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CN107039493B - 显示设备 - Google Patents

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CN107039493B CN201611100315.9A CN201611100315A CN107039493B CN 107039493 B CN107039493 B CN 107039493B CN 201611100315 A CN201611100315 A CN 201611100315A CN 107039493 B CN107039493 B CN 107039493B
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Abstract

本申请涉及显示设备。该显示设备包括基板、像素阵列、多个扫描线和多个数据线，其中，基板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且限定穿过其中的通孔部，所述像素阵列包括在第一表面围绕通孔部的多个像素，所述多个扫描线沿着第一方向延伸，用于将扫描信号提供至像素，所述多个数据线沿着与第一方向交叉的第二方向延伸，用于将数据信号提供至像素，所述多个数据线包括在不同层与通孔部相邻的第一数据线和第二数据线，并且其至少一部分沿着通孔部的周长弯曲。

Description

显示设备
相关申请的引用
本申请要求向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0172663号的优先权的权益，通过引用将其全部公开内容结合于此。
技术领域
一个或多个实施方式涉及显示设备。
背景技术
近来，显示设备的用途已经多样化。另外，随着显示设备变薄并且变轻便，显示设备的使用范围逐渐延伸。特别地，近来，已研究制造作为平板显示设备的显示设备。
可以使用各种方法设计显示设备的形式。另外，可以与显示设备结合的、或者连接至显示设备的功能增加。
发明内容
一个或多个实施方式包括具有通孔部的显示设备。
额外的方面将在随后的描述中部分阐述，并且部分从描述中变得显而易见，或可以通过所呈现的实施方式的实践被了解。
根据一个或多个实施方式，显示设备包括基板，基板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且限定穿过其中的通孔部；像素阵列，包括在第一表面围绕通孔部的多个像素；多个扫描线，沿着第一方向延伸，用于将扫描信号提供至像素；和多个数据线，沿着与第一方向交叉的第二方向延伸，用于将数据信号提供至像素，多个数据线包括在不同层与通孔部相邻的第一数据线和第二数据线，并且其至少一部分沿着通孔部的周长弯曲。
第一数据线可以不与第二数据线重叠。
基板可包括对应于像素的显示区、和与显示区相邻的非显示区。
非显示区可包括被显示区围绕并且围绕通孔部的第一非显示区、和围绕显示区的第二非显示区。
第一数据线和第二数据线中的一个可以与连接数据线相连接，连接数据线包括与第一数据线和第二数据线中的另一个的材料相同的材料。
第一数据线和第二数据线中的至少一个可包括沿着第二方向延伸的第一直线部分、与第一直线部分相连接的弯曲部分和与弯曲部分相连接、并沿着第二方向延伸的第二直线部分。
弯曲部分可以在同一层处与第一直线部分和第二直线部分为一体。
设备可以进一步包括弯曲部分与第一直线部分或第二直线部分之间的绝缘层，弯曲部分可以在与第一直线部分或第二直线部分不同的层，弯曲部分和第一直线部分可以经由穿过绝缘层的第一接触体相互接触，并且弯曲部分和第二直线部分可以经由穿过绝缘层的第二接触体相互接触。
设备可以进一步包括薄膜封装层，该薄膜封装层包括基板上方的无机层和有机层。
薄膜封装层可包括限定通孔部的侧表面。
薄膜封装层可包括第一无机层、第一无机层上方的有机层、和有机层上方的第二无机层。
设备可以进一步包括在基板的第一表面与通孔部相邻的坝。
坝可以位于有机层的端部与通孔部之间。
第一无机层和第二无机层可以在接触部分相互接触，并且可以比有机层进一步朝向通孔部延伸。
设备可以进一步包括第一数据线和第二数据线下方、并且直接接触与通孔部相邻的第一无机层的无机绝缘层。
设备可以进一步包括第一数据线和第二数据线上方、并且直接接触与通孔部相邻的第一无机层的无机钝化层。
第一数据线和第二数据线中的至少一个可以与接触部分重叠。
设备可以进一步包括钝化层，该钝化层包括第一数据线和第二数据线上方的有机-无机复合粒子，并且该钝化层直接接触与通孔部相邻的第一无机层。
第一数据线和第二数据线中的至少一个可以与接触部分重叠。
多个像素可包括沿着第二方向布置、被介入其间的通孔部相互隔开、并且与第一数据线和第二数据线中的一个电连接的第一像素和第二像素。
多个数据线可以进一步包括第三数据线，第三数据线包括与第一数据线和第二数据线中的一个相同的材料，并且沿着第一方向与通孔部隔开，并且多个像素可以进一步包括与第三数据线电连接的第三像素，并且第三像素包括像素电极、像素电极上方的发射层和发射层上方的相对电极。
第一数据线和第二数据线中的至少一个可以与第三像素的像素电极重叠。
像素的每一个可包括像素电路和有机发光二极管，像素电路包括晶体管和存储电容器，有机发光二极管与像素电路电连接。
根据上述，实施方式提供减小像素围绕的通孔部周围的第一非显示区的面积并且改善密封性能的显示设备。
附图说明
从示例性实施方式的以下描述，结合附图，这些和/或其他方面将变得显而易见并且更容易被理解，其中：
图1是示出了根据实施方式的显示设备的框图；
图2是示出了根据实施方式的显示设备的平面图；
图3A是放大图2的部分IIIa的平面图；
图3B是描绘图3A的一部分的平面图；
图3C是根据图3A的改进实施方式的平面图；
图4是沿着图3A中的线IV-IV截取的截面图；
图5是放大图2的部分V的平面图；
图6是示出根据另一实施方式的显示设备的一部分的截面图；
图7是示出了图6的部分VII的放大图；
图8是示出根据另一实施方式的显示设备的一部分的截面图；
图9是示出根据另一实施方式的显示设备的一部分的截面图；
图10是示出了根据另一实施方式的显示设备的一部分的截面图；
图11是示出了根据另一实施方式的显示设备的一部分的平面图；
图12是沿着图11中的线X-X截取的截面图；
图13A是示出了根据另一实施方式的显示设备的一部分的截面图；
图13B是示出了根据另一实施方式的显示设备的一部分的截面图；
图14A是示出了根据另一实施方式的显示设备的一部分的截面图；
图14B是示出了根据另一实施方式的显示设备的一部分的截面图；
图15A是描绘根据另一实施方式的显示设备的一部分的平面图；
图15B是描绘图15A的一部分的平面图；
图16是沿着图15A的线XIV-XIV截取的截面图；并且
图17A至图17C是示出了具有根据实施方式的显示设备的电子装置的视图。
具体实施方式
通过参考以下实施方式和附图的详细说明可以更容易地理解发明构思的特征及其实现方法。在下文中，将参考附图更详细地描述示例性实施方式，其中，相同的标号始终指代相同的元件。然而，本发明可以各种不同的形式体现并且不应被理解为仅限于文中示出的实施方式。相反，作为实例提供这些实施方式使得公开内容全面且完整，并向本领域的技术人员完整传达了本发明的方面和特征。因此，对于本领域普通技术人员完整了解本发明的方面和特征非必要的方法、元件和技术可能不进行描述。除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，相同参考数字表示相同元件，并且因此不重复对其的描述。在附图中，为清晰起见，可放大元件、层和区域的相对尺寸。
应当理解，尽管本文中可使用“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应局限于这些术语。这些术语用于区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分。因此，在不背离本发明的精神和范围的情况下，下面所描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或者第一部分可被限定为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或者第二部分。
为了便于解释，在本文中可使用诸如“在…下面”、“在…下方”、“在…下部”、“在…下”、“在…上方”、“在…上面”等空间相对术语来描述如附图中示出的一个元件或特征与另一(或多个)元件或另一(或多个)特征的关系。应当理解，除了附图中描述的方位之外，空间相关术语旨在包含使用或操作中的设备的不同方位。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“下面”或“下”的元件将随后被定向为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”和“下”可包括上方和下方两个方位。设备可被另外地定向(例如，旋转90度或在其它方位)，并且本文中使用的空间相对描述符应当相应地进行解释。
应当理解当元件、层、区域、或组件被称为“在”、“连接至”或者“耦接至”另一元件、层、区域、或组件时，其可以直接地在、连接至、或者耦接至其他元件、层、区域、或组件，或者可以存在一个或多个中间元件、层、区域、或者组件。另外，还应当理解的是，当元件或者层被称为“在”两个元件或者层“之间”时，该元件或者层可以是两个元件或者层之间的仅一个元件或者层，或者也可存在一个或多个中间元件或者层。
在以下实例中，x轴、y轴和z轴不局限于直角坐标系的三条轴线，并且可以以更广泛的意义解释。例如，x轴、y轴和z轴可以相互垂直，或者可以表示相互不垂直的不同的方向。
本文使用的术语仅用于描述具体实施方式的目的，并且并不旨在限制本发明。除非上下文另有明确指出，否则本文中使用的单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。还应当理解，当术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”和/或“包括(including)”用于本说明书时，指示所述的特征、整体、步骤、操作、元件及/或组件的存在，但并不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件及/或其组合。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项的任何和所有组合。当如“至少一个”的表达在一系列元件之前时，其修饰全部的一系列元件而不是修饰系列中的单个元件。
如本文中使用的，术语“大体上”、“大约”和同类项用作近似的术语,而不是程度的术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员认识到的测量或者计算值中的固有偏差。此外，当描述本发明的实施方式时，“可以(may)”的使用指的是“本发明的一个或多个实施方式”。如在本文中使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可被认为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。同样，术语“示例”旨在指代实例或例证。
当一些实施方式可以不同地实施时，可以以不同于描述的顺序执行具体处理顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的处理。
可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件、或软件、固件、以及硬件的合适的组合实施根据在本文中所描述的本发明的实施方式的电子或电气器件和/或任何其他相关设备或组件。例如，这些设备的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或者独立的IC芯片上。此外，这些设备的各种组件可以在柔性印刷电路膜、带载波封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实施，或者形成在一个基板上。此外，这些设备的各种组件可以是在一个或多个计算设备中的一个或多个处理器上运行的进程或者线程，用于执行计算机程序指令和与其他系统组件交互用以执行本文中所描述的各种功能。计算机程序指令被存储在可以使用标准存储器设备(诸如，例如，随机存取存储器(RAM))在计算设备中实施的存储器中。计算机程序指令也可被存储在其他非易失性计算机可读介质中，诸如，例如，CD-ROM、闪存驱动等。另外，本领域技术人员应当认识到可以将各种计算设备的功能结合或者整合到单个计算设备中，或者在不偏离本发明的示例性实施方式的精神和范围的情况下可以跨一个或多个其他计算设备分配特定计算设备的功能。
除非另有明确限定，否则，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)与本发明所属领域中的普通技术人员的通常理解具有相同的含义。应进一步理解，术语(比如常用词典中所使用的术语)应被解释为具有与相关技术和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不在理想化或过于正式的意义上进行解释，除非在本文中明确地如此限定。
图1是示出了根据实施方式的显示设备1的框图。
参考图1，显示设备1是有源型有机发光显示设备，并且包括像素阵列10、第一扫描驱动器20、第二扫描驱动器30和数据驱动器40。每一个像素PX包括像素电路和连接至像素电路的有机发光二极管(OLED)。
像素阵列10包括位于多个扫描线SL1a至SLna和SL1b至SLnb与多个数据线DL1至DLm的交叉点处的多个像素PX，像素PX以矩阵配置布置。在本实施方式中，多个扫描线SL1a至SLna和SL1b至SLnb在第一方向(其为行方向)上延伸，并且多个数据线DL1至DLm在第二方向(其为列方向)上延伸。
每一个像素PX连接至传输至像素阵列10的多个扫描线SL1a至SLna和SL1b至SLnb中的一个。虽然每一个像素PX连接至对应于图1中的相关像素行的一个扫描线，但是本发明构思不限于此。在另一个实施方式中，每一个像素PX可以连接至两个扫描线。
第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30可以在像素阵列10的相对侧，并且可以执行双扫描。例如，第一扫描驱动器20产生扫描信号，并且将扫描信号传输至像素PX中的一些，并且第二扫描驱动器30产生扫描信号，并且将扫描信号传输至其他像素PX。第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30可以通过同步时钟信号同步。
数据驱动器40将数据信号经由多个数据线DL1至DLm传输至各个像素PX。
控制器50将多个外部产生的图像信号改变为多个图像数据信号，并且将多个图像数据信号传输至数据驱动器40。控制器50接收同步信号和时钟信号，产生控制信号用于控制数据驱动器40以及第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30的驱动，并将控制信号传输至数据驱动器40以及第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30。
每一个像素PX通过使用根据经由数据线DL1至DLm中对应的一个提供的数据信号供给至OLED的驱动电流发出具有亮度(例如，预定亮度)的光。
图2是示出了根据实施方式的显示设备的平面图。
参考图2，基板100包括显示区DA和非显示区NA。
显示区DA是像素阵列10所在的区域，并且通过使用通过显示区DA中的多个像素PX发出的光提供图像(例如，预定图像)。
基板100包括穿过基板100的通孔(通孔部)TH。通孔TH由多个像素PX围绕。
非显示区NA包括第一非显示区NA1和第二非显示区NA2。第一非显示区NA1围绕通孔TH的轮廓，并且对应于通孔TH与和通孔TH相邻的像素PX之间的区域。第一非显示区NA1由显示区DA围绕。第二非显示区NA2围绕显示区DA的轮廓。第一非显示区NA1通过显示区DA的一部分与第二非显示区NA2分离。
第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30在第二非显示区NA2中。第一扫描驱动器20和第二扫描驱动器30被介入其间的显示区DA的像素阵列10彼此隔开。从第一扫描驱动器20产生的扫描信号经由扫描线SLia(i＝1、2、…、n)提供至一些像素PX，并且从第二扫描驱动器30产生的扫描信号经由扫描线SLib(i＝1、2、…、n)提供至一些像素PX。
焊盘部分PAD位于第二非显示区NA2中。数据驱动器40(参见图1)可以以集成电路(IC)的形式安装在焊盘部分PAD上方。通过数据驱动器40产生的数据信号经由数据线DLj(j＝1、2、…、m)提供至各个像素PX。
虽然图2示出通孔TH形成在显示设备1的右上方部分中的情况，但是本发明构思不限于此。通孔TH可以位于显示设备1中，可以由像素PX围绕，并且其具体位置不受限制。
虽然图2示出通孔TH具有圆形，并且仅形成一个通孔TH的情况，但是本发明构思不限于此。通孔TH可以具有各种形状，包括多边形(诸如四边形)或者椭圆，并且通孔TH的数量不受限制。
类似地，虽然图2示出围绕通孔TH的第一非显示区NA1根据通孔TH的形状具有圆形的情况，但是本发明构思不限于此。第一非显示区NA1可以具有各种形状，包括多边形(诸如四边形)或者椭圆，并且不限于此。
虽然图2示出显示区DA具有四边形形状的情况，但是本发明构思不限于此。显示区DA可以具有各种形状，包括多边形(诸如三角形和五角形)或者圆形或者椭圆形。
图3A是放大图2的部分IIIa的平面图，图3B是描绘图3A的一部分的平面图，图3C是示出了图3A的改进实施方式的平面图，图4是沿着图3A的线IV-IV截取的截面图，并且图5是放大图2的部分V的平面图。
参考图3A，多个像素PX包围通孔TH，并且各个像素PX与扫描线SLia或者SLib(i＝1、2、…、n)中的各自一个以及数据线DLj(j＝1、2、…、m)中的各自一个相连接以接收扫描信号和数据信号。
多个扫描线SLia和SLib(i＝1、2、…、n)在第一方向上延伸，并且朝向通孔TH延伸的扫描线SLia或者SLib可以在通孔TH的周围断开(或者切断)(例如，由于通孔TH的存在，可以在通孔TH旁终止)。扫描线SLia在通孔TH周围切开、位于通孔TH的左侧的一部分从第一扫描驱动器20接收扫描信号(参见图2)，并将所接收的扫描信号传输至相关的像素PX，并且扫描线SLib在通孔TH周围切开、位于通孔TH的右侧的一部分可以从第二扫描驱动器30接收扫描信号，和/或可以接收发射控制信号(参见图2)，并将所接收的信号传输至相关的像素PX。
来自多个数据线DLj(j＝1、2、…、m)的一些数据线DLj-3至DLj+2在第二方向上延伸，并且在第一非显示区NA1中沿着通孔TH的轮廓在通孔的一侧弯曲。其他数据线DL1、…、DLj-4、DLj+3、…、DLm与通孔TH隔开，并且在显示区DA中的第二方向上延伸。
与通孔TH隔开的其他数据线DL1、…、DLj-4、DLj+3、…、DLm沿着第二方向呈直线延伸，并将数据信号提供至相关的像素列的像素PX。沿着通孔TH弯曲的数据线DLj-3至DLj+2沿着第二方向将数据信号提供至通孔TH的相对侧上的各个像素PX。
例如，如在图3B中示出的，对于被介入其间的通孔TH沿着第二方向相互隔开的像素PX中分别在通孔TH的上侧和下侧上的第一像素PX1和第二像素PX2经由弯曲的数据线DLj接收数据信号。弯曲的数据线DLj包括第一直部分/直线部分SP1、与第一直线部分SP1相连接并在第一非显示区NA1中弯曲的弯曲部分CP和与弯曲部分CP相连接的第二直部分/直线部分SP2。第一直线部分SP1、弯曲部分CP和第二直线部分SP2可以整体形成在相同的层。虽然图3描述一个弯曲的数据线DLj，沿着通孔TH弯曲的其他数据线DLj-3至DLj-1、DLj+1和DLj+2可以具有相同的或者类似的形状。
虽然图3A和3B示出弯曲的数据线DLj-3至DLj+2以相同的曲率弯曲的情况，但是本发明构思不限于此。在另一个实施方式中，如在图3C中示出的，弯曲的数据线DLj-3至DLj+2可以具有不同的曲率。
参考图3A和图4，像素PX在穿过基板100的通孔TH周围，在基板100的第一表面100a上方，并且由薄膜封装层130密封。
基板100可包括诸如玻璃、金属或者有机材料的材料。根据实施方式，基板100可包括柔性材料。例如，基板100可包括诸如聚酰亚胺(PI)的材料，该材料可以翘曲、弯曲或者卷拢，但是这是示例性的并且实施方式不限于此。
多个像素PX位于基板100的显示区DA中。每一个像素PX包括像素电路110和与像素电路110电连接的OLED 120。OLED 120包括在平坦化层109的上方的像素电极121、相对电极123和其间的包括有机发射层的中间层122。平坦化层109包括有机材料。
基板100的非显示区NA1围绕对应于通孔TH的通过区TA。数据线DLj-3至DLj+2位于第一非显示区NA1中。如参考图3A和图3B描述的，数据线DLj-3至DLj+2将数据信号提供至位于通孔TH上方和下方的像素PX(在平面图中)，并且在第一非显示区NA1中弯曲(在平面图中)。
一些弯曲的数据线DLj-3至DLj+2位于不同层。弯曲的数据线DLj-3至DLj+2可以交替在有机钝化层108的上方和下方。因为弯曲的数据线DLj-3至DLj+2交替位于不同层，所以数据线DLj-3至DLj+2之间的节距可以减小，因此第一非显示区NA1在基板100中的占地率(例如，总尺寸)可以减小。
为了减少其间出现的寄生电容，位于不同层的数据线DLj-3至DLj+2可以彼此不重叠。
薄膜封装层130在基板100的显示区DA和第一非显示区NA1上方。薄膜封装层130可以防止外部氧气和湿气渗透到像素PX和包括数据线DLj的各种配线内。
薄膜封装层130可以完全覆盖基板100的显示区DA和第一非显示区NA1，并且可以形成限定通孔TH的侧表面。
参考图2、图4和图5，位于有机钝化层108的下方的数据线DLj-3、DLj-1和DLj+1(其是来自交替位于不同层的数据线)可以连接至连接数据线CDL(例如，各自的连接数据线CDL)。数据线DLj-3、DLj-1、DLj+1与连接数据线CDL之间的接触体CNT(例如，各自的接触体CNT)可以位于第二非显示区NA2中。位于第二非显示区NA2中的连接数据线CDL可以用作将安装在焊盘部分PAD中的数据驱动器与数据线DLj-3、DLj-1和DLj+1连接的连结线。
虽然本实施方式示出数据线DLj-3、DLj-1、DLj+1与连接数据线CDL之间的接触体CNT位于第二非显示区NA2中的情况，但是本发明构思不限于此。在另一个实施方式中，接触体CNT可以位于第一非显示区NA1或者显示区DA中。
虽然图5示出来自位于不同层的数据线DLj-3至DLj+2的位于有机钝化层108下方的数据线DLj-3、DLj-1和DLj+1可以连接至连接数据线CDL的情况，但是本实施方式不限于此。替换地，连接数据线CDL可以与位于有机钝化层108上方的数据线DLj-2、DLj和DLj+2相连接。
图6是示出了根据另一实施方式的显示设备1A的一部分的截面图，并且图7是示出了图6的部分VII的放大图。在图6的显示设备1A中，与以上参考图4所描述的显示设备1类似，通孔TH的两侧的像素PX具有相同的结构。因此，为了便于描述，图6提取并且示出显示设备1A的通孔TH的右侧。
参考图6，在显示区DA中形成包括像素电路110并且包括OLED 120的像素PX，像素电路110包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst，OLED 120与像素电路110电连接。
缓冲层101在基板100上方。缓冲层101可以减小或者阻断外来物质、湿气、或者外界空气从基板100的下方渗透，并且可以提供平坦表面。缓冲层101可包括无机材料，诸如氧化物或者氮化物，并且可包括包含无机材料的多层或者单层。
第一薄膜晶体管T1是驱动薄膜晶体管，并且包括有源层A1、栅电极G1、源电极S1和漏电极D1。第二薄膜晶体管T2是开关(switching)薄膜晶体管，并且包括有源层A2、栅电极G2、源电极S2和漏电极D2。第二薄膜晶体管T2的源电极S2与数据线DLj+3相连接。虽然本实施方式示出顶栅型薄膜晶体管，其中栅电极G1和G2分别在有源层A1和A2的上方，栅绝缘层103介入其间，但是根据另一实施方式，第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可以替代为底栅型薄膜晶体管。
有源层A1和A2可包括非晶硅或者多晶硅。根据另一实施方式，有源层A1和A2可包括In、Ga、Sn、Zr、V、Hf、Cd、Ge、Cr、Ti和/或Zn中至少一种的氧化物。
栅电极G1和G2可包括低电阻金属材料。例如，栅电极G1和G2可包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可包括包含以上材料的多层或者单层。
栅绝缘层103可包括包含氧化物或者氮化物的无机材料。例如，栅绝缘层103可包括SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO2等。
源电极S1和S2和漏电极D1和D2可包括具有优良导电性的材料。例如，源电极S1和S2和漏电极D1和D2可包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可包括包含以上材料的多层或者单层。根据实施方式，源电极S1和S2和漏电极D1和D2可包括包含Ti/Al/Ti的多层。
存储电容器Cst可包括位于不同层的下电极C1和上电极C2，其中，第一层间绝缘层105介入其间，并且可以彼此重叠。存储电容器Cst可以与第一薄膜晶体管T1重叠。
存储电容器Cst的下电极C1可以在与第一薄膜晶体管T1的栅电极G1相同的层，或者可以与第一薄膜晶体管T1的栅电极G1相同，并且可包括与栅电极G1的材料相同的材料。例如，第一薄膜晶体管T1的栅电极G1可以用作存储电容器Cst的下电极C1。
存储电容器Cst的上电极C2在第一薄膜晶体管T1的栅电极G1、源电极S1和漏电极D1之间。上电极C2可包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可包括包含以上材料的多层或者单层。根据实施方式，上电极C2可包括包含Mo/Al/Mo的多层。
第一层间绝缘层105可包括包含氧化物或者氮化物的无机材料。例如，第一层间绝缘层105可包括SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO2等。
第二层间绝缘层107在存储电容器Cst的上电极C2与源/漏电极S1、S2、D1、D2之间，并且包括包含氧化物或者氮化物的无机材料。例如，第二层间绝缘层107可包括SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO2等。
OLED 120可以位于平坦化层109的上方，并且可以通过使用介质金属(meditationmetal)ML与第一薄膜晶体管T1电连接。
平坦化层109可包括一般的聚合物，诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基乙醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物和/或这些的共混物。
OLED 120的像素电极121可以是(半)透明电极或者反射电极。(半)透明电极可包括，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)、或者氧化锌铝(AZO)。反射电极可包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或其化合物的反射层，并且可以进一步包括反射层上方的包含ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的层。
OLED 120的中间层122包括发出例如红光、绿光和/或蓝光的有机发射层。在另一个实施方式中，有机发射层可以发出白光。中间层122可以进一步包括空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)中的至少一个。
OLED 120的相对电极123可以是反射电极或者(半)透明电极。反射电极可包括例如，Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag和/或Mg中的至少一种。(半)透明电极可包括包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和/或其化合物的层，并且可以进一步包括该层上方的包含(半)透明材料(诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3)等的层。虽然未示出，覆盖层可以额外在相对电极123上方。
如参考图2至图4描述的，沿着通孔TH的轮廓(例如，圆周或者周长)弯曲的数据线DLj至DLj+2在第一非显示区NA1中。如上所述，因为数据线DLj至DLj+2的各个交替位于不同层，有机钝化层108介入其间，所以相邻的数据线之间的节距可以减小，并且因此也可以减小第一非显示区NA1的面积。
有机钝化层108可包括一般的聚合物，诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚苯乙烯(PS)、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基乙醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物和/或这些的共混物。
坝114位于基板100的第一非显示区NA1中。坝114防止有机材料在形成薄膜封装层130的有机层133的过程期间朝向通孔TH流动。
坝114可包括有机材料。根据实施方式，坝114可以通过形成有机钝化层108、平坦化层109、像素限定层112，然后使这些层的堆叠结构图案化而形成。在坝114形成的同时，可以暴露第二层间绝缘层107的上表面的一部分。
薄膜封装层130可以完全覆盖基板100，并且可以具有其中无机层和有机层交替堆叠的结构。根据实施方式，薄膜封装层130可包括顺次堆叠的第一无机层131、有机层133和第二无机层135。
第一无机层131和第二无机层135可包括金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、及其化合物。例如，第一无机层131和第二无机层135可包括Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO2、SiOx、AlON、AlN、SiON和/或Si3N4中的至少一种无机材料。
有机层133可包括基于聚合物的材料。基于聚合物的材料的实例包括丙烯基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。有机层133可以减轻第一无机层131和第二无机层135的内应力，或者可以补足/校正第一无机层131和/或第二无机层135的缺陷，并且使第一无机层131和第二无机层135平坦化。
因为在形成有机层133的同时，坝114阻断有机材料朝向通孔TH的流动，所以有机层133的端部可以位于坝114的内侧(例如，关于坝114在与通孔TH相反的区域)。
第一无机层131和第二无机层135比有机层133朝向通孔TH延伸的更远。第一无机层131和第二无机层135在坝114的外部(例如，在通孔TH与坝114之间的区域)直接相互接触，并且可以形成限定通孔TH的侧表面。第一无机层131和第二无机层135直接相互接触的部分在下文中称作接触部分SA。
参考图6和图7，因为第一无机层131和第二无机层135在与通孔TH相邻的区域直接相互接触，并且因为第一无机层131直接接触包含无机材料的第二层间绝缘层107，所以可以减小或者防止湿气沿着这些层131和135之间的界面方向渗透。
平坦化层109包括有机材料，并且覆盖位于第一非显示区NA1中的数据线DLj至DLj+2。平坦化层109(其为有机材料)，具有低隔湿性能。湿气经由上述接触部分SA和接触部分SA与第二层间绝缘层107之间的接触结构的渗透可能性减小。然而，如果湿气经由平坦化层109与接触平坦化层109的层之间的界面渗透，那么数据线DLj至DLj+2可能被损坏。
为了减小或者排除该可能性，弯曲的数据线DLj至DLj+2可以在第一非显示区NA1中的坝114的内侧。数据线DLj至DLj+2可以与通孔TH隔开使得坝114和接触部分SA位于弯曲的数据线DLj至DLj+2与通孔TH之间，因此可以更加减小湿气渗透的可能。
图8是示出根据另一实施方式的显示设备1B的一部分的截面图。图8的显示设备1B与参考图6和图7描述的显示设备1A的不同之处在于省略了在源/漏电极S1、S2、D1、D2和像素电极121之间的有机钝化层108，并且弯曲的数据线DLj至DLj+2的结构和位置不同。为了便于描述，主要描述不同于参考图6和图7描述的实施方式的点。
参考图8，沿着通孔TH的轮廓/周长弯曲的数据线DLj至DLj+2可以在第一非显示区NA1中，并且来自数据线DLj至DLj+2的一些数据线DLj和DLj+2可以在平坦化层109上方，而数据线DLj至DLj+2的其他数据线DLj+1可以在平坦化层109的下方。像素限定层112可以覆盖数据线DLj至DLj+2。
根据实施方式，来自平坦化层109上方的弯曲的数据线的一些数据线DLj和DLj+2可包括第一层L1和第二层L2。
第一层L1可包括与介质金属ML相同的材料。第二层L2可包括与像素电极121相同的材料。第一层L1和第二层L2可分别包括不同的材料。
虽然本实施方式描述一些数据线DLj和DLj+2包括两层的情况，但是本发明构思不限于此。在另一个实施方式中，一些数据线DLj和DLj+2可仅包括第一层L1。
像素限定层112包括有机材料，并且覆盖位于第一非显示区NA1中的数据线DLj至DLj+2。像素限定层112(其为有机材料)，具有低的隔湿性能。由于接触部分SA，并且由于接触部分SA与第二层间绝缘层107之间的接触结构导致湿气渗透可能性减小。然而，如果湿气经由像素限定层112与接触像素限定层112的层之间的界面渗透，那么数据线DLj至DLj+2可能被损坏。
为了减小或者排除该可能性，弯曲的数据线DLj至DLj+2可以在第一非显示区NA1中的坝114的内侧。数据线DLj至DLj+2可以与通孔TH隔开使得坝114和接触部分SA位于弯曲的数据线DLj至DLj+2与通孔TH之间，因此可以更加减小湿气渗透的可能性。
图9是示出根据另一实施方式的显示设备1C的一部分的截面图。与参考图8描述的显示设备1B相比较，显示设备1C的一些数据线DLj和DLj+2不同。为了便于描述，主要描述不同于参考图8描述的实施方式的点。
参考图9，来自弯曲的数据线DLj至DLj+2的位于平坦化层109上方的数据线DLj和DLj+2在与像素电极121相同的层，并且包括与像素电极121相同的材料。因为一些数据线DLj和DLj+2包括与像素电极121相同的材料，并且在与像素电极121相同的层，所以在制造过程期间可以减少掩模的数量。
图10是示出根据另一实施方式的显示设备1D的一部分的截面图。与参考图6和图7描述的显示设备1A相比较，图10的显示设备1D与显示设备1A的不同之处在于省略了位于源/漏电极S1、S2、D1、D2和像素电极121之间的有机钝化层108，并且弯曲的数据线DLj至DLj+2的结构和位置不同。为了便于描述，主要描述不同于参考图6和图7描述的实施方式的点。
参考图10，来自弯曲的数据线DLj至DLj+2的数据线DLj+1可以在与第一薄膜晶体管T1的源电极S1和漏电极D1相同的层，并且可包括与源电极S1和漏电极D1相同的材料。数据线DLj至DLj+2的其他数据线DLj和DLj+2可以在与存储电容器Cst的上电极C2相同的层，并且可包括与上电极C2相同的材料。
因为一些数据线DLj和DLj+2包括与存储电容器Cst的上电极C2相同的材料，并且在与存储电容器Cst的上电极C2相同的层，所以在制造过程期间可以减少掩模的数量。
图11是示出了根据另一实施方式的显示设备1E的一部分的平面图，并且图12是沿着图11的线X-X截取的截面图。与参考图6和图7描述的显示设备1A相比较，图11和图12的显示设备1E的数据线DLj至DLj+2的位置不同。为了便于描述，主要描述不同于参考图6和图7描述的实施方式的点。
参考图11和图12，弯曲的数据线DLj至DLj+2交替位于不同层，但是位于显示区DA中而不是第一非显示区NA1中。
弯曲的数据线DLj至DLj+2可以将数据信号施加至被介入其间的通孔TH沿着第二方向相互隔开的像素PX1和PX2。弯曲的数据线DLj至DLj+2可以与第三像素PX3的像素电极121重叠。第三像素PX3连接至数据线DLj+3并且从数据线DLj+3接收数据信号，数据线DLj+3与通孔TH隔开并且沿着第二方向成直线延伸。连接至第三像素PX3的数据线DLj+3位于与数据线DLj+1相同的层。
因为弯曲的数据线DLj至DLj+2和与通孔TH隔开的数据线DLj+3相连接的第三像素PX3的像素电极121重叠，坝114可以相对隔离地位于基板100的第一非显示区NA1中。因此，可以减小第一非显示区NA1在基板100中的占地率或者相对尺寸。
图13A是示出根据另一实施方式的显示设备1F的一部分的截面图。与参考图6和图7描述的显示设备1A相比较，图13A的显示设备1F进一步包括覆盖弯曲的数据线DLj至DLj+2的无机钝化层108a。而且，与接触部分SA的关系不同。为了便于描述，主要描述不同于参考图6和图7描述的实施方式的点。
参考图13A，无机钝化层108a在基板100的上方以覆盖弯曲的数据线DLj至DLj+2。无机钝化层108a可包括包含氧化物或者氮化物的无机材料。例如，无机钝化层108a可包括SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO2等。
弯曲的数据线DLj和DLj+2被无机钝化层108a覆盖同时直接接触无机钝化层108a。与平坦化层109(其为有机材料)相比较，包含无机材料的无机钝化层108a具有优良隔湿性能。因此，即使当弯曲的数据线DLj至DLj+2与通孔TH之间的距离减小时，阻隔性能或者湿气渗透防止性能也没有劣化。在该情况下，可以在没有劣化湿气渗透防止性能的情况下减小第一非显示区NA1在基板100中的占地率。
随着弯曲的数据线DLj至DLj+2与通孔TH之间的距离减小，来自弯曲的数据线DLj至DLj+2的至少一个数据线DLj(或者其一部分)可以与坝114以及第一无机层131与第二无机层135之间的接触部分SA重叠。
图13B是示出根据另一实施方式的显示设备1F'的一部分的截面图。与参考图13A描述的显示设备1F相比较，图13B的显示设备1F'的弯曲的数据线DLj至DLj+2的结构和位置不同，并且省去有机钝化层108。为了便于描述，主要描述不同于参考图13A描述的实施方式的点。
参考图13B，数据线DLj+1可以在与第一薄膜晶体管T1的源电极S1和漏电极D1相同的层，并且可包括与第一薄膜晶体管T1的源电极S1和漏电极D1相同的材料。其他数据线DLj和DLj+2可以在与存储电容器Cst的上电极C2相同的层，并且可包括与存储电容器Cst的上电极C2相同的材料。因此，可以减少掩模的数量。
而且，因为无机钝化层108a覆盖弯曲的数据线DLj至DLj+2，如参考图13A描述的，可以在没有劣化湿气渗透防止性能的情况下减小第一非显示区NA1在基板100中的占地率，如上所述。
图14A是示出根据另一实施方式的显示设备1G的一部分的截面图。图14A的显示设备1G是图13A的显示设备1F的改进实例，并且与图13A的显示设备1F的不同之处在于弯曲的数据线DLj至DLj+2被包含有机-无机复合粒子的钝化层108b而不是无机钝化层108a覆盖并且与其直接接触。
包含有机-无机复合粒子的钝化层108b是包含丙烯、聚烯烃、聚酰亚胺(PI)、聚胺脂、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚醚砜(PES)等的有机层，并且具有其中有机-无机复合粒子以这些有机层的自由体积形成的结构。包含有机-无机复合粒子的钝化层108b可以通过形成有机层，并且然后通过执行连续的气相渗透工艺(vapor infiltration process)而形成。
弯曲的数据线DLj至DLj+2被包含有机-无机复合粒子的钝化层108b覆盖，并且直接接触钝化层108b。当与平坦化层109(其为有机材料)相比较时，包含有机-无机复合粒子的钝化层108b具有优良隔湿性能。因此，即使当弯曲的数据线DLj至DLj+2与通孔TH之间的距离减小时，湿气渗透防止性能也得到保持。在该情况下，可以在没有劣化湿气渗透防止性能的情况下减小第一非显示区NA1在基板100中的占地率。
随着弯曲的数据线DLj至DLj+2与通孔TH之间的距离减少，来自弯曲的数据线DLj至DLj+2的至少一个数据线DLj(或者其一部分)可以与坝114以及第一无机层131与第二无机层135之间的接触部分SA重叠。
图14B是示出根据另一实施方式的显示设备1G'的一部分的截面图。与参考图14A描述的显示设备1G相比较，图14B的显示设备1G'的弯曲的数据线DLj至DLj+2的结构和位置不同，并且省去有机钝化层108。为了便于描述，主要描述不同于参考图14A描述的实施方式的点。
参考图14B，来自弯曲的数据线DLj至DLj+2的数据线DLj+1可以在与源电极S1和漏电极D1相同的层，并且可包括与源电极S1和漏电极D1相同的材料，并且弯曲的数据线DLj至DLj+2的其他数据线DLj和DLj+2可以在与存储电容器Cst的上电极C2相同的层，并且可包括与存储电容器Cst的上电极C2相同的材料。因此，可以减少掩模的数量。
而且，因为包括有机-无机复合粒子的钝化层108b覆盖弯曲的数据线DLj至DLj+2，如参考图14A描述的，可以在没有劣化上述的湿气渗透防止性能的情况下减小第一非显示区NA1在基板100中的尺寸/占地率。
图15A是描绘根据另一实施方式的显示设备1H的一部分的平面图，图15B是描绘图15A的一部分的平面图，并且图16是沿着图15A的线XIV-XIV截取的截面图。
图15A、图15B和图16的显示设备1H与参考图3A、图3B和图4描述的显示设备1的不同之处在于形成弯曲的数据线DLj-3至DLj+2中的每一个的部分位于不同层。为了便于描述，主要描述不同于参考图3A、图3B和图4描述的实施方式的点。
参考图15A、图15B和图16，弯曲的数据线DLj-3至DLj+2在不同层交替。然而，如在图15B中示出的，形成一个数据线DLj的弯曲部分CP在与第一直线部分SP1和第二直线部分SP2不同的层。第一直线部分SP1经由第一接触孔CNT1与弯曲部分CP相连接，并且第二直线部分SP2经由第二接触孔CNT2与弯曲部分CP相连接。
弯曲的数据线DLj-3至DLj+2中的每一个的第一直线部分SP1和第二直线部分SP2可以在有机钝化层108的上方和下方。根据实施方式，数据线DLj-2和DLj+1中的每一个的第一直线部分SP1和第二直线部分SP2可以在与位于有机钝化层108下方的源电极S1、S2和漏电极D1、D2相同的层。其他数据线DLj-3、DLj-1、DLj和DLj+2的第一直线部分SP1和第二直线部分SP2可以在像素电极121与位于有机钝化层108上方的源电极S1、S2和漏电极D1、D2之间的层。
同时，如在图16中示出的，数据线DLj-2和DLj+1的弯曲部分CP可以在与存储电容器Cst的下电极C1相同的层，并且其他数据线DLj-3、DLj-1、DLj和DLj+2中的每一个的弯曲部分CP可以在与存储电容器Cst的上电极C2相同的层。
如在图16中示出的，在弯曲部分CP在存储电容器Cst的上电极C2和下电极C1所在的层中交替的情况下，相关的数据线DLj-3至DLj+2被第二层间绝缘层107(其为无机层)覆盖，同时直接接触第二层间绝缘层107。第二层间绝缘层107，其为无机层，具有优良隔湿性能。因此，即使当弯曲的数据线DLj-3至DLj+2与通孔TH之间的间隔距离减小时，湿气渗透防止性能也得到保持。在该情况下，可以在没有劣化湿气渗透防止性能的情况下减小第一非显示区NA1在基板100中的占地率。
在实施方式中，来自弯曲的数据线DLj-3至DLj+2的至少部分数据线DLj-2、DLj-1、DLj、DLj+2可以与坝114和接触部分SA重叠。
图17A至图17C是示出了具有根据实施方式的显示设备的电子装置的视图。
参考图17A，根据以上实施方式的显示设备可以设置至移动电话1000。根据以上实施方式的显示设备的像素阵列可以形成移动电话1000的显示器1100，并且部件1200(诸如相机)可以位于通孔TH内部。
通孔TH的位置不限于在图17A中示出的位置。例如，在另一个实施方式中，通孔TH可以形成在移动电话1000的显示器的中下部中。在该情况下，按钮可以位于通孔TH内部。
参考图17B，根据以上实施方式的显示设备可以设置至智能腕表2000。根据以上实施方式的显示设备的像素阵列可以形成智能腕表2000的显示器2100，并且驱动部件DU(其可包括分针和时针)可以位于通孔TH内部。
参考图17C，根据以上实施方式的显示设备可以设置至车辆的仪表板3000。根据以上实施方式的显示设备的像素阵列可以形成车辆的仪表板3000的显示器3100，并且通孔TH可以设置多个。
根据实施方式，包括指示每分钟转数(RPM)的指针的第一驱动部件DU1，和包括指示速率的指针的第二驱动部件DU2可以分别设置至通孔TH。
虽然已参考在附图中示出的示例性实施方式描述了本发明构思，但是这些仅出于示例性的目的提供，并且本领域的普通技术人员应理解可以是在其中做出各种修改及其他等效的实施方式。因此，本发明构思的精神和范围应由权利要求和它们的功能等同物限定。

Claims (20)

1.一种显示设备，包括：
基板，包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且限定穿过所述基板的通孔部；
像素阵列，包括在所述第一表面围绕所述通孔部的多个像素；
多个扫描线，沿着第一方向延伸，用于将扫描信号提供至所述像素；
多个数据线，沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸，用于将数据信号提供至所述像素，所述多个数据线包括在不同层与所述通孔部相邻的第一数据线和第二数据线，并且所述多个数据线的至少一部分沿着所述通孔部的周长弯曲；
薄膜封装层，包括第一无机层、在所述第一无机层上方的有机层以及在所述有机层上方的第二无机层；以及
坝，在所述基板的所述第一表面与所述通孔部相邻。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一数据线不与所述第二数据线重叠。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述基板包括：
显示区，对应于所述像素；以及
非显示区，与所述显示区相邻。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述非显示区包括：
第一非显示区，被所述显示区围绕，并且围绕所述通孔部；以及
第二非显示区，围绕所述显示区。
5.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第一数据线和所述第二数据线中的一个与连接数据线相连接，所述连接数据线包括与所述第一数据线和所述第二数据线中的另一个的材料相同的材料。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一数据线和所述第二数据线中的至少一个包括：
第一直线部分，沿着所述第二方向延伸；
弯曲部分，与所述第一直线部分相连接；以及
第二直线部分，与所述弯曲部分相连接，并且沿着所述第二方向延伸。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述弯曲部分在同一层处与所述第一直线部分和所述第二直线部分为一体。
8.根据权利要求6所述的显示设备，进一步包括所述弯曲部分与所述第一直线部分或者所述第二直线部分之间的绝缘层，
其中，所述弯曲部分在与所述第一直线部分或者所述第二直线部分不同的层，
其中，所述弯曲部分与所述第一直线部分经由穿过所述绝缘层的第一接触体相互接触，并且
其中，所述弯曲部分与所述第二直线部分经由穿过所述绝缘层的第二接触体相互接触。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述薄膜封装层包括限定所述通孔部的侧表面。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述坝位于所述有机层的端部与所述通孔部之间。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一无机层和所述第二无机层在接触部分相互接触，并且比所述有机层进一步朝向所述通孔部延伸。
12.根据权利要求11所述的显示设备，进一步包括在所述第一数据线和所述第二数据线下方并且直接接触与所述通孔部相邻的所述第一无机层的无机绝缘层。
13.根据权利要求11所述的显示设备，进一步包括在所述第一数据线和所述第二数据线上方并且直接接触与所述通孔部相邻的所述第一无机层的无机钝化层。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述第一数据线和所述第二数据线中的至少一个与所述接触部分重叠。
15.根据权利要求11所述的显示设备，进一步包括：
钝化层，包括所述第一数据线和所述第二数据线上方的有机-无机复合粒子，并且直接接触与所述通孔部相邻的所述第一无机层。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述第一数据线和所述第二数据线中的至少一个与所述接触部分重叠。
17.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个像素包括沿着所述第二方向布置、被介入其间的所述通孔部相互隔开、并且与所述第一数据线和所述第二数据线中的一个电连接的第一像素和第二像素。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述多个数据线进一步包括第三数据线，所述第三数据线包括与所述第一数据线和所述第二数据线之一相同的材料，并且沿着所述第一方向与所述通孔部隔开，并且
其中，所述多个像素进一步包括第三像素，所述第三像素与所述第三数据线电连接，并且包括像素电极、所述像素电极上方的发射层和所述发射层上方的相对电极。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述第一数据线和所述第二数据线中的至少一个与所述第三像素的所述像素电极重叠。
20.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素的每一个包括：
像素电路，包括晶体管和存储电容器；以及
有机发光二极管，与所述像素电路电连接。
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