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WO2007034740A1 - 表示パネル用の基板とこの基板を備える表示パネル - Google Patents

表示パネル用の基板とこの基板を備える表示パネル Download PDF

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WO2007034740A1
WO2007034740A1 PCT/JP2006/318331 JP2006318331W WO2007034740A1 WO 2007034740 A1 WO2007034740 A1 WO 2007034740A1 JP 2006318331 W JP2006318331 W JP 2006318331W WO 2007034740 A1 WO2007034740 A1 WO 2007034740A1
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WO
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signal line
display panel
line
substrate
pattern
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/318331
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tomoki Noda
Masanori Takeuchi
Kenji Enda
Original Assignee
Sharp Kabushiki Kaisha
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Kabushiki Kaisha filed Critical Sharp Kabushiki Kaisha
Priority to US12/067,518 priority Critical patent/US8022559B2/en
Priority to JP2007536469A priority patent/JP4660552B2/ja
Publication of WO2007034740A1 publication Critical patent/WO2007034740A1/ja
Priority to US12/981,699 priority patent/US8008789B2/en
Priority to US13/182,466 priority patent/US8193649B2/en

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    • G02OPTICS
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Definitions

  • the present invention relates to a display panel substrate and a display panel including the substrate.
  • the present invention relates to a substrate for a liquid crystal display panel in which a pattern such as a conductive film or an insulating film is formed in a laminated form, and a liquid crystal display panel including this substrate.
  • a general liquid crystal display panel includes an array substrate and a color filter substrate, and has a configuration when liquid crystal is filled between them. On the surface of these array substrate and color filter substrate, a pattern such as a conductive film or an insulating film is formed in a laminated form.
  • FIG. 3 is a plan view schematically showing an example of a pattern such as wiring formed on the conventional liquid crystal display panel 9.
  • the array substrate has a layer in which the pattern of the gate signal line 912 and the auxiliary capacitance line 915 is formed, and a layer in which the pattern of the source signal line 913 and the drain line 914 is formed, and these layers are insulated. They are stacked with a membrane (not shown) in between. With these patterns, a thin film transistor and other predetermined wiring are constructed.
  • the pattern of the gate signal line 912 and the auxiliary capacitor line 915 and the pattern of the source signal line 913 and the drain line 914 are positioned with a predetermined accuracy. It is necessary to form together. Therefore, after forming the pattern of the gate signal line 912 and the auxiliary capacitance line 915 and the pattern of the source signal line 913 and the drain line 914, the alignment accuracy of these patterns is measured. When the alignment accuracy deviates from a predetermined allowable range force, the source signal line 913 and the drain line 914 are formed again.
  • Measurement of such alignment accuracy is performed, for example, using image recognition. Therefore, measurement marks and patterns for use in image recognition may be formed on the source signal line 913 and the drain line 914 in some cases.
  • the drain A straight portion 914a extending in the X-axis direction is formed in a part of the wire 914.
  • the edge of the straight line portion 914a and the edge of the gate signal line 912 are detected using image recognition, and the result is used to determine the mutual positional relationship in the Y-axis direction (for example, the center line of the gate signal line 912). Measure the distance D) between the center line B of the straight line 914a of the drain line 914.
  • JP-A-2003-302654 is cited as a prior art document related to the present invention.
  • the straight line portion 914a needs a certain length so that the edge can be detected with a predetermined accuracy in image recognition.
  • the process margin is reduced, which may cause a decrease in yield.
  • the problem to be solved by the present invention is a display panel substrate capable of measuring the alignment accuracy while improving the aperture ratio of the picture element, and a display panel using the substrate Or providing a display panel substrate and a display panel using this substrate, which can improve the pixel aperture ratio without reducing the process margin.
  • the present invention provides a first conductor pattern and a second conductor pattern.
  • a position measurement mark for measuring the alignment accuracy with the screen is formed in a floating island shape.
  • floating island means that no electrical connection is formed with the conductive elements forming the first conductor pattern or the second conductor pattern, or the electrical connection is intended. Say nothing. Also, it may not have or be intended to have any electrical or electronic function in relation to the first conductor pattern or the second conductor pattern! /.
  • This position measurement mark is formed on the same layer as either the layer on which the first conductor pattern is formed or the layer on which the second conductor pattern is formed.
  • the position measurement mark is preferably formed at a position where the aperture ratio of the picture element is not lowered. For example, if the layer on which the position measurement mark is formed is the same layer as the layer on which the second conductor pattern is formed, at least a part of the position to be formed overlaps the first conductor pattern. It is preferable to set the position.
  • the position measurement mark has a shape capable of accurately detecting the position when image recognition is used.
  • it is preferably formed in a shape including at least one straight part.
  • a pattern including a gate signal line can be applied as the first conductor pattern, and a pattern including a source signal line and a drain line can be applied as the second conductor pattern.
  • the alignment accuracy of the first conductor pattern (for example, the pattern of the gate signal line) and the second conductor pattern (for example, the pattern of the source signal line and the drain line) is measured. It can be measured using a position measurement mark formed in a floating island shape. Therefore, it is not necessary to form a straight line portion for position measurement in the second conductor pattern and the like, and the degree of freedom in designing the second conductor pattern is improved. As a result, the second conductor pattern can be designed to overlap with other light-shielding elements as much as possible, so that the aperture ratio of the picture element can be improved.
  • the position measurement mark indicates the aperture ratio of the pixel. Do not decrease.
  • the position measurement mark force has a shape including at least one straight line portion
  • the position can be accurately measured by detecting the edge of the straight line portion using image recognition.
  • a display panel is configured using such a substrate, it is possible to provide a display panel with a large aperture ratio of picture elements and high luminance.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a picture element formed using a display panel substrate according to an embodiment of the present invention, where (a) is a plan view and (b) is A — Cross section along line A.
  • FIG. 2 is a plan view schematically showing a configuration of a picture element formed using a display panel substrate according to a modification of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view schematically showing an example of the configuration of a conventional picture element.
  • FIG. 1 (a) is a plan view schematically showing the configuration of a pixel constructed using a display panel substrate according to an embodiment of the present invention
  • FIG. Fig. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in Fig. 1 (a).
  • a substrate 1 for a display panel according to an embodiment of the present invention includes a gate signal line 12 and an auxiliary capacitance line 15 on a surface of a transparent substrate 16 such as a glass substrate, and a first insulation.
  • the layer 17, the source signal line 13 and the drain 14 line, and the second insulating layer 18 are stacked.
  • the position measurement mark 11 is formed in a floating island shape at a position overlapping the gate signal line 12.
  • convex structures 21a to 21e for controlling the alignment of the liquid crystal are formed on the counter substrate (for example, a color filter substrate).
  • this structure is referred to as an “alignment control structure”.
  • the gate signal line 12 and the auxiliary capacitance line 15 are formed in the same layer in the same process using the same material.
  • An insulating layer is formed on the surface.
  • the source signal line 13 and the drain line 14 are formed on the same layer by the same material in the same process and in the same layer.
  • the pattern of the gate signal line 12 and the auxiliary capacitance line 15 and the pattern of the source signal line 13 and the drain line 14 are stacked with the insulating film layer interposed therebetween.
  • the configuration, material, formation method, and the like of the gate signal line 12, the auxiliary capacitor line 15, the source signal line 13, and the drain line 14 can be applied to conventional configurations and methods, and thus description thereof is omitted.
  • the position measurement mark 11 is a pattern for measuring a relative position between the pattern of the source signal line 13 and the drain line 14 and the pattern of the gate signal line 12.
  • the position measurement mark 11 is formed in the same layer as the pattern of the source signal line 13 and the drain line 14. And in the process of forming the pattern of the source signal line 13 and the drain line 14, it is formed in the same process using the same material. Therefore, the relative positional relationship between the position measurement mark 11 and the pattern of the source signal line 13 and the drain line 14 is fixed.
  • This position measurement mark 11 has no electrical connection or no electrical connection between the gate signal line 12, the auxiliary capacitance line 15, the source signal line 13 or the drain line 14, even if they are shifted. Not intended. In other words, this positioning mark 11 does not have or is not intended to function in any electrical or electronic function in relation to the lines 12, 1 3, 14, 15. . In other words, it is intended to have any contribution or influence on the driving of the thin film transistor.
  • the position measurement mark 11 is formed in a shape that can detect the edge by using image recognition and can also calculate the position of the detected edge force. For example, squares as shown in Fig. 1 and other quadrilaterals such as rectangles can be applied. If the sides have opposite sides, such as a quadrilateral, the edges of the opposite sides can be detected and their centers can be calculated, so the position can be measured with high accuracy.
  • the present invention is not limited to a quadrilateral, and a shape including a straight portion having at least one side can also be applied.
  • the position measurement mark 11 is used to measure the alignment accuracy in the Y-axis direction.
  • the straight portion has a shape extending in the X-axis direction.
  • the linear portion extends in the Y-axis direction. With such a shape, the position in each axial direction can be measured by detecting the edge of this straight line portion.
  • the gate signal line 12 and the auxiliary capacitance line 15, the first insulating layer 17, the source signal line 13 and the drain line 14, the position measurement mark 11, and the second insulating layer 18 were formed. Then, the area including the position measurement mark 11 is photographed. At this time, the edge of the gate signal line 12 is set within the visual field. Then, the edge of the side parallel to the X axis direction of the position measurement mark 11 and the edge of the side parallel to the X axis direction of the gate signal line are detected by image recognition.
  • Figure 1 shows the center line of the position measurement mark 11 and the center line of the gate signal line 12).
  • the A—A line is the common center line for both.
  • the relative positional relationship in the Y-axis direction between the position measurement mark 11 and the gate signal line 12 is calculated from each calculated center line. Thereby, the alignment accuracy in the Y-axis direction between the pattern of the gate signal line 12 and the pattern of the source signal line 13 and the drain line 14 can be measured.
  • the process proceeds to the next step. If the relative position deviates beyond the allowable range, the source signal line 13 and the drain line 14 are formed again. It should be noted that various methods and various devices that are conventionally used can be applied to the image recognition method and the device used for image recognition. Therefore, these explanations are omitted.
  • the position measurement mark 11 is used to measure the alignment accuracy, it is not necessary to form a straight line portion for measuring the alignment accuracy on the drain line 14. For this reason, the degree of freedom in designing the drain line 14 is improved. Therefore, the drain line 14 is connected to any of the orientation control structures 21a to 21e formed on the counter substrate over almost the entire length thereof. It can be designed to be superimposed on the force, and the aperture ratio of the picture element can be improved. Further, since it is not necessary to reduce the width of the drain line 14 in order not to reduce the aperture ratio, it is not necessary to reduce the process margin. Further, since the position measurement mark 11 is superimposed on the gate signal line 12, the aperture ratio of the picture element is not lowered. Also, because it is formed in a floating island shape, it will not affect the driving of the picture elements.
  • the force indicating the configuration in which the position measurement mark 11 is formed in a square is not limited to this shape. In short, it is only necessary that the edge can be detected by using image recognition and the detected edge force can be calculated in its shape.
  • FIG. 2 shows a modification of the substrate according to the embodiment of the present invention.
  • the position measurement mark 11 ′ may be formed in a rectangular shape. If this position measurement mark 1 1 ′ is used to measure the alignment accuracy in the Y-axis direction, the edge force parallel to the X-axis should be able to detect the edge with a predetermined accuracy using image recognition.
  • the length of the side parallel to the Y axis is not particularly limited. Therefore, it can be short in the Y-axis direction as shown in the figure, rectangular, long in the Y-axis direction, or rectangular.
  • the shape may be a triangle or other polygons.
  • the shape is not limited to a shape having a straight line portion, and may be a shape having a curved line portion.
  • the edge of the floating island pattern includes a circular arc shape, the center of the circular arc can be calculated from the detected edge. Therefore, it may be a circular shape, a half-moon shape, a sector shape, or the like.
  • the position where the position measurement mark is formed may be a position where a relative positional relationship with the gate signal line can be measured. For example, if the gate signal line and the auxiliary capacitance line are formed at the same time as in this embodiment (in other words, the relative positional relationship between the gate signal line and the auxiliary capacitance line is fixed). If so, the position may be superimposed on the auxiliary capacitance line. Further, it is not always necessary to overlap the gate signal line or the auxiliary capacitance line. For example, it may be a position in the vicinity of the gate signal line or the auxiliary capacitance line. However, in order not to reduce the pixel opening, it is preferable to be outside the pixel area. Yes.
  • the layer in which the position measurement mark is formed does not have to be the same as the layer in which the pattern of the source signal line and the drain line is formed. Further, in the above-described embodiment and the modification thereof, the force indicating the configuration in which the position measurement mark is completely superimposed on the gate signal line is not necessarily a configuration in which the whole is superimposed, and a part of which is not necessarily overlapped is configured. Also good.
  • the force shown in the configuration used for measuring the alignment accuracy in the Y-axis direction can also be used for measuring the alignment accuracy in the X-axis direction.

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Description

明 細 書
表示パネル用の基板とこの基板を備える表示パネル 技術分野
[0001] 本発明は、表示パネル用の基板とこの基板を備える表示パネルに関するものであり
、特に好適には、導電性の膜や絶縁性の膜などカゝらなるパターンが積層状に形成さ れる液晶表示パネル用の基板と、この基板を備える液晶表示パネルに関するもので ある。
背景技術
[0002] 一般的な液晶表示パネルは、アレイ基板とカラーフィルタ基板とを備え、これらの間 に液晶が充填されると ヽぅ構成を有する。これらアレイ基板やカラーフィルタ基板の表 面には、導電性の膜や絶縁性の膜などのパターンが積層状に形成される。
[0003] 図 3は、従来の液晶表示パネル 9に形成される配線などのパターンの一例を、模式 的に示した平面図である。なおこの図 3は、一絵素分を抽出して示している。アレイ基 板には、ゲート信号線 912および補助容量線 915のパターンが形成される層と、ソー ス信号線 913およびドレイン線 914のパターンが形成される層とを有し、これらの層が 絶縁膜 (図示せず)を挟んで積層される。そしてこれらのパターンにより、薄膜トランジ スタやその他の所定の配線などが構築される。
[0004] 薄膜トランジスタなどが設計通りの特性を有するようにするため、ゲート信号線 912 および補助容量線 915のパターンと、ソース信号線 913およびドレイン線 914のパタ ーンとを、所定の精度で位置合わせして形成する必要がある。そこで、ゲート信号線 912および補助容量線 915のパターンと、ソース信号線 913およびドレイン線 914の ノターンとを形成した後、これらのパターンの位置合わせの精度を測定する。そして 、位置合わせの精度が所定の許容範囲力 逸脱している場合には、ソース信号線 9 13およびドレイン線 914を形成しなおす。
[0005] このような位置合わせの精度の測定は、たとえば画像認識を用いて行われる。この ため、ソース信号線 913およびドレイン線 914には、画像認識で用いるための測定用 のマークやパターンが形成されることがある。たとえば、図 3に示す構成では、ドレイ ン線 914の一部に X軸方向に延伸する直線部分 914aが形成される。そしてこの直線 部分 914aのエッジとゲート信号線 912のエッジとを画像認識を用いて検出し、その 結果を用 、て Y軸方向の相互の位置関係(たとえば、ゲート信号線 912の中心線じと ドレイン線 914の直線部分 914aの中心線 Bの間の距離 D)を測定する。
[0006] なお、本発明に関連する先行技術文献として、特開 2003— 302654号公報が挙 げられる。
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] ところで液晶表示パネルは、輝度を高くするために各絵素の開口率を大きくした ヽ という要求がある。そこで図 3に示す構成のように、対向基板に液晶の配向を制御す る構造物 921a〜921eが形成される場合、ドレイン線 914を、この構造物 921a〜92 leのいずれかにできる限り重畳させる構成が用いられることがある。し力しながら、 X 軸方向に延伸して形成される直線部分 914aを、これらの構造物 921a〜921eに重 畳させることは困難である。この結果、これらの構造物 921a〜921eに重畳しない部 分力 絵素の開口率を低下させている。
[0008] したがって開口率を向上させるには、ドレイン線 914のうち、配向を制御する構造物 921a〜921eに重畳しない部分の面積を、できる限り小さくすることが好ましい。しか しながらこの直線部分 914aは、画像認識において、所定の精度でエッジが検出でき るよう、ある程度の長さが必要となる。また、この構造物 921a〜921eに重畳しない部 分の幅を細くすると、プロセスマージンが小さくなるから、歩留まりの低下の一因となる おそれがある。
[0009] 上記実情に鑑み、本発明が解決しょうとする課題は、絵素の開口率の向上を図りつ つ位置合わせ精度の測定ができる表示用パネルの基板およびとこの基板を用いた 表示パネルを提供すること、または、プロセスマージンを小さくすることなく絵素の開 口率の向上を図ることができる表示用パネルの基板およびこの基板を用いた表示パ ネルを提供することである。
課題を解決するための手段
[0010] このような課題を解決するため、本発明は、第一の導体パターンと第二の導体バタ ーンとの位置合わせ精度を測定するための位置測定マークを、浮島状に形成するも のである。ここで、「浮島状」とは、第一の導体パターンまたは第二の導体パターンを 形成する導電性の要素とは電気的な接続が構成されな!ヽ、または電気的な接続を 意図していないことをいう。また、第一の導体パターンまたは第二の導体パターンとの 関係において、なんらの電気的もしくは電子的な機能を有しない、または有すること を意図しな 、ことを 、うものであってもよ!/、。
[0011] この位置測定マークは、第一の導体パターンが形成される層または第二の導体パ ターンが形成される層のいずれかと同じ層に形成されるものとする。また、この位置測 定マークは、絵素の開口率を低下させない位置に形成されることが好ましい。たとえ ば、この位置測定マークが形成される層が、第二の導体パターンが形成される層と同 じ層であれば、形成される位置は、少なくとも一部が第一の導体パターンに重畳する 位置とすることが好ましい。
[0012] この位置測定マークは、画像認識を用いた場合に、その位置を精度よく検出できる 形状であることが好ましい。たとえば、少なくとも一辺以上の直線部分を含む形状に 形成されることが好ましい。
[0013] なお、第一の導体パターンとしてはゲート信号線を含むパターンが適用でき、第二 の導体パターンとしてはソース信号線およびドレイン線を含むパターンが適用できる
発明の効果
[0014] 本発明によれば、第一の導体パターン (たとえば、ゲート信号線のパターン)と、第 二の導体パターン (たとえば、ソース信号線およびドレイン線のパターン)の位置合わ せ精度の測定は、浮島状に形成される位置測定マークを用いて測定できる。したが つて、第二の導体パターンなどに、位置測定用の直線部分などを形成する必要がな くなるから、第二の導体パターンの設計の自由度が向上する。この結果、第二の導体 パターンを、できる限り他の遮光性の要素に重畳させる設計にできるから、絵素の開 口率の向上を図ることができる。
[0015] また、絵素の開口率の向上を図るために第一の導体パターンまたは第二の導体パ ターンの幅を細くする必要がなくなる。このため、プロセスマージンを低下させることな く開口率の向上を図ることができる。さらに開口率の向上よつてバックライトのコストを 低下することちできる。
[0016] この位置測定マークは、少なくともその一部が第一の導体パターンまたは第二の導 体パターンに重畳する位置に形成されるものであれば、この位置測定マークが絵素 の開口率を低下させることがな 、。
[0017] また、この位置測定マーク力 少なくとも一辺以上の直線部分を含む形状であれば 、画像認識を用いてこの直線部分のエッジの検出することにより、位置を精度よく測 定することができる。
[0018] そして、このような基板を用いて表示パネルを構成すれば、絵素の開口率が大きく 、輝度の高い表示パネルを提供することができる。
図面の簡単な説明
[0019] [図 1]本発明の実施形態に係る表示パネル用基板を用いて形成される絵素の構成を 模式的に示した図であり、(a)は平面図、(b)は A— A線断面図である。
[図 2]本発明の実施形態の変形例に係る表示パネル用基板を用いて形成される絵素 の構成を模式的に示した平面図である。
[図 3]従来の絵素の構成の一例を模式的に示した平面図である。
発明を実施するための最良の形態
[0020] 以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下に示 す実施形態は、液晶表示パネルのアレイ基板に適用されるものである。
[0021] 図 1 (a)は、本発明の実施形態に係る表示パネル用の基板を用いて構築される絵 素の構成を模式的に示した平面図であり、図 1 (b)は、図 1 (a)の A— A線断面図であ る。図 1に示すように、本発明の実施形態に係る表示パネル用の基板 1は、ガラス基 板などの透明基板 16の表面に、ゲート信号線 12および補助容量線 15と、第一の絶 縁層 17と、ソース信号線 13およびドレイン 14線と、第二の絶縁層 18とが、積層して 形成される。また、ゲート信号線 12に重畳する位置に、位置測定マーク 11が浮島状 に形成される。一方、対向基板 (たとえばカラーフィルタ基板)には、液晶の配向を制 御するための凸状の構造物 21a〜21eが形成される。ここではこの構造物を、「配向 制御構造物」と称する。 [0022] ゲート信号線 12および補助容量線 15は、同じ材料により同じ工程において同一の 層に形成される。そしてその表面に絶縁層が形成される。さらにその表面に、ソース 信号線 13およびドレイン線 14力 同じ材料により同じ工程にぉ 、て同一の層に形成 される。これにより、ゲート信号線 12および補助容量線 15のパターンと、ソース信号 線 13およびドレイン線 14のパターンとが、絶縁膜の層を挟んで積層される構成となる 。これらのゲート信号線 12、補助容量線 15、ソース信号線 13、ドレイン線 14の構成 、材質、形成方法などは、従来一般の構成や方法が適用できることから、説明は省略 する。
[0023] 位置測定マーク 11は、ソース信号線 13およびドレイン線 14のパターンと、ゲート信 号線 12のパターンとの相対的な位置を測定するためのパターンである。この位置測 定マーク 11は、ソース信号線 13およびドレイン線 14のパターンと同じ層に形成され る。そして、ソース信号線 13およびドレイン線 14のパターンを形成する工程において 、同じ材料を用いて同じ工程で形成される。したがって、この位置測定マーク 11と、ソ ース信号線 13およびドレイン線 14のパターンとの相対的な位置関係は固定されてい る。
[0024] この位置測定マーク 11は、ゲート信号線 12、補助容量線 15、ソース信号線 13もし くはドレイン線 14の 、ずれとも電気的な接続が構成されな 、、または電気的な接続 が意図されない。別の言い方をすれば、この位置測定マーク 11は、前記各線 12, 1 3, 14, 15との関係において、なんらの電気的'電子的な機能を有しない、または機 能させることを意図しない。すなわち、薄膜トランジスタの駆動に対して、なんらの寄 与や影響を有することを意図して 、な 、。
[0025] この位置測定マーク 11は、画像認識を用いてそのエッジを検出でき、かつ検出さ れたエッジ力もその位置を算出できる形状に形成される。たとえば、図 1に示すような 正方形や、その他長方形といった四辺形などが適用できる。四辺形のように、相対向 する辺が存在する形状であれば、対向する辺のエッジを検出してそれらの中心を算 出できるから、高精度で位置の測定を行える。
[0026] なお、四辺形に限らず、少なくとも一辺以上の直線部分を含む形状も適用できる。
この場合、この位置測定マーク 11が Y軸方向の位置合わせ精度を測定するためのも のであれば、その直線部分が、 X軸方向に延伸する形状であることが好ましい。一方 、 X軸方向の位置合わせ精度の測定に用いるものであれば、その直線部分が Y軸方 向に延伸するものであることが好ましい。このような形状であれば、この直線部分のェ ッジを検出することにより、各軸方向の位置の測定を行える。
[0027] 次いで、この位置測定マーク 11を用いたソース信号線 13およびドレイン線 14のパ ターンと、ゲート信号線 12のパターンとの位置合わせ精度の測定方法について説明 する。ここでは、 Y軸方向の位置合わせ精度の測定について記す。
[0028] 透明基板 16上に、ゲート信号線 12および補助容量線 15、第一の絶縁層 17、ソー ス信号線 13およびドレイン線 14、位置測定マーク 11、第二の絶縁層 18を形成した 後、位置測定マーク 11が含まれる領域を撮影する。この際、ゲート信号線 12のエツ ジが視野内に収まるようにする。そして、画像認識によって、位置測定マーク 11の X 軸方向に平行な辺のエッジと、ゲート信号線の X軸方向に平行な辺のエッジを検出 する。検出した各辺のエッジから、位置測定マークの中心線の位置と、ゲート信号線 の中心線の位置を算出する(なお図 1は、位置測定マーク 11の中心線とゲート信号 線 12の中心線とがー致している状態を示しており、 A— A線はこの両方に共通の中 心線を示す)。そして算出された各中心線から、位置測定マーク 11とゲート信号線 1 2との Y軸方向の相対的な位置関係を算出する。これにより、ゲート信号線 12のバタ ーンと、ソース信号線 13およびドレイン線 14のパターンとの Y軸方向の位置合わせ 精度が測定できる。
[0029] 算出された位置合わせ精度が許容範囲内にあれば、次の工程に進む。相対的な 位置が許容範囲を超えてずれている場合には、ソース信号線 13およびドレイン線 14 の形成をやり直す。なお、画像認識の方法、画像認識に用いる装置は、従来一般に 用いられる各種方法や各種装置を適用できる。したがって、これらの説明は省略する
[0030] このような位置測定マーク 11を用いて位置合わせ精度の測定を行う構成とすれば 、ドレイン線 14に位置合わせ精度の測定用の直線部分を形成する必要がなくなる。 このため、ドレイン線 14の設計の自由度が向上する。したがって、ドレイン線 14を、そ のほぼ全長にわたって対向基板に形成される配向制御構造物 21a〜21eのいずれ 力に重畳させる設計にでき、絵素の開口率の向上が図られる。また、開口率を低下さ せないためにドレイン線 14の幅を細くする必要もなくなるから、プロセスマージンを小 さくしなくてもよい。さらに、この位置測定マーク 11は、ゲート信号線 12に重畳してい るから、絵素の開口率を低下させない。また、浮島状に形成されるから、絵素の駆動 にも影響を与えることはな 、。
[0031] 以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、前記実施形態に なんら限定されるものではなぐ本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の改 変が可能である。
[0032] 前記実施形態においては、位置測定マーク 11が正方形に形成される構成を示し た力 この形状に限定されるものではない。要は、画像認識を用いてそのエッジを検 出でき、かつ検出されたエッジ力もその位置を算出できる形状に形成されればよい。
[0033] 図 2は、本発明の実施形態に係る基板の変形例を示す。この図 2に示すように、位 置測定マーク 11 'が長方形に形成される構成であってもよい。この位置測定マーク 1 1 'を Y軸方向の位置合わせ精度の測定に用いるのであれば、 X軸に平行な辺の長 さ力 画像認識を用いて所定の精度でそのエッジを検出できる程度であればょ 、。 一方、 Y軸に平行な辺の長さは特に限定されない。したがって、図に示すような Y軸 方向に短!、長方形のほか、 Y軸方向に長!、長方形であってもよ 、。
[0034] また、三角形やその他の多角形であってもよい。また、直線部分を有する形状に限 らず、曲線部分を有する形状であってもよい。たとえば、浮島パターンのエッジに円 弧形状が含まれる形状であれば、検出されたエッジから円弧の中心を算出することが できる。したがって、円形、半月形、扇形などの形状であってもよい。
[0035] 位置測定マークが形成される位置は、ゲート信号線との相対的な位置関係を測定 できる位置であればよい。たとえば、本実施形態のように、ゲート信号線と補助容量 線とが同時に形成される構成であれば (換言すると、ゲート信号線と補助容量線との 相対的な位置関係が固定されている構成であれば)、補助容量線に重畳する位置で あってもよい。また、必ずしもゲート信号線または補助容量線に重畳する位置である 必要はない。たとえば、ゲート信号線または補助容量線の近傍の位置であってもよい 。ただし、絵素の開口部を低下させないためには、絵素の領域外であることが好まし い。
[0036] 位置測定マークが形成される層も、ソース信号線およびドレイン線のパターンが形 成される層と同じである必要ない。さらに、前記実施形態およびその変形例において は、位置測定マークがゲート信号線に完全に重畳する構成を示した力 必ずしも全 体が重畳する構成である必要はなぐ一部が重畳する構成であってもよい。
[0037] なお、前記実施形態においては、 Y軸方向の位置合わせ精度の測定に用いる構 成を示した力 X軸方向の位置合わせ精度の測定に用いることもできる。

Claims

請求の範囲
[1] 基板の表面に第一の導体パターンと第二の導体パターンとが絶縁層を挟んで積層 状に形成される表示パネル基板であって、前記第一の導体パターンと前記第二の導 体パターンとの位置合わせ精度を測定するための位置測定マークが浮島状に形成 されることを特徴とする表示パネル用の基板。
[2] 前記位置測定マークは、前記第一の導体パターンが形成される層または前記第二 の導体パターンが形成される層のいずれかと同じ層に形成されることを特徴とする請 求項 1に記載の表示パネル用の基板。
[3] 前記位置測定マークは、少なくともその一部が前記第一の導体パターンまたは前 記第二の導体パターンに重畳する位置に形成されることを特徴とする請求項 1または 請求項 2の表示パネル用の基板。
[4] 前記位置測定マークは、少なくとも一辺以上の直線部分を含む形状であることを特 徴とする請求項 1から請求項 3のいずれかに記載の表示パネル用の基板。
[5] 前記第一の導体パターンが形成される層は、ゲート信号線のパターンが形成される 層またはソース信号線およびドレイン線のパターンが形成される層のいずれか一方 の層であり、前記第二の導体パターンが形成される層は他方の層であることを特徴と する請求項 1から請求項 4のいずれかに記載の表示パネル用の基板。
[6] 請求項 1から請求項 5のいずれかに記載の表示パネル用の基板を備えることを特 徴とする表示パネル。
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