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UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRES EXPERIENCIA # 7
Facultad de Ingeniería INGENIERÍA ELECTRÓNICA ETN 821
GRABADOR DE MEMORIA SERIAL
CORRECCION PRIMER PARCIAL 1. OBJETIVO Comprender los procesos de lectura y escritura de una memoria. Comprender las diferencias entre una memoria normal y una LIFO y FIFO, y sus aplicaciones. 2. PREINFORME 2.1. Escribir el programa AHPL del módulo GRABACION SERIAL EN M, que no tenga más de 3 pasos de control. Se tiene una entrada serial x, que proporciona los datos a grabar en M (1Kx8). Los datos que entran por x comienzan a llegar de manera continua, inmediatamente después del pulso de entrada de inicio (de un periodo de clock de duración). Cada vez que llega 1 byte se debe grabar en la memoria M, hasta que esté llena. En el mismo periodo de clock que ese este grabando el ultimo byte la memoria M, se debe generar un pulso de salida fin (de un periodo de clock de duración) y el control debe retornar al paso 1 a esperar un nuevo pulso de inicio, para que el proceso se repita. 2.2. Dibujar el circuito del programa. 2.3. Dibujar el Layout del circuito. 2.4. Modificar el programa AHPL para añadir una señal de entrada de lectura, la señal tiene duración de un periodo de reloj; solo una señal por vez podrá presentarse a la entrada (sea lectura o escritura) del circuito por vez. La señal de lectura puede presentarse en cualquier momento e interrumpir el proceso de escritura de la memoria. El proceso de lectura de la memoria será de forma serial, siendo del tipo LIFO o FIFO. Añadir la salida Z como la salida de lectura de la memoria. 3. TRABAJO DE LABORATORIO 3.1. Implementar el circuito diseñado en el preinforme del punto 2.1. 3.2. Comprobar su funcionamiento con un reloj de eliminador de rebotes, anotar las secuencias ingresadas al circuito y sus posiciones de memoria. 3.3. Modificar el circuito para poder leer las direcciones de la memoria, comprobar que las secuencias guardadas sean las mismas que el punto 3.2. 4. INFORME FINAL 4.1. Dibujar el diagrama de tiempos del circuito implementado en Laboratorio 4.2. Dibuje el circuito del punto 2.4 con su respectivo layout y diagrama de tiempo. 4.3. Investigar las memorias del tipo FIFO o LIFO comerciales (preferentemente de alta capacidad), indicar las diferencias en los procesos de lectura y escritura con las del circuito propuesto en 4.2 con la ayuda de un diagrama de tiempo (mostrando sus ciclos de lectura y escritura). 4.4. Realizar las modificaciones necesarias al circuito del preinforme para poder cambiar la memoria por una LIFO – FIFO investigadas del punto anterior 4.5. Conclusiones y recomendaciones.