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JP2017504654A - メタノール及び/又はジメチルエーテルから低級オレフィンを製造する反応装置 - Google Patents

メタノール及び/又はジメチルエーテルから低級オレフィンを製造する反応装置 Download PDF

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Abstract

本発明がメタノール及び/又はジメチルエーテルから低級オレフィンを製造する反応装置に関わる。より具体には、メタノール及び/又はジメチルエーテルから低級オレフィンを製造する反応装置であって、濃厚相流動化床反応器(2)、サイクロン(3)、ストリッパー(5)、ライザー(7)、濃厚相流動化床再生器(10)、サイクロン(11)、ストリッパー(13)及びライザー(15)を主に含む反応装置に関わる。但し、濃厚相流動化床反応器(2)が物質流動制御器(17)によってn(n≧2)個の二級反応ゾーンに仕切られ、濃厚相流動化床再生器(10)が物質流動制御器(17)によってm(m≧2)個の二級再生ゾーンに仕切られている。本発明の反応装置によれば、従来技術における触媒の炭素含有量の分布が均一ではなく、低級オレフィンの選択率が低い問題を解決した。

Description

本発明は、メタノール及び/又はジメチルエーテルから低級オレフィンを製造する反応装置に関するものである。
低級オレフィンであるエチレン及びプロピレンは、二種類の重要かつ基礎的な化学工業原料であり、その需要量がだんだん増えている。通常、エチレン及びプロピレンが石油ルートにより生産されるものですが、石油資源の限られた供給量及び高い価格のため、石油資源からエチレンやプロピレンを生産するコストが増えている。近年、代替原料をエチレンやプロピレンに転化させる技術の開発が盛んに進んでいる。メタノールをオレフィン(MTO)に転化させるプロセスが多く注目されてきて、100万トンレベルの生産規模が既に実現された。世界経済の発展に伴って、低級オレフィン、特にプロピレンの需要量が日々に増えている。CMAI会社の分析によれば、2016年の前に、エチレンの需要量が年当たり平均4.3%の速度で増加し、プロピレンの需要量が年当たり平均4.4%の速度で増加すると予測される。わが国の経済が高い速度で成長しているので、わが国では、エチレンもプロピレンも需要量の年成長率が世界の平均レベルを超えている。
20世紀80年代初めに、UCC会社は、SAPOシリーズ分子篩の開発に成功した。中でも、SAPO−34分子篩触媒は、MTO反応に用いられる際に優れた触媒性能を示し、高い低級オレフィンの選択率を有し、且つ活性が高いが、一定の時期使用した後、触媒が炭素析出のせいで失活するようになる。SAPO−34分子篩触媒は、使用中に明らかな誘導期が存在する。誘導期の内で、オレフィンの選択率が低く、アルカンの選択率が高いが、反応時間の延長につれて、低級オレフィンの選択率がしだいに上昇する。誘導期完了後から一定の期間内で触媒が高い選択率及び高い活性を保持するが、反応時間が延長され続けると、触媒の活性が素早く下がるようになる。
US6166282には、メタノールを低級オレフィンに転化させる技術及び反応器が開示されている。快速流動化床反応器によって、気速が低い濃厚相反応ゾーンで気相を反応させてから、内径が急遽に小さくなる快速分離ゾーンに上昇させた後、特殊な気固分離装置を用いて、巻き込まれた触媒の大部を初歩的に分離させる。反応後に生産物の気体と触媒とが迅速に分離されることで、二次反応の発生を有効に防止した。模擬計算によれば、伝統的なバブリング流動化床反応器と比べて、該快速流動化床反応器の内径も触媒の需用量も大幅減少する。しかし、この方法では、低級オレフィンの炭素収率が全て77%程度であることが一般的であるので、低級オレフィンの収率が低いという問題がある。
CN101402538Bには、低級オレフィン収率を向上させる方法が開示されている。この方法では、第1の反応ゾーンの排出口からの生成物気体の第2の反応ゾーン内における滞留時間を増加させて、未反応のメタノール、生成したジメチルエーテル及びC4以上の炭化水素を引き続き反応させて、低級オレフィンの収率を向上させる目的に達するように、メタノールを低級オレフィンに転化させる第1の反応ゾーンの上部に、直径が第1の反応ゾーンよりも大きい第2の反応ゾーンを設置することが採用されている。この方法は、低級オレフィンの収率をある程度に向上させることができるが、第1の反応ゾーンから出た触媒には既に炭素析出が多く持たれ、且つC4以上の炭化水素の分裂には高い触媒活性が要求されるため、この方法では、第2の反応ゾーン内におけるC4以上の炭化水素の転化効率が依然として比較に低いので、低級オレフィンの収率が比較に低い問題を招来する。
CN102276406Aには、プロピレンを増産する生産方法が開示されている。その技術では、反応ゾーンが三つ設置される。第1の快速床反応ゾーンは、メタノールをオレフィンに転化させるために用いられ、ライザー反応ゾーンと第2の快速床反応ゾーンとは、直列に接続され、エチレン、C4以上の炭化水素及び未反応のメタノール又はジメチルエーテルの転化に用いられる。この特許出願では、C4以上の炭化水素などの物質は、ライザー反応ゾーン及び第2の快速床反応ゾーンにおける滞留時間が短く、転化効率が比較に低いことで、プロピレンの収率が比較に低い問題を招来する。
CN102875289Aには、内部にライザー反応器が設置された、低級オレフィンの産率を向上させるための流動化床反応装置が開示されている。第1の原料が流動化床の反応ゾーンに入り触媒と接触して、低級オレフィンを含む生成物が生成するとともに再生すべき触媒が生成する。再生すべき触媒は、一部が再生器に入り再生されて再生触媒を生成し、一部が出口端が反応ゾーンの内部に位置するライザーに入り第2の原料と接触し、再生すべき触媒が反応ゾーン内にリフトアップされ、再生触媒が流動化床反応器の反応ゾーンに返送される。この特許出願に開示の反応装置にはストリッピング部分がないので、再生すべき触媒が生成物気体の一部を取り込んで再生器に入り、酸素ガスと燃焼し、低級オレフィンの収量が低下するようになる。
CN102875296Aに開示のメタノールからオレフィンを製造する技術では、快速床、ダウナー及びライザーのような3つの反応ゾーンが設置された。触媒が再生器、快速床、ライザー及びダウナーの間で循環するので、流れ方向がかなり複雑で、流量配分及び制御が非常に困難であり、触媒の活性変動が大きい。
この分野において周知されているように、低級オレフィンの選択率は、触媒上の炭素析出量に密接な関係を持つので、高い低級オレフィンの選択率を確保するために、SAPO−34触媒には一定量の炭素析出が必要である。現在では、MTOプロセスに用いられている主な反応器は、完全混合流れ反応器に近い流動化床である。触媒における炭素析出の分布が広く、低級オレフィンの選択率の向上には不利である。MTOプロセスにおける溶媒/アルコール比が小さく、コークス生成率が低いことから、比較的に高く且つ制御しやすい触媒循環量を実現するために、反応ゾーン内における触媒上の炭素析出量や炭素含有量の均一性を制御することを目的として、再生ゾーンにおいて触媒上の炭素析出量や炭素含有量の均一性を一定のレベルに制御する必要がある。従って、反応ゾーン内における触媒の炭素析出量や炭素含有量の均一性をあるレベルに制御することは、MTOプロセスにおける肝心な技術である。
上記した問題を解決するために、ある研究者らは、流動化床において、上下二つの反応ゾーンの設置、二つの流動化床の直列、及び流動化床とライザー、ダウナーとの直列などの技術を提案した。触媒の炭素析出量及び炭素含有量の均一性を制御する方法を初歩的に開示し、一定の有益な効果が得られたが、同時にMTOプロセスの複雑性が増大し、制御の難しさが増加した。本発明は、複数の二級反応ゾーン(再生ゾーン)が形成するように濃厚相流動化床の中で内置部材を設置する様態を提供することで、触媒の炭素析出量及び炭素含有量の均一性を制御する問題を解決し、さらに低級オレフィンの選択率を向上させることができる。
本発明が解决しようとする技術課題は、従来技術に存在する低級オレフィンの選択率の低下という課題であり、新規な、低級オレフィンの選択率を向上させる反応装置を提供することを目的とする。該反応装置が低級オレフィンの生産に用いられる場合、触媒炭素析出の均一性に優れ、低級オレフィンの収率が高く、低級オレフィンの生産プロセスが経済的であるというメリットがある。
上記した課題を解決するためには、本発明は、メタノール及び/又はジメチルエーテルから低級オレフィンを製造する反応装置であって、
前記反応装置は、濃厚相流動化床反応器(2)、サイクロン(3)、ストリッパー(5)、ライザー(7)、濃厚相流動化床再生器(10)、サイクロン(11)、ストリッパー(13)及びライザー(15)を含み、
(但し、反応器供給配管(1)は、前記濃厚相流動化床反応器(2)の底部に接続されている。前記ストリッパー(5)は、一部が前記濃厚相流動化床反応器(2)の中に位置し、残りの部分が前記濃厚相流動化床反応器(2)の下方に位置する。前記ライザー(7)は、底部が前記ストリッパー(5)の底部に接続され、頂部が前記濃厚相流動化床再生器(10)に接続されている。再生器供給配管(9)は、前記濃厚相流動化床再生器(10)の底部に接続されている。前記ストリッパー(13)は、一部が前記濃厚相流動化床再生器(10)の中に位置し、残りの部分が前記濃厚相流動化床再生器(10)の下方に位置する。前記ライザー(15)は、底部が前記ストリッパー(13)の底部に接続され、頂部が前記濃厚相流動化床反応器(2)に接続されている。)
前記濃厚相流動化床反応器(2)及び/又は濃厚相流動化床再生器(10)の中には、物質流動制御器(17)を有し、前記濃厚相流動化床反応器(2)は、前記物質流動制御器(17)によってn個の二級反応ゾーンに仕切され、且つ第1乃至第nの二級反応ゾーンが順に接続されており、前記濃厚相流動化床再生器(10)は、前記物質流動制御器(17)によってm個の二級再生ゾーンに仕切され、且つ第1乃至第mの二級再生ゾーンが順に接続されている(但し、n≧2、m≧2である。)ことを特徴とする反応装置を提供するものである。
一つの好ましい実施形態では、前記ライザー(15)は、頂部が第1の二級反応ゾーンに接続され、第nの二級反応ゾーンは、前記ストリッパー(5)の上部の物質オーバーフロー口(18)に接続されている。前記濃厚相流動化床反応器(2)の上部にはサイクロン(3)が設置され、前記サイクロン(3)は、頂部排出口が生成物配管(4)に接続され、底部が第nの二級反応ゾーンに接続されている。
一つの好ましい実施形態では、前記ライザー(7)は、頂部が第1の二級再生ゾーンに接続され、第mの二級再生ゾーンは、前記ストリッパー(13)の上部の物質オーバーフロー口(18)に接続されている。前記濃厚相流動化床再生器(10)の上部にはサイクロン(11)が設置され、前記サイクロン(11)は、頂部排出口が排気配管(12)に接続され、底部が第mの二級再生ゾーンに接続されている。
一つの好ましい実施形態では、8≧n≧3である。
一つの好ましい実施形態では、8≧m≧3である。
一つの好ましい実施形態では、前記物質流動制御器(17)は、セパレータ(19)、オリフィス(20)、物質ダウンフロー管(21)、底部バッフル(22)及び受熱部材(23)から構成されている。前記オリフィス(20)は、前記セパレータ(19)の下方に位置し、且つ前記物質ダウンフロー管(21)の底部に接続されいる。前記底部バッフル(22)は、前記物質ダウンフロー管(21)及び前記オリフィス(20)の底部に位置する。前記受熱部材(23)は、前記セパレータ(19)に固定されている。
一つの好ましい実施形態では、前記底部バッフル(22)は多孔板又は無孔板である。
従来技術と比べて、本発明の有益な効果は、以下の点を含むが、これらに限定されない。
(1)濃厚相流動化床が高い層密度を有し、触媒の速度が低く、摩耗が低い。
(2)物質流動制御器において物質ダウンフロー管における気相の速度が触媒の最小流動化速度以下であり、触媒が濃厚相集積状態となり、触媒の一方向濃厚相移送流が形成するので、隣接する二級反応ゾーン(又は隣接する二級再生ゾーン)同士の間に触媒の逆混合を防ぐことができ、滞留時間の分布が狭くなる。
(3)物質流動制御器における受熱部材は、反応ゾーンの温度を制御する作用を有する。
(4)物質流動制御器では、反応ゾーンがn個の二級反応ゾーンに仕切られ、触媒が順に第1の二級反応ゾーン乃至第nの二級反応ゾーンを通して、滞留時間分布が狭くなり、再生すべき触媒の炭素含有量の均一性が大幅に向上する。
(5)物質流動制御器によって、再生ゾーンがm個の二級再生ゾーンに仕切られ、触媒が順に第1の二級再生ゾーン乃至第m二級再生ゾーンを通して、滞留時間分布が狭くなり、再生触媒の炭素含有量の均一性が大幅に向上する。
(6)再生触媒及び再生すべき触媒の炭素含有量を精度よく制御することが実現され、且つ炭素含有量の分布が均一となり、低級オレフィンの選択率が向上し、必要により炭素含有量をコントロールすることによってプロピレン/エチレンの比率を最適化することができる。
(7)触媒の炭素含有量の分布が均一となることで、反応ゾーンに必要な触媒の収納量が低くなる。
(8)複数の二級反応ゾーンの構造は、反応器の大型化には有利である。
本発明に記載の方法のフローの概略図である。 本発明に記載の二級反応ゾーンが4つ含まれている濃厚相流動化床の構造概略図である。中でも、A−A断面図における矢印は、二級反応ゾーン同士の間での触媒流動方向を示す。 本発明に記載の二級再生ゾーンが4つ含まれている濃厚相流動化床の構造概略図である。中でも、B−B断面図における矢印は、二級再生ゾーン同士の間での触媒流動方向を示す。 本発明に記載のストリッパーの構造概略図である。 本発明に記載の物質流動制御器の構造概略図である。
酸素含有化合物から低級オレフィンを製造するプロセスにおける低級オレフィンの選択率を向上させるために、本発明は、メタノール及び/又はジメチルエーテルから低級オレフィンを製造する反応装置を提供する。当該反応装置は、主に、濃厚相流動化床反応器(2)、サイクロン(3)、ストリッパー(5)、ライザー(7)、濃厚相流動化床再生器(10)、サイクロン(11)、ストリッパー(13)及びライザー(15)を含む。反応器供給配管(1)は、濃厚相流動化床反応器(2)の底部に接続されている。ストリッパー(5)は、一部が濃厚相流動化床反応器(2)の中に位置し、残りの部分が濃厚相流動化床反応器(2)の下方に位置する。水蒸気配管(6)は、ストリッパー(5)の底部に接続され、ライザー(7)は、底部がストリッパー(5)の底部に接続され、リフトガス配管(8)は、ライザー(7)の底部に接続され、ライザー7は、頂部が濃厚相流動化床再生器(10)に接続され、再生器供給配管(9)は、濃厚相流動化床再生器(10)の底部に接続されている。ストリッパー(13)は、一部が濃厚相流動化床再生器(10)の中に位置し、残りの部分が濃厚相流動化床再生器(10)の下方に位置する。水蒸気配管(14)は、ストリッパー(13)の底部に接続され、ライザー(15)は、底部がストリッパー(13)の底部に接続され、リフトガス配管(16)は、ライザー(15)の底部に接続され、ライザー(15)は、頂部が濃厚相流動化床反応器(2)に接続されている。好ましくは、前記反応器供給配管(1)は、n個の反応ゾーン供給バイパスライン(1−1,……,1−n)を含む;前記濃厚相流動化床反応器(2)は、物質流動制御器(17)によってn個の二級反応ゾーン(2−1,……,2−n)に仕切され、n≧2であり、好ましくは8≧n≧3であり、n個の反応ゾーン供給バイパスラインは、それぞれn個の二級反応ゾーンに接続されている;第1乃至第nの二級反応ゾーンは、順に接続され、ライザー(15)の頂部は、第1の二級反応ゾーンに接続され、第nの二級反応ゾーンは、ストリッパー(5)の上部の物質オーバーフロー口(18)に接続されている;濃厚相流動化床反応器(2)の上部にはサイクロン(3)が設置され、サイクロン(3)は、頂部排出口が生成物配管(4)に接続され、底部が第nの二級反応ゾーンに接続されている。
好ましくは、前記再生器供給配管(9)は、m個の再生ゾーン供給バイパスライン(9−1,……,9−m)を含む。前記濃厚相流動化床再生器(10)が物質流動制御器(17)によってm個の二級再生ゾーン(10−1,……,10−m)に仕切され、m≧2であり、好ましくは8≧m≧3である。m個の再生ゾーン供給バイパスラインは、それぞれm個の二級再生ゾーンに接続されている。第1乃至第mの二級再生ゾーンは、順に接続され、ライザー(7)の頂部は、第1の二級再生ゾーンに接続され、第mの二級再生ゾーンは、ストリッパー(13)の上部の物質オーバーフロー口(18)に接続されている。濃厚相流動化床再生器(10)の上部にはサイクロン(11)が設置され、サイクロン(11)は、頂部排出口が排気配管(12)に接続され、底部が第mの二級再生ゾーンに接続されている。
好ましくは、前記物質流動制御器(17)は、セパレータ(19)、オリフィス(20)、物質ダウンフロー管(21)、底部バッフル(22)及び受熱部材(23)より構成される。オリフィス(20)は、セパレータ(19)の下方に位置し、物質ダウンフロー管(21)の底部に接続されている。底部バッフル(22)は、多孔板又は無孔板を採用することができ、物質ダウンフロー管(21)及びオリフィス(20)の底部に位置してもよい。受熱部材(23)は、セパレータ(19)に固定されている。
一つの好ましい実施形態では、本発明に記載のメタノールから低級オレフィンを製造するフローの概略図が図1に示される。主にメタノール及び/又はジメチルエーテルである原料は、濃厚相流動化床反応器(2)に入り、触媒と接触して気相生成物の流れ及び再生すべき触媒を生成する。気相生成物の流れ及び巻き込まれた再生すべき触媒は、サイクロン(3)に入る。気相生成物の流れは、サイクロンの排出口を経て以降の分離区画に入り、巻き込まれた再生すべき触媒は、サイクロンのデッィプレッグを経て第nの二級反応ゾーンに入る。再生触媒は、ストリッパー(13)、ライザー(15)を経て濃厚相流動化床反応器2に入り、且つ第1乃至第nの二級反応ゾーンを順に通して、炭素析出後、再生すべき触媒が形成される。再生すべき触媒は、再度ストリッパー(5)、ライザー(7)を経て濃厚相流動化床再生器(10)に入り、且つ第1乃至第mの二級再生ゾーンを順に通して、炭素燃焼後、再生触媒が形成される。前記触媒は、SAPO分子篩の触媒を含むことが好ましく、さらに好ましくは、SAPO−34分子篩触媒を含む。
一つの具体的な実施形態において、本発明の二級反応ゾーンが4つ含まれている濃厚相流動化床の構造概略図が図2に示される。A−A断面図における矢印は、二級反応ゾーン同士の間での触媒流動方向を示す。3つの物質流動制御器(17)と1つのバッフルは、鉛直に配置されることによって、濃厚相流動化床の反応ゾーンが二級反応ゾーンに4つ仕切される。触媒は、第1乃至第4の二級反応ゾーンを順に通して、ストリッパーに入る。
一つの具体的な実施形態において、本発明の二級再生ゾーンが4つ含まれている濃厚相流動化床の構造概略図が図3に示される。B−B断面図における矢印は、二級再生ゾーン同士の間での触媒流動方向を示す。3つの物質流動制御器(17)と1つのバッフルは、鉛直に配置されることによって、濃厚相流動化床の再生ゾーンが二級再生ゾーンに4つ仕切される。触媒は、第1乃至第4の二級再生ゾーンを順に通してストリッパーに入る。
好ましくは、本発明に記載のストリッパー(5及び13)の構造概略図が図4に示される。ストリッパー(5))の上部の管壁に開口を開け、第nの二級反応ゾーンとストリッパー(5)との間の物質オーバーフロー口(18)とし、ストリッパー(13)の上部の管壁に開口を開け、第mの二級再生ゾーンとストリッパー(13)との間の物質オーバーフロー口(18)としている。
好ましくは、本発明に記載の物質流動制御器の構造概略図が図5に示される。物質流動制御器(17)は、セパレータ(19)、オリフィス(20)、物質ダウンフロー管(21)、底部バッフル(22)及び受熱部材(23)から構成される。触媒は、ダウンフロー管の上方から物質ダウンフロー管に入る。その中に、ガス見掛け線速度が最小流動化速度以下であり、物質ダウンフロー管内における触媒が濃厚相集積状態となり、物質流動付勢力が形成される。触媒が付勢されオリフィスを経てその後の二級反応ゾーン(又は再生ゾーン)に入る。受熱部材は、コイル構造を採用して、セパレータに固定されることができる。
好ましくは、前記濃厚相流動化床の反応ゾーンにおけるガス見掛け線速度が0.1−1.5m/sであり;前記濃厚相流動化床の再生ゾーンにおけるガス見掛け線速度が0.1−1.5m/sであり;前記物質流動制御器におけるガス見掛け線速度が触媒の最小流動化速度である。前記触媒は、好ましくSAPO分子篩触媒を含み、さらに好ましくはSAPO−34分子篩触媒を含む。前記反応ゾーンの底部には供給口が設置され、供給原料は、メタノール及び/又はジメチルエーテルなどを含む。前記ストリッパー(13)のストリッピング用媒体には水蒸気が含まれる。前記再生ゾーン(10)の底部には再生媒体の入口が設置され、再生媒体には空気、貧酸素空気、水蒸気などが含まれる。前記反応ゾーン(2)の反応温度が400−550℃であり、層密度が200−1200kg/mである。触媒の平均炭素析出量が第1の二級反応ゾーンから第nの二級反応ゾーンまで順番に増加し、第1の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が0.5−3wt%であり、第nの二級反応ゾーンの平均炭素析出量が7−10wt%である。前記再生ゾーン(10)の反応温度が500−700℃であり、層密度が200−1200kg/mである。触媒の平均炭素析出量が第1の二級再生ゾーンから第mの二級再生ゾーンまで順番に減少し、第1の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が3−10wt%であり、第mの二級再生ゾーンの平均炭素析出量が0−3wt%である。本発明の方法によれば、触媒の炭素析出量を制御し、炭素含有量の均一性を改善し、且つ低級オレフィンの選択率を向上させる目的を達成でき、大きな技術優位性を有し、低級オレフィンの工業生産に用いることができる。
以下は、典型的な実施例を上げて本発明を詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
実施例1
濃厚相流動化床反応器内には二級反応ゾーンが4つ設置され、濃厚相流動化床再生器内には二級再生ゾーンが4つ設置されている。主にメタノール及び/又はジメチルエーテルである原料が濃厚相流動化床反応器に入り、SAPO−34分子篩を含む触媒と接触して、気相生成物の流れ及び再生すべき触媒が生成された。気相物質及び巻き込まれた再生すべき触媒がサイクロンに入った。気相生成物の流れは、サイクロンの排出口を経て以降の分離区画に入り、巻き込まれた再生すべき触媒は、サイクロンのデッィプレッグを経て第4の二級反応ゾーンに入った。再生触媒は、ストリッパー、ライザーを経て濃厚相流動化床反応器に入り、且つ第1乃至第4の二級反応ゾーンを順に通して、炭素析出後、再生すべき触媒が生成された。再生すべき触媒は、再度ストリッパー、ライザーを経て濃厚相流動化床再生器に入り、且つ第1乃至第4の二級再生ゾーンを順に通して、炭素燃焼後、再生触媒が生成された。濃厚相流動化床反応器の反応条件は、反応温度が400℃であり、気相線速度が0.3m/sであり、層密度が1000kg/mであり、第1の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が2wt%であり、第2の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が6wt%であり、第3の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が8wt%であり、第4の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が10wt%であった。濃厚相流動化床再生器の反応条件は、反応温度が500℃であり、気相線速度が0.3m/sであり、層密度が1000kg/mであり、第1の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が7wt%であり、第2の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が4wt%であり、第3の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が2wt%であり、第4の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が1wt%であった。反応生成物がオンラインガスクロマトグラフィーにより分析された。低級オレフィンの炭素収率が91.1wt%であった。
実施例2
濃厚相流動化床反応器内には二級反応ゾーンが3つ設置され、濃厚相流動化床再生器内には二級再生ゾーンが2つ設置されている。主にメタノール及び/又はジメチルエーテルである原料が濃厚相流動化床反応器に入り、SAPO−34分子篩を含む触媒と接触して、気相生成物の流れ及び再生すべき触媒が生成された。気相物質及び巻き込まれた再生すべき触媒は、サイクロンに入った。気相生成物の流れは、サイクロンの排出口を経て以降の分離区画に入り、巻き込まれた再生すべき触媒は、サイクロンのデッィプレッグを経て第3の二級反応ゾーンに入った。再生触媒は、ストリッパー、ライザーを経て濃厚相流動化床反応器に入り、且つ順に第1乃至3つの二級反応ゾーンを通して、炭素析出後、再生すべき触媒が生成された。再生すべき触媒は、再度ストリッパー、ライザーを経て濃厚相流動化床再生器に入り、且つ順に第1乃至2つの二級再生ゾーンを通して、炭素燃焼後、再生触媒が生成された。濃厚相流動化床反応器の反応条件は、反応温度が450℃であり、気相線速度が0.5m/sであり、層密度が900kg/mであり、第1の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が3wt%であり、第2の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が7wt%であり、第3の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が9wt%であった。濃厚相流動化床再生器の反応条件は、反応温度が600℃であり、気相線速度が0.7m/sであり、層密度が700kg/mであり、第1の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が4wt%であり、第2の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が2wt%であった。反応生成物がオンラインガスクロマトグラフィーにより分析された。低級オレフィンの炭素収率が90.5wt%である。
実施例3
濃厚相流動化床反応器内には二級反応ゾーンが6つ設置され、濃厚相流動化床再生器内には二級再生ゾーンが5つ設置されている。主にメタノール及び/又はジメチルエーテルである原料は、濃厚相流動化床反応器に入り、SAPO−34分子篩を含む触媒と接触して、気相生成物の流れ及び再生すべき触媒が生成された。気相物質及び巻き込まれた再生すべき触媒は、サイクロンに入った。気相生成物の流れは、サイクロンの排出口を経て以降の分離区画に入り、巻き込まれた再生すべき触媒は、サイクロンのデッィプレッグを経て第6の二級反応ゾーンに入った。再生触媒は、ストリッパー、ライザーを経て濃厚相流動化床反応器に入り、且つ順に第1乃至第6の二級反応ゾーンを通して、炭素析出後、再生すべき触媒が生成された。再生すべき触媒は、再度ストリッパー、ライザーを経て濃厚相流動化床再生器に入り、且つ順に第1乃至第5の二級再生ゾーンを通して、炭素燃焼後、再生触媒が生成された。濃厚相流動化床反応器の反応条件は、反応温度が480℃であり、気相線速度が0.7m/sであり、層密度が700kg/mであり、第1の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が1wt%であり、第2の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が3wt%であり、第3の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が4wt%であり、第4の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が5wt%であり、第5の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が6wt%であり、第6の二級反応ゾーンの平均炭素析出量が7wt%であった。濃厚相流動化床再生器の反応条件は、反応温度が650℃であり、気相線速度が1.0m/sであり、層密度が500kg/mであり、第1の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が5wt%であり、第2の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が3wt%であり、第3の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が2wt%であり、第4の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が1wt%であり、第5の二級再生ゾーンの平均炭素析出量が0.01wt%であった。反応生成物がオンラインガスクロマトグラフィーにより分析された。低級オレフィンの炭素収率が91.4wt%である。
以上、本発明を詳しく説明したが、本発明が上記した具体的な実施の形態には限定されない。当業者であれば分かるように、本発明の趣旨及び範囲から逸脱しない限り、その他の改良及び変形も可能である。本発明は、保護請求の範囲が特許請求の範囲に限定されるものである。
1−反応器供給配管;1−1 第1の二級反応ゾーン供給バイパスライン;1 −2 第2の二級反応ゾーン供給バイパスライン;1−3 第3の二級反応ゾーン供給バイパスライン;1−4 第4の二級反応ゾーン供給バイパスライン;2−濃厚相流動化床反応器;2−1 第1の二級反応ゾーン;2−2 第2の二級反応ゾーン;2−3 第3の二級反応ゾーン;2−4 第4の二級反応ゾーン;3−サイクロン;4−生成物配管;5−ストリッパー;6−水蒸気配管;7−ライザー;8−リフトガス配管;9−再生器供給配管;9−1第1の二級再生ゾーン供給バイパスライン;9−2第2の二級再生ゾーン供給バイパスライン;9−3第3の二級再生ゾーン供給バイパスライン;9−4第4の二級再生ゾーン供給バイパスライン;10−濃厚相流動化床再生器;10−1第1の二級再生ゾーン;10−2第2の二級再生ゾーン;10−3第3の二級再生ゾーン;10−4第4の二級再生ゾーン;11−サイクロン;12−排気配管;13−ストリッパー;14−水蒸気配管;15−ライザー;16−リフトガス配管;17−物質流動制御器;18−物質オーバーフロー口;19−セパレータ;20−オリフィス;21−物質ダウンフロー管;22−底部バッフル;23−受熱部材。

Claims (7)

  1. メタノール及び/又はジメチルエーテルから低級オレフィンを製造する反応装置であって、
    前記反応装置は、濃厚相流動化床反応器(2)、サイクロン(3)、ストリッパー(5)、ライザー(7)、濃厚相流動化床再生器(10)、サイクロン(11)、ストリッパー(13)及びライザー(15)を含み、
    (但し、反応器供給配管(1)は、前記濃厚相流動化床反応器(2)の底部に接続されている。前記ストリッパー(5)は、一部が前記濃厚相流動化床反応器(2)の中に位置し、残りの部分が前記濃厚相流動化床反応器(2)の下方に位置する。前記ライザー(7)は、底部が前記ストリッパー(5)の底部に接続され、頂部が前記濃厚相流動化床再生器(10)に接続されている。再生器供給配管(9)は、前記濃厚相流動化床再生器(10)の底部に接続されている。前記ストリッパー(13)は、一部が前記濃厚相流動化床再生器(10)の中に位置し、残りの部分が前記濃厚相流動化床再生器(10)の下方に位置する。前記ライザー(15)は、底部が前記ストリッパー(13)の底部に接続され、頂部が前記濃厚相流動化床反応器(2)に接続されている。)
    前記濃厚相流動化床反応器(2)及び/又は濃厚相流動化床再生器(10)の中には、物質流動制御器(17)を有し、前記濃厚相流動化床反応器(2)は、前記物質流動制御器(17)によってn個の二級反応ゾーンに仕切され、且つ第1乃至第nの二級反応ゾーンが順に接続され、前記濃厚相流動化床再生器(10)は、前記物質流動制御器(17)によってm個の二級再生ゾーンに仕切され、且つ第1乃至第mの二級再生ゾーンが順に接続されている(但し、n≧2、m≧2である。)ことを特徴とする反応装置。
  2. 前記ライザー(15)は、頂部が第1の二級反応ゾーンに接続され、第nの二級反応ゾーンは、前記ストリッパー(5)の上部の物質オーバーフロー口(18)に接続され、前記濃厚相流動化床反応器(2)の上部にはサイクロン(3)が設置され、前記サイクロン(3)は、頂部排出口が生成物配管(4)に接続され、底部が第nの二級反応ゾーンに接続されていることを特徴とする請求項1に記載の反応装置。
  3. 前記ライザー(7)は、頂部が第1の二級再生ゾーンに接続され、第mの二級再生ゾーンは、前記ストリッパー(13)の上部の物質オーバーフロー口(18)に接続され、前記濃厚相流動化床再生器(10)の上部にはサイクロン(11)が設置され、前記サイクロン(11)は、頂部排出口が排気配管(12)に接続され、底部が第mの二級再生ゾーンに接続されていることを特徴とする請求項1に記載の反応装置。
  4. 8≧n≧3であることを特徴とする請求項1に記載の反応装置。
  5. 8≧m≧3であることを特徴とする請求項1に記載の反応装置。
  6. 前記物質流動制御器(17)は、セパレータ(19)、オリフィス(20)、物質ダウンフロー管(21)、底部バッフル(22)及び受熱部材(23)から構成され、前記オリフィス(20)は、前記セパレータ(19)の下方に位置し、且つ前記物質ダウンフロー管(21)の底部に接続され、前記底部バッフル(22)は、前記物質ダウンフロー管(21)及び前記オリフィス(20)の底部に位置し、前記受熱部材(23)は、前記セパレータ(19)に固定されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の反応装置。
  7. 前記底部バッフル(22)は多孔板又は無孔板であることを特徴とする請求項6に記載の反応装置。
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