게 사용할 수 있다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 상세하게 설명하지만, 이들에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
<에칭액 조성물>
(실시예 1 내지 10)
표 1에 나타내는 배합이 되도록 각 성분을 혼합해서 에칭액 조성물(실시예 조성물 No.1 내지 10)을 얻었다. 또한, 성분의 합계가 100질량%가 되도록 물을 배합했다. 실시예 조성물 No.1 내지 7에 대해서는, pH 조정제로서 산성 불화 수소 암모늄을 사용했다.
Figure 112019039212450-pct00004
(비교예 1 내지 3)
표 2에 나타내는 배합이 되도록 각 성분을 혼합해서 에칭액 조성물(비교 조성물1 내지 3)을 얻었다. 또한, 성분의 합계가 100질량%가 되도록 물을 배합하여, pH 조정제로서 산성 불화 수소 암모늄을 사용했다.
Figure 112019039212450-pct00005
<에칭 방법>
(실시예 11 내지 20)
두께 200㎛의 PET 기체 상에 ITO층(50㎚), Cu층(200㎚) 및 CuNi층(30㎚)을 이 순서대로 적층한 기체에, 액상 레지스트를 사용해서 폭 10㎛, 개구부 10㎛의 레지스트 패턴을 형성했다. 레지스트 패턴을 형성한 기체를 세로 20㎜×가로 20㎜로 절단해서 테스트 피스를 얻었다. 얻어진 테스트 피스에 대하여, 실시예 조성물 No.1 내지 10을 사용하여, 35℃, 1분간, 교반 하에서 딥식에 의한 패턴 에칭(에칭 처리)을 행하였다.
(비교예 4 내지 6)
비교 조성물 1 내지 3을 사용한 것 이외에는, 상기 실시예 11 내지 20과 마찬가지로 하여, 딥식에 의한 패턴 에칭을 행하였다.
(실시예 21 내지 30)
두께 200㎛의 PET 기체 상에 ITO층(50㎚), Cu층(200㎚) 및 CuNi층(30㎚)을 이 순서대로 적층한 기체에, 드라이 필름 레지스트를 사용해서 폭 10㎛, 개구부 10㎛의 레지스트 패턴을 형성했다. 레지스트 패턴을 형성한 기체를 세로 20㎜×가로 20㎜로 절단해서 테스트 피스를 얻었다. 얻어진 테스트 피스에 대하여, 실시예 조성물 No.1 내지 10을 사용하여, 35℃, 1분간, 교반 하에서 딥식에 의한 패턴 에칭(에칭 처리)을 행하였다.
<평가>
레이저 현미경을 사용하여, 세선의 상태 및 레지스트 패턴의 폭과 세선의 폭의 어긋남을 평가했다. 세선의 상태에 대해서는, 세선 상부의 특정한 길이의 절결의 유무를 확인함으로써 평가했다. 구체적으로는, 0.5㎛ 이상의 길이의 절결을 확인할 수 없었던 것을 「++」라고 평가하고, 0.5㎛ 이상 1㎛ 미만의 길이의 절결을 확인할 수 있었던 것을 「+」라고 평가하고, 1㎛ 이상의 길이의 절결을 확인할 수 있었던 것을 「-」라고 평가했다.
또한, 레지스트 패턴의 폭과 세선의 폭의 어긋남에 대해서는, 에칭 처리 전의 레지스트 패턴의 폭과, 형성된 세선 상부의 폭의 차의 절댓값 「L1」을 산출해서 평가했다. 「L1」의 값이 「0」인 경우에는, 에칭 처리 전의 레지스트 패턴의 폭과, 형성된 세선의 폭이 동일하며, 원하는 폭의 세선이 형성된 것을 의미한다. 한편, 「L1」의 값이 클수록, 에칭 처리 전의 레지스트 패턴의 폭과, 형성된 세선의 폭의 차가 커서, 원하는 폭의 세선이 형성되지 않은 것을 의미한다. 그리고, 「L1」의 값이 0.5㎛ 미만인 경우를 「+++」라고 평가하고, 「L1」의 값이 0.5㎛ 이상 1㎛ 미만인 경우를 「++」라고 평가하고, 「L1」의 값이 1㎛ 이상 2㎛ 미만인 경우를 「+」라고 평가하고, 「L1」의 값이 2㎛ 이상인 경우를 「-」라고 평가했다. 평가 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure 112019039212450-pct00006
표 3에 나타내는 결과로부터, 실시예 11 내지 30에서는 세선의 상태가 모두 양호한 것을 알 수 있다. 그 중에서도, 실시예 18 내지 20 및 28 내지 30에서 얻은 세선의 상태가 특히 양호한 것을 확인할 수 있었다. 또한, 실시예 11 내지 30에서는 「L1」의 값이 모두 작아, 원하는 폭의 세선이 형성되어 있는 것을 알 수 있다. 그 중에서도, 실시예 18, 20, 28 및 30에서는 「L1」의 값이 보다 작고, 실시예 18 및 28에서는 「L1」의 값이 특히 작은 것을 알 수 있다.

Claims (3)

  1. 구리계 층을 에칭하기 위한 에칭액 조성물로서,
    (A) 과산화수소 0.1 내지 35질량%;
    (B) 히드록시알칸술폰산 0.1 내지 20질량%;
    (C) 아졸계 화합물 및 1 이상의 질소 원자를 포함하고 또한 3개의 이중 결합을 갖는 복소 6원환을 구조 중에 갖는 화합물에서 선택되는 적어도 1종의 화합물 0.01 내지 1질량%;
    (D) 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물; 및
    물을 전체성분의 합계가 100질량%가 되도록 함유하고,
    25℃에 있어서의 pH가 1 내지 3의 범위 내인 에칭액 조성물.
    Figure 112021114371879-pct00008

    (상기 일반식 (1) 중, X1 및 X2는 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 내지 5의 알칸디일기를 나타내고, n은 0 또는 1의 수를 나타낸다)
  2. 제1항에 기재된 에칭액 조성물을 사용해서 구리계 층을 에칭하는 공정을 갖는 에칭 방법.
  3. 삭제
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