Aplicativo EEPROM

DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
MICROPROCESADORES
APLICATIVO
Memoria EEPROM
1º PARCIAL
NRC: 5676
DOCENTE: ING. MIROSLAVA ARACELY ZAPATA RODRÍGUEZ
AUTORES:
NICOLÁS CORREA
MICHAEL RODRIGUEZ
Sangolquí, 15 de Abril del 2019
1. TEMA: Aplicativo Memoria EEPROM.
2. OBJETIVOS
2.1 OBJETIVOS GENERAL
 Analizar y verificar el funcionamiento de una memoria EEPROM, mediante
el desarrollo físico experimental de una aplicación, para comprobar
conocimientos teóricos adquiridos en clase.
2.2 OBJETIVOS ESPECÍFICOS

 Usar los conocimientos previos de Circuitos Digitales para diseñar una
aplicación que demuestro el dominio sobre memorias.
 Programar y usar una memoria de una forma efectiva para que se desempeñe
en la aplicación a realizar.
 Observar las diferencias existentes entre usar un software de simulación
(PROTEUS) y su diferencia con la realización física.
3. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO
 Memoria EEPROM 2764.  4 decodificadores 7447 (7

 10 pulsadores para teclado segmentos).
matricial.  4 display y 3 leds.
 DIP switch y resistencias.  Comparador 7485 y AND 7408.
 1 decodificador 74922 (matricial)  1 registro 74194.
4. MARCO TEORICO
MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM)
Estas memorias se caracterizan por almacenar datos permanentes o que no cambian con
frecuencia y son no volátiles. En ciertos casos la información se introduce desde el
fabricante y en otros mediante electricidad para escribir (quemar o programar). El
diagrama de una ROM generalmente viene definido en 3 partes: direcciones, control y
salidas. El control es el pin de “Enable” que viene dado por “CE” o “OE” y por lo
general no hay pin de “R/W” ya que no hay escritura en un proceso normal. [ CITATION
Toc07 \l 12298 ]
En cambio, el proceso de lectura funciona de la siguiente forma: primero se aplica al
bloque de “adress” la dirección deseada, luego se activa el control para habilitar el
buffer de salida y finalmente aparecerá la información en el bloque de salida que por lo
general es de 8 bits de D7 a D0, aunque
también existe de 4 y 16 bits.
La arquitectura interna de una ROM
viene dada por el arreglo de registros
que es donde se almacena la
información, decodificadores de entrada
y salida que identifican la posición
ingresada en “adress” y el buffer de
salida que envía la información a los
bits. Este tiempo de acceso varía entre
30 y 90 (ns). Fig.1. Diagrama de una ROM
EEPROM
Es una memoria borrable y programable eléctricamente, que soluciona las desventajas

de la EPROM, aunque su arquitectura interna es igual, se añade una región de oxido por
encima del colector de la celda de cada transistor. Ventajas. Esta capa de oxido
produce su capacidad de borrarse eléctricamente al aplicar aproximadamente 21[V], por
ende, este proceso no requiere extraer la memoria para exponer a la luz UV. Otra
ventaja es la de borrar y escribir bytes individuales, o que le hace fácil de editar.
[ CITATION Tho06 \l 12298 ]
Por otro lado, sus desventajas son su capacidad de bits por mm2 de Si y su elevado
costo.
Proceso: su proceso de escritura inicia deshabilitando el buffer de salida que luego
borra la información es la dirección ingresada, para finalmente continuar con un
proceso similar al de la EPROM. [ CITATION Toc07 \l 12298 ]
Fig.2. Diagrama de una EEPROM. [ CITATION Toc07 \l

12298 ]
5. DESCRICION DEL APLICATIVO
5.1 Simulación general: Calculadora de operaciones elementales.
5.2 Descripción por bloques.

TECLADO MATRICIAL Y DECODIFICADOR 74C922
Inicialmente se debe ingresar los valores
numéricos que queremos operar, lo
hacemos a través de un teclado matricial
donde los números se encuentran de forma
ascendente. La Matriz es un arreglo de
pulsadores ordenados en filas “Y” y en
columnas “X” que inicialmente no marcan
conexión entre ellas, pero al pulsar alguna,
conectan cierta fila con cierta columna.
Esta información es interpretada por
el decodificador 74C922 que cuenta
con 8 entradas, 4 para filas y 4 para
columnas. El CI cuenta con un propio
sistema anti rebote controlado por un
capacitor externo conectado a KBM
que elimina el rebote de todo el
teclado. La velocidad de exploración
de la matriz también se regula por el
capacitor externo conectado a OSC.
Al presionar una tecla el deco recibe
la fila y columna de la cual se marcó,
mediante OSC bloquea las demás filas y columnas para que no haya más lecturas, DA
se pone en alto y final mente sale el número en BCD usando la siguiente tabla:
REGISTRO 7419-ALMACENAMIENTO RAM
El dato BCD que sale del decodificador

llega al registro universal 74192 de 4 bits
que tiene su clock conectado al DA del
decoder. Este sirve para almacenar el dato
de forma momentánea (RAM) hasta que se
envié el siguiente valor de las decenas,
convirtiendo el dato almacenado en la
unidad. Esto es posible ya que realiza la
función PIPO para comunicación en
paralelo, con S0 y S1 en alto, como se ve en
la tabla:
UNIDAD DE CONTROL
Los datos que salen tanto del
decodificador, así como del registro
van al bus de direcciones que llega a
la memoria. Pero el bit que define la
dirección de la cual vamos a tomar
sale de la unidad de control. Donde
el usuario ingresa la operación que
desea efectuar con los números
ingresados, una vez seleccionada la
operación esta define la ubicación y
se suma al bus de direcciones.
MEMORIA EEPROM
CONTROL DE SALIDA
SALIDA: DISPLAY Y DECODIFICADORES DE 7 SEGMENTO
6. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
CONCLUSIONES
 Los diagramas de Bode nos brindan información suficiente para entender el
comportamiento entero de un circuito frente a las variaciones de la frecuencia. Como
ya pudimos observar en el circuito 2 Pasa Banda, mediante el diagrama de Bode
obtuvimos resonancia, medias potencias, ancho de banda y calidad.
 Se pudo comprobar la eficiencia de usar modelos matemáticos para predecir el
comportamiento de un circuito, lo que llamamos Síntesis de circuitos, que mediante
una función de transferencia podemos mostrar el comportamiento ideal de un sistema.
 Se pudo comparar con éxito las gráficas halladas en las simulaciones con las gráficas
halladas de manera experimental, dando como resultado un bajo error que recalca la
gran ventaja de trabajar con síntesis de circuitos, además de la ayuda que representa
las gráficas logarítmicas al momento de reconocer datos.
RECOMENDACIONES
 Se debe tomar muchas más medidas en los valores cercanos al punto máximo de
Resonancia, ya que dicho valores es donde se almacena o se muestra los datos que
requerimos próximamente como las frecuencias de media potencia y el ancho de
banda.
 Los valores que brindan los bancos de capacitores así como de resistencias no son de
fiar, siempre tienen errores que por lo general son muy altos. Por lo que siempre se
debe comprobar dichas medidas con multímetro y Medidor LCR
 Al momento de comparar las gráficas se debe tomar muy en cuentas que el trabajo del
amplificador 741 es ideal en el simulador pero en la práctica dicho amplificador
puede presentar errores, tal y como los valores de resistencias y capacitores.
7. REFERENCIAS
[1]Espinosa, D. (2009). SINTESIS DE CURITOS ELECTRICOS. Quito.
[2] Hayt, W. H. (2007). Análisis de circuitos en ingeniería. México DF: MCGraw-Hill.
8. ANEXOS

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DOCENTE: ING. MIROSLAVA ARACELY ZAPATA RODRÍGUEZ

1. TEMA: Aplicativo Memoria EEPROM.

2.2 OBJETIVOS ESPECÍFICOS

3. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO

 Memoria EEPROM 2764.  4 decodificadores 7447 (7

MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM)

Es una memoria borrable y programable eléctricamente, que soluciona las desventajas

Fig.2. Diagrama de una EEPROM. [ CITATION Toc07 \l

5.1 Simulación general: Calculadora de operaciones elementales.

5.2 Descripción por bloques.

REGISTRO 7419-ALMACENAMIENTO RAM

El dato BCD que sale del decodificador

[1]Espinosa, D. (2009). SINTESIS DE CURITOS ELECTRICOS. Quito.

[2] Hayt, W. H. (2007). Análisis de circuitos en ingeniería. México DF: MCGraw-Hill.

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