JP4541396B2 - 塗布膜形成装置、基板搬送方法及び記憶媒体 - Google Patents

Description

この発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）に用いられるガラス基板等の基板に、塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置及び基板搬送方法と、この基板搬送方法を実行するプログラムを格納した記憶媒体に関する。

例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造工程においては、フォトリソグラフィー技術を用いて、ガラス基板（以下ＬＣＤ基板）に所定の回路パターンを形成している。すなわち、ＬＣＤ基板上にレジスト液を供給して塗布膜を形成し、塗布膜を乾燥、熱処理した後に、塗布膜に対して露光処理、現像処理を逐次行っている。

近時、液晶表示装置の分野においてもスループット向上の要求が活発化している。液晶表示装置の製造に用いられ、スループットを向上できる塗布膜形成装置は、例えば、特許文献１に記載されている。

特許文献１では、浮上搬送ステージの両端に設けた２つのキャリア（保持部材）を交互に用いながらＬＣＤ基板を搬送して塗布膜を形成していくことで、スループットの向上を達成している（例えば、特許文献１の段落００５８乃至００６３、図９及び図１０（ａ）乃至図１０（ｄ）参照）。
特開２００５−２２３１１９号公報

特許文献１に記載された塗布膜形成装置においては、キャリアが、ＬＣＤ基板の一端のみを吸着保持する。ＬＣＤ基板の吸着保持された一端に相対した他端は、浮上搬送ステージ上からオーバーハングする。

ＬＣＤ基板を、浮上搬送ステージ上からオーバーハングさせる塗布膜形成装置においては、ＬＣＤ基板の大型化、並びに薄型化がより進展してくると、ＬＣＤ基板自体が、オーバーハングした部分において自重により撓みだす可能性がある。浮上搬送ステージは、レジスト液が供給される箇所である。レジスト液が供給される箇所でＬＣＤ基板が撓みだすと、均一な厚さを持つ塗布膜を形成することが難くなるなど、精度の高い塗布膜の形成が困難になる。

この発明は、スループットが良く、しかも精度の高い塗布膜を形成することが可能な塗布膜形成装置、基板搬送方法、及び記憶媒体を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、この発明の第１の態様に係る塗布膜形成装置は、処理される基板を一方向に搬送しながらこの基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、前記処理される基板が導入される導入部、前記処理される基板に前記塗布液が供給される塗布部、及び前記処理される基板が搬出される搬出部を有する搬送ステージと、前記処理される基板を、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側、及び前記一方向と直交する方向の他方の片側のいずれかにオフセットさせる被処理基板オフセット機構と、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側に配置され、前記処理される基板を前記一方向と直交する方向の片端で保持し、この保持した基板を前記一方の片側にオフセットさせた状態で、前記搬送ステージ上を、前記導入部、前記塗布部、及び前記搬出部の順で前記一方向に搬送する第１のキャリアと、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の他方の片側に配置され、前記処理される基板を前記一方向と直交する方向の片端で保持し、この保持した基板を前記他方の片側にオフセットさせた状態で、前記搬送ステージ上を、前記導入部、前記塗布部、及び前記搬出部の順で前記一方向に搬送する、前記第１のキャリアとは独立して動作することが可能な第２のキャリアと、前記搬送ステージの塗布部の上方に設けられ、前記処理される基板の表面に前記塗布液を供給する塗布液供給機構と、を具備し、前記第１のキャリア及び前記第２のキャリアは前記一方向に延在するように配置されたガイドレールに沿って前記一方向に移動し、前記第１のキャリア又は前記第２のキャリアを前記搬出部から前記導入部に戻すとき、前記被処理基板オフセット機構が、前記基板を、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側、及び前記一方向と直交する方向の他方の片側のいずれかにオフセットさせることで、前記第１のキャリア又は前記第２のキャリアが、搬送中の前記基板に衝突しないように構成されている。
この発明の第２の態様に係る塗布膜形成装置は、処理される基板を一方向に搬送しながらこの基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、前記処理される基板が導入される導入部、前記処理される基板に前記塗布液が供給される塗布部、及び前記処理される基板が搬出される搬出部を有する搬送ステージと、前記処理される基板を、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側、及び前記一方向と直交する方向の他方の片側のいずれかにオフセットさせる被処理基板オフセット機構と、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側に配置され、前記処理される基板を前記一方向と直交する方向の片端で保持し、この保持した基板を前記一方の片側にオフセットさせた状態で、前記搬送ステージ上を、前記導入部、前記塗布部、及び前記搬出部の順で前記一方向に搬送する第１のキャリアと、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の他方の片側に配置され、前記処理される基板を前記一方向と直交する方向の片端で保持し、この保持した基板を前記他方の片側にオフセットさせた状態で、前記搬送ステージ上を、前記導入部、前記塗布部、及び前記搬出部の順で前記一方向に搬送する、前記第１のキャリアとは独立して動作することが可能な第２のキャリアと、前記搬送ステージの塗布部の上方に設けられ、前記処理される基板の表面に前記塗布液を供給する塗布液供給機構と、を具備し、前記塗布液供給機構が、前記第１のキャリア、又は前記第２のキャリアを用いて搬送されてきた前記処理される基板の表面に塗布液を供給する塗布液供給ノズルを備え、前記塗布液供給ノズルが、前記一方の片側及び前記他方の片側のいずれかにオフセットされるように構成されている。
この発明の第３の態様に係る塗布膜形成装置は、処理される基板を一方向に搬送しながらこの基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、前記処理される基板が導入される導入部、前記処理される基板に前記塗布液が供給される塗布部、及び前記処理される基板が搬出される搬出部を有する搬送ステージと、前記処理される基板を、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側、及び前記一方向と直交する方向の他方の片側のいずれかにオフセットさせる被処理基板オフセット機構と、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側に配置され、前記処理される基板を前記一方向と直交する方向の片端で保持し、この保持した基板を前記一方の片側にオフセットさせた状態で、前記搬送ステージ上を、前記導入部、前記塗布部、及び前記搬出部の順で前記一方向に搬送する第１のキャリアと、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の他方の片側に配置され、前記処理される基板を前記一方向と直交する方向の片端で保持し、この保持した基板を前記他方の片側にオフセットさせた状態で、前記搬送ステージ上を、前記導入部、前記塗布部、及び前記搬出部の順で前記一方向に搬送する、前記第１のキャリアとは独立して動作することが可能な第２のキャリアと、前記搬送ステージの塗布部の上方に設けられ、前記処理される基板の表面に前記塗布液を供給する塗布液供給機構と、を具備し、前記塗布液供給機構が、前記搬送ステージの前記塗布部の上方に、前記一方の片側にオフセットされて設けられ、前記第１のキャリアを用いて搬送されてきた前記処理される基板の表面に塗布液を供給する第１の塗布液供給ノズルと、前記搬送ステージの前記塗布部の上方に、前記他方の片側にオフセットされて設けられ、前記第２のキャリアを用いて搬送されてきた前記処理される基板の表面に塗布液を供給する第２の塗布液供給ノズルと、を備えている。
この発明の第４の態様に係る塗布膜形成装置は、処理される基板を一方向に搬送しながらこの基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、前記処理される基板が導入される導入部、前記処理される基板に前記塗布液が供給される塗布部、及び前記処理される基板が搬出される搬出部を有する搬送ステージと、前記処理される基板を、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側、及び前記一方向と直交する方向の他方の片側のいずれかにオフセットさせる被処理基板オフセット機構と、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側に配置され、前記処理される基板を前記一方向と直交する方向の片端で保持し、この保持した基板を前記一方の片側にオフセットさせた状態で、前記搬送ステージ上を、前記導入部、前記塗布部、及び前記搬出部の順で前記一方向に搬送する第１のキャリアと、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の他方の片側に配置され、前記処理される基板を前記一方向と直交する方向の片端で保持し、この保持した基板を前記他方の片側にオフセットさせた状態で、前記搬送ステージ上を、前記導入部、前記塗布部、及び前記搬出部の順で前記一方向に搬送する、前記第１のキャリアとは独立して動作することが可能な第２のキャリアと、前記搬送ステージの塗布部の上方に設けられ、前記処理される基板の表面に前記塗布液を供給する塗布液供給機構と、を具備し、前記処理される基板が、前記被処理基板オフセット機構を用いて前記一方の片側及び前記他方の片側に交互にオフセットされ、前記交互にオフセットされた基板が、前記第１のキャリア及び前記第２のキャリアを交互に用いて搬送されるように構成され、前記第１のキャリアが前記基板を前記搬送ステージの搬出部まで搬送した後、前記第１のキャリアを前記搬送ステージの前記搬出部から前記導入部に戻す第１の戻し動作が、前記第２のキャリアを用いた基板搬送動作とオーバーラップされて実行され、前記第２のキャリアが前記基板を前記搬送ステージの搬出部まで搬送した後、前記第２のキャリアを前記搬送ステージの前記搬出部から前記導入部に戻す第２の戻し動作が、前記第１のキャリアを用いた基板搬送動作とオーバーラップされて実行されるように構成され、前記塗布液供給機構が、前記搬送ステージの前記塗布部の上方に、前記一方の片側にオフセットされて設けられ、前記第１のキャリアを用いて搬送されてきた前記処理される基板の表面に塗布液を供給する第１の塗布液供給ノズルと、前記搬送ステージの前記塗布部の上方に、前記他方の片側にオフセットされて設けられ、前記第２のキャリアを用いて搬送されてきた前記処理される基板の表面に塗布液を供給する第２の塗布液供給ノズルと、を備え、前記第１の塗布液供給ノズルのノズルフォーミング動作が、前記第１の戻し動作とオーバーラップされて実行され、前記第２の塗布液供給ノズルのノズルフォーミング動作が、前記第２の戻し動作とオーバーラップされて実行されるように構成されている。

この発明の第５の態様に係る基板搬送方法は、上記第１から第３の態様のいずれか一つに係る塗布膜形成装置の基板搬送方法であって、前記処理される基板を、前記被処理基板オフセット機構を用いて前記一方の片側及び前記他方の片側に交互にオフセットさせ、前記交互にオフセットされた基板を、前記第１のキャリア及び前記第２のキャリアを交互に用いて搬送する。

この発明の第６の態様に係る記憶媒体は、コンピュータ上で動作し、処理される基板の搬送を制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、上記第５の態様に係る基板搬送方法が行われるように、コンピュータに塗布膜形成装置を制御させる。

この発明によれば、スループットが良く、しかも精度の高い塗布膜を形成することが可能な塗布膜形成装置、基板搬送方法、及び記憶媒体を提供できる。

以下、この発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、この発明を、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）のうち、ＬＣＤ用のガラス基板（以下「ＬＣＤ基板」という）の表面にレジスト膜を形成する装置に適用した場合について説明することとする。なお、この発明は、ＬＣＤ基板の表面へのレジスト膜の形成に限られるものではなく、カラーフィルタの形成にも使うことができる。

図１に、ＬＣＤ基板へのレジスト膜の形成と、露光処理後のレジスト膜の現像処理を行うレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図を示す。

図１に示すように、レジスト塗布・現像処理システム１００は、複数のＬＣＤ基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えており、カセットステーション１とインターフェイスステーション３はそれぞれ処理ステーション２の両端に配置されている。なお、図１において、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向、高さ方向をＺ方向とする。

カセットステーション１は、カセットＣをＹ方向に並べて載置できる載置台９と、処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、この載置台９と外部との間でカセットＣの搬送が行われる。搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。

処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びるＬＣＤ基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ・Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けて、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１と、第１の熱的処理ユニットセクション２６と、レジスト処理ユニット２３と、第２の熱的処理ユニットセクション２７と、が配列されている。

また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて、第２の熱的処理ユニットセクション２７と、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４と、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５と、第３の熱的処理ユニットセクション２８と、が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立ってＬＣＤ基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。

スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１では、その中でＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら洗浄処理及び乾燥処理が行われるようになっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、ＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら、現像液塗布、リンス、乾燥処理が逐次行われるようになっている。これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、ＬＣＤ基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、ＬＣＤ基板Ｇの搬入口及び搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５へのＬＣＤ基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。

レジスト処理ユニット２３は、後に詳細に説明するように、ＬＣＤ基板Ｇを略水平姿勢で搬送しながら、レジスト液を供給し、塗布膜を形成するレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａと、減圧雰囲気にＬＣＤ基板ＧをさらすことによりＬＣＤ基板Ｇ上に形成された塗布膜に含まれる揮発成分を蒸発させて塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂと、を備えている。

第１の熱的処理ユニットセクション２６は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。第１の熱的処理ユニットセクション２６の概略側面図を図２に示す。

図２に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１と、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３と、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５と、ＬＣＤ基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７と、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８が４段に積層された構成を有している。

第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、及びパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理ユニット２３へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。

第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレール９１に沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、ＬＣＤ基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。昇降部材９２の昇降はモータ９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモータ９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモータ９７によって行われる。このように第１の搬送装置３３は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２のいずれのユニットにもアクセスすることができる。

第２の熱的処理ユニットセクション２７は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５の間に、第２の搬送装置３６が設けられている。第２の熱的処理ユニットセクション２７の概略側面図を図３に示す。

図３に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６９とＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２が４段に積層された構成となっている。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３と、ＬＣＤ基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４と、ＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６が４段に積層された構成となっている。

第２の搬送装置３６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２３からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡し、及び後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡し及び受け取り、を行う。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。

第３の熱的処理ユニットセクション２８は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８の間に、第３の搬送装置３９が設けられている。第３の熱的処理ユニットセクション２８の概略側面図を図４に示す。

図４に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は、下から順に、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７７と、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、下から順に、ポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１と、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡し及び冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２と、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３・８４が４段に積層された構成を有している。

第３の搬送装置３９は、パスユニット（ＰＡＳＳ）７７を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２を介してのカセットステーション１へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。

処理ステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ・Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニット及び搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ・Ｂ間には空間４０が設けられている。そして、この空間４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１はＬＣＤ基板Ｇを保持可能に構成されており、シャトル４１を介して搬送ラインＡ・Ｂ間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しが行われる。シャトル４１に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送装置３３・３６・３９によって行われる。

インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファカセットを配置するバッファステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。

このように構成されたレジスト塗布・現像処理システム１００においては、まず、カセットステーション１の載置台９に配置されたカセットＣ内のＬＣＤ基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで搬送装置１１によりＬＣＤ基板Ｇがスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ洗浄処理後、ＬＣＤ基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４及び熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）される。その後、ＬＣＤ基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。このような一連の処理を行う際のＬＣＤ基板Ｇの搬送処理は、全て第１の搬送装置３３によって行われる。

パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、パスユニット（ＰＡＳＳ）６５内に設けられた、例えば、コロ搬送機構等の基板搬送機構によって、レジスト処理ユニット２３内へ搬入される。後に詳細に説明するように、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを水平姿勢で搬送しながらレジスト液を供給して塗布膜を形成し、その後、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂにて塗布膜に減圧乾燥処理が施される。その後、ＬＣＤ基板Ｇは減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに設けられた基板搬送アームにより、レジスト処理ユニット２３から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）６９に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２及び熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される。

その後、ＬＣＤ基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、必要に応じて、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、そこで、レジスト膜の外周部（不要部分）を除去するための露光が行われる。次いで、ＬＣＤ基板Ｇは、搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこでＬＣＤ基板Ｇ上のレジスト膜に所定パターンで露光処理が施される。なお、ＬＣＤ基板Ｇは、一旦、バッファステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットに収容され、その後に露光装置４に搬送される場合がある。

露光終了後、ＬＣＤ基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されてＬＣＤ基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置される。ＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ搬送される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入される。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、例えば、基板を水平姿勢で搬送しながら現像液がＬＣＤ基板Ｇ上に液盛りされ、その後、一旦、ＬＣＤ基板Ｇの搬送を停止してＬＣＤ基板を所定角度傾けることにより、ＬＣＤ基板上の現像液を流し落とし、さらにこの状態でＬＣＤ基板Ｇにリンス液を供給して、現像液を洗い流す。その後、ＬＣＤ基板Ｇを水平姿勢に戻して、再び搬送を開始し、乾燥用窒素ガスまたは空気をＬＣＤ基板Ｇに吹き付けることにより、ＬＣＤ基板を乾燥させる。

現像処理終了後、ＬＣＤ基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、ＬＣＤ基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内のコロ搬送機構により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）７７に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０及び熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１・８３・８４のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。

次に、レジスト処理ユニット２３について詳細に説明する。

図５は、この発明の一実施形態に係るレジスト処理ユニット２３の一例を概略的に示す平面図である。

図５に示すように、一実施形態に係るレジスト処理ユニット２３は、レジスト塗布装置２３ａと、減圧乾燥装置２３ｂと、を備える。

レジスト塗布装置２３ａは、搬送ステージ１２と、ＬＣＤ基板Ｇを搬送ステージ１２上でＸ方向に搬送する右側基板搬送機構（以下右側キャリアという）１３Ｒ、及び左側基板搬送機構（以下左側キャリアという）１３Ｌと、ＬＣＤ基板ＧをＹ方向にオフセットさせる被処理基板オフセット機構１３０と、搬送ステージ１２上を移動するＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト液を供給する塗布液供給機構１４と、を備えている。

搬送ステージ１２は、本例ではＬＣＤ基板Ｇを浮上搬送させるためのガスを噴射するガス噴射口１６ａが複数設けられた浮上搬送ステージである。さらに、搬送ステージ１２は、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向の上流から下流に向けて、導入ステージ（導入部）１２ａ、塗布ステージ（塗布部）１２ｂ、及び搬出ステージ（搬出部）１２ｃに分かれている。

導入ステージ１２ａは、図１及び図２に示した熱的処理ユニットブロック３２のパスユニット６５から塗布ステージ１２ｂへＬＣＤ基板Ｇを搬送するためのエリアである。塗布ステージ１２ｂには塗布液供給機構１４が配置されており、ここでＬＣＤ基板Ｇに塗布液が供給されて塗布膜が形成される。搬出ステージ部１２ｃは、塗布膜が形成されたＬＣＤ基板Ｇを減圧乾燥装置２３ｂへ搬出するためのエリアである。

右側キャリア１３Ｒ及び左側キャリア１３Ｌは、互いに独立してＬＣＤ基板Ｇを搬送する。本例では、特に、右側キャリア１３Ｒ及び左側キャリア１３Ｌを交互に用いてＬＣＤ基板Ｇを搬送する。

被処理基板オフセット機構１３０は、右側キャリア１３Ｒを用いてＬＣＤ基板Ｇを搬送するときには、ＬＣＤ基板ＧをＹ方向に沿って右側にオフセットさせる。反対に、左側キャリア１３Ｌを用いてＬＣＤ基板Ｇを搬送するときには、ＬＣＤ基板ＧをＹ方向に沿って左側にオフセットさせる。オフセットさせる量の一例は、右側、及び左側の双方とも、ＬＣＤ基板Ｇがステージ１２からオーバーハングしない量である。

本例の塗布液供給機構１４は、右側レジスト供給ノズル１４Ｒ及び左側レジスト供給ノズル１４Ｌの２つを備えている。ノズル１４Ｒ及び１４Ｌは、塗布ステージ１２ｂの上方で、Ｙ方向に沿って右側及び左側に互いにずれあって配置されている。本例の右側レジスト供給ノズル１４Ｒは、ＬＣＤ基板Ｇが右側キャリア１３Ｒによって塗布ステージ１２ｂ上に搬送されてきたときに用いられる。即ち、右側レジスト供給ノズル１４Ｒは、右側にオフセットされたＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト液を供給する。対して、左側レジスト供給ノズル１４Ｌは、ＬＣＤ基板Ｇが左側キャリア１３Ｌによって塗布ステージ１２ｂ上に搬送されてきたときに用いられ、左側にオフセットされたＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト液を供給する。

減圧乾燥装置２３ｂは、ＬＣＤ基板Ｇを載置するための載置台１７と、載置台１７及び載置台１７に載置されたＬＣＤ基板Ｇを収容するチャンバ１８と、を備えている。

さらに、レジスト処理ユニット２３には、ＬＣＤ基板Ｇを、レジスト塗布装置２３ａから減圧乾燥装置２３ｂへ、さらに減圧乾燥装置２３ｂから、図１及び図３に示した熱的処理ユニットブロック３４のパスユニット６９へ搬送する基板搬送アーム１９が設けられている。

レジスト処理ユニット２３は、レジスト塗布・現像処理システム１００を制御する制御ユニット１４０によって制御される。

本例の制御ユニット１４０は、プロセスコントローラ１４０ａと、プロセスコントローラ１４０ａに接続されたユーザーインターフェース１４０ｂと、同じくプロセスコントローラ１４０ａに接続された記憶部１４０ｃとを備えている。

ユーザーインターフェース１４０ｂは、オペレータがレジスト塗布・現像処理システム１００を管理するコマンドの入力操作等を行うキーボードや、レジスト塗布・現像処理システム１００の稼働状況等を可視化して表示するディスプレイ等を有する。

記憶部１４０ｃは、レジスト塗布・現像処理システム１００で実行される処理をプロセスコントローラ１４０ａの制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じた処理を各処理ユニットに実行させたりするプログラム、即ちレシピが格納される。レシピは記憶部１４０ｃの中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体であり、ハードディスクや半導体メモリであっても良いし、ＣＤ-ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであっても良い。任意のレシピは、ユーザーインターフェース１４０ｂからの指示等にて記憶部１４０ｃから読み出され、プロセスコントローラ１４０ａに実行させることで、プロセスコントローラ１４０ａの制御下で、レジスト塗布・現像処理システム１００の各処理ユニットでの処理が行われる。レシピは、例えば、専用回線を介して他の装置から適宜伝送させることも可能である。

上記一実施形態に係るレジスト処理ユニット２３によれば、被処理基板オフセット機構１３０を備えているので、ＬＣＤ基板Ｇを、Ｙ方向に沿って右側、又は左側にオフセット、例えば、ＬＣＤ基板Ｇがステージ１２上からオーバーハングしないようにオフセットさせることができる。ＬＣＤ基板Ｇを、Ｙ方向に沿って右側、又は左側にオフセットさせることで、ＬＣＤ基板Ｇをオフセットさせない場合に比較して、ＬＣＤ基板Ｇが搬送ステージ１２上からオーバーハングする量を減らすことができる、又はＬＣＤ基板Ｇが搬送ステージ１２上からオーバーハングしないようにすることができる。ＬＣＤ基板Ｇがステージ１２上からオーバーハングする量が減る、又はＬＣＤ基板Ｇを搬送ステージ１２上からオーバーハングさせないことで、搬送ステージ１２上でＬＣＤ基板Ｇに生ずる撓みを抑制することができる。

このように、一実施形態に係るレジスト処理ユニット２３によれば、ＬＣＤ基板ＧをＹ方向に沿ってオフセットさせることで、ＬＣＤ基板Ｇを撓み難くすることができるので、レジストの均一な塗布が可能となり、厚さがより均一な塗布膜を形成でき、精度の高い塗布膜の形成が可能となる、という利点を得ることができる。

さらに、上記一実施形態に係るレジスト処理ユニット２３は、右側キャリア１３Ｒ及び左側キャリア１３Ｌを交互に用いてＬＣＤ基板Ｇを搬送する。このため、例えば、ＬＣＤ基板Ｇが右側キャリア１３Ｒによって搬送されている間に、左側キャリア１３Ｌを搬出ステージ１２ｃから導入ステージ１２ａに戻したり、反対にＬＣＤ基板Ｇが左側キャリア１３Ｌによって搬送されている間に、右側キャリア１３Ｒを搬出ステージ１２ｃから導入ステージ１２ａに戻したりすることができる。即ち、右側キャリア１３Ｒを搬出ステージ１２ｃから導入ステージ１２ａに戻す戻し動作を、左側キャリア１３Ｌを用いた基板搬送動作とオーバーラップさせて実行することができる。同様に、左側キャリア１３Ｌを搬出ステージ１２ｃから導入ステージ１２ａに戻す戻し動作についても、右側キャリア１３Ｒを用いた基板搬送動作とオーバーラップさせて実行することができる。

このように、一実施形態に係るレジスト処理ユニット２３によれば、右側キャリア１３Ｒ及び左側キャリア１３Ｌを備えているので、キャリアによるＬＣＤ基板Ｇの搬送とキャリアの戻しとをオーバーラップさせて行うことが可能である。ＬＣＤ基板Ｇの搬送とキャリアの戻しとをオーバーラップさせて行うことで、キャリアの戻しに要する時間を省くことができ、ＬＣＤ基板Ｇのレジスト塗布処理に関するスループットを向上させることもできる。

さらに、上記一実施形態に係るレジスト処理ユニット２３は、塗布液供給機構１４として右側レジスト供給ノズル１４Ｒ及び左側レジスト供給ノズル１４Ｌの２つを備えている。このため、例えば、右側レジスト供給ノズル１４Ｒを用いた塗布が終了された後に実行されることがあるノズルフォーミング動作を、左側レジスト供給ノズル１４Ｌを用いた塗布動作とオーバーラップさせて実行することができる。同様に、左側レジスト供給ノズル１４Ｌのノズルフォーミング動作を、右側レジスト供給ノズル１４Ｒを用いた塗布動作とオーバーラップさせて実行することができる。

左側レジスト供給ノズル１４Ｌを用いた塗布動作中は、左側キャリア１３Ｌを用いた基板搬送動作中であり、同様に、右側レジスト供給ノズル１４Ｒを用いた塗布動作中は、右側キャリア１３Ｒを用いた基板搬送動作中である。本例では、左側キャリア１３Ｌを用いた基板搬送動作と、右側キャリア１３Ｒの戻し動作とオーバーラップさせて実行でき、かつ、右側キャリア１３Ｒを用いた基板搬送動作と、左側キャリア１３Ｌの戻し動作とオーバーラップさせて実行することができるから、これらの動作に、ノズル１４Ｒ、又は１４Ｌのノズルフォーミング動作をオーバーラップさせて実行することができる。

このように、一実施形態に係るレジスト処理ユニット２３によれば、ノズルフォーミング動作を、キャリアによるＬＣＤ基板Ｇの搬送、キャリアの戻し動作、及び他方のノズルを用いた塗布動作をオーバーラップさせて行うことも可能である。このようにすれば、ＬＣＤ基板Ｇのレジスト塗布処理に関するスループットは、さらに向上する。

以上、上記一実施形態に係るレジスト処理ユニット（塗布膜形成装置）によれば、スループットが良く、しかも精度の高いレジスト処理が可能な塗布膜形成装置及び基板搬送方法を得ることができる。

以下、この発明の一実施形態に係るレジスト処理ユニット２３について、その動作とともにさらに詳しく説明する。

図６は、この発明の一実施形態に係るレジスト処理ユニットの搬送制御の一例を示す流れ図である。図７Ａ乃至図１１は、主要な手順におけるレジスト処理ユニットの状態を概略的に示す平面図である。

図７Ａに示すように、ＬＣＤ基板Ｇがパスユニット６５に搬送され次第、図６に示す塗布処理が開始される（浮上塗布開始）。

処理が開始されると、ステップ１に示すように、本例では、右側キャリア１３Ｒが導入ステージ１２ａに有るか否かを判断する。

右側キャリア１３Ｒが有る場合（Ｙｅｓ）、被処理基板オフセット機構１３０を用いて、ＬＣＤ基板Ｇ（被処理基板）をＹ方向に沿って右側にオフセットする（ステップ２）。

右側キャリア１３Ｒが無い場合（Ｎｏ）、ステップ３に進み、今度は左側キャリア１３Ｌが導入ステージ１２ａに有るか否かを判断する。

左側キャリア１３Ｌが有る場合（Ｙｅｓ）、被処理基板オフセット機構１３０を用いて、ＬＣＤ基板Ｇ（被処理基板）をＹ方向に沿って左側にオフセットする（ステップ４）。

左側キャリア１３Ｌが無い場合（Ｎｏ）、ステップ５に進み、右側キャリア１３Ｒ、及び左側キャリア１３Ｌを導入ステージ１２ａに戻す操作を行う。戻す操作を行った後、再度、ステップ１からの手順を繰り返す。

本例では、図７Ａに示すように、右側キャリア１３Ｒ、及び左側キャリア１３Ｌの双方が導入ステージ１２ａに有るので、ステップ１の判断、即ち“右側キャリア１３Ｒが有る”との判断に従ってステップ２に進む。

ステップ２における状態は、図７Ｂに示すように、パスユニット６５に設けられたコロ４６を回転させてＬＣＤ基板ＧをＸ方向に沿って移動させ、ＬＣＤ基板Ｇを導入ステージ１２ａへ搬送する（矢印２００）。次いで、被処理基板オフセット機構１３０を用いて、ＬＣＤ基板Ｇ（被処理基板）をＹ方向に沿って右側にオフセットさせる（矢印２０１）。被処理基板オフセット機構１３０の一例を図１２Ａ乃至図１２Ｃに示す。

図１２Ａ乃至図１２Ｃはそれぞれ、一例に係る被処理基板オフセット機構を概略的に示した平面図である。

図１２Ａに示すように、一例に係る被処理基板オフセット機構１３０ａは、一組のマニュピレータ１３１を備える。

マニュピレータ１３１は、矢印２０２ａに示すようにＹ方向に沿って駆動され、導入ステージ１２ａ上で、導入ステージ１２ａに搬送されてきたＬＣＤ基板ＧのＸ方向に沿った２つの側面を挟む。ＬＣＤ基板Ｇを左側へオフセットさせるときには、マニュピレータ１３１は、例えば、２つの側面を挟んだ状態で矢印２０２ｂに示すようにＹ方向に沿って左側に駆動され、ＬＣＤ基板Ｇを導入ステージ１２ａ上でＹ方向に沿って左側へオフセットさせる（図１２Ｂ）。反対に、ＬＣＤ基板Ｇを右側へオフセットさせるときには、例えば、２つの側面を挟んだ状態で矢印２０２ｃに示すようにＹ方向に沿って右側に駆動され、ＬＣＤ基板Ｇを導入ステージ１２ａ上でＹ方向に沿って右側へオフセットさせる（図１２Ｃ）。

さらに、本例のオフセット機構１３０ａは、ＬＣＤ基板Ｇをオフセットさせるオフセット機能に加えて、ＬＣＤ基板Ｇの位置を、目標の位置に合わせる位置合わせ（アライメント）機能を備えている。位置合わせ機能は、ＬＣＤ基板Ｇの位置を、例えば、ＬＣＤ基板Ｇが搬送方向（Ｘ方向）に対して斜めにならないようにして、かつ、ＬＣＤ基板Ｇがステージ１２からオーバーハングしないように、又はオーバーハングする量が減るように、目標の位置に合わせる。

位置合わせの例としては、例えば、図１２Ａに示すように、ＬＣＤ基板Ｇをオフセットさせる前に、例えば、位置合わせすべき位置に、ＬＣＤ基板Ｇの四隅、又は対角となる二つの隅に対応して設けられたアライメントマーク１３３を位置合わせの目標としながら、導入ステージ１２ａ上でＬＣＤ基板Ｇを微動させながら行う。位置合わせのための微動は、マニュピレータ１３１を利用して行っても良く、マニュピレータ１３１とは別に設けた、マニュピレータ１３１よりも精度良く動く位置合わせ用マニュピレータを利用して行っても良い。

また、位置合わせは、例えば、図１２Ｂ、又は図１２Ｃに示すように、ＬＣＤ基板Ｇをオフセットさせた後に行っても良い。この場合には、オフセットされたＬＣＤ基板Ｇを、位置合わせすべき位置に、ＬＣＤ基板Ｇの四隅、又は対角となる二つの隅に対応して設けられたアライメントマーク１３３を位置合わせの目標としながら、導入ステージ１２ａ上でＬＣＤ基板Ｇを微動させながら行えば良い。この場合も、位置合わせのための微動は、マニュピレータ１３１を利用して行っても良く、マニュピレータ１３１とは別に設けた、マニュピレータ１３１よりも精度良く動く位置合わせ用マニュピレータを利用して行うようにしても良い。

なお、上記位置合わせ機能は、オフセット機構１３０ａに設ける必要は必ずしもなく、例えば、処理される基板、本例ではＬＣＤ基板Ｇを、このＬＣＤ基板Ｇがオフセットされる前、又はオフセットされた後に目標の位置に合わせる位置合わせ機構を、オフセット機構１３０ａとは別に設けることで実現されても良い。

また、右側キャリア１３Ｒ、及び左側キャリア１３ＬによるＬＣＤ基板Ｇの吸着保持は、ＬＣＤ基板Ｇの位置合わせが終わった後にされることが良い。吸着保持後においては、ＬＣＤ基板Ｇの位置合わせのための微動が難しいためである。

このように、ＬＣＤ基板Ｇのオフセットは、一例に係るオフセット機構１３０ａのように、例えば、導入ステージ１２ａ上で行うことができる。

図１３Ａ乃至図１３Ｃに、被処理基板オフセット機構１３０の他例を示す。

図１３Ａ乃至図１３Ｃはそれぞれ、他例に係る被処理基板オフセット機構を概略的に示した平面図である。

図１３Ａに示すように、他例に係る被処理基板オフセット機構１３０ｂは、パスユニット６５に設けられ、パスユニット６５のコロ搬送ステージ６５ａ自体を、Ｙ方向に沿って駆動させるようにした例である。被処理基板オフセット機構１３０ｂは、Ｙ方向に沿って設けられたガイドレール１３２と、ガイドレール１３２上に、ガイドレール１３２上を移動可能な状態で配置されたコロ搬送ステージ６５ａとを備える。

図１３Ａに示すように、コロ搬送ステージ６５ａは、第１の搬送装置３３を用いて搬送されたＬＣＤ基板Ｇを一時的に載置する。ＬＣＤ基板Ｇを左側へオフセットさせるときには、コロ搬送ステージ６５ａを、矢印２０３ａに示すようにＬＣＤ基板Ｇが載置された状態でＹ方向に沿って左側に移動させる。コロ搬送ステージ６５ａを左側に移動させた後、コロ４６を回転させてＬＣＤ基板ＧをＸ方向に沿って移動させる。これにより、ＬＣＤ基板Ｇは、Ｙ方向に沿って左側にオフセットされた状態で導入ステージ１２ａへ搬送される（図１３Ｂ）。反対に、ＬＣＤ基板Ｇを右側へオフセットさせるときには、コロ搬送ステージ６５ａは、矢印２０３ｂに示すようにＬＣＤ基板Ｇが載置された状態でＹ方向に沿って右側に移動させる。右側に移動させた後、コロ４６を回転させてＬＣＤ基板ＧをＸ方向に沿って移動させることで、ＬＣＤ基板Ｇは、Ｙ方向に沿って右側にオフセットされた状態で導入ステージ１２ａへ搬送される（図１３Ｃ）。

さらに、本例のオフセット機構１３０ｂは、オフセット機構１３０ａと同様に、ＬＣＤ基板Ｇをオフセットさせるオフセット機能に加えて、ＬＣＤ基板Ｇの位置を、目標の位置に合わせる位置合わせ（アライメント）機能を備えている。位置合わせ機能は、ＬＣＤ基板Ｇの位置を、例えば、ＬＣＤ基板Ｇが搬送方向（Ｘ方向）に対して斜めにならないようにして、かつ、ＬＣＤ基板Ｇがステージ１２からオーバーハングしないように、又はオーバーハングする量が減るように、目標の位置に合わせる。

位置合わせの例としては、例えば、図１３Ａに示すように、コロ搬送ステージ６５ａを移動させる前に、例えば、位置合わせすべき位置に、ＬＣＤ基板Ｇの四隅、又は対角となる二つの隅に対応して設けられたアライメントマーク１３３を位置合わせの目標としながら、コロ搬送ステージ６５ａ上でＬＣＤ基板Ｇを微動させながら行う。

なお、本例ではコロ搬送ステージ６５ａが左右に移動する。よって、位置合わせのための微動は、コロ搬送ステージ６５ａを移動させる機構とは別に、コロ搬送ステージ６５ａ上でＬＣＤ基板Ｇを微動させる位置合わせ機構、例えば、位置合わせ用マニュピレータ（図示せず）を設け、この位置合わせ用マニュピレータを利用するようにすれば良い。

また、図１３Ｂ、又は図１３Ｃに示すように、位置合わせは、ＬＣＤ基板Ｇを導入ステージ１２ａに導入した後に行っても良い。この場合には、オフセットされて導入されたＬＣＤ基板Ｇを、例えば、位置合わせすべき位置に、ＬＣＤ基板Ｇの四隅、又は対角となる二つの隅に対応して設けられたアライメントマーク１３３を位置合わせの目標としながら、導入ステージ１２ａ上でＬＣＤ基板Ｇを微動させながら行えば良い。この場合には、位置合わせのためのＬＤＣ基板Ｇの微動は、コロ搬送ステージ６５ａを移動させる機構とは別に設けられた、導入ステージ１２ａ上でＬＣＤ基板Ｇを微動させる位置合わせ機構、例えば、位置合わせ用マニュピレータ（図示せず）を利用すれば良い。

なお、上記位置合わせ機能は、オフセット機構１３０ｂと一体的に設ける必要は必ずしもなく、例えば、処理される基板、本例ではＬＣＤ基板Ｇを、このＬＣＤ基板Ｇがオフセットされる前、又はオフセットされた後に目標の位置に合わせる位置合わせ機構を、オフセット機構１３０ｂとは別に設けることで実現されても良い。

また、本例においても、右側キャリア１３Ｒ、及び左側キャリア１３ＬによるＬＣＤ基板Ｇの吸着保持は、ＬＣＤ基板Ｇの位置合わせが終わった後にされることが良い。

ＬＣＤ基板Ｇのオフセットは、他例に係る被処理基板オフセット機構１３０ｂのように、パスユニット６５で行うことも可能である。

図６に戻り、本例では、右側キャリア１３Ｒが導入ステージ１２ａにあるので、ステップ２に示すように、ＬＣＤ基板ＧをＹ方向に沿って右側にオフセットさせる。次いで、ステップ６に示すように、右側キャリア１３Ｒにより搬送を開始する。ステップ６における状態は、図８Ａに示すとおりであり、右側キャリア１３Ｒのみが右側ガイドレール５１Ｒに沿ってＸ方向に移動することで、右側にオフセットされたＬＣＤ基板Ｇが導入ステージ１２ａから塗布ステージ１２ｂへと浮上搬送される。右側キャリア１３Ｒ、及び左側キャリア１３Ｌの一例を図１４に示す。

図１４は、一例に係る右側キャリア及び左側キャリアを概略的に示したＹ方向に沿う断面図である。

図１４に示すように、右側キャリア１３Ｒ及び左側キャリア１３Ｌは、ＬＣＤ基板ＧのＹ方向の端部を保持する保持部材１５Ｒ、１５Ｌと、ステージ１２のＹ方向側面にＸ方向に延在するように配置されたガイドレール５１Ｒ、５１Ｌと、保持部材１５Ｒ、１５Ｌを保持し、ガイドレール５１Ｒ、５１Ｌと嵌合した連結部材５０Ｒ、５０Ｌと、連結部材５０ＲをＸ方向で往復移動させる右側Ｘ軸駆動機構５３Ｒと、連結部材５０ＬをＸ方向で往復移動させる左側Ｘ軸駆動機構５３Ｌと、を備えている。

保持部材１５Ｒ、１５Ｌはそれぞれ、ＬＣＤ基板Ｇを吸着保持するための吸着パッド４８Ｒ、又は４８Ｌが１個以上設けられた構造を有する。吸着パッド４８Ｒは真空ポンプ等の右側減圧機構５２Ｒを動作させることにより、右側にオフセットされたＬＣＤ基板Ｇを吸着保持することができるようになっている。同様に、吸着パッド４８Ｌは、左側減圧機構５２Ｌを動作させることにより、左側にオフセットされたＬＣＤ基板Ｇを吸着保持することができるようになっている。吸着パッド４８Ｒ、４８Ｌは、ＬＣＤ基板Ｇにおいてレジスト液が塗布されない部分の裏面側、つまりＬＣＤ基板Ｇの裏面周縁部で、ＬＣＤ基板Ｇを保持する。

右側Ｘ軸駆動機構５３Ｒ、及び左側Ｘ軸駆動機構５３Ｌとしては、例えば、ベルト駆動機構や、ボールねじ、エアースライダ、電動スライダ等が挙げられる。右側Ｘ軸駆動機構５３Ｒ、及び左側Ｘ軸駆動機構５３Ｌは、互いに独立した動作が可能であり、右側キャリア１３Ｒ、左側キャリア１３Ｌをそれぞれ独立して動作させる。

また、右側減圧機構５２Ｒ、及び左側減圧機構５２Ｌも、互いに独立した動作が可能であり、吸着パッド４８Ｒによる右側にオフセットされたＬＣＤ基板Ｇの吸着保持、及び吸着パッド４８Ｌによる左側にオフセットされたＬＣＤ基板Ｇの吸着保持をそれぞれ個別に行う。

これら右側Ｘ軸駆動機構５３Ｒ及び左側Ｘ軸駆動機構５３Ｌ、並びに右側減圧機構５２Ｒ及び左側減圧機構５２Ｌは、図５に示した制御ユニット１４０、特に、プロセスコントローラ１４０ａによって制御される。

図６に戻り、ＬＣＤ基板Ｇを右側キャリア１３Ｒにより浮上搬送しながら、ＬＣＤ基板Ｇを導入ステージ１２ａから塗布ステージ１２ｂへと進める。ＬＣＤ基板Ｇの先端が右側レジスト供給ノズル１４Ｒの下に進んできたら、ステップ７に示すように、右側レジスト供給ノズル１４Ｒを用いてＬＣＤ基板Ｇ上にレジストを供給しつつ、ＬＣＤ基板ＧをＸ方向に引き続き浮上搬送させながらＬＣＤ基板Ｇ上にレジストを塗布していく。浮上搬送を続け、ＬＣＤ基板Ｇの末端が右側レジスト供給ノズル１４Ｒの下から外れたとき、もしくは外れる直前にレジストの供給を止め、レジスト塗布を終了する。レジスト塗布終了後の状態を、図８Ｂに示す。

次に、ステップ８に示すように、本例では、レジスト塗布終了後、次のＬＣＤ基板Ｇ（Ｇ２）の塗布処理を開始する（浮上塗布開始）。次の塗布処理開始に際し、本例では、ステップ９に示すように、所定数のＬＣＤ基板Ｇの処理が終了したか否かを、まず判断する。ＬＣＤ基板Ｇの処理を所定数終了した、と判断された場合には（Ｙｅｓ）、塗布処理を終了する。反対に、ＬＣＤ基板Ｇの処理が所定数に達していない、と判断された場合には（Ｎｏ）、ステップ１に戻り、ステップ１以降の手順を繰り返す。

さらに、本例では、次の塗布処理を開始するとともに、塗布が終了した右側レジスト供給ノズル１４Ｒのノズルフォーミングを行う（ステップ１０）。ノズルフォーミングを行うノズル洗浄ユニットの一例を、図１５乃至図１７Ｂに示す。

図１５は一例に係るノズル洗浄ユニットを概略的に示した平面図、図１６は一例に係るノズル洗浄ユニットを概略的に示したＸ方向に沿う断面図、図１７Ａ及び図１７Ｂは、一例に係るノズル洗浄ユニットを概略的に示したＹ方向に沿う断面図である。

図１５に示すように、一例に係るノズル洗浄ユニット１５は、塗布ステージ１２ｂ上に、例えば固定配置された右側レジスト供給ノズル１４Ｒを洗浄する右側ノズル洗浄ユニット１５Ｒと、左側レジスト供給ノズル１４Ｌを洗浄する左側ノズル洗浄ユニット１５Ｌと、を備える。本例では、右側ノズル洗浄ユニット１５Ｒと、左側ノズル洗浄ユニット１５Ｌとは、同様の構成を有している。よって、以下の説明は、右側ノズル洗浄ユニット１５Ｒに着目して行い、左側ノズル洗浄ユニット１５Ｌに関する説明は、参照符号の末尾に“Ｌ”を付すことで省略することにする。

図１５及び図１６に示すように、右側ノズル洗浄ユニット１５Ｒは、ダミーディスペンス部５７Ｒと、ノズルバス５８Ｒと、ノズル洗浄機構５９Ｒと、を備えている。

ダミーディスペンス部５７Ｒでは、ＬＣＤ基板Ｇへのレジスト液を供給する前に、予備的に右側レジスト供給ノズル１４Ｒからレジスト液を吐出させる、所謂、ダミーディスペンスが行われる。

本例のダミーディスペンス部５７Ｒは、プライミングローラー１１１Ｒと、ローラー洗浄用バス１１３Ｒと、ワイパー１１４Ｒと、を備えている。

プライミングローラー１１１Ｒは、円柱形状であり、その長手方向が右側レジスト供給ノズル１４Ｒの長手方向と平行となるように配置される。プライミングローラー１１１Ｒは、回転機構１１２ＲによりＹ軸を回転軸として一方向に回転しながら右側レジスト供給ノズル１４Ｒから吐出されるレジスト液を受ける。ローラー洗浄用バス１１３Ｒには、シンナー等の溶剤が貯留されている。貯留された溶剤に、プライミングローラー１１１Ｒの下部が浸されることで、プライミングローラー１１１Ｒに付着したレジスト液が溶解され、プライミングローラー１１１Ｒが洗浄される。ワイパー１１４Ｒは、プライミングローラー１１１Ｒに付着したレジスト液及びシンナーを除去する。

ダミーディスペンス部５７Ｒにおけるダミーディスペンスは、右側レジスト供給ノズル１４Ｒをプライミングローラー１１１Ｒの上端に近接して保持し、右側レジスト供給ノズル１４Ｒから吐出されたレジスト液を、回転するプライミングローラー１１１Ｒの表面に塗布する。その後、ローラー洗浄用バス１１３Ｒに貯留された溶剤によって、レジスト液のほとんどが溶解される。回転するプライミングローラー１１１Ｒはローラー洗浄用バス１１３Ｒから溶剤を巻き上げるが、ワイパー１１４Ｒが溶剤を掻き取ってローラー洗浄用バス１１３Ｒへ戻す。このため、右側レジスト供給ノズル１４Ｒがダミーディスペンスを行う位置では、プライミングローラー１１１Ｒには、実質的にレジスト液及び溶剤の双方が付着していない状態となる。

ノズルバス５８Ｒでは、右側レジスト供給ノズル１４Ｒのレジスト吐出口が乾燥しないようにレジスト吐出口を溶剤（例えば、シンナー）の蒸気雰囲気での保持が行われる。

ノズルバス５８Ｒは、右側レジスト供給ノズル１４Ｒと同様にＹ方向を長手方向とし、シンナー等の溶剤が貯留されたタンクである。溶剤が蒸発しないように右側レジスト供給ノズル１４Ｒを上から被せるように配置することで、右側レジスト供給ノズル１４Ｒのレジスト吐出口の乾燥が抑制される。

ノズル洗浄機構５９Ｒでは、右側レジスト供給ノズル１４Ｒのレジスト吐出口の近傍に付着したレジストの除去が行われる。

ノズル洗浄機構５９Ｒは、シンナー吐出ノズル１１５Ｒと、シンナー排出管１１６Ｒと、ノズル洗浄ヘッド１２０Ｒと、ヘッドスキャン機構１１８Ｒと、を備えている。

シンナー吐出ノズル１１５Ｒは、右側レジスト供給ノズル１４Ｒのレジスト吐出口の近傍に向けてシンナー等の洗浄液を吐出する。シンナー排出管１１６Ｒは、右側レジスト供給ノズル１４Ｒを洗浄したシンナーを吸引回収する。ノズル洗浄ヘッド１２０Ｒは、右側レジスト供給ノズル１４Ｒのレジスト吐出口の近傍に向けて窒素ガス等の所定のガスを噴射するガス噴射ノズル１１７Ｒを有する。ヘッドスキャン機構１１８Ｒは、ノズル洗浄ヘッド１２０ＲをＹ方向にスキャンさせる。

ノズル洗浄機構５９Ｒは、シンナー吐出ノズル１１５Ｒからシンナーを、また必要に応じてガス噴射ノズル１１７Ｒから窒素ガスをシンナーと同時に、右側レジスト供給ノズル１４Ｒのレジスト吐出口の近傍に向けて吐出しながら、ノズル洗浄ヘッド１２０Ｒを、右側レジスト供給ノズル１４Ｒの長手方向（Ｙ方向）にスキャンさせることによって、右側レジスト供給ノズル１４Ｒに付着したレジストを除去する。

このようなノズルフォーミングを行うために、本例のレジスト処理ユニット２３は、図１５、図１７Ａ及び図１７Ｂに示すように、右側レジスト供給ノズル１４Ｒを移動させる右側ノズル移動機構２０Ｒ、及び左側レジスト供給ノズル１４Ｌを移動させる左側ノズル移動機構２０Ｌを、備えている。本例では、右側ノズル移動機構２０Ｒ、及び左側ノズル移動機構２０Ｌの双方とも、同様の構成を有しているので、左側ノズル移動機構２０Ｌに関する説明は、参照符号の末尾に“Ｌ”を付すことで省略することにする。

図１７Ａに示すように、右側ノズル移動機構２０Ｒは、右側レジスト供給ノズル１４Ｒを、その長手方向をＹ方向に一致させた状態で保持し、右側レジスト供給ノズル１４ＲをＺ方向に昇降させるＺ軸駆動機構３０Ｒと、Ｚ軸駆動機構３０Ｒを保持する支柱部材５４Ｒと、支柱部材５４ＲをＸ方向に移動させる移動手段、例えば、ボールネジ５５Ｒを駆動するＸ軸駆動機構５６Ｒと、を備えている。

上記右側ノズル移動機構２０Ｒを備えることによって、図１７Ｂに示すように、右側レジスト供給ノズル１４Ｒは、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を供給する位置から右側ノズル洗浄ユニット１５Ｒの各処理位置までＸ方向に移動することができ、また、レジスト液を供給する位置の上方、及び右側ノズル洗浄ユニット１５Ｒの各処理位置の上方それぞれにおいては、Ｚ方向に移動することができる。

このようなノズルフォーミングを行っている最中にも、本例では、レジスト塗布が終了したＬＣＤ基板Ｇの搬送、及び次に処理されるＬＣＤ基板Ｇ２の搬送が行うことができる。まず、レジスト塗布が終了したＬＣＤ基板Ｇの動きから、引き続き説明する。

ＬＣＤ基板Ｇが引き続き浮上搬送され、搬出ステージ１２ｃに到達すると、ＬＣＤ基板Ｇを、減圧乾燥装置２３ｂへ搬送するために、右側キャリア１３Ｒによる吸着解除、リフトピンによる持ち上げ、並びに搬送アーム１９による搬送が行われる（ステップ１１）。搬出ステージ１２ｃの一例を図１８Ａ及び図１８Ｂに示す。

図１８Ａ及び図１８Ｂは、一例に係る搬出ステージを概略的に示したＹ方向に沿う断面図である。

図１８Ａに示すように、搬出ステージ１２ｃには、リフトピン４７が設けられている。ＬＣＤ基板Ｇが搬出ステージ１２ｃに到達すると、右側キャリア１３Ｒによる吸着が解除される。

次に、図１８Ｂに示すように、リフトピン４７をＺ方向に上昇させ、ＬＣＤ基板ＧをＺ方向に持ち上げる。次いで、搬送アーム１９をＹ方向に移動させ、ＬＣＤ基板ＧのＹ方向端でＬＣＤ基板Ｇを把持する。ＬＣＤ基板Ｇが搬送アーム１９に把持された後、搬送アーム１９をＺ方向に上昇させ、ＬＣＤ基板Ｇをリフトピン４７から離す。ＬＣＤ基板Ｇがリフトピン４７から離れたら、リフトピン４７をＺ方向に下降させる。

本例では、上記ステップ１１の最中に、次に処理されるＬＣＤ基板Ｇ２を処理するために、ステップ１以降の手順が行われている。

本例では、図９Ａに示すように、導入ステージ１２ａに、右側キャリア１３Ｒは無いが、左側キャリア１３Ｌがある。このため、ステップ３における、“左側キャリア有り”の判断に基づいて、ステップ４に進み、被処理基板オフセット機構１３０を用いて、ＬＣＤ基板Ｇ（被処理基板）をＹ方向に沿って左側にオフセットさせる。

次に、搬送アーム１９に把持されたＬＣＤ基板Ｇについては、搬出ステージ１２ｃから減圧乾燥装置２３ｂに搬送アーム１９を用いて搬送し、ＬＣＤ基板Ｇをチャンバ１８内に設けられた載置台１７に載置する。この後、チャンバ１８内で、塗布されたレジストを減圧乾燥する。この動作の最中に、本例では、右側キャリア１３Ｒを搬出ステージ１２ｃから導入ステージ１２ａへの戻し操作（ステップ１２）と、左側キャリア１３ＬによるＬＣＤ基板Ｇ２の浮上搬送と（ステップ１３）とが行われる。この状態を、図９Ｂに示す。

次に、ＬＣＤ基板Ｇ２を左側キャリア１３Ｌにより浮上搬送しながら、ＬＣＤ基板Ｇ２を導入ステージ１２ａから塗布ステージ１２ｂへと進める。この後、ステップ１４に示すように、上述のＬＣＤ基板Ｇと同様に、今度は左側レジスト供給ノズル１４Ｌを用いてＬＣＤ基板Ｇ２上にレジストを供給しつつ、ＬＣＤ基板Ｇ２をＸ方向に引き続き浮上搬送させながらＬＣＤ基板Ｇ２上にレジストを塗布していく。

次に、ステップ１５に示すように、本例では、ＬＣＤ基板Ｇ２に対するレジスト塗布終了後、次の次に処理されるＬＣＤ基板Ｇ（Ｇ３）の塗布処理を開始する（浮上塗布開始）。ＬＣＤ基板Ｇ２に対するレジスト塗布終了後の状態を、図１０Ａに示す。ＬＣＤ基板Ｇ２のレジスト塗布終了後においても、ＬＣＤ基板Ｇのレジスト塗布終了後と同様に、ステップ９に示すように、所定数のＬＣＤ基板の処理が終了したか否かを判断し、ＬＣＤ基板の処理を所定数終了した、と判断された場合には（Ｙｅｓ）、塗布処理を終了し、反対に、ＬＣＤ基板の処理が所定数に達していない、と判断された場合には（Ｎｏ）、ステップ１に戻り、ステップ１以降の手順を繰り返す。

次に、ステップ１６に示すように、右側レジスト供給ノズル１４Ｒと同様に、塗布が終了した左側レジスト供給ノズル１４Ｌのノズルフォーミングを行う。

次に、ステップ１７に示すように、レジスト塗布が終了したＬＣＤ基板Ｇ２を、減圧乾燥装置２３ｂへ搬送するために、ＬＣＤ基板Ｇと同様に、左側キャリア１３Ｌによる吸着解除、リフトピンによる持ち上げ、並びに搬送アーム１９による搬送を行う。

さらに、ステップ１７の最中に、次の次に処理されるＬＣＤ基板Ｇ３を処理するために、ステップ１以降の手順が行われる。

本例では、図１０Ｂに示すように、導入ステージ１２ａに、右側キャリア１３Ｒが有るので、ステップ１における、“右側キャリア有り”の判断に基づいて、ステップ２に進み、被処理基板オフセット機構１３０を用いて、ＬＣＤ基板Ｇ３をＹ方向に沿って右側にオフセットさせる。

次に、ステップ１８に示すように、左側キャリア１３Ｌを搬出ステージ１２ｃから導入ステージ１２ａへ戻す操作を行う。この戻し操作と並行して、ステップ６に示す右側キャリア１３ＲによるＬＣＤ基板Ｇ３の浮上搬送を行う。

このような動作を繰り返すことで、所定枚数のＬＣＤ基板Ｇ上に、レジストが塗布されていく。

上記一実施形態に係るレジスト処理ユニット２３による利点を、図面を参照して説明する。

図１９Ａ及び図１９Ｂは、一実施形態に係るレジスト処理ユニット２３による塗布の均一性向上の原理を示すＹ方向に沿う断面図である。

図１９Ａに示すように、ＬＣＤ基板Ｇをオフセットさせない場合には、ＬＣＤ基板Ｇがステージ１２上からオーバーハングするので、オーバーハングした部分において、撓みδが生じる。ＬＣＤ基板Ｇのうち、撓みδを生じた部分においては、例えば、レジスト供給ノズル１４のレジスト吐出口からの距離ｌが変わってしまうので、レジストの均一な塗布が困難となる。

しかしながら、一実施形態に係るレジスト処理ユニット２３は、ＬＣＤ基板Ｇをオフセットさせるので、オーバーハング量を減らすことができる、又は図１９Ｂに示すように、ＬＣＤ基板Ｇがステージ１２上からオーバーハングしないようにオフセットさせることができる。よって、ＬＣＤ基板Ｇをオフセットさせない場合に比較して、ＬＣＤ基板Ｇを撓み難くすることができる。

さらに、ＬＣＤ基板Ｇをオフセットさせる場合には、右側キャリア１３Ｒ及び左側キャリア１３Ｌを駆動する駆動機構を、オフセットさせない場合に比較して簡素化できる、という利点も併せて得ることができる。この利点を、図２０Ａ及び図２０Ｂを参照して説明する。

図２０Ａ及び図２０Ｂは、一実施形態に係るレジスト処理ユニット２３による駆動機構の簡素化の原理を示すＹ方向に沿う断面図である。

図２０Ａに示すように、ＬＣＤ基板Ｇをオフセットさせない場合には、例えば、右側キャリア１３Ｒを用いてＬＣＤ基板Ｇを搬送しながら、左側キャリア１３Ｌを導入ステージ１２ａに戻そうとすると、左側キャリア１３Ｌが搬送中のＬＣＤ基板Ｇに衝突してしまう。このため、左側キャリア１３Ｌには搬送に使用するＸ軸駆動機構に加え、衝突回避機構として、図中（１）に示すように、左側キャリア１３ＬをＹ方向に逃がすためのＹ軸駆動機構、あるいは図中（２）に示すように、左側キャリア１３ＬをＺ方向に逃がすためのＺ軸駆動機構が必要となる。これは右側キャリア１３Ｒにおいても同様である。

対して、図２０Ｂに示すように、ＬＣＤ基板Ｇをオフセットさせる場合には、例えば、右側キャリア１３Ｒを用いてＬＣＤ基板Ｇを搬送しながら、左側キャリア１３Ｌを導入ステージ１２ａに戻しても、ＬＣＤ基板Ｇが右側にオフセットしているから、左側キャリア１３Ｌはそのまま戻しても搬送中のＬＣＤ基板Ｇに衝突しない。よって、キャリア１３Ｌ及び１３Ｒそれぞれには、キャリア１３Ｌ及び１３ＲをＹ方向に逃がすためのＹ軸駆動機構、あるいはＺ方向に逃がすためのＺ軸駆動機構が必要なく、キャリア１３Ｌ及び１３Ｒを駆動する駆動機構を、ＬＣＤ基板Ｇをオフセットさせない場合に比較して簡素化できる。

キャリア１３Ｌ及び１３Ｒの駆動機構が簡素化されると、例えば、キャリア１３Ｌ及び１３Ｒの駆動機構から発生するパーティクルを減らすことが可能になるなど、塗布膜形成装置の清浄化に有利にはたらく。清浄度が高い塗布膜形成装置は、例えば、ＬＣＤ基板に形成される素子の微細化の進展にも対応しやすい。

さらに、ＬＣＤ基板Ｇをオフセットさせる場合には、装置設計の自由度を高めることが可能な、いわゆる寸法余裕も得ることができる。

図２１Ａ及び図２１Ｃは、一実施形態に係るレジスト処理ユニット２３による寸法余裕が得られる原理をＹ方向に沿う断面図である。

例えば、図２１Ａに示すように、ＬＣＤ基板Ｇをオフセットさせることでできた余裕Ｍを利用して、搬送ステージ１２のＹ方向に沿った幅Ｗｙｓを広くすることもできる。搬送ステージ１２のＹ方向の沿った幅Ｗｙｓを広くすれば、搬送ステージ１２の面積が大きくなるので、ＬＣＤ基板Ｇを、より広い面積で搬送ステージ１２上に位置させることが可能となる。ＬＣＤ基板Ｇを、より広い面積で搬送ステージ１２上に位置させることができれば、例えば、ガス噴射による浮上力を向上させやすくなるので、大型のＬＣＤ基板Ｇの浮上搬送に有利である。

また、図２１Ｂに示すように、余裕Ｍを利用して、吸着パッド４８Ｒ、及び４８Ｌの大きさ、特に、Ｙ方向に沿った幅Ｗｙｐを、搬送ステージ１２のＹ方向に沿った幅Ｗｙｓを変えることなく、吸着パッド４８Ｒ、及び４８Ｌを大きくすることも可能である。吸着パッド４８Ｒ、及び４８ＬのＹ方向に沿った幅Ｗｙｐを大きくすることで、吸着パッド４８Ｒ、及び４８Ｌの吸着面積を拡大することができる。吸着面積を拡大されれば、吸着力を向上させやすくなるので、これもまた大型のＬＣＤ基板Ｇの浮上搬送に有利に作用する。

また、図２１Ｃに示すように、余裕Ｍを利用して、吸着パッド４８Ｒ、及び４８ＬのＹ方向に沿った幅Ｗｙｐと、ステージ１２のＹ方向に沿った幅Ｗｙｓとを、同時に広げることも可能である。

最後に、処理時間の短縮効果を説明する。

図２２Ａ及び図２２Ｂは、一実施形態に係るレジスト処理ユニット２３による処理時間短縮の原理を示す図である。

図２２Ａに示すように、塗布の後、戻し操作（戻し）をシリアルに実行するレジスト処理ユニットでは、戻し操作に要する時間が必要である。

対して、図２２Ｂに示すように、一実施形態のように塗布中に戻し操作を行うと、戻し操作に要する時間が見掛け上無くすことが可能となり、処理時間の短縮を図ること、即ちスループットの向上が可能となる。

さらに、図２２Ａに示すように、塗布の前に、ノズルフォーミング（フォーミング）を実行するレジスト処理ユニットでは、ノズルフォーミングに要する時間も必要である。

対して、一実施形態に係るレジスト処理ユニット２３は、右側レジスト供給ノズル１４Ｒと、左側レジスト供給ノズル１４Ｌとの２つのレジスト供給ノズルを備えている。このため、他方のレジスト供給ノズルがレジスト液を供給している間でも、レジスト供給ノズルのノズルフォーミングを行うことができる。

従って、図２２Ａに示すように、レジスト供給ノズルが一つしかなく、レジスト供給中にノズルフォーミング（フォーミング）行うことができず、塗布前にノズルフォーミングを行うレジスト処理ユニットに比較して、図２２Ｂに示すように、ノズルフォーミングに要する時間までも、見掛け上無くすことが可能となる。

このように、一実施形態では、右側レジスト供給ノズル１４Ｒと、左側レジスト供給ノズル１４Ｌとを設け、他方のレジスト供給ノズルが塗布液を供給している間でも、ノズルフォーミングを行えるようにすることで、処理時間をより短縮でき、スループットをさらに向上させることもできる。

このように、一実施形態に係るレジスト処理ユニット２３によれば、処理される基板をオフセットさせることで、スループットが良く、しかも精度の高い塗布膜の形成が可能な塗布膜形成装置及び基板搬送方法を得ることができる。

さらには、処理される基板をオフセットさせることで、キャリアの駆動機構を簡素化できる利点や、さらには、大型の基板を搬送可能なように設計しやすくなる、という利点も得ることができる。

以上、この発明を一実施形態に従って説明したが、この発明は上記一実施形態に限定されるものではなく、種々の変形可能である。また、上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。

例えば、上記一実施形態においては、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５からレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａへのＬＣＤ基板の搬入は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に基板搬送アームを設け、かつ、導入ステージ部１２ａにリフトピンを設けて、この基板搬送アームが保持したＬＣＤ基板をリフトピンに受け渡すようにしても良い。この場合には、ＬＣＤ基板のオフセットは、パスユニット６５で行っておくことが望ましい。

また、上記一実施形態においては、塗布膜としてレジスト膜を取り上げたが、塗布膜はこれに限定されるものではなく、反射防止膜や感光性を有さない絶縁膜等であってもよいし、実施形態の冒頭でも述べたようにカラーフィルタであっても良い。

また、上記一実施形態においては、レジスト供給ノズルを右側レジスト供給ノズル１４Ｒ、及び左側レジスト供給ノズル１４Ｌの２つを設けたが、例えば、図２３に示すように、１つのレジスト供給ノズル１４ａのみを設けるようにしても良い。この場合には、図２４Ａ及び図２４Ｂに示すように、レジスト供給ノズル１４ａをＹ方向に駆動するＹ軸駆動機構１５０が接続された保持部材１５１を用いて保持し、右側にオフセットされたＬＣＤ基板Ｇに対する塗布の際には、Ｙ軸駆動機構１５０により保持部材１５１をＹ方向に沿って右側にオフセットさせることでレジスト供給ノズル１４ａを右側にオフセットさせ（図２４Ａ）、左側にオフセットされたＬＣＤ基板Ｇに対する塗布の際には、保持部材１５１をＹ方向に沿って左側にオフセットさせることでレジスト供給ノズル１４ａを左側にオフセットさせるようにすると良い（図２４Ｂ）。

このような、レジスト供給ノズル１４ａを１つだけ備えたレジスト処理ユニットは、例えば、ノズルフォーミングの必要がない場合に、特に有効である。

また、処理される基板としては、ＬＣＤ基板に限られることはなく、有機ＥＬパネル等を含むいわゆるＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）であれば良く、また、ＦＰＤ以外の基板としては、例えば、半導体ウエハ等の半導体基板であっても良い。

レジスト塗布・現像処理システムの概略平面図 第１の熱的処理ユニットセクションの概略側面図 第２の熱的処理ユニットセクションの概略側面図 第３の熱的処理ユニットセクションの概略側面図 この発明の一実施形態に係るレジスト処理ユニットの一例を概略的に示す平面図 この発明の一実施形態に係るレジスト処理ユニットの搬送制御の一例を示す流れ図 主要な手順におけるレジスト処理ユニットの状態を概略的に示す平面図 主要な手順におけるレジスト処理ユニットの状態を概略的に示す平面図 主要な手順におけるレジスト処理ユニットの状態を概略的に示す平面図 主要な手順におけるレジスト処理ユニットの状態を概略的に示す平面図 主要な手順におけるレジスト処理ユニットの状態を概略的に示す平面図 一例に係る被処理基板オフセット機構を概略的に示す平面図 他例に係る被処理基板オフセット機構を概略的に示す平面図 一例に係る右側キャリア及び左側キャリアを概略的に示す断面図 一例に係るノズル洗浄ユニットを概略的に示した平面図 一例に係るノズル洗浄ユニットを概略的に示したＸ方向に沿う断面図 一例に係るノズル洗浄ユニットを概略的に示したＹ方向に沿う断面図 一例に係る搬出ステージを概略的に示した断面図 塗布の均一性向上の原理を示す断面図 駆動機構の簡素化の原理を示すＹ方向に沿う断面図 寸法余裕が得られる原理をＹ方向に沿う断面図 処理時間短縮の原理を示す図 この発明の一実施形態の変形例に係るレジスト処理ユニットの一例を概略的に示す平面図 変形例に係るレジスト処理ユニットが備えるレジスト液供給ノズルを概略的に示す断面図

符号の説明

１２…搬送ステージ、１２ａ…導入ステージ（導入部）、１２ｂ…塗布ステージ（塗布部）、１２ｃ…搬出ステージ（搬出部）、１３Ｒ…右側キャリア、１３Ｌ…左側キャリア、１４…塗布液供給機構、１４Ｒ…右側レジスト液供給ノズル、１４Ｌ…左側レジスト液供給ノズル、１４ａ…レジスト液供給ノズル、１３０…被処理基板オフセット機構、Ｇ…ＬＣＤ基板（処理される基板）

Claims (18)

1. 処理される基板を一方向に搬送しながらこの基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
   前記処理される基板が導入される導入部、前記処理される基板に前記塗布液が供給される塗布部、及び前記処理される基板が搬出される搬出部を有する搬送ステージと、
   前記処理される基板を、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側、及び前記一方向と直交する方向の他方の片側のいずれかにオフセットさせる被処理基板オフセット機構と、
   前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側に配置され、前記処理される基板を前記一方向と直交する方向の片端で保持し、この保持した基板を前記一方の片側にオフセットさせた状態で、前記搬送ステージ上を、前記導入部、前記塗布部、及び前記搬出部の順で前記一方向に搬送する第１のキャリアと、
   前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の他方の片側に配置され、前記処理される基板を前記一方向と直交する方向の片端で保持し、この保持した基板を前記他方の片側にオフセットさせた状態で、前記搬送ステージ上を、前記導入部、前記塗布部、及び前記搬出部の順で前記一方向に搬送する、前記第１のキャリアとは独立して動作することが可能な第２のキャリアと、
   前記搬送ステージの塗布部の上方に設けられ、前記処理される基板の表面に前記塗布液を供給する塗布液供給機構と、
   を具備し、
   前記第１のキャリア及び前記第２のキャリアは前記一方向に延在するように配置されたガイドレールに沿って前記一方向に移動し、
   前記第１のキャリア又は前記第２のキャリアを前記搬出部から前記導入部に戻すとき、
   前記被処理基板オフセット機構が、前記基板を、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側、及び前記一方向と直交する方向の他方の片側のいずれかにオフセットさせることで、前記第１のキャリア又は前記第２のキャリアが、搬送中の前記基板に衝突しないように構成されていることを特徴とする塗布膜形成装置。
2. 処理される基板を一方向に搬送しながらこの基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
   前記処理される基板が導入される導入部、前記処理される基板に前記塗布液が供給される塗布部、及び前記処理される基板が搬出される搬出部を有する搬送ステージと、
   前記処理される基板を、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側、及び前記一方向と直交する方向の他方の片側のいずれかにオフセットさせる被処理基板オフセット機構と、
   前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側に配置され、前記処理される基板を前記一方向と直交する方向の片端で保持し、この保持した基板を前記一方の片側にオフセットさせた状態で、前記搬送ステージ上を、前記導入部、前記塗布部、及び前記搬出部の順で前記一方向に搬送する第１のキャリアと、
   前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の他方の片側に配置され、前記処理される基板を前記一方向と直交する方向の片端で保持し、この保持した基板を前記他方の片側にオフセットさせた状態で、前記搬送ステージ上を、前記導入部、前記塗布部、及び前記搬出部の順で前記一方向に搬送する、前記第１のキャリアとは独立して動作することが可能な第２のキャリアと、
   前記搬送ステージの塗布部の上方に設けられ、前記処理される基板の表面に前記塗布液を供給する塗布液供給機構と、
   を具備し、
   前記塗布液供給機構が、
   前記第１のキャリア、又は前記第２のキャリアを用いて搬送されてきた前記処理される基板の表面に塗布液を供給する塗布液供給ノズルを備え、
   前記塗布液供給ノズルが、前記一方の片側及び前記他方の片側のいずれかにオフセットされるように構成されていることを特徴とする塗布膜形成装置。
3. 処理される基板を一方向に搬送しながらこの基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
   前記処理される基板が導入される導入部、前記処理される基板に前記塗布液が供給される塗布部、及び前記処理される基板が搬出される搬出部を有する搬送ステージと、
   前記処理される基板を、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側、及び前記一方向と直交する方向の他方の片側のいずれかにオフセットさせる被処理基板オフセット機構と、
   前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側に配置され、前記処理される基板を前記一方向と直交する方向の片端で保持し、この保持した基板を前記一方の片側にオフセットさせた状態で、前記搬送ステージ上を、前記導入部、前記塗布部、及び前記搬出部の順で前記一方向に搬送する第１のキャリアと、
   前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の他方の片側に配置され、前記処理される基板を前記一方向と直交する方向の片端で保持し、この保持した基板を前記他方の片側にオフセットさせた状態で、前記搬送ステージ上を、前記導入部、前記塗布部、及び前記搬出部の順で前記一方向に搬送する、前記第１のキャリアとは独立して動作することが可能な第２のキャリアと、
   前記搬送ステージの塗布部の上方に設けられ、前記処理される基板の表面に前記塗布液を供給する塗布液供給機構と、
   を具備し、
   前記塗布液供給機構が、
   前記搬送ステージの前記塗布部の上方に、前記一方の片側にオフセットされて設けられ、前記第１のキャリアを用いて搬送されてきた前記処理される基板の表面に塗布液を供給する第１の塗布液供給ノズルと、
   前記搬送ステージの前記塗布部の上方に、前記他方の片側にオフセットされて設けられ、前記第２のキャリアを用いて搬送されてきた前記処理される基板の表面に塗布液を供給する第２の塗布液供給ノズルと、を備えていることを特徴とする塗布膜形成装置。
4. 前記ノズルフォーミングを行うノズル洗浄機構が、前記第１の塗布液供給ノズル、及び前記第２の塗布液供給ノズルのそれぞれに対応して個別に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の塗布膜形成装置。
5. 処理される基板を一方向に搬送しながらこの基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
   前記処理される基板が導入される導入部、前記処理される基板に前記塗布液が供給される塗布部、及び前記処理される基板が搬出される搬出部を有する搬送ステージと、
   前記処理される基板を、前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側、及び前記一方向と直交する方向の他方の片側のいずれかにオフセットさせる被処理基板オフセット機構と、
   前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の一方の片側に配置され、前記処理される基板を前記一方向と直交する方向の片端で保持し、この保持した基板を前記一方の片側にオフセットさせた状態で、前記搬送ステージ上を、前記導入部、前記塗布部、及び前記搬出部の順で前記一方向に搬送する第１のキャリアと、
   前記搬送ステージの前記一方向と直交する方向の他方の片側に配置され、前記処理される基板を前記一方向と直交する方向の片端で保持し、この保持した基板を前記他方の片側にオフセットさせた状態で、前記搬送ステージ上を、前記導入部、前記塗布部、及び前記搬出部の順で前記一方向に搬送する、前記第１のキャリアとは独立して動作することが可能な第２のキャリアと、
   前記搬送ステージの塗布部の上方に設けられ、前記処理される基板の表面に前記塗布液を供給する塗布液供給機構と、
   を具備し、
   前記処理される基板が、前記被処理基板オフセット機構を用いて前記一方の片側及び前記他方の片側に交互にオフセットされ、
   前記交互にオフセットされた基板が、前記第１のキャリア及び前記第２のキャリアを交互に用いて搬送されるように構成され、
   前記第１のキャリアが前記基板を前記搬送ステージの搬出部まで搬送した後、前記第１のキャリアを前記搬送ステージの前記搬出部から前記導入部に戻す第１の戻し動作が、前記第２のキャリアを用いた基板搬送動作とオーバーラップされて実行され、
   前記第２のキャリアが前記基板を前記搬送ステージの搬出部まで搬送した後、前記第２のキャリアを前記搬送ステージの前記搬出部から前記導入部に戻す第２の戻し動作が、前記第１のキャリアを用いた基板搬送動作とオーバーラップされて実行されるように構成され、
   前記塗布液供給機構が、
   前記搬送ステージの前記塗布部の上方に、前記一方の片側にオフセットされて設けられ、前記第１のキャリアを用いて搬送されてきた前記処理される基板の表面に塗布液を供給する第１の塗布液供給ノズルと、
   前記搬送ステージの前記塗布部の上方に、前記他方の片側にオフセットされて設けられ、前記第２のキャリアを用いて搬送されてきた前記処理される基板の表面に塗布液を供給する第２の塗布液供給ノズルと、を備え、
   前記第１の塗布液供給ノズルのノズルフォーミング動作が、前記第１の戻し動作とオーバーラップされて実行され、
   前記第２の塗布液供給ノズルのノズルフォーミング動作が、前記第２の戻し動作とオーバーラップされて実行されるように構成されていることを特徴とする塗布膜形成装置。
6. 前記ノズルフォーミングを行うノズル洗浄機構が、前記第１の塗布液供給ノズル、及び前記第２の塗布液供給ノズルのそれぞれに対応して個別に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の塗布膜形成装置。
7. 前記処理される基板が、前記被処理基板オフセット機構を用いて前記一方の片側及び前記他方の片側に交互にオフセットされ、
   前記交互にオフセットされた基板が、前記第１のキャリア及び前記第２のキャリアを交互に用いて搬送されるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４いずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
8. 前記第１のキャリアが前記基板を前記搬送ステージの搬出部まで搬送した後、前記第１のキャリアを前記搬送ステージの前記搬出部から前記導入部に戻す第１の戻し動作が、前記第２のキャリアを用いた基板搬送動作とオーバーラップされて実行され、
   前記第２のキャリアが前記基板を前記搬送ステージの搬出部まで搬送した後、前記第２のキャリアを前記搬送ステージの前記搬出部から前記導入部に戻す第２の戻し動作が、前記第１のキャリアを用いた基板搬送動作とオーバーラップされて実行されるように構成されていることを特徴とする請求項７に記載の塗布膜形成装置。
9. 前記オフセット機構が、前記処理される基板を、前記搬送ステージの導入部において前記一方の片側、及び前記他方の片側のいずれかにオフセットさせることを特徴とする請求項１乃至請求項８いずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
10. 前記オフセット機構が、前記処理される基板を、前記一方の片側、及び前記他方の片側のいずれかにオフセットさせた状態で、前記搬送ステージの導入部に導入することを特徴とする請求項１乃至請求項８いずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
11. 前記オフセット機構が、前記処理される基板を、この処理される基板がオフセットされる前、又はオフセットされた後に目標の位置に合わせる位置合わせ機能を備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項１０いずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
12. 前記処理される基板を、この処理される基板がオフセットされる前、又はオフセットされた後に目標の位置に合わせる位置合わせ機構を、さらに具備することを特徴とする請求項１乃至請求項１０いずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
13. 前記第１のキャリアが、前記保持した基板を、前記一方の片側にオフセットさせた状態で、前記保持した基板の前記他方の片側の部分を前記搬送ステージ上からオーバーハングさせることなく、前記搬送ステージ上を前記一方向に搬送し、
    前記第２のキャリアが、前記保持した基板を、前記他方の片側にオフセットさせた状態で、前記保持した基板の前記一方の片側の部分を前記搬送ステージ上からオーバーハングさせることなく、前記搬送ステージ上を前記一方向に搬送することを特徴とする請求項１乃至請求項１２いずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
14. 前記搬送ステージが、前記処理される基板を浮上搬送する浮上搬送ステージであることを特徴とする請求項１乃至請求項１３いずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
15. 請求項１乃至請求項３いずれか一項に記載の塗布膜形成装置の基板搬送方法であって、
    前記処理される基板を、前記被処理基板オフセット機構を用いて前記一方の片側及び他方の片側に交互にオフセットさせ、
    前記交互にオフセットされた基板を、第１のキャリア及び第２のキャリアを交互に用いて搬送することを特徴とする塗布膜形成装置の基板搬送方法。
16. 前記第１のキャリアが前記基板を前記搬送ステージの搬出部まで搬送した後、前記第１のキャリアを前記搬送ステージの前記搬出部から前記導入部に戻す第１の戻し動作を、前記第２のキャリアを用いた基板搬送動作とオーバーラップさせ、
    前記第２のキャリアが前記基板を前記搬送ステージの搬出部まで搬送した後、前記第２のキャリアを前記搬送ステージの前記搬出部から前記導入部に戻す第２の戻し動作を、前記第１のキャリアを用いた基板搬送動作とオーバーラップさせることを特徴とする請求項１５に記載の塗布膜形成装置の基板搬送方法。
17. 前記塗布液供給機構が、前記搬送ステージの前記塗布部の上方に、前記一方の片側にオフセットされて設けられ、前記第１のキャリアを用いて搬送されてきた前記処理される基板の表面に塗布液を供給する第１の塗布液供給ノズルと、前記搬送ステージの前記塗布部の上方に、前記他方の片側にオフセットされて設けられ、前記第２のキャリアを用いて搬送されてきた前記処理される基板の表面に塗布液を供給する第２の塗布液供給ノズルと、を備え、
    前記第１の塗布液供給ノズルのノズルフォーミング動作を、前記第１の戻し動作とオーバーラップさせ、
    前記第２の塗布液供給ノズルのノズルフォーミング動作を、前記第２の戻し動作とオーバーラップさせることを特徴とする請求項１６に記載の塗布膜形成装置の基板搬送方法。
18. コンピュータ上で動作し、処理される基板の搬送を制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、
    前記プログラムは、実行時に、請求項１５に記載の基板搬送方法が行われるように、コンピュータに塗布膜形成装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
    

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