Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2007311236A - デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法 - Google Patents

デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007311236A
JP2007311236A JP2006140206A JP2006140206A JP2007311236A JP 2007311236 A JP2007311236 A JP 2007311236A JP 2006140206 A JP2006140206 A JP 2006140206A JP 2006140206 A JP2006140206 A JP 2006140206A JP 2007311236 A JP2007311236 A JP 2007311236A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
partition
film
lyophilic
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006140206A
Other languages
English (en)
Inventor
Etsuo Mihashi
悦央 三橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2006140206A priority Critical patent/JP2007311236A/ja
Publication of JP2007311236A publication Critical patent/JP2007311236A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

【課題】隔壁の近傍に膜の偏りが生じることを防止し、均一な特性を得ることが可能なデバイスを提供する。
【解決手段】本発明のデバイスは、隔壁Bと、前記隔壁Bによって区画された領域に設けられた膜Fと、前記隔壁Bによって区画された領域に設けられ、前記膜側に突出する無機材料からなる親液性の凸状部Pと、を有する。膜Fは、液体材料Lを隔壁Bによって区画された領域に配置することにより形成されており、凸状部Pの表面の一部は、膜Fによって覆われている。
【選択図】図1

Description

本発明は、デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法に関するものである。
近年、電子デバイスの製造方法として液相法を用いたデバイスの開発が進められている。例えば、特許文献1〜3では、有機EL装置の形成材料(正孔注入材料、発光材料)を液滴吐出法により基体上に配置する技術が開示されている。
図20は、液滴吐出法を用いた膜形成方法を説明するための説明図である。図20に示すように、従来の膜形成方法では、まず、膜Fを形成する領域の周囲に隔壁Bを形成する(図20(a))。そして、この隔壁Bの表面をCFプラズマ処理等により撥液性に加工した後、隔壁Bによって区画された領域に、機能性材料を含む液体材料Lを吐出する。そして、この液体材料Lを乾燥することにより、機能性材料の膜Fを析出させる(図20(b))。
特開2001−291583号公報 特開2002−56980号公報 特開2004−235128号公報
しかしながら、隔壁Bを用いて膜を形成すると、図20(b)のように膜の端部F2,F3が大きく盛り上がり、均一な膜が形成できないという問題があった。これは次の理由によると考えられる。一般に基体上に配置された液体は縁(エッジ)において乾燥の進行が速い。従って、液体の乾燥過程においては、液体の縁において溶質の濃度がまず飽和濃度に達し、析出し始める。一方、液体内部には、液体の縁で蒸発により失われた液体を補給するため、液体中央部から液体周縁部に向かう液体の流れが生じる。この結果、液体中央部の溶質は、その流れに従って液体周縁部に運ばれ、液滴の乾燥に伴って周縁部からの析出を促進する。そして、このような液体の流れが隔壁Bの開口領域内で生じると、隔壁Bの近傍で膜の表面がM字状又はU字状に盛り上がった状態に形成され、膜の平坦性が損なわれるのである。
このように膜が偏った状態で形成されると、その上に形成される膜の平坦性及び膜厚の均一性にも影響が生じる。例えば、有機EL素子を形成する場合、隔壁に区画された領域に正孔注入/輸送層と発光層を順次形成するが、正孔注入/輸送層の平坦性が悪いと、その上に形成される発光層の平坦性も悪化し、発光特性に大きなむらが生じるようになる。
そこで、特許文献1では、液滴吐出法で液滴を2回以上吐出することで、凹みや未塗布部分の修正を行ない、膜を平坦化する技術が開示されている。また、特許文献2では、シリコン系化合物或いはフッ素系化合物からなるレベリング剤を添加し、膜を平坦化する技術が開示されている。さらに、特許文献3では、正孔注入/輸送層上に隔壁をパターニングして、正孔注入/輸送層の凹凸の影響をなくす技術が開示されている。
しかしながら、特許文献1の方法では、複数回の吐出において同一溶媒を用いると、先に形成した膜が溶媒に再溶解してしまうため、溶媒の選択が制限されてしまうと問題がある。また、特許文献2の方法では、レベリング剤の発光特性への影響が問題となる。さらに、特許文献3の方法では、十分に高い隔壁を形成した場合に液滴の乾燥開始位置が安定せず、膜厚が不均一になってしまうという問題がある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、隔壁の近傍に膜の偏りが生じることを防止し、均一な膜を形成することが可能な膜形成方法及びデバイスの製造方法を提供することを目的とする。また、このような方法により形成された膜を備えることにより特性の均一化を図ることのできるデバイスを提供することを目的とする。
上記の課題を解決するため、本発明のデバイスは、隔壁と、前記隔壁によって区画された領域に設けられた膜と、前記隔壁によって区画された領域の中央部に設けられ、前記膜側に突出する無機材料からなる凸状部と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、隔壁によって区画された領域の中央部に無機材料からなる親液性の凸状部が形成されているので、液相法で膜を形成する場合に、液体材料が凸状部近傍に溜まり易くなり、凸状部近傍の溶質の析出が促進される。この結果、溶質の析出が隔壁によって区画された領域全体に分散され、膜の均一性が向上する。
本発明においては、前記凸状部は概略点状の複数の突起からなるものとすることができる。また、本発明において、前記複数の突起は前記隔壁によって区画される領域の中央部に均一な密度で形成されることが望ましい。また、前記突起の厚みは対象となる膜の厚みと同等かそれ以下であることが望ましい。
この構成によれば、前記凸状部によって液体材料を良好に保持することができる。また、突起を均一な密度で形成することにより、液体材料を均一に保持することができ、形成される膜の膜厚も均一化することができる。
本発明においては、前記膜は発光材料によって形成されるものとすることができる。この場合、前記凸状部は、光反射性の金属材料若しくは前記発光材料とは屈折率の異なる透光性材料によって形成されることが望ましい。
この構成によれば、膜パターンとして発光層が形成される。発光層で生じた光は等方的に放射されるので、発光層から取り出される光は発光層の膜厚方向に射出される光が中心となり、発光層の面方向に伝搬する光成分はほとんど取り出すことができない。しかし、本発明のように隔壁によって区画された領域の中央部に発光層側に突出する凸状部が設けられていると、前記面方向に伝搬する光成分の伝搬方向を凸状部で反射又は屈折させて変化させることができるので、当該光成分が外部に取り出し易くなる。また、凸状部を透光性の材料によって形成した場合、発光層で生じた光が凸状部によって遮光されることがないので、有機EL装置等のデバイスに適用した場合に開口率の低下が生じず、高輝度な発光デバイスが提供される。
本発明の膜形成方法は、隔壁によって区画された領域に液体材料を配置して膜を形成する膜形成方法であって、前記隔壁によって区画される領域の中央部に前記液体材料に対して親液性を有する凸状部を形成する工程と、前記隔壁によって区画された領域に機能性材料を含む液体材料を配置する工程と、前記液体材料を乾燥して前記凸状部を覆う前記機能性材料の膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
この方法によれば、隔壁によって区画された領域の中央部に親液性の凸状部が形成されているので、液体材料は凸状部近傍にも溜まり易くなり、凸状部近傍の溶質の析出が促進される。この結果、溶質の析出が隔壁によって区画された領域全体に分散され、膜の均一性が向上する。
なお、本明細書において「親液性」とは、隔壁によって区画される領域に配置される液体材料に対して親和性を示す特性をいい、「撥液性」とは、液体材料に対して非親和性を示す特性をいう。
また、本明細書において「機能性材料」とは、電気・電子的機能(導電性、絶縁性、圧電性、焦電性、誘電性等)、光学的機能(光選択吸収、反射性、偏光性、光選択透過性、非線形光学性、蛍光あるいはリン光等のルミネッセンス、フォトクロミック性等)、磁気的機能(硬磁性、軟磁性、非磁性、透磁性等)、化学的機能(吸着性、脱着性、触媒性、吸水性、イオン伝導性、酸化還元性、電気化学特性、エレクトロクロミック性等)、機械的機能(耐摩耗性等)、熱的機能(伝熱性、断熱性、赤外線放射性等)、生体的機能(生体適合性、抗血栓性等)等の種々の機能を持った材料をいう。また、機能性材料を含む液体材料とは、液体材料中に含まれる固形成分を膜化することによって、上述の機能を有する膜(機能膜)を形成し得るものをいう。例えば、発光装置における発光層を形成する場合には、機能性材料として蛍光あるいはリン光を有する材料を用いればよく、カラーフィルタを形成する場合には、顔料等の微粒子着色材料を用いればよい。また、液晶装置の透明画素電極を形成する場合には、インジウム錫酸化物(ITO)等の微粒子導電材料を用いればよい。
本発明においては、前記凸状部は液滴吐出法により形成されることが望ましい。
この方法によれば、凸状部を形成するためにエッチング等の薬液処理をする必要がないので、下地の層が耐薬品性を有するか否かに拘わらず、本方法を適用することができる。
本発明においては、前記凸状部は前記隔壁を形成する工程と同じ工程で形成されることが望ましい。
この方法によれば、凸状部を形成するための新たな工程が必要なくなるので、製造が容易になる。また、従来の工程からの移行も容易である。
本発明においては、前記液体材料を配置する工程に際し、前記隔壁の表面に前記液体材料に対して親液性を有する親液領域を形成することが望ましい。
前述のように、基体上に配置された液体は、その縁において溶質が局所的に析出する。そして、その析出した溶質によって液体の縁がピン止めされたような状態となり、それ以降の乾燥に伴う液体の収縮(外径の収縮)が抑制される。ここで、隔壁の表面に親液領域が形成されていないと、液体材料の乾燥が開始する点がばらつき、均一な膜厚のパターンを形成することができない。例えば、図20(b)においては、隔壁近傍に堆積する膜F2,F3の膜厚がばらつき、その影響で、中央部の膜F1においても膜中央部と膜周縁部とで膜厚が異なったものとなる。また、このような乾燥開始位置のばらつきは画素毎に不均一に発生するため、画素毎に均一な膜を形成することが困難になり、その結果、有機EL装置等の発光デバイスに適用した場合に、発光むらや暗点等の表示不良が生じる場合があった。一方、本発明のように隔壁の表面に親液領域を設けると、液体の縁が親液領域の形成された位置に固定されるので、このような乾燥開始位置のばらつきが生じなくなる。したがって、液体材料の乾燥過程においては、親液領域の形成された位置が乾燥の開始点となって液体材料の乾燥が行なわれ、従来のように乾燥開始位置がばらつくことによって膜の厚みが不均一になる等の問題は生じない。
なお、以後の説明においては、上述した現象、すなわち、縁で析出した溶質によって乾燥に伴う液体の収縮が抑制される現象を「ピニング」と呼び、このピニングが生じる位置を「ピニングポイント」と呼ぶ。本方法は、隔壁の表面に親液性の領域を設けることで、液体材料のピニングポイント、すなわち液体材料の乾燥の開始される位置を制御するものである。
本発明においては、前記隔壁は、前記液体材料に対して親液性を有する親液層と、前記液体材料に対して撥液性を有する撥液層とを含み、前記隔壁の表面に露出した前記親液層によって前記親液領域が形成されることが望ましい。
この方法によれば、容易に隔壁の表面に親液領域を形成することができる。
本発明においては、前記隔壁の形成工程は、前記親液層を形成する工程と、前記親液層上に前記撥液層を形成する工程と、前記撥液層をパターニングする工程と、前記撥液層をマスクとして前記親液層をパターニングする工程と、を含むことが望ましい。
この方法によれば、親液層と撥液層を面一に形成することができるので、親液層と撥液層の位置ずれによって生じる膜の不均一性を防止することができる。従来の隔壁の形成方法では、親液層と撥液層とを一層ずつ形成していく方法が一般的であった。このため、親液層と撥液層との間に微妙な位置ずれを生じる場合があり、この位置ずれが膜の平坦性に影響を与えることがあった。しかし、本発明のように撥液層をマスクとして親液層をパターニングする方法では、両者の間に位置ずれを生じることがなく、膜の平坦性及び膜厚の均一性も優れたものとなる。また、親液層をパターニングするためのレジストマスクの形成が不要になるので、工程が簡単になるといった利点もある。
本発明においては、前記親液層の厚みは対象となる膜の厚みと略同じであることが望ましい。
基体上に配置された液体材料は、乾燥初期において凸形の液面を成しているが、液量が少なくなるにつれて隔壁の内壁に引っ張られるように断面凹形の液面形状となっていく。この際、液体材料の液面は親液層の上面の位置に固定(ピニング)されるため、形成される膜の厚みは、隔壁によって区画された領域の外周部(隔壁近傍)と中央部のいずれにおいても親液層の厚みと略同じ厚みに制御されることになる。したがって、本方法によれば、形成される膜の厚みを膜全体で均一に制御することができ、平坦性に優れた膜が形成されるようになる。
本発明においては、前記液体材料は発光材料を含むものとすることができる。
この方法によれば、膜パターンとして発光層が形成される。発光層で生じた光は等方的に放射されるので、発光層から取り出される光は発光層の膜厚方向に射出される光が中心となり、発光層の面方向に伝搬する光成分はほとんど取り出すことができない。しかし、本発明のように隔壁によって区画された領域の中央部に発光層側に突出する凸状部が設けられていると、前記面方向に伝搬する光成分の伝搬方向を凸状部で反射又は屈折させて変化させることができるので、当該光成分が外部に取り出し易くなる。
本発明のデバイスの製造方法は、隔壁によって区画された領域に液体材料を配置して膜を形成する工程を有するデバイスの製造方法であって、前記膜を形成する工程が、前述した本発明の膜形成方法により行なわれることを特徴とする。
この方法によれば、隔壁の近傍に生じる膜の偏りを防止し、均一な膜を形成することができるので、得られるデバイスも均一な特性を有するものとなる。
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。なお、以下の図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材に縮尺は実際のものとは異なるように表している。
[膜形成方法]
図1は、本発明の膜形成方法を概念的に示す図である。本発明の膜形成方法は、基体上に液体材料を配置することにより膜を形成する膜形成方法であって、基体上に前記液体材料Lを配置する領域を区画する隔壁Bを形成する工程と、前記隔壁Bによって区画された領域に機能性材料を含む液体材料Lを配置する工程(図1(a))と、前記液体材料Lを乾燥して前記機能性材料からなる膜Fを形成する工程(図1(b))と、を有する。また、前記液体材料Lを配置するに際し、前記隔壁Bによって区画された領域の中央部に前記液体材料Lに対して親液性を有する凸状部Pを形成する工程を含み(図1(a))、前記凸状部Pによって液体材料Lの偏りを制御し、それにより、形成される膜の偏り(膜Fの厚み、平坦性等)を制御することを特徴とする。
隔壁Bは、基体上に設けられており、例えば、樹脂等の有機物あるいは無機物からなる。凸状部Pは、例えば、隔壁Bによって区画される領域の中央部に均一な密度で設けられている。凸状部Pは、例えば、概略点状の複数の突起として形成されている。この凸状部Pは、対象となる膜Fの厚みと同等かそれ以下であることが望ましい。また、液体材料Lとしては、水系及び有機系のいずれも適用される。
隔壁Bの表面は、例えば、CFプラズマ処理等の撥液化処理により、液体材料Lに対して撥液性に加工されている。また、隔壁Bによって区画された領域の底面は、例えば、Oプラズマ処理等の親液化処理画施されることにより、又は当該底面に親液性の膜が形成されることにより、液体材料Lに対して親液性に加工されている。凸状部Pは、このような親液性に加工された面と同等かそれよりも相対的に高い親液性を有する領域である。このため、液体材料Lの乾燥過程においては、液体材料Lは凸状部P近傍にも溜まり易くなり、凸状部P近傍の溶質(機能性材料)の析出が促進される。また、凸状部Pは液体材料L側に突出するように設けられているため、液体材料Lを乾燥固化させる際に、凸状部Pにより液体材料Lが隔壁Bの開口領域の中央部から周縁部に流動するのを堰き止めることができる。この結果、溶質の析出が隔壁Bによって区画された領域全体に分散され、膜Fの均一性が向上する。
なお、凸状部Pは、液滴吐出法により形成することができる。この場合、凸状部Pを形成するためにエッチング等の薬液処理をする必要がないので、下地の層が耐薬品性を有するか否かに拘わらず、本方法を適用することができる。例えば、隔壁Bによって区画された領域内に耐薬品性の低い膜が形成されており、該膜上に新たな膜を形成する場合に好適である。
図2は、隔壁Bの他の構成を示す図である。図2において、隔壁Bは、液体材料Lに対して親液性を有する親液層B1と、液体材料Lに対して撥液性を有する撥液層B2によって構成されている。この構成においては、隔壁Bの表面に前記液体材料Lに対して親液性を有する親液領域(親液層B1)が形成されているため、液体材料Lの乾燥過程においては、液体材料Lの液面が親液層B1と撥液層B2の境界部に固定(ピニング)された状態で乾燥が進む。すなわち、液体材料Lの乾燥開始位置(ピニングポイント)は親液層B1と撥液層B2の境界部に確実に固定されるようになり、従来のように乾燥開始位置がばらつくことによって膜Fの均一性、平坦性が阻害される等の問題は生じない。
親液層B1と撥液層B2の側壁面は、例えば、互いに面一に形成されることが望ましい。また、親液層B1の厚みは対象となる膜の厚みと略同じであることが望ましい。このような隔壁Bは、例えば、親液層B1を形成する工程と、親液層B1上に撥液層B2を形成する工程と、撥液層B2をパターニングする工程と、撥液層B2をマスクとして親液層B1をパターニングする工程と、を含む工程により形成することができる。
従来の隔壁の形成方法では、親液層B1と撥液層B2とを一層ずつ形成していく方法が一般的であった。このため、親液層B1と撥液層B2との間に微妙な位置ずれを生じる場合があり、この位置ずれが膜の平坦性に影響を与えることがあった。しかし、本方法のように撥液層B2をマスクとして親液層B1をパターニングする方法では、両者の間に位置ずれを生じることがなく、膜の平坦性及び膜厚の均一性も優れたものとなる。また、親液層B1をパターニングするためのレジストマスクの形成が不要になるので、工程が簡単になるといった利点もある。また、親液層B1の厚みを形成される膜の厚みと略同じとした場合、膜の厚みは、隔壁Bによって区画された領域の外周部(隔壁近傍)と中央部のいずれにおいても親液層B1の厚みと略同じ厚みに制御されることになる。したがって、形成される膜の厚みを膜全体で均一に制御することができ、平坦性に優れた膜が形成されるようになる。
図3(a)は、凸状部Pの他の形態を示す模式図である。図3(a)において、凸状部Pは、隔壁Bを形成する工程と同じ工程で形成されている。この凸状部Pは、例えば、親液層B1を形成する工程と同時に形成される。この場合、凸状部Pを形成するための新たな工程が必要なくなるので、製造が容易になり、従来の工程からの移行も容易である。
図3(b)は、凸状部Pの更に他の形態を示す模式図である。図3(b)において、隔壁Bは、第1隔壁層B1、第2隔壁層B2、第3隔壁層B3、及び第4隔壁層B4の4つの層によって構成されている。また、凸状部Pは、第1隔壁層B1、第2隔壁層B2、及び第3隔壁層B3と同じ材料によって形成される3つの層によって構成されている。これらの層は隔壁Bを形成する工程と同じ工程で形成される。隔壁Bにおいて、第1隔壁層B1と第3隔壁層B3は、液体材料Lに対して親液性を有する親液層であり、第2隔壁層B2は、液体材料Lに対して撥液性を有する撥液層である。
図3(b)の膜形成方法では、まず、第1隔壁層B1と第2隔壁層B2の境界部で液体材料をピニングしながら乾燥を行ない、第1隔壁層B1によって区画された領域に第1の膜Fを形成する。次に、第1の膜F上に液体材料Lを配置し、第3隔壁層B3と第4隔壁層B4の境界部で液体材料Lをピニングしながら乾燥を行ない、第1の膜F上に第2の膜を形成する。3層以上の膜を形成する場合には、第4隔壁層B4の上に更に親液層と撥液層からなる組を複数組形成し、液体材料の配置及び乾燥を繰り返せばよい。
ここで、上記膜形成方法における液体材料の配置技術、すなわち、隔壁Bによる窪みの内部に液体材料Lを配置する技術としては、液滴吐出法(いわゆるインクジェット法)、ディスペンスコート法、あるいはスピンコート法など、各種コート法の適用が可能である。上記コート法のうち、液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。
液滴吐出技術(インクジェット法)としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式(ピエゾ方式)は、ピエゾ素子(圧電素子)がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル(泡)を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。
[デバイスの構成]
図4は、本発明のデバイスの一実施形態であるアクティブマトリクス型の表示装置(有機EL装置)を示す部分斜視図である。この表示装置1は、上記本発明の膜形成方法を用いて作製される有機EL素子を発光素子として備える。また、この表示装置1は、薄膜トランジスタを用いたアクティブ型の駆動方式を採用している。
表示装置1は、基体2上に、回路素子としての薄膜トランジスタを含む回路素子部14、陽極である画素電極111、発光層を含む発光部11、陰極である対向電極12、及び封止部3等を備えている。
基体2としては、例えば、ガラス基板が用いられる。本発明における基板としては、ガラス基板の他に、シリコン基板、石英基板、セラミックス基板、金属基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板等、電気光学装置や回路基板に用いられる公知の様々な基板が適用される。
基体2上には、発光領域としての複数の画素領域Aがマトリクス状に配列されており、カラー表示を行う場合、例えば、赤(Red)、緑(Green)、青(Blue)の各色に対応する画素領域Aが所定の配列で並ぶ。各画素領域Aには、画素電極111が配置され、その近傍には信号線102、共通給電線103、走査線101及び図示しない他の画素電極用の走査線等が配置されている。画素領域Aの平面形状は、図に示す矩形の他に、円形、長円形など任意の形状が適用可能である。
封止部3は、水や酸素の侵入を防いで対向電極12あるいは発光部11の酸化を防止するものであり、基体2に塗布される封止樹脂、及び基体2に貼り合わされる封止基板(又は封止缶)604等を含む。封止樹脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の1種であるエポキシ樹脂が好ましく用いられる。封止基板604は、ガラスや金属等からなり、基体2と封止基板604とはシール剤を介して貼り合わされている。基体2の内側には乾燥剤が配置されており、基板間に形成された空間には不活性ガスを充填した不活性ガス充填層605が形成されている。
画素領域Aには、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の第1の薄膜トランジスタ122と、この薄膜トランジスタ122を介して信号線102から供給される画像信号を保持する保持容量capと、保持容量capによって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用の第2の薄膜トランジスタ123と、この薄膜トランジスタ123を介して共通給電線103に電気的に接続したときに共通給電線103から駆動電流が流れ込む画素電極111と、画素電極111と対向電極12との間に挟み込まれる発光部11とが設けられている。発光部11は、発光層としての有機EL層を含む層(機能層)を含み、発光素子である有機EL素子10は、画素電極111、対向電極12、及び発光部11等を含んで構成される。
画素領域Aでは、走査線101が駆動されて第1の薄膜トランジスタ122がオンになると、そのときの信号線102の電位が保持容量capに保持され、この保持容量capの状態に応じて、第2の薄膜トランジスタ123の導通状態が決まる。また、第2の薄膜トランジスタ123のチャネルを介して共通給電線103から画素電極111に電流が流れ、さらに発光部11を通じて対向電極12に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて、発光部11が発光する。
表示装置1においては、発光部11から基体2側に発した光が、回路素子部14及び基体2を透過して基体2の下側(観測者側)に出射されるとともに、発光部11から基体2の反対側に発した光が対向電極12により反射されて、その光が回路素子部14及び基体2を透過して基体2の下側(観測者側)に出射される(ボトムエミッション型)。なお、対向電極12として、透明な材料を用いることにより対向電極側から発光する光を出射させることもできる(トップエミッション型)。この場合、対向電極用の透明な材料としては、ITO、Pt、Ir、Ni、もしくはPdを用いることができる。
ここで、図5に示す平面構造をみると、画素領域Aは、平面視略矩形状の画素電極111の四辺が、上述した信号線102、共通給電線103、走査線101によって囲まれた配置となっている。画素領域Aの四辺は、隔壁112によって囲まれている。隔壁112は、画素電極111の形成領域に対応した平面視略矩形状の開口部112gを有しており、この開口部112gに有機EL素子が形成されている。
隔壁112の開口部112gの中央部には、概略点状の複数の突起112pからなる凸状部Pが設けられている。突起112pの表面は、該突起112pが形成される下地の面と比較して相対的に親液性の高い面とされている。突起112pは一定の間隔で配置されている。なお、突起112pは等間隔に配列される構成に限らず、図6(a)のように中央部で高密度(狭間隔)に配列され、周縁部で低密度(広間隔)に配列される構成とすることも可能である。また、図6(b)のように突起112pを平面視ストライプ状に形成することも可能である。
突起112pとしては、酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁材料及びアルミニウム、チタン、クロム、タングステン等の金属材料のいずれも適用される。例えば、突起112pを有機EL素子(発光層)と屈折率の異なる透光性の材料、又はアルミニウム等の光反射性の材料で形成した場合、有機EL素子で生じた光のうち基体2に平行に伝播する光成分の伝播方向を突起112pによって屈折又は反射させて変化させることができるので、当該光成分を表示光として取り出しやすくなる。
図7は、上記表示装置1における画素領域A近傍の断面構造を拡大した図である。図7には、3つの画素領域Aが示されている。図7に示すように、基体2上には、シリコン酸化膜からなる下地保護膜2cが形成され、この下地保護膜2c上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜141が形成されている。半導体膜141には、ソース領域141b及びドレイン領域141aが高濃度Pイオン打ち込みにより形成され、Pが導入されなかった部分がチャネル領域141cとなっている。さらに、下地保護膜2c及び半導体膜141を覆う透明なゲート絶縁膜142が形成され、ゲート絶縁膜142上にAl、Mo、Ta、Ti、W等からなるゲート電極143(走査線)が形成され、ゲート電極143及びゲート絶縁膜142上に透明な第1層間絶縁膜144aと第2層間絶縁膜144bが形成されている。ゲート電極143は半導体膜141のチャネル領域141cに対応する位置に設けられている。また、第1、第2層間絶縁膜144a、144bを貫通して、半導体膜141のソース、ドレイン領域141b、141aにそれぞれ接続されるコンタクトホール146、145が形成されている。なお、下地保護膜2cから第2層間絶縁膜144bまでの層によって回路素子部14が形成されている。
第2層間絶縁膜144b上には、ITO等からなる透明な画素電極111が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール145がこの画素電極111に接続されている。また、もう一方のコンタクトホール146が共通給電線103に接続されている。このように、回路素子部14には、各画素電極111に接続された駆動用の薄膜トランジスタ123が形成されている。なお、回路素子部14には、前述した保持容量cap及びスイッチング用の薄膜トランジスタ122も形成されているが、図7ではこれらの図示を省略している。
発光部11は、複数の画素電極111…上の各々の上に積層された機能層110と、各画素電極111及び機能層110の間に備えられて各機能層110を区画する隔壁112とを主体に構成されている。また、機能層110上には対向電極12が配置されている。発光素子である有機EL素子10は、画素電極111、対向電極12、及び機能層110等を含んで構成される。ここで、画素電極111は、例えばITOにより形成されており、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極111の厚さは、50〜200nmの範囲が好ましく、150nm程度がよい。また、各画素電極111…の間には、隔壁112が備えられている。
図8は、隔壁112の平面構造の形態例を示している。隔壁112は、複数の画素領域Aの境界に位置し、複数の画素領域Aの配列に対応して開口を有して形成されている。図8(a)の例では、隔壁112は、マトリクス状に配列される複数の画素領域Aに対応して格子状に設けられている。また、図8(b)の例では、隔壁112は、ストライプ状に配列される複数の画素領域Aに対応してストライプ状に設けられている。なお、画素領域Aの配列及び隔壁112の平面形状はこれに限定されず、例えば一列ごとにずれた配列となるいわゆるデルタ配列の画素領域とそれに応じた隔壁形状としてもよい。本例では、隔壁112は図8(a)に示す格子状の平面構造からなる。
図7に戻り、隔壁112は、基体2側から順に、第1隔壁層112a、第2隔壁層112b、第3隔壁層112c、及び第4隔壁層112dを備えている。第1隔壁層112aは、画素電極111の周縁部上に乗上げるように形成されている。平面的には、画素電極111の周囲と第1隔壁層112aとが平面的に重なるように配置された構造となっている。
隔壁層112a,112b,112c,112dは、それぞれ画素電極111上に互いに連通する開口部を有している。隔壁層112a,112b,112c,112dの各開口部は互いに面一に形成されており、これらが連通してテーパ状の開口部112gを形成している。
第1隔壁層112aは、例えば、酸化シリコン等の無機材料からなる。第1隔壁層112aの厚さ(高さ)は、例えば、50〜200nmの範囲に設定される。第2隔壁層112bは、シランカップリング剤等の有機材料からなる。第2隔壁層112bの厚さ(高さ)は、例えば、1〜10nm程度に設定される。第3隔壁層112cは、例えば、酸化シリコン等の無機材料からなる。第3隔壁層112cの厚さ(高さ)は、例えば、50〜200nmの範囲に設定される。第4隔壁層112dは、シランカップリング剤等の有機材料からなる。第4隔壁層112dの厚さ(高さ)は、例えば、1〜10nm程度に設定される。なお、上記隔壁の厚さは一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。
なお、隔壁112は上述した4層構造のものに限らず、有機物層若しくは無機物層からなる単層構造のもの、又は有機物層及び無機物層からなる2層構造のものを用いてもよい。この場合、有機物層としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性の高い材料が用いられる。また、無機物層としては、ポリシラザン、ポリシロキサン等が用いられる。また、ポリシロキサン等を含有した有機・無機ハイブリッド材料を用いることもできる。
第1隔壁層112a及び第3隔壁層112cの表面は親液性に加工されている。第1隔壁層112a及び第3隔壁層112cは隔壁112の側壁面上に露出しており、これにより、隔壁112の表面に液体材料に対して親液性を有する親液領域が形成されている。一方、第2隔壁層112b及び第4隔壁層112dの表面は撥液性に加工されている。例えば、第2隔壁層112b及び第4隔壁層112dがトリメトキシシラン等のシランカップリング剤からなる場合、そのシランカップリング剤の末端の官能基を選択することにより、第2隔壁層112b及び第4隔壁層112dの表層の濡れ性(撥液性)を制御することができる。
機能層110は、画素電極111上に積層された正孔注入/輸送層110aと、正孔注入/輸送層110a上に隣接して形成された発光層110bとから構成されている。なお、発光層110bに隣接してその他の機能を有する他の機能層をさらに形成してもよい。例えば、電子輸送層を形成してもよい。
正孔注入/輸送層110aは、正孔を発光層110bに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入/輸送層110aの内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入/輸送層110aを画素電極111と発光層110bの間に設けることにより、発光層110bの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層110bでは、正孔注入/輸送層110aから注入された正孔と、対向電極12から注入される電子が再結合し、発光が得られる。
発光層110bは、赤色(R)に発光する赤色発光層110b1、緑色(G)に発光する緑色発光層110b2、及び青色(B)に発光する青色発光層110b3、の3種類を有し、各発光層110b1〜290b3がストライプ状に配置されている。
正孔注入/輸送層110aの形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、この他にも、特に限定されることなく公知の様々な材料が使用可能であり、例えばピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等が挙げられる。さらに、正孔注入/輸送層の形成材料として、銅フタロシアニン(CuPc)や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、1,1−ビス−(4−N,N−ジトリルアミノフェニル)シクロヘキサン、トリス(8−ヒドロキシキノリノール)アルミニウム等も適用される。
また、発光層110bの材料としては、例えば、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、9,10-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等をドープして用いることができる。
正孔注入/輸送層110aの上面は第1隔壁層112aと第2隔壁層112bとの境界部に配置されている。第1隔壁層112aの厚みは正孔注入/輸送層110aの厚みと略同じであり、第1隔壁層112aの上面と正孔注入/輸送層110aの上面によって連続する平坦面が形成されている。また、発光層110bの上面は第3隔壁層112cと第4隔壁層112dとの境界部に配置されている。第3隔壁層112cの厚みは発光層110bの厚みと略同じであり、第3隔壁層112cの上面と発光層110bの上面によって連続する平坦面が形成されている。また、正孔注入/輸送層110aと発光層110bとの間には、親液領域としての突起112pが形成されている。突起112pの厚みは発光層110bの厚みと同等かそれ以下とされている。
対向電極12は、発光部11の全面に形成されており、画素電極111と対になって機能層110に電流を流す役割を果たす。この対向電極12は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。
このとき、発光層に近い側の対向電極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層110bに直接に接して発光層110bに電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウムは発光層の材料によっては効率よく発光させるために、発光層110bと対向電極12との間にフッ化リチウムを形成する場合もある。なお、赤色及び緑色の発光層110b1、110b2にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いてもよい。従ってこの場合は青色(B)発光層110b3のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層110b1、110b3にはフッ化リチウム以外のものを積層してもよい。また、赤色及び緑色の発光層110b1、110b2上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成してもよい。この場合、フッ化リチウムの厚さは、例えば2〜5nmの範囲が好ましく、特に2nm程度がよい。またカルシウムの厚さは、例えば2〜50nmの範囲が好ましい。
また、対向電極12を形成するアルミニウムは、発光層110bから発した光を基体2側に反射させるもので、アルミニウムの他、銀、又はアルミニウムと銀の積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば100〜1000nmの範囲が好ましく、特に200nm程度がよい。さらにアルミニウム上に酸化シリコン、窒化シリコン等からなる酸化防止用の保護層を設けてもよい。
[デバイスの製造方法]
次に、本発明のデバイスの製造方法の一実施形態として、上記表示装置1の製造方法を説明する。ここでは、(1)隔壁形成工程、(2)正孔注入/輸送層形成工程、(3)凸状部形成工程、(4)発光層形成工程、(5)対向電極形成工程を中心に説明する。
(1)隔壁形成工程
まず、図9に示すように、公知の手法を用いて、基体2上に回路素子部14及び画素電極111を形成し、この回路素子部14上に第1隔壁層112a、第2隔壁層112b、第3隔壁層112c、及び第4隔壁層112dからなる隔壁112を形成する。第1隔壁層112a及び第3隔壁層112cは、正孔注入/輸送層形成工程及び発光層形成工程で使用する液体材料(第1組成物110c、第2組成物110e)に対して親液性を有する親液層として形成される。また、第2隔壁層112b及び第4隔壁層112dは、前記液体材料に対して撥液性を有する撥液層として形成される。また、必要に応じて、第1隔壁層112a及び第3隔壁層112cの表面に親液処理が施され、第2隔壁層112b及び第4隔壁層112dの表面に撥液処理が施される。
隔壁層112a,112b,112c,112dには画素電極111上に互いに連通する開口部が形成される。各隔壁層の開口部は面一に形成される。隔壁層112a,112b,112c,112dは第1隔壁層112aから順に1層ずつパターニングしても良いし、第1隔壁層112a〜第4隔壁層112dを形成した後、第4隔壁層上に設けた共通のマスクを用いて第1隔壁層112a〜第4隔壁層112dをドライエッチング等で一括してパターニングしても良い。
(2)正孔注入/輸送層形成工程
次に、図10に示すように、液滴吐出法(インクジェット法)を用いて、正孔注入/輸送層の形成材料を含む第1組成物(液体材料)110cを画素電極111上に吐出する。第1組成物110cの吐出は、インクジェットヘッドH1の吐出ノズルH2を隔壁112の開口位置に配置し、インクジェットヘッドH1と基体2とを相対的に移動させながら行なう。
第1組成物110cとしては、前述した正孔注入/輸送層形成材料を極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン(NMP)、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。なお、第1組成物110cの組成は上記例に限定されるものではない。また、正孔注入/輸送層の形成材料として、赤(R)、緑(G)、青(B)の各発光層に対して同じ材料を用いてもよく、各発光層ごとに変えてもよい。
第1組成物110cの吐出量は、隔壁112による窪み(開口)の大きさ、形成しようとする正孔注入/輸送層の厚さ、第1組成物中の正孔注入/輸送層形成材料の濃度等により決定される。また、第1組成物を一度に隔壁間に配置してもよく、数回に分けて配置してもよい。この場合、各回における第1組成物の量は同一でもよく、各回ごとにその量を変えてもよい。さらに、ある画素電極に対して毎回同じ位置から第1組成物を吐出してもよく、各回ごとに位置をずらしながら吐出してもよい。
吐出された第1組成物110cの液滴は、親液処理された画素電極111の電極面上に広がり、隔壁112間に充填される。隔壁112表面(上面112f)が撥液性に加工されているので、仮に、第1組成物110cが所定の吐出位置から外れて隔壁112の上面112fに吐出されたとしても、その上面112fで第1組成物110cの液滴がはじかれ、隔壁112の開口部112gに転がり込む。
続いて、図11に示すように、画素電極111上に配置された第1組成物110cを乾燥し、画素電極111上に正孔注入/輸送層の膜を形成する。この正孔注入/輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とするのが好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
第1組成物110cは、その乾燥過程において図11に示すようにその液面が徐々に低下し、最終的に第1組成物中の溶質(正孔注入/輸送層の形成材料)のみが析出して正孔注入/輸送層を形成する。このとき、隔壁112の側壁面には親液層である第1隔壁層112aが露出しているため、第1組成物110cの液面が親液層である第1隔壁層112aと撥液層である第2隔壁層112bとの境界部で固定(ピニング)され、この境界部が乾燥の開始点となって溶質の堆積が隔壁112の開口領域全体で均一に行なわれる。また、第1隔壁層112aの厚みは正孔注入/輸送層の厚みと略同じに形成されているため、形成される正孔注入/輸送層の厚みは、隔壁112によって区画された領域の外周部(隔壁近傍)と中央部のいずれにおいても第1隔壁層112aの厚みと略同じ厚みに制御される。
図12は、正孔注入/輸送層110aを形成した状態を示す図である。図12において、正孔注入/輸送層110aは第1隔壁層112aの開口領域全体に均一な厚みで形成されている。また、第1隔壁層112aの厚みと正孔注入/輸送層110aの厚みが略同じであることから、第1隔壁層112aの上面と正孔注入/輸送層110aの上面とで連続した平坦面が形成されている。
(3)凸状部形成工程
次に、図13に示すように、正孔注入/輸送層110aの表面に概略点状の複数の突起112pからなる凸状部を形成する。この突起112pは、隔壁112によって区画された領域の中央部に均一な密度で形成される。例えば、酸化シリコン等の親液性の高い無機材料を含む液体材料を液滴吐出法により正孔注入/輸送層110a上に等間隔で配置し、これを乾燥することにより親液性の突起112pが形成される。
(4)発光層形成工程
次に、図14に示すように、上記正孔注入/輸送層形成工程と同様に、液滴吐出法(インクジェット法)を用いることにより、各色(例えばここでは青色(B))の発光層の形成材料を含む第2組成物(液体材料)110eを正孔注入/輸送層110a上に吐出する。第2組成物110eの吐出は、インクジェットヘッドH3の吐出ノズルH4を隔壁112の開口位置に配置し、インクジェットヘッドH3と基体2とを相対的に移動させながら行なう。
第2組成物110eとしては、前述した発光層形成材料を非極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。非極性溶媒としては、正孔注入/輸送層110aに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。
第2組成物110eの吐出量は、隔壁による窪み(開口)の大きさ、形成しようとする発光層の厚さ、第2組成物中の発光層形成材料の濃度等により決定される。また、第2組成物を一度に隔壁間に配置してもよく、数回に分けて配置してもよい。この場合、各回における第2組成物の量は同一でもよく、各回ごとにその量を変えてもよい。さらに、ある画素電極に対して毎回同じ位置から第2組成物を吐出してもよく、各回ごとに位置をずらしながら吐出してもよい。
続いて、図15に示すように、画素電極111上に配置された第2組成物110eを乾燥し、正孔注入/輸送層110a上に発光層の膜を形成する。
第2組成物110eは、その乾燥過程において図15に示すようにその液面が徐々に低下し、最終的に第2組成物中の溶質(発光層の形成材料)のみが析出して発光層を形成する。このとき、隔壁112の側壁面には親液層である第3隔壁層112cが露出しているため、第2組成物110eの液面が親液層である第3隔壁層112cと撥液層である第4隔壁層112dとの境界部で固定(ピニング)され、この境界部が乾燥の開始点となって溶質の堆積が隔壁112の開口領域全体で均一に行なわれる。また、第3隔壁層112cの厚みは発光層110bの厚みと略同じに形成されているため、形成される発光層110bの厚みは、隔壁112によって区画された領域の外周部(隔壁近傍)と中央部のいずれにおいても第3隔壁層112cの厚みと略同じ厚みに制御される。
また、正孔注入/輸送層110a上に親液性の突起112pが形成されているため、第2組成物110eが突起112p近傍に溜まり易くなり、突起112p近傍の溶質の析出が促進される。また、突起112pは第2組成物110e側に突出するように設けられているため、第2組成物110eを乾燥固化させる際に、突起112pにより第2組成物110eが隔壁112の開口領域の中央部から周縁部に流動するのを堰き止めることができる。この結果、溶質の析出が隔壁112によって区画された領域全体に分散され、発光層110bの均一性が向上する。
図16は、発光層110b(青色(B)の発光層110b3)を形成した状態を示す図である。図16において、発光層110bは第3隔壁層112cの開口領域全体に均一な厚みで形成されている。また、第3隔壁層112cの厚みと発光層110bの厚みが略同じであることから、第3隔壁層112cの上面と発光層110bの上面とで略連続した平坦面が形成されている。
続いて、図17に示すように、正孔注入/輸送層110a上に、赤色(R)、緑色(G)の発光層110b1、110b2を形成する。これらの形成方法は、青色の発光層110b3の場合と同様である。
(5)対向電極形成工程
次に、図18に示すように、発光層110b及び隔壁112の全面に対向電極12を形成する。対向電極12は複数の材料を積層して形成してもよい。例えば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばカルシウム、バリウム等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にフッ化リチウム等を薄く形成した方がよい場合もある。また、上部側(封止側)には下部側よりも仕事関数が高い材料、例えばアルミニウムを用いる事もできる。また、対向電極12上に、酸化防止のために酸化シリコン、窒化シリコン等の保護層を設けてもよい。
以上の工程により、基体2上に発光部11が形成され、有機EL素子10が形成される。この後、有機EL素子が形成された基体2を封止し、基体2の配線に対向電極12を接続するとともに、基体2上あるいは外部に設けられる駆動IC(駆動回路)に回路素子部14の配線を接続することにより、表示装置1が完成する。
[電子機器]
図19は、上記表示装置を備えた電子機器の一例を示す斜視構成図である。
図19に示す映像モニタ1200は、先の実施形態の表示装置を備えた表示部1201と、筐体1202と、スピーカ1203等を備えて構成されている。そして、この映像モニタ1200は、先の表示装置により高画質で、均一な明るさの表示が可能である。特に大型のパネルでは画素が大型であるため、発光部である有機機能層を均一に形成するのが困難になるが、本発明に係る表示装置では、任意の大きさの有機機能層を均一に形成できるため、大型のパネルに用いて好適な表示装置となっている。
上記各実施の形態の表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの機器においても、高画質表示が可能になっている。
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
本発明の膜形成方法を概念的に示す図である。 本発明の膜形成方法の他の例を示す図である。 本発明の膜形成方法の他の例を示す図である。 本発明のデバイスの一例である表示装置の構成を模式的に示す図である。 同表示装置の1画素の構成を示す平面図である。 同表示装置の1画素の他の構成を示す平面図である。 表示装置における画素領域近傍の断面構造を拡大した図である。 隔壁の平面構造の形態例を模式的に示す図である。 表示装置の製造方法を説明する工程図である。 表示装置の製造方法を説明する工程図である。 表示装置の製造方法を説明する工程図である。 表示装置の製造方法を説明する工程図である。 表示装置の製造方法を説明する工程図である。 表示装置の製造方法を説明する工程図である。 表示装置の製造方法を説明する工程図である。 表示装置の製造方法を説明する工程図である。 表示装置の製造方法を説明する工程図である。 表示装置の製造方法を説明する工程図である。 電子機器の一例を示す斜視構成図。 従来の膜形成方法を概念的に示す図である。
符号の説明
1…表示装置(デバイス)、110a…正孔注入/輸送層、110b…発光層、110c…第1組成物(液体材料)、110e…第2組成物(液体材料)、112…隔壁、112a…第1隔壁層(親液層)、112b…第2隔壁層(撥液層)、112c…第3隔壁層(親液層)、112d…第4隔壁層(撥液層)、112g…開口部(隔壁によって区画された領域)、112p…凸状部(突起)、B…隔壁、F…膜、L…液体材料、P…凸状部

Claims (16)

  1. 隔壁と、前記隔壁によって区画された領域に設けられた膜と、前記隔壁によって区画された領域に設けられ、前記膜側に突出する無機材料からなる凸状部と、を有することを特徴とするデバイス。
  2. 前記凸状部は、概略点状の複数の突起からなることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
  3. 前記複数の突起は、前記隔壁によって区画される領域の中央部に均一な密度で形成されていることを特徴とする請求項2に記載のデバイス。
  4. 前記突起の厚みは、対象となる膜の厚みと同等かそれ以下であることを特徴とする請求項2又は3に記載のデバイス。
  5. 前記膜は発光材料によって形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかの項に記載のデバイス。
  6. 前記凸状部は光反射性の金属材料によって形成されることを特徴とする請求項5に記載のデバイス。
  7. 前記凸状部は、前記発光材料とは屈折率の異なる透光性材料によって形成されることを特徴とする請求項5に記載のデバイス。
  8. 隔壁によって区画された領域に液体材料を配置して膜を形成する膜形成方法であって、
    前記隔壁によって区画される領域の中央部に前記液体材料に対して親液性を有する凸状部を形成する工程と、
    前記隔壁によって区画された領域に機能性材料を含む液体材料を配置する工程と、
    前記液体材料を乾燥して前記凸状部を覆う前記機能性材料の膜を形成する工程と、を有することを特徴とする膜形成方法。
  9. 前記凸状部は液滴吐出法により形成されることを特徴とする請求項8に記載の膜形成方法。
  10. 前記凸状部は前記隔壁を形成する工程と同じ工程で形成されることを特徴とする請求項8に記載の膜形成方法。
  11. 前記液体材料を配置する工程に際し、前記隔壁の表面に前記液体材料に対して親液性を有する親液領域を形成することを特徴とする請求項8〜10のいずれかの項に記載の膜形成方法。
  12. 前記隔壁は、前記液体材料に対して親液性を有する親液層と、前記液体材料に対して撥液性を有する撥液層とを含み、前記隔壁の表面に露出した前記親液層によって前記親液領域が形成されることを特徴とする請求項11に記載の膜形成方法。
  13. 前記隔壁の形成工程は、前記親液層を形成する工程と、前記親液層上に前記撥液層を形成する工程と、前記撥液層をパターニングする工程と、前記撥液層をマスクとして前記親液層をパターニングする工程と、を含むことを特徴とする請求項12に記載の膜形成方法。
  14. 前記親液層の厚みは対象となる膜の厚みと略同じであることを特徴とする請求項12又は13に記載の膜形成方法。
  15. 前記液体材料は発光材料を含むことを特徴とする請求項8〜14のいずれかの項に記載の膜形成方法。
  16. 隔壁によって区画された領域に液体材料を配置して膜を形成する工程を有するデバイスの製造方法であって、
    前記膜を形成する工程が、請求項8〜15のいずれかの項に記載の膜形成方法により行なわれることを特徴とするデバイスの製造方法。

JP2006140206A 2006-05-19 2006-05-19 デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法 Withdrawn JP2007311236A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006140206A JP2007311236A (ja) 2006-05-19 2006-05-19 デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006140206A JP2007311236A (ja) 2006-05-19 2006-05-19 デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007311236A true JP2007311236A (ja) 2007-11-29

Family

ID=38843900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006140206A Withdrawn JP2007311236A (ja) 2006-05-19 2006-05-19 デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007311236A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012155369A (ja) * 2011-01-21 2012-08-16 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 静電容量式タッチパネル
JP2012204183A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2012203226A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Toppan Printing Co Ltd 光学素子及びその製造方法
JP2014067559A (ja) * 2012-09-25 2014-04-17 Toshiba Corp 有機電界発光素子および発光装置
KR20140061119A (ko) * 2012-11-13 2014-05-21 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법
KR20140100357A (ko) * 2013-02-06 2014-08-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2015155971A1 (ja) * 2014-04-08 2015-10-15 株式会社Joled 有機発光デバイスおよびその製造方法
CN106783939A (zh) * 2017-03-03 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法
WO2017204150A1 (ja) * 2016-05-24 2017-11-30 株式会社Joled 有機el表示パネル、有機el表示装置、及び、その製造方法
CN109920825A (zh) * 2019-03-14 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 像素界定结构及其制作方法、显示面板及显示装置
JP2019102279A (ja) * 2017-12-01 2019-06-24 キヤノン株式会社 トップエミッション型有機el素子およびその製造方法
CN109979983A (zh) * 2018-06-22 2019-07-05 友达光电股份有限公司 有机发光二极管显示装置
CN110379844A (zh) * 2019-08-22 2019-10-25 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999048339A1 (fr) * 1998-03-17 1999-09-23 Seiko Epson Corporation Substrat de formation de motifs sur film mince et son traitement de surface
JPH11329741A (ja) * 1998-05-15 1999-11-30 Seiko Epson Corp 機能性薄膜デバイス
JP2003272872A (ja) * 2002-03-19 2003-09-26 Toshiba Corp 自己発光表示装置
JP2005276803A (ja) * 2004-02-26 2005-10-06 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器
JP2006023683A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Seiko Epson Corp マイクロレンズの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999048339A1 (fr) * 1998-03-17 1999-09-23 Seiko Epson Corporation Substrat de formation de motifs sur film mince et son traitement de surface
JPH11329741A (ja) * 1998-05-15 1999-11-30 Seiko Epson Corp 機能性薄膜デバイス
JP2003272872A (ja) * 2002-03-19 2003-09-26 Toshiba Corp 自己発光表示装置
JP2005276803A (ja) * 2004-02-26 2005-10-06 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法、及び電子機器
JP2006023683A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Seiko Epson Corp マイクロレンズの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012155369A (ja) * 2011-01-21 2012-08-16 Japan Aviation Electronics Industry Ltd 静電容量式タッチパネル
JP2012204183A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2012203226A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Toppan Printing Co Ltd 光学素子及びその製造方法
JP2014067559A (ja) * 2012-09-25 2014-04-17 Toshiba Corp 有機電界発光素子および発光装置
KR101970539B1 (ko) * 2012-11-13 2019-08-14 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법
KR20140061119A (ko) * 2012-11-13 2014-05-21 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법
JP2014099394A (ja) * 2012-11-13 2014-05-29 Samsung Display Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
KR20140100357A (ko) * 2013-02-06 2014-08-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102048952B1 (ko) * 2013-02-06 2019-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10312308B2 (en) 2014-04-08 2019-06-04 Joled, Inc. Organic light emitting device and method for manufacturing same
WO2015155971A1 (ja) * 2014-04-08 2015-10-15 株式会社Joled 有機発光デバイスおよびその製造方法
US9997575B2 (en) 2014-04-08 2018-06-12 Joled Inc. Organic light emitting device and method for manufacturing same
JPWO2015155971A1 (ja) * 2014-04-08 2017-04-13 株式会社Joled 有機発光デバイスおよびその製造方法
CN109156064A (zh) * 2016-05-24 2019-01-04 株式会社日本有机雷特显示器 有机el显示面板、有机el显示装置及其制造方法
JPWO2017204150A1 (ja) * 2016-05-24 2019-03-14 株式会社Joled 有機el表示パネル、有機el表示装置、及び、その製造方法
WO2017204150A1 (ja) * 2016-05-24 2017-11-30 株式会社Joled 有機el表示パネル、有機el表示装置、及び、その製造方法
CN106783939A (zh) * 2017-03-03 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法
CN106783939B (zh) * 2017-03-03 2020-04-03 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法
US11031578B2 (en) 2017-03-03 2021-06-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and manufacturing method thereof
JP2019102279A (ja) * 2017-12-01 2019-06-24 キヤノン株式会社 トップエミッション型有機el素子およびその製造方法
JP7102131B2 (ja) 2017-12-01 2022-07-19 キヤノン株式会社 トップエミッション型の有機el素子およびその製造方法
CN109979983A (zh) * 2018-06-22 2019-07-05 友达光电股份有限公司 有机发光二极管显示装置
CN109920825A (zh) * 2019-03-14 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 像素界定结构及其制作方法、显示面板及显示装置
CN110379844A (zh) * 2019-08-22 2019-10-25 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板制备方法
CN110379844B (zh) * 2019-08-22 2021-07-20 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4211804B2 (ja) デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法
JP2007311236A (ja) デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法
JP2007311235A (ja) デバイス、膜形成方法、及びデバイスの製造方法
KR100691702B1 (ko) 유기 일렉트로루미네선스 장치, 그 제조 방법 및 전자 기기
JP4645064B2 (ja) 電気光学装置の製造方法
KR100690526B1 (ko) 전기 광학 장치 및 전자 기기
US7777411B2 (en) Light-emitting device, method of producing light-emitting device, exposure unit, and electronic device
JP2008091070A (ja) 発光装置及び電子機器
JP2008243406A (ja) 電気光学装置、および電気光学装置の製造方法
JP4497156B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
JP2007095608A (ja) 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
JP2007280866A (ja) 薄膜デバイス、有機el装置および液晶表示装置、電子機器、薄膜デバイスの製造方法、有機el装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法
JP2006310106A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP4788144B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP2006222195A (ja) 有機el装置、その製造方法、及び電子機器
JP2005158584A (ja) パターン形成方法及び表示装置の製造方法
JP2007311238A (ja) 発光装置の製造方法
JP2011029195A (ja) 電気光学装置、半導体装置、電気光学装置用基板、およびそれらの製造方法、並びに電子機器
JP2005078911A (ja) パターニングが施された基板およびその製造方法、並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
JP2007185603A (ja) 液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置、液状体の吐出方法、デバイスの製造方法、カラーフィルタの製造方法および有機el発光素子の製造方法、電気光学装置および電子機器
JP2010102892A (ja) 有機el表示パネルの製造方法および装置
JP2005294204A (ja) 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器
JP2016195028A (ja) 隔壁構造体、隔壁構造体の製造方法、電気光学装置、及び電子デバイス
JP2007035484A (ja) 膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法
JP2016162877A (ja) 電気光学装置及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090313

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20090316

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110201

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110401

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20110404

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110531

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20110801

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20110802