JP6848088B2 - メタノール及び/又はジメヒルエーテル並びにベンゼンからパラキシレンを生産し低級オレフィンを併産する流動床装置及び方法 - Google Patents
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Description
C6H5−CH3+CH3OH→C6H4−(CH3)2+H2O (1)
nCH3OH→(CH2)n+nH2O n=2,3 (2)
C6H6+CH3OH→C6H5−CH3+H2O (3)
メタノールは、ベンゼン及び/又はトルエン、メタノール及び/又はジメヒルエーテルによるベンゼンのアルキル化反応の原料でありながら、MTO反応の原料であるが、MTO反応レートがベンゼン及び/又はトルエン−メタノール及び/又はジメヒルエーテルによるベンゼンのアルキル化反応レートより遥かに高い。
前記第1の反応器固気分離器には、再生触媒の入口が設けられ、前記第1の反応器固気分離器の触媒出口が反応領域の底部に設置され、前記第1の反応器固気分離器のガス出口が希薄相領域に設置され、
前記第2の反応器固気分離器の入口が前記希薄相領域に設置され、前記第2の反応器固気分離器の触媒出口が前記反応領域に設置され、前記第2の反応器固気分離器のガス出口が乱流流動床反応器の製品ガスの出口に接続され、
前記反応領域は、前記乱流流動床反応器の下部に位置し、前記希薄相領域は、前記乱流流動床反応器の上部に位置する。
前記乱流流動床反応器は、第1の反応器供給材料分配器と少なくとも1つの第2の反応器供給材料分配器との間に位置し、開孔率が50%以下である多孔板を含み、
反応器ハウジングの内部における前記反応器ストリッパーの開口の水平面からの高さは、第1の反応器供給材料分配器より高く、且つ前記多孔板より高い。
前記再生器気固分離器の入口が再生器希薄相領域に設置され、前記再生器気固分離器の触媒出口が再生領域に設置され、再生器ストリッパーは、再生器ハウジングの底部で開口している。
好ましくは、前記流動床再生器は、再生器ハウジング、再生器供給分配器、再生器気固分離器、再生器放熱器、排煙出口及び再生器ストリッパーを含み、
前記流動床再生器の下部が再生領域であり、流動床再生器の上部が希薄相領域であり、
再生器供給分配器が再生領域の底部に設置され、再生器放熱器が再生領域に設置され、再生器気固分離器が希薄相領域又は再生器ハウジングの外部に設置され、再生器気固分離器の入口が希薄相領域に設置され、再生器気固分離器の触媒出口が再生領域に設置され、再生器気固分離器のガス出口が排煙出口に接続され、再生器ストリッパーは、再生器ハウジングの底部で開口し、
前記反応器ストリッパーの再生対象触媒の出口が再生対象シュートの入口に接続され、再生対象シュートに再生対象スプール弁が設けられ、再生対象シュートの出口が再生対象ライザーの入口に接続され、再生対象ライザーの底部に再生対象上昇ガスの入口が設けられ、再生対象ライザーの出口が流動床再生器の希薄相領域に接続され、
前記再生器ストリッパーの底部には再生器のストリッピングガスの入口が設けられ、再生器ストリッパーの底部が再生シュートの入口に接続され、再生シュートには、再生スプール弁が設けられ、再生シュートの出口が再生ライザーの入口に接続され、再生ライザーの底部には、再生上昇ガスの入口が設けられ、再生ライザーの出口が第1の反応器固気分離器の再生触媒の入口に接続され、前記第1の反応器固気分離器は、流動床反応器の希薄相領域又は反応器ハウジングの外部に設置される。
未転化のメタノールとジメヒルエーテルは、複数の第2の反応器供給材料分配器により乱流流動床反応器の反応領域に送られ、芳香族炭化水素副生成物と未転化のベンゼンは、第1の反応器供給材料分配器により乱流流動床反応器の反応領域に送られて触媒と接触する。
メタノール及び/又はジメヒルエーテルとベンゼンを含有する流れAを乱流流動床反応器の下方の第1の反応器供給材料分配器により乱流流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させるステップ(1)と、
メタノールを含有する流れBを、第1の反応器供給材料分配器の上方に順次配置される2〜10個の第2の反応器供給材料分配器の各々により乱流流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させ、パラキシレンと低級オレフィン製品を含有する流れCと再生対象触媒を生成するステップ(2)と、
ステップ(2)で得られた流れCから、未転化のメタノール及びジメヒルエーテルの流れC−1と;未転化のベンゼン及びトルエン、並びにオルトキシレン、メタキシレン、エチルベンゼン及びC9+芳香族炭化水素を含む芳香族炭化水素副生成物の流れC−2とを分離させ、流れC−1を2〜10個の第2の反応器供給材料分配器の各々により乱流流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させ、流れC−2を第1の反応器供給材料分配器により乱流流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させるステップ(3)と、
ステップ(2)で得られた再生対象触媒を流動床再生器で再生し、再生触媒を第1の反応器固気分離器で固気分離した後、乱流流動床反応器における反応領域の底部に導入するステップ(4)と、を含む。
再生媒体は、流動床再生器の再生領域に導入されて、再生対象触媒と炭素燃焼反応を発生させて、CO、CO2を含有する排煙及び再生触媒を生成し、排煙について再生器気固分離器で除塵して排出し、
再生触媒は、再生器ストリッパー、再生シュート、再生スプール弁及び再生ライザーを通って第1の反応器固気分離器入口に入り、固気分離された後、乱流流動床反応器における反応領域の底部に入り、
反応器ストリッピングガスは、反応器のストリッピングガスの入口により反応器ストリッパーに入って再生対象触媒と向流接触し、次に乱流流動床反応器に入り、再生対象上昇ガスは、再生対象上昇ガスの入口により再生対象ライザーに入って再生対象触媒と並流接触し、次に流動床再生器の希薄相領域に入り、
再生器ストリッピングガスは、再生器のストリッピングガスの入口により再生器ストリッパーに入って再生触媒と向流接触し、次に流動床再生器に入り、再生上昇ガスは、再生上昇ガスの入口により再生ライザーに入って再生触媒と並流接触し、次に第1の反応器固気分離器の入口に入り、前記第1の反応器固気分離器は、流動床反応器の希薄相領域又は反応器ハウジングの外部に設置される。
及び/又は、前記反応器ストリッピングガス、再生器ストリッピングガス、再生対象上昇ガス及び再生上昇ガスは、水蒸気及び/又は窒素ガスである。
反応器ストリッパー8の再生対象触媒の出口が再生対象シュート10の入口に接続され、再生対象シュート10に再生対象スプール弁11が設けられ、再生対象シュート10の出口が再生対象ライザー12の入口に接続され、再生対象ライザー12の底部に再生対象上昇ガスの入口13が設けられ、再生対象ライザー12の出口が流動床再生器14の希薄相領域に接続され、且つ再生器ストリッパー20の底部に再生器のストリッピングガスの入口21が設けられ、再生器ストリッパー20の底部が再生シュート22の入口に接続され、再生シュート22に再生スプール弁23が設けられ、再生シュート22の出口が再生ライザー24の入口に接続され、再生ライザー24の底部に再生上昇ガスの入口25が設けられ、再生ライザー24の出口が反応器固気分離器4の入口に接続される。
メタノール及び/又はジメヒルエーテルとベンゼンを含有する原料を乱流流動床反応器1の最下方の反応器供給材料分配器3−1により乱流流動床反応器1の反応領域に送り、メタノールを乱流流動床反応器1における反応器供給材料分配器3−2〜3−nにより乱流流動床反応器1の反応領域に送り、触媒と接触させ、パラキシレンと低級オレフィン製品を含有する流れとカーボンを含有する再生対象触媒を生成するステップと、
乱流流動床反応器1から流れ出した、パラキシレンと低級オレフィン製品を含有する流れを製品分離システムに送り、分離してパラキシレン;エチレン;プロピレン、ブテン;C5+鎖式炭化水素;トルエン、オルトキシレン、メタキシレン、エチルベンゼン及びC9+芳香族炭化水素を含む芳香族炭化水素副生成物;並びに未転化のメタノール、ジメヒルエーテル及びベンゼンを得て、未転化のメタノールとジメヒルエーテルを反応器供給材料分配器3−2〜3−nにより乱流流動床反応器1の反応領域に送り、芳香族炭化水素副生成物と未転化のベンゼンを反応器供給材料分配器3−1により乱流流動床反応器1の反応領域に送り、触媒と接触させ、生成物に転化するステップと、
再生対象触媒を流動床再生器14で再生し、再生触媒を反応器固気分離器4で固気分離した後、乱流流動床反応器1における反応領域の底部に投入するステップとを含む。
再生媒体は、再生器供給分配器16から流動床再生器14の再生領域に入り、再生対象触媒と炭素燃焼反応を発生させて、CO、CO2を含有する排煙及び再生触媒を生成し、排煙について再生器気固分離器17で除塵して排出し、
再生触媒は、再生器ストリッパー20、再生シュート22、再生スプール弁23及び再生ライザー24を通って、反応器気固分離器4の入口に入り、固気分離された後、再生触媒乱流流動床反応器1における反応領域の底部に入り、
反応器ストリッピングガスは、反応器のストリッピングガスの入口9から反応器ストリッパー8に入って再生対象触媒と向流接触し、次に乱流流動床反応器1に入り、再生対象上昇ガスは、再生対象上昇ガスの入口13から再生対象ライザー12に入って再生対象触媒と並流接触し、次に流動床再生器14の希薄相領域に入り、
再生器ストリッピングガスは、再生器のストリッピングガスの入口21から再生器ストリッパー20に入って再生触媒と向流接触し、次に流動床再生器14に入り、再生上昇ガスは、再生上昇ガスの入口25から再生ライザー24に入って再生触媒と並流接触し、次に反応器固気分離器4の入口に入る。
(1)本願に係る流動床反応器及び装置は、原料反応レートの差が大きな共同供給系において、異なる原料流れを異なる領域において分配させて供給することによって、物質移動制御を達成し、更に共同供給系を調整して最適化させ、反応収率を向上させる。
図1に示されるように、再生器ストリッパー20の底部に再生器のストリッピングガスの入口21が設けられ、再生器ストリッパー20の底部が再生シュート22の入口に接続され、再生シュート22に再生スプール弁23が設けられ、再生シュート22の出口が再生ライザー24の入口に接続され、再生ライザー24の底部に再生上昇ガスの入口25が設けられ、再生ライザー24の出口が反応器固気分離器4の入口に接続される。
メタノール及び/又はジメヒルエーテルとベンゼンを含有する原料を乱流流動床反応器1の最下方の反応器供給材料分配器3−1により乱流流動床反応器1の反応領域に送り、メタノールを乱流流動床反応器1における反応器供給材料分配器3−2〜3−nにより乱流流動床反応器1の反応領域に送り、触媒と接触させ、パラキシレンと低級オレフィン製品を含有する流れとカーボンを含有する再生対象触媒を生成するステップa)と、
乱流流動床反応器1から流れ出した、パラキシレンと低級オレフィン製品を含有する流れを製品分離システムに送り、分離してパラキシレン;エチレン;プロピレン;ブテン;C5+鎖式炭化水素;トルエン、オルトキシレン、メタキシレン、エチルベンゼン及びC9+芳香族炭化水素を含む芳香族炭化水素副生成物;並びに未転化のメタノール、ジメヒルエーテル及びベンゼンを得て、未転化のメタノールとジメヒルエーテルを反応器供給材料分配器3−2〜3−nにより乱流流動床反応器1の反応領域に送り、芳香族炭化水素副生成物と未転化のベンゼンを反応器供給材料分配器3−1により乱流流動床反応器1の反応領域に送り、触媒と接触させ、生成物に転化するステップb)と、
再生対象触媒は、反応器ストリッパー8、再生対象シュート10、再生対象スプール弁11及び再生対象ライザー12により流動床再生器14の希薄相領域に入るステップc)と、
再生媒体を再生器供給分配器16から流動床再生器14の再生領域に導入し、再生媒体が再生対象触媒と炭素燃焼反応を発生させて、CO、CO2を含有する排煙及び再生触媒を生成し、排煙について再生器気固分離器17で除塵して排出するステップd)と、
再生触媒は再生器ストリッパー20、再生シュート22、再生スプール弁23及び再生ライザー24を通って、反応器気固分離器4の入口に入り、固気分離された後、再生触媒乱流流動床反応器1における反応領域の底部に入るステップe)と、
反応器ストリッピングガスは、反応器のストリッピングガスの入口9により反応器ストリッパー8に入って再生対象触媒と向流接触し、次に乱流流動床反応器1に入り、再生対象上昇ガスは、再生対象上昇ガスの入口13により再生対象ライザー12に入って再生対象触媒と並流接触し、次に流動床再生器14の希薄相領域に入るステップf)と、
再生器ストリッピングガスは、再生器のストリッピングガスの入口21から再生器ストリッパー20に入って再生触媒と向流接触し、次に流動床再生器14に入り、再生上昇ガスは、再生上昇ガスの入口25から再生ライザー24に入って再生触媒と並流接触し、次に反応器固気分離器4の入口に入るステップg)とを含む。
図1に示した装置を用い、ただし、乱流流動床反応器1には、反応器固気分離器4と多孔板26が含まれず、再生ライザー24が乱流流動床反応器1の希薄相領域に直接接続された。乱流流動床反応器1は、1個の反応器供給材料分配器3−1を含んだ。
図1に示した装置を用い、乱流流動床反応器1には、3個の反応器供給材料分配器3−1〜3−3が含まれ、多孔板26の開孔率が10%であり、反応器固気分離器4は、反応器ハウジング2の内部に設置された。
(2)実施例1では、メタノールが1個の反応器供給材料分配器3−1から供給されるが、本例では、メタノールは、3個の反応器供給材料分配器(3−1〜3−3)の各々から供給される。
(3)実施例1では、多孔板が含まれないが、本例では、多孔板が含まれる。
図1に示した装置を用い、乱流流動床反応器1には、6個の反応器供給材料分配器3−1〜3−6が含まれ、多孔板の開孔率が5%であり、反応器固気分離器4は、反応器ハウジング2の内部に設置された。
図1に示した装置を用い、乱流流動床反応器1には、4個の反応器供給材料分配器3−1〜3−4が含まれ、多孔板26が含まれず、反応器固気分離器4は、反応器ハウジング2の外部に設置された。
Claims (20)
- メタノール及び/又はジメヒルエーテル並びにベンゼンから、パラキシレンを生産し低級オレフィンを併産するための乱流流動床反応器であって、反応領域と、希薄相領域と、第1の反応器供給材料分配器と、複数の第2の反応器供給材料分配器と、を備え、
前記第1の反応器供給材料分配器及び前記複数の第2の反応器供給材料分配器は、前記反応領域に下から上へ順次配置されており、
前記反応領域は、前記乱流流動床反応器の下部に位置し、前記希薄相領域は、前記乱流流動床反応器の上部に位置し、
前記第2の反応器供給材料分配器は、2〜10個であり、
前記第1の反応器供給材料分配器の供給材料は、メタノール及び/又はジメヒルエーテル並びにベンゼンを含み、
前記第2の反応器供給材料分配器の供給材料は、メタノール及び/又はジメヒルエーテルを含み、
前記乱流流動床反応器は、前記第1の反応器供給材料分配器と少なくとも1つの前記第2の反応器供給材料分配器との間に位置する多孔板を含み、該多孔板の開孔率が50%以下であり、
前記乱流流動床反応器は、前記希薄相領域に設置されている第1の反応器固気分離器を含み、前記第1の反応器固気分離器には再生触媒の入口が設けられており、前記第1の反応器固気分離器の再生触媒出口が、前記反応領域の底部であって前記第1の反応器供給材料分配器と前記多孔板との間に設置され、前記第1の反応器固気分離器のガス出口が前記希薄相領域に設置されている、ことを特徴とする乱流流動床反応器。 - 前記乱流流動床反応器は、希薄相領域又は反応器ハウジングの外部に設置されている第2の反応器固気分離器をさらに含み、
前記第2の反応器固気分離器の入口が前記希薄相領域に設置され、前記第2の反応器固気分離器の触媒出口が前記反応領域に設置され、前記第2の反応器固気分離器のガス出口が乱流流動床反応器の製品ガスの出口に接続され、
前記第1の反応器固気分離器と第2の反応器固気分離器は、サイクロン分離器である、ことを特徴とする請求項1に記載の乱流流動床反応器。 - 前記乱流流動床反応器は、前記乱流流動床反応器ハウジングの内部又は外部に設置されている反応器放熱器を含む、ことを特徴とする請求項1または2に記載の乱流流動床反応器。
- 前記反応器放熱器は、複数の反応器供給材料分配器の間に設置されており、
前記乱流流動床反応器は反応器ストリッパーを含み、該反応器ストリッパーは、乱流流動床反応器の底部において外から内へ反応器ハウジングを貫通して、乱流流動床反応器の反応領域内で開口し、該反応器ストリッパーの底部には反応器のストリッピングガスの入口と再生対象触媒の出口が設けられている、ことを特徴とする請求項3に記載の乱流流動床反応器。 - 前記多孔板は、第1の反応器供給材料分配器と第1の反応器供給材料分配器に最も近接する第2の反応器供給材料分配器との間に位置し、該多孔板の開孔率が5%〜50%である、ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の乱流流動床反応器。
- 前記反応器ストリッパーは、乱流流動床反応器の底部において外から内へ反応器ハウジングを貫通して、乱流流動床反応器の反応領域内で開口し、前記反応器ストリッパーの底部には反応器のストリッピングガスの入口と再生対象触媒の出口が設けられ、
反応器ハウジングの内部における前記反応器ストリッパーの開口の水平面からの高さは、第1の反応器供給材料分配器より高く、且つ前記多孔板より高い、ことを特徴とする請求項4または5に記載の乱流流動床反応器。 - メタノール及び/又はジメヒルエーテル並びにベンゼンから、パラキシレンを生産し低級オレフィンを併産するための装置であって、少なくとも1つの請求項1から6のいずれか一項に記載の乱流流動床反応器と、触媒を再生するための流動床再生器と、を備える、ことを特徴とする装置。
- 前記流動床再生器は、乱流流動床再生器であり、再生器ハウジング、再生器気固分離器、再生器放熱器及び再生器ストリッパーを含み、流動床再生器の下部が再生領域であり、流動床再生器の上部が再生器希薄相領域であり、再生器供給分配器が再生領域の底部に設置され、再生器放熱器が再生領域に設置され、再生器気固分離器が希薄相領域又は再生器ハウジングの外部に設置され、
前記再生器気固分離器の入口が再生器希薄相領域に設置され、前記再生器気固分離器の触媒出口が再生領域に設置され、再生器ストリッパーは、再生器ハウジングの底部で開口する、ことを特徴とする請求項7に記載の装置。 - 前記流動床再生器は、再生器ハウジング、再生器供給分配器、再生器気固分離器、再生器放熱器、排煙出口及び再生器ストリッパーを備え、
前記流動床再生器の下部が再生領域であり、流動床再生器の上部が希薄相領域であり、
再生器供給分配器が再生領域の底部に設置され、再生器放熱器が再生領域に設置され、再生器気固分離器が希薄相領域又は再生器ハウジングの外部に設置され、再生器気固分離器の入口が希薄相領域に設置され、再生器気固分離器の触媒出口が再生領域に設置され、再生器気固分離器のガス出口が排煙出口に接続され、再生器ストリッパーは、再生器ハウジングの底部で開口し、
前記反応器ストリッパーの再生対象触媒の出口が再生対象シュートの入口に接続され、再生対象シュートに再生対象スプール弁が設けられ、再生対象シュートの出口が再生対象ライザーの入口に接続され、再生対象ライザーの底部に再生対象上昇ガスの入口が設けられ、再生対象ライザーの出口が流動床再生器の希薄相領域に接続され、
前記再生器ストリッパーの底部には再生器のストリッピングガスの入口が設けられ、再生器ストリッパーの底部が再生シュートの入口に接続され、再生シュートには、再生スプール弁が設けられ、再生シュートの出口が再生ライザーの入口に接続され、再生ライザーの底部には、再生上昇ガスの入口が設けられ、再生ライザーの出口が第1の反応器固気分離器の再生触媒の入口に接続され、前記第1の反応器固気分離器は、流動床反応器の希薄相領域に設置されている、ことを特徴とする請求項7に記載の装置。 - メタノール及び/又はジメヒルエーテル並びにベンゼンから、パラキシレンを生産し低級オレフィンを併産する方法であって、少なくとも1つの請求項1から6のいずれか一項に記載の乱流流動床反応器が用いられ、
メタノール及び/又はジメヒルエーテル並びにベンゼンを含有する原料Aを第1の反応器供給材料分配器により乱流流動床反応器の反応領域に送って第1の反応器固気分離器の再生触媒出口から供給される再生触媒と接触させ、メタノール及び/又はジメヒルエーテルを含有する原料Bを複数の第2の反応器供給材料分配器の各々により乱流流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させ、パラキシレンと低級オレフィン製品を含有する流れCと再生対象触媒を生成する、ことを特徴とする方法。 - 前記流れCを分離して、パラキシレン、低級オレフィン、C5+鎖式炭化水素、芳香族炭化水素副生成物、並びに未転化のメタノール、ジメヒルエーテル及びベンゼンを得て、
未転化のメタノールとジメヒルエーテルを、複数の第2の反応器供給材料分配器により乱流流動床反応器の反応領域に送り、芳香族炭化水素副生成物と未転化のベンゼンを、第1の反応器供給材料分配器により乱流流動床反応器の反応領域に送って、触媒と接触させる、ことを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 前記再生対象触媒は、流動床再生器で再生された後、乱流流動床反応器における反応領域の底部に入る、ことを特徴とする請求項10または11に記載の方法。
- メタノール及び/又はジメヒルエーテル並びにベンゼンを含有する流れAを乱流流動床反応器の下方の第1の反応器供給材料分配器により乱流流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させるステップ(1)と、
メタノール及び/又はジメヒルエーテルを含有する流れBを、第1の反応器供給材料分配器の上方に順次配置されている2〜10個の第2の反応器供給材料分配器の各々により乱流流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させ、パラキシレンと低級オレフィン製品を含有する流れCと再生対象触媒を生成するステップ(2)と、
ステップ(2)で得られた流れCから、未転化のメタノール及びジメヒルエーテルの流れC−1と、未転化のベンゼン及びトルエン並びにオルトキシレン、メタキシレン、エチルベンゼン及びC9+芳香族炭化水素を含む芳香族炭化水素副生成物の流れC−2とを分離させ、流れC−1を2〜10個の第2の反応器供給材料分配器の各々により乱流流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させ、流れC−2を第1の反応器供給材料分配器により乱流流動床反応器の反応領域に送って触媒と接触させるステップ(3)と、
ステップ(2)で得られた再生対象触媒を流動床再生器で再生し、再生触媒を第1の反応器固気分離器に充填してガスを除去した後、再生触媒を乱流流動床反応器における反応領域の底部に充填するステップ(4)とを含む、ことを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 第1の反応器供給材料分配器により乱流流動床反応器に送られる混合物において、芳香族炭化水素の分子モル数とメタノール及び/又はジメヒルエーテルのカーボンモル数との比が、0.5より大きい、ことを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 複数の第2の反応器供給材料分配器により乱流流動床反応器に入る混合物中の全ての含酸素化合物と第1の反応器供給材料分配器から入るメタノールとのモル比は、1より大きい、ことを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 触媒再生には、少なくとも1つの請求項7から9のいずれか一項に記載の装置が用いられる、ことを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 再生対象触媒は、反応器ストリッパー、再生対象シュート、再生対象スプール弁及び再生対象ライザーを通って流動床再生器の希薄相領域に入り、
再生媒体は、流動床再生器の再生領域に導入されて、再生対象触媒と炭素燃焼反応を起こして、CO、CO2を含有する排煙及び再生触媒を生成し、排煙は再生器気固分離器で除塵されて排出され、
再生触媒は、再生器ストリッパー、再生シュート、再生スプール弁及び再生ライザーを通って第1の反応器固気分離器の入口に入り、固気分離された後、再生触媒が乱流流動床反応器における反応領域の底部に入り、
反応器ストリッピングガスは、反応器のストリッピングガスの入口から反応器ストリッパーに入って再生対象触媒と向流接触し、その後乱流流動床反応器に入り、再生対象上昇ガスは、再生対象上昇ガスの入口から再生対象ライザーに入って再生対象触媒と並流接触し、その後流動床再生器の希薄相領域に入り、
再生器ストリッピングガスは、再生器のストリッピングガスの入口から再生器ストリッパーに入って再生触媒と向流接触し、その後流動床再生器に入り、再生上昇ガスは、再生上昇ガスの入口から再生ライザーに入って再生触媒と並流接触し、その後第1の反応器固気分離器の入口に入り、前記第1の反応器固気分離器は、流動床反応器の希薄相領域に設置されており、
前記再生触媒の炭素含有量が0.5wt%以下である、ことを特徴とする請求項16に記載の方法。 - 前記再生媒体は、空気、酸素欠乏空気又は水蒸気のうちの少なくとも1種であり、
及び/又は、前記反応器ストリッピングガス、再生器ストリッピングガス、再生対象上昇ガス及び再生上昇ガスは、水蒸気及び/又は窒素ガスであるである、ことを特徴とする請求項17に記載の方法。 - 前記乱流流動床反応器の反応領域の反応条件は、ガスの見かけ線速度が、0.1m/s〜2.0m/s、反応温度が、350℃〜600℃、反応圧力が、0.1Mpa〜1.0MPa、ベッド密度が、200kg/m3〜1200kg/m3である、ことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記流動床再生器の再生領域の反応条件は、ガスの見かけ線速度が、0.1m/s〜2.0m/s、再生温度が、500℃〜750℃、再生圧力が、0.1Mpa〜1.0MPa、ベッド密度が、200kg/m3〜1200kg/m3である、ことを特徴とする請求項17に記載の方法。
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