Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2008091070A - 発光装置及び電子機器 - Google Patents

発光装置及び電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2008091070A
JP2008091070A JP2006267861A JP2006267861A JP2008091070A JP 2008091070 A JP2008091070 A JP 2008091070A JP 2006267861 A JP2006267861 A JP 2006267861A JP 2006267861 A JP2006267861 A JP 2006267861A JP 2008091070 A JP2008091070 A JP 2008091070A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
organic
light
bank
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006267861A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5061562B2 (ja
Inventor
Shuichi Takei
周一 武井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2006267861A priority Critical patent/JP5061562B2/ja
Publication of JP2008091070A publication Critical patent/JP2008091070A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5061562B2 publication Critical patent/JP5061562B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】発光層を含む機能層の平坦化を実現させることが可能な発光装置、電子機器を提供すること。
【解決手段】有機EL装置1は、基板上に、画素5ごとに形成された画素電極11と、一部が画素電極11の外縁部に重なった状態に形成された無機バンク12と、無機バンク12上に、複数の発光領域6を囲うようにして形成された有機バンク13とを有している。無機バンク12は、発光領域6に対応する領域に開口部12aを有している。有機バンク13は、開口部12aの近傍を除いた領域に形成されている。画素電極11、無機バンク12、有機バンク13によって形作られる凹部は、画素5及び発光領域6が液滴吐出法に適さないほど小さい場合であっても、これらを複数包含しているため、液滴吐出法によって平坦な層を形成することができる。当該凹部には発光層を含む機能層が配置され、機能層を挟んで画素電極11の反対側には陰極が形成されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光層を有する発光装置、及び当該発光装置を備えた電子機器に関する。
上記発光装置の一つに、発光層に有機発光材料を用いた有機EL(Electro Luminescence)装置がある。有機EL装置は、薄型、低消費電力、広視野角といった特徴を有しており、多くの電子機器に表示装置として搭載されている。そして、こうした有機EL装置に対しては、表示情報量の増加や表示品位の向上のため、さらなる高精細化が求められている。
ところで、上記有機EL装置の製造方法としては、いわゆる液滴吐出法を用いた方法が知られている。これは、基板上に各画素を囲うようにして形成されたバンク(隔壁)の作る凹部に、有機発光材料が溶解又は分散された液滴を吐出し、これを乾燥させることによって発光層を形成するものである(特許文献1参照)。
特開2004−31359号公報
しかしながら、高精細化のために画素を小さくしていくと、バンクの作る凹部も小さくなる。こうした場合においては、当該凹部に吐出された液滴の表面積を最小に保とうとする表面張力の作用の影響が大きくなり、液滴を乾燥させて得られる発光層の平坦性を確保することが困難になるという問題点がある。
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の奏する効果の一つにより、発光層を含む機能層の平坦化を実現させることができる。
本発明の発光装置は、複数の画素を有する発光装置であって、基板と、前記基板上に、前記画素ごとに形成された画素電極と、前記基板上に、前記基板の法線方向から見て一部が前記画素電極の外縁部に重なった状態に形成され、前記画素の発光領域に対応する領域に開口部を有する第1のバンクと、前記第1のバンク上に、複数の前記発光領域を囲うように、かつ前記第1のバンク上のうち前記開口部の近傍を除いた領域に形成された第2のバンクと、前記画素電極、前記第1のバンク、前記第2のバンクによって形作られる凹部に配置された、発光層を含む機能層と、前記機能層を挟んで前記画素電極の反対側に形成された陰極と、を備えることを特徴とする。
このような構成によれば、個々の画素及び発光領域の大きさが液滴吐出法に適さないほど小さい場合であっても、上記凹部に吐出された機能液(機能層の材料を含んだ液体)は、当該凹部が上記発光領域を複数包含する大きさを有するため、凹部の底部に均一な厚さに濡れ広がる。また、第2のバンクは各画素の発光領域(第1のバンクの開口部)の近傍を除いた領域に形成されるため、機能液は、発光領域上において第2のバンクの影響による凹凸が少ない状態で濡れ広がる。上記発光層を含む機能層は、こうした機能液を乾燥させることによって得られるため、高い平坦性を有した状態で形成される。以上から、上記構成により、発光領域における、発光層を含む機能層の平坦化を実現させることができる。また、異なる画素に形成された発光層の厚さを容易に均一にすることができる。これにより、輝度ムラ等の不具合の少ない、高品位な発光を行うことができる。
上記発光装置において、前記画素は、前記発光領域において、複数の発光色のうちいずれか1つの発光を行い、前記第2のバンクによって囲まれた前記複数の発光領域における発光の色は同一であることが好ましい。
このような構成において、ある発光色の光を発する機能層を形成する際には、当該発光色に対応する複数の発光領域を包含する凹部に機能液を吐出することとなり、当該機能液が上記複数の画素にわたって均一な厚さに濡れ広がる。よって、これを乾燥して得られる機能層は、各画素の大きさが液滴吐出法に適さないほど小さい場合であっても、発光領域において高い平坦性を有した状態で形成される。また、異なる画素に形成された発光層の厚さを容易に均一にすることができる。これにより、輝度ムラ等の不具合の少ない、高品位な発光を行うことができる。
上記発光装置においては、等ピッチで配置された複数の前記画素からなる画素列を複数有し、隣り合う前記画素列に含まれる前記画素は、互いに前記画素列方向について半ピッチずつずれて配置されていることが好ましい。
このような構成によれば、ある画素列における画素間に対応する位置に、これと隣接する画素列の画素が配置される。このようにすれば、画素をマトリクス状に配置する場合に比べて、発光領域と発光領域との間隔をより小さくすることができる。これにより、発光領域の配置密度を高めることができるとともに、開口率を向上させることが可能となる。よって、高精細な発光を行うことができ、また発光輝度を高めることができる。
上記発光装置において、前記第1のバンクは親水性を有することが好ましい。
このような構成によれば、上記凹部の底部を親水性とすることができる。こうした凹部に吐出された機能液は、凹部の底部に均一に濡れ広がるため、乾燥後の機能層の平坦性を向上させることができる。
上記発光装置において、前記第2のバンクは撥水性を有することが好ましい。
このような構成によれば、上記凹部の側壁を撥水性とすることができる。こうした凹部に吐出された機能液は、側壁に沿って盛り上がってしまう現象が起こりにくく、底部に均一に濡れ広がるため、乾燥後の機能層の平坦性を向上させることができる。
本発明の電子機器は、上記発光装置を備えることを特徴とする。
このような構成の電子機器によれば、輝度ムラ等の表示不良の少ない、高品位な表示を行うことができる。
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
(有機EL装置)
図1は、本発明の発光装置としての有機EL装置1の拡大平面図である。有機EL装置1は、赤(R)、緑(G)、青(B)の発光を行う画素5R,5G,5B(以下まとめて「画素5」とも呼ぶ)を複数備えている。画素5は、同一の色に対応するものが図の縦方向に等間隔(等ピッチ)に並ぶように配置されている。このような画素5の列を画素列と呼ぶ。有機EL装置1は、赤、緑、青に対応する画素列を複数備えており、これらの画素列は赤、緑、青の順に繰り返し配列され、ストライプ状をなしている。また、隣り合う画素列に含まれる画素5は、画素列方向について半ピッチずつずれて配置されている。すなわち、画素5は千鳥状に配置されており、ある画素列における画素5の間に対応する位置に、これと隣接する画素列の画素5が配置されている。
画素5R,5G,5Bは、それぞれ発光領域6R,6G,6B(以下ではまとめて「発光領域6」とも呼ぶ)を有しており、発光領域6において赤、緑、又は青の発光を行う。発光領域6の外形は、画素列に直交する方向に長い、トラック形状(2つの向かい合う半円を2つの直線で結んだ形状)となっている。ここで、上記したように画素5は千鳥状に配置されているため、発光領域6もこれにともなって千鳥状の配置となる。このようにすれば、画素5をマトリクス状に配置する場合に比べて、発光領域6と発光領域6との間隔をより小さくすることができる。これにより、発光領域6の配置密度を高めることができるとともに、開口率を向上させることが可能となる。よって、高精細な発光を行うことができ、また発光輝度を高めることができる。有機EL装置1は、これら各発光領域6の発光輝度を制御することによってカラー表示を行う発光装置である。
図2は、有機EL装置1の電気的な構成を示した模式的な回路図である。有機EL装置1は、複数の走査線23と、この走査線23の延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線24と、このデータ線24に並列する複数の共通給電線25とを有している。走査線23とデータ線24との交差に対応して画素5が設けられている。走査線23は、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路28に接続されている。データ線24は、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路29に接続されている。
画素5の各々には、TFT(Thin Film Transistor)素子26,27が形成されている。TFT素子26のゲート電極には、走査線23を介して走査信号が供給される。TFT素子26のソース電極は、データ線24に接続されており、TFT素子26のドレイン電極は、データ線24から供給される画像信号を保持する保持容量21に接続されている。保持容量21によって保持された画像信号は、電流制御用のTFT素子27のゲート電極に供給される。TFT素子27のソース電極は共通給電線25に、またドレイン電極は有機EL素子3に、それぞれ接続されている。TFT素子27がオンとなると、共通給電線25から有機EL素子3に駆動電流が流れ込み、有機EL素子3が発光する。
このように、有機EL装置1は、駆動電流が流れることによって発光する有機EL素子3をTFT素子26,27で駆動制御する発光装置である。なお、図2においては走査線23、データ線24、共通給電線25が直線状に描かれているが、画素5の千鳥配置に対応して適宜屈曲した状態で形成されていてもよい。
図3は、図1中のA−A線における有機EL装置1の断面図である。この図を用いて、有機EL装置1の画素5の構造について説明する。
有機EL装置1は、本発明における基板としてのガラス基板10を基体として構成されている。ガラス基板10上にはシリコン酸化膜(SiO2)等からなる下地保護膜31が形成されている。下地保護膜31上には、TFT素子26(図3においては不図示),27が形成されている。
より詳しくは、下地保護膜31上に、ポリシリコン膜からなる半導体膜36が島状に形成されている。半導体膜36には不純物の導入によってソース領域、ドレイン領域が形成され、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となっている。下地保護膜31及び半導体膜36の上には、シリコン酸化膜等からなるゲート絶縁膜32が形成され、ゲート絶縁膜32上には、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)等からなるゲート電極37が形成されている。ゲート電極37及びゲート絶縁膜32の上には、第1層間絶縁膜33と第2層間絶縁膜34とがこの順に積層されている。ここで、第1層間絶縁膜33及び第2層間絶縁膜34は、シリコン酸化膜(SiO2)、チタン酸化膜(TiO2)などの無機絶縁膜から構成されている。なお、下地保護膜31から第2層間絶縁膜34までの構成要素を、以下ではまとめて「回路素子層19」とも呼ぶ。
第1層間絶縁膜33の上層には、共通給電線25が形成されている。共通給電線25は、第1層間絶縁膜33及びゲート絶縁膜32を貫通して設けられたコンタクトホールを介して半導体膜36のソース領域に接続されている。
第2層間絶縁膜34上には、厚さ約50〜150nmのITO(Indium Tin Oxide)からなる光透過性の画素電極11が画素5ごとに形成されている。画素電極11は、図1の平面図において、発光領域6より一回り大きな領域に形成されている。この画素電極11は、第2層間絶縁膜34、第1層間絶縁膜33、ゲート絶縁膜32を貫通して設けられたコンタクトホールを介して半導体膜36のドレイン領域に電気的に接続されている。こうした構成において、TFT素子27は、ゲート電極37への電圧の供給によってオン/オフが切り替わり、オン状態となった場合には、共通給電線25から画素電極11へ駆動電流を流す働きをする。
画素電極11の周りには、当該画素電極11を底部とする凹部を形作るように、親液性を有する無機材料からなる無機バンク12、及び撥水性を有する有機材料からなる有機バンク13がこの順に積層されている。無機バンク12、有機バンク13は、それぞれ本発明における第1のバンク、第2のバンクに対応する。
無機バンク12は、画素電極11の周りを囲うようにして第2層間絶縁膜34上に配置されており、ガラス基板10の法線方向から見て、一部が画素電極11の外縁部に重なった状態に形成されている。換言すれば、無機バンク12は、画素電極11より小さな開口部12aを有して、画素電極11に重ねて配置されている。そして、この開口部12aは、画素5の発光領域6に対応する領域に設けられている。つまり、図1に示すように、この開口部12aの形状が、そのまま発光領域6の形状となる。言い換えれば、無機バンク12の開口部12aの形状は、画素5の発光領域6の形状を規定する。したがって、開口部12aの形状は、トラック形状となっている。無機バンク12は、シリコン酸化膜等の無機絶縁膜からなり、その厚さは約50〜100nmである。
無機バンク12上には、ポリイミドやアクリル樹脂等からなる有機バンク13が形成されている。有機バンク13は、後述する正孔輸送層14及び発光層15を形成するにあたって液滴吐出法によって機能液を吐出する際、吐出された機能液の塗布領域を規定するものである。有機バンク13は、図1に示すように、複数の発光領域6を囲うように形成されている。このとき、有機バンク13に囲まれる発光領域6は、同一の色の発光を行う発光領域6であり、異なる色の発光領域6が混在しないようになっている。本実施形態では、画素列全体を有機バンク13が囲む構成となっている。
また、有機バンク13は、無機バンク12上のうち開口部12aの近傍を除いた領域に形成されている。つまり、有機バンク13の配置領域は、無機バンク12の開口部12aの縁(すなわち発光領域6の縁)から一定距離だけ離れている。
こうした構成によれば、発光領域6の上に積層される構成要素(本実施形態では、後述する正孔輸送層14及び発光層15)の、発光領域6内における平坦性を高めることができる。これは、次の理由による。すなわち、有機バンク13に囲まれた凹部に、液滴吐出法等の液層プロセスによって上記構成要素を形成する場合には、有機バンク13付近では吐出された機能液の平坦性が失われやすくなる一方で、有機バンク13から一定距離だけ離れた位置では有機バンク13による影響を受けにくいため高い平坦性を確保しやすくなる。そして、本実施形態の構成では、発光領域6と有機バンク13との間に距離が設けられていることにより、発光領域6が、上記平坦性の高くなる領域に位置するようになるためである。
特に、発光領域6の縁から有機バンク13に至るまでの領域は、親水性を有する無機バンク12が配置されているため、機能液が平坦に濡れ広がりやすい。そして、こうした親水性領域に囲まれた発光領域6においても、機能液は平坦に濡れ広がる。このため、発光領域6の上に積層される構成要素は高い平坦性をもって形成される。なお、本実施形態では、発光領域6が千鳥状に配置されていることによって、無機バンク12が露出した上記親水性領域の面積を確保しやすくなっている。
上記画素電極11、無機バンク12、有機バンク13によって形作られる凹部には、液滴吐出法によって形成された正孔輸送層14及び発光層15がこの順に配置されている。正孔輸送層14、発光層15を含む層は、本発明における機能層に対応し、本明細書ではこれを有機EL素子3とも呼ぶ。正孔輸送層14の厚さは約50nmであり、発光層15の厚さは約80〜120nmである。発光層15及び有機バンク13の上には、これらを覆うように、カルシウム(Ca)及びアルミニウム(Al)の積層体である陰極16が形成されている。陰極16の上には、水や酸素の侵入を防ぎ、陰極16あるいは有機EL素子3の酸化を防止するための、樹脂等からなる封止部材17が積層されている。
ここで、上記した液滴吐出法とは、有機発光材料等の機能物質が溶解又は分散された機能液の液滴を吐出し、その後、吐出された機能液を乾燥させて溶媒を蒸発させ、機能物質の層を形成する手法である。液滴吐出法には、インクジェット法などが含まれる。
正孔輸送層14は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔輸送層14は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT−PSS)などから構成することができる。
発光層15は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。画素電極11と陰極16との間に電圧を印加することによって、発光層15には、正孔輸送層14から正孔が、また、陰極16から電子が注入される。発光層15は、これらが結合したときに光を発する。発光層15からの発光スペクトルは、材料の発光特性や膜厚に依存する。本実施形態では、発光領域6R,6G,6Bには、それぞれ赤、緑、青の可視光を発光する発光層15が形成される。発光層15から図3の下方に射出された光はそのままガラス基板10を透過し、また図3の上方に射出された光は陰極16によって反射された後に下方へ進み、同じくガラス基板10を透過する。
このような構成の有機EL装置1は、ボトムエミッション型と呼ばれる。なお、有機EL装置1が、ガラス基板10とは反対側に向けて表示光を射出するトップエミッション型である場合、陰極16は、例えば、薄いカルシウム層と、ITO層などから構成して光透過性をもたせ、画素電極11の下層側には、画素電極11の略全体と重なるようにアルミニウム膜などからなる光反射層を形成する。
ところで、図1中のB−B線、すなわち、有機バンク13に囲まれた複数の発光領域6を含む位置において有機EL装置1を切断した場合、その模式断面図は図6(c)のようになる。この図においては、下地保護膜31から第2層間絶縁膜34までの構成要素をまとめて回路素子層19としている。この断面図においては、隣接する発光領域6の間に有機バンク13が存在しない。したがって、正孔輸送層14及び発光層15は、複数の発光領域6を含んだ底部を有する大きな凹部の全体にわたって一つながりに形成されている。
このような構成によれば、各発光領域6の間で、正孔輸送層14及び発光層15の厚さにばらつきが生じにくくなる。これにより、各発光領域6における発光輝度が均一になり、輝度ムラ等の不具合の少ない高品位な発光を行うことができる。
以上のような構成の有機EL装置1は、画素5の発光領域6においてのみ発光し、無機バンク12が形成された領域においては発光は行われない。これは、図3に示すように、当該領域では、画素電極11(陽極)と陰極16との間に絶縁物質である無機バンク12が配置されていることにより、両電極間の電流経路が遮断されるためである。
(有機EL装置の製造方法)
続いて、図4から図7を参照しながら、有機EL装置1の製造方法について説明する。図4は、有機EL装置1の製造方法を示す工程図であり、図5及び図6は、当該製造方法の各工程における有機EL装置1の断面図であって、図1中のB−B線の位置に対応する断面図である。
まず、有機EL装置1の製造に用いる液滴吐出装置について説明する。液滴吐出装置は、基板等のワークに対して相対移動可能なヘッドを有しており、このヘッドに設けられた吐出部から機能液等の液滴を吐出する装置である。図7(a)は、液滴吐出装置のヘッド114の斜視図であり、図7(b)は、当該ヘッド114の吐出部127の断面図である。
図7(a)及び(b)に示すように、ヘッド114は、複数のノズル118を有するインクジェットヘッドである。具体的には、ヘッド114は、振動板126と、ノズル118の開口を規定するノズルプレート128とを備えている。そして、振動板126とノズルプレート128との間には、液たまり129が位置しており、この液たまり129には、図示しない外部タンクから孔131を介して供給される機能液14Lが常に充填される。
また、振動板126とノズルプレート128との間には、複数の隔壁部122が位置している。そして、振動板126と、ノズルプレート128と、一対の隔壁部122と、によって囲まれた部分がキャビティ120である。キャビティ120はノズル118に対応して設けられているため、キャビティ120の数とノズル118の数とは同じである。キャビティ120には、一対の隔壁部122間に位置する供給口130を介して、液たまり129から機能液14Lが供給される。なお、本実施形態では、ノズル118の直径は、約27μmである。
振動板126上には、それぞれのキャビティ120に対応して、振動子124が配置されている。振動子124のそれぞれは、ピエゾ素子124Cと、ピエゾ素子124Cを挟む一対の電極124A,124Bとを含む。液滴吐出装置の制御部が、この一対の電極124A,124Bの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル118から機能液14Lの液滴が吐出される。ここで、ノズル118から吐出される材料の体積は、0pl以上42pl(ピコリットル)以下の間で可変である。
1つのノズル118と、ノズル118に対応するキャビティ120と、キャビティ120に対応する振動子124と、を含んだ部分が吐出部127である。よって、1つのヘッド114は、ノズル118の数と同じ数の吐出部127を有する。吐出部127は、ピエゾ素子124Cの代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部127は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。
続いて、図4に示す工程図に沿って有機EL装置1の製造方法について説明する。
まず、ステップS1では、公知の成膜技術等を用いて、ガラス基板10の表面に回路素子層19を形成する。続くステップS2では、回路素子層19上に、ITOからなる画素電極11を形成する(図5(a))。
次に、ステップS3では、回路素子層19及び画素電極11の上に、無機バンク12を形成する(図5(b))。より詳しくは、まず常圧又は減圧CVD法等により回路素子層19及び画素電極11の上にシリコン酸化膜を形成し、その後、ドライエッチング等により開口部12aを形成する。上述したように、開口部12aは、発光領域6に対応するトラック形状となるように形成する。
このステップS3では、無機バンク12の表面に親液性を高めるための加工を行ってもよい。例えば、無機バンク12にシリカ(SiO2)の微粒子と酸化チタン(TiO2)の微粒子とを含有する親液層を積層させ、これに紫外線を照射することによって無機バンク12の親液性を高めることができる。
次に、ステップS4では、無機バンク12上に有機バンク13を形成する(図5(c))。より詳しくは、まずアクリル樹脂等をスピンコート等により塗布し、その後フォトリソグラフィー等によってパターニングする。このときの有機バンク13の形成領域は、図1に示すように、各画素列を囲うような領域である。また、無機バンク12の開口部12aから一定の距離をおいて配置する。このステップS4を経て、画素電極11、無機バンク12を底部とし、有機バンク13を側壁とする凹部が形成される。
ここで、ステップS4では、有機バンク13の表面に対して、プラズマ処理を併せて行う。プラズマ処理は、有機バンク13の形成されたガラス基板10をフルオロカーボン系化合物を含有するガスにさらし、当該ガスにエネルギーを与えてプラズマ化して有機バンク13の表面と反応させて行う。このプラズマ処理によって、有機バンク13の撥液性を高めることができる。
次に、ステップS5では、上記凹部に正孔輸送層14の材料を含んだ機能液14Lを液滴吐出法により吐出する(図5(d))。より詳しくは、液滴吐出装置のヘッド114から機能液14Lの液滴を上記凹部の底部に向けて吐出する。機能液14Lとしては、例えばPEDOT−PSS分散液を用いることができる。ここで、上述したように、無機バンク12が親液性を有し、また有機バンク13が撥液性を有するように加工されていることから、凹部の底部が親液性に、また側壁が撥液性になっている。このため、こうした凹部に吐出された機能液14Lは、凹部の底部に均一に濡れ広がる。
また、本実施形態によれば、機能液14Lは、各画素5又は発光領域6の大きさが液滴吐出法に適さないほど小さい場合であっても、各発光領域6の位置において高い平坦性をもって均一な厚さとなるように配置される。これは、機能液14Lが、複数の発光領域6を含むように形成された大きな凹部に吐出されるためである。つまり、吐出された機能液14Lの表面積が大きくなるため、機能液14Lに生ずる、表面積を最小に保とうとする表面張力の作用の影響が相対的に小さくなるからである。
ところで、吐出された機能液14Lは、側壁となる有機バンク13の近傍では表面状態が乱れて平坦性を失い、有機バンク13から一定の距離だけ離れた部位では有機バンク13による影響を受けにくくなるため高い平坦性が実現される傾向にある。そして、上述したように、有機バンク13は、無機バンク12の開口部12a(発光領域6)の縁から一定距離だけ離れた位置に形成されている。したがって、こうした構成によれば、発光領域6は、機能液14Lの平坦性が高くなる領域に相当するようになる。このように、機能液14Lは、発光領域6上において有機バンク13の影響による凹凸が少ない状態で均一な厚さで濡れ広がる。
次に、ステップS6では、機能液14Lを乾燥させて正孔輸送層14を形成する(図6(a))。より詳しくは、機能液14Lを高温環境下で乾燥又は焼成して溶媒を蒸発させ、機能液14Lに含まれるPEDOT−PSSを固形化させることにより、上記凹部の底部に正孔輸送層14を形成する。この乾燥工程中も、機能液14Lは、凹部の底部に均一に濡れ広がった状態に保たれるため、乾燥後に得られる正孔輸送層14も凹部の底部に均一な厚さに形成される。特に、各発光領域6において凹凸が少ない状態で形成されるとともに、異なる発光領域6の間の厚さのばらつきが少ない状態で形成される。
続くステップS7では、次に行うステップを選択する。すなわち、ステップS6の終了時に機能層(本実施形態では正孔輸送層14と発光層15とからなる有機EL素子3)が完成していればステップS8に進み、機能層の完成までにさらに異なる層の形成が必要な場合にはステップS5に進む。ここでは、さらに発光層15の積層が必要なので、ステップS5に進む。
2回目のステップS5、ステップS6では、正孔輸送層14の上に発光層15を形成する。具体的には、ステップS5において、凹部の底部(この段階では正孔輸送層14)に発光層15の材料を含んだ機能液(不図示)を液滴吐出法により吐出し、ステップS6において、当該機能液を乾燥、固形化させることによって発光層15を形成する(図6(b))。そして、ステップS5、ステップS6を3度繰り返して、赤、緑、青に対応する画素列の凹部に、それぞれ赤、緑、青の光を発する発光層15を形成する。ここで用いる液滴吐出装置としては、正孔輸送層14の形成の際に用いた液滴吐出装置において機能液を入れ替えたものであってもよいし、これとは異なる液滴吐出装置を用いてもよい。
こうして得られた発光層15も、正孔輸送層14と同様に凹部の底部に均一な厚さに形成される。特に、各発光領域6において凹凸が少ない状態で形成されるとともに、異なる発光領域6の間の厚さのばらつきが少ない状態で形成される。
このように、正孔輸送層14及び発光層15は、上記凹部によって規定される領域の全体にわたって形成される。つまり、正孔輸送層14及び発光層15は、個別の発光領域6に対して一つずつ形成されるのではなく、複数の発光領域6を含む領域に、同一層に連続して一つながりに形成される。このような構成によれば、各々の発光領域6における正孔輸送層14及び発光層15の厚さを均一にすることができる。
こうして正孔輸送層14と発光層15とからなる有機EL素子3(機能層)が完成する。したがって、続くステップS7ではステップS8へ進む工程を選択する。
ステップS8では、発光層15の形成されたガラス基板10上の略全体に、カルシウム及びアルミニウムをこの順に積層させることにより、陰極16を形成する。続くステップS9では、陰極16上に、樹脂からなる封止部材17を形成する(図6(c))。なお、封止の方式は封止部材17によるものに限られず、シール剤を介してガラス基板等を貼り合わせる缶封止の方式等とすることもできる。
以上のステップを経て、有機EL装置1が完成する。こうして得られた有機EL装置1は、各発光領域6の間で、正孔輸送層14及び発光層15の厚さにばらつきが生じにくくなるとともに、各発光領域6内における正孔輸送層14及び発光層15の平坦性を高くすることができる。これにより、各発光領域6における発光輝度が均一になり、輝度ムラ等の不具合の少ない高品位な発光を行うことができる。
(電子機器)
上述した有機EL装置1は、例えば図8に示すような、電子機器としての携帯電話機200に搭載して用いることができる。携帯電話機200は、表示部210及び操作ボタン220を有している。表示部210は、内部に組み込まれた有機EL装置1によって、操作ボタン220で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について、輝度ムラ等の不具合の少ない、高品位な表示を行うことができる。
なお、本発明を適用した有機EL装置1は、上記携帯電話機200の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
(変形例1)
画素5及び発光領域6の配置や形状は、上記実施形態のものに限られず、必要に応じて変更することができる。
図9は、発光領域6の形状を正六角形とした有機EL装置1Aの拡大平面図である。有機EL装置1Aにおいても、発光領域6は千鳥状に配置されている。一つの発光領域6に着目すると、その発光領域6は、周囲を6つの発光領域6に囲まれている。そして、各発光領域6の正六角形の一辺が、隣接する発光領域6の一辺と平行となるように配置されている。こうした構成により、発光領域6の配置密度を高めることができ、高開口率が実現される。また、有機EL装置1Aにおいても、発光領域6の形状は、無機バンク12の開口部12aによって規定されている。そして、有機バンク13は、複数の発光領域6を囲うように形成されている。
図10は、別の有機EL装置1Bの拡大平面図であり、その発光領域6の形状は、縦に長いトラック形状において直線部分に横方向の膨らみをもたせた形状となっている。有機EL装置1Bにおいても、発光領域6は千鳥状に配置されており、上記膨らみの部分が隣接画素列における発光領域6の中間の位置にあたるように配置されている。こうした構成により、発光領域6の配置密度を高めることができ、高開口率が実現される。また、有機EL装置1Bにおいても、発光領域6の形状は、無機バンク12の開口部12aによって規定されている。そして、有機バンク13は、複数の発光領域6を囲うように形成されている。
図9、図10に示したような構成によっても、各発光領域6の間で、正孔輸送層14及び発光層15の厚さにばらつきが生じにくくなるとともに、各発光領域6内における正孔輸送層14及び発光層15の平坦性を高くすることができる。これにより、各発光領域6における発光輝度が均一になり、輝度ムラ等の不具合の少ない高品位な発光を行うことができる。
なお、発光領域6の形状は、上記以外にも例えば長方形、正方形、多角形、円、楕円等とすることができる。また、画素5及び発光領域6の配置は、千鳥状に限定されるものではなく、例えばマトリクス状の配置とすることもできる。
(変形例2)
上記実施形態の有機EL装置1は、電子機器の表示部に搭載して利用することが可能な構成のものであるが、これに限定する趣旨ではなく、これに代えて例えば電子写真技術を利用したプリンタに組み込んで用いるラインヘッドに適用することもできる。図11は、本発明をこうしたラインヘッドに適用した場合の、発光装置としての有機EL装置1Cの拡大平面図である。有機EL装置1Cは、画素5を含む画素列を2列備えており、各画素5の発光領域6は円形となっている。また、発光領域6は、千鳥状に配列されている。発光領域6の形状は、無機バンク12の開口部12aによって規定され、有機バンク13は、1つの画素列の全ての発光領域6を囲うように形成されている。したがって、上記実施形態と同様に、有機EL装置1Cは、各発光領域6の間で、正孔輸送層14及び発光層15の厚さにばらつきが生じにくくなるとともに、各発光領域6内における正孔輸送層14及び発光層15の平坦性を高くすることができるという特徴を有する。これにより、各発光領域6における発光輝度が均一になり、輝度ムラ等の不具合の少ない高品位な発光を行うことができる。また、2つの画素列が有機バンク13によって隔てられているため、各画素列の凹部に異なる材料からなる発光層15を形成することによって、画素列ごとに発光特性(例えば主発光波長)を異ならせることができる。
(変形例3)
上記実施形態において、機能層としての有機EL素子3は、正孔輸送層14と発光層15とからなる2層構造であるが、必要に応じて電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等を積層させて3層以上としてもよい。この場合は、図4に示す製造方法において、ステップS5、S6を積層数の分だけ繰り返せばよい。こうした構成によれば、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の効果によって、より効率の良い発光を行うことができる。
(変形例4)
上記実施形態の有機EL装置1は、赤、緑、青の3色の発光を行うものであるが、これに限定する趣旨ではなく、4色又は5色以上の発光を行うような構成としてもよい。4色の発光を行う場合には、例えば赤、緑、青、シアンの発光を行う4種類の発光層15を有機バンク13に囲まれた領域ごとに形成する。また、これ以外の4色の組合せとしては、赤、黄緑、青、エメラルドグリーンの4色とすることができる。この他にも、波長に応じて色相が変化する可視光領域(380〜780nm)のうち、青系の色相の発光、赤系の色相の発光と、青から黄までの色相の中で選択された2種の色相の発光からなるように選択することができる。ここで「系」との語を用いているが、例えば青系であれば純粋の青の色相に限定されるものでなく、青紫や青緑等を含むものである。赤系の色相であれば、赤に限定されるものでなく橙を含む。
本発明の発光装置としての有機EL装置の拡大平面図。 有機EL装置の電気的な構成を示した模式的な回路図。 図1中のA−A線における有機EL装置の断面図。 有機EL装置の製造方法を示す工程図。 (a)から(d)は、有機EL装置の製造方法の各工程における有機EL装置の断面図であって、図1中のB−B線の位置に対応する断面図。 (a)から(c)は、有機EL装置の製造方法の各工程における有機EL装置の断面図であって、図1中のB−B線の位置に対応する断面図。 (a)は、液滴吐出装置のヘッドの斜視図であり、(b)は、当該ヘッドの吐出部の断面図。 電子機器としての携帯電話機の斜視図。 本発明の変形例に係る有機EL装置の拡大平面図。 本発明の変形例に係る有機EL装置の拡大平面図。 本発明の変形例に係る有機EL装置の拡大平面図。
符号の説明
1,1A,1B,1C…発光装置としての有機EL装置、3…機能層としての有機EL素子、5,5R,5G,5B…画素、6,6R,6G,6B…発光領域、10…基板としてのガラス基板、11…画素電極、12…第1のバンクとしての無機バンク、12a…開口部、13…第2のバンクとしての有機バンク、14…正孔輸送層、14L…機能液、15…発光層、16…陰極、17…封止部材、19…回路素子層、26,27…TFT素子、200…電子機器としての携帯電話機。

Claims (6)

  1. 複数の画素を有する発光装置であって、
    基板と、
    前記基板上に、前記画素ごとに形成された画素電極と、
    前記基板上に、前記基板の法線方向から見て一部が前記画素電極の外縁部に重なった状態に形成され、前記画素の発光領域に対応する領域に開口部を有する第1のバンクと、
    前記第1のバンク上に、複数の前記発光領域を囲うように、かつ前記第1のバンク上のうち前記開口部の近傍を除いた領域に形成された第2のバンクと、
    前記画素電極、前記第1のバンク、前記第2のバンクによって形作られる凹部に配置された、発光層を含む機能層と、
    前記機能層を挟んで前記画素電極の反対側に形成された陰極と、
    を備えることを特徴とする発光装置。
  2. 請求項1に記載の発光装置であって、
    前記画素は、前記発光領域において、複数の発光色のうちいずれか1つの発光を行い、
    前記第2のバンクによって囲まれた前記複数の発光領域における発光の色は同一であることを特徴とする発光装置。
  3. 請求項1に記載の発光装置であって、
    等ピッチで配置された複数の前記画素からなる画素列を複数有し、
    隣り合う前記画素列に含まれる前記画素は、互いに前記画素列方向について半ピッチずつずれて配置されていることを特徴とする発光装置。
  4. 請求項1に記載の発光装置であって、
    前記第1のバンクは親水性を有することを特徴とする発光装置。
  5. 請求項1に記載の発光装置であって、
    前記第2のバンクは撥水性を有することを特徴とする発光装置。
  6. 請求項1から5のいずれか一項に記載の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
JP2006267861A 2006-09-29 2006-09-29 発光装置及び電子機器 Expired - Fee Related JP5061562B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006267861A JP5061562B2 (ja) 2006-09-29 2006-09-29 発光装置及び電子機器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006267861A JP5061562B2 (ja) 2006-09-29 2006-09-29 発光装置及び電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008091070A true JP2008091070A (ja) 2008-04-17
JP5061562B2 JP5061562B2 (ja) 2012-10-31

Family

ID=39375034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006267861A Expired - Fee Related JP5061562B2 (ja) 2006-09-29 2006-09-29 発光装置及び電子機器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5061562B2 (ja)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010219271A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法
JP2010218869A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法
JP2010219270A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法
JP2010232197A (ja) * 2008-03-12 2010-10-14 Casio Computer Co Ltd Elパネルの製造方法
JP2011023305A (ja) * 2009-07-17 2011-02-03 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機el素子用基板、有機el層の製造方法、有機el素子および板状部材
JP5096641B1 (ja) * 2011-09-05 2012-12-12 パイオニア株式会社 有機elパネル及びその製造方法
US8373170B2 (en) 2009-09-08 2013-02-12 Ricoh Company, Ltd. Display apparatus, manufacturing method thereof, and electronic equipment
WO2013093974A1 (ja) * 2011-12-22 2013-06-27 パナソニック株式会社 有機el表示パネル
TWI511281B (zh) * 2013-06-11 2015-12-01 Ye Xin Technology Consulting Co Ltd 有機發光二極體面板
WO2015182096A1 (ja) * 2014-05-27 2015-12-03 株式会社Joled ディスプレイパネル
US9312312B1 (en) 2014-12-30 2016-04-12 Industrial Technology Research Institute Display
TWI549291B (zh) * 2014-12-30 2016-09-11 財團法人工業技術研究院 顯示器
JP2016219838A (ja) * 2009-03-26 2016-12-22 株式会社半導体エネルギー研究所 フレキシブル発光装置
WO2017208660A1 (ja) * 2016-05-30 2017-12-07 株式会社Joled 表示装置および電子機器
KR20180076820A (ko) * 2016-12-28 2018-07-06 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
JP2018110118A (ja) * 2016-12-28 2018-07-12 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 電界発光表示装置
EP3240029A4 (en) * 2014-12-26 2018-08-15 BOE Technology Group Co., Ltd. Display substrate, manufacturing method and display device thereof
CN109315031A (zh) * 2016-06-15 2019-02-05 株式会社日本有机雷特显示器 显示装置和电子设备
CN109315049A (zh) * 2016-05-11 2019-02-05 株式会社日本有机雷特显示器 显示装置和电子设备
JP2019050114A (ja) * 2017-09-08 2019-03-28 株式会社Joled 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法
JP2019194999A (ja) * 2013-01-17 2019-11-07 カティーバ, インコーポレイテッド 高解像度有機発光ダイオードデバイス
GB2575194A (en) * 2015-12-30 2020-01-01 Lg Display Co Ltd Organic light emitting diode display device
CN111415959A (zh) * 2018-12-31 2020-07-14 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
JP2020181783A (ja) * 2019-04-26 2020-11-05 Tianma Japan株式会社 Oled表示装置及びoled表示装置の製造方法
JP2021028883A (ja) * 2019-08-09 2021-02-25 株式会社Joled 表示パネル、および、表示パネルの製造方法
DE102019132172B4 (de) 2018-12-07 2024-02-22 Lg Display Co., Ltd. Organische lichtemittierende displayvorrichtung
US12052896B2 (en) 2018-12-13 2024-07-30 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device with bank between same color sub-pixels

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003272871A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Toshiba Corp 自己発光表示装置およびその製造方法
JP2004071432A (ja) * 2002-08-08 2004-03-04 Dainippon Printing Co Ltd パターン形成体およびその製造方法
JP2004186001A (ja) * 2002-12-04 2004-07-02 Dainippon Printing Co Ltd 有機elディスプレイ用基板および有機elディスプレイ
JP2005310713A (ja) * 2004-04-26 2005-11-04 Seiko Epson Corp 有機el装置とその製造方法及び電子機器
JP2006236819A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Casio Comput Co Ltd 成膜方法、有機化合物層及びディスプレイパネル
JP2007087640A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Casio Comput Co Ltd 表示パネル及び表示パネルの製造方法
JP2007299741A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光素子及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003272871A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Toshiba Corp 自己発光表示装置およびその製造方法
JP2004071432A (ja) * 2002-08-08 2004-03-04 Dainippon Printing Co Ltd パターン形成体およびその製造方法
JP2004186001A (ja) * 2002-12-04 2004-07-02 Dainippon Printing Co Ltd 有機elディスプレイ用基板および有機elディスプレイ
JP2005310713A (ja) * 2004-04-26 2005-11-04 Seiko Epson Corp 有機el装置とその製造方法及び電子機器
JP2006236819A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Casio Comput Co Ltd 成膜方法、有機化合物層及びディスプレイパネル
JP2007087640A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Casio Comput Co Ltd 表示パネル及び表示パネルの製造方法
JP2007299741A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光素子及びその製造方法

Cited By (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010232197A (ja) * 2008-03-12 2010-10-14 Casio Computer Co Ltd Elパネルの製造方法
JP2010219271A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法
JP2010218869A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法
JP2010219270A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の製造方法
JP2016219838A (ja) * 2009-03-26 2016-12-22 株式会社半導体エネルギー研究所 フレキシブル発光装置
JP2011023305A (ja) * 2009-07-17 2011-02-03 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機el素子用基板、有機el層の製造方法、有機el素子および板状部材
US8373170B2 (en) 2009-09-08 2013-02-12 Ricoh Company, Ltd. Display apparatus, manufacturing method thereof, and electronic equipment
KR101273810B1 (ko) * 2009-09-08 2013-06-11 가부시키가이샤 리코 디스플레이 장치, 그 제조 방법, 및 전자 제품
JP5096641B1 (ja) * 2011-09-05 2012-12-12 パイオニア株式会社 有機elパネル及びその製造方法
WO2013093974A1 (ja) * 2011-12-22 2013-06-27 パナソニック株式会社 有機el表示パネル
US9153791B2 (en) 2011-12-22 2015-10-06 Joled Inc Organic EL display panel
JPWO2013093974A1 (ja) * 2011-12-22 2015-04-27 パナソニック株式会社 有機el表示パネル
JP2019194999A (ja) * 2013-01-17 2019-11-07 カティーバ, インコーポレイテッド 高解像度有機発光ダイオードデバイス
JP2022048166A (ja) * 2013-01-17 2022-03-25 カティーバ, インコーポレイテッド 高解像度有機発光ダイオードデバイス
JP7044263B2 (ja) 2013-01-17 2022-03-30 カティーバ, インコーポレイテッド 高解像度有機発光ダイオードデバイス
TWI511281B (zh) * 2013-06-11 2015-12-01 Ye Xin Technology Consulting Co Ltd 有機發光二極體面板
WO2015182096A1 (ja) * 2014-05-27 2015-12-03 株式会社Joled ディスプレイパネル
JPWO2015182096A1 (ja) * 2014-05-27 2017-04-20 株式会社Joled ディスプレイパネル
US9812516B2 (en) 2014-05-27 2017-11-07 Joled Inc. Display panel
US20160240596A1 (en) * 2014-05-27 2016-08-18 Joled Inc. Display panel
EP3240029A4 (en) * 2014-12-26 2018-08-15 BOE Technology Group Co., Ltd. Display substrate, manufacturing method and display device thereof
TWI549291B (zh) * 2014-12-30 2016-09-11 財團法人工業技術研究院 顯示器
US9312312B1 (en) 2014-12-30 2016-04-12 Industrial Technology Research Institute Display
GB2575194B (en) * 2015-12-30 2020-08-12 Lg Display Co Ltd Organic light emitting diode display device
GB2575194A (en) * 2015-12-30 2020-01-01 Lg Display Co Ltd Organic light emitting diode display device
CN109315049B (zh) * 2016-05-11 2021-10-08 株式会社日本有机雷特显示器 显示装置和电子设备
CN109315049A (zh) * 2016-05-11 2019-02-05 株式会社日本有机雷特显示器 显示装置和电子设备
CN109315048A (zh) * 2016-05-30 2019-02-05 株式会社日本有机雷特显示器 显示装置和电子设备
US11404501B2 (en) 2016-05-30 2022-08-02 Joled Inc. Display unit and electronic apparatus
CN109315048B (zh) * 2016-05-30 2022-06-10 株式会社日本有机雷特显示器 显示装置和电子设备
JPWO2017208660A1 (ja) * 2016-05-30 2018-08-02 株式会社Joled 表示装置および電子機器
WO2017208660A1 (ja) * 2016-05-30 2017-12-07 株式会社Joled 表示装置および電子機器
US11081675B2 (en) 2016-06-15 2021-08-03 Joled Inc. Display unit and electronic apparatus
CN109315031A (zh) * 2016-06-15 2019-02-05 株式会社日本有机雷特显示器 显示装置和电子设备
CN109315031B (zh) * 2016-06-15 2021-09-07 株式会社日本有机雷特显示器 显示装置和电子设备
KR102715998B1 (ko) * 2016-12-28 2024-10-10 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
US10854685B2 (en) 2016-12-28 2020-12-01 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device
JP2018110118A (ja) * 2016-12-28 2018-07-12 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 電界発光表示装置
KR20180076820A (ko) * 2016-12-28 2018-07-06 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
US10446619B2 (en) 2016-12-28 2019-10-15 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device
JP2019050114A (ja) * 2017-09-08 2019-03-28 株式会社Joled 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法
DE102019132172B4 (de) 2018-12-07 2024-02-22 Lg Display Co., Ltd. Organische lichtemittierende displayvorrichtung
US12052896B2 (en) 2018-12-13 2024-07-30 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device with bank between same color sub-pixels
CN111415959B (zh) * 2018-12-31 2023-06-09 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN111415959A (zh) * 2018-12-31 2020-07-14 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
JP7344004B2 (ja) 2019-04-26 2023-09-13 Tianma Japan株式会社 Oled表示装置及びoled表示装置の製造方法
JP2020181783A (ja) * 2019-04-26 2020-11-05 Tianma Japan株式会社 Oled表示装置及びoled表示装置の製造方法
US11723235B2 (en) 2019-08-09 2023-08-08 Joled Inc. Display panel with opening adjusting layer
JP7421284B2 (ja) 2019-08-09 2024-01-24 JDI Design and Development 合同会社 表示パネル、および、表示パネルの製造方法
JP2021028883A (ja) * 2019-08-09 2021-02-25 株式会社Joled 表示パネル、および、表示パネルの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5061562B2 (ja) 2012-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5061562B2 (ja) 発光装置及び電子機器
JP4483757B2 (ja) 有機el装置及び光学装置
JP4211804B2 (ja) デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法
KR100690526B1 (ko) 전기 광학 장치 및 전자 기기
JP4712072B2 (ja) カラーフィルタ形成方法または発光素子層形成方法またはこれらを利用したカラー表示装置の製造方法またはカラー表示装置
JP4924314B2 (ja) 有機el装置および電子機器
TWI261480B (en) Display device, manufacturing method for display device, and electronic apparatus
US20080238295A1 (en) Electroluminescent device, method of manufacturing the device, electronic device, thin-film structure, and method of forming thin film
JP2009218156A (ja) Elパネル及びelパネルの製造方法
JP2007311235A (ja) デバイス、膜形成方法、及びデバイスの製造方法
JP2007311236A (ja) デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法
KR100783979B1 (ko) 패턴 형성 기판, 전기 광학 장치 및 전기 광학 장치의 제조방법
JP2006194921A (ja) パターン形成方法、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置
JP4957477B2 (ja) 有機el装置の製造方法
JP5272971B2 (ja) 有機el装置の製造方法、及びカラーフィルターの製造方法
JP2009158881A (ja) 有機el装置及び有機el装置の製造方法
JP2008066054A (ja) 電気光学装置およびその製造方法
JP2007115563A (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP4899333B2 (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP2004209409A (ja) 基板の製造方法、液滴吐出装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、および、電子機器
JP4687351B2 (ja) 表示パネルの製造方法
JP2009071019A (ja) 表示装置および当該表示装置を備えた電子機器
JP2007185603A (ja) 液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置、液状体の吐出方法、デバイスの製造方法、カラーフィルタの製造方法および有機el発光素子の製造方法、電気光学装置および電子機器
JP2007279107A (ja) 表示装置および表示装置の製造方法
JP2010102892A (ja) 有機el表示パネルの製造方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090722

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110310

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110621

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110913

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111109

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120403

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120613

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20120620

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120710

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120723

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5061562

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees