KR20140085023A

KR20140085023A - 인쇄 회로 기판 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20140085023A
Application number: KR1020120155138A
Authority: KR
Inventors: 박용진; 임성갑; 유재범; 고영관
Original assignee: 삼성전기주식회사; 한국과학기술원
Priority date: 2012-12-27
Filing date: 2012-12-27
Publication date: 2014-07-07
Also published as: US20140182904A1; JP2014130997A

Abstract

인쇄 회로 기판 및 그 제조 방법이 개시된다. 기판 상의 절연층과 회로층 사이에 접착력 향상을 위해 개재된 접착층; 및 상기 접착층과 상기 회로층 사이에 형성된 제1 금속층을 포함하는 인쇄 회로 기판은 고분자 접착층을 포함하여 낮은 조도를 가지면서 수지와 같은 절연층과 회로 간의 밀착력이 높고, 낮은 조도로 인하여 미세 회로 형성이 용이하고, 신호 전송 손실이 낮은 동시에 높은 밀착력으로 신뢰성이 높은 효과가 있다.

Description

인쇄 회로 기판 및 그 제조 방법{PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 인쇄 회로 기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 절연층과 회로층의 밀착력을 높여 신뢰성을 향상시킨 인쇄 회로 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

인쇄 회로 기판은 각종 열경화성 합성수지로 이루어진 보드의 일면 또는 양면을 동박으로 배선한 후 보드 상에 IC 또는 전자부품들을 배치 고정하고 이들 간에 전기적 배선을 적용한 기판이다.

종래의 기판 제조 방법인 SAP(Semi Additive Process) 공법에서는 수지에 조화 처리를 하여 조도를 높인 후 도금하는 방식으로 수지와 도금층 간의 밀착력을 확보하였으나 이러한 방식으로 제조된 기판은 미세회로형성이 어렵고 신호전송손실이 크다는 단점을 가지고 있다. 또한 종래의 방식으로 제작된 낮은 조도를 가지는 기판은 수지와 회로 간의 밀착력이 낮아 기판 신뢰성이 좋지 않다는 단점이 있다.

또한, 일반적인 SAP공법에서는 증착된 고분자 접착층(AP)이 비아홀 바닥에 잔류하여 추후 비아의 오픈 불량을 야기하거나, 혹은 이를 방지하기 위하여 비아 형성 전 고분자 접착층(AP)을 도포하는 경우에는 증착된 고분자 접착층(AP)이 디스미어시 용해되어 버리는 문제점이 있다.

대한민국특허출원 제2012-090669호

본 발명은 고분자 접착층을 포함하여 낮은 조도를 가지면서 수지와 같은 절연층과 회로 간의 밀착력이 높은 인쇄 회로 기판 및 그 제조 방법을 제공한다.

또한, 본 발명은 낮은 조도로 인하여 미세 회로 형성이 용이하고, 신호 전송 손실이 낮은 동시에 높은 밀착력으로 신뢰성이 높은 인쇄 회로 기판 및 그 제조 방법을 제공한다.

본 발명이 제시하는 이외의 기술적 과제들은 하기의 설명을 통해 쉽게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명에 따른 인쇄 회로 기판은 기판 상의 절연층과 회로층 사이에 접착력 향상을 위해 개재된 접착층 및 상기 접착층과 상기 회로층 사이에 형성된 제1 금속층을 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 접착층은 폴리머 및 유기화합물을 포함하고, 상기 절연층은 솔더 레지스트층을 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 접착층은 제1 폴리머 및 제2 폴리머를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 폴리머는 아민계 폴리머, 이미다졸계 폴리머 및 피리딘계열 폴리머 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2 폴리머는 열경화성 합성수지를 포함할 수 있다.

본 발명에 따른 회로 기판은 코어를 형성하는 기판 패드, 상기 기판 패드에 적층된 절연층, 상기 절연층 상에 도포된 접착층, 상기 접착층 상에 형성된 제1 금속층, 상기 절연층, 접착층 및 제1 금속층에 형성된 홀의 측면 및 상기 제1 금속층 상에 형성된 제2 금속층, 그리고 상기 제2 금속층 상에 형성된 소정의 패턴을 가지는 회로층을 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 접착층은 아민계 폴리머, 이미다졸계 폴리머 및 피리딘계열 폴리머 중 어느 하나 이상을 포함하할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 접착층의 두께는 10 내지 1000nm일 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 금속층은 10 내지 1000nm의 두께로 무전해도금 또는 스퍼터링 공법으로 형성될 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2 금속층은 무전해도금으로 형성된 Cu이거나 또는 스퍼터링 공법으로 Ti 및 Cu가 순차적으로 형성될 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회로 패턴에 따라 상기 제1 금속층, 상기 제2 금속층이 패턴화될 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회로 패턴에 따라 상기 접착층이 식각될 수 있다.

본 발명에 따른 인쇄 회로 기판의 제조 방법은 기판 패드에 절연층을 적층하는 단계, 상기 절연층 상에 접착층을 도포하는 단계, 상기 접착층 상에 제1 금속층을 형성하는 단계, 상기 절연층, 접착층 및 제1 금속층에 홀을 형성하고 디스미어(desmear)하는 단계, 상기 홀의 측면 및 상기 제1 금속층 상에 제2 금속층을 형성하는 단계, 그리고 상기 제2 금속층 상에 소정의 패턴을 가지는 회로층을 형성하는 단계를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 금속층은 무전해도금 또는 스퍼터링 공법으로 형성될 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 디스미어는 습식 디스미어 혹은 플라즈마 디스미어일 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2 금속층은 화학동도금 또는 스퍼터링 공법으로 형성될 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회로층을 형성하는 단계는 상기 제2 금속층에 드라이 필름을 적층하여 미리 설정된 패턴에 따라 현상하는 단계, 상기 드라이 필름의 패턴에 상응하여 상기 회로층을 형성하는 단계, 그리고 상기 드라이 필름을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명에 따른 인쇄 회로 기판 및 그 제조 방법은 고분자 접착층을 포함하여 낮은 조도를 가지면서 수지와 같은 절연층과 회로 간의 밀착력이 높고, 낮은 조도로 인하여 미세 회로 형성이 용이하고, 신호 전송 손실이 낮은 동시에 높은 밀착력으로 신뢰성이 높은 효과가 있다.

도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 인쇄 회로 기판의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시예에 따른 인쇄 회로 기판의 제작 과정을 설명하기 위한 도면들이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공될 수 있다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다

본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 단계는 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprise)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.

또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예는 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 인쇄 회로 기판 및 그 제조 방법에 대해 상세히 설명한다.

도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 인쇄 회로 기판의 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 패드(105), 절연층(110), 고분자 접착층(115), 제1 금속층(120), 비아홀(125), 제2 금속층(130), 회로층(140)이 도시된다.

본 실시예는 고분자 접착층(AP : Adhesive Promotor)을 포함하여 낮은 조도를 가지면서 수지와 같은 절연층과 회로 간의 밀착력이 높은 인쇄 회로 기판을 제조하는 방법을 제시한다.

여기서, 고분자 접착층(115)은 절연층(110)과 회로층(140) 사이, 회로층(140)과 솔더 레지스트층(SR : Solder Resist) 사이 등과 같이 서로 다른 물질 간의 접착력 향상을 위해 개재되는 접착층으로서, 일반적으로 접착층이라고 지칭될 수 있다. 이러한 접착층을 이용하면, 종래의 조도처리 과정을 수행하지 않더라도 절연층(110), 솔더 레지스트층 및 회로층(140) 들 사이에 대한 접착력을 향상시킬 수 있다.

이하에서는 접착층이 폴리머를 포함하는 고분자 접착층인 경우를 중심으로 설명한다.

도 1을 참조하면, 기판 패드(105)는 코어를 형성하여 본 실시예에 따른 기판 제조 공정이 기판 패드(105) 상에서 수행된다.

기판 패드(105)는 일반적으로 절연 재질로 구성되나, 기판의 방열 효율을 향상시키기 위해서 알루미늄 등과 같은 금속 재질로 구성될 수도 있다. 금속 재질의 코어로 형성될 경우에는 회로층 형성 전에 쇼트 방지를 위한 절연층이 더 형성될 수 있다.

기판 패드(105)가 코어층을 형성하는 경우 그 내부에서 반도체 칩을 형성하거나 또는 캐비티를 형성하여 다양한 전자부품을 삽입할 수 있다. 예를 들면, 코어층에 형성된 캐비티 내부에는 MLCC, LTCC 등의 수동소자 외에도 IC, 반도체 칩, CPU 등의 능동소자들과 같은 전자부품이 삽입될 수 있다. 이 경우 전자부품의 높이는 코어층의 높이와 동일하게 형성될 수 있다.

절연층(110)은 기판 패드(105)에 적층된다. 여기서, 절연층(110)은 ABF가 될 수 있다.

고분자 접착층(115)은 절연층(110) 상에 도포된다. 고분자 접착층(115)은 서로 다른 폴리머, 예를 들면, 제1 폴리머 및 제2 폴리머를 포함할 수 있으며, 유기화합물도 포함할 수 있다.

예를 들면, 고분자 접착층(115)은 제1 폴리머인 아민계 폴리머, 이미다졸계 폴리머 및 피리딘계열 폴리머 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 제2 폴리머는 에폭시 수지, 페놀수지, 폴리에스테르 수지 등과 같은 열경화성 합성 수지가 될 수 있으며, 유기화합물은 예를 들면, 디비닐벤젠(divinyl-benzene), 스티렌(styrene), 에틸비닐 벤젠 등과 같은 방향족 화합물을 포함할 수 있다.

각 폴리머는 서로 다른 대상과 결합할 수 있으며, 예를 들면, 고분자 접착층(115)의 제1 폴리머는 제1 금속층(120)에 접착될 수 있으며, 제2 폴리머와 유기 화합물은 혼용되어 절연층(110) 또는 솔더 레지스트와 접착됨으로서, 서로 다른 면의 특성을 가진 복수의 층을 효과적으로 접착시킬 수 있다.

고분자 접착층(115)의 두께는 절연층(110), 제1 금속층(120), 회로층(140) 등을 서로 결합하는 기능을 하므로, 그 두께는 크지 않으며, 예를 들면, 10 내지 1000nm가 될 수 있다.

고분자 접착층(115)은 CVD(chemical vapor deposition), iCVD(initiated chemical vapor deposition) 및 스핀 코팅 등의 방법으로 절연층(110)과 제1 금속층(120) 사이에 형성될 수 있다.

이중에서 스핀 코팅 방식에 의하면, 제1 폴리머 또는 제2 폴리머를 유기화합물과 혼합하여 벤젠 또는 톨루엔 등의 휘발성 유기용제에 녹인 AP 용액을 액체 방울로 스핀 코터에 장착된 기판의 표면에 분무한 후 스핀 코터를 회전시킴으로써, 절연층(110) 상에 해당 용액을 전체적으로 도포할 수 있다. 이후 도포된 용액에 경화처리를 하여 휘발성 유기용제가 휘발되어 제거되면 절연층(110) 상에 고분자 접착층(115)이 형성될 수 있다.

또한, 본 실시예는 iCVD 방식으로 고분자 접착층(115)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 소정의 챔버 내에 고분자 접착층(115)을 형성하는 폴리머의 모노머를 기화하고 폴리머의 중합 반응과 성막 공정을 진행하여 기상 중합 반응을 통해 폴리머 박막을 형성할 수 있다.

이러한 iCVD 방법은 개시제와 모노머를 기화하여 기상에서 자유 라디칼을 이용한 연쇄중합 반응이 이루어지게 함으로써, 폴리머 박막을 절연층(110) 상에 증착할 수 있다.

개시제와 모노머는 단순 혼합하는 경우 중합 반응이 일어나지 않으나, iCVD 챔버 내에 위치한 고온의 필라멘트에 의해 개시제가 분해되어 라디칼이 생성되면, 이에 의해 모노머가 활성화되어 연쇄 중합 반응이 발생한다.

개시제는 TBPO(tert-butyl peroxide) 또는 TAPO(tert-amyl peroxide) 등과 같은 과산화물(peroxide)이 주로 사용될 수 있다. 이러한 개시제는 110도(℃) 정도의 끓는점을 갖는 휘발성 물질로서, 약 150도 전후에서 열분해 될 수 있다.

이 경우 iCVD 챔버에서 사용되는 고온 필라멘트가 200 내지 250도 전후로 유지되면 용이하게 연쇄 중합 반응을 유도할 수 있다. 여기서, 고온 필라멘트의 온도는 과산화물의 개시제를 열분해하기에는 충분히 높은 온도이고, iCVD에 사용되는 모노머를 포함한 대부분의 유기물들은 이와 같은 온도에서는 열분해되지 않을 수 있다.

개시제의 분해를 통해 형성된 자유 라디칼은 모노머에 라디칼을 전달하여 연쇄반응을 일으켜 폴리머를 형성할 수 있다. 이렇게 형성된 폴리머는 저온으로 유지된 기판 위에 증착되어 고분자 접착층(115)을 형성할 수 있다.

제1 금속층(120)은 고분자 접착층(115) 상에 형성된다. 제1 금속층(120)은 10 내지 1000nm의 두께로 무전해도금 또는 스퍼터링 공법으로 형성될 수 있다. 제1 금속층(120)은 Cu가 될 수 있다.

제2 금속층(130)은 절연층(110), 고분자 접착층(115) 및 제1 금속층(120)에 형성된 홀의 측면 및 제1 금속층(120) 상에 형성된다. 제2 금속층(130)은 무전해도금으로 형성된 Cu이거나 또는 스퍼터링 공법으로 Ti 및 Cu가 순차적으로 형성된 금속층이 될 수 있다.

회로층(140)은 제2 금속층(130) 상에 형성된다. 여기서, 회로층(140)이 형성하는 회로 패턴에 따라 제1 금속층(120) 및 제2 금속층(130)이 패턴화될 수 있다.

회로층(140)은 절연층(110), 고분자 접착층(115), 제1 금속층(120) 및 제2 금속층(130)에 형성된 비아홀(125)의 내부에도 채워질 수 있다. 여기서, 비아홀(125)은 쓰루홀을 포함하는 개념이 될 수 있다. 비아홀(125)은 레이져 가공 또는 CNC를 이용한 드릴링 가공을 통해 형성될 수 있다. 비아홀(125)은 서로 다른 층에 형성된 회로층을 서로 전기적으로 연결하기 위하여 도전 물질이 채워지거나 내측면이 도포될 수 있다.

도 2를 참조하면, 제1 금속층(120) 및 제2 금속층(130)뿐만 아니라, 고분자 접착층(115)도 회로층(140)이 형성하는 회로 패턴에 따라 패턴화될 수 있다.

이러한 구조에 따르면, 비아홀(125) 안쪽에는 고분자 접착층(115)이 도포되지 않으면서 절연층(110) 표면에 고분자 접착층(115)을 두께 0.2um 이하로 얇고 균일하게 도포된 기판을 제조할 수 있다. 따라서 본 실시예에 따르면, 비아홀 신뢰성(via reliability)이 확보되고, 조도(Ra)가 0.1um 이하로 낮으면서 밀착력이 0.5kgf/cm 이상인 기판을 제작할 수 있다. 본 실시예에 따른 인쇄 회로 기판은 낮은 조도로 인하여 미세 회로 형성이 용이하고 신호 전송 손실이 낮은 동시에 높은 밀착력으로 HAST, TSD 등의 신뢰성 시험에서 높은 신뢰성을 보인다.

이하에서 서술할 각 단계는 인쇄 회로 기판 제작 장치가 주체가 되어 수행할 수 있다. 각 단계별로 기술되는 과정은 반드시 시계열적인 순서대로 수행될 필요는 없으며, 각 단계의 수행 순서가 바뀌어도 본 발명의 요지를 충족한다면 이러한 과정은 본 발명의 권리범위에 속할 수 있음은 물론이다.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시예에 따른 인쇄 회로 기판의 제작 과정을 설명하기 위한 도면들이다.

도 3a를 참조하면, 기판 패드(105)에 절연층(110)을 적층한다. 여기서, 기판 패드(105)는 절연 재질 또는 금속 재질로 형성되어, 기판의 코어를 형성할 수 있다.

도 3b를 참조하면, 절연층(110)에 고분자 접착층(115)을 도포한다. 예를 들면, 스핀 코팅 방식을 이용하거나 또는 iCVD 등의 건식 공정을 이용하여 폴리머를 포함한 AP(adhesion promoter)를 절연층(110)에 도포함으로써, 저조도에서도 절연층(110)과 제1 금속층(120)층간 밀착력을 높일 수 있다.

도 3c를 참조하면, 고분자 접착층(115) 상에 제1 금속층(120)을 형성한다. 여기서, 제1 금속층(120)은 무전해도금 또는 스퍼터링 공법으로 형성될 수 있다. 제1 금속층(120)은 상술한 바와 같이 오픈 불량이나 고분자 접착층(115)이 조도 형성을 위한 디스미어시 용해되는 문제를 해결할 수 있다.

즉, 비아홀(125) 형성 후에 고분자 접착층(115)을 도포하면 고분자 접착층(115)이 비아홀(125) 저면에 남아서 오픈 불량을 야기하고, 비아홀(125) 형성 전에 고분자 접착층(115)을 도포하면 디스미어시 고분자 접착층(115)이 용해되므로, 본 실시예는 고분자 접착층(115) 상에 제1 금속층(120)을 형성하여 디스미어시에도 고분자 접착층(115)이 용해되지 않도록 한다.

도 3d를 참조하면, 절연층(110), 고분자 접착층(115) 및 제1 금속층(120)에 비아홀(125)을 형성하고 디스미어(desmear)한다. 여기서, 디스미어는 습식 디스미어 혹은 플라즈마 디스미어가 될 수 있다. 구체적으로, 전자의 디스미어 공정은 sweller-permanganate-reduction의 습식 디스미어 공정이 될 수 있다.

도 3e를 참조하면, 비아홀(125)의 측면 및 제1 금속층(120) 상에 시드 레이드(seed layer)로서 제2 금속층(130)을 형성한다. 제2 금속층(130)은 화학동도금 또는 스퍼터링 공법으로 형성될 수 있다.

이후 제2 금속층(130) 상에 소정의 패턴을 가지는 회로층(140)을 형성한다. 여기서, 회로층을 다음과 같은 공정에 의해 형성될 수 있다. 먼저, 제2 금속층(130)에 드라이 필름을 적층하여 미리 설정된 패턴에 따라 현상하고, 드라이 필름의 패턴에 상응하여 회로층을 형성한 후, 드라이 필름을 제거하여 회로층을 형성할 수 있다.

이러한 본 실시예의 공정에 따르면, 오픈 불량이나 고분자 접착층(AP)(115)이 디스미어시 용해되는 문제가 없는 기판을 제작할 수 있다. 또한, 본 실시예는 제1 금속층(120)을 형성한 후 제거하지 않고 후공정을 진행함으로써 공정비용을 절감할 수도 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

105 : 기판 패드
110 : 절연층
115 : 고분자 접착층
120 : 제1 금속층
125 : 비아홀
130 : 제2 금속층
140 : 회로층

Claims

기판 상의 절연층과 회로층 사이에 접착력 향상을 위해 개재된 접착층; 및
상기 접착층과 상기 회로층 사이에 형성된 제1 금속층을 포함하는 인쇄 회로 기판.
제1항에 있어서,
상기 접착층은 폴리머 및 유기화합물을 포함하고, 상기 절연층은 솔더 레지스트층을 포함하는 인쇄 회로 기판.
제1항에 있어서,
상기 접착층은 제1 폴리머 및 제2 폴리머를 더 포함하는 인쇄 회로 기판.
제3항에 있어서,
상기 제1 폴리머는 아민계 폴리머, 이미다졸계 폴리머 및 피리딘계열 폴리머 중 어느 하나 이상을 포함하는 인쇄 회로 기판.
제3항에 있어서,
상기 제2 폴리머는 열경화성 합성수지를 포함하는 인쇄 회로 기판.
코어를 형성하는 기판 패드;
상기 기판 패드에 적층된 절연층;
상기 절연층 상에 도포된 접착층;
상기 접착층 상에 형성된 제1 금속층;
상기 절연층, 접착층 및 제1 금속층에 형성된 홀의 측면 및 상기 제1 금속층 상에 형성된 제2 금속층; 및
상기 제2 금속층 상에 형성된 소정의 패턴을 가지는 회로층을 포함하는 인쇄 회로 기판.
제6항에 있어서,
상기 접착층은 아민계 폴리머, 이미다졸계 폴리머 및 피리딘계열 폴리머 중 어느 하나 이상을 포함하는 인쇄 회로 기판.
제6항에 있어서,
상기 접착층의 두께는 10 내지 1000nm인 인쇄 회로 기판.
제6항에 있어서,
상기 제1 금속층은 10 내지 1000nm의 두께로 무전해도금 또는 스퍼터링 공법으로 형성된 인쇄 회로 기판.
제6항에 있어서,
상기 제2 금속층은 무전해도금으로 형성된 Cu이거나 또는 스퍼터링 공법으로 Ti 및 Cu가 순차적으로 형성된 인쇄 회로 기판.
제6항에 있어서,
상기 패턴에 따라 상기 제1 금속층, 상기 제2 금속층이 패턴화되는 인쇄 회로 기판.
제11항에 있어서,
상기 패턴에 따라 상기 접착층이 식각되는 인쇄 회로 기판.
기판 패드에 절연층을 적층하는 단계;
상기 절연층 상에 접착층을 도포하는 단계;
상기 접착층 상에 제1 금속층을 형성하는 단계;
상기 절연층, 접착층 및 제1 금속층에 홀을 형성하고 디스미어(desmear)하는 단계;
상기 홀의 측면 및 상기 제1 금속층 상에 제2 금속층을 형성하는 단계; 및
상기 제2 금속층 상에 소정의 패턴을 가지는 회로층을 형성하는 단계를 포함하는 인쇄 회로 기판 제조 방법.
제13항에 있어서,
상기 제1 금속층은 무전해도금 또는 스퍼터링 공법으로 형성되는 인쇄 회로 기판 제조 방법.
제13항에 있어서,
상기 디스미어는 습식 디스미어 혹은 플라즈마 디스미어인 인쇄 회로 기판 제조 방법.
제13항에 있어서,
상기 제2 금속층은 화학동도금 또는 스퍼터링 공법으로 형성되는 인쇄 회로 기판 제조 방법.
제13항에 있어서,
상기 회로층을 형성하는 단계는,
상기 제2 금속층에 드라이 필름을 적층하여 미리 설정된 패턴에 따라 현상하는 단계;
상기 드라이 필름의 패턴에 상응하여 상기 회로층을 형성하는 단계; 및
상기 드라이 필름을 제거하는 단계를 포함하는 인쇄 회로 기판 제조 방법.