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KR101622752B1 - 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법 및 장치 Download PDF

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KR101622752B1
KR101622752B1 KR1020107015754A KR20107015754A KR101622752B1 KR 101622752 B1 KR101622752 B1 KR 101622752B1 KR 1020107015754 A KR1020107015754 A KR 1020107015754A KR 20107015754 A KR20107015754 A KR 20107015754A KR 101622752 B1 KR101622752 B1 KR 101622752B1
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KR
South Korea
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silicon wafers
etching solution
etching
texturing
polishing
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하인쯔 카플러
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게부르. 쉬미트 게엠베하
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Publication date
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Abstract

본 발명은 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 제1 단계에서, 실리콘 웨이퍼들(22)은 연속적이고, 수평한 컨베이어 벨트(12, 32)을 따라 수평으로 이송되며 그리고 노즐들(20) 등이 웨이퍼들을 텍스쳐링하기 위하여 상기 웨이퍼들 상으로 상부로부터 식각 용액(21)을 분무하며, 단지 작은 식각 용액(21)이 아래로부터 상기 실리콘 웨이퍼들(22)로 적용된다. 제2 단계에서는, 실리콘 웨이퍼들(22)을 식각-폴리싱하기 위하여, 상기 제1 단계에서처럼 정렬된, 상기 실리콘 웨이퍼들(22)이 아래로 부터만 식각 용액(35)으로 웨팅된다.

Description

실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법 및 장치{Method and device for treating silicon wafers}
본 발명은 웨이퍼들을 처리하기 위한, 특히, 식각 용액으로 텍스쳐링(texturing) 및 폴리싱-식각(polish-etching)을 위한 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법 및 또한 장치에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼들의 양쪽면들로부터 식각 용액을 사용하여 실리콘 웨이퍼들로부터 약 5　㎛ 을 식각하여 제거하는 것이 지금까지 알려진 방법이었다. 이렇게 함으로써 첫번째로 소잉(sawing) 손상을 제거하는 것이 가능하다. 더욱이, 텍스쳐링된(textured) 상부면을 생성하는 것이 가능하며, 이것은 실리콘 웨이퍼로부터 생성된 태양 전지의 성능을 위하여 중요하다. 더욱이, 관통한 빛이 반사되고 그 에너지가 되돌아오는 경로의 과정에서 사용될 수 있도록 하부면은 가능한 한 매끄럽고 광택이 있어야 한다.
본 발명은 선행 기술에서의 문제점들을 해결하고, 특히, 유리한 추가적인 개발이 가능한 방법 및 실리콘 웨이퍼들의 개선되고 효과적인 식각을 수행하기 위한 도입에서 언급되는 방법 및 또한 장치를 제공하는 목적에 근거한다.
이러한 목적은 청구항 제1항의 특징들을 포함하는 방법과 또한 청구항 제10항의 특징들을 포함하는 장치에 의하여 구현된다. 본 발명의 유리하고 바람직한 실시예들은 추가적인 청구항들의 주제(subject matter)이며 아래에서 더욱 상세하게 설명된다. 상기 장치의 어떠한 특징들이 상기 방법과 연결되어 주로 설명되지만, 상기 특징들은 동시에 상기 장치를 설명하기 위한 역할을 하며 일반적으로 상기 장치에 적용될 수 있다. 더욱이, 동일 출원인의 이름으로 2007년 12월 19일자의 DE 102007063202.0 우선권 출원에 기재된 내용(wording)은 본 발명의 명세서의 내용에 명백히 인용되어 통합된다. 청구항들에 기재된 내용(wording)은 본 발명의 명세서의 내용에 명백히 인용되어 통합된다.
본 발명에 따르면, 제1 방법 단계에서는, 실리콘 웨이퍼들은, 수평 이송 경로부(horizontal transport path)를 따라 정확하게, 수평 위치(horizontal position)로 이송된다. 텍스쳐링을 위한 식각 용액이 위로부터(from above) 적용되거나 분무(spray on)되는데, 이러한 목적을 위하여 노즐들, 서지 파이프들 또는 이와 유사한 것들이 사용될 수 있으며, 이것들은 그러한 목적을 위하여 그 자체로 알려져 있다. 실리콘 웨이퍼들의 아래로부터(from below), 이러한 방법 단계에서 실리콘 웨이퍼들 또는 실리콘 웨이퍼들의 하부면에 액체가 전혀 적용되지 않거나 거의(only little) 적용되지 않는다. 아무튼, 어떠한 식각액 등이 하부면으로부터 분무되지 않는다. 이러한 목적을 위하여, 해당하는 적합한 방식으로 구현된 장치는 상부면을 웨팅하기 위하여 상기 이송 경로부 상에, 상기 노즐들 또는 서지 파이프들 등등을 포함할 수 있다. 상기 하부면 아래에, 이러한 노즐들 등등은 전혀 제공되지 않는다.
이후의 단계 또는 제2 방법 단계에서, 실리콘 웨이퍼들은, 상기 제1 방법 단계에서처럼 동일한 방식으로 또는 동일한 방향으로, 상기 이송 경로부 상에 수평 위치로, 아래로부터 폴리싱-식각을 위하여 식각 용액으로 웨팅된다. 유리하게는, 이 경우에 있어서 상기 식각 용액은 오로지 아래로부터만 실질적으로 적용되며 그리고 또한 오로지 하부면에만 실질적으로 적용된다. 이송 롤러들 또는 이와 유사한 것이 제1 방법 단계에서 이송 경로부를 위하여 사용된다면 위로부터의 어떠한 식각 용액은 또한 상기 이송 롤러들 상으로 지날(pass) 수 있으며 그 다음에 상기 이송 롤러들에 의하여 실리콘 웨이퍼들의 하부면으로 전이될 수 있기 때문이다. 이것은 관리할 수 있는 양이므로, 그러나, 식각 효과는 여기에서 매우 작게 될 수 있다. 이것은, 예를 들어, 제2 방법 단계를 위해 준비하는 과정에서 유리할 수 있다.
이러한 방식으로, 약 4　㎛ 내지 6　㎛의 물질이, 바람직하게는 약 5 ㎛의 물질이, 소잉 손상을 제거하고 상부면을 텍스쳐링하기 위하여 제1 방법 단계에서 제거될 수 있다. 여기에서 상기 방법의 지속 시간은 약 80초 내지 120초일 수 있다. 이러한 경우에서, 실리콘 웨이퍼들이 연속적인 방법으로 유리하게 이동되거나 또는 이송 경로부 상에 해당하는 텍스쳐링 모듈을 통과하여 이동될 수 있다.
제1 방법 단계에서, 약 2　㎛의 물질이 하부면 상에서 제거되거나 식각된다. 결국, 여기에서와 마찬가지로, 여기에서 바람직하지 않은, 표면 텍스쳐링이 적절하게 발생하지 않는 동안, 일부의 소잉 손상은 이미 제거된다. 텍스쳐링의 방법 단계 이후에, 실리콘 웨이퍼들은, 유리하게는 물로써, 린스될 수 있다.
제1 방법 단계 동안 사용되는 식각 용액은 텍스쳐링을 위한 통상적인 식각 용액일 수 있으며, 바람직하게는 HF 및 HNO3의 혼합물을 포함하는 식각 용액일 수 있다. 제1 방법 단계에서 또는 후자가 텍스쳐링 모듈에서 수행될 때, 텍스쳐링을 위한 식각 용액은 이송 경로부를 따라 복수개의 영역에서 연속적으로 적용될 수 있다. 이러한 목적을 위하여, 식각 용액을 분무하기 위한 복수개의 그룹의 노즐들 또는 이와 유사한 것이 이송 경로부에 대하여 가로 놓여 달리는 서지 파이프들 또는 이와 유사한 것 상에 연속하여 유리하게 제공된다. 이것은, 또한, 대체로 알려져 있다.
흘러나가는 식각 용액을 모으고 재사용할 수 있도록, 텍스쳐링 모듈은 이송 경로부 아래에 컬렉팅 트로프를 수반하여 유리하게 제공된다. 텍스쳐링 모듈 내의 제1 방법 단계에서 식각 용액으로 웨팅한 이후에 실리콘 웨이퍼들을 상기 린스하는 단계는 상기 텍스쳐링 모듈 내에 유리하게 수행되며, 특히 텍스쳐링 모듈의 말단에서 유리하게 수행된다. 텍스쳐링 모듈의 구획은 물로 린스하기 위하여 실현될 수 있으며, 감소된 세정 경비가 일어나도록 두 개의 액체들을 분리하기 위한 목적으로, 여기에서 컬렉팅 트로프는 식각 용액을 위한 컬렉팅 트로프로부터 분리되어 여기에서 제공된다. 실리콘 웨이퍼들 상에 물로 린스하는 강도는, 즉 물의 양은, 식각 용액으로 웨팅하기 위한 강도보다 상당히 더 클 수 있다.
유리하게는, 실리콘 웨이퍼들은 제1 방법 단계 이후에 또는 텍스쳐링 모듈로부터 폴리싱-식각 모듈에서 발생하는, 다음 단계 또는 제2 방법 단계로 직접 이동할 수 있다. 여기에서 폴리싱-식각을 위한 식각 용액이 적용되며, 여기에서 상기 실리콘 웨이퍼들은 아무튼 폴리싱-식각 모듈을 통하여 이송 경로부 상에 연속적인 방법으로 이송된다. 실리콘 웨이퍼들은 그들의 하부면에서만 웨팅된다. 이것은, 일례로, 아래로부터 약한 분무에 의해 수행될 수 있다. 명백하게 인용되는, DE 10 2005 062 528 A1에 따른 폴리싱-식각 모듈의 방법 및 또한 장치는 이러한 목적을 위하여 유리하게 사용된다. 이러한 경우에, 실리콘 웨이퍼들을 위한 이송 롤러들은 대부분 폴리싱-식각을 위한 식각 용액을 포함한 배스 내에 침지된다. 회전할 때, 식각 용액은 상부면에 밀착(adhere)되며 그리고 그 다음에 실리콘 웨이퍼들의 하부면들에 이르며, 여기에서 이것이 폴리싱-식각을 수행한다. 따라서 3　㎛ 내지 10　㎛의 식각 제거가 하부면에서 구현될 수 있으며, 그럼으로써 매우 우수한 폴리싱-식각이 매끄럽고 광택이 나는 후면에 대하여 매우 우수한 결과를 수반하여 실질적으로 가능하다. 이러한 방법 단계는 여기에서 이전 방법 단계에서보다 다소 더 길게 지속될 수 있으며, 그리고 특히 약 200초 지속될 수 있다. 여기에서도, 식각 제거는 방법 지속 시간에 의해 결정될 수 있다. 비록 HNO3 이 비율이 더 크지만, 폴리싱-식각을 위해 사용되는 식각 용액은 텍스쳐링 동안 사용되는 식각 용액과 유사하다. 식각 공정들은 상온에서, 약 4℃ 내지 약 40℃에 걸친 온도 범위에서, 수행될 수 있다.
이러한 그리고 추가적인 특징들은 특허청구범위 뿐만 아니라 상세한 설명 및 도면들에서도 나타나며, 여기에서 개별적인 특징들은 각각의 경우에서 스스로 실현될 수 있거나 또는 본 발명의 실시예에서 그리고 다른 분야들에서 서브컴비네이션의 형태로 복수개로서 실현될 수 있으며 여기에서 권리를 주장하는 보호를 위하여 유리하고 본질적으로 보호할 수 있는 실시예들을 구성할 수 있다. 본원을 개별적인 섹션들 및 부제들로 분할하는 것은 다음에서 설명되는 명세서의 일반적인 유효성을 제한하지 않는다.
본 발명에 따르면 실리콘 웨이퍼들의 개선되고 효과적인 식각이 가능하다.
본원의 예시적인 실시예는 도면들에서 개요적으로 도해되며 그리고 아래에서 더욱 상세하게 설명된다. 도면들은 다음과 같다:
도 1은 위로부터 실리콘 웨이퍼들을 분무함으로써 텍스쳐링하기 위한 장치의 개요적인 도해를 도시하며, 그리고
도 2는 아래로부터 이송 롤러들에 의해 웨팅함으로써 실리콘 웨이퍼들을 폴리싱-식각하기 위한 추가적인 장치를 개요적으로 도해하는 도면을 도시한다.
도 1은 이송 경로부(12)를 수반한 텍스쳐링 모듈(texturing module)을 도해하며, 이송 경로부(12)는 복수개의 이송 롤러들(13)에 의해 통상적인 방법으로 형성된다. 텍스쳐링 모듈(11)은 컬렉팅 트로프(collecting trough , 16)를 포함하는 하우징(15), 및 좌측으로부터 이송 경로부(12)에서의 입구(inlet ,18)를 가진다.
컬렉팅 트로프(16) 및 이송 경로부(12)의 위에, 복수개의 서지 파이프들(surge pipes , 19)이 서로 평행하게 제공되며, 서지 파이프들은 이송 경로부(12)에 대하여 가로 놓여(transversely) 달릴(run) 수 있다. 서지 파이프들은 식각 용액(21)을 출급(output)하며, 방향이 아래로 향하는 노즐들(20)을 가진다. 상기 노즐들(20)은 당업자에게 그 자체로 또한 알려져 있다. 노즐들(20)은 단단하게 정렬될 수 있거나 또는 그 밖에 움직일 수 있다(movable). 더욱이, 노즐들(20)은 또한, 어떠한 경우들에 있어서는, 식각 용액(21)의 방출(discharge)의 특정한 프로파일(profile)을 구현하기 위하여 개별적으로 또는 집단적으로 활성화될 수 있다.
실리콘 웨이퍼들(22)은 이송 경로부(12)를 따라 수평 위치로 이송 롤러들(13) 상에서 이송된다. 상부면들(top sides, 23)은 이후에 태양 전지들의 전면들(front sides)을 형성하며, 그리고 이송 롤러들(13) 상에 지탱하는 하부면들(undersides, 24)은 상기 태양 전지들의 후면들(rear sides)을 형성한다.
도 1로부터 이해될 수 있는 것처럼, 식각 용액(21)은 실리콘 웨이퍼들(22)의 상으로만 방출된다. 따라서, 실리콘 웨이퍼들(22)의 텍스쳐링 또는 실리콘 웨이퍼들(22)의 상부면들(23)의 텍스쳐링은 여기에서 주로 제1 방법 단계에서 수행된다. 이러한 경우에서, 식각 용액(21)의 어떠한 양은 특히 실리콘 웨이퍼들(22)의 전면 에지들(front edges) 및 실리콘 웨이퍼들(22)의 에지들 상에 넘치며(overflow) 그리고 그 다음에 이송 롤러들(13) 상에 위치된다는 것은 또한 명백하다. 이송 롤러들(13) 상에 위치하는 후속의 실리콘 웨이퍼들(22)은 실리콘 웨이퍼들(22)의 하부면들(24) 상에서도 이러한 식각 용액(21)으로 웨팅(wetting)된다. 그러나, 여기에서는 식각 용액(21)의 양은 상당히 더 작아서, 식각도 상당히 덜 진행된다. 그러나, 도해된 것처럼, 위로부터 식각 용액(21)의 목표된 적용은 노즐들(20)에 의하여 수행되기 때문에, 이것은 본 발명의 의미 내에서 위로부터 식각 용액을 적용하는 것으로 언급된다.
아래에 실리콘 웨이퍼들(22)이 실제로 존재하지 않는다면 식각 용액(21)이 이송 롤러들(13)에 적용되어, 그 다음의 실리콘 웨이퍼들(22)의 하부면들(24)을 식각 용액(21)으로 웨팅시키는 것을 강화하기 위하여, 노즐들(20)이, 예를 들어, 이송 롤러들(13) 상에 배열(arrange)되거나 또는 이송 롤러들(13)을 향하여 방향(orient)될 지 여부를 결정하는 것이 가능하다. 노즐들(20)이 다르게 배열되거나 또는 배향된다면, 이러한 효과는 상당히 더 약화된다. 더욱이, 상기 하부면에서의 식각의 효과도 또한 노즐들(20)의 목표된 구동에 의해서 또는 실리콘 웨이퍼들(22)의 상부면들(23) 상으로 식각 용액(21)의 목표된 방출에 의해서 영향을 받을 수 있다.
우측으로 향하여 계속된 텍스쳐링 모듈(11)에서, 멀리 우측 상에서 도해된 노즐들(20)은 식각 용액(21)을 출급하기 위한 것이 아니라, 물 또는 린스액(rinsing water, 26)을 출급하기 위해 설계될 수 있다. 이것 때문에 실리콘 웨이퍼의 상부면들(23)을 위한 이러한 영역에서 실리콘 웨이퍼들(22)로부터 식각 용액(21)이 세정될 수 있다. 분리기(separator, 28)가 컬렉팅 트로프(16) 내에 이러한 목적을 위하여 제공되는데, 침지된 식각 용액(21)은 상기 분리기의 좌측에 위치하고 작은 비율의 식각 용액과 혼합된 린스액(26)은 상기 분리기의 우측에 위치하도록 하기 위함이다. 식각 용액(21)을 적용하기 위하여 노즐들(20)을 수반한 연속하는 서지 파이프들(19)의 개수는 변할 수 있으며, 소정의 이송 속도 및 방법 지속 시간에 따라 변동될 수 있다. 마찬가지로, 실리콘 웨이퍼들(22)을 린스하기 위해 린스액(26)을 위한 복수개의 노즐들(20)을 제공하는 것이 유리하게 가능하다.
도 2는 폴리싱-식각 모듈(31)을 도해한다. 폴리싱-식각 모듈은 이송 경로부(32)를 또한 가지며, 이것은 도 1로부터 이송 경로부(12)의 연장(continuation)이다. 마찬가지로, 폴리싱-식각 모듈(31)은 텍스쳐링 모듈(11)에 대하여 비교적 직접적으로(relatively directly) 잇달아 유리하게 제공되며 설치된다. 이송 경로부(32)는 이송 롤러들(33)에 의해 형성된다. 폴리싱-식각 모듈(31)의 상세한 설명을 위하여, DE　10　2005 062 528 A1을 주로 참조할 수 있는데, 상기 문헌에서는 폴리싱-식각을 위한 식각 용액(35)이 이송 롤러들(33)에 의하여 배스(bath, 37)로부터 실리콘 웨이퍼들(22)의 하부면들(24)로 이르게 되는 방법을 상세하게 설명한다. 따라서, 이송 롤러들은 웨이퍼들을 이송하기 위해서 그리고 웨이퍼들의 하부면을 웨팅하기 위하여 역할을 한다. 폴리싱-식각을 위한 식각 용액(35)은 앞에서 기술된 것과 같다. 제2 방법 단계에서, 식각 용액(35)은 실리콘 웨이퍼들(22)의 상부면(23) 상에로 옮겨가지(pass) 않으며, 하부면들(24)에만 옮겨간다는 것이, 도 2의 도해로부터, 또한 이해될 수 있다.
배스(37)는 두 개의 공급 파이프들(38) 사이에 출구(outlet, 40)를 가지며, 상기 공급 파이프들은 배스(37)로 새로운 식각 용액(35)을 제공한다. 상기 출구는, 배스(37)의 에지 상에 측방향으로 넘치게 하는 것에 더하여, 공급 파이프들(38)의 출구(exit)의 영역에서 새로운(fresh) 식각 용액(35)이 존재할 뿐만 아니라 식각 용액이 출구(40)의 방향으로 또한 이동하고 따라서 이송 롤러들(33)에 의하여 실리콘 웨이퍼들(22)의 하부면들(24)에 또한 이르게 할 수 있도록 하는 방식으로 식각 용액(35)이 교환되는 것을 보장하게 한다. 실리콘 웨이퍼들(22)을 처리하는 방법 시퀀스에서, 폴리싱-식각 모듈(31) 내의 폴리싱-식각 단계는 또한, 유리하게는 물을 수반하여 다시 한번, 추가적인 린스 단계가 뒤따른다.
폴리싱-식각 모듈(31)은 또한 하우징(34) 내에 제공될 수 있다. 식각 용액들의 증기들의 추출은, 물론, 두 개의 모듈들 내에서 제공될 수 있다.
기판들은 약 60 mm 내지 250 mm의 직경을 가지는 원형 윤곽을 가지거나 또는 길이가 60 mm 내지 250mm 인 장방형 윤곽을 가지는 일반적으로 평평하고, 평면의 실리콘 웨이퍼들(22)이다. 바람직한 두께는 0.1 mm 내지 2 mm의 범위 내에 있다.
11 : 텍스쳐링 모듈
13 : 폴리싱-식각 모듈
22 : 실리콘 웨이퍼들
12, 32 : 수평 이송 경로부
21, 35 : 식각 용액
20 : 노즐들
19 : 서지 파이프들
16 : 컬렉팅 트로프
13, 33 : 이송 롤러들

Claims (16)

  1. 실리콘 웨이퍼들(22)을 처리하기 위한 방법으로서,
    제1 방법 단계에서,
    상기 실리콘 웨이퍼들(22)이 수평 이송 경로부(12, 32)를 따라 수평 위치에서 이송되며 그리고 텍스쳐링(texturing)을 위한 제1 식각 용액(21)이 노즐들(20)에 의하여 상기 실리콘 웨이퍼들(22)의 상부면(23) 위로부터 적용되며, 이러한 제1 방법 단계에서 상기 실리콘 웨이퍼들(22) 아래로부터 상기 실리콘 웨이퍼들(22)에 상기 제1 식각 용액(21)이 적용되지 않으며,
    제2 방법 단계에서,
    상기 실리콘 웨이퍼들(22)이, 상기 제1 방법 단계에서처럼 동일한 방향을 가지고, 상기 실리콘 웨이퍼들(22)의 하부면(24) 아래로부터 적용된 폴리싱-식각(polish-etching)을 위한 제2 식각 용액(35)으로 웨팅되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    텍스쳐링의 상기 제1 방법 단계와 폴리싱-식각의 상기 제2 방법 단계 사이에 린스하는 단계가 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법.
  3. 제1 항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 방법 단계에서,
    상기 실리콘 웨이퍼들(22)이 이송 롤러들(13) 상에서 이송되고 상기 제1 식각 용액(21)은 상기 이송 롤러들(13)에 의해 상기 실리콘 웨이퍼들의 하부면(24)에 이르게 되며,
    상기 하부면(24)에 이르는 상기 제1 식각 용액(21)의 양(amount)은 상기 상부면(23)에 이르는 상기 제1 식각 용액(21)의 양보다 더 작은 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법.
  4. 제1 항 또는 제2항에 있어서,
    텍스쳐링 하기 위한 상기 제1 방법 단계에서,
    4　㎛ 내지 6　㎛의 물질이 상기 상부면(23)에서 제거되며 그리고 1　㎛ 내지 3　㎛가 상기 하부면(24)에서 제거되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법.
  5. 제1 항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 방법 단계는 80초 내지 120초 동안 지속되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법.
  6. 제1 항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 방법 단계에서,
    텍스쳐링을 위한 상기 제1 식각 용액(21)은 상기 실리콘 웨이퍼들(22)의 상기 이송 경로부(12)를 따라 연속적으로 복수개의 영역들에서 적용되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법.
  7. 제1 항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 방법 단계에서,
    상기 실리콘 웨이퍼들(22)이 연속적으로 통과(passage)하면서 폴리싱-식각을 위한 상기 제2 식각 용액(35)이 적용되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    폴리싱-식각하기 위한 상기 제2 방법 단계의 지속 시간(duration)은 200초인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    폴리싱-식각을 위하여 사용되는 상기 제2 식각 용액(35) 및 텍스쳐링을 위하여 사용되는 상기 제1 식각 용액은 HF 및 HNO3 의 혼합물을 포함하며, 폴리싱-식각을 위한 상기 제2 식각 용액(35)의 경우에서 HNO3의 양은 텍스쳐링을 위하여 사용되는 상기 제1 식각 용액의 경우에서 HNO3의 양 보다 더 큰 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법.
  10. 제1항에 따른 방법을 수행하기 위한 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 장치로서,
    상기 장치는
    이송 롤러들(13)을 수반하는 수평 이송 경로부(12)를 수반하고 그리고 또한 상기 제1 식각 용액(21)을 적용하기 위한 노즐들(20)을 수반하고, 상기 실리콘 웨이퍼들의 상기 상부면(23) 상으로 위로부터 상기 제1 식각 용액을 적용함으로써 상기 실리콘 웨이퍼들(22)을 텍스쳐링하기 위한 텍스쳐링 모듈(11); 및
    아래로부터 상기 하부면(24)으로 상기 제2 식각 용액(35)을 적용함으로써 상기 실리콘 웨이퍼들(22)의 상기 하부면(24)을 폴리싱-식각하기 위한, 이송 방향으로 상기 텍스쳐링 모듈(11)의 다운스트림 (downstream)인, 폴리싱-식각 모듈(31); 을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 장치.
  11. 삭제
  12. 제10항에 있어서,
    상기 텍스쳐링 모듈(11)은 상기 실리콘 웨이퍼들(22)로부터 아래로 흐르는 상기 제1 식각 용액(21)을 모으기 위하여 상기 이송 경로부(12) 아래에 컬렉팅 트로프(16)를 포함하며,
    닫힌 영역을 형성하기 위하여 상기 컬렉팅 트로프(16) 내에 분리기(28)가 제공되며,
    위로부터 물(26)로 상기 실리콘 웨이퍼(22)를 린스하기 위하여 물 공급부(water supply)를 수반한, 노즐들(20)이 상기 영역 위에 제공되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 장치.
  13. 제6항에 있어서,
    상기 제1 방법 단계에서, 텍스쳐링을 위한 상기 제1 식각 용액(21)은 상기 이송 경로부(12)에 대하여 횡단하는(running transversely) 노즐들(20)을 동반하는 복수개의 서지 파이프들(19)에 의하여 적용되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법.
  14. 제7항에 있어서,
    폴리싱-식각을 위한 상기 제2 식각 용액(35)으로 웨팅하는 것은 상기 실리콘 웨이퍼들(22)을 위한 이송 롤러들(33)에 의하여 수행되며, 상기 이송 롤러들(33)의 적어도 일부는 상기 제2 식각 용액(35)을 포함하는 배스 (bath) 내에 침지(immerse)되며, 상기 이송 롤러들(33)의 표면에서 상기 제2 식각 용액(35)을 상기 실리콘 웨이퍼들(22)의 상기 하부면(24)으로 이르게 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법.
  15. 제5항에 있어서,
    상기 실리콘 웨이퍼들(22)은 연속적인 방법으로 이송되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법.
  16. 제4항에 있어서,
    상기 상부면(23)으로부터 제거되는 상기 물질의 양은 상기 하부면(24)으로부터 제거되는 양의 두 배 보다 많은 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼들을 처리하기 위한 방법.
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