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KR102525982B1 - 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

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KR102525982B1
KR102525982B1 KR1020150187900A KR20150187900A KR102525982B1 KR 102525982 B1 KR102525982 B1 KR 102525982B1 KR 1020150187900 A KR1020150187900 A KR 1020150187900A KR 20150187900 A KR20150187900 A KR 20150187900A KR 102525982 B1 KR102525982 B1 KR 102525982B1
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노수귀
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

액정 표시 장치는 제1 베이스 기판을 포함하는 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주보고 제2 베이스 기판과 상기 제1 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터를 포함하는 제2 기판, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되는 액정층, 상기 제2 베이스 기판 상에 상기 제2 베이스 기판을 기준으로 상기 액정층의 반대편에 배치되는 제1 무기 절연층, 상기 제1 무기 절연층 상에 배치되고, 터치 입력이 가능한 액티브 영역 내에 배치되는 터치 전극, 상기 제1 무기 절연층 상에 배치되고, 상기 액티브 영역의 주변에 인접하는 연결 영역 내에 배치되는 연결 패드, 상기 터치 전극 및 상기 제1 무기 절연층 상에 배치되고, 상기 연결 패드를 노출하는 개구를 정의하는 제2 무기 절연층을 포함한다

Description

액정 표시 장치 및 이의 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARTUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 액정 표시 장치 및 상기 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 터치 센서를 일체로 포함하는 액정 표시 장치 및 상기 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 액정의 특정한 분자 배열에 전압을 인가하여 분자 배열을 변환시키고, 이러한 분자 배열의 변환에 의해 발광하는 액정셀의 복굴절성, 선광성, 2색성 및 광산란 특성 등의 광학적 성질의 변화를 시각 변화로 변환하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치이다.
사람의 손 또는 물체의 접촉을 전기적 신호로 변화하여 접촉되는 위치를 파악하는 입력장치인 터치 패널을 포함하는 액정 표시 장치가 개발되고 있다. 일반적으로 액정 표시 장치 상에 상기 터치 패널을 접착 시켜 터치 패널을 포함하는 액정 표시 장치를 제조하는데, 최근 들어 액정 표시 장치의 기판 상에 직접 터치 센서를 형성하는 제조 방법이 개발되고 있으나, 제조 공정상의 여러 문제가 발견되고 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 터치 센서가 일체로 형성된 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 베이스 기판을 포함하는 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주보고 제2 베이스 기판과 상기 제1 베이스 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터를 포함하는 제2 기판, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되는 액정층, 상기 제2 베이스 기판 상에 상기 제2 베이스 기판을 기준으로 상기 액정층의 반대편에 배치되는 제1 무기 절연층, 상기 제1 무기 절연층 상에 배치되고, 터치 입력이 가능한 액티브 영역 내에 배치되는 터치 전극, 상기 제1 무기 절연층 상에 배치되고, 상기 액티브 영역의 주변에 인접하는 연결 영역 내에 배치되는 연결 패드, 상기 터치 전극 및 상기 제1 무기 절연층 상에 배치되고, 상기 연결 패드를 노출하는 개구를 정의하는 제2 무기 절연층을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 개구는 상기 연결 패드 보다 크고, 상기 연결 패드와 상기 제2 무기 절연층 사이에 상기 제1 무기 절연층이 노출될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 전극과 상기 연결 패드는 상기 제1 무기 절연층 및 상기 제2 무기 절연층 사이에 배치되는 연결 라인에 의해 연결될 수 있다. 상기 터치 전극, 상기 연결 패드 및 상기 연결 라인은 투명 도전 물질을 포함하고, 동일한 층으로부터 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 액정 표시 장치는 상기 연결 패드와 전기적으로 연결되고, 상기 터치 전극을 구동하여 사용자의 터치 위치를 검출하는 드라이브 IC를 포함하는 연성 회로 기판을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 액정 표시 장치는 상기 액티브 영역 내에 상기 제2 무기 절연층 상에 배치되는 편광 소자, 및 상기 편광 소자와 상기 제2 무기 절연층 사이에 배치되는 점착층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 연결 영역 내의 상기 제2 무기 절연층의 일부는 외부로 노출될 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 제1 기판을 준비하는 단계, 제2 기판을 준비하는 단계, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계, 상기 액정층을 형성한 후, 외부로 노출된 상기 제2 기판 상에 제1 무기 절연층을 형성하는 단계, 상기 제1 무기 절연층 상에 투명 도전층을 형성하는 단계, 상기 투명 도전층 상에 제1 포토레지스트 패턴 및 상기 제1 포토레지스트 패턴보다 두꺼운 두께를 갖는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 투명 도전층을 패터닝하여 상기 제1 포토레지스트 패턴 아래 터치 전극 및 상기 제2 포토레지스트 패턴 아래 연결 패드를 형성하는 단계, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계, 상기 터치 전극, 상기 제1 무기 절연층 및 상기 제2 포토레지스트 패턴 상에 제2 무기 절연층을 형성하는 단계, 및 상기 제2 포토레지스트 패턴 및 상기 제2 포토레지스트 상의 제2 무기 절연층의 부분을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 전극 및 상기 연결 패드를 형성하는 단계에서, 단면에서 상기 제2 포토레지스트 패턴의 폭이 상기 연결 패드의 폭 보다 커서, 상기 제2 포토레지스트 패턴과 상기 연결 패드 사이에 언더 컷이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 전극 및 상기 연결 패드를 형성하는 단계는 습식 식각 공정을 이용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 무기 절연층은 상기 연결 패드를 노출시키는 개구를 정의하고, 상기 개구는 상기 연결 패드 보다 커서, 평면에서 볼 때, 상기 연결 패드 주변의 상기 제1 무기 절연층의 일부를 노출 시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴들을 형성하는 단계는 상기 투명 도전층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 및 상기 포토레지스트층을 하프톤 마스크를 이용하여 노광 및 현상하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기 절연층 및 상기 제2 무기 절연층은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기 절연층을 형성하는 단계 및 상기 제2 무기 절연층을 형성하는 단계는 화학 기상 증착 공정을 이용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 화학 기상 증착 공정은 130도 이하의 저온 공정일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기 절연층을 형성하는 단계, 상기 투명 도전층을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 터치 전극 및 상기 연결 패드를 형성하는 단계, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계 상기 제2 무기 절연층을 형성하는 단계 및 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거 하는 단계는 모두 130도 이하의 저온 상태에서 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계는 상기 제1 및 제2 포토레지스트를 전체적으로 애슁(ashing)하여 상대적으로 두께가 얇은 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하고, 상대적으로 두께가 두꺼운 상기 제2 포토레지스트 패턴은 잔류시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기 절연층, 상기 제2 무기 절연층 및 상기 투명 도전층 서로간의 굴절율 차이는 0.1 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 무기 절연층의 상면은 평탄할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 기판은 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 기판은 컬러 필터를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 연결 패드에 연성회로 기판을 연결하는 단계, 및 상기 제2 무기 절연층 상에 편광 소자를 부착하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 액정 표시 장치는 제1 무기 절연층, 터치 전극, 연결 라인, 연결 패드 및 제2 무기 절연층을 포함한다. 상기 제1 무기 절연층, 상기 터치 전극, 상기 연결 라인 및 상기 제2 무기 절연층 사이의 굴절율 차이가 작으므로, 굴절율 차이에 의한 얼룩 패턴이 사용자에게 시인되지 않을 수 있다. 이에 따라 터치 입력 장치를 포함하는 액정 표시 패널의 표시 품질이 향상될 수 있다.
또한, 액정 표시 장치의 제조 방법은 서로 다른 두께의 제1 및 제2 포토레지스트 패턴을 형성하고, 제2 포토레지스트 패턴을 리프트 오프 공정을 이용하여 제거하므로, 전체적인 공정을 단순화 할 수 있다.
또한, 상기 터치 전극 및 상기 연결 라인은 상기 제1 무기 절연층 상에 형성되므로, 이전 공정에서의 이물질에 의한 불량이 감소할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 5a 내지 도 5h는 도 4의 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 표시 패널의 단면도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 액정 표시 장치는 액정 표시 패널(100), 제1 무기 절연층(210), 복수의 터치 전극(222), 복수의 연결 패드(224), 제2 무기 절연층(230)을 포함한다.
상기 액정 표시 패널(100)은 액정층에 포함되는 액정의 특정한 분자 배열에 전압을 인가하여 영상을 표시하는 일반적인 액정 표시 패널일 수 있다.
예를 들면, 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주보는 제2 기판 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되는 액정층을 포함할 수 있다. (자세한 설명은 도 3의 실시예 참조) 상기 액정 표시 패널(100)의 상면은 베이스 기판의 일면일 수 있다.
상기 베이스 기판은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등 일 수 있다. 이 경우, 상기 투명 수지 기판은 폴리이미드계(polyimide-based) 수지, 아크릴계(acryl-based) 수지, 폴리아크릴레이트계(polyacrylate-based) 수지, 폴리카보네이트계(polycarbonate-based) 수지, 폴리에테르계(polyether-based) 수지, 술폰산계(sulfonic acid-based) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계(polyethyleneterephthalate-based) 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 무기 절연층(210)은 상기 액정 표시 패널(100) 상에 배치된다. 상기 제1 무기 절연층(210)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 무기 절연층(210)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 상기 제1 무기 절연층(210)이 실리콘 질화물을 포함하는 경우, 상기 제1 무기 절연층(210)의 굴절율은 약 2.0 일 수 있다. 상기 제1 무기 절연층(210)은 상기 액정 표시 패널(100)의 상면의 전면을 커버할 수 있다.
상기 터치 전극(222)은 상기 액정 표시 패널(100)의 액티브 영역(AA) 내에 배치된다. 상기 액티브 영역(AA)은 사용자의 터치 입력이 가능한 영역이다. 평면에서 볼 때, 복수의 터치 전극(222)들이 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)으로 배열될 수 있다. 상기 제2 방향(D2)은 상기 제1 방향(D1)과 교차하며, 예를 들면, 실질적으로 수직할 수 있다. 상기 터치 전극(222)은 투명 도전 물질을 포함한다. 예를 들면, 상기 터치 전극(222)은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다. 상기 터치 전극(222)이 인듐 주석 산화물을 포함하는 경우, 상기 터치 전극(222)의 굴절율은 약 1.9 내지 2.0 일 수 있다.
상기 연결 패드(224)는 상기 액정 표시 패널(100)의 연결 영역(CA)에 배치된다. 상기 연결 영역(CA)은 상기 액티브 영역(AA)의 주변에 인접하고, 사용자의 터치 입력을 센싱하기 구성이 상기 액정 표시 장치에 연결되는 영역이다. 평면에서 볼 때, 상기 연결 영역(CA)은 상기 액정 표시 패널(100)의 일측 가장자리에 인접하여 배치될 수 있다. 복수의 연결 패드(224)들이 상기 연결 영역(CA)이 연장된 방향을 따라 배열될 수 있다.
상기 연결 패드(224)는 상기 터치 전극(222)과 동일한 물질을 포함하고, 동일한 층으로부터 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 연결 패드(224)는 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다.
각각의 상기 연결 패드(224)는 연결 라인(223)을 통해 각각의 상기 터치 전극(222)과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 복수의 연결 라인들(223)을 복수의 연결 패드(224)들이 복수의 터치 전극들(222)과 개별적으로 연결될 수 있다.
상기 터치 전극(222)은 상기 연결 라인(223) 및 상기 연결 패드(224)를 통해 드라이브 IC(미도시)와 전기적으로 연결될 될 수 있다. 상기 드라이브 IC는 상기 터치 전극으로부터 터치 신호를 센싱해서 터치 위치를 검출할 수 있다.
상기 연결 라인(223)은 상기 터치 전극(222)과 동일한 물질을 포함하고, 동일한 층으로부터 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 연결 라인(223)은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함할 수 있다.
상기 제2 무기 절연층(230)이 상기 제1 무기 절연층(210), 상기 터치 전극(222) 및 상기 연결 라인(223) 상에 배치된다. 상기 제2 무기 절연층(230)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 무기 절연층(230)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 상기 제2 무기 절연층(230)이 실리콘 질화물을 포함하는 경우, 상기 제2 무기 절연층(230)의 굴절율은 약 2.0 일 수 있다.
상기 제2 무기 절연층(230)은 상기 터치 전극(222) 및 상기 연결 라인(223)의 프로파일(profile)을 따라 상기 제1 무기 절연층(210) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제2 무기 절연층(230)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있으며, 상기 제2 무기 절연층(230)에는 상기 터치 전극(222) 및 상기 연결 라인(223)에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다.
상기 제2 무기 절연층(230)은 상기 연결 패드(224)을 노출시키는 개구를 정의한다. 평면에서 볼 때, 상기 개구는 상기 연결 패드(224)보다 크게 형성되며, 이에 따라, 상기 제2 무기 절연층(230)은 상기 연결 패드(224)와 이격되며, 상기 연결 패드(224)와 상기 개구의 가장자리 사이에 상기 제1 절연층(210)이 일부 노출될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 무기 절연층(210), 상기 터치 전극(222), 상기 연결 라인(223) 및 상기 제2 무기 절연층(230) 사이의 굴절율 차이가 0.1 이하이므로, 상기 터치 전극(222) 또는 상기 연결 라인(223)과 이들이 형성되지 않은 부분의 굴절율 차이에 의한 얼룩 패턴이 사용자에게 시인되지 않을 수 있다. 이에 따라 터치 입력 장치를 포함하는 액정 표시 패널의 표시 품질이 향상될 수 있다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 액정 표시 장치는 제2 무기 절연층(230)을 제외하면, 도 1의 액정 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
상기 액정 표시 장치는 액정 표시 패널(100), 제1 무기 절연층(210), 복수의 터치 전극(222), 복수의 연결 패드(224), 제2 무기 절연층(230)을 포함한다.
상기 제1 무기 절연층(210)은 상기 액정 표시 패널(100) 상에 배치된다. 상기 터치 전극(222)은 상기 액정 표시 패널(100)의 액티브 영역(AA) 내에 배치된다. 상기 연결 패드(224)는 상기 액정 표시 패널(100)의 연결 영역(CA)에 배치된다. 각각의 상기 연결 패드(224)는 연결 라인(223)을 통해 각각의 상기 터치 전극(222)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 무기 절연층(230)이 상기 제1 무기 절연층(210), 상기 터치 전극(222) 상에 배치된다. 상기 제2 무기 절연층(230)은 상기 터치 전극(222) 및 상기 연결 라인(223)을 충분하게 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 무기 절연층(230)은 추가적인 평탄화 공정을 통해 형성될 수 있다. 상기 제2 무기 절연층(230)은 상기 연결 패드(224)을 노출시키는 개구를 정의한다.
상기 터치 전극(222), 상기 연결 라인(223) 및 상기 연결 패드(224)는 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하고, 굴절율이 약 1.9 내지 2.0일 수 있다. 상기 제1 무기 절연층(210) 및 상기 제2 무기 절연층(230)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하고 굴절율이 약 2.0일 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 무기 절연층(210), 상기 터치 전극(222), 상기 연결 라인(223) 및 상기 제2 무기 절연층(210) 사이의 굴절율이 작고, 상기 터치 전극(222) 또는 상기 연결 라인(223)이 형성된 부분과 이들이 형성되지 않은 부분의 상기 액정 표시 패널(100)의 상면으로부터 상기 제2 절연층(230)의 상면까지의 높이가 동일하므로, 굴절율 차이에 의한 얼룩 패턴이 사용자에게 시인되지 않을 수 있다. 이에 따라 터치 입력 장치를 포함하는 액정 표시 패널의 표시 품질이 향상될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 1 및 도 4을 참조하면, 상기 액정 표시 장치는 제1 및 제2 편광 소자(250, 270), 연성회로기판(260) 및 액정 표시 패널의 구체적인 구성을 제외하면, 도 1의 액정 표시 장치와 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 액정 표시 장치는 액정 표시 패널, 제1 무기 절연층(210), 복수의 터치 전극(222), 복수의 연결 패드(224), 제2 무기 절연층(230), 제1 점착층(240), 제1 편광 소자(250), 연성 회로 기판(260), 제2 점착층(270) 및 제2 편광 소자(280)을 포함한다.
상기 액정 표시 패널은 제1 기판, 제2 기판 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 상이에 배치되는 액정층(130)을 포함한다.
상기 제1 기판은 제1 베이스 기판(110), 박막 트랜지스터(TFT), 제1 절연층(112), 제2 절연층(114) 및 제1 전극(116)을 포함할 수 있다.
상기 제1 베이스 기판(110)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등 일 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE) 및 액티브 패턴(ACT)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 절연층(112)은 상기 게이트 전극(GE)이 배치된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(112)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 절연층(112)은 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT)이 상기 제1 절연층(112) 상에 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT)은 상기 게이트 전극(GE)과 중첩하게 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴은 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 이루어진 반도체층 및 n+ 비정질 실리콘(n+ a-Si:H)으로 이루어진 저항성 접촉층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 액티브 패턴은 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 상기 액티브 패턴(ACT)이 배치된 상기 제1 절연층(112) 상에 배치될 수 있다. 상기 소스 전극은 상기 액티브 패턴(ACT)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 소스 전극(SE)과 이격되고, 상기 액티브 패턴(ACT)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 절연층(114)은 상기 액티브 패턴(ACT), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 배치된 상기 제1 절연층(114) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(114)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 절연층(114)의 상면은 상기 액티브 패턴(ACT), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)을 충분하게 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
상기 제1 전극(116)은 상기 제2 절연층(114) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(116)은 상기 제2 절연층(114)을 통해 형성된 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(116)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(116)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO), 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO) 등을 포함할 수 있다.
상기 제2 기판은 제2 베이스 기판(120), 블랙 매트릭스(121), 컬러 필터(122), 오버 코팅층(124) 및 제2 전극(126)을 포함할 수 있다.
상기 제2 베이스 기판(120)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등 일 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(121)는 상기 제2 베이스 기판(120) 상에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(121)는 광을 차단하는 물질을 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(121)는 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩하여 배치될 수 있다.
상기 컬러 필터(122)가 상기 블랙 매트릭스(121)가 배치된 상기 제2 기판(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터(122)는 상기 액정층(130)을 투과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다. 상기 컬러 필터(122)는 적색 컬러 필터(red), 녹색 컬러 필터(green), 및 청색 컬러 필터(blue)일 수 있다. 상기 컬러 필터(122)는 화소에 대응하여 제공되며, 서로 인접한 화소 사이에서 서로 다른 색을 갖도록 배치될 수 있다.
상기 오버 코팅층(124)은 상기 컬러 필터(122) 및 상기 차광 패턴(121) 상에 형성될 수 있다. 상기 오버 코팅층(124)은 상기 컬러 필터(122)를 평탄화하면서, 상기 컬러 필터(122)를 보호하는 역할과 절연하는 역할을 할 수 있다.
상기 제2 전극(126)이 상기 오버 코팅층(124) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(126)은 상기 제1 전극(116)과 마주보게 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(126)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(126)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO), 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO) 등을 포함할 수 있다.
상기 액정층(130)은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치된다. 상기 액정층(130)은 광학적 이방성을 갖는 액정 분자들을 포함한다. 상기 액정 분자들은 전계에 의해 구동되어 상기 액정층(130)을 지나는 광을 투과시키거나 차단시켜 영상을 표시할 수 있다.
상기 액정층(130)은 상기 액정 표시 패널의 가장자리에서 상기 제1 베이스 기판(110) 및 상기 제2 베이스 기판(120) 사이에 형성되는 밀봉 부재(140)에 의해 밀봉될 수 있다.
상기 제1 무기 절연층(210)이 상기 제2 베이스 기판(120) 상에, 상기 제2 베이스 기판(120)을 기준으로 상기 액정층(130)의 반대편에 배치될 수 있다. 상기 제1 무기 절연층(210)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 터치 전극(222)은 상기 액정 표시 패널(100)의 액티브 영역(AA) 내에 배치된다. 상기 연결 패드(224)는 상기 액정 표시 패널(100)의 연결 영역(CA)에 배치된다. 각각의 상기 연결 패드(224)는 연결 라인(223)을 통해 각각의 상기 터치 전극(222)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 무기 절연층(230)이 상기 제1 무기 절연층(210), 상기 터치 전극(222) 상에 배치된다.
상기 제2 무기 절연층(230)은 상기 연결 패드(224)을 노출시키는 개구를 정의한다. 평면에서 볼 때, 상기 개구는 상기 연결 패드(224)보다 크게 형성되며, 이에 따라, 상기 제2 무기 절연층(230)은 상기 연결 패드(224)와 이격된다.
상기 제1 점착층(240)이 상기 액티브 영역(AA) 내의 상기 제2 무기 절연층(230) 상에 배치된다. 상기 제1 점착층(240)은 상기 제1 편광 소자(250)를 상기 제2 기판에 부착시키기 위한 것으로, 상기 제1 점착층(240)은 감압 점착제(pressure sensitive adhesive: PSA)를 포함할 수 있다.
상기 제1 편광 소자(250)는 상기 제1 점착층(240) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 편광 소자(250)는 이를 투과하는 광을 편광 시킬 수 있다.
상기 연성 회로 기판(260)은 상기 연결 패드(262)와 전기적으로 연결된다. 상기 연성 회로 기판(260)은 드라이브 IC(미도시)를 포함하거나, 이와 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 터치 전극(222)은 상기 연결 라인(223), 상기 연결 패드(224) 및 상기 연성 회로 기판(260)을 통해 상기 터치 전극(222)을 구동하는 상기 드라이브 IC와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 연성 회로 기판(260) 상에 형성된 연결 전극(262)이 도전볼을 포함하는 실링 부재(264)를 통해 또는, 상기 연결 패드(224)와 접촉하여, 상기 연결 패드(224)와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 점착층(270)이 상기 액티브 영역(AA) 내의 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 상기 제1 베이스 기판(110)을 기준으로 상기 액정층(130)의 반대편에 배치된다. 상기 제2 점착층(270)은 상기 제2 편광 소자(280)를 상기 제1 기판에 부착시키기 위한 것으로, 상기 제2 점착층(270)은 감압 점착제(pressure sensitive adhesive: PSA)를 포함할 수 있다.
상기 제2 편광 소자(280)는 상기 제2 점착층(270) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 편광 소자(280)는 이를 투과하는 광을 편광 시킬 수 있다. 상기 제1 편광 소자(250)의 편광 축과 상기 제2 편광 소자(280)의 편광 축은 서로 수직할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 액정 표시 패널이 VA 모드 (vertical alignment) 로 구동 되는 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않고 다양한 액정 구동 모드의 액정 표시 패널이 사용될 수 있다.
도 5a 내지 도 5h는 도 4의 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5a를 참조하면, 제1 기판, 제2 기판 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하는 액정 표시 패널을 준비한다. 상기 제1 기판은 제1 베이스 기판(110), 박막 트랜지스터(TFT), 제1 절연층(112), 제2 절연층(114) 및 제1 전극(116)을 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(GE), 액티브 패턴(ACT), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 상기 제2 기판은 제2 베이스 기판(120), 블랙 매트릭스(121), 컬러 필터(122), 오버 코팅층(124) 및 제2 전극(126)을 포함할 수 있다.
상기 액정 표시 패널은 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 마주보게 위치시킨 후, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정층을 주입한 후, 상기 액정층을 밀봉 부재(140)로 밀봉하여 형성할 수 있다.
도 5b를 참조하면, 상기 제2 베이스 기판(120) 상에, 상기 제2 베이스 기판(120)을 기준으로 상기 액정층(130)의 반대편에 제1 무기 절연층(210)을 형성한다. 상기 제1 무기 절연층(210)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있으며, 상기 제1 무기 절연층(210)은 약 130도 이하의 온도에서 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 무기 절연층(210)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하고, 약 130 도 이하의 저온 화학 기상 증착(CVD) 공정에 의해 형성될 수 있다.
이후, 상기 제1 무기 절연층(210) 상에 투명 도전층(220)을 형성한다. 상기 제1 무기 절연층(210)은 투명 도전 물질을 포함하고, 약 130도 이하의 온도에서 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 투명 도전층은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하고, 약 130도 이하의 저온 스퍼터링(sputter) 공정에 의해 형성될 수 있다.
이때, 상기 제1 무기 절연층(210)에 의해, 상기 제2 베이스 기판(120)이 상기 투명 도전층에 직접 접촉하지 않으므로, 도 5a 의 공정에서 상기 제1 베이스 기판(120) 상에 이물질이 남아 있더라도, 상기 제1 무기 절연층(210)에 의해 상기 투명 도전층이 균일하게 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 투명 도전층이 패터닝되어 형성되는 후술할 터치 전극 및 연결 라인의 불량이 감소할 수 있다.
도 5c를 참조하면, 상기 투명 도전층(220) 상에 제1 포토레지스트 패턴(PR1) 및 제2 포토레지스터 패턴(PR2)을 형성한다. 상기 제1 포토레지스트 패턴(PR1)은 액티브 영역(AA)에 형성되고, 상기 제2 포토레지스터 패턴(PR2)은 연결 영역(CA)에 형성될 수 있다. 상기 제1 포토레지스트 패턴(PR1)은 상기 제2 포토레지스트 패턴(PR2)보다 높이가 낮을 수 있다.
상기 투명 도전층(220)에 포토레지스트층을 형성한 후, 상기 포토레지스트 층을 하프톤 마스크를 이용하여 노광 및 현상하여, 상기 제1 포토레지스터 패턴(PR1) 및 상기 제2 포토레지스터 패턴(PR2)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 포토레지스터 패턴(PR1) 및 상기 제1 포토레지스터 패턴(PR1) 보다 높은 높이를 갖는 상기 제2 포토레지스트 패턴(PR2)을 형성할 수 있다.
도 5d를 참조하면, 상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴(PR2)을 이용하여 상기 투명 도전층을 패터닝한다. 이에 따라, 터치 전극(222), 연결 라인(도 1의 223 참조) 및 연결 패드(224)를 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴(PR2)을 식각 장벽으로 상기 투명 도전층을 습식 식각할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 포토레지스패턴(PR1, PR2) 하부에 상기 터치 전극(222), 상기 연결 라인 및 상기 연결 패드(224)를 형성할 수 있다.
이때, 상기 습식 식각 조건을 조절하여, 상기 2 포토레지스트 패턴(PR2)과 상기 연결 패드(224) 사이에 언더 컷이 형성된다. 즉, 단면에서 상기 연결 패드(224)의 폭이 상기 제2 포토레지스트 패턴(PR2)의 폭보다 작게 형성될 수 있다.
도 5e를 참조하면, 상기 제1 포토레지스 패턴(PR1)을 제거할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 포토레지스트 패턴(PR1)을 애슁(ashing) 공정을 이용하여 제거할 수 있다. 이때, 상기 제2 포토레지스프 패턴(PR2)의 두께가 상기 제1 포토레지스트 패턴(PR1)의 두께 보다 크므로, 상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴(PR1, PR2)에 전체적으로 애슁 공정을 진행하면, 상기 제1 포토레지스트 패턴(PR1)은 전부 제거되고, 상기 제2 포토레지스 패턴(PR2)은 잔류 할 수 있다.
도 5f를 참조하면, 상기 제1 무기 절연층(210) 및 상기 제2 포토레지스트 패턴(PR2) 상에 제2 무기 절연층(230)을 형성한다. 상기 제2 무기 절연층(230)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있으며, 상기 제2 무기 절연층(230)은 약 130도 이하의 온도에서 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 무기 절연층(230)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하고, 약 130 도 이하의 저온 화학 기상 증착(CVD) 공정에 의해 형성될 수 있다.
이때, 상기 제2 포토레지스트 패턴(PR2)과 상기 연결 패드(224) 상이에 언더컷이 형성되어 있으므로, 상기 제2 무기 절연층(230)이 상기 제2 포토레지스트 패턴(224)의 가장자리에서 단절되고, 상기 연결 패드(224)과 이격되어 형성될 수 있다.
도 5g를 참조하면, 상기 제2 포토레지스트 패턴(PR2)과 상기 제2 포토레지스트 패턴(PR2) 상에 형성된 상기 제2 무기 절연층(230)의 부분을 제거한다. 예를 들면, 상기 제2 포토레지스트 패턴(PR2)이 리프트 오프(lift-off) 공정에 의해 제거될 수 있다. 이때, 상기 제2 포토레지스트 패턴(PR2)과 상기 연결 패드(224) 상이에 언더컷이 형성되어 있으므로 상기 제2 포토레지스트 패턴(PR2)이 쉽게 제거될 수 있으며, 이에 따라, 상기 연결 패드가 노출될 수 있다.
도 5h를 참조하면, 상기 연결 패드(224)에 연성 회로 기판(260)을 연결할 수 있다. 상기 연성 회로 기판(260)은 드라이브 IC(미도시) 및 연결 전극(262)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 연성 회로 기판(260)의 상기 연결 전극(262)을 상기 연결 패드(224)에 직접 접촉 또는 도전볼을 포함하는 실링 부재(264)를 이용하여, 상기 연결 패드(224)에 상기 연성 회로 기판(260)을 전기적으로 연결할 수 있다.
상기 액티브 영역(AA) 내의 상기 제2 무기 절연층(230) 상에 제1 편광 소자(250)를 부착할 수 있다. 상기 제1 편광 소자(250)는 상기 제2 무기 절연층(230)과 상기 제1 편광 소자(250) 사이의 제1 점착층(240)을 이용하여 상기 제1 기판 상에 부착될 수 있다.
상기 액티브 영역(AA) 내의 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 제2 편광 소자(280)를 부착할 수 있다. 상기 제2 편광 소자(280)는 상기 제1 베이스 기판(110)과 상기 제2 편광 소자(280) 사이의 제2 점착층(270)을 이용하여 상기 제2 기판 상에 부착될 수 있다.
도 5b 내지 도 5h의 공정은 모두 약 130도 이하의 공정에서 이루어질 수 있다. 상기 액정층(130)내의 광학적 이방성을 갖는 액정 분자들의 배열은 고온에서 광학적 특성을 잃게 되므로, 상기 액정층(130)에 영향을 줄 수 있는 상기 공정들은 모두 약 130도 이하의 공정에서 이루어 지는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 액정 표시 장치는 제1 무기 절연층, 터치 전극, 연결 라인, 연결 패드 및 제2 무기 절연층을 포함한다. 상기 제1 무기 절연층, 상기 터치 전극, 상기 연결 라인 및 상기 제2 무기 절연층 사이의 굴절율 차이가 작으므로, 굴절율 차이에 의한 얼룩 패턴이 사용자에게 시인되지 않을 수 있다. 이에 따라 터치 입력 장치를 포함하는 액정 표시 패널의 표시 품질이 향상될 수 있다.
또한, 액정 표시 장치의 제조 방법은 서로 다른 두께의 제1 및 제2 포토레지스트 패턴을 형성하고, 제2 포토레지스트 패턴을 리프트 오프 공정을 이용하여 제거하므로, 전체적인 공정을 단순화 할 수 있다.
또한, 상기 터치 전극 및 상기 연결 라인은 상기 제1 무기 절연층 상에 형성되므로, 이전 공정에서의 이물질에 의한 불량이 감소할 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 액정 표시 패널 210: 제1 무기 절연층
222: 터치 전극 223: 연결 라인
224: 연결 패드 230: 제2 무기 절연층

Claims (20)

  1. 제1 베이스 기판, 및 상기 제1 베이스 기판의 표면 상에 배치되는 박막 트랜지스터를 포함하는 제1 기판;
    상기 제1 기판과 중첩하고 제2 베이스 기판을 포함하며, 상기 제2 베이스 기판의 일부는 상기 제1 베이스 기판의 상기 표면과 평행한 방향으로 연장하여 상기 제1 베이스 기판과 비중첩하는 제2 기판;
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되는 액정층;
    상기 제2 베이스 기판 상에 상기 제2 베이스 기판을 기준으로 상기 액정층의 반대편에 배치되는 제1 무기 절연층;
    상기 제1 무기 절연층 상에 배치되는 터치 전극;
    상기 제1 무기 절연층 상에 배치되고, 상기 제2 베이스 기판의 상기 일부와 중첩하는 연결 패드; 및
    상기 터치 전극 및 상기 제1 무기 절연층 상에 배치되고, 상기 연결 패드 및 상기 연결 패드와 인접한 상기 제1 무기 절연층의 상면의 일부를 노출하는 개구를 정의하는 제2 무기 절연층을 포함하는 액정 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 개구는 상기 연결 패드 보다 크고, 상기 연결 패드와 상기 제2 무기 절연층 사이에 상기 제1 무기 절연층이 노출되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 터치 전극과 상기 연결 패드는 상기 제1 무기 절연층 및 상기 제2 무기 절연층 사이에 배치되는 연결 라인에 의해 연결되고,
    상기 터치 전극, 상기 연결 패드 및 상기 연결 라인은 투명 도전 물질을 포함하고, 동일한 층으로부터 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 연결 패드와 전기적으로 연결되고, 상기 터치 전극을 구동하여 사용자의 터치 위치를 검출하는 드라이브 IC를 포함하는 연성 회로 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    액티브 영역 내에 상기 제2 무기 절연층 상에 배치되는 편광 소자; 및 상기 편광 소자와 상기 제2 무기 절연층 사이에 배치되는 점착층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    연결 영역 내의 상기 제2 무기 절연층의 일부는 외부로 노출되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  7. 제1 기판을 준비하는 단계;
    제2 기판을 준비하는 단계;
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계;
    상기 액정층을 형성한 후, 외부로 노출된 상기 제2 기판 상에 제1 무기 절연층을 형성하는 단계;
    상기 제1 무기 절연층 상에 투명 도전층을 형성하는 단계;
    상기 투명 도전층 상에 제1 포토레지스트 패턴 및 상기 제1 포토레지스트 패턴보다 두꺼운 두께를 갖는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 투명 도전층을 패터닝하여 상기 제1 포토레지스트 패턴 아래 터치 전극 및 상기 제2 포토레지스트 패턴 아래 연결 패드를 형성하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;
    상기 터치 전극, 상기 제1 무기 절연층 및 상기 제2 포토레지스트 패턴 상에 제2 무기 절연층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 포토레지스트 패턴 및 상기 제2 포토레지스트 상의 제2 무기 절연층의 부분을 제거하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 터치 전극 및 상기 연결 패드를 형성하는 단계에서,
    단면에서 상기 제2 포토레지스트 패턴의 폭이 상기 연결 패드의 폭 보다 커서, 상기 제2 포토레지스트 패턴과 상기 연결 패드 사이에 언더 컷이 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 터치 전극 및 상기 연결 패드를 형성하는 단계는 습식 식각 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제2 무기 절연층은 상기 연결 패드를 노출시키는 개구를 정의하고,
    상기 개구는 상기 연결 패드 보다 커서, 평면에서 볼 때, 상기 연결 패드 주변의 상기 제1 무기 절연층의 일부를 노출 시키는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴들을 형성하는 단계는
    상기 투명 도전층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및
    상기 포토레지스트층을 하프톤 마스크를 이용하여 노광 및 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 무기 절연층 및 상기 제2 무기 절연층은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 무기 절연층을 형성하는 단계 및 상기 제2 무기 절연층을 형성하는 단계는 화학 기상 증착 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 화학 기상 증착 공정은 130도 이하의 저온 공정인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 무기 절연층을 형성하는 단계, 상기 투명 도전층을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 터치 전극 및 상기 연결 패드를 형성하는 단계, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계, 상기 제2 무기 절연층을 형성하는 단계 및 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거 하는 단계는 모두 130도 이하의 저온 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계는 상기 제1 및 제2 포토레지스트를 전체적으로 애슁(ashing)하여 상대적으로 두께가 얇은 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하고, 상대적으로 두께가 두꺼운 상기 제2 포토레지스트 패턴은 잔류시키는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 무기 절연층, 상기 제2 무기 절연층 및 상기 투명 도전층 서로간의 굴절율 차이는 0.1 이하인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제2 무기 절연층의 상면은 평탄한 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 기판은 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 기판은 컬러 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제7 항에 있어서,
    상기 연결 패드에 연성회로 기판을 연결하는 단계; 및
    상기 제2 무기 절연층 상에 편광 소자를 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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