JP2000091220A - 投影露光装置及び投影露光方法 - Google Patents
投影露光装置及び投影露光方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射型マスクを用いた投影露光装置におい
て、解像力を低下させず良好な像を得ることができる投
影露光装置を提供する。 【解決手段】 放射光を供給する光源部１００，１０
１，２と、所定のパターンが形成された反射型マスク９
に対して前記放射光を導く照明系４，５，６，８と、前
記反射型マスクにて反射された前記放射光を被露光基板
１１上へ導き、該被露光基板上に前記所定のパターンの
像を形成する投影系１０と、前記反射型マスクと前記被
露光基板との少なくとも一方を相対的に移動させる走査
駆動部ＭＴ１，ＭＴ２とを備え、前記照明系は、前記反
射型マスクと共役な位置近傍に配置される視野絞り７を
有する。
て、解像力を低下させず良好な像を得ることができる投
影露光装置を提供する。 【解決手段】 放射光を供給する光源部１００，１０
１，２と、所定のパターンが形成された反射型マスク９
に対して前記放射光を導く照明系４，５，６，８と、前
記反射型マスクにて反射された前記放射光を被露光基板
１１上へ導き、該被露光基板上に前記所定のパターンの
像を形成する投影系１０と、前記反射型マスクと前記被
露光基板との少なくとも一方を相対的に移動させる走査
駆動部ＭＴ１，ＭＴ２とを備え、前記照明系は、前記反
射型マスクと共役な位置近傍に配置される視野絞り７を
有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は投影露光装置、特に
ＥＵＶＬ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ
Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）と呼ばれる、軟ｘ線を用い
る投影露光装置に関する。
ＥＵＶＬ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ
Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）と呼ばれる、軟ｘ線を用い
る投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の軟ｘ線を用いる投影露光装置の構
成を図２に基づいて説明する。レーザー光源１００より
発したレーザー光（赤外〜可視光）は、集光光学系１０
１により集光位置３に集光される。物体源２より滴下さ
れた物体は、集光位置３において高照度のレーザー光を
受け、その中心部がプラズマ化し、軟ｘ線が発生し、軟
ｘ線の光源となる。軟ｘ線は大気に対する透過率が低い
ため、装置全体は真空チャンバー１により覆われてい
る。集光位置３において発生した軟ｘ線は、平面鏡及び
凹面鏡の組み合わせからなる照明光学系４，５，６を介
して、所定パターンを有する反射型マスク９上に導かれ
る。反射型マスク９により選択的に反射された放射光束
は、投影光学系１０により被露光基板１１に導かれ、マ
スク９上のパターンが被露光基板１１に投影、転写され
る。ここで、光学系４，５，６は、Ｗ．Ｃ．Ｓｗｅａｔ
ｔ， ”Ｈｉｇｈ−Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｃｏｎｄｅ
ｎｓｅｒ Ｄｅｓｉｇｎ ｆｏｒ Ｉｌｌｕｍｉｎａｔ
ｉｎｇ ａ Ｒｉｎｇ Ｆｉｅｌｄ”， ＯＳＡ Ｐｒ
ｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｎ Ｓｏｆｔ Ｘ−Ｒａｙ Ｐ
ｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ， １９
９３， Ｖｏｌ１８．に提案されている光学系に基づい
ている。また、放射光束の波長が軟ｘ線の領域では、十
分な透過率を有する材料が無いため透過型マスクを製造
することは困難である。マスクのべ一スとしてメンブレ
ンと呼ばれる厚さ数μｍの金属薄膜を用いる構成も考え
られるが、メンブレンの透過率は数十％と十分でないこ
と、また熱による変形量が大きいことから、スループッ
トが上げられず、実用化には不向きである。したがっ
て、上記従来の投影露光装置では反射型マスクが用いら
れている。
成を図２に基づいて説明する。レーザー光源１００より
発したレーザー光（赤外〜可視光）は、集光光学系１０
１により集光位置３に集光される。物体源２より滴下さ
れた物体は、集光位置３において高照度のレーザー光を
受け、その中心部がプラズマ化し、軟ｘ線が発生し、軟
ｘ線の光源となる。軟ｘ線は大気に対する透過率が低い
ため、装置全体は真空チャンバー１により覆われてい
る。集光位置３において発生した軟ｘ線は、平面鏡及び
凹面鏡の組み合わせからなる照明光学系４，５，６を介
して、所定パターンを有する反射型マスク９上に導かれ
る。反射型マスク９により選択的に反射された放射光束
は、投影光学系１０により被露光基板１１に導かれ、マ
スク９上のパターンが被露光基板１１に投影、転写され
る。ここで、光学系４，５，６は、Ｗ．Ｃ．Ｓｗｅａｔ
ｔ， ”Ｈｉｇｈ−Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｃｏｎｄｅ
ｎｓｅｒ Ｄｅｓｉｇｎ ｆｏｒ Ｉｌｌｕｍｉｎａｔ
ｉｎｇ ａ Ｒｉｎｇ Ｆｉｅｌｄ”， ＯＳＡ Ｐｒ
ｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｎ Ｓｏｆｔ Ｘ−Ｒａｙ Ｐ
ｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ， １９
９３， Ｖｏｌ１８．に提案されている光学系に基づい
ている。また、放射光束の波長が軟ｘ線の領域では、十
分な透過率を有する材料が無いため透過型マスクを製造
することは困難である。マスクのべ一スとしてメンブレ
ンと呼ばれる厚さ数μｍの金属薄膜を用いる構成も考え
られるが、メンブレンの透過率は数十％と十分でないこ
と、また熱による変形量が大きいことから、スループッ
トが上げられず、実用化には不向きである。したがっ
て、上記従来の投影露光装置では反射型マスクが用いら
れている。
【０００３】また、上記従来技術の露光装置は、露光中
に被露光基板とマスクとを相対的に動かしながら露光を
行なうスキャン露光方式を採用している。この理由を以
下に述べる。軟ｘ線を用いる光学系では上述のように透
過部材が存在しないため、反射ミラーの組み合わせで構
成されている。そして、ミラー同士での干渉を避けるよ
うな設計を行うと、図２の投影光学系１０に示すような
光学系の構成とならざるを得ない。かかる構成によれ
ば、良好な像を得られるのは図３に示すような極めて狭
い同一像高の円弧状の範囲に限定されてしまうので所定
面積を有するマスクパターンをそのまま転写する事は出
来ない。したがって、図４に示すように円弧状の良好結
像領域を露光中に移動させることで、所定面積を有する
マスクパターンの全ての領域を被露光基板上に投影、転
写することができる。このため、軟ｘ線を用いる投影露
光装置では、スキャン露光方式を採用している。
に被露光基板とマスクとを相対的に動かしながら露光を
行なうスキャン露光方式を採用している。この理由を以
下に述べる。軟ｘ線を用いる光学系では上述のように透
過部材が存在しないため、反射ミラーの組み合わせで構
成されている。そして、ミラー同士での干渉を避けるよ
うな設計を行うと、図２の投影光学系１０に示すような
光学系の構成とならざるを得ない。かかる構成によれ
ば、良好な像を得られるのは図３に示すような極めて狭
い同一像高の円弧状の範囲に限定されてしまうので所定
面積を有するマスクパターンをそのまま転写する事は出
来ない。したがって、図４に示すように円弧状の良好結
像領域を露光中に移動させることで、所定面積を有する
マスクパターンの全ての領域を被露光基板上に投影、転
写することができる。このため、軟ｘ線を用いる投影露
光装置では、スキャン露光方式を採用している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来技術の軟ｘ
線を用いる投影露光装置は、主にマスク上の特定のパタ
ーンのみを露光するために露光範囲を制限する必要があ
る。さらに、スキャン露光の場合は、被露光基板上での
照度が均一であるときに露光量を均一にすためには図５
に示すスリット幅αを一定にする必要がある。このため
にも露光範囲を制限する必要がある。
線を用いる投影露光装置は、主にマスク上の特定のパタ
ーンのみを露光するために露光範囲を制限する必要があ
る。さらに、スキャン露光の場合は、被露光基板上での
照度が均一であるときに露光量を均一にすためには図５
に示すスリット幅αを一定にする必要がある。このため
にも露光範囲を制限する必要がある。
【０００５】スキャン露光において露光範囲を制限する
には、図６に示すマスク９上に絞りＳを設ける方法と、
図７に示す被露光基板１１上に絞りＳを設ける方法との
２つの方法が考えられる。しかし、どちらの方法にも以
下に述べる問題を有している。
には、図６に示すマスク９上に絞りＳを設ける方法と、
図７に示す被露光基板１１上に絞りＳを設ける方法との
２つの方法が考えられる。しかし、どちらの方法にも以
下に述べる問題を有している。
【０００６】図６又は図７に示す光学系でスキャン露光
を行う場合、露光中に絞りＳとマスク９、又は絞りＳと
被露光基板１１とが不図示の駆動部により相対的に移動
するため、絞りＳとマスク９又は被露光基板１１との間
に、ある程度の間隔を設けて接触を避ける必要がある。
かかる間隔を設けたために、投影光学系の瞳の形状が、
図８（ａ）のように円形となるべきところ、絞りＳ近傍
では蹴られ（ビグネッティング）が生じ、図８（ｂ）、
図８（ｃ）に示すような円形の一部が切り取られた形状
となってしまう。
を行う場合、露光中に絞りＳとマスク９、又は絞りＳと
被露光基板１１とが不図示の駆動部により相対的に移動
するため、絞りＳとマスク９又は被露光基板１１との間
に、ある程度の間隔を設けて接触を避ける必要がある。
かかる間隔を設けたために、投影光学系の瞳の形状が、
図８（ａ）のように円形となるべきところ、絞りＳ近傍
では蹴られ（ビグネッティング）が生じ、図８（ｂ）、
図８（ｃ）に示すような円形の一部が切り取られた形状
となってしまう。
【０００７】また、一般に光学系の解像力は、以下の
式、 ＬＷ＝ｋ・λ／ＮＡ で示される。ここで、ＬＷは解像限界のパターン線幅、
ｋは定数、λは波長、ＮＡは光学系の開口数をそれぞれ
示している。上式からわかるように解像力は投影光学系
のＮＡに反比例する。そして解像力は、被露光基板の位
置、又はパターンの方向（縦線、横線、斜め線）によら
ず一定である事が求められている。
式、 ＬＷ＝ｋ・λ／ＮＡ で示される。ここで、ＬＷは解像限界のパターン線幅、
ｋは定数、λは波長、ＮＡは光学系の開口数をそれぞれ
示している。上式からわかるように解像力は投影光学系
のＮＡに反比例する。そして解像力は、被露光基板の位
置、又はパターンの方向（縦線、横線、斜め線）によら
ず一定である事が求められている。
【０００８】しかし、図６、７の光学系では、絞りＳに
よる放射光束の蹴られにより、絞り近傍の照野では、パ
ターンの方向による解像力がばらつき、良好な像を得る
ことができない。スキャン露光方式では、この良好でな
い像が形成される領域も含めてスキャン露光を行なうた
め、結果として照野全体の像を悪化させてしまうという
問題がある。ここで、図９に示すようにマスク９が透過
型であれば、マスク９の入射側に絞りＳを配設すること
により、投影光学系の光路を絞りＳが蹴らない配置とす
ることができるので上記問題を生じない。ところが軟ｘ
線を用いる投影露光装置では、上述のように反射型マス
クを用いる必要があるので、図９に示すような配置は困
難であり、絞りＳによる放射光束の蹴られに起因する像
の不良が発生してしまう。
よる放射光束の蹴られにより、絞り近傍の照野では、パ
ターンの方向による解像力がばらつき、良好な像を得る
ことができない。スキャン露光方式では、この良好でな
い像が形成される領域も含めてスキャン露光を行なうた
め、結果として照野全体の像を悪化させてしまうという
問題がある。ここで、図９に示すようにマスク９が透過
型であれば、マスク９の入射側に絞りＳを配設すること
により、投影光学系の光路を絞りＳが蹴らない配置とす
ることができるので上記問題を生じない。ところが軟ｘ
線を用いる投影露光装置では、上述のように反射型マス
クを用いる必要があるので、図９に示すような配置は困
難であり、絞りＳによる放射光束の蹴られに起因する像
の不良が発生してしまう。
【０００９】本発明は上記問題に鑑みてなされたもので
あり、反射型マスクを用いた投影露光装置において、解
像力を低下させず良好な像を得ることができる投影露光
装置を提供する事を目的とする。
あり、反射型マスクを用いた投影露光装置において、解
像力を低下させず良好な像を得ることができる投影露光
装置を提供する事を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明では、放射光を供給する光源部
と、所定のパターンが形成された反射型マスクに対して
前記放射光を導く照明系と、前記反射型マスクにて反射
された前記放射光を被露光基板上へ導き、該被露光基板
上に前記所定のパターンの像を形成する投影系と、前記
反射型マスクと前記被露光基板との少なくとも一方を相
対的に移動させる走査駆動部とを備え、前記照明系は、
前記反射型マスクと共役な位置近傍に配置される視野絞
りを有することを特徴とする。尚、放射光とは、深紫外
領域から真空紫外領域、軟ｘ線領域の電磁波、硬ｘ線領
域の電磁波などを含むものをいう。また、共役な位置近
傍とは共役な位置を含むものである。
に、請求項１記載の発明では、放射光を供給する光源部
と、所定のパターンが形成された反射型マスクに対して
前記放射光を導く照明系と、前記反射型マスクにて反射
された前記放射光を被露光基板上へ導き、該被露光基板
上に前記所定のパターンの像を形成する投影系と、前記
反射型マスクと前記被露光基板との少なくとも一方を相
対的に移動させる走査駆動部とを備え、前記照明系は、
前記反射型マスクと共役な位置近傍に配置される視野絞
りを有することを特徴とする。尚、放射光とは、深紫外
領域から真空紫外領域、軟ｘ線領域の電磁波、硬ｘ線領
域の電磁波などを含むものをいう。また、共役な位置近
傍とは共役な位置を含むものである。
【００１１】また、請求項２記載の発明では、前記照明
系は、前記視野絞りと前記反射型マスクとを実質的に共
役関係にするリレー系を備えることを特徴とする。
系は、前記視野絞りと前記反射型マスクとを実質的に共
役関係にするリレー系を備えることを特徴とする。
【００１２】また、請求項３記載の発明では、前記リレ
ー系は、反射系で構成されることを特徴とする。
ー系は、反射系で構成されることを特徴とする。
【００１３】また、請求項４記載の発明では、放射光を
供給する工程と、照明系により所定のパターンが形成さ
れた反射型マスクを前記放射光で照明する工程と、前記
反射型マスクからの反射光に基づいて、前記反射型マス
クのパターンを被露光基板上へ投影する工程と、前記反
射型マスクと前記被露光基板との少なくとも一方を相対
的に移動させる工程とを備え、前記照明する工程は、前
記照明系に設けられた視野絞りの像を前記反射型マスク
上に形成する補助工程を含むことを特徴とする。
供給する工程と、照明系により所定のパターンが形成さ
れた反射型マスクを前記放射光で照明する工程と、前記
反射型マスクからの反射光に基づいて、前記反射型マス
クのパターンを被露光基板上へ投影する工程と、前記反
射型マスクと前記被露光基板との少なくとも一方を相対
的に移動させる工程とを備え、前記照明する工程は、前
記照明系に設けられた視野絞りの像を前記反射型マスク
上に形成する補助工程を含むことを特徴とする。
【００１４】また、請求項５記載の発明では、放射光を
供給する光源部と、所定のパターンが形成された反射型
マスクに対して前記放射光を導く照明系と、前記反射型
マスクにて反射された前記放射光を被露光基板上へ導
き、該被露光基板上に前記所定のパターンの像を形成す
る投影系と、前記反射型マスクと前記被露光基板との少
なくとも一方を相対的に移動させる走査駆動部とを備
え、前記反射型マスク又は前記被露光基板と共役な位置
近傍に配置される視野絞りとを備えることを特徴とす
る。尚、反射型マスク又は被露光基板と共役な位置近傍
とは、反射型マスク及び被露光基板以外の位置であっ
て、反射型マスク又は被露光基板と共役な位置を含むも
のである。
供給する光源部と、所定のパターンが形成された反射型
マスクに対して前記放射光を導く照明系と、前記反射型
マスクにて反射された前記放射光を被露光基板上へ導
き、該被露光基板上に前記所定のパターンの像を形成す
る投影系と、前記反射型マスクと前記被露光基板との少
なくとも一方を相対的に移動させる走査駆動部とを備
え、前記反射型マスク又は前記被露光基板と共役な位置
近傍に配置される視野絞りとを備えることを特徴とす
る。尚、反射型マスク又は被露光基板と共役な位置近傍
とは、反射型マスク及び被露光基板以外の位置であっ
て、反射型マスク又は被露光基板と共役な位置を含むも
のである。
【００１５】また、請求項６記載の発明では、前記光源
部は、波長５０ｎｍ以下の放射光を供給することを特徴
とする。
部は、波長５０ｎｍ以下の放射光を供給することを特徴
とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図１に基づいて本発明の実
施の形態を説明する。レーザー光源１００より発したレ
ーザー光（赤外〜可視光）は、集光光学系１０１により
集光位置３に集光される。物体源２より滴下された物体
は、集光位置３において高照度のレーザー光を受け、そ
の中心部がプラズマ化し、軟ｘ線が発生し、軟ｘ線の光
源となる。軟ｘ線としては、５０ｎｍ以下の波長域が望
ましく、例えば１３ｎｍの放射光を用いることができ
る。また、軟ｘ線は大気に対する透過率が低いため、装
置全体は真空チャンバー１により覆われている。集光位
置３において発生した軟ｘ線は、平面鏡及び凹面鏡の組
み合わせからなる光学系４，５，６により、所定面積の
パターンを有する視野絞り７上に導かれる。次に、視野
絞り７を通過した放射光束は反射系で構成されるリレー
光学系８により、マスクステージＳＴ１上に載置された
反射型マスク９上に導かれる。この反射型マスク９上に
は、軟ｘ線を反射する反射部と軟ｘ線を反射しない非反
射部とからなるパターンが形成されている。光学系４，
５，６，８は反射型マスク９を照明する照明光学系を構
成する。そして、反射型マスク９により選択的に反射さ
れた放射光束は、投影光学系１０により基板ステージＳ
Ｔ２上に載置された被露光基板１１に導かれ、反射型マ
スク９上のパターンが被露光基板１１上に投影される。
マスクステージＳＴ１及び基板ステージＳＴ２はそれぞ
れ駆動部ＭＴ１及びＭＴ２に接続されており、露光に際
して、これら駆動部ＭＴ１，ＭＴ２により反射型マスク
９と被露光基板１１とは、図１中矢印方向に示すように
投影光学系１０に対して相対的に移動し、これによりス
キャン露光が行われる。ここで、視野絞り７とマスク９
とはリレー光学系８に関して共役な関係にある。また、
視野絞り７と被露光基板１１とは、リレー光学系８、反
射型マスク９及び投影光学系１０に関して共役な関係に
ある。したがって、光学的にはマスク９上に視野絞り７
が配設されているのと等価であるので、照明範囲を制限
する事が出来る。かかる構成によれば、マスク９近傍に
視野絞り７が存在しないため、絞り７による放射光束の
蹴られが発生せず、良好な解像力の像を得ることができ
る。
施の形態を説明する。レーザー光源１００より発したレ
ーザー光（赤外〜可視光）は、集光光学系１０１により
集光位置３に集光される。物体源２より滴下された物体
は、集光位置３において高照度のレーザー光を受け、そ
の中心部がプラズマ化し、軟ｘ線が発生し、軟ｘ線の光
源となる。軟ｘ線としては、５０ｎｍ以下の波長域が望
ましく、例えば１３ｎｍの放射光を用いることができ
る。また、軟ｘ線は大気に対する透過率が低いため、装
置全体は真空チャンバー１により覆われている。集光位
置３において発生した軟ｘ線は、平面鏡及び凹面鏡の組
み合わせからなる光学系４，５，６により、所定面積の
パターンを有する視野絞り７上に導かれる。次に、視野
絞り７を通過した放射光束は反射系で構成されるリレー
光学系８により、マスクステージＳＴ１上に載置された
反射型マスク９上に導かれる。この反射型マスク９上に
は、軟ｘ線を反射する反射部と軟ｘ線を反射しない非反
射部とからなるパターンが形成されている。光学系４，
５，６，８は反射型マスク９を照明する照明光学系を構
成する。そして、反射型マスク９により選択的に反射さ
れた放射光束は、投影光学系１０により基板ステージＳ
Ｔ２上に載置された被露光基板１１に導かれ、反射型マ
スク９上のパターンが被露光基板１１上に投影される。
マスクステージＳＴ１及び基板ステージＳＴ２はそれぞ
れ駆動部ＭＴ１及びＭＴ２に接続されており、露光に際
して、これら駆動部ＭＴ１，ＭＴ２により反射型マスク
９と被露光基板１１とは、図１中矢印方向に示すように
投影光学系１０に対して相対的に移動し、これによりス
キャン露光が行われる。ここで、視野絞り７とマスク９
とはリレー光学系８に関して共役な関係にある。また、
視野絞り７と被露光基板１１とは、リレー光学系８、反
射型マスク９及び投影光学系１０に関して共役な関係に
ある。したがって、光学的にはマスク９上に視野絞り７
が配設されているのと等価であるので、照明範囲を制限
する事が出来る。かかる構成によれば、マスク９近傍に
視野絞り７が存在しないため、絞り７による放射光束の
蹴られが発生せず、良好な解像力の像を得ることができ
る。
【００１７】また、投影光学系１０が、その内部に反射
型マスク９の中間像を形成する場合は、その中間像位置
に視野絞り７を配設しても良い。
型マスク９の中間像を形成する場合は、その中間像位置
に視野絞り７を配設しても良い。
【００１８】また、投影光学系は、４枚以下の反射面か
らなる反射光学系を用いることが望ましい。
らなる反射光学系を用いることが望ましい。
【００１９】また、視野絞りは１つに限られず、走査直
交方向（スキャン直交方向）の幅を制限する羽根及び走
査方向（スキャン方向）の幅を制限する羽根などの複数
の部材から構成されていてもよい。この視野絞りとして
は例えば特開平８−８１６０号に開示されているような
固定ブラインド及び可動ブラインドからなるものなどを
変形して用いることができる。
交方向（スキャン直交方向）の幅を制限する羽根及び走
査方向（スキャン方向）の幅を制限する羽根などの複数
の部材から構成されていてもよい。この視野絞りとして
は例えば特開平８−８１６０号に開示されているような
固定ブラインド及び可動ブラインドからなるものなどを
変形して用いることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、走査駆動部によりスキャン露光を行う型投
影露光装置において、照明系は、反射型マスクと共役な
位置近傍に配置される視野絞りを有する。したがって、
反射型マスク上に結像した視野絞りの像により露光範囲
を制限できるので、視野絞りによる放射光束の蹴られを
生じず、良好な解像力のパターン像を得ることができ
る。また、スキャン露光時に反射型マスクと視野絞りと
が干渉することが無いので、スループットを向上させる
ことができる。
明によれば、走査駆動部によりスキャン露光を行う型投
影露光装置において、照明系は、反射型マスクと共役な
位置近傍に配置される視野絞りを有する。したがって、
反射型マスク上に結像した視野絞りの像により露光範囲
を制限できるので、視野絞りによる放射光束の蹴られを
生じず、良好な解像力のパターン像を得ることができ
る。また、スキャン露光時に反射型マスクと視野絞りと
が干渉することが無いので、スループットを向上させる
ことができる。
【００２１】また、請求項２記載の発明によれば、照明
系は、前記視野絞りと前記反射型マスクとを実質的に共
役関係にするリレー系を備えている。したがって、視野
絞りを配置する位置の自由度が大きくなる。
系は、前記視野絞りと前記反射型マスクとを実質的に共
役関係にするリレー系を備えている。したがって、視野
絞りを配置する位置の自由度が大きくなる。
【００２２】また、請求項３記載の発明では、前記リレ
ー系は反射系で構成されている。したがって、軟ｘ線の
領域でも効率良く視野絞りの像をリレーすることができ
る。
ー系は反射系で構成されている。したがって、軟ｘ線の
領域でも効率良く視野絞りの像をリレーすることができ
る。
【００２３】また、請求項４記載の発明では、照明する
工程は、前記照明系に設けられた視野絞りの像を前記反
射型マスク上に形成する補助工程を含んでいる。したが
って、反射型マスク上に結像した視野絞りの像により露
光範囲を制限できるので、視野絞りによる放射光束の蹴
られを生じず、良好な解像力のパターン像を得ることが
できる。また、スキャン露光時に反射型マスクと視野絞
りとが干渉することが無いので、スループットを向上さ
せることができる。
工程は、前記照明系に設けられた視野絞りの像を前記反
射型マスク上に形成する補助工程を含んでいる。したが
って、反射型マスク上に結像した視野絞りの像により露
光範囲を制限できるので、視野絞りによる放射光束の蹴
られを生じず、良好な解像力のパターン像を得ることが
できる。また、スキャン露光時に反射型マスクと視野絞
りとが干渉することが無いので、スループットを向上さ
せることができる。
【００２４】また、請求項５記載の発明では、視野絞り
が反射型マスク又は被露光基板と共役な位置近傍に配置
されている。したがって、投影系が、その内部に反射型
マスクの中間像を形成する場合でも、その中間像位置に
視野絞りを配置できる。
が反射型マスク又は被露光基板と共役な位置近傍に配置
されている。したがって、投影系が、その内部に反射型
マスクの中間像を形成する場合でも、その中間像位置に
視野絞りを配置できる。
【００２５】また、請求項６記載の発明では、前記光源
部は波長５０ｎｍ以下の放射光を供給する。このため、
軟ｘ線領域のような放射光を用いる投影露光装置におい
ても、照明系又は投影系が上記視野絞りを有するので、
放射光の蹴られを防止できる。
部は波長５０ｎｍ以下の放射光を供給する。このため、
軟ｘ線領域のような放射光を用いる投影露光装置におい
ても、照明系又は投影系が上記視野絞りを有するので、
放射光の蹴られを防止できる。
【図１】本発明の実施の形態にかかる投影露光装置の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】従来の投影露光装置の構成を示す図である。
【図３】良好な結像領域を示す図である。
【図４】スキャン露光の様子を示す図である。
【図５】視野絞りの幅を示す図である。
【図６】投影露光装置のスキャン露光において露光範囲
を制限する構成を示す図である。
を制限する構成を示す図である。
【図７】投影露光装置のスキャン露光において露光範囲
を制限する他の構成を示す図である。
を制限する他の構成を示す図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は視野絞りによる放射光束の蹴
られの様子を示す図である。
られの様子を示す図である。
【図９】透過型マスクを用いた投影露光装置の構成を示
す図である。
す図である。
１００ レーザー光源 １０１ 集光レンズ １ 真空チャンバ ２ 物体源 ３ 集光位置 ５，６，８ 照明光学系 ７ 視野絞り ９ 反射型マスク １０ 投影光学系 １１ 被露光基板 ＳＴ１ マスクステージ ＳＴ２ 基板ステージ ＭＴ１、ＭＴ２ 駆動部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１７ ５３１Ｍ Ｆターム(参考） 2H087 KA21 NA04 NA05 TA01 2H097 AA05 CA17 5F046 BA05 CA03 CB03 CB17 CC13 CC15
Claims (6)
- 【請求項１】 放射光を供給する光源部と、 所定のパターンが形成された反射型マスクに対して前記
放射光を導く照明系と、 前記反射型マスクにて反射された前記放射光を被露光基
板上へ導き、該被露光基板上に前記所定のパターンの像
を形成する投影系と、 前記反射型マスクと前記被露光基板との少なくとも一方
を相対的に移動させる走査駆動部とを備え、 前記照明系は、前記反射型マスクと共役な位置近傍に配
置される視野絞りを有することを特徴とする投影露光装
置。 - 【請求項２】 前記照明系は、前記視野絞りと前記反射
型マスクとを実質的に共役関係にするリレー系を備える
ことを特徴とする請求項１記載の投影露光装置。 - 【請求項３】 前記リレー系は、反射系で構成されるこ
とを特徴とする請求項２記載の投影露光装置。 - 【請求項４】 放射光を供給する工程と、 照明系により所定のパターンが形成された反射型マスク
を前記放射光で照明する工程と、 前記反射型マスクからの反射光に基づいて、前記反射型
マスクのパターンを被露光基板上へ投影する工程と、 前記反射型マスクと前記被露光基板との少なくとも一方
を相対的に移動させる工程とを備え、 前記照明する工程は、前記照明系に設けられた視野絞り
の像を前記反射型マスク上に形成する補助工程を含むこ
とを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項５】 放射光を供給する光源部と、 所定のパターンが形成された反射型マスクに対して前記
放射光を導く照明系と、 前記反射型マスクにて反射された前記放射光を被露光基
板上へ導き、該被露光基板上に前記所定のパターンの像
を形成する投影系と、 前記反射型マスクと前記被露光基板との少なくとも一方
を相対的に移動させる走査駆動部とを備え、 前記反射型マスク又は前記被露光基板と共役な位置近傍
に配置される視野絞りとを備えることを特徴とする投影
露光装置。 - 【請求項６】 前記光源部は、波長５０ｎｍ以下の放射
光を供給することを特徴とする請求項１，２，３又は５
記載の投影露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10269056A JP2000091220A (ja) | 1998-09-08 | 1998-09-08 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| US09/391,171 US6526118B2 (en) | 1998-09-08 | 1999-09-07 | Projection exposure apparatus and method, and illumination optical system thereof |
| KR1019990037842A KR20000022951A (ko) | 1998-09-08 | 1999-09-07 | 투영노광장치 및 투영노광방법과 조명 광학계 |
| EP99117735A EP0985976A3 (en) | 1998-09-08 | 1999-09-08 | Illumination apparatus, projection exposure apparatus and projection exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10269056A JP2000091220A (ja) | 1998-09-08 | 1998-09-08 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091220A true JP2000091220A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17467059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10269056A Withdrawn JP2000091220A (ja) | 1998-09-08 | 1998-09-08 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6526118B2 (ja) |
| EP (1) | EP0985976A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000091220A (ja) |
| KR (1) | KR20000022951A (ja) |
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| JP2009044146A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| CN113767335A (zh) * | 2019-04-09 | 2021-12-07 | 库力&索法利特克有限公司 | 平版印刷系统及操作该系统的方法 |
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1999
- 1999-09-07 US US09/391,171 patent/US6526118B2/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-07 KR KR1019990037842A patent/KR20000022951A/ko active IP Right Grant
- 1999-09-08 EP EP99117735A patent/EP0985976A3/en not_active Withdrawn
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| KR20000022951A (ko) | 2000-04-25 |
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