JP2020517428A - メタノール及び/又はジメチルエーテルとベンゼンとからパラキシレンを生産し低級オレフィンを併産する装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
C6H5−CH3+CH3OH→C6H4−(CH3)2+H2O (1)
nCH3OH→(CH2)n+nH2O n = 2, 3 (2)
C6H6+CH3OH→C6H5−CH3+H2O (3)
前記第1の反応器気固分離器には、再生触媒の入口が設けられ、前記第1の反応器気固分離器の触媒出口が反応領域の底部に設置され、前記第1の反応器気固分離器のガス出口が前記希薄相領域に設置され、
前記第2の反応器気固分離器の入口が前記希薄相領域に設置され、前記第2の反応器気固分離器の触媒出口が前記反応領域に設置され、前記第2の反応器気固分離器のガス出口が高速流動床反応器の製品ガスの出口に接続され、
前記反応領域は、前記高速流動床反応器の下部に位置し、前記希薄相領域は、前記高速流動床反応器の上部に位置する。
前記再生器気固分離器の入口が再生器希薄相領域に設置され、前記再生器気固分離器の触媒出口が再生領域に設置され、再生器ストリッパーは、再生器ハウジングの底部で開口している。
好ましくは、前記流動床再生器は、再生器ハウジング、再生器供給材料分配器、再生器気固分離器、再生器放熱器、排煙出口、及び再生器ストリッパーを含み、
前記流動床再生器の下部が再生領域であり、流動床再生器の上部が希薄相領域であり、
再生器供給材料分配器は、再生領域の底部に設置され、再生器放熱器は、再生領域に設置され、再生器気固分離器は、希薄相領域又は再生器ハウジングの外部に設置され、再生器気固分離器の入口が希薄相領域に設置され、再生器気固分離器の触媒出口が再生領域に設置され、再生器気固分離器のガス出口が排煙出口に接続され、再生器ストリッパーは、再生器ハウジングの底部で開口し、
前記反応器ストリッパーの再生対象触媒の出口が再生対象シュートの入口に接続され、再生対象シュートには、再生対象スプール弁が設けられ、再生対象シュートの出口が再生対象ライザーの入口に接続され、再生対象ライザーの底部には、再生対象上昇ガスの入口が設けられ、再生対象ライザーの出口が流動床再生器の希薄相領域に接続され、
前記再生器ストリッパーの底部には、再生器のストリッピングガスの入口が設けられ、再生器ストリッパーの底部が再生シュートの入口に接続され、再生シュート内には、再生スプール弁が設けられ、再生シュートの出口が再生ライザーの入口に接続され、再生ライザーの底部には、再生上昇ガスの入口が設けられ、再生ライザーの出口が第1の反応器気固分離器の再生触媒の入口に接続され、前記第1の反応器気固分離器は、流動床反応器の希薄相領域又は反応器ハウジングの外部に設置されている。
未転化のメタノール及びジメチルエーテルを、複数の第2の反応器供給材料分配器により高速流動床反応器の反応領域に送り、芳香族炭化水素副生成物及び未転化のベンゼンを、第1の反応器供給材料分配器により高速流動床反応器の反応領域に送って触媒に接触させる。
メタノール及び/又はジメチルエーテルとベンゼンとを含有する流れAを、高速流動床反応器の下方における第1の反応器供給材料分配器により高速流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させるステップ(1)と、
メタノール及び/又はジメチルエーテルを含有する流れBを、第1の反応器供給材料分配器の上方に順次配置された2〜10個の第2の反応器供給材料分配器の各々により高速流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させ、パラキシレン及び低級オレフィン製品を含有する流れC、並びに再生対象触媒を生成するステップ(2)と、
ステップ(2)で得られた流れCを分離して、未転化のメタノールとジメチルエーテルの流れC−1、及び未転化のベンゼンとトルエン、オルトキシレン、メタキシレン、エチルベンゼン及びC9+芳香族炭化水素を含む芳香族炭化水素副生成物の流れC−2を得て、流れC−1を2〜10個の第2の反応器供給材料分配器により高速流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させ、流れC−2を第1の反応器供給材料分配器により高速流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させるステップ(3)と、
ステップ(2)で得られた再生対象触媒を流動床再生器で再生し、再生触媒を第1の反応器気固分離器で気固分離して高速流動床反応器の反応領域の底部に充填するステップ(4)とを含む。
再生媒体は、流動床再生器の再生領域に導入されて、再生対象触媒と炭素燃焼反応を生じ、CO及びCO2を含有する排煙並びに再生触媒を生成し、排煙は、再生器気固分離器で除塵された後排出され、
再生触媒は、再生器ストリッパー、再生シュート、再生スプール弁及び再生ライザーを通って、第1の反応器気固分離器の入口に入り、気固分離された後高速流動床反応器の反応領域の底部に入り、
反応器のストリッピングガスは、反応器のストリッピングガスの入口から反応器ストリッパーに入り再生対象触媒と向流接触した後高速流動床反応器に入り、再生対象上昇ガスは、再生対象上昇ガスの入口から再生対象ライザーに入り再生対象触媒と並流接触した後流動床再生器の希薄相領域に入り、
再生器のストリッピングガスは、再生器のストリッピングガスの入口から再生器ストリッパーに入り再生触媒と向流接触した後流動床再生器に入り、再生上昇ガスは、再生上昇ガスの入口から再生ライザーに入り再生触媒と並流接触した後第1の反応器気固分離器の入口に入り、前記第1の反応器気固分離器は、流動床反応器の希薄相領域又は反応器ハウジングの外部に設置されている。
及び/又は、前記反応器のストリッピングガス、再生器のストリッピングガス、再生対象上昇ガス、及び再生上昇ガスは、水蒸気又は窒素ガスである。
反応器ストリッパー8の再生対象触媒の出口が再生対象シュート10の入口に接続され、再生対象シュート10には、再生対象スプール弁11が設けられ、再生対象シュート10の出口が再生対象ライザー12の入口に接続され、再生対象ライザー12の底部には、再生対象上昇ガスの入口13が設けられ、再生対象ライザー12の出口が流動床再生器14の希薄相領域に接続され、且つ、再生器ストリッパー20の底部には、再生器のストリッピングガスの入口21が設けられ、再生器ストリッパー20の底部が再生シュート22の入口に接続され、再生シュート22内には、再生スプール弁23が設けられ、再生シュート22の出口が再生ライザー24の入口に接続され、再生ライザー24の底部には、再生上昇ガスの入口25が設けられ、再生ライザー24の出口が反応器気固分離器4の入口に接続される。
メタノール及び/又はジメチルエーテルとベンゼンとを含有する原料を高速流動床反応器1の最下方の反応器供給材料分配器3−1により高速流動床反応器1の反応領域に送り、メタノールを高速流動床反応器1における反応器供給材料分配器3−2〜3−nにより高速流動床反応器1の反応領域に送って触媒と接触させ、パラキシレン及び低級オレフィン製品を含有する流れ、並びに炭素を含有する再生対象触媒を生成するステップと、
高速流動床反応器1からのパラキシレン及び低級オレフィン製品を含有する流れを、製品分離システムに送って分離して、パラキシレン;エチレン;プロピレン;ブテン;C5+鎖状炭化水素;トルエン、オルトキシレン、メタキシレン、エチルベンゼン及びC9+芳香族炭化水素を含む芳香族炭化水素副生成物;未転化のメタノール、ジメチルエーテル及びベンゼンを得て、未転化のメタノール及びジメチルエーテルを反応器供給材料分配器3−2〜3−nにより高速流動床反応器1の反応領域に送り、芳香族炭化水素副生成物及び未転化のベンゼンを反応器供給材料分配器3−1により高速流動床反応器1の反応領域に送って触媒と接触させて、生成物に転化するステップと、
再生対象触媒を流動床再生器14で再生し、再生触媒を反応器気固分離器4で気固分離して高速流動床反応器1の反応領域の底部に充填するステップとを含む。
再生媒体は、再生器供給材料分配器16から流動床再生器14の再生領域に導入されて、再生対象触媒と炭素燃焼反応を生じ、CO及びCO2を含有する排煙並びに再生触媒を生成し、排煙は、再生器気固分離器17で除塵された後排出され、
再生触媒は、再生器ストリッパー20、再生シュート22、再生スプール弁23及び再生ライザー24を通って、反応器気固分離器4の入口に入り、気固分離された後高速流動床反応器1の反応領域の底部に入り、
反応器のストリッピングガスは、反応器のストリッピングガスの入口9から反応器ストリッパー8に入り再生対象触媒と向流接触した後高速流動床反応器1に入り、再生対象上昇ガスは、再生対象上昇ガスの入口13から再生対象ライザー12に入り再生対象触媒と並流接触した後流動床再生器14の希薄相領域に入り、
再生器のストリッピングガスは、再生器のストリッピングガスの入口21から再生器ストリッパー20に入り再生触媒と向流接触した後流動床再生器14に入り、再生上昇ガスは、再生上昇ガスの入口25から再生ライザー24に入り再生触媒と並流接触した後反応器気固分離器4の入口に入る。
(1)本出願による流動床反応器及び装置は、原料の反応レートの差が大きな共同供給系において、異なる原料流れを異なる領域に分配させて原料を供給することによって、物質移動を制御し、更に共同供給系を調整して最適化させる。
図1に示すように、再生器ストリッパー20の底部には、再生器のストリッピングガスの入口21が設けられ、再生器ストリッパー20の底部が再生シュート22の入口に接続され、再生シュート22には、再生スプール弁23が設けられ、再生シュート22の出口が再生ライザー24の入口に接続され、再生ライザー24の底部には、再生上昇ガスの入口25が設けられ、再生ライザー24の出口が反応器気固分離器4の入口に接続される。
メタノール及び/又はジメチルエーテルとベンゼンとを含有する原料を、高速流動床反応器1の最下方の反応器供給材料分配器3−1により高速流動床反応器1の反応領域に送り、メタノールを高速流動床反応器1における反応器供給材料分配器3−2〜3−nにより高速流動床反応器1の反応領域に送り、触媒と接触させて、パラキシレン及び低級オレフィン製品を含有する流れ、並びに炭素を含有する再生対象触媒を生成するステップa)と、
高速流動床反応器1からの、パラキシレン及び低級オレフィン製品を含有する流れを製品分離システムに送って分離して、パラキシレン;エチレン;プロピレン;ブテン;C5+鎖状炭化水素;トルエン、オルトキシレン、メタキシレン、エチルベンゼン及びC9+芳香族炭化水素を含む芳香族炭化水素副生成物;未転化のメタノール、ジメチルエーテル及びベンゼンを得て、未転化のメタノール及びジメチルエーテルを反応器供給材料分配器3−2〜3−nにより高速流動床反応器1の反応領域に送り、芳香族炭化水素副生成物及び未転化のベンゼンを反応器供給材料分配器3−1により高速流動床反応器1の反応領域に送り、触媒と接触させて、生成物に転化するステップb)と、
再生対象触媒が、反応器ストリッパー8、再生対象シュート10、再生対象スプール弁11、及び再生対象ライザー12を通って流動床再生器14の希薄相領域に入るステップc)と、
再生媒体を再生器供給材料分配器16から流動床再生器14の再生領域に導入し、再生媒体及び再生対象触媒に炭素燃焼反応を発生させ、CO及びCO2を含有する排煙並びに再生触媒を生成し、排煙を再生器気固分離器17で除塵して排出するステップd)と、
再生触媒が、再生器ストリッパー20、再生シュート22、再生スプール弁23及び再生ライザー24を通って反応器気固分離器4の入口に入り、気固分離された後、高速流動床反応器1の反応領域の底部に入るステップe)と、
反応器のストリッピングガスが、反応器のストリッピングガスの入口9から反応器ストリッパー8に入り再生対象触媒と向流接触した後高速流動床反応器1に入り、再生対象上昇ガスが、再生対象上昇ガスの入口13から再生対象ライザー12に入り再生対象触媒と並流接触した後流動床再生器14の希薄相領域に入るステップf)と、
再生器のストリッピングガスが、再生器のストリッピングガスの入口21から再生器ストリッパー20に入り再生触媒と向流接触した後流動床再生器14に入り、再生上昇ガスが、再生上昇ガスの入口25から再生ライザー24に入り再生触媒と並流接触した後反応器気固分離器4の入口に入るステップg)とを含む。
図1に示した装置を用いた。ただし、高速流動床反応器1には、反応器気固分離器4が含まれず、再生ライザー24は、高速流動床反応器1の希薄相領域に直接接続された。高速流動床反応器1は、1個の反応器供給材料分配器3−1を含んでいる。
図1に示した装置を用いた。ただし、高速流動床反応器1には、3個の反応器供給材料分配器3−1〜3−3が含まれ、反応器気固分離器4は、反応器ハウジング2の外部に設置された。
(1)実施例1では、再生触媒が高速流動床反応器の希薄相領域に入るが、本例では、再生触媒が高速流動床反応器の底部に入る。
(2)実施例1では、メタノールが1個の反応器供給材料分配器3−1から供給されるが、本例では、メタノールは、3個の反応器供給材料分配器(3−1〜3−3)の各々から供給される。
図1に示した装置を用いた。ただし、高速流動床反応器1には、6個の反応器供給材料分配器3−1〜3−6が含まれ、反応器気固分離器4は、反応器ハウジング2の内部に設置された。
図1に示した装置を用いた。ただし、高速流動床反応器1には、4個の反応器供給材料分配器3−1〜3−4が含まれ、反応器気固分離器4は、反応器ハウジング2の外部に設置された。
Claims (24)
- メタノール及び/又はジメチルエーテルとベンゼンとからパラキシレンを生産し低級オレフィンを併産するための高速流動床反応器であって、
第1の反応器供給材料分配器と、複数の第2の反応器供給材料分配器を含み、前記第1の反応器供給材料分配器及び複数の第2の反応器供給材料分配器は、前記高速流動床反応器におけるガス流れ方向に沿って順次配置されている、ことを特徴とする高速流動床反応器。 - 前記第2の反応器供給材料分配器は、2〜10個である、ことを特徴とする請求項1に記載の高速流動床反応器。
- 前記高速流動床反応器は、第1の反応器気固分離器と、第2の反応器気固分離器を含み、前記第1の反応器気固分離器は、希薄相領域又は反応器ハウジングの外部に設置され、前記第2の反応器気固分離器は、希薄相領域又は反応器ハウジングの外部に設置され、
前記第1の反応器気固分離器には、再生触媒の入口が設けられ、前記第1の反応器気固分離器の触媒出口が反応領域の底部に設置され、前記第1の反応器気固分離器のガス出口が前記希薄相領域に設置され、
前記第2の反応器気固分離器の入口が前記希薄相領域に設置され、前記第2の反応器気固分離器の触媒出口が前記反応領域に設置され、前記第2の反応器気固分離器のガス出口が高速流動床反応器の製品ガスの出口に接続され、
前記反応領域は、前記高速流動床反応器の下部に位置し、前記希薄相領域は、前記高速流動床反応器の上部に位置する、ことを特徴とする請求項1に記載の高速流動床反応器。 - 前記第1の反応器気固分離器及び第2の反応器気固分離器は、サイクロン分離器である、ことを特徴とする請求項3に記載の高速流動床反応器。
- 前記高速流動床反応器は、前記高速流動床反応器ハウジングの内部又は外部に設置された反応器放熱器を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の高速流動床反応器。
- 前記反応器放熱器は、前記複数の反応器供給材料分配器の間に設けられている、ことを特徴とする請求項5に記載の高速流動床反応器。
- 前記高速流動床反応器は、反応器ストリッパーを含み、前記反応器ストリッパーは、高速流動床反応器の底部において外から内へ反応器ハウジングを貫通し且つ高速流動床反応器の反応領域に開口し、前記反応器ストリッパーの底部には、反応器のストリッピングガスの入口と再生対象触媒の出口が設けられている、ことを特徴とする請求項1に記載の高速流動床反応器。
- 反応器ハウジングの内部における前記反応器ストリッパーの開口の水平面からの高さが、第1の反応器供給材料分配器よりも高い、ことを特徴とする請求項7に記載の高速流動床反応器。
- メタノール及び/又はジメチルエーテルとベンゼンとからパラキシレンを生産し低級オレフィンを併産するための装置であって、
請求項1〜8のいずれか1項に記載の高速流動床反応器のうちの少なくとも1つと、触媒を再生するための流動床再生器とを備える、ことを特徴とする装置。 - 前記流動床再生器は、乱流流動床再生器であり、再生器ハウジング、再生器気固分離器、再生器放熱器及び再生器ストリッパーを含み、流動床再生器の下部が再生領域であり、流動床再生器の上部が再生器希薄相領域であり、再生器供給材料分配器が再生領域の底部に設置され、再生器放熱器が再生領域に設置され、再生器気固分離器が希薄相領域又は再生器ハウジングの外部に設置され、
前記再生器気固分離器の入口が再生器希薄相領域に設置され、前記再生器気固分離器の触媒出口が再生領域に設置され、再生器ストリッパーが再生器ハウジングの底部で開口している、ことを特徴とする請求項9に記載の装置。 - 前記流動床再生器は、再生器ハウジング、再生器供給材料分配器、再生器気固分離器、再生器放熱器、排煙出口、及び再生器ストリッパーを含み、
前記流動床再生器の下部が再生領域であり、流動床再生器の上部が希薄相領域であり、
再生器供給材料分配器が再生領域の底部に設置され、再生器放熱器が再生領域に設置され、再生器気固分離器が希薄相領域又は再生器ハウジングの外部に設置され、再生器気固分離器の入口が希薄相領域に設置され、再生器気固分離器の触媒出口が再生領域に設置され、再生器気固分離器のガス出口が排煙出口に接続され、再生器ストリッパーが再生器ハウジングの底部で開口し、
前記反応器ストリッパーの再生対象触媒の出口が再生対象シュートの入口に接続され、再生対象シュートには、再生対象スプール弁が設けられ、再生対象シュートの出口が再生対象ライザーの入口に接続され、再生対象ライザーの底部には、再生対象上昇ガスの入口が設けられ、再生対象ライザーの出口が流動床再生器の希薄相領域に接続され、
前記再生器ストリッパーの底部には、再生器のストリッピングガスの入口が設けられ、再生器ストリッパーの底部が再生シュートの入口に接続され、再生シュート内には、再生スプール弁が設けられ、再生シュートの出口が再生ライザーの入口に接続され、再生ライザーの底部には、再生上昇ガスの入口が設けられ、再生ライザーの出口が第1の反応器気固分離器の再生触媒の入口に接続され、前記第1の反応器気固分離器が流動床反応器の希薄相領域又は反応器ハウジングの外部に設置されている、ことを特徴とする請求項9に記載の装置。 - メタノール及び/又はジメチルエーテルとベンゼンとからパラキシレンを生産し低級オレフィンを併産する方法であって、
請求項1〜8のいずれか1項に記載の高速流動床反応器のうちの少なくとも1つが使用される、ことを特徴とする方法。 - メタノール及び/又はジメチルエーテルとトルエンとを含有する原料Aを第1の反応器供給材料分配器により高速流動床反応器の反応領域に送り、メタノール及び/又はジメチルエーテルを含有する原料Bを複数の第2の反応器供給材料分配器の各々により高速流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させ、パラキシレン及び低級オレフィン製品を含有する流れC、並びに再生対象触媒を生成する、ことを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記流れCを分離して、パラキシレン、低級オレフィン、C5+鎖状炭化水素、芳香族炭化水素副生成物、並びに未転化のメタノール、ジメチルエーテル及びベンゼンを得て、
未転化のメタノール及びジメチルエーテルを、複数の第2の反応器供給材料分配器により高速流動床反応器の反応領域に送り、芳香族炭化水素副生成物及び未転化のベンゼンを、第1の反応器供給材料分配器により高速流動床反応器の反応領域に送って触媒に接触させる、ことを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 前記再生対象触媒は、流動床再生器で再生された後、高速流動床反応器の反応領域の底部に入る、ことを特徴とする請求項13に記載の方法。
- メタノール及び/又はジメチルエーテルとベンゼンとを含有する流れAを、高速流動床反応器の下方における第1の反応器供給材料分配器により高速流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させるステップ(1)と、
メタノール及び/又はジメチルエーテルを含有する流れBを、第1の反応器供給材料分配器の上方に順次配置された2〜10個の第2の反応器供給材料分配器の各々により高速流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させ、パラキシレン及び低級オレフィン製品を含有する流れC、並びに再生対象触媒を生成するステップ(2)と、
ステップ(2)で得られた流れCを分離して、未転化のメタノールとジメチルエーテルの流れC−1、及び未転化のベンゼンとトルエン、オルトキシレン、メタキシレン、エチルベンゼン及びC9+芳香族炭化水素を含む芳香族炭化水素副生成物の流れC−2を得て、流れC−1を2〜10個の第2の反応器供給材料分配器の各々により高速流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させ、流れC−2を第1の反応器供給材料分配器により高速流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させるステップ(3)と、
ステップ(2)で得られた再生対象触媒を流動床再生器で再生し、再生触媒を第1の反応器気固分離器で気固分離して高速流動床反応器の反応領域の底部に充填するステップ(4)と、を含む、ことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 第1の反応器供給材料分配器により高速流動床反応器に送られる混合物において、芳香族炭化水素の分子モル数とメタノール及び/又はジメチルエーテルの炭素モル数との比が、0.5より大きい、ことを特徴とする請求項13又は16に記載の方法。
- 複数の第2の反応器供給材料分配器により高速流動床反応器に送られる混合物における全ての含酸素化合物と、第1の反応器供給材料分配器により送られるメタノールとのモル比が、1より大きい、ことを特徴とする請求項13又は16に記載の方法。
- 触媒再生において、請求項9に記載の装置のうちの少なくとも1つが使用される、ことを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 対象触媒は、反応器ストリッパー、再生対象シュート、再生対象スプール弁及び再生対象ライザーを通って流動床再生器の希薄相領域に入り、
再生媒体は、流動床再生器の再生領域に導入されて、再生対象触媒と炭素燃焼反応を生じ、CO及びCO2を含有する排煙並びに再生触媒を生成し、排煙は、再生器気固分離器で除塵された後排出され、
再生触媒は、再生器ストリッパー、再生シュート、再生スプール弁及び再生ライザーを通って、第1の反応器気固分離器の入口に入り、気固分離された後高速流動床反応器の反応領域の底部に入り、
反応器のストリッピングガスは、反応器のストリッピングガスの入口から反応器ストリッパーに入り再生対象触媒と向流接触した後高速流動床反応器に入り、再生対象上昇ガスは、再生対象上昇ガスの入口から再生対象ライザーに入り再生対象触媒と並流接触した後流動床再生器の希薄相領域に入り、
再生器のストリッピングガスは、再生器のストリッピングガスの入口から再生器ストリッパーに入り再生触媒と向流接触した後流動床再生器に入り、再生上昇ガスは、再生上昇ガスの入口から再生ライザーに入り再生触媒と並流接触した後第1の反応器気固分離器の入口に入り、前記第1の反応器気固分離器は、流動床反応器の希薄相領域又は反応器ハウジングの外部に設置されている、ことを特徴とする請求項16に記載の方法。 - 前記再生触媒の炭素含有量が0.5wt%以下である、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 前記再生媒体は、空気、酸素欠乏空気又は水蒸気のうちの少なくとも1種であり、及び/又は、前記反応器のストリッピングガス、再生器のストリッピングガス、再生対象上昇ガス、及び再生上昇ガスは、水蒸気及び/又は窒素ガスである、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 前記高速流動床反応器の反応領域の反応条件は、ガスの見かけ線速度が1.0m/s〜8.0m/s、反応温度が350℃〜600℃、反応圧力が0.1MPa〜1.0MPa、ベッド密度が50kg/m3〜500kg/m3である、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 前記流動床再生器の再生領域の反応条件は、ガスの見かけ線速度が0.1m/s〜2m/s、再生温度が500℃〜750℃、再生圧力が0.1MPa〜1.0MPa、ベッド密度が200kg/m3〜1200kg/m3である、ことを特徴とする請求項20に記載の方法。
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