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WO2016035549A1 - パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、レジスト組成物、及び、レジスト膜 - Google Patents

パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、レジスト組成物、及び、レジスト膜 Download PDF

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WO2016035549A1
WO2016035549A1 PCT/JP2015/073237 JP2015073237W WO2016035549A1 WO 2016035549 A1 WO2016035549 A1 WO 2016035549A1 JP 2015073237 W JP2015073237 W JP 2015073237W WO 2016035549 A1 WO2016035549 A1 WO 2016035549A1
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WO
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group
resin
acid
examples
atom
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PCT/JP2015/073237
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English (en)
French (fr)
Inventor
修史 平野
Original Assignee
富士フイルム株式会社
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Publication date
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    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/325—Non-aqueous compositions

Definitions

  • the present invention relates to a pattern formation method, an electronic device manufacturing method, a resist composition, and a resist film. More specifically, the present invention relates to an ultra-microlithography process applicable to a manufacturing process of VLSI (large scale integration) and a high-capacity microchip, a process for producing a mold for nanoimprinting, a manufacturing process of a high-density information recording medium, and the like.
  • the present invention relates to a pattern forming method suitably used for other photofabrication processes, an electronic device manufacturing method using the same, a resist composition, and a resist film.
  • the present invention has been made in view of the above points, and the object thereof is a pattern forming method excellent in resolving power of an isolated space pattern to be formed, and a method for producing an electronic device using the same, a resist composition, And providing a resist film.
  • the present invention provides the following [1] to [11].
  • [1] A step of forming a resist film using a resist composition, a step of exposing the resist film, and developing the exposed resist film using a developer containing an organic solvent to form a pattern
  • a pattern forming method comprising at least a step of: a pattern forming method, wherein the resist composition contains a resin (Ab) containing metal ions.
  • the resin (Ab) is a resin whose polarity is changed by the action of an acid, and the resist composition contains the resin (Ab) and a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation.
  • the resin (Ab) is a resin having a metal salt structure containing the metal ion, and the resist composition is a non-chemically amplified resist composition containing the resin (Ab).
  • [5] The pattern forming method according to [3] or [4], wherein the metal salt structure is represented by a general formula (f) described later.
  • the present invention it is possible to provide a pattern forming method excellent in resolving power of an isolated space pattern to be formed, an electronic device manufacturing method using the same, a resist composition, and a resist film.
  • the notation which does not describe substitution and non-substitution includes the thing which has a substituent with the thing which does not have a substituent.
  • the “alkyl group” includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).
  • light includes not only extreme ultraviolet rays (EUV light) but also electron beams.
  • exposure in this specification includes not only exposure with extreme ultraviolet rays (EUV light) but also drawing with an electron beam unless otherwise specified.
  • Actinic light or “radiation” in the present specification means, for example, an emission line spectrum of a mercury lamp, far ultraviolet rays represented by an excimer laser, extreme ultraviolet rays (EUV light), X-rays, electron beams and the like.
  • light means actinic rays or radiation.
  • exposure in the present specification means not only exposure with far ultraviolet rays, X-rays, EUV light, etc., typified by mercury lamps and excimer lasers, but also particle beams such as electron beams and ion beams, unless otherwise specified. Include drawing in exposure.
  • the pattern forming method of the present invention includes a step of forming a resist film using a resist composition, a step of exposing the resist film, and developing the exposed resist film using a developer containing an organic solvent.
  • a pattern forming method comprising at least a step of forming a pattern, wherein the resist composition contains a resin (Ab) containing metal ions.
  • the pattern forming method described in Patent Document 1 is a so-called positive type using an alkali developer, and the exposed portion of the resist film is solubilized in the alkali developer.
  • the exposed portion that becomes the space pattern is relatively narrower than the non-exposed portion that becomes the line pattern.
  • the pattern forming method of the present invention is a so-called negative type using a developer containing an organic solvent (also referred to as an organic developer), and the exposed portion of the resist film is organic by a mechanism described later.
  • the exposed portion can be made wider than the non-exposed portion. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of misalignment and the like caused by narrowing of the exposed portion and improve the resolution of the isolated space pattern.
  • the embodiment (first embodiment) in which the resist composition used in the pattern forming method of the present invention is “actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition”, and the resist composition is “non-chemically amplified resist”.
  • the description will be divided into the embodiment (second embodiment) which is a “composition”.
  • an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition is used as the resist composition.
  • the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition will be described, and then the pattern forming method of the first aspect of the present invention (hereinafter referred to simply as “the pattern forming method of the present invention” in the first aspect). (Also called).
  • the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition used in the pattern forming method of the present invention (hereinafter also referred to as “the composition of the present invention” or “the resist composition of the present invention” in the first embodiment) is an acid.
  • the composition of the present invention absorbs light to generate electrons, the photoacid generator is decomposed by the generated electrons to generate an acid, and the generated acid. Due to the action, the polarity of the resin (Ab) changes.
  • the resin (Ab) is a resin whose polarity is changed by the action of an acid.
  • the resin (Ab) is preferably soluble in a developer containing an organic solvent, and is preferably insoluble or hardly soluble in the developer containing an organic solvent by exposure to EUV light or the like.
  • the resin (Ab) preferably has a repeating unit having an acid-decomposable group.
  • such a resin (Ab) contains a metal ion. Since absorption of an electron beam or EUV light becomes high, many electrons generate
  • the metal species of the metal ion is not particularly limited, but metal species belonging to Groups 1 to 16 are preferred, metal species belonging to Groups 1 to 2 and 8 to 16 are more preferred, and metals belonging to Groups 8 to 16 are preferred. More preferred are species, and particularly preferred are metal species belonging to Groups 8-10 and 13-16.
  • the metal ion is preferably contained in the resin (Ab) in the form of a metal salt structure. That is, the resin (Ab) preferably has a metal salt structure containing the metal ions. Such a metal salt structure is included in the resin (Ab), for example, as a partial structure of a functional group that the resin (Ab) has. Specific examples of the metal salt structure include a partial structure represented by the following general formula (f).
  • Xa represents a residue obtained by removing a hydrogen atom from an acid group
  • Met represents a metal atom
  • n represents an integer of 1 or more.
  • Examples of the acid group in Xa in the general formula (f) include a carboxyl group (—COOH), a sulfonic acid group (—SO 3 H), a phosphoric acid group (H 2 PO 4 —), a phenolic hydroxyl group (—C 6 H 4 OH) and the like, and these may be used alone or in combination of two or more. Of the acid groups, a carboxyl group is preferred.
  • the metal species of the metal atom represented by Met in the general formula (f) is synonymous with the metal species described above.
  • the integer represented by n in the general formula (f) is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 3, and still more preferably 1 to 2.
  • a part of Xa may be a hydroxide ion in which protons are eliminated from a water molecule that is a Bronsted acid. That is, the general formula (f) includes an embodiment represented by the following general formula (f ′).
  • Xa represents a residue obtained by removing a hydrogen atom from an acid group
  • Met represents a metal atom
  • n represents an integer of 2 or more
  • m represents an integer of 1 or more and (n-1) or less.
  • Xa and Met in the general formula (f ′) are synonymous with Xa and Met in the general formula (f).
  • the integer represented by n in the general formula (f ′) is preferably 2 to 4, and more preferably 2 to 3.
  • the integer represented by m in the general formula (f ′) is preferably 1 to 3, and more preferably 1 to 2.
  • the metal salt structure described above is decomposed by exposure (metal ions are eliminated) to give polar groups such as carboxyl groups. This decomposition takes place without the action of acid. That is, it becomes easy to change the polarity only in the exposed region without a mechanism that causes unevenness such as acid diffusion. For this reason, when the resin (Ab) has the above-described metal salt structure, roughness characteristics (line edge roughness (LER)) are improved.
  • the desorbed metal ion is considered to be a metal oxide or the like, but the mode is not particularly limited.
  • the partial structure represented by the general formula (f) is preferably contained in the repeating unit constituting the resin (Ab).
  • the resin (Ab) is represented by the following general formulas (f1) to ( An embodiment having at least one of the repeating units represented by f4) is more preferred.
  • Met represents a metal atom
  • R fa represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkyloxycarbonyl group
  • Y 1 each independently represents a single bond or a divalent linking group
  • Y 2 to Y 4 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group.
  • * represents a binding position.
  • the metal species of the metal atom represented by Met in the general formulas (f1) to (f4) are synonymous with the metal species described above.
  • the alkyl group represented by R fa in the general formulas (f1) to (f4) may be a linear alkyl group or a branched alkyl group.
  • the alkyl group is preferably a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclohexyl group, octyl group, dodecyl group, etc. Examples thereof include those having 1 to 20 carbon atoms, preferably those having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably those having 1 to 3 carbon atoms.
  • Examples of the cycloalkyl group represented by R fa include those having 3 to 15 carbon atoms such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.
  • Examples of the halogen atom represented by R fa include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and among these, a fluorine atom is particularly preferable.
  • the alkyl group moiety contained in the alkyloxycarbonyl group R fa represents, for example, can adopt a configuration described above as the alkyl group represented by earlier R fa.
  • R fa is preferably a hydrogen atom or an alkyl group.
  • Examples of the divalent linking group represented by Y 1 in the general formulas (f1) to (f4) include an alkylene group (eg, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, and an octylene group), Cycloalkylene groups (eg, cyclopentylene group, cyclohexylene group, adamantylene group, etc.), alkenylene groups (eg, ethylene group, propenylene group, butenylene group, etc.), divalent aromatic ring groups (eg, phenylene group, benzylene) Groups, tolylene groups, naphthylene groups, etc.), —S—, —O—, —CO—, —SO 2 —, —N (R 0 ) —, and divalent linking groups in which a plurality of these are combined.
  • an alkylene group eg, a methylene group, an
  • R 0 is a hydrogen atom or an alkyl group (eg, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, Hexyl group, octyl group, etc.).
  • Each group mentioned here may have a substituent such as an ether group, an ester group, a lactone ring, a hydroxy group, an amino group, or a cyano group, or may have a hetero atom, or a double bond. Or you may have a triple bond.
  • Examples of the monovalent organic group represented by Y 2 to Y 4 in the general formulas (f1) to (f4) include, for example, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a cycloalkyl group, which may have a hetero atom. And aryl groups.
  • Each of these groups is a hydroxy group, an ether group, an ester group, an amino group, an amide group, a sulfonic acid ester group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carbonate group, a carbamate group, a thiol group, a sulfide group, a thioketone group, Alternatively, it may have a substituent such as a heteroaromatic ring.
  • the alkyl group represented by Y 2 to Y 4 may be linear or branched, and preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 3, for example, methyl group, ethyl group , N-propyl group, isopropyl group, n-butyl group and the like.
  • the alkenyl group represented by Y 2 to Y 4 preferably has 3 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a vinyl group, an allyl group, an isopropenyl group, and a styryl group.
  • the alkynyl group represented by Y 2 to Y 4 preferably has 2 to 16 carbon atoms, and examples thereof include an ethynyl group, a 1-propynyl group, a 1-butynyl group, and a trimethylsilylethynyl group.
  • the cycloalkyl group represented by Y 2 to Y 4 may be monocyclic or polycyclic, and preferably has 3 to 10 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, A cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, an adamantyl group and the like can be mentioned.
  • Examples of the aryl group represented by Y 2 to Y 4 include a phenyl group, a benzyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.
  • the monovalent organic group represented by Y 2 to Y 4 may constitute a repeating unit of the resin (Ab).
  • the monovalent organic group represented by Y 2 to Y 4 represents a group represented by the following formula.
  • R fa in the following formula is as described above.
  • repeating units represented by the general formulas (f1) to (f4) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
  • R 5 corresponds to R fa described above, and Z represents a divalent metal atom.
  • R 5 corresponds to R fa described above, and Z represents a monovalent metal atom.
  • the content of the repeating units represented by the general formulas (f1) to (f4) in the resin (Ab) is preferably 1 to 80 mol%, more preferably 2 to 50 mol%, based on all repeating units. More preferred is mol%.
  • the resin (Ab) is a resin whose polarity is changed by the action of an acid, and preferably has a repeating unit having an acid-decomposable group.
  • the acid-decomposable group include a group in which a hydrogen atom of a polar group such as a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group, or a thiol group is protected with a group that is eliminated by the action of an acid.
  • Examples of the group capable of leaving by the action of an acid include —C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ), —C (R 36 ) (R 37 ) (OR 39 ), —C ( ⁇ O) — OC (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ), —C (R 01 ) (R 02 ) (OR 39 ), —C (R 01 ) (R 02 ) —C ( ⁇ O) —O— C (R 36 ) (R 37 ) (R 38 ) and the like can be mentioned.
  • R 36 to R 39 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group.
  • R 36 and R 37 may be bonded to each other to form a ring.
  • R 01 and R 02 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group.
  • the resin (Ab) preferably contains a repeating unit represented by the following general formula (AI) as a repeating unit having an acid-decomposable group.
  • Xa 1 represents a hydrogen atom, a methyl group or a group represented by —CH 2 —R 9 .
  • R 9 represents a hydroxyl group or a monovalent organic group, and examples thereof include an alkyl group having 5 or less carbon atoms and an acyl group, preferably an alkyl group having 3 or less carbon atoms, and more preferably a methyl group.
  • Xa 1 preferably represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a hydroxymethyl group.
  • T represents a single bond or a divalent linking group.
  • Rx 1 to Rx 3 each independently represents an alkyl group (straight or branched) or a cycloalkyl group (monocyclic or polycyclic). At least two members out of Rx 1 to Rx 3 may combine to form a cycloalkyl group (monocyclic or polycyclic).
  • Examples of the divalent linking group for T include an alkylene group, —COO—Rt— group, —O—Rt— group, and the like.
  • Rt represents an alkylene group or a cycloalkylene group.
  • T is preferably a single bond or a —COO—Rt— group.
  • Rt is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a —CH 2 — group or a — (CH 2 ) 3 — group.
  • the alkyl group of Rx 1 to Rx 3 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, or a t-butyl group.
  • Examples of the cycloalkyl group of Rx 1 to Rx 3 include monocyclic cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group, polycyclic cycloalkyl groups such as norbornyl group, tetracyclodecanyl group, tetracyclododecanyl group and adamantyl group. Groups are preferred.
  • Examples of the cycloalkyl group formed by combining at least two of Rx 1 to Rx 3 include a monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group, a norbornyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, A polycyclic cycloalkyl group such as an adamantyl group is preferred.
  • Rx 1 is a methyl group or an ethyl group and Rx 2 and Rx 3 are bonded to form the above-described cycloalkyl group is preferable.
  • Each of the above groups may have a substituent.
  • substituents include an alkyl group (1 to 4 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group (1 to 4 carbon atoms), a carboxyl group, Examples thereof include alkoxycarbonyl groups (having 2 to 6 carbon atoms), and those having 8 or less carbon atoms are preferred.
  • the resin (Ab) preferably contains at least one repeating unit represented by the following general formulas (A1) and (A2).
  • n represents an integer of 1 to 5
  • m represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship 1 ⁇ m + n ⁇ 5.
  • S 1 represents a substituent (excluding a hydrogen atom), and when m is 2 or more, the plurality of S 1 may be the same as or different from each other.
  • a 1 represents a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid. However, at least one A 1 represents a group capable of leaving by the action of an acid.
  • n ⁇ 2 the plurality of A 1 may be the same as or different from each other.
  • X is hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxy group, alkyloxycarbonyl group, alkyl Represents a carbonyloxy group or an aralkyl group.
  • a 2 represents a group capable of leaving by the action of an acid.
  • n represents an integer of 1 to 5, preferably 1 or 2, and particularly preferably 1.
  • m represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship of 1 ⁇ m + n ⁇ 5, preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.
  • S 1 represents a substituent (excluding a hydrogen atom) as described above. Examples of the substituent include those similar to the substituents described for S 1 in the general formula (A) described below.
  • a 1 represents a hydrogen atom or a group capable of leaving by the action of an acid, and at least one A 1 is a group capable of leaving by the action of an acid.
  • Examples of the group capable of leaving by the action of an acid include tertiary alkyl groups such as t-butyl group and t-amyl group, t-butoxycarbonyl group, t-butoxycarbonylmethyl group, and formula —C (L 1 ) (L 2 ) —O—Z 2 represents an acetal group.
  • L 1 and L 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aralkyl group.
  • Z 2 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aralkyl group.
  • Z 2 and L 1 may be bonded to each other to form a 5-membered or 6-membered ring.
  • the alkyl group may be a linear alkyl group or a branched alkyl group.
  • the linear alkyl group preferably has 1 to 30 carbon atoms, and more preferably 1 to 20 carbon atoms.
  • straight chain alkyl groups include methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, sec-butyl, n-pentyl, n-hexyl, n-heptyl, n- Examples include an octyl group, an n-nonyl group, and an n-decyl group.
  • the carbon number of the branched alkyl group is preferably 3 to 30, and more preferably 3 to 20.
  • Examples of such branched alkyl groups include i-propyl, i-butyl, t-butyl, i-pentyl, t-pentyl, i-hexyl, t-hexyl, and i-heptyl.
  • alkyl groups may further have a substituent.
  • substituents include a hydroxyl group; a halogen atom such as a fluorine, chlorine, bromine and iodine atom; a nitro group; a cyano group; an amide group; a sulfonamide group; a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, n- Alkyl groups such as butyl, sec-butyl, hexyl, 2-ethylhexyl, octyl and dodecyl; alkoxy groups such as methoxy, ethoxy, hydroxyethoxy, propoxy, hydroxypropoxy and butoxy; Examples include alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group; acyl groups such as formyl group, acetyl group and benzoyl group; acyloxy groups such as acetoxy group
  • an ethyl group, an isopropyl group, an isobutyl group, a cyclohexylethyl group, a phenylmethyl group, or a phenylethyl group is particularly preferable.
  • the cycloalkyl group may be monocyclic or polycyclic. In the latter case, the cycloalkyl group may be bridged. That is, in this case, the cycloalkyl group may have a bridged structure. A part of carbon atoms in the cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom.
  • the monocyclic cycloalkyl group preferably has 3 to 8 carbon atoms.
  • Examples of such a cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group.
  • Examples of the polycyclic cycloalkyl group include groups having a bicyclo, tricyclo or tetracyclo structure.
  • the polycyclic cycloalkyl group preferably has 6 to 20 carbon atoms.
  • Examples of such a cycloalkyl group include an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, camphanyl group, dicyclopentyl group, ⁇ ⁇ ⁇ -pinanyl group, tricyclodecanyl group, tetocyclododecyl group and androstanyl group.
  • Examples of the aralkyl group in L 1 , L 2 and Z 2 include those having 7 to 15 carbon atoms such as benzyl group and phenethyl group.
  • aralkyl groups may further have a substituent.
  • substituents include an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acylamino group, a sulfonylamino group, an alkylthio group, an arylthio group, and an aralkylthio group.
  • the aralkyl group having a substituent include an alkoxybenzyl group, a hydroxybenzyl group, and a phenylthiophenethyl group.
  • carbon number of the substituent which these aralkyl groups may have is preferably 12 or less.
  • Examples of the 5-membered or 6-membered ring that can be formed by bonding Z 2 and L 1 to each other include a tetrahydropyran ring and a tetrahydrofuran ring. Of these, a tetrahydropyran ring is particularly preferred.
  • Z 2 is preferably a linear or branched alkyl group. Thereby, the effect of the present invention becomes more remarkable.
  • the specific example of the repeating unit represented by general formula (A1) below is given, it is not limited to these.
  • X is hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, cycloalkyloxy group, aryl group, carboxy group, alkyl as described above.
  • An oxycarbonyl group, an alkylcarbonyloxy group or an aralkyl group is represented.
  • the alkyl group as X may have a substituent and may be linear or branched.
  • the linear alkyl group preferably has 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, and an n-pentyl group.
  • the branched alkyl group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 3 to 20 carbon atoms, such as i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, i-pentyl group, t-pentyl group, Examples include i-hexyl group, t-hexyl group, i-heptyl group, t-heptyl group, i-octyl group, t-octyl group, i-nonyl group, t-decyl group and the like.
  • the alkoxy group as X may have a substituent, for example, the above alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, for example, methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group And a cyclohexyloxy group.
  • halogen atom as X examples include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferred.
  • the acyl group as X may have a substituent, for example, an acyl group having 2 to 8 carbon atoms, specifically, a formyl group, acetyl group, propanoyl group, butanoyl group, pivaloyl group Preferred examples include benzoyl group.
  • the acyloxy group as X may have a substituent, and is preferably an acyloxy group having 2 to 8 carbon atoms.
  • An oxy group, an octanoyloxy group, a benzoyloxy group, etc. can be mentioned.
  • the cycloalkyl group as X may have a substituent, may be monocyclic, polycyclic, or bridged.
  • the cycloalkyl group may have a bridged structure.
  • the monocyclic type is preferably a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclobutyl group, and a cyclooctyl group.
  • Examples of the polycyclic type include groups having a bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure or the like having 5 or more carbon atoms, and a cycloalkyl group having 6 to 20 carbon atoms is preferable, for example, an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, Examples thereof include a camphanyl group, a dicyclopentyl group, an ⁇ -pinel group, a tricyclodecanyl group, a tetocyclododecyl group, and an androstanyl group.
  • a part of carbon atoms in the cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom.
  • the aryl group as X may have a substituent and preferably has 6 to 14 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a xylyl group, a toluyl group, a cumenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group. .
  • the alkyloxycarbonyl group as X may have a substituent and preferably has 2 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, and a propoxycarbonyl group.
  • the alkylcarbonyloxy group as X may have a substituent and preferably has 2 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methylcarbonyloxy group and an ethylcarbonyloxy group.
  • the aralkyl group as X may have a substituent, and is preferably an aralkyl group having 7 to 16 carbon atoms, for example, a benzyl group.
  • the alkyl group, alkoxy group, acyl group, cycloalkyl group, aryl group, alkyloxycarbonyl group, alkylcarbonyloxy group, and aralkyl group that X may further have include an alkyl group, a hydroxyl group, an alkoxy group.
  • a 2 represents a group capable of leaving by the action of an acid as described above. That is, the repeating unit represented by the general formula (A2) has a group represented by “—COOA 2 ” as an acid-decomposable group.
  • the A 2 for example, those previously described for A 1 in the general formula (A1) similar to the.
  • a 2 is preferably a hydrocarbon group (preferably having a carbon number of 20 or less, more preferably 4 to 12), and a t-butyl group, a t-amyl group, or a hydrocarbon group having an alicyclic structure (for example, an alicyclic group).
  • the group itself and a group in which an alicyclic group is substituted on the alkyl group) are more preferable.
  • a 2 is preferably a tertiary alkyl group or a tertiary cycloalkyl group.
  • the alicyclic structure may be monocyclic or polycyclic. Specific examples include monocyclo, bicyclo, tricyclo, and tetracyclo structures having 5 or more carbon atoms. The number of carbon atoms is preferably 6-30, and particularly preferably 7-25. These hydrocarbon groups having an alicyclic structure may have a substituent. Examples of the alicyclic structure include alicyclic structures described in paragraphs [0264] to [0265] of JP2013-83966A.
  • the alicyclic structure is preferably a monovalent alicyclic group as an adamantyl group, a noradamantyl group, a decalin residue, a tricyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, or a norbornyl group.
  • cedrol group cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclodecanyl group, and cyclododecanyl group.
  • Examples of the substituent that the alicyclic ring may have include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group, and an alkoxycarbonyl group.
  • the alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group or a butyl group, more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group or an isopropyl group.
  • Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group.
  • the alkyl group and alkoxy group may further have a substituent. Examples of the substituent further possessed by the alkyl group and alkoxy group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy
  • R 11 represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group or a sec-butyl group
  • Z represents an alicyclic hydrocarbon group together with a carbon atom. Represents the necessary atomic group.
  • R 12 to R 16 each independently represents a linear or branched alkyl group or alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 12 to R 14 , or Either R 15 or R 16 represents an alicyclic hydrocarbon group.
  • R 17 to R 21 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon group, provided that at least one of R 17 to R 21 Represents an alicyclic hydrocarbon group.
  • R 19 or R 21 represents a linear or branched alkyl group or alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
  • R 22 to R 25 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon group, provided that at least one of R 22 to R 25 Represents an alicyclic hydrocarbon group.
  • R 23 and R 24 may be bonded to each other to form a ring.
  • the alkyl group for R 12 to R 25 may be either substituted or unsubstituted, and is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms Represents.
  • the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and a t-butyl group.
  • substituent for the alkyl group examples include an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom), an acyl group, an acyloxy group, a cyano group, a hydroxyl group, and a carboxy group. , Alkoxycarbonyl group, nitro group and the like.
  • Examples of the alicyclic hydrocarbon group in R 11 to R 25 or the alicyclic hydrocarbon group formed by Z and a carbon atom include those described above as the alicyclic structure.
  • the repeating unit represented by the general formula (A2) is preferably a repeating unit represented by the following formula.
  • repeating unit represented by the general formula (A2) is preferably a repeating unit represented by the following general formula (A3) in another embodiment.
  • AR represents an aryl group.
  • Rn represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. Rn and AR may be bonded to each other to form a non-aromatic ring.
  • R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkyloxycarbonyl group.
  • the repeating unit represented by formula (A3) will be described in detail.
  • AR represents an aryl group as described above.
  • the aryl group for AR is preferably a group having 6 to 20 carbon atoms, such as a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, or a fluorene group, and more preferably a group having 6 to 15 carbon atoms.
  • AR is a naphthyl group, anthryl group or fluorene group
  • this carbon atom may be bonded to the ⁇ -position of the naphthyl group or may be bonded to the ⁇ -position.
  • AR is an anthryl group
  • this carbon atom may be bonded to the 1-position, the 2-position, or the 9-position of the anthryl group.
  • the aryl group as AR may have one or more substituents.
  • substituents include, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group and dodecyl group.
  • a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and an alkoxy group containing the alkyl group moiety are preferable, and a paramethyl group
  • the aryl group as AR has a plurality of substituents
  • at least two of the plurality of substituents may be bonded to each other to form a ring.
  • the ring is preferably a 5- to 8-membered ring, more preferably a 5- or 6-membered ring.
  • this ring may be a heterocycle containing a heteroatom such as an oxygen atom, a nitrogen atom, or a sulfur atom as a ring member.
  • this ring may have a substituent.
  • this substituent the thing similar to what is mentioned later about the substituent which Rn may have is mentioned.
  • the repeating unit represented by the general formula (A3) preferably contains two or more aromatic rings from the viewpoint of roughness performance.
  • the number of aromatic rings contained in this repeating unit is usually preferably 5 or less, and more preferably 3 or less.
  • AR preferably contains two or more aromatic rings, and AR is more preferably a naphthyl group or a biphenyl group.
  • the number of aromatic rings possessed by AR is usually preferably 5 or less, and more preferably 3 or less.
  • Rn represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.
  • the alkyl group of Rn may be a straight chain alkyl group or a branched chain alkyl group.
  • the alkyl group is preferably a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclohexyl group, octyl group, dodecyl group, etc. Examples thereof include those having 1 to 20 carbon atoms.
  • the alkyl group of Rn preferably has 1 to 5 carbon atoms, and more preferably has 1 to 3 carbon atoms.
  • Examples of the cycloalkyl group represented by Rn include those having 3 to 15 carbon atoms such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.
  • aryl group of Rn for example, those having 6 to 14 carbon atoms such as phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group and anthryl group are preferable.
  • Each of the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group as Rn may further have a substituent.
  • substituents include an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, an acylamino group, a sulfonylamino group, a dialkylamino group, an alkylthio group, an arylthio group, an aralkylthio group, and a thiophenecarbonyloxy group.
  • Thiophenemethylcarbonyloxy group and heterocyclic residues such as pyrrolidone residues.
  • an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, a nitro group, an acyl group, an acyloxy group, an acylamino group, and a sulfonylamino group are particularly preferable.
  • R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, a cyano group or an alkyloxycarbonyl group as described above.
  • alkyl group and cycloalkyl group of R include the same as those described above for Rn.
  • Each of these alkyl groups and cycloalkyl groups may have a substituent. Examples of this substituent include the same as those described above for Rn.
  • R is an alkyl group or a cycloalkyl group having a substituent
  • particularly preferable R is, for example, a trifluoromethyl group, an alkyloxycarbonylmethyl group, an alkylcarbonyloxymethyl group, a hydroxymethyl group, or an alkoxymethyl group.
  • R is, for example, a trifluoromethyl group, an alkyloxycarbonylmethyl group, an alkylcarbonyloxymethyl group, a hydroxymethyl group, or an alkoxymethyl group.
  • halogen atom for R examples include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • a fluorine atom is particularly preferable.
  • alkyl group moiety contained in the alkyloxycarbonyl group of R for example, the configuration described above as the alkyl group of R can be employed.
  • Rn and AR are preferably bonded to each other to form a non-aromatic ring, and in particular, roughness performance can be further improved.
  • the non-aromatic ring that may be formed by bonding Rn and AR is preferably a 5- to 8-membered ring, more preferably a 5- or 6-membered ring.
  • the non-aromatic ring may be an aliphatic ring or a heterocycle containing a hetero atom such as an oxygen atom, a nitrogen atom, or a sulfur atom as a ring member.
  • the non-aromatic ring may have a substituent. As this substituent, the thing similar to what was demonstrated previously about the substituent which Rn may have is mentioned, for example.
  • the repeating unit represented by the general formula (A2) is preferably a repeating unit of t-butyl methacrylate or ethylcyclopentyl methacrylate in one embodiment.
  • Monomers corresponding to the repeating unit represented by the general formula (A2) are (meth) acrylic acid chloride and an alcohol compound in a solvent such as THF (tetrahydrofuran), acetone, methylene chloride, triethylamine, pyridine, DBU (diaza). It can be synthesized by esterification in the presence of a basic catalyst such as bicycloundecene. A commercially available product may be used.
  • the resin (Ab) may further contain a repeating unit having a group capable of decomposing by the action of an acid to generate an alcoholic hydroxy group as an acid-decomposable group.
  • a repeating unit having a group that decomposes by the action of an acid to generate an alcoholic hydroxy group include the repeating units described in paragraphs [0030] to [0071] of JP-A-2011-203644. it can.
  • Resin (Ab) may further contain a repeating unit represented by the following general formula (A5).
  • X is a hydrogen atom, alkyl group, hydroxyl group, alkoxy group, halogen atom, cyano group, nitro group, acyl group, acyloxy group, cycloalkyl group, aryl group, carboxyl group, alkyloxycarbonyl group, alkylcarbonyloxy group, or Represents an aralkyl group and is the same as X in formula (A2b).
  • a 4 represents a hydrocarbon group that is not eliminated by the action of an acid.
  • examples of the hydrocarbon group that is not eliminated by the action of the acid A 4 include hydrocarbon groups other than the acid-decomposable groups, such as an alkyl that is not eliminated by the action of the acid.
  • a group preferably having 1 to 15 carbon atoms
  • a cycloalkyl group that is not eliminated by the action of an acid preferably 3 to 15 carbon atoms
  • an aryl group that is not eliminated by the action of an acid preferably having 6 to 15 carbon atoms
  • the hydrocarbon group that is not eliminated by the action of the acid of A 4 may be further substituted with a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or the like.
  • the resin (Ab) preferably further has a repeating unit represented by the general formula (A6).
  • R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group, a cyano group, a halogen atom, or a perfluoro group having 1 to 4 carbon atoms.
  • R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom, an aryl group, an alkoxy group or an acyl group.
  • q represents an integer of 0 to 4.
  • Ar represents a q + 2 valent aromatic ring.
  • W represents a group or a hydrogen atom that is not decomposed by the action of an acid.
  • a benzene ring, a naphthalene ring and an anthracene ring are preferable, and a benzene ring is more preferable.
  • W represents a group that is not decomposed by the action of an acid (also referred to as an acid-stable group), and examples include groups other than the above-mentioned acid-decomposable groups. Specifically, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, An aryl group, an acyl group, an alkylamide group, an arylamidomethyl group, an arylamide group, etc. are mentioned.
  • the acid stabilizing group is preferably an acyl group or an alkylamide group, more preferably an acyl group, an alkylcarbonyloxy group, an alkyloxy group, a cycloalkyloxy group, or an aryloxy group.
  • the alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group and t-butyl group.
  • the alkyl group those having 3 to 10 carbon atoms such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclohexyl group and adamantyl group are preferable.
  • alkenyl groups carbon numbers such as vinyl group, propenyl group, allyl group and butenyl group are preferred.
  • aryl group having 2 to 4 carbon atoms is preferable, and an aryl group having 6 to 14 carbon atoms such as a phenyl group, a xylyl group, a toluyl group, a cumenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group is preferable.
  • W may be at any position on the benzene ring, but is preferably a meta position or a para position of the styrene skeleton, particularly preferably a para position. Specific examples of the repeating unit represented by formula (A6) are shown below, but are not limited thereto.
  • the resin (Ab) preferably further has at least one selected from repeating units represented by the following general formulas (c1) to (c5).
  • each of R 10 to R 14 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkyl group in which some or all of the hydrogen atoms bonded to the carbon atom are substituted with a halogen atom, an alkoxy group, an alkanoyl group, an alkoxycarbonyl group.
  • Z 2 is a methylene group, an oxygen atom or a sulfur atom.
  • the alkyl group as R 10 to R 14 preferably has 1 to 30 carbon atoms in the alkyl group in which some or all of the hydrogen atoms bonded to the carbon atom are substituted with halogen atoms.
  • the number of carbon atoms in the alkoxy group as R 10 to R 14 is preferably 1 to 8.
  • the alkanoyl group as R 10 to R 14 preferably has 1 to 8 carbon atoms.
  • the number of carbon atoms in the alkoxycarbonyl group as R 10 to R 14 is preferably 2 to 8.
  • the number of carbon atoms in the aryl group as R 10 to R 14 is preferably 6 to 10.
  • the content of the repeating units represented by the general formulas (c1) to (c5) in the resin (Ab) is preferably 5 to 95 mol%, more preferably 5 to 60 mol%, particularly among all repeating units. Preferably, it is 5 to 30 mol%.
  • the resin (Ab) preferably further has a repeating unit composed of a (meth) acrylic acid derivative that is not decomposed by the action of an acid.
  • a repeating unit composed of a (meth) acrylic acid derivative that is not decomposed by the action of an acid.
  • the content of the repeating unit having an acid-decomposable group in the resin (Ab) is preferably from 5 to 95 mol%, more preferably from 10 to 60 mol%, particularly preferably from 15 to 50 mol%, based on all repeating units. It is.
  • the content of the repeating unit represented by the general formula (A1) in the resin (Ab) is preferably 0 to 90 mol%, more preferably 10 to 70 mol%, and particularly preferably 20 to 20 mol% in all repeating units. 50 mol%.
  • the content of the repeating unit represented by the general formula (A2) in the resin (Ab) is preferably 0 to 90 mol%, more preferably 5 to 75 mol%, and particularly preferably 10 to 60 mol%.
  • the content of the repeating unit represented by the general formula (A3) in the resin (Ab) is preferably from 0 to 90 mol%, more preferably from 5 to 75 mol%, particularly preferably from 10 to 10 in all repeating units. 60 mol%.
  • the content of the repeating unit represented by the general formula (A5) in the resin (Ab) is preferably 0 to 50 mol%, more preferably 0 to 40 mol%, particularly preferably 0 to 30 mol%.
  • the resin (Ab) may further have a repeating unit represented by the general formula (A6), which is preferable from the viewpoints of improving the film quality and suppressing the decrease in the film thickness of the unexposed area.
  • the content of the repeating unit represented by the general formula (A6) is preferably 0 to 50 mol%, more preferably 0 to 40 mol%, particularly preferably 0 to 30 mol%.
  • the resin (Ab) may be copolymerized with another polymerizable monomer suitable for introducing an alkali-soluble group such as a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group, or alkyl acrylate or Other hydrophobic polymerizable monomers such as alkyl methacrylates may be copolymerized.
  • another polymerizable monomer suitable for introducing an alkali-soluble group such as a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group, or alkyl acrylate or Other hydrophobic polymerizable monomers such as alkyl methacrylates may be copolymerized.
  • the monomer corresponding to the repeating unit represented by the general formula (A2) includes (meth) acrylic acid chloride and an alcohol compound in a solvent such as THF, acetone and methylene chloride, and a basic catalyst such as triethylamine, pyridine and DBU. It can be synthesized by esterification below. A commercially available product may be used.
  • the monomer corresponding to the repeating unit represented by the general formula (A1) is a hydroxy-substituted styrene monomer and a vinyl ether compound in a solvent such as THF and methylene chloride, such as p-toluenesulfonic acid and p-toluenesulfonic acid pyridine salt. It can be synthesized by acetalization in the presence of an acidic catalyst or by t-Boc protection using t-butyl dicarbonate in the presence of a basic catalyst such as triethylamine, pyridine, DBU or the like. A commercially available product may be used.
  • the resin (Ab) preferably contains a repeating unit represented by the following general formula (A).
  • n represents an integer of 1 to 5
  • m represents an integer of 0 to 4 that satisfies the relationship 1 ⁇ m + n ⁇ 5.
  • n is preferably 1 or 2, more preferably 1.
  • m is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.
  • S 1 represents a substituent.
  • the plurality of S 1 may be the same as or different from each other.
  • the substituent represented by S 1 include an alkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, an aralkyl group, an aralkyloxy group, a hydroxy group, a halogen atom, a cyano group, and a nitro group.
  • alkyl group and a cycloalkyl group a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a pentyl group, a cyclopentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, an octyl group
  • a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a dodecyl group or a cycloalkyl group is preferable. These groups may further have a substituent.
  • substituents that may be included are alkyl group, alkoxy group, hydroxyl group, halogen atom, nitro group, acyl group, acyloxy group, acylamino group, sulfonylamino group, alkylthio group, arylthio group, aralkylthio group, thiophenecarbonyloxy Group, a thiophenemethylcarbonyloxy group, a heterocyclic residue such as a pyrrolidone residue, and the like, and a substituent having 12 or less carbon atoms is preferable.
  • alkyl group having a substituent examples include a cyclohexylethyl group, an alkylcarbonyloxymethyl group, an alkylcarbonyloxyethyl group, a cycloalkylcarbonyloxymethyl group, a cycloalkylcarbonyloxyethyl group, an arylcarbonyloxyethyl group, and an aralkylcarbonyloxyethyl group.
  • alkyl group and cycloalkyl group in these groups are not particularly limited, and may further have a substituent such as the aforementioned alkyl group, cycloalkyl group, or alkoxy group.
  • alkylcarbonyloxyethyl group and cycloalkylcarbonyloxyethyl group examples include a cyclohexylcarbonyloxyethyl group, a t-butylcyclohexylcarbonyloxyethyl group, and an n-butylcyclohexylcarbonyloxyethyl group.
  • the aryl group is not particularly limited, but generally includes those having 6 to 14 carbon atoms such as phenyl group, xylyl group, toluyl group, cumenyl group, naphthyl group, anthracenyl group and the like, and further the above-mentioned alkyl group and cycloalkyl group. And may have a substituent such as an alkoxy group.
  • the aryloxyethyl group include a phenyloxyethyl group, a cyclohexylphenyloxyethyl group, and the like. These groups may further have a substituent.
  • Aralkyl is not particularly limited, and examples thereof include a benzyl group.
  • examples of the aralkylcarbonyloxyethyl group include a benzylcarbonyloxyethyl group. These groups may further have a substituent.
  • Examples of the repeating unit represented by the general formula (A) include the following.
  • the content of the repeating unit represented by the general formula (A) in the resin (Ab) is preferably 0 to 90 mol%, more preferably 5 to 80 mol%, based on all the repeating units in the resin (Ab). More preferably, it is 10 to 70 mol%, and particularly preferably 20 to 60 mol%.
  • the resin (Ab) preferably has a repeating unit described in paragraphs [0345] to [0346] of JP2013-83966A.
  • the resin (Ab) is a repeating unit (B) (hereinafter referred to as “acid generating repeating unit (B)” or “repeating” having a structural site that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid.
  • This structural site may be, for example, a structural site that generates an acid anion in the repeating unit (B) by being decomposed by irradiation with an actinic ray or radiation, or the repeating unit (B ) May be a structural site that generates a cation structure.
  • the acid generation repeating unit (B) corresponds to a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation described later.
  • Preferred examples of the acid generating repeating unit (B) include the repeating units described in paragraphs [0347] to [0485] of JP2013-083966A.
  • the content of the repeating unit (B) in the resin (Ab) is 0.1 to 80 mol% with respect to all the repeating units in the resin (Ab). Is more preferably 0.5 to 60 mol%, and still more preferably 1 to 40 mol%.
  • the resin (Ab) when exposing the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film obtained from the composition of the present invention with an ArF excimer laser, the resin (Ab) has an aromatic ring from the viewpoint of transparency to the ArF excimer laser. It is preferable to use no resin.
  • the resin (Ab) preferably further has a repeating unit having at least one group selected from a lactone group, a hydroxyl group, a cyano group, and an alkali-soluble group.
  • the repeating unit having a lactone group that can be contained in the resin (Ab) will be described. Any lactone group can be used as long as it has a lactone structure, but a 5- to 7-membered ring lactone structure is preferable, and a bicyclo structure or a spiro structure is formed in the 5- to 7-membered ring lactone structure.
  • the other ring structure is preferably condensed. It is more preferable to have a repeating unit having a lactone structure represented by any of the following general formulas (LC1-1) to (LC1-16).
  • the lactone structure may be directly bonded to the main chain.
  • Preferred lactone structures are (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-6), (LC1-13), (LC1-14), and a specific lactone structure should be used. LER becomes better.
  • the lactone structure moiety may or may not have a substituent (Rb 2 ).
  • Preferred substituents (Rb 2 ) include an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 7 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 1 to 8 carbon atoms, and a carboxyl group. , Halogen atom, hydroxyl group, cyano group, acid-decomposable group and the like. More preferred are an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cyano group, and an acid-decomposable group.
  • n 2 represents an integer of 0 to 4. When n 2 is 2 or more, a plurality of substituents (Rb 2 ) may be the same or different, and a plurality of substituents (Rb 2 ) may be bonded to form a ring. .
  • Examples of the repeating unit having a lactone structure represented by any one of the general formulas (LC1-1) to (LC1-16) include a repeating unit represented by the following general formula (AII).
  • Rb 0 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • Examples of the halogen atom for Rb 0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • Preferred are a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, and a trifluoromethyl group, and a hydrogen atom and a methyl group are particularly preferred.
  • Ab represents a single bond, an alkylene group, a divalent linking group having a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, an ether group, an ester group, a carbonyl group, or a divalent linking group obtained by combining these.
  • it is a single bond or a divalent linking group represented by —Ab 1 —CO 2 —.
  • Ab 1 is a linear, branched alkylene group, monocyclic or polycyclic cycloalkylene group, preferably a methylene group, an ethylene group, a cyclohexylene group, an adamantylene group or a norbornylene group.
  • V represents a group having a structure represented by any one of formulas (LC1-1) to (LC1-16).
  • the repeating unit having a lactone group usually has an optical isomer, but any optical isomer may be used.
  • One optical isomer may be used alone, or a plurality of optical isomers may be mixed and used.
  • the optical purity (ee) thereof is preferably 90 or more, more preferably 95 or more.
  • the content of the repeating unit having a lactone group is preferably from 15 to 60 mol%, more preferably from 20 to 50 mol%, still more preferably from 30 to 50 mol%, based on all repeating units in the resin (Ab). .
  • Specific examples of the repeating unit having a lactone group are listed below, but the present invention is not limited thereto.
  • the resin (Ab) preferably has a repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group. This improves the substrate adhesion and developer compatibility.
  • the repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group is preferably a repeating unit having an alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group.
  • the alicyclic hydrocarbon structure in the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a hydroxyl group or a cyano group is preferably an adamantyl group, a diamantyl group, or a norbornane group.
  • As the alicyclic hydrocarbon structure substituted with a preferred hydroxyl group or cyano group partial structures represented by the following general formulas (VIIa) to (VIId) are preferred.
  • R 2 c to R 4 c each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or a cyano group. However, at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group or a cyano group. Preferably, one or two of R 2 c to R 4 c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms. In general formula (VIIa), more preferably, two of R 2 c to R 4 c are a hydroxyl group and the rest are hydrogen atoms.
  • repeating unit having a partial structure represented by general formulas (VIIa) to (VIId) examples include repeating units represented by the following general formulas (AIIa) to (AIId).
  • R 1 c represents a hydrogen atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or a hydroxymethyl group.
  • R 2 c ⁇ R 4 c is in the general formula (VIIa) ⁇ (VIIc), the same meanings as R 2 c ⁇ R 4 c.
  • the content of the repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group is preferably from 5 to 40 mol%, more preferably from 5 to 30 mol%, still more preferably from 10 to 25 mol%, based on all repeating units in the resin (Ab). It is.
  • repeating unit having a hydroxyl group or a cyano group are listed below, but the present invention is not limited thereto.
  • Resin (Ab) preferably has a repeating unit having an alkali-soluble group.
  • the alkali-soluble group include a carboxyl group, a sulfonamide group, a sulfonylimide group, a bisulsulfonylimide group, and an aliphatic alcohol (for example, hexafluoroisopropanol group) substituted with an electron-attracting group at the ⁇ -position. It is more preferable to have a repeating unit. By containing the repeating unit having an alkali-soluble group, the resolution in contact hole applications is increased.
  • the repeating unit having an alkali-soluble group includes a repeating unit in which an alkali-soluble group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or an alkali in the main chain of the resin through a linking group.
  • a repeating unit to which a soluble group is bonded, or a polymerization initiator having an alkali-soluble group or a chain transfer agent is introduced at the end of the polymer chain at the time of polymerization is preferred, and the linking group is monocyclic or polycyclic. It may have a cyclic hydrocarbon structure. Particularly preferred are repeating units of acrylic acid or methacrylic acid.
  • the content of the repeating unit having an alkali-soluble group is preferably from 0 to 20 mol%, more preferably from 3 to 15 mol%, still more preferably from 5 to 10 mol%, based on all repeating units in the resin (Ab). is there.
  • Specific examples of the repeating unit having an alkali-soluble group are shown below, but the present invention is not limited thereto.
  • Resin (Ab) may further have a repeating unit that has an alicyclic hydrocarbon structure and does not exhibit acid decomposability. This can reduce the elution of low molecular components from the resist film to the immersion liquid during immersion exposure.
  • repeating units include repeating units of 1-adamantyl (meth) acrylate, diamantyl (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, and cyclohexyl (meth) acrylate.
  • Examples of combinations of repeating units of the resin (Ab) excluding the repeating units represented by (f1) to (f4) described above are, for example, paragraphs [0527] to [0559] of JP2013-83966A.
  • the combination of repeating units described in the above is preferred.
  • the content rate of the repeating unit containing a fluorine atom is preferably 1 mol% or less, and more preferably does not contain a fluorine atom.
  • the content of the repeating unit other than the repeating unit (B) and containing a fluorine atom is more preferably 1 mol% or less. Most preferably, no atoms are contained.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the resin (Ab) is preferably in the range of 1,000 to 200,000. 200,000 or less is preferable from the viewpoint of the dissolution rate and sensitivity of the resin itself with respect to alkali.
  • the degree of dispersion (Mw / Mn), which is the ratio of the weight average molecular weight (Mw) to the number average molecular weight (Mn), is preferably 1.0 to 3.0, more preferably 1.0 to 2.5. Particularly preferred is 1.0 to 2.0.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the resin is more preferably in the range of 1,000 to 200,000, still more preferably in the range of 1,000 to 100,000, and particularly preferably 1, The range is from 000 to 50,000, and most preferably from 1,000 to 25,000.
  • the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) are defined as polystyrene conversion values determined by gel permeation chromatography (GPC) using tetrahydrofuran (THF) as a developing solvent (hereinafter referred to as the following). The same).
  • Resin (Ab) having a dispersity of 2.0 or less can be synthesized by performing radical polymerization using an azo polymerization initiator. Further preferred resin (Ab) having a dispersity of 1.0 to 1.5 can be synthesized by living radical polymerization, for example.
  • the resin (Ab) is preferably polymerized by a known anionic polymerization method or radical polymerization method.
  • the anionic polymerization method is usually performed at a temperature of ⁇ 100 to 90 ° C. in an organic solvent under an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon using an alkali metal or an organic alkali metal as a polymerization initiator.
  • a block copolymer is obtained by sequentially adding monomers to the reaction system for polymerization, and a random copolymer is obtained by adding a mixture of monomers to the reaction system for polymerization. can get.
  • alkali metal of the polymerization initiator examples include lithium, sodium, potassium, cesium and the like
  • organic alkali metal examples include alkylated products, allylated products and arylated products of the alkali metals, specifically Is ethyl lithium, n-butyl lithium, sec-butyl lithium, tert-butyl lithium, ethyl sodium, lithium biphenyl, lithium naphthalene, lithium triphenyl, sodium naphthalene, ⁇ -methylstyrene sodium dianion, 1,1-diphenylhexyl lithium 1,1-diphenyl-3-methylpentyl lithium and the like.
  • the radical polymerization method uses known radical polymerization initiators such as azo compounds such as azobisisobutyronitrile and azobisisovaleronitrile; organic peroxides such as benzoyl peroxide, methyl ethyl ketone peroxide and cumene hydroperoxide; If necessary, a known chain transfer agent such as 1-dodecanethiol is used in combination with an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon in an organic solvent at a temperature of 50 to 200 ° C.
  • an organic solvent a conventionally known organic solvent can be used, and examples thereof include the organic solvents described in paragraph [0493] of JP2013-83966A.
  • the total amount of the resin (Ab) added is generally 10 to 99% by mass, preferably 20 to 99% by mass, particularly preferably 30 to 99% by mass, based on the total solid content of the composition of the present invention. %.
  • composition of the present invention further contains a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation (hereinafter also referred to as “photoacid generator”).
  • the photoacid generator examples include photo-initiators of photo-cationic polymerization, photo-initiators of photo-radical polymerization, photo-decoloring agents, photo-discoloring agents, and acid by irradiation with actinic rays or radiation used in micro-resist.
  • a known compound that generates a salt, and a mixture thereof can be appropriately selected and used. Examples of these include onium salts such as sulfonium salts and iodonium salts, and diazodisulfone compounds such as bis (alkylsulfonyldiazomethane).
  • Preferred examples of the photoacid generator include compounds represented by the following general formulas (ZI), (ZII) and (ZIII).
  • R 201 , R 202 and R 203 each independently represents an organic group.
  • the organic group as R 201 , R 202 and R 203 has, for example, 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.
  • R 201 to R 203 may be bonded to each other via a single bond or a linking group to form a ring structure.
  • the linking group in this case include an ether bond, a thioether bond, an ester bond, an amide bond, a carbonyl group, a methylene group, and an ethylene group.
  • the group formed by combining two of R 201 to R 203 include alkylene groups such as a butylene group and a pentylene group.
  • R 201 , R 202 and R 203 include corresponding groups in the compound (ZI-1), (ZI-2) or (ZI-3) described later.
  • X ⁇ represents a non-nucleophilic anion.
  • Examples of X ⁇ include a sulfonate anion, a bis (alkylsulfonyl) amide anion, a tris (alkylsulfonyl) methide anion, BF 4 ⁇ , PF 6 —, and SbF 6 — .
  • X ⁇ is preferably an organic anion containing a carbon atom.
  • Preferred organic anions include, for example, organic anions represented by AN1 to AN3 below.
  • Rc 1 to Rc 3 each independently represents an organic group.
  • the organic group include those having 1 to 30 carbon atoms, and preferably an alkyl group, an aryl group, or a group in which a plurality of these groups are linked through a linking group.
  • the linking group include a single bond, —O—, —CO 2 —, —S—, —SO 3 —, and —SO 2 N (Rd 1 ) —.
  • Rd 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and may form a ring structure with a bonded alkyl group or aryl group.
  • the organic group of Rc 1 to Rc 3 may be an alkyl group substituted at the 1-position with a fluorine atom or a fluoroalkyl group, or a phenyl group substituted with a fluorine atom or a fluoroalkyl group.
  • Rc 1 to Rc 3 may be bonded to other alkyl groups and aryl groups to form a ring structure.
  • a sulfonate anion represented by the following general formula (SA1) or (SA2) can be mentioned.
  • Ar 1 represents an aryl group, and may further have a substituent other than a — (DB) group.
  • n represents an integer of 1 or more. n is preferably 1 to 4, more preferably 2 to 3, and most preferably 3.
  • D represents a single bond or a divalent linking group.
  • the divalent linking group is an ether group, a thioether group, a carbonyl group, a sulfoxide group, a sulfone group, a sulfonic acid ester group, or an ester group.
  • B represents a hydrocarbon group.
  • Xf each independently represents a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom.
  • R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group, or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and each of R 1 and R 2 when there are a plurality of R 1 and R 2 May be the same as or different from each other.
  • L represents a single bond or a divalent linking group, and when there are a plurality of L, they may be the same as or different from each other.
  • E represents a group having a cyclic structure.
  • x represents an integer of 1 to 20
  • y represents an integer of 0 to 10
  • z represents an integer of 0 to 10.
  • Ar 1 is preferably an aromatic ring having 6 to 30 carbon atoms.
  • Ar 1 is, for example, a benzene ring, a naphthalene ring, a pentalene ring, an indene ring, an azulene ring, a heptalene ring, an indecene ring, a perylene ring, a pentacene ring, an acetaphthalene ring, a phenanthrene ring, an anthracene ring, a naphthacene ring, Chrysene ring, triphenylene ring, fluorene ring, biphenyl ring, pyrrole ring, furan ring, thiophene ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, pyridine
  • a benzene ring, a naphthalene ring or an anthracene ring is preferable, and a benzene ring is more preferable, from the viewpoint of achieving both roughness improvement and high sensitivity.
  • Ar 1 further has a substituent other than the — (DB) group
  • substituents include the following. That is, as this substituent, halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom; alkoxy groups such as methoxy group, ethoxy group and tert-butoxy group; aryloxy groups such as phenoxy group and p-tolyloxy group Alkylthioxy groups such as methylthioxy, ethylthioxy and tert-butylthioxy groups; arylthioxy groups such as phenylthioxy and p-tolylthioxy groups; alkoxy or aryl such as methoxycarbonyl, butoxycarbonyl and phenoxycarbonyl groups; Loxycarbonyl group; acetoxy group; straight chain alkyl group or branched alkyl group such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, hept
  • D is preferably a single bond, an ether group or an ester group. More preferably, D is a single bond.
  • B is, for example, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or a cycloalkyl group.
  • B is preferably an alkyl group or a cycloalkyl group.
  • the alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group or cycloalkyl group as B may have a substituent.
  • the alkyl group as B is preferably a branched alkyl group.
  • Examples of the branched alkyl group include isopropyl group, tert-butyl group, tert-pentyl group, neopentyl group, sec-butyl group, isobutyl group, isohexyl group, 3,3-dimethylpentyl group and 2-ethylhexyl group. It is done.
  • the cycloalkyl group as B may be a monocyclic cycloalkyl group or a polycyclic cycloalkyl group.
  • Examples of the monocyclic cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group.
  • polycyclic cycloalkyl group examples include adamantyl group, norbornyl group, bornyl group, camphenyl group, decahydronaphthyl group, tricyclodecanyl group, tetracyclodecanyl group, camphoroyl group, dicyclohexyl group and pinenyl group. Can be mentioned.
  • alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group or cycloalkyl group as B has a substituent
  • substituents include the following. That is, as this substituent, halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom; alkoxy groups such as methoxy group, ethoxy group and tert-butoxy group; aryloxy groups such as phenoxy group and p-tolyloxy group Alkylthioxy groups such as methylthioxy, ethylthioxy and tert-butylthioxy groups; arylthioxy groups such as phenylthioxy and p-tolylthioxy groups; alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl, butoxycarbonyl and phenoxycarbonyl Acetoxy group; straight chain alkyl group such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, hept
  • Xf is a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom.
  • the alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and more preferably has 1 to 4 carbon atoms.
  • the alkyl group substituted with a fluorine atom is preferably a perfluoroalkyl group.
  • Xf is preferably a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Specifically, Xf is preferably a fluorine atom, CF 3 , C 2 F 5 , C 3 F 7 , C 4 F 9 , C 5 F 11 , C 6 F 13 , C 7 F 15 , C 8 F 17, CH 2 CF 3, CH 2 CH 2 CF 3, CH 2 C 2 F 5, CH 2 CH 2 C 2 F 5, CH 2 C 3 F 7, CH 2 CH 2 C 3 F 7, CH 2 C 4 F 9 or CH 2 CH 2 C 4 F 9 . Among these, a fluorine atom or CF 3 is preferable, and a fluorine atom is most preferable.
  • each of R 1 and R 2 is a group selected from a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group, and an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom.
  • the alkyl group which may be substituted with a fluorine atom is preferably one having 1 to 4 carbon atoms. Further, the alkyl group substituted with a fluorine atom is particularly preferably a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • CF 3 C 2 F 5 , C 3 F 7 , C 4 F 9 , C 5 F 11 , C 6 F 13 , C 7 F 15 , C 8 F 17 , CH 2 CF 3 , CH 2 CH 2 CF 3, CH 2 C 2 F 5, CH 2 CH 2 C 2 F 5, CH 2 C 3 F 7, CH 2 CH 2 C 3 F 7, CH 2 C 4 F 9 or CH 2 CH 2 C 4 F 9 is mentioned, and among them, CF 3 is preferable.
  • x is preferably 1 to 8, and more preferably 1 to 4.
  • y is preferably 0 to 4, more preferably 0.
  • z is preferably 0 to 8, and more preferably 0 to 4.
  • L represents a single bond or a divalent linking group.
  • the divalent linking group include —COO—, —OCO—, —CO—, —O—, —S—, —SO—, —SO 2 —, an alkylene group, a cycloalkylene group, and an alkenylene group. It is done. Among these, —COO—, —OCO—, —CO—, —O—, —S—, —SO— or —SO 2 — is preferable, and —COO—, —OCO— or —SO 2 — is more preferable.
  • E represents a group having a ring structure.
  • E include a cyclic aliphatic group, an aryl group, and a group having a heterocyclic structure.
  • the cycloaliphatic group as E may have a monocyclic structure or a polycyclic structure.
  • monocyclic cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group are preferable.
  • the cycloaliphatic group having a polycyclic structure is preferably a polycyclic cycloalkyl group such as a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group or an adamantyl group.
  • the aryl group as E is, for example, a benzene ring, naphthalene ring, phenanthrene ring or anthracene ring.
  • the group having a heterocyclic structure as E may have aromaticity or may not have aromaticity.
  • the heteroatom contained in this group is preferably a nitrogen atom or an oxygen atom.
  • Specific examples of the heterocyclic structure include a furan ring, a thiophene ring, a benzofuran ring, a benzothiophene ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, a pyridine ring, a piperidine ring, and a morpholine ring.
  • a furan ring, a thiophene ring, a pyridine ring, a piperidine ring, and a morpholine ring are preferable.
  • E may have a substituent.
  • substituents include an alkyl group (which may be linear, branched or cyclic, preferably 1 to 12 carbon atoms), an aryl group (preferably 6 to 14 carbon atoms), a hydroxy group, an alkoxy group.
  • alkyl group which may be linear, branched or cyclic, preferably 1 to 12 carbon atoms
  • aryl group preferably 6 to 14 carbon atoms
  • a hydroxy group preferably 6 to 14 carbon atoms
  • alkoxy group preferably 6 to 14 carbon atoms
  • SA1 sulfonate anion represented by the general formula (SA1) or (SA2)
  • SA2 sulfonate anion represented by the general formula (SA1) or (SA2)
  • a compound having a plurality of structures represented by the general formula (ZI) may be used.
  • at least one of the general formula (ZI) by R 201 ⁇ R 203 of the compound represented, at least one coupling structure of R 201 ⁇ R 203 of another compound represented by formula (ZI) It may be a compound.
  • More preferred (ZI) components include compounds (ZI-1) to (ZI-4) described below.
  • the compound (ZI-1) at least one of R 201 to R 203 in the above general formula (ZI) is an aryl group. That is, the compound (ZI-1) is an arylsulfonium compound, that is, a compound having arylsulfonium as a cation.
  • the compound (ZI-1), all of R 201 ⁇ R 203 is may be an aryl group or a part of R 201 ⁇ R 203 is an aryl group, except they may be an alkyl group. Note that when the compound (ZI-1) has a plurality of aryl groups, these aryl groups may be the same as or different from each other.
  • Examples of the compound (ZI-1) include triarylsulfonium compounds, diarylalkylsulfonium compounds, and aryldialkylsulfonium compounds.
  • a phenyl group, a naphthyl group, or a heteroaryl group such as an indole residue and a pyrrole residue is preferable, and a phenyl group, a naphthyl group, or an indole residue is particularly preferable.
  • the alkyl group that the compound (ZI-1) optionally has is preferably a straight-chain, branched or cycloalkyl group having 1 to 15 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, n- Examples thereof include a butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclohexyl group.
  • aryl groups and alkyl groups may have a substituent.
  • substituents include an alkyl group (preferably having a carbon number of 1 to 15), an aryl group (preferably having a carbon number of 6 to 14), an alkoxy group (preferably having a carbon number of 1 to 15), a halogen atom, a hydroxyl group and phenylthio. Groups.
  • Preferred examples of the substituent include a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and a linear, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
  • Particularly preferred substituents include alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms and alkoxy groups having 1 to 6 carbon atoms.
  • the substituent may be substituted with any one of the three R 201 to R 203 , or may be substituted with all three. When R 201 to R 203 are phenyl groups, the substituent is preferably substituted at the p-position of the aryl group.
  • one or two of R 201 , R 202 and R 203 is an aryl group which may have a substituent, and the remaining group is a linear, branched or cyclic alkyl group. preferable.
  • Specific examples of this structure include the structures described in paragraphs 0141 to 0153 of JP-A-2004-210670.
  • aryl group specifically, the same as the aryl group of R 201, R 202 and R 203, a phenyl group or a naphthyl group is preferable.
  • the aryl group preferably has any one of a hydroxyl group, an alkoxy group, and an alkyl group as a substituent.
  • substituent an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms is more preferable, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms is more preferable.
  • the linear, branched or cyclic alkyl group as the remaining group is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. These groups may further have a substituent. In addition, when two of the remaining groups are present, these two may be bonded to each other to form a ring structure.
  • Compound (ZI-1) is, for example, a compound represented by the following general formula (ZI-1A).
  • R 13 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, a cycloalkyloxy group or an alkoxycarbonyl group.
  • R 14 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkylsulfonyl group or a cycloalkylsulfonyl group.
  • R 15 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group. Two R 15 may be bonded to each other to form a ring structure. l represents an integer of 0-2. r represents an integer of 0 to 8. X ⁇ represents a non-nucleophilic anion, and examples thereof include the same as X ⁇ in the general formula (ZI).
  • the alkyl group for R 13 , R 14 or R 15 may be a linear alkyl group or a branched alkyl group.
  • This alkyl group is preferably one having 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group. , T-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group and n-decyl group.
  • a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, and a t-butyl group are particularly preferable.
  • Examples of the cycloalkyl group represented by R 13 , R 14 or R 15 include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, cyclododecanyl, cyclobenenyl, cyclohexenyl and cyclooctadienyl groups. Can be mentioned. Of these, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl and cyclooctyl groups are particularly preferred.
  • alkyl group moiety of the alkoxy group of R 13 or R 14 examples include those enumerated above as the alkyl group of R 13 , R 14 or R 15 .
  • alkoxy group a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, and an n-butoxy group are particularly preferable.
  • this cycloalkyloxy group a cyclopentyloxy group and a cyclohexyloxy group are particularly preferable.
  • alkoxy group moiety of the alkoxycarbonyl group R 13 for example, those previously described as alkoxy groups R 13 or R 14.
  • alkoxycarbonyl group a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, and an n-butoxycarbonyl group are particularly preferable.
  • alkylsulfonyl group or cycloalkylsulfonyl group a methanesulfonyl group, an ethanesulfonyl group, an n-propanesulfonyl group, an n-butanesulfonyl group, a cyclopentanesulfonyl group, and a cyclohexanesulfonyl group are particularly preferable.
  • L is preferably 0 or 1, more preferably 1.
  • r is preferably 0-2.
  • Each group of R 13 , R 14 and R 15 may further have a substituent.
  • substituents include halogen atoms such as fluorine atoms, hydroxy groups, carboxy groups, cyano groups, nitro groups, alkoxy groups, cycloalkyloxy groups, alkoxyalkyl groups, cycloalkyloxyalkyl groups, alkoxycarbonyl groups, cyclocarbonyls, Examples include an alkyloxycarbonyl group, an alkoxycarbonyloxy group, and a cycloalkyloxycarbonyloxy group.
  • the alkoxy group may be linear or branched.
  • Examples of the alkoxy group include 1 carbon number such as methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group, and t-butoxy group. ⁇ 20.
  • Examples of the cycloalkyloxy group include those having 3 to 20 carbon atoms such as a cyclopentyloxy group and a cyclohexyloxy group.
  • the alkoxyalkyl group may be linear or branched.
  • Examples of the alkoxyalkyl group include those having 2 to 21 carbon atoms such as methoxymethyl group, ethoxymethyl group, 1-methoxyethyl group, 2-methoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group and 2-ethoxyethyl group.
  • Examples of the cycloalkyloxyalkyl group include those having 4 to 21 carbon atoms such as a cyclohexyloxymethyl group, a cyclopentyloxymethyl group, and a cyclohexyloxyethyl group.
  • the alkoxycarbonyl group may be linear or branched.
  • Examples of the alkoxycarbonyl group include methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group and t And those having 2 to 21 carbon atoms such as butoxycarbonyl group.
  • Examples of the cycloalkyloxycarbonyl group include those having 4 to 21 carbon atoms such as cyclopentyloxycarbonyl group and cyclohexyloxycarbonyl.
  • the alkoxycarbonyloxy group may be linear or branched.
  • Examples of the alkoxycarbonyloxy group include carbon such as methoxycarbonyloxy group, ethoxycarbonyloxy group, n-propoxycarbonyloxy group, i-propoxycarbonyloxy group, n-butoxycarbonyloxy group, and t-butoxycarbonyloxy group. Examples are those represented by formula 2 to 21.
  • Examples of the cycloalkyloxycarbonyloxy group include those having 4 to 21 carbon atoms such as a cyclopentyloxycarbonyloxy group and a cyclohexyloxycarbonyloxy group.
  • the ring structure that can be formed by bonding two R 15 to each other includes a 5-membered ring or a 6-membered ring, particularly preferably a 5-membered ring (that is, a tetrahydrothiophene ring) together with the S atom in the general formula (ZI-1A). ) Is preferred.
  • This ring structure may further have a substituent. Examples of the substituent include a hydroxy group, a carboxy group, a cyano group, a nitro group, an alkoxy group, an alkoxyalkyl group, an alkoxycarbonyl group, and an alkoxycarbonyloxy group.
  • R 15 a methyl group, an ethyl group, and a divalent group in which two R 15 are bonded to each other to form a tetrahydrothiophene ring structure together with a sulfur atom are particularly preferable.
  • Alkyl groups R 13, cycloalkyl group, alkoxy group and alkoxycarbonyl group, alkyl group of R 14, cycloalkyl group, alkoxy group, alkylsulfonyl group and cycloalkylsulfonyl group may further have a substituent .
  • a substituent a hydroxy group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, and a halogen atom (particularly a fluorine atom) are preferable.
  • Compound (ZI-2) is a compound in the case where R 201 to R 203 in formula (ZI) each independently represents an organic group not containing an aromatic ring.
  • the aromatic ring includes an aromatic ring containing a hetero atom.
  • the organic group not containing an aromatic ring as R 201 to R 203 has, for example, 1 to 30 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.
  • R 201 to R 203 are preferably each independently an alkyl group, a 2-oxoalkyl group, an alkoxycarbonylmethyl group, an allyl group, or a vinyl group.
  • a linear, branched or cyclic 2-oxoalkyl group or an alkoxycarbonylmethyl group is more preferable, and a linear or branched 2-oxoalkyl group is particularly preferable.
  • the alkyl group as R 201 to R 203 may be linear, branched or cyclic, and preferred examples include a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (eg, methyl group, Ethyl group, propyl group, butyl group or pentyl group) and cycloalkyl groups having 3 to 10 carbon atoms (cyclopentyl group, cyclohexyl group or norbornyl group).
  • the 2-oxoalkyl group as R 201 to R 203 may be linear, branched or cyclic, and preferably includes a group having> C ⁇ O at the 2-position of the alkyl group. .
  • Preferable examples of the alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group as R 201 to R 203 include an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentoxy group).
  • R 201 to R 203 may be further substituted with, for example, a halogen atom, an alkoxy group (eg, having 1 to 5 carbon atoms), a hydroxyl group, a cyano group, and / or a nitro group.
  • R 201 to R 203 may be bonded to each other to form a ring structure.
  • This ring structure may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, an amide bond and / or a carbonyl group in the ring.
  • Examples of the group formed by combining two of R 201 to R 203 include an alkylene group (eg, a butylene group or a pentylene group).
  • the compound (ZI-3) is a compound represented by the following general formula (ZI-3), and is a compound having a phenacylsulfonium salt structure.
  • R 1c to R 5c each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom.
  • the alkyl group and alkoxy group preferably have 1 to 6 carbon atoms.
  • R 6c and R 7c represent a hydrogen atom or an alkyl group.
  • the alkyl group preferably has 1 to 6 carbon atoms.
  • R x and R y each independently represents an alkyl group, a 2-oxoalkyl group, an alkoxycarbonylmethyl group, an allyl group or a vinyl group. These atomic groups preferably have 1 to 6 carbon atoms.
  • R 1c to R 7c may be bonded to each other to form a ring structure.
  • R x and R y may be bonded to form a ring structure.
  • These ring structures may contain an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond and / or an amide bond.
  • the compound (ZI-4) is a compound having a cation represented by the following general formula (ZI-4). This compound (ZI-4) is effective in suppressing outgassing.
  • R 1 to R 13 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. At least one of R 1 to R 13 is preferably a substituent containing an alcoholic hydroxyl group.
  • alcoholic hydroxyl group means a hydroxyl group bonded to a carbon atom of an alkyl group.
  • Z is a single bond or a divalent linking group.
  • R 1 to R 13 are substituents containing an alcoholic hydroxyl group
  • R 1 to R 13 are preferably groups represented by — (W—Y).
  • Y is an alkyl group substituted with a hydroxyl group
  • W is a single bond or a divalent linking group.
  • alkyl group represented by Y include an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group.
  • Y particularly preferably includes a structure represented by —CH 2 CH 2 OH.
  • the divalent linking group represented by W is not particularly limited, but preferably a single bond, an alkoxy group, an acyloxy group, an acylamino group, an alkyl and arylsulfonylamino group, an alkylthio group, an alkylsulfonyl group, an acyl group, A divalent group in which an arbitrary hydrogen atom in an alkoxycarbonyl group or a carbamoyl group is replaced by a single bond, and more preferably an arbitrary hydrogen atom in a single bond, an acyloxy group, an alkylsulfonyl group, an acyl group or an alkoxycarbonyl group. It is a divalent group replaced by a single bond.
  • R 1 to R 13 are substituents containing an alcoholic hydroxyl group
  • the number of carbon atoms contained is preferably 2 to 10, more preferably 2 to 6, and particularly preferably 2 to 4.
  • the substituent containing an alcoholic hydroxyl group as R 1 to R 13 may have two or more alcoholic hydroxyl groups.
  • the number of alcoholic hydroxyl groups having a substituent containing an alcoholic hydroxyl group as R 1 to R 13 is 1 to 6, preferably 1 to 3, and more preferably 1.
  • the number of alcoholic hydroxyl groups of the compound represented by the general formula (ZI-4) is 1 to 10, preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3 in total for R 1 to R 13. is there.
  • R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group
  • substituents as R 1 to R 13 include a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, and an aryl group.
  • R 1 to R 13 are preferably a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, Cyano group, carboxy group, alkoxy group, aryloxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, acylamino group, aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino Group, alkylthio group, arylthio group, sulfamoyl group, alkyl and arylsulfonyl group, aryloxycarbonyl group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, imide group, sily
  • R 1 to R 13 are more preferably a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a cyano group, an alkoxy group, an acyloxy group, an acylamino group, An aminocarbonylamino group, an alkoxycarbonylamino group, an alkyl and arylsulfonylamino group, an alkylthio group, a sulfamoyl group, an alkyl and arylsulfonyl group, an alkoxycarbonyl group or a carbamoyl group.
  • R 1 to R 13 do not contain an alcoholic hydroxyl group
  • R 1 to R 13 are particularly preferably a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a halogen atom or an alkoxy group.
  • R 1 to R 13 may be bonded to each other to form a ring structure.
  • This ring structure includes aromatic and non-aromatic hydrocarbon rings and heterocycles. These ring structures may be further combined to form a condensed ring.
  • the compound (ZI-4) preferably has a structure in which at least one of R 1 to R 13 contains an alcoholic hydroxyl group, and more preferably at least one of R 9 to R 13 is alcoholic. It has a structure containing a hydroxyl group.
  • Z represents a single bond or a divalent linking group as described above.
  • the divalent linking group include an alkylene group, an arylene group, a carbonyl group, a sulfonyl group, a carbonyloxy group, a carbonylamino group, a sulfonylamide group, an ether group, a thioether group, an amino group, a disulfide group, an acyl group, Examples thereof include an alkylsulfonyl group, —CH ⁇ CH—, an aminocarbonylamino group, and an aminosulfonylamino group.
  • This divalent linking group may have a substituent.
  • substituents include those similar to those listed above for R 1 to R 13 .
  • Z is preferably a single bond, an alkylene group, an arylene group, an ether group, a thioether group, an amino group, —CH ⁇ CH—, a bond having no electron withdrawing property such as an aminocarbonylamino group and an aminosulfonylamino group, or A group, more preferably a single bond, an ether group or a thioether group, and particularly preferably a single bond.
  • R 204 to R 207 each independently represents an aryl group, an alkyl group, or a cycloalkyl group. These aryl group, alkyl group and cycloalkyl group may have a substituent.
  • Preferable examples of the aryl group as R 204 to R 207 include the same groups as those enumerated above for R 201 to R 203 in the compound (ZI-1).
  • Preferable examples of the alkyl group and cycloalkyl group as R 204 to R 207 include the linear, branched or cycloalkyl groups listed above for R 201 to R 203 in compound (ZI-2).
  • photoacid generator examples include compounds represented by the following general formula (ZIV), (ZV) or (ZVI).
  • Ar 3 and Ar 4 each independently represents a substituted or unsubstituted aryl group.
  • R 208 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group independently in the general formulas (ZV) and (ZVI). These alkyl group, cycloalkyl group and aryl group may be substituted or unsubstituted. These groups are preferably substituted with a fluorine atom. If it carries out like this, it will become possible to raise the intensity
  • R 209 and R 210 each independently represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or an electron withdrawing group. These alkyl group, cycloalkyl group, aryl group and electron withdrawing group may be substituted or unsubstituted.
  • Preferable R 209 includes a substituted or unsubstituted aryl group.
  • Preferable R 210 includes an electron withdrawing group. As this electron withdrawing group, Preferably, a cyano group and a fluoroalkyl group are mentioned.
  • A represents an alkylene group, an alkenylene group or an arylene group. These alkylene group, alkenylene group and arylene group may have a substituent.
  • a compound having a plurality of structures represented by the general formula (ZVI) is also preferable as the photoacid generator.
  • Such compounds for example, binding to R 209 or R 210 of the compound represented by the general formula (ZVI), and the R 209 or R 210 of another compound represented by the general formula (ZVI) together And a compound having the above structure.
  • photoacid generator compounds represented by general formulas (ZI) to (ZIII) are more preferable, compounds represented by general formula (ZI) are more preferable, and compounds (ZI-1) to (ZI-3) are more preferable. Is particularly preferred.
  • a compound having a group that decomposes by the action of an acid and increases the solubility in an alkaline developer can also be used.
  • Examples of such an acid generator include compounds described in JP-A-2005-97254, JP-A-2007-196992, and the like.
  • photoacid generator examples include compounds B-1 to B-183 described in paragraphs [0665] to [0682] of JP2013-83966A, and paragraphs [0683] to [0686].
  • the compounds of (Y-1) to (Y-75) described in the above are preferred, but the present invention is not limited to these.
  • a photo-acid generator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. In the latter case, it is preferable to combine two types of compounds that generate two kinds of organic acids whose total number of atoms excluding hydrogen atoms is 2 or more.
  • the content of the photoacid generator is preferably 0.1 to 50% by mass, more preferably 0.5 to 40% by mass, and still more preferably based on the total solid content of the composition of the present invention. Is 1 to 30% by mass.
  • the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition of the present invention further contains one or more compounds that are decomposed by the action of an acid to generate an acid (hereinafter also referred to as “acid proliferating agent”). May be.
  • the acid generated by the acid proliferating agent is preferably sulfonic acid, methide acid or imide acid.
  • the content of the acid proliferating agent is preferably 0.1 to 50% by mass, more preferably 0.5 to 30% by mass, and still more preferably 1.0 to 20% by mass based on the total solid content of the composition. .
  • the acid proliferating agent As a quantitative ratio between the acid proliferator and the acid generator (solid content of the acid proliferator based on the total solid content in the composition / solid content of the acid generator based on the total solid content in the composition) Although not particularly limited, 0.01 to 50 is preferable, 0.1 to 20 is more preferable, and 0.2 to 1.0 is particularly preferable.
  • the acid proliferating agent that can be used in the present invention include the compounds described in paragraph [0690] of JP2013-83966A.
  • the composition of the present invention may further contain a basic compound.
  • the basic compound is preferably a compound having a stronger basicity than phenol.
  • this basic compound is preferably an organic basic compound, and more preferably a nitrogen-containing basic compound.
  • Nitrogen-containing basic compounds that can be used are not particularly limited. For example, “(1) represented by the general formula (BS-1) described in paragraphs [0693] to [0703] of JP2013-83966A can be used. "(2) Compounds having a nitrogen-containing heterocyclic structure” described in the same paragraphs [0704] to [0705] and "(3) Phenoxy group” described in the same paragraphs [0706] to [0709].
  • These basic compounds may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.
  • the molecular weight of the basic compound is usually 100 to 1500, preferably 150 to 1300, and more preferably 200 to 1000.
  • the composition of the present invention contains a basic compound
  • its content is preferably 0.01 to 8.0% by mass, based on the total solid content of the composition, and preferably 0.1 to 5.0% by mass. % Is more preferable, and 0.2 to 4.0% by mass is particularly preferable.
  • the molar ratio of the basic compound to the photoacid generator is preferably 0.01 to 10, more preferably 0.05 to 5, and still more preferably 0.1 to 3.
  • the photoacid generator in the said molar ratio is the total amount of the repeating unit (B) in resin (Ab) and a photoacid generator.
  • the composition of the present invention may further contain a surfactant.
  • a surfactant fluorine-based and / or silicon-based surfactants are particularly preferable.
  • the fluorine-based and / or silicon-based surfactant include Megafac F176 and Megafac R08 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, PF656 and PF6320 manufactured by OMNOVA, and Troisol S manufactured by Troy Chemical Co., Ltd. -366, Fluorard FC430 manufactured by Sumitomo 3M Limited, and polysiloxane polymer KP-341 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • Surfactants other than fluorine and / or silicon may be used.
  • the surfactant examples include nonionic surfactants such as polyoxyethylene alkyl ethers and polyoxyethylene alkyl aryl ethers. In addition, known surfactants can be used as appropriate. Examples of the surfactant that can be used include surfactants described in [0273] and after in US 2008 / 0248425A1. One type of surfactant may be used alone, or two or more types may be used in combination. When the composition of the present invention further contains a surfactant, the amount used is preferably 0.0001 to 2% by mass, more preferably 0.001 to 1 based on the total solid content of the composition. Mass%.
  • the composition of the present invention may contain a hydrophobic resin.
  • the hydrophobic resin is preferably designed to be unevenly distributed on the surface of the resist film.
  • the surfactant it is not always necessary to have a hydrophilic group in the molecule, and the polar / nonpolar substance is uniformly mixed. There is no need to contribute.
  • Examples of the effect of adding the hydrophobic resin include control of the static / dynamic contact angle of the resist film surface with respect to water, suppression of outgas, and the like.
  • the hydrophobic resin has at least one of “fluorine atom”, “silicon atom”, and “CH 3 partial structure contained in the side chain portion of the resin” from the viewpoint of uneven distribution in the film surface layer. It is preferable to have two or more types.
  • the hydrophobic resin contains a fluorine atom and / or a silicon atom
  • the fluorine atom and / or silicon atom in the hydrophobic resin may be contained in the main chain of the resin or in the side chain. It may be.
  • the hydrophobic resin when it contains a fluorine atom, it may be a resin having an alkyl group having a fluorine atom, a cycloalkyl group having a fluorine atom, or an aryl group having a fluorine atom as a partial structure having a fluorine atom.
  • the alkyl group having a fluorine atom preferably having 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms
  • the cycloalkyl group having a fluorine atom is a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and may further have a substituent other than a fluorine atom.
  • the aryl group having a fluorine atom include those in which at least one hydrogen atom of an aryl group such as a phenyl group or a naphthyl group is substituted with a fluorine atom, and may further have a substituent other than a fluorine atom.
  • Examples of the repeating unit having a fluorine atom or a silicon atom include those exemplified in paragraph 0519 of US2012 / 0251948A1.
  • the hydrophobic resin preferably includes a CH 3 partial structure in the side chain portion.
  • the CH 3 partial structure of the side chain portion in the hydrophobic resin (hereinafter also simply referred to as “side chain CH 3 partial structure”) includes a CH 3 partial structure of an ethyl group, a propyl group, or the like.
  • side chain CH 3 partial structure includes a CH 3 partial structure of an ethyl group, a propyl group, or the like.
  • methyl groups directly bonded to the main chain of the hydrophobic resin for example, ⁇ -methyl groups of repeating units having a methacrylic acid structure
  • the hydrophobic resin includes a repeating unit derived from a monomer having a polymerizable moiety having a carbon-carbon double bond, such as a repeating unit represented by the following general formula (M)
  • R 11 to R 14 are CH 3 “as is”
  • the CH 3 is not included in the CH 3 partial structure of the side chain moiety in the present invention.
  • CH 3 partial structure exists through some atoms from C-C backbone, and those falling under CH 3 partial structures in the present invention.
  • R 11 is an ethyl group (CH 2 CH 3 )
  • R 11 to R 14 each independently represents a side chain portion.
  • R 11 to R 14 in the side chain portion include a hydrogen atom and a monovalent organic group.
  • the monovalent organic group for R 11 to R 14 include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkyloxycarbonyl group, a cycloalkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an alkylaminocarbonyl group, and a cycloalkylaminocarbonyl.
  • Group, an arylaminocarbonyl group, and the like, and these groups may further have a substituent.
  • the hydrophobic resin is preferably a resin having a repeating unit having a CH 3 partial structure in the side chain portion.
  • the repeating unit represented by the following general formula (II) and the following general unit It is more preferable to have at least one repeating unit (x) among the repeating units represented by the formula (III).
  • X b1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or a halogen atom
  • R 2 has one or more CH 3 partial structure represents a stable organic radical to acid.
  • the organic group that is stable to acid is more preferably an organic group that does not have the “acid-decomposable group” described in the resin (A).
  • the alkyl group of Xb1 preferably has 1 to 4 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hydroxymethyl group, and a trifluoromethyl group, and a methyl group is preferable.
  • X b1 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 2 include an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an aryl group, and an aralkyl group having one or more CH 3 partial structures.
  • R 2 is preferably an alkyl group or an alkyl-substituted cycloalkyl group having one or more CH 3 partial structures.
  • the acid-stable organic group having one or more CH 3 partial structures as R 2 preferably has 2 or more and 10 or less CH 3 partial structures, and more preferably 2 or more and 8 or less.
  • Preferred specific examples of the repeating unit represented by the general formula (II) are shown below. Note that the present invention is not limited to this.
  • the repeating unit represented by the general formula (II) is preferably an acid-stable (non-acid-decomposable) repeating unit, and specifically, a group that decomposes by the action of an acid to generate a polar group. It is preferable that it is a repeating unit which does not have.
  • the repeating unit represented by formula (III) will be described in detail.
  • X b2 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, or a halogen atom
  • R 3 represents an acid-stable organic group having one or more CH 3 partial structures
  • n represents an integer of 1 to 5.
  • the alkyl group of Xb2 is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hydroxymethyl group, and a trifluoromethyl group, and a hydrogen atom is preferable.
  • X b2 is preferably a hydrogen atom. Since R 3 is an organic group that is stable against acid, more specifically, R 3 is preferably an organic group that does not have the “acid-decomposable group” described in the resin (A).
  • R 3 includes an alkyl group having one or more CH 3 partial structures.
  • the acid-stable organic group having one or more CH 3 partial structures as R 3 preferably has 1 or more and 10 or less CH 3 partial structures, more preferably 1 or more and 8 or less, More preferably, it is 1 or more and 4 or less.
  • n represents an integer of 1 to 5, more preferably an integer of 1 to 3, and still more preferably 1 or 2.
  • the repeating unit represented by the general formula (III) is preferably an acid-stable (non-acid-decomposable) repeating unit, and specifically, a group that decomposes by the action of an acid to generate a polar group. It is preferable that it is a repeating unit which does not have.
  • the repeating unit represented by the general formula (II) and the general formula (S) is preferably 90 mol% or more, more preferably 95 mol% or more, based on all repeating units of the hydrophobic resin. It is more preferable. Content is 100 mol% or less normally with respect to all the repeating units of hydrophobic resin.
  • the hydrophobic resin contains at least one repeating unit (x) among the repeating units represented by the general formula (II) and the repeating unit represented by the general formula (III) as all repeating units of the hydrophobic resin.
  • the surface free energy of hydrophobic resin increases by containing 90 mol% or more. As a result, the hydrophobic resin tends to be unevenly distributed on the surface of the resist film.
  • the hydrophobic resin includes the following groups (x) to (z) regardless of whether (i) it contains a fluorine atom and / or a silicon atom, or (ii) contains a CH 3 partial structure in the side chain portion. It may have at least one group selected from (X) an acid group, (Y) a group having a lactone structure, an acid anhydride group, or an acid imide group, (Z) a group decomposable by the action of an acid
  • Examples of the acid group (x) include a phenolic hydroxyl group, a carboxylic acid group, a fluorinated alcohol group, a sulfonic acid group, a sulfonamide group, a sulfonylimide group, an (alkylsulfonyl) (alkylcarbonyl) methylene group, and an (alkylsulfonyl) (alkyl Carbonyl) imide group, bis (alkylcarbonyl) methylene group, bis (alkylcarbonyl) imide group, bis (alkylsulfonyl) methylene group, bis (alkylsulfonyl) imide group, tris (alkylcarbonyl) methylene group, tris (alkylsulfonyl) A methylene group etc. are mentioned.
  • Preferred acid groups include fluorinated alcohol groups (preferably hexafluoroisopropanol), sulfonimide groups, and
  • the repeating unit having an acid group (x) includes a repeating unit in which an acid group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid or methacrylic acid, or a resin having a linking group. Examples include a repeating unit in which an acid group is bonded to the main chain, and a polymerization initiator or chain transfer agent having an acid group can be introduced at the end of the polymer chain at the time of polymerization. preferable.
  • the repeating unit having an acid group (x) may have at least one of a fluorine atom and a silicon atom.
  • the content of the repeating unit having an acid group (x) is preferably from 1 to 50 mol%, more preferably from 3 to 35 mol%, still more preferably from 5 to 20 mol%, based on all repeating units in the hydrophobic resin. It is. Specific examples of the repeating unit having an acid group (x) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
  • Rx represents a hydrogen atom, CH 3 , CF 3 , or CH 2 OH.
  • the group having a lactone structure As the group having a lactone structure, the acid anhydride group, or the acid imide group (y), a group having a lactone structure is particularly preferable.
  • the repeating unit containing these groups is a repeating unit in which this group is directly bonded to the main chain of the resin, such as a repeating unit of acrylic acid ester and methacrylic acid ester.
  • this repeating unit may be a repeating unit in which this group is bonded to the main chain of the resin via a linking group.
  • this repeating unit may be introduce
  • Examples of the repeating unit having a group having a lactone structure include those similar to the repeating unit having a lactone structure described above in the section of the resin (A).
  • the content of the repeating unit having a group having a lactone structure, an acid anhydride group, or an acid imide group is preferably 1 to 100 mol% based on all repeating units in the hydrophobic resin. It is more preferably mol%, and further preferably 5 to 95 mol%.
  • Examples of the repeating unit having a group (z) capable of decomposing by the action of an acid in the hydrophobic resin include the same repeating units having an acid-decomposable group as mentioned for the resin (A).
  • the repeating unit having a group (z) that decomposes by the action of an acid may have at least one of a fluorine atom and a silicon atom.
  • the content of the repeating unit having a group (z) that is decomposed by the action of an acid is preferably 1 to 80 mol%, more preferably 10 to 10%, based on all repeating units in the hydrophobic resin. 80 mol%, more preferably 20 to 60 mol%.
  • the fluorine atom content is preferably 5 to 80% by mass and more preferably 10 to 80% by mass with respect to the weight average molecular weight of the hydrophobic resin.
  • the repeating unit containing a fluorine atom is preferably 10 to 100 mol%, more preferably 30 to 100 mol% in all repeating units contained in the hydrophobic resin.
  • the content of silicon atom is preferably 2 to 50% by mass, more preferably 2 to 30% by mass with respect to the weight average molecular weight of the hydrophobic resin.
  • the repeating unit containing a silicon atom is preferably 10 to 100 mol%, and more preferably 20 to 100 mol% in all repeating units contained in the hydrophobic resin.
  • the hydrophobic resin contains a CH 3 partial structure in the side chain portion, it is also preferred that the hydrophobic resin does not substantially contain a fluorine atom and a silicon atom.
  • the content of the repeating unit having an atom or silicon atom is preferably 5 mol% or less, more preferably 3 mol% or less, more preferably 1 mol% or less, based on all repeating units in the hydrophobic resin. More preferably, it is ideally 0 mol%, ie it does not contain fluorine and silicon atoms.
  • hydrophobic resin is substantially comprised only by the repeating unit comprised only by the atom chosen from a carbon atom, an oxygen atom, a hydrogen atom, a nitrogen atom, and a sulfur atom. More specifically, it is preferable that the repeating unit composed only of atoms selected from a carbon atom, an oxygen atom, a hydrogen atom, a nitrogen atom and a sulfur atom is 95 mol% or more in the total repeating units of the hydrophobic resin. 97 mol% or more is more preferable, 99 mol% or more is further preferable, and ideally 100 mol%.
  • the weight average molecular weight of the hydrophobic resin is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 1,000 to 50,000, and still more preferably 2,000 to 15,000. Moreover, the hydrophobic resin may be used alone or in combination.
  • the content of the hydrophobic resin in the composition is preferably 0.01 to 10% by mass, more preferably 0.05 to 8% by mass, and more preferably 0.1 to 10% by mass with respect to the total solid content in the composition of the present invention. 7 mass% is still more preferable.
  • the hydrophobic resin has a small amount of impurities such as metals, and the residual monomer and oligomer components are preferably 0.01 to 5% by mass, more preferably 0.01 to 3% by mass, 0.05 to 1% by mass is even more preferred.
  • the molecular weight distribution (Mw / Mn, also referred to as dispersity) is preferably in the range of 1 to 5, more preferably 1 to 3, and still more preferably from the viewpoints of resolution, resist shape, resist pattern sidewall, roughness, and the like. It is in the range of 1-2.
  • hydrophobic resin various commercially available products can be used, and can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization).
  • a conventional method for example, radical polymerization
  • a monomer polymerization method in which a monomer species and an initiator are dissolved in a solvent and the polymerization is performed by heating, and a solution of the monomer species and the initiator is dropped into the heating solvent over 1 to 10 hours.
  • the dropping polymerization method is added, and the dropping polymerization method is preferable.
  • reaction solvent the polymerization initiator, the reaction conditions (temperature, concentration, etc.) and the purification method after the reaction are the same as described in the resin (A), but in the synthesis of the hydrophobic resin, the reaction concentration Is preferably 30 to 50% by mass.
  • composition of the present invention may further contain a dye.
  • Suitable dyes include, for example, oily dyes and basic dyes. Specific examples include the dyes described in paragraph [0803] of JP2013-83966A.
  • the composition of the present invention may further contain a photobase generator.
  • a photobase generator When a photobase generator is contained, a more favorable pattern can be formed.
  • the photobase generator include JP-A-4-151156, JP-A-4-162040, JP-A-5-197148, JP-A-5-5995, JP-A-6-194634, and JP-A-8-146608. And compounds described in JP-A-10-83079 and European Patent No. 622682.
  • Specific examples of the preferable photobase generator include the photobase generators described in paragraph [0804] of JP2013-83966A.
  • the composition of the present invention may further contain an antioxidant.
  • an antioxidant When the antioxidant is contained, it is possible to suppress the oxidation of the organic material in the presence of oxygen.
  • the antioxidant for example, the antioxidants described in paragraphs [0808] to [0812] of JP2013-83966A can be preferably used, and can be added in the amount described in the paragraph [0813]. .
  • the composition of the present invention may further contain a solvent.
  • an organic solvent is used as this solvent.
  • the organic solvent may include alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate, alkylene glycol monoalkyl ether, alkyl lactate ester, alkyl alkoxypropionate, cyclic lactone (preferably having 4 to 10 carbon atoms), and a ring.
  • Good monoketone compounds preferably having 4 to 10 carbon atoms
  • alkylene carbonates alkyl alkoxyacetates
  • alkyl pyruvates alkyl pyruvates.
  • alkylene glycol monoalkyl ether carboxylate examples include propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA; also known as 1-methoxy-2-acetoxypropane), propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, Preferred are propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate.
  • PMEA propylene glycol monomethyl ether acetate
  • propylene glycol monoethyl ether propionate propylene glycol monoethyl ether propionate
  • ethylene glycol monomethyl ether acetate examples include ethylene glycol monoethyl ether acetate.
  • alkylene glycol monoalkyl ether examples include propylene glycol monomethyl ether (PGME; also known as 1-methoxy-2-propanol), propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, and And ethylene glycol monoethyl ether.
  • PGME propylene glycol monomethyl ether
  • alkyl lactate examples include methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, methyl 2-hydroxyisobutyrate and butyl lactate.
  • alkyl alkoxypropionate examples include ethyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate and ethyl 3-methoxypropionate.
  • cyclic lactone examples include ⁇ -propiolactone, ⁇ -butyrolactone, ⁇ -butyrolactone, ⁇ -methyl- ⁇ -butyrolactone, ⁇ -methyl- ⁇ -butyrolactone, ⁇ -valerolactone, ⁇ -caprolactone, and ⁇ -octano. Ic lactone and ⁇ -hydroxy- ⁇ butyrolactone.
  • Examples of the monoketone compound which may contain a ring include 2-butanone, 3-methylbutanone, pinacolone, 2-pentanone, 3-pentanone, 3-methyl-2-pentanone, 4-methyl-2-pentanone, 2-methyl-3-pentanone, 4,4-dimethyl-2-pentanone, 2,4-dimethyl-3-pentanone, 2,2,4,4-tetramethyl-3-pentanone, 2-hexanone, 3-hexanone , 5-methyl-3-hexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, 2-methyl-3-heptanone, 5-methyl-3-heptanone, 2,6-dimethyl-4-heptanone, 2-octanone , 3-octanone, 2-nonanone, 3-nonanone, 5-nonanone, 2-decanone, 3-decanone, 4-decanone, 5-hexene-2- , 3-penten-2-one, cyclopentanone,
  • alkylene carbonate examples include propylene carbonate, vinylene carbonate, ethylene carbonate, and butylene carbonate.
  • alkyl alkoxyacetate examples include 2-methoxyethyl acetate, 2-ethoxyethyl acetate, 2- (2-ethoxyethoxy) ethyl acetate, 3-methoxy-3-methylbutyl acetate, and 1-methoxy-acetate. 2-propyl is mentioned.
  • alkyl pyruvate examples include methyl pyruvate, ethyl pyruvate, and propyl pyruvate.
  • a solvent having a boiling point of 130 ° C. or higher under normal temperature and pressure it is preferable to use a solvent having a boiling point of 130 ° C. or higher under normal temperature and pressure.
  • a solvent having a boiling point of 130 ° C. or higher under normal temperature and pressure.
  • solvents may be used alone or in combination of two or more. In the latter case, it is preferable to use a mixed solvent of a solvent containing a hydroxyl group and a solvent not containing a hydroxyl group.
  • solvent containing a hydroxyl group examples include ethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol, PGME, propylene glycol monoethyl ether, methyl 2-hydroxyisobutyrate, and ethyl lactate.
  • PGME methyl 2-hydroxyisobutyrate and ethyl lactate are particularly preferred.
  • Examples of the solvent not containing a hydroxyl group include PGMEA, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone, ⁇ -butyrolactone, cyclohexanone, butyl acetate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide and the like.
  • PGMEA propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone, ⁇ -butyrolactone, cyclohexanone and butyl acetate
  • PGMEA, ethyl ethoxypropionate and 2-heptanone are particularly preferred.
  • the mass ratio thereof is preferably 1/99 to 99/1, more preferably 10/90 to 90/10, More preferably, it is 20/80 to 60/40.
  • the solvent is particularly preferably a mixed solvent of PGMEA and one or more other solvents.
  • the content of the solvent in the composition of the present invention can be appropriately adjusted according to the desired film thickness and the like, but generally the total solid concentration of the composition is 0.5 to 30% by mass, preferably It is prepared to be 1.0 to 20% by mass, more preferably 1.5 to 10% by mass.
  • Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film The present invention relates to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film formed using the above-described composition of the present invention.
  • actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film is also referred to as “resist film”.
  • the pattern forming method of the present invention comprises: (I) forming an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film (resist film) using the composition of the present invention described above; (Ii) exposing the resist film; (Iii) A pattern forming method including at least a step of developing the exposed resist film using a developer containing an organic solvent to form a pattern. In the step (iii), a negative pattern is formed by developing using a developer containing an organic solvent. Further, the exposure in the step (ii) may be immersion exposure.
  • the pattern forming method of the present invention preferably has (iv) a heating step after (ii) the exposure step.
  • the pattern forming method of the present invention may further include (v) a step of developing using an alkali developer after the development in the step (iii).
  • a portion with low exposure intensity is removed by the organic solvent development step, but a portion with high exposure strength is also removed by further performing the alkali development step.
  • a pattern can be formed without dissolving only an intermediate exposure intensity region, so that a finer pattern than usual can be formed (paragraph of JP 2008-292975 A). [Mechanism similar to [0077]).
  • the resist film is formed from the above-described composition of the present invention, and more specifically, is preferably formed on the substrate.
  • the step of forming a film of the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition on the substrate, the step of exposing the film, and the developing step are performed by generally known methods. be able to.
  • This composition can be applied to, for example, a spinner and a substrate on a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating, silicon nitride and chromium-deposited quartz substrate) used in the manufacture of precision integrated circuit elements or imprint molds. It is applied using a coater or the like. Thereafter, it can be dried to form an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film.
  • a substrate eg, silicon / silicon dioxide coating, silicon nitride and chromium-deposited quartz substrate
  • an antireflection film may be coated on the substrate in advance.
  • the antireflection film any of an inorganic film type such as titanium, titanium dioxide, titanium nitride, chromium oxide, carbon, and amorphous silicon, and an organic film type made of a light absorber and a polymer material can be used.
  • the organic antireflection film commercially available organic antireflection films such as DUV30 series and DUV-40 series manufactured by Brewer Science and AR-2, AR-3 and AR-5 manufactured by Shipley can be used. .
  • a top coat may be provided on the upper layer of the resist film.
  • the functions necessary for the top coat are suitability for application to the upper layer of the resist film and solubility in the developer. It is preferable that the top coat is not mixed with the resist film and can be uniformly applied to the upper layer of the resist film.
  • the topcoat is not particularly limited, and a conventionally known topcoat can be formed by a conventionally known method. For example, based on the description in paragraphs [0072] to [0082] of JP-A-2014-059543 Can be formed.
  • the hydrophobic resin mentioned above can be used suitably also for a topcoat formation use. When a developer containing an organic solvent is used in the development step described later, it is preferable to form a top coat containing a basic compound described in JP2013-61648A on the resist film.
  • PB preheating step
  • PEB post-exposure heating step
  • the heating temperature is preferably 70 to 120 ° C. for both PB and PEB, more preferably 80 to 110 ° C.
  • the heating time is preferably 30 to 300 seconds, more preferably 30 to 180 seconds, and still more preferably 30 to 90 seconds. Heating can be performed by means provided in a normal exposure machine and developing machine, and may be performed using a hot plate or the like. Baking accelerates the reaction in the exposed area, improving the sensitivity and pattern profile.
  • Post Bake after the rinsing step. The developing solution and the rinsing solution remaining between the patterns and inside the patterns are removed by baking.
  • actinic rays or radiation examples include infrared light, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-rays, and electron beams.
  • actinic rays or radiation for example, those having a wavelength of 250 nm or less, particularly 220 nm or less are more preferable.
  • actinic rays or radiation examples include KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F2 excimer laser (157 nm), X-rays, and electron beams.
  • preferable actinic rays or radiation include KrF excimer laser, ArF excimer laser, electron beam, X-ray and EUV light.
  • a substrate on which a film is formed is not particularly limited, and is generally used in a semiconductor manufacturing process such as an IC, a manufacturing process of a circuit board such as a liquid crystal or a thermal head, and other photolithographic lithography processes.
  • the substrate used can be used, and examples thereof include inorganic substrates such as silicon, SiN, and SiO 2 ; coated inorganic substrates such as SOG (Spin On Glass); and the like.
  • an organic antireflection film may be formed between the film and the substrate.
  • Examples of the developer containing an organic solvent (hereinafter also referred to as an organic developer) used in the pattern forming method of the present invention include ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, amide solvents, ether solvents, and the like. Polar solvents and hydrocarbon solvents can be used.
  • ketone solvents include 1-octanone, 2-octanone, 1-nonanone, 2-nonanone, acetone, 2-heptanone (methyl amyl ketone), 4-heptanone, 1-hexanone, 2-hexanone, diisobutyl ketone, Examples include cyclohexanone, methylcyclohexanone, phenylacetone, methylethylketone, methylisobutylketone, acetylacetone, acetonylacetone, ionone, diacetylalcohol, acetylcarbinol, acetophenone, methylnaphthylketone, isophorone, and propylene carbonate.
  • ester solvents include methyl acetate, butyl acetate, ethyl acetate, isopropyl acetate, pentyl acetate, isopentyl acetate, amyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl.
  • alcohol solvents include methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, sec-butyl alcohol, 4-methyl-2-pentanol, tert-butyl alcohol, isobutyl alcohol, n -Alcohols such as hexyl alcohol, n-heptyl alcohol, n-octyl alcohol, n-decanol; glycol solvents such as ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol; ethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether , Propylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl And the like can be given; ether, glycol ether-based solvents such as methoxymethyl butanol.
  • ether solvent examples include anisole, dioxane, tetrahydrofuran and the like in addition to the glycol ether solvent.
  • amide solvents include N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, hexamethylphosphoric triamide, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and the like.
  • hydrocarbon solvent examples include aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene, and aliphatic hydrocarbon solvents such as pentane, hexane, octane and decane.
  • the water content of the developer as a whole is preferably less than 10% by mass, and more preferably substantially free of moisture. That is, the amount of the organic solvent used in the organic developer is preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, and more preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less, with respect to the total amount of the developer.
  • the organic developer is preferably a developer containing at least one organic solvent selected from the group consisting of ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, amide solvents and ether solvents. .
  • the vapor pressure of the organic developer is preferably 5 kPa or less, more preferably 3 kPa or less, and particularly preferably 2 kPa or less at 20 ° C.
  • the vapor pressure of the organic developer is preferably 5 kPa or less, more preferably 3 kPa or less, and particularly preferably 2 kPa or less at 20 ° C.
  • the organic developer may contain a basic compound.
  • Specific examples and preferred examples of the basic compound that can be contained in the developer used in the present invention are the same as those in the basic compound that can be contained in the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition described above.
  • the surfactant is not particularly limited.
  • an ionic or nonionic fluorine-based and / or silicon-based surfactant can be used.
  • paragraph [0166] of JP-A No. 2014-71304 can be used.
  • surfactants described in the literature cited above The amount of the surfactant used is preferably 0 to 2% by mass, more preferably 0.0001 to 2% by mass, and particularly preferably 0.0005 to 1% by mass with respect to the total amount of the developer.
  • a developing method for example, a method in which a substrate is immersed in a tank filled with a developer for a certain period of time (dip method), a method in which the developer is raised on the surface of the substrate by surface tension and is left stationary for a certain time (paddle) Method), a method of spraying the developer on the substrate surface (spray method), a method of continuously discharging the developer while scanning the developer discharge nozzle on the substrate rotating at a constant speed (dynamic dispensing method) Etc.
  • dip method a method in which a substrate is immersed in a tank filled with a developer for a certain period of time
  • paddle a method in which the developer is raised on the surface of the substrate by surface tension and is left stationary for a certain time
  • spray method a method of spraying the developer on the substrate surface
  • the discharge pressure of the discharged developer (the flow rate per unit area of the discharged developer) is preferably 2mL / sec / mm 2 or less, and more preferably not more than 1.5mL / sec / mm 2. Although there is no particular lower limit of the flow rate, 0.2 mL / sec / mm 2 or more is preferable.
  • the developer discharge pressure (mL / sec / mm 2 ) is a value at the developing nozzle outlet in the developing device. Examples of a method for adjusting the discharge pressure of the developer include a method of adjusting the discharge pressure with a pump and the like, and a method of changing the pressure by adjusting the pressure by supply from a pressurized tank.
  • a step of stopping development may be performed while substituting with another solvent.
  • the rinsing liquid is not particularly limited as long as it does not dissolve the resist pattern, and a solution containing a general organic solvent can be used.
  • the rinsing liquid contains at least one organic solvent selected from the group consisting of hydrocarbon solvents (preferably decane), ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, amide solvents and ether solvents. It is preferable to use a rinse solution.
  • specific examples of the hydrocarbon solvent, the ketone solvent, the ester solvent, the alcohol solvent, the amide solvent, and the ether solvent are the same as those described in the developer containing an organic solvent.
  • the solvent is preferably at least one organic solvent selected from the group consisting of ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, and amide solvents, more preferably alcohol solvents or ester solvents.
  • a monohydric alcohol having 5 or more carbon atoms is particularly preferred. Examples of the monohydric alcohol used in the rinsing step include linear, branched, and cyclic monohydric alcohols.
  • Specific examples include 1-butanol, 2-butanol, 3-methyl-1-butanol, tert- Butyl alcohol, 1-pentanol, 2-pentanol, 1-hexanol, 4-methyl-2-pentanol, 1-heptanol, 1-octanol, 2-hexanol, cyclopentanol, 2-heptanol, 2-octanol, 3-hexanol, 3-heptanol, 3-octanol, 4-octanol and the like can be used, and particularly preferable monohydric alcohols having 5 or more carbon atoms include 1-hexanol, 2-hexanol, 4-methyl-2-pen.
  • Tanol, 1-pentanol, 3-methyl-1-butanol, etc. can be used A plurality of the above components may be mixed, or may be used by mixing with an organic solvent other than the above.
  • the water content in the rinse liquid is preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and particularly preferably 3% by mass or less.
  • the vapor pressure of the rinsing liquid is preferably 0.05 to 5 kPa, more preferably 0.1 to 5 kPa, and further preferably 0.12 to 3 kPa at 20 ° C.
  • An appropriate amount of a surfactant can be added to the rinse solution.
  • the wafer that has been developed using the developer containing the organic solvent is cleaned using the rinse solution containing the organic solvent.
  • the cleaning method is not particularly limited. For example, a method of continuing to discharge the rinse liquid onto the substrate rotating at a constant speed (rotary coating method), or immersing the substrate in a tank filled with the rinse liquid for a certain period of time. A method (dip method), a method of spraying a rinsing liquid onto the substrate surface (spray method), etc. can be applied.
  • a cleaning process is performed by a spin coating method, and after cleaning, the substrate is rotated at a speed of 2000 rpm to 4000 rpm. It is preferable to rotate and remove the rinse liquid from the substrate.
  • the developing solution and the rinsing solution remaining between the patterns and inside the patterns are removed by baking.
  • the heating step after the rinsing step is usually performed at 40 to 160 ° C., preferably 70 to 95 ° C., usually 10 seconds to 3 minutes, preferably 30 seconds to 90 seconds.
  • an imprint mold may be produced using the composition of the present invention.
  • the pattern forming method of the present invention can also be used for guide pattern formation in DSA (Directed Self-Assembly) (see, for example, ACS Nano Vol. 4 No. 8 Pages 4815-4823).
  • the resist pattern formed by the above method can be used as a core material (core) of a spacer process disclosed in, for example, JP-A-3-270227 and JP-A-2013-164509.
  • the present invention also relates to an electronic device manufacturing method including the pattern forming method of the present invention described above, and an electronic device manufactured by this manufacturing method.
  • the electronic device of the present invention is suitably mounted on electrical and electronic equipment (home appliances, OA (Office Automation) related equipment, media related equipment, optical equipment, communication equipment, etc.).
  • a non-chemically amplified resist composition is used as the resist composition.
  • the pattern forming method of the second aspect of the present invention hereinafter, also simply referred to as “pattern forming method of the present invention” in the second aspect). explain.
  • the non-chemically amplified resist composition (hereinafter, also referred to as “the composition of the present invention” or “the resist composition of the present invention” in the second embodiment) used in the pattern forming method of the present invention is a metal containing metal ions.
  • a resin (Ab) having a salt structure is contained.
  • the metal salt structure of the resin (Ab) is decomposed by exposure to desorb metal ions, and the polarity changes. At this time, since there is no acid diffusion mechanism that easily causes unevenness, it is considered that the resolution (especially an isolated line pattern or isolated space pattern) formed after development is excellent.
  • the desorbed metal ions are considered to be, for example, metal oxides, but the mode is not particularly limited.
  • composition of the present invention has the above-described metal salt structure, so that the polarity is easily changed only in the exposed region without a mechanism that causes unevenness such as acid diffusion. For this reason, it is considered that roughness characteristics (line edge roughness (LWR)) are also improved.
  • LWR line edge roughness
  • the mechanism (chemical amplification mechanism) in the first aspect is expressed only when both the acid-decomposable resin and the photoacid generator are combined. Therefore, even if either one of the acid-decomposable resin and the photoacid generator is present in the resist composition, if the other is not present, the chemical amplification mechanism does not appear, and this resist composition It can be said that it is a non-chemical amplification type. Therefore, as described in detail below, the non-chemically amplified resist composition in the present invention may contain a photoacid generator under certain conditions, and the resin (Ab) is an acid-decomposable repeating composition. You may have a unit.
  • the composition of the present invention may contain a photoacid generator.
  • the resin (Ab) does not substantially contain a repeating unit having an acid-decomposable group (hereinafter also referred to as “acid-decomposable repeating unit”).
  • the phrase “substantially free of acid-decomposable repeating units” means, for example, that the ratio of the acid-decomposable repeating units contained in the resin (Ab) to all repeating units is 30 mol% or less.
  • the amount is preferably 20 mol% or less, more preferably 10 mol% or less, still more preferably 5 mol% or less, and particularly preferably 0 mol%.
  • the resin (Ab) may have an acid-decomposable repeating unit.
  • the composition of this invention does not contain a photo-acid generator substantially.
  • substantially not containing a photoacid generator means, for example, that the ratio of the photoacid generator is 5% by mass or less based on the total solid content of the composition of the present invention, preferably It is 3% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, still more preferably 0.5% by mass or less, and particularly preferably 0% by mass.
  • the resin (Ab) when the resin (Ab) has an acid-decomposable repeating unit, the resin (Ab) is a repeating unit (hereinafter referred to as “acid generating repeating unit”) having a structural portion that decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid.
  • the phrase “substantially free of acid generating repeating units” means that, for example, the ratio of the acid generating repeating units contained in the resin (Ab) to all repeating units is 10 mol% or less, preferably Is 5 mol% or less, more preferably 3 mol% or less, still more preferably 1 mol% or less, and particularly preferably 0 mol%.
  • the resin (Ab) containing a metal salt structure is preferably soluble in a developer containing an organic solvent. It is preferable that the metal salt structure is decomposed by exposure to EUV light or the like to be insoluble or hardly soluble in a developer containing an organic solvent.
  • the metal species of the metal ion contained in the metal salt structure of the resin (Ab) is not particularly limited, and examples thereof include the same metal ion as in the first aspect.
  • the said metal salt structure is contained in resin (Ab) as a partial structure of the functional group which resin (Ab) has, for example.
  • a partial structure represented by the general formula (f) described in the first aspect is preferably exemplified.
  • the resin (Ab) preferably has at least one of the repeating units represented by the general formulas (f1) to (f4) described in the first embodiment, and specific examples thereof include: Examples are the same as the repeating unit described in the first embodiment.
  • the content of the repeating units represented by the general formulas (f1) to (f4) in the resin (Ab) is preferably 1 to 80 mol%, and preferably 10 to 65 mol% in all repeating units. More preferred is 20 to 50 mol%.
  • the resin (Ab) may similarly have a repeating unit that can be contained in the resin (Ab) in the first aspect.
  • the resin (Ab) in the second aspect has a repeating unit having an acid-decomposable group (acid-decomposable repeating unit), as described above, the composition of the present invention in the second aspect is a photoacid. A generator is not substantially contained, and resin (Ab) does not contain an acid generation repeating unit substantially.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the resin (Ab) is preferably in the range of 1000 to 200,000, more preferably in the range of 1,000 to 50,000, and still more preferably in the range of 1,000 to 25,000. It is.
  • the degree of dispersion (Mw / Mn) is preferably 1.0 to 3.0, more preferably 1.0 to 2.5, and still more preferably 1.0 to 2.0.
  • the resin (Ab) can be polymerized by a known anionic polymerization method or radical polymerization method, and examples thereof include the same method as the polymerization method described in the first embodiment.
  • two or more kinds of resins (Ab) may be used in combination.
  • the total amount of the resin (Ab) added is generally 10 to 99% by mass, preferably 20 to 99% by mass, and particularly preferably 30 to 99% by mass with respect to the total solid content of the composition of the present invention. 99% by mass.
  • composition of the present invention in the second aspect may contain a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation (hereinafter also referred to as “photoacid generator”).
  • photoacid generator a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation
  • the resin (Ab) does not substantially contain a repeating unit having an acid-decomposable group.
  • the photoacid generator in the second embodiment the photoacid generator described in the first embodiment can be similarly used.
  • composition of the present invention in the second aspect the acid proliferator, basic compound, surfactant, dye, photobase generator, antioxidant, and solvent described in the first aspect are similarly used. Can be used.
  • Non-chemically amplified resist film The present invention also relates to a non-chemically amplified resist film formed using the composition of the present invention in the second aspect described above.
  • the “non-chemically amplified resist film” is also simply referred to as “resist film”.
  • the pattern forming method of the present invention comprises: (I) forming a non-chemically amplified resist film (resist film) using the above-described composition of the present invention; (Ii) exposing the resist film; (Iii) A pattern forming method including at least a step of developing the exposed resist film using a developer containing an organic solvent to form a pattern.
  • a negative pattern is formed by developing using a developer containing an organic solvent.
  • the exposure in the step (ii) may be immersion exposure.
  • the pattern forming method of the present invention may further include (v) a step of developing using an alkali developer after the development in the step (iii).
  • the other points are the same as those in the first aspect, and the description thereof is omitted.
  • the developer containing an organic solvent the solvent described in the first embodiment can be used in the same manner.
  • the substrate to be used and actinic rays or radiation are the same as in the first embodiment, and further, the developing method and the rinsing step can be performed by the same method as described in the first embodiment.
  • the present invention also relates to an electronic device manufacturing method including the pattern forming method according to the second aspect of the present invention, and an electronic device manufactured by the manufacturing method.
  • Photoacid generator The following compounds were used as the photoacid generator.
  • hydrophobic resin The following hydrophobic resin HR-1 was used as the hydrophobic resin.
  • W-1 Megafuck R08 (manufactured by DIC Corporation) (fluorine and silicon)
  • W-2 Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (silicon-based)
  • W-3 Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd .; fluorine-based)
  • W-4 PF6320 (manufactured by OMNOVA) (fluorine type)
  • G-1 Butyl acetate
  • G-2 Methyl amyl ketone (2-heptanone)
  • G-3 Anisole
  • G-4 TMAH (2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution)
  • Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 and 2 [Preparation and coating of resist composition]
  • a coating composition having a solid content concentration of 1.5% by mass having the composition shown in the following table (the concentration (% by mass) of each component represents the concentration in the total solid content concentration) is precisely filtered with a membrane filter having a pore size of 0.05 ⁇ m. Filtration gave a resist composition solution.
  • the obtained resist composition was applied on a 6-inch Si wafer that had been previously treated with hexamethyldisilazane (HMDS) using a spin coater Mark8 manufactured by Tokyo Electron, and dried on a hot plate at 100 ° C. for 60 seconds.
  • HMDS hexamethyldisilazane
  • a resist film having a thickness of 50 nm was obtained.
  • a topcoat-forming resin composition (solid content concentration: 3.0% by mass) in which hydrophobic resin HR-1 was dissolved in 4-methyl-2-pentanol was used.
  • a top coat layer having a thickness of 300 mm was formed.
  • Examples 1 to 15 using the organic developer were superior in the resolution of the isolated space pattern and LER compared to Comparative Example 1 using the alkali developer.
  • the resin (P′-2) has an acid-decomposable repeating unit but does not contain a photoacid generator, so the polarity does not change even when exposed to light, and an organic developer is used. No pattern was formed even after development.
  • Example 2 In comparison between Example 1 and Example 2, the effect of Example 2 of “non-chemical amplification type” was superior to that of Example 1 of “chemical amplification type”. Moreover, when Example 2 and Example 3 are contrasted, the effect of Example 3 which is Co is superior to Example 2 where the metal species of the metal salt structure is Zn. Further, when comparing Examples 5 to 7, Example 6 having a sulfonic acid group is more effective than Example 7 having a phosphate group as an acid group in the metal salt structure. In addition, Example 5 having a carboxyl group was more effective.

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Abstract

　形成される孤立スペースパターンの解像力に優れるパターン形成方法、並びに、それを用いた電子デバイスの製造方法、レジスト組成物、及び、レジスト膜を提供する。上記パターン形成方法は、レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜を露光する工程と、上記露光された上記レジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してパターンを形成する工程と、を少なくとも備えるパターン形成方法であって、上記レジスト組成物が、金属イオンを含む樹脂（Ａｂ）を含有する。

Description

パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、レジスト組成物、及び、レジスト膜
　本発明は、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、レジスト組成物、及び、レジスト膜に関する。
　より詳細には、本発明は、超ＬＳＩ（large scale integration）及び高容量マイクロチップの製造プロセス、ナノインプリント用モールド作成プロセス並びに高密度情報記録媒体の製造プロセス等に適用可能な超マイクロリソグラフィプロセス、並びにその他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いられるパターン形成方法、並びに、それを用いた電子デバイスの製造方法、レジスト組成物、及び、レジスト膜に関する。
　従来、ＩＣ（integrated circuit）及びＬＳＩなどの半導体デバイスの製造プロセスにおいては、フォトレジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。現在では、電子線、ＥＵＶ光等を用いたリソグラフィーも開発が進んでおり、種々のレジスト組成物を用いたパターン形成方法が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
特開２０１２－１８１５１１号公報
　近年、各種電子機器の高機能化が求められており、それに伴い微細加工に使用されるレジスト組成物のより一層の特性向上が求められている。特に、孤立スペースパターンにおける解像力について、より一層の向上が求められている。
　このようななか、本発明者が特許文献１に記載のパターン形成方法について検討したところ、その解像力が昨今求められているレベルを必ずしも満たさないことが明らかになった。
　本発明は、以上の点を鑑みてなされたものであり、その目的は、形成される孤立スペースパターンの解像力に優れるパターン形成方法、並びに、それを用いた電子デバイスの製造方法、レジスト組成物、及び、レジスト膜を提供することである。
　本発明者は、鋭意検討した結果、以下の構成を採用することで、上記目的を達成できることを見出した。
　すなわち、本発明は、以下の〔１〕～〔１１〕を提供する。
　〔１〕レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜を露光する工程と、上記露光された上記レジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してパターンを形成する工程と、を少なくとも備えるパターン形成方法であって、上記レジスト組成物が、金属イオンを含む樹脂（Ａｂ）を含有する、パターン形成方法。
　〔２〕上記樹脂（Ａｂ）が、酸の作用により極性が変化する樹脂であり、上記レジスト組成物が、上記樹脂（Ａｂ）と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物である、上記〔１〕に記載のパターン形成方法。
　〔３〕上記樹脂（Ａｂ）が、上記金属イオンを含む金属塩構造を有する、上記〔２〕に記載のパターン形成方法。
　〔４〕上記樹脂（Ａｂ）が、上記金属イオンを含む金属塩構造を有する樹脂であり、上記レジスト組成物が、上記樹脂（Ａｂ）を含有する非化学増幅型レジスト組成物である、上記〔１〕に記載のパターン形成方法。
　〔５〕上記金属塩構造が、後述する一般式（ｆ）で表される、上記〔３〕又は〔４〕に記載のパターン形成方法。
　〔６〕一般式（ｆ）中のＸａにおける酸基が、カルボキシル基である、上記〔５〕に記載のパターン形成方法。
　〔７〕上記樹脂（Ａｂ）が、上記金属塩構造として、後述する一般式（ｆ１）～（ｆ４）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する、上記〔３〕～〔６〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
　〔８〕上記露光が、電子線又はＥＵＶ光による露光である、上記〔１〕～〔７〕のいずれかに記載のパターン形成方法。
　〔９〕上記〔１〕～〔８〕のいずれかに記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
　〔１０〕上記〔１〕～〔８〕のいずれかに記載のパターン形成方法に用いるレジスト組成物。
　〔１１〕上記〔１０〕に記載のレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜。
　本発明によれば、形成される孤立スペースパターンの解像力に優れるパターン形成方法、並びに、それを用いた電子デバイスの製造方法、レジスト組成物、及び、レジスト膜を提供できる。
　以下、本発明を詳細に説明する。
　本明細書に於ける基（原子団）の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
　本明細書において光とは、極紫外線（ＥＵＶ光）のみならず、電子線も含む。
　また、本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、極紫外線（ＥＵＶ光）による露光のみならず、電子線による描画も露光に含める。
　本明細書中における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光）、Ｘ線、電子線等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。また、本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、ＥＵＶ光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。
　本発明のパターン形成方法は、レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜を露光する工程と、上記露光された上記レジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してパターンを形成する工程と、を少なくとも備えるパターン形成方法であって、上記レジスト組成物が、金属イオンを含む樹脂（Ａｂ）を含有する、パターン形成方法である。
　ここで、例えば、特許文献１に記載されたパターン形成方法は、アルカリ現像液を用いた、いわゆるポジ型であり、レジスト膜における露光部分がアルカリ現像液に対して可溶化する。このため、孤立スペースパターン（例えば、ライン：スペース＝５：１）を形成する場合には、ラインパターンとなる非露光部分に比べて、スペースパターンとなる露光部分の方が相対的に狭くなる。露光部分が狭くなるに従ってズレ等が生じやすくなり、孤立スペースパターンの解像力が劣る場合がある。
　これに対して、本発明のパターン形成方法は、有機溶剤を含む現像液（有機系現像液ともいう）を用いた、いわゆるネガ型であり、レジスト膜における露光部分が、後述するメカニズムにより、有機系現像液に対して不溶化又は難容化する。このため、孤立スペースパターン（例えば、ライン：スペース＝５：１）を形成する場合には、非露光部分よりも露光部分の方を幅広にすることができる。したがって、露光部分が狭くなることで生じるズレ等の発生を抑制でき、孤立スペースパターンの解像力を良化することができる。
　以下では、本発明のパターン形成方法に用いるレジスト組成物が「感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物」である態様（第１の態様）と、同レジスト組成物が「非化学増幅型レジスト組成物」である態様（第２の態様）とに分けて説明を行なう。
１．第１の態様
　第１の態様は、レジスト組成物として感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いる。以下では、まず、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物について説明した後、本発明の第１の態様のパターン形成方法（以下、第１の態様において、単に「本発明のパターン形成方法」ともいう）について説明する。
［感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物］
　本発明のパターン形成方法に用いる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（以下、第１の態様において、「本発明の組成物」又は「本発明のレジスト組成物」ともいう）は、酸の作用により極性が変化する樹脂（Ａｂ）と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（「光酸発生剤」ともいう）と、を含有し、樹脂（Ａｂ）が、金属イオンを含む。
　電子線又はＥＵＶ光を用いて露光することで、本発明の組成物が光を吸収して電子を発生し、その発生した電子によって光酸発生剤が分解して酸を発生し、発生した酸の作用によって樹脂（Ａｂ）の極性が変化する。
 〔樹脂（Ａｂ）〕
　樹脂（Ａｂ）は、酸の作用により極性が変化する樹脂である。
　樹脂（Ａｂ）は、好ましくは有機溶剤を含む現像液に対して可溶性であり、ＥＵＶ光等の露光によって、有機溶剤を含む現像液に対して不溶又は難溶化することが好ましい。
　樹脂（Ａｂ）は、酸分解性基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。
　本発明においては、このような樹脂（Ａｂ）が、金属イオンを含む。電子線又はＥＵＶ光の吸収が高くなり、電子が多く発生して、酸が発生しやすくなるため、高感度となると考えられる。
　金属イオンの金属種としては、特に限定されないが、第１～１６族に属する金属種が好ましく、第１～２及び８～１６族に属する金属種がより好ましく、第８～１６族に属する金属種がさらに好ましく、第８～１０及び１３～１６族に属する金属種が特に好ましい。
　上記金属イオンは、金属塩構造の態様で、樹脂（Ａｂ）に含まれるのが好ましい。すなわち、樹脂（Ａｂ）は、上記金属イオンを含む金属塩構造を有するのが好ましい。このような金属塩構造は、例えば、樹脂（Ａｂ）が有する官能基の部分構造として、樹脂（Ａｂ）に含まれる。
　上記金属塩構造の具体例としては、下記一般式（ｆ）で表される部分構造が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　ただし、一般式（ｆ）中、
　Ｘaは、酸基から水素原子を除いた残基を表し、
　Ｍetは、金属原子を表し、
　ｎは１以上の整数を表す。
　一般式（ｆ）中のＸaにおける酸基としては、例えば、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、スルホン酸基（－ＳＯ３Ｈ）、リン酸基（Ｈ２ＰＯ４－）、フェノール性水酸基（－Ｃ６Ｈ４ＯＨ）等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　上記酸基のうち、カルボキシル基が好ましい。
　一般式（ｆ）中のＭetが表す金属原子の金属種は、上述した金属種と同義である。
　一般式（ｆ）中のｎが表す整数は、１～４が好ましく、１～３がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
　なお、一般式（ｆ）中、波線は結合位置を示すが（以下同様）、ｎが２以上である場合において、一部のＸaは、樹脂（Ａｂ）に結合していなくてもよい。
　また、同様に、一般式（ｆ）中のｎが２以上である場合において、一部のＸaは、ブレンステッド酸である水分子からプロトンが脱離した水酸化物イオンであってもよい。すなわち、一般式（ｆ）は、下記一般式（ｆ′）で表される態様を含む。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　ただし、一般式（ｆ′）中、
　Ｘaは、酸基から水素原子を除いた残基を表し、
　Ｍetは、金属原子を表し、
　ｎは２以上の整数を表し、
　ｍは１以上（ｎ－１）以下の整数を表す。
　一般式（ｆ′）中のＸa及びＭetは、一般式（ｆ）中のＸa及びＭetと同義である。
　一般式（ｆ′）中のｎが表す整数は、２～４が好ましく、２～３がより好ましい。
　一般式（ｆ′）中のｍが表す整数は、１～３が好ましく、１～２がより好ましい。
　上述した金属塩構造は、露光により分解して（金属イオンが脱離して）、カルボキシル基等の極性基を与える。この分解は、酸の作用によらずに行なわれる。すなわち、酸拡散のようなムラの出やすい機構を伴わずに、露光された領域だけ、極性を変化させやすくなる。このため、樹脂（Ａｂ）が上述した金属塩構造を有する場合は、ラフネス特性（ラインエッジスラフネス（Ｌｉｎｅ Ｅｄｇｅ Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ：ＬＥＲ））が良好になる。
　なお、脱離した金属イオンは、金属酸化物等になると考えられるが、その態様は特に限定されるものではない。
　一般式（ｆ）で表される部分構造は、樹脂（Ａｂ）を構成する繰り返し単位中に含まれているのが好ましく、具体的には、樹脂（Ａｂ）が下記一般式（ｆ１）～（ｆ４）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有している態様がより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　ただし、一般式（ｆ１）～（ｆ４）中、
　Ｍetは、金属原子を表し、
　Ｒｆａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表し、
　Ｙ１は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表し、
　Ｙ２～Ｙ４は、各々独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。
　なお、＊は、結合位置を表す。
　一般式（ｆ１）～（ｆ４）中のＭetが表す金属原子の金属種は、上述した金属種と同義である。
　一般式（ｆ１）～（ｆ４）中のＲｆａが表すアルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。このアルキル基としては、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数が１～２０のものが挙げられ、炭素数１～５のものが好ましく、炭素数１～３のものがより好ましい。
　Ｒｆａが表すシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等の炭素数が３～１５のものが挙げられる。
　Ｒｆａが表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、中でも、フッ素原子が特に好ましい。
　Ｒｆａが表すアルキルオキシカルボニル基に含まれるアルキル基部分としては、例えば、先にＲｆａが表すアルキル基として挙げた構成を採用できる。
　Ｒｆａとしては、水素原子又はアルキル基が好ましい。
　一般式（ｆ１）～（ｆ４）中のＹ１が表す２価の連結基としては、例えば、アルキレン基（例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基など）、シクロアルキレン基（例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基など）、アルケニレン基（例えば、エチレン基、プロペニレン基、ブテニレン基など）、２価の芳香環基（例えば、フェニレン基、ベンジレン基、トリレン基、ナフチレン基など）、－Ｓ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒ０）－、およびこれらの複数を組み合わせた２価の連結基が挙げられる。なお、Ｒ０は、水素原子又はアルキル基（例えば炭素数１～８個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ヘキシル基、オクチル基など）である。ここで挙げた各基は、エーテル基、エステル基、ラクトン環、ヒドロキシ基、アミノ基、シアノ基等の置換基を有していてもよく、ヘテロ原子を有していてもよく、２重結合又は３重結合を有していてもよい。
　一般式（ｆ１）～（ｆ４）中のＹ２～Ｙ４が表す１価の有機基としては、例えば、ヘテロ原子を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、アリール基などが挙げられる。これらの各基は、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、アミノ基、アミド基、スルホン酸エステル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カーボネート基、カルバメート基、チオール基、スルフィド基、チオケトン基、又は複素芳香族環などの置換基を有していてもよい。
　Ｙ２～Ｙ４が表すアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、炭素数は１～１０が好ましく、１～３がより好ましく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基などが挙げられる。
　Ｙ２～Ｙ４が表すアルケニル基は、炭素数３～２０が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、スチリル基などが挙げられる。
　Ｙ２～Ｙ４が表すアルキニル基は、炭素数２～１６が好ましく、例えば、エチニル基、１－プロピニル基、１－ブチニル基、トリメチルシリルエチニル基などが挙げられる。
　Ｙ２～Ｙ４が表すシクロアルキル基は、単環式であっても多環式であってもよく、炭素数は３～１０が好ましく、４～８がより好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基などが挙げられる。
　Ｙ２～Ｙ４が表すアリール基は、例えば、フェニル基、ベンジル基、トリル基、ナフチル基などが挙げられる。
　なお、Ｙ２～Ｙ４が表す１価の有機基は、樹脂（Ａｂ）の繰り返し単位を構成していてもよい。この場合、Ｙ２～Ｙ４が表す１価の有機基は、下記式で表される基を表す。下記式中のＲｆａは、上述したとおりである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　一般式（ｆ１）～（ｆ４）で表される繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　また、一般式（ｆ２）で表される繰り返し単位を得るためのモノマーとしては、例えば、下記式で例示されるモノマーが挙げられるが、これらに限定されない。
　なお、下記式中、Ｒ５は上述したＲｆａに相当し、Ｚは、２価の金属原子を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
　また、一般式（ｆ１）で表される繰り返し単位を得るためのモノマーとしては、例えば、下記式で例示されるモノマーが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、Ｒ５は上述したＲｆａに相当し、Ｚは、１価の金属原子を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
　樹脂（Ａｂ）における一般式（ｆ１）～（ｆ４）で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、１～８０モル％が好ましく、２～５０モル％がより好ましく、５～３０モル％がさらに好ましい。
　樹脂（Ａｂ）は、酸の作用により極性が変化する樹脂であり、酸分解性基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。
　酸分解性基としては、例えば、カルボキシル基、フェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基等の極性基の水素原子が、酸の作用により脱離する基で保護された基を挙げることができる。
　酸の作用により脱離する基としては、例えば、－Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（Ｒ38）、－Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（ＯＲ39）、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（Ｒ38）、－Ｃ（Ｒ01）（Ｒ02）（ＯＲ39）、－Ｃ（Ｒ01）（Ｒ02）－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（Ｒ38）等を挙げることができる。
　式中、Ｒ36～Ｒ39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基表す。Ｒ36とＲ37とは、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ01～Ｒ02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。
　樹脂（Ａｂ）は、一態様において、酸分解性基を有する繰り返し単位として、下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を含有することが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
　一般式（ＡＩ）に於いて、
　Ｘａ１は、水素原子、メチル基又は－ＣＨ２－Ｒ９で表される基を表す。Ｒ９は、水酸基または１価の有機基を表し、例えば、炭素数５以下のアルキル基、アシル基が挙げられ、好ましくは炭素数３以下のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。Ｘａ１は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
　Ｔは、単結合又は２価の連結基を表す。
　Ｒｘ１～Ｒｘ３は、それぞれ独立に、アルキル基（直鎖若しくは分岐）又はシクロアルキル基（単環若しくは多環）を表す。
　Ｒｘ１～Ｒｘ３の少なくとも２つが結合して、シクロアルキル基（単環若しくは多環）を形成してもよい。
　Ｔの２価の連結基としては、アルキレン基、－ＣＯＯ－Ｒｔ－基、－Ｏ－Ｒｔ－基等が挙げられる。式中、Ｒｔは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。
　Ｔは、単結合又は－ＣＯＯ－Ｒｔ－基が好ましい。Ｒｔは、炭素数１～５のアルキレン基が好ましく、－ＣＨ２－基、－（ＣＨ２）３－基がより好ましい。
　Ｒｘ１～Ｒｘ３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基などの炭素数１～４のものが好ましい。
　Ｒｘ１～Ｒｘ３のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
　Ｒｘ１～Ｒｘ３の少なくとも２つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
　Ｒｘ１がメチル基またはエチル基であり、Ｒｘ２とＲｘ３とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。
　上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基（炭素数１～４）、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基（炭素数１～４）、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基（炭素数２～６）などが挙げられ、炭素数８以下が好ましい。
　樹脂（Ａｂ）は、他の態様において、下記一般式（Ａ１）及び（Ａ２）で表される繰り返し単位の少なくとも１種を含有することが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
　一般式（Ａ１）中、
　ｎは１～５の整数を表し、ｍは１≦ｍ＋ｎ≦５なる関係を満足する０～４の整数を表す。
　Ｓ１は、置換基（水素原子を除く）を表し、ｍが２以上の場合には、複数のＳ１は互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
　Ａ１は、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、少なくとも１つのＡ１は酸の作用により脱離する基を表す。ｎ≧２の場合には、複数のＡ１は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
　一般式（Ａ２）中、
　Ｘは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
　Ａ２は、酸の作用により脱離する基を表す。
　まず、一般式（Ａ１）により表される繰り返し単位について説明する。
　ｎは、上述したように、１～５の整数を表し、好ましくは１又は２であり、特に好ましくは１である。
　ｍは、上述したように、１≦ｍ＋ｎ≦５なる関係を満足する０～４の整数を表し、好ましくは０～２であり、より好ましくは０又は１であり、特に好ましくは０である。
　Ｓ１は、上述したように、置換基（水素原子を除く）を表す。この置換基としては、例えば、後述する一般式（Ａ）におけるＳ１について説明する置換基と同様のものが挙げられる。
　Ａ１は、上述したように、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表し、少なくとも１つのＡ１は酸の作用により脱離する基である。
　酸の作用により脱離する基としては、例えば、ｔ－ブチル基及びｔ－アミル基等の３級アルキル基、ｔ－ブトキシカルボニル基、ｔ－ブトキシカルボニルメチル基、並びに、式－Ｃ（Ｌ１）（Ｌ２）－Ｏ－Ｚ２により表されるアセタール基が挙げられる。
　以下、式－Ｃ（Ｌ１）（Ｌ２）－Ｏ－Ｚ２により表されるアセタール基について説明する。式中、Ｌ１及びＬ２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。Ｚ２は、アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基を表す。なお、Ｚ２とＬ１とは、互いに結合して、５員又は６員環を形成していてもよい。
　アルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。
　直鎖アルキル基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましい。このような直鎖アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基及びｎ－デシル基が挙げられる。
　分岐鎖アルキル基の炭素数は、３～３０が好ましく、３～２０がより好ましい。このような分岐鎖アルキル基としては、例えば、ｉ－プロピル基、ｉ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｉ－ペンチル基、ｔ－ペンチル基、ｉ－ヘキシル基、ｔ－ヘキシル基、ｉ－ヘプチル基、ｔ－ヘプチル基、ｉ－オクチル基、ｔ－オクチル基、ｉノニル基及びｔ－デシル基が挙げられる。
　これらアルキル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、水酸基；フッ素、塩素、臭素及びヨウ素原子等のハロゲン原子；ニトロ基；シアノ基；アミド基；スルホンアミド基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ヘキシル基、２－エチルヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基及びブトキシ基等のアルコキシ基；メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；ホルミル基、アセチル基及びベンゾイル基等のアシル基；アセトキシ基及びブチリルオキシ基等のアシロキシ基、並びにカルボキシ基が挙げられる。
　アルキル基としては、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基、シクロヘキシルエチル基、フェニルメチル基又はフェニルエチル基が特に好ましい。
　シクロアルキル基は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。後者の場合、シクロアルキル基は、有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は、橋かけ構造を有していてもよい。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部は、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。
　単環型のシクロアルキル基としては、炭素数３～８のものが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基及びシクロオクチル基が挙げられる。
　多環型のシクロアルキル基としては、例えば、ビシクロ、トリシクロ又はテトラシクロ構造を有する基が挙げられる。多環型のシクロアルキル基としては、炭素数が６～２０のものが好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、 α－ピナニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基及びアンドロスタニル基が挙げられる。
　Ｌ１、Ｌ２及びＺ２におけるアラルキル基としては、例えば、ベンジル基及びフェネチル基等の炭素数が７～１５のものが挙げられる。
　これらアラルキル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、好ましくは、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基及びアラルキルチオ基が挙げられる。置換基を有するアラルキル基としては、例えば、アルコキシベンジル基、ヒドロキシベンジル基及びフェニルチオフェネチル基が挙げられる。なお、これらアラルキル基が有し得る置換基の炭素数は、好ましくは１２以下である。
　Ｚ２とＬ１とが互いに結合して形成し得る５員又は６員環としては、例えば、テトラヒドロピラン環及びテトラヒドロフラン環が挙げられる。これらのうち、テトラヒドロピラン環が特に好ましい。
　Ｚ２は、直鎖又は分岐鎖状のアルキル基であることが好ましい。これにより、本発明の効果が一層顕著になる。
　以下に、一般式（Ａ１）により表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
　次に、一般式（Ａ２）により表される繰り返し単位について説明する。
　Ｘは、上述したように、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、カルボキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基を表す。
　Ｘとしてのアルキル基は、置換基を有していてもよく、直鎖、分岐のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、好ましくは炭素数１～３０、さらに好ましくは１～２０であり、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等が挙げられる。分岐アルキル基としては、好ましくは炭素数３～３０、さらに好ましくは３～２０であり、例えば、ｉ－プロピル基、ｉ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｉ－ペンチル基、ｔ－ペンチル基、ｉ－ヘキシル基、ｔ－ヘキシル基、ｉ－ヘプチル基、ｔ－ヘプチル基、ｉ－オクチル基、ｔ－オクチル基、ｉ－ノニル基、ｔ－デシル基等が挙げられる。
　Ｘとしてのアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば炭素数１～８の上記アルコキシ基であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等を挙げることができる。
　Ｘとしてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
　Ｘとしてのアシル基は、置換基を有していてもよく、例えば炭素数２～８個のアシル基であって、具体的には、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等を好ましく挙げることができる。
　Ｘとしてのアシロキシ基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数２～８のアシロキシ基であり、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチルリオキシ基、バレリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等を挙げることができる。
　Ｘとしてのシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、有橋式であってもよい。例えば、シクロアルキル基は橋かけ構造を有していてもよい。単環型としては、炭素数３～８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数５以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数６～２０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α－ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。尚、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。
　Ｘとしてのアリール基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数６～１４であり、例えば、フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基等が挙げられる。
　Ｘとしてのアルキルオキシカルボニル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数２～８であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基を挙げることができる。
　Ｘとしてのアルキルカルボニルオキシ基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数２～８であり、例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基を挙げることができる。
　Ｘとしてのアラルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数７～１６のアラルキル基である、例えば、ベンジル基を挙げることができる。
　Ｘとしてのアルキル基、アルコキシ基、アシル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アラルキル基が更に有していてもよい置換基としては、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子）、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、アリール基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基又はアラルキル基などが挙げられる。
　Ａ２は、上述したように、酸の作用により脱離する基を表す。即ち、一般式（Ａ２）により表される繰り返し単位は、酸分解性基として、「－ＣＯＯＡ２」により表される基を備えている。Ａ２としては、例えば、先に一般式（Ａ１）におけるＡ１について説明したのと同様のものが挙げられる。
　Ａ2は炭化水素基（好ましくは炭素数２０以下、より好ましくは４～１２）であることが好ましく、ｔ－ブチル基、ｔ－アミル基、脂環構造を有する炭化水素基（例えば、脂環基自体、及び、アルキル基に脂環基が置換した基）がより好ましい。
　Ａ2は、３級のアルキル基又は３級のシクロアルキル基であることが好ましい。
　脂環構造は、単環でも、多環でもよい。具体的には、炭素数５以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を挙げることができる。その炭素数は６～３０個が好ましく、特に炭素数７～２５個が好ましい。これらの脂環構造を有する炭化水素基は置換基を有していてもよい。
　脂環構造の例としては、特開２０１３－８３９６６号公報の段落［０２６４］～［０２６５］に記載された脂環構造を挙げることができる。
　本発明においては、上記脂環構造の好ましいものとしては、一価の脂環基の表記として、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン残基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基である。
　これらにおける脂環が有してもよい置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基である。上記アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１～４個のものを挙げることができる。アルキル基、アルコキシ基は、更に置換基を有していてもよい。アルキル基、アルコキシ基が更に有する置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。
　脂環構造を有する酸分解性基としては、下記一般式（ｐＩ）～一般式（ｐＶ）で示される基が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
　上記一般式（ｐＩ）～（ｐＶ）中、
　Ｒ11は、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基又はｓｅｃ－ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
　Ｒ12～Ｒ16は、各々独立に、炭素数１～４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ12～Ｒ14のうち少なくとも１つ、もしくはＲ15、Ｒ16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
　Ｒ17～Ｒ21は、各々独立に、水素原子、炭素数１～４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ17～Ｒ21のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ19、Ｒ21のいずれかは炭素数１～４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
　Ｒ22～Ｒ25は、各々独立に、水素原子、炭素数１～４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ22～Ｒ25のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ23とＲ24は、互いに結合して環を形成していてもよい。
　一般式（ｐＩ）～（ｐＶ）において、Ｒ12～Ｒ25におけるアルキル基としては、置換もしくは非置換のいずれであってもよい、１～４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。そのアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基等が挙げられる。
　また、上記アルキル基の置換基としては、炭素数１～４個のアルコキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アシル基、アシロキシ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。
　Ｒ11～Ｒ25における脂環式炭化水素基或いはＺと炭素原子が形成する脂環式炭化水素基としては、先に脂環構造として述べたものが挙げられる。
　一般式（Ａ２）で表される繰り返し単位は、一形態において、下式で表される繰り返し単位である場合が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
　また、一般式（Ａ２）で表される繰り返し単位は、他の形態において、以下に示す一般式（Ａ３）で表される繰り返し単位である場合も好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
　一般式（Ａ３）中、
　ＡＲは、アリール基を表す。
　Ｒｎは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。ＲｎとＡＲとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。
　Ｒは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。
　一般式（Ａ３）により表される繰り返し単位について詳細に説明する。
　ＡＲは、上述したようにアリール基を表す。ＡＲのアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、又は、フルオレン基等の炭素数６～２０のものが好ましく、炭素数６～１５のものがより好ましい。
　ＡＲがナフチル基、アントリル基又はフルオレン基である場合、Ｒｎが結合している炭素原子とＡＲとの結合位置には、特に制限はない。例えば、ＡＲがナフチル基である場合、この炭素原子は、ナフチル基のα位に結合していてもよく、β位に結合していてもよい。或いは、ＡＲがアントリル基である場合、この炭素原子は、アントリル基の１位に結合していてもよく、２位に結合していてもよく、９位に結合していてもよい。
　ＡＲとしてのアリール基は、１以上の置換基を有していてもよい。このような置換基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数が１～２０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、これらアルキル基部分を含んだアルコキシ基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等のシクロアルキル基、これらシクロアルキル基部分を含んだシクロアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、及びピロリドン残基等のヘテロ環残基が挙げられる。この置換基としては、炭素数１～５の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基、これらアルキル基部分を含んだアルコキシ基が好ましく、パラメチル基又はパラメトキシ基がより好ましい。
　ＡＲとしてのアリール基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基のうちの少なくとも２つが互いに結合して環を形成してもよい。環は、５～８員環が好ましく、５又は６員環がより好ましい。また、この環は、環員に酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むヘテロ環であってもよい。
　更に、この環は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、Ｒｎが有していてもよい置換基について後述するものと同様のものが挙げられる。
　また、一般式（Ａ３）により表される繰り返し単位は、ラフネス性能の観点から、２個以上の芳香環を含有ことが好ましい。この繰り返し単位が有する芳香環の個数は、通常、５個以下であることが好ましく、３個以下であることがより好ましい。
　また、一般式（Ａ３）により表される繰り返し単位において、ラフネス性能の観点から、ＡＲは２個以上の芳香環を含有することがより好ましく、ＡＲがナフチル基又はビフェニル基であることが更に好ましい。ＡＲが有する芳香環の個数は、通常、５個以下であることが好ましく、３個以下であることがより好ましい。
　Ｒｎは、上述したように、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。　
　Ｒｎのアルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。このアルキル基としては、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数が１～２０のものが挙げられる。Ｒｎのアルキル基は、炭素数１～５のものが好ましく、炭素数１～３のものがより好ましい。
　Ｒｎのシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等の炭素数が３～１５のものが挙げられる。
　Ｒｎのアリール基としては、例えば、フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基及びアントリル基等の炭素数が６～１４のものが好ましい。
　Ｒｎとしてのアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の各々は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、及びピロリドン残基等のヘテロ環残基が挙げられる。中でも、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基及びスルホニルアミノ基が特に好ましい。
　Ｒは、上述したように、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。
　Ｒのアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、先にＲｎについて説明したのと同様のものが挙げられる。これらアルキル基及びシクロアルキル基の各々は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、先にＲｎについて説明したのと同様のものが挙げられる。
　Ｒが置換基を有するアルキル基又はシクロアルキル基である場合、特に好ましいＲとしては、例えば、トリフルオロメチル基、アルキルオキシカルボニルメチル基、アルキルカルボニルオキシメチル基、ヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基が挙げられる。
　Ｒのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。中でも、フッ素原子が特に好ましい。
　Ｒのアルキルオキシカルボニル基に含まれるアルキル基部分としては、例えば、先にＲのアルキル基として挙げた構成を採用することができる。
　ＲｎとＡＲとが互いに結合して非芳香族環を形成することが好ましく、これにより、特に、ラフネス性能をより向上させることができる。
　ＲｎとＡＲとは互いに結合して形成しても良い非芳香族環としては、５～８員環であることが好ましく、５又は６員環であることがより好ましい。
　非芳香族環は、脂肪族環であっても、環員として酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むヘテロ環であってもよい。
　非芳香族環は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、Ｒｎが有していてもよい置換基について先に説明したのと同様のものが挙げられる。
　以下に、一般式（Ａ２）により表される繰り返し単位、又は、この繰り返し単位に対応したモノマーの具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
　以下に、一般式（Ａ３）により表される繰り返し単位の構造の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
　中でも、特開２０１３－８３９６６号公報の段落［０３０９］～［０３１０］に記載された繰り返し単位がより好ましい。
　一般式（Ａ２）により表される繰り返し単位は、一形態において、ｔ－ブチルメタクリレート又はエチルシクロペンチルメタクリレートの繰り返し単位が好ましい。
　一般式（Ａ２）で表される繰り返し単位に対応するモノマーは、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、アセトン、塩化メチレン等の溶媒中、(メタ)アクリル酸クロリドとアルコール化合物を、トリエチルアミン、ピリジン、ＤＢＵ（ジアザビシクロウンデセン）等の塩基性触媒存在下でエステル化させることにより合成することができる。なお、市販のものを用いてもよい。
　樹脂（Ａｂ）は、更に、酸分解性基として、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含有していてもよい。酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位としては、例えば、特開２０１１－２０３６４４号公報の段落［００３０］～［００７１］に記載された繰り返し単位を挙げることができる。
　樹脂（Ａｂ）は、更に、下記一般式（Ａ５）で表される繰り返し単位を含有していてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
　式（Ａ５）中、
　Ｘは、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシロキシ基、シクロアルキル基、アリール基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、又はアラルキル基を表し、一般式（Ａ２ｂ）に於けるＸと同様のものである。
　Ａ４は、酸の作用により脱離しない炭化水素基を表す。
　一般式（Ａ５）に於ける、Ａ４の酸の作用により脱離しない炭化水素基としては、上記の酸分解性基以外の炭化水素基が挙げられ、例えば、酸の作用により脱離しないアルキル基（好ましくは炭素数１～１５）、酸の作用により脱離しないシクロアルキル基（好ましくは炭素数３～１５）、酸の作用により脱離しないアリール基（好ましくは炭素数６～１５）等を挙げることができる。
　Ａ４の酸の作用により脱離しない炭化水素基は、更に、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基等で置換されていてもよい。
　樹脂（Ａｂ）は、更に一般式（Ａ６）で表される繰り返し単位を有することも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
　一般式（Ａ６）中、
　Ｒ2は、水素原子、メチル基、シアノ基、ハロゲン原子又は炭素数１～４のペルフルオロ基を表す。
　Ｒ3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基、アルコキシ基又はアシル基を表す。
　ｑは、０～４の整数を表す。
　Ａｒは、ｑ＋２価の芳香環を表す。
　Ｗは、酸の作用により分解しない基又は水素原子を表す。
　Ａｒにより表される芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が好ましく、ベンゼン環であることがより好ましい。
　Ｗは酸の作用により分解しない基（酸安定基ともいう）を表すが、上記の酸分解性基以外の基が挙げられ、具体的にはハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アシル基、アルキルアミド基、アリールアミドメチル基、アリールアミド基等が挙げられる。酸安定基としては、好ましくはアシル基、アルキルアミド基であり、より好ましくはアシル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基である。
　Ｗの酸安定基において、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、sec－ブチル基、ｔ－ブチル基の様な炭素数１～４個のものが好ましく、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な炭素数３～１０個のものが好ましく、アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の様な炭素数２～４個のものが好ましく、アリール基としてはフェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数６～１４個のものが好ましい。Ｗはベンゼン環上のどの位置にあってもよいが、好ましくはスチレン骨格のメタ位かパラ位であり、特に好ましくはパラ位である。
　以下に、一般式（Ａ６）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるがこれらに限定するものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000052
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000053
　また、樹脂（Ａｂ）は、更に、下記一般式（ｃ１）～（ｃ５）で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも１つを有することも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000054
　式中、Ｒ１０～Ｒ１４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、炭素原子に結合する水素原子の一部又は全てがハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、アリール基、ハロゲン原子、又は１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロ－２－プロパノール基である。Ｚ２は、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子である。
　Ｒ１０～Ｒ１４としてのアルキル基は、及び、炭素原子に結合する水素原子の一部又は全てがハロゲン原子で置換されたアルキル基における炭素数は１～３０であることが好ましい。
　Ｒ１０～Ｒ１４としてのアルコキシ基における炭素数は１～８であることが好ましい。
　Ｒ１０～Ｒ１４としてのアルカノイル基における炭素数は１～８であることが好ましい。
　Ｒ１０～Ｒ１４としてのアルコキシカルボニル基における炭素数は２～８であることが好ましい。
　Ｒ１０～Ｒ１４としてのアリール基における炭素数は６～１０であることが好ましい。
　樹脂（Ａｂ）における一般式（ｃ１）～（ｃ５）で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、５～９５モル％が好ましく、より好ましくは５～６０モル％であり、特に好ましくは５～３０モル％である。
　樹脂（Ａｂ）は、更に酸の作用により分解しない（メタ）アクリル酸誘導体からなる繰り返し単位を有することも好ましい。以下に具体例を挙げるがこれに限定するものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000055
　樹脂（Ａｂ）における酸分解性基を有する繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、５～９５モル％が好ましく、より好ましくは１０～６０モル％であり、特に好ましくは１５～５０モル％である。
　樹脂（Ａｂ）における一般式（Ａ１）で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、０～９０モル％が好ましく、より好ましくは１０～７０モル％であり、特に好ましくは２０～５０モル％である。
　樹脂（Ａｂ）における一般式（Ａ２）で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、０～９０モル％が好ましく、より好ましくは５～７５モル％であり、特に好ましくは１０～６０モル％である。
　樹脂（Ａｂ）における一般式（Ａ３）で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、０～９０モル％が好ましく、より好ましくは５～７５モル％であり、特に好ましくは１０～６０モル％である。
　樹脂（Ａｂ）における一般式（Ａ５）で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、０～５０モル％が好ましく、より好ましくは０～４０モル％であり、特に好ましくは０～３０モル％である。
　樹脂（Ａｂ）は、更に一般式（Ａ６）で表される繰返し単位を有していてもよく、膜質向上、未露光部の膜減り抑制等の観点から好ましい。一般式（Ａ６）で表される繰り返し単位の含有率は、それぞれの全繰り返し単位中、０～５０モル％であることが好ましく、より好ましくは０～４０モル％であり、特に好ましくは０～３０モル％である。
　また、樹脂（Ａｂ）は、アルカリ可溶性基、例えばフェノール性水酸基、カルボキシル基が導入され得るように適切な他の重合性モノマーが共重合されていてもよいし、膜質向上のためにアルキルアクリレート又はアルキルメタクリレートのような疎水性の他の重合性モノマーが共重合されてもよい。
　一般式（Ａ２）で表される繰り返し単位に対応するモノマーは、ＴＨＦ、アセトン、塩化メチレン等の溶媒中、(メタ)アクリル酸クロリドとアルコール化合物を、トリエチルアミン、ピリジン、ＤＢＵ等の塩基性触媒存在下でエステル化させることにより合成することができる。なお、市販のものを用いてもよい。
　一般式（Ａ１）で表される繰り返し単位に対応するモノマーは、ＴＨＦ、塩化メチレン等の溶媒中、ヒドロキシ置換スチレンモノマーとビニルエーテル化合物を、ｐ－トルエンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸ピリジン塩等の酸性触媒存在下でアセタール化させること、または、二炭酸ｔ－ブチルを用いてトリエチルアミン、ピリジン、ＤＢＵ等の塩基性触媒存在下でｔ－Ｂｏｃ保護化する事により合成することができる。なお、市販のものを用いてもよい。
　樹脂（Ａｂ）は、一態様において、下記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を含有することが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000056
　式中、ｎは１～５の整数を表し、ｍは１≦ｍ＋ｎ≦５なる関係を満足する０～４の整数を表す。ｎは、好ましくは１又は２であり、より好ましくは１である。ｍは、好ましくは０～２であり、より好ましくは０又は１であり、特に好ましくは０である。
　Ｓ１は置換基を表す。ｍが２以上の場合、複数のＳ１は互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
　Ｓ１により表される置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基が挙げられる。
　たとえばアルキル基、シクロアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などの炭素数１～２０個の直鎖若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基が好ましい。これらの基は更に置換基を有していてもよい。
　更に有し得る好ましい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、ピロリドン残基等のヘテロ環残基などが挙げられ、好ましくは、炭素数１２以下の置換基である。
　置換基を有するアルキル基として、例えばシクロヘキシルエチル基、アルキルカルボニルオキシメチル基、アルキルカルボニルオキシエチル基、シクロアルキルカルボニルオキシメチル基、シクロアルキルカルボニルオキシエチル基、アリールカルボニルオキシエチル基、アラルキルカルボニルオキシエチル基、アルキルオキシメチル基、シクロアルキルオキシメチル基、アリールオキシメチル基、アラルキルオキシメチル基、アルキルオキシエチル基、シクロアルキルオキシエチル基、アリールオキシエチル基、アラルキルオキシエチル基、アルキルチオメチル基、シクロアルキルチオメチル基、アリールチオメチル基、アラルキルチオメチル基、アルキルチオエチル基、シクロアルキルチオエチル基、アリールチオエチル基、アラルキルチオエチル基等が挙げられる。
　これらの基におけるアルキル基、シクロアルキル基は特に限定されず、更に前述のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等の置換基を有してもよい。
　上記アルキルカルボニルオキシエチル基、シクロアルキルカルボニルオキシエチル基の例としては、シクロヘキシルカルボニルオキシエチル基、ｔ－ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル基、ｎ－ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル基等を挙げることができる。
　アリール基も特に限定されないが、一般的にフェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の炭素数６～１４のものが挙げられ、更に前述のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等の置換基を有してもよい。
　上記アリールオキシエチル基の例としては、フェニルオキシエチル基、シクロヘキシルフェニルオキシエチル基等を挙げることができる。これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
　アラルキルも特に限定されないが、ベンジル基などを挙げることができる。
　上記アラルキルカルボニルオキシエチル基の例としては、ベンジルカルボニルオキシエチル基等を挙げることができる。これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
　一般式（Ａ）により表される繰り返し単位としては、例えば、以下のものが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000057
　樹脂（Ａｂ）における、一般式（Ａ）で表される繰り返し単位の含有率は、樹脂（Ａｂ）中の全繰り返し単位に対し、０～９０モル％が好ましく、より好ましくは５～８０モル％であり、更に好ましくは１０～７０モル％であり、特に好ましくは２０～６０モル％である。
　樹脂（Ａｂ）においては、特開２０１３－８３９６６号公報の段落［０３４５］～［０３４６］に記載された繰り返し単位を有することも好ましい。
　樹脂（Ａｂ）は、一態様において、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位（Ｂ）（以下において、「酸発生繰り返し単位（Ｂ）」又は「繰り返し単位（Ｂ）」という）を含んでいてもよい。
　この構造部位は、例えば、活性光線又は放射線の照射により分解することにより、繰り返し単位（Ｂ）中に酸アニオンを生じさせる構造部位であってもよいし、酸アニオンを放出して繰り返し単位（Ｂ）中にカチオン構造を生じさせる構造部位であってもよい。
　この場合、酸発生繰り返し単位（Ｂ）が、後述する活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物に相当すると考えることができる。
　酸発生繰り返し単位（Ｂ）としては、例えば、特開２０１３－０８３９６６号公報の段落［０３４７］～［０４８５］に記載された繰り返し単位を好適に挙げることができる。
　樹脂（Ａｂ）が繰り返し単位（Ｂ）を含有する場合、樹脂（Ａｂ）における、繰り返し単位（Ｂ）の含有率は、樹脂（Ａｂ）中の全繰り返し単位に対し、０．１～８０モル％が好ましく、より好ましくは０．５～６０モル％であり、更に好ましくは１～４０モル％である。
　また、本発明の組成物から得られる感活性光線性又は感放射線性膜をＡｒＦエキシマレーザーで露光する際には、ＡｒＦエキシマレーザーに対する透明性の観点から、樹脂（Ａｂ）として芳香環を有さない樹脂を用いることが好ましい。
　樹脂（Ａｂ）は、更に、ラクトン基、水酸基、シアノ基及びアルカリ可溶性基から選ばれる少なくとも１種類の基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。
　樹脂（Ａｂ）が含有し得るラクトン基を有する繰り返し単位について説明する。
　ラクトン基としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは５～７員環ラクトン構造であり、５～７員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－１６）のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。
　好ましいラクトン構造としては（ＬＣ１－１）、（ＬＣ１－４）、（ＬＣ１－５）、（ＬＣ１－６）、（ＬＣ１－１３）、（ＬＣ１－１４）であり、特定のラクトン構造を用いることでＬＥＲがより良好になる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000058
　ラクトン構造部分は、置換基（Ｒｂ2）を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基（Ｒｂ2）としては、炭素数１～８のアルキル基、炭素数４～７のシクロアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数１～８のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数１～４のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。ｎ２は、０～４の整数を表す。ｎ２が２以上の時、複数存在する置換基（Ｒｂ2）は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基（Ｒｂ2）同士が結合して環を形成してもよい。
　一般式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－１６）のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ＡＩＩ）で表される繰り返し単位を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000059
　一般式（ＡＩＩ）中、
Ｒｂ0は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１～４のアルキル基を表す。Ｒｂ0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Ｒｂ0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。
　Ａｂは、単結合、アルキレン基、単環または多環の脂環炭化水素構造を有する２価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、又はこれらを組み合わせた２価の連結基を表す。好ましくは、単結合、－Ａｂ1－ＣＯ2－で表される２価の連結基である。
　Ａｂ1は、直鎖、分岐アルキレン基、単環または多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。
　Ｖは、一般式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－１６）の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。
　ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、１種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。１種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度（ｅｅ）が９０以上のものが好ましく、より好ましくは９５以上である。
　ラクトン基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂（Ａｂ）中の全繰り返し単位に対し、 １５～６０モル％が好ましく、より好ましくは２０～５０モル％、更に好ましくは３０～５０モル％である。
　ラクトン基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000060
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000061
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000062
　樹脂（Ａｂ）は、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式（ＶＩＩａ）～（ＶＩＩｄ）で表される部分構造が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000063
　一般式（ＶＩＩａ）～（ＶＩＩｃ）に於いて、
Ｒ2c～Ｒ4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、Ｒ2c～Ｒ4cの内の少なくとも１つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、Ｒ2c～Ｒ4cの内の１つ又は２つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式（ＶＩＩａ）に於いて、更に好ましくは、Ｒ2c～Ｒ4cの内の２つが、水酸基で、残りが水素原子である。
　一般式（ＶＩＩａ）～（ＶＩＩｄ）で表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ＡＩＩａ）～（ＡＩＩｄ）で表される繰り返し単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000064
　一般式（ＡＩＩａ）～（ＡＩＩｄ）に於いて、
　Ｒ1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキメチル基を表す。
　Ｒ2ｃ～Ｒ4ｃは、一般式（ＶＩＩａ）～（ＶＩＩｃ）に於ける、Ｒ2ｃ～Ｒ4ｃと同義である。
　水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂（Ａｂ）中の全繰り返し単位に対し、５～４０モル％が好ましく、より好ましくは５～３０モル％、更に好ましくは１０～２５モル％である。
　水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000065
　樹脂（Ａｂ）は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。アルカリ可溶性基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビスルスルホニルイミド基、α位が電子吸引性基で置換された脂肪族アルコール（例えばヘキサフロロイソプロパノール基）が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、さらにはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環または多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。
　アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂（Ａｂ）中の全繰り返し単位に対し、 ０～２０モル％が好ましく、より好ましくは３～１５モル％、更に好ましくは５～１０モル％である。
　アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000066
　樹脂（Ａｂ）は、更に、脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有してもよい。これにより液浸露光時にレジスト膜から液浸液への低分子成分の溶出が低減できる。このような繰り返し単位として、例えば１－アダマンチル（メタ）アクリレート、ジアマンチル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレートによる繰り返し単位などが挙げられる。
　上述した（ｆ１）～（ｆ４）で表される繰り返し単位を除く、樹脂（Ａｂ）が有する繰り返し単位の組み合わせの例としては、例えば、特開２０１３－８３９６６号公報の段落［０５２７］～［０５５９］に記載された繰り返し単位の組み合わせが好適に挙げられる。
　なお、樹脂（Ａｂ）が酸発生繰り返し単位（Ｂ）を含有しない場合は、フッ素原子を含む繰り返し単位の含有率は１モル％以下が好ましく、フッ素原子は含有しないことがより好ましい。樹脂（Ａｂ）が繰り返し単位（Ｂ）を有する場合は、繰り返し単位（Ｂ）以外の繰り返し単位であって、フッ素原子を含む繰り返し単位の含有率は１モル％以下であることが更に好ましく、フッ素原子は含有しないことが最も好ましい。
　樹脂（Ａｂ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００～２００，０００の範囲であることが好ましい。樹脂自体のアルカリに対する溶解速度、感度の点から２００，０００以下が好ましい。重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比である分散度（Ｍｗ/Ｍｎ）は、１．０～３．０であることが好ましく、より好ましくは１．０～２．５、特に好ましくは、１．０～２．０である。
　その中で、樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００～２００，０００の範囲であることがより好ましく、さらに好ましくは１，０００～１００，０００の範囲であり、特に好ましくは１，０００～５０，０００の範囲であり、最も好ましくは１，０００～２５，０００の範囲である。
　本発明において、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、展開溶媒としてテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用いて、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により求められるポリスチレン換算値をもって定義される（以下、同様）。
　アゾ系重合開始剤を用いてラジカル重合を行うことで分散度２．０以下の樹脂（Ａｂ）を合成することができる。さらに好ましい分散度１．０～１．５の樹脂（Ａｂ）は例えばリビングラジカル重合によって合成可能である。
　樹脂（Ａｂ）は、公知のアニオン重合法またはラジカル重合法などで重合することが好ましい。
　アニオン重合法は、アルカリ金属又は有機アルカリ金属を重合開始剤として、通常、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、有機溶媒中において、－１００～９０℃の温度で行なわれる。そして、共重合においては、モノマー類を反応系に逐次添加して重合することによりブロック共重合体が、また、各モノマー類の混合物を反応系に添加して重合することによりランダム共重合体が得られる。
　上記重合開始剤のアルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられ、有機アルカリ金属としては、上記アルカリ金属のアルキル化物、アリル化物およびアリール化物が使用することができ、具体的には、エチルリチウム、ｎ－ブチルリチウム、ｓｅｃ－ブチルリチウム、ｔｅｒｔ－ブチルリチウム、エチルナトリウム、リチウムビフェニル、リチウムナフタレン、リチウムトリフェニル、ナトリウムナフタレン、α－メチルスチレンナトリウムジアニオン、１、１－ジフェニルヘキシルリチウム、１、１－ジフェニル－３－メチルペンチルリチウム等を挙げることができる。
　ラジカル重合法は、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスイソバレロニトリルなどのアゾ化合物；過酸化ベンゾイル、メチルエチルケトンパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイドなどの有機過酸化物；等の公知のラジカル重合開始剤を用い、必要に応じて、１－ドデカンチオール等の公知の連鎖移動剤を併用して、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、有機溶媒中において、５０～２００℃の温度で行なわれる。この有機溶媒としては、従来公知の有機溶媒を用いることができ、例えば、特開２０１３－８３９６６号公報の段落［０４９３］に記載された有機溶媒が挙げられる。
　樹脂（Ａｂ）は、２種類以上組み合わせて使用してもよい。
　樹脂（Ａｂ）の添加量は、総量として、本発明の組成物の全固形分に対し、通常１０～９９質量％であり、好ましくは２０～９９質量％であり、特に好ましくは３０～９９質量％である。
 〔活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物〕
　本発明の組成物は、更に、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（以下、「光酸発生剤」ともいう。）を含有する。
　光酸発生剤としては、例えば、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、光消色剤、光変色剤、マイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物、及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。これらの例としては、スルホニウム塩及びヨードニウム塩等のオニウム塩、並びに、ビス（アルキルスルホニルジアゾメタン）等のジアゾジスルホン化合物が挙げられる。
　光酸発生剤の好ましい例としては、下記一般式（ＺＩ）、（ＺＩＩ）及び（ＺＩＩＩ）により表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000067
　上記一般式（ＺＩ）において、Ｒ201、Ｒ202及びＲ203は、各々独立に、有機基を表す。Ｒ201、Ｒ202及びＲ203としての有機基の炭素数は、例えば１～３０であり、好ましくは１～２０である。
　Ｒ201～Ｒ203のうち２つは、単結合又は連結基を介して互いに結合して、環構造を形成してもよい。この場合の連結基としては、例えば、エーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、アミド結合、カルボニル基、メチレン基及びエチレン基が挙げられる。Ｒ201～Ｒ203のうちの２つが結合して形成する基としては、例えば、ブチレン基及びペンチレン基等のアルキレン基が挙げられる。
　Ｒ201、Ｒ202及びＲ203の具体例としては、後述する化合物（ＺＩ－１）、（ＺＩ－２）又は（ＺＩ－３）における対応する基が挙げられる。
　Ｘ－は、非求核性アニオンを表す。Ｘ－としては、例えば、スルホン酸アニオン、ビス（アルキルスルホニル）アミドアニオン、トリス（アルキルスルホニル）メチドアニオン、ＢＦ４ －、ＰＦ６ －及びＳｂＦ６ －が挙げられる。Ｘ－は、好ましくは、炭素原子を含んだ有機アニオンである。好ましい有機アニオンとしては、例えば、下記ＡＮ１～ＡＮ３に示す有機アニオンが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000068
　式ＡＮ１～ＡＮ３中、Ｒｃ１～Ｒｃ３は、各々独立に、有機基を表す。この有機基としては、例えば、炭素数１～３０のものが挙げられ、好ましくは、アルキル基、アリール基、又はこれらの複数が連結基を介して連結された基である。なお、この連結基としては、例えば、単結合、－Ｏ－、－ＣＯ２－、－Ｓ－、－ＳＯ3－及び－ＳＯ2Ｎ（Ｒｄ1）－が挙げられる。ここで、Ｒｄ1は水素原子又はアルキル基を表し、結合しているアルキル基又はアリール基と環構造を形成してもよい。
　Ｒｃ１～Ｒｃ３の有機基は、１位がフッ素原子又はフロロアルキル基で置換されたアルキル基、又は、フッ素原子若しくはフロロアルキル基で置換されたフェニル基であってもよい。フッ素原子又はフロロアルキル基を含有させることにより、光照射によって発生する酸の酸性度を上昇させることが可能となる。これにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の感度を向上させることができる。なお、Ｒｃ１～Ｒｃ３は、他のアルキル基及びアリール基等と結合して、環構造を形成していてもよい。
　また、好ましいＸ-として、下記一般式（ＳＡ１）又は（ＳＡ２）により表されるスルホン酸アニオンが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000069
　式（ＳＡ１）中、
　Ａｒ１は、アリール基を表し、－（Ｄ－Ｂ）基以外の置換基を更に有していてもよい。
　ｎは、１以上の整数を表す。ｎは、好ましくは１～４であり、より好ましくは２～３であり、最も好ましくは３である。
　Ｄは、単結合又は２価の連結基を表す。この２価の連結基は、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、スルホキシド基、スルホン基、スルホン酸エステル基又はエステル基である。
　Ｂは、炭化水素基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000070
　式（ＳＡ２）中、
　Ｘｆは、各々独立に、フッ素原子、又は少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
　Ｒ１、Ｒ２は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、又は少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、複数存在する場合のＲ１及びＲ２の各々は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
　Ｌは、単結合又は２価の連結基を表し、複数存在する場合のＬは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
　Ｅは、環状構造を有する基を表す。
　ｘは１～２０の整数を表し、ｙは０～１０の整数を表し、ｚは０～１０の整数を表す。
　まず、式（ＳＡ１）により表されるスルホン酸アニオンについて、詳しく説明する。
　式（ＳＡ１）中、Ａｒ１は、好ましくは、炭素数６～３０の芳香族環である。具体的には、Ａｒ１は、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インデセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセタフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環又はフェナジン環である。中でも、ラフネス改良と高感度化との両立の観点から、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。
　Ａｒ１が－（Ｄ－Ｂ）基以外の置換基を更に有している場合、この置換基としては、例えば、以下のものが挙げられる。即ち、この置換基として、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基及びｔｅｒｔ－ブトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基及びｐ－トリルオキシ基等のアリールオキシ基；メチルチオキシ基、エチルチオキシ基及びｔｅｒｔ－ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基；フェニルチオキシ基及びｐ－トリルチオキシ基等のアリールチオキシ基；メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びフェノキシカルボニル基等のアルコキシ又はアリーロキシカルボニル基；アセトキシ基；メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基及び２―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基又は分岐アルキル基；ビニル基、プロペニル基及びヘキセニル基等のアルケニル基；アセチレン基、プロピニル基及びヘキシニル基等のアルキニル基；フェニル基及びトリル基等のアリール基；ヒドロキシ基；カルボキシ基；並びにスルホン酸基が挙げられる。中でも、ラフネス改良の観点から、直鎖アルキル基及び分岐アルキル基が好ましい。
　式（ＳＡ１）中、Ｄは、好ましくは、単結合であるか、又は、エーテル基若しくはエステル基である。より好ましくは、Ｄは、単結合である。
　式（ＳＡ１）中、Ｂは、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はシクロアルキル基である。Ｂは、好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基である。Ｂとしてのアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。
　Ｂとしてのアルキル基は、好ましくは、分岐アルキル基である。この分岐アルキル基としては、例えば、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、イソヘキシル基、３，３－ジメチルペンチル基及び２－エチルヘキシル基が挙げられる。
　Ｂとしてのシクロアルキル基は、単環のシクロアルキル基であってもよく、多環のシクロアルキル基であってもよい。単環のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基が挙げられる。多環のシクロアルキル基としては、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基、カンフェニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、カンホロイル基、ジシクロヘキシル基及びピネニル基が挙げられる。
　Ｂとしてのアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はシクロアルキル基が置換基を有している場合、この置換基としては、例えば、以下のものが挙げられる。即ち、この置換基として、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基及びｔｅｒｔ－ブトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基及びｐ－トリルオキシ基等のアリールオキシ基；メチルチオキシ基、エチルチオキシ基及びｔｅｒｔ－ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基；フェニルチオキシ基及びｐ－トリルチオキシ基等のアリールチオキシ基；メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びフェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；アセトキシ基；メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基及び２―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基；分岐アルキル基；シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；ビニル基、プロペニル基及びヘキセニル基等のアルケニル基；アセチレン基；プロピニル基及びヘキシニル基等のアルキニル基；フェニル基及びトリル基等のアリール基；ヒドロキシ基；カルボキシ基；スルホン酸基；並びにカルボニル基等が挙げられる。中でも、ラフネス改良と高感度化との両立の観点から、直鎖アルキル基及び分岐アルキル基が好ましい。
　次に、式（ＳＡ２）により表されるスルホン酸アニオンについて、詳しく説明する。
　式（ＳＡ２）中、Ｘｆは、フッ素原子であるか、又は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基である。このアルキル基としては、炭素数が１～１０のものが好ましく、炭素数が１～４のものがより好ましい。また、フッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。
　Ｘｆは、好ましくは、フッ素原子又は炭素数１～４のパーフルオロアルキル基である。具体的には、Ｘｆは、好ましくは、フッ素原子、ＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、Ｃ３Ｆ７、Ｃ４Ｆ９、Ｃ５Ｆ１１、Ｃ６Ｆ１３、Ｃ７Ｆ１５、Ｃ８Ｆ１７、ＣＨ２ＣＦ３、ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３、ＣＨ２Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２Ｃ３Ｆ７、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ３Ｆ７、ＣＨ２Ｃ４Ｆ９又はＣＨ２ＣＨ２Ｃ４Ｆ９である。中でも、フッ素原子又はＣＦ３が好ましく、フッ素原子が最も好ましい。
　式（ＳＡ２）中、Ｒ１及びＲ２の各々は、水素原子、フッ素原子、アルキル基、及び、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基から選ばれる基である。このフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数１～４のものが好ましい。また、フッ素原子で置換されたアルキル基としては、炭素数１～４のパーフルオロアルキル基が特に好ましい。具体的には、ＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、Ｃ３Ｆ７、Ｃ４Ｆ９、Ｃ５Ｆ１１、Ｃ６Ｆ１３、Ｃ７Ｆ１５、Ｃ８Ｆ１７、ＣＨ２ＣＦ３、ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３、ＣＨ２Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２Ｃ３Ｆ７、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ３Ｆ７、ＣＨ２Ｃ４Ｆ９又はＣＨ２ＣＨ２Ｃ４Ｆ９が挙げられ、中でもＣＦ３が好ましい。
　式（ＳＡ２）中、ｘは１～８が好ましく、１～４がより好ましい。ｙは０～４が好ましく、０がより好ましい。ｚは０～８が好ましく、０～４がより好ましい。
　式（ＳＡ２）中、Ｌは、単結合又は２価の連結基を表す。２価の連結基としては、例えば、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯ－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－、アルキレン基、シクロアルキレン基及びアルケニレン基が挙げられる。中でも、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯ－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ－又は－ＳＯ２－が好ましく、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－又は－ＳＯ２－がより好ましい。
　式（ＳＡ２）中、Ｅは、環構造を有する基を表す。Ｅとしては、例えば、環状脂肪族基、アリール基及び複素環構造を有する基が挙げられる。
　Ｅとしての環状脂肪族基は、単環構造を有していてもよく、多環構造を有していてもよい。単環構造を有した環状脂肪族基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロオクチル基等の単環のシクロアルキル基が好ましい。多環構造を有した環状脂肪族基としては、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。特には、Ｅとして６員環以上のかさ高い構造を有する環状脂肪族基を採用した場合、ＰＥＢ（露光後加熱）工程での膜中拡散性が抑制され、解像力及びＥＬ（露光ラチチュード）を更に向上させることが可能となる。
　Ｅとしてのアリール基は、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環又はアントラセン環である。
　Ｅとしての複素環構造を有する基は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。この基に含まれているヘテロ原子としては、窒素原子又は酸素原子が好ましい。複素環構造の具体例としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環及びモルホリン環等が挙げられる。中でも、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環及びモルホリン環が好ましい。
　Ｅは、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基（直鎖、分岐、環状の何れであってもよく、炭素数１～１２が好ましい）、アリール基（炭素数６～１４が好ましい）、ヒドロキシ基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基及びスルホン酸エステル基が挙げられる。
　一般式（ＳＡ１）又は（ＳＡ２）により表されるスルホン酸アニオンとしては、例えば、以下のものが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000071
　光酸発生剤としては、一般式（ＺＩ）により表される構造を複数有する化合物を使用してもよい。例えば、一般式（ＺＩ）により表される化合物のＲ201～Ｒ203の少なくとも１つが、一般式（ＺＩ）により表されるもう１つの化合物のＲ201～Ｒ203の少なくとも１つと結合した構造を有する化合物であってもよい。
　更に好ましい（ＺＩ）成分として、以下に説明する化合物（ＺＩ－１）～（ＺＩ－４）を挙げることができる。
　化合物（ＺＩ－１）は、上記一般式（ＺＩ）のＲ201～Ｒ203の少なくとも１つがアリール基である。即ち、化合物（ＺＩ－１）は、アリールスルホニム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。
　化合物（ＺＩ－１）は、Ｒ201～Ｒ203の全てがアリール基であってもよく、Ｒ201～Ｒ203の一部がアリール基であり、それら以外がアルキル基であってもよい。なお、化合物（ＺＩ－１）が複数のアリール基を有する場合、これらアリール基は互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
　化合物（ＺＩ－１）としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物及びアリールジアルキルスルホニウム化合物が挙げられる。
　化合物（ＺＩ－１）におけるアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、又は、インドール残基及びピロール残基等のヘテロアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基又はインドール残基が特に好ましい。
　化合物（ＺＩ－１）が必要に応じて有しているアルキル基としては、炭素数１～１５の直鎖、分岐又はシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。
　これらアリール基及びアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１～１５）、アリール基（好ましくは炭素数６～１４）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１～１５）、ハロゲン原子、水酸基及びフェニルチオ基が挙げられる。
　好ましい置換基としては、炭素数１～１２の直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基、及び、炭素数１～１２の直鎖、分岐鎖又は環状のアルコキシ基が挙げられる。特に好ましい置換基としては、炭素数１～６のアルキル基及び炭素数１～６のアルコキシ基が挙げられる。置換基は、３つのＲ201～Ｒ203のうちの何れか１つに置換していてもよいし、３つ全てに置換していてもよい。また、Ｒ201～Ｒ203がフェニル基の場合には、置換基はアリール基のｐ－位に置換していることが好ましい。
　また、Ｒ201、Ｒ202及びＲ203のうち１つ又は２つが、置換基を有していてもよいアリール基であり、残りの基が直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基である態様も好ましい。この構造の具体例としては、特開２００４－２１０６７０号公報の段落０１４１～０１５３に記載の構造が挙げられる。
　このとき、上記アリール基としては、具体的には、Ｒ201、Ｒ202及びＲ203としてのアリール基と同様であり、フェニル基又はナフチル基が好ましい。また、アリール基は、水酸基、アルコキシ基又はアルキル基の何れかを置換基として有することが好ましい。置換基としより好ましくは、炭素数１～１２のアルコキシ基であり、更に好ましくは、炭素数１～６のアルコキシ基である。
　上記の残りの基としての直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基は、好ましくは炭素数１～６のアルキル基である。これら基は、更に置換基を有していてもよい。また、上記の残りの基が２つ存在する場合、これら２つが互いに結合して、環構造を形成していてもよい。
　化合物（ＺＩ－１）は、例えば、以下の一般式（ＺＩ－１Ａ）により表される化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000072
　一般式（ＺＩ－１Ａ）中、
　Ｒ１３は、水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基又はアルコキシカルボニル基を表す。
　Ｒ１４は、複数存在する場合は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基又はシクロアルキルスルホニル基を表す。
　Ｒ１５は、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。２つのＲ１５は、互いに結合して、環構造を形成していてもよい。
　ｌは０～２の整数を表す。
　ｒは０～８の整数を表す。
　Ｘ－は、非求核性アニオンを表し、例えば、一般式（ＺＩ）におけるＸ－と同様のものが挙げられる。
　Ｒ１３、Ｒ１４又はＲ１５のアルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。このアルキル基としては、炭素数１～１０のものが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、２－メチルプロピル基、１－メチルプロピル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、ｎ－ノニル基及びｎ－デシル基が挙げられる。これらのうち、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基及びｔ－ブチル基が特に好ましい。
　Ｒ１３、Ｒ１４又はＲ１５のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデカニル、シクロベンテニル、シクロヘキセニル及びシクロオクタジエニル基が挙げられる。これらのうち、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロオクチル基が特に好ましい。
　Ｒ１３又はＲ１４のアルコキシ基のアルキル基部分としては、例えば、先にＲ１３、Ｒ１４又はＲ１５のアルキル基として列挙したものが挙げられる。このアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基及びｎ－ブトキシ基が特に好ましい。
　Ｒ１３のシクロアルキルオキシ基のシクロアルキル基部分としては、例えば、先にＲ１３、Ｒ１４又はＲ１５のシクロアルキル基として説明したものが挙げられる。このシクロアルキルオキシ基としては、シクロペンチルオキシ基及びシクロヘキシルオキシ基が特に好ましい。
　Ｒ１３のアルコキシカルボニル基のアルコキシ基部分としては、例えば、先にＲ１３又はＲ１４のアルコキシ基として説明したものが挙げられる。このアルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基及びｎ－ブトキシカルボニル基が特に好ましい。
　Ｒ１４のアルキルスルホニル基のアルキル基部分としては、例えば、先にＲ１３、Ｒ１４又はＲ１５のアルキル基として説明したものが挙げられる。また、Ｒ１４のシクロアルキルスルホニル基のシクロアルキル基部分としては、例えば、先にＲ１３、Ｒ１４又はＲ１５のシクロアルキル基として説明したものが挙げられる。これらアルキルスルホニル基又はシクロアルキルスルホニル基としては、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、ｎ－プロパンスルホニル基、ｎ－ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基及びシクロヘキサンスルホニル基が特に好ましい。
　ｌは、好ましくは０又は１であり、より好ましくは１である。ｒは、好ましくは０～２である。
　Ｒ１３、Ｒ１４及びＲ１５の各基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、フッ素原子等のハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アルコキシアルキル基、シクロアルキルオキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、シクロアルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、及びシクロアルキルオキシカルボニルオキシ基が挙げられる。
　アルコキシ基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、２－メチルプロポキシ基、１－メチルプロポキシ基及びｔ－ブトキシ基等の炭素数１～２０のものが挙げられる。
　シクロアルキルオキシ基としては、例えば、シクロペンチルオキシ基及びシクロヘキシルオキシ基等の炭素数３～２０のものが挙げられる。
　アルコキシアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、１－メトキシエチル基、２－メトキシエチル基、１－エトキシエチル基及び２－エトキシエチル基等の炭素数２～２１のものが挙げられる。
　シクロアルキルオキシアルキル基としては、例えば、シクロヘキシルオキシメチル基、シクロペンチルオキシメチル基及びシクロヘキシルオキシエチル基等の炭素数４～２１のものが挙げられる。
　アルコキシカルボニル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ－プロポキシカルボニル基、ｉ－プロポキシカルボニル基、ｎ－ブトキシカルボニル基、２－メチルプロポキシカルボニル基、１－メチルプロポキシカルボニル基及びｔ－ブトキシカルボニル基等の炭素数２～２１のものが挙げられる。
　シクロアルキルオキシカルボニル基としては、例えば、シクロペンチルオキシカルボニル基及びシクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素数４～２１のものが挙げられる。
　アルコキシカルボニルオキシ基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ－プロポキシカルボニルオキシ基、ｉ－プロポキシカルボニルオキシ基、ｎ－ブトキシカルボニルオキシ基及びｔ－ブトキシカルボニルオキシ基等の炭素数２～２１のものが挙げられる。
　シクロアルキルオキシカルボニルオキシ基としては、例えば、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基及びシクロヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数４～２１のものが挙げられる。
　２つのＲ１５が互いに結合して形成し得る環構造としては、一般式（ＺＩ－１Ａ）中のＳ原子と共に、５員環又は６員環、特に好ましくは５員環（即ち、テトラヒドロチオフェン環）を形成する構造が好ましい。
　この環構造は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、及びアルコキシカルボニルオキシ基が挙げられる。
　Ｒ１５としては、メチル基、エチル基、及び２つのＲ１５が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する２価の基が特に好ましい。
　Ｒ１３のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基及びアルコキシカルボニル基、Ｒ１４のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、及びハロゲン原子（特にフッ素原子）が好ましい。
　以下に、一般式（ＺＩ－１Ａ）により表される化合物におけるカチオンの好ましい具体例を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000073
　次に、化合物（ＺＩ－２）について説明する。
　化合物（ＺＩ－２）は、式（ＺＩ）におけるＲ201～Ｒ203が、各々独立に、芳香環を含有しない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
　Ｒ201～Ｒ203としての芳香環を含有しない有機基は、炭素数が例えば１～３０であり、好ましくは１～２０である。
　Ｒ201～Ｒ203は、各々独立に、アルキル基、２－オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、アリル基、ビニル基であることが好ましい。更に好ましくは、直鎖、分岐若しくは環状の２－オキソアルキル基又はアルコキシカルボニルメチル基であり、特に好ましくは、直鎖又は分岐鎖の２－オキソアルキル基である。
　Ｒ201～Ｒ203としてのアルキル基は、直鎖、分岐鎖及び環状の何れであってもよく、好ましい例としては、炭素数１～１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基）及び炭素数３～１０のシクロアルキル基（シクロペンチル基、シクロヘキシル基又はノルボニル基）が挙げられる。
　Ｒ201～Ｒ203としての２－オキソアルキル基は、直鎖、分岐鎖及び環状の何れであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の２位に＞Ｃ＝Ｏを有する基が挙げられる。
　Ｒ201～Ｒ203としてのアルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基の好ましい例としては、炭素数１～５のアルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基）が挙げられる。
　Ｒ201～Ｒ203は、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えば炭素数１～５）、水酸基、シアノ基及び／又はニトロ基によって更に置換されていてもよい。
　Ｒ201～Ｒ203のうちの２つが互いに結合して、環構造を形成していてもよい。この環構造は、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合及び／又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ201～Ｒ203の内の２つが結合して形成する基としては、例えば、アルキレン基（例えば、ブチレン基又はペンチレン基）が挙げられる。
　次いで、化合物（ＺＩ－３）について説明する。
　化合物（ＺＩ－３）とは、以下の一般式（ＺＩ－３）により表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000074
　式中、Ｒ1c～Ｒ5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。アルキル基及びアルコキシ基の炭素数は、１～６が好ましい。
　Ｒ6c及びＲ7cは、水素原子又はアルキル基を表す。アルキル基の炭素数は、１～６が好ましい。
　Ｒｘ及びＲｙは、各々独立に、アルキル基、２－オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、アリル基又はビニル基を表す。これら原子団の炭素数は、１～６が好ましい。
　Ｒ1c～Ｒ7cの何れか２つ以上が互いに結合して、環構造を形成していてもよい。また、ＲxとＲyとが結合して、環構造を形成していてもよい。これらの環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合及び／又はアミド結合を含んでいてもよい。
　一般式（ＺＩ－３）におけるＸ－は、一般式（ＺＩ）におけるＸ－と同義である。
　化合物（ＺＩ－３）の具体例としては、特開２００４－２３３６６１号公報の段落００４７及び００４８、又は、特開２００３－３５９４８号公報の段落００４０～００４６に例示されている化合物に記載されている化合物が挙げられる。
　続いて、化合物（ＺＩ－４）について説明する。
　化合物（ＺＩ－４）は、以下の一般式（ＺＩ－４）により表されるカチオンを有した化合物である。この化合物（ＺＩ－４）は、アウトガスの抑制に有効である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000075
　一般式（ＺＩ－４）中、
　Ｒ1～Ｒ13は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｒ1～Ｒ13のうち少なくとも１つは、アルコール性水酸基を含む置換基であることが好ましい。なお、ここで「アルコール性水酸基」とは、アルキル基の炭素原子に結合した水酸基を意味している。
　Ｚは、単結合又は２価の連結基である。
　Ｒ1～Ｒ13がアルコール性水酸基を含む置換基である場合、Ｒ1～Ｒ13は－（Ｗ－Ｙ）により表される基であることが好ましい。ここで、Ｙは水酸基で置換されたアルキル基であり、Ｗは単結合又は２価の連結基である。
　Ｙにより表されるアルキル基の好ましい例としては、エチル基、プロピル基及びイソプロピル基が挙げられる。Ｙは、特に好ましくは、－ＣＨ2ＣＨ2ＯＨにより表される構造を含んでいる。
　Ｗにより表される２価の連結基としては、特に制限は無いが、好ましくは単結合、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基又はカルバモイル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた２価の基であり、更に好ましくは、単結合、アシルオキシ基、アルキルスルホニル基、アシル基又はアルコキシカルボニル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた２価の基である。
　Ｒ1～Ｒ13がアルコール性水酸基を含む置換基である場合、含まれる炭素数は、好ましくは２～１０であり、更に好ましくは２～６であり、特に好ましくは２～４である。
　Ｒ1～Ｒ13としてのアルコール性水酸基を含む置換基は、アルコール性水酸基を２つ以上有していてもよい。Ｒ1～Ｒ13としてのアルコール性水酸基を含む置換基の有するアルコール性水酸基の数は、１～６であり、好ましくは１～３であり、更に好ましくは１である。
　一般式（ＺＩ－４）により表される化合物の有するアルコール性水酸基の数は、Ｒ1～Ｒ13すべて合わせて１～１０であり、好ましくは１～６であり、更に好ましくは１～３である。
　Ｒ1～Ｒ13がアルコール性水酸基を含有しない場合、Ｒ1～Ｒ13としての置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及び複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基〔－Ｂ(ＯＨ)2〕、
ホスファト基〔－ＯＰＯ（ＯＨ）2〕、スルファト基（－ＯＳＯ3Ｈ）、並びに、他の公知の置換基が挙げられる。
　Ｒ1～Ｒ13がアルコール性水酸基を含有しない場合、Ｒ1～Ｒ13は、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、シアノ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、イミド基、シリル基又はウレイド基である。
　Ｒ1～Ｒ13がアルコール性水酸基を含有しない場合、Ｒ1～Ｒ13は、更に好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、シアノ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アルコキシカルボニル基又はカルバモイル基である。
　Ｒ1～Ｒ13がアルコール性水酸基を含有しない場合、Ｒ1～Ｒ13は、特に好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子又はアルコキシ基である。
　Ｒ1～Ｒ13のうちの隣接する２つが互いに結合して、環構造を形成してもよい。この環構造には、芳香族及び非芳香族の炭化水素環並びに複素環が含まれる。これら環構造は、更に組み合わされて、縮合環を形成していてもよい。
　化合物（ＺＩ－４）は、好ましくは、Ｒ1～Ｒ13のうち少なくとも１つがアルコール性水酸基を含んだ構造を有しており、更に好ましくは、Ｒ9～Ｒ13のうち少なくとも１つがアルコール性水酸基を含んだ構造を有している。
　Ｚは、上述したように、単結合又は２価の連結基を表している。この２価の連結基としては、例えば、アルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、カルボニルオキシ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミド基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、ジスルフィド基、アシル基、アルキルスルホニル基、－ＣＨ＝ＣＨ－、アミノカルボニルアミノ基及びアミノスルホニルアミノ基が挙げられる。
　この２価の連結基は、置換基を有していてもよい。これらの置換基としては、例えば、先にＲ1～Ｒ13について列挙したのと同様のものが挙げられる。
　Ｚは、好ましくは、単結合、アルキレン基、アリーレン基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、－ＣＨ＝ＣＨ－、アミノカルボニルアミノ基及びアミノスルホニルアミノ基等の電子求引性を持たない結合又は基であり、更に好ましくは、単結合、エーテル基又はチオエーテル基であり、特に好ましくは、単結合である。
　以下、一般式（ＺＩＩ）及び（ＺＩＩＩ）について説明する。
　一般式（ＺＩＩ）及び（ＺＩＩＩ）中、Ｒ204～Ｒ207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。これらアリール基、アルキル基及びシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。
　Ｒ204～Ｒ207としてのアリール基の好ましい例としては、先に化合物（ＺＩ－１）におけるＲ201～Ｒ203について列挙したのと同様の基が挙げられる。
　Ｒ204～Ｒ207としてのアルキル基及びシクロアルキル基の好ましい例としては、先に化合物（ＺＩ－２）におけるＲ201～Ｒ203について列挙した直鎖、分岐又はシクロアルキル基が挙げられる。
　なお、一般式（ＺＩＩ）及び（ＺＩＩＩ）におけるＸ－は、一般式（ＺＩ）におけるＸ－と同義である。
　光酸発生剤の他の好ましい例として、下記一般式（ＺＩＶ）、（ＺＶ）又は（ＺＶＩ）により表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000076
　一般式（ＺＩＶ）～（ＺＶＩ）中、
　Ａｒ3及びＡｒ4は、各々独立に、置換又は無置換のアリール基を表す。
　Ｒ208は、一般式（ＺＶ）と（ＺＶＩ）とで各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表している。これらアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換されていてもよく、置換されていなくてもよい。
　これら基は、フッ素原子により置換されていることが好ましい。こうすると、光酸発生剤が発生する酸の強度を高めることが可能となる。
　Ｒ209及びＲ210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は電子求引性基を表す。これらアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及び電子求引性基は、置換されていてもよく、置換されていなくてもよい。
　好ましいＲ209としては、置換又は無置換のアリール基が挙げられる。
　好ましいＲ210としては、電子求引性基が挙げられる。この電子求引性基としては、好ましくは、シアノ基及びフロロアルキル基が挙げられる。
　Ａは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。これらアルキレン基、アルケニレン基及びアリーレン基は、置換基を有していてもよい。
　なお、光酸発生剤として、一般式（ＺＶＩ）により表される構造を複数有する化合物も好ましい。このような化合物としては、例えば、一般式（ＺＶＩ）により表される化合物のＲ２０９又はＲ２１０と、一般式（ＺＶＩ）により表されるもう一つの化合物のＲ２０９又はＲ２１０とが互いに結合した構造を有する化合物が挙げられる。
　光酸発生剤としては、一般式（ＺＩ）～（ＺＩＩＩ）により表される化合物がより好ましく、一般式（ＺＩ）により表される化合物が更に好ましく、化合物（ＺＩ－１）～（ＺＩ－３）が特に好ましい。
　本発明に用いられる酸発生剤として、酸の作用により分解しアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基を有する化合物も用いることができる。そのような酸発生剤の例としては、例えば、特開２００５－９７２５４号公報、特開２００７－１９９６９２号公報などに記載の化合物が挙げられる。
　光酸発生剤の具体例としては、特開２０１３－８３９６６号公報の段落［０６６５］～［０６８２］に記載されたＢ－１～Ｂ－１８３の化合物、及び、同段落［０６８３］～［０６８６］に記載された（Ｙ－１）～（Ｙ－７５）の化合物が好適に挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　なお、光酸発生剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。後者の場合、水素原子を除く全原子数が２以上異なる２種の有機酸を発生する化合物を組み合わせることが好ましい。
　また、光酸発生剤の含量は、本発明の組成物の全固形分を基準として、好ましくは０．１～５０質量％であり、より好ましくは０．５～４０質量％であり、更に好ましくは１～３０質量％である。
 〔酸の作用により分解して酸を発生する化合物〕
　本発明の感活性光線性又は感放射線性組成物は、更に、酸の作用により分解して酸を発生する化合物（以下、「酸増殖剤」とも表記する）を１種又は２種以上含んでいてもよい。酸増殖剤が発生する酸は、スルホン酸、メチド酸又はイミド酸であることが好ましい。酸増殖剤の含有率としては、組成物の全固形分を基準として、０．１～５０質量％が好ましく、０．５～３０質量％がより好ましく、１．０～２０質量％が更に好ましい。
　酸増殖剤と酸発生剤との量比（組成物中の全固形分を基準にした酸増殖剤の固形分量／組成物中の全固形分を基準にした酸発生剤の固形分量）としては、特に制限されないが、０．０１～５０が好ましく、０．１～２０がより好ましく、０．２～１．０が特に好ましい。
　本発明に使用できる酸増殖剤としては、例えば、特開２０１３－８３９６６号公報の段落［０６９０］に記載された化合物が挙げられる。
 〔塩基性化合物〕
　本発明の組成物は、塩基性化合物を更に含んでいてもよい。塩基性化合物は、好ましくは、フェノールと比較して塩基性がより強い化合物である。また、この塩基性化合物は、有機塩基性化合物であることが好ましく、含窒素塩基性化合物であることが更に好ましい。
　使用可能な含窒素塩基性化合物は特に限定されないが、例えば、特開２０１３－８３９６６号公報の段落［０６９３］～［０７０３］に記載された「（１）一般式（ＢＳ－１）により表される化合物」、同段落［０７０４］～［０７０５］に記載された「（２）含窒素複素環構造を有する化合物」、同段落［０７０６］～［０７０９］に記載された「（３）フェノキシ基を有するアミン化合物」同段落［０７１０］～［０７１７］に記載された「（４）アンモニウム塩」同段落［０７１８］～［０７５５］に記載された「（５）プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物（ＰＡ）」同段落［０７５６］～［０７６８］に記載された「（６）グアニジン化合物」同段落［０７６９］～［０７９１］に記載された「（７）窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物」を好ましく用いることができる。
　その他、本発明の組成物に使用可能な塩基性化合物として、特開２００２－３６３１４６号公報の実施例で合成されている化合物、及び特開２００７－２９８５６９号公報の段落０１０８に記載の化合物等が挙げられる。
　また、塩基性化合物として、感光性の塩基性化合物を用いてもよい。感光性の塩基性化合物としては、例えば、特表２００３－５２４７９９号公報、及び、Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ＆Ｔｅｃｈ．Ｖｏｌ．８，Ｐ．５４３－５５３（１９９５）等に記載の化合物を用いることができる。
　これらの塩基性化合物は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
　なお、塩基性化合物の分子量は、通常は１００～１５００であり、好ましくは１５０～１３００であり、より好ましくは２００～１０００である。
　本発明の組成物が塩基性化合物を含んでいる場合、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、０．０１～８．０質量％が好ましく、０．１～５．０質量％がより好ましく、０．２～４．０質量％が特に好ましい。
　塩基性化合物の光酸発生剤に対するモル比は、好ましくは０．０１～１０、より好ましくは０．０５～５、更に好ましくは０．１～３とする。なお、上記モル比における光酸発生剤とは、樹脂（Ａｂ）中の繰り返し単位（Ｂ）と光酸発生剤との合計量である。
 〔界面活性剤〕
　本発明の組成物は、界面活性剤を更に含んでいてもよい。この界面活性剤としては、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤が特に好ましい。
　フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤としては、例えば、大日本インキ化学工業（株）製のメガファックＦ１７６及びメガファックＲ０８、ＯＭＮＯＶＡ社製のＰＦ６５６及びＰＦ６３２０、トロイケミカル（株）製のトロイゾルＳ－３６６、住友スリーエム（株）製のフロラードＦＣ４３０、並びに、信越化学工業（株）製のポリシロキサンポリマーＫＰ－３４１が挙げられる。
　フッ素系及び／又はシリコン系以外の界面活性剤を使用してもよい。この界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類及びポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類等のノニオン系界面活性剤が挙げられる。
　その他、公知の界面活性剤を適宜使用することができる。使用可能な界面活性剤としては、例えば、米国特許２００８／０２４８４２５Ａ１号明細書の［０２７３］以降に記載の界面活性剤が挙げられる。
　界面活性剤は、１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
　本発明の組成物が界面活性剤を更に含んでいる場合、その使用量は、組成物の全固形分を基準として、好ましくは０．０００１～２質量％とし、より好ましくは０．００１～１質量％とする。
 〔疎水性樹脂〕
　本発明の組成物は、疎水性樹脂を含有してもよい。
　疎水性樹脂はレジスト膜の表面に偏在するように設計されることが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性／非極性物質を均一に混合することに寄与しなくてもよい。
　疎水性樹脂を添加することの効果として、水に対するレジスト膜表面の静的／動的な接触角の制御、アウトガスの抑制などを挙げることができる。
　疎水性樹脂は、膜表層への偏在化の観点から、“フッ素原子”、“珪素原子”、及び、“樹脂の側鎖部分に含有されたＣＨ３部分構造”のいずれか１種以上を有することが好ましく、２種以上を有することがさらに好ましい。
　疎水性樹脂が、フッ素原子及び／又は珪素原子を含む場合、疎水性樹脂に於ける上記フッ素原子及び／又は珪素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。
　疎水性樹脂がフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。
　フッ素原子を有するアルキル基（好ましくは炭素数１～１０、より好ましくは炭素数１～４）は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
　フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
　フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
　フッ素原子又は珪素原子を有する繰り返し単位の例としては、ＵＳ２０１２／０２５１９４８Ａ１の段落０５１９に例示されたものを挙げることが出来る。
　また、上記したように、疎水性樹脂は、側鎖部分にＣＨ３部分構造を含むことも好ましい。
　ここで、疎水性樹脂中の側鎖部分が有するＣＨ３部分構造（以下、単に「側鎖ＣＨ３部分構造」ともいう）には、エチル基、プロピル基等が有するＣＨ３部分構造を包含するものである。
　一方、疎水性樹脂の主鎖に直接結合しているメチル基（例えば、メタクリル酸構造を有する繰り返し単位のα－メチル基）は、主鎖の影響により疎水性樹脂の表面偏在化への寄与が小さいため、本発明におけるＣＨ３部分構造に包含されないものとする。
　より具体的には、疎水性樹脂が、例えば、下記一般式（Ｍ）で表される繰り返し単位などの、炭素－炭素二重結合を有する重合性部位を有するモノマーに由来する繰り返し単位を含む場合であって、Ｒ１１～Ｒ１４がＣＨ３「そのもの」である場合、そのＣＨ３は、本発明における側鎖部分が有するＣＨ３部分構造には包含されない。
　一方、Ｃ－Ｃ主鎖から何らかの原子を介して存在するＣＨ３部分構造は、本発明におけるＣＨ３部分構造に該当するものとする。例えば、Ｒ１１がエチル基（ＣＨ２ＣＨ３）である場合、本発明におけるＣＨ３部分構造を「１つ」有するものとする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000077
　上記一般式（Ｍ）中、
　Ｒ１１～Ｒ１４は、各々独立に、側鎖部分を表す。
　側鎖部分のＲ１１～Ｒ１４としては、水素原子、１価の有機基などが挙げられる。
　Ｒ１１～Ｒ１４についての１価の有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルオキシカルボニル基、シクロアルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、シクロアルキルアミノカルボニル基、アリールアミノカルボニル基などが挙げられ、これらの基は、更に置換基を有していてもよい。
　疎水性樹脂は、側鎖部分にＣＨ３部分構造を有する繰り返し単位を有する樹脂であることが好ましく、このような繰り返し単位として、下記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位、及び、下記一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位のうち少なくとも一種の繰り返し単位（ｘ）を有していることがより好ましい。
　以下、一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位について詳細に説明する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000078
　上記一般式（ＩＩ）中、Ｘｂ１は水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表し、Ｒ２は１つ以上のＣＨ３部分構造を有する、酸に対して安定な有機基を表す。ここで、酸に対して安定な有機基は、より具体的には、樹脂（Ａ）において説明した“酸分解性基”を有さない有機基であることが好ましい。
　Ｘｂ１のアルキル基は、炭素数１～４のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基又はトリフルオロメチル基等が挙げられるが、メチル基であることが好ましい。
　Ｘｂ１は、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
　Ｒ２としては、１つ以上のＣＨ３部分構造を有する、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基、及び、アラルキル基が挙げられる。上記のシクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基、及び、アラルキル基は、更に、置換基としてアルキル基を有していてもよい。
　Ｒ２は、１つ以上のＣＨ３部分構造を有する、アルキル基又はアルキル置換シクロアルキル基が好ましい。
　Ｒ２としての１つ以上のＣＨ３部分構造を有する酸に安定な有機基は、ＣＨ３部分構造を２個以上１０個以下有することが好ましく、２個以上８個以下有することがより好ましい。
　一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位の好ましい具体例を以下に挙げる。なお、本発明はこれに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000079
　一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位は、酸に安定な（非酸分解性の）繰り返し単位であることが好ましく、具体的には、酸の作用により分解して、極性基を生じる基を有さない繰り返し単位であることが好ましい。
　以下、一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位について詳細に説明する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000080
　上記一般式（ＩＩＩ）中、Ｘｂ２は水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表し、Ｒ３は１つ以上のＣＨ３部分構造を有する、酸に対して安定な有機基を表し、ｎは１から５の整数を表す。
　Ｘｂ２のアルキル基は、炭素数１～４のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基又はトリフルオロメチル基等が挙げられるが、水素原子である事が好ましい。
　Ｘｂ２は、水素原子であることが好ましい。
　Ｒ３は、酸に対して安定な有機基であるため、より具体的には、上記樹脂（Ａ）において説明した“酸分解性基”を有さない有機基であることが好ましい。
　Ｒ３としては、１つ以上のＣＨ３部分構造を有する、アルキル基が挙げられる。
　Ｒ３としての１つ以上のＣＨ３部分構造を有する酸に安定な有機基は、ＣＨ３部分構造を１個以上１０個以下有することが好ましく、１個以上８個以下有することがより好ましく、１個以上４個以下有することが更に好ましい。
　ｎは１から５の整数を表し、１～３の整数を表すことがより好ましく、１又は２を表すことが更に好ましい。
　一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位の好ましい具体例を以下に挙げる。なお、本発明はこれに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000081
　一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位は、酸に安定な（非酸分解性の）繰り返し単位であることが好ましく、具体的には、酸の作用により分解して、極性基を生じる基を有さない繰り返し単位であることが好ましい。
　疎水性樹脂が、側鎖部分にＣＨ３部分構造を含む場合であり、更に、特にフッ素原子及び珪素原子を有さない場合、一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位、及び、一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位のうち少なくとも一種の繰り返し単位（ｘ）の含有量は、疎水性樹脂の全繰り返し単位に対して、９０モル％以上であることが好ましく、９５モル％以上であることがより好ましい。含有量は、疎水性樹脂の全繰り返し単位に対して、通常、１００モル％以下である。
　疎水性樹脂が、一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位、及び、一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位のうち少なくとも一種の繰り返し単位（ｘ）を、疎水性樹脂の全繰り返し単位に対し、９０モル％以上で含有することにより、疎水性樹脂の表面自由エネルギーが増加する。その結果として、疎水性樹脂がレジスト膜の表面に偏在しやすくなる。
　また、疎水性樹脂は、（ｉ）フッ素原子及び／又は珪素原子を含む場合においても、（ｉｉ）側鎖部分にＣＨ３部分構造を含む場合においても、下記（ｘ）～（ｚ）の群から選ばれる基を少なくとも１つを有していてもよい。
　（ｘ）酸基、
　（ｙ）ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基、
　（ｚ）酸の作用により分解する基
　酸基（ｘ）としては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、トリス（アルキルスルホニル）メチレン基等が挙げられる。
　好ましい酸基としては、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール）、スルホンイミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基が挙げられる。
　酸基（ｘ）を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に、直接、酸基が結合している繰り返し単位、或いは、連結基を介して樹脂の主鎖に酸基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、更には酸基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。酸基（ｘ）を有する繰り返し単位が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有していてもよい。
　酸基（ｘ）を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、１～５０モル％が好ましく、より好ましくは３～３５モル％、更に好ましくは５～２０モル％である。
　酸基（ｘ）を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。式中、Ｒｘは水素原子、ＣＨ３、ＣＦ３、又は、ＣＨ２ＯＨを表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000082
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000083
　ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基（ｙ）としては、ラクトン構造を有する基が特に好ましい。
　これらの基を含んだ繰り返し単位は、例えば、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルによる繰り返し単位等の、樹脂の主鎖に直接この基が結合している繰り返し単位である。或いは、この繰り返し単位は、この基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合している繰り返し単位であってもよい。或いは、この繰り返し単位は、この基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。
　ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、例えば、先に樹脂（Ａ）の項で説明したラクトン構造を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。
　ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、１～１００モル％であることが好ましく、３～９８モル％であることがより好ましく、５～９５モル％であることが更に好ましい。
　疎水性樹脂に於ける、酸の作用により分解する基（ｚ）を有する繰り返し単位は、樹脂（Ａ）で挙げた酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。酸の作用により分解する基（ｚ）を有する繰り返し単位が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有していてもよい。疎水性樹脂に於ける、酸の作用により分解する基（ｚ）を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、１～８０モル％が好ましく、より好ましくは１０～８０モル％、更に好ましくは２０～６０モル％である。
　疎水性樹脂がフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有量は、疎水性樹脂の重量平均分子量に対し、５～８０質量％であることが好ましく、１０～８０質量％であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂に含まれる全繰り返し単位中１０～１００モル％であることが好ましく、３０～１００モル％であることがより好ましい。
　疎水性樹脂が珪素原子を有する場合、珪素原子の含有量は、疎水性樹脂の重量平均分子量に対し、２～５０質量％であることが好ましく、２～３０質量％であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂に含まれる全繰り返し単位中、１０～１００モル％であることが好ましく、２０～１００モル％であることがより好ましい。
　一方、特に疎水性樹脂が側鎖部分にＣＨ３部分構造を含む場合においては、疎水性樹脂が、フッ素原子及び珪素原子を実質的に含有しない形態も好ましく、この場合、具体的には、フッ素原子又は珪素原子を有する繰り返し単位の含有量が、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対して５モル％以下であることが好ましく、３モル％以下であることがより好ましく、１モル％以下であることが更に好ましく、理想的には０モル％、すなわち、フッ素原子及び珪素原子を含有しない。また、疎水性樹脂は、炭素原子、酸素原子、水素原子、窒素原子及び硫黄原子から選ばれる原子のみによって構成された繰り返し単位のみで実質的に構成されることが好ましい。より具体的には、炭素原子、酸素原子、水素原子、窒素原子及び硫黄原子から選ばれる原子のみによって構成された繰り返し単位が、疎水性樹脂の全繰り返し単位中９５モル％以上であることが好ましく、９７モル％以上であることがより好ましく、９９モル％以上であることが更に好ましく、理想的には１００モル％である。
　疎水性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１，０００～１００，０００で、より好ましくは１，０００～５０，０００、更に好ましくは２，０００～１５，０００である。
　また、疎水性樹脂は、１種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
　疎水性樹脂の組成物中の含有量は、本発明の組成物中の全固形分に対し、０．０１～１０質量％が好ましく、０．０５～８質量％がより好ましく、０．１～７質量％が更に好ましい。
　疎水性樹脂は、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体及びオリゴマー成分が０．０１～５質量％であることが好ましく、より好ましくは０．０１～３質量％、０．０５～１質量％が更により好ましい。それにより、液中異物及び感度等の経時変化のない組成物が得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ、分散度ともいう）は、１～５の範囲が好ましく、より好ましくは１～３、更に好ましくは１～２の範囲である。
　疎水性樹脂は、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って（例えばラジカル重合）合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を１～１０時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。
　反応溶媒、重合開始剤、反応条件（温度、濃度等）、及び、反応後の精製方法は、樹脂（Ａ）で説明した内容と同様であるが、疎水性樹脂の合成においては、反応の濃度が３０～５０質量％であることが好ましい。
 〔染料〕
　本発明の組成物は、染料を更に含んでいてもよい。好適な染料としては、例えば、油性染料及び塩基性染料が挙げられる。具体的には、例えば、特開２０１３－８３９６６号公報の段落［０８０３］に記載された染料が挙げられる。
 〔光塩基発生剤〕
　本発明の組成物は、光塩基発生剤を更に含んでいてもよい。光塩基発生剤を含有させると、更に良好なパターンを形成することが可能となる。
　光塩基発生剤としては、例えば、特開平４－１５１１５６号公報、同４－１６２０４０号公報、同５－１９７１４８号公報、同５－５９９５号公報、同６－１９４８３４号公報、同８－１４６６０８号公報、同１０－８３０７９号公報、及び欧州特許第６２２６８２号明細書に記載の化合物が挙げられる。
　好ましい光塩基発生剤としては、具体的には、特開２０１３－８３９６６号公報の段落［０８０４］に記載された光塩基発生剤が挙げられる。
 〔酸化防止剤〕
　本発明の組成物は、酸化防止剤を更に含んでいてもよい。酸化防止剤を含有させると、酸素の存在下における有機材料の酸化を抑制することが可能となる。
　酸化防止剤としては、例えば、特開２０１３－８３９６６号公報の段落［０８０８］～［０８１２］に記載された酸化防止剤を好適に使用でき、同段落［０８１３］に記載された量で添加できる。
 〔溶剤〕
　本発明の組成物は、溶剤を更に含んでいてもよい。この溶剤としては、典型的には、有機溶剤を使用する。この有機溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン（好ましくは炭素数４～１０）、環を含有していてもよいモノケトン化合物（好ましくは炭素数４～１０）、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、及びピルビン酸アルキルが挙げられる。
　アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ；別名１－メトキシ－２アセトキシプロパン）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートが好ましく挙げられる。
　アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ；別名１－メトキシ－２－プロパノール）、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、及びエチレングリコールモノエチルエーテルが挙げられる。
　乳酸アルキルエステルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル及び乳酸ブチルが挙げられる。
　アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、３－エトキシプロピオン酸エチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸メチル及び３－メトキシプロピオン酸エチルが挙げられる。
　環状ラクトンとしては、例えば、β－プロピオラクトン、β－ブチロラクトン、γ－ブチロラクトン、α－メチル－γ－ブチロラクトン、β－メチル－γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトン、γ－カプロラクトン、γ－オクタノイックラクトン及び α－ヒドロキシ－γブチロラクトンが挙げられる。
　環を含有していてもよいモノケトン化合物としては、例えば、２－ブタノン、３－メチルブタノン、ピナコロン、２－ペンタノン、３－ペンタノン、３－メチル－２－ペンタノン、４－メチル－２－ペンタノン、２－メチル－３－ペンタノン、４，４－ジメチル－２－ペンタノン、２，４－ジメチル－３－ペンタノン、２，２，４，４－テトラメチル－３－ペンタノン、２－ヘキサノン、３－ヘキサノン、５－メチル－３－ヘキサノン、２－ヘプタノン、３－ヘプタノン、４－ヘプタノン、２－メチル－３－ヘプタノン、５－メチル－３－ヘプタノン、２，６－ジメチル－４－ヘプタノン、２－オクタノン、３－オクタノン、２－ノナノン、３－ノナノン、５－ノナノン、２－デカノン、３－デカノン、４－デカノン、５－ヘキセン－２－オン、３－ペンテン－２－オン、シクロペンタノン、２－メチルシクロペンタノン、３－メチルシクロペンタノン、２，２－ジメチルシクロペンタノン、２，４，４－トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、３－メチルシクロヘキサノン、４－メチルシクロヘキサノン、４－エチルシクロヘキサノン、２，２－ジメチルシクロヘキサノン、２，６－ジメチルシクロヘキサノン、２，２，６－トリメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、２－メチルシクロヘプタノン及び３－メチルシクロヘプタノンが挙げられる。
　アルキレンカーボネートとしては、例えば、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、エチレンカーボネート及びブチレンカーボネートが挙げられる。
　アルコキシ酢酸アルキルとしては、例えば、酢酸－２－メトキシエチル、酢酸－２－エトキシエチル、酢酸－２－（２－エトキシエトキシ）エチル、酢酸－３－メトキシ－３メチルブチル、及び酢酸－１－メトキシ－２－プロピルが挙げられる。
　ピルビン酸アルキルとしては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル及びピルビン酸プロピルが挙げられる。
　溶剤としては、常温常圧下における沸点が１３０℃以上であるものを用いることが好ましい。具体的には、例えば、シクロペンタノン、 γ－ブチロラクトン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ＰＧＭＥＡ、３エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸－２－エトキシエチル、酢酸－２－（２－エトキシエトキシ）エチル及びプロピレンカーボネートが挙げられる。
　これら溶剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を混合して用いてもよい。後者の場合、水酸基を含んだ溶剤と水酸基を含んでいない溶剤との混合溶剤を使用することが好ましい。
　水酸基を含んだ溶剤としては、例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、ＰＧＭＥ、プロピレングリコールモノエチルエーテル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル及び乳酸エチル等が挙げられる。これらのうち、ＰＧＭＥ、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル及び乳酸エチルが特に好ましい。
　水酸基を含んでいない溶剤としては、例えば、ＰＧＭＥＡ、エチルエトキシプロピオネート、２－ヘプタノン、 γ－ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ、これらの内で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、２－ヘプタノン、 γ－ブチロラクトン、シクロヘキサノン及び酢酸ブチルが挙げられる。これらのうち、ＰＧＭＥＡ、エチルエトキシプロピオネート及び２－ヘプタノンが特に好ましい。
　水酸基を含んだ溶剤と水酸基を含んでいない溶剤との混合溶剤を使用する場合、これらの質量比は、好ましくは１／９９～９９／１とし、より好ましくは１０／９０～９０／１０とし、更に好ましくは２０／８０～６０／４０とする。
　なお、水酸基を含んでいない溶剤を５０質量％以上含んだ混合溶剤を用いると、特に優れた塗布均一性を達成し得る。また、溶剤は、ＰＧＭＥＡと他の１種以上の溶剤との混合溶剤であることが特に好ましい。
　本発明の組成物中における溶剤の含有率は、所望の膜厚等に応じて適宜調整可能であるが、一般的には組成物の全固形分濃度が０．５～３０質量％、好ましくは１．０～２０質量％、より好ましくは１．５～１０質量％となるように調製される。
［感活性光線性又は感放射線性膜］
　本発明は、上述した本発明の組成物を用いて形成される感活性光線性又は感放射線性膜に関する。以下、「感活性光線性又は感放射線性膜」を「レジスト膜」とも呼ぶ。
［パターン形成方法］
　本発明のパターン形成方法は、
（ｉ）上述した本発明の組成物を用いて感活性光線性又は感放射線性膜（レジスト膜）を形成する工程と、
（ii）上記レジスト膜を露光する工程と、
（iii）上記露光されたレジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してパターンを形成する工程と、を少なくとも備えるパターン形成方法である。
　上記工程（iii）において、有機溶剤を含む現像液を用いて現像することにより、ネガ型のパターンを形成する。
　また、上記工程（ii）における露光が、液浸露光であってもよい。
　本発明のパターン形成方法は、（ii）露光工程の後に、（iv）加熱工程を有することが好ましい。
　本発明のパターン形成方法は、上記工程（iii）における現像の後に、（ｖ）アルカリ現像液を用いて現像する工程を更に有していてもよい。
　本発明において、有機溶剤現像工程によって露光強度の弱い部分が除去されるが、更にアルカリ現像工程を行うことによって露光強度の強い部分も除去される。このように現像を複数回行う多重現像プロセスにより、中間的な露光強度の領域のみを溶解させずにパターン形成が行えるので、通常より微細なパターンを形成できる（特開２００８－２９２９７５号公報の段落［００７７］と同様のメカニズム）。
　レジスト膜は、上記した本発明の組成物から形成されるものであり、より具体的には、基板上に形成されることが好ましい。本発明のパターン形成方法において、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。
　この組成物は、例えば、精密集積回路素子又はインプリント用モールドなどの製造等に使用される基板（例：シリコン／二酸化シリコン被覆、窒化シリコン及びクロム蒸着された石英基板など）上に、スピナー及びコーター等を用いて塗布される。その後、これを乾燥させて、感活性光線性又は感放射線性の膜を形成することができる。
　レジスト膜を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよい。
　反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のＤＵＶ３０シリーズ、ＤＵＶ－４０シリーズ、シプレー社製のＡＲ－２、ＡＲ－３、ＡＲ－５等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。
　レジスト膜の上層には、トップコートを設けてもよい。トップコートに必要な機能としては、レジスト膜上層部への塗布適性、現像液への溶解性である。トップコートは、レジスト膜と混合せず、さらにレジスト膜上層に均一に塗布できることが好ましい。
　トップコートについては、特に限定されず、従来公知のトップコートを、従来公知の方法によって形成でき、例えば、特開２０１４－０５９５４３号公報の段落［００７２］～［００８２］の記載に基づいてトップコートを形成できる。
　また、上述した疎水性樹脂は、トップコート形成用途にも好適に使用できる。
　後述する現像工程において、有機溶剤を含有する現像液を使用する場合は、特開２０１３－６１６４８号公報に記載された塩基性化合物を含有するトップコートをレジスト膜上に形成することが好ましい。
　製膜後、露光工程の前に、前加熱工程（ＰＢ；Ｐｒｅｂａｋｅ）を含むことも好ましい。また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱工程（ＰＥＢ；Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）を含むことも好ましい。
　加熱温度はＰＢ、ＰＥＢ共に７０～１２０℃で行うことが好ましく、８０～１１０℃で行うことがより好ましい。
　加熱時間は３０～３００秒が好ましく、３０～１８０秒がより好ましく、３０～９０秒が更に好ましい。
　加熱は通常の露光機及び現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
　ベークにより露光部の反応が促進され、感度及びパターンプロファイルが改善する。
　またリンス工程の後に加熱工程（Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）を含むことも好ましい。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。
　活性光線又は放射線としては、例えば、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、Ｘ線、及び電子線が挙げられる。これら活性光線又は放射線としては、例えば２５０ｎｍ以下、特には２２０ｎｍ以下の波長を有したものがより好ましい。このような活性光線又は放射線としては、例えば、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ線、及び電子線が挙げられる。好ましい活性光線又は放射線としては、例えば、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、電子線、Ｘ線及びＥＵＶ光が挙げられる。より好ましくは、電子線、Ｘ線及びＥＵＶ光である。
　本発明において膜を形成する基板は特に限定されるものではなく、ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造工程、更にはその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程で一般的に用いられる基板を用いることができ、例えば、シリコン、ＳｉＮ、ＳｉＯ２などの無機基板；ＳＯＧ（Spin On Glass）などの塗布系無機基板；等が挙げられる。更に、必要に応じて有機反射防止膜を膜と基板の間に形成させてもよい。
　本発明のパターン形成方法において用いる、有機溶剤を含有する現像液（以下、有機系現像液とも言う）としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。
　ケトン系溶剤としては、例えば、１－オクタノン、２－オクタノン、１－ノナノン、２－ノナノン、アセトン、２－ヘプタノン（メチルアミルケトン）、４－ヘプタノン、１－ヘキサノン、２－ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。
　エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル－３－エトキシプロピオネート、３－メトキシブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシブチルアセテート、ブタン酸ブチル、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル等を挙げることができる。
　アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ－プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ－ブチルアルコール、ｓｅｃ－ブチルアルコール、４－メチル－２－ペンタノール、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ－ヘキシルアルコール、ｎ－ヘプチルアルコール、ｎ－オクチルアルコール、ｎ－デカノールなどのアルコール；エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールなどのグリコール系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノールなどのグリコールエーテル系溶剤；等を挙げることができる。
　エーテル系溶剤としては、例えば、上記グリコールエーテル系溶剤の他、アニソール、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
　アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が使用できる。
　炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。
　上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤又は水と混合し使用してもよい。但し、本発明の効果を十二分に奏するためには、現像液全体としての含水率が１０質量％未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。
　すなわち、有機系現像液に対する有機溶剤の使用量は、現像液の全量に対して、９０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９５質量％以上１００質量％以下がより好ましい。
　特に、有機系現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有する現像液であるのが好ましい。
　有機系現像液の蒸気圧は、２０℃に於いて、５ｋＰａ以下が好ましく、３ｋＰａ以下が更に好ましく、２ｋＰａ以下が特に好ましい。有機系現像液の蒸気圧を５ｋＰａ以下にすることにより、現像液の基板上あるいは現像カップ内での蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果としてウェハ面内の寸法均一性が良化する。
　５ｋＰａ以下（２ｋＰａ以下）の蒸気圧を有する具体的な例としては、特開２０１４－７１３０４号公報の段落［０１６５］に記載された溶剤が挙げられる。
　有機系現像液は、塩基性化合物を含んでいてもよい。本発明で用いられる現像液が含みうる塩基性化合物の具体例及び好ましい例としては、前述した、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が含みうる塩基性化合物におけるものと同様である。
　有機系現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。界面活性剤としては特に限定されないが、例えば、イオン性又は非イオン性のフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤等を用いることができ、例えば、特開２０１４－７１３０４号公報の段落［０１６６］で引用されている文献に記載の界面活性剤が挙げられる。
　界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、好ましくは０～２質量％、さらに好ましくは０．０００１～２質量％、特に好ましくは０．０００５～１質量％である。
　現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法（パドル法）、基板表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法（ダイナミックディスペンス法）などを適用することができる。
　上記各種の現像方法が、現像装置の現像ノズルから現像液をレジスト膜に向けて吐出する工程を含む場合、吐出される現像液の吐出圧（吐出される現像液の単位面積あたりの流速）は好ましくは２ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ２以下、より好ましくは１．５ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ２以下である。流速の下限は特に無いが、０．２ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ２以上が好ましい。なお、現像液の吐出圧（ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ２）は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。
　現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法、加圧タンクからの供給で圧力を調整することで変える方法などが挙げられる。
　また、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。
　有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後には、リンス液を用いて洗浄する工程を含んでいてもよい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しなければ特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができる。上記リンス液としては、炭化水素系溶剤（好ましくはデカン）、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。
　炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤の具体例としては、有機溶剤を含む現像液において説明したものと同様のものを挙げることができる。
　上記溶剤としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、及び、アミド系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤が好ましく、アルコール系溶剤又はエステル系溶剤がより好ましく、１価アルコールがさらに好ましく、炭素数５以上の１価アルコールが特に好ましい。
　リンス工程で用いられる１価アルコールとしては、直鎖状、分岐状、環状の１価アルコールが挙げられ、具体的には、１－ブタノール、２－ブタノール、３－メチル－１－ブタノール、ｔｅｒｔ―ブチルアルコール、１－ペンタノール、２－ペンタノール、１－ヘキサノール、４－メチル－２－ペンタノール、１－ヘプタノール、１－オクタノール、２－ヘキサノール、シクロペンタノール、２－ヘプタノール、２－オクタノール、３－ヘキサノール、３－ヘプタノール、３－オクタノール、４－オクタノールなどを用いることができ、特に好ましい炭素数５以上の１価アルコールとしては、１－ヘキサノール、２－ヘキサノール、４－メチル－２－ペンタノール、１－ペンタノール、３－メチル－１－ブタノールなどを用いることができる。
　上記各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。
　リンス液中の含水率は、１０質量％以下が好ましく、より好ましくは５質量％以下、特に好ましくは３質量％以下である。
　リンス液の蒸気圧は、２０℃において、０．０５～５ｋＰａが好ましく、０．１～５ｋＰａがより好ましく、０．１２～３ｋＰａが更に好ましい。
　リンス液には、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
　リンス工程においては、有機溶剤を含む現像液を用いる現像を行ったウェハを上記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法（回転塗布法）、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を２０００ｒｐｍ～４０００ｒｐｍの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程（Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）を含むことも好ましい。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程は、通常４０～１６０℃、好ましくは７０～９５℃で、通常１０秒～３分、好ましくは３０秒から９０秒間行う。
　なお、本発明の組成物を用いてインプリント用モールドを作製してもよく、その詳細については、例えば、特許第４１０９０８５号公報、特開２００８－１６２１０１号公報を参照されたい。
　本発明のパターン形成方法は、ＤＳＡ（Ｄｉｒｅｃｔｅｄ Ｓｅｌｆ-Ａｓｓｅｍｂｌｙ）におけるガイドパターン形成（例えば、ＡＣＳ Ｎａｎｏ Ｖｏｌ．４ Ｎｏ．８ Ｐａｇｅ４８１５-４８２３参照）にも用いることができる。
　また、上記の方法によって形成されたレジストパターンは、例えば特開平３－２７０２２７号公報及び特開２０１３－１６４５０９号公報に開示されたスペーサープロセスの芯材（コア）として使用できる。
［電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス］
　本発明は、上記した本発明のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。
　本発明の電子デバイスは、電気電子機器（家電、ＯＡ（Office Automation）関連機器、メディア関連機器、光学用機器及び通信機器等）に、好適に、搭載される。
２．第２の態様
　次に、第２の態様について説明する。
　第２の態様は、レジスト組成物として、非化学増幅型レジスト組成物を用いる。以下では、まず、非化学増幅型レジスト組成物について説明した後、本発明の第２の態様のパターン形成方法（以下、第２の態様において、単に「本発明のパターン形成方法」ともいう）について説明する。
［非化学増幅型レジスト組成物］
　本発明のパターン形成方法に用いる非化学増幅型レジスト組成物（以下、第２の態様において、「本発明の組成物」又は「本発明のレジスト組成物」ともいう）は、金属イオンを含む金属塩構造を有する樹脂（Ａｂ）を含有する。
　非化学増幅型である本発明のレジスト組成物においては、露光によって、樹脂（Ａｂ）が有する金属塩構造が分解して金属イオンが脱離して、極性が変化する。このとき、ムラの出やすい酸の拡散機構を伴わないため、現像後に形成されるパターン（とりわけ、孤立ラインパターン又は孤立スペースパターン）の解像性が優れると考えられる。
　なお、脱離した金属イオンは、例えば、金属酸化物等になると考えられるが、その態様は特に限定されるものではない。
　また、本発明の組成物は、上記金属塩構造を有することにより、酸拡散のようなムラの出やすい機構を伴わずに、露光された領域だけ、極性を変化させやすくなる。このため、ラフネス特性（ラインエッジスラフネス（Ｌｉｎｅ Ｅｄｇｅ Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ：ＬＷＲ））も良好になると考えられる。
　ところで、第１の態様における機構（化学増幅の機構）が発現するのは、酸分解性樹脂と光酸発生剤との両方が組み合わされた場合に限られる。したがって、レジスト組成物中に、酸分解性樹脂と光酸発生剤とのいずれか一方が存在していても、他方が存在していなければ、化学増幅機構は発現せず、このレジスト組成物は非化学増幅型といえる。
　したがって、以下に詳述するように、一定条件のもと、本発明における非化学増幅型レジスト組成物は光酸発生剤を含有していてもよく、また、樹脂（Ａｂ）は酸分解性繰り返し単位を有していてもよい。
　第１の態様において、本発明の組成物は、光酸発生剤を含有してもよい。
　ただし、本発明の組成物が光酸発生剤を含有する場合、樹脂（Ａｂ）は、酸分解性基を有する繰り返し単位（以下、「酸分解性繰り返し単位」ともいう）を実質的に含まない。ここで、酸分解性繰り返し単位を実質的に含まないとは、例えば、樹脂（Ａｂ）中に含まれる酸分解性繰り返し単位の全繰り返し単位に占める割合が、３０モル％以下であることをいい、好ましくは２０モル％以下、より好ましくは１０モル％以下、更に好ましくは５モル％以下、特に好ましくは０モル％である。
　また、第１の態様において、樹脂（Ａｂ）は、酸分解性繰り返し単位を有していてもよい。
　ただし、樹脂（Ａｂ）が酸分解性繰り返し単位を有する場合、本発明の組成物は、光酸発生剤を実質的に含有しない。ここで、光酸発生剤を実質的に含有しないとは、例えば、本発明の組成物の全固形分を基準として、光酸発生剤の割合が５質量％以下であることをいい、好ましくは３質量％以下、より好ましくは１質量％以下、更に好ましくは０．５質量％以下、特に好ましくは０質量％である。
　また、樹脂（Ａｂ）が酸分解性繰り返し単位を有する場合、樹脂（Ａｂ）は、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位（以下、「酸発生繰り返し単位」ともいう）を実質的に含まない。ここで、酸発生繰り返し単位を実質的に含まないとは、例えば、樹脂（Ａｂ）中に含まれる酸発生繰り返し単位の全繰り返し単位に占める割合が、１０モル％以下であることをいい、好ましくは５モル％以下、より好ましくは３モル％以下、更に好ましくは１モル％以下、特に好ましくは０モル％である。
 〔樹脂（Ａｂ）〕
　金属塩構造を含む樹脂（Ａｂ）は、好ましくは有機溶剤を含む現像液に対して可溶性である。ＥＵＶ光等の露光によって、金属塩構造が分解することにより、有機溶剤を含む現像液に対して不溶又は難溶化することが好ましい。
　樹脂（Ａｂ）が有する上記金属塩構造に含まれる金属イオンの金属種は、特に限定されず、第１の態様と同様の金属イオンが挙げられる。
　また、上記金属塩構造は、例えば、樹脂（Ａｂ）が有する官能基の部分構造として、樹脂（Ａｂ）に含まれる。上記金属塩構造の具体例としては、第１の態様において説明した一般式（ｆ）で表される部分構造が好適に挙げられる。
　さらに、樹脂（Ａｂ）は、第１の態様において説明した一般式（ｆ１）～（ｆ４）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有していることがより好ましく、その具体例としては、第１の態様において記載した繰り返し単位と同様のものが挙げられる。
　第２の態様において、樹脂（Ａｂ）における一般式（ｆ１）～（ｆ４）で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位中、１～８０モル％が好ましく、１０～６５モル％がより好ましく、２０～５０モル％がさらに好ましい。
　第２の態様において、樹脂（Ａｂ）は、第１の態様における樹脂（Ａｂ）が含むことができる繰り返し単位を、同様に有していてもよい。ただし、第２の態様における樹脂（Ａｂ）が酸分解性基を有する繰り返し単位（酸分解性繰り返し単位）を有する場合は、上述したように、第２の態様における本発明の組成物は光酸発生剤を実質的に含有せず、また、樹脂（Ａｂ）は酸発生繰り返し単位を実質的に含まない。
　樹脂（Ａｂ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０００～２００，０００の範囲が好ましく、より好ましくは１，０００～５０，０００の範囲であり、更に好ましくは１，０００～２５，０００の範囲である。
　また、分散度（Ｍｗ/Ｍｎ）は、１．０～３．０が好ましく、より好ましくは１．０～２．５、更に好ましくは、１．０～２．０である。
　第２の態様において、樹脂（Ａｂ）は、公知のアニオン重合法またはラジカル重合法などで重合でき、例えば、第１の態様において説明した重合法と同様の方法が挙げられる。
　第２の態様において、樹脂（Ａｂ）は、２種類以上組み合わせて使用してもよい。
　また、樹脂（Ａｂ）の添加量は、総量として、本発明の組成物の全固形分に対し、通常１０～９９質量％であり、好ましくは２０～９９質量％であり、特に好ましくは３０～９９質量％である。
 〔活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物〕
　第２の態様における本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（以下、「光酸発生剤」ともいう）を含有してもよい。
　ただし、この場合、上述したように、樹脂（Ａｂ）は、酸分解性基を有する繰り返し単位を実質的に含まない。
　第２の態様における光酸発生剤としては、第１の態様において説明した光酸発生剤を同様に用いることできる。
 〔その他の成分〕
　第２の態様における本発明の組成物は、第１の態様において説明した、酸増殖剤、塩基性化合物、界面活性剤、染料、光塩基発生剤、酸化防止剤、及び、溶剤を、同様に用いることができる。
［非化学増幅型レジスト膜］
　本発明は、上述した第２の態様における本発明の組成物を用いて形成される非化学増幅型レジスト膜にも関する。以下、「非化学増幅型レジスト膜」を、単に「レジスト膜」とも呼ぶ。
［パターン形成方法］
　第２の態様において、本発明のパターン形成方法は、
（ｉ）上述した本発明の組成物を用いて非化学増幅型レジスト膜（レジスト膜）を形成する工程と、
（ii）上記レジスト膜を露光する工程と、
（iii）上記露光されたレジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してパターンを形成する工程と、を少なくとも備えるパターン形成方法である。
　上記工程（iii）において、有機溶剤を含む現像液を用いて現像することにより、ネガ型のパターンを形成する。
　また上記工程（ii）における露光が、液浸露光であってもよい。
　本発明のパターン形成方法は、上記工程（iii）における現像の後に、（ｖ）アルカリ現像液を用いて現像する工程を更に有していてもよい。
　第２の態様におけるパターン形成方法において、その他の点については、第１の態様と同様であり、説明を省略する。
　特に、有機溶剤を含有する現像液としては、第１の態様において説明した溶剤を同様に用いることができる。
　また、用いる基板及び活性光線又は放射線についても、第１の態様と同様であるし、さらに、現像方法およびリンス工程についても、第１の態様において記載した方法と同様の方法により行なうことができる。
［電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス］
　本発明は、上記した第２の態様の本発明のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。
　以下、本発明の態様を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。
 〔樹脂〕
　〈合成例１：樹脂（Ｐ－４）の合成〉
　反応容器に、５．１１ｇの化合物（１）と、６．６１ｇの化合物（２）と、８．７２ｇの化合物（３）と、１．６１ｇの重合開始剤Ｖ－６０１（和光純薬工業（株）製）と、３７．９５ｇのテトラヒドロフランを入れ、窒素ガス雰囲気下、室温で撹拌した。その後、６０℃まで昇後、１５時間に亘って加熱撹拌した後、これを室温まで放冷した。
　上記反応溶液を、８００ｇのヘプタン中に滴下し、ポリマーを沈殿させ、ろ過した。１５０ｇのヘプタンを用いて、ろ過した固体のかけ洗いを行なった。その後、洗浄後の固体を減圧乾燥に供して、１５．３２ｇの樹脂（Ｐ－４）を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000084
　得られた樹脂（Ｐ－４）のＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））から求めた重量平均分子量（Ｍｗ：ポリスチレン換算）は、Ｍｗ＝６０００、分散度はＭｗ／Ｍｎ＝１．８１であった。１３Ｃ－ＮＭＲにより測定した組成比（モル比；左から順に対応）は３０／３０／４０であった。
　合成例１と同様の操作を行ない、以下に示す樹脂（Ｐ－１）～（Ｐ－１５）、及び、樹脂（Ｐ′－１）～（Ｐ′－２）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000085
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000086
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000087
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000088
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000089
 〔光酸発生剤〕
　光酸発生剤としては、下記化合物を用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000090
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000091
 〔塩基性化合物〕
　塩基性化合物としては、下記化合物（Ｎ－３）及び（Ｎ－６）～（Ｎ－１０）の何れかを用いた。なお、下記化合物（Ｎ－７）は、上述した化合物（ＰＡ）に該当するものであり、特開２００６－３３００９８号公報の段落［０３５４］の記載に基づいて合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000092
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000093

Figure JPOXMLDOC01-appb-I000094
 〔疎水性樹脂〕
　疎水性樹脂としては、下記疎水性樹脂ＨＲ－１を用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000095
 〔溶剤〕
　Ｓ－１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ；沸点（ｂ．ｐ．）＝１４６℃）
　Ｓ－２：プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ；ｂ．ｐ．＝１２０℃）
　Ｓ－３：乳酸エチル（ｂ．ｐ．＝１４５℃）
　Ｓ－４：シクロヘキサノン（ｂ．ｐ．＝１５７℃）
 〔界面活性剤〕
　界面活性剤としては、下記Ｗ－１～Ｗ－４を用いた。
　Ｗ－１：メガファックＲ０８（ＤＩＣ（株）製）（フッ素及びシリコン系）
　Ｗ－２：ポリシロキサンポリマーＫＰ－３４１（信越化学工業（株）製）（シリコン系）
　Ｗ－３：トロイゾルＳ－３６６（トロイケミカル（株）製；フッ素系）
　Ｗ－４：ＰＦ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ（株）製）（フッ素系）
 〔現像液〕
　現像液としては、以下のものを用いた。
　Ｇ－１：酢酸ブチル
　Ｇ－２：メチルアミルケトン（２－ヘプタノン）
　Ｇ－３：アニソール
　Ｇ－４：ＴＭＡＨ（２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）
 〔リンス液〕
　リンス液として、以下のものを用いた。
　Ｒ－１：４－メチル－２－ペンタノール
　Ｒ－２：１－ヘキサノール
　Ｒ－３：デカン
　Ｒ－４：水
［実施例１～１５及び比較例１～２］
 〔レジスト組成物の塗液調製及び塗設〕
　下表に示す組成（各成分の濃度（質量％）は全固形分濃度中の濃度を表す）を有する固形分濃度１．５質量％の塗液組成物を０．０５μｍ孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト組成物溶液を得た。
　実施例７の組成物には、１．０質量％の疎水性樹脂ＨＲ-１を添加した。
　得られたレジスト組成物を、予めヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）処理を施した６インチＳｉウェハ上に東京エレクトロン製スピンコーターＭａｒｋ８を用いて塗布し、１００℃、６０秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚５０ｎｍのレジスト膜を得た。
　実施例６のレジスト膜上には、疎水性樹脂ＨＲ-１を４－メチル－２－ペンタノールに溶解させたトップコート形成用樹脂組成物（固形分濃度３．０質量％）を用いて、厚さ３００Åのトップコート層を形成した。
 〔ＥＵＶ露光及び現像〕
　得られたレジスト膜の塗布されたウェハを、ＥＵＶ露光装置（Ｅｘｉｔｅｃｈ社製　Ｍｉｃｒｏ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｔｏｏｌ、ＮＡ０．３、Ｘ－ｄｉｐｏｌｅ、アウターシグマ０．６８、インナーシグマ０．３６）を用い、露光マスクを使用して、パターン露光を行った。照射後、下表に示した温度（ＰＥＢ温度）にて、ホットプレート上で６０秒間加熱した後、下表に記載の有機系現像液（Ｇ－１～Ｇ－３）をパドルして３０秒間現像し、下表に記載のリンス液を用いてリンスした後、４０００ｒｐｍの回転数で３０秒間ウェハを回転させた後、９５℃で６０秒間ベークを行なうことにより、線幅５０ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンのレジストパターンを得た。
 〔レジストパターンの評価〕
　得られたレジストパターンを下記の方法で、孤立スペースパターンにおける解像力及びＬＥＲについて評価した。評価結果を下記表１に示す。
　〈孤立スペースパターンにおける解像力〉
　線幅５０ｎｍのライン：スペース＝１：１のパターンを解像する時の照射エネルギーを感度（Ｅｏｐ）とし、上記Ｅｏｐにおける孤立スペースパターン（ライン：スペース＝５：１）の限界解像力（ラインとスペースが分離解像する最小の線幅）を求めた。そして、この値を「解像力（ｎｍ）」とした。この値が小さいほど性能が良好であることを示す。
　〈ＬＥＲ（ラインエッジラフネス）〉
　上記の線幅５０ｎｍのライン：スペース＝１：１のパターンを、走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ－９２６０）を用いて観察した。そして、その長さ方向５０μｍに含まれる等間隔の３０点について、エッジがあるべき基準線と実際のエッジとの間の距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、３σを算出した。そして、この３σを「ＬＥＲ（ｎｍ）」とした。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
 〔その他の事項〕
　アルカリ現像液（Ｇ－４）を用いた場合は、露光マスクのパターンを反転させた露光マスクを使用して、パターン露光を行い、有機系現像液に代えて、アルカリ現像液（Ｇ－４）により現像を行い、上記と同様にして、レジスト組成物の調製、パターン形成を行い、レジストパターンを評価した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000096
　上記表１から分かるように、有機系現像液を用いた実施例１～１５は、アルカリ現像液を用いた比較例１と比べて、孤立スペースパターンの解像力に優れ、ＬＥＲも優れていた。
　また、比較例２は、樹脂（Ｐ′－２）が酸分解性繰り返し単位を有するが、光酸発生剤を含有しないため、露光しても極性が変化せず、有機系現像液を用いて現像してもパターンが形成されなかった。
　なお、実施例１と実施例２とを対比すると、「化学増幅型」である実施例１よりも、「非化学増幅型」である実施例２の方が、効果が優れていた。
　また、実施例２と実施例３とを対比すると、金属塩構造の金属種がＺｎである実施例２よりも、Ｃｏである実施例３の方が、効果が優れていた。
　また、実施例５～７を対比すると、金属塩構造における酸基としてリン酸基を有する実施例７よりも、スルホン酸基を有する実施例６の方がより効果が優れ、この実施例６よりも、カルボキシル基を有する実施例５の方がさらに効果が優れていた。
 

Claims (11)

  1. 　レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程と、
    　前記レジスト膜を露光する工程と、
    　前記露光された前記レジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してパターンを形成する工程と、を少なくとも備えるパターン形成方法であって、
    　前記レジスト組成物が、金属イオンを含む樹脂（Ａｂ）を含有する、パターン形成方法。
  2. 　前記樹脂（Ａｂ）が、酸の作用により極性が変化する樹脂であり、
    　前記レジスト組成物が、前記樹脂（Ａｂ）と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物である、請求項１に記載のパターン形成方法。
  3. 　前記樹脂（Ａｂ）が、前記金属イオンを含む金属塩構造を有する、請求項２に記載のパターン形成方法。
  4. 　前記樹脂（Ａｂ）が、前記金属イオンを含む金属塩構造を有する樹脂であり、
    　前記レジスト組成物が、前記樹脂（Ａｂ）を含有する非化学増幅型レジスト組成物である、請求項１に記載のパターン形成方法。
  5. 　前記金属塩構造が、下記一般式（ｆ）で表される、請求項３又は４に記載のパターン形成方法。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    　ただし、一般式（ｆ）中、
    　Ｘaは、酸基から水素原子を除いた残基を表し、
    　Ｍetは、金属原子を表し、
    　ｎは１以上の整数を表す。
  6. 　前記Ｘａにおける前記酸基が、カルボキシル基である、請求項５に記載のパターン形成方法。
  7. 　前記樹脂（Ａｂ）が、前記金属塩構造として、下記一般式（ｆ１）～（ｆ４）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する、請求項３～６のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    　ただし、一般式（ｆ１）～（ｆ４）中、
    　Ｍetは、金属原子を表し、
    　Ｒｆａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表し、
    　Ｙ１は、各々独立に、単結合又は２価の連結基を表し、
    　Ｙ２～Ｙ４は、各々独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。
  8. 　前記露光が、電子線又はＥＵＶ光による露光である、請求項１～７のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
  9. 　請求項１～８のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
  10. 　請求項１～８のいずれか１項に記載のパターン形成方法に用いるレジスト組成物。
  11. 　請求項１０に記載のレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023140386A1 (ja) * 2022-01-24 2023-07-27 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6353546B2 (ja) * 2014-09-02 2018-07-04 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
FR3051127B1 (fr) * 2016-05-10 2018-06-15 Sculpteo Procede de traitement de surface pour objets
WO2020102085A1 (en) 2018-11-14 2020-05-22 Lam Research Corporation Methods for making hard masks useful in next-generation lithography
KR20210129739A (ko) 2019-03-18 2021-10-28 램 리써치 코포레이션 극자외선 (Extreme Ultraviolet) 리소그래피 레지스트들의 거칠기 감소
WO2020223011A1 (en) 2019-04-30 2020-11-05 Lam Research Corporation Atomic layer etch and selective deposition process for extreme ultraviolet lithography resist improvement
CN111913350A (zh) * 2019-05-10 2020-11-10 珠海雅天科技有限公司 一种含金属元素的感光性聚合物、组合物及其应用
TWI837391B (zh) 2019-06-26 2024-04-01 美商蘭姆研究公司 利用鹵化物化學品的光阻顯影
US11314168B2 (en) 2020-01-15 2022-04-26 Lam Research Corporation Underlayer for photoresist adhesion and dose reduction
KR20230051195A (ko) * 2020-07-17 2023-04-17 램 리써치 코포레이션 감광성 하이브리드 막들을 형성하는 방법

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07134418A (ja) * 1993-11-10 1995-05-23 Oki Electric Ind Co Ltd 放射線感応性樹脂組成物
JP2000264821A (ja) * 1999-03-16 2000-09-26 Shiseido Co Ltd パーマネント・ウェーブ又は縮毛矯正用組成物
JP2001072716A (ja) * 1999-07-12 2001-03-21 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 有機金属重合体およびその使用
JP2001290264A (ja) * 2000-02-18 2001-10-19 Internatl Business Mach Corp <Ibm> ヒドロキシカルボラン・フォトレジスト、およびそれを二層薄膜結像リソグラフィに使用する方法
JP2002053613A (ja) * 2000-06-15 2002-02-19 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 重合体およびそれを使用したパターン形成方法
JP2002107937A (ja) * 2000-09-28 2002-04-10 Clariant (Japan) Kk 層間絶縁膜用感光性組成物及びパターン化層間絶縁膜の形成方法
JP2007154181A (ja) * 2005-11-11 2007-06-21 Lion Corp ハイパーブランチポリマーの製造方法
JP2007291387A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Az Electronic Materials Usa Corp フォトレジスト組成物用の成膜性樹脂の製造方法
JP2008268875A (ja) * 2007-03-28 2008-11-06 Fujifilm Corp ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP2010270185A (ja) * 2009-05-19 2010-12-02 Daicel Chem Ind Ltd フォトレジスト用高分子化合物の製造方法
JP2014041329A (ja) * 2012-07-27 2014-03-06 Fujifilm Corp 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
JP2014119659A (ja) * 2012-12-18 2014-06-30 Shin Etsu Chem Co Ltd ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4156745A (en) * 1978-04-03 1979-05-29 International Business Machines Corporation Electron sensitive resist and a method preparing the same
JP5708518B2 (ja) * 2011-02-09 2015-04-30 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP5758263B2 (ja) * 2011-10-11 2015-08-05 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07134418A (ja) * 1993-11-10 1995-05-23 Oki Electric Ind Co Ltd 放射線感応性樹脂組成物
JP2000264821A (ja) * 1999-03-16 2000-09-26 Shiseido Co Ltd パーマネント・ウェーブ又は縮毛矯正用組成物
JP2001072716A (ja) * 1999-07-12 2001-03-21 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 有機金属重合体およびその使用
JP2001290264A (ja) * 2000-02-18 2001-10-19 Internatl Business Mach Corp <Ibm> ヒドロキシカルボラン・フォトレジスト、およびそれを二層薄膜結像リソグラフィに使用する方法
JP2002053613A (ja) * 2000-06-15 2002-02-19 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 重合体およびそれを使用したパターン形成方法
JP2002107937A (ja) * 2000-09-28 2002-04-10 Clariant (Japan) Kk 層間絶縁膜用感光性組成物及びパターン化層間絶縁膜の形成方法
JP2007154181A (ja) * 2005-11-11 2007-06-21 Lion Corp ハイパーブランチポリマーの製造方法
JP2007291387A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Az Electronic Materials Usa Corp フォトレジスト組成物用の成膜性樹脂の製造方法
JP2008268875A (ja) * 2007-03-28 2008-11-06 Fujifilm Corp ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP2010270185A (ja) * 2009-05-19 2010-12-02 Daicel Chem Ind Ltd フォトレジスト用高分子化合物の製造方法
JP2014041329A (ja) * 2012-07-27 2014-03-06 Fujifilm Corp 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
JP2014119659A (ja) * 2012-12-18 2014-06-30 Shin Etsu Chem Co Ltd ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023140386A1 (ja) * 2022-01-24 2023-07-27 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

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