KR100675628B1 - 절연막 식각장치 및 식각방법 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 138
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 104
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 43
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 35
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 abstract description 7
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 abstract description 4
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 15
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 15
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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Abstract
Description
따라서, 공통전극에 전압을 인가한 상태에서 화소전극에 인가되는 전압을 제어함으로써, 액정 셀들의 광투과율을 개별적으로 조절할 수 있게 된다.
여기서, 단위 액정 셀은 데이터 라인(2)과 게이트 라인(4)의 교차부마다 정의되며, 단위 액정 셀은 박막 트랜지스터(TFT)와 화소전극(14)으로 구성된다.
상기 구성으로 이루어지는 기존의 액정표시장치의 제조방법에 대해 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2를 참조하면, 기존의 박막 트랜지스터(TFT)의 제조방법은, 먼저 상기 박막 트랜지스터 어레이기판(50)상에 Mo, Al 또는 Cr과 같은 금속물질을 형성한 다음 패터닝하여 게이트 전극(10)을 형성한다.
도4는 종래 절연막 식각장치의 평면구성을 간략히 보인 예시도이다.
따라서, 종래의 절연막 식각장치 및 방법에 의하면, 기판의 얼룩발생으로 인해 액정 표시장치의 화질을 저하시키는 문제점이 있었다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 절연막 식각방법은, 절연막이 형성된 기판을 로딩하는 단계와; 상기 기판을 일측방향으로 이동시키면서 기판의 상면과 하면에 식각액을 분사하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 절연막 식각방법은 절연막이 형성된 기판을 로딩하여 지지바를 통해 지지하는 단계 및, 상기 기판을 회전롤러를 이용하여 일측방향으로 이동시키면서 상면 스프레이 노즐과 하면 스프레이 노즐 및 롤러 접촉면 스프레이 노즐을 통해 기판의 상면과 하면 및 회전롤러와의 접촉면에 식각액을 분사하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
먼저, 절연막이 형성된 기판(201)을 로딩하여 지지바(202A∼202C)를 통해 지지한다.
그다음, 상기 기판(201)을 회전롤러(203A∼203D)를 이용하여 일측방향으로 이동시키면서 상면 스프레이 노즐(205)과 하면 스프레이 노즐(207)을 통해 기판 (201)의 상면과 하면에 식각액을 분사시킨다.
먼저, 절연막이 형성된 기판(201)을 로딩하여 지지바(202A∼202C)를 통해 지지한다.
그다음, 상기 기판(201)을 회전롤러(203A∼203D)를 이용하여 일측방향으로 이동시키면서 상면 스프레이 노즐(205), 하면 스프레이 노즐(207) 및 롤러 접촉면 스프레이 노즐(209)을 통해 기판(201)의 상면, 하면 및 회전롤러(203A∼203D)와의 접촉면에 식각액을 분사시킨다.
먼저, 절연막이 형성된 기판(201)을 로딩하여 지지바(202A∼202C)를 통해 지지한다.
그다음, 상기 기판(201)을 회전롤러(203A∼203D)를 이용하여 일측방향으로 이동시키면서 상면 스프레이 노즐(205)과 하면 스프레이 노즐(207)을 통해 기판(201)의 상면과 하면에 식각액을 분사시킨다.
이어서, 상기 상기 식각액이 분사되어 절연막이 식각된 기판(201)을 침액부 (210)의 식각액에 담근다.
먼저, 절연막이 형성된 기판(201)을 로딩하여 지지바(202A∼202C)를 통해 지지한다.
그다음, 상기 기판(201)을 회전롤러(203A∼203D)를 이용하여 일측방향으로 이동시키면서 상면 스프레이 노즐(205), 하면 스프레이 노즐(207) 및 롤러 접촉면 스프레이 노즐(209)을 통해 기판(201)의 상면, 하면 및 회전롤러(203A∼203D)와의 접촉면에 식각액을 분사시킨다.
이어서, 상기 식각액이 분사되어 절연막이 식각된 기판(201)을 침액부(211)의 식각액에 담근다.
Claims (18)
- 절연막이 형성된 기판을 지지하는 지지바;상기 지지바에 구비되어 상기 기판을 일측방향으로 이동시키는 회전롤러;상기 기판의 상면에 노즐구를 통해 식각액을 분사하는 상면 스프레이 노즐; 상기 기판의 하면에 노즐구를 통해 식각액을 분사하는 하면 스프레이 노즐; 및상기 회전롤러와 접촉하는 기판의 접촉면에 식각액을 분사하는 롤러 접촉면 스프레이 노즐;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 절연막 식각장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 액정 표시장치의 박막 트랜지스터 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 절연막 식각장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 절연막은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 절연막 식각장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 식각액은 HF 계열의 식각액인 것을 특징으로 하는 절연막 식각장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 식각액은 HF 또는 NH4F가 함유된 것을 특징으로 하는 절연막 식각장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 회전롤러는 상기 지지바의 양측면에 교번하여 구비된 것을 특징으로 하는 절연막 식각장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 회전롤러는 발수성 또는 소수성 재질인 것을 특징으로 하는 절연막 식각장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 상면 스프레이 노즐 및 하면 스프레이 노즐을 통해 식각액이 분사되어 절연막이 식각된 기판을 식각액에 담그기 위한 침액(浸液, dipping)부를 더 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 절연막 식각장치.
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- 절연막이 형성된 기판을 로딩하는 단계;상기 기판을 일측방향으로 이동시키면서 스프레이 노즐을 통해 기판의 상면과 하면에 식각액을 분사하는 단계; 및상기 상면과 하면에 식각액이 분사된 기판을 식각액에 담그는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 절연막 식각방법.
- 제 11 항에 있어서, 절연막은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 절연막 식각방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 식각액은 HF 계열의 식각액인 것을 특징으로 하는 절연막 식각방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 기판은 회전롤러에 의해 일측방향으로 이동되는 것을 특징으로 하는 절연막 식각방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 스프레이 노즐은 상면 스프레이 노즐과 하면 스프레이 노즐로 이루어져 상기 기판의 상면과 하면에 식각액을 분사하는 것을 특징으로 하는 절연막 식각방법.
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- 절연막이 형성된 기판을 로딩하여 지지바를 통해 지지하는 단계; 및상기 기판을 회전롤러를 이용하여 일측방향으로 이동시키면서 상면 스프레이 노즐과 하면 스프레이 노즐 및 롤러 접촉면 스프레이 노즐을 통해 기판의 상면과 하면 및 회전롤러와의 접촉면에 식각액을 분사하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 절연막 식각방법.
- 제 17 항에 있어서, 상기 기판의 상면과 하면 및 회전롤러와의 접촉면에 식각액을 분사한후 이 기판을 식각액에 담그는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 절연막 식각방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020063214A KR100675628B1 (ko) | 2002-10-16 | 2002-10-16 | 절연막 식각장치 및 식각방법 |
US10/650,962 US7527743B2 (en) | 2002-10-16 | 2003-08-29 | Apparatus and method for etching insulating film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020063214A KR100675628B1 (ko) | 2002-10-16 | 2002-10-16 | 절연막 식각장치 및 식각방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040033923A KR20040033923A (ko) | 2004-04-28 |
KR100675628B1 true KR100675628B1 (ko) | 2007-02-01 |
Family
ID=32089715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020063214A KR100675628B1 (ko) | 2002-10-16 | 2002-10-16 | 절연막 식각장치 및 식각방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7527743B2 (ko) |
KR (1) | KR100675628B1 (ko) |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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