JP2005223119A - 塗布膜形成装置および塗布膜形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板表面での転写跡の発生を抑制するとともに基板裏面へのパーティクルの付着を防止した塗布膜形成装置および塗布膜形成方法を提供する。
【解決手段】 レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａは、ガスを噴射するための複数のガス噴射口１６ａが設けられたステージ１２と、ステージ１２上でＬＣＤ基板ＧをＸ方向に搬送する基板搬送機構１３と、ステージ１２上を移動するＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト液を供給するレジスト供給ノズル１４を備える。ＬＣＤ基板Ｇは、ガス噴射口１６ａから噴射されるガスによって略水平姿勢でステージ１２の表面から浮いた状態で、ステージ１２上を基板搬送機構１３により搬送される。
【選択図】 図５

Description

本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）に用いられるガラス基板等の基板に、塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置および塗布膜形成方法に関する。

例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造工程においては、フォトリソグラフィー技術を用いて、ガラス基板に所定の回路パターンを形成している。すなわち、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成し、これを乾燥、熱処理した後に、露光処理、現像処理を逐次行っている。

ここで、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成する装置としては、ガラス基板を水平に真空吸着する載置台と、この載置台に保持された基板にレジスト液を供給するレジスト供給ノズルと、載置台とレジスト供給ノズルとを水平方向で相対的に移動させる移動機構と、を有する塗布膜形成装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、ＬＣＤ用のガラス基板は厚さが薄いために、載置台に設けられた吸気孔がガラス基板の表面に転写されやすいという問題がある。また、基板の裏面に多くのパーティクルが付着するという問題がある。さらに、載置台に対する基板の脱着に所定の時間を必要とするために、必ずしもスループットはよいものとは言えない。さらにまた、近年におけるガラス基板の大型化に伴う載置台およびレジスト供給ノズルの大型化によって、これらを相対的に移動させる移動機構の構成が大掛かりなものとなるために、基板をできるだけ単純な構造で移動させたいという要求もある。
特開平１０−１５６２５５号公報

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、基板表面での転写跡の発生を抑制するとともに、基板裏面へのパーティクルの付着を防止した塗布膜形成装置および塗布膜形成方法を提供することを目的とする。また、本発明は、基板を搬送する機構の構造が簡単であり、しかも高いスループットで塗布膜を形成することができる塗布膜形成装置および塗布膜形成方法を提供することを目的とする。

すなわち、本発明によれば、基板を一方向に搬送しながら前記基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
表面の所定位置に所定のガスを噴射するための複数のガス噴射口が設けられたステージと、
前記ステージ上で基板を一方向に搬送する基板搬送機構と、
前記ステージ上を移動する基板の表面に所定の塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、
を備え、
前記基板は、前記ガス噴射口から噴射されるガスによって略水平姿勢で前記ステージの表面から浮いた状態で、前記基板搬送機構によって搬送されることを特徴とする塗布膜形成装置、が提供される。

また、本発明によれば、基板を一方向に搬送しながら前記基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、
基板の周縁の一部を保持し、表面から所定のガスが噴射されているステージの上に前記基板を略水平姿勢で浮かせる工程と、
前記基板を浮上状態に維持して前記ステージ上を一方向に搬送しながら、前記基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする塗布膜形成方法、が提供される。

本発明によれば、基板はステージから浮上した状態で搬送されるために、ステージ表面の転写が起こらず、基板裏面へのパーティクル付着が抑制され、小さな力で基板を搬送することができる。また、基板全体が下側から噴射されるガスによって支持された形態となるために、基板の姿勢を水平に保持することが容易であり、これによって塗布膜に厚みむらが発生することを抑制することができる。さらに、基板を逐次搬送して塗布処理を行うことができるために、高いスループットを得ることができる。

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、本発明を、ＬＣＤ用のガラス基板（以下「ＬＣＤ基板」という）の表面にレジスト膜を形成する装置および方法に適用した場合について説明することとする。

図１に、ＬＣＤ基板へのレジスト膜の形成と、露光処理後のレジスト膜の現像処理を行うレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図を示す。このレジスト塗布・現像処理システム１００は、複数のＬＣＤ基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えており、カセットステーション１とインターフェイスステーション３はそれぞれ処理ステーション２の両端に配置されている。なお、図１において、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。

カセットステーション１は、カセットＣをＹ方向に並べて載置できる載置台９と、処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、この載置台９と外部との間でカセットＣの搬送が行われる。搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。

処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びるＬＣＤ基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ・Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けて、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１と、第１の熱的処理ユニットセクション２６と、レジスト処理ユニット２３と、第２の熱的処理ユニットセクション２７と、が配列されている。

また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて、第２の熱的処理ユニットセクション２７と、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４と、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５と、第３の熱的処理ユニットセクション２８と、が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立ってＬＣＤ基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。

スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１では、その中でＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、ＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら、現像液塗布、リンス、乾燥処理が逐次行われるようになっている。これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、ＬＣＤ基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、ＬＣＤ基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５へのＬＣＤ基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。

レジスト処理ユニット２３は、後に詳細に説明するように、ＬＣＤ基板Ｇを略水平姿勢で搬送しながら、レジスト液を供給し、塗布膜を形成するレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａと、減圧雰囲気にＬＣＤ基板ＧをさらすことによりＬＣＤ基板Ｇ上に形成された塗布膜に含まれる揮発成分を蒸発させて塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂと、を備えている。

第１の熱的処理ユニットセクション２６は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。

図２の第１の熱的処理ユニットセクション２６の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１と、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３と、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５と、ＬＣＤ基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７と、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８が４段に積層された構成を有している。

第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、およびパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理ユニット２３へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。

第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレール９１に沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、ＬＣＤ基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。昇降部材９２の昇降はモータ９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモータ９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモータ９７によって行われる。このように第１の搬送装置３３は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２のいずれのユニットにもアクセスすることができる。

第２の熱的処理ユニットセクション２７は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５の間に、第２の搬送装置３６が設けられている。

図３の第２の熱的処理ユニットセクション２７の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６９とＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２が４段に積層された構成となっている。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３と、ＬＣＤ基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４と、ＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６が４段に積層された構成となっている。

第２の搬送装置３６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２３からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび受け取り、を行う。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。

第３の熱的処理ユニットセクション２８は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８の間に、第３の搬送装置３９が設けられている。

図４の第３の熱的処理ユニットセクション２８の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は、下から順に、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７７と、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、下から順に、ポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１と、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２と、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３・８４が４段に積層された構成を有している。

第３の搬送装置３９は、パスユニット（ＰＡＳＳ）７７を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２を介してのカセットステーション１へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。

処理ステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ・Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ・Ｂ間には空間４０が設けられている。そして、この空間４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１はＬＣＤ基板Ｇを保持可能に構成されており、シャトル４１を介して搬送ラインＡ・Ｂ間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しが行われる。シャトル４１に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送装置３３・３６・３９によって行われる。

インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファカセットを配置するバッファステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。

このように構成されたレジスト塗布・現像処理システム１００においては、まず、カセットステーション１の載置台９に配置されたカセットＣ内のＬＣＤ基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで搬送装置１１によりＬＣＤ基板Ｇがスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ洗浄処理後、ＬＣＤ基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）される。その後、ＬＣＤ基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。このような一連の処理を行う際のＬＣＤ基板Ｇの搬送処理は、全て第１の搬送装置３３によって行われる。

パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、パスユニット（ＰＡＳＳ）６５内に設けられた、例えば、コロ搬送機構等の基板搬送機構によって、レジスト処理ユニット２３内へ搬入される。後に詳細に説明するように、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを水平姿勢で搬送しながらレジスト液を供給して塗布膜を形成し、その後、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂにて塗布膜に減圧乾燥処理が施される。その後、ＬＣＤ基板Ｇは減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに設けられた基板搬送アームにより、レジスト処理ユニット２３から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）６９に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。

その後、ＬＣＤ基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、必要に応じて、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、そこで、レジスト膜の外周部（不要部分）を除去するための露光が行われる。次いで、ＬＣＤ基板Ｇは、搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこでＬＣＤ基板Ｇ上のレジスト膜に所定パターンで露光処理が施される。なお、ＬＣＤ基板Ｇは、一旦、バッファステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットに収容され、その後に露光装置４に搬送される場合がある。

露光終了後、ＬＣＤ基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されてＬＣＤ基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置される。ＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ搬送される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入される。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、例えば、基板を水平姿勢で搬送しながら現像液がＬＣＤ基板Ｇ上に液盛りされ、その後、一旦、ＬＣＤ基板Ｇの搬送を停止してＬＣＤ基板を所定角度傾けることにより、ＬＣＤ基板上の現像液を流し落とし、さらにこの状態でＬＣＤ基板Ｇにリンス液を供給して、現像液を洗い流す。その後、ＬＣＤ基板Ｇを水平姿勢に戻して、再び搬送を開始し、乾燥用窒素ガスまたは空気をＬＣＤ基板Ｇに吹き付けることにより、ＬＣＤ基板を乾燥させる。

現像処理終了後、ＬＣＤ基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、ＬＣＤ基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内のコロ搬送機構により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）７７に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１・８３・８４のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。

次に、レジスト処理ユニット２３について詳細に説明する。図５はレジスト処理ユニット２３の概略平面図である。
レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａは、表面の所定位置に所定のガスを噴射するための複数のガス噴射口１６ａが設けられたステージ１２と、ステージ１２上をＸ方向に搬送する基板搬送機構１３と、ステージ１２上を移動するＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト液を供給するレジスト供給ノズル１４と、を備えている。また、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂは、ＬＣＤ基板Ｇを載置するための載置台１７と、載置台１７および載置台１７に載置されたＬＣＤ基板Ｇを収容するチャンバ１８と、を備えている。さらに、レジスト処理ユニット２３には、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａから減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂへ、さらに減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂから熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４に設けられたパスユニット（ＰＡＳＳ）６９へＬＣＤ基板Ｇを搬送する基板搬送アーム１９が設けられている。

図６は基板搬送機構１３の概略構成を示す断面図である。基板搬送機構１３は、ＬＣＤ基板ＧのＹ方向端の一部を保持する保持部材１５ａ・１５ｂと、ステージ１２のＹ方向側面にＸ方向に延在するように配置された直線ガイド５１ａ・５１ｂと、保持部材１５ａ・１５ｂを保持し、直線ガイド５１ａ・５１ｂと嵌合した連結部材５０と、連結部材５０をＸ方向で往復移動させるＸ軸駆動機構５３と、を備えている。

保持部材１５ｂ・１５ｂはそれぞれ、台座部４９にＬＣＤ基板Ｇを吸着保持するための吸着パッド４８が１個以上設けられた構造を有しており、吸着パッド４８は真空ポンプ等の減圧機構５２を動作させることにより、ＬＣＤ基板Ｇを吸着保持することができるようになっている。吸着パッド４８は、ＬＣＤ基板Ｇにおいてレジスト液が塗布されない部分の裏面側、つまりＬＣＤ基板Ｇの裏面周縁部で、ＬＣＤ基板Ｇを保持する。Ｘ軸駆動機構５３としては、例えば、ベルト駆動機構や、ボールねじ、エアースライダ、電動スライダ等が挙げられる。

ステージ１２は、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向の上流から下流に向けて、導入ステージ部１２ａ、塗布ステージ部１２ｂ、搬出ステージ部１２ｃとに分けられている。導入ステージ部１２ａは、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５から塗布ステージ部１２ｂへＬＣＤ基板Ｇを搬送するためのエリアである。塗布ステージ部１２ｂには、レジスト供給ノズル１４が配置されており、ここでＬＣＤ基板Ｇに塗布液が供給されて塗布膜が形成される。搬出ステージ部１２ｃは、塗布膜が形成されたＬＣＤ基板Ｇを減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂへ搬出するためのエリアである。

図７（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ導入ステージ部１２ａ、塗布ステージ部１２ｂ、搬出ステージ部１２ｃにおけるＬＣＤ基板Ｇの搬送形態を模式的に示す説明図である。

図５および図７（ａ）に示すように、導入ステージ部１２ａには、その表面から上方へ窒素ガスや空気等のガスを噴射するガス噴射口１６ａが、このガス噴射口１６ａから噴射されるガスによってＬＣＤ基板Ｇが導入ステージ部１２ａから略水平姿勢で浮上した状態に保持されるように、所定位置に設けられている。ＬＣＤ基板Ｇの平面度を高くするためには、ガス噴射口１６ａの直径を短くして、ガス噴射口１６ａの配置数を多くすることが好ましい。

図５および図７（ｂ）に示されるように、塗布ステージ部１２ｂには、ガス噴射口１６ａに加えて、その表面の所定位置に吸気口１６ｂが設けられている。この塗布ステージ部１２ｂでは、ガス噴射口１６ａからのガス噴射量と吸気口１６ｂからのガス吸気量を調整することによって、ＬＣＤ基板Ｇの浮上高さを導入ステージ部１２ａおよび搬出ステージ部１２ｃよりも高い精度で調節することができるようになっている。

図５および図７（ｃ）に示されるように、搬出ステージ部１２ｃには、ＬＣＤ基板Ｇを浮上させるためのガス噴射口１６ａに加えて、搬出ステージ部１２ｃへ搬送されてきたＬＣＤ基板Ｇを基板搬送アーム１９に受け渡すために、ＬＣＤ基板Ｇを持ち上げるリフトピン４７が設けられている。

このように、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａでは、ＬＣＤ基板Ｇをステージ１２から所定距離浮いた状態で保持することができる。このため、保持部材１５ａ・１５ｂにＬＣＤ基板Ｇを保持させて連結部材５０を移動させるために、大きな力を必要としない。すなわち、Ｘ軸駆動機構５３には大きなトルクは必要なく、これにより基板搬送機構１３の小型化を図ることができる。

図８にレジスト供給ノズル１４の概略斜視図を示す。レジスト供給ノズル１４は、一方向に長い長尺状の箱体１４ａに、レジスト液を略帯状に吐出するスリット状のレジスト吐出口１４ｂが設けられた構造を有している。このレジスト供給ノズル１４は、箱体１４ａの長手方向をＹ方向に一致させた状態で、塗布ステージ部１２ｂのほぼ中央部に配置されたノズル保持部材２０に、ノズル昇降機構３０により昇降自在に、取り付けられている。

レジスト供給ノズル１４にはレジスト吐出口１４ｂとＬＣＤ基板Ｇとの間隔を測定するセンサ２９が取り付けられており、ノズル昇降機構３０は、このセンサ２９の測定値に基づいてレジスト供給ノズル１４の位置を制御する。レジスト供給ノズル１４の長さはＬＣＤ基板Ｇの幅（Ｙ方向長さ）よりも短くなっており、ＬＣＤ基板Ｇの周縁の一定領域には塗布膜が形成されないようになっている。

減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに設けられた載置台１７の表面には、ＬＣＤ基板Ｇを支持するプロキシミティピン（図示せず）が所定位置に設けられている。チャンバ１８は固定された下部容器と昇降自在な上部蓋体からなる上下２分割構造を有している。基板搬送アーム１９は、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向（鉛直方向）に移動可能である。

次に、上述のように構成されたレジスト処理ユニット２３におけるＬＣＤ基板Ｇの処理工程について説明する。なお、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５から、レジスト処理ユニット２３へのＬＣＤ基板Ｇの搬送は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に設けられたコロ４６の回転を用いたコロ搬送機構によって行われるとする。

最初に、保持部材１５ａ・１５ｂを熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２側に待機させ、ステージ１２では各部において所定の高さにＬＣＤ基板Ｇを浮上させることができる状態とする。次いで、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５からコロ搬送機構によりＬＣＤ基板Ｇを導入ステージ部１２ａに進入させ、ＬＣＤ基板Ｇの一部がまだコロ４６によって支持されている状態で、保持部材１５ａ・１５ｂにＬＣＤ基板ＧのＹ方向端を保持させる。続いて、コロ４６による搬送速度と保持部材１５ａ・１５ｂの移動速度を合わせて、ＬＣＤ基板Ｇをステージ１２の導入ステージ部１２ａへ搬入する。導入ステージ部１２ａでは、ＬＣＤ基板Ｇは、例えば、その表面から１５０μｍ浮いた状態で搬送される。

ＬＣＤ基板Ｇは、基板搬送機構１３の駆動による保持部材１５ａ・１５ｂのＸ方向への移動にしたがって、塗布ステージ部１２ｂへと搬入される。塗布ステージ部１２ｂでは、ガス噴射口１６ａからのガス噴射とともに吸気口１６ｂからの吸気を行うことにより、例えば、ＬＣＤ基板Ｇの浮上高さをその表面から４０μｍ程度とすることができる。

ＬＣＤ基板Ｇがレジスト供給ノズル１４の下を通過する際に、レジスト供給ノズル１４からＬＣＤ基板Ｇにレジスト液が吐出され、塗布膜が形成される。例えば、塗布ステージ部１２ｂにおける基板搬送速度は、１５０ｍｍ／秒とすることができる。このようにＬＣＤ基板Ｇの浮上高さを低くすることによってＬＣＤ基板Ｇの平面度をさらに高めることができるため、厚みの均一な塗布膜を形成することができる。

なお、レジスト供給ノズル１４の高さは、センサ２９の測定信号に基づいて、ＬＣＤ基板Ｇごとに調整してもよいが、通常は複数のＬＣＤ基板Ｇの搬送状態は同じとなるから、最初に処理するＬＣＤ基板Ｇまたはダミー基板でレジスト供給ノズル１４の高さを調節すれば、その後はレジスト供給ノズル１４の高さを調整する必要はほとんどない。また、レジスト供給ノズル１４からのレジスト液の吐出開始／吐出終了のタイミングは、センサ２９の測定信号を利用して定めてもよいし、ＬＣＤ基板Ｇの位置を検出するセンサを別途設けて、このセンサからの信号に基づいて定めてもよい。

塗布ステージ部１２ｂを通過することによって塗布膜が形成されたＬＣＤ基板Ｇは、保持部材１５ａ・１５ｂの移動にしたがって搬出ステージ部１２ｃに搬送される。搬出ステージ部１２ｃでは、ＬＣＤ基板Ｇは、例えば、その表面から１５０μｍ浮いた状態とされる。ＬＣＤ基板Ｇ全体が搬出ステージ部１２ｃ上に達したら、保持部材１５ａ・１５ｂによる吸着保持を解除するとともに、リフトピン４７を上昇させて、ＬＣＤ基板Ｇを所定の高さへ持ち上げる。

引き続き、基板搬送アーム１９がリフトピン４７によって持ち上げられたＬＣＤ基板Ｇにアクセスする。基板搬送アーム１９がＬＣＤ基板ＧのＹ方向端でＬＣＤ基板Ｇを把持したらリフトピン４７を降下させる。また、基板搬送アーム１９は把持したＬＣＤ基板Ｇを減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂの載置台１７上に載置する。その後、チャンバ１８を密閉してその内部を減圧することにより、塗布膜を減圧乾燥する。

ＬＣＤ基板Ｇの減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂにおける処理が終了したら、チャンバ１８を開き、基板搬送アーム１９を載置台１８に載置されたＬＣＤ基板ＧにアクセスさせてＬＣＤ基板Ｇを把持し、ＬＣＤ基板Ｇを熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９へ搬送する。他方、ＬＣＤ基板Ｇをリフトピン４７に受け渡した後の保持部材１５ａ・１５ｂは、次に処理するＬＣＤ基板Ｇを搬送するために、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２側へ戻され、その後、上記処理工程が繰り返される。

このような塗布膜形成方法では、ＬＣＤ基板Ｇはステージ１２から常に浮上した状態で搬送されるために、ステージ１２表面の転写が起こらず、ＬＣＤ基板Ｇの裏面へのパーティクル付着が抑制される。また、ＬＣＤ基板Ｇへレジスト液を塗布するタクトを短くすることができるために、高いスループットが得られる。

さて、このようなレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａにおけるＬＣＤ基板Ｇの搬送方法では、保持部材１５ａ・１５ｂがＬＣＤ基板Ｇを搬出ステージ部１２ｃにおいてリフトピン４７へ受け渡し、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２側に戻るまでは、次に処理すべきＬＣＤ基板Ｇを導入ステージ部１２ａに搬入させることができない。そこで、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａに、より好ましく装備される基板搬送機構について、以下に説明する。

図９にレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａに設けられる別の基板搬送機構の概略構造を示す平面図（図９（ａ））および断面図（図９（ｂ））を示す。この基板搬送機構５５は、ＬＣＤ基板ＧのＹ方向端を保持する保持部材８５ａ・８５ｂと、直線ガイド５１ａ・５１ｂ（先に説明した基板搬送機構１３のものと同じ）にそれぞれ嵌合するとともに保持部材８５ａ・８５ｂをそれぞれＹ方向にスライド自在に保持する移動体８６ａ・８６ｂと、移動体８６ａ・８６ｂをそれぞれ別個にＸ方向に移動させるＸ軸駆動機構５３ａ・５３ｂと、を有している。

保持部材８５ａ・８５ｂはそれぞれＸ方向に長い形状を有し、ＬＣＤ基板ＧのＹ方向端をＸ方向に広い範囲で保持することができるように、吸着パッド４８を複数備えている。これにより、保持部材８５ａ・８５ｂにそれぞれ単独でＬＣＤ基板Ｇを保持させて保持部材８５ａ・８５ｂをＸ方向に移動させても、ＬＣＤ基板ＧのＹ方向でのぶれの発生を防止して、ＬＣＤ基板Ｇを搬送姿勢を安定させることができる。また、保持部材８５ａ・８５ｂはそれぞれ、図示しないＹ方向スライド機構によってＹ方向にスライド自在となっている。

図１０はこの基板搬送機構５５によるＬＣＤ基板Ｇの搬送形態を模式的に示す説明図である。最初に、保持部材８５ｂを導入ステージ部１２ａに搬入されるＬＣＤ基板Ｇに接しないようにＹ方向に遠ざけた位置に配置し、一方、導入ステージ部１２ａにおいてＬＣＤ基板ＧのＹ方向端を保持することができる位置に保持部材８５ａを配置して、導入ステージ部１２ａに搬入されるＬＣＤ基板Ｇを保持部材８５ａに保持させる（図１０（ａ））。

次に、保持部材８５ａをＸ方向に移動させて、ＬＣＤ基板Ｇを塗布ステージ部１２ｂへ搬入し、そこで、塗布膜の形成を行う。また、ＬＣＤ基板Ｇ全体が塗布ステージ部１２ｂへ搬入されたら、導入ステージ部１２ａは、次に処理するＬＣＤ基板Ｇを搬入できる状態となるので、保持部材８５ｂを導入ステージ部１２ａにおいてＬＣＤ基板ＧのＹ方向端を保持することができる位置に移動させる（図１０（ｂ））。

続いて、保持部材８５ｂは導入ステージ部１２ａへ新たに搬入されたＬＣＤ基板Ｇ´を保持し、塗布ステージ部１２ｂへの搬送を開始する。一方、保持部材８５ａは、塗布膜が形成されたＬＣＤ基板を搬出ステージ部１２ｃへ搬送し、そこでリフトピン４７に受け渡す（図１０（ｃ））。その後、保持部材８５ａは、保持部材８５ｂが搬送するＬＣＤ基板Ｇと衝突しないように、ステージ１２から遠ざけた状態で、導入ステージ部１２ａ側に戻される（図１０（ｄ））。次いで、保持部材８５ｂに保持されているＬＣＤ基板Ｇ全体が塗布ステージ部１２ｂに搬入されたら、新たなＬＣＤ基板Ｇの導入ステージ部１２ａへの搬入に備えて、保持部材８５ａをＬＣＤ基板ＧのＹ方向端を保持することができる位置に移動させる。以降、保持部材８５ａ・８５ｂは、上述した保持部材８５ａと同じ動きを繰り返す。

続いて、さらに別の基板搬送機構について説明する。図１１はレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａに設けられるさらに別の基板搬送機構の概略構造を示す断面図である。この基板搬送機構５６は、ステージ１２のＹ方向側面に２本ずつ配置された直線ガイド５１ａ〜５１ｄと、直線ガイド５１ａ〜５１ｄにそれぞれ嵌合された移動体８８ａ〜８８ｄと、移動体８８ａ・８８ｂにそれぞれ設けられた昇降機構８９ａ・８９ｂと、昇降機構８９ａ・８９ｂにそれぞれ保持された保持部材１５ａ・１５ｂと、移動体８８ｃ・８８ｄにそれぞれ設けられた保持部材１５ｃ・１５ｄと、保持部材１５ｃ・１５ｄをそれぞれＹ軸方向にスライドさせるＹ軸駆動機構８９ｃ・８９ｄと、移動体８８ａ〜８８ｄをそれぞれされＸ方向にスライドさせるＸ軸駆動機構５３ａ〜５３ｄと、を有している。

図１１（ａ）は、保持部材１５ａ・１５ｂが１組となってＬＣＤ基板Ｇを保持している状態を示しており、図１１（ｂ）は、保持部材１５ｃ・１５ｄが１組となってＬＣＤ基板Ｇを保持している状態を示している。保持部材１５ａ・１５ｂがＬＣＤ基板Ｇを搬送する際には、保持部材１５ａ・１５ｂのそれぞれの動きが鉛直面Ｓ（図１１（ａ）参照）について対象となるように、同様に、Ｘ軸駆動機構５３ａ・５３ｂおよび昇降機構８９ａ・８９ｂの駆動が制御される。保持部材１５ｃ・１５ｄがＬＣＤ基板Ｇを搬送する場合も、Ｘ軸駆動機構５３ｃ・５３ｄおよびＹ軸駆動機構８９ｃ・８９ｄが同様に制御される。

図１２は保持部材１５ａ〜１５ｄの動きを示す説明図である。まず、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５から導入ステージ部１２ａに搬送されてくるＬＣＤ基板Ｇを保持部材１５ａ・１５ｂで把持する場合には、保持部材１５ｃ・１５ｃをステージ１２からＹ方向に遠ざけられた状態とする（図１２（ａ））。

保持部材１５ａ・１５ｂがＬＣＤ基板Ｇを保持したら、保持部材１５ａ・１５ｂを塗布ステージ部１２ｂ側へ移動させて、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を塗布する。一方、保持部材１５ｃ・１５ｄが次にパスユニット（ＰＡＳＳ）６５から搬送されてくるＬＣＤ基板Ｇを受け取ることができるように、保持部材１５ｃ・１５ｄをステージ１２に近づける（図１２（ｂ））。

塗布膜が形成されたＬＣＤ基板Ｇを保持した保持部材１５ａ・１５ｂは、搬出ステージ部１２ｃへ移動した後に、そこで保持したＬＣＤ基板Ｇをリフトピン４７（図１２に図示せず）に受け渡す。一方、保持部材１５ｃ・１５ｄは、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５から導入ステージ部１２ａに搬送されてくるＬＣＤ基板Ｇ´を把持して、塗布ステージ部１２ｂ側への移動を開始する（図１２（ｃ））。

次に、保持部材１５ａ・１５ｂを保持部材１５ｃ・１５ｄよりも低い位置へ降下させた後に、その状態で導入ステージ部１２ａ側へと戻し（図１１（ｂ）参照）、その後に保持部材１５ａ・１５ｂの高さ位置を新たなＬＣＤ基板を保持することができるように調整する。一方、保持部材１５ｃ・１５ｄはＬＣＤ基板Ｇ´を塗布ステージ部１２ｂ側へ搬送し、ＬＣＤ基板Ｇ´に塗布膜が形成される（図１２（ｄ））。

搬出ステージ部１２ｃに達した保持部材１５ｃ・１５ｄは、保持したＬＣＤ基板Ｇ´を搬出ステージ部１２ｃでリフトピン４７（図１２に図示せず）に受け渡す。また、保持部材１５ａ・１５ｂは、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５から導入ステージ部１２ａに搬送されてくるＬＣＤ基板Ｇ″を把持して、塗布ステージ部１２ｂ側への移動を開始する（図１２（ｅ））。

次いで、保持部材１５ｃ・１５ｄをステージ１２から遠ざけて、その状態で導入ステージ部１２ａ側へ戻す（図１２（ｆ））。これ以降、保持部材１５ａ〜１５ｄはそれぞれ上述した手順を繰り返すことによりＬＣＤ基板Ｇを逐次搬送する。このような基板搬送機構５５・５６を用いた場合には、ＬＣＤ基板を連続搬送して塗布膜の形成処理を行うことができるために、高いスループットを得ることができる。

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５からレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａへのＬＣＤ基板の搬入は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に基板搬送アームを設け、かつ、導入ステージ部１２ａにリフトピンを設けて、この基板搬送アームが保持したＬＣＤ基板をリフトピンに受け渡し、リフトピンを降下させることによって導入ステージ部１２ａの表面近傍で、保持部材１５ａ・１５ｂ等にＬＣＤ基板Ｇを把持させるようにしてもよい。

また、保持部材１５ａ・１５ｂはＬＣＤ基板Ｇをその搬送方向先頭部で保持してＬＣＤ基板Ｇを引っ張るようにして搬送する形態を示したが、保持部材１５ａ・１５ｂはＬＣＤ基板Ｇをその搬送方向後方部で保持してＬＣＤ基板Ｇを押すようにして搬送させてもよい。さらに、基板搬送機構５６では、保持部材１５ｃ・１５ｄをＹ方向でスライド自在としたが、保持部材１５ｃ・１５ｄをＬＣＤ基板Ｇを搬送する高さと、ＬＣＤ基板Ｇを搬送する高さよりも高い位置との間で昇降自在な構成としてもよい。これによって、保持部材１５ａ・１５ｂと保持部材１５ｃ・１５ｄとを衝突させることなく、これらに交互にＬＣＤ基板Ｇを搬送させることができる。上記説明においては、塗布膜としてレジスト膜を取り上げたが、塗布膜はこれに限定されるものではなく、反射防止膜や感光性を有さない絶縁膜等であってもよい。

本発明はＬＣＤ基板等の大型基板にレジスト膜を形成するレジスト膜形成装置およびレジスト膜形成方法に好適である。

本発明の塗布膜形成装置の一実施形態であるレジスト塗布装置を具備するレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図。 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第３の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。 レジスト処理ユニットの概略平面図。 基板搬送機構の概略構成を示す断面図。 導入ステージ部、塗布ステージ部、搬出ステージ部それぞれにおけるＬＣＤ基板の搬送形態を模式的に示す説明図。 レジスト供給ノズルの概略斜視図。 レジスト塗布装置に設けられる別の基板搬送機構の概略構造を示す平面図および断面図。 図９に示す基板搬送機構によるＬＣＤ基板の搬送形態を模式的に示す説明図。 レジスト塗布装置に設けられるさらに別の基板搬送機構の概略構造を示す断面図。 図１１に示す基板搬送機構によるＬＣＤ基板の搬送形態を模式的に示す説明図。

符号の説明

１；カセットステーション
２；処理ステーション
３；インターフェイスステーション
１２；ステージ
１２ａ；導入ステージ部
１２ｂ；塗布ステージ部
１２ｃ；搬出ステージ部
１３；基板搬送機構
１４；レジスト供給ノズル
１５ａ〜１５ｄ；保持部材
１６ａ：ガス噴射口
１６ｂ；吸気口
２３；レジスト処理ユニット
２３ａ；レジスト塗布装置
２３ｂ；減圧乾燥装置
１００；レジスト塗布・現像処理システム
Ｇ；ＬＣＤ基板

Claims (13)

1. 基板を一方向に搬送しながら前記基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
   表面の所定位置に所定のガスを噴射するための複数のガス噴射口が設けられたステージと、
   前記ステージ上で基板を一方向に搬送する基板搬送機構と、
   前記ステージ上を移動する基板の表面に所定の塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、
   を備え、
   前記基板は、前記ガス噴射口から噴射されるガスによって略水平姿勢で前記ステージの表面から浮いた状態で、前記基板搬送機構によって搬送されることを特徴とする塗布膜形成装置。
2. 前記ステージは、
   前記塗布液供給ノズルから塗布液が供給される塗布ステージ部と、
   前記塗布ステージ部へ基板を搬入するための導入ステージ部と、
   前記塗布ステージ部から基板を搬出するための搬出ステージ部と、
   を備え、
   前記塗布ステージ部は、さらにその表面の所定位置に吸気口を備え、
   前記塗布ステージ部では、前記ガス噴射口からのガス噴射量と前記吸気口からのガス吸気量を調整することによって、搬送される基板の浮上高さが調節されることを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成装置。
3. 前記基板搬送機構は、
   基板を保持する保持部材と、
   前記保持部材を所定方向に移動させるスライド機構と、
   を有し、
   前記保持部材は、基板を基板搬送方向と直交する方向の両端近傍で吸着保持することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の塗布膜形成装置。
4. 前記保持部材を２組具備し、
   前記スライド機構は、前記２組の保持部材に交互に基板を搬送させることを特徴とする請求項３に記載の塗布膜形成装置。
5. 前記基板搬送機構は、
   基板を保持する保持部材と、
   前記保持部材を所定方向に移動させるスライド機構と、
   を有し、
   前記保持部材は、基板を基板搬送方向と直交する方向の片端で吸着保持することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の塗布膜形成装置。
6. 前記保持部材は、基板搬送方向と直交する方向の両側にそれぞれ独立して駆動できるように配置され、
   前記スライド機構は、各保持部材に交互に基板を搬送させることを特徴とする請求項５に記載の塗布膜形成装置。
7. 前記ステージの基板搬送方向下流側に設けられ、前記基板に形成された塗布膜を減圧して乾燥する減圧乾燥装置と、
   前記搬出ステージ部に搬送された基板を、前記保持部材から受け取って前記減圧乾燥装置へ搬送する別の基板搬送機構と、
   をさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の塗布膜形成装置。
8. 前記塗布液供給ノズルは、基板搬送方向に直交する方向に伸び、帯状に塗布液を吐出するスリット状の塗布液吐出口を有することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の塗布膜形成装置。
9. 前記塗布液供給ノズルの直下を移動する基板の表面と前記塗布液供給ノズルの塗布液吐出口との距離を測定するセンサと、
   前記センサの計測値に基づいて、前記塗布液供給ノズルが所定の高さ位置に配置されるように、前記塗布液供給ノズルを昇降させるノズル昇降機構と、
   をさらに具備することを特徴とする請求項８に記載の塗布膜形成装置。
10. 基板を一方向に搬送しながら前記基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、
    基板の周縁の一部を保持し、表面から所定のガスが噴射されているステージの上に前記基板を略水平姿勢で浮かせる工程と、
    前記基板を浮上状態に維持して前記ステージ上を一方向に搬送しながら、前記基板に所定の塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と、
    を有することを特徴とする塗布膜形成方法。
11. 基板に塗布液が供給されている間は、前記ステージの表面から前記ガスを噴射すると同時に前記ステージの表面からの吸気を行うことによって、前記基板を前記ステージから浮上させる高さを調整することを特徴とする請求項１０に記載の塗布膜形成方法。
12. 前記基板の搬送は、複数の独立して駆動可能な基板搬送機構によって、連続的に行われることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の塗布膜形成方法。
13. 前記塗布液は、前記基板の搬送方向に垂直な方向に延びた略帯状で前記基板へ供給されることを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の塗布膜形成方法。