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TWI229395B - Releasing layer transfer film and laminate film - Google Patents

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TWI229395B
TWI229395B TW092105469A TW92105469A TWI229395B TW I229395 B TWI229395 B TW I229395B TW 092105469 A TW092105469 A TW 092105469A TW 92105469 A TW92105469 A TW 92105469A TW I229395 B TWI229395 B TW I229395B
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TW
Taiwan
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film
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release layer
release
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TW092105469A
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TW200305235A (en
Inventor
Ken Sakata
Katsuhiko Hayashi
Original Assignee
Mitsui Mining & Smelting Co
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Publication date
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Description

1229395 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明爲關於裝配I C或L S I等電子零件之C 0 F薄膜輸 送帶、C 0 F用撓性印刷電路(F P C )等之撓性印刷電路板上 形成離模型層所用之離模型層轉印用薄膜。 【先前技術】 隨著電子產業的發達,對於裝配1C(積體電路)、LSI(大 規模積體電路)等電子零件之印刷電路板的需要急劇增 加,期望令電子機器小型化、輕量化、高機能化,且此些 電子零件的裝配方法於最近爲採用TAB(Tape Automated Bonding,膠帶自動接合)帶、T-BAG(Ball Grid Array,球 狀柵極陣列)帶、ASIC帶、FPC(撓性印刷電路)等之電子零 件裝配用薄膜輸送帶之裝配方式。特別是,如個人電腦、 行動電話等類之使用要求高精細化、薄型化、液晶畫面之 額緣面積狹小化之液晶顯示元件(LCD)的電子產業中,此 重要性更高。 又,於更小之空間中,進行更高密度裝配之裝配方法, 已實用化將裸的1C晶片直接搭載於撓性印刷電路板上的 COF(Chip on film,薄膜基芯片)。 由於此COF中所用的撓性印刷電路板爲未見有設備 孔,故使用預先將導體層與絕緣層予以層合的層合薄膜’ 將I C晶片直接搭載至配線圖型上之時,例如,藉由透過絕 緣層所辨識之內引線和決定位置罩進行位置決定,並於此 狀態下經由加熱工具進行I C晶片與配線圖型,即與內引線 6 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 的接合(例如,參照專利文獻1等)。 (專利文獻1 ) 日本特開2 0 0 2 - 2 8 9 6 5 1號公報(圖4至圖6 )、段落 [0004]、[0005]等) 【發明內容】 (發明所欲解決之課題) 此頌41導體晶片的裝配爲在絕緣層直接接觸加熱工患 之狀態下進行’但因爲此狀態爲以加熱工具於極高溫中加 熱,故發生絕緣層於加熱工具上熔黏之現象,其成爲製造 裝置停止的原因,又,具有發生膠帶變形之問題。又,與 加熱工具熔黏之情形中,發生加熱工具之污染,並且員有 阻礙可靠度、生產性之問題產生。 此類加熱工具之熔黏,在對無設備孔之C 0F薄膜輸送帶 和C OF用FPC裝配半導體晶片時成爲問題。 本發明爲鑑於此類情況,以提供可於COF用撓性印刷_ 路板上輕易形成離模型層,且絕緣層爲不於加熱工且上熱 te黏’並且可令半導體晶片裝配流線之可靠度及生產性提 高之離模型層轉印用薄膜爲其課題。 (用以解決課題之手段) 解決前述課題之本發明的第一態樣爲於c 0 F用撓性印 刷電路板材料之絕緣層上,用以形成離模型層之離模型層 轉印用薄膜,具備轉印用薄膜、和於此轉印用薄膜之一面 所設置的轉印用離模型層,且前述轉印用離模型層爲經由 離模型劑所形成且可轉印至前述絕緣層爲其特徵的離模型 7 312/發明說明書(補件)/92-06/92105妨9 1229395 層轉印用薄膜。 此類第一態樣中,經由將轉印用薄膜所形成的轉印用離 模型層轉印至做爲C OF用撓性印刷電路板材料之絕緣 層,則可於C OF用撓性印刷電路板之絕緣層較容易地形成 離模型層。 本發明之第二態樣爲於第一態樣中,該轉印用離模型層 爲由聚矽氧系化合物所構成爲其特徵的離模型層轉印用薄 膜。 此類第二態樣中,由於與加熱工具接觸之離模型層爲由 聚矽氧系離模型劑所構成,故可確實防止熱熔黏等。 本發明之第三態樣爲於第二態樣中,該轉印用離模型層 爲以含有至少一種選自矽氧烷化合物、矽烷化合物、及砂 溶膠之離模型劑予以形成爲其特徵的離模型層轉印用薄 膜。 此類第三態樣中,轉印用離模型層爲以矽氧烷化合物、 矽烷化合物或矽溶膠所構成的離模型劑予以形成,且可有 效轉印至C OF用撓性印刷電路板的絕緣層。 本發明之第四態樣爲於第二態樣中,該轉印用離模型層 爲以含有至少一種選自矽烷化合物及矽溶膠之離模型劑予 以形成爲其特徵的離模型層轉印用薄膜。 此類第四態樣中,轉印用離模型層爲以矽烷化合物或石夕 溶膠所構成的離模型劑予以形成,且可有效轉印至C 0 F用 撓性印刷電路板的絕緣層。 本發明之第五態樣爲於第四態樣中,該轉印用灕模型層 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 8 1229395 爲以含有矽氮烷化合物之離模型劑予以形成爲其特徵的離 模型層轉印用薄膜。 此類第五態樣中,轉印用離模型層爲以矽烷化合物之一 的矽氮烷化合物所構成的離模型劑予以形成,且可有效轉 印至C 0 F用撓性印刷電路板的絕緣層。 本發明之第六態樣爲於第三態樣中,該轉印用離模型層 爲經由塗佈該離模型劑之溶液,並且加熱處理而被形成爲 其特徵的離模型層轉印用薄膜。 此類第六態樣中,經由塗佈法用以形成確實防止熱熔黏 之離模型層的轉印用離模型層,爲於轉印用薄膜之面上形 成。 本發明之第七態樣爲於第四態樣中,該轉印用離模型層 爲經由塗佈該離模型劑之溶液,並且加熱處理而被形成爲 其特徵的離模型層轉印用薄膜。 此類第七態樣中,經由塗佈法用以形成確實防止熱熔黏 之離模型層的轉印用離模型層,爲於轉印用薄膜之面上形 成。 本發明之第八態樣爲於第五態樣中,該轉印用離模型層 爲經由塗佈該離模型劑之溶液,並且加熱處理而被形成爲 其特徵的離模型層轉印用薄膜。 此類第八態樣中,經由塗佈法用以形成確實防止熱熔黏 之離模型層的轉印用離模型層,爲於轉印用薄膜之面上形 成。 本發明之第九態樣爲於第一至八之任一種態樣中,該轉 9 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 被 轉性 而 層 該歇 理 緣 ,間 處 絕 中或 熱 至 樣性 加 黏 態續 由 密 種連。 經 於。一以膜 , 。爲印任面薄 後膜層轉之一用 層薄型被八之印 緣用模地至膜轉 絕印離效一薄層 該轉用有第用型 至層印可於印模 黏型轉則爲轉離 密模,,樣該的 於離中理態於徵 爲的樣處十爲特 層徵態熱第層其 型特九加之型爲 模其第由明模置 離爲類經發離設 用印此,本用狀 印轉 後 印島 此類第十態樣中,轉印用離模型層若爲以連續性或間歇 性地島狀設置,則可有效地被轉印至COF用撓性印刷電路 板的絕緣層。 本發明之第十一態樣爲於第一至八之任一種態樣中,該 轉印用離模型層爲於該絕緣層以連續性或間歇性島狀轉印 爲其特徵的離模型層轉印用薄膜。 此類第十一態樣中,轉印用離模型層之至少一部分爲被 轉印至絕緣層,且於此絕緣層之面上有效地形成連續性或 間歇性島狀的轉印用離模型層。 本發明之第十二態樣爲於第一至八之任一種態樣中,該 轉印用離模型層爲對應於該COF用撓性印刷電路板之於 至少二列鏈輪孔之列間存在之該配線圖案的形成區域而設 置爲其特徵的離模型層轉印用薄膜。 此類第十二態樣中,轉印用離模型層若存在於鏈輪孔的 列間’則可於COF用撓性印刷電路板有效地形成絕緣層。 本發明之第十三態樣爲於第十二態樣中,該配線圖案之 形成區域至少爲二列以上,對應於該配線圖案之各列設置 10 312/發明說明書(補件)/92·06/92105469 1229395 多條該轉印用離模型層爲其特徵的離模型層轉印用薄膜。 此類第十二態樣中,對多條之C 0 F用撓性印刷電路板的 絕緣層,對應各配線圖案之各列形成多條的離模型層。 本發明之第十四態樣爲於第一至八之任一種態樣中,於 該轉印用薄膜與該轉印用離模型層之間,設置僅可與該轉 印用離模型層剝離的黏著層爲其特徵的離模型層轉印用薄 膜。 此類第十四態樣中,轉印用離模型層爲透過黏著層於轉 印用薄膜之一面上形成。 本發明之第十五%樣爲於第一至八之任一種態樣中,該 轉印用薄膜爲於該COF用撓性印刷電路板之製造步驟中 被使用做爲黏著至該絕緣層的補強薄膜爲其特徵的離模型 層轉印用薄膜。 此類第十五態樣中,將離模型層轉印用薄膜利用做爲補 強薄膜’提局C 0 F用^性印刷電路板之製造步驟中之絕緣 層的剛性,並且取得所欲的膠帶搬送強度。 本發明之第十六態樣爲於第一至八之任一種態樣中,於 該轉印用離模型層之面上,設置可與該轉印用離模型層剝 離的剝離薄膜爲其特徵的離模型層轉印用薄膜。 此類第十六態樣中,經由剝離薄膜保護轉印用離模型層 的表面。 本發明之第十七態樣爲具有基材薄膜、與該基材薄膜表 面以含有至少一種選自矽烷化合物及矽溶膠之離模型劑所 形成的離模型層、與該離模型層之該基材薄膜於反側面上 11 3 ] 2/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 設置且成爲c OF用撓性印刷電路板材料之絕緣層爲其特 徵的層合薄膜。 此類第十七態樣中,經由剝離基材薄膜,則可於c OF用 撓性印刷電路板材料之絕緣層上較輕易形成離模型層,並 且防止半導體晶片(1C)裝配時與加熱工具的熱熔黏。 本發明之第十八態樣爲於第十七態樣中,該離模型層爲 以含有矽氮烷化合物之離模型劑所形成爲其特徵的層合薄 膜。 此類第十八態樣中,離模型層係以爲矽烷化合物一種之 矽氮烷化合物所構成之離模型劑所形成,且有效形成於 C OF用撓性印刷電路板的絕緣層。 本發明之第十九態樣爲於第十七態樣中,於該絕緣層之 該離模型層側反側面上設置導體層爲其特徵的層合薄膜。 此類第十九態樣中,將絕緣層之離模型層所形成面側之 反側面上所設置的導體層予以圖案化形成配線圖案,可製 造C 0 F用撓性印刷電路板。 本發明之第二十態樣爲於第十七態樣中,於該基材薄膜 與該離模型層之間,設置僅可剝離該離模型層的黏著層爲 其特徵的層合薄膜。 此類第二十態樣中,離模型層爲透過黏著層於基材薄膜 之一面上形成。 本發明之第二十一態樣爲於第十七至二十之任一種態樣 中,該基材薄膜爲於該c OF用撓性印刷電路板之製造步驟 中被黏著至該絕緣層,使用爲補強薄膜爲其特徵的層合薄 12 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 膜c 此類第二十一態樣中,利用基材薄膜做爲補強薄膜’提 高C 0 F用撓性印刷電路板之製造步驟中之輸送帶的剛 性,並且取得所欲的膠帶搬送強度。 本發明之第二十二態樣爲於第十七至一 ^之任 種恶、 中,將該基材薄膜於該COF用撓性印刷電路板裝配半導體 晶片前剝離,於該絕緣層上殘留該離模型層爲其特徵的層 合薄膜。 此類第二十二態樣中,半導體晶片裝配時’加熱工具與 絕緣層爲不直接接觸,且可確實防止熱熔黏等° 本發明之第二十三態樣爲於第二十二態樣中’將該基材 薄膜剝離時,以加熱處理使該離模型層轉印至該絕緣層爲 其特徵的層合薄膜。 此類第二十三態樣中,離模型層爲經由加熱處理’與絕 緣層密黏且有效地形成。 本發明之第二十四態樣爲於第二十三態樣中’該離模型 層爲於該絕緣層之一面以連續性或間歇性地島狀轉印爲其 特徵的層合薄膜。 此類第二十四態樣中,離模型層爲以連續性或間歇性島 狀於C OF用撓性印刷電路板之絕緣層上形成,且有效地作 用。 本發明之離模型層轉印用薄膜爲於構成COF用撓性印 刷電路板之絕緣層上形成離模型層者,具備轉印用薄膜、 和於此轉印用薄膜之一面所設置的轉印用離模型層。 13 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 此處’轉印用薄膜並無特別限定,若可令轉印用離模型 ®於C 0 F用撓性印刷電路板之絕緣層上有效轉印做爲離 模型層者即可。轉印時,因爲令轉印用離模型層密黏至絕 '緣層1且視需要進行加熱處理,故若具有可承受此類轉印 處理的強度及耐熱性即可。例如,作爲轉印用薄膜之材質, 司使用塑料薄膜,可列舉例如P E T (聚對苯二甲酸乙二 醋)、P I (聚醯亞胺)、及液晶聚合物等所構成的薄膜。此類 轉印用薄膜之厚度例如爲1 5〜1 Ο Ο μ m,較佳爲2 0〜7 5 // m。 於此類轉印用薄膜之一面所設置的轉印用離模型層,爲 M S &半導體晶片裝配時不與加熱工具密黏的離模型性, I由不會經由此類加熱而熱熔黏之材料所形成即可,可爲 有*機材料或爲無機材料。例如,使用聚矽氧系離模型劑、 環氧系離模型劑、氟系離模型劑等爲佳。 此類轉印用離模型層爲由聚矽氧系化合物、環氧系化合 '物或氟系化合物所構成爲佳,特別以聚矽氧系化合物所構 成爲佳’即,形成具有矽氧烷鍵(s i _ 〇 _ s i鍵)之化合物爲 佳。聚砂氧系化合物所構成的轉印用離模型層可較輕易形 成’即使轉印至半導體裝置裝配面,亦對半導體晶片裝配 後之模件樹脂的接黏性難引起不良影響。 此處’形成由聚矽氧系化合物,即,具有矽氧烷鍵之化 合物’所構成之轉印用離模型層的離模型劑,可列舉聚矽 氧系離模型劑,具體而言,爲含有至少一種選自二矽氧烷、 三矽氧烷等之矽氧烷化合物者。 又’較佳之離模型劑爲經由塗佈後反應而變化成聚矽氧 14 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 系化合物的化合物,即,使用含有單矽烷、二矽烷、三矽 烷等之矽烷化合物、或矽溶膠系化合物等之離模型劑爲佳。 如此,塗佈離模型劑後,經由反應而變化形成之聚矽氧 系化合物所構成的離模型層爲特佳。 又,特佳之離模型劑可列舉:矽烷化合物一種之烷氧基 砂院化合物、和具有爲矽氧烷鍵之先質之Sl-NH-Si構造之 含有六甲基二矽氮烷、全氫化聚矽氮烷等之矽氮烷化合物 的離模型劑。其經由塗佈、或塗佈後與空氣中之水分等反 應’成爲具有矽氧烷鍵之化合物,例如,關於矽氮烷化合 物’亦可爲殘存有S i - N Η - S i構造的狀態。 如此,塗佈離模型劑後,經由反應而變化形成聚矽氧系 化合物所構成的離模型層爲特佳。 此類各種離模型劑,一般含有有機溶劑做爲溶劑,可使 用水溶液類型或乳化液類型之物質。 具體例可列舉:以二甲基矽氧烷爲主成分的聚矽氧系 油、甲基三(甲基乙基酮肟)矽烷、甲苯、以石油英爲成分 的聚矽氧系樹脂S R 2 4 1 1 (商品名:東麗道康寧-矽利康公司 製)、矽氮烷、合成異石蠟、以乙酸乙酯爲成分的聚矽氧系 樹脂SEPA-COAT(商品名:信越化學工業公司製)等。又, 可舉出含有矽氧化合物之柯魯寇特S P - 2 0 1 4 S (商品名:柯 魯寇特(股)製)。又,含有矽溶膠之離模型劑可列舉柯魯寇 特P、N - 1 0 3 X (商品名:柯魯寇特股份有限公司製)等。還 有,矽溶膠所含之矽石粒徑爲例如50〜8 0A(埃)。 此處,就於半導體晶片裝配時具有不與加熱工具密黏之 15 312/發明說明書(補件)/92·06/92105469 1229395 離模型性且不會經由此類加熱而熱熔黏之效果方面而言, 以於含有矽氮烷化合物之離模型劑設置聚矽氧系化合物所 構成的轉印用離模型層爲特佳。含有此類矽氮烷化合物之 離模型劑之一例可列舉砂氮院、合成異石鱲、以乙酸乙酯 做爲成分的聚矽氧系樹脂SEPA-COAT(商品名:信越化學 工業公司製)。 於轉印用薄膜之一面上形成此類轉印用離模型層的方法 並無特別限定,可列舉例如塗佈法、轉印法等。塗佈法係 於轉印用薄膜之一面上將離模型劑或其溶液以噴霧、浸 漬、或輥塗佈等予以塗佈,加熱處理則可形成轉印用離模 型層。又,以轉印法形成轉印用離模型層之情形中,亦可 進行加熱處理。轉印用離模型層之厚度例如爲〇.〇 5〜0.5 μ m,較佳爲0 · 1〜0 · 3 // m。又,轉印用離模型層並非必要全 體均勻設置,可爲隔開間隔且以島狀設置。更且,於轉印 用薄膜之一面的全面設置轉印用離模型層的離模型劑轉印 用薄膜帶,並非必定於絕緣層面上全體轉印離模型層,可 將連續或間歇的島狀轉印即可。其係因爲若於絕緣層之面 上形成島狀的離模型層,則可確實防止加熱工具與絕緣層 直接接觸,可有效防止加熱工具與絕緣層的熱熔黏。 又,本發明中,於轉印用薄膜之一面上,即,轉印用薄 膜與轉印用離模型層之間,亦可設置黏著層。此類黏著層 之材質可列舉例如丙烯酸系、橡膠系、及環氧系等之樹脂 材料。又,黏著層之厚度例如爲3〜25 // m,較佳爲5〜15 // m。此類黏著層之形成方法可列舉例如以噴霧、浸漬、或 16 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 輥塗佈等予以塗佈之方法。 此處,上述之轉印用離模型層爲於絕緣層之導體層的反 側’即,與組裝半導體晶片(IC)側反側之面上被轉印,此 時’可予以加壓,且亦可與加壓同時予以加熱,亦可僅進 行加熱。例如,此時之轉印條件爲:加熱溫度可爲1 5〜2 00 °C、輥或加壓之荷重可爲5〜50kg/cm2,處理時間可爲0.1 秒〜2小時。 又,爲了防止絕緣層與離模型層之間的剝離,可於轉印 後’經由加熱處理等提高兩者之間的接合力。此時的加熱 條件例如以加熱溫度爲5 0〜2 0 0 °C、(較佳爲1 0 0〜2 0 0 °C )力口 熱時間爲1分鐘〜1 2 0分鐘(較佳爲3 0分鐘〜1 2 0分鐘)即可。 此類離模型層於組裝半導體前設置即可,故可預先設置 於未設有導體層的絕緣層,亦可於設置導體層時同時設 置。當然,離模型層並非必要在導體層圖案化前被轉印, 於導體層圖案化後設置亦可。 例如,設置於未設有導體層之絕緣層時,進行轉印法爲 佳。又,於製造步驟之初期階段中以轉印法設置離模型層 時,在未剝離形成有離模型層之轉印用薄膜之情況下,使 用爲補強薄膜,並且於最終步驟中將轉印用薄膜剝離即可 。如此,將離模型層轉印用薄膜利用做爲補強薄膜,則可 提高C Ο F用撓性印刷電路板之製造步驟中的帶搬送強度。 此類COF用撓性印刷電路板具有導體層和絕緣層。此類 C Ο F用撓性印刷電路板所用之導體層與絕緣層的c Ο F用層 合薄膜,可列舉對聚醯亞胺薄膜等之絕緣薄膜濺鍍鎳等之 17 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 密黏強化層後,施以鍍銅的C 〇 F用層合薄膜。又,c 0 F用 層合薄膜可列舉對銅箔以塗佈法將聚醯亞胺薄膜予以疊層 之^ _型、及對銅箔透過熱可塑性樹脂.熱硬化性樹脂等 將絕緣薄膜予以熱壓黏之熱壓黏型的C OF用層合薄膜。本 發明中,任一種均可使用。 此處’ COF用撓性印刷電路板被使用於裝配半導體晶 片。此時’裝配方法並無特別限定,例如,於晶片台上所 載置之半導體晶片上將C0F用撓性印刷電路板配置於所 決定的位置,並將加熱工具押壓至C 〇 F用撓性印刷電路板 而裝配半導體晶片。此時,加熱工具最低被加熱至2 0 (TC 以上’且視情況被加熱至3 5 0 °C以上,但因於絕緣層上形 成離模型層,故達成不必擔心兩者之間發生熱熔黏的效果。 又’本發明之離模型層轉印用薄膜爲於上述之轉印用離 模型層之面上,設置可與此轉印用離模型層剝離的剝離薄 膜亦可。此剝離薄膜具有保護轉印用離模型層表面之作用。 不論任何方法,本發明之離模型層轉印用薄膜只要可於 裝配半導體晶片前將轉印用薄膜剝離,於絕緣層之導體層 反側’亦即,於裝配半導體晶片側反側之面上轉印離模型 層者即可,並無特別限定。 又,本發明之層合薄膜爲具有基材薄膜、與於此基材薄 膜之表面上經由含有至少一種選自矽烷化合物及矽溶膠之 離模型劑所形成的離模型層、與設置於此離模型層之基材 薄膜反側面上做爲COF用撓性印刷電路板材料的絕緣層。 又,此類層合薄膜並非限定於此等基材薄膜、離模型層、 18 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 及絕緣層三層類型的層合薄膜,例如,於絕緣層之基材薄 膜側的反側面上設置有導體層之四層型的層合薄膜,或者 於基材薄膜與離模型層之間’設置僅可與離模型層剝離之 黏著層之五層型的層合薄膜亦可。 又,若使用此類本發明之層合薄膜,則經由於c 0 F用撓 性印刷電路板裝配半導體晶片前將基材薄膜剝離,至少可 於絕緣層上殘留離模型層。此時,進行加熱處理後,將基 材薄膜剝離’則可於絕緣層之面上更有效地轉印離模型層。 而且,此類離模型層與上述之離模型層轉印用薄膜同樣 地,不令基材薄膜面上所設置之全部轉印亦可,至少於絕 緣層之一面上以連續性或間歇性島狀轉印即可。 又,此類本發明之層合薄膜爲經由於上述離模型層轉印 用薄膜之轉印用離模型層面上形成絕緣層,或,再於此絕 緣層面上形成導體層則可製造,或者,將絕緣層與導電層 二層貼黏,或者,將絕緣層與導體層二層型之層合薄膜貼 黏則可製造。或者,相反地,於絕緣層之一面上形成離模 型層後,於此離模型層之面上至少形成基材薄膜進行製造 亦可。 若根據此類本發明之層合薄膜,則至少於裝配半導體晶 片前,將基材薄膜剝離,且於絕緣層上形成離模型層,則 如上述般,可令絕緣層與加熱工具不直接接觸,而可確實 防止熱熔黏等。 又’若根據此類之層合薄膜,於未剝離基材薄膜下進行 C 0 F用撓性印刷電路板的製造步驟,則於製造時,此基材 19 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 谱作用爲黏著至絕緣層的補強薄膜◦因此,於此類情形中, 契造時,具有可確保所欲之帶搬送強度的效果。 不論任何方法,本發明之層合薄膜只要可於裝配半導體 晶片前將基材薄膜剝離,於絕緣層之導體層反側,亦即, 於裝配半導體晶片側反側之面上形成離模型層者即可,並 無特別限定。 【實施方式】 以下,根據實施例說明本發明之一實施形態的離模型層 轉印用薄膜。另外,圖]中,示出一實施形態之離模型層 轉印用薄膜。 如圖1(a)及(b)所示般,本實施形態之離模型層轉印用薄 膜】爲於構成C0F用撓性印刷電路板之絕緣層上形成離模 型層,具備轉印用薄膜2、與於此轉印用薄膜2之一面所 設置的轉印用離模型層3。 轉印用離模型層3爲於轉印用薄膜2之一面上全面設置 亦可’或以連續性或間歇性島狀設置亦可。例如,於轉印 至C OF薄膜輸送帶之情形中,對應於後述鏈輪孔間之區 域、或於後步驟中裝配半導體晶片(1C)之區域,設置連續 性或間歇性島狀亦可。即,關於轉印用薄膜2之轉印用離 模型層3的形成區域,對應於裝配轉印用離模型層3之轉 印對象COF薄膜輸送帶之半導體晶片區域,任意設定即 可。例如,於多條薄膜輸送帶之情形中,使用二個塗佈用 輥,於長方形之轉印用薄膜面上,於寬度方向上以指定間 隔塗佈離模型劑’並且延著長軸方向連續設置二條轉印用 20 3 ]2/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 離模型層亦可。或者,於轉印用薄膜之長軸方向上隔開指 定之間隔,例如’與半導體晶片之裝配間隔相同之間隔、 且以半導體晶片對於絕緣層之投影面積相同之面積,斷續 地以島狀設置離模型層亦可。例如,本實施形態爲於轉印 用薄膜2的全面設置轉印用離模型層3。又,此類轉印用 離模型層3爲於轉印用薄膜2之一面上塗佈離模型劑則可 設置。還有’轉印用離模型層3之厚度例如爲o.osq μ m, 較佳爲ο . 1〜ο . 5 V m。另外,此類轉印用離模型層3評述於 後,其係成爲被轉印至絕緣層面上的離模型層,可有效防 止半導體晶片裝配時之絕緣層熱熔黏至加熱工具者。 以上說明的離模型層轉印用薄膜1,至少於COF用撓性 印刷電路板裝配半導體晶片前,使用於將離模型層轉印至 構成C 0 F用撓性印刷電路板之絕緣層。 此處,此類之C Ο F用撓性印刷電路板雖以圖2所示之 C Ο F薄膜輸送帶爲說明例,但於c 〇 F用F P C無疑地亦可 同樣實施。還有,圖2中,示出一實施形態之C 〇 F薄膜輸 送帶2 0。 如圖2(a)、(b)所示般’本實施形態之c〇F薄膜輸送帶 2 〇使用銅層所構成的導體層1 1與聚醯亞胺薄膜所構成的 絕緣層1 2所組成的C Ο F用層合薄膜1 〇而製造,其爲具有 將導體層1 1予以圖案化之配線圖型2丨、及配線圖型2 1之 寬度方向兩側所設置的鏈輪孔2 2。又,配線圖案2 1爲於 絕緣層1 2的表面連續設置。更且,於配線圖案2 1上,具 有以網版印刷法塗佈焊料光阻材料塗佈溶液所形成的的焊 21 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 料光阻層2 3。還有,配線圖案亦可於絕緣層之兩面形成(2 -金屬COF薄膜輸送帶),於此情形中,僅於加熱工具所接 觸之領域塗佈離模型劑、或者於轉印用離模型層予以轉 印,形成離模型層即可。 此處’導體層1 1除了銅以外,亦可使用鋁、金、銀等, 但一般爲銅層。又,銅層可使用蒸鍍和鍍層所形成的銅層、 電解銅箔、壓拉銅箔等之任何者。導體層1 1之厚度一般爲 1〜7 0 // m、較佳爲5〜3 5 // rn。 另一方面,絕緣層1 2除了聚醯亞胺以外,可使用聚酯、 聚醯胺、聚醚硕、液晶聚合物等,但以使用苯均四酸二酐 與4,4,-二胺基二苯醚聚合所得之全芳香族聚醯亞胺爲 佳。另外,絕緣層1 2之厚度一般爲1 2.5〜1 2 5 // m,較佳爲 12.5 〜75// m,更佳爲 12.5 〜50# m。 此處,COF用層合薄膜1 〇爲例如於銅箔所構成之導體 層1 1上,塗佈含有聚醯亞胺先質或淸漆的聚醯亞胺先質樹 脂組成物,形成塗佈層1 2 a,令溶劑乾燥並捲繞,接著, 於氧氣吹掃之熟化爐內進行熱處理,予以醯亞胺化作成絕 緣層]2則可形成,但是,當然並非限定於此。 其後,於此類絕緣層1 2之配線圖案2 1側反側面上,經 由上述之離模型層轉印用薄膜1將轉印用離模型層3予以 轉印,形成離模型層1 3。 此類C 0 F薄膜輸送帶2 0爲例如被使用於一邊搬送一邊 裝配半導體晶片或電子零件對印刷基板等之裝配步驟而進 行C 0 F裝配C 0 F,此時,絕緣層1 2的透光性爲5 0 %以上, 22 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 故可由絕緣層1 2側以CCD等對配線圖案2 1 (例如,內引 線)進行畫像辨視,更且,可辨識裝配半導體晶片和印刷基 板的配線圖案2 1,並且經由畫像處理良好地進行相互的位 置對準,可高精確度地裝配電子零件。 其次,參照圖3及圖4,說明上述之C 0 F薄膜輸送帶2 0 的一製造方法。另外,圖3爲顯示本發明一實施形態之層 合薄膜及COF用層合薄膜以及彼等之製造方法的一例 圖,圖4爲C OF薄膜輸送帶之一製造方法的說明圖。 此處,本實施形態爲如圖3所示般,形成層合薄膜1 00 及C0F用層合薄膜10後,使用此C0F用層合薄膜10製 造C OF薄膜輸送帶。 具體而言,首先,C0F用層合薄膜爲於由銅箔所構成之 導體層11上(圖3(a)),塗佈含有聚醯亞胺先質或淸漆之聚 醯亞胺先質樹脂組成物,形成塗佈層I2a(圖3(b)),並且 令溶劑乾燥並捲繞。其次,於熱化爐內進行熱處理,予以 醯亞胺化作成絕緣層1 2 (圖3 ( c ))。其次,令做爲基材薄膜 之轉印用薄膜2上形成的轉印用離模型層3,與絕緣層1 2 之導體層1 1反側密黏製造層合薄膜1〇〇(圖3(d))。此處, 此層合薄膜1〇〇爲如圖3(d)所示般,由轉印用薄膜2(基材 薄膜)、轉印用離模型層3 (離模型層1 3 )、絕緣層1 2、及導 體層Π所構成。其後,將此類層合薄膜1 00予以加熱處理 後,剝開轉印用薄膜2,並於絕緣層1 2之導體層1 1側的 反側面上,作成具有離模型層1 3的C 0 F用層合薄膜1 0 (圖 3(e))。 23 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 此處,轉印條件例如以加熱溫度爲1 5〜2 0 0它、輥或加壓 負重爲5〜5 0 k g / c m 2、處理時間爲〇 ·丨秒〜2小時爲佳。又, 加熱條件例如以加熱溫度爲5 0〜2 0 〇 °C (較佳爲1 〇 〇〜2 0 0 C )、加熱時間爲1分鐘〜1 2 0分鐘(較佳爲3 〇分鐘〜丨2 〇分 鐘)。此處,轉印用薄膜2之材質可列舉例如p E τ (聚對苯 一甲酸乙二酯)、Ρ I (聚醯亞胺)、及液晶聚合物等。此類轉 印用薄膜2之厚度例如爲1 5〜1 〇 〇 ν m、較佳爲2 〇〜7 5 " m。 其次’將圖4(a)所示之導體層η及絕緣層1 2所構成的 COF用層合薄膜10以穿孔機等予以貫穿,形成圖4(b)所 示之鏈輪孔2 2。此鏈輪孔2 2爲由絕緣層1 2之表面上形成 亦可’又,亦可由絕緣層12之裏面形成。其次,如圖4(c) 所示般,使用一般的光微影術法,橫過導體層n上之配線 圖案2 1所形成的區域’例如,塗佈負型光阻材料塗佈溶液 並且形成光阻材料塗佈層3 0。當然,亦可使用正型光阻材 料。更且,於鏈輪孔2 2內插入位置決定栓並且進行絕緣層 1 2的位置決定後,透過光罩3丨進行曝光.顯像,使光阻 材料塗佈層3 0圖案化,形成圖4 ( d )所示之配線圖案用光 阻圖案3 2。其次,以配線圖案用光阻圖案3 2做爲遮蔽圖 案’並以蝕刻液將導體層Π溶解除去,再以鹼性溶液等將 配線圖案用光阻圖案3 2予以溶解除去,則可形成圖4 ( e) 所示般的配線圖案2 1。接著,視需要對配線圖案2 1全體 進行鍍錫等之鍍層處理後,如圖4 (f)所示般,例如,使用 網版印刷法,形成焊料光阻層2 3。其後,對焊料光阻層2 3 未覆蓋的內引線及外引線視需要施以鍍金屬層。鍍金屬層 24 312/發明說明書(補件)/92-06/92】05469 1229395 並無特別限定,視用途適當設置即可,可施以鍍錫、鍍錫 合金、鍍鎳、鍍金、鍍金合金等。 以上說明之實施形態中’於形成鏈輪孔2 2前進行離模型 層1 3的形成,但並不限定於此’於C 0F用層合薄膜1 0之 導體層1 2圖案化之前進行亦可’於驗性溶液等將配線圖案 用光阻圖案3 2予以溶解除去之後、設置焊料光阻層2 3之 前進行亦可。又,於設置焊料光阻層23後之焊料光阻製造 步驟之最後形成離模型層1 3亦可。若如此形成離模型層 1 3,則離模型層1 3並不被曝露於蝕刻液或光阻物的剝離液 等,故具有離模型效果局之優點。還有’此處所謂的製造 步驟之最後乃意指製品檢查步驟之前。 如此,本發明之離模型層爲於形成配線圖案2 1之光微影 術步驟後,且黏合半導體晶片前形成爲佳。其係因爲光阻 層之剝離步驟具有溶解離模型層的可能性。因此,光阻步 驟終了後、或鍍層處理後,以及焊料光阻層2 3形成後設置 離模型層爲佳。當然,比光微影術步驟前進行亦可。 又,如本實施形態般,若預先於C 0 F用層合薄膜1 〇設 置離模型層13’則於製造COF薄膜輸送帶20時,亦具有 可確保所欲之帶搬送強度之效果。另外,本實施形態中, 剝離轉印用薄膜2基材,作成c Ο F用層合薄膜1 〇,但並 非限定於此,對COF用層合薄膜丨0預先貼以轉印用薄膜 m 並就其原樣未剝離轉印用薄膜2地進行各製造步驟, η 势:造步驟最後剝離轉印用薄膜2亦可。藉此,可充分 確保帶搬送強度。 25 °12/邊明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 更且,本發明爲如上述,於轉印用薄膜2之一面上設置 轉印用離模型層3,但如圖5所示般,於轉印用薄膜2與 轉印用離模型層3 A之間設置黏著層4亦可。圖5所示之 離模型層轉印用薄膜1 A爲例如首先於聚對苯二甲酸乙二 酯(PET)等所構成之轉印用薄膜2之一面上,塗佈厚度3〜2 5 // m左右之黏著劑,並且形成僅可剝離轉印用離模型層3 a 之黏著層4(圖5(a))。其次,於此黏著層4之面上塗佈離 模型劑,並且經由形成轉印用離模型層3 A則可製造(圖 5 (b ))。另外,此類構成之離模型層轉印用薄膜} a係於做 爲基材薄膜之轉印用薄膜2上,使透過黏著層4所形成之 轉印用離模型層3 A與絕緣層1 2之導體層1 1反側密黏, 製造層合薄膜100A(圖5(c))。還有,此處之層合薄膜ιοοΑ 爲如圖5(c)所示般,由轉印用薄膜2(基材薄膜)、黏著層4、 轉印用離模型層3A(離模型層1 3 A)、絕緣層12、及導體層 1 1所構成。其次,將此類層合薄膜1 0 0 A予以加熱處理後, 將轉印用薄膜2剝離,製造於絕緣層! 2之導體層n側反 側面上具有離模型層13 A的COF用層合薄膜1〇 A(圖 5(d))。此時,黏著層4爲與轉印用薄膜2黏著但與離模型 層1 3 A爲可剝離,故於剝離轉印用薄膜2時同時被剝離。 還有,此處之轉印條件爲同上述,並無特別限定。又,關 於剝離轉印薄膜2之時機,可爲COF薄膜輸送帶之製造步 驟前’當然亦可爲製造步驟後。如此,若於製造步驟後剝 離轉印薄膜2,則可確保所欲的搬送強度。又,於製造步 驟前剝離時,亦於其後之製造步驟中形成離模型層1 3 A, 26 312/發明說明書(補件)/92·06/92105469 1229395 故可充分確保c 0 F用層合薄膜1 Ο A的搬送強度。 本發明之離模型層轉印用薄膜及層合薄膜均未限定於上 述構成,至少於半導體晶片裝配前’將轉印用薄膜或基材 薄膜剝離,對應於後述加熱工具與絕緣層之間之區域’於 絕緣層之半導體晶片裝配側反側面上’可形成特定之聚石夕 氧系化合物所構成之離模型層即可。
此處,本發明爲令如上述處理所製造之C 0 F薄膜輸送帶 2 0如圖6 ( a )及圖(b )所示般,經由裝配半導體晶片3 0則司 製造。即,將半導體晶片3 〇載置於晶片台4 1上,搬送COF
薄膜輸送帶2 0。於此狀態下,於指定位置決定位置後,隨 著上部夾板42下降而令下部夾板43上升,使COF薄膜輸 送帶2 0固定,並於此狀態下使得加熱工具4 5下降並且壓 住膠帶,一邊加熱再一邊下降令COF薄膜載流帶20之內 引線以指定時間押壓半導體晶片3 0的隆起部3 1,使兩者 接合。還有,接合後,進行樹脂封裝,作成半導體裝置。 還有,加熱工具45之溫度根據押壓時間、壓力等條件而 異’司爲2〇〇C以上、較佳爲350 °C以上。本發明中,即使 如此令加熱工具45之溫度爲高溫,亦因於C〇F薄膜輸送 帶2 〇之加熱工具4 5的接觸面設置離模型層】3,故不會與 加熱工具45熱熔黏。即,若根據本發明,因可充分提高接 合條件的溫度’故可確保充分的接合強度,相反地,於取
得一定的接合強度而提高加熱溫度,則I 具有可縮短壓黏時 間的優點。 (實施例1 ) 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 27 1229395 首先,於厚度5 〇 V m之p E T薄膜所構成之轉印用薄膜2 之一面上,以塗佈法塗佈聚矽氧系離模型劑,準備形成含 有厚度0 . 1 // m矽院之聚矽氧系化合物所構成之轉印用離 模型層3的離模型層轉印用薄膜1。其次,於做爲導體層 1 1之厚度9 a m的超低粗度銅箔上,以塗佈法形成厚度4 〇 V m之聚醯亞胺層做爲絕緣層1 2,更且,於此絕緣層】2 之導體層1 1的反側面上,使用上述之離模型劑轉印用薄膜 膠帶1,以轉印法設置厚度〇 . 1 // m之轉印用離模型層3所 構成的離模型層1 3,作成實施例的C OF用層合薄膜。另 外,將聚矽氧系化合物所構成之離模型層1 3予以轉印後, 以1 2 0 °C進行加熱處理。 (實施例2) 除了於實施例1中將聚矽氧系化合物所構成的離模型層 轉印後,未進行加熱處理以外,其餘均同樣處理作成實施 例2的C Ο F用層合薄膜。 (實施例3 ) 於實施例1中,除了使用含有矽氮烷化合物之 SEPA-COAT(商品名:信越化學工業公司製)做爲形成聚矽 氧系化合物所構成之離模型層的離模型劑,準備形成轉印 用離模型層3的離模型層轉印用薄膜1,並且以此離模型 劑轉印用薄膜膠帶1於絕緣層1 2之面上轉印離模型層1 3 以外,其餘均同樣處理作成實施例3的C 0 F用層合薄膜。 (實施例4 ) 於實施例1中,除了使用含有矽溶膠之柯爾寇特P (商品 28 3 ] 2/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 名:柯爾寇特股份有限公司)做爲形成聚矽氧系化合物所構 成之離模型層的離模型劑以外’同樣準備形成轉印用離模 型層3的離模型層轉印用薄膜1。其後’使用此離模型劑 轉印用薄膜膠帶1予以轉印時,以1 2 0 °c加熱並且加以 2 0 k g / c m 2的負重,進行3 0分鐘熱壓,則可形成轉印用離 模型層3所構成之離模型層1 3,作成實施例4的C 0 F用 層合薄膜。 (比較例1 ) 除了未設置離模型層1 3以外’同實施例1處理作成C OF 用層合薄膜。 (試驗例1 ) 將實施例1〜4及比較例1之COF用層合薄膜的導體層 1 1予以圖案化,其後,對配線圖案全體施以鍍錫後,形成 焊料光阻層,製造COF薄膜輸送帶。其後,使用此等各 C 0 F薄膜輸送帶,一邊令加熱工具溫度以2 6 0 °C〜4 4 0 t之 範圍變化,一邊押往離模型層1 3側,安裝半導體晶片,觀 察與加熱工具的附著性,其結果示於表1。 其結果爲,比較例1若超過300 °C則發生附著,但實施 例2爲於超過3 2 0 °C時有部分發生附著,附著性爲良好, 實施例1、3及4於超過4 0 0 °C爲止完全未發生附著。另外, 實施例2雖與比較例1有差距,效果並不顯著,但加熱熔 黏溫度乃根據加熱工具,裝配之半導體晶片種類、裝配品 之用途等而異,一般爲於2 00〜3 5 0 °C左右之情況,故就上 升附著溫度方面而言爲有效的。 29 312/發明說明書(補件)/92·06/92105469 1229395 表l
工具溫度(°c ) 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 比較例1 260 〇 〇 〇 〇 〇 280 〇 〇 〇 〇 〇 3 00 〇 〇 〇 〇 X 320 〇 Δ 〇 〇 X 340 〇 △ 〇 〇 X 360 〇 X 〇 〇 X 380 〇 X 〇 〇 X 400 〇 X 〇 〇 X 420 X X 〇 X X 440 X X X X X 表中:〇爲無附著、△爲有部分附著、X爲有附著 (發明之效果) 如上述說明般’本發明之離模型層轉印用薄膜爲使特定 聚矽氧系化合物所構成之轉印用離模型層,於絕緣層之面 上做爲離模型層而轉印,故可於C OF用撓性印刷電路板上 輕易形成離模型層,達到絕緣層不會熱熔黏至加熱工具, 且可提高半導體晶片裝配流線之可靠度及生產性之效果。 又,關於本發明之層合薄膜亦單純於剝離基材薄膜時, 於絕緣層面上可較輕易形成特定之聚矽氧系化合物所構成 的離模型層,故可取得與上述離模型層轉印用薄膜同樣之 效果。 【圖式簡單說明】 30 312/發明說明書(補件)/92-06/92105奶9 1229395 圖1 (a)、(b)爲顯示本發明之一實施形態之離模型層轉印 用薄膜的截面圖。 圖2(a)、(b)爲顯示本發明之一實施形態之COF薄膜輸 送帶的槪略構成圖,(a )爲平面圖,(b )爲截面圖。 圖3(a)〜(e)爲顯示本發明之一實施形態之層合薄膜及 C 0 F用層合薄膜及彼等之製造方法之一例的截面圖。 圖4 ((a)〜(f)爲顯示本發明之一實施形態之COF薄膜輸送 帶之製造方法之一例的截面圖。 圖5(a)〜(d)爲本發明之其他實施形態之離模型層轉印用 薄膜及層合薄膜的截面圖。 圖6(a)、(b)爲顯示本發明之一實施形態之半導體裝置及 其製造方法的截面圖。 (元件符號之說明) 1 離模型層轉印用薄膜 2 轉印用薄膜(基材薄膜) 3、3 A 轉印用離模型層 I 0、1 OA COF用層合薄膜 II 導體層 12 絕緣層 1 3、〗3 A 離模型層 2 0 COF薄膜輸送帶 2 1 配線圖案 2 2 鏈輪孔 23 焊料光阻層 31
312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 3 0 半導體晶片 3 1 隆起部 1 0 0、1 0 0 A 層合薄膜
312/發明說明書(補件)/9106/9210M69 32

Claims (1)

1229395 拾、申請專利範圍 ].一種離模型層轉印用薄膜,其係於COF用撓性印刷電 路板材料之絕緣層形成離模型層的離模型層轉印用薄膜, 具備轉印用薄膜,和於此轉印用薄膜之一面所設置的轉印 用離模型層,且前述轉印用離模型層係經由離模型劑所形 成卩I.可轉印至前述絕緣層。 2 .如申請專利範圍第1項之離模型層轉印用薄膜,其中 前述轉印用離模型層爲由聚矽氧系化合物所構成。 3 .如申請專利範圍第2項之離模型層轉印用薄膜,其中 前述轉印用離模型層爲經由含有至少一種選自矽氧烷化合 物、矽烷化合物、及矽溶膠之離模型劑予以形成。 4 .如申請專利範圍第2項之離模型層轉印用薄膜,其中 前述轉印用離模型層爲經由含有至少一種選自矽烷化合 物、及矽溶膠之離模型劑予以形成。 5 .如申請專利範圍第4項之離模型層轉印用薄膜,其中 前述轉印用離模型層爲經由含有矽氮烷化合物之離模型劑 予以形成。 6 .如申請專利範圍第3項之離模型層轉印用薄膜,其中 前述轉印用離模型層係經由塗佈前述離模型劑之溶液,並 且加熱處理所形成。 7 .如申請專利範圍第4項之離模型層轉印用薄膜,其中 前述轉印用離模型層係經由塗佈前述離模型劑之溶液,並 且加熱處理所形成。 8 .如申請專利範圍第5項之離模型層轉印用薄膜,其中 33 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 前述轉印用離模型層係經由塗佈前述離模型劑之溶液,並 且加熱處理所形成。 9 .如申請專利範圍第1至8項中任一項之離模型層轉印 用薄膜,其中前述轉印用離模型層爲經由密黏至前述絕緣 層後,進行加熱處理而轉印。 1 0 .如申請專利範圍第1至8項中任一項之離模型層轉印 用薄膜,其中前述轉印用離模型層係於前述轉印用薄膜之 一面以連續性或間歇性島狀設置。 Π .如申請專利範圍第1至8項中任一項之離模型層轉印 用薄膜,其中前述轉印用離模型層係對前述絕緣層以連續 性或間歇性島狀轉印。 1 2 .如申請專利範圍第1至8項中任一項之離模型層轉印 用薄膜,其中前述轉印用離模型層係對應於前述COF用撓 性印刷電路板之至少二列鏈輪孔之列間所存在之前述配線 圖案的形成區域而設置。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之離模型層轉印用薄膜,其 中前述配線圖案之形成區域爲至少二列以上,對應於該配 線圖案之每列設置多條前述轉印用離模型層。 1 4 .如申請專利範圍第1至8項中任一項之離模型層轉印 用薄膜’其中於前述轉印用薄膜與前述轉印用離模型層之 間’設置僅可與該轉印用離模型層剝離的黏著層。 1 5 ·如申請專利範圍第1至8項中任一項之離模型層轉印 用薄膜,其中前述轉印用薄膜係於前述C 〇 F用撓性印刷電 路板之製造步驟中被黏著至前述絕緣層並且被使用做爲補 34 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 強薄膜。 1 6 .如申請專利範圍凜〗至8項中任一項之離模型層轉印 用薄膜,其中於前述轉印用離模型層之面上,設置可與該 轉印用離模型層剝離的剝離薄膜。 〗7 . —種層合薄膜,其特徵爲具有基材薄膜,該基材薄膜 之表面上經由含有至少一種選自矽烷化合物及矽溶膠之離 模型劑所形成的離模型層、及與該離模型層之前述基材薄 膜反側面上所設置之做爲C OF用撓性印刷電路板材料的 絕緣層。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項之層合薄膜,其中前述離模 型層爲經由含有矽氮烷化合物之離模型劑所形成。 1 9 .如申請專利範圍第1 7項之層合薄膜,其中於前述絕 緣層之前述離模型層側之反側面上設置導體層。 2 0 .如由請專利範圍第1 7項之層合薄膜,其中於前述基 材薄膜與前述離模型層之間,設置僅可與該離模型層剝離 的黏著層。 2 1 .如申請專利範圍第1 7至2 0項中任一項之層合薄膜, 其中前述基材薄膜係於前述COF用撓性印刷電路板之製 造步驟中被黏著至前述絕緣層並且被使用做爲補強薄膜。 2 2 .如申請專利範圍第1 7至2 0項中任一項之層合薄膜, 其中將前述基材薄膜於前述COF用撓性印刷電路板裝配 半導體晶片前剝離,於前述絕緣層上殘留有前述離模型層。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項之層合薄膜,其中在剝離前 述基材薄膜時,利用加熱處理使前述離模型層被轉印至前 35 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469 1229395 述絕緣層。 2 4 .如申請專利範圍第2 3項之層合薄膜,其中前述離模 型層係於前述絕緣層之一面上以連續性或間歇性島狀被轉 印。 36 312/發明說明書(補件)/92-06/92105469
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TW092105471A TWI230567B (en) 2002-03-13 2003-03-13 Printed circuit board and method of producing the same

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Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002190674A (ja) * 2000-12-21 2002-07-05 Sony Chem Corp 多層フレキシブル配線板の製造方法
JP3914165B2 (ja) * 2002-03-13 2007-05-16 三井金属鉱業株式会社 離型層転写用フィルム及び積層フィルム並びにcof用フレキシブルプリント配線板の製造方法
US20050205972A1 (en) * 2002-03-13 2005-09-22 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. COF flexible printed wiring board and semiconductor device
US7173322B2 (en) 2002-03-13 2007-02-06 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. COF flexible printed wiring board and method of producing the wiring board
JP3889700B2 (ja) 2002-03-13 2007-03-07 三井金属鉱業株式会社 Cofフィルムキャリアテープの製造方法
JP2003330041A (ja) * 2002-05-10 2003-11-19 Sharp Corp 半導体装置及びそれを備えた表示パネルモジュール
JP3726961B2 (ja) * 2002-06-26 2005-12-14 三井金属鉱業株式会社 Cofフィルムキャリアテープ及びその製造方法
KR20050035970A (ko) * 2003-10-14 2005-04-20 삼성전자주식회사 연성 인쇄회로기판 및 이를 이용한 액정표시장치
US20080055581A1 (en) * 2004-04-27 2008-03-06 Rogers John A Devices and methods for pattern generation by ink lithography
US7943491B2 (en) * 2004-06-04 2011-05-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Pattern transfer printing by kinetic control of adhesion to an elastomeric stamp
US7521292B2 (en) 2004-06-04 2009-04-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Stretchable form of single crystal silicon for high performance electronics on rubber substrates
EP2650905B1 (en) 2004-06-04 2022-11-09 The Board of Trustees of the University of Illinois Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements
US8217381B2 (en) 2004-06-04 2012-07-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Controlled buckling structures in semiconductor interconnects and nanomembranes for stretchable electronics
US7799699B2 (en) 2004-06-04 2010-09-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling
JP4109689B2 (ja) * 2004-09-29 2008-07-02 三井金属鉱業株式会社 Cof用フレキシブルプリント配線板の製造方法
EP1814369A4 (en) * 2004-10-01 2008-10-29 Toray Industries LONG FILM PCB AND PRODUCTION PROCESS AND PRODUCTION DEVICE THEREFOR
KR100594299B1 (ko) * 2004-10-29 2006-06-30 삼성전자주식회사 유연성 인쇄 회로 및 이것이 구비된 하드 디스크 드라이브
JP2006269496A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd フレキシブルプリント配線基板、および半導体装置
KR20060124940A (ko) * 2005-06-01 2006-12-06 삼성전자주식회사 가요성 표시 장치의 제조 방법
JP2007180240A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Sharp Corp 多層配線基板と、それを備えた電子モジュールおよび電子機器
CN101506413A (zh) 2006-03-03 2009-08-12 伊利诺伊大学评议会 制造空间排列的纳米管和纳米管阵列的方法
US7749608B2 (en) * 2006-06-06 2010-07-06 Second Sight Medical Products, Inc. Molded polymer comprising silicone and at least one metal trace
DE102006031844B4 (de) 2006-07-07 2013-04-11 Technische Universität Braunschweig Carolo-Wilhelmina Verfahren zur Befestigung von elektronischen Bauelementen auf einem Träger durch Drucksinterung und somit hergestellte Schaltungsanordnung
US20100047959A1 (en) * 2006-08-07 2010-02-25 Emcore Solar Power, Inc. Epitaxial Lift Off on Film Mounted Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
CN101517700B (zh) 2006-09-20 2014-04-16 伊利诺伊大学评议会 用于制造可转移半导体结构、器件和器件构件的松脱策略
JP2008103503A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Shinwa Frontech Corp 回路基板の製造方法
MY149292A (en) 2007-01-17 2013-08-30 Univ Illinois Optical systems fabricated by printing-based assembly
TW200907003A (en) * 2007-07-03 2009-02-16 Hitachi Chemical Co Ltd Adhesive composition and method of manufacturing thereof, adhesive member using the adhesive composition and method of manufacturing thereof, supporting member for mounting semiconductor and method of manufacturing thereof, and semiconductor apparatus an
JP4510066B2 (ja) * 2007-11-06 2010-07-21 日東電工株式会社 配線回路基板の製造方法および検査方法
KR20090075058A (ko) * 2008-01-03 2009-07-08 삼성전자주식회사 반도체 검사 장치의 접촉 단자
JP5743553B2 (ja) 2008-03-05 2015-07-01 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ 伸張可能及び折畳み可能な電子デバイス
US8470701B2 (en) * 2008-04-03 2013-06-25 Advanced Diamond Technologies, Inc. Printable, flexible and stretchable diamond for thermal management
TW200945530A (en) * 2008-04-24 2009-11-01 Chipmos Technologies Inc Chip package structure
WO2010005707A1 (en) * 2008-06-16 2010-01-14 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Medium scale carbon nanotube thin film integrated circuits on flexible plastic substrates
US8886334B2 (en) 2008-10-07 2014-11-11 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices using stretchable or flexible electronics for medical applications
US8389862B2 (en) 2008-10-07 2013-03-05 Mc10, Inc. Extremely stretchable electronics
WO2010042653A1 (en) 2008-10-07 2010-04-15 Mc10, Inc. Catheter balloon having stretchable integrated circuitry and sensor array
US8372726B2 (en) 2008-10-07 2013-02-12 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
US8097926B2 (en) 2008-10-07 2012-01-17 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
US8778199B2 (en) 2009-02-09 2014-07-15 Emoore Solar Power, Inc. Epitaxial lift off in inverted metamorphic multijunction solar cells
JP2010239022A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd フレキシブルプリント配線基板及びこれを用いた半導体装置
WO2010132552A1 (en) 2009-05-12 2010-11-18 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Printed assemblies of ultrathin, microscale inorganic light emitting diodes for deformable and semitransparent displays
KR100922415B1 (ko) * 2009-06-15 2009-10-16 스템코 주식회사 연성 회로 기판의 제조 방법 및 연성 회로 기판, 반도체 패키지의 제조 방법 및 반도체 패키지
US9723122B2 (en) 2009-10-01 2017-08-01 Mc10, Inc. Protective cases with integrated electronics
JP6046491B2 (ja) 2009-12-16 2016-12-21 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ コンフォーマル電子機器を使用した生体内での電気生理学
US10441185B2 (en) 2009-12-16 2019-10-15 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Flexible and stretchable electronic systems for epidermal electronics
US8666471B2 (en) 2010-03-17 2014-03-04 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Implantable biomedical devices on bioresorbable substrates
US9936574B2 (en) 2009-12-16 2018-04-03 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Waterproof stretchable optoelectronics
JP2011210821A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Renesas Electronics Corp 半導体装置とその製造方法
CN102320839A (zh) * 2010-05-17 2012-01-18 株式会社村田制作所 陶瓷浆料、陶瓷浆料的制造方法、带载体膜的陶瓷生片及层叠陶瓷电子部件的制造方法
TWI402012B (zh) 2010-09-01 2013-07-11 Ind Tech Res Inst 圖案化可撓式基板的方法
US9442285B2 (en) 2011-01-14 2016-09-13 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Optical component array having adjustable curvature
KR101175892B1 (ko) * 2011-02-14 2012-08-23 삼성전기주식회사 절연 필름 구조체 및 이의 제조 방법
US9765934B2 (en) 2011-05-16 2017-09-19 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Thermally managed LED arrays assembled by printing
EP2712491B1 (en) 2011-05-27 2019-12-04 Mc10, Inc. Flexible electronic structure
EP2713863B1 (en) 2011-06-03 2020-01-15 The Board of Trustees of the University of Illionis Conformable actively multiplexed high-density surface electrode array for brain interfacing
US9555644B2 (en) * 2011-07-14 2017-01-31 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Non-contact transfer printing
US20130063912A1 (en) * 2011-09-14 2013-03-14 Liang-Chan Liao Cof packaging method and structure for lcd driver chips
KR20140069207A (ko) * 2011-09-23 2014-06-09 1366 테크놀로지 인코포레이티드 기판 수송, 공구 레이다운, 공구 텐셔닝 및 공구 철수를 포함한, 열유동성 재료 피복에서 공구에 의해 패턴을 형성하는 기판의 취급, 가열 및 냉각 방법 및 장치
WO2013089867A2 (en) 2011-12-01 2013-06-20 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Transient devices designed to undergo programmable transformations
US9554484B2 (en) 2012-03-30 2017-01-24 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Appendage mountable electronic devices conformable to surfaces
KR102061342B1 (ko) * 2012-06-13 2020-01-02 에스케이하이닉스 주식회사 강화된 범프 체결 구조를 포함하는 전자 소자의 패키지 및 제조 방법
US9171794B2 (en) 2012-10-09 2015-10-27 Mc10, Inc. Embedding thin chips in polymer
JP5946815B2 (ja) * 2013-11-26 2016-07-06 ファナック株式会社 絶縁部品が装着されたプリント基板を有するモータ駆動装置
JP6151654B2 (ja) * 2014-02-25 2017-06-21 日東電工株式会社 配線回路基板およびその製造方法
US9899330B2 (en) * 2014-10-03 2018-02-20 Mc10, Inc. Flexible electronic circuits with embedded integrated circuit die
CN105764234B (zh) * 2014-12-19 2019-01-25 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 电路板结构及其制作方法
JP6679370B2 (ja) * 2015-03-26 2020-04-15 デクセリアルズ株式会社 可撓性実装モジュール体の製造方法
KR20180034342A (ko) 2015-06-01 2018-04-04 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 대안적인 자외선 감지방법
WO2016196675A1 (en) 2015-06-01 2016-12-08 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Miniaturized electronic systems with wireless power and near-field communication capabilities
US10925543B2 (en) 2015-11-11 2021-02-23 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Bioresorbable silicon electronics for transient implants
KR101757430B1 (ko) * 2016-09-27 2017-07-12 동우 화인켐 주식회사 플렉서블 기능성 필름과 그 제조방법
WO2019003775A1 (ja) * 2017-06-29 2019-01-03 京セラ株式会社 回路基板およびこれを備える発光装置
TWI744805B (zh) * 2020-02-24 2021-11-01 頎邦科技股份有限公司 電路板
KR20220008987A (ko) 2020-07-14 2022-01-24 삼성전자주식회사 가공 테이프 및 이를 사용한 반도체 장치 제조 방법
CN114106601B (zh) * 2021-12-30 2022-12-13 上海中化科技有限公司 一种脱膜涂层组合物及其用于制备聚酰亚胺薄膜的方法

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3503782A (en) * 1967-05-29 1970-03-31 Phillips Petroleum Co Differential release paper
US3554835A (en) * 1967-08-16 1971-01-12 Morgan Adhesives Co Slidable adhesive laminate and method of making
JPS6150394A (ja) * 1984-08-18 1986-03-12 松下電器産業株式会社 実装体
JPS61158153A (ja) 1984-12-28 1986-07-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱圧着装置
JPH01154740A (ja) * 1987-12-11 1989-06-16 Shin Etsu Chem Co Ltd 粘着性構造体
US5082706A (en) * 1988-11-23 1992-01-21 Dow Corning Corporation Pressure sensitive adhesive/release liner laminate
JPH03157414A (ja) 1989-07-25 1991-07-05 Sekisui Chem Co Ltd 熱硬化性被覆用シートと被覆物の製造方法
EP0423947B1 (en) 1989-09-22 1994-09-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for electroplating electroactive polymers and articles derived therefrom
US5273805A (en) * 1991-08-05 1993-12-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Structured flexible carrier web with recess areas bearing a layer of silicone on predetermined surfaces
US5281455A (en) * 1991-08-22 1994-01-25 Dow Corning Corporation Laminate article comprising moisture-curable silicone pressure sensitive adhesive and release liner
JPH05315401A (ja) 1992-05-07 1993-11-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の接続装置
US5759455A (en) * 1994-07-08 1998-06-02 Canon Kabushiki Kaisha Roller-shaped stamper for fabricating optical scales
US6210767B1 (en) * 1994-10-20 2001-04-03 International Paper Company Release liner base stock for printed films or labels
JPH0955402A (ja) 1995-08-11 1997-02-25 Dainippon Printing Co Ltd 半導体素子用キャリアテープ
JPH09115961A (ja) 1995-10-17 1997-05-02 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 銅被覆ポリイミド基板を用いた電子回路部品素材の製造方法
JPH09289232A (ja) * 1996-02-21 1997-11-04 Toray Ind Inc Tab用接着剤付きテープおよび半導体接続基板並びに半導体装置
JPH09289323A (ja) 1996-04-23 1997-11-04 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置の製造方法
JPH10151408A (ja) 1996-11-21 1998-06-09 Hitachi Chem Co Ltd 撥水処理方法
US5965226A (en) * 1997-03-11 1999-10-12 Mitsubishi Polyester Film, Llc In-line method for laminating silicone-coated polyester film to paper, and laminate produced thereby
US5972152A (en) * 1997-05-16 1999-10-26 Micron Communications, Inc. Methods of fixturing flexible circuit substrates and a processing carrier, processing a flexible circuit and processing a flexible circuit substrate relative to a processing carrier
US6280851B1 (en) * 1998-03-23 2001-08-28 Sentrex Company, Inc. Multilayer product for printed circuit boards
JP4000221B2 (ja) * 1998-08-17 2007-10-31 富士ゼロックス株式会社 電子写真用転写紙
JP3997629B2 (ja) 1998-10-30 2007-10-24 凸版印刷株式会社 補強シート付tab用フィルムキャリアテープ
JP3613098B2 (ja) * 1998-12-21 2005-01-26 セイコーエプソン株式会社 回路基板ならびにそれを用いた表示装置および電子機器
US6320135B1 (en) * 1999-02-03 2001-11-20 Casio Computer Co., Ltd. Flexible wiring substrate and its manufacturing method
JP2000294922A (ja) * 1999-04-01 2000-10-20 Victor Co Of Japan Ltd 多層プリント配線板用の絶縁樹脂組成物
JP3558921B2 (ja) * 1999-05-14 2004-08-25 シャープ株式会社 テープキャリア並びにテープキャリア型半導体装置の製造方法
JP4123637B2 (ja) 1999-06-14 2008-07-23 凸版印刷株式会社 フィルムキャリアの製造方法
KR100511759B1 (ko) * 1999-06-18 2005-08-31 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착제, 접착부재, 접착부재를 구비한 반도체탑재용배선기판 및 이것을 사용한 반도체장치
US6391220B1 (en) 1999-08-18 2002-05-21 Fujitsu Limited, Inc. Methods for fabricating flexible circuit structures
JP2001127119A (ja) 1999-10-27 2001-05-11 Toray Ind Inc ファインパターン形成用フレキシブルテープおよびその製造方法
US6521309B1 (en) * 1999-11-11 2003-02-18 Tyco Adhesives Lp Double-sided single-liner pressure-sensitive adhesive tape
JP3998878B2 (ja) * 1999-11-25 2007-10-31 シャープ株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、およびパッケージの製造方法
JP2001177204A (ja) * 1999-12-15 2001-06-29 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 表面処理銅箔及びその表面処理銅箔の製造方法
JP3456576B2 (ja) 2000-01-26 2003-10-14 カシオマイクロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3675688B2 (ja) * 2000-01-27 2005-07-27 寛治 大塚 配線基板及びその製造方法
JP3798220B2 (ja) 2000-04-07 2006-07-19 シャープ株式会社 半導体装置およびそれを用いる液晶モジュール
JP2001351950A (ja) 2000-06-07 2001-12-21 Toray Ind Inc フレキシブル基板用銅張りテープ及びそれを用いた部品ならびに半導体装置
JP3659133B2 (ja) 2000-06-23 2005-06-15 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
GB0023096D0 (en) * 2000-09-20 2000-11-01 Eastman Kodak Co Photographic elements containg a cyan dye-forming coupler,stabilizer and solvent
JP2002289651A (ja) 2000-12-12 2002-10-04 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd チップオンフィルム基板及びその製造方法
JP2002252257A (ja) 2000-12-18 2002-09-06 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 半導体キャリア用フィルム及びその製造方法
JP2003059979A (ja) * 2001-08-20 2003-02-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 電子部品実装用積層フィルム及び電子部品実装用フィルムキャリアテープ
US6794031B2 (en) * 2001-09-28 2004-09-21 Ube Industries, Ltd. Cover-lay film and printed circuit board having the same
DE50202530D1 (de) * 2001-10-11 2005-04-28 Nordenia Deutschland Gronau Release-Folie
JP3914165B2 (ja) 2002-03-13 2007-05-16 三井金属鉱業株式会社 離型層転写用フィルム及び積層フィルム並びにcof用フレキシブルプリント配線板の製造方法
JP3889700B2 (ja) * 2002-03-13 2007-03-07 三井金属鉱業株式会社 Cofフィルムキャリアテープの製造方法
US20050205972A1 (en) * 2002-03-13 2005-09-22 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. COF flexible printed wiring board and semiconductor device
KR101199212B1 (ko) * 2010-11-19 2012-11-09 삼성에스디아이 주식회사 보호회로 모듈

Also Published As

Publication number Publication date
KR100703612B1 (ko) 2007-04-05
KR100588295B1 (ko) 2006-06-09
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CN1444436A (zh) 2003-09-24
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KR100694251B1 (ko) 2007-03-14
KR20060129939A (ko) 2006-12-18
TW200306768A (en) 2003-11-16
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US20050167818A1 (en) 2005-08-04
CN100334700C (zh) 2007-08-29
JP3889700B2 (ja) 2007-03-07
KR20040101286A (ko) 2004-12-02
KR20030074431A (ko) 2003-09-19
JP2003338528A (ja) 2003-11-28
US6900989B2 (en) 2005-05-31
TW200305235A (en) 2003-10-16
US20030179552A1 (en) 2003-09-25

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