KR20080044329A

KR20080044329A - 점착제 조성물, 점착 시트, 및 표면 보호 필름

Info

Publication number: KR20080044329A
Application number: KR1020087008215A
Authority: KR
Inventors: 나쯔끼 우께이; 다쯔미 아마노; 마사히꼬 안도
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2005-09-05
Filing date: 2006-09-05
Publication date: 2008-05-20
Also published as: WO2007029681A1; TW200710197A; CN101243153A; EP1939263A1; EP1939263B1; JP2013036046A; KR101270280B1; CN101243153B; US20090163626A1; US7799853B2; JP5570082B2; TWI384049B; EP1939263A4

Abstract

본 발명은 이온성 액체, 및 단량체 단위로서 탄소수 3 내지 12의 히드록시알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 에스테르를 0.1 내지 10 중량％ 갖는 중합체를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 점착제 조성물이다. 본 발명을 이용함으로써, 대전 방지되지 않은 피착체 박리시의 대전 방지가 도모되고 피착체로의 오염이 감소된, 접착 신뢰성이 우수한 점착제 조성물, 및 이를 이용한 대전 방지성의 점착 시트, 및 표면 보호 필름을 제공한다.

점착제 조성물, 점착 시트, 표면 보호 필름

Description

점착제 조성물, 점착 시트, 및 표면 보호 필름{ADHESIVE COMPOSITION, ADHESIVE SHEET, AND SURFACE PROTECTIVE FILM}

본 발명은 대전 방지성을 갖는 점착제 조성물, 및 이를 이용하여 시트상이나 테이프상 등의 형태로 한 대전 방지성의 점착 시트에 관한 것이다.

본 발명의 점착제 조성물을 포함하는 점착 시트는 정전기가 발생하기 쉬운 플라스틱 제품 등에 바람직하게 이용된다. 그 중에서도 특히, 전자 기기 등 정전기를 꺼리는 용도에서 이용되는 대전 방지성의 재박리형 점착 시트 및 재박리형 점착 테이프로서 유용하다.

재박리형 점착 시트 및 재박리형 점착 테이프로서는, 예를 들면 건축 양생용 마스킹 테이프, 자동차 도장용 마스킹 테이프, 전자 부품(리드 프레임, 인쇄 기판)용 마스킹 테이프, 샌드 블러스트용 마스킹 테이프 등의 마스킹 테이프류, 알루미늄 새시용 표면 보호 필름, 광학 플라스틱용 표면 보호 필름, 광학 유리용 표면 보호 필름, 자동차 보호용 표면 보호 필름, 금속판용 표면 보호 필름 등의 표면 보호 필름류, 백 그라인드 테이프, 펠리클 고정용 테이프, 다이싱용 테이프, 리드 프레임 고정용 테이프, 클리닝 테이프, 제진용 테이프, 캐리어 테이프, 커버 테이프 등의 반도체·전자 부품 제조 공정용 점착 테이프류, 전자 기기나 전자 부품의 곤포용 테이프류, 수송시의 임시 고정 테이프류, 결속용 테이프류, 라벨류 등을 들 수 있다.

표면 보호 필름은 일반적으로 보호 필름측에 도포된 점착제를 개재하여 피보호체에 접합하여, 피보호체의 가공, 반송시에 생기는 흠집이나 오염을 방지할 목적으로 이용된다. 예를 들면, 액정 디스플레이의 패널은 액정 셀에 접착제를 개재하여 편광판이나 파장판 등의 광학 부재를 접합시킴으로써 형성되고 있다. 액정 셀에 접합시키는 이들 광학 부재는 흠집이나 오염 등을 방지할 목적으로 보호 필름이 점착제를 개재하여 접합되어 있다.

그리고, 이 광학 부재가 액정 셀에 접합되는 등 하여, 보호 필름이 불필요하게 된 단계에서 보호 필름은 박리하여 제거된다. 일반적으로 보호 필름이나 광학 부재는 플라스틱 재료로 구성되어 있기 때문에, 전기 절연성이 높고, 마찰이나 박리시에 정전기를 발생시킨다. 따라서, 보호 필름을 편광판 등의 광학 부재로부터 박리할 때에도 정전기가 발생한다. 정전기가 남은 그대로의 상태에서 액정에 전압을 인가하면, 액정 분자의 배향이 손실되거나 패널의 결손이 생긴다. 따라서, 이러한 결점을 방지하기 위해, 표면 보호 필름에는 각종 대전 방지 처리가 실시되고 있다.

예를 들면, 점착제에 1종 이상의 계면 활성제를 첨가하고, 점착제 중으로부터 계면 활성제를 피착체에 전사시켜 대전 방지하는 방법이 개시되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 그러나, 본 발명은 계면 활성제가 점착제 표면에 블리딩되기 쉬워, 보호 필름에 적용한 경우, 피착체로의 오염이 우려된다. 따라서, 저분 자의 계면 활성제를 첨가한 점착제를 광학 부재용 보호 필름에 적용한 경우에는, 광학 부재의 광학 특성을 손상시키지 않고 충분한 대전 방지 특성을 발현시키는 것은 곤란하다.

또한, 폴리에테르폴리올과 알칼리 금속염을 포함하는 대전 방지제를 아크릴 점착제에 첨가하여, 점착제 표면에 대전 방지제가 블리딩되는 것을 억제하는 방법이 개시되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 2 참조). 그러나, 이 방법에 있어서도 대전 방지제의 블리딩은 피할 수 없고, 그 결과, 실제로 표면 보호 필름에 적용한 경우에, 경시나 고온하의 처리를 실시하면, 블리딩 현상에 의해 피착체로의 오염이 발생한다고 판명되었다.

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 (평)9-165460호 공보

[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 (평)6-128539호 공보

<발명의 개시>

<발명이 해결하고자 하는 과제>

본 발명은 이러한 사정에 비추어, 대전 방지되지 않은 피착체 박리시의 대전 방지가 도모되고 피착체로의 오염이 감소된, 접착 신뢰성이 우수한 점착제 조성물, 및 이를 이용한 대전 방지성의 점착 시트, 및 표면 보호 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.

<과제를 해결하기 위한 수단>

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 이하에 나타내는 점착제 조성물에 의해 상기 목적을 달성할 수 있음을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉, 본 발명의 점착제 조성물은 이온성 액체 및 단량체 단위로서 탄소수 3 내지 12의 히드록시알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 에스테르를 0.1 내지 10 중량％ 갖는 중합체를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에서의 (메트)아크릴계 중합체란, 아크릴계 중합체 및/또는 메타크릴계 중합체를 말한다. 또한, (메트)아크릴산 에스테르란, 아크릴산 에스테르 및/또는 메타크릴산 에스테르를 말하며, (메트)아크릴레이트란, 아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트를 말한다.

또한, 본 발명에서의 이온성 액체란, 실온(25℃)에서 액상을 나타내는 용융염(이온성 화합물)을 말한다.

본 발명의 점착제 조성물에 따르면, 실시예의 결과에 나타낸 바와 같이, 단량체 단위로서 탄소수 3 내지 12의 히드록시알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 에스테르를 0.1 내지 10 중량％ 갖는 중합체를 베이스 중합체로 하고, 추가로 이온성 액체를 함유하기 때문에, 이것을 가교한 점착제층은 박리했을 때에 대전 방지되지 않은 피보호체(피착체)로의 대전 방지가 도모되어, 피보호체로의 오염이 감소하게 된다. 상기 점착제 조성물의 가교물이 이러한 특성을 발현하는 상세한 이유는 분명하지 않지만, 탄소수 3 내지 12의 히드록시알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 에스테르의 수산기를 가교 기점으로 하여 가교한 중합체를 이용함으로써, 이온성 액체와 베이스 중합체의 상용성 및 이온 전도성 등의 균형이 좋은 상호 작용에 기여하여, 우수한 대전 방지성과 저오염성을 병립하여 실현하고 있는 것으로 추측된다.

또한, 상기 이온성 액체는 실온에서 액상이기 때문에, 고체의 염과 비교하여 점착제로의 첨가 및 분산 또는 용해를 용이하게 행할 수 있다. 또한, 이온성 액체는 증기압이 없기 때문에(불휘발성), 경시로 인해 소실되지 않아, 대전 방지 특성이 계속해서 얻어지게 된다.

본 발명의 점착제 조성물은 상기 이온성 액체를 이용하는 것을 특징으로 한다. 상기 이온성 액체를 대전 방지제로서 이용함으로써, 대전 방지제의 블리딩이 억제되어, 경시나 고온하에서도 피착체로의 접착 신뢰성이 우수하게 된다. 이온성 액체를 이용함으로써 블리딩이 억제되는 이유는 분명하지 않지만, 이온성 액체는 그 자체로 우수한 도전성을 나타내기 때문에, 피착체 표면으로의 오염이 미량이라도 충분한 대전 방지능이 얻어진다.

상기에 있어서, 상기 이온성 액체가 질소 함유 오늄염, 황 함유 오늄염, 또는 인 함유 오늄염 중 1종 이상인 것이 바람직하다. 특히, 상기 이온성 액체가 하기 화학식 (A) 내지 (E)로 표시되는 1종 이상의 양이온을 포함하는 것이 바람직하다. 이들 양이온을 갖는 이온성 액체에 의해 더욱 대전 방지능이 우수한 것이 얻어진다.

식 중, R_a는 탄소수 4 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있으며, R_b 및 R_c는 동일하거나 또는 상이하며, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있다. 단, 질소 원자가 이중 결합을 포함하는 경우, R_c는 없다.

식 중, R_d는 탄소수 2 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있으며, R_e, R_f 및 R_g는 동일하거나 또는 상이하며, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있다.

식 중, R_h는 탄소수 2 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있으며, R_i, R_j 및 R_k는 동일하거나 또는 상이하며, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있다.

식 중, Z는 질소, 황, 또는 인 원자를 나타내고, R_l, R_m, R_n 및 R_o는 동일하거나 또는 상이하며, 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있다. 단, Z가 황 원자인 경우, R_o는 없다.

식 중, R_p는 탄소수 1 내지 18의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명의 점착제 조성물에 있어서는, 단량체 단위로서 탄소수 3 내지 12의 히드록시알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 에스테르를 0.1 내지 10 중량％ 갖는 중합체를 베이스 중합체로서 이용하는 것을 특징으로 한다.

한편, 본 발명에서의 탄소수 3 내지 12의 히드록시알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 에스테르란, 수산기를 함유하는 탄소수 3 내지 12의 알킬기를 갖는 알킬에스테르를 말하며, 예를 들면 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트나 6-히드록시헥실 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

한편, 본 발명의 점착제층은 상기와 같은 점착제 조성물을 가교하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 상기 (메트)아크릴계 중합체의 구성 단위, 구성 비율, 가교제의 선택 및 첨가 비율 등을 적절히 조절하여 가교함으로써, 보다 내열성, 내후성 등이 우수한 점착 시트를 얻을 수 있다.

또한, 본 발명의 점착 시트는 상기 어느 하나에 기재된 점착제 조성물을 가교하여 이루어지는 점착제층을 지지체의 한쪽 면 또는 양쪽 면에 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 점착 시트에 따르면, 상기와 같은 작용 효과를 발휘하는 점착제 조성물을 가교하여 이루어지는 점착제층을 구비하기 때문에, 박리했을 때에 대전 방지 처리되지 않은 피착체로의 대전 방지가 도모되고 피착체로의 오염이 감소된, 접착 신뢰성이 우수한 점착 시트가 된다.

또한, 본 발명의 점착제 조성물을 표면 보호 필름에 적용하는 경우에는, 보호 필름에 이용되는 플라스틱 기재는 대전 방지 처리되어 이루어지는 것이 보다 바람직하다. 플라스틱 기재에 대전 방지 처리를 실시함으로써, 피착체로의 박리 대전압을 보다 효과적으로 감소시킬 수 있어, 더욱 대전 방지능이 우수한 것이 얻어진다.

도 1은 실시예에서 박리 대전압의 측정에 사용한 전위 측정부의 개략 구성도이다.

<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세히 설명한다.

본 발명의 점착제 조성물은 이온성 액체 및 단량체 단위로서 탄소수 3 내지 12의 히드록시알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 에스테르를 0.1 내지 10 중량％ 갖는 중합체를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명에서는 단량체 단위로서 탄소수 3 내지 12의 히드록시알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 에스테르를 0.1 내지 10 중량％ 갖는 중합체를 베이스 중합체로서 이용한다.

본 발명에 이용되는 중합체로서는, 상술한 것에 해당하는 점착성을 갖는 중합체이면 특별히 한정되지 않는다.

한편, 본 발명에서의 탄소수 3 내지 12의 히드록시알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 에스테르란, 수산기를 함유하는 탄소수 3 내지 12의 알킬기를 갖는 알킬에스테르를 말하며, 예를 들면, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시헥실(메트)아크릴레이트, 6-히드록시헥실(메트)아크릴, 8-히드록시옥틸(메트)아크릴레이트, 10-히드록시데실(메트)아크릴레이트, 12-히드록시라우릴(메트)아크릴레이트 등의 수산기를 함유하는 탄소수 3 내지 12의 알킬기를 갖는 알킬에스테르를 말한다.

상기 탄소수 3 내지 12의 히드록시알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 에스테르는 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있지만, 전체적인 함유량은 중합체의 단량체 성분 중 0.1 내지 10 중량％인 것이 바람직하고, 0.2 내지 9 중량％인 것이 보다 바람직하고, 0.3 내지 8 중량％인 것이 특히 바람직하다. 상기 (메트)아크릴산 에스테르의 함유량이 0.1 중량％보다 적은 경우, 베이스 중합체와 이온성 액체와의 상용성, 및 이온 전도성 등의 균형이 좋은 상호 작용에 기여하는 효과가 충분히 얻어지지 않는 경향이 있다. 한편, 상기 (메트)아크릴산 에스테르의 함유량이 10 중량％보다 많은 경우, 이온성 액체와의 상호 작용이 커서, 충분한 대전 방지 특성을 얻기 어려운 경향이 있다.

또한, 베이스 중합체로서, 상기 중합체의 유리 전이 온도(Tg)가 통상 0℃ 이하인 중합체가 이용되지만, -100℃ 내지 -5℃인 것이 바람직하고, -80℃ 내지 -10℃인 것이 보다 바람직하다. 상기 중합체의 유리 전이 온도가 0℃보다 높아지면, 충분한 점착력을 얻는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 한편, 베이스 중합체의 유리 전이 온도(Tg)는 사용하는 단량체 성분이나 조성비를 적절히 변경함으로써 상기 범위 내로 조정할 수 있다.

이들 중에서도, 이온성 액체와의 상용성의 균형 및 우수한 점착 특성이 얻어지는 점에서, 탄소수 1 내지 14의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트의 1종 또는 2종 이상을 주성분으로 하는 (메트)아크릴계 중합체를 바람직한 것으로서 들 수 있다.

상술한 탄소수 1 내지 14의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트는 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있지만, 전체적인 함유량은 (메트)아크릴계 중합체의 전체 단량체 성분 중 60 내지 99.9 중량％인 것이 바람직하고, 65 내지 98 중량％인 것이 보다 바람직하고, 70 내지 95 중량％인 것 이 특히 바람직하다.

탄소수 1 내지 14의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트의 구체예로서는, 예를 들면 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, s-부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, n-노닐(메트)아크릴레이트, 이소노닐(메트)아크릴레이트, n-데실(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, n-운데실(메트)아크릴레이트, n-도데실(메트)아크릴레이트, n-트리데실(메트)아크릴레이트, n-테트라데실(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

그 중에서도, 본 발명의 표면 보호 필름에 이용하는 경우에는, 헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, n-노닐(메트)아크릴레이트, 이소노닐(메트)아크릴레이트, n-데실(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, n-도데실(메트)아크릴레이트, n-트리데실(메트)아크릴레이트, n-테트라데실(메트)아크릴레이트 등의 탄소수 6 내지 14의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 바람직한 것으로서 들 수 있다. 탄소수 6 내지 14의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 이용함으로써, 피착체로의 점착력을 낮게 제어하는 것이 용이해져 재박리성이 우수하게 된다.

또한, 그 밖의 중합성 단량체 성분으로서, 점착 성능의 균형을 취하기 쉬운 이유에서, Tg가 0℃ 이하(통상 -100℃ 이상)이 되도록 하여, (메트)아크릴계 중합체의 유리 전이 온도나 박리성을 조정하기 위한 중합성 단량체 등을, 본 발명의 효 과를 손상시키지 않는 범위에서 사용할 수 있다.

(메트)아크릴계 중합체에서 사용되는 상술한 그 밖의 중합성 단량체 성분으로서는, 예를 들면 술폰산기 함유 단량체, 인산기 함유 단량체, 시아노기 함유 단량체, 비닐에스테르류, 방향족 비닐 화합물 등의 응집력·내열성 향상 성분이나, 카르복실기 함유 단량체, 산 무수물기 함유 단량체, 아미드기 함유 단량체, 아미노기 함유 단량체, 이미드기 함유 단량체, 에폭시기 함유 단량체, (메트)아크릴로일모르폴린, 비닐에테르류 등의 접착력 향상이나 가교화 기점으로 작용하는 관능기를 갖는 성분 등을 적절히 사용할 수 있다. 이들 단량체 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

단, 카르복실기 함유 단량체, 산 무수물기 함유 단량체, 인산기 함유 단량체 등의 산 관능기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 이용하는 경우에는 (메트)아크릴계 중합체의 산가가 29 이하가 되도록 조정하는 편이 바람직하다. 또한, 대전 방지성과 피착체의 오염 억제 측면에서, 특히 산가가 1 이하가 되도록 조정하는 편이 더욱 바람직하다. (메트)아크릴계 중합체의 산가가 29를 초과하면, 대전 방지 특성이 나빠지는 경향이 있다.

산가의 조정은 산 관능기를 갖는 (메트)아크릴레이트의 배합량에 의해 조절할 수 있고, 예를 들면 카르복실기를 갖는 아크릴계 중합체로서 2-에틸헥실아크릴레이트와 아크릴산을 공중합한 아크릴계 중합체를 들 수 있지만, 이 경우, 2-에틸헥실아크릴레이트와 아크릴산의 합계량 100 중량부에 대하여, 아크릴산은 3.7 중량부 이하로 조정함으로써 상기 산가 29 이하의 값으로 할 수 있다.

상기 술폰산기 함유 단량체로서는, 예를 들면 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산, 비닐술폰산나트륨 등을 들 수 있다.

상기 인산기 함유 단량체로서는, 예를 들면 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트를 들 수 있다.

상기 시아노기 함유 단량체로서는, 예를 들면 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴을 들 수 있다.

상기 비닐에스테르류로서는, 예를 들면 아세트산비닐, 프로피온산비닐, 라우르산비닐 등을 들 수 있다.

상기 방향족 비닐 화합물로서는, 예를 들면 스티렌, 클로로스티렌, 클로로메틸스티렌, α-메틸스티렌, 그 밖의 치환 스티렌 등을 들 수 있다.

상기 카르복실기 함유 단량체로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등을 들 수 있다. 그 중에서도 특히 아크릴산, 및 메타크릴산이 바람직하게 이용된다.

상기 산 무수물기 함유 단량체로서는, 예를 들면 무수 말레산, 무수 이타콘산, 및 상기 카르복실기 함유 단량체의 무수물체 등을 들 수 있다.

상기 아미드기 함유 단량체로서는, 예를 들면 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 디에틸아크릴아미드, N-비닐피롤리돈, N,N-디메틸아크릴아미드, N,N-디메틸메 타크릴아미드, N,N-디에틸아크릴아미드, N,N-디에틸메타크릴아미드, N,N'-메틸렌비스아크릴아미드, N,N-디메틸아미노프로필아크릴아미드, N,N-디메틸아미노프로필메타크릴아미드, 디아세톤아크릴아미드 등을 들 수 있다.

상기 아미노기 함유 단량체로서는, 예를 들면 아미노에틸(메트)아크릴레이트, N,N-디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, N,N-디메틸아미노프로필(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

상기 이미드기 함유 단량체로서는, 예를 들면 시클로헥실말레이미드, 이소프로필말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, 이타콘이미드 등을 들 수 있다.

상기 에폭시기 함유 단량체로서는, 예를 들면 글리시딜(메트)아크릴레이트, 메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르 등을 들 수 있다.

상기 비닐에테르류로서는, 예를 들면 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, 이소부틸비닐에테르 등을 들 수 있다.

본 발명에 있어서, 상술한 그 밖의 중합성 단량체 성분은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있지만, 전체적인 함유량은 (메트)아크릴계 중합체의 단량체 성분 중 0 내지 39.9 중량％인 것이 바람직하고, 0 내지 35 중량％인 것이 보다 바람직하고, 0 내지 30 중량％인 것이 특히 바람직하다. 상술한 그 밖의 중합성 단량체를 이용함으로써, 이온성 액체와의 양호한 상호 작용, 및 양호한 접착성을 적절히 조절할 수 있다.

또한, 본 발명에 이용하는 (메트)아크릴계 중합체의 단량체 성분으로서, 알킬렌옥시드기 함유 반응성 단량체를 적절히 함유하는 것이 바람직하다. 단량체 성 분으로서 알킬렌옥시드기 함유 반응성 단량체를 함유하는 (메트)아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 함으로써, 이온성 액체와의 양호한 상호 작용, 및 양호한 접착성을 적절히 조정할 수 있다.

상기 알킬렌옥시드기 함유 반응성 단량체의 옥시알킬렌 단위로서는, 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기를 갖는 것을 들 수 있고, 예를 들면 옥시메틸렌기, 옥시에틸렌기, 옥시프로필렌기, 옥시부틸렌기 등을 들 수 있다. 옥시알킬렌쇄의 탄화수소기는 직쇄일 수도 있고, 분지될 수도 있다.

또한, 상기 알킬렌옥시드기 함유 반응성 단량체로의 옥시알킬렌 단위의 평균 부가 몰수로서는, 이온성 액체와의 상용성 측면에서 3 내지 40인 것이 바람직하고, 4 내지 35인 것이 보다 바람직하고, 5 내지 30인 것이 특히 바람직하다. 상기 평균 부가 몰수가 3보다 큼으로써, 이온성 액체와의 양호한 상호 작용이 얻어져 접착성을 조정하기 쉽다. 또한, 상기 평균 부가 몰수가 40보다 큰 경우, 이온성 액체와의 상호 작용이 커서 충분한 대전 방지 특성을 얻기 어려운 경향이 있다. 한편, 옥시알킬렌쇄의 말단은 수산기 그대로 또는 다른 관능기 등으로 치환될 수도 있다.

또한, 상기 알킬렌옥시드기 함유 반응성 단량체가 에틸렌옥시드기를 갖는 반응성 단량체인 것이 바람직하다. 에틸렌옥시드기를 갖는 반응성 단량체를 갖는 (메트)아크릴계 중합체를 베이스 중합체로서 이용함으로써, 베이스 중합체와 이온성 액체와의 상용성이 향상되어, 피착체로의 블리딩이 바람직하게 억제되어, 저오염성의 점착제 조성물이 얻어진다.

본 발명에서의 알킬렌옥시드기 함유 반응성 단량체로서는, 예를 들면 (메트) 아크릴산알킬렌옥시드 부가물이나, 분자 중에 (메트)아크릴로일기, 알릴기 등의 반응성 치환기를 갖는 반응성 계면 활성제 등을 들 수 있다.

본 발명에서의 (메트)아크릴산알킬렌옥시드 부가물의 구체예로서는, 예를 들면 폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜-폴리부틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜-폴리부틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 에톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 부톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 옥톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 라우록시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 스테아록시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 옥톡시폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

또한, 알킬렌옥시드기를 갖는 반응성 계면 활성제의 구체예로서는, 예를 들면 (메트)아크릴로일기 또는 알릴기를 갖는 음이온형 반응성 계면 활성제, 비이온형 반응성 계면 활성제, 양이온형 반응성 계면 활성제 등을 들 수 있다.

알킬렌옥시드기 함유 반응성 단량체는 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있지만, 전체적인 함유량은 (메트)아크릴계 중합체의 단량체 성분 중 0 내지 4.9 중량％인 것이 바람직하고, 0 내지 4 중량％인 것이 보다 바람직하고, 0 내지 3 중량％인 것이 특히 바람직하다. 알킬렌옥시드기 함유 반응성 단량체의 함유량이 4.9 중량％보다 많은 경우, 이온성 액체가 중합체에 강 하게 구속되어, 충분한 대전 방지 특성을 얻기 어려운 경우가 있기 때문에 바람직하지 않다.

본 발명에 이용되는 (메트)아크릴계 중합체는 중량 평균 분자량이 10만 내지 500만, 바람직하게는 20만 내지 400만, 더욱 바람직하게는 30만 내지 300만인 것이 바람직하다. 중량 평균 분자량이 10만보다 작은 경우에는, 점착제 조성물의 응집력이 작아짐으로써 풀 잔류가 생기는 경향이 있다. 한편, 중량 평균 분자량이 500만을 초과하는 경우에는, 중합체의 유동성이 저하되어 편광판으로의 젖음이 불충해져 박리의 원인이 되는 경향이 있다. 중량 평균 분자량은 GPC(겔 투과 크로마토그래피)에 의해 측정하여 얻어진 것을 말한다.

본 발명에 이용되는 (메트)아크릴계 중합체의 중합 방법은 특별히 제한되는 것은 아니며, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 공지된 방법에 의해 중합할 수 있다. 또한, 얻어지는 중합체는 랜덤 공중합체, 블록 공중합체, 교대 공중합체, 그래프트 공중합체 등 중 어느 하나일 수 있다.

본 발명의 점착제 조성물은 이온성 액체를 포함하는 것을 특징으로 한다. 한편, 본 발명에서의 이온성 액체란, 실온(25℃)에서 액상을 나타내는 용융염(이온성 화합물)을 말한다.

이온성 액체로서는 질소 함유 오늄염, 황 함유 오늄염, 또는 인 함유 오늄염이 바람직하게 이용되고, 특히 우수한 대전 방지능이 얻어지는 이유에서, 하기 화학식 (A) 내지 (E)로 표시되는 유기 양이온 성분과, 음이온 성분을 포함하는 것이 바람직하게 이용된다.

<화학식 A>

<화학식 B>

<화학식 C>

<화학식 D>

<화학식 E>

화학식 (A)로 표시되는 양이온으로서는, 예를 들면 피리디늄 양이온, 피페리디늄 양이온, 피롤리디늄 양이온, 피롤린 골격을 갖는 양이온, 피롤 골격을 갖는 양이온 등을 들 수 있다.

구체예로서는, 예를 들면 1-메틸피리디늄 양이온, 1-에틸피리디늄 양이온, 1-프로필피리디늄 양이온, 1-부틸피리디늄 양이온, 1-펜틸피리디늄 양이온, 1-헥실피리디늄 양이온, 1-헵틸피리디늄 양이온, 1-옥틸피리디늄 양이온, 1-노닐피리디늄 양이온, 1-데실피리디늄 양이온, 1-알릴피리디늄 양이온, 1-프로필-2-메틸피리디늄 양이온, 1-부틸-2-메틸피리디늄 양이온, 1-펜틸-2-메틸피리디늄 양이온, 1-헥실-2-메틸피리디늄 양이온, 1-헵틸-2-메틸피리디늄 양이온, 1-옥틸-2-메틸피리디늄 양이온, 1-노닐-2-메틸피리디늄 양이온, 1-데실-2-메틸피리디늄 양이온, 1-프로필-3-메틸피리디늄 양이온, 1-부틸-3-메틸피리디늄 양이온, 1-부틸-4-메틸피리디늄 양이온, 1-펜틸-3-메틸피리디늄 양이온, 1-헥실-3-메틸피리디늄 양이온, 1-헵틸-3-메틸피리디늄 양이온, 1-옥틸-3-메틸피리디늄 양이온, 1-옥틸-4-메틸피리디늄 양이온, 1-노닐-3-메틸피리디늄 양이온, 1-데실-3-메틸피리디늄 양이온, 1-프로필-4-메틸피리디늄 양이온, 1-펜틸-4-메틸피리디늄 양이온, 1-헥실-4-메틸피리디늄 양이온, 1-헵틸-4-메틸피리디늄 양이온, 1-노닐-4-메틸피리디늄 양이온, 1-데실-4-메틸피리디늄 양이온, 1-부틸-3,4-디메틸피리디늄 양이온, 1,1-디메틸피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-메틸피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-프로필피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-부틸피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-펜틸피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-헥실피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-헵틸피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-옥틸피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-노닐피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-데실피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-메톡시에톡시에틸피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-프로필피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-부틸피롤 리디늄 양이온, 1-에틸-1-펜틸피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-헥실피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-헵틸피롤리디늄 양이온, 1,1-디프로필피롤리디늄 양이온, 1-프로필-1-부틸피롤리디늄 양이온, 1,1-디부틸피롤리디늄 양이온, 1-프로필피페리디늄 양이온, 1-펜틸피페리디늄 양이온, 1,1-디메틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-에틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-프로필피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-부틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-펜틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-헥실피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-헵틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-옥틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-데실피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-메톡시에톡시에틸피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-프로필피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-부틸피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-펜틸피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-헥실피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-헵틸피페리디늄 양이온, 1,1-디프로필피페리디늄 양이온, 1-프로필-1-부틸피페리디늄 양이온, 1-프로필-1-펜틸피페리디늄 양이온, 1-프로필-1-헥실피페리디늄 양이온, 1-프로필-1-헵틸피페리디늄 양이온, 1,1-디부틸피페리디늄 양이온, 1-부틸-1-펜틸피페리디늄 양이온, 1-부틸-1-헥실피페리디늄 양이온, 1-부틸-1-헵틸피페리디늄 양이온, 2-메틸-1-피롤린 양이온, 1-에틸-2-페닐인돌 양이온, 1,2-디메틸인돌 양이온, 1-에틸카르바졸 양이온 등을 들 수 있다.

화학식 (B)로 표시되는 양이온으로서는, 예를 들면 이미다졸륨 양이온, 테트라히드로피리미듐 양이온, 디히드로피리미듐 양이온 등을 들 수 있다.

구체예로서는, 예를 들면 1,3-디메틸이미다졸륨 양이온, 1,3-디에틸이미다졸륨 양이온, 1-메틸-3-에틸이미다졸륨 양이온, 1-메틸-3-헥실이미다졸륨 양이온, 1- 에틸-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-프로필-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-펜틸-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-헵틸-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-옥틸-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-노닐-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-데실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-도데실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-테트라데실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-헥사데실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-옥타데실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1,2-디메틸-3-프로필이미다졸륨 양이온, 1-에틸-2,3-디메틸이미다졸륨 양이온, 1-부틸-2,3-디메틸이미다졸륨 양이온, 1-헥실-2,3-디메틸이미다졸륨 양이온, 1,3-디메틸-1,4,5,6-테트라히드로피리미듐 양이온, 1,2,3-트리메틸-1,4,5,6-테트라히드로피리미듐 양이온, 1,2,3,4-테트라메틸-1,4,5,6-테트라히드로피리미듐 양이온, 1,2,3,5-테트라메틸-1,4,5,6-테트라히드로피리미듐 양이온, 1,3-디메틸-1,4-디히드로피리미듐 양이온, 1,3-디메틸-1,6-디히드로피리미듐 양이온, 1,2,3-트리메틸-1,4-디히드로피리미듐 양이온, 1,2,3-트리메틸-1,6-디히드로피리미듐 양이온, 1,2,3,4-테트라메틸-1,4-디히드로피리미듐 양이온, 1,2,3,4-테트라메틸-1,6-디히드로피리미듐 양이온 등을 들 수 있다.

화학식 (C)로 표시되는 양이온으로서는, 예를 들면 피라졸륨 양이온, 피라졸리늄 양이온 등을 들 수 있다.

구체예로서는, 예를 들면 1-메틸피라졸륨 양이온, 3-메틸피라졸륨 양이온, 1-에틸-2,3,5-트리메틸피라졸륨 양이온, 1-프로필-2,3,5-트리메틸피라졸륨 양이온, 1-부틸-2,3,5-트리메틸피라졸륨 양이온, 1-에틸-2-메틸피라졸리늄 양이온 등을 들 수 있다.

화학식 D로 표시되는 양이온으로서는, 예를 들면 테트라알킬암모늄 양이온, 트리알킬술포늄 양이온, 테트라알킬포스포늄 양이온이나, 상기 알킬기의 일부가 알케닐기나 알콕실기, 나아가 에폭시기로 치환된 것 등을 들 수 있다. 또한, R_l, R_m, R_n, 및 R_o로서는, 예를 들면 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 들 수 있다. 또한, R_l, R_m, R_n, 및 R_o로서는 방향족환기나 지방족환기를 포함할 수 있다.

구체예로서는, 예를 들면 테트라메틸암모늄 양이온, 테트라에틸암모늄 양이온, 테트라프로필암모늄 양이온, 테트라부틸암모늄 양이온, 테트라펜틸암모늄 양이온, 테트라헥실암모늄 양이온, 테트라헵틸암모늄 양이온, 테트라옥틸암모늄 양이온, 테트라노닐암모늄 양이온, 테트라데실암모늄 양이온, 테트라도데실암모늄 양이온, 테트라헥사데실암모늄 양이온, 테트라옥타데실암모늄 양이온, 트리메틸부틸암모늄 양이온, 트리메틸펜틸암모늄 양이온, 트리메틸헥실암모늄 양이온, 트리메틸헵틸암모늄 양이온, 트리메틸옥틸암모늄 양이온, 트리메틸노닐암모늄 양이온, 트리메틸데실암모늄 양이온, 트리메틸시클로헥실암모늄 양이온, 트리에틸메틸암모늄 양이온, 트리에틸프로필암모늄 양이온, 트리에틸부틸암모늄 양이온, 트리에틸펜틸암모늄 양이온, 트리에틸헥실암모늄 양이온, 트리에틸헵틸암모늄 양이온, 트리에틸데실암모늄 양이온, 트리에틸메톡시에톡시에틸암모늄 양이온, 트리부틸메틸암모늄 양이온, 트리부틸에틸암모늄 양이온, 트리부틸프로필암모늄 양이온, 트리부틸펜틸암모늄 양이온, 트리부틸헥실암모늄 양이온, 트리부틸헵틸암모늄 양이온, 트리펜틸메틸 암모늄 양이온, 트리펜틸에틸암모늄 양이온, 트리펜틸프로필암모늄 양이온, 트리펜틸부틸암모늄 양이온, 트리펜틸헥실암모늄 양이온, 트리펜틸헵틸암모늄 양이온, 트리헥실메틸암모늄 양이온, 트리헥실에틸암모늄 양이온, 트리헥실프로필암모늄 양이온, 트리헥실부틸암모늄 양이온, 트리헥실펜틸암모늄 양이온, 트리헥실헵틸암모늄 양이온, 트리헵틸메틸암모늄 양이온, 트리헵틸에틸암모늄 양이온, 트리헵틸프로필암모늄 양이온, 트리헵틸부틸암모늄 양이온, 트리헵틸펜틸암모늄 양이온, 트리헵틸헥실암모늄 양이온, 트리옥틸메틸암모늄 양이온, 트리옥틸에틸암모늄 양이온, 트리옥틸프로필암모늄 양이온, 트리옥틸부틸암모늄 양이온, 트리옥틸펜틸암모늄 양이온, 트리옥틸헥실암모늄 양이온, 트리옥틸헵틸암모늄 양이온, 트리옥틸도데실암모늄 양이온, 트리옥틸헥사데실암모늄 양이온, 트리옥틸옥타데실암모늄 양이온, 트리노닐메틸암모늄 양이온, 트리데실메틸암모늄 양이온, 글리시딜트리메틸암모늄 양이온, N,N-디알릴-N,N-디메틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디에틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디프로필암모늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디부틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디펜틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디헵틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디옥틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디노닐암모늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디데실암모늄 양이온, N,N-디알릴-N,N-디프로필암모늄 양이온, N,N-디프로필-N,N-디에틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N,N-디부틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N,N-디펜틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N,N-디헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-프로필암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-부틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디메틸 -N-에틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-노닐암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-메톡시에톡시에틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-에톡시에톡시에틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-부틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-부틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-부틸-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-펜틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-헥실-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-프로필암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-메톡시에톡시에틸암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N-메틸-N-에틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N-메틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N-부틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디부틸-N-메틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디부틸-N-메틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디알릴-N-메틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디알릴-N-메틸-N-옥틸암모늄 양이온, N-메틸-N-에틸-N-프로필-N-부틸암모늄 양이온, N-메틸-N-에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 양이온, N-메틸-N-에틸-N-프로필-N-헥실암모늄 양이온, 트리메틸술포늄 양이온, 트리에틸술포늄 양이온, 트리부틸술포늄 양이온, 트리헥실술포늄 양이온, 디메틸데실술포늄 양이온, 디에틸메틸술포늄 양이온, 디부틸에틸술포늄 양이온, 테트라메틸포스포늄 양이온, 테트라에틸포스포늄 양이온, 테트라부틸포스포늄 양이온, 테트라펜틸포스포늄 양이온, 테트라헥실포스포늄 양이온, 테트라헵틸포스포늄 양이온, 테 트라옥틸포스포늄 양이온, 테트라노닐포스포늄 양이온, 테트라데실포스포늄 양이온, 트리메틸펜틸포스포늄 양이온, 트리메틸헥실포스포늄 양이온, 트리메틸헵틸포스포늄 양이온, 트리메틸옥틸포스포늄 양이온, 트리메틸노닐포스포늄 양이온, 트리메틸데실포스포늄 양이온, 트리메틸메톡시에톡시에틸포스포늄 양이온, 트리에틸메틸포스포늄 양이온, 트리부틸에틸포스포늄 양이온, 트리펜틸메틸포스포늄 양이온, 트리헥실메틸포스포늄 양이온, 트리헵틸메틸포스포늄 양이온, 트리옥틸메틸포스포늄 양이온, 트리노닐메틸포스포늄 양이온, 트리데실메틸포스포늄 양이온, N,N,N-트리헥실-N-테트라데실포스포늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디펜틸포스포늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디헥실포스포늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디헵틸포스포늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디옥틸포스포늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디노닐포스포늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디데실포스포늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-메톡시에톡시에틸포스포늄 양이온 등을 들 수 있다.

그중에서도, 트리메틸부틸암모늄 양이온, 트리메틸펜틸암모늄 양이온, 트리메틸헥실암모늄 양이온, 트리메틸헵틸암모늄 양이온, 트리메틸옥틸암모늄 양이온, 트리메틸노닐암모늄 양이온, 트리메틸데실암모늄 양이온, 트리메틸시클로헥실암모늄 양이온, 트리에틸메틸암모늄 양이온, 트리에틸프로필암모늄 양이온, 트리에틸부틸암모늄 양이온, 트리에틸펜틸암모늄 양이온, 트리에틸헥실암모늄 양이온, 트리에틸헵틸암모늄 양이온, 트리에틸데실암모늄 양이온, 트리에틸메톡시에톡시에틸암모늄 양이온, 트리부틸메틸암모늄 양이온, 트리부틸에틸암모늄 양이온, 트리에틸프로필암모늄 양이온, 트리에틸펜틸암모늄 양이온, 트리에틸헥실암모늄 양이온, 트리에 틸헵틸암모늄 양이온, 트리펜틸메틸암모늄 양이온, 트리펜틸에틸암모늄 양이온, 트리펜틸프로필암모늄 양이온, 트리펜틸부틸암모늄 양이온, 트리펜틸헥실암모늄 양이온, 트리펜틸헵틸암모늄 양이온, 트리헥실메틸암모늄 양이온, 트리헥실에틸암모늄 양이온, 트리헥실프로필암모늄 양이온, 트리헥실부틸암모늄 양이온, 트리헥실펜틸암모늄 양이온, 트리헥실헵틸암모늄 양이온, 트리헵틸메틸암모늄 양이온, 트리헵틸에틸암모늄 양이온, 트리헵틸프로필암모늄 양이온, 트리헵틸부틸암모늄 양이온, 트리헵틸펜틸암모늄 양이온, 트리헵틸헥실암모늄 양이온, 트리옥틸메틸암모늄 양이온, 트리옥틸에틸암모늄 양이온, 트리옥틸프로필암모늄 양이온, 트리옥틸부틸암모늄 양이온, 트리옥틸펜틸암모늄 양이온, 트리옥틸헥실암모늄 양이온, 트리옥틸헵틸암모늄 양이온, 트리옥틸도데실암모늄 양이온, 트리옥틸헥사데실암모늄 양이온, 트리옥틸옥타데실암모늄 양이온, 트리노닐메틸암모늄 양이온, 트리데실메틸암모늄 양이온, 글리시딜트리메틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-프로필암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-부틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-노닐암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-메톡시에톡시에틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-에톡시에톡시에틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-부틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-부틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-부틸-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-펜틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-헥실-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-프로필암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-메톡시에톡시에틸암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N-메틸-N-에틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N-메틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N-부틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디부틸-N-메틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디부틸-N-메틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디알릴-N-메틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디알릴-N-메틸-N-옥틸암모늄 양이온, N-메틸-N-에틸-N-프로필-N-부틸암모늄 양이온, N-메틸-N-에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 양이온, N-메틸-N-에틸-N-프로필-N-헥실암모늄 양이온 등의 비대칭의 테트라알킬암모늄 양이온, 디메틸데실술포늄 양이온, 디메틸도데실술포늄 양이온, 디메틸데실술포늄 양이온, 디에틸메틸술포늄 양이온, 디부틸에틸술포늄 양이온 등의 비대칭의 트리알킬술포늄 양이온, 트리메틸펜틸포스포늄 양이온, 트리메틸헥실포스포늄 양이온, 트리메틸헵틸포스포늄 양이온, 트리메틸옥틸포스포늄 양이온, 트리메틸노닐포스포늄 양이온, 트리메틸데실포스포늄 양이온, 트리메틸메톡시에톡시에틸포스포늄 양이온, 트리에틸메틸포스포늄 양이온, 트리부틸에틸포스포늄 양이온, 트리펜틸메틸포스포늄 양이온, 트리헥실메틸포스포늄 양이온, 트리헵틸메틸포스포늄 양이온, 트리옥틸메틸포스포늄 양이온, 트리노닐메틸포스포늄 양이온, 트리데실메틸포스포늄 양이온, N,N,N-트리헥실-N-테트라데실포스포늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-메톡시에톡시에틸포스포늄 양이온 등의 비대칭의 테트라알킬포스포늄 양이온 등이 바람직하게 이용된다.

화학식 (E)로 표시되는 양이온의 구체예로서는, R_p로서, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 헥실기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 옥타데실기 등의, 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 갖는 술포늄염을 들 수 있다.

한편, 음이온 성분으로서는 이온성 액체가 되는 것을 만족시키는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 예를 들면 Cl^-, Br^-, I^-, AlCl₄ ^-, Al₂Cl₇ ^-, BF₄ ^-, PF₆ ^-, ClO₄ ^-, NO₃ ^-, CH₃COO^-, CF₃COO^-, CH₃SO₃ ^-, CF₃SO₃ ^-, (CF₃SO₂)₂N^-, (CF₃SO₂)₃C^-, AsF₆ ^-, SbF₆ ^-, NbF₆ ^-, TaF₆ ^-, F(HF)_n ^-, (CN)₂N^-, C₄F₉SO₃ ^-, (C₂F₅SO₂)₂N^-, C₃F₇COO^-, (CF₃SO₂)(CF₃CO)N^-, C₉H₁₉COO^-, (CH₃)₂PO₄ ^-, (C₂H₅)₂PO₄ ^-, C₂H₅OSO₃ ^-, C₆H₁₃OSO₃ ^-, C₈H₁₇OSO₃ ^-, CH₃(OC₂H₄)₂OSO₃ ^-, C₆H₄(CH₃)SO₃ ^-, (C₂F₅)₃PF₃ ^-, CH₃CH(OH)COO^- 등이나 하기 화학식 (F)로 표시되는 음이온 등이 이용된다. 그 중에서도, 소수성의 음이온 성분은 점착제 표면에 블리딩되기 어려운 경향이 있어, 저오염성 측면에서 바람직하게 이용된다. 또한, 불소 원자를 포함하는 음이온 성분은 저융점의 이온성 화합물이 얻어지는 점에서 특히 바람직하게 이용된다.

본 발명에 사용되는 이온성 액체의 구체예로서는, 상기 양이온 성분과 음이온 성분의 조합으로부터 적절히 선택하여 사용된다.

구체예로서는, 예를 들면 1-부틸피리디늄테트라플루오로보레이트, 1-부틸피리디늄헥사플루오로포스페이트, 1-부틸-3-메틸피리디늄테트라플루오로보레이트, 1-부틸-3-메틸피리디늄트리플루오로메탄술포네이트, 1-부틸-3-메틸피리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-부틸-3-메틸피리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-헥실피리디늄테트라플루오로보레이트, 1-알릴피리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1,1-디메틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-에틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-프로필피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-부틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-펜틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-헥실피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-헵틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1,1-디에틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-프로필피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-부틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포 닐)이미드, 1-에틸-1-펜틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-헥실피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-헵틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1,1-디프로필피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-부틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-펜틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-헥실피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-헵틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1,1-디부틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-프로필피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-펜틸피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1,1-디메틸피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-에틸피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-프로필피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-부틸피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-펜틸피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-헥실피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-헵틸피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1,1-디에틸피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-프로필피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-부틸피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-펜틸피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-헥실피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-헵틸피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1,1-디프로필피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-부틸피페리디늄 비스(트 리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-펜틸피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-헥실피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-헵틸피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-프로필피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-펜틸피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1,1-디부틸피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-프로필피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-펜틸피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1,1-디메틸피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-에틸피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-프로필피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-부틸피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-펜틸피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-헥실피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-헵틸피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1,1-디에틸피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-프로필피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-부틸피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-펜틸피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-헥실피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-헵틸피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1,1-디프로필피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-부틸피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-펜틸피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-헥실피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-헵틸피롤 리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1,1-디부틸피롤리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-프로필피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-펜틸피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1,1-디메틸피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-에틸피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-프로필피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-부틸피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-펜틸피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-헥실피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-메틸-1-헵틸피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1,1-디에틸피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-프로필피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-부틸피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-펜틸피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-헥실피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-1-헵틸피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1,1-디프로필피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-부틸피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-펜틸피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-헥실피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-프로필-1-헵틸피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1,1-디부틸피페리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 2-메틸-1-피롤린테트라플루오로보레이트, 1-에틸-2-페닐인돌테트라플루오로보레이트, 1,2-디메틸인돌테트라플루오로보레이트, 1-에틸카르바졸테트라플루오로보레이트, 1,3-디메틸이미다졸륨디메 틸포스페이트, 1-메틸-3-에틸이미다졸륨디에틸포스페이트, 1-메틸-3-에틸이미다졸륨에틸술페이트, 1-메틸-3-에틸이미다졸륨에톡시에톡시메틸술페이트, 1-메틸-3-에틸이미다졸륨옥틸술페이트, 1-메틸-3-헥실이미다졸륨트리펜타플루오로에탄트리플루오로포스페이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨헥사플루오로포스페이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨테트라플루오로보레이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨아세테이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨트리플루오로아세테이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨헵타플루오로부틸레이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨트리플루오로메탄술포네이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨퍼플루오로부탄술포네이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨디시안아미드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨트리스(트리플루오로메탄술포닐)메티드, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨테트라플루오로보레이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨헥사플루오로포스페이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨트리플루오로아세테이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨헵타플루오로부틸레이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨트리플루오로메탄술포네이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨퍼플루오로부탄술포네이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨브로마이드, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨클로라이드, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨테트라플루오로보레이트, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨헥사플루오로포스페이트, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨트리플루오로메탄술포네이트, 1-옥틸-3-메틸이미다졸륨테트라플루오로보레이트, 1-옥틸-3-메틸이미다졸륨헥사플루오로포스페이트, 1-헥실-2,3-디메틸이미다졸륨테트라플루오로보레이트, 1,2-디메틸-3-프로필이미다졸륨비 스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸피라졸륨테트라플루오로보레이트, 3-메틸피라졸륨테트라플루오로보레이트, 1-에틸-2,3,5-트리메틸피라졸륨비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-프로필-2,3,5-트리메틸피라졸륨비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-부틸-2,3,5-트리메틸피라졸륨비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 테트라펜틸암모늄트리플루오로메탄술포네이트, 테트라펜틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 테트라헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 디알릴디메틸암모늄테트라플루오로보레이트,

디알릴디메틸암모늄트리플루오로메탄술포네이트, 디알릴디메틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 디알릴디메틸암모늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-메톡시에톡시에틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄테트라플루오로보레이트, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄트리플루오로메탄술포네이트, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 비스(닐)이미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 글리시딜트리메틸암모늄트리플루오로메탄술포네이트, 글리시딜트리메틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 글리시딜트리메틸암모늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-부틸피리디늄(트리플루오로메탄술포닐)트리플루오로아세트아미드, 1-부틸-3-메틸피리디늄(트리플루오로메탄술포닐)트리플루오로아세트아미드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨(트리플루오로메탄술포닐)트리플루오로아세트아미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄(트리플루오로메탄술포닐)트리플루오로아세트아미드, 디알릴디메틸암모늄(트 리플루오로메탄술포닐)트리플루오로아세트아미드, 글리시딜트리메틸암모늄(트리플루오로메탄술포닐)트리플루오로아세트아미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-프로필암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-부틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-펜틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-헵틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-노닐암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N,N-디프로필암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-프로필-N-부틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-프로필-N-헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-프로필-N-헵틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-부틸-N-헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-부틸-N-헵틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-펜틸-N-헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N,N-디헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 트리메틸헵틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-프로필암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-펜틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-헵틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 트리에틸프로필암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 트리에틸 펜틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 트리에틸헵틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디프로필-N-메틸-N-에틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디프로필-N-메틸-N-펜틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디프로필-N-부틸-N-헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디프로필-N,N-디헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디부틸-N-메틸-N-펜틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디부틸-N-메틸-N-헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 트리옥틸메틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N-메틸-N-에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N,N-트리헥실-N-테트라데실포스포늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N,N-트리헥실-N-테트라데실포스포늄카프레이트, N,N,N-트리헥실-N-테트라데실포스포늄트리펜타플루오로에탄트리플루오로포스페이트 등이나, 하기 화학식 (G)로 표시되는 이온성 액체 등을 들 수 있다.

상기와 같은 이온성 액체는 시판되는 것을 사용할 수도 있지만, 하기와 같이 하여 합성하는 것도 가능하다.

이온성 액체의 합성 방법으로서는, 목적으로 하는 이온성 액체가 얻어지면 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로는 문헌 ["이온성 액체-개발의 최전선과 미래- "(CMC 출판 발행)]에 기재되어 있는 바와 같은 할로겐화물법, 수산화물법, 산 에스테르법, 착 형성법, 및 중화법 등이 이용된다.

하기에 할로겐화물법, 수산화물법, 산 에스테르법, 착 형성법, 및 중화법에 대하여 질소 함유 오늄염을 예로 그의 합성 방법에 대하여 나타내지만, 그 밖의 황 함유 오늄염, 인 함유 오늄염 등 그 밖의 이온성 액체에 대해서도 동일한 수법에 의해 얻을 수 있다.

할로겐화물법은 하기 반응식 (1) 내지 (3)에 나타낸 바와 같은 반응에 의해서 행해지는 방법이다. 우선 3급 아민과 할로겐화알킬을 반응시켜 할로겐화물을 얻는다(반응식 (1), 할로겐으로서는 염소, 브롬, 요오드가 이용됨).

얻어진 할로겐화물을 목적으로 하는 이온성 액체의 음이온 구조(A^-)를 갖는 산(HA) 또는 염(MA, M은 암모늄, 리튬, 나트륨, 칼륨 등 목적으로 하는 음이온과 염을 형성하는 양이온)과 반응시켜서 목적으로 하는 이온성 액체(R₄NA)가 얻어진다.

수산화물법은 반응식 (4) 내지 (8)에 나타낸 바와 같은 반응에 의해 행해지는 방법이다. 우선 할로겐화물(R₄NX)을 이온 교환막법 전해(반응식 (4)), OH형 이온 교환 수지법(반응식 (5)) 또는 산화은(Ag₂O)과의 반응(반응식 (6))으로 수산화물(R₄NOH)을 얻는다(할로겐으로서는 염소, 브롬, 요오드가 이용됨).

얻어진 수산화물을 상기 할로겐화법과 마찬가지로 반응식 (7) 내지 (8)의 반응을 이용하여 목적으로 하는 이온성 액체(R₄NA)가 얻어진다.

산 에스테르법은 반응식 (9) 내지 (11)에 나타낸 바와 같은 반응에 의해 행해지는 방법이다. 우선 3급 아민(R₃N)을 산 에스테르와 반응시켜서 산 에스테르물을 얻는다(반응식 (9), 산 에스테르로서는 황산, 아황산, 인산, 아인산, 탄산 등의 무기산의 에스테르나 메탄술폰산, 메틸포스폰산, 포름산 등의 유기산의 에스테르 등이 이용됨).

얻어진 산 에스테르물을 상기 할로겐화법과 마찬가지로 반응식 (10) 내지 (11)의 반응을 이용하여 목적으로 하는 이온성 액체(R₄NA)가 얻어진다. 또한, 산 에스테르로서 메틸트리플루오로메탄술포네이트, 메틸트리플루오로아세테이트 등을 이용함으로써, 직접 이온성 액체를 얻을 수도 있다.

착 형성법은 반응식 (12) 내지 (15)에 나타낸 바와 같은 반응에 의해 행해지는 방법이다. 우선 4급 암모늄의 할로겐화물(R₄NX), 4급 암모늄의 수산화물(R₄NOH), 4급 암모늄의 탄산 에스테르화물(R₄NOCO₂CH₃) 등을 불화수소(HF)나 불화암모늄(NH₄F)과 반응시켜서 불화 4급 암모늄염을 얻는다(반응식 (12) 내지 (14)).

얻어진 불화 4급 암모늄염을 BF₃, AlF₃, PF₅, ASF₅, SbF₅, NbF₅, TaF₅ 등의 불화물과 착 형성 반응에 의해 이온성 액체를 얻을 수 있다(반응식 (15)).

중화법은 반응식 (16)에 나타낸 바와 같은 반응에 의해 행해지는 방법이다. 3급 아민과 HBF₄, HPF₆, CH₃COOH, CF₃COOH, CF₃SO₃H, (CF₃SO₂)₂NH, (CF₃SO₂)₃CH, (C₂F₅SO₂)₂NH 등의 유기산을 반응시킴으로써 얻을 수 있다.

상기 반응식 (1) 내지 (16)에 기재된 R은 수소 또는 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수 있다.

이온성 액체의 배합량으로서는, 사용하는 중합체와 이온성 액체의 상용성에 의해 변하기 때문에 일률적으로 정의할 수 없지만, 일반적으로는 베이스 중합체 100 중량부에 대하여, 0.01 내지 10 중량부가 바람직하고, 0.03 내지 7 중량부가 보다 바람직하고, 0.05 내지 5 중량부가 더욱 바람직하고, 0.07 내지 3 중량부가 더욱 바람직하고, 0.1 내지 1 중량부가 한층 더 바람직하다. 0.01 중량부 미만이면 충분한 대전 방지 특성이 얻어지지 않고, 10 중량부를 초과하면 피착체로의 오염이 증가하는 경향이 있다.

본 발명의 점착제 조성물은 상기 (메트)아크릴계 중합체를 적절히 가교함으로써, 더욱 내열성, 내후성이 우수한 점착 시트가 얻어진다. 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 멜라민계 수지, 아지리딘 화합물 등 (메트)아크릴계 중합체에 적절히 가교화 기점으로서 포함시킨 카르복실기, 히드록실기, 아미노기, 아미드기 등과 반응할 수 있는 기를 갖는 화합물을 첨가하여 반응시키는 소위 가교제를 이용하는 방법이 있다. 그 중에서도, 주로 적절한 응집력을 얻는 측면에서, 이소시아네이트 화합물이나 에폭시 화합물이 특히 바람직하게 이용된다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

이 중, 이소시아네이트 화합물로서는 톨릴렌 디이소시아네이트, 크실렌 디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트, 이소포론 디이소시아네이트 등의 지환족 이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트 등의 지방족 이소시아네이트 등을 들 수 있다.

보다 구체적으로는, 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들면 부틸렌 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트 등의 저급 지방족 폴리이소시아네이트 류, 시클로펜틸렌 디이소시아네이트, 시클로헥실렌 디이소시아네이트, 이소포론 디이소시아네이트 등의 지환족 이소시아네이트류, 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄 디이소시아네이트, 크실릴렌 디이소시아네이트 등의 방향족 디이소시아네이트류, 트리메틸올프로판/톨릴렌 디이소시아네이트 3량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 콜로네이트 L), 트리메틸올프로판/헥사메틸렌 디이소시아네이트 3량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 콜로네이트 HL), 헥사메틸렌 디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 콜로네이트 HX) 등의 이소시아네이트 부가물 등을 들 수 있다. 이들 이소시아네이트 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

에폭시 화합물로서는, 예를 들면 N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민(미쓰비시 가스 가가꾸사 제조, 상품명 TETRAD-X)이나 1,3-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산(미쓰비시 가스 가가꾸사 제조, 상품명 TETRAD-C) 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

멜라민계 수지로서는, 예를 들면 헥사메틸올멜라민 등을 들 수 있다. 멜라민계 수지는 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

아지리딘 유도체로서는, 예를 들면 시판품으로서의 상품명 HDU, 상품명 TAZM, 상품명 TAZO(이상, 소고 약코사 제조) 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단 독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

이들 가교제의 사용량은 가교해야 할 (메트)아크릴계 중합체와의 균형에 의해, 나아가 점착 시트로서의 사용 용도에 따라 적절히 선택된다. 아크릴 점착제의 응집력에 의해 충분한 내열성을 얻기 위해서는, 일반적으로는 상기 (메트)아크릴계 중합체 100 중량부에 대하여 0.01 내지 15 중량부 함유되어 있는 것이 바람직하고, 0.5 내지 10 중량부 함유되어 있는 것이 보다 바람직하다. 함유량이 0.01 중량부보다 적은 경우, 가교제에 의한 가교 형성이 불충분해져 점착제 조성물의 응집력이 작아져서 충분한 내열성이 얻어지지 않는 경우도 있고, 또한 풀 잔류의 원인이 되는 경향이 있다. 한편, 함유량이 15 중량부를 초과하는 경우, 중합체의 응집력이 커서 유동성이 저하되고, 피착체로의 젖음이 불충분해져서 박리의 원인이 되는 경향이 있다.

또한, 본 발명에 있어서, 실질적인 가교제로서, 방사선 반응성 불포화 결합을 2개 이상 갖는 다관능 단량체를 첨가할 수 있다. 이러한 경우에는 방사선 등을 조사함으로써 점착제 조성물을 가교시킨다. 1 분자 중에 방사선 반응성 불포화 결합을 2개 이상 갖는 다관능 단량체로서는, 예를 들면 비닐기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 비닐벤질기 등의 방사선의 조사로 가교 처리(경화)할 수 있는 1종 또는 2종 이상의 방사선 반응성 불포화 결합을 2개 이상 갖는 다관능 단량체를 들 수 있다. 또한, 상기 다관능 단량체로서는, 일반적으로는 방사선 반응성 불포화 결합이 10개 이하인 것이 바람직하게 이용된다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

상기 다관능 단량체의 구체예로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 디비닐벤젠, N,N'-메틸렌비스아크릴아미드 등을 들 수 있다.

상기 다관능 단량체의 사용량은 가교해야 할 (메트)아크릴계 중합체와의 균형에 의해, 나아가 점착 시트의 사용 용도에 따라 적절히 선택된다. 아크릴 점착제의 응집력에 의해 충분한 내열성을 얻기 위해서는, 일반적으로는 (메트)아크릴계 중합체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부로 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 유연성, 접착성 면에서 (메트)아크릴계 중합체 100 중량부에 대하여 10 중량부 이하로 배합하는 것이 보다 바람직하다.

방사선으로서는, 예를 들면 자외선, 레이저선, α선, β선, γ선, X선, 전자선 등을 들 수 있지만, 제어성 및 양호한 취급성, 비용면에서 자외선이 바람직하게 이용된다. 보다 바람직하게는, 파장 200 내지 400 ㎚의 자외선이 이용된다. 자외선은 고압 수은등, 마이크로파 여기형 램프, 케미컬 램프 등의 적절한 광원을 이용하여 조사할 수 있다. 한편, 방사선으로서 자외선을 이용하는 경우에는 아크릴 점착제에 광 중합 개시제를 첨가한다.

광 중합 개시제로서는, 방사선 반응성 성분의 종류에 따라 그의 중합 반응의 방아쇠가 될 수 있는 적당한 파장의 자외선을 조사함으로써 라디칼 또는 양이온을 생성하는 물질이면 좋다.

광 라디칼 중합 개시제로서, 예를 들면 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, o-벤조일벤조산메틸-p-벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, α-메틸벤조인 등의 벤조인류, 벤질디메틸케탈, 트리클로로아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 아세토페논류, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, 2-히드록시-4'-이소프로필-2-메틸프로피오페논 등의 프로피오페논류, 벤조페논, 메틸벤조페논, p-클로로벤조페논, p-디메틸아미노벤조페논 등의 벤조페논류, 2-클로로티오크산톤, 2-에틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤류, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드, (2,4,6-트리메틸벤조일)-(에톡시)-페닐포스핀옥시드 등의 아실포스핀옥시드류, 벤질, 디벤조수베론, α-아실옥심 에스테르 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

광 양이온 중합 개시제로서, 예를 들면 방향족 디아조늄염, 방향족 요오도늄염, 방향족 술포늄염 등의 오늄염이나, 철-아렌 착체, 티타노센 착체, 아릴실라놀-알루미늄 착체 등의 유기 금속 착체류, 니트로벤질에스테르, 술폰산 유도체, 인산 에스테르, 페놀술폰산 에스테르, 디아조나프토퀴논, N-히드록시이미드술포네이트 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

광 중합 개시제는 아크릴계 중합체 100 중량부에 대하여, 통상 0.1 내지 10 중량부 배합하고, 0.2 내지 7 중량부의 범위로 배합하는 것이 바람직하다.

또한, 아민류 등의 광 개시 중합 보조제를 병용하는 것도 가능하다. 상기 광 개시 보조제로서는, 예를 들면 2-디메틸아미노에틸벤조에이트, 디메틸아미노아세토페논, p-디메틸아미노벤조산에틸에스테르, p-디메틸아미노벤조산이소아밀에스테르 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다. 중합 개시 보조제는 (메트)아크릴계 중합체 100 중량부에 대하여 0.05 내지 10 중량부 배합하는 것이 바람직하고, 0.1 내지 7 중량부의 범위로 배합하는 것이 보다 바람직하다.

또한, 본 발명의 점착 시트에 이용되는 점착제 조성물은 그 밖의 공지된 첨가제를 함유할 수 있고, 예를 들면 착색제, 안료 등의 분체, 계면 활성제, 가소제, 점착성 부여제, 저분자량 중합체, 표면 평활제, 레벨링제, 산화 방지제, 부식 방지제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 중합 금지제, 실란 커플링제, 무기 또는 유기의 충전제, 금속 분말, 입자상, 박상물 등을 사용하는 용도에 따라 적절히 첨가할 수 있다.

본 발명의 점착제 조성물은 계면 활성제를 첨가함으로써 피착체로의 습윤성이 양호해진다. 상기 계면 활성제로서는, 이온성 액체와의 상호 작용 측면에서, 에테르기를 갖는 계면 활성제인 것이 바람직하다.

에테르기를 갖는 계면 활성제의 구체예로서는, 예를 들면 폴리옥시알킬렌 지방산 에스테르류, 폴리옥시알킬렌 소르비탄 지방산 에스테르류, 폴리옥시알킬렌 소르비톨 지방산 에스테르류, 폴리옥시알킬렌알킬에테르류, 폴리옥시알킬렌알킬알릴 에테르류, 폴리옥시알킬렌알킬페닐에테르류, 폴리옥시알킬렌 유도체, 폴리옥시알킬렌알킬아민류, 폴리옥시알킬렌알킬아민 지방산 에스테르류 등의 비이온성 계면 활성제, 폴리옥시알킬렌알킬에테르 황산 에스테르염류, 폴리옥시알킬렌알킬에테르 인산 에스테르염류, 폴리옥시알킬렌알킬페닐에테르 황산 에스테르염류, 폴리옥시알킬렌알킬페닐에테르 인산 에스테르염류 등의 음이온성 계면 활성제, 알킬렌옥시드기를 갖는 양이온성 계면 활성제나 양쪽 이온성 계면 활성제를 들 수 있다. 또한, 분자 내에 (메트)아크릴로일기, 알릴기 등의 반응성 치환기를 가질 수 있다.

본 발명의 점착제 조성물에는 에틸렌옥시드기를 갖는 계면 활성제를 이용하는 것이 더욱 바람직하다. 구체예로서는, 예를 들면 폴리옥시에틸렌 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌 소르비톨 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌알킬알릴에테르류, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르류, 폴리옥시에틸렌 유도체, 폴리옥시에틸렌알킬아민류, 폴리옥시에틸렌알킬아민 지방산 에스테르류 등의 비이온성 계면 활성제, 폴리옥시에틸렌알킬에테르 황산 에스테르염류, 폴리옥시에틸렌알킬에테르 인산 에스테르염류, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르 황산 에스테르염류, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르 인산 에스테르염류 등의 음이온성 계면 활성제, 에틸렌옥시드기를 갖는 양이온성 계면 활성제나 양쪽 이온성 계면 활성제를 들 수 있다. 또한, 분자 중에 (메트)아크릴로일기, 알릴기 등의 반응성 치환기를 가질 수 있다.

상기 알킬렌옥시드기를 갖는 계면 활성제의 옥시알킬렌 단위의 평균 부가 몰수로서는, 이온성 액체와의 상호 작용 측면에서 1 내지 50인 것이 바람직하고, 2 내지 40인 것이 보다 바람직하다. 알킬렌옥시드기를 갖지 않는 경우, 이온성 액체 및 베이스 중합체와의 상용성의 균형을 취하기 어려워, 피착체로의 블리딩이 증가하는 경향에 있기 때문에 바람직하지 않다. 한편, 옥시알킬렌 단위의 평균 부가 몰수가 50을 초과하는 계면 활성제를 이용하는 경우, 이온성 액체가 알킬렌옥시드기에 의해 구속되어, 대전 방지 특성이 저하되는 경향이 있기 때문에 바람직하지 않다.

상기 계면 활성제는 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있지만, 배합량으로서는 베이스 중합체 100 중량부에 대하여 0.01 내지 10 중량부인 것이 바람직하고, 0.05 내지 5 중량부인 것이 보다 바람직하다. 0.01 중량부 미만이면, 피착체로의 습윤성 향상의 효과를 충분히 얻기 어렵고, 10 중량부를 초과하면, 피착체로의 블리딩이 증가하여 오염이 증가하는 경향이 있기 때문에 바람직하지 않다.

한편, 본 발명의 점착제층은 상술한 바와 같은 점착제 조성물을 가교하여 이루어지는 것이다. 또한, 본 발명의 점착 시트는 이러한 점착제층을 지지체(지지 필름) 상에 형성하여 이루어지는 것이다. 이 때, 점착제 조성물의 가교는 점착제 조성물의 도포 후에 행하는 것이 일반적이지만, 가교 후의 점착제 조성물을 포함하는 점착제층을 지지체 등에 전사하는 것도 가능하다.

상술한 바와 같이 임의 성분으로 하는 광 중합 개시제를 첨가한 경우에 있어서, 상기 점착제 조성물을 피보호체 상에 직접 도공하거나, 또는 지지 기재의 한쪽 면 또는 양쪽 면에 도공한 후, 광 조사함으로써 점착제층을 얻을 수 있다. 통상적 으로는 파장 300 내지 400 ㎚에서의 조도가 1 내지 200 mW/cm²인 자외선을 광량 200 내지 4000 mJ/cm² 정도 조사하여 광 중합시킴으로써 점착제층이 얻어진다.

필름 상에 점착제층을 형성하는 방법은 특별히 불문하지만, 예를 들면 상기 점착제 조성물을 지지체(지지 필름)에 도포하고, 중합 용제 등을 건조 제거하여 점착제층을 지지체 상에 형성함으로써 제조된다. 그 후, 점착제층의 성분 이행의 조정이나 가교 반응의 조정 등을 목적으로 하여 양생을 행할 수 있다. 또한, 점착제 조성물을 지지체 상에 도포하여 점착 시트를 제조할 때에는, 지지체 상에 균일하게 도포할 수 있도록 상기 조성물 중에 중합 용제 이외의 1종 이상의 용제를 새롭게 가할 수 있다.

또한, 본 발명의 점착제층의 형성 방법으로서는 점착 시트의 제조에 이용되는 공지된 방법이 이용된다. 구체적으로는, 예를 들면 롤 코팅, 그라비아 코팅, 리버스 코팅, 롤 브러시, 분무 코팅, 에어 나이프 코팅법, 다이 코터 등에 의한 압출 코팅법 등을 들 수 있다.

본 발명의 점착 시트는 통상 상기 점착제층의 두께가 3 내지 100 ㎛, 바람직하게는 5 내지 50 ㎛ 정도가 되도록 제조한다. 점착 시트는 폴리에스테르 필름 등의 플라스틱 필름이나, 종이, 부직포 등의 다공질 재료 등으로 이루어지는 각종 지지체의 한쪽 면 또는 양쪽 면에 상기 점착제층을 도포 형성하고, 시트상이나 테이프상 등의 형태로 한 것이다. 특히 표면 보호 필름의 경우에는 지지체(지지 필름)로서 플라스틱 기재를 이용하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 지지체는 내열성 및 내용제성을 갖는 동시에 가요성을 갖는 플라스틱 기재인 것이 바람직하다. 지지체가 가요성을 가짐으로써, 롤 코터 등에 의해 점착제 조성물을 도포할 수 있고, 롤상으로 권취할 수 있다.

상기 플라스틱 기재로서는, 시트상이나 필름상으로 형성할 수 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리-1-부텐, 폴리-4-메틸-1-펜텐, 에틸렌·프로필렌 공중합체, 에틸렌·1-부텐 공중합체, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체, 에틸렌·에틸아크릴레이트 공중합체, 에틸렌·비닐알코올 공중합체 등의 폴리올레핀 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 폴리아크릴레이트 필름, 폴리스티렌 필름, 나일론 6, 나일론 6,6, 부분 방향족 폴리아미드 등의 폴리아미드 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 폴리카보네이트 필름 등을 들 수 있다.

또한, 상기 지지체의 두께는 통상 5 내지 200 ㎛, 바람직하게는 10 내지 100 ㎛ 정도이다.

상기 지지체에는 필요에 따라 실리콘계, 불소계, 장쇄 알킬계 또는 지방산 아미드계의 이형제, 실리카 분말 등에 의한 이형 및 방오 처리나, 산 처리, 알칼리 처리, 프라이머 처리, 코로나 처리, 플라즈마 처리, 자외선 처리 등의 이접착 처리, 도포형, 반죽형, 증착형 등의 정전 방지 처리를 할 수도 있다.

또한, 본 발명의 표면 보호 필름에 사용하는 플라스틱 기재는 대전 방지 처리되어 이루어지는 것이 보다 바람직하다.

플라스틱 기재에 실시되는 대전 방지 처리로서는 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로 이용되는 기재의 적어도 한쪽 면에 대전 방지층을 설치하는 방법이나 플라스틱 기재에 반죽형 대전 방지제를 반죽해 넣는 방법이 이용된다. 기재의 적어도 한쪽 면에 대전 방지층을 설치하는 방법으로서는, 대전 방지제와 수지 성분을 포함하는 대전 방지성 수지나 도전성 중합체, 도전성 물질을 함유하는 도전성 수지를 도포하는 방법이나 도전성 물질을 증착 또는 도금하는 방법을 들 수 있다.

대전 방지성 수지에 함유되는 대전 방지제로서는 4급 암모늄염, 피리디늄염, 제1, 제2, 제3 아미노기 등의 양이온성 관능기를 갖는 양이온형 대전 방지제, 술폰산염이나 황산 에스테르염, 포스폰산염, 인산 에스테르염 등의 음이온성 관능기를 갖는 음이온형 대전 방지제, 알킬베타인 및 그의 유도체, 이미다졸린 및 그의 유도체, 알라닌 및 그의 유도체 등의 양성형 대전 방지제, 아미노알코올 및 그의 유도체, 글리세린 및 그의 유도체, 폴리에틸렌글리콜 및 그의 유도체 등의 비이온형 대전 방지제, 나아가 상기 양이온형, 음이온형, 양쪽성 이온형의 이온 도전성기를 갖는 단량체를 중합 또는 공중합하여 얻어진 이온 도전성 중합체를 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

양이온형의 대전 방지제로서, 예를 들면 알킬트리메틸암모늄염, 아실로일아미드프로필트리메틸암모늄메트술페이트, 알킬벤질메틸암모늄염, 아실 염화콜린, 폴리디메틸아미노에틸메타크릴레이트 등의 4급 암모늄기를 갖는 (메트)아크릴레이트 공중합체, 폴리비닐벤질트리메틸암모늄클로라이드 등의 4급 암모늄기를 갖는 스티 렌 공중합체, 폴리디알릴디메틸암모늄클로라이드 등의 4급 암모늄기를 갖는 디알릴아민 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

음이온형의 대전 방지제로서, 예를 들면 알킬술폰산염, 알킬벤젠술폰산염, 알킬황산 에스테르염, 알킬에톡시황산 에스테르염, 알킬인산 에스테르염, 술폰산기 함유 스티렌 공중합체를 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

양쪽성 이온형의 대전 방지제로서, 예를 들면 알킬베타인, 알킬이미다졸륨베타인, 카르보베타인 그래프트 공중합을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

비이온형의 대전 방지제로서, 예를 들면 지방산 알킬올아미드, 디(2-히드록시에틸)알킬아민, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 지방산 글리세린 에스테르, 폴리옥시에틸렌글리콜 지방산 에스테르, 소르비탄 지방산 에스테르, 폴리옥시소르비탄 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌디아민, 폴리에테르와 폴리에스테르와 폴리아미드를 포함하는 공중합체, 메톡시폴리에틸렌글리콜 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

도전성 중합체로서는, 예를 들면 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리티오펜 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

도전성 물질로서는, 예를 들면 산화주석, 산화안티몬, 산화인듐, 산화카드뮴, 산화티탄, 산화아연, 인듐, 주석, 안티몬, 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 크롬, 티탄, 철, 코발트, 요오드화구리, 및 이들의 합금 또는 혼합물을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

대전 방지성 수지 및 도전성 수지에 이용되는 수지 성분으로서는, 폴리에스테르, 아크릴, 폴리비닐, 우레탄, 멜라민, 에폭시 등의 범용 수지가 이용된다. 한편, 고분자형 대전 방지제의 경우에는 수지 성분을 함유시키지 않을 수도 있다. 또한, 대전 방지 수지 성분에, 가교제로서 메틸올화 또는 알킬올화된 멜라민계, 요소계, 글리옥살계, 아크릴아미드계 등의 화합물, 에폭시 화합물, 이소시아네이트 화합물을 함유시키는 것도 가능하다.

대전 방지층의 형성 방법으로서는, 예를 들면 상기 대전 방지성 수지, 도전성 중합체, 도전성 수지를 유기 용제 또는 물 등의 용매로 희석하고, 이 도포액을 플라스틱 기재에 도포, 건조함으로써 형성된다.

상기 대전 방지층의 형성에 이용하는 유기 용제로서는, 예를 들면 메틸에틸케톤, 아세톤, 아세트산에틸, 테트라히드로푸란, 디옥산, 시클로헥사논, n-헥산, 톨루엔, 크실렌, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올 등을 들 수 있다. 이들 용제는 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.

상기 대전 방지층의 형성에서의 도포 방법에 대해서는 공지된 도포 방법이 적절히 이용되며, 구체적으로는, 예를 들면 롤 코팅, 그라비아 코팅, 리버스 코팅, 롤 브러시, 분무 코팅, 에어 나이프 코팅, 함침 및 커튼 코팅법을 들 수 있다.

상기 대전 방지성 수지층, 도전성 중합체, 도전성 수지의 두께는 통상 0.01 내지 5 ㎛, 바람직하게는 0.03 내지 1 ㎛ 정도이다.

도전성 물질의 증착 또는 도금 방법으로서는, 예를 들면 진공 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅, 화학 증착, 분무 열 분해, 화학 도금, 전기 도금법 등을 들 수 있다.

상기 도전성 물질층의 두께는 통상 20 내지 10,000Å이고, 바람직하게는 50 내지 5,000Å이다.

또한, 반죽형 대전 방지제로서는 상기 대전 방지제가 적절히 이용된다. 반죽형 대전 방지제의 배합량으로서는, 플라스틱 기재의 총 중량에 대하여 20 중량％ 이하, 바람직하게는 0.05 내지 10 중량％의 범위로 이용된다. 반죽 방법으로서는, 상기 대전 방지제를 플라스틱 기재에 이용되는 수지에 균일하게 혼합할 수 있는 방법이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 가열 롤, 벤버리 믹서, 가압 혼련기, 이축 혼련기 등이 이용된다.

본 발명의 점착 시트는 필요에 따라 점착면을 보호할 목적으로 점착제 표면에 세퍼레이터를 접합시키는 것이 가능하다. 세퍼레이터를 구성하는 재료로서는 종이나 플라스틱 필름이 있지만, 표면 평활성이 우수한 점에서 플라스틱 필름이 바람직하게 이용된다.

그 필름으로서는 상기 점착제층을 보호할 수 있는 필름이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름 등을 들 수 있다.

상기 세퍼레이터의 두께는 통상 5 내지 200 ㎛, 바람직하게는 10 내지 100 ㎛ 정도이다. 상기 세퍼레이터에는 필요에 따라 실리콘계, 불소계, 장쇄 알킬계 또는 지방산 아미드계의 이형제, 실리카 분말 등에 의한 이형 및 방오 처리 등을 할 수도 있다.

본 발명을 이용한 점착제 조성물, 및 점착 시트 및 표면 보호 필름은 특히 정전기가 발생하기 쉬운 플라스틱 제품 등에 이용된다. 그 중에서도 특히, 액정 디스플레이 등에 이용되는 편광판, 파장판, 위상차판, 광학 보상 필름, 반사 시트, 휘도 향상 필름 등의 광학 부재 표면을 보호할 목적으로 이용되는 표면 보호 필름으로서 매우 유용하게 된다.

이하, 본 발명의 구성과 효과를 구체적으로 나타내는 실시예 등에 대하여 설명한다. 한편, 실시예 등에서의 평가 항목은 하기와 같이 하여 측정을 행하였다.

<산가의 측정>

산가는 자동 적정 장치(히라누마 산교사 제조, COM-550)를 이용하여 측정을 행하고, 하기 수학식으로부터 구하였다.

A＝{(Y-X)×f×5.611}/M

·A: 산가

·Y: 샘플 용액의 적정량(ml)

·X: 혼합 용매 50 g만의 용액의 적정량(ml)

·f: 적정 용액의 요인

·M: 중합체 샘플의 중량(g)

측정 조건은 하기와 같다.

·샘플 용액: 중합체 샘플 약 0.5 g을 혼합 용매(톨루엔/2-프로판올/증류수＝50/49.5/0.5, 중량비) 50 g에 용해시켜 샘플 용액으로 하였다.

·적정 용액: 0.1N, 2-프로판올성 수산화칼륨 용액(와코 쥰야쿠 고교사 제조, 석유 제품 중화가 시험용)

·전극: 유리 전극; GE-101, 비교 전극; RE-201

·측정 모드: 석유 제품 중화가 시험 1

<분자량의 측정>

중량 평균 분자량은 GPC 장치(도소사 제조, HLC-8220GPC)를 이용하여 측정을 행하였다. 측정 조건은 하기와 같다.

·샘플 농도: 0.2 중량％(THF 용액)

·샘플 주입량: 10 ㎕

·용리액: THF

·유속: 0.6 ml/분

·측정 온도: 40℃

·컬럼:

샘플 컬럼; TSKguardcolumn SuperHZ-H(1개)＋TSKgel SuperHZM-H(2개)

참조 컬럼; TSKgel SuperH-RC(1개)

·검출기: 시차 굴절계(RI)

한편, 중량 평균 분자량은 폴리스티렌 환산치로 구하였다.

<유리 전이 온도의 측정>

유리 전이 온도(Tg)(℃)는 동적 점탄성 측정 장치(레오메트릭스사 제조, ARES)를 이용하여 하기 방법에 의해 구하였다.

(메트)아크릴계 중합체의 시트(두께: 20 ㎛)를 적층하여 약 2 mm의 두께로 하고, 이것을 φ7.9 mm로 펀칭하고 원주상의 펠릿을 제조하여 유리 전이 온도 측정용 샘플로 하였다.

상기 측정 샘플을 φ7.9 mm 병렬판의 지그에 고정하고, 상기 동적 점탄성 측정 장치에 의해 손실 탄성률 G''의 온도 의존성을 측정하고, 얻어진 G'' 커브가 극대가 되는 온도를 유리 전이 온도(℃)로 하였다.

측정 조건은 하기와 같다.

·측정: 전단 모드

·온도 범위: -70℃ 내지 150℃

·승온 속도: 5℃/분

·주파수: 1Hz

<이온성 액체의 구조 해석>

이온성 액체의 구조 해석은 NMR 측정, XRF 측정, FT-IR 측정에 의해 행하였다.

〔NMR 측정〕

NMR 측정은 핵 자기 공명 장치(니혼 덴시사 제조, EX-400)를 이용하여 하기 측정 조건으로 행하였다.

·관측 주파수: 400 MHz(¹H), 100MHz(¹³C)

·측정 용매: 아세톤-d₆

·측정 온도: 23℃

〔XRF 측정〕

XRF 측정은 주사형 형광 X선 분석 장치(리가꾸 덴키사 제조, ZSX-100e)를 이용하여 하기의 측정 조건으로 행하였다.

·측정 방법: 여과지법

·X선원: Rh

〔FT-IR 측정〕

FT-IR 측정은 적외 분광 광도계(니콜렛(Nicolet)사 제조, Magna-560)를 이용하여 하기의 측정 조건으로 행하였다.

·측정 방법: ATR법

·검출기: DTGS

·분해능: 4.0 cm^-1

·적산 횟수: 64회

<(메트)아크릴계 중합체의 제조>

〔아크릴계 중합체 (A)〕

교반 날개, 온도계, 질소 가스 도입관, 냉각기를 구비한 4구 플라스크에, 2-에틸헥실아크릴레이트 200 중량부, 2-히드록시프로필아크릴레이트(교에이샤 가가꾸사 제조, 라이트 에스테르 HOP-A) 8 중량부, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.4 중량부, 아세트산에틸 386.3 중량부를 넣고, 서서히 교반하면서 질소 가스를 도입하고, 플라스크 내의 액체 온도를 60℃ 부근으로 유지하며 5 시간 중합 반응을 행하여, 아크릴계 중합체 (A) 용액(35 중량％)을 제조하였다. 상기 아크릴계 중합체 (A)의 중량 평균 분자량은 40만, 유리 전이 온도(Tg)는 -55℃, 산가는 0.0이었다.

〔아크릴계 중합체 (B)〕

교반 날개, 온도계, 질소 가스 도입관, 냉각기를 구비한 4구 플라스크에, 2-에틸헥실아크릴레이트 200 중량부, 2-히드록시부틸아크릴레이트(교에이샤 가가꾸사 제조, 라이트 아크릴레이트 HOB-A) 8 중량부, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.4 중량부, 아세트산에틸 386.3 중량부를 넣고, 서서히 교반하면서 질소 가스를 도입하고, 플라스크 내의 액체 온도를 60℃ 부근으로 유지하며 5 시간 중합 반응을 행하여, 아크릴계 중합체 (B) 용액(35 중량％)을 제조하였다. 상기 아크릴계 중합체 (B)의 중량 평균 분자량은 41만, 유리 전이 온도(Tg)는 -56℃, 산가는 0.0이었다.

〔아크릴계 중합체 (C)〕

교반 날개, 온도계, 질소 가스 도입관, 냉각기를 구비한 4구 플라스크에, 2-에틸헥실아크릴레이트 200 중량부, 4-히드록시부틸아크릴레이트(오사카 유키 가가꾸 고교사 제조, 4-HBA) 8 중량부, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.4 중량부, 아세트산에틸 312 중량부를 넣고, 서서히 교반하면서 질소 가스를 도입하고, 플라스크 내의 액체 온도를 60℃ 부근으로 유지하며 5 시간 중합 반응을 행하여, 아크릴계 중합체 (C) 용액(40 중량％)을 제조하였다. 상기 아크릴계 중합체 (C)의 중량 평균 분자량은 56만, 유리 전이 온도(Tg)는 -56℃, 산가는 0.0이었다.

〔아크릴계 중합체 (D)〕

교반 날개, 온도계, 질소 가스 도입관, 냉각기를 구비한 4구 플라스크에, 2-에틸헥실아크릴레이트 199 중량부, 알킬렌옥시드기 함유 반응성 계면 활성제(카오사 제조, 라테물 PD-420) 1 중량부, 4-히드록시부틸아크릴레이트(오사카 유키 가가꾸 고교사 제조, 4-HBA) 8 중량부, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.4 중량부, 아세트산에틸 312 중량부를 넣고, 서서히 교반하면서 질소 가스를 도입하고, 플라스크 내의 액체 온도를 60℃ 부근으로 유지하며 5 시간 중합 반응을 행하여, 아크릴계 중합체 (D) 용액(40 중량％)을 제조하였다. 상기 아크릴계 중합 체 (D)의 중량 평균 분자량은 58만, 유리 전이 온도(Tg)는 -56℃, 산가는 0.0이었다.

〔아크릴계 중합체 (E)〕

교반 날개, 온도계, 질소 가스 도입관, 냉각기를 구비한 4구 플라스크에, 2-에틸헥실아크릴레이트 200 중량부, 2-히드록시프로필아크릴레이트(교에이샤 가가꾸사 제조, 라이트 에스테르 HOP-A) 16 중량부, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.44 중량부, 아세트산에틸 401.1 중량부를 넣고, 서서히 교반하면서 질소 가스를 도입하고, 플라스크 내의 액체 온도를 60℃ 부근으로 유지하며 5 시간 중합 반응을 행하여, 아크릴계 중합체 (E) 용액(35 중량％)을 제조하였다. 상기 아크릴계 중합체 (E)의 중량 평균 분자량은 41만, 유리 전이 온도(Tg)는 -53℃, 산가는 0.0이었다.

〔아크릴계 중합체 (F)〕

교반 날개, 온도계, 질소 가스 도입관, 냉각기를 구비한 4구 플라스크에, 2-에틸헥실아크릴레이트 200 중량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트 8 중량부, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.4 중량부, 아세트산에틸 312 중량부를 넣고, 서서히 교반하면서 질소 가스를 도입하고, 플라스크 내의 액체 온도를 60℃ 부근으로 유지하며 5 시간 중합 반응을 행하여, 아크릴계 중합체 (F) 용액(40 중량％)을 제조하였다. 상기 아크릴계 중합체 (F)의 중량 평균 분자량은 55만, 유리 전이 온도(Tg)는 -55℃, 산가는 0.0이었다.

〔아크릴계 중합체 (G)〕

교반 날개, 온도계, 질소 가스 도입관, 냉각기를 구비한 4구 플라스크에, 2-에틸헥실아크릴레이트 199 중량부, 알킬렌옥시드기 함유 반응성 계면 활성제(카오사 제조, 라테물 PD-420) 1 중량부, 2-히드록시프로필아크릴레이트(교에이샤 가가꾸사 제조, 라이트 에스테르 HOP-A) 8 중량부, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.4 중량부, 아세트산에틸 312 중량부를 넣고, 서서히 교반하면서 질소 가스를 도입하고, 플라스크 내의 액체 온도를 60℃ 부근으로 유지하며 5 시간 중합 반응을 행하여, 아크릴계 중합체 (G) 용액(40 중량％)을 제조하였다. 상기 아크릴계 중합체 (G)의 중량 평균 분자량은 56만, 유리 전이 온도(Tg)는 -55℃, 산가는 0.0이었다.

〔아크릴계 중합체 (H)〕

교반 날개, 온도계, 질소 가스 도입관, 냉각기를 구비한 4구 플라스크에, 2-에틸헥실아크릴레이트 199 중량부, 알킬렌옥시드기 함유 반응성 계면 활성제(카오사 제조, 라테물 PD-420) 1 중량부, 2-히드록시부틸아크릴레이트(교에이샤 가가꾸사 제조, 라이트 에스테르 HOB-A) 8 중량부, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.4 중량부, 아세트산에틸 312 중량부를 넣고, 서서히 교반하면서 질소 가스를 도입하고, 플라스크 내의 액체 온도를 60℃ 부근으로 유지하며 5 시간 중합 반응을 행하여, 아크릴계 중합체 (H) 용액(40 중량％)을 제조하였다. 상기 아크릴계 중합체 (H)의 중량 평균 분자량은 56만, 유리 전이 온도(Tg)는 -56℃, 산가는 0.0이었다.

<이온성 액체의 제조>

〔이온성 액체 (1)〕

교반 날개, 온도계, 냉각기를 구비한 4구 플라스크에, 1-부틸-3-메틸피리디늄크리드(와코쥰야쿠 고교사 제조) 10 중량부를 증류수로 20 중량％로 희석한 수용액을 첨가한 후, 교반 날개를 돌리면서 리튬비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드(기시다 가가꾸사 제조) 19 중량부를 증류수로 20 중량％로 희석한 수용액을 서서히 첨가하였다. 첨가 후, 25℃에서 2 시간 교반을 계속한 후, 12 시간 정치하였다. 이어서 상청액을 제거하고, 액상의 생성물을 얻었다.

얻어진 액상의 생성물을 200 중량부의 증류수로 3회 세정하고, 계속해서 110℃의 환경 하에서 2 시간 건조시켜 25℃에서 액상의 이온성 액체 (1)을 20 중량부 얻었다.

얻어진 이온성 액체 (1)의 NMR(¹H, ¹³C) 측정, FT-IR 측정, XRF 측정을 행하여, 1-부틸-3-메틸피리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드임을 동정·확인하였다.

<대전 방지제 용액의 제조>

〔대전 방지제 용액 (a)〕

교반 날개, 온도계, 냉각기를 구비한 4구 플라스크에, 상기 이온성 액체 (1) 10 중량부, 아세트산에틸 90 중량부를 넣고, 플라스크 내의 액체 온도를 25℃ 부근으로 유지하며 30분간 혼합 교반을 행하여, 대전 방지제 용액 (a)(10 중량％)를 제조하였다.

〔대전 방지제 용액 (b)〕

교반 날개, 온도계, 냉각기를 구비한 4구 플라스크에, 지방족 아민계 이온성 액체(고에이 가가꾸 고교사 제조, IL-A5, 25℃ 하에서 액상) 10 중량부, 아세트산에틸 90 중량부를 넣고, 플라스크 내의 액체 온도를 25℃ 부근으로 유지하며 30분간 혼합 교반을 행하여, 대전 방지제 용액 (b)(10 중량％)를 제조하였다.

〔대전 방지제 용액 (c)〕

교반 날개, 온도계, 냉각기를 구비한 4구 플라스크에, 요오드화리튬 0.1 중량부, 폴리프로필렌글리콜(디올형, 수 평균 분자량: 2,000) 7.9 중량부, 아세트산에틸 32 중량부를 넣고, 플라스크 내의 액체 온도를 80℃ 부근으로 유지하며 2 시간 혼합 교반을 행하여 대전 방지제 용액 (c)(20 중량％)를 제조하였다.

〔대전 방지제 용액 (d)〕

교반 날개, 온도계, 냉각기를 구비한 4구 플라스크에, 지환식 아민계 이온성 액체(고에이 가가꾸 고교사 제조, IL-C1, 25℃ 하에서 액상) 10 중량부, 아세트산에틸 90 중량부를 넣고, 플라스크 내의 액체 온도를 25℃ 부근으로 유지하며 30분간 혼합 교반을 행하여 대전 방지제 용액 (d)(10 중량％)를 제조하였다.

<대전 방지 처리 필름의 제조>

대전 방지제(솔벡스사 제조, 마이크로솔버 RMd-142, 산화주석과 폴리에스테르 수지를 주성분으로 함) 10 중량부를, 물 30 중량부와 메탄올 70 중량부를 포함하는 혼합 용매로 희석함으로써 대전 방지제 용액을 제조하였다.

얻어진 대전 방지제 용액을, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께: 38 ㎛) 상에 메이어 바를 이용하여 도포하고, 130℃에서 1분간 건조함으로써 용제를 제거하고 대전 방지층(두께: 0.2 ㎛)을 형성하여 대전 방지 처리 필름을 제조하였다.

〔실시예 1〕

(점착제 용액의 제조)

상기 아크릴계 중합체 (A) 용액(35 중량％)을 아세트산에틸로 20 중량％로 희석하고, 이 용액 100 중량부에, 상기 대전 방지제 용액 (a)(10 중량％) 2 중량부, 가교제로서 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 콜로네이트 HX) 0.4 중량부, 가교 촉매로서 디라우르산디부틸주석(1 중량％ 아세트산에틸 용액) 0.4 중량부를 가하고, 상온(25℃) 하에서 약 1분간 혼합 교반하여 아크릴계 점착제 용액 (1)을 제조하였다.

(점착 시트의 제조)

상기 아크릴 점착제 용액 (1)을 상기 대전 방지 처리 필름의 대전 방지 처리면과는 반대 면에 도포하고 130℃에서 2분간 가열하여 두께 20 ㎛의 점착제층을 형성하였다. 이어서, 상기 점착제층의 표면에, 한쪽 면에 실리콘 처리를 실시한 두께 25 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 실리콘 처리면을 접합한 후, 50℃에서 2일간 양생하여 점착 시트를 제조하였다.

〔실시예 2〕

(점착제 용액의 제조)

상기 아크릴계 중합체 (B) 용액(35 중량％)을 아세트산에틸로 20 중량％로 희석하고, 이 용액 100 중량부에, 상기 대전 방지제 용액 (b)(10 중량％) 2 중량부, 가교제로서 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 콜로네이트 HX) 0.4 중량부, 가교 촉매로서 디라우르산디부틸주석(1 중량％ 아세트산에틸 용액) 0.4 중량부를 가하고, 상온(25℃) 하에서 약 1분간 혼합 교반하여 아크릴계 점착제 용액 (2)를 제조하였다.

(점착 시트의 제조)

상기 아크릴계 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴계 점착제 용액 (2)를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착 시트를 제조하였다.

〔실시예 3〕

(점착제 용액의 제조)

상기 아크릴계 중합체 (C) 용액(40 중량％)을 아세트산에틸로 20 중량％로 희석하고, 이 용액 100 중량부에, 상기 대전 방지제 용액 (a)(10 중량％) 2 중량부, 가교제로서 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 콜로네이트 HX) 0.4 중량부, 가교 촉매로서 디라우르산디부틸주석(1 중량％ 아세트산에틸 용액) 0.4 중량부를 가하고, 상온(25℃) 하에서 약 1분간 혼합 교반하여 아크릴계 점착제 용액 (3)을 제조하였다.

(점착 시트의 제조)

상기 아크릴계 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴계 점착제 용액 (3)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착 시트를 제조하였다.

〔실시예 4〕

(점착제 용액의 제조)

상기 아크릴계 중합체 (D) 용액(40 중량％)을 아세트산에틸로 20 중량％로 희석하고, 이 용액 100 중량부에, 상기 대전 방지제 용액 (a)(10 중량％) 2 중량부, 가교제로서 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 콜로네이트 HX) 0.4 중량부, 가교 촉매로서 디라우르산디부틸주석(1 중량％ 아세트산에틸 용액) 0.4 중량부를 가하고, 상온(25℃) 하에서 약 1분간 혼합 교반하여 아크릴계 점착제 용액 (4)를 제조하였다.

(점착 시트의 제조)

상기 아크릴계 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴계 점착제 용액 (4)를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착 시트를 제조하였다.

〔실시예 5〕

(점착제 용액의 제조)

상기 아크릴계 중합체 (E) 용액(35 중량％)을 아세트산에틸로 20 중량％로 희석하고, 이 용액 100 중량부에, 상기 대전 방지제 용액 (a)(10 중량％) 2 중량부, 가교제로서 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 콜로네이트 HX) 0.4 중량부, 가교 촉매로서 디라우르산디부틸주석(1 중량％ 아세트산에틸 용액) 0.4 중량부를 가하고, 상온(25℃) 하에서 약 1분간 혼합 교반하여 아크릴계 점착제 용액 (5)를 제조하였다.

(점착 시트의 제조)

상기 아크릴계 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴계 점착제 용액 (5)를 이 용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착 시트를 제조하였다.

〔실시예 6〕

(점착제 용액의 제조)

상기 아크릴계 중합체 (E) 용액(35 중량％)을 아세트산에틸로 20 중량％로 희석하고, 이 용액 100 중량부에, 상기 대전 방지제 용액 (b)(10 중량％) 2 중량부, 가교제로서 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 콜로네이트 HX) 0.4 중량부, 가교 촉매로서 디라우르산디부틸주석(1 중량％ 아세트산에틸 용액) 0.4 중량부를 가하고, 상온(25℃) 하에서 약 1분간 혼합 교반하여 아크릴계 점착제 용액 (6)을 제조하였다.

(점착 시트의 제조)

상기 아크릴계 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴계 점착제 용액 (6)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착 시트를 제조하였다.

〔비교예 1〕

(점착제 용액의 제조)

상기 아크릴계 중합체 (F) 용액(40 중량％)을 아세트산에틸로 20 중량％로 희석하고, 이 용액 100 중량부에, 상기 대전 방지제 용액 (a)(10 중량％) 2 중량부, 가교제로서 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 콜로네이트 HX) 0.4 중량부, 가교 촉매로서 디라우르산디부틸주석(1 중량％ 아세트산에틸 용액) 0.4 중량부를 가하고, 상온(25℃) 하에서 약 1분간 혼합 교반하여 아크릴계 점착제 용액 (7)을 제조하였다.

(점착 시트의 제조)

상기 아크릴계 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴계 점착제 용액 (7)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착 시트를 제조하였다.

〔비교예 2〕

(점착제 용액의 제조)

상기 아크릴계 중합체 (F) 용액(40 중량％)을 아세트산에틸로 20 중량％로 희석하고, 이 용액 100 중량부에, 음이온계 계면 활성제인 디알킬술포숙신산에스테르 나트륨염(다이이치 고교 세이야꾸사 제조, 네오콜 SW, 29 중량％ 용액의 용매를 제거하여 100 중량％로 한 것) 2.0 중량부, 가교제로서 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 콜로네이트 HX) 0.3 중량부, 가교 촉매로서 디라우르산디부틸주석(1 중량％ 아세트산에틸 용액) 0.4 중량부를 가하고, 상온(25℃) 하에서 약 1분간 혼합 교반하여 아크릴계 점착제 용액 (8)을 제조하였다.

(점착 시트의 제조)

상기 아크릴계 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴계 점착제 용액 (8)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착 시트를 제조하였다.

〔비교예 3〕

(점착제 용액의 제조)

상기 아크릴계 중합체 (F) 용액(40 중량％)을 아세트산에틸로 20 중량％로 희석하고, 이 용액 100 중량부에, 상기 대전 방지제 용액 (c)(20 중량％) 8 중량 부, 가교제로서 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 콜로네이트 HX) 0.3 중량부, 가교 촉매로서 디라우르산디부틸주석(1 중량％ 아세트산에틸 용액) 0.4 중량부를 가하고, 상온(25℃) 하에서 약 1분간 혼합 교반하여 아크릴계 점착제 용액 (9)를 제조하였다.

(점착 시트의 제조)

상기 아크릴계 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴계 점착제 용액 (9)를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착 시트를 제조하였다.

〔비교예 4〕

(점착제 용액의 제조)

상기 아크릴계 중합체 (B) 용액(35 중량％)을 아세트산에틸로 20 중량％로 희석하고, 이 용액 100 중량부에, 상기 대전 방지제 용액 (c)(20 중량％) 8 중량부, 가교제로서 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 콜로네이트 HX) 0.4 중량부, 가교 촉매로서 디라우르산디부틸주석(1 중량％ 아세트산에틸 용액) 0.4 중량부를 가하고, 상온(25℃) 하에서 약 1분간 혼합 교반하여 아크릴계 점착제 용액 (10)을 제조하였다.

(점착 시트의 제조)

상기 아크릴계 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴계 점착제 용액 (10)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착 시트를 제조하였다.

〔실시예 7〕

(점착제 용액의 제조)

상기 아크릴계 중합체 (G) 용액(40 중량％)을 아세트산에틸로 20 중량％로 희석하고, 이 용액 100 중량부에, 상기 대전 방지제 용액 (a)(10 중량％) 2 중량부, 가교제로서 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 콜로네이트 HX) 0.4 중량부, 가교 촉매로서 디라우르산디부틸주석(1 중량％ 아세트산에틸 용액) 0.4 중량부를 가하고, 상온(25℃) 하에서 약 1분간 혼합 교반하여 아크릴계 점착제 용액 (11)을 제조하였다.

(점착 시트의 제조)

상기 아크릴계 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴계 점착제 용액 (11)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착 시트를 제조하였다.

〔실시예 8〕

(점착제 용액의 제조)

상기 아크릴계 중합체 (H) 용액(40 중량％)을 아세트산에틸로 20 중량％로 희석하고, 이 용액 100 중량부에, 상기 대전 방지제 용액 (d)(10 중량％) 0.8 중량부, 가교제로서 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 콜로네이트 HX) 0.4 중량부, 가교 촉매로서 디라우르산디부틸주석(1 중량％ 아세트산에틸 용액) 0.4 중량부를 가하고, 상온(25℃) 하에서 약 1분간 혼합 교반하여, 아크릴계 점착제 용액 (12)를 제조하였다.

(점착 시트의 제조)

상기 아크릴계 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴계 점착제 용액 (12)를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착 시트를 제조하였다.

〔비교예 5〕

(점착제 용액의 제조)

상기 아크릴계 중합체 (F) 용액(40 중량％)을 아세트산에틸로 20 중량％로 희석하고, 이 용액 100 중량부에, 상기 대전 방지제 용액 (d)(10 중량％) 0.8 중량부, 가교제로서 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 콜로네이트 HX) 0.4 중량부, 가교 촉매로서 디라우르산디부틸주석(1 중량％ 아세트산에틸 용액) 0.4 중량부를 가하고, 상온(25℃) 하에서 약 1분간 혼합 교반하여 아크릴계 점착제 용액 (13)을 제조하였다.

(점착 시트의 제조)

상기 아크릴계 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴계 점착제 용액 (13)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법에 의해 점착 시트를 제조하였다.

상기 실시예, 비교예에서 얻어진 점착 시트에 대하여 이하의 요령으로 박리 대전압의 측정, 오염성의 평가, 및 점착력의 측정을 행하였다.

<박리 대전압의 측정>

점착 시트를 폭 70 mm, 길이 130 mm의 크기로 절단하고, 세퍼레이터를 박리한 후, 미리 제전해 둔 아크릴판(미쯔비시 레이온사 제조, 아크릴라이트, 두께: 1 mm, 폭: 70 mm, 길이: 100 mm)에 접합시킨 편광판(닛토 덴꼬사 제조, SEG1425WVAGS2B, 폭: 70 mm, 길이: 100 mm) 표면에 한쪽 단부가 30 mm 불거져 나오도록 핸드 롤러로 압착하였다.

23℃×50％ RH의 환경하에 1일간 방치한 후, 도 1에 나타낸 바와 같이 소정 위치에 샘플을 세팅하였다. 30 mm 불거져 나온 한쪽 단부를 자동 권취기에 고정하고, 박리 각도 150°, 박리 속도 10 m/분이 되도록 박리하였다. 이 때에 발생하는 편광판 표면의 전위를 샘플의 길이 방향의 중앙 위치에 고정되어 있는 전위 측정기(가스가 덴끼사 제조, KSD-0103)로 측정하였다. 측정은 23℃×50％ RH의 환경 하에서 행하였다.

<오염성의 평가>

제조한 점착 시트를 폭 50 mm, 길이 80 mm의 크기로 절단하고, 세퍼레이터를 박리한 후, 편광판(닛토 덴꼬사 제조, SEG1425WVAGS2B, 폭: 70 mm, 길이: 100 mm)에 기포를 넣으면서 핸드 롤러로 압착하여 평가 샘플을 제조하였다.

상기 평가 샘플을 50℃×92％ RH의 환경하에서 24 시간 방치한 후, 점착 시트를 피착체로부터 손으로 박리하고, 이 때의 피착체 표면의 기포 자국을 육안으로 관찰하였다. 평가 기준은 이하와 같다.

·오염이 보이지 않은 경우: ○

·오염이 보인 경우: ×

<점착력의 측정>

제조한 점착 시트를 폭 25 mm, 길이 100 mm의 크기로 절단하고, 세퍼레이터를 박리한 후, 편광판(닛토 덴꼬사 제조, SEG1425DU, 폭: 70 mm, 길이: 100 mm)에 0.25 MPa의 압력으로 라미네이팅하여 평가 샘플을 제조하였다.

라미네이팅 후, 23℃×50％ RH의 환경하에서 30분간 방치한 후, 만능 인장 시험기로 박리 속도 10 m/분, 박리 각도 180°로 박리했을 때의 점착력을 측정하였 다. 측정은 23℃×50％ RH의 환경 하에서 행하였다.

이상의 결과를 표 1에 나타내었다.

상기 표 1의 결과로부터 분명한 바와 같이, 본 발명에 따라 제조된 점착제 조성물을 이용한 경우(실시예 1 내지 8), 모든 실시예에 있어서, 편광판으로의 박리 대전압의 절대치가 0.5 kV 이하의 낮은 값으로 억제되었고, 또한 편광판으로의 오염 발생도 없는 것이 밝혀졌다.

이에 반해, 탄소수 3 내지 12의 히드록시알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 에스테르를 단량체 단위로서 함유하지 않은 점착제 조성물을 이용한 경우(비교예 1 내지 3, 5), 및 탄소수 3 내지 12의 히드록시알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 에스테르를 단량체 단위로서 함유하고 있지만, 이온성 액체를 함유하지 않은 점착제 조성물을 이용한 경우(비교예 4)에서는 모두에 있어서 박리 대전압은 억제되었지만, 오염 발생이 보이는 결과가 되었다. 따라서, 비교예 1 내지 5의 점착 시트에서는 모두에 있어서 편광판으로의 박리 대전압의 억제 및 피착체로의 오염의 억제를 병립시킬 수 없는 결과가 되어, 본 발명의 대전 방지성 점착 시트용 점착제 조성물에 비해 떨어짐이 밝혀졌다.

또한, 본 발명의 실시예 1 내지 8의 점착 시트는 박리 속도가 10 m/분에서의 180° 박리 점착력이 0.1 내지 6 N/25 mm의 범위에 있어, 재박리형의 표면 보호 필름용으로서 적용 가능한 점착 시트임을 알 수 있다.

따라서, 본 발명의 점착제 조성물은 박리했을 때의 피착체로의 대전 방지성이 우수한 동시에, 피착체로의 오염성이 감소된, 접착 신뢰성이 우수한 점착제 조성물임을 확인할 수 있었다.

Claims

이온성 액체, 및 단량체 단위로서 탄소수 3 내지 12의 히드록시알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 에스테르를 0.1 내지 10 중량％ 갖는 중합체를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 점착제 조성물.
제1항에 있어서, 상기 이온성 액체가 질소 함유 오늄염, 황 함유 오늄염, 또는 인 함유 오늄염 중 1종 이상인 점착제 조성물.
제1항에 있어서, 상기 이온성 액체가 하기 화학식 (A) 내지 (D)로 표시되는 1종 이상의 양이온을 포함하는 점착제 조성물.

<화학식 A>

식 중, R_a는 탄소수 4 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있으며, R_b 및 R_c는 동일하거나 또는 상이하며, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있다. 단, 질소 원자가 이중 결합을 포함하는 경우, R_c는 없다.

<화학식 B>

식 중, R_d는 탄소수 2 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있으며, R_e, R_f 및 R_g는 동일하거나 또는 상이하며, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있다.

<화학식 C>

식 중, R_h는 탄소수 2 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있으며, R_i, R_j 및 R_k는 동일하거나 또는 상이하며, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있다.

<화학식 D>

식 중, Z는 질소, 황, 또는 인 원자를 나타내고, R_l, R_m, R_n 및 R_o는 동일하 거나 또는 상이하며, 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있다. 단, Z가 황 원자인 경우, R_o는 없다.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 점착제 조성물을 가교하여 이루어지는 점착제층.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 점착제 조성물을 가교하여 이루어진 점착제층을, 지지체의 한쪽 면 또는 양쪽 면에 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 점착 시트.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 점착제 조성물을 가교하여 이루어진 점착제층을, 대전 방지 처리된 플라스틱 기재로 이루어진 지지체의 한쪽 면 또는 양쪽 면에 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 표면 보호 필름.