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TWI669831B - 發光裝置及剝離方法 - Google Patents

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TWI669831B
TWI669831B TW104105079A TW104105079A TWI669831B TW I669831 B TWI669831 B TW I669831B TW 104105079 A TW104105079 A TW 104105079A TW 104105079 A TW104105079 A TW 104105079A TW I669831 B TWI669831 B TW I669831B
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film
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作石達哉
內田裕
安達広樹
江口早紀
谷中順平
熊倉佳代
保本清治
横山浩平
千田章裕
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日商半導體能源研究所股份有限公司
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Abstract

提供一種撓性裝置。另外，提供一種能夠承受反復彎曲的撓性裝置。將構成撓性裝置的黏合層的硬度設定為高於邵氏D70，較佳為邵氏D80以上。將構成撓性裝置的撓性基板的膨脹係數設定為小於58ppm/℃，較佳為30ppm/℃以下。

Description

發光裝置及剝離方法
本發明的一個方式係關於一種發光裝置、顯示裝置、電子裝置、照明設備或者其製造方法。本發明的一個方式尤其係關於一種利用有機電致發光(Electroluminescence，以下也稱為EL)現象的發光裝置、顯示裝置、電子裝置、照明設備或者其製造方法。本發明的一個方式尤其係關於一種剝離方法或具有剝離製程的裝置的製造方法。
本發明的一個方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個方式關於一種物體、方法或製造方法。本發明的一個方式關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或組合物(composition of matter)。因此，明確而言，作為本說明書所公開的本發明的一個方式的技術領域的一個例子可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、這些裝置的驅動方法或者這些裝置的製造方法。
近年來，積極開發在具有撓性的基板(以下也稱為“撓性基板”)上設置有半導體元件、顯示元件或發光元件等功能元件的撓性裝置。作為撓性裝置的代表例子，除了照明設備和影像顯示裝置之外，還可以舉出包括電晶體等半導體元件的各種半導體電路等。
作為使用撓性基板的裝置的製造方法，已開發出在玻璃基板或石英基板等形成用基板上製造薄膜電晶體或有機EL元件等功能元件之後將該功能元件轉置到撓性基板的技術。在該方法中，需要將包含功能元件的被剝離層從形成用基板剝離的製程(也記為剝離製程)。
例如，在專利文獻1所公開的使用雷射燒蝕的剝離技術中，首先在基板上設置由非晶矽等形成的分離層，在該分離層上設置由薄膜元件形成的被剝離層，並使用黏合層將該被剝離層黏合到轉置體。然後，藉由雷射照射使分離層燒蝕來在分離層中產生剝離。
另外，在專利文獻2中記載有用手等物理力進行剝離的技術。在專利文獻2中，在基板與氧化物層之間形成金屬層，並利用氧化物層與金屬層的介面的結合較弱的特點來在使氧化物層與金屬層的介面處產生剝離，從而使被剝離層與基板分離。
[專利文獻1]日本專利申請公開平第10-125931號公報
[專利文獻2]日本專利申請第2003-174153號公報
本發明的一個方式的目的之一是提高剝離製程中的良率。本發明的一個方式的目的之一是抑制剝離製程中的無機絕緣膜等的裂縫(膜裂或裂口)的產生。
另外，本發明的一個方式的目的之一是提高半導體裝置、發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備等裝置的製程中的良率。尤其是，本發明的一個方式的目的之一是提高輕量、薄型或具有撓性的半導體裝置、發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備等裝置的製程中的良率。另外，本發明的一個方式的目的之一是抑制裝置的製程中的無機絕緣膜等的裂縫的產生。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種大量生產性高的裝置的製造方法。
另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種可靠性高的裝置。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種能夠承受反復彎曲的裝置。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的半導體裝置、發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備等裝置。
此外，本發明的一個方式的目的之一是減少裝置的製程中的塵埃的產生。另外，本發明的一個方式的目的之一是抑制在裝置的製程中雜質混入。此外，本發明的一個方式的目的之一是提高在裝置的製程中貼合基板時的位置對準的精度。此外，本發明的一個方式的目的之一 是提供一種新穎的剝離方法或裝置的製造方法。
注意，對上述目的的描述並不妨礙其他目的存在。注意，本發明的一個方式並不需要實現所有上述目的。上述目的外的目的從說明書、圖式、申請專利範圍等的描述中是顯而易見的，並且可以從所述描述中抽出。
本發明的一個方式是一種發光裝置，包括：第一基板；第二基板；元件層；第一黏合層；第二黏合層；以及絕緣層，其中，第一基板具有撓性，第二基板具有撓性，元件層設置在第一基板和第二基板之間，元件層包括發光元件，絕緣層設置在第一基板和元件層之間，第一黏合層設置在第一基板和絕緣層之間，第二黏合層設置在第二基板和元件層之間，第一黏合層包括第一部分，第二黏合層包括第二部分，第一部分的硬度高於邵氏(Shore)D(也稱為邵氏硬度D)70，第二部分的硬度高於邵氏D70，第一基板包括第三部分，第二基板包括第四部分，第三部分的膨脹係數小於58ppm/℃，第四部分的膨脹係數小於58ppm/℃。
在上述發光裝置中，第一部分的硬度較佳為邵氏D80以上，第二部分的硬度較佳為邵氏D80以上。
在上述發光裝置中，第三部分的膨脹係數較佳為30ppm/℃以下，第四部分的膨脹係數較佳為30ppm/℃以下。
另外，本發明的一個方式是一種包括第一製程至第六製程的剝離方法，其中，在第一製程中在第一基 板上形成剝離層，在第二製程中在剝離層上形成被剝離層，被剝離層包括第一層，第一層包括與剝離層接觸的區域，在第三製程中將黏合層配置為重疊於剝離層及被剝離層，作為黏合層使用薄片狀黏合劑，在第四製程中使黏合層固化，在第五製程中去除第一部分，第一層包括第一部分，第一部分包括與剝離層及黏合層互相重疊的部分，在第六製程中將剝離層和被剝離層分離。
在上述剝離方法的第五製程中，較佳藉由照射雷射去除第一部分。
在上述剝離方法的第三製程中，較佳以使黏合層的端部位於剝離層的端部內側的方式將剝離層與黏合層互相重疊。
在上述剝離方法的第四製程中固化的黏合層較佳為包括其硬度高於邵氏D70的部分。尤其是，該黏合層較佳為包括其硬度為邵氏D80以上的部分。
另外，本發明的一個方式的發光裝置包括：第一撓性基板；第二撓性基板；包括發光元件且位於第一撓性基板與第二撓性基板之間的元件層；第一撓性基板與元件層之間的絕緣層；第一撓性基板與絕緣層之間的第一黏合層；以及第二撓性基板與元件層之間的第二黏合層，其中，發光元件在一對電極之間包括含有發光有機化合物的層。
在上述發光裝置中，第一黏合層的硬度和第二黏合層的硬度中的至少一個較佳高於邵氏D70，佳為邵 氏D80以上。
在上述發光裝置中，第一撓性基板的膨脹係數和第二撓性基板的膨脹係數中的至少一個較佳小於58ppm/℃，更佳為30ppm/℃以下。
本發明的一個方式的剝離方法包括：在第一基板上形成剝離層的第一製程；在剝離層上形成包含與該剝離層接觸的第一層的被剝離層的第二製程；在使剝離層與被剝離層重疊的狀態下使黏合層固化的第三製程；去除與剝離層及黏合層重疊的第一層的一部分來形成剝離起點的第四製程；以及將剝離層和被剝離層分離的第五製程，其中，作為黏合層使用薄片狀黏合劑。
在上述剝離方法中，較佳藉由照射雷射形成剝離起點。
在上述剝離方法中，被剝離層較佳為包含無機絕緣膜。例如，第一層可以是無機絕緣膜。
在上述剝離方法中，較佳以使黏合層的端部位於剝離層的端部內側的方式將剝離層與黏合層互相重疊。
在上述剝離方法中，固化狀態的黏合層的硬度較佳高於邵氏D70，較佳為邵氏D80以上。
注意，本說明書中的發光裝置包括使用發光元件的顯示裝置。另外，在發光元件安裝有連接器諸如各向異性導電薄膜或TCP(Tape Carrier Package：捲帶式封裝)的模組、在TCP端部設置有印刷線路板的模組或者 藉由COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式在發光元件上直接安裝有IC(積體電路)的模組有時包括發光裝置。再者，照明設備等也有時包括發光裝置。
本發明的一個方式可以提高剝離製程中的良率。本發明的一個方式可以抑制剝離製程中的無機絕緣膜等的裂縫的產生。
另外，本發明的一個方式可以提高半導體裝置、發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備等裝置的製程中的良率。尤其是，本發明的一個方式可以提高輕量、薄型或具有撓性的半導體裝置、發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備等裝置的製程中的良率。另外，本發明的一個方式可以抑制裝置的製程中的無機絕緣膜等的裂縫的產生。另外，本發明的一個方式可以提供一種大量生產性高的裝置的製造方法。
另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種可靠性高的裝置。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種能夠承受反復彎曲的裝置。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的半導體裝置、發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備等裝置。
此外，本發明的一個方式可以減少裝置的製程中的塵埃的產生。另外，本發明的一個方式可以抑制在裝置的製程中雜質混入。此外，本發明的一個方式可以提高在裝置的製程中貼合基板時的位置對準的精度。此外，本發明的一個方式可以提供一種新穎的剝離方法或裝置的 製造方法。
注意，這些效果的描述不妨礙其他效果的存在。注意，本發明的一個方式並不需要具有所有上述效果。另外，上述效果以外的效果從說明書、圖式以及申請專利範圍等的描述中是顯而易見的，並且可以從說明書、圖式以及申請專利範圍等的描述中抽出。
98‧‧‧棒
99‧‧‧發光裝置
101‧‧‧形成用基板
103‧‧‧剝離層
104‧‧‧絕緣層
105‧‧‧被剝離層
106‧‧‧元件層
107‧‧‧黏合層
109‧‧‧基板
111‧‧‧黏合層
112‧‧‧黏合層
113‧‧‧樹脂層
114‧‧‧基板
115‧‧‧照射區域
117‧‧‧剝離開始區域
171‧‧‧黏合層
173‧‧‧基板
201‧‧‧形成用基板
203‧‧‧剝離層
204‧‧‧絕緣層
205‧‧‧被剝離層
206‧‧‧元件層
207‧‧‧黏合層
221‧‧‧形成用基板
223‧‧‧剝離層
224‧‧‧絕緣層
225‧‧‧被剝離層
226‧‧‧功能層
231‧‧‧基板
233‧‧‧黏合層
301‧‧‧顯示部
302‧‧‧像素
302B‧‧‧子像素
302G‧‧‧子像素
302R‧‧‧子像素
302t‧‧‧電晶體
303c‧‧‧電容器
303g(1)‧‧‧掃描線驅動電路
303g(2)‧‧‧攝像像素驅動電路
303s(1)‧‧‧影像信號線驅動電路
303s(2)‧‧‧攝像信號線驅動電路
303t‧‧‧電晶體
304‧‧‧閘極
308‧‧‧攝像像素
308p‧‧‧光電轉換元件
308t‧‧‧電晶體
309‧‧‧FPC
310‧‧‧可攜式資訊終端
311‧‧‧佈線
312‧‧‧顯示面板
313‧‧‧鉸鏈
315‧‧‧外殼
319‧‧‧端子
320‧‧‧可攜式資訊終端
321‧‧‧絕緣層
322‧‧‧顯示部
325‧‧‧非顯示部
328‧‧‧分隔壁
329‧‧‧間隔物
330‧‧‧可攜式資訊終端
333‧‧‧顯示部
335‧‧‧外殼
336‧‧‧外殼
337‧‧‧資訊
339‧‧‧操作按鈕
340‧‧‧可攜式資訊終端
345‧‧‧可攜式資訊終端
350R‧‧‧發光元件
351‧‧‧外殼
351R‧‧‧下部電極
352‧‧‧上部電極
353‧‧‧EL層
353a‧‧‧EL層
353b‧‧‧EL層
354‧‧‧中間層
355‧‧‧資訊
356‧‧‧資訊
357‧‧‧資訊
358‧‧‧顯示部
360‧‧‧黏合層
367BM‧‧‧遮光層
367p‧‧‧反射防止層
367R‧‧‧著色層
380B‧‧‧發光模組
380G‧‧‧發光模組
380R‧‧‧發光模組
390‧‧‧觸控面板
501‧‧‧顯示部
502R‧‧‧子像素
502t‧‧‧電晶體
503c‧‧‧電容器
503g‧‧‧掃描線驅動電路
503t‧‧‧電晶體
505‧‧‧觸控面板
505B‧‧‧觸控面板
509‧‧‧FPC
510‧‧‧基板
510a‧‧‧絕緣層
510b‧‧‧撓性基板
510c‧‧‧黏合層
511‧‧‧佈線
519‧‧‧端子
521‧‧‧絕緣膜
528‧‧‧分隔壁
550R‧‧‧發光元件
560‧‧‧黏合層
567BM‧‧‧遮光層
567p‧‧‧反射防止層
567R‧‧‧著色層
570‧‧‧基板
570a‧‧‧絕緣層
570b‧‧‧撓性基板
570c‧‧‧黏合層
580R‧‧‧發光模組
590‧‧‧基板
591‧‧‧電極
592‧‧‧電極
593‧‧‧絕緣層
594‧‧‧佈線
595‧‧‧觸控感測器
597‧‧‧黏合層
598‧‧‧佈線
599‧‧‧連接層
801‧‧‧基板
803‧‧‧基板
804‧‧‧發光部
806‧‧‧驅動電路部
808‧‧‧FPC
811‧‧‧黏合層
813‧‧‧絕緣層
814‧‧‧導電層
815‧‧‧絕緣層
816‧‧‧導電層
817‧‧‧絕緣層
817a‧‧‧絕緣層
817b‧‧‧絕緣層
820‧‧‧電晶體
821‧‧‧絕緣層
822‧‧‧電晶體
823‧‧‧黏合層
824‧‧‧黏合層
825‧‧‧連接器
827‧‧‧間隔物
830‧‧‧發光元件
831‧‧‧下部電極
833‧‧‧EL層
835‧‧‧上部電極
841‧‧‧黏合層
843‧‧‧絕緣層
845‧‧‧著色層
847‧‧‧遮光層
849‧‧‧保護層
857‧‧‧導電層
857a‧‧‧導電層
857b‧‧‧導電層
862‧‧‧EL層
864‧‧‧導電層
7100‧‧‧可攜式資訊終端
7101‧‧‧外殼
7102‧‧‧顯示部
7103‧‧‧腕帶
7104‧‧‧表扣
7105‧‧‧操作按鈕
7106‧‧‧輸入輸出端子
7107‧‧‧圖示
7200‧‧‧照明設備
7201‧‧‧底座
7202‧‧‧發光部
7203‧‧‧操作開關
7210‧‧‧照明設備
7212‧‧‧發光部
7220‧‧‧照明設備
7222‧‧‧發光部
7300‧‧‧顯示裝置
7301‧‧‧外殼
7302‧‧‧顯示部
7303‧‧‧操作按鈕
7304‧‧‧取出構件
7305‧‧‧控制部
7400‧‧‧行動電話機
7401‧‧‧外殼
7402‧‧‧顯示部
7403‧‧‧操作按鈕
7404‧‧‧外部連接埠
7405‧‧‧揚聲器
7406‧‧‧麥克風
7601‧‧‧支撐基板
7602‧‧‧剝離層
7603‧‧‧薄膜
7604‧‧‧膠帶
7605‧‧‧托輥
7606‧‧‧導輥
7611‧‧‧支撐基板
7612‧‧‧剝離層
7613‧‧‧層
7614‧‧‧層
在圖式中：圖1A至圖1F是示出發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖2A至圖2E是示出發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖3A至圖3D是示出發光裝置的一個例子的圖；圖4A至圖4E是示出發光裝置的一個例子的圖；圖5A至圖5E是說明剝離方法的圖；圖6A至圖6D是說明剝離方法的圖；圖7A至圖7C是說明剝離方法的圖；圖8A至圖8D是說明剝離方法的圖；圖9A至圖9D是說明剝離方法的圖；圖10A至圖10D是說明剝離方法的圖；圖11A至圖11C是說明剝離方法的圖；圖12A至圖12I是說明剝離層的平面形狀的圖；圖13A至圖13C是說明發光裝置的製造方法的圖； 圖14A至圖14C是說明發光裝置的製造方法的圖；圖15A至圖15C是說明發光裝置的製造方法的圖；圖16A至圖16C是說明發光裝置的製造方法的圖；圖17A和圖17B是說明發光裝置的製造方法的圖；圖18是示出製造過程中的發光裝置的照片；圖19A至圖19C是示出觸控面板的一個例子的圖；圖20A和圖20B是示出觸控面板的一個例子的圖；圖21A至圖21C是示出觸控面板的一個例子的圖；圖22A至圖22C是示出觸控面板的一個例子的圖；圖23A至圖23G是示出電子裝置及照明設備的一個例子的圖；圖24A至圖24I是示出電子裝置的一個例子的圖；圖25A至圖25C是說明彎曲試驗的照片及圖；圖26是說明彎折部分的圖；圖27A至27C是彎曲試驗及保存試驗的結果；圖28A至28C是彎曲試驗及保存試驗的結果；圖29A和圖29B是彎曲試驗機的照片；圖30A和圖30B是用於剝離試驗的裝置及樣本的結構例子；圖31A和圖31B是TDS分析的結果及剝離性的評價結果；圖32A和圖32B是TDS分析的結果及剝離性的評價結果；圖33是剝離性的評價結果； 圖34A和圖34B是TDS分析的結果及剝離性的評價結果；圖35A和圖35B是TDS分析的結果及剝離性的評價結果；圖36A和圖36B是TDS分析的結果及剝離性的評價結果；圖37A至37D是說明發光裝置的製造方法的圖。
參照圖式對實施方式進行詳細的說明。注意，本發明不侷限於以下說明，而所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅侷限於下面所示的實施方式所記載的內容中。
注意，在下面說明的發明結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反復說明。此外，當表示具有相同功能的部分時有時使用相同的陰影線，而不特別附加元件符號。
另外，為了便於理解，有時在圖式等中示出的各結構的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位置、大小及範圍等。因此，所公開的發明不一定侷限於圖式等所公開的位置、大小、範圍等。
實施方式1
在本實施方式中，參照圖1A至圖4E說明本發明的一個方式的發光裝置及其製造方法。
可以在形成用基板上形成被剝離層之後，將被剝離層從形成用基板剝離而轉置到其他基板。藉由利用該方法，例如可以將在耐熱性高的形成用基板上形成的被剝離層轉置到耐熱性低的基板。因此，被剝離層的製造溫度不會因耐熱性低的基板受到限制。藉由將被剝離層轉置到比形成用基板輕、薄或者撓性高的基板等，能夠實現半導體裝置、發光裝置、顯示裝置等各種裝置的輕量化、薄型化、撓性化。
另外，還能夠實現使用各種裝置的電視機、用於電腦等的顯示螢幕、數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再生裝置等電子裝置的輕量化、薄型化、撓性化。
能夠應用本發明的一個方式製造的裝置包括功能元件。作為功能元件，例如可以舉出：電晶體等半導體元件；發光二極體、無機EL元件、有機EL元件等發光元件；以及液晶元件等顯示元件。例如，使用電晶體的半導體裝置、使用發光元件的發光裝置(在此，包括使用電晶體及發光元件的顯示裝置)等也是能夠藉由應用本發明製造的裝置的一個例子。
例如，因為有機EL元件容易因水分等而劣 化，所以製造在防濕性低的有機樹脂基板上的有機EL元件的可靠性有時不充分。在本發明的一個方式中，可以在玻璃基板上以高溫形成防濕性高的保護膜而將該保護膜轉置到耐熱性及防濕性低且具有撓性的有機樹脂基板。藉由在轉置到有機樹脂基板的保護膜上形成有機EL元件，能夠製造可靠性高的撓性發光裝置。
另外，作為其他的例子，可以在玻璃基板上以高溫形成防濕性高的保護膜並在該保護膜上形成有機EL元件，然後，將保護膜以及有機EL元件從玻璃基板剝離而轉置到耐熱性及防濕性低且具有撓性的有機樹脂基板。藉由將保護膜以及有機EL元件轉置到有機樹脂基板，能夠製造可靠性高的撓性發光裝置。
在此，簡潔地說明裝置的兩個製造方法。注意，在本實施方式中，可以適當地參照實施方式2所說明的裝置的製造方法的詳細內容。
圖1A至圖1F示出具有一個剝離製程的裝置的製造方法。
首先，如圖1A所示那樣，在形成用基板101上隔著剝離層103形成絕緣層104(例如，上述防濕性高的保護膜)。如有必要，在絕緣層104上形成元件層106(例如，包括上述電晶體等的半導體元件及有機EL元件等元件的層)的至少一部分。然後，使用黏合層107將元件層106與基板109貼合在一起。注意，既可在貼合到基板109之前形成元件層106的一部分或全部，又可在將絕 緣層104轉置到基板114上之後在絕緣層104上形成元件層106。
接著，如圖1B所示那樣，使用剝離層103將形成用基板101從絕緣層104剝離。
然後，如圖1C所示那樣，使用黏合層112將露出的絕緣層104與基板114貼合在一起。
然後，藉由使黏合層107溶解或可塑化等來去除基板109(圖1D)。在圖1E中，在需要形成構成元件層106的層的一部分或全部的情況下，形成元件層106。例如，也可以在圖1A的步驟中預先進行完形成有機EL元件的下部電極的製程，並且在圖1E的步驟中在該下部電極上形成EL層及上部電極，以完成有機EL元件。在形成元件層106之後，如圖1F所示那樣，使用黏合層171將元件層106與基板173貼合在一起。藉由上述步驟，可以製造本發明的一個方式的裝置。
圖2A至圖2E示出具有兩個剝離製程的裝置的製造方法。
首先，在形成用基板201上隔著剝離層203形成絕緣層204(例如，上述防濕性高的保護膜)。在絕緣層204上形成元件層206(例如，包括上述電晶體等的半導體元件及有機EL元件等元件的層)。在形成用基板221上隔著剝離層223形成絕緣層224(例如，上述防濕性高的保護膜)。在絕緣層224上形成功能層226(例如，包括著色層、遮光層等的層。此外，也可以包括上述 電晶體等的半導體元件及有機EL元件等元件。)。然後，使兩個形成用基板的形成有剝離層的面相對，使用黏合層207將元件層206與功能層226貼合在一起(圖2A)。
接著，如圖2B所示那樣，使用剝離層203將形成用基板201從絕緣層204剝離。然後，如圖2C所示那樣，使用黏合層233將露出的絕緣層204與基板231貼合在一起。
接著，如圖2D所示那樣，使用剝離層223將形成用基板221從絕緣層224剝離。然後，如圖2E所示那樣，使用黏合層171將露出的絕緣層224與基板173貼合在一起。藉由上述步驟，可以製造本發明的一個方式的裝置。
在上述裝置的兩個製造方法中，在剝離形成用基板時有時在構成絕緣層、元件層、功能層的膜(典型地是無機絕緣膜)中產生裂縫(膜裂或裂口)。此外，即使剝離時所產生的裝置內的裂縫不是致命的，也有時因之後的製程(加熱處理等)或製造後的裝置的使用等而裂縫的數量增多或裂縫的大小增大。裝置內的裂縫的產生導致元件的工作故障或壽命縮短等，以使裝置的可靠性降低。
於是，在本發明的一個方式中，將用於裝置中的黏合層的硬度設定為高於邵氏D70。由此，可以抑制在剝離形成用基板時在構成絕緣層、元件層、功能層的膜(典型地是無機絕緣膜)中產生裂縫。並且，適用該結構 的撓性裝置能夠承受反復彎曲，所以是較佳的。例如，本發明的一個方式的裝置在彎曲時的曲率半徑的最小值可以為0.1mm以上且150mm以下，較佳為1mm以上且100mm以下，更佳為1mm以上且50mm以下，進一步佳為2mm以上且5mm以下。
例如，將硬度高於邵氏D70的黏合層用於上述黏合層107、黏合層112、黏合層171、黏合層207及黏合層233中的至少一個，即可。較佳的是，每個黏合層的硬度都高於邵氏D70。
或者，在本發明的一個方式中，將用於裝置的撓性基板的膨脹係數設定為小於58ppm/℃。由此，可以抑制在將絕緣層、元件層及功能層等轉置到撓性基板上之後在這些層中產生裂縫或者該產生的裂縫擴大。
例如，將膨脹係數小於58ppm/℃的基板用於上述基板114、基板173及基板231中的至少一個，即可。較佳的是，每個基板的膨脹係數都小於58ppm/℃。
明確而言，本發明的一個方式的發光裝置包括：第一撓性基板；第二撓性基板；第一撓性基板與第二撓性基板之間的元件層；第一撓性基板與元件層之間的絕緣層；第一撓性基板與絕緣層之間的第一黏合層；以及第二撓性基板與元件層之間的第二黏合層，其中，元件層包括發光元件。
在本發明的一個方式中，第一黏合層的硬度較佳高於邵氏D70，較佳為邵氏D80以上。
與此同樣，在本發明的一個方式中，第二黏合層的硬度較佳高於邵氏D70，較佳為邵氏D80以上。
在本發明的一個方式中，雖然第一黏合層及第二黏合層的硬度都較佳高於邵氏D70，較佳為邵氏D80以上，但是不侷限於此。也可以第一黏合層和第二黏合層中的僅一個的硬度高於邵氏D70。此外，在沒有將容易產生裂縫的層用作元件層及絕緣層的情況等下，根據情況，第一黏合層和第二黏合層的硬度也可以都為邵氏D70以下。
在本發明的一個方式中，第一撓性基板的膨脹係數較佳小於58ppm/℃，較佳為30ppm/℃以下。
與此同樣，在本發明的一個方式中，第二撓性基板的膨脹係數較佳小於58ppm/℃，較佳為30ppm/℃以下。
在本發明的一個方式中，雖然第一撓性基板及第二撓性基板的膨脹係數都較佳小於58ppm/℃，較佳為30ppm/℃以下，但是不侷限於此。也可以第一撓性基板和第二撓性基板中的僅一個的膨脹係數小於58ppm/℃。此外，在沒有將容易產生裂縫的層用作元件層及絕緣層的情況等下，根據情況，第一撓性基板和第二撓性基板的膨脹係數也可以都為58ppm/℃以上。
下面，對適用本發明的一個方式且使用發光元件的發光裝置的具體例子進行說明。
〈具體例子1〉
圖3A示出發光裝置的平面圖，圖3C示出圖3A的點劃線A1-A2間的剖面圖的一個例子。具體例子1所示的發光裝置為採用濾色片方式的頂部發射型發光裝置。在本實施方式中，發光裝置例如可以採用用R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)的三種顏色的子像素呈現一個顏色的結構、用R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)、W(白色)的四種顏色的子像素呈現一個顏色的結構等。對顏色要素沒有特別的限制，也可以使用RGBW以外的顏色，例如也可以使用黃色(yellow)、青色(cyan)、洋紅色(magenta)等。
圖3A所示的發光裝置包括發光部804、驅動電路部806、FPC(Flexible Printed Circuit：撓性印刷電路)808。包含在發光部804及驅動電路部806的發光元件或電晶體由基板801、基板803及黏合層823密封。
圖3C所示的發光裝置包括：基板801；黏合層811；絕緣層813；多個電晶體；導電層857；絕緣層815；絕緣層817；多個發光元件；絕緣層821；黏合層823；保護層(overcoat)849；著色層845；遮光層847；絕緣層843；黏合層841；以及基板803。黏合層823、保護層(overcoat)849、絕緣層843、黏合層841以及基板803使可見光透過。
在發光部804中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813包括電晶體820及發光元件830。發光 元件830包括絕緣層817上的下部電極831、下部電極831上的EL層833以及EL層833上的上部電極835。下部電極831與電晶體820的源極電極或汲極電極電連接。下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。下部電極831較佳為反射可見光。上部電極835使可見光透過。
此外，發光部804包括與發光元件830重疊的著色層845及與絕緣層821重疊的遮光層847。著色層845及遮光層847由保護層849覆蓋。在發光元件830與保護層849之間填充有黏合層823。
絕緣層815具有抑制雜質擴散到構成電晶體的半導體中的效果。另外，為了減小起因於電晶體的表面凹凸，作為絕緣層817較佳為選擇具有平坦化功能的絕緣層。
在驅動電路部806中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813包括多個電晶體。圖3C示出驅動電路部806所具有的電晶體中的一個電晶體。
使用黏合層811將絕緣層813與基板801貼合在一起。此外，使用黏合層841將絕緣層843與基板803貼合在一起。當作為絕緣層813及絕緣層843使用防濕性高的膜時，由於能夠抑制水分等雜質侵入發光元件830、電晶體820中，發光裝置的可靠性得到提高，所以是較佳的。
導電層857與將來自外部的信號(視訊信號、時脈信號、啟動信號或重設信號等)或電位傳達給驅動電 路部806的外部輸入端子電連接。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC808的例子。為了防止製程數量的增加，導電層857較佳為使用與用於發光部或驅動電路部的電極或佈線相同的材料、相同的製程製造。在此，示出使用與構成電晶體820的電極相同的材料、相同的製程製造導電層857的例子。
在圖3C所示的發光裝置中，FPC808位於基板803上。連接器825藉由設置於基板803、黏合層841、絕緣層843、黏合層823、絕緣層817及絕緣層815中的開口與導電層857連接。另外，連接器825連接於FPC808。FPC808與導電層857藉由連接器825電連接。當導電層857與基板803重疊時，藉由在基板803中形成開口(或者使用具有開口部的基板)，可以使導電層857、連接器825及FPC808電連接。
在具體例子1中，較佳將其硬度高於邵氏D70的黏合層用於黏合層811、黏合層841和黏合層823中的至少一個。較佳的是，將其硬度高於邵氏D70的黏合層用於黏合層811、黏合層841和黏合層823的每一個。由此，可以抑制在製造發光裝置時在絕緣層813、絕緣層843、電晶體、發光元件等中產生裂縫。並且，可以製造能夠承受反復彎曲的發光裝置。
在具體例子1中，較佳將其膨脹係數小於58ppm/℃的基板用於基板801和基板803中的至少一個，較佳兩個。由此，可以抑制在轉置到基板801或基板803 上的絕緣層813、絕緣層843、電晶體及發光元件等中產生裂縫或者該產生的裂縫擴大。並且，可以製造能夠承受反復彎曲的發光裝置。
〈具體例子2〉
圖3B示出發光裝置的平面圖，圖3D示出圖3B的點劃線A3-A4間的剖面圖的一個例子。具體例子2所示的發光裝置為與具體例子1不同的採用濾色片方式的頂部發射型發光裝置。在此，僅說明與具體例子1不同的部分，省略與具體例子1相同的部分的說明。
圖3D所示的發光裝置與圖3C所示的發光裝置的不同之處在於以下。
圖3D所示的發光裝置在絕緣層821上包括隔離物827。藉由設置隔離物827可以調整基板801與基板803之間的間隔。
另外，在圖3D所示的發光裝置中，基板801的大小與基板803不同。FPC808位於絕緣層843上，並且不與基板803重疊。連接器825藉由設置於絕緣層843、黏合層823、絕緣層817及絕緣層815中的開口與導電層857連接。因為不需要在基板803中設置開口，所以對基板803的材料沒有限制。
〈具體例子3〉
圖4A示出發光裝置的平面圖，圖4C示出圖4A的點 劃線A5-A6間的剖面圖的一個例子。具體例子3所示的發光裝置為採用分別塗布方式的頂部發射型發光裝置。
圖4A所示的發光裝置包括發光部804、驅動電路部806、FPC(Flexible Printed Circuit：撓性印刷電路)808。包含在發光部804及驅動電路部806的發光元件或電晶體由基板801、基板803、框狀黏合層824及黏合層823密封。
圖4C所示的發光裝置包括：基板801；黏合層811；絕緣層813；多個電晶體；導電層857；絕緣層815；絕緣層817；多個發光元件；絕緣層821；黏合層823；框狀黏合層824；以及基板803。黏合層823以及基板803使可見光透過。
框狀黏合層824的防濕性較佳高於黏合層823。由此，能夠抑制水分等雜質從外部侵入發光裝置內。因此，可以實現可靠性高的發光裝置。
在具體例子3中，發光元件830的發光經過黏合層823從發光裝置被提取。因此，黏合層823的透光性較佳比框狀黏合層824高。此外，黏合層823的折射率較佳比框狀黏合層824高。此外，黏合層823固化時的體積收縮較佳比框狀黏合層824小。
在發光部804中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813包括電晶體820及發光元件830。發光元件830包括絕緣層817上的下部電極831、下部電極831上的EL層833以及EL層833上的上部電極835。下 部電極831與電晶體820的源極電極或汲極電極電連接。下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。下部電極831較佳為反射可見光。上部電極835使可見光透過。
在驅動電路部806中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813包括多個電晶體。圖4C示出驅動電路部806所具有的電晶體中的一個電晶體。
使用黏合層811將絕緣層813與基板801貼合在一起。當作為絕緣層813使用防濕性高的膜時，由於能夠抑制水分等雜質侵入發光元件830、電晶體820中，發光裝置的可靠性得到提高，所以是較佳的。
導電層857與將來自外部的信號或電位傳達給驅動電路部806的外部輸入端子電連接。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC808的例子。另外，在此，示出使用與構成電晶體820的電極相同的材料、相同的製程製造導電層857的例子。
在圖4C所示的發光裝置中，FPC808位於基板803上。連接器825藉由設置於基板803、黏合層823、絕緣層817及絕緣層815中的開口與導電層857連接。另外，連接器825連接於FPC808。FPC808與導電層857藉由連接器825電連接。
在具體例子3中，較佳將其硬度高於邵氏D70的黏合層用於黏合層811和黏合層823中的至少一個，較佳兩個。由此，可以抑制在製造發光裝置時在絕緣層813、電晶體、發光元件等中產生裂縫。並且，可以製 造能夠承受反復彎曲的發光裝置。
在具體例子3中，較佳將其膨脹係數小於58ppm/℃的基板用於基板801和基板803中的至少一個，較佳兩個。由此，可以抑制在轉置到基板801上的絕緣層813、電晶體及發光元件等中產生裂縫或者該產生的裂縫擴大。並且，可以製造能夠承受反復彎曲的發光裝置。
〈具體例子4〉
圖4B示出發光裝置的平面圖，圖4D示出圖4B的點劃線A7-A8間的剖面圖的一個例子。具體例子4所示的發光裝置為採用濾色片方式的底部發射型發光裝置。
圖4D所示的發光裝置包括：基板801；黏合層811；絕緣層813；多個電晶體；導電層857；絕緣層815；著色層845；絕緣層817a；絕緣層817b；導電層816；多個發光元件；絕緣層821；黏合層823；以及基板803。基板801、黏合層811、絕緣層813、絕緣層815、絕緣層817a以及絕緣層817b使可見光透過。
在發光部804中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813包括電晶體820、電晶體822及發光元件830。發光元件830包括絕緣層817上的下部電極831、下部電極831上的EL層833以及EL層833上的上部電極835。下部電極831與電晶體820的源極電極或汲極電極電連接。下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。上部電極835較佳為反射可見光。下部電極831使可見光 透過。設置與發光元件830重疊的著色層845的位置沒有特別的限制，例如，設置在絕緣層817a與絕緣層817b之間或者在絕緣層815與絕緣層817a之間等，即可。
在驅動電路部806中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813包括多個電晶體。圖4D示出驅動電路部806所具有的電晶體中的兩個電晶體。
使用黏合層811將絕緣層813與基板801貼合在一起。當作為絕緣層813使用防濕性高的膜時，由於能夠抑制水分等雜質侵入發光元件830、電晶體820、822中，發光裝置的可靠性得到提高，所以是較佳的。
導電層857與將來自外部的信號或電位傳達給驅動電路部806的外部輸入端子電連接。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC808的例子。在此，示出使用與導電層816相同的材料、相同的製程製造導電層857的例子。
在具體例子4中，較佳將其硬度高於邵氏D70的黏合層用於黏合層811和黏合層823中的至少一個，較佳兩個。由此，可以抑制在製造發光裝置時在絕緣層813、電晶體、發光元件等中產生裂縫。並且，可以製造能夠承受反復彎曲的發光裝置。
在具體例子4中，較佳將其膨脹係數小於58ppm/℃的基板用於基板801和基板803中的至少一個，較佳兩個。由此，可以抑制在轉置到基板801上的絕緣層813、電晶體及發光元件等中產生裂縫或者該產生的裂縫 擴大。並且，可以製造能夠承受反復彎曲的發光裝置。
〈具體例子5〉
圖4E示出與具體例子1至具體例子4不同的發光裝置的例子。
圖4E所示的發光裝置包括基板801、黏合層811、絕緣層813、導電層814、導電層857a、導電層857b、發光元件830、絕緣層821、黏合層823以及基板803。
導電層857a及導電層857b是發光裝置的外部連接電極，並且可以與FPC等電連接。
發光元件830包括下部電極831、EL層833以及上部電極835。下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。發光元件830可以採用底部發射結構、頂部發射結構或雙面發射結構。位於提取光的一側的電極、基板、絕緣層等的每一個使可見光透過。導電層814與下部電極831電連接。
提取光的一側的基板作為光提取結構也可以具有半球透鏡、微透鏡陣列、具有凹凸結構的薄膜、光擴散薄膜等。例如，藉由使用具有與該基板、該透鏡或該薄膜相同程度的折射率的黏合劑等將上述透鏡或薄膜黏合於樹脂基板上，可以形成具有光提取結構的基板。
雖然導電層814不一定必須設置，但因為導電層814可以抑制起因於下部電極831的電阻的電壓下 降，所以較佳為設置。另外，出於同樣的目的，也可以在絕緣層821上、EL層833上或上部電極835上設置與上部電極835電連接的導電層。
導電層814可以藉由使用選自銅、鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹、鈧、鎳和鋁中的材料或以這些材料為主要成分的合金材料等，以單層或疊層形成。可以將導電層814的厚度例如設定為0.1μm以上且3μm以下，較佳為0.1μm以上且0.5μm以下。
當作為與上部電極835電連接的導電層的材料使用膏料(銀膏等)時，構成該導電層的金屬成為粒狀而凝集。因此，該導電層的表面成為粗糙且具有較多的間隙的結構，例如，即使在絕緣層821上形成該導電層，EL層833不容易完全覆蓋該導電層，從而上部電極與該導電層也容易電連接，所以是較佳的。
在具體例子5中，較佳將其硬度高於邵氏D70的黏合層用於黏合層811和黏合層823中的至少一個，較佳兩個。由此，可以抑制在製造發光裝置時在絕緣層813及發光元件等中產生裂縫。並且，可以製造能夠承受反復彎曲的發光裝置。
在具體例子5中，較佳將其膨脹係數小於58ppm/℃的基板用於基板801和基板803中的至少一個，較佳兩個。由此，可以抑制在轉置到基板801上的絕緣層813及發光元件等中產生裂縫或者該產生的裂縫擴大。並且，可以製造能夠承受反復彎曲的發光裝置。
〈材料的一個例子〉
接下來，說明可用於發光裝置的材料等。注意，有時省略本說明書中的前面已說明的結構。
作為基板，可以使用玻璃、石英、有機樹脂、金屬、合金等材料。提取來自發光元件的光一側的基板使用對該光具有透光性的材料。
尤其是，較佳為使用撓性基板。例如，可以使用有機樹脂或其厚度為足以具有撓性的玻璃、金屬、合金。
由於有機樹脂的比重小於玻璃，因此藉由作為撓性基板使用有機樹脂，與作為撓性基板使用玻璃的情況相比，能夠使發光裝置的重量輕，所以是較佳的。
作為基板較佳為使用韌性高的材料。由此，能夠實現抗衝擊性高且不易損壞的發光裝置。例如，藉由使用有機樹脂基板、厚度薄的金屬基板或合金基板，與使用玻璃基板的情況相比，能夠實現輕量且不易損壞的發光裝置。
由於金屬材料及合金材料的熱傳導率高，並且容易將熱量傳到基板整體，因此能夠抑制發光裝置的局部的溫度上升，所以是較佳的。使用金屬材料或合金材料的基板的厚度較佳為10μm以上且200μm以下，更佳為20μm以上且50μm以下。
對構成金屬基板或合金基板的材料沒有特別 的限制，例如，較佳為使用鋁、銅、鎳、鋁合金或不鏽鋼等金屬的合金等。
另外，當作為基板使用熱發射率高的材料時，能夠抑制發光裝置的表面溫度上升，從而能夠抑制發光裝置的損壞及可靠性的下降。例如，基板也可以採用金屬基板與熱發射率高的層(例如，可以使用金屬氧化物或陶瓷材料)的疊層結構。
作為具有撓性以及透光性的材料，例如可以舉出如下材料：聚酯樹脂諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂或聚氯乙烯樹脂等。尤其較佳為使用熱膨脹率低的材料，例如較佳為使用聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂以及PET等。另外，也可以使用將樹脂浸滲於纖維體中的基板(也稱為預浸料)或將無機填料混合到有機樹脂中來降低熱膨脹率的基板。
撓性基板可以是疊層結構，其中層疊使用上述材料的層與保護裝置的表面免受損傷等的硬塗層(例如，氮化矽層等)或能夠分散壓力的層(例如，芳族聚醯胺樹脂層等)等。
作為撓性基板也可以使用層疊有多個層的基板。尤其是，藉由採用具有玻璃層的結構，可以提高對水或氧的阻擋性而提供可靠性高的發光裝置。
例如，可以使用從離發光元件近的一側層疊有玻璃層、黏合層及有機樹脂層的撓性基板。將該玻璃層的厚度設定為20μm以上且200μm以下，較佳為25μm以上且100μm以下。這種厚度的玻璃層可以同時實現對水或氧的高阻擋性和撓性。此外，有機樹脂層的厚度為10μm以上且200μm以下，較佳為20μm以上且50μm以下。藉由在玻璃層的外側設置這種有機樹脂層，抑制玻璃層的破裂或縫裂來提高機械強度。藉由將這種玻璃材料和有機樹脂的複合材料應用於基板，可以實現可靠性極高的撓性發光裝置。
作為黏合層，可以使用紫外線固化黏合劑等光固化黏合劑、反應固化黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種固化黏合劑。作為這些黏合劑，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等。尤其較佳為使用環氧樹脂等透濕性低的材料。另外，也可以使用兩液混合型樹脂。此外，也可以使用黏合薄片等。
另外，在上述樹脂中也可以包含乾燥劑。例如，可以使用鹼土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)藉由化學吸附吸附水分的物質。或者，也可以使用沸石或矽膠等藉由物理吸附來吸附水分的物質。當在樹脂中包含乾燥劑時，能夠抑制水分等雜質侵入功能元件，從而提高發光裝置的可靠性，所以是較佳的。
此外，藉由在上述樹脂中混合折射率高的填料或光散射構件，可以提高來自發光元件的光的提取效率。例如，可以使用氧化鈦、氧化鋇、沸石、鋯等。
對發光裝置所具有的電晶體的結構沒有特別的限制。例如，可以採用交錯型電晶體或反交錯型電晶體。此外，還可以採用頂閘極型或底閘極型的電晶體結構。對於用於電晶體的半導體材料沒有特別的限制，例如可以舉出矽、鍺等。或者，也可以使用包含銦、鎵和鋅中的至少一個的氧化物半導體諸如In-Ga-Zn類金屬氧化物等。
對用於電晶體的半導體材料的結晶性也沒有特別的限制，可以使用非晶半導體或結晶半導體(微晶半導體、多晶半導體、單晶半導體或其一部分具有結晶區域的半導體)。當使用結晶半導體時可以抑制電晶體的特性劣化，所以是較佳的。
為了實現電晶體的特性穩定化等，較佳為設置基底膜。作為基底膜，可以使用氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氮氧化矽膜等無機絕緣膜並以單層或疊層製造。基底膜可以藉由濺射法、CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)法(電漿CVD法、熱CVD法、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金屬化學氣相沉積)法等)或ALD(Atomic Layer Deposition：原子層沉積)法、塗佈法、印刷法等形成。注意，基底膜若不需要則也可以不設置。在上述各結構實例 中，絕緣層813可以兼用作電晶體的基底膜。
作為發光元件，可以使用能夠進行自發光的元件，並且在其範疇內包括由電流或電壓控制亮度的元件。例如，可以使用發光二極體(LED)、有機EL元件以及無機EL元件等。
發光元件可以採用頂部發射結構、底部發射結構或雙面發射結構。作為提取光一側的電極使用使可見光透過的導電膜。另外，作為不提取光一側的電極較佳為使用反射可見光的導電膜。
作為使可見光透過的導電膜，例如可以使用氧化銦、銦錫氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等形成。另外，也可以藉由將金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料、包含這些金屬材料的合金或這些金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等形成得薄到足以具有透光性來使用。此外，可以將上述材料的疊層膜用作導電膜。例如，當使用銀和鎂的合金與ITO的疊層膜等時，可以提高導電性，所以是較佳的。另外，也可以使用石墨烯等。
作為反射可見光的導電膜，例如可以使用鋁、金、鉑、銀、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等金屬材料或包含這些金屬材料的合金。另外，也可以在上述金屬材料或合金中添加有鑭、釹或鍺等。此外，反射可見光的導電膜可以使用鋁和鈦的合金、鋁和鎳的合金、鋁和釹的合金等包含鋁的合金(鋁合金)以及銀和銅的合金、銀 和鈀和銅的合金、銀和鎂的合金等包含銀的合金來形成。包含銀和銅的合金具有高耐熱性，所以是較佳的。並且，藉由以與鋁合金膜接觸的方式層疊金屬膜或金屬氧化物膜，可以抑制鋁合金膜的氧化。作為該金屬膜、該金屬氧化膜的材料，可以舉出鈦、氧化鈦等。另外，也可以層疊上述使可見光透過的導電膜與由金屬材料構成的膜。例如，可以使用銀與ITO的疊層膜、銀和鎂的合金與ITO的疊層膜等。
各電極可以藉由利用蒸鍍法或濺射法形成。除此之外，也可以藉由利用噴墨法等噴出法、網版印刷法等印刷法、或者鍍法形成。
當對下部電極831與上部電極835之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時，電洞從陽極一側注入到EL層833中，而電子從陰極一側注入到EL層833中。被注入的電子和電洞在EL層833中再結合，由此，包含在EL層833中的發光物質發光。
EL層833至少包括發光層。作為發光層以外的層，EL層833也可以還包括包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電洞阻擋材料、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質或雙極性的物質(電子傳輸性及電洞傳輸性高的物質)等的層。
作為EL層833既可以使用低分子化合物，也可以使用高分子化合物，並還可以包含無機化合物。構成EL層833的層分別可以藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、轉 印法、印刷法、噴墨法、塗佈法等的方法形成。
發光元件較佳為設置於一對防濕性高的絕緣膜之間。由此，能夠抑制水分等雜質侵入發光元件中，從而能夠抑制發光裝置的可靠性下降。
作為防濕性高的絕緣膜，可以舉出氮化矽膜、氮氧化矽膜等含有氮與矽的膜以及氮化鋁膜等含有氮與鋁的膜等。另外，還可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等。
例如，將防濕性高的絕緣膜的水蒸氣透過量設定為1×10-5[g/m2．day]以下，較佳為1×10-6[g/m2．day]以下，更佳為1×10-7[g/m2．day]以下，進一步佳為1×10-8[g/m2．day]以下。
較佳將防濕性高的絕緣膜用於絕緣層813及絕緣層843。
作為絕緣層815，典型地可以使用無機絕緣膜諸如氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等。另外，作為絕緣層817、絕緣層817a及絕緣層817b，例如可以使用聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯并環丁烯類樹脂等有機材料。還可以使用低介電常數材料(low-k材料)等。此外，也可以層疊多個絕緣膜來形成各絕緣層。
絕緣層821使用有機絕緣材料或無機絕緣材料形成。作為樹脂，例如，可以使用聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、丙烯酸樹脂、矽氧烷樹脂、環氧樹脂或酚醛樹脂 等。並且，較佳為使用感光性的樹脂材料將絕緣層821形成為其側壁具有連續曲率的傾斜面。
對絕緣層821的形成方法沒有特別的限制，但是可以利用光微影法、濺射法、蒸鍍法、液滴噴射法(噴墨法等)、印刷法(網版印刷、平板印刷等)等。
間隔物827可以使用無機絕緣材料、有機絕緣材料或金屬材料等形成。例如，作為無機絕緣材料及有機絕緣材料，可以舉出可用於上述絕緣層的各種材料。此外，作為金屬材料可以使用鈦、鋁等。藉由使包含導電材料的間隔物827與上部電極835電連接，能夠抑制起因於上部電極835的電阻的電位下降。另外，間隔物827的形狀可以為正錐形或反錐形。
作為用作電晶體的電極或佈線、或者發光元件的輔助電極等的用於發光裝置的導電層，例如可以藉由使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹、鈧等金屬材料或含有上述元素的合金材料並以單層或疊層形成。另外，導電層可以使用導電金屬氧化物形成。作為導電金屬氧化物，可以使用氧化銦(In2O3等)、氧化錫(SnO2等)、氧化鋅(ZnO)、ITO、銦鋅氧化物(In2O3-ZnO等)或者在這些金屬氧化物材料中含有氧化矽的材料。
著色層是使特定波長區域的光透射的有色層。例如，可以使用透過紅色波長區的光的紅色(R)濾色片、透過綠色波長區的光的綠色(G)濾色片、透過藍色波長區的光的藍色(B)濾色片等。各著色層藉由使用 各種材料並利用印刷法、噴墨法、使用光微影法技術的蝕刻方法等在所需的位置形成。
遮光層設置在相鄰的著色層之間。遮光層遮擋從相鄰的發光元件射出的光，從而抑制相鄰的發光元件之間的混色。這裡，藉由以其端部與遮光層重疊的方式設置著色層，可以抑制漏光。遮光層可以使用遮擋發光元件的發光的材料，例如可以使用金屬材料以及包含顏料或染料的樹脂材料等形成黑矩陣。另外，藉由將遮光層設置於驅動電路部等發光部之外的區域中，可以抑制起因於波導光等的非意圖的漏光，所以是較佳的。
此外，也可以設置覆蓋著色層及遮光層的保護層。藉由設置保護層，可以防止包含在著色層中的雜質等擴散到發光元件。保護層由透射從發光元件發射的光的材料構成，例如可以使用氮化矽膜、氧化矽膜等無機絕緣膜或丙烯酸樹脂膜、聚醯亞胺膜等有機絕緣膜，也可以採用有機絕緣膜與無機絕緣膜的疊層結構。
此外，當將黏合層的材料塗佈於著色層及遮光層上時，作為保護層的材料較佳為使用對黏合層的材料具有高潤濕性的材料。例如，作為保護層，較佳為使用ITO膜等氧化物導電膜或其厚度薄得足以具有透光性的Ag膜等金屬膜。
作為連接器，可以使用對熱固性樹脂混合金屬粒子而得到且藉由熱壓合呈現各向異性的膏狀或片狀導電材料。作為金屬粒子，較佳為使用由金覆蓋鎳粒子的金 屬粒子等的兩種以上的金屬成為層狀的粒子。
注意，雖然在本實施方式中例示出使用發光元件的發光裝置進行說明，但是本發明的一個方式可以適用於半導體裝置、發光裝置、顯示裝置等的各種裝置。此外，本發明的一個方式也可以是具有觸控面板的裝置。
在本說明書等中，顯示元件、作為具有顯示元件的裝置的顯示裝置、發光元件以及作為具有發光元件的裝置的發光裝置可以採用各種方式或具有各種元件。顯示元件、顯示裝置、發光元件或發光裝置例如包括如EL元件(包含有機物及無機物的EL元件、有機EL元件、無機EL元件)、LED(白色LED、紅色LED、綠色LED、藍色LED等)、電晶體(根據電流發光的電晶體)、電子發射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、柵光閥(GLV)、電漿顯示面板(PDP)、使用MEMS(微機電系統)的顯示元件、數位微鏡裝置(DMD)、DMS(數位微快門)、IMOD(干涉調變)元件、快門方式的MEMS顯示元件、光干涉方式的MEMS顯示元件、電濕潤(electrowetting)元件、壓電陶瓷顯示器、使用碳奈米管的顯示元件等中的至少一個。除此之外，還可以包括對比度、亮度、反射率、穿透率等因電作用或磁作用而發生變化的顯示媒體。作為使用EL元件的顯示裝置的一個例子，有EL顯示器等。作為使用電子發射元件的顯示裝置的一個例子，有場致發射顯示器(FED)或SED方式平面型顯示器(SED：Surface-conduction Electron-emitter Display：表面傳導電子發射顯示器)等。 作為使用液晶元件的顯示裝置的一個例子，有液晶顯示器(透射型液晶顯示器、半透射型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)等。作為使用電子墨水、電子粉流體(ELECTRONIC LIQUID POWDER)(日本的註冊商標)或電泳元件的顯示裝置的一個例子，有電子紙等。注意，當實現半透過型液晶顯示器或反射型液晶顯示器時，使像素電極的一部分或全部具有反射電極的功能，即可。例如，像素電極的一部分或全部包含鋁、銀等，即可。此時，也可以將SRAM等記憶體電路設置在反射電極下。由此，進一步可以降低功耗。
例如，在本說明書等中可以採用在像素中具有主動元件(非線性元件)的主動矩陣方式或在像素中沒有主動元件的被動矩陣方式。
在主動矩陣方式中，作為主動元件，不僅可以使用電晶體，並且還可以使用各種主動元件。例如，也可以使用MIM(Metal Insulator Metal；金屬-絕緣體-金屬)或TFD(Thin Film Diode；薄膜二極體)等。由於這些元件的製程少，所以可以降低製造成本或提高良率。或者，由於這些元件的尺寸小，所以可以提高開口率，從而實現低功耗或高亮度化。
在被動矩陣方式中，因為不使用主動元件，所以製程少，從而可以降低製造成本或提高良率。或者，由於不使用主動元件，所以可以提高開口率，從而實現低功耗或高亮度化等。
注意，雖然在此示出使用顯示裝置進行各種顯示的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。例如，可以不顯示資訊。作為一個例子，也可以將顯示裝置用作照明設備而不用作顯示裝置。藉由將顯示裝置應用於照明設備，可以用作設計性高的室內照明。另外，可以將其用作能夠照射各種方向的照明。此外，也可以將其用作背光或前燈等光源而不用作顯示裝置。換言之，也可以將其用作用於顯示面板的照明設備。
以上，如本實施方式所示，在本發明的一個方式中，構成裝置的黏合層的硬度高(明確而言，高於邵氏D70)。此外，在本發明的一個方式中，構成裝置的撓性基板的膨脹係數小(明確而言，小於58ppm/℃)。由此，可以抑制在裝置的製程中在無機絕緣膜及元件中產生裂縫，或者即使在無機絕緣膜及元件中產生裂縫也可以抑制該產生的裂縫擴大。並且，可以製造可靠性高且能夠承受反復彎曲的裝置。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式2
在本實施方式中，參照圖5A至圖17B以及圖37A至圖37D說明本發明的一個方式的剝離方法以及本發明的一個方式的裝置的製造方法。
明確而言，本發明的一個方式是一種剝離方 法，包括如下製程：在第一基板上形成剝離層的第一製程；在剝離層上形成包含與該剝離層接觸的第一層的被剝離層的第二製程；使以與剝離層及被剝離層重疊的方式設置的黏合層固化的第三製程；去除與剝離層及黏合層重疊的第一層的一部分來形成剝離起點的第四製程；以及將剝離層和被剝離層分離的第五製程，其中作為黏合層使用薄片狀的黏合劑。
在本發明的一個方式中，在剝離層與被剝離層與固化狀態的黏合層重疊的區域中，去除第一層(包含在被剝離層中且與剝離層接觸的層)的一部分來形成剝離起點。藉由在上述區域中形成剝離起點，能夠提高剝離的良率。
在此，如圖6A的剖面圖中的以虛線圍繞的區域那樣，當以不與剝離層103重疊的方式使用黏合層111將形成用基板101與基板109貼合在一起時，有時根據形成用基板101與基板109之間的緊密性(或者，接觸於黏合層111的形成用基板101上的層與接觸於黏合層111的基板109上的層之間的緊密性)程度而使後面的剝離製程的良率降低。注意，圖6A示出從基板109一側觀看時的平面圖以及該平面圖中的點劃線A1-A2間的剖面圖(在平面圖中未圖示基板109)。
因此，在本發明的一個方式中，作為黏合層111較佳為使用薄片狀黏合劑。因為薄片狀黏合劑的流動性低，所以可以只配置在所希望的區域上。由此，可以抑 制由於黏合層擴張到剝離層的外側而導致剝離製程的良率下降。
此外，當作為黏合層使用流動性高的材料時，例如超出所希望的區域的材料會被浪費，並且還需花費時間將所超出的材料擦掉。藉由使用薄片狀黏合劑，可以降低材料的成本及製造裝置所需要的時間，所以是較佳的。
在本發明的一個方式的裝置包括多個黏合層的情況下，將薄片狀黏合劑用於至少一個黏合層，即可。尤其較佳將薄片狀黏合劑用於所有的黏合層。
此外，在沒有設置剝離層103一側的基板109能夠使用刀具等切割的情況下，也可以在基板109、黏合層111及被剝離層105中形成切口(參照圖6B的箭頭P2)。例如，可以使用切割器等鋒利的刀具形成切口。在此，示出在黏合層111與剝離層103重疊的區域中形成框狀的切口來形成以實線所示的形狀的剝離起點的例子。藉由使用該方法，即使形成用基板101與基板109之間的緊密性高，也可以在剝離層103和被剝離層105容易被剝離的狀態下進行剝離(圖6C)，由此可以抑制剝離製程的良率降低。
但是，切割基板109或黏合層111的方法具有如下問題，例如，需要時間，產生塵埃，表面上殘留有塵埃(基板109及黏合層111的殘留部分)的形成用基板101難以再次利用，切割器等鋒利的刀具磨損，等等，因 此有時不適於大量生產。此外，用來提高剝離的良率的方法(例如，為了形成明確的剝離起點而將鋒利的刀具等插入到剝離介面等方法)有時不適於大量生產。
因此，在本發明的一個方式中，較佳將薄片狀黏合劑用於黏合層，並且較佳藉由照射雷射形成剝離起點。藉由使用雷射，不需要為了形成剝離起點而切割基板等，從而能夠抑制塵埃等產生，所以是較佳的。此外，可以縮短形成剝離起點所需要的時間。此外，因為可以減少殘留在形成用基板101表面上的塵埃，所以容易再次利用形成用基板101。此外，因為將薄片狀黏合劑用於黏合層的方法不會磨損切割器等鋒利的刀具，所以具有能夠降低成本、容易適用於大量生產等優點。此外，因為可以藉由拉起任何一個基板的端部開始剝離，所以該方法是容易適用於大量生產的剝離方法。
另外，在本發明的一個方式中，也可以在固化狀態的黏合層的端部附近且剝離層與被剝離層重疊的區域中，去除第一層的一部分來形成剝離起點。在不與黏合層重疊的位置形成剝離起點的情況下，當剝離起點的形成位置與黏合層的距離近時，能夠確實地將剝離層和被剝離層分離，所以是較佳的，明確而言，較佳在距離黏合層端部1mm以內的位置形成剝離起點。
在上述剝離方法中，較佳以使黏合層的端部位於剝離層的端部內側的方式將剝離層與黏合層重疊。若黏合層具有不與剝離層重疊的區域，則有時根據該區域的 面積或黏合層與其所接觸的層的緊密性程度而容易發生剝離不良。因此，較佳以不位於剝離層外側的方式形成黏合層。另外，黏合層的端部與剝離層的端部也可以對齊。
在上述剝離方法中，固化狀態的黏合層的硬度較佳高於邵氏D70，更佳為邵氏D80以上。由此，可以抑制在剝離製程中在無機絕緣膜及元件中產生裂縫。此外，即使在無機絕緣膜及元件中產生裂縫也可以抑制該產生的裂縫擴大。並且，可以製造可靠性高且能夠承受反復彎曲的裝置。
下面，例示出兩種本發明的一個方式的剝離方法。
〈剝離方法1〉
首先，在形成用基板101上形成剝離層103，在剝離層103上形成被剝離層105(圖5A)。在此，雖然示出形成島狀的剝離層的例子，但不侷限於此。另外，也可以將被剝離層105形成為島狀。在該製程中，選擇在將被剝離層105從形成用基板101剝離時在形成用基板101與剝離層103的介面處、剝離層103與被剝離層105的介面處或剝離層103中產生剝離的材料。在本實施方式中，雖然例示出在被剝離層105與剝離層103的介面產生剝離的情況，但是根據用於剝離層103或被剝離層105的材料的組合而不限於此。注意，當被剝離層105採用疊層結構時，尤其將與剝離層103接觸的層記載為第一層。
例如，在剝離層103採用鎢膜與氧化鎢膜的疊層結構的情況下，當在鎢膜與氧化鎢膜的介面(或者介面附近)產生剝離時，也可以在被剝離層105一側殘留著剝離層103的一部分(在此為氧化鎢膜)。另外，殘留在被剝離層105一側的剝離層103也可以在剝離之後去掉。例如，為了去掉氧化鎢膜可以使用水或鹼性水溶液。此外，例如，還可以使用氨水和過氧化氫水的混合溶液、過氧化氫水、乙醇水溶液等。水及溶液能夠去掉氧化鎢膜的速度根據溫度而不同，所以適當地選擇即可。例如，與常溫的水相比，60℃左右的水容易去掉氧化鎢膜。
作為形成用基板101，使用至少可承受製程中的處理溫度的耐熱性的基板。作為形成用基板101，例如可以使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、半導體基板、陶瓷基板、金屬基板、樹脂基板以及塑膠基板等。
為了提高量產性，作為形成用基板101較佳為使用大型玻璃基板。例如，可以使用第3代(550mm×650mm)，第3.5代(600mm×720mm或620mm×750mm)，第4代(680mm×880mm或730mm×920mm)，第5代(1100mm×1300mm)，第6代(1500mm×1850mm)，第7代(1870mm×2200mm)，第8代(2200mm×2400mm)，第9代(2400mm×2800mm或2450mm×3050mm)，第10代(2950mm×3400mm)等的玻璃基板，或者，可以使用比上述玻璃基板大型的玻璃基板。
在作為形成用基板101使用玻璃基板的情況 下，在形成用基板101與剝離層103之間作為基底膜形成氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜等絕緣膜時，可以防止來自玻璃基板的污染，所以是較佳的。
剝離層103可以使用如下材料形成：選自鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、鋅、釕、銠、鈀、鋨、銥、矽中的元素；包含該元素的合金材料；或者包含該元素的化合物材料等。包含矽的層的結晶結構可以為非晶、微晶或多晶。此外，也可以使用氧化鋁、氧化鎵、氧化鋅、二氧化鈦、氧化銦、氧化銦錫、氧化銦鋅或In-Ga-Zn氧化物等金屬氧化物。當將鎢、鈦、鉬等高熔點金屬材料用於剝離層103時，被剝離層105的形成製程的彈性得到提高，所以是較佳的。
剝離層103例如可以藉由濺射法、電漿CVD法、塗佈法(包括旋塗法、液滴噴射法、分配器法等)、印刷法等形成。剝離層103的厚度例如為10nm以上且200nm以下，較佳為20nm以上且100nm以下。
當剝離層103採用單層結構時，較佳為形成鎢層、鉬層或者包含鎢和鉬的混合物的層。另外，也可以形成包含鎢的氧化物或氧氮化物的層、包含鉬的氧化物或氧氮化物的層、或者包含鎢和鉬的混合物的氧化物或氧氮化物的層。此外，鎢和鉬的混合物例如相當於鎢和鉬的合金。
另外，當作為剝離層103形成包含鎢的層和包含鎢的氧化物的層的疊層結構時，可以藉由形成包含鎢 的層且在其上層形成由氧化物形成的絕緣膜，來使包含鎢的氧化物的層形成在鎢層與絕緣膜的介面。此外，也可以對包含鎢的層的表面進行熱氧化處理、氧電漿處理、一氧化二氮(N2O)電漿處理、使用臭氧水等氧化性高的溶液的處理等形成包含鎢的氧化物的層。另外，電漿處理或加熱處理可以在單獨使用氧、氮、一氧化二氮的氛圍下或者在上述氣體和其他氣體的混合氣體氛圍下進行。藉由進行上述電漿處理或加熱處理來改變剝離層103的表面狀態，由此可以控制剝離層103和在後面形成的絕緣層之間的密接性。
另外，當能夠在形成用基板與被剝離層的介面進行剝離時，也可以不設置剝離層。例如，作為形成用基板使用玻璃基板，以接觸於玻璃基板的方式形成聚醯亞胺、聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚碳酸酯以及丙烯酸樹脂等有機樹脂。接著，藉由進行雷射照射及加熱處理，提高形成用基板與有機樹脂之間的緊密性。並且，在該有機樹脂上形成絕緣膜以及電晶體等。然後，藉由以比前面的雷射照射高的能量密度進行雷射照射或者以比前面的加熱處理高的溫度進行加熱處理，可以在形成用基板與有機樹脂的介面進行剝離。此外，當剝離時，也可以藉由將液體浸透到形成用基板與有機樹脂的介面進行分離。
在該方法中，由於在耐熱性低的有機樹脂上形成絕緣膜及電晶體等，因此在製程中不能對基板施加高溫度。在此，因為使用氧化物半導體的電晶體並不必須要 在高溫下形成，所以可以適當地在有機樹脂上形成。
另外，既可以將該有機樹脂用作構成裝置的基板，又可以去除該有機樹脂而使用黏合劑將被剝離層所露出的面與其他基板貼合在一起。
或者，也可以藉由在形成用基板與有機樹脂之間設置金屬層，並且藉由使電流流過該金屬層加熱該金屬層，在金屬層與有機樹脂的介面進行剝離。
對作為被剝離層105形成的層沒有特別的限制。在本實施方式中，作為被剝離層105，在剝離層103上形成與剝離層103接觸的絕緣層。並且，也可以在絕緣層上形成功能元件。
剝離層103上的絕緣層較佳為具有包括氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化矽膜或氮氧化矽膜等的單層或疊層結構。
該絕緣層可以藉由濺射法、電漿CVD法、塗佈法或印刷法等形成，例如藉由採用電漿CVD法在250℃以上且400℃以下的成膜溫度下形成該絕緣層，可以形成緻密且防濕性極高的膜。另外，絕緣層的厚度較佳為10nm以上且3000nm以下，更佳為200nm以上且1500nm以下。
接著，使用黏合層107將被剝離層105與基板109貼合在一起，並使黏合層107固化(圖5B)。在本實施方式中，作為黏合層107使用薄片狀黏合劑。
在此，圖5B相當於圖7A中的點劃線C1-C2 間的剖面圖。注意，圖7A是從基板109(未圖示)一側觀看時的平面圖。
黏合層107以與剝離層103及被剝離層105重疊的方式配置。並且，如圖7A所示那樣，黏合層107的端部較佳為不位於剝離層103的端部外側。當黏合層107具有不與剝離層103重疊的區域時，有時根據該區域的面積或黏合層107與其所接觸的層的緊密性程度而容易發生剝離不良。因此，黏合層107較佳為位於剝離層103內側，或者，黏合層107的端部較佳與剝離層103的端部對齊。
在本發明的一個方式中，作為黏合層107使用薄片狀黏合劑。因為薄片狀黏合劑具有低流動性，所以能夠只在所希望的區域中設置，由此，能夠抑制黏合層107擴張到剝離層103外側，並且能夠抑制剝離製程的良率下降。因此，能夠提高剝離製程的良率。
另外，如圖6D所示那樣，也可以在黏合層107外側設置樹脂層113。圖6D示出從基板109一側觀看時的平面圖以及該平面圖中的點劃線B1-B2間的剖面圖(在平面圖中未圖示基板109)。藉由設置樹脂層113，即便製程中的發光裝置暴露於大氣氛圍中也能夠抑制水分等雜質混入到被剝離層105中。
注意，較佳在減壓氛圍下將被剝離層105與基板109貼合在一起。
作為薄片狀黏合劑，可以使用能夠只在所希 望的區域中設置的流動性低的材料。例如，可以適當地使用OCA(Optical Clear Adhesive：光學透明雙面膠帶、光學透明膠)薄膜。此外，例如可以使用紫外線固化黏合劑等光固化黏合劑、反應固化黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種固化黏合薄片、黏結薄片、薄片狀或薄膜狀黏合劑等。作為這些黏合劑，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等。尤其較佳為使用環氧樹脂等透濕性低的材料。此外，當使用熱固性黏合劑時，無論基板109的透光性如何都能夠進行固化，由此，與使用光固化黏合劑的情況相比，基板109的材料的選擇範圍增大，所以是較佳的。
薄片狀黏合劑既可在貼合之前就具有黏結性，又可在貼合之後藉由加熱或光照射呈現黏結性。
另外，作為薄片狀黏合劑，也可使用可溶於水或溶劑的黏合劑、藉由照射紫外線等可使其可塑化的黏合劑等，在需要時能夠化學或物理性地將基板109和被剝離層105分離的黏合劑。例如，也可以適用使用水溶性樹脂的薄片狀黏合劑。
另外，在本發明的一個方式中，也可使用層疊有薄片狀黏合劑和基板的黏結薄膜、黏合薄膜等。
作為基板109，可以應用可用於形成用基板101的各種基板。另外，也可以使用薄膜等撓性基板。
作為樹脂層113，可以使用紫外線固化黏合劑等光固化黏合劑、反應固化黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種固化黏合劑。作為這些黏合劑，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等。尤其較佳為使用環氧樹脂等透濕性低的材料。另外，也可以使用兩液混合型樹脂。此外，也可以使用兩液混合型樹脂。
另外，在上述樹脂中也可以包含乾燥劑。例如，可以使用鹼土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)藉由化學吸附吸附水分的物質。或者，也可以使用沸石或矽膠等藉由物理吸附來吸附水分的物質。當在樹脂中包含乾燥劑時，能夠抑制起因於大氣中的水分侵入的功能元件劣化，從而提高裝置的可靠性，所以是較佳的。
另外，作為樹脂層113，也可使用可溶於水或溶劑的黏合劑、或者藉由照射紫外線等可使其可塑化的黏合劑等，在需要時能夠化學或物理性地將基板109和被剝離層105分離的黏合劑。例如，也可以使用水溶性樹脂。
當樹脂層113處於固化狀態時，有時根據形成用基板101與基板109的緊密性程度而使後面的剝離製程的良率下降。因此，較佳使樹脂層113的至少一部分處於半固化狀態或未固化狀態。藉由將黏度高的材料用於樹脂層113，即便樹脂層113處於半固化狀態或未固化狀態也能夠提高抑制大氣中的水分等雜質混入被剝離層105的 效果。
另外，例如，也可以藉由作為樹脂層113使用光硬化性樹脂並對其一部分照射光，使樹脂層113的一部分處於固化狀態。另外，藉由使樹脂層113的一部分處於固化狀態，在之後的製程中即使在將製造過程中的裝置從減壓氛圍中移動到大氣氛圍中的情況下，也能夠將形成用基板101與基板109的間隔及位置保持為一定，所以是較佳的。
接著，藉由照射雷射，形成剝離起點(圖5B和圖5C)。
對固化狀態的黏合層107與被剝離層105與剝離層103相互重疊的區域照射雷射(參照圖5B的箭頭P1)。雷射可以從任意的基板一側照射，但為了抑制散射的光照射到功能元件等，較佳從設置有剝離層103的形成用基板101一側照射。另外，照射雷射一側的基板使用使該雷射透過的材料。
藉由至少在第一層(包含在被剝離層105中且與剝離層103接觸的層)中形成裂縫(使膜裂或裂口產生)，可以去除第一層的一部分來形成剝離起點(參照圖5C中的以虛線圍繞的區域。在此示出去除構成被剝離層105的各層的一部分的例子。)。此時，除了第一層之外，還可以去除被剝離層105中的其他層、剝離層103或黏合層107的一部分。藉由照射雷射，可以使包含於被剝離層105、剝離層103或黏合層107中的膜的一部分溶 解、蒸發或熱破壞。
圖7B1至圖7B5是圖7A中的以點劃線圍繞的區域E的放大圖。各放大圖例示出雷射的照射區域115。圖7B1至圖7B5都是對固化狀態的黏合層107與剝離層103重疊的區域照射雷射的例子。
在進行剝離製程時較佳使被剝離層105與剝離層103分離的力量集中在剝離起點上，因此較佳在比固化狀態的黏合層107的中央部靠近端部附近的部分形成剝離起點。尤其是，在端部附近的部分當中，與邊部附近相比，更佳在角部附近形成剝離起點。例如，如圖7B1和圖7B3所示那樣，雷射的照射區域115也可以僅位於固化狀態的黏合層107與剝離層103重疊的區域。或者，如圖7B2、圖7B4和圖7B5所示那樣，除了固化狀態的黏合層107與剝離層103重疊的區域之外，雷射的照射區域115還可以位於該重疊的區域的外側。注意，如圖7B5所示那樣，以接觸於黏合層107的邊的方式照射雷射的情況也是對固化狀態的黏合層107與剝離層103重疊的區域照射雷射的方式之一。
另外，如圖7B3至圖7B5所示，當藉由斷續地對黏合層107的端部附近照射雷射而形成虛線狀的剝離起點時，容易進行剝離，所以是較佳的。
此外，如圖7C所示，也可以藉由連續或斷續地對固化狀態的黏合層107與剝離層103重疊的區域照射雷射來以框狀形成實線狀或虛線狀的剝離起點。
對用來形成剝離起點的雷射沒有特別的限制。例如，可以使用連續振盪型雷射或脈衝振盪型雷射。雷射的照射條件(頻率、功率密度、能量密度、束分佈(beam profile)等)根據形成用基板101及剝離層103的厚度或材料等而適當地控制。
接著，從所形成的剝離起點將被剝離層105與形成用基板101分離(圖5D、圖5E)。由此，可以將被剝離層105從形成用基板101轉置到基板109。此時，較佳將一個基板固定於吸附台等。例如，也可以將形成用基板101固定於吸附台，將被剝離層105從形成用基板101剝離。另外，也可以將基板109固定於吸附台，將形成用基板101從基板109剝離。
例如，利用物理力量(用手或夾具進行剝離的處理、或者使輥子轉動進行分離的處理等)從剝離起點將被剝離層105與形成用基板101分離，即可。
另外，也可以藉由使水等液體浸透到剝離層103與被剝離層105的介面來將形成用基板101與被剝離層105分離。由於毛細現象液體滲到剝離層103與被剝離層105之間，由此容易進行分離。此外，能夠抑制剝離時產生的靜電給包含在被剝離層105中的功能元件帶來不良影響(由於靜電而使半導體元件損壞等)。另外，也可以以霧狀或蒸氣噴射液體。作為液體，較佳為使用純水，也可以使用有機溶劑等。例如，也可以使用中性、鹼性、酸性的水溶液或者溶解有鹽的水溶液等。另外，也可以使用 氨水與過氧化氫水的混合溶液或者過氧化氫水等。
注意，在進行剝離後，也可以去除殘留在基板109上的無助於貼合被剝離層105與基板109的黏合層107或樹脂層113等。藉由去除這些，能夠抑制在後面的製程中給功能元件帶來不良影響(雜質的混入等)，所以是較佳的。例如，藉由擦掉或洗滌等，可以去除不需要的樹脂。
在上述的本發明的一個方式的剝離方法中，藉由照射雷射形成剝離起點，以使剝離層103與被剝離層105處於容易剝離的狀態，然後進行剝離。由此，能夠提高剝離製程的良率。
〈剝離方法2〉
首先，在形成用基板201上形成剝離層203，在剝離層203上形成被剝離層205(圖8A)。另外，在形成用基板221上形成剝離層223，在剝離層223上形成被剝離層225(圖8B)。
接著，使用黏合層207將形成用基板201與形成用基板221以各自的形成有被剝離層的面相對的方式貼合在一起，並使黏合層207固化(圖8C)。在本實施方式中，作為黏合層207使用薄片狀黏合劑。
另外，較佳在減壓氛圍下將形成用基板201與形成用基板221貼合在一起。
另外，在圖8C中，雖然示出剝離層203與剝 離層223的大小不同的情況，但也可以如圖8D所示那樣使用大小相同的剝離層。
黏合層207以與剝離層203、被剝離層205、被剝離層225及剝離層223重疊的方式配置。並且，黏合層207的端部較佳為位於剝離層203和剝離層223中的至少一個(要先剝離的層)的端部內側。由此，能夠抑制形成用基板201與形成用基板221緊緊黏合在一起，從而能夠抑制後面的剝離製程的良率下降。因為本發明的一個方式所使用的薄片狀黏合劑具有低流動性，所以可以只配置在所希望的區域上，因此是較佳的。
接著，藉由照射雷射形成剝離起點(圖9A、圖9B)。
先將形成用基板201和形成用基板221中的任何一個剝離都可以。當剝離層的大小不同時，既可以先剝離形成有大的剝離層的基板，又可以先剝離形成有小的剝離層的基板。當僅在一個基板上形成有半導體元件、發光元件、顯示元件等元件時，既可以先剝離形成有元件一側的基板，又可以先剝離另一個基板。在此，示出先將形成用基板201剝離的例子。
對固化狀態的黏合層207、被剝離層205、剝離層203互相重疊的區域照射雷射。(參照圖9A的箭頭P3)。
可以藉由去除第一層的一部分形成剝離起點(參照圖9B中的以虛線圍繞的區域)。此時，除了第一 層之外，還可以去除被剝離層205中的其他層、剝離層203或黏合層207的一部分。
較佳從設置有要剝離的剝離層的基板一側照射雷射。當對剝離層203與剝離層223重疊的區域照射雷射時，藉由在被剝離層205和被剝離層225中僅在被剝離層205形成裂縫，可以選擇性地剝離形成用基板201及剝離層203(參照圖9B中的以虛線圍繞的區域。在此示出去除構成被剝離層205的各層的一部分的例子。)。
當對剝離層203與剝離層223重疊的區域照射雷射時，若在剝離層203一側的被剝離層205和剝離層223一側的被剝離層225的兩者形成剝離起點，則有可能難以選擇性地剝離一個形成用基板。因此，為了僅在一個被剝離層形成裂縫，有時限制雷射的照射條件。
此時，黏合層207的端部較佳為位於剝離層203和剝離層223中的一個剝離層的端部內側及另一個剝離層的端部外側。例如，在圖11A中，黏合層207位於剝離層203的端部內側及剝離層223的端部外側。當採用圖11A所示的結構時，藉由對與剝離層203重疊且不與剝離層223重疊的區域照射雷射，能夠防止在剝離層203和剝離層223的兩者形成剝離起點(圖11B、圖11C)。由此，對雷射照射條件的限制減少，所以是較佳的。此時，雖然可以從任一基板一側照射雷射，但是為了抑制散射的光照射到功能元件等，較佳從設置有剝離層203的形成用基板201一側照射雷射。
接著，從所形成的剝離起點將被剝離層205與形成用基板201分離(圖9C、圖9D)。由此，可以將被剝離層205從形成用基板201轉置到形成用基板221。
接著，使用黏合層233將露出的被剝離層205與基板231貼合在一起，並使黏合層233固化(圖10A)。在本實施方式中，作為黏合層233使用薄片狀黏合劑。
注意，較佳在減壓氛圍下將被剝離層205與基板231貼合在一起。
接著，藉由照射雷射形成剝離起點(圖10B、圖10C)。
對固化狀態的黏合層233、被剝離層225、剝離層223互相重疊的區域照射雷射(參照圖10B的箭頭P4)。可以藉由去除第一層的一部分形成剝離起點(參照圖10C中的以虛線圍繞的區域。在此示出去除構成被剝離層225的各層的一部分的例子。)。此時，除了第一層之外，還可以去除被剝離層225中的其他層、剝離層223或黏合層233的一部分。
較佳從設置有剝離層223的形成用基板221一側照射雷射。
接著，從所形成的剝離起點將被剝離層225與形成用基板221分離(圖10D)。由此，可以將被剝離層205以及被剝離層225轉置到基板231。
注意，雖然在上述方法中示出將薄片狀黏合劑用於黏合層207和黏合層233的兩者的例子，但是本發 明的一個方式不侷限於此，例如可以將薄片狀黏合劑僅用於黏合層207和黏合層233中的一個。
另外，雖然在圖10A至圖10D中示出黏合層233的端部位於黏合層207的端部外側的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。例如，如圖37A至圖37D所示那樣，黏合層233的端部也可以位於黏合層207的端部內側。
在上述的本發明的一個方式的剝離方法中，在將分別設置有剝離層及被剝離層的一對形成用基板貼合在一起之後，藉由照射雷射形成剝離起點，使各自的剝離層與被剝離層處於容易剝離的狀態，然後進行剝離。由此，能夠提高剝離製程的良率。
另外，在預先將分別設置有被剝離層的一對形成用基板貼合之後，進行剝離，從而可以貼合構成要製造的裝置的基板。因此，當貼合被剝離層時，可以將撓性低的形成用基板相互貼合在一起，與將撓性基板相互貼合在一起時相比，能夠提高貼合時的位置對準精度。
〈剝離層的平面形狀〉
對本發明的一個方式所使用的剝離層的平面形狀沒有特別的限制。圖12A至圖12F示出剝離層的平面形狀的例子。圖12A至圖12F都示出剝離開始區域的一個例子。在剝離製程中，較佳使分離被剝離層與剝離層的力量集中在剝離起點上，因此與剝離層的中央部或邊部相比， 較佳在角部附近形成剝離起點。另外，也可以從除圖12A至圖12F所示的剝離開始區域117外的區域開始剝離。
如圖12A所示，當要從形成用基板101的角部開始剝離時，將該平面形狀設定為剝離層103的角部位於形成用基板101的角部，即可。如圖12B、圖12D至圖12F所示，當要從形成用基板101的邊部開始剝離時，將該平面形狀設定為剝離層103的角部位於形成用基板101的邊部，即可。如圖12C所示，剝離層103的角部也可以具有圓角。
如圖12G所示，要剝離的被剝離層105的端部較佳位於剝離層103的端部內側。由此，能夠提高剝離製程的良率。當具有多個要剝離的被剝離層105時，既可以如圖12H所示那樣對每個被剝離層105設置剝離層103，又可以如圖12I所示那樣在一個剝離層103上設置多個被剝離層105。
〈裝置的製造方法1〉
藉由使用本發明的一個方式的剝離方法可以製造各種裝置。以下示出使用本發明的一個方式的剝離方法製造包括發光元件的發光裝置的例子。適用本發明的一個方式能夠製造的裝置不侷限於此，例如，可以製造實施方式1所示的使用其他功能元件的裝置。
首先，示出使用上述剝離方法1的發光裝置的製造方法。關於已使用過的符號所說明的構成要素，其 材料等可以參照前面的說明。
注意，藉由改變被剝離層的結構，也可以使用相同的方法製造與實施方式1的具體例子3至具體例子5所示的發光裝置。
首先，如圖13A所示，在形成用基板101上依次形成剝離層103、絕緣層813、電晶體、絕緣層815、導電層857、絕緣層817。接著，形成與電晶體的源極電極或汲極電極電連接的下部電極831。然後，形成覆蓋下部電極831的端部的絕緣層821和絕緣層821上的間隔物827。在此，絕緣層813至間隔物827相當於被剝離層。
另外，如圖13B所示，在臨時支撐基板109上形成剝離用黏合劑的黏合層107。此時，作為剝離用黏合劑，使用能夠化學性或物理性地將基板109與被剝離層分離的黏合劑。雖然在本實施方式中使用薄片狀黏合劑，但是不侷限於此。
接著，使用黏合層107將基板109與形成用基板101貼合在一起，並使黏合層107固化。並且，藉由照射雷射，形成剝離起點(圖13C)。可以藉由至少去除絕緣層813的一部分形成剝離起點。在此，示出去除絕緣層813及剝離層103的一部分的例子。另外，在示出形成剝離起點的製程的各圖中，將形成有剝離起點的區域以虛線圍繞而示出。
從所形成的剝離起點將被剝離層與形成用基 板101分離。由此，被剝離層從形成用基板101轉置到基板109(圖14A)。
接著，使用黏合層811將從形成用基板101剝離並露出的絕緣層813與基板801貼合在一起(圖14B)。雖然在本實施方式中作為黏合層811使用薄片狀黏合劑，但是不侷限於此。
然後，使黏合層107溶解或可塑化，由此去除基板109。並且，用水或溶劑等去除黏合層107以使被剝離層(在此為間隔物827等)露出(圖14C)。
由此，可以將被剝離層從形成用基板101轉置到基板801上。
然後，在所露出的下部電極831及間隔物827上形成EL層及上部電極，並且使用黏合層(例如可以使用薄片狀黏合劑)將發光元件與基板貼合在一起。最後，使用各向異性導電材料將FPC貼合到輸入輸出端子部的各電極。若需要還可以安裝IC晶片等。另外，若撓性基板容易彎曲，則在設置FPC或TCP時有可能使貼合精度降低。因此，在設置FPC或TCP時，也可以用玻璃或矽橡膠等支撐所製造的裝置。由此，可確保FPC或TCP與功能元件之間的電連接。
〈裝置的製造方法2〉
下面，示出使用本發明的一個方式的剝離方法來製造圖3A和圖3C所示的採用濾光片方式的頂部發射結構的 發光裝置(上述具體例子1)的例子。
注意，藉由改變被剝離層的結構，也可以使用相同的方法製造實施方式1的具體例子2所示的發光裝置。
首先，如圖15A所示，在形成用基板201上形成剝離層203，在剝離層203上形成絕緣層813。接著，在絕緣層813上形成多個電晶體(電晶體820等)、導電層857、絕緣層815、絕緣層817、多個發光元件(發光元件830等)以及絕緣層821。注意，以使導電層857露出的方式對絕緣層821、絕緣層817以及絕緣層815進行開口。在此，在露出的導電層857上使用與發光元件的EL層相同的材料及相同的製程形成EL層862，在EL層862上使用與發光元件的上部電極相同的材料及相同的製程形成導電層864。注意，也可以不設置EL層862及導電層864。在此，絕緣層813至發光元件相當於被剝離層。
另外，如圖15B所示，在形成用基板221上形成剝離層223，並在剝離層223上形成絕緣層843。接著，在絕緣層843上形成遮光層847及著色層845(圖11B)。另外，雖然在此未圖示，但如圖3D所示，也可以設置覆蓋遮光層847及著色層845的保護層。在此，絕緣層843、遮光層847及著色層845相當於被剝離層。
接著，使用黏合層823將形成用基板201與形成用基板221貼合在一起，並使黏合層823固化。雖然 在本實施方式中作為黏合層823使用薄片狀黏合劑，但是不侷限於此。並且，藉由照射雷射形成剝離起點(圖15C)。在此，示出去除絕緣層813及剝離層203的一部分的例子。
在本製造方法中，在預先將分別設置有被剝離層的一對形成用基板貼合之後，進行剝離，從而可以與撓性基板貼合。因此，當貼合被剝離層時，可以將撓性低的形成用基板相互貼合在一起，與將撓性基板相互貼合在一起時相比，能夠提高貼合時的位置對準精度。因此，可以說該方法是將發光元件與濾色片貼合時的位置對準精度高的製造方法。
接著，從所形成的剝離起點將被剝離層與形成用基板201剝離。由此，被剝離層從形成用基板201轉置到形成用基板221(圖16A)。
接著，使用黏合層811將從形成用基板201剝離並露出的絕緣層813與基板801貼合在一起。雖然在本實施方式中作為黏合層811使用薄片狀黏合劑，但是不侷限於此。
接著，藉由照射雷射形成剝離起點(圖16B)。接著，從所形成的剝離起點將絕緣層843與形成用基板221分離(圖16C)。
由此，可以將被剝離層從形成用基板201及形成用基板221轉置到基板801上。
然後，進行使導電層857露出的製程以及使 用黏合層841將絕緣層843與基板803貼合在一起的製程。先進行哪個製程都可以。雖然在本實施方式中作為黏合層841使用薄片狀黏合劑，但是不侷限於此。
例如，藉由在絕緣層843以及黏合層823中形成開口，使導電層857露出。另外，在基板803與導電層857重疊的情況下，為了使導電層857露出，也在基板803以及黏合層841中形成開口。
對形成開口的方法沒有特別的限制，例如可以使用雷射燒蝕法、蝕刻法以及離子束濺射法等。另外，也可以使用針或切割器等鋒利的刀具等在導電層857上的膜中切開切口，然後利用物理力量將膜的一部分剝下來。
例如，利用去除了膜的一部分的區域來去除與導電層857重疊的基板803、黏合層841、絕緣層843、黏合層823、EL層862以及導電層864(圖17B)。例如，將具有黏性的輥子壓在基板803上，使該輥子轉動而相對地移動。或者，將具有黏性的膠帶貼合到基板803而剝離。由於EL層862與導電層864的緊密性或構成EL層862的層之間的緊密性低，因此在EL層862與導電層864的介面處或EL層862中產生分離。由此，可以選擇性地去除基板803、黏合層841、絕緣層843、黏合層823、EL層862以及導電層864的與導電層857重疊的區域。另外，當在導電層857上殘留有EL層862等時，使用有機溶劑等去除即可。圖18示出實際去除與導電層857重疊的絕緣層843等時的狀況。由此可知，如箭 頭所示，絕緣層843等部分地被剝離。
另外，只要能夠使導電層857露出且使導電層857在後面的製程中與FPC808電連接，就不限制去除與導電層857重疊的層的方法。若不需要則也可以不將EL層862或導電層864形成為與導電層857重疊。例如，當在EL層862中產生分離時也可以不設置導電層864。另外，根據所使用的材料，有時由於EL層862與黏合層823接觸而發生兩層的材料混合或兩層的介面變得不明確等的不良現象。在這種情況下，為了抑制發光裝置的可靠性下降，較佳在EL層862與黏合層823之間設置導電層864。
最後，使用各向異性導電材料(連接器825)將FPC808貼合到輸入輸出端子部的各電極(導電層857)。若需要還可以安裝IC晶片等。
在上述的本發明的一個方式的發光裝置的製造方法中，形成剝離起點，以使剝離層與被剝離層處於容易剝離的狀態，然後進行剝離。由此，能夠提高剝離製程的良率。因此，可以以高良率製造發光裝置。
因此，如本實施方式所示那樣，在本發明的一個方式中，使用薄片狀黏合劑製造裝置。因為薄片狀黏合劑的流動性低，所以可以只配置在所希望的區域上。由此，可以抑制由於黏合層擴張到剝離層的外側而導致剝離製程的良率下降。另外，可以提供一種具有如下優點的剝離方法及裝置的製造方法，該優點是能夠減少塵埃，縮短 製程時間，適於大量生產，等等。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式3
在本實施方式中，參照圖19A至22C說明能夠彎折的觸控面板的結構。另外，關於各層的材料，可以參照實施方式1。注意，雖然在本實施方式中例示使用發光元件的觸控面板，但不侷限於此。在本發明的一個方式中，例如能夠製造使用實施方式1所例示的其他元件的觸控面板。
注意，與在實施方式1中詳細說明的內容同樣，本實施方式的觸控面板較佳為適用其硬度高於邵氏D70的黏合層、其膨脹係數小於58ppm/℃的基板。與在實施方式2中詳細說明的內容同樣，本實施方式的觸控面板較佳為使用薄片狀黏合劑製造。
〈結構實例1〉
圖19A是觸控面板的俯視圖。圖19B是圖19A的點劃線A-B間及點劃線C-D間的剖面圖。圖19C是圖19A的點劃線E-F間的剖面圖。
如圖19A所示，觸控面板390包括顯示部301。
顯示部301具備多個像素302以及多個攝像 像素308。攝像像素308可以檢測觸摸到顯示部301的指頭等。由此，使用攝像像素308可以形成觸控感測器。
像素302具備多個子像素(例如為子像素302R)，該子像素具備發光元件及能夠供應用來驅動該發光元件的電力的像素電路。
像素電路與能夠供應選擇信號的佈線以及能夠供應影像信號的佈線電連接。
另外，觸控面板390具備能夠對像素302供應選擇信號的掃描線驅動電路303g(1)及能夠對像素302供應影像信號的影像信號線驅動電路303s(1)。
攝像像素308具備光電轉換元件以及用來驅動光電轉換元件的攝像像素電路。
攝像像素電路與能夠供應控制信號的佈線以及能夠供應電源電位的佈線電連接。
作為控制信號，例如可以舉出能夠選擇用於讀出所記錄的攝像信號的攝像像素電路的信號、能夠使攝像像素電路初始化的信號以及能夠決定攝像像素電路檢測光的時間的信號等。
觸控面板390具備能夠對攝像像素308供應控制信號的攝像像素驅動電路303g(2)及讀出攝像信號的攝像信號線驅動電路303s(2)。
如圖19B所示，觸控面板390包括基板510以及與基板510對置的基板570。
可以將具有撓性的材料適用於基板510及基 板570。
可以將雜質的透過得到抑制的材料用於基板510及基板570。例如，可以使用水蒸氣穿透率為10-5g/m2．day以下，較佳為10-6g/m2．day以下的材料。
基板510可以適用其線性膨脹係數與基板570大致相等的材料。例如，可以適用線性膨脹係數為1×10-3/K以下，較佳為5×10-5/K以下，更佳為1×10-5/K以下的材料。
基板510是疊層體，在該疊層體中層疊有撓性基板510b、用來防止雜質向發光元件擴散的絕緣層510a以及用來貼合撓性基板510b與絕緣層510a的黏合層510c。
基板570是疊層體，在該疊層體中層疊有撓性基板570b、用來防止雜質向發光元件擴散的絕緣層570a以及用來貼合撓性基板570b與絕緣層570a的黏合層570c。
例如，可以將含聚酯、聚烯烴、聚醯胺(尼龍、芳族聚醯胺等)、聚醯亞胺、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂、聚氨酯、環氧樹脂或具有矽氧烷鍵合的樹脂的材料用於黏合層。
黏合層560貼合基板570與基板510。黏合層560具有高於大氣的折射率。像素電路及發光元件(例如為發光元件350R)設置在基板510與基板570之間。
像素302具有子像素302R、子像素302G以 及子像素302B(圖19C)。另外，子像素302R具備發光模組380R，子像素302G具備發光模組380G，子像素302B具備發光模組380B。
例如，子像素302R具備發光元件350R以及包含能夠向發光元件350R供應電力的電晶體302t的像素電路(圖19B)。另外，發光模組380R具備發光元件350R以及光學元件(例如為著色層367R)。
發光元件350R包括下部電極351R、上部電極352以及下部電極351R與上部電極352之間的EL層353(圖19C)。
EL層353包括第一EL層353a、第二EL層353b以及第一EL層353a與第二EL層353b之間的中間層354。
發光模組380R在基板570上具有著色層367R。著色層只要使具有特定的波長的光透過即可，例如，可以使用使呈現紅色、綠色或藍色等的光選擇性地透過的著色層。此外，也可以設置使發光元件發射的光直接透過的區域。
例如，發光模組380R具有與發光元件350R及著色層367R接觸的黏合層360。
著色層367R位於與發光元件350R重疊的位置。由此，發光元件350R所發射的光的一部分透過黏合層360及著色層367R，而向圖19B和圖19C中的箭頭的方向發射到發光模組380R的外部。
觸控面板390在基板570上具有遮光層367BM。以包圍著色層(例如為著色層367R)的方式設置有遮光層367BM。
觸控面板390具備與顯示部301重疊的反射防止層367p。作為反射防止層367p，例如可以使用圓偏光板。
觸控面板390具備絕緣層321。該絕緣層321覆蓋電晶體302t。另外，可以將絕緣層321用作使起因於像素電路的凹凸平坦化的層。此外，可以將層疊有能夠抑制雜質向電晶體302t等擴散的層的絕緣層用於絕緣層321。
觸控面板390在絕緣層321上具有發光元件(例如為發光元件350R)。
觸控面板390在絕緣層321上具有與下部電極351R的端部重疊的分隔壁328。另外，在分隔壁328上具有用來控制基板510與基板570的間隔的間隔物329。
影像信號線驅動電路303s(1)包括電晶體303t以及電容器303c。另外，可以藉由與像素電路相同的製程在相同的基板上形成驅動電路。如圖19B所示，電晶體303t可以在絕緣層321上設置有第二閘極304。既可使第二閘極304與電晶體303t的閘極電連接，又可對第二閘極304以及電晶體303t的閘極施加不同的電位。另外，若需要，則可以在電晶體308t或電晶體302t等中分 別設置第二閘極304。
攝像像素308具備光電轉換元件308p以及用來檢測照射到光電轉換元件308p的光的攝像像素電路。另外，攝像像素電路包括電晶體308t。
例如，可以將pin型光電二極體用於光電轉換元件308p。
觸控面板390具備能夠供應信號的佈線311，並且該佈線311設置有端子319。另外，能夠供應影像信號及同步信號等信號的FPC309(1)與端子319電連接。另外，該FPC309(1)也可以安裝有印刷線路板(PWB)。
可以將藉由相同的製程形成的電晶體用於電晶體302t、電晶體303t、電晶體308t等電晶體。
另外，作為可用於電晶體的閘極、源極、汲極或者構成觸控面板的各種佈線及電極的材料，使用鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭或鎢等金屬或以該金屬為主要成分的合金的單層或疊層。例如，可以舉出包含矽的鋁膜的單層結構、在鈦膜上層疊鋁膜的兩層結構、在鎢膜上層疊鋁膜的兩層結構、在銅-鎂-鋁合金膜上層疊銅膜的兩層結構、在鈦膜上層疊銅膜的兩層結構、在鎢膜上層疊銅膜的兩層結構、依次層疊鈦膜或氮化鈦膜、鋁膜或銅膜和鈦膜或氮化鈦膜的三層結構、依次層疊鉬膜或氮化鉬膜、鋁膜或銅膜和鉬膜或氮化鉬膜的三層結構等。此外，也可以使用包含氧化銦、氧化錫或氧化鋅的透明導電 材料。此外，使用包含錳的銅會提高蝕刻時的形狀控制性，所以是較佳的。
〈結構實例2〉
圖20A和圖20B是觸控面板505的透視圖。注意，為了明確起見，示出典型的構成要素。圖21A至圖21C是圖20A所示的點劃線X1-X2間的剖面圖。
觸控面板505具備顯示部501及觸控感測器595(圖20B)。另外，觸控面板505具有基板510、基板570以及基板590。此外，基板510、基板570以及基板590都具有撓性。
顯示部501包括：基板510；基板510上的多個像素；以及基板510上的能夠向該像素供應信號的多個佈線511。多個佈線511被引導到基板510的外周部，其一部分構成端子519。端子519與FPC509(1)電連接。
基板590具備觸控感測器595以及多個與觸控感測器595電連接的佈線598。多個佈線598被引導在基板590的外周部，其一部分構成端子。並且，該端子與FPC509(2)電連接。另外，為了明確起見，在圖20B中由實線示出設置在基板590的背面一側(與基板510相對的面一側)的觸控感測器595的電極以及佈線等。
作為觸控感測器595，例如可以使用電容式觸控感測器。作為電容式觸控感測器，可以舉出表面電容式觸控感測器、投影電容式觸控感測器等。
作為投影電容式觸控感測器，可以舉出自電容式觸控感測器、互電容式觸控感測器等，這些主要根據驅動方式的差異而區分。當使用互電容式觸控感測器時，可以同時進行多點檢測，所以是較佳的。
下面，參照圖20B說明採用投影電容式觸控感測器的情況。
另外，可以應用能夠檢測出指頭等檢測目標接近或接觸的各種感測器。
投影電容式觸控感測器595具有第一電極591及第二電極592。第一電極591與多個佈線598中的一個電連接，第二電極592與多個佈線598中的另一個電連接。
如圖20A和20B所示，第二電極592具有在一個方向上配置的多個四邊形的每個角部相互連接的形狀。
第一電極591是四邊形，並在與第二電極592延伸的方向交叉的方向上連續地配置。
佈線594使夾著一個第二電極592的兩個第一電極591電連接。此時，較佳為具有第二電極592與佈線594的交叉部的面積儘量小的形狀。由此，可以減少沒有設置電極的區域的面積，從而可以降低透射率的不均勻。其結果，可以降低透過觸控感測器595的光的亮度不均勻。
另外，第一電極591及第二電極592的形狀 不侷限於此，可以具有各種形狀。例如，也可以採用如下結構：將多個帶狀第一電極配置為儘量沒有間隙，並且以與第一電極交叉的方式隔著絕緣層設置多個帶狀第二電極。此時，也可以間隔開地設置相鄰的兩個第二電極。並且，藉由在相鄰的兩個第二電極之間設置與這些電絕緣的虛擬電極，可以減少透射率不同的區域的面積，所以是較佳的。
觸控感測器595包括：基板590；基板590上的配置為交錯形狀的第一電極591及第二電極592；覆蓋第一電極591及第二電極592的絕緣層593；以及使相鄰的第一電極591電連接的佈線594。
如圖20B及21A所示，黏合層597以觸控感測器595與顯示部501重疊的方式將基板590貼合於基板570。
第一電極591及第二電極592使用透光導電材料形成。作為透光導電材料，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等導電氧化物。另外，也可以使用包含石墨烯的膜。包含石墨烯的膜例如可以使形成為膜狀的氧化石墨烯還原而形成。作為還原方法，可以採用進行加熱的方法等。
在藉由濺射法在基板590上形成由透光導電材料構成的膜之後，可以藉由光微影法等各種圖案化技術去除不需要的部分來形成第一電極591及第二電極592。
此外，作為用於絕緣層593的材料，除了丙 烯酸樹脂、環氧樹脂、具有矽氧烷鍵的樹脂之外，例如還可以使用氧化矽、氧氮化矽、氧化鋁等無機絕緣材料。
另外，達到第一電極591的開口設置在絕緣層593中，並且佈線594電連接相鄰的第一電極591。此外，作為佈線594較佳為使用透光導電材料，因為可以提高觸控面板的開口率。另外，作為佈線594較佳為使用其導電性高於第一電極591及第二電極592的材料，因為可以降低電阻。
每個第二電極592延在一個方向上，多個第二電極592設置為條紋狀。
佈線594以與多個第二電極592中的一個交叉的方式設置。
夾著多個第二電極592中的一個設置有一對第一電極591，並且佈線594電連接一對第一電極591。
另外，多個第一電極591不一定必須設置在與多個第二電極592中的一個正交的方向上。
一個佈線598與第一電極591或第二電極592電連接。佈線598的一部分用作端子。作為佈線598，例如可以使用金屬材料諸如鋁、金、鉑、銀、鎳、鈦、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等或者包含該金屬材料的合金材料。
另外，藉由設置覆蓋絕緣層593及佈線594的絕緣層，可以保護觸控感測器595。
另外，連接層599電連接佈線598與FPC509 (2)。
作為連接層599，可以使用各種異方性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)、異方性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。
黏合層597具有透光性。例如，可以使用熱固性樹脂、紫外線硬化性樹脂，明確而言，可以使用丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂或具有矽氧烷鍵的樹脂等的樹脂。
顯示部501具備配置為矩陣狀的多個像素。像素具備顯示元件及驅動顯示元件的像素電路。
雖然在本實施方式中說明將發射白色光的發光元件應用於顯示元件的情況，但是顯示元件不侷限於此。
例如，也可以將發光顏色不同的發光元件適用於每個子像素，以使每個子像素的發光顏色不同。
基板510、基板570以及密封層560可以採用與結構實例1相同的結構。
像素包含子像素502R，子像素502R具備發光模組580R。
子像素502R具備發光元件550R以及包含能夠向發光元件550R供應電力的電晶體502t的像素電路。另外，發光模組580R具備發光元件550R以及光學元件(例如為著色層567R)。
發光元件550R包括下部電極、上部電極以及 下部電極與上部電極之間的EL層。
發光模組580R在提取光的一側具有著色層567R。
另外，在密封層560設置在提取光的一側的情況下，密封層560接觸於發光元件550R及著色層567R。
著色層567R位於與發光元件550R重疊的位置。由此，發光元件550R所發射的光的一部分透過著色層567R，而向圖21A所示的箭頭的方向發射到發光模組580R的外部。
顯示部501在發射光的一側具有遮光層567BM。以包圍著色層(例如為著色層567R)的方式設置有遮光層567BM。
顯示部501具備與像素重疊的反射防止層567p。作為反射防止層567p，例如可以使用圓偏光板。
顯示部501具備絕緣膜521。該絕緣膜521覆蓋電晶體502t。另外，可以將絕緣膜521用作使起因於像素電路的凹凸平坦化的層。此外，可以將包含能夠抑制雜質的擴散的層的疊層膜適用於絕緣膜521。由此，能夠抑制因雜質的擴散而導致的電晶體502t等的可靠性下降。
顯示部501在絕緣膜521上具有發光元件(例如為發光元件550R)。
顯示部501在絕緣膜521上具有與下部電極的端部重疊的分隔壁528。另外，在分隔壁528上具有用 來控制基板510與基板570的間隔的間隔物。
掃描線驅動電路503g(1)包括電晶體503t以及電容器503c。另外，可以藉由與像素電路相同的製程在相同的基板上形成驅動電路。
顯示部501具備能夠供應信號的佈線511，並且該佈線511設置有端子519。另外，能夠供應影像信號及同步信號等信號的FPC509(1)與端子519電連接。
另外，該FPC509(1)也可以安裝有印刷線路板(PWB)。
顯示部501具備掃描線、信號線以及電源線等佈線。可以將上述各種導電膜用於佈線。
另外，可以將各種電晶體適用於顯示部501。圖21A和21B示出將底閘極型電晶體用於顯示部501的情況的結構。
例如，可以將包含氧化物半導體、非晶矽等的半導體層用於圖21A所示的電晶體502t及電晶體503t。
例如，可以將包含藉由雷射退火法等處理結晶化了的多晶矽的半導體層用於圖21B所示的電晶體502t及電晶體503t。
此外，圖21C示出將頂閘極型電晶體用於顯示部501的情況的結構。
例如，可以將包含多晶矽或從單晶矽基板等轉置了的單晶矽膜等的半導體層用於圖21C所示的電晶體 502t及電晶體503t。
〈結構實例3〉
圖22A至圖22C是觸控面板505B的剖面圖。在本實施方式中說明的觸控面板505B與結構實例2的觸控面板505的不同之處在於：具備將被供應的影像資料顯示在設置有電晶體的一側的顯示部501；以及將觸控感測器設置在顯示部的基板510一側。在此，對不同的結構進行詳細說明，關於可以使用同樣的結構的部分，援用上述說明。
著色層567R位於與發光元件550R重疊的位置。另外，圖22A所示的發光元件550R向設置有電晶體502t的一側發射光。由此，發光元件550R發射的光的一部分透過著色層567R，而向在圖22A中的箭頭的方向發射到發光模組580R的外部。
顯示部501在發射光的一側具有遮光層567BM。以包圍著色層(例如為著色層567R)的方式設置有遮光層567BM。
觸控感測器595設置在顯示部501的基板510一側(圖22A)。
黏合層597設置在基板510與基板590之間，貼合顯示部501和觸控感測器595。
另外，可以將各種電晶體適用於顯示部501。圖22A及22B示出將底閘極型電晶體用於顯示部501的情況的結構。
例如，可以將包含氧化物半導體、非晶矽等的半導體層用於圖22A所示的電晶體502t及電晶體503t。
例如，可以將包含多晶矽等的半導體層用於圖22B所示的電晶體502t及電晶體503t。
圖22C示出將頂閘極型電晶體用於顯示部501的情況的結構。
例如，可以將包含多晶矽或從單晶矽基板等轉置了的單晶矽膜等的半導體層用於圖22C所示的電晶體502t及電晶體503t。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式4
在本實施方式中，參照圖23A至圖23G以及圖24A至圖24I說明能夠使用本發明的一個方式來製造的電子裝置以及照明設備。
藉由使用本發明的一個方式，能夠以高良率製造可用於電子裝置或照明設備的發光裝置、顯示裝置、半導體裝置等各種裝置。另外，藉由使用本發明的一個方式，能夠以高生產率製造具有撓性的電子裝置或照明設備。另外，藉由使用本發明的一個方式，能夠製造可靠性高且能夠承受反復彎曲的電子裝置或照明設備。
作為電子裝置，例如可以舉出電視機(也稱為 電視或電視接收機)、用於電腦等的顯示器、數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音訊播放裝置、彈珠機等大型遊戲機等。
此外，由於使用本發明的一個方式製造的裝置具有撓性，因此也可以將該裝置沿著房屋及高樓的內壁或外壁、汽車的內部裝飾或外部裝飾的曲面組裝。
圖23A示出行動電話機的一個例子。行動電話機7400除了組裝在外殼7401的顯示部7402之外還具備操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。另外，將使用本發明的一個方式製造的顯示裝置用於顯示部7402來製造行動電話機7400。藉由本發明的一個方式，能夠以高良率提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的行動電話機。
在圖23A所示的行動電話機7400中，藉由用手指等觸摸顯示部7402可以輸入資訊。此外，藉由用手指等觸摸顯示部7402可以進行打電話或輸入文字等所有操作。
此外，藉由操作按鈕7403的操作，可以進行電源的ON、OFF工作或切換顯示在顯示部7402的影像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。
圖23B是手錶型可攜式資訊終端的一個例子。可攜式資訊終端7100包括外殼7101、顯示部7102、 腕帶7103、表扣7104、操作按鈕7105、輸入輸出端子7106等。
可攜式資訊終端7100可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、網路通信、電腦遊戲等各種應用程式。
顯示部7102的顯示面是彎曲的，能夠沿著彎曲的顯示面進行顯示。另外，顯示部7102具備觸控感測器，可以用手指或觸控筆等觸摸畫面來進行操作。例如，藉由觸摸顯示於顯示部7102的圖示7107，可以啟動應用程式。
操作按鈕7105除了時間設定之外還可以具有電源開關、無線通訊的開關、靜音模式的開啟及關閉、省電模式的開啟及關閉等各種功能。例如，藉由利用組裝在可攜式資訊終端7100中的作業系統，還可以自由地設定操作按鈕7105的功能。
另外，可攜式資訊終端7100可以進行被通信標準化的近距離無線通訊。例如，藉由與可進行無線通訊的耳麥相互通信，可以進行免提通話。
另外，可攜式資訊終端7100具備輸入輸出端子7106，可以藉由連接器直接與其他資訊終端進行資料的交換。另外，也可以藉由輸入輸出端子7106進行充電。另外，充電工作也可以利用無線供電進行，而不藉由輸入輸出端子7106。
可攜式資訊終端7100的顯示部7102組裝有 使用本發明的一個方式製造的發光裝置。藉由本發明的一個方式，能夠以高良率提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的可攜式資訊終端。
圖23C至圖23E示出照明設備的一個例子。照明設備7200、照明設備7210及照明設備7220都包括具備操作開關7203的底座7201以及由底座7201支撐的發光部。
圖23C所示的照明設備7200具備具有波狀發光面的發光部7202。因此，其為設計性高的照明設備。
圖23D所示的照明設備7210所具備的發光部7212採用彎曲為凸狀的兩個發光部對稱地配置的結構。因此，可以以照明設備7210為中心全方位地進行照射。
圖23E所示的照明設備7220具備彎曲為凹狀的發光部7222。因此，將來自發光部7222的發光聚集到照明設備7220的前面，所以適用於照亮特定範圍的情況。
此外，因為照明設備7200、照明設備7210及照明設備7220所具備的各發光部具有撓性，所以也可以採用使用可塑性構件或可動框架等構件固定發光部並按照用途能夠隨意使發光部的發光面彎曲的結構。
雖然在此例示了由底座支撐發光部的照明設備，但是也可以以將具備發光部的外殼固定或吊在天花板上的方式使用照明設備。由於能夠在使發光面彎曲的狀態下使用照明設備，因此能夠使發光面以凹狀彎曲而照亮特 定區域或者使發光面以凸狀彎曲而照亮整個房間。
在此，在各發光部中組裝有使用本發明的一個方式製造的發光裝置。藉由本發明的一個方式，能夠以高良率提供一種具備彎曲的發光部且可靠性高的照明設備。
圖23F示出可攜式顯示裝置的一個例子。顯示裝置7300具備外殼7301、顯示部7302、操作按鈕7303、顯示部取出構件7304以及控制部7305。
顯示裝置7300在筒狀的外殼7301內具備有捲成捲筒狀的撓性顯示部7302。
此外，顯示裝置7300能夠由控制部7305接收影像信號，且能夠將所接收的影像顯示於顯示部7302。此外，控制部7305具備電池。此外，也可以採用控制部7305具備連接連接器的端子部而以有線的方式從外部直接供應影像信號或電力的結構。
此外，可以由操作按鈕7303進行電源的ON、OFF工作或顯示的影像的切換等。
圖23G示出使用顯示部取出構件7304取出顯示部7302的狀態的顯示裝置7300。在此狀態下，可以在顯示部7302上顯示影像。另外，藉由使用配置於外殼7301的表面的操作按鈕7303，可以容易地以單手操作。此外，如圖23F所示那樣，藉由將操作按鈕7303配置在外殼7301的一側而不是中央，可以容易地以單手操作。
另外，可以在顯示部7302的側部設置用來加 固的框，以便在取出顯示部7302時使該顯示部7302的顯示面固定為平面狀。
此外，除了該結構以外，也可以採用在外殼中設置揚聲器並使用與影像信號同時接收的音訊信號輸出聲音的結構。
顯示部7302組裝有使用本發明的一個方式製造的顯示裝置。藉由本發明的一個方式，能夠以高良率提供一種輕量且可靠性高的顯示裝置。
圖24A至圖24C示出能夠折疊的可攜式資訊終端310。圖24A示出展開狀態的可攜式資訊終端310。圖24B示出從展開狀態和折疊狀態中的一個狀態變為另一個狀態的中途的狀態的可攜式資訊終端310。圖24C示出折疊狀態的可攜式資訊終端310。可攜式資訊終端310在折疊狀態下可攜性好，在展開狀態下因為具有無縫拼接的較大的顯示區域所以顯示一覽性強。
顯示面板312由鉸鏈313所連接的三個外殼315來支撐。藉由鉸鏈313使兩個外殼315之間彎折，可以從可攜式資訊終端310的展開狀態可逆性地變為折疊狀態。可以將使用本發明的一個方式製造的顯示裝置用於顯示面板312。例如，可以使用能夠以1mm以上且150mm以下的曲率半徑彎曲的顯示裝置。
圖24D和圖24E示出能夠折疊的可攜式資訊終端320。圖24D示出以使顯示部322位於外側的方式折疊的狀態的可攜式資訊終端320。圖24E示出以使顯示部 322位於內側的方式折疊的狀態的可攜式資訊終端320。在不使用可攜式資訊終端320時，藉由將非顯示部325折疊到外側，能夠抑制顯示部322被弄髒或受損傷。可以將使用本發明的一個方式製造的顯示裝置用於顯示部322。
圖24F是說明可攜式資訊終端330的外形的透視圖。圖24G是可攜式資訊終端330的俯視圖。圖24H是說明可攜式資訊終端340的外形的透視圖。
可攜式資訊終端330、340例如具有選自電話機、電子筆記本和資訊閱讀裝置等中的一種或多種的功能。明確而言，可以將該可攜式資訊終端330、340用作智慧手機。
可攜式資訊終端330、340可以將文字或影像資訊顯示在其多個面上。例如，可以將三個操作按鈕339顯示在一個面上(圖24F、圖24H)。另外，可以將由虛線矩形表示的資訊337顯示在另一個面上(圖24G、圖24H)。此外，作為資訊337的例子，可以舉出提示收到來自SNS(Social Networking Services：社交網路服務)的資訊、電子郵件或電話等的顯示；電子郵件等的標題或發送者姓名；日期；時間；電池餘量；以及天線接收強度等。或者，也可以在顯示有資訊337的位置顯示操作按鈕339或圖示等代替資訊337。注意，雖然圖24F和圖24G示出在上側顯示有資訊337的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。例如，如圖24H所示的可攜式資訊終端340那樣，也可以將資訊337顯示在橫向側面。
例如，可攜式資訊終端330的使用者能夠在將可攜式資訊終端330放在上衣口袋裡的狀態下確認其顯示(這裡是資訊337)。
明確而言，將打來電話的人的電話號碼或姓名等顯示在能夠從可攜式資訊終端330的上方觀看到這些資訊的位置。使用者可以確認到該顯示，由此判斷是否接電話，而無需從口袋裡拿出可攜式資訊終端330。
可以將使用本發明的一個方式製造的顯示裝置用於可攜式資訊終端330的外殼335及可攜式資訊終端340的外殼336所具有的顯示部333。藉由本發明的一個方式，能夠以高良率提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的顯示裝置。
另外，如圖24I所示的可攜式資訊終端345那樣，可以在三個以上的面顯示資訊。在此，示出資訊355、資訊356以及資訊357分別顯示於不同的面上的例子。
可以將使用本發明的一個方式製造的顯示裝置用於可攜式資訊終端345的外殼351所具有的顯示部358。藉由本發明的一個方式，能夠以高良率提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的顯示裝置。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施例1
在本實施例中，製造黏合層的材料不同的多個撓性樣本，並且確認裂縫的產生狀況。
〈樣本的製造〉
參照圖13A至圖14C說明在本實施例中製造的樣本的製造方法。
首先，在作為形成用基板101的玻璃基板上形成大約200nm厚的氧氮化矽膜作為基底膜(未圖示)。氧氮化矽膜藉由電漿CVD法在矽烷氣體與N2O氣體的流量分別為10sccm與1200sccm，電源功率為30W，壓力為22Pa，基板溫度為330℃的條件下形成。基底膜還可以用作玻璃基板的蝕刻停止層。
接著，在基底膜上形成30nm厚的鎢膜作為剝離層103。鎢膜藉由濺射法在Ar氣體的流量為100sccm，電源功率為60kW，壓力為2Pa，基板溫度為100℃的條件下形成。
接著，進行N2O電漿處理。N2O電漿處理在N2O氣體的流量為100sccm，電源功率為500W，壓力為100Pa，基板溫度為330℃，240秒鐘的條件下進行。
接著，在剝離層103上形成被剝離層。被剝離層包括圖13A所示的絕緣層813、電晶體、導電層857、絕緣層815、絕緣層817、下部電極831、絕緣層821以及間隔物827。
絕緣層813藉由依次層疊第一氧氮化矽膜、 氮化矽膜、第二氧氮化矽膜、氮氧化矽膜以及第三氧氮化矽膜形成。
明確而言，首先，在剝離層103上形成大約600nm厚的第一氧氮化矽膜。第一氧氮化矽膜藉由電漿CVD法在矽烷氣體與N2O氣體的流量分別為75sccm與1200sccm，電源功率為120W，壓力為70Pa，基板溫度為330℃的條件下形成。
然後，利用濕蝕刻將第一氧氮化矽膜加工為島狀，並且利用乾蝕刻將剝離層103加工為島狀。
接著，在第一氧氮化矽膜上形成大約200nm厚的氮化矽膜。氮化矽膜藉由電漿CVD法在矽烷氣體、H2氣體及NH3氣體的流量分別為30sccm、800sccm及300sccm，電源功率為600W，壓力為60Pa，基板溫度為330℃的條件下形成。
接著，在氮化矽膜上形成大約200nm厚的第二氧氮化矽膜。第二氧氮化矽膜藉由電漿CVD法在矽烷氣體與N2O氣體的流量分別為50sccm與1200sccm，電源功率為120W，壓力為70Pa，基板溫度為330℃的條件下形成。
接著，在第二氧氮化矽膜上形成大約140nm厚的氮氧化矽膜。氮氧化矽膜藉由電漿CVD法在矽烷氣體、H2氣體、N2氣體、NH3氣體及N2O氣體的流量分別為110sccm、800sccm、800sccm、800sccm及70sccm，電源功率為320W，壓力為100Pa，基板溫度為330℃的條件 下形成。
接著，在氮氧化矽膜上形成大約100nm厚的第三氧氮化矽膜。第三氧氮化矽膜在與基底膜相同的條件下形成。
然後，在氮氣氛圍下以450℃的溫度進行1小時的加熱處理。
在本實施例中，鎢膜、第一氧氮化矽膜及氮化矽膜的三層疊層結構和加熱處理是為了以高良率進行剝離而需要的較佳的條件。
第二氧氮化矽膜、氮氧化矽膜及第三氧氮化矽膜調整絕緣層813整體的應力且被用作防濕層。
如上所述，構成剝離層及絕緣層的無機膜兼具有剝離性及防濕性，從而適於製造可靠性高的撓性裝置。
作為電晶體，應用使用CAAC-OS(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor：c軸配向結晶氧化物半導體)的電晶體。CAAC-OS不是非晶，所以缺陷能階密度低，從而能夠提高電晶體的可靠性。另外，CAAC-OS不具有晶界，所以不容易因為具有撓性的裝置的彎曲所引起的應力而在CAAC-OS膜中產生裂縫。
CAAC-OS是結晶的c軸在大致垂直於膜面的方向上配向的結晶氧化物半導體。還確認到氧化物半導體除了單晶結構之外還具有多種結晶結構諸如奈米尺寸的微晶集合體的nano-crystal(nc：奈米晶)結構等。CAAC的結 晶性低於單晶結構而高於nc結構。
在本實施例中，應用使用In-Ga-Zn類氧化物的通道蝕刻型電晶體。該電晶體在玻璃基板上以低於500℃的製程製造。
當在塑膠基板等有機樹脂上直接製造電晶體等元件時，需要將元件的製程的溫度設定為低於有機樹脂的耐熱溫度。在本實施例中，因為形成用基板為玻璃基板，並且，作為無機膜的剝離層的耐熱性高，所以可以以與在玻璃基板上形成電晶體的情況相同的溫度來製造電晶體，從而容易確保電晶體的性能及可靠性。
接著，使用黏合層107將被剝離層與基板109貼合在一起(圖13C)。基板109和黏合層107的材料根據樣本不同(參照後面示出的表1)。各樣本的基板109具有撓性。
關於除了樣本4以外的樣本，利用層壓機形成黏合層107，黏合層107的膜厚度大約為3μm以上且10μm以下。關於樣本4，利用旋塗機形成黏合層107，黏合層107的膜厚度大約為10μm以上且20μm以下。
基板109的厚度為125μm。注意，在樣本4中用於基板109的UDT-1025MC(由Denka Adtecs株式會社製造)是紫外線固化型黏合薄膜，在其厚度125μm中有25μm是黏接層。
接著，藉由照射雷射形成剝離起點，將被剝離層與形成用基板101分離(圖13C、圖14A)。
然後，觀察露出的絕緣層813的表面而確認裂縫的產生狀況。
〈實驗結果〉
表1示出用於各樣本的黏合層107及基板109的種類以及黏合層107的硬度。另外，表1還示出由剝離後的絕緣層813的表面觀察得到的裂縫產生狀況的判定結果。在此，○(圓)表示幾乎沒有觀察到裂縫，×(叉)表示觀察到多個裂縫(觀察到致命的裂縫)。
由表面觀察的結果可知，在將其硬度為邵氏D70的材料e用於黏合層107的樣本5以及將其硬度低於邵氏D70的JIS K6253 E25度的材料f用於黏合層107的 樣本6中，在製程中產生了多個裂縫。另一方面，在分別使用邵氏D80以上的材料a至材料d的樣本1至樣本4中，在製程中沒有產生致命的裂縫。
由此可知，用於本發明的一個方式的撓性發光裝置的黏合層的硬度較佳高於邵氏D70，更佳為邵氏D80以上。由此，能夠抑制在製程中產生裂縫。因此，能夠提高發光裝置的良率。此外，能夠提高發光裝置的可靠性。
實施例2
在本實施例中，製造撓性基板的材料不同的多個具有撓性的樣本，對各樣本進行加熱處理，並且確認裂縫的產生狀況。
〈樣本的製造〉
參照圖13A至圖14C說明在本實施例中製造的樣本的製造方法。
首先，在作為形成用基板101的玻璃基板上形成大約200nm厚的氧氮化矽膜作為基底膜(未圖示)。接著，在基底膜上形成大約30nm厚的鎢膜作為剝離層103。接著，進行N2O電漿處理。接著，在剝離層103上形成被剝離層。被剝離層包括圖13A所示的絕緣層813、電晶體、導電層857、絕緣層815、絕緣層817、下部電極831、絕緣層821以及間隔物827。絕緣層813藉 由依次層疊第一氧氮化矽膜、第一氮化矽膜、第二氧氮化矽膜、氮氧化矽膜以及第三氧氮化矽膜形成。然後，在氮氣氛圍下以450℃的溫度進行1小時的加熱處理。作為電晶體，應用使用CAAC-OS的電晶體。在本實施例中，應用使用In-Ga-Zn類氧化物的通道蝕刻型電晶體。以上步驟與實施例1同樣，因此在此省略細節。
接著，使用黏合層107將被剝離層與基板109貼合在一起(圖13C)。與實施例1的樣本4同樣，作為基板109使用紫外線固化型黏合薄膜，作為黏合層107使用水溶性樹脂的材料d。
接著，藉由照射雷射形成剝離起點，將被剝離層與形成用基板101分離(圖13C、圖14A)。
然後，使用黏合層811將基板801與露出的絕緣層813的表面貼合在一起(圖14B)。作為黏合層811的材料使用在實施例1的樣本3中用於黏合層107的兩液固化型環氧型樹脂的材料c。基板801的材料根據樣本不同(參照後面示出的表2)。
接著，去除黏合層107及基板109(圖14B)，觀察露出的表面(圖14C的形成有間隔物827等的面)而確認裂縫的產生狀況。觀察的結果，在每個樣本中，幾乎都沒有觀察到裂縫。
〈加熱處理〉
對製造的各樣本以60℃的溫度進行1小時的加熱處 理。然後，觀察相同的表面確認裂縫的產生狀況。在加熱處理之後的樣本的觀察中，結束觀察到致命裂縫(很大的裂縫、多個裂縫等)的樣本的實驗，以後不再對其進行加熱處理。
接著，對幾乎沒有觀察到裂縫的樣本以80℃的溫度進行1小時的加熱處理。並且，同樣地確認裂縫的產生狀況。
然後，對幾乎沒有觀察到裂縫的樣本以100℃的溫度進行1小時的加熱處理。並且，確認裂縫的產生狀況。
〈實驗結果〉
表2示出用於各樣本的基板801的種類和其膨脹係數。表2還示出由加熱處理前後的樣本的表面觀察得到的裂縫產生狀況的判定結果。在此，○(圓)表示幾乎沒有觀察到裂縫，×(叉)表示觀察到致命的裂縫。
由加熱處理之後的表面觀察的結果可知，在基板801的膨脹係數為58ppm/℃以上的樣本10至樣本12中，在以60℃的溫度進行1小時的加熱處理之後或者在以80℃的溫度進行1小時的加熱處理之後產生致命的裂縫。在基板801的膨脹係數為27ppm/℃以下的樣本7至樣本9中，即使在以100℃的溫度進行1小時的加熱處理之後也沒有產生致命的裂縫。
由此可知，用於本發明的一個方式的撓性發光裝置的撓性基板的膨脹係數較佳小於58ppm/℃，更佳為27ppm/℃以下。由此，能夠抑制在加熱處理時產生裂縫。因此，能夠提高發光裝置的可靠性。
實施例3
在本實施例中，製造本發明的一個方式的撓性發光裝置，並且對其可靠性進行評價。
本實施例所製造的發光裝置適用實施方式1所示的具體例子2的結構(圖3B和圖3D)。因此，本實施例的詳細內容可以參照實施方式1的說明。
在本實施例中，使用實施方式2所示的剝離方法2製造發光裝置。
首先，在作為形成用基板201的玻璃基板上形成剝離層203，在剝離層203上形成被剝離層205(圖8A)。另外，在作為形成用基板221的玻璃基板上形成剝離層223，在剝離層223上形成被剝離層225(圖8B)。接著，將形成用基板201與形成用基板221以各自的形成有被剝離層的面相對的方式貼合在一起(圖8C)。並且，將兩個形成用基板從各被剝離層剝離，將撓性基板貼合到各被剝離層(圖10D)。以下示出各層的材料。
作為剝離層203及剝離層223，採用鎢膜與該鎢膜上的氧化鎢膜的疊層結構。
在構成剝離層的疊層結構中，雖然剛進行成膜後的剝離性較低，但是藉由加熱處理與無機絕緣膜起反應，剝離層與無機絕緣膜的介面的狀態發生變化而呈現脆性。並且，藉由形成剝離起點，能夠進行物理剝離。
作為被剝離層205，形成絕緣層813、電晶體 以及作為發光元件830的有機EL元件。作為被剝離層225，形成濾色片(相當於著色層845)等。
絕緣層813及絕緣層843應用與在實施例1中製造的絕緣層813同樣的結構及製造方法。
作為電晶體，應用使用CAAC-OS的電晶體。在本實施例中，應用使用In-Ga-Zn類氧化物的通道蝕刻型電晶體。該電晶體在玻璃基板上以低於500℃的製程製造。
當在塑膠基板等有機樹脂上直接製造電晶體等元件時，需要將元件的製程的溫度設定為低於有機樹脂的耐熱溫度。在本實施例中，因為形成用基板為玻璃基板，並且，作為無機膜的剝離層的耐熱性高，所以可以在與在玻璃基板上形成電晶體時相同的溫度下製造電晶體，從而可以容易確保電晶體的性能及可靠性。
作為發光元件830，使用包括具有呈現藍色光的發光層的螢光發光單元和具有呈現綠色光的發光層及呈現紅色光的發光層的磷光發光單元的串聯型有機EL元件。發光元件830採用頂部發射結構。作為發光元件830的下部電極831，在鋁膜上層疊鈦膜，在該鈦膜上層疊用作光學調整層的ITO膜。光學調整層的厚度根據各像素的顏色而改變。藉由組合濾色片和微腔結構，能夠從本實施例所製造的發光裝置提取色純度高的光。
作為基板801及基板803，使用厚度為20μm且膨脹係數為27ppm/℃以下的有機樹脂薄膜。
並且，作為黏合層823、黏合層811及黏合層841，使用與用於實施例1的樣本3的材料c相同的材料，即，其硬度為邵氏D82的兩液固化型環氧類樹脂。
圖26示出在本實施例中製造的發光裝置。在所製造的發光裝置中，發光部(像素部)的尺寸為對角線3.4英寸，像素數為540×960×3(RGB)，像素間距為0.078mm×0.078mm，解析度為326ppi，開口率為56.9%。並且，內置有掃描驅動器(閘極驅動器)及源極驅動器。該發光裝置的厚度為100μm以下，其重量為2g。
在顯示有影像的狀態下，反復彎折所製造的發光裝置。如圖26所示那樣，彎折部分(Bent portion)是發光裝置的中央部分並包括發光部(Display Area)和掃描驅動器(Scan Driver)。圖25A是示出配置有發光裝置的彎曲試驗機的外觀的照片。圖25B是示出彎曲試驗的狀況的照片。藉由固定FPC一側，可以在使發光裝置驅動的狀態下進行彎曲試驗。如圖25C所示那樣，使用由金屬製成的棒98設定彎曲發光裝置99時的曲率半徑。作為棒98使用其直徑分別為10mm、6mm、4mm及2mm的四種棒。也就是說、在發光裝置中，進行曲率半徑為5mm、3mm、2mm及1mm的四種彎曲試驗。注意，在此，將發光裝置的顯示面彎曲在外側的情況記載為向外彎曲，而將發光裝置的顯示面彎曲在內側的情況記載為向內彎曲。例如，圖25B示出向內彎曲試驗的狀況。在彎曲試驗中，每一次的彎曲速度大約為2秒。彎曲試驗的結果，在曲率半 徑為5mm的向外彎曲和向內彎曲的兩者中，在彎曲10萬次之後，在顯示部中沒有發生缺陷，驅動器也正常工作。另外，進行曲率半徑為3mm的向內彎曲10萬次，結果，在顯示部中沒有發生缺陷，驅動器也正常工作。另外，進行曲率半徑為2mm的向內彎曲10萬次，結果，在顯示部中沒有發生缺陷，驅動器也正常工作。另外，進行曲率半徑為1mm的向內彎曲4千次，結果，在顯示部中沒有發生缺陷，驅動器也正常工作。
圖27A示出在進行曲率半徑為5mm的彎曲試驗10萬次之後的發光裝置的外觀，圖27B示出彎曲試驗前後的顯示狀態。如圖27A所示那樣，在發光裝置中，雖然產生折印及表面傷痕，但是沒有觀察到顯示狀態不良及驅動器的工作故障。並且，在彎曲試驗之後，以65℃的溫度在濕度為90%的環境下，進行100小時的高溫高濕保存試驗。圖27C示出保存試驗前後的發光裝置的顯示狀態。在保存試驗之後，沒有觀察到彎曲部分的不良，並且可以認為沒有產生發光裝置內部的無機絕緣膜等的裂縫。
圖28A示出在進行曲率半徑為2mm的彎曲試驗10萬次之後的發光裝置的外觀，圖28B示出彎曲試驗前後的顯示狀態。如圖28A所示那樣，在發光裝置中，雖然產生折印及表面傷痕，但是沒有觀察到顯示狀態不良及驅動器的工作故障。並且，在彎曲試驗之後，以65℃的溫度在濕度為90%的環境下進行100小時的高溫高濕保存試驗。圖28C示出保存試驗前後的發光裝置的顯示狀態。 在保存試驗之後，沒有觀察到彎曲部分的不良，並且可以認為沒有產生發光裝置內部的無機絕緣膜等的裂縫。
使用上述彎曲試驗機的試驗結果不但包括單純的彎曲要因，還包括拉伸應力、按壓應力及摩擦等要因。
下面，使用只能夠評價彎曲耐性的書型彎曲試驗機再次進行評價。該彎曲試驗機藉由如書那樣反復打開狀態(參照圖29A)和合上狀態(參照圖29B)來進行彎曲試驗。彎曲發光裝置的曲率半徑取決於彎曲時的板與板之間的距離。
以下示出使用書型彎曲試驗機評價的發光裝置的彎曲特性。分別進行曲率半徑為5mm、3mm及2mm的向內彎曲10萬次，結果，在顯示部中沒有發生缺陷，驅動器也正常工作。另外，進行曲率半徑為1mm的向內彎曲9千次，結果，在顯示部中沒有發生缺陷，驅動器也正常工作。並且，與前面使用的彎曲試驗機相比，在使用書型彎曲試驗機的情況下，彎曲試驗後的折印明顯地減少，在曲率半徑為5mm的試驗後甚至幾乎沒有觀察到折印。
如上所述，由本實施例可知，本發明的一個方式的使用膨脹係數為27ppm/℃以下的基板的撓性發光裝置具有高彎曲耐性及高可靠性。另外，由本實施例可知，本發明的一個方式的使用硬度為邵氏D80以上的黏合層的撓性發光裝置具有高彎曲耐性及高可靠性。
實施例4
在本實施例中，製造本發明的一個方式的撓性發光裝置，並且對其可靠性進行評價。
在本實施例中製造五種發光裝置。關於與實施例3的發光裝置相同的結構及製造方法省略其說明。
樣本13及樣本14與實施例3的發光裝置的不同之處在於：作為黏合層811及黏合層841使用薄片狀黏合劑。用於樣本13的薄片狀黏合劑的厚度為10μm，而用於樣本14的薄片狀黏合劑的厚度為20μm。
為了抑制氣泡混入到黏合面，在減壓氛圍(大約100Pa)下進行加壓及加熱的同時，使用各黏合層進行貼合。此外，用於樣本13及樣本14的薄片狀黏合劑在室溫下黏合性低且在加熱為60℃以上的情況下黏合性高。在本實施例中，藉由以80℃的溫度加熱1小時使薄片狀黏合劑固化。
樣本15與實施例3的發光裝置的不同之處在於：作為黏合層811及黏合層841使用與用於實施例1的樣本1的材料a相同的其硬度為邵氏D84至邵氏D86的兩液固化型環氧類樹脂。
樣本16與實施例3的發光裝置的不同之處在於：作為黏合層811及黏合層841使用其硬度為邵氏D58至邵氏D62的薄片狀黏合劑。用於樣本16的薄片狀黏合劑藉由利用高壓汞燈對黏合劑的雙面照射紫外光(其能量為3000mJ/cm2)以120℃的溫度加熱1小時而固化。
樣本17與實施例3的發光裝置的不同之處在於：作為黏合層811、黏合層823及黏合層841使用與用於實施例1的樣本1的材料a相同的其硬度為邵氏D84至邵氏D86的兩液固化型環氧類樹脂。
對樣本13及樣本14以65℃的溫度在濕度為90%的環境下，進行100小時的高溫高濕保存試驗，結果，沒有觀察到顯示狀態不良及驅動器的工作故障。
此外，使用圖25A所示的彎曲試驗機對樣本13及樣本14進行曲率半徑為3mm的向內彎曲10萬次，結果，樣本13及樣本14都在顯示部中沒有發生缺陷，驅動器也正常工作。
黏合層811及黏合層841的硬度為邵氏D58至邵氏D62的樣本16在製程中就已經產生裂縫。另一方面，關於黏合層811及黏合層841的硬度為邵氏D84至邵氏D86的樣本15，在所製造的發光裝置中幾乎沒有觀察到裂縫。對樣本15及樣本16以65℃的溫度在濕度為90%的環境下，進行500小時的高溫高濕保存試驗，結果，樣本15比樣本16發生的收縮(在此是指從發光部端部開始的亮度劣化或發光部的非發光區的擴大)少。由此可知，藉由抑制在發光裝置的製程中在無機絕緣膜及元件中產生裂縫，能夠提高發光裝置的可靠性。
使用圖25A所示的彎曲試驗機對樣本17進行曲率半徑為5mm的向內彎曲10萬次，結果，在顯示部中沒有發生缺陷，驅動器也正常工作。並且，對彎曲試驗之 後的樣本17以65℃的溫度在濕度為95%的環境下，進行240小時的高溫高濕保存試驗，結果，可以確認到在彎曲部分中沒有發生收縮及微小裂縫。
如上所述，由本實施例可知，本發明的一個方式的使用硬度為邵氏D80以上的黏合層的撓性發光裝置具有高彎曲耐性及高可靠性。另外，由本實施例可知，本發明的一個方式的使用薄片狀黏合劑的撓性發光裝置具有高彎曲耐性及高可靠性。
實施例5
對在實施例1中製造的基底膜、剝離層103及絕緣層813的製造所需要的時間的一個例子進行說明。
表3示出分別構成基底膜、剝離層103及絕緣層813的各層的成膜方式、每一批次處理(batch processing)的處理時間以及每一基板的處理時間。
在此，分別以單層形成基底膜、剝離層103及第一氧氮化矽膜的每一個，而一同形成構成絕緣膜813的其他四個層。此外，鎢膜藉由使用單晶圓式濺射裝置進行成膜，而其他層藉由使用批式CVD設備進行成膜。
注意，表3所示的節拍時間不包括傳送基板的時間。關於批次處理的節拍時間，示出每一批的節拍時間與每一基板的節拍時間(用處理個數除每一批的節拍時間所得的值。在此，在一批中處理10個基板)。
因為在本實施例中未使用適合於大量生產的裝置進行製造，所以可以推測根據裝置的規格能夠進一步 縮短節拍時間。此外，還可知，即使在作為構成剝離層及絕緣層的無機膜採用兼具有剝離性和防濕性的結構的情況下，也不需要以極低的成膜速率進行成膜，並能夠以高量產性製造可靠性高的裝置。
實施例6
在本實施例中，說明本發明的一個方式的裝置製造方法中的各製程的良率及各製程所需要的時間。
在實施方式2中例示出的本發明的一個方式的裝置製造方法(參照圖15A至圖17B)包括：進行第一次形成用基板的剝離及第一次撓性基板的貼合的第一製程；進行第二次形成用基板的剝離及第二次撓性基板的貼合的第二製程；以及使與FPC電連接的導電層露出並使FPC壓合的第三製程。
注意，在本實施例中，在第一製程中剝離形成有電晶體及有機EL元件的形成用基板201，在第二製程中剝離形成有濾色片等的形成用基板221。此外，黏合層823、黏合層811及黏合層841的硬度都為邵氏D80以上。作為其材料，使用兩液固化型環氧型樹脂而不使用薄片狀黏合劑。此外，作為基板801及基板803使用膨脹係數為27ppm/℃以下的撓性基板。
首先，使用尺寸為5英寸角的形成用基板製造3.4英寸的撓性有機EL顯示器，然後確認上述三個製程中的良率。
如表4所示那樣製造221個顯示器，結果，各製程的良率為90%以上，整體的良率為83%。
另外，使用尺寸為300mm×360mm的形成用基板製造5.3英寸撓性有機EL顯示器，然後確認上述三個製程中的良率。注意，從該形成用基板獲得的該顯示器的個數為兩個。
如表5所示那樣使用38個形成用基板製造了共76個顯示器，結果，各製程的良率為90%以上，整體的良率為84%。
作為不良現象的一種，可以舉出由於在製程中混入異物而在剝離時在有機膜中發生膜剝離等。雖然在本實施例中用手工製造顯示器，但是可以推測藉由使用製造裝置能夠進一步提高良率。此外，還可知，即使在使用大面積的形成用基板的情況下，良率也不容易下降。
另外，表6示出在使用尺寸為300mm×360mm的形成用基板用手工製造13.5英寸撓性有機EL顯示器時各製程所需要的時間。
因為在本實施例中作為黏合層的材料使用兩液固化型環氧類樹脂，所以黏合層的固化花費時間。但是，藉由進行批次處理，可以縮短每一顯示器的製程所需要的時間。此外，當如本發明的一個方式那樣使用薄片狀黏合劑時，可以縮短裝置的製造所需要的時間，所以是較佳的。
實施例7
在本實施例中說明進行薄膜的良好剝離的條 件。
〈剝離性的評價方法〉
首先，說明用於從支撐基板剝離薄膜的評價方法的一個例子。
例如，使用圖30A所示的夾具對剝離時所需的力量進行評價。圖30A所示的夾具具有多個導輥7606和托輥7605。在測量中，預先在形成於支撐基板7601上的薄膜7603上貼合膠帶7604並將其端部部分剝離。然後，將支撐基板7601以膠帶7604掛住托輥7605的方式安裝於夾具，並使膠帶7604及薄膜7603垂直於支撐基板7601。此時，可以由如下方法測量剝離時所需的力量：在向垂直於支撐基板7601的方向拉起膠帶7604而使薄膜7603從支撐基板7601剝離時，測量向垂直方向拉起時所需的力量。在進行剝離時，在剝離層7602露出的狀態下支撐基板7601沿著導輥7606在平面方向上移動。為了去除薄膜7603及支撐基板7601在移動中的摩擦的影響，托輥7605及導輥7606能夠旋轉。
關於以下所示的剝離試驗用樣本，將支撐基板切斷為25mm×126.6mm，作為膠帶7604利用膠帶貼片機(tape mounter)將紫外光固化型黏合薄膜(也稱為UV薄膜)(由日本電氣化學工業公司製造的UHP-0810MC)貼合到被切斷的支撐基板上，然後使UV薄膜的端部剝離大約20mm，並將其安裝到上述夾具。此外，在剝離試驗 中，使用島津製作所製造的小型臺式試驗機(EZ-TEST EZ-S-50N)。在剝離試驗方法中，參照依照日本工業規格(JIS)的規格號碼JIS Z0237的黏合膠帶/黏合薄片試驗方法。
〈樣本的結構〉
以下說明用於評價的樣本的結構。圖30B示出樣本的剖面結構。樣本具有在支撐基板7611上依次層疊剝離層7612、第一層7613及第二層7614的結構。在剝離層7612與第一層7613之間產生剝離。
〈氫釋放性與剝離性的關係〉
在此說明第一層的氫釋放量與剝離性的關係。
〈樣本A至樣本C〉
在樣本A至樣本C中，作為支撐基板7611使用形成有大約200nm厚的氧氮化矽膜的玻璃基板。作為剝離層7612藉由濺射法形成大約30nm厚的鎢膜。作為第一層7613藉由電漿CVD法形成氧氮化矽膜。接著，作為第二層7614藉由電漿CVD法依次形成大約200nm厚的氮化矽膜、大約200nm厚的氧氮化矽膜、大約140nm厚的氮氧化矽膜以及大約100nm厚的氧氮化矽膜。然後，以450℃進行1小時的加熱處理。
在樣本A中，第一層7613的厚度大約為 600nm。在樣本B中，第一層7613的厚度大約為400nm。在樣本C中，第一層7613的厚度大約為200nm。
在此，圖31A示出對用於樣本A的大約600nm厚的氧氮化矽膜和用於樣本C的大約200nm厚的氧氮化矽膜利用熱脫附譜分析法(TDS：Thermal Desorption Spectroscopy)進行分析並對以相當於氫分子的質量電荷比(m/z)2被檢測出的強度的溫度依賴性進行評價的結果。由此可知，氧氮化矽膜的厚度越厚，氫釋放量越高。
接著，對樣本A至樣本C測量剝離時所需的力量。在樣本A至樣本C的每一個的測量中，對將同一基板切割成上述尺寸的六個樣本進行測量。圖31B示出測量結果。由此可知，樣本A中剝離時所需的力量最小，樣本C中剝離時所需的力量最大。
〈樣本D至樣本F〉
在樣本D至樣本F中，作為支撐基板7611使用形成有大約200nm厚的氧氮化矽膜的玻璃基板。作為剝離層7612藉由濺射法形成大約30nm厚的鎢膜。作為第一層7613藉由電漿CVD法形成大約600nm厚的氧氮化矽膜。接著，作為第二層7614藉由電漿CVD法形成大約200nm厚的氮化矽膜。然後，以450℃進行1小時的加熱處理。
關於用於第一層7613的氧氮化矽膜的成膜條件，矽烷的流量為50sccm、75sccm及100sccm的樣本分 別是樣本D、樣本E及樣本F。
圖32A示出對樣本D至樣本F進行TDS分析的結果。由此可知，氧氮化矽膜在成膜時的矽烷流量越多，氫釋放量越高。
接著，圖32B示出對樣本D至樣本F測量剝離時所需的力量的結果。在樣本D中，在測量了的六個樣本中都沒有發生良好的剝離。在樣本E及樣本F中，在測量了的六個樣本中都發生良好的剝離。此外，樣本F的剝離時所需的力量比樣本E小。
〈樣本M至樣本O〉
在樣本M至樣本O中，作為支撐基板7611使用形成有大約200nm厚的氧氮化矽膜的玻璃基板。作為剝離層7612藉由濺射法形成大約30nm厚的鎢膜。作為第一層7613藉由電漿CVD法形成大約600nm厚的氧氮化矽膜。接著，作為第二層7614藉由電漿CVD法形成大約200nm厚的氮化矽膜。然後，以450℃進行1小時的加熱處理。
大約200nm厚的氧氮化矽膜、用於第一層7613的氧氮化矽膜及用於第二層7614的氮化矽膜利用與用於樣本D至樣本F的裝置不同的裝置進行成膜。明確而言，與用於樣本D至樣本F的成膜裝置相比，利用電極面積及處理室的容量等小的成膜裝置。
關於用於第一層7613的氧氮化矽膜的成膜條件，矽烷的流量為5sccm、27sccm及60sccm的樣本分別 是樣本M、樣本N及樣本O。
圖35A示出對樣本M至樣本O進行TDS分析的結果。與樣本D至樣本F的結果同樣，氧氮化矽膜在成膜時的矽烷流量越多，氫釋放量越高。
接著，圖35B示出對樣本M至樣本O測量剝離時所需的力量的結果。在樣本M中，在測量了的兩個樣本中都沒有發生良好的剝離。在樣本N及樣本O中，在測量了的兩個樣本中都發生了良好的剝離。此外，樣本O的剝離時所需的力量比樣本N小。
〈樣本P至樣本R〉
在樣本P至樣本R中，作為支撐基板7611使用形成有大約200nm厚的氧氮化矽膜的玻璃基板。作為剝離層7612藉由濺射法形成大約30nm厚的鎢膜。作為第一層7613藉由電漿CVD法形成大約600nm厚的氧氮化矽膜。接著，作為第二層7614藉由電漿CVD法形成大約200nm厚的氮化矽膜。然後，以450℃進行1小時的加熱處理。
關於用於第一層7613的氧氮化矽膜的成膜條件，電力密度為0.041W/cm2、0.071W/cm2及0.204W/cm2的樣本分別是樣本P、樣本Q及樣本R。
圖36A示出對樣本P至樣本R進行TDS分析的結果。由此可知，氧氮化矽膜在成膜時的電力密度越小，氫釋放量越高。
接著，圖36B示出對樣本P至樣本R測量剝 離時所需的力量的結果。在樣本R中，在測量了的兩個樣本中都沒有發生良好的剝離。在樣本P及樣本Q中，在測量了的兩個樣本中都發生了良好的剝離。此外，樣本P的剝離時所需的力量比樣本Q小。
由上述結果可知，從第一層7613釋放的氫量越大，剝離時所需的力量越小。
此外，還確認到根據用於第一層7613的氧氮化矽膜的成膜條件能夠控制氫釋放量。明確而言，藉由調整膜厚度、相對於成膜氣體的矽烷的流量比或電力密度等條件能夠製造氫釋放量高且適合於剝離的氧氮化矽膜。
〈熱處理溫度與剝離性的關係〉
在此，說明在形成第二層7614之後的加熱處理的溫度與剝離性的關係。
〈樣本G至樣本J〉
除了加熱處理的條件以外，都採用與樣本A同樣的方法製造樣本G至樣本J。
在形成第二層7614之後以350℃進行1小時的加熱處理製造樣本G，與此同樣，以400℃進行1小時的加熱處理製造樣本H，以450℃進行1小時的加熱處理製造樣本I，並且以480℃進行1小時的加熱處理製造樣本J。
接著，圖33示出對樣本G至樣本J測量剝離 時所需的力量的結果。在樣本G中，在測量了的三個樣本中都沒有發生良好的剝離。在樣本H至樣本J中，在測量了的三個樣本中都發生了良好的剝離。樣本I與樣本J的剝離時所需的力量相同。樣本H的剝離時所需的力量比樣本I及樣本J大。
由上述結果可知，形成第二層7614之後的加熱處理的溫度越高剝離性越提高，並且在一定程度以上的溫度下剝離性飽和。此外，還可知，加熱處理的溫度越高，從第一層7613釋放的氫量越增大且剝離性越提高。
〈第二層的氫阻擋性與剝離性的關係〉
在此，說明第二層7614的氫阻擋性與剝離性的關係。
〈樣本K及樣本L〉
在樣本K及樣本L中，作為支撐基板7611使用形成有大約200nm厚的氧氮化矽膜的玻璃基板。作為剝離層7612藉由濺射法形成大約30nm厚的鎢膜。作為第一層7613藉由電漿CVD法形成大約600nm厚的氧氮化矽膜。
另外，只在樣本K中，作為第二層7614藉由電漿CVD法形成大約200nm厚的氮化矽膜。然後，以450℃進行1小時的加熱處理。在樣本L中，沒有形成第二層7614。
首先，圖34A示出對用於第一層7613的大約 600nm厚的氧氮化矽膜、用於第二層7614的大約200nm厚的氮化矽膜、以及這些氧氮化矽膜與氮化矽膜的疊層分別進行TDS分析的結果。由此可知，氧氮化矽膜單層釋放很多氫，與此相比，氮化矽膜單層幾乎不釋放氫。此外，藉由在氧氮化矽膜上層疊氮化矽膜，氫擴散到上方的量得到降低。由該結果可知，氮化矽膜對氫具有阻擋性。
接著，圖34B示出對樣本K及樣本L測量剝離時所需的力量的結果。在樣本K中，在測量了的兩個樣本中都發生了良好的剝離。另一方面，在沒有形成第二層7614的樣本L中，在測量了的兩個樣本中則都沒有發生良好的剝離。
由上述結果可知，藉由設置對氫具有阻擋性的第二層7614，可以抑制從第一層7613釋放的氫擴散到上方並增大有助於剝離的氫量，從而提高剝離性。

Claims (13)

  1. 一種發光裝置，包括：具有撓性的第一基板；具有撓性的第二基板；該第一基板與該第二基板之間的元件層；該第一基板與該元件層之間的絕緣層；該第一基板與該絕緣層之間的第一黏合層；以及該第二基板與該元件層之間的第二黏合層，其中，該元件層包括發光元件，其中，該第一黏合層包括其硬度高於邵氏D70的第一部分，其中，該第二黏合層包括其硬度高於邵氏D70的第二部分，其中，該第一基板包括其膨脹係數小於58ppm/℃的第三部分，並且其中，該第二基板包括其膨脹係數小於58ppm/℃的第四部分。
  2. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該第一部分的該硬度為邵氏D80以上，並且其中，該第二部分的該硬度為邵氏D80以上。
  3. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該第三部分的該膨脹係數為30ppm/℃以下，並且其中，該第四部分的該膨脹係數為30ppm/℃以下。
  4. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該第一部分的該硬度為邵氏D80以上，其中，該第二部分的該硬度為邵氏D80以上，其中，該第三部分的該膨脹係數為27ppm/℃以下，並且其中，該第四部分的該膨脹係數為27ppm/℃以下。
  5. 根據申請專利範圍第1或4項之發光裝置，其中，該絕緣層包括：第一氧氮化矽膜；在該第一氧氮化矽膜上的氮化矽膜；在該氮化矽膜上的第二氧氮化矽膜；在該第二氧氮化矽膜上的氮氧化矽膜；以及在該氮氧化矽膜上的第三氧氮化矽膜。
  6. 根據申請專利範圍第1或4項之發光裝置，其中，包括該發光元件的顯示部為彎曲的顯示部。
  7. 根據申請專利範圍第1或4項之發光裝置，其中，該發光裝置為可折疊的發光裝置。
  8. 一種剝離方法，包括：在第一基板上形成剝離層的第一製程；在該剝離層上形成被剝離層的第二製程，其中該被剝離層包括具有與該剝離層接觸的區域的第一層；將黏合層配置為重疊於該剝離層及該被剝離層的第三製程，其中該黏合層是薄片狀黏合劑；使該黏合層固化的第四製程； 去除包括在該第一層中的第一部分的第五製程，其中該第一部分包括與該剝離層及該黏合層重疊的區域；以及將該剝離層和該被剝離層分離的第六製程。
  9. 根據申請專利範圍第8項之剝離方法，其中，在該第五製程中，藉由照射雷射去除該第一部分。
  10. 根據申請專利範圍第8項之剝離方法，其中，該被剝離層包括無機絕緣膜。
  11. 根據申請專利範圍第9項之剝離方法，其中，在該第三製程中，以使該黏合層的端部位於該剝離層的端部內側的方式將該剝離層與該黏合層互相重疊。
  12. 根據申請專利範圍第9項之剝離方法，其中，在該第四製程中固化的該黏合層包括其硬度高於邵氏D70的部分。
  13. 根據申請專利範圍第9項之剝離方法，其中，在該第四製程中固化的該黏合層包括其硬度為邵氏D80以上的部分。
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