JP2017504654A - メタノール及び/又はジメチルエーテルから低級オレフィンを製造する反応装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記反応装置は、濃厚相流動化床反応器(2)、サイクロン(3)、ストリッパー(5)、ライザー(7)、濃厚相流動化床再生器(10)、サイクロン(11)、ストリッパー(13)及びライザー(15)を含み、
(但し、反応器供給配管(1)は、前記濃厚相流動化床反応器(2)の底部に接続されている。前記ストリッパー(5)は、一部が前記濃厚相流動化床反応器(2)の中に位置し、残りの部分が前記濃厚相流動化床反応器(2)の下方に位置する。前記ライザー(7)は、底部が前記ストリッパー(5)の底部に接続され、頂部が前記濃厚相流動化床再生器(10)に接続されている。再生器供給配管(9)は、前記濃厚相流動化床再生器(10)の底部に接続されている。前記ストリッパー(13)は、一部が前記濃厚相流動化床再生器(10)の中に位置し、残りの部分が前記濃厚相流動化床再生器(10)の下方に位置する。前記ライザー(15)は、底部が前記ストリッパー(13)の底部に接続され、頂部が前記濃厚相流動化床反応器(2)に接続されている。)
前記濃厚相流動化床反応器(2)及び/又は濃厚相流動化床再生器(10)の中には、物質流動制御器(17)を有し、前記濃厚相流動化床反応器(2)は、前記物質流動制御器(17)によってn個の二級反応ゾーンに仕切され、且つ第1乃至第nの二級反応ゾーンが順に接続されており、前記濃厚相流動化床再生器(10)は、前記物質流動制御器(17)によってm個の二級再生ゾーンに仕切され、且つ第1乃至第mの二級再生ゾーンが順に接続されている(但し、n≧2、m≧2である。)ことを特徴とする反応装置を提供するものである。
(8)複数の二級反応ゾーンの構造は、反応器の大型化には有利である。
濃厚相流動化床反応器内には二級反応ゾーンが4つ設置され、濃厚相流動化床再生器内には二級再生ゾーンが4つ設置されている。主にメタノール及び/又はジメチルエーテルである原料が濃厚相流動化床反応器に入り、SAPO−34分子篩を含む触媒と接触して、気相生成物の流れ及び再生すべき触媒が生成された。気相物質及び巻き込まれた再生すべき触媒がサイクロンに入った。気相生成物の流れは、サイクロンの排出口を経て以降の分離区画に入り、巻き込まれた再生すべき触媒は、サイクロンのデッィプレッグを経て第4の二級反応ゾーンに入った。再生触媒は、ストリッパー、ライザーを経て濃厚相流動化床反応器に入り、且つ第1乃至第4の二級反応ゾーンを順に通して、炭素析出後、再生すべき触媒が生成された。再生すべき触媒は、再度ストリッパー、ライザーを経て濃厚相流動化床再生器に入り、且つ第1乃至第4の二級再生ゾーンを順に通して、炭素燃焼後、再生触媒が生成された。濃厚相流動化床反応器の反応条件は、反応温度が400℃であり、気相線速度が0.3m/sであり、層密度が1000kg/m3であり、第1の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が2wt%であり、第2の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が6wt%であり、第3の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が8wt%であり、第4の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が10wt%であった。濃厚相流動化床再生器の反応条件は、反応温度が500℃であり、気相線速度が0.3m/sであり、層密度が1000kg/m3であり、第1の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が7wt%であり、第2の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が4wt%であり、第3の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が2wt%であり、第4の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が1wt%であった。反応生成物がオンラインガスクロマトグラフィーにより分析された。低級オレフィンの炭素収率が91.1wt%であった。
濃厚相流動化床反応器内には二級反応ゾーンが3つ設置され、濃厚相流動化床再生器内には二級再生ゾーンが2つ設置されている。主にメタノール及び/又はジメチルエーテルである原料が濃厚相流動化床反応器に入り、SAPO−34分子篩を含む触媒と接触して、気相生成物の流れ及び再生すべき触媒が生成された。気相物質及び巻き込まれた再生すべき触媒は、サイクロンに入った。気相生成物の流れは、サイクロンの排出口を経て以降の分離区画に入り、巻き込まれた再生すべき触媒は、サイクロンのデッィプレッグを経て第3の二級反応ゾーンに入った。再生触媒は、ストリッパー、ライザーを経て濃厚相流動化床反応器に入り、且つ順に第1乃至3つの二級反応ゾーンを通して、炭素析出後、再生すべき触媒が生成された。再生すべき触媒は、再度ストリッパー、ライザーを経て濃厚相流動化床再生器に入り、且つ順に第1乃至2つの二級再生ゾーンを通して、炭素燃焼後、再生触媒が生成された。濃厚相流動化床反応器の反応条件は、反応温度が450℃であり、気相線速度が0.5m/sであり、層密度が900kg/m3であり、第1の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が3wt%であり、第2の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が7wt%であり、第3の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が9wt%であった。濃厚相流動化床再生器の反応条件は、反応温度が600℃であり、気相線速度が0.7m/sであり、層密度が700kg/m3であり、第1の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が4wt%であり、第2の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が2wt%であった。反応生成物がオンラインガスクロマトグラフィーにより分析された。低級オレフィンの炭素収率が90.5wt%である。
濃厚相流動化床反応器内には二級反応ゾーンが6つ設置され、濃厚相流動化床再生器内には二級再生ゾーンが5つ設置されている。主にメタノール及び/又はジメチルエーテルである原料は、濃厚相流動化床反応器に入り、SAPO−34分子篩を含む触媒と接触して、気相生成物の流れ及び再生すべき触媒が生成された。気相物質及び巻き込まれた再生すべき触媒は、サイクロンに入った。気相生成物の流れは、サイクロンの排出口を経て以降の分離区画に入り、巻き込まれた再生すべき触媒は、サイクロンのデッィプレッグを経て第6の二級反応ゾーンに入った。再生触媒は、ストリッパー、ライザーを経て濃厚相流動化床反応器に入り、且つ順に第1乃至第6の二級反応ゾーンを通して、炭素析出後、再生すべき触媒が生成された。再生すべき触媒は、再度ストリッパー、ライザーを経て濃厚相流動化床再生器に入り、且つ順に第1乃至第5の二級再生ゾーンを通して、炭素燃焼後、再生触媒が生成された。濃厚相流動化床反応器の反応条件は、反応温度が480℃であり、気相線速度が0.7m/sであり、層密度が700kg/m3であり、第1の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が1wt%であり、第2の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が3wt%であり、第3の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が4wt%であり、第4の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が5wt%であり、第5の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が6wt%であり、第6の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が7wt%であった。濃厚相流動化床再生器の反応条件は、反応温度が650℃であり、気相線速度が1.0m/sであり、層密度が500kg/m3であり、第1の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が5wt%であり、第2の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が3wt%であり、第3の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が2wt%であり、第4の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が1wt%であり、第5の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が0.01wt%であった。反応生成物がオンラインガスクロマトグラフィーにより分析された。低級オレフィンの炭素収率が91.4wt%である。
Claims (7)
- メタノール及び/又はジメチルエーテルから低級オレフィンを製造する反応装置であって、
前記反応装置は、濃厚相流動化床反応器(2)、サイクロン(3)、ストリッパー(5)、ライザー(7)、濃厚相流動化床再生器(10)、サイクロン(11)、ストリッパー(13)及びライザー(15)を含み、
(但し、反応器供給配管(1)は、前記濃厚相流動化床反応器(2)の底部に接続されている。前記ストリッパー(5)は、一部が前記濃厚相流動化床反応器(2)の中に位置し、残りの部分が前記濃厚相流動化床反応器(2)の下方に位置する。前記ライザー(7)は、底部が前記ストリッパー(5)の底部に接続され、頂部が前記濃厚相流動化床再生器(10)に接続されている。再生器供給配管(9)は、前記濃厚相流動化床再生器(10)の底部に接続されている。前記ストリッパー(13)は、一部が前記濃厚相流動化床再生器(10)の中に位置し、残りの部分が前記濃厚相流動化床再生器(10)の下方に位置する。前記ライザー(15)は、底部が前記ストリッパー(13)の底部に接続され、頂部が前記濃厚相流動化床反応器(2)に接続されている。)
前記濃厚相流動化床反応器(2)及び/又は濃厚相流動化床再生器(10)の中には、物質流動制御器(17)を有し、前記濃厚相流動化床反応器(2)は、前記物質流動制御器(17)によってn個の二級反応ゾーンに仕切され、且つ第1乃至第nの二級反応ゾーンが順に接続され、前記濃厚相流動化床再生器(10)は、前記物質流動制御器(17)によってm個の二級再生ゾーンに仕切され、且つ第1乃至第mの二級再生ゾーンが順に接続されている(但し、n≧2、m≧2である。)ことを特徴とする反応装置。 - 前記ライザー(15)は、頂部が第1の二級反応ゾーンに接続され、第nの二級反応ゾーンは、前記ストリッパー(5)の上部の物質オーバーフロー口(18)に接続され、前記濃厚相流動化床反応器(2)の上部にはサイクロン(3)が設置され、前記サイクロン(3)は、頂部排出口が生成物配管(4)に接続され、底部が第nの二級反応ゾーンに接続されていることを特徴とする請求項1に記載の反応装置。
- 前記ライザー(7)は、頂部が第1の二級再生ゾーンに接続され、第mの二級再生ゾーンは、前記ストリッパー(13)の上部の物質オーバーフロー口(18)に接続され、前記濃厚相流動化床再生器(10)の上部にはサイクロン(11)が設置され、前記サイクロン(11)は、頂部排出口が排気配管(12)に接続され、底部が第mの二級再生ゾーンに接続されていることを特徴とする請求項1に記載の反応装置。
- 8≧n≧3であることを特徴とする請求項1に記載の反応装置。
- 8≧m≧3であることを特徴とする請求項1に記載の反応装置。
- 前記物質流動制御器(17)は、セパレータ(19)、オリフィス(20)、物質ダウンフロー管(21)、底部バッフル(22)及び受熱部材(23)から構成され、前記オリフィス(20)は、前記セパレータ(19)の下方に位置し、且つ前記物質ダウンフロー管(21)の底部に接続され、前記底部バッフル(22)は、前記物質ダウンフロー管(21)及び前記オリフィス(20)の底部に位置し、前記受熱部材(23)は、前記セパレータ(19)に固定されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の反応装置。
- 前記底部バッフル(22)は多孔板又は無孔板であることを特徴とする請求項6に記載の反応装置。
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